Отличие лишь в номиналах некоторых деталей.

Для снижения напряжение на выходе ищем резистор, который соединяет шестую ножку TEA1761 и плюс с выхода блока питания (на фото отмечен красным).

На схеме этот резистор состоит из двух (они тоже обведены красной линией).

Для удобства приводим назначение и расположение ножек из datasheet TEA1761.

Выпаиваем этот резистор и измеряем его сопротивление – 18 кОм.

Достаем из закромов переменный или подстроечный резистор на 22 кОм и настраиваем его на 18 кОм. Впаиваем его на место предыдущего.

Постепенно снижая сопротивление добиваемся показания 14 — 14,5 В на выходе блока питания.

Получив необходимое напряжение можно его отпаять от платы и измерить текущее сопротивление – оно составило 12,37 кОм.

После всего нужно подобрать постоянный резистор, с как можно близким к этому значению номиналом. У нас это будет пара 10 кОм и 2,6 кОм. Увы, в SMD исполнение ничего подобного не нашлось, пришлось кончики резисторов посадить в термокембрик.

Паяем данные резисторы.

Тестируем работу блока – 14,25 В на выходе. Напряжение для зарядки автомобильного АКБ в самый раз.

Собираем блок питания и подключаем крокодилы на конце шнура. (Необходимо тщательно проверять полярность на выходе шнура, в некоторых блоках питания «-» — это центральный провод, а «+» — оплетка).

Зарядное устройство из блока питания ноутбука работает как положено, ток в середине процесса зарядки составляет около 2-3 А. При падении тока зарядки до 0,5-0.2 А, процесс зарядки можно считать оконченным.

Для удобства зарядное можно снабдить амперметром, прикрученным на корпус, или контрольным светодиодом, который будет сигнализировать об окончании заряда. Как дополнительную меру предосторожности можно посоветовать использовать хоть какую-то защиту от переполюсовок.

Схема защиты зарядного устройства

Рассмотрим поближе схему защиты от переполюсовки на полевом транзисторе. Потери напряжения на полевом транзисторе минимальные, а время срабатывания не более 1мкСек.+

Работает схема вот таким образом. При правильном подключении полевой транзистор открыт, и весь ток поступает на выход схемы. При коротком замыкании, перегрузке, или переполюсовке падение напряжения на шунте и полевом транзисторе достаточно, что бы сработал маломощный биполярный транзистор. Когда транзистор сработал, он замыкает затвор полевого транзистора на землю, закрывая его полностью.

По материалам сети ИНТЕРНЕТ.

Сравнительный дизайн драйверов затворов со схемой защиты от короткого замыкания для SiC MOSFET и Si IGBT

Автор

• Shan Yin

  (Центр исследований микросистем и терагерцов, Китайская инженерно-физическая академия, Чэнду 610200, Китай
  Институт электронной инженерии, Китайская инженерно-физическая академия, Мяньян 621999, Китай
  

  Текущий адрес: 596 Yinhe Road, Shuangliu District, Чегнду 610200, Сычуань, Китай)

• Yingzhe Wu

  (Школа аэронавтики и астронавтики Китайского университета электронных наук и технологий, Чэнду 611731, Китай)

• Yitao Liu

  (Колледж мехатроники и техники управления Шэньчжэньского университета, Шэньчжэнь 518060, Китай)

• Xuewei Pan

  (Школа машиностроения и автоматизации, Харбинский технологический институт, Шэньчжэнь 518055, Китай)

Резюме

Короткое замыкание является наиболее критическим механизмом отказа силовых преобразователей. Среди различных схем защиты от короткого замыкания защита от ненасыщения является наиболее зрелым и широко используемым решением. Из-за отсутствия интегральной схемы драйвера затвора (ИС) с защитой от ненасыщения для полевого транзистора металл-оксид-полупроводник на основе карбида кремния (SiC) (MOSFET) обычно используется ИС драйвера биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT). эти два устройства имеют аналогичную конструкцию затвора и приводной механизм. В этой работе драйвер затвора с защитой от ненасыщения разработан для 1,2-кВ/30-A SiC MOSFET и кремниевого (Si) IGBT с готовой ИС драйвера. Для дальнейшего ограничения перенапряжения при быстром переходном процессе выключения введена активная схема фиксации. Основываясь на экспериментах по характеристике переключения и испытаниях на короткое замыкание, SiC MOSFET показывает более высокую скорость переключения, более серьезную проблему электромагнитных помех (EMI), меньшие потери переключения (половина) и более высокий ток короткого замыкания (1,6 раза), чем Si IGBT, даже с более медленным драйвером затвора. Таким образом, для схемы защиты от ненасыщения SiC MOSFET требуется высокая скорость срабатывания. Из-за большого времени задержки существующей схемы защиты от ненасыщения технически сложно разработать схему защиты менее мкс. В данной работе предлагается внешний источник тока для заряда гасящего конденсатора. Время короткого замыкания 0,91 мкс достигается при надежной защите. Кроме того, пиковый ток снижается на 22%.

Предлагаемое цитирование

• Шан Инь, Инчжэ Ву, Итао Лю и Сюевэй Пан, 2019. « Сравнительный дизайн драйверов затворов со схемой защиты от короткого замыкания для SiC MOSFET и Si IGBT «, Энергии, МДПИ, вып. 12(23), страницы 1-15, ноябрь.
Обработчик: RePEc:gam:jeners:v:12:y:2019:i:23:p:4546-:d:292234

как

HTMLHTML с абстрактным простым текстом обычный текст с абстрактнымBibTeXRIS (EndNote, RefMan, ProCite)ReDIFJSON

Скачать полный текст от издателя

URL-адрес файла: https://www.mdpi.com/1996-1073/12/23/4546/pdf
Ограничение на загрузку: нет


---

URL-адрес файла: https://www. mdpi.com/ 1996-1073/12/23/4546/
Ограничение на загрузку: №
—>

Список ссылок на IDEAS

как

HTMLHTML с абстрактным простым текстомпростой текст с абстрактнымBibTeXRIS (EndNote, RefMan, ProCite)ReDIFJSON

1. Итао Лю и Чинг-Минг Лай, 2018 г. Конструкция фильтра LCL с учетом электромагнитных помех для инвертора, подключенного к сети , » Энергии, МДПИ, вып. 11(7), страницы 1-14, июнь.
2. Джанлука Брандо, Адольфо Даннье, Андреа Дель Пиццо и Марино Коппола, 2017 г. « Преобразователь коррекции коэффициента мощности на основе карбида кремния, адаптированный для полностью электрических самолетов, с адаптивным регулятором звена постоянного тока «, Энергии, МДПИ, вып. 10(8), страницы 1-14, август.
3. Хайдер Заман, Сяохуа Ву, Сяньчэн Чжэн, Шахбаз Хан и Хусан Али, 2018 г. Подавление коммутационных перекрестных помех и колебаний напряжения в полумостовом преобразователе на основе SiC MOSFET ,» Энергии, МДПИ, вып. 11(11), страницы 1-19, ноябрь.
4. Цзяньгуй Чен, Ян Ли и Мэй Лян, 2019 г. « Драйвер затвора на основе переменного напряжения и сопротивления для подавления перегрузки по току и перенапряжения SiC MOSFET «, Энергии, МДПИ, вып. 12(9), страницы 1-14, апрель.
Полные ссылки (включая те, которые не совпадают с элементами в IDEAS)

Цитаты

Цитаты извлекаются проектом CitEc, подпишитесь на его RSS-канал для этого элемента.

как

HTMLHTML с абстрактным простым текстомпростой текст с абстрактнымBibTeXRIS (EndNote, RefMan, ProCite)ReDIFJSON


Процитировано:

1. Эктор Сарнаго и Оскар Люсия и Юлиан О. Попа и Хосе М. Бурдио, 2021 г. «Драйвер затвора с постоянным током для GaN HEMT, применяемый для преобразования резонансной мощности », Энергии, МДПИ, вып. 14(9), страницы 1-10, апрель.
2. Хуан Карлос Иглесиас-Рохас, Эрик Веласкес-Лосада и Роберто Бака-Арройо, 2022 г. » Онлайн-диагностика отказов в полномостовом модуле для оптимальной настройки многоуровневого инвертора на основе IGBT «, Энергии, МДПИ, вып. 15(14), страницы 1-14, июль.
3. Лорейн Макки, Марк Энтони Манна, Кристоф Батар, Николя Гино и Жюльен Векбродт, 2021 год. Исследование эффекта экранирования при работе импульсного трансформатора в драйверах с изолированным затвором для SiC MOSFET ,» Энергии, МДПИ, вып. 14(13), страницы 1-16, июнь.

Наиболее похожие товары

Это элементы, которые чаще всего цитируют те же работы, что и этот, и цитируются теми же работами, что и этот.
1. Лорейн Макки и Марк Энтони Манна, Кристоф Батар, Николя Гино и Жюльен Векбродт, 2021 год. « Исследование эффекта экранирования при работе импульсного трансформатора в драйверах с изолированным затвором для SiC MOSFET », Энергии, МДПИ, вып. 14(13), страницы 1-16, июнь.
2. Хунъян Чжао, Цзяньгуй Чен, Ян Ли и Фей Линь, 2021 г. « Новая схема управления затвором для подавления колебаний при включении SiC MOSFET в некельвиновском корпусе «, Энергии, МДПИ, вып. 14(9), страницы 1-11, апрель.
3. Томаш Бинковский, Марек Новак и Станислав Пирог, 2022. « Электроснабжение и компенсация реактивной мощности однофазной высокочастотной бортовой сети с фотогальваническим инвертором «, Энергии, МДПИ, вып. 15(7), страницы 1-16, апрель.
4. Ченг Не, Юэ Ван, Ванцзюнь Лэй, Тянь Ли и Шиюань Инь, 2018 г. «Моделирование и улучшенная стратегия безошибочного управления током для инвертора с демпфированием виртуального резистора «, Энергии, МДПИ, вып. 11(10), страницы 1-15, сентябрь.
5. Педро К. Болси и Эдемар О. Прадо и Гамильтом К. Сартори и Жоао Мануэль Ленц и Хосе Ренес Пиньейро, 2022 г. Параметры фильтра LCL и методология проектирования оборудования для минимального объема с учетом срока службы конденсатора ,» Энергии, МДПИ, вып. 15(12), страницы 1-20, июнь.
6. Тадеуш Платек, 2019. « Анализ пульсаций тока в конденсаторах активных фильтров питания «, Энергии, МДПИ, вып. 12(23), страницы 1-31, ноябрь.
7. Елена Лончарски и Вито Джузеппе Монополи и Риккардо Леуцци и Лепосава Ристич и Франческо Купертино, 2019. » Результаты анализа и моделирования Сравнение трехуровневых топологий NPC на основе Si IGBT и двухуровневых топологий на основе SiC MOSFET для высокоскоростных приводов ,» Энергии, МДПИ, вып. 12(23), страницы 1-16, ноябрь.
8. Шэнбао Юй, Нан Чен, Лихуэй Гао, Хайген Чжоу и Юн Хуан, 2019 г. « Подавление кондуктивных электромагнитных помех DM в фильтре активной мощности с помощью периодической модуляции несущей частоты «, Энергии, МДПИ, вып. 12(10), страницы 1-14, май.
9. Бин Ян, Кангли Лю, Сен Чжан и Цзяньфэн Чжао, 2018 г. » Разработка и внедрение нового унифицированного преобразователя качества электроэнергии на основе нескольких преобразователей для низковольтной сильноточной распределительной системы ,» Энергии, МДПИ, вып. 11(11), страницы 1-21, ноябрь.
10. Милад Морадпур, Паоло Пирино, Микеле Лосито, Вульф-Токе Франке, Амит Кумар и Джанлука Гатто, 2020 г. « Многоцелевая оптимизация параметров драйвера затвора в преобразователе постоянного тока на основе карбида кремния для электромобилей «, Энергии, МДПИ, вып. 13(14), страницы 1-14, июль.
11. По Ли, Руйю Ли и Хайфэн Фэн, 2018 г. Полное управление гармоническими искажениями, ориентированное на конечное управление, модель прогнозирующего управления для однофазных инверторов ,» Энергии, МДПИ, вып. 11(12), страницы 1-15, декабрь.
12. Лонг Бо, Лицзюнь Хуанг, Юфэй Дай, Юлян Лу и Кил То Чонг, 2018 г. » Ослабление компонентов постоянного тока с помощью адаптивного управления BP-PID в бестрансформаторных трехфазных инверторах, подключенных к сети ,» Энергии, МДПИ, вып. 11(8), страницы 1-22, август.
13. Дакан Юань, Имин Чжан и Сюхун Ван, 2021 г. Улучшенная аналитическая модель перекрестных помех SiC MOSFET в конфигурации мост-плечо ,» Энергии, МДПИ, вып. 14(3), страницы 1-30, январь.
14. Пак ХваПён, Ким ДоКён, Пэк Сынхо и Чон Джихун, 2019. » Расширение возможностей переключения при нулевом напряжении для резонансного преобразователя CLLC ,» Энергии, МДПИ, вып. 12(5), страницы 1-14, март.

Подробнее об этом изделии

Ключевые слова

десатурация; водитель ворот; конструкция схемы защиты; импульсный ток; короткое замыкание; Si БТИЗ; SiC МОП-транзистор;
Все эти ключевые слова.

Статистика

Доступ и статистика загрузки

Исправления

Все материалы на этом сайте предоставлены соответствующими издателями и авторами. Вы можете помочь исправить ошибки и упущения. При запросе исправления укажите дескриптор этого элемента: RePEc:gam:jeners:v:12:y:2019:i:23:p:4546-:d:292234 . См. общую информацию о том, как исправить материал в RePEc.

По техническим вопросам, касающимся этого элемента, или для исправления его авторов, названия, реферата, библиографической информации или информации для загрузки, обращайтесь: . Общие контактные данные провайдера: https://www.mdpi.com .

Если вы создали этот элемент и еще не зарегистрированы в RePEc, мы рекомендуем вам сделать это здесь. Это позволяет связать ваш профиль с этим элементом. Это также позволяет вам принимать потенциальные ссылки на этот элемент, в отношении которых мы не уверены.

Если CitEc распознал библиографическую ссылку, но не связал с ней элемент в RePEc, вы можете помочь с помощью этой формы .

Если вы знаете об отсутствующих элементах, ссылающихся на этот, вы можете помочь нам создать эти ссылки, добавив соответствующие ссылки таким же образом, как указано выше, для каждого ссылающегося элемента. Если вы являетесь зарегистрированным автором этого элемента, вы также можете проверить вкладку «Цитаты» в своем профиле RePEc Author Service, так как некоторые цитаты могут ожидать подтверждения.

По техническим вопросам относительно этого элемента или для исправления его авторов, названия, реферата, библиографической информации или информации для загрузки обращайтесь к менеджеру по индексированию MDPI (адрес электронной почты доступен ниже). Общие контактные данные провайдера: https://www. mdpi.com .

Обратите внимание, что фильтрация исправлений может занять пару недель. различные услуги RePEc.

Надежный сверхбыстрый метод защиты от короткого замыкания для E-Mode GaN HEMT

• DOI:10.1109/TPEL.2020.2968865
• Идентификатор корпуса: 213884278

 @article{Lyu2020ARU,
  title={Надежный сверхбыстрый метод защиты от короткого замыкания для GaN HEMT в режиме E},
  автор = {Синтонг Лю, и Хе Ли, и Юсеф Абдулла, и Ке Ван, и Боксуэ Ху, и Чжи Ян, и Цзявэй Лю, и Цзинь Ван, и Лиминг Лю, и Сандип Бала},
  journal={Транзакции IEEE по силовой электронике},
  год = {2020},
  объем={35},
  страницы={8926-8933}
} 

• Синтонг Лю, Хе Ли, С. Бала
• Опубликовано 23 января 2020 г.
• Инжиниринг
• IEEE Transactions on Power Electronics

Предлагается уникальный трехступенчатый метод защиты от короткого замыкания для 650-вольтового режима расширения (E-mode) нитрид-галлиевого транзистора с высокой подвижностью электронов ( GaN-HEMT). Этот метод может быстро обнаружить событие короткого замыкания, снизить напряжение затвора, чтобы улучшить способность устройства к короткому замыканию, и отключить неисправное устройство после подтверждения. Экспериментальные результаты доказывают, что с помощью этого метода время обнаружения короткого замыкания для GaN HEMT E-моды сокращается с 2 мкс до нескольких десятков… 

Посмотреть на IEEE

doi.org

Простая схема защиты на основе десатурации для GaN HEMT со сверхбыстрым откликом требуется защита от короткого замыкания (SCP) или защита от перегрузки по току (OCP) в…

Схема защиты от короткого замыкания с высокой помехоустойчивостью для GaN HEMT

• Jianping Wu, Wuji Meng, Fanghua Zhang, Guangdong Dong, Jianjun Shu

• Engineering, Computer Science

  IEEE Transactions на электронике Power Electronics

• 2021
В этой статье анализируется механизм интерференционного механизма DV/DT в цепи защиты от дезикации. в котором используется разрядный конденсатор для повышения помехозащищенности.

Понимание деградации электрических параметров P-GaN HEMT при повторяющихся нагрузках короткого замыкания

В этом письме представлены всесторонние статические и динамические ухудшения электрических параметров транзистора с высокой подвижностью электронов (HEMT) p-GaN затвора при повторяющихся нагрузках короткого замыкания (SC).…

Надежное управление затвором SiC MOSFET с устранением перекрестных помех и двухступенчатая защита от короткого замыкания

Перенапряжение отрицательного напряжения затвор-исток SiC MOSFET даже в течение короткого периода времени может вызвать дрейф порогового напряжения устройства, что приведет к увеличению сопротивления в открытом состоянии. В…

1200-В SiC MOSFET Оценка стойкости к короткому замыканию и методы увеличения времени выдержки

Высокомасштабируемые усовершенствованные драйверы затворов для модулей SiC MOSFET с устойчивостью к переходным процессам свыше 100 В/нс представлены модули SiC MOSFET, а также предложены две бесшумные изолирующие архитектуры для снижения коэффициента пропускания синфазного шума более чем на 100 дБ.



Сильноточный полевой МОП-транзистор с утопленным затвором и сверхширокой запрещенной зоной Al x Ga1-x N-канальный МОП-транзистор с током стока 0,48 А мм-1 и пороговым напряжением +3,6 В

• Шахаб Молла, К. Хуссейн, Асиф Хан

• 2021

Мы сообщаем о полевом транзисторе на гетероструктуре с утопленным затвором Al2O3-ZrO2/Al0,6Ga0,4N/Al0,4Ga0,6N (МОП-транзистор) с током стока до 0,48 А мм-1 при…

Стабильность, надежность и надежность силовых устройств на основе GaN: обзор

Устройства на основе нитрида галлия (GaN) революционным образом повышают эффективность, частоту и форм-фактор силовой электроники. Тем не менее, состав материала, архитектура и физика многих GaN…

Обнаружение неисправностей в гибридном преобразователе постоянного тока Dickson для автомобильных приложений 48 В

Результаты измерений показывают, что короткие замыкания обнаруживаются в течение двух циклов переключения. 250 кГц, что меньше, чем 10-мкс устойчивость к короткому замыканию коммерческих кремниевых устройств.

Всесторонний обзор топологий и методов модуляции двунаправленных зарядных устройств на основе GaN

• Olcay Bay, M. Tran, M. El Baghdadi, Sajib Chakraborty, O. Hegazy

• Engineering

  Энергии

• 2023

Широкомасштабное внедрение и ускоренный рост использования электромобилей (EV) и растущий спрос на более быструю зарядку требуют исследований и разработок силовых электронных преобразователей для…

Решение для сверхбыстрой защиты от короткого замыкания для GaN HEMT в режиме E

• He Li, Xintong Lyu, S. Bala

• Инженерия, информатика

  2018 1-й семинар по широкозонным силовым устройствам и приложениям в Азии (WiPDA) Азия)

• 2018
Экспериментальные результаты показывают, что с помощью предложенного метода защиты мягкое отключение может быть инициировано в течение 200 нс, а ток короткого замыкания может быть прекращен за 281 нс.

Устойчивость и ухудшение характеристик GaN HEMT E-mode при коротком замыкании

Появляющийся транзистор с высокой подвижностью электронов (GaN HEMT) на нитриде галлия (GaN HEMT) с номинальным током 650 В с высоким номинальным током в режиме Enhancement-mode (E-mode) представляет собой многообещающее устройство для малой и средней мощности, высокой плотности мощности…

Экспериментальное исследование 650 В AlGaN/GaN HEMT рабочая зона, безопасная при коротком замыкании (SCSOA)

Надежность силовых ключей при коротком замыкании играет очень важную роль во многих приложениях, где для переключателей на 650 В обычно требуется длительность короткого замыкания 10 мкс при напряжении 400 В. Хотя появляются…

Надежность в режиме короткого замыкания: Сравнительный анализ GaN HEMT 600 В с мощными Si и SiC MOSFET

Короткое замыкание, например. в полумостовом преобразователе является серьезным и потенциально разрушительным условием работы силового транзистора и требует быстрого и безопасного отключения. Чтобы определить…

P-GaN HEMT Анализ стока и тока затвора при коротком замыкании

Транзисторы с высокой подвижностью электронов из нитрида галлия (GaN HEMT) являются многообещающими устройствами для высокочастотных преобразователей и преобразователей с высокой плотностью мощности, но некоторые их применения (например, моторные приводы) требуют…

Исследование короткого замыкания в каскодах GaN среднего напряжения, p-GaN HEMT и GaN MISHEMT

В этой статье путем экспериментов и физического моделирования изучается возможность короткого замыкания (SC) нескольких нормально выключенных 600–650 В Нитрид-галлиевые транзисторы с высокой подвижностью электронов (GaN HEMT):…

[131] Экспериментальное исследование устойчивости к короткому замыканию 600-вольтовых GaN-транзисторов E-mode

Устойчивость к одиночному импульсу короткого замыкания и повторяющееся старение под нагрузкой GaN GIT

Подчеркнута замечательная устойчивость определенного типа GaN HEMT с p-затвором, называемого транзисторами с инжекцией затвора (GIT), к короткому замыканию, что делает их потенциально очень привлекательной и конкурентоспособной технологией в соответствующем классе напряжения.