Site Loader

Содержание

Транзисторы и их аналоги

Транзистор   — аналог

Транзистор   — аналог

Транзистор   — аналог

2N1221 —   КТ501Г

2N4260 — КТ363АМ- Купить2N5875 — 2Т818Б- Купить
2N1613 —   КТ630Г — Купить2N4261 — КТ363ЕМ- Купить2N6034 — КТ8130А- Купить
2N1715 — КТ630B — Купить2N4271 — 2Т653А — Купить2N6035 — КТ8130Б — Купить
2N2218 — КТ928А — Купить2N4400 — КТ660А — Купить2N6036 — КТ8130В — Купить
2N2219 — КТ928Б — Купить2N4401 — КТ660А — Купить2N6037 — КТ8131А — Купить
2N2219A — КТ928В — Купить2N4402 — КТ685А — Купить2N6038 — КТ8131Б — Купить
2N2221 — КТ3117А — Купить2N4403 — КТ685В — Купить2N6039 — КТ8131В — Купить
2N2222A — КТ3117Б — Купить2N4411 — КТ3127А — Купить2N6047 — КТ947А — Купить
2N2332 — 2Т208Б — Купить2N4440 — 2Т921А — Купить2N6053 — КТ825Б — Купить
2N2334 — 2Т208Г — Купить2N4494 — KT645А — Купить2N6054 — КТ825А — Купить
2N2335 — 2Т208Д — Купить2N4930 — КТ505Б — Купить2N6093 — КТ912А — Купить
2N2336 — 2Т208Л — Купить2N4931 — КТ505А — Купить2N6202 — КТ934А — Купить
2N2337 — 2Т208М — Купить2N4933 — КТ927А — Купить2N6203 — КТ934Б — Купить
2N2369 — КТ3142А — Купить2N5069 — КТ3102Е — Купить
2N6204 — КТ934В — Купить
2N2405 — 2Т630А — Купить2N5086 — КТ3107Б — Купить2N6253 — 2Т818В — Купить
2N2440 — 2Т630Б — Купить2N5087 — КТ3107К — Купить2N6278 — КТ879Б — Купить
2N2904 — КТ692А — Купить2N5088 — КТ3102Е — Купить2N6279 — КТ879А — Купить
2N3055 — КТ8150А — Купить2N5092 — КТ504А — Купить2N6362 — КТ930А — Купить
2N3250 — КТ3108А — Купить
2N5177 — КТ909А — Купить2N6364 — КТ930Б — Купить
2N3250A — КТ3108Б — Купить2N5178 —   КT909Б — Купить2N6369 — КТ931А — Купить
2N3251 — КТ3108В — Купить2N5210 —   КТ3102Б — Купить2N6388 — КТ899А — Купить
2N3448 — 2Т504А — Купить2N5400 — КТ6116Б — Купить2N6428 — КТ3117Б — Купить
2N3725 — КТ635Б — Купить
2N5401 — КТ6116А — Купить
2N6515 — КТ504Б — Купить
2N3733 — КТ907А — Купить2N5483 — 2Т919А — Купить2N6516 — КТ504В — Купить
2N3903 — КТ645А — Купить2N5550 — КТ6117Б — Купить2N6517 — КТ504А — Купить
2N3904 — КТ6137А — Купить2N5551 — КТ6117А — Купить2N6518 — КТ505Б — Купить
2N3905 — КТ313А — Купить2N5589 — КТ920А — Купить2N6519 — КТ505А — Купить
2N3906 — КТ6136А — Купить
2N5590 — КТ920Б — Купить2N6520 — КТ505А — Купить
2N3939 — 2Т506А — Купить2N5591 — КТ920В — Купить2N6542 — КТ840Б — Купить
2N4001 — 2Т653Б — Купить2N5641 — КТ922А — Купить2N6543 — КТ840А — Купить
2N4060 — КТ681А — Купить2N5642 — КТ922Б — Купить2N6546 — 2Т878Б — Купить
2N4123 — КТ503А — Купить2N5643 — КТ922В — Купить
2N6618 — 2Т3132А — Купить
2N4124 — КТ503Б — Купить2N5650 — 2Т3114А — Купить2N6721 — КТ504Б — Купить
2N4125 — КТ502А — Купить2N5672 — 2Т974А — Купить2N6853 — 2Т708Б — Купить
2N4126 — КТ502Е — Купить2N5709 — КТ944А — Купить2N6972 — КТ874А — Купить
2N4236 — КТ830Г — Купить2N5758 — 2Т818А — Купить2N940 — 2Т208Ж — Купить
2N4239 — КТ831Г — Купить
2N5773 — КТ8101А — Купить

Транзисторы

 *  *  * Транзисторы
2SA1106 — КТ8101Б — Купить2SA7330 — КТ3107А — Купить2SA733R — КТ3107А — Купить
2SA610 — КТ361А2 — Купить2SA733G — КТ3107И — Купить2SA733Y — КТ3107Б — Купить
2SA611 —   КТ361А3 — Купить2SA733L — КТ3107И — Купить
 *  *  *
2SB546A — КТ851В — Купить2SB710 — КТ3173А9 — Купить2SB970 — КТ3171А9 — Купить
2SВ506A — 2Т842А — Купить2SB772 — КТ9176А — Купить
 *  *  *
2SC1618 — КТ808БМ — Купить2SC3150 — КТ8118А — Купить2SC4242 — КТ8110А — Купить
2SC1619A — КТ808АМ — Купить2SC3217 — 2Т9155А — Купить2SC456 — КТ645А — Купить
2SC1815BL — КТ3102Б — Купить2SC3218 — 2Т9155Б — Купить2SC544 — КТ315А1 — Купить
2SC1815GR — КТ3102Б — Купить2SC3257 — КТ854А — Купить2SC546 — КТ315Б1 — Купить
2SС1815L — КТ3102Б — Купить
2SC3277M — 2Т718А — Купить
2SC714 — КТ645Б — Купить
2SC1815O — КТ3102А — Купить2SC3306 — КТ8117А — Купить2SC730 — КТ610А — Купить
2SC1815Y — КТ3102Б — Купить2SC3360 — 2Т9155В — Купить2SC9110 — КТ637Б — Купить
2SC1929 — КТ504В — Купить2SC3412 — КТ886А1 — Купить2SC9450 — КТ3102А — Купить
2SC2122 — КТ841Б — Купить2SC3750 — КТ8108А — Купить2SC945G — КТ3102Б — Купить
2SC216B — КТ850А — Купить2SC380 — КТ315Г — Купить2SC945L — КТ3102Б — Купить
2SC2240BL — КТ503Е — Купить2SC388 — КТ315Г — Купить2SC945R — КТ3102А — Купить
2SC2240GR — КТ503Е — Купить2SC4055 — KT8120A — Купить2SC945Y — КТ3102Б — Купить
2SC2270 — КТ9157 — Купить2SC4173 — КТ645Б — Купить
 
Транзисторы
 *  *  * Транзисторы
2SD1172 — 2Т713А — Купить2SD415 — КТ683Д — Купить2SD882 —   КТ9177А — Купить
2SD1565 — 2Т9136АС — Купить2SD602 — КТ3176А9 — Купить2SD900B — КТ8183А — Купить
2SD401A — КТ8123А — Купить2SD814 — КТ3179А9 — Купить
 *  *  *
ВС119 — КТ630Б — КупитьBC338-16 — КТ660Б — Купить
BC136 — КТ639Б — КупитьBC338-25 — КТ660Б — Купить BC560B— КТ3107И — Купить
ВС140 — КТ630Д — КупитьBCЗЗ8-40 — КТ660Б — КупитьBC560C — КТ3107И — Купить
BC223A — КТ660Б — КупитьBC516 — КТ686Ж — КупитьBC635 — КТ503Б — Купить
BC223B — КТ660Б — КупитьBC517 — КТ645А — КупитьBC636 — КТ684А — Купить
ВС237А — КТ3102А — КупитьBC546A — КТ503Д — КупитьBC637 — КТ503Г — Купить
BC237B — КТ3102Б — КупитьBC546B — КТ3117Б — КупитьBC638 — КТ684Б — Купить
BC237C— КТ3102Б — КупитьBC546С — КТ3117Б — КупитьBC639 — КТ503Е — Купить
BC238A— КТ645А — Купить BC547A — КТ645А — КупитьBC640 — КТ684В — Купить
BC238B— КТ3102В — КупитьBC547B — КТ3102БМ — КупитьBC847A — КТ3189А9 — Купить
BC238C— КТ3102В — КупитьBC547C — КТ3102БМ — КупитьBC847B — КТ3189Б9 — Купить
BC239A— КТ3102Д — КупитьBC548A — КТ3102ВМ — КупитьBC847C — КТ3189В9 — Купить
BC239В — КТ3102Д — КупитьBC548B — КТ3102ВМ — КупитьBC857A — КТ3129Б9 — Купить
BC239C— КТ3102Д — КупитьBC549A — КТ3102ВМ — КупитьBC857B — КТ3129Г9 — Купить
BC307A— КТ3107Б — КупитьBC549B — КТ3102ВМ — КупитьBC858A — КТ3129В9 — Купить
BC307B— КТ3107И — КупитьBC549C — КТ3102ВМ — Купить
BC307C— КТ3107И — КупитьBC54BC — КТ3102ВМ — КупитьBCF32 — КТ3172А9 — Купить
BC308A— КТ3107Г — КупитьBC550A — КТ3102АМ — КупитьBCХ53 — 2Т664А9 — Купить
BC308B— КТ3107Д — КупитьBC550B — КТ3102БМ — КупитьBCХ56 — КТ665А9 — Купить
BC308С — КТ3107К — КупитьBC550C — КТ3102БМ — КупитьBCХ70 — КТ3153А9 — Купить
BC309А — КТ3107Е — КупитьBC556A — КТ502Д — КупитьBCY38 — КТ501Д — Купить
BC309В — КТ3107Ж — КупитьBC556B — КТ502Д — КупитьBCY39— КТ501М — Купить
BC309С — КТ3107Л — КупитьBC556C — КТ502Д — Купить BCY54— КТ501К — Купить
BC327-16 — КТ686А — КупитьBC557A — КТ6б8Б — Купить BCY92— 2Т3152А — Купить
BC327-25 — КТ686Б — КупитьBC557B — КТ668В — Купить BCY93B— КТ501Л — Купить
BC327-40 — КТ686В — КупитьBC557C — КТ3107И — КупитьBCW31 — КТ3130Д9 — Купить
BC328-16 — КТ686Г — КупитьBC558A — КТ3107Г — Купить BCW33LT1— КТ3130Е9 — Купить
BC328-25 — КТ686Д — КупитьBC558C — КТ3107К — Купить BCW71— КТ3139А — Купить
BC328-40 — КТ686Е — КупитьBC559A — КТ3107Е — Купить BCW72— КТ3139Б — Купить
BC337-16 — КТ660А — КупитьBC559B — КТ3107Ж — Купить BCW73— КТ3139В — Купить
BC337-25 — КТ660А — КупитьBC559C — КТ3107Л — Купить
BC337-40 — КТ660А — КупитьBC560A — КТ3107Б — Купить
 *  *  *
BD130 — КТ819БМ — КупитьBD233 — КТ817Б — КупитьBDW22 — КТ818БМ — Купить
BD135 — КТ815Б — КупитьBD234 — КТ816Б — КупитьBDW51 — КТ819АМ — Купить
BD136 — КТ814Б — КупитьBD235 — КТ817В — КупитьBDW51B — 2Т819А — Купить
BD136-10 — КТ639В — КупитьBD236 — КТ816В — КупитьBDW64A — КТ896А — Купить
BD136-16 — КТ639А — КупитьBD237 — КТ817Г — КупитьBDW65A — КТ8106А — Купить
BD137 — КТ815В — КупитьBD238 — КТ816Г — КупитьBDX53 — КТ829Г — Купить
BD138 — КТ814В — КупитьBD242B — КТ818Г — КупитьBDX53A — КТ829В — Купить
BD138-10 — КТ639Е — КупитьBD291 — КТ819А — КупитьBDX53B — КТ829Б — Купить
BD138-16 — КТ639Г — КупитьBD292 — КТ818А — КупитьBDX53E — КТ829Д — Купить
BD138-6 — КТ639Д — КупитьBD293 — КТ819Б — КупитьBDX54 — КТ853Г — Купить
BD139 — КТ815Г — КупитьBD295 — КТ819В — КупитьBDX54F — КТ712А — Купить
BD140 — КТ814Г — КупитьВD534 — КТ837А — КупитьBDX62 — КТ825Д — Купить
BD140-10 — КТ639Ж — КупитьBD536 — КТ837Б — КупитьBDX63A — КТ827А — Купить
BD140-6 — КТ639И — КупитьBD875 — КТ972А — КупитьBDY20 — 2Т819В — Купить
BD142 — 2Т819Б — КупитьBD876 — КТ973А — КупитьBDY73 — КТ819ВМ — Купить
BD202 — КТ818Б — КупитьBDV64 — КТ8159В — КупитьBDY98 — 2Т841Б — Купить
BD203 — КТ819Г — КупитьBDV65 — КТ8158В — Купить
BD204 — КТ818В — КупитьBDW21 — КТ819ГМ — Купить
 *  *  *
BF391 — КТ698К — КупитьBF492 — КТ505Б — КупитьBF970 — КТ3165А — Купить
BF392 — КТ504Б — КупитьBF493 — КТ505А — КупитьBF979S — КТ3109А — Купить
BF393 — КТ504В — КупитьBF506 — КТ3126А — КупитьBFP194 — КТ6129А9 — Купить
BF419 — КТ969А — КупитьBF554 — КТ3170А9 — КупитьBFR90 — КТ3198А — Купить
BF422 — КТ940А — КупитьBF565 — КТ3169А9 — КупитьBFR90A — КТ3198Б — Купить
BF423 — КТ9115А — КупитьBF569 — КТ3192А9 — КупитьBFR91 — КТ3198В — Купить
BF458 — КТ940Б — КупитьBF595 — КТ3169А9 — КупитьBFR91A — КТ3198Г — Купить
BF459 — КТ940А — КупитьBF599 — КТ368А9 — КупитьBFR92 — КТ3187А9 — Купить
BF472 — КТ9115А — КупитьBF820S — КТ666А9 — КупитьBFT92 — КТ3191А9 — Купить
BF491 — КТ6127К — КупитьBF821S — КТ867А9 — КупитьBFY68 — КТ630Е — Купить
 *  *  *
BLX96 — КТ98ЗА — КупитьBLX98 — КТ983В — КупитьBLY53 — КТ925Б — Купить
BLX97 — КТ983Б — КупитьBLY38 — КТ925А — Купить
 Транзисторы *  *  * Транзисторы
BU106 — 2Т841А — КупитьBU426A — KT868A — КупитьBUX21 — 2T866A — Купить
BU126 — КТ845А — КупитьBU508 — KT872A — КупитьBUX37 — KT848A — Купить
BU207 — КТ846Б — КупитьBU508A — KT8107A — КупитьBUX48 — КТ856Б — Купить
BU208 — КТ8127Б — КупитьBU508D — KT872B — КупитьBUX48A — 2T856A — Купить
BU208A — КТ8127А — КупитьBU931PFI — KT898A1 — КупитьBUX54 — KT506A — Купить
BU209 — КТ846Г — КупитьBU931Z — KT897A — КупитьBUX98 — KT878A — Купить
BU406 — КТ8124А — КупитьBU931ZP — KT898A — КупитьBUX98A — KT878B — Купить
BU406 — КТ858А — КупитьBU932Z — КТ892Б — КупитьBUY21 — KT867A — Купить
BU407 — KT8124B — КупитьBUT92A — 2T891A — КупитьBUZ60 — КП707А1 — Купить
BU407 — KT857A — КупитьBUW76 — KT847A — КупитьBUZ90 — КП707Б1 — Купить
BU408 — КТ8124Б — КупитьBUX12 — 2T862A — Купить
BU426 — КТ868Б — КупитьBUX17B — 2Т718Б — Купить
 *  *  *
BV807 — KT8156A — КупитьBVS98A — 2T885A — Купить
 *  *  *
BY67A — KT630A — Купить
 *  *  *
DTA124E — КР1054НК2Б — КупитьDTC114E — KP1054HK1B — КупитьDTC144E — KP1054HK1A — Купить
DTA144E — KP1054HK2A — КупитьDTC124E — КР1054НК1Б — Купить
 *  *  *
FJ401E — 2T3115A-2 — Купить
 *  *  *
KSA539 — KT502A — КупитьKSC5021 — КТ8108Б — КупитьKSD362 — КТ805БМ — Купить
КSC4106 — Т8136А — КупитьKSD227 — KT503A — КупитьKSD363 — KT805AM — Купить
 *  *  *
MD5000A — KTC3103A — КупитьMD5000F — КТС3103Б — Купить
 *  *  *
MJ2955 — KT8102A — КупитьMJE13004 — КТ8164Б — КупитьMJE2955T — KT8149A2 — Купить
MJ4645 — 2Т505Б — КупитьMJE13005 — KT8164A — КупитьMJE3055T — KT8150A2 — Купить
MJ4646 — 2T505A — КупитьMJE13006 — КТ8182Б — КупитьMJE340 — КТ504В — Купить
MJE13002 — КТ8175Б — КупитьMJE13007 — KT8182A — КупитьMJE350 — КТ505А — Купить
MJE13003 — KT8175A — КупитьMJE13009 — KT8145A — Купить
 *  *  *
MPS2923 — KT680A — КупитьMPSA43  — KT6135B — КупитьMPSL01 — KT638A — Купить
MPS404 — KT209A — КупитьMPSA92 — КТ505А — КупитьMPSL51 — КТ632Б1 — Купить
MPSA42 — КТ6135Б — КупитьMPSA93 — KT698K — Купить
 *  *  *
PN2905A — KT644A — КупитьPN2906A — КТ685Б — КупитьPN2907A — КТ644Г — Купить
PN2906 — КТ644Б — КупитьPN2907 — KT644B — Купить
 *  *  *
SC558B — КТ3107Д — Купить
 *  *  *
SS8050B — KT6114A — КупитьSS9013E — КТ6110Б — КупитьSS9016E — КТ6128Б — Купить
SS8050C — КТ6114Б — КупитьSS9013F — KT6110B — КупитьSS9016F — KT6128B — Купить
SS8050D — KT6114B — КупитьSS9013G — КТ6111Г — КупитьSS9016G — КТ6128Г — Купить
SS8550B — KT6115A — КупитьSS9013H — КТ6111Д — КупитьSS9016H — КТ6128Д — Купить
SS8550C — КТ6115Б — КупитьSS9014A — KT6111A — КупитьSS9016I — KT6128E — Купить
SS8550D — KT6115B — КупитьSS9014B — КТ6111Б — КупитьSS9018C — КТ6113Г — Купить
SS9012D — KT6109A — КупитьSS9014C — KT6111B — КупитьSS9018D — КТ6113А — Купить
SS9012E — КТ6109Б — КупитьSS9014D — КТ6111Г — КупитьSS9018E — КТ6113Б — Купить
SS9012F — KT6109B — КупитьSS9015A — KT6112A — КупитьSS9018F — KT6113B — Купить
SS9012G — КТ6109Г — КупитьSS9015B — КТ6112Б — КупитьSS9018H — КТ6113Д — Купить
SS9012H — КТ6109Д — КупитьSS9015C — KT6112B — КупитьSS9018I — KT6113E — Купить
SS9013D — KT6110A — КупитьSS9016D — KT6128A — Купить
 *  *  *
STF143 — КТ501Ж — КупитьSTF144 — КТ501И — Купить
 Транзисторы *  *  * Транзисторы
TIP110 — KT716B — КупитьTIP125 — KT8115B — КупитьTIP150 — КТ8109Б — Купить
TIP111 — КТ716Б — КупитьTIP125 — KT853B — КупитьTIP151 — KT8109A — Купить
TIP112 — KT716A — КупитьTIP126 — КТ8115Б — КупитьTIP3055 — KT8150A1 — Купить
TIP115 — KT852B — КупитьTIP126 — КТ853Б — КупитьTIP41A — KT8125B — Купить
TIP116 — КТ852Б — КупитьTIP127 — KT8115A — КупитьTIP41B — КТ8125Б — Купить
TIP117 — KT852A — КупитьTIP127 — KT853A — КупитьTIP41C — KT8125A — Купить
TIP120 — KT8116B — КупитьTIP140 — KT8111B — КупитьTIP48 — KT859A — Купить
TIP121 — КТ8116Б — КупитьTIP141 — КТ8111Б — КупитьTIP661 — KT892A — Купить
TIP122 — KT8116A — КупитьTIP142 — KT8111A — Купить
 *  *  *
VN1231 — KP1054HK3A — Купить

Как подобрать замену для биполярного транзистора || AllTransistors.

com

 

Существует большое количество биполярных транзисторов и большинство из них имеет много аналогов, схожих по своим параметрам, так что подбор замены обычно не вызывает затруднений. Конечно, замена сгоревшего транзистора на такой же, это лучший вариант, но если достать его не удается, подобрать аналог не составит труда. Для этого необходимо:

  1. Узнать наименование транзистора. Если это СМД устройство — расшифровать его кодировку в разделе СМД-коды 🔗.
  2. Проанализировать схему включения транзистора (схему обвязки).
  3. Найти даташит неисправного транзистора и внести его основные параметры в форму поиска аналога.
  4. Просматривая даташиты предлагаемых транзисторов, выбираем наиболее подходящий аналог по параметрам, учитывая режимы его работы в устройстве.

На что нужно обратить внимание?

Открыв PDF-даташит, в первую очередь выясняем тип транзистора: биполярный или полевой, p-n-p или n-p-n, тип корпуса, расположение выводов (цоколевку).

Из числовых параметров это, прежде всего, максимальный ток и напряжение. У транзистора-замены максимальный ток и напряжение должны быть больше либо равны исходному.

Для биполярного транзистора важным параметром является коэффициент передачи по току hfe. Если транзистор стоит в ключевых схемах (включение-выключение нагрузок), hfe должен быть больше или равен искомому. Если стоит в аналоговых усилителях или подобных устройствах, то должен быть близок. В импульсных блоках питания транзисторы-аналоги также нужно выбирать с близким hfe (возможно придётся менять и исправный транзистор, стоящий в паре).

Необходимо проверить температурный режим (нагрев) транзистора после включения устройства. Если транзистор чрезмерно нагревается, то дело может быть как в самом транзисторе, так и в неисправных элементах его обвязки.

 

 

Расшифровка основных параметров биполярных транзисторов

Полупроводниковый материал: большинство транзисторов будут германиевые или кремниевые. Другие типы не используются в обычных устройствах. С учетом этого параметра будет спроектирована обвязка транзистора.

Полярность (проводимость): при установке транзистора другой полярности, он выходит из строя.

Pc — Максимальная рассеиваемая мощность: необходимо убедиться, что выбранный транзистор может рассеивать достаточную мощность. Этот параметр зависит от максимальной рабочей температуры транзистора — при повышении температуры максимальная рассеиваемая мощность уменьшается. Если рассеиваемая мощность недостаточна — ухудшаются остальные характеристики транзистора, может начаться резкое увеличение тока коллектора, что проводит к еще большему разогреву и выходу транзистора из строя.

Ucb — Максимально допустимое напряжение коллектор-база, определяемое величиной пробивного напряжения p-n перехода. Оно имеет зависимость от тока коллектора и температуры транзистора.

Uce — Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер. Необходимо, чтобы Uce было на треть больше напряжения питания цепи коллектора. Если нагрузкой схемы является катушка реле, необходимо предусмотреть защиту транзистора от перенапряжения, например диод.

Ueb — Максимально допустимое напряжение эмиттер-база.

Ic — Максимальный постоянный ток коллектора. Ток транзистора также берется с запасом не менее 30%. Его величина зависит от температуры корпуса транзистора или окружающей среды.

Tj — Предельная температура PN-перехода. Этот параметр важно учитывать, если транзистору приходить работать в экстремальных условиях, например в автомобиле, где его температура может доходить до 100 градусов.

ft — Граничная частота коэффициента передачи тока — частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером стремится к единице. Данный параметр важен потому, что с ростом частоты входного сигнала коэффициент усиления падает.

Cc — Ёмкость коллекторного перехода. От этого параметра зависит быстродействие транзистора. Чем она ниже, тем лучше.

hfe — Статический коэффициент передачи тока — соотношение тока коллектора Iс к току базы Ib.

Выше описаны только наиболее важные параметры транзисторов. В даташитах производитель указывает много дополнительных параметров: напряжение насыщения коллектор-эмиттер, максимально допустимый импульсный ток коллектора, обратный ток эмиттера, максимально допустимый ток базы и т.д.

 

 

 

Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги — замена транзисторов на отечественные

Транзистор – популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:

  • Однопереходные – иначе называются «двухбазовыми диодами». Представляют собой трехэлектродные полупроводники с одним p-n переходом;
  • Биполярные – имеют два p-n перехода;
  • Полевые – специальный класс, могут служить выключателями или регуляторами тока.

Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств – российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами:

  • Найти data sheets – техническую документацию к зарубежным электронным компонентам, в которой указываются основные параметры, обозначение на схемах и краткое описание. Затем воспользоваться справочниками на отечественные устройства. И методом подбора найти российские аналоги транзисторов или близкие по характеристикам устройства. Это длительный и сложный путь.
  • Использовать таблицу, представленную на нашем сайте. Она поможет заменить зарубежный транзистор отечественным или уменьшить диапазон поиска до нескольких экземпляров.

В нашем каталоге транзисторов вы можете подобрать и купить отечественные аналоги зарубежных транзисторов.

Таблицы зарубежных аналогов транзисторов

Если вы нашли неточность в таблицах аналогов или хотите дополнить их — напишите об этом в комментариях внизу страницы!

Таблица аналогов биполярных транзисторов

Зарубежные Отечественные
2SC3217 2T9155A
2SC3660 2T9155B
2SC3218 2T9155Б
Bak0510-50 2T9156БС
BF423C 2Т3129В9-Г9,2Т3152В
KF423 2Т3129Д9, 2Т3152Б
BFY80 2Т3130А9
2N2463 2Т3130Б9
2N2459 2Т3130В9
2N735A 2Т3130Г9
2N844 2Т3130Д9
PBC108A, B 2Т3133А2
2N4260 2Т3135А1
2N4261 2Т3135Б1
S923TS 2Т3152А, Г, Д
PBC107B 2Т3158А2
2N2906A 2Т3160А2
DC5108 2Т370А9
CX954 2Т370Б9
BD825 2Т642А2
2N2218 2Т649А2
SF123A 2Т672А2
BD202 2Т818А
1561-1015 2Т874А
1561-1008 2Т874Б
SDT69504 2Т880Д
2N3584 2Т881Д
2SA1009AM 2Т887А, Б
BLY47A 2Т892А, 2Т892Б
2N5050 2Т892В
2SC2093 2Т9102А2, Б2, 2Т9103Б2
2307(A) 2Т9103А2
NE243499 2Т9108А2
NE080481E-12 2Т9109А
THA-15 2Т9111А
THX-15 2Т9111Б
AM1416200 2Т9114А, Б
SDR075 2Т9117А, 2Т9118А
2DR405B 2Т9117Б
MRF846 2Т9117В
LDR405B 2Т9118Б
MRF846 2Т9118В
NE3001 2Т9119А2
PZB27020V 2Т9122А
Ph2214-60 2Т9122Б
MSC81400M 2Т9127В, Г
MSC81325M 2Т9127Д, Е
TN20 2Т9130А
2SA1584 2Т9143А
2023-6 2Т9146А
2023-12 2Т9146Б
2023-16 2Т9146В
2SC3217 2Т9155А
2SC3218 2Т9155Б, КТ9142А
2SC3660 2Т9155В, КТ9152А
222430 2Т9158А
2023-6 2Т9158Б
MRF544 2Т9159А
AM1416200 2Т986А, Б
MPF873 2Т987А
AM1416200 2Т994А2—2Т994В2
2N5177 2Т998А
2SC3218* KT9142A
2SC3660* KT9152A
SD1483 KT9174A
SD1492* Г101A
ADY25 ГТ 701А, П210Б
SD1492 ГТ101А
AC128 ГТ402И
AC127 ГТ404Б
AD162 ГТ703Г
AU106 ГТ810А, КТ812Б
BC239B КТ 3102Ж
SS9012 КТ209
2N2784 КТ3101АМ
BC109BP КТ3102И
BC455D КТ3107Е1
BC456B КТ3107И1
BC526C КТ3107К1-Л1
BF680 КТ3109А1
BF979 КТ3109Б1
BF970 КТ3109В1
2N2615 КТ3132Д2
2N2616 КТ3132Е2
2N2906 КТ313А1
2N2906A КТ313Б1
2SA1090 КТ313В1
2SA876H КТ313Г1
PXT2222 КТ3153А9
BFP720 КТ315В1
2N3397 КТ315Р1
2SD1220Q КТ3169А9, 2Т3129А9
2SA1660 КТ3171А9, 2Т3129Б9
2SD814 КТ3176А9
MPS6513 КТ3184Б9
TBC547A КТ3186А
BCW47B КТ3187А
BC408 КТ342А
BC107B КТ342Б, КТ3102Б
2SC404 КТ359А3
SS9015 КТ361, КТ3107
2SA556 КТ361Ж (И)
BSW62A КТ361К (Л, М)
BSW63A КТ361Н (П)
MD5000A КТ363А
2N3839 КТ370А9
2N5651 КТ370Б9
BC147 КТ373А
2N3904 КТ375А, КТ375Б
2SC601 КТ396А2
2N709 КТ397А2
MJE13001 КТ538А
2SC64 КТ6110А (Б)
2N1051 КТ6110В (Г, Д)
BF337 КТ6113А (Б, В)
BF338 КТ6113Г (Д, Е)
2SA738B КТ6116А (Б)
2N3114 КТ6117А
2N3712 КТ6117Б
BD136 КТ626Е, КТ6109А
BC527-6 КТ629А2
BD386 КТ629А3
2N2368 КТ633А
2N3303 КТ635А
BD370A6 КТ639А1
BD372 КТ639Б1
2N2218A КТ647А2
MPS706 КТ648А2
2SA715C КТ664Б9
BF177 КТ671А2, 2Т3130Е9
BF179B КТ682Б2
BD166 КТ720А
2N4238 КТ721А
BD168 КТ722А
2N3054 КТ723А
BD170 КТ724А
BD165 КТ728А
BUY90 КТ8107В (Г)
MIE13005 КТ8121А2
MIE13004 КТ8121Б2
2SD401A КТ8146А
2SC4055 КТ8146Б
TIP41C КТ8212А—В
BU2506D КТ8248А1
BUD44D2 КТ8261А
STD18202 КТ828Г
BU205 КТ838Б
2SB834 КТ842В
2SD1279 КТ846Б
BVX14 КТ846В
BD223 КТ856А1
BD944 КТ856Б1
2N5839 КТ862Б
2N5840 КТ862В
2SC1173 КТ862Г
2SC1624 КТ863Б
2SC1625 КТ863В
2SC2794 КТ866А
2N4913 КТ866Б
BU508 КТ872
2SA1682-5 КТ9115А, Б, КТ9143А, Б, В
SD1015 КТ9116А
MRF422 КТ9116А, В
I02015A КТ9116Б
2SC3596F КТ9142А
TCC2023-6L КТ9150А, 2Т9155В
2SC3812 КТ9151АС
2023-15T КТ9152А
27AM05 КТ9170А
SDT3207 КТ9171А, Б
LT1739 КТ9171В
2SB596 КТ9176А
MJE2801T КТ9177А
SD1483 КТ917А
2N6180 КТ9180А, Б, 2Т877Г
2N6181 КТ9180В, Г
D44H7 КТ9181А, Б
MRF430 КТ9181В, Г
2N5102 КТ921А, В
2N2219 КТ928Б
BC303 КТ933А
2N5996 КТ945Б
2N5642 КТ945В, Г
2N5643 КТ949А
2SC2331 КТ961, КТ9171
2N4440 КТ972В
2N5995 КТ972Г
LOT-1000D1-12B КТ979А
2N4976 КТ996А2
2SC976 КТ996Б2
2N4128 КТ997В
MP42 МП42Б
ASZ18 П217В, ГТ711

Биполярные транзисторы до 40 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
SG769 2Т3133А npn 0.3 ТО-126
2Т837В,Е pnp 8 ТО-220
2SA1020 2Т860В pnp 2 ТО-39
2Т877В pnp 20 ТО-3
KT315H n-p-n 20 0.1
KT503A n-p-n 25 0.15
KT503B n-p-n 25 0.15
KT686F p-n-p 25 0.8
KTJ107B p-n-p 25 0.1
авзтт p-n-p 30 7.5
ГТ313А p-n-p 15 0.03
ГТ313Б p-n-p 15 0.03
ГТ313В p-n-p 15 0.03
ГТ328А p-n-p 15 0.01
ГТ328Б p-n-p 15 0.01
ГТ328В p-n-p 15 0.01
ГТ346А p-n-p 20 0.01
ГТ346Б p-n-p 20 0.01
ГТ346В p-n-p 20 0.01
К13115Г-2 n-p-n 7 0.08
КГ117Г n-база 30 0.05
КГ201А(М) n-p-n 20 0.02
КТ117А n-баэа 30 0.05
КТ117Б n-баэа 30 0.05
КТ117В n-база 30 0.05
КТ201Б(М) n-p-n 20 0.02
КТ201В(М) n-p-n 10 0.02
КТ201Г(М) n-p-n 10 0.02
КТ201Д(М) n-p-n 10 0.02
КТ203Б(М) p-n-p 30 0.01
КТ203В(М) p-n-p 15 0.01
КТ208А(1) p-n-p 20 0.3
КТ208Б(1) p-n-p 20 0.3
КТ208В(1) p-n-p 20 0.3
КТ208Г(1) p-n-p 30 0.3
КТ208Д(1) p-n-p 30 0.3
КТ208Е(1) p-n-p 30 0.3
КТ209А p-n-p 15 0.3
КТ209Б p-n-p 15 0.3
КТ209Б1 p-n-p 15 0.3
КТ209В p-n-p 15 0.3
КТ209В1 p-n-p 15 0.3
КТ209В2 p-n-p 15 0.3
КТ209Г p-n-p 30 0.3
КТ209Д p-n-p 30 0.3
КТ209Е p-n-p 30 0.3
КТ306Б(М) n-p-n 10 0.03
кт306в(М) n-p-n 10 0.03
кт306г(М) n-p-n 10 0.03
кт306д(М) n-p-n 10 0.03
КТ3101А-2 n-p-n 15 0.02
КТ3102K(M) n-p-n 20 0.1
КТ3102В(М) n-p-n 30 0.1
КТ3102Г(М) n-p-n 20 0.1
КТ3102Д(М) n-p-n 30 0.1
КТ3102Е(М) n-p-n 20 0.1
КТ3102Ж(М) n-p-n 20 0.1
КТ3102И(М) n-p-n 20 0.1
КТ3107Г p-n-p 25 0.1
BC179AP КТ3107Д p-n-p 25 0.1
BC179 КТ3107Е p-n-p 20 0.1
КТ3107Ж p-n-p 20 0.1
КТ3107К p-n-p 25 0.1
КТ3107Л p-n-p 20 0.1
КТ3109А p-n-p 25 0.05
КТ3109Б p-n-p 20 0.05
КТ3109В p-n-p 20 0.05
КТ3115А-2 n-p-n 10 0.08
КТ3115В-2 n-p-n 10 0.08
КТ3120А n-p-n 15 0.02
КТ3123А-2 p-n-p 15 0.03
КТ3123Б-2 p-n-p 15 0.03
КТ3123В-2 p-n-p 10 0.03
КТ3126А p-n-p 20 0.02
КТ3126Б p-n-p 20 0.02
КТ3127А p-n-p 20 0.02
кт3128А(1) p-n-p 40 0.02
КТ3129В-9 p-n-p 30 0.1
КТ3129Г-9 p-n-p 30 0.1
КТ3129Д-9 p-n-p 20 0.1
КТ312А n-p-n 20 0.03
BFY39 КТ312Б n-p-n 35 0.03
КТ312В n-p-n 20 0.03
КТ3130В-9 n-p-n 30 0.1
КТ3130Г-9 n-p-n 20 0.1
КТ3130Д-9 n-p-n 30 0.1
КТ3130Е-9 n-p-n 20 0.1
КТ3130Ж-9 n-p-n 30 0.1
2N2712 КТ315А n-p-n 25 0.1
2N2926 КТ315Б n-p-n 20 0.1
КТ315В n-p-n 40 0.1
КТ315Г n-p-n 35 0.1
BFP722 КТ315Г1 n-p-n 35 0.1
2SC634 КТ315Д n-p-n 40 0.1
КТ315Е n-p-n 35 0.1
2SC641 КТ315Ж n-p-n 20 0.05
КТ315Р n-p-n 35 0.1
КТ3168А-9 n-p-n 15 0.03
КТ316А(М) n-p-n 10 0.05
КТ316Б(М) n-p-n 10 0.05
КТ316В(М) n-p-n 10 0.05
КТ316Г(М) n-p-n 10 0.05
КТ316Д(М) n-p-n 10 0.05
КТ325А(М) n-p-n 15 0.03
КТ325Б(М) n-p-n 15 0.03
КТ325В(М) n-p-n 15 0.03
КТ326А(М) p-n-p 15 0.05
КТ326Б(М) p-n-p 15 0.05
КТ339А(М) n-p-n 25 0.03
КТ339Б n-p-n 15 0.03
КТ339В n-p-n 25 0.03
КТ339Г n-p-n 25 0.03
КТ339Д n-p-n 25 0.03
КТ342А(М) n-p-n 30 0.05
КТ342Б(М) n-p-n 25 0.05
КТ342В(М) n-p-n 10 0.05
КТ342ГМ n-p-n 30 0.05
КТ342ДМ n-p-n 25 0.05
КТ345А p-n-p 20 0.2
КТ345Б p-n-p 20 0.2
КТ345В p-n-p 20 0.2
КТ347А p-n-p 15 0.05
КТ347Б p-n-p 9 0.05
КТ347В p-n-p 6 0.05
КТ349А p-n-p 15 0.05
BC178 КТ349Б p-n-p 15 0.05
КТ349В p-n-p 15 0.05
КТ350А p-n-p 20 0.6
КТ351А p-n-p 15 (-0.4)
КТ351Б p-n-p 15 (-0.4)
КТ352А p-n-p 15 (-0.2)
КТ352Б p-n-p 15 (-0.2)
КТ355АМ n-p-n 15 0.03
2SA555 КТ361А p-n-p 25 0.1
КТ361Б p-n-p 20 0.1
КТ361В p-n-p 40 0.1
КТ361Г p-n-p 35 0.1
КТ361Г1 p-n-p 35 0.1
КТ361Д p-n-p 40 0.05
КТ361Е p-n-p 35 0.05
BC251 КТ361И p-n-p 15 0.05
КТ363А(М) p-n-p 15 0.03
КТ363Б(М) p-n-p 12 0.03
КТ368А(М) n-p-n 15 0.03
КТ371А n-p-n 10 0.02
КТ372А n-p-n 15 0.01
КТ372Б n-p-n 15 0.01
КТ382А(М) n-p-n 10 0.02
КТ382Б(М) n-p-n 10 0.02
КТ391А-2 n-p-n 10 0.01
КТ391Б-2 n-p-n 10 0.01
КТ391В-2 n-p-n 10 0.01
КТ399А n-p-n 15 0.02
КТ399АМ n-p-n 15 0.03
2N3906 КТ501 Ж,И,К pnp 0.3 ТО-92
КТ501А p-n-p 15 0.3
КТ501Б p-n-p 15 0.3
КТ501В p-n-p 15 0.3
КТ501Г p-n-p 30 0.3
КТ501Д p-n-p 30 0.3
КТ501Е p-n-p 30 0.3
КТ502А p-n-p 25 0.15
КТ502Б p-n-p 25 0.15
КТ502В p-n-p 40 0.15
КТ502Г p-n-p 40 0.15
2SC1815 КТ503 А,Б npn 0.15 ТО-92
КТ503В n-p-n 40 0.15
КТ503Г n-p-n 40 0.15
КТ603А n-p-n 30 0.3
КТ603Б n-p-n 30 0.3
Кт603в n-p-n 15 0.3
КТ603Г n-p-n 15 0.3
Кт603д n-p-n 10 0.3
КТ603Е n-p-n 10 0.3
Кт603и n-p-n 30 0.3
BC547  КТ6111 (А-Г) npn 0.1 ТО-92
2SA1266  КТ6112 (А-В) pnp 0.1 ТО-92
КТ6127Г p-n-p 30 2
КТ6127Д p-n-p 12 2
КТ6127Е p-n-p 12 2
2N4403  КТ626А pnp 0.5 ТО-126
КТ626Г p-n-p 20 0.5
КТ626Д p-n-p 20 0.5
BD136 КТ639А,Б,В pnp 1.5 ТО-126
КТ639И p-n-p 30 1.5
КТ644В p-n-p 40 0.6
КТ644Г p-n-p 40 0.6
2N3904 КТ645Б n-p-n 40 0.3 ТО-92
2N4401  КТ646Б n-p-n 40 1 ТО-126
BC337  КТ660А npn 0.8 ТО-92
КТ660Б n-p-n 30 0.8
BC557  КТ668 (А-В) pnp 0.1 ТО-92
КТ680А n-p-n 25 0.6
КТ681А p-n-p 25 0.6
BC635 КТ684А npn 1 ТО-92
КТ685 А,В pnp 40 0.6 ТО-92
КТ685д p-n-p 25 0.6
КТ685Е p-n-p 25 0.6
КТ685Ж p-n-p 25 0.6
BC327 КТ686 А,Б,В pnp 45 0.8 ТО-92
КТ686Г p-n-p 25 0.8
КТ686Д p-n-p 25 0.8
КТ686Ж p-n-p 25 0.8
BC636 КТ692А pnp 1 ТО-39
КТ695А n-p-n 25 0.03
КТ698Г n-p-n 30 2
КТ698Д n-p-n 12 2
КТ698Е n-p-n 12 2
КТ8111Б’ n-p-n 40 0.02
КТ8111В» n-p-n 30 0.02
КТ8130А* p-n-p 40 4
КТ8131А* n-p-n 40 4
КТ814А pnp 25 1.5 ТО-126
КТ814Б p-n-p 40 1.5
BD135 КТ815А npn 30 1.5 ТО-126
BD434 КТ816А p-n-p 40 3
КТ816А2 p-n-p 40 3
2SB856 КТ816Б pnp 3 ТО-126
BD435 КТ817А,Б npn 40 3 ТО-126
TIP33 КТ818А pnp 40 10 ТО-220
КТ818АМ p-n-p 40 15
TIP34 КТ819А,Б npn 40 10 ТО-220,
9527 КТ819АМ n-p-n 40 15
КТ825Е* p-n-p 30 0.02
КТ829Г npn 8 ТО-220
КТ835А p-n-p 30 3
КТ835Б pnp 7.5 ТО-220
КТ837Ж p-n-p 30 7.5
КТ837И p-n-p 30 7.5
КТ837К p-n-p 30 7.5
FMMT717 КТ852Г pnp 2 ТО-220
КТ853Г pnp 8 ТО-220
2SD1062 КТ863А npn 30 10 ТО-220
КТ896В* p-n-p 30 0.02
КТ943А npn 2 ТО-126
КТ972Б npn 4 ТО-126
2SB857 КТ973Б  pnp 4 ТО-126
ктзб1Ж p-n-p 10 0.05
ктзевБ(М) n-p-n 15 0.03
КТЗОвА(М) n-p-n 10 0.03
КТЭ72В n-p-n 15 10
СТ837У p-n-p 30 7.5
СТ837Ф p-n-p 30 7.5

Биполярные транзисторы до 60 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т708Б pnp 2.5 ТО-39
MJE2955 2Т709В pnp 10  ТО-3
2Т709В2* p-n-p 60 10
BDX85 2Т716В,В1 npn 60 10 ТО-3
BDX78 2Т818В p-n-p 60 15
2Т819В p-n-p 60 15
2Т825В pnp 20 ТО-3
2Т825В2 pnp 60 15 ТО-220
2Т830Б pnp 2 ТО-39
2Т831Б npn 2 ТО-39
2Т836В pnp 3 ТО-39
2Т837Б,Д pnp 8 ТО-220
MJE3055 2Т875В npn 10 ТО-3
2Т877Б pnp 20 ТО-3
2Т880В pnp 2 ТО-39
2Т881В npn 2 ТО-39
2SC3402  503В,Г npn 0.15 ТО-92
ICT814B p-n-p 60 1.5
KT6S8B n-p-n 50 2
ГТ806Г p-n-p 50 15
ГТ905Б p-n-p 60 3
КТ203А(М) p-n-p 60 0.1
КТ208Ж(1) p-n-p 45 0.3
КТ208И(1) p-n-p 45 0.3
КТ208К(1) p-n-p 45 0.3
КТ208Л(1) p-n-p 60 0.3
КТ208М(1) p-n-p 60 0.3
КТ209Ж p-n-p 45 0.3
КТ209И p-n-p 45 0.3
КТ209К p-n-p 45 0.3
КТ209Л p-n-p 60 0.3
КТ209М p-n-p 60 0.3
BC182 КТ3102А(М) n-p-n 50 0.1
КТ3102Б(М) n-p-n 50 0.1
BC212 КТ3107А p-n-p 45 0.1
BCY78 КТ3107Б p-n-p 45 0.1
BCY78 КТ3107И p-n-p 45 0.1
КТ3108А p-n-p 60 0.2
КТ3108Б p-n-p 45 0.2
КТ3108В p-n-p 45 0.2
PN5132 КТ3117А(1) n-p-n 60 0.4
КТ3129А-9 p-n-p 50 0.1
КТ3129Б-9 p-n-p 50 0.1
КТ3130А-9 n-p-n 50 0.1
КТ3130Б-9 n-p-n 50 0.1
КТ313А(М) p-n-p 60 0.35
2N2907 КТ313Б(М) p-n-p 60 0.35
КТ315И n-p-n 60 0.05
КТ361К p-n-p 60 0.05
КТ501Ж p-n-p 45 0.3
КТ501И p-n-p 45 0.3
КТ501К p-n-p 45 0.3
КТ501Л p-n-p 60 0.3
КТ501М p-n-p 60 0.3
КТ502Д p-n-p 60 0.15
КТ502Е p-n-p 60 0.15
BSR41 КТ530А npn 1 TO-92
КТ6127В p-n-p 50 2
BD138  КТ626Б pnp 60 0.5 ТО-126
BC637  КТ630Д,Е npn 1 ТО-39
КТ639А p-n-p 45 1.5
КТ639Б p-n-p 45 1.5
КТ639В p-n-p 45 1.5
КТ639Г p-n-p 60 1.5
BD138 КТ639Г,Д pnp 60 1.5 ТО-126
2N3545 КТ644(А-Г) pnp 60 0.6 ТО-126
КТ645А npn 60 0.3 ТО-92
BD137  КТ646А npn 0.5 ТО-126
КТ659А npn 1.2 ТО-39
2SA684  КТ661А  pnp 0.6 ТО-39
BC556 КТ662А pnp 0.4 ТО-39
КТ668А p-n-p 45 0.1
КТ668Б p-n-p 45 0.1
КТ668В p-n-p 45 0.1
КТ683Д n-p-n 60 1
2SD1616 КТ683Д,Е npn 60 1 ТО-126
КТ685Б p-n-p 60 0.6
BC638 КТ685Б,Г pnp 60 0.6 ТО-92
SA1245 КТ686А p-n-p 45 0.8
КТ686Б p-n-p 45 0.8
КТ686В p-n-p 45 0.8
2SC2655  КТ698В npn 2 ТО-92
КТ801Б n-p-n 60 2
КТ8106Б n-p-n 45 0.02 ТО-220
КТ8111А’ n-p-n 50 0.02
КТ8111В9 npn 20 ТО-218
КТ8116В npn 8 ТО-220
КТ8118Б* n-p-n 60 8
2SA1469  КТ8130Б pnp 60 4 ТО-126
КТ8131Б’ n-p-n 60 4
КТ815Б n-p-n 45 1.5
2SB1366  КТ816В pnp 60 3 ТО-126
КТ817Б n-p-n 45 3
КТ817Б2 n-p-n 45 3
2N5191  КТ817В npn 60 3 ТО-126
КТ818Б p-n-p 50 10
9535 КТ818БМ p-n-p 50 15
КТ819Б n-p-n 50 10
2N3055 КТ819БМ n-p-n 50 15
КТ825Д* p-n-p 60 20
КТ827В npn 60 20 ТО-3
TIP3055 КТ8284А npn 12 ТО-220
TIP120 КТ829В npn 60 8 ТО-220
КТ837Б p-n-p 60 7.5
КТ837В p-n-p 60 7.5
КТ837Г p-n-p 45 7.5
КТ837Д p-n-p 45 7.5
КТ837Л p-n-p 60 7.5
КТ837М p-n-p 60 7.5
КТ852В pnp 2 ТО-220
КТ853В pnp 8 ТО-220
КТ896Б pnp 20 ТО-220
КТ908А n-p-n 60 10
КТ908Б n-p-n 60 10
BD137 КТ961В npn 45 1.5 ТО-126
BD677 КТ972А npn 60 4 ТО-126
BD678  КТ973А pnp 4 ТО-126
КТ973А’ p-n-p 60 4
КТ997А n-p-p 45 10
КТ997Б n-p-n 45 10
КТМ7Е p-n-p 45 7.5
ОГ837Н p-n-p 60 7.5
СГ837П p-n-p 45 7.5
СГ837Р p-n-p 45 7.5
Т852В* p-n-p 60 2.5
Т852Г p-n-p 45 2.5
Т853В* p-n-p 60 8
Т853Г p-n-p 45 8
Тв37С p-n-p 45 7.5

Биполярные транзисторы до 70 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т831В npn 2 ТО-39
2Т837А,Г pnp 8 ТО-220
2Т860Б pnp 2 ТО-39
2Т875Б npn 10 ТО-3
2Т876Б pnp 10  ТО-3
КТ6127Б p-n-p 70 2
КТ698Б npn 2 ТО-92
КТ69ВБ n-p-n 70 2
КТ808ГМ npn 10 ТО-3
КТ814В pnp 65 1.5 ТО-126
КТ815В npn 1.5 ТО-126
КТ818В pnp 70 10 ТО-220,
КТ818ВМ p-n-p 70 15
КТ919В n-p-n 70 10
КТ919ВМ n-p-n 70 15
КТ943 Б,Д npn 2 ТО-126

Биполярные транзисторы до 80 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
TIP33B 2Т709Б pnp 10 ТО-3
2Т709Б2* p-n-p 80 10
2Т716Б,Б1 npn 10 ТО-3
2Т716б1* n-p-n 80 10
BD204 2Т818Б p-n-p 80 15
2Т819Б p-n-p 80 15
2Т825Б pnp 20 ТО-3
2Т825Б2 pnp 80 15 ТО-220
BD140  2Т830В pnp 2 ТО-39
2Т836А,Б pnp 3 ТО-39
2Т875А,Г npn 10 ТО-3
2Т876А,Г pnp 10 ТО-3
2Т877А pnp 20 ТО-3
2Т880Б pnp 2 ТО-39
BD139 2Т881Б npn 2 ТО-39
ГТ806А p-n-p 75 15
ГТ905А p-n-p 75 3
ГТ906А(М) p-n-p 75 6
КДТ8281А pnp 60 ТО-218
PN3691 КТ3117Б n-p-n 75 0.4
2SC1627 КТ503Д npn 0.15 ТО-92
КТ602В n-p-n 80 0.075
КТ602Г n-p-n 80 0.075
2SA935 КТ626В pnp 80 0.5 ТО-126
КТ684Б npn 1 ТО-92
КТ801А n-p-n 80 2
КТ808ВМ npn 10 ТО-3
КТ8106А npn 80 20 ТО-220
TIP151 КТ8111Б9 npn 20 ТО-218
2SD2025  КТ8116Б npn 80 8 ТО-220
КТ8130В* p-n-p 80 4
КТ8131В* n-p-n 80 4
TIP34B КТ819Б,В* npn 10 ТО-220
КТ827Б npn 80 20 ТО-3
КТ8284Б npn 12 ТО-220
BD679  КТ829Б npn 80 8 ТО-220
КТ837А p-n-p 80 7.5
КТ852Б pnp 2 ТО-220
BDX34B КТ853Б pnp 8 ТО-220
2N6039 КТ943В,Г npn 2 ТО-126
КТ961Б npn 1.5 ТО-126
КТД8280А npn 60 ТО-218
КТД8283А pnp 60 ТО-218
Т852Б* p-n-p 80 2.5
Т853Б’ p-n-p 80 8

Биполярные транзисторы до 130 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
1Т813А p-n-p 100 30
1Т813Б p-n-p 125 30
2Т708А pnp 2.5 ТО-39
BDX34C 2Т709А pnp 100 10  ТО-3
BDX33C 2Т716А,А1 npn 10 ТО-3
2Т716АГ* n-p-n 100 10
2Т819А p-n-p 100 15
2Т825А pnp 20 ТО-3
2Т825А2 pnp 15 ТО-220
2Т830Г pnp 2 ТО-39
SD1765 2Т831Г npn 2 ТО-39
2Т860А pnp 2 ТО-39
2Т880А,Г pnp 2 ТО-39
2Т881А,Г npn 2 ТО-39
2Т935Б npn 20 ТО-220
ГТ806Б p-n-p 100 15
ГТ806В p-n-p 120 15
КТ503Е npn 0.15 ТО-92
SK3835 КТ601А,АМ npn 100 0.03 ТО-126
КТ602А,АМ npn 0.075 ТО-126
КТ602Б(М) n-p-n 100 0.075
2SA715D КТ6102А pnp 1.5 ТО-92
BF336 КТ6103А npn 1.5 ТО-92
КТ6127А p-n-p 90 2
КТ6127Ж p-n-p 120 2
BSY52 КТ630А n-p-n 120 1 ТО-39
КТ630Б n-p-n 120 1 ТО-39
2N1613 КТ630Г n-p-n 100 1 ТО-39
2SC2240 КТ638А,Б npn 0.1 ТО-92
КТ639Е p-n-p 100 1.5
КТ6836 n-p-n 120 1
КТ683Б npn 120 1 ТО-126
КТ683В n-p-n 120 1 ТО-126
КТ683Г n-p-n 100 1 ТО-126
BC639 КТ684В npn 1 ТО-92
BD237 КТ698А npn 2 ТО-92
КТ698Ж n-p-n 120 2
2N4237 КТ719А npn 1.5 ТО-126
КТ802А n-p-n 130 5
КТ805БМ,ВМ npn 5 ТО-220
КТ807А n-p-n 100 0.5
КТ807А,Б npn 100 0.5 ТО-126
КТ808 АМ,БМ npn 10 ТО-3
TIP150 КТ8111А9 npn 20 ТО-218
КТ8115А pnp 8 ТО-220
КТ8116А npn 100 8 ТО-220
2N5400  КТ814Г pnp 1.5 ТО-126
КТ815Г npn 85 1.5 ТО-126
TIP42C  КТ816Г pnp 90 3 ТО-126
КТ817Г npn 90 3 ТО-126
КТ817Г2 n-p-n 90 3
TIP33B  КТ818Г pnp 90 10 ТО-220
КТ818ГМ p-n-p 90 15
TIP34C КТ819А,Г npn 100 10 ТО-220
2N3055 КТ819ГМ n-p-n 100 15
КТ8246 А,Б npn 15 ТО-220
КТ825* p-n-p 90 20
КТ827А npn 100 20 ТО-3
КТ8284В npn 12 ТО-220
TIP122 КТ829А npn 100 8 (5) ТО-220
КТ852А pnp 2 ТО-220
КТ853А pnp 8 ТО-220
BD946 КТ896А pnp 20 ТО-220
КТ961А npn 1.5 ТО-126
ктвзэж p-n-p 100 1.5
КТД8257А npn 20 ТО-220
КТД8278Б,В npn 20 ТО-220
КТД8280Б npn 60 ТО-218
КТД8281Б pnp 60 ТО-218
КТД8283Б pnp 60 ТО-218
ПИЛОН-3А npn 15 ТО-220
Т852А- p-n-p 100 2.5
Т853А- p-n-p 100 8

Биполярные транзисторы до 160 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
1Т813В p-n-p 150 30
ГТ806Д p-n-p 140 15
2N5401 КТ6116 pnp 0.6 ТО-92
2N5551 КТ6117 npn 0.6 ТО-92
2SC2383 КТ630В npn 150 1 ТО-39
КТ663А n-p-n 150 1
КТ683А npn 1 ТО-126
КТ698И n-p-n 160 2
2SA1186 КТ712Б pnp 10 ТО-220
КТ805АМ npn 5 ТО-220
BU289 КТ8101А n-p-n 160 16 ТО-218
КТ8101Б npn 16 ТО-218
2SA1294  КТ8102А p-n-p 160 16 ТО-218
2SA1216 КТ8102Б pnp 16 ТО-218
КТ8123А npn 150 2 ТО-220
КТ8246В,Г npn 15 ТО-220
КТ850В npn 2 ТО-220
2SA940  КТ851В pnp 2 ТО-220
КТ855Б p-n-p 150 5
КТ855Б,В pnp 150 5 ТО-220
2SC3907 КТ863БС npn 12 ТО-220
КТ899А npn 150 8 ТО-220
КТ940В npn 160 0.1 ТО-126
2N5996 КТ945А n-p-n 150 15 ТО-3
КТД8257Б npn 20 ТО-220
ПИР-2 (КТ740А) npn 20 ТО-220
2SC2230  Т611В,Г npn 0.1 ТО-126
Т850В n-p-n 150 2
Т851В p-n-p 150 2

Биполярные транзисторы до 200 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
КГвИ AM n-p-n 180 0.1
КТ504Б npn 200 1 ТО-39
2SC1473  КТ611А,Б npn 0.1 ТО-126
КТ611БМ n-p-n 180 0.1
КТ6127К p-n-p 200 2
КТ698К n-p-n 200 2
КТ712А pnp 10  ТО-220
КТ8105А n-p-n 200 20
КТ8124А n-p-n 200 7
КТ8124Б n-p-n 200 7
КТ8140А n-p-n 200 7
КТ842Б pnp 5 ТО-3
КТ851А pnp 2 ТО-220
BU406 КТ864А npn 10 ТО-3
КТ865А pnp 10 ТО-3
BVR11 КТ867А npn 25 ТО-3
КТ879А npn 200 50 КТ-5
BVT91 КТ879Б n-p-n 200 50
КТ897Б npn 200 20 ТО-218
2N6077 КТ898Б npn 200 20 ТО-218
КТД8257(А-Г) npn 20 ТО-220
КТД8278А npn 20 ТО-220
Т850А n-p-n 200 2
Т851А p-n-p 200 2

Биполярные транзисторы до 250 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т862А,Б npn 15 ТО-3
2Т882В npn 1 ТО-220
2SA1837 2Т883Б pnp 1 ТО-220
КТ3157А p-n-p 250 0.03
КТ504В npn 1 ТО-39
КТ505Б pnp 250 1 ТО-39
КТ604А(М) n-p-n 250 0.2
КТ604Б(М) n-p-n 250 0.2
КТ605А(М) n-p-n 250 0.1
0.1 КТ605А,Б npn 250 0.1 ТО-126
КТ844А npn 10 ТО-3
КТ850А,Б npn 2 ТО-220
КТ851Б pnp 2 ТО-220
КТ855А pnp 5 ТО-220
MJE15032 КТ857А npn 250 7 ТО-220
КТ940Б npn 250 0.1 ТО-126
КТ969А npn 0.1 ТО-126
КТ999А n-p-n 250 0.05
КТЭвЭА n-p-n 250 0.1
Т850Б n-p-n 250 2
Т851Б p-n-p 250 2
Т855А p-n-p 250 5

Биполярные транзисторы до 300 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
MJE340  2Т882Б npn 1 ТО-220
2Т883А pnp 1 ТО-220
MJE13002 КТ504А npn 1 ТО-39
КТ505А p-n-p 300 1
2SA1371 КТ6104А pnp 0.15 ТО-92
BFJ57 КТ6105А npn 0.15 ТО-92
КТ8109А,Б npn 7 ТО-220
КТ8109Б* n-p-n 300 7
КТ8121Б npn 300 4 ТО-220
КТ8124В npn 7 ТО-220
КТ812В n-p-n 300 8
КТ8232А,Б npn 20 ТО-218
КТ8258Б npn 4 ТО-220
КТ8259Б npn 8 ТО-220
КТ8260А npn 15 ТО-220
КТ8285А npn 30 ТО-218
КТ842А pnp 5 ТО-3
КТ854Б npn 10 ТО-220
КТ890(А-В) npn 20 ТО-218
КТ892А,В npn 15 ТО-3
КТ897А npn 20 ТО-218
КТ898А npn 20 ТО-218
2SA1091  КТ9115А pnp 300 0.1 ТО-126
КТ940А n-p-n 300 0.1
КТД8252(А-Г) npn 15 ТО-220
КТД8262(А-В) npn 7 ТО-220
КТД8279(А-В) npn 10 ТО-220
MJE350 Т505А pnp 1 ТО-39
2SC2482  Т940А npn 0.1 ТО-126

Биполярные транзисторы до 400 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2SA1625  2Т509А pnp 0.02 ТО-39
MJE13009  2Т862В npn 10 ТО-3
2SC4138 2Т862Г npn 10 ТО-3
MJE13003  2Т882А npn 1 ТО-220
2Т885А npn 40 ТО-3
ав40Б n-p-n 350 8
BUX84 КТ704Б,В npn 2.5
КТ809А n-p-n 400 3
BU208A КТ8104А n-p-n 350 20
2SC2625 КТ8117А npn 400 10 ТО-218
КТ8121А npn 400 4 ТО-220
2SC3039 КТ8124А,Б npn 7 ТО-220
MJE13007 КТ8126А npn 8 ТО-220
КТ8136А n-p-n 400 10
MJE13005 КТ8258А npn 4 ТО-220
2SC4834 КТ8259А npn 8 ТО-220
КТ8260Б npn 15 ТО-220
КТ8285Б npn 30 ТО-218
КТ834В npn 400 15 ТО-3
2SD1409 КТ840А,Б npn 6 ТО-3
2SC3306 КТ841Б npn 10 ТО-3
BUT11 КТ845А npn 5 ТО-3
КТ848А npn 15 ТО-3
2SC2335 КТ858А npn 400 7 ТО-220
2N4914 КТ890А* n-p-n 350 20
2N4915 КТ890Б* n-p-n 350 20
КТ890В* n-p-n 350 20
MI10000 КТ892Б npn 400 15 ТО-3
КТД8279А npn 10 ТО-220
Т840А n-p-n 400 6
Т848А n-p-n 400 15
Т854Б n-p-n 400 10

Биполярные транзисторы до 500 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т812Б n-p-n 500 10
2Т856В npn 10 ТО-3
2Т885Б npn 40 ТО-3
ICT8110B n-p-n 450 7
KT8120A n-p-n 450 8
SF123C КТ6107А npn 0.13 ТО-92
BD140 КТ6108А pnp 0.13 ТО-92
2SC3970 КТ704А npn 2.5
КТ8108А n-p-n 500 5
КТ8108Б n-p-n 500 5
КТ8110А n-p-n 450 7
КТ8110Б n-p-n 450 7
BUL310 КТ8120А npn 3 ТО-220
КТ812Б npn 500 8 ТО-3
КТ8260В npn 15 ТО-220
КТ8285В npn 30 ТО-218
КТ834А n-p-n 500 15
КТ834А,Б npn 450 15 ТО-3
КТ854А npn 10 ТО-220
ПИР-1 npn 20 ТО-218

Биполярные транзисторы до 600 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2SC5249 2Т884Б npn 2 ТО-220
КТ506Б npn 600 2 ТО-39
КТ8107В n-p-n 600 5
КТ8144Б npn 25 ТО-3
2SC5386 КТ8286А npn 5 ТО-218
2SC2027 КТ828Б n-p-n 600 5
2SD2499  КТ828Б,Г npn 5 ТО-3
2SC5387 КТ841А,В npn 10 ТО-3
2SC4706  КТ847А npn 15 ТО-3
ST1803 КТ856А1,Б1 npn 10 ТО-218
КТ878В npn 600 30 ТО-3
2SA1413 КТ887Б pnp 2 ТО-3
КТ888Б pnp 0.1 ТО-39
СТ841А n-p-n 600 10
СТ841В n-p-n 600 10
Т854А n-p-n 600 10

Биполярные транзисторы до 700 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т812А n-p-n 700 10
2Т856Б npn 10 ТО-3
КТ8107(А-Г) npn 700 8 ТО-220
КТ8114А n-p-n 700 8
КТ8127А(1) n-p-n 700 5
КТ8127Б(1) n-p-n 700 5
КТ8127В(1) n-p-n 700 5
КТ8129А n-p-n 700 5
BUh200 КТ812А npn 700 10 ТО-3
КТ8137А npn 1.5 ТО-126
КТ826(А-В) npn 700 1 ТО-3
КТ8286Б npn 5 ТО-218
КТ887А pnp 2 ТО-3
Т847А n-p-n 650 15

Биполярные транзисторы до 800 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т884А npn 2 ТО-220
КТ506А npn 2 ТО-39
КТ8118А npn 800 3 ТО-220
2SC3998 КТ8144А npn 25 ТО-3
КТ8286В npn 5 ТО-218
SML804 КТ828А,В npn 800 5 ТО-3
2SC3150 КТ859А npn 800 3 ТО-220
2SC5002  КТ868Б npn 6 КТ-9
BVP38 КТ878Б npn 800 30 ТО-3
СТ841Б n-p-n 800 10

Биполярные транзисторы до 900 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
КТ888А pnp 0.1 ТО-39
2SC3979 КТ868А npn 6 КТ-9
2Т856А npn 10 ТО-3
КТ878А npn 30 ТО-3

Биполярные транзисторы до 1500 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
BU108 КТ8107А n-p-n 1500 8
BU508 КТ838А npn 5 ТО-3
BU2520 КТ839А npn 10 ТО-3
BU2506 КТ846А npn 5 ТО-3
BU2508  КТ872А,Б npn 8 ТО-218
2SC5270 КТ886А1 npn 10 ТО-218
BU1508 КТ886Б1 npn 8 ТО-218
Т846А n-p-n 1500 5
Т846В n-p-n 1500 5
Т848Б n-p-n 1200 5

Биполярные транзисторы свыше 2000 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т713А npn 2500 3 ТО-3
КТ710А npn 5 ТО-3

Однопереходные транзисторы

Зарубежные Отечественные
2N1573 КТ117ВМ
2N1923 КТ117АМ

Мощные полевые транзисторы

Импортные Отечественные
IRFZ10 КП739Б
IRFZ15 КП739В
IRF740 КП740
IRFZ24 КП740А
IRFZ20 КП740Б
IRFZ25 КП740В
IRFZ48 КП741А
IRFZ46 КП741Б
STH75N06 КП742А
STH75N05 КП742Б
IRF510 КП743А
IRF511 КП743Б
IRF512 КП743В
IRF520 КП744А
IRF521 КП744Б
IRF522 КП744В
IRL520 КП744Г
IRF530 КП745А
IRF531 КП745Б
IRF532 КП745В
IRL530 КП745Г
IRF540 КП746А
IRF541 КП746Б
IRF542 КП746В
IRL540 КП746Г
IRFP150 КП747А
IRF610 КП748А
IRF611 КП748Б
IRF612 КП748В
IRF620 КП749А
IRF621 КП749Б
IRF622 КП749В
IRF640 КП750А
IRF641 КП750Б
IRF642 КП750В
IRL640 КП750Г
IRF720 КП751А
IRF721 КП751Б
IRF722 КП751В
IRF730 КП752А
IRF731 КП752Б
IRF732 КП752В
IRF830 КП753А
IRF831 КП753Б
IRF832 КП753В
STP40N10 КП771А
IRF820 КП820
IRF830 КП830
IRF840 КП840
IRF150 КП150
IRF240 КП240
IRF250 КП250
IRF340 КП340
IRF350 КП350
BF410C КП365А
BF960 КП382А
IRF440 КП440
IRF450 КП450
ZVN2120 КП501А
BSS124 КП502
BSS129 КП503
BSS88 КП504
BSS295 КП505
IRF510 КП510
IRF520 КП520
IRF530 КП530
IRF540 КП540
IRF610 КП610
IRF620 КП620
IRF630 КП630
IRF640 КП640
BUZ90 КП707Б1
IRF710 КП710
IRF350 КП717Б
BUZ45 КП718А
IRF453 КП718Е1
IRF720 КП720
BUZ36 КП722А
IRFZ44 КП723А
IRFZ45 КП723Б
IRFZ40 КП723В
IRLZ44 КП723Г
MTP6N60 КП724А
IRF842 КП724Б
TPF450 КП725А
BUZ90A КП726А
BUZ71 КП727А
IRFZ34 КП727Б
IRLZ34 КП727В
BUZ80A КП728А
IRF730 КП730
IRGPH50F КП730А
IRF710 КП731А
IRF711 КП731Б
IRF712 КП731В
IRF630 КП737А
IRF634 КП737Б
IRF635 КП737В
IRFZ14 КП739А

Слабые полевые транзисторы

Импортные Отечественные
U1899E КП329A
2N2841 КП301Г
2N3332 КП301Б
2N3365 КП329A
2N3368 КП329A
2N3369 КП333A
2N3331 КП307B
2N3370 КП329A
2N3436 КП329A
2N3438 КП333A
2N3458 КП333A
2N3459 КП329A
2N3460 КП329A
2N3796 КП303B
2N3797 КП303Г
2N3819 КП307Б
2N3823 КП329A
2N3909 КП301B
2N3971 КП902A
2N3972 КП902A
2N4038 КП329A
2N4091 КП902A
2N4092 КП902A
2N4220 КП329Б
2N4220A КП329Б
2N4221 КП333A
2N4221A КП329A
2N4222A КП329A
2N4224 КП329A
2N4302 КП329Б
2N4303 КП329Б
2N4304 КП329Б
2N4351 КП333A
2N4352 КП304A
2N4360 КП301B
2N4393 КП902A
2N4416A КП329A
2N4860 КП333Б
2N4867 КП333A
2N5078 КП333A
2N5163 КП307Ж
2N5458 КП304A
2N5457 КП307E
2N5459 КП307Б
2N5654 КП329Б
2N6656 КП801Б
2SK11 КП303Д
2SK12 КП303Г
2SK15 КП303Г
2SK68A КП329A
2SK21H КП306A
2SK39 КП350A
BFW11 КП333Б
BF244 КП329А
BF245 КП329А
BF256B КП329А
BF960 КП327А
BF981 КП327Б
BSV79 КП333А
BSV80 КП333А
BUZ20 КП704А
CP652 КП907B
E100 КП333Б
E102 КП333Б
E111 КП329Б
E112 КП333Б
IRF120 КП922Б
MPF103 КП307Б
MPF102 КП303E
M103 КП304A
TIS68 КП307E
UC714 КП329Б
U1897E КП333A

Была ли статья полезна?

Да

Нет

Оцените статью

Что вам не понравилось?


Другие материалы по теме


Анатолий Мельник

Специалист в области радиоэлектроники и электронных компонентов. Консультант по подбору деталей в компании РадиоЭлемент.


АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ

АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ

     Очередной раз столкнувшись с необходимостью искать по справочникам замену импортным и отечественным транзисторам, решил создать таблицу аналогов. Полные и функциональные аналоги. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet в правой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине.

ИМПОРТНЫЙ — ОТЕЧЕСТВЕННЫЙ


1561-1008 2Т874А
1561-1015 2Т874Б
2005A 2Т942Б
2023-1,5 2Т9155Б
2023-1,5T КТ9153А
2023-3 2Т9155А
2023-6 2Т9146А, 2Т9158Б
2023-12 2Т9146Б
2023-16 2Т9146В
2307(A) 2Т9103А
46120 2Т962Б
222430 2Т9158А
27AM05 КТ9170А
2L08 2Т937А
2L15A 2Т937Б
2L15B КТ937Б
2N656 КТ6111А, Б
2N657 КТ6111В, Г
2N709 КТ397А
2N735A 2Т3130Г
2N739 КТ117БМ
2N844 КТ117ГМ, 2Т3130Д
2N1051 КТ6110В, Г, Д
2N1573 КТ117ВМ
2N1820 2Т862А
2N1923 КТ117АМ
2N2218 2Т649А, КТ928А
2N2218A КТ647А
2N2219 КТ928Б
2N2219A КТ928В
2N2221 КТ3117А
2N2222A КТ3117Б
2N2224 КТ638А
2N2369 КТ3142А
2N2459 2Т3130В
2N2463 2Т3130Б
2N2615 КТ3132Д
2N2616 КТ3132Е
2N2646 КТ132А
2N2647 КТ132Б
2N2712 КТ315А, Б
2N2784 КТ3101АМ
2N2906 КТ313А
2N2906A КТ313Б, 2Т3160А
2N3054 КТ723А
2N3055 КТ819ГМ
2N3114 КТ6117А
2N3397 КТ315Ж…Р
2N3584 2Т881Д
2N3712 КТ6117Б
2N3725 КТ635Б
2N3737 КТ659А
2N3839 КТ370А
2N3903 КТ645А
2N3904 КТ3117Б, КТ6137А
2N3905 КТ313А
2N3906 КТ313Б, КТ6136А
2N4123 КТ503А
2N4124 КТ503Б
2N4125 КТ502А
2N4126 КТ502Б
2N4128 КТ997В
2N4237 КТ719А
2N4238 КТ721А
2N4260 2Т3135А
2N4261 2Т3135Б
2N4400 КТ660А
2N4401 КТ660А
2N4402 КТ685А
2N4403 КТ685В
2N4411 КТ3127А
2N4440 КТ972В
2N4870 КТ133А
2N4871 КТ133Б
2N4913 КТ866Б
2N4914 КТ890А
2N4915 КТ890Б
2N4934 2Т939А
2N4976 КТ996А
2N5050 2Т892В
2N5086 КТ3107Б
2N5087 КТ3107К
2N5088 КТ3102Е
2N5089 КТ3102Е
2N5102 КТ921А, В
2N5177 2Т998А
2N5210 КТ3102Б
2N5240 КТ898А
2N5400 КТ698И, КТ6116Б
2N5401 КТ698К, КТ6116А
2N5550 КТ6127И, КТ6117Б
2N5551 КТ6127К, КТ6117А
2N5642 2Т945В, Г
2N5643 2Т949А
2N5651 КТ390Б
2N5839 КТ862Б
2N5840 КТ862В
2N5995 КТ972Г
2N5996 2Т945А, Б
2N6077 КТ898Б
2N6180 2Т877Г, КТ9180А, Б
2N6181 КТ9180В, Г
2N6428 КТ3117Б
2N6428A КТ3117Б
2N6515 КТ504Б
2N6516 КТ504В
2N6517 КТ504А
2N6518 КТ505Б
2N6519 КТ505А
2N6520 КТ505А
2N6679 КТ640Б
2N6701 КТ647А
2N7002LT1 КП214А9
2N7089 2П712Б
2SA555 КТ361А, Г, Д
2SA556 КТ361Ж, И
2SA715B КТ664А
2SA715C КТ664Б
2SA715D КТ6102А
2SA733 G КТ3107И
2SA733 L КТ3107И
2SA733 O КТ3107А
2SA733 R КТ3107А
2SA733 Y КТ3107Б
2SA738B КТ6116А, Б
2SA876H КТ313Г
2SA1009AM 2Т887А, Б
2SA1015 КТ502Е
2SA1090 КТ313В
2SA1175 КТ3107
2SA1584 2Т9143А, 2Т974А, Б, В, Г
2SA1660 2Т3129Б, КТ3171А
2SA1682-5 КТ9115А, Б, КТ9143А, Б, В
2SA1815 КТ503Е
2SA2785 КТ3102
2SB596 КТ9176А
2SB834 КТ842В
2SB1220Q 2Т3129А
2SC40 КТ3101АМ
2SC64 КТ6110А, Б
2SC380 КТ315Г
2SC388 КТ315Г
2SC404 КТ359А
2SC495 КТ646А
2SC496 КТ646Б
2SC543-5 КП302А1-Г1
2SC601 КТ396А
2SC633 КТ315А, Б
2SC634 КТ315Д, Е
2SC641 КТ315Ж…Р
2SC651 2Т610А
2SC945G КТ3102Б
2SC945L КТ3102Б
2SC945O КТ3102А
2SC945R КТ3102А
2SC945Y КТ3102Б
2SC976 КТ996Б
2SC1173 КТ862Г
2SC1269 2Т642В
2SC1270 2Т642Г
2SC1334 КТ962А
2SC1365 КТ610А, Б
2SC1436 2Т862В
2SC1440 КТ945Б
2SC1443 КТ879Б
2SC1551 2Т682Б
2SC1552 2Т682В
2SC1624 КТ863Б
2SC1625 КТ863В
2SC1786 2Т862Б
2SC1815BL КТ3102Б
2SC1815GR КТ3102Б
2SC1815L КТ3102Б
2SC1815O КТ3102А
2SC1815Y КТ3102Б
2SC2027 КТ828Б
2SC2033 КТ934В, Д
2SC2093 2Т9102А, Б, 2Т9103Б
2SC2229 КТ940А
2SC2240BL КТ503Е
2SC2240GR КТ503Е
2SC2482 КТ940А
2SC2642 КТ934Б
2SC2688 КТ846
2SC2794 КТ866А
2SC3150K КТ8137А, КТ8144Б
2SC3271 КТ940А
2SC3272 КТ940А
2SC3306 КТ8144А
2SC3455L КТ878В
2SC3596F КТ9142А
2SC3994L КТ878А
2SC4055 КТ8146Б, КТ8150А
2SC4296 КТ858А
2SD401A КТ8146А, КТ8147Б
2SD405B 2Т9117Б
2SD675A КТ945В
2SD691 КТ945Г
2SD734 КТ660Б
2SD814 КТ3176А
2SD1220Q КТ3169А
2SD1279 КТ846Б
2SD1554 КТ838
2SD1761 КТ819
2SD1878 КТ838
2SK49 2П336А1, Б1
2SK444 2П340Б1
2SK508 2П340А1
2SK513 КП803Б
2SK653 3П345А2, Б2, КП364А…И
3SK132 КП403А
3SK162 КП333А
3SR137 КП333Б
A5916 КТ934А
A5918 КТ934Г
AD545 П216Б
A630 КТ946А
AD1202 П213Б
AD1203 П214Б
ADP665 ГТ403Б
ADP666 ГТ403Г
ADP670 П201АЭ
ADP671 П201АЭ
ADP672 П203Э
ADY27 ГТ703Б
AF106 ГТ328Б
AF106A ГТ328В
AF109 ГТ328А
AF139 ГТ346Б
AF178 ГТ309Б
AF200 ГТ328А
AF201 ГТ328А
AF202 ГТ328А
AF239 ГТ346А
AF239S ГТ346А
AF240 ГТ346Б
AF251 ГТ346А
AF252 ГТ346А
AF253 ГТ328А
AF256 ГТ348Б
AF260 П29А
AF261 П30
AF266 МП42Б, МП20А
AF271 ГТ322В
AF272 ГТ322В
AF275 ГТ322Б
AF279 ГТ330Ж
AF280 ГТ330И
AF426 ГТ322Б
AF427 ГТ322Б
AF428 ГТ322Б
AF429 ГТ322Б
AF430 ГТ322В
AF429 ГТ322Б
AF430 ГТ322В
AFY11 ГТ313А
AFY12 ГТ328Б
AFY13 ГТ305В
AFY15 П30
AFY29 ГТ305Б
AFZ11 ГТ309Б
AL100 ГТ806В
AL102 ГТ806В
AL103 ГТ806Б
AM1416-200 2Т975А, Б
AM1416200 2Т986А, Б, 2Т994А, Б, В 2Т9114А, Б
ASX11 МП42Б
ASX12 МП42Б
ASY26 МП42А, МП20А
ASY31 МП42А
ASY33 МП42А, МП20А
ASY34 МП42А, МП20А
ASY35 МП42Б, МП20А
ASY70 МП42
ASY76 ГТ403Б
ASY76 ГТ403Г
ASY80 ГТ403Б
ASZ15 П217А, ГТ701А
ASZ16 П217А
ASZ17 П217А
ASZ18 П217В, ГТ701А
ASZ1015 П217В
ASZ1016 П217В
ASZ1017 П217В
ASZ1018 П217В
AT00510 2Т657А
AT00535 2Т657Б
AT00570 2Т657В
AT270 МП42Б, МП20А
AT275 МП42Б, МП20А
AT12570-5 КТ648А
AU103 ГТ810А
AU104 ГТ810А
AU107 ГТ810А
AU108 ГТ806Б
AU110 ГТ806Д
AU113 ГТ810А
AUY10 П608А, ГТ905А
AUY18 П214А
AUY19 П217
AUY20 П217
AUY21 П210Б
AUY21A П210Б
AUY22 П210Б
AUY22A П210Б
AUY28 П217
AUY35 ГТ806А
AUY38 ГТ806В
BAL004100 КТ970А
BC11 КТ638
BC12 КТ638
BC13 КТ638
BC14 КТ638
BC15 КТ638
BC16 КТ638
BC100 КТ605А
BC101 КТ301Е
BC107 КТ342А
BC107A КТ342А
BC107AP КТ3102А
BC107B КТ342Б
BC107BP КТ3102Б
BC108 КТ342
BC108A КТ342А
BC108AP КТ3102В
BC108B КТ342Б
BC108BP КТ3102В
BC108C КТ342В
BC108CP КТ3102Г
BC109B КТ342Б
BC109BP КТ3102Д, И
BC109C КТ342В
BC109CP КТ3102Е, К
BC140 КТ630Г
BC141 КТ630Г
BC141-16 КТ630Г
BC147A КТ373А
BC147B КТ373Б
BC148A КТ373А
BC148B КТ373Б
BC148C КТ373В
BC149B КТ373Б
BC149C КТ373В
BC157 КТ361Г
BC158A КТ349В
BC160B КТ933Б
BC161B КТ933А
BC167A КТ373А
BC167B КТ373Б
BC168A КТ373А
BC168B КТ373Б
BC168C КТ373В
BC169B КТ373Б
BC169C КТ373В
BC170A КТ375Б
BC170B КТ375Б
BC171A КТ373А
BC171B КТ373Б
BC172A КТ373А
BC172B КТ373Б
BC172C КТ373В
BC173B КТ373Б
BC173C КТ373В
BC174 КТ3102
BC177AP КТ3107А, Б
BC177VIP КТ3107Б, Б
BC178A КТ349В
BC178AP КТ3107В
BC178BP КТ3107Д
BC178VIP КТ3107В, Г
BC179AP КТ3107Е, Д
BC179BP КТ3107Ж, И
BC182 КТ3102
BC182A КТ3102А
BC182B КТ3102Б
BC182C КТ3102Б
BC183A КТ3102А
BC183B КТ3102Б
BC183C КТ3102Б, КТ3102Г
BC184A КТ3102Д
BC184B КТ3102Е
BC192 КТ351Б
BC212A КТ3107Б
BC212B КТ3107И
BC212C КТ3107К
BC213A КТ3107Б
BC213B КТ3107И
BC213C КТ3107К
BC216 КТ351А
BC216A КТ351А
BC218 КТ340Б
BC218A КТ340Б
BC223A КТ660Б
BC223B КТ660Б
BC226 КТ351Б
BC226A КТ351Б
BC234 КТ342А
BC234A КТ342А
BC235 КТ342Б
BC235A КТ342Б
BC237 КТ373Б
BC237A КТ3102А
BC237B КТ3102Б
BC237C КТ3102Б
BC238 КТ373В, КТ3102В
BC238A КТ3102А, КТ3102В
BC238B КТ3102В
BC238C КТ3102В, Г
BC239A КД3102Д
BC239B КТ3102Д, Ж
BC239C КТ3102Д, Е
BC250A КТ361А
BC250B КТ361Б
BC285 П308
BC300 КТ630Б
BC307A КТ3107Б
BC307B КТ3107И
BC307C КТ3107И
BC308 КТ3107Г
BC308A КТ3107Г, КТ3107Б
BC308B КТ3107Д
BC308C КТ3107К
BC309A КТ3107Е
BC309B КТ3107Ж
BC309C КТ3107Л
BC320A КТ3107Б
BC320B КТ3107Д
BC321A КТ3107Б
BC321B КТ3107И
BC321C КТ3107К
BC322B КТ3107Ж
BC322C КТ3107Л
BC327 КТ685А, КТ313
BC327-16 КТ686А
BC327-25 КТ686Б
BC327-40 КТ686В
BC328 КТ313
BC328-16 КТ686Г
BC328-25 КТ686Д
BC328-40 КТ686Е
BC337 КТ3102Б, КТ660А
BC337-16 КТ660А
BC337-25 КТ660А
BC337-40 КТ660А
BC337C КТ660А, КТ928
BC338 КТ645, КТ646, КТ660Б
BC338-16 КТ660Б
BC338-25 КТ660Б
BC338-40 КТ660Б
BC338C КТ660Б
BC355 КТ352Б
BC355A КТ352А
BC382B КТ3102Б
BC382C КТ3102Г
BC383B КТ3102Д
BC383C КТ3102Е
BC384B КТ3102Д
BC384C КТ3102Е
BC440 КТ630
BC446 КТ3107
BC451 КТ3102В
BC453 КТ3102Д
BC454A КТ3107Б
BC454B КТ3107И
BC454C КТ3107К
BC455A КТ3107Г
BC455B КТ3107Д, Е
BC455C КТ3107К
BC456A КТ3107Е
BC456B КТ3107Ж, И
BC456C КТ3107Л
BC513 КТ345А
BC516 КТ686Ж
BC517 КТ645А
BC526C КТ3107К, Л
BC527 КТ342Б, КТ342В
BC527-6 КТ629А, КТ6112А, Б
BC524-10 КТ6112В
BC528 КТ342В
BC546A КТ503Д
BC546B КТ3102Б, КТ3117Б
BC546C КТ3117Б
BC547 КТ3103А
BC547A КТ3102А
BC547B КТ3102Б
BC547C КТ3102Б, Г
BC548 КТ373А
BC548A КТ3102А, В
BC548B КТ3102В
BC548C КТ3102В, Г
BC549A КТ3102В
BC549B КТ3102В
BC549C КТ3102В, КТ3102ДМ
BC550A КТ3102А
BC550B КТ3102Б
BC550C КТ3102Б
BC556 КТ3107Б
BC556A КТ502Д
BC556B КТ502Д
BC556C КТ502Д
BC557 КТ3107
BC557A КТ3107Б
BC557B КТ3107И
BC557C КТ3107И
BC558A КТ3107Г
BC558B КТ3107Д
BC558C КТ3107К
BC559A КТ3107Е
BC559B КТ3107Ж
BC559C КТ3107Л
BC560A КТ3107Б
BC560B КТ3107И
BC560C КТ3107И
BC635 КТ503Б
BC636 КТ502Б
BC637 КТ503Г
BC638 КТ502Г
BC639 КТ503Е
BC640 КТ502Е
BC847A КТ3189А9
BC847B КТ3189Б9
BC847C КТ3189В9
BC857A КТ3129Б9
BC858A КТ3129В9
BC858B КТ3129Г9
BCW31 КТ3130В9
BCW47B КТ3187А
BCW71 КТ3130А9
BCW72 КТ3130Б8
BD135 КТ815Б
BD136 КТ626А, Е, КТ814Б, КТ6109А
BD137 КТ815В
BD138 КТ814В, КТ6104А
BD139 КТ815Г
BD140 КТ626Ж, КТ814Г, КТ6109А
BD165 КТ728А
BD166 КТ720А
BD168 КТ722А
BD170 КТ724А
BD202 2Т818А
BD204 2Т818Б
BD223 КТ856А
BD233 КТ817Б
BD234 КТ816Б
BD235 КТ817В
BD236 КТ816В
BD237 КТ817Г
BD238 КТ816Г
BD243C КТ819
BD370A6 КТ639А
BD372 КТ639Б
BD372A6 КТ639В
BD372A10 КТ639Г, Д
BD522 КП932А
BD676 КТ852Г
BD677 КТ829В
BD678 КТ852В
BD825 2Т642А
BD875 КТ972А
BD876 КТ973А
BD944 КТ856Б
BD946 КТ896А
BD948 КТ896Б
BDT21(A) КТ8101Б
BDV64 КТ8159В
BDV65 КТ8158В
BDW94 КТ818В
BDX78 2Т818В
BDX85 2Т716В
BDX85B 2Т716Б
BDX85C 2Т716А
BF177 КТ671А, 2Т3130Е
BF179B КТ682Б
BF189 КТ3172А
BF244A КП307Ж
BF245 КП303Е
BF258 КТ638Б
BF336 КТ6103А
BF337 КТ6113А, Б, В
BF339 КТ6113Г, Д, Е
BF371 КТ633Б
BD386 КТ629А
BF391 КТ698К
BF392 КТ504Б
BF393 КТ504В
BF410A 2П337АР, БР
BF422 КТ940А
BF423 КТ9115А
BF423S КТ3107К, Л, 2Т3129В, Г, 2Т3152В
BF457 КТ940Б
BF458 КТ940А
BF459 КТ940А
BF469 КТ969А
BF471 КТ846
BF491 КТ6127К
BF492 КТ505Б
BF493 КТ505А
BF506 КТ3126А
BF569 КТ3192А9
BF599 КТ368А9
BF680 КТ3109А
BF970 КТ9109В
BF979 КТ9109Б
BF998 2П347А2, КП402А
BFJ57 КТ6105А
BFL545 КП954А, Б
BFP23 КТ868А, Б
BFP720 КТ315В
BFP722 КТ315Г
BFR30 КП302А1-Г1
BFR37 КТ939А
BFY80 2Т3130А
BLY47A 2Т892А, Б
BSS88 КП504А
BSS92 КП508А
BSS124 КП502
BSS129 КП503А
BSS295 КП505А
BSS315 КП507А
BSW62A КТ361К, Л, М
BSW63A КТ361Н, П
BU108 КТ8107А, Б
BU205 КТ838Б
BU208A КТ8104А
BU289 КТ8101А
BU505 2SD818, BU705, KSD5064
BU508 КТ872А, В
BU508A КТ872Б
BU508AD КТ872А, Б
BU508AW BU508, BU508A
BU508D КТ846, КТ872В
BU508DW BU508AD, BU508D, BU508DR
BU807 КТ8156А
BU2506D КТ8248А
BU2508A КТ8224А
BU2508D КТ8224Б
BU2520DW KSD5090
BU2720DX 2SD2523, 2SD2551, 2SD2552, 2SD2554, BUH517D
BU2725DX 2SD2553
BU4506AF 2SD2381
BU4506AX 2SD819, 2SD1883, 2SD2294, 2SD2368, 2SD2510, 2SD2511, KSD5065
BU4506DX 2SD869, 2SD1877, 2SD2293, 2SD2369, KSD5061, KSD5071
BU4507AX 2SD820, 2SD1884, 2SD2370, 2SD2372, KSD5062, KSD5066, KSD5076
BU4507DX 2SD870, 2SD1878, KSD5072
BU4508AF 2SD2301, 2SD2311
BU4508AX 2SD821, 2SD1885, 2SD2296, 2SD2298, 2SD2373, 2SD2498, 2SD2513
BU4508DF 2SD2299, 2SD2300
BU4508DX 2SD1879, 2SD2371, 2SD2512, BUH515D, KSD5086, S2055AF, S2055F
BU4508DZ 2SD2499, BU508DXI, BUH515 FP, BUH515DX1
BU4522AX 2SD1886, BUH615, KSD5078, KSD5088
BU4522DX 2SD1880, 2SD2348, 2SD2539, BUH615D, KSD5080
BU4523AX 2SD2500, 2SD2515, BUH715
BU4523DX 2SD2349, 2SD2514
BU4525AX 2SD1887
BU4525DX 2SD1881
BUX97 КТ8106А
BUX97A КТ8106Б
BUY90 КТ8107В, Г
BUZ71 КП727А
BV104P КТ8126А
BV2310 2П803А
BVK462 КП959А, Б, В
BVP38 КТ878Б
BVR11 КТ867А
BVT91 КТ879А
BVX14 КТ846В
BVZ90 КП809В, Г
BVZ90(A) КП809Д, Е
CD1412 2Т946А
CD6105 КТ930А
CDR075 2Т9118А
CX954 2Т370Б
D44H7 КТ9181А, Б
D62T4040 КТ886А
DC5108 2Т370А
DC5445 2Т642А
DI4044 КТ222АС-ВС
DVZ216 КП810А
F1014 КП953Г, Д
F1053 2П917А, Б, КП934А
FJ201E 2Т642Б
FLM5964-4C 3П927А2
FLV5964-8C 3П927Б2
HXTR4105 КТ640А
I02015A КТ9116Б
IRF510 КП743А
IRF520 КП744А
IRF530 КП745А, Б
IRF540 КП746А, Б
IRF610 КП748А
IRF620 КП749А
IRF630 КП737А
IRF634 КП737Б
IRF635 КП737В
IRF710 КП731А
IRF720 КП751А
IRF730 КП752А
IRF830 КП753А
IRF5532 КП719Б
IRFBG30 КП803А
IRFR024 КП945А, Б
IRFZ30 КП727Б
IRFZ34 КП727В
IRFZ35 КП727Г
IRFZ40 КП723В
IRFZ44 КП723А
IRFZ45 КП723Б
IRLZ44 КП723Г
IRLZ46 КП741А
IRLZ48 КП741Б
IXTP3N80(A) КП809А,Б
KC508 КТ342А
KF423 2Т3129Д, 2Т3152Б, Е
KSD882G КТ8296Г
KSD882O КТ8296Б
KSD882R КТ8296А
KSD882Y КТ8296В
LDR405B 2Т9118Б
LOT-1000D1-12B КТ979А
LT1739 КТ9171В
MA42181-510 КТ937А
MGF1802 3П606А2…В2
MI10000 КТ892Б, В
MI10004PF1 КТ892А
MIE13005 КТ8121А
MIL13004 КТ8121Б
MJE304 КТ504В
MJE350 КТ505А
MJE13001 КТ538А
MJE13002 КТ8170Б1
MJE13003 КТ8170А1
MJE13004 КТ8164Б
MJE13005 КТ8164А
MJE13007 КТ8126А
MJE2801T КТ9177А
MMBT3904 КТ3197А9
MMBT3906 КТ3196А9
MPF873 2Т987А
MPS706 КТ648А, КТ682А
MPS3866 2Т633А
MPS6512 КТ3184А
MPS6513 КТ3184Б
MPSL07 2Т3164А
MPS A-42 КТ604В
MPS A-43 КТ3127К
MPS A-92 КТ505А
MPS A-93 КТ698К
MRF136 2П942А, Б, В
MRF327 2Т970А
MRF422 КТ9160А, Б, В
MRF430 КТ9181В, Г
MRF515 КТ606А
MRF544 2Т9159А
MRF627 КТ606Б
MRF840 КТ962Б
MRF846 2Т9117В, Г, 2Т9118В
MRF1035MA 2Т962В
MRF1035MC КТ962В
MRF2016M 2Т948А
MSC0204100 КП934В
MSC81325M 2Т9127Д, Е
MSC81400M 2Т9127В, Г
MSC85853 2Т637А
MSM5964-2 3П927В2
MSM5964-5 3П927Г2
MSM5964-10 ЗП927Д2
MTP4N10 2П703Б
MTP5N05 КП932А
MTP8P10 2П712В
MTP12P08 2П712А
NE080481E-12 2Т9109А
NE1010E 2Т962А
NE3001 2Т9119А2
NE24318 2Т640А
NE56755 2Т647А, 2Т648А
NE56787 2Т642А
NE56854 2Т971А
NE56887 2Т634А, КТ634Б
NE57835 2Т682А
NE243188 КТ642А, 2Т643А
NE243287 2Т643Б
NE243499 2Т9108А
NEM2015 КТ948А
NTP7N05 КП922А, КП931 А, Б, В
PBC107B 2Т3158А
PBC108A 2Т3133А
PBC108B 2Т3133А
PDE1001 КТ607Б
PEE1000U 2Т607А
PEE1001T КТ607А
PFP12P08 КП719А
Ph2214-60 2Т9122Б
PKB20010U КТ948Б
PN3691 КТ3117Б
PN5132 КТ3117А
PWB2010U 2Т948Б
PXT2222 КТ3153А
PZB27020V 2Т9122А
S923TS 2Т3152А, Г, Д
S2055AF КТ838
SD1015 КТ9116А
SDR075 2Т9117А
SDT3207 КТ9171А, Б
SDT69504 2Т880Д
SE5035 КТ939Б
SF123A 2Т672А
SF123C КТ6107А
SG769 2Т3133А
SML723 КТ828В
SML804 КТ828А
SML55401 КТ886Б
SS8050B КТ968В, КТ6114А
SS8050C КТ968В, КТ6114Б
SS8050D КТ968В, КТ6114В
SS8550B КТ6127В, КТ6115А
SS8550C КТ6127В, КТ6115Б
SS8550D КТ6127В, КТ6115В
SS9012D КТ681А, КТ6109А
SS9012E КТ681А, КТ6109Б
SS9012F КТ681А, КТ6109В
SS9012G КТ681А, КТ6109Г
SS9012H КТ681А, КТ6109Д
SS9013D КТ680А, КТ6110А
SS9013E КТ680А, КТ6110Б
SS9013F КТ680А, КТ6110В
SS9013G КТ680А, КТ6110Г
SS9013H КТ680А, КТ6110Д
SS9014A КТ3102А, КТ6111А
SS9014B КТ3102Б, КТ6111Б
SS9014C КТ3102Б, КТ6111В
SS9014D КТ3102Б, КТ6111Г
SS9015A КТ3107А, КТ6112А
SS9015B КТ3107И, КТ6112Б
SS9015C КТ3107И, КТ6112В
SS9016D КТ6128А
SS9016E КТ6128Б
SS9016F КТ6128В
SS9016G КТ6128Г
SS9016H КТ6128Д
SS9016I КТ6128Е
SS9018D КТ6113А
SS9018E КТ6113Б
SS9018F КТ6113В
SS9018G КТ6113Г
SS9018H КТ6113Д
SS9018I КТ6113Е
ST1053 КП934Б
STD18202 КТ828Г
STD55476 КТ846А
STH75N05 КП742Б
STH75N05 КП742A
TBC547A КТ3186А
TCC1821G 2Т942А, КТ942В
TCC2023-6L КТ9150А, 2Т9155В
THA-15 2Т9111А
THX-15 2Т9111Б
TIP31A КТ8176А
TIP31B КТ8176Б
TIP31C КТ8176В
TIP32A КТ8177А
TIP32B КТ8177Б
TIP32C КТ8177В
TIP41A КТ8212В
TIP41B КТ8212Б
TIP41C КТ8212А
TIP110 КТ8214В
TIP111 КТ8214Б
TIP112 КТ8214А
TIP120 КТ8116В
TIP121 КТ8116Б
TIP122 КТ8116А, КТ8147А
TIP125 КТ8115В
TIP126 КТ8115Б
TIP127 КТ8115А
TIP132 КТ8116А, КТ8147А
TIP150 КТ8111А
TIP151 КТ8111Б
TN20 2Т9130А
UMIL70 КТ930Б

Партнер статьи: Electronoff.ua

Как подобрать аналог полевого транзистора?

Сразу оговоримся, что речь пойдет о подборе аналогов N-канальных, «logic-level», полевых транзисторов которые можно встретить в цепях питания на материнских платах и видеокартах. Logic-level, в данном случае, означает, что речь идет о приборах которые управляются, т.е. способны полностью открывать переход Drain to Source, при приложении с затвору относительно небольшого, до 5 вольт, напряжения.

 

Как может выглядеть полевый транзистор

Как правило на место прибора в корпусе D²PAK без проблем ставиться аналогичный но в корпусе DPAK.

При определенной сноровке можно на посадочное место под DPAK «раскорячить» D²PAK, хотя выглядеть будет не эстетично.

LFPAK естественно без проблем меняется на SO-8 с одним N-канальным транзистором, и наоборот.

В остальных случаях необходимо подбирать прибор в полностью аналогичном корпусе.


Где может использоваться полевый транзистор

Выше мы договорись что рассматриваем только подсистему питания, посему вариантов немного:

  • Импульсный преобразователь напряжения.
  • Линейный стабилизатор напряжения.
  • Ключ в цепях коммутации напряжения.

Система маркировки полевых транзисторов

Рассмотрим оную на примере. Пускай, у нас есть 20N03. Это означает, что он рассчитан на напряжение (Vds) ~30V и ток (Id) ~20A. Буковка N означает, что это N-канальный транзистор. Но из любого правила есть исключения, так, например, фирма Infineon указывает в маркировке полевика Rds, а не максимальный ток.

Примеры:

IPP15N03L - Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=12.6mΩ Id=42A TO220
IPB15N03L - Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=12.6mΩ Id=42A TO263(D²PAK)
SPI80N03S2L-05 - Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=5.2mΩ Id=80A TO262
NTD40N03R - On Semi Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts Rds=12.6mΩ
STD10PF06 - ST STripFET™ II Power P-channel MOSFET 60V 0.18Ω 10A IPAK/DPAK

Итак, в случае маркировки XXYZZ мы можем утверждать, что XX — или Rds, или Id Y — тип канала ZZ — Vds


Основные характеристики N-канального полевого транзистора

В общем различных параметров важных, и не очень, у полевых транзисторов много. Мы подойдем к вопросу с прикладной точки зрения и ограничимся рассмотрением необходимых нам практически параметров.

  • Vds — Drain to Source Voltage — максимальное напряжение сток-исток.
  • Vgs — Gate to Source Voltage — максимальное напряжение затвор-исток.
  • Id — Drain Current — максимальный ток стока.
  • Vgs(th) — Gate to Source Threshold Voltage — пороговое напряжение затвор-исток при котором начинает открываться переход сток-исток.
  • Rds(on) — Drain to Source On Resistance — сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии.
  • Q(tot) — Total Gate Charge — полный заряд затвора.

Хочу обратить внимание что параметр Rds(on) может указываться при разных напряжениях затвор-исток, как правило это 10 и 4.5 вольта, это важная особенность которую нужно обязательно учитывать.


Степень критичности параметров в разных применениях

 VdsVgsIdVgs(th)Rds(on)Q(tot)
Импульсный преобразователькритичнокритичнокритичноневажнокритичнообратить внимание
Линейный стабилизаторкритичнокритичнообратить вниманиеобратить вниманиене имеет значенияне имеет значения
Ключкритичнокритичнообратить вниманиеневажнообратить вниманиене имеет значения
  • Vds, Vgs — параметры всегда учитываемые, т.к. если если их превысить транзистор выходит из строя. Должен быть больше либо равен аналогичному параметру заменяемого прибора. В случае работы в импульсном преобразователе не стоит использовать приборы с запасом по рабочему напряжению более чем в 2-2.5 раза, т.к. приборы с большим рабочим напряжением, как правило, имеют худшие скоростные характеристики.
  • Id — параметр важный только в импульсном преобразователе, т.к. в остальных случаях ток крайне редко превышает 10% от номинального даже не слишком мощных приборов. Должен быть больше либо равен аналогичному параметру заменяемого прибора в случае с импульсным преобразователем, и быть не меньше 10 ампер в остальных случаях.
  • Vgs(th) — имеет, некоторое, значение при работе в линейном стабилизаторе, т.к. только там транзистор работает в активном, а не ключевом, режиме. Хотя практически logic-level полевых транзисторов которые могут не подойти по этому параметру не выпускается. Данный параметр критичен для линейных стабилизаторов, где в качестве управляющего элемента используется TL431 с питанием от +5В (к примеру, такая схема часто используется в линейных стабилизаторах напряжения на видеокартах)
  • Rds(on) — от этого параметра прямо-пропорционально зависит нагрев транзистора работающего в ключевом режиме, при прохождении тока через открытый канал. В данном случае чем меньше — тем лучше. ВНИМАНИЕ не следует забывать что защита от токовой перегрузки и КЗ ШИМ серий HIP63** и некоторых других исползует Rds(on) нижнего ключей (те что с дросселя на землю) в качестве датчика тока-зачителное его изменение изменит ток защиты и либо защита по току-будет работать раньше чем надо-результат просадки питания на пиках нагрузки-либо ток КЗ столь велик что убьет ключи раньше чем мама отключит БП снятием PW-ON поэтому строго говоря надо еще и Risen у шимки поменять(но это никто обычно не делает!)
  • Q(tot) — влияет на время перезаряда затвора, и соотвественно способно затягивать открытия и закрытия транзистора. Опять же чем меньше — тем лучше.

Добавил doomnik.

Документ от Fairchild Selection of MOSFETs in Switch Mode DC-DC Converters — рекомендации по подбору (а значит и замене) MOSFETs.

Как заменить полевой транзистор на биполярный

Рис.2
Корпус типа DPAK, так же известен как TO-252-3.
Наиболее часто используется, представляет собой уменьшенный D²PAK.

Рис.3
Корпус типа SO-8.
Встречается на материнских платах и видеокартах, чаще на последних. Внутри может скрываться один или два полевых транзистора.

Рис.4
SuperSO-8, оно же – TDSON-8. Отличается от SO-8 тем, что 4 вывода соединены с подложкой транзистора, что облегчает температурный режим. Характерен для продуктов фирмы Infineon. Легко заменяется на аналог в корпусе SO-8

Рис.5
IPAK. Другое название – TO-251-3. По сути – полный аналог DPAK, но с полноценной второй ногой. Такой тип транзисторов очень любит использовать фирма Интел на ряде своих плат

Рис.A Первый вариант, один N-канальный транзистор.

Рис.B
Второй, два N-канальных транзистора.

Рис.C
Третий, N-канальный плюс P-канальный транзисторы в одном флаконе.

Рис.D
Корпус типа LFPAK или SOT669.
Частный случай корпуса SO-8 с одним N-канальным транзистором, где ножки с 5″ой по 8″ю заменены на теплоотводный фланец. На данный момент замечен только на видеокартах.

Как правило на место прибора в корпусе D²PAK без проблем ставиться аналогичный но в корпусе DPAK.

При определенной сноровке можно на посадочное место под DPAK «раскорячить» D²PAK, хотя выглядеть будет не эстетично.

LFPAK естественно без проблем меняется на SO-8 с одним N-канальным транзистором, и наоборот.

В остальных случаях необходимо подбирать прибор в полностью аналогичном корпусе.

Где может использоваться полевый транзистор

Выше мы договорись что рассматриваем только подсистему питания, посему вариантов немного:

  • Импульсный преобразователь напряжения.
  • Линейный стабилизатор напряжения.
  • Ключ в цепях коммутации напряжения.

Система маркировки полевых транзисторов

Рассмотрим оную на примере. Пускай, у нас есть 20N03. Это означает, что он рассчитан на напряжение (Vds)

20A. Буковка N означает, что это N-канальный транзистор. Но из любого правила есть исключения, так, например, фирма Infineon указывает в маркировке полевика Rds, а не максимальный ток.

IPP15 N03 Vds=30V Rds=12.6mΩ >IPB15 N03 L – Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=12.6mΩ >SPI80 N03 S2L-05 – Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=5.2mΩ >NTD40 N03 R – On Semi Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts Rds=12.6mΩ
STD10 PF06 – ST STripFET™ II Power P-channel MOSFET 60V 0.18Ω 10A IPAK/DPAK

Итак, в случае маркировки XXYZZ мы можем утверждать, что XX – или Rds, или Id Y – тип канала ZZ – Vds

Основные характеристики N-канального полевого транзистора

В общем различных параметров важных, и не очень, у полевых транзисторов много. Мы подойдем к вопросу с прикладной точки зрения и ограничимся рассмотрением необходимых нам практически параметров.

  • Vds – Drain to Source Voltage – максимальное напряжение сток-исток.
  • Vgs – Gate to Source Voltage – максимальное напряжение затвор-исток.
  • Id – Drain Current – максимальный ток стока.
  • Vgs(th) – Gate to Source Threshold Voltage – пороговое напряжение затвор-исток при котором начинает открываться переход сток-исток.
  • Rds(on) – Drain to Source On Resistance – сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии.
  • Q(tot) – Total Gate Charge – полный заряд затвора.

Хочу обратить внимание что параметр Rds(on) может указываться при разных напряжениях затвор-исток, как правило это 10 и 4.5 вольта, это важная особенность которую нужно обязательно учитывать.

Степень критичности параметров в разных применениях

  • Vds, Vgs – параметры всегда учитываемые, т.к. если если их превысить транзистор выходит из строя. Должен быть больше либо равен аналогичному параметру заменяемого прибора. В случае работы в импульсном преобразователе не стоит использовать приборы с запасом по рабочему напряжению более чем в 2-2.5 раза, т.к. приборы с большим рабочим напряжением, как правило, имеют худшие скоростные характеристики.
  • Id – параметр важный только в импульсном преобразователе, т.к. в остальных случаях ток крайне редко превышает 10% от номинального даже не слишком мощных приборов. Должен быть больше либо равен аналогичному параметру заменяемого прибора в случае с импульсным преобразователем, и быть не меньше 10 ампер в остальных случаях.
  • Vgs(th) – имеет, некоторое, значение при работе в линейном стабилизаторе, т.к. только там транзистор работает в активном, а не ключевом, режиме. Хотя практически logic-level полевых транзисторов которые могут не подойти по этому параметру не выпускается. Данный параметр критичен для линейных стабилизаторов, где в качестве управляющего элемента используется TL431 с питанием от +5В (к примеру, такая схема часто используется в линейных стабилизаторах напряжения на видеокартах)
  • Rds(on) – от этого параметра прямо-пропорционально зависит нагрев транзистора работающего в ключевом режиме, при прохождении тока через открытый канал. В данном случае чем меньше – тем лучше . ВНИМАНИЕ не следует забывать что защита от токовой перегрузки и КЗ ШИМ серий HIP63** и некоторых других исползует Rds(on) нижнего ключей (те что с дросселя на землю) в качестве датчика тока-зачителное его изменение изменит ток защиты и либо защита по току-будет работать раньше чем надо-результат просадки питания на пиках нагрузки-либо ток КЗ столь велик что убьет ключи раньше чем мама отключит БП снятием PW-ON поэтому строго говоря надо еще и Risen у шимки поменять(но это никто обычно не делает!)
  • Q(tot) – влияет на время перезаряда затвора, и соотвественно способно затягивать открытия и закрытия транзистора. Опять же чем меньше – тем лучше .

Документ от Fairchild Selection of MOSFETs in Switch Mode DC-DC Converters – рекомендации по подбору (а значит и замене) MOSFETs.

За изобретение этого компонента учёные-физики получили Нобелевскую премию, благодаря чему была совершена революция в появлении интегральных схем и компьютеров. Транзисторы используют для управления током в электрической цепи. Они могут усиливать, преобразовывать и генерировать электрические сигналы. Для увеличения выходного тока и напряжения эти приборы применяют в области цифровой связи, в процессорах, цифровой технике. Используют полевые (униполярные) и биполярные приборы.

Транзисторы различаются по частоте (низко- и высокочастотные), по мощности, по материалам (германиевые, кремниевые, арсенидо-галлиевые, получаемые путём соединени галлия и мышьяка). В матрицах дисплеев на данный момент используют приборы на основе прозрачных полупроводников, предполагается в скором времени применять полупроводниковые полимеры.

У радиолюбителей иногда возникают трудности с заменой зарубежных, в частности японских, транзисторов. В бытовой технике используется большое количество различных приборов полупроводникового типа. Больше всего производят биполярных транзисторов (обратной и прямой проводимости). Их выпускает электронная промышленность в странах Северной Америки, Европы и Япония. На корпусах приборов можно встретить маркировку, одинаковую для Японии и Южной Кореи.

В зависимости от сложности предстоящего ремонта аппаратуры, можно рассмотреть общие подходы к замене транзисторов. В первом случае на корпусе транзистора есть маркировка, по которой определяется его тип, и этот прибор можно приобрести по небольшой цене на обычном рынке радиоприборов. В более сложном случае тип прибора легко определить, но трудно приобрести в силу дороговизны или отсутствия на отечественном рынке. В сложных случаях не возможно определить тип прибора или отсутствует инструкция по его эксплуатации.

Трудность заключается в том, что зачастую приходится заменять мощные импульсные транзисторы зарубежного производства отечественными аналогами, которые не всегда соответствуют всем необходимым параметрам. Например, трудно подобрать прибор в компактных корпусах и корпусах, сделанных из пластмассы, пластика. Но с лёгкостью можно подобрать отечественную замену приборам типа ТО-3 в металлическом корпусе. Важно учитывать размеры прибора, они должны совпадать.

Правильная замена прибора происходит при соблюдении соответствия изоляции двух вариантов (поломанного и купленного), способ соединения коллектора с пластиной корпуса, которая отводит тепло.

Если прибор, требующий замены, снабжён корпусом, обеспечивающим изоляцию, а его аналог имеет лишь в креплении пластиковую втулку, то устанавливаем для защиты прокладку из фторопласта или слюды. Фторопластом делают первичную обмотку высоковольтных проводов благодаря высокой способности к изоляции тока. Может понадобиться изолировать винт крепления, если нет изоляции втулки. Важно помнить при замене прибора, что транзисторы в металлическом корпусе лучше выполняют теплоотвод, чем их аналоги в пластмассовом корпусе.

При замене прибора вначале определитесь, какие параметры наиболее важны для данной техники, и руководствуйтесь ими в выборе заменителя. Для этого нужно иметь конкретные представления о схемах и параметрах включении транзистора. В ремонте чаще всего приходится заменять приборы для бытовой техники, видеомагнитофонов, телевизоров (выходные каскады импульсных блоков питания).

Для бытовой техники лучше всего подходят высокочастотные транзисторы . По указаниям на приборе можно определить, как изолирован корпус, насколько шумно работает прибор, где его использовать (например, для средств связи применяют тип G). Но в приборах со встроенными резисторами, диодами и прочими модификациями маркировка может отличаться от общепринятой. Так фирмы NEC и TOSHIBA имеют собственные обозначения высоко- и низкочастотных транзисторов.

Поломка полупроводникового прибора может произойти из-за перегрузок, колебаний напряжения в сети. Поэтому нужно искать замену с защитными резисторами, диодами, учитывать уровень сопротивления. Чтобы корпус не перегревался и не произошла повторная поломка, нужен быстродействующий прибор.

Когда заменяем транзистор, нужно учесть коэффициент передачи по току, рабочее напряжение на коллекторе прибора. Желательно, чтобы замена не была худшего качества, чем оригинал. Или включить параллельно несколько приборов меньшей мощности, но одного типа. При ошибке в установке аналога может происходить перегревание системы.

Полевые транзисторы заменить труднее, нежели биполярные. Их разновидностей меньше, а параметры значительно различаются. Выделяют два основных типа: с изолированным затвором и с р-n переходом. На этих приборах базируется вся современная цифровая техника. Их изготавливают на кристаллах кремния и применяют для построения схем процессора, памяти, логики. Однако кремниевые транзисторы обычно не работают при напряжениях выше 1 000 вольт.

Идет заблужденце что биполярники лучше менять на полевые.И чем лучше?

Преимущество полевого транзистора в том, что он имеет высокое входное сопротивление, и управляется он не током а напряжением, что приближает его скорее к радиолампе, чем к транзистору.

Есть сообщения, в этом форуме тоже, что в драйверах УМ и в собственно УМ, меняют, допустим 2sc1969 на rd16

БЕЗ ИЗМЕНЕНИЯ обвязки – один к одному!!

Какие будут мнения, опыт замены и т.п. информация.

Шутники-однако ;-)!
Цепи смещения в любом случае необходимо корректировать, если не стоит задача загнать каскад в режим «С».
Усиления каскада вполне хватает не изменяя коэффициента трансформации в биноклях (количество витков).

Это я забыл, виноват, погорячился, – на затвор во всех случаях подают напряжение с потенциометра – задают рабочую точку (ток покоя).

Остальное – входной трансформатор, например – без изменений.

Трансформатор можно не трогать.

Что, входные сопротивления каскадов на БT и ПТ – одинаковы? Из-за глубокой ООС, что-ли?

Если ток потребления полевым транзистором (в оконечном каскаде УМВЧ) такой же как и у биполярного, то выходной трансформатор остаётся без изменения.

Это понятно – он определён сопротивлением нагрузки оконечного каякада – т.е. мощностью при заданном напряжении питания.

А вот с трансформатором по входу – надо смотреть по схемотехнике. Если транзистор

В этом и была суть моего вопроса. Однако утверждается, ссылаясь на многократную практику – не надо менять. И уменя сомнения. Ведь надо сохранить сопротивление нагрузки драйвера.

Речь в теме идёт о драйвере оконечного каскада!

Да, о согласовании драйвера с иным входным сопротивлением оконечника после замены БТ на ПТ.

«Проверено электроникой»- работает! Появляется неравномерность, уменьшается усиление, но каскад остаётся рабочим.

Ага, всё-таки есть различия!!

Ясненько-понятненько.
А rd16, к примеру, не подделывают?

Мне едут из Китая 2sc1969 – массовые от сибишек (5 шт вместо необходимых 2-х) на замену недоставаемых 2sc2509. Бум надеяться на рабочую подделку. Надо овса Году Лошади поставить.

Допустим для согласования 50ом с бполярным транзистором с входным сопротивлением 100 ом имеем трансформатор 1:2:2 (50:100:100 ом). Вот и посчитайте какой должен быть коэфф.тр при входном сопротивлении полевого транзистора хотя бы 1 Мом. Как будете мотать такое количество витков и на каком сердечнике?
Это что за биполярный транзистор, который имеет входное сопротивление 100 ом:oops:?
Вы же в курсе, что согласование в таких каскадах идёт на единицы ом;-), а в полевых? Там ещё ой как многоО факторов согласования.
Что бы такие опусы больше не писать зазря, не терять драгоценное время, желательно поконкретнее.
А то что современные полевые транзисторы стали надёжнее биполярных- это факт.

Добавлено через 5 минут(ы):

Нет ну были бы они дешевые базвра нет стоят почти также и нафик мараковать.
А где их взять?

То Gene RZ3CC
Не надо путать спец БТ с бытовушными ПТ и комерцию с радиолюбительством. В спец ПТ (имел с ними возможность работать) между стоком и истоком не было ни какой разницы. Что касается линейности . То по сравнению с ГУ-34 в УМ и ГУ-33 в драйвере, айкомовские лампочки стоят в очредь за тухлой селедкой. В том числе и транзисторы.

Добавлено через 10 минут(ы):

PS.
Если брать транзисторы, то многое зависит от схемотехники. В схеме УМ (по наводке Полякова) по схеме управляемого мощного автогенератора на полевом транзисторе мне удалось получить IMD = не хуже 70дБ.

В чем проблема? Входное сопротивление каскада на полевом транзисторе высокое. Поставьте в цепь затвора расчетное сопротивление, равное выходному сопротивлению согласующего тр-ра, создайте на нем падение напряжения, необходимое для нужного тока покоя и все.. Или включите его с блокировкой по ВЧ в цепь установки тока покоя. Цепь ООС также влияет на входное сопротивление каскада.

Добавлено через 11 минут(ы):

Есть и «минус» замены транзисторов в драйвере с биполярных на полевые. Если в стационаре это допустимо, в походном варианте это не очень хорошо. Дело в том, что ток покоя достаточный для биполярных транзисторов порядка 30 -80 мА, в схеме с полевыми приходится увеличивать раз в десять: до 300 – 800 мА.

А как тогда быть с драйверами в шпионских «микро жучках»? Ведь там каждый микроампер на учете.

Добавлено через 10 минут(ы):

Так в таких УМ, поняие «уровень ИМИ», просто не должно существовать. Как например, для простого тонального сигнала. Просто один тон.
С каких это пор это SSB стал однотональным:ржач:? Для начала почитайте статью В.Т. Полякова в журнале Радио №4 за 1984г стр.14. Если разберетесь тогда и можно будет по дискутировать как это реализуется на практике.

А кто Вам сказал что я снимаю с драйвера 10Вт? А я- снимаю. :super:

И при чем тут такая мощность? А при том, что я этим драйвером оконечник запитываю. Вы, похоже, услышали звон, да не поняли, где он. lol:Вот сюда http://v__e_3kf.build2.ru/viewtopic.php? >

Для начала почитайте статью В.Т. Полякова в журнале Радио №4 за 1984г стр.14. Если разберетесь
А вы то сами разобрались? И что это за УМ, на основе автогенератора. И откуда там такие характеристики по ИМИ, на достаточно посредственных транзисторах.

Поставьте в цепь затвора расчетное сопротивление, равное выходному сопротивлению согласующего тр-ра, создайте на нем падение напряжения, необходимое для нужного тока покоя и все.
И получите весьма посредственных характеристики по линейности. Плюс, входной импеданс такого каскада, будет довольно сильно меняться от частоты. Если же резистор поставить в цепь ООС, а а на массу резистор с номиналом 1 кОм или поболее, то входное сопротивление будет уже определяться резисторами сигнал-затвор/выход затвор. И при той же мощности раскачки мы получим гораздо более линейную АЧХ, почти активное входное сопротивление в гораздо более широком диапазоне частот, ну и более высокую линейность. Вы посмотрите все современные схемы линейных УМ. Они именно так и строятся.

Дело в том, что ток покоя достаточный для биполярных транзисторов порядка 30 -80 мА, в схеме с полевыми приходится увеличивать раз в десять: до 300 – 800 мА
А вы попробуйте сравнить транзисторы именно предназначенные для линейного усиления. Например, для MRF 150, уровень линейности нормирован при токе покоя порядка 200 ма. Что они там обеспечат при большем начальном токе, в справочнике не оговорено.

Полевик он как лампа высокое входное и т.д.. Не мешает добавлять- высокое входное на низких частотах. 😉 Понятно, что побольше, чем у биполярного, но, явно поменьше, чем у лампы.

Это новый тип транзистора Пойду за цилькуляторами. рж ач:

Добавлено через 29 минут(ы):

Что, входные сопротивления каскадов на БT и ПТ – одинаковы? Из-за глубокой ООС, что-ли?

Промоделировать, что-ли. Почти под ноль выводятся входные сопротивления, приведённые что к затвору, что к базе, в мощных усилителях, фактически, с достаточной для практики точностью, входное сопротивление определяется последовательным резистором от вторичной обмотки трансформатора драйверера к базе (затвору). Понятно, что если у полевика снять параллельную ООС, то входное сопротивление резко вырастет, но по жизни, для удерживая ровной АЧХ хотя бы в диапазоне 1..30 МГц, и более- менее приемлемых искажений, приходится её вводить довольно сильной. Мне, например, для поддержания указанного компромисса, приходилось делать усиление по мощности двухтактного оконечника в классе АВ не более 15 раз.

Я вижу схему ЧМ модулятора, с обратной связью. Вы мне ещё расскажите, что это, пригодно для усиления SSB сигнала. Насколько я помню, должны ещё присутствовать цепи, отслеживающие мгновенную амплитуду сигнала
Этот скрин и текст из той статьи. Надеюсь что поняли.

Добавлено через 16 минут(ы):

Пойду за цилькуляторами. рж ач:Только не на работу где признают только ГОСТы и что скажет военпред, а в библиотеку за книгой «Мощные высокочастотные транзисторы» Москва издатеоьство «Радио и связь»Для начала Вам и этой ссылки хватит. В той схеме что я выложил для раскачки до 10 Вт достаточно на вход двухзатворника подать максимум 20мвт. тоже самое и для УМ наполевике на 40Вт. Для Ваших100 Вт надо 10 Вт. это первое преимущество.

Свои цифры закрыл, чтобы Вы не списывали у меня. lol:
Пить пью пока здоровья хватает, но чтобы колоться, извинте это не ко мне.

RK4CI был прав. Трудно угадать что Вы в следующем посте из рукава выбросите. И вот тому первый пример.

Третий сейчас US7AW Mihail, дорисует, чтобы впридачу к цепи автоподстройки частоты, ещё и выходной амплитудой управлять в своём автогенераторе. lo l:

Второй пример. Интересно, из какой штанины Вы выбросили подкидную схему УМ что нарисована вот здесь http://www.cqham.ru/forum/attachment.php?attac hment > И вот последний пример

От это круто! Допотопный советский полевик, легко делает современные импортные транзисторы, имея усиление на 30 МГц 27 дБ по мощности, да ещё и почти при максимальном выходе! Вы бы хоть думали немного. :bad: Это даже в узкополосном варианте не реализуемо. Считайте снова- двойка Вам.
При чем тут допотопный советский полевик. когда проверялись все полевики в том числе и современные. Какая разница как я получу усиление путем синтеза или усиления. Вы когда в садик ходили слышали что такое DDS или DSP? Давать оценки тому что я пишу свойственно только тугодумам. Тормоз для чегото нового он и в африке тормоз.

Почти под ноль выводятся входные сопротивления, приведённые что к затвору, что к базе, в мощных усилителях, фактически, с достаточной для практики точностью, входное сопротивление определяется последовательным резистором от вторичной обмотки трансформатора драйвера к базе (затвору). Понятно, что если у полевика снять параллельную ООС, то входное сопротивление резко вырастет

Всё верно. Входное сопротивление каскада УМ (или драйвера) определяется в подавляющей степени цепями обратной связи при почти бесконечном входном сопротивлении самих полевых транзиторов. И имеют порядок сопротивления близкий к вх сопротивлению каскадов на БТ. И практика показывает, что это действительно так. По крайней мере – близко.

При чем тут допотопный советский полевик. А при том, что у Вас он давал усиление 27 дБ при 40 Ваттах на выходе и на 30 МГц. ржач:
для раскачки до 10 Вт достаточно на вход двухзатворника подать максимум 20мвт. тоже самое и для УМ наполевике на 40Вт.
А это

свойственно только тугодумам 😆

А при том, что у Вас он давал усиление 27 дБ при 40 Ваттах на выходе и на 30 МГц. ржач:
А это

😆
Откуда Вы взяли усиления 27дб если речь идет об автогенераторе. Я схему такого усилителя выкладывал? Мой УМ представляет собой обычный генератор как и в обычном трансивере. но только на мощных БТ или ПТ с напряжением питания до 100В (ограничено параметрами по дататышу). В этом генераторе есть только один вход, это управляющее напряжение на варикапы, мощность которого зависит только от параметров варикапа определяющего диапазон перестройки, а точнее полосы захвата. То есть мы имеем тот же синтезатор. ОС по амплитуде пока рассматривать нет смысла. Метод уже выкладывал. Опробована куча БТ и ПТ транзисторов. Самый лучший вариант по ИМД дал КП909. Выходная мощность меня мало интересовала. Я занимаюсь проектом по снтезу приема и передаче около 10 лет и высказал свое мнение в пользу ПТ. А Вы тут не разобравшись придумывать всякую ерунду. Ваш УМ на КТ956 но с другим драйвером на который Вы давали ссылку я тоже собирал, но инфо брал с другого источника когда еще небыло интернета.:ржач: Если ващих знаний хватило только что бы выжать с него по ИМД 30 дб, то против этого я ничего не имею и не собираюсь Вас критиковать или хвалить. Все реклама по ТВ кончилась, пошел дальше фильм смотреть.

Откуда Вы взяли усиления 27дб если речь идет об автогенераторе. Речь шла о том, что Вы предложили мне определить, какую мощность надо подать на КП904, чтобы снять с него 40 Вт. Я посчитал, спросил, сколько получилось у Вас. Вы написали то, что написали. :ржач: Если это не ответ на мой вопрос, то значит, есть два варианта- либо я не владею в совершенстве русским языком, либо же Ваше косноязычие и неумение излагать свои мысли на языке данного форума, сыграли с Вами злую шутку. 😉 Полагаю, что, как раз, последний вариант наиболее правдоподобен. ржа ть:

Если ващих знаний хватило только что бы выжать с него по ИМД 30 дб, то против этого я ничего не имею и не собираюсь Вас критиковать или хвалить. Да, моих знаний хватило только на то, чтобы обеспечить коэффициент усиления по мощности в оконечном каскаде порядка 12, выходную мощность 100 Вт, и интермодуляцию на пике огибающей не более -30 дБ. При введении ООС по огибающей я получал цифры, мягко говоря, получше. Если Вы готовы мне дать рекомендации, каким образом я без введения экзотики смогу получить с пары 956 лучшие параметры по интермодуляции, при сохранении прочих, с удовольствием выслушаю.

Все началось с Вашего поста #35. Что касается вопроса. Если бы сразу ответили на мой вопрос в посте №36 сразу, а не задавали встречно, не былобы и последующих постов в том числе и этого. Все финиш, Разойдемся красиво. Спокойной ночи.

Добавлено через 14 минут(ы):

Если Вы готовы мне дать рекомендации, каким образом я без введения экзотики смогу получить с пары 956 лучшие параметры по интермодуляции, при сохранении прочих, с удовольствием выслушаю.
На сколько помню вводил еще одну ОС (последовательно RCL) с колекторов на первичную обмотку входного трансформатора. В той схеме ОС заведена только на базу. Успехов.

Можно ли в этой схеме заменить биполярный транзистор на полевой? Если можно, то как?

С4 куда дальше на масу

Толщина пакета и ширина язычка

А то гугл мне только усилки ламповые предлагает на запрос

12 комментариев

всмысле биполярный на полярный)))

модет ты имел в виду мосфет?

может ты имел в виду гетерополярный, или гомополярный?

конечно ставь, если найдешь такой!

полевиком то можно, но резистор шунта уже не 33 Ома будет, а как минимум 100, и тепла на нем пропорционально на дофига больше. И входное напряжение поднимать нужно. Вобщем одни расходы дополнительные

А сам понял что сказал?

Нафига? Ставь как есть?

Андрей, полностью поддерживаю , напряжение на входе поднять ( 2-3вольта ) резистор с 33 поднять до 100 ом ( мощность побольше ) транзистор — IRFP 9140 N

извиняюсь, перепутал слова, не полярный, а полевой транзистор

Айрат, да все поняли , ….. ну а кто не понял… тот и не понял ))))

в подобных схемах полевые транзисторы всеравно будут работать в линейном режиме, поэтому менять можно (с некоторыми оговорками), а работать схема лучше/хуже не станет

Рис.1 Корпус типа D²PAK, так же известен как TO-263-3.
Встречается в основном на пожилых платах, на современных используется редко.

ЗАМЕНА ТРАНЗИСТОРА ДАРЛИНГТОНА ПОЛЕВЫМИ ТРАНЗИСТОРАМИ – СДЕЛАЙ САМ

Биполярные транзисторы, включенные по схеме Дарлингтона, т. е. соединенные с общим коллектором (транзистор Дарлингтона), часто являются составным элементов радиолюбительских конструкций. Как известно, при таком включении коэффициент усиления по току, как правило, увеличивается в десятки раз. Однако добиться значительного запаса работоспособности по напряжению, воздействующему на каскад, удается не всегда. Усилители по схеме Дарлингтона, состоящие из двух биполярных транзисторов (Рис. 1.23), часто выходят из строя при воздействии импульсного напряжения, даже если оно не превышает значение электрических параметров, указанных в справочной литературе.

С этим неприятным эффектом можно бороться разными способами. Одним из них — самым простым — является наличие в паре транзистора с большим (в несколько раз) запасом ресурса по напряжению коллектор-эмиттер. Относительно высокая стоимость таких «высоковольтных» транзисторов приводит к увеличению себестоимости конструкции. Можно, конечно, приобрести специальные составные кремниевые транзисторы в одном корпусе, например: КТ712, КТ825, КТ827, КТ829, КТ834, КТ848, КТ852, КТ853, КТ894, КТ897, КТ898, КТ972, КТ973 и др. Этот список включает мощные и средней мощности приборы, разработанные практически для всего спектра радиотехнических устройств. А можно воспользоваться классической схемой Дарлингтона — с двумя параллельно включенными полевыми транзисторами типа КП501В — или использовать приборы КП501А…В, КП540 и другие с аналогичными электрическими характеристиками (Рис. 1.24). При этом вывод затвора подключают вместо базы VT1, а вывод истока — вместо эмиттера VT2, вывод стока — вместо объединенных коллекторов VT1, VT2.

Рис. 1.23. Схема включения транзисторов по схеме Дарлингтона

Рис. 1.24. Замена полевыми транзисторами составного транзистора по схеме Дарлингтона

После такой несложной доработки, т.е. замены узлов в электрических схемах, универсального применения, усилитель тока на транзисторах VT1, VT2 не выходит из строя даже при 10-кратной и более перегрузке по напряжению. Причем сопротивление ограничительного резистора в цепи затвора VT1 также увеличивается в несколько раз. Это приводит к тому, что полевые транзисторы имеют более высокое входное сопротивление и, как следствие, выдерживают перегрузки при импульсном характере управления данным электронным узлом.

Коэффициент усиления по току полученного каскада не менее 50. Увеличивается прямо пропорционально увеличению напряжения питания узла.

Элементы схемы и их назначение

Резистор Rt. Сопротивление резистора           зависит от характера на грузки и выбирается таким, чтобы на выводе затвора параллельно соединенных полевых транзисторов присутствовало 0,5 Упит. При этом максимальный ток не должен превышать 0.2 А (в случае применения полевого транзистора из серии КП501).

Полевые транзисторы VT1, VT2. При отсутствии дискретных транзисторов типа КП501А…В можно без потери качества работы устройства использовать микросхему 1014КТ1В. В отличие, например, от 1014КТ1А и 1014КТ1Б эта микросхема выдерживает более высокие перегрузки по приложенному напряжению импульсного характера — до 200 В постоянного напряжения. Цоколевка включения транзисторов микросхемы 1014КТ1А…1014К1В показана на Рис. 1.25.

Так же как и в предыдущем варианте (Рис. 1.24), полевые транзисторы включают параллельно.

Рис. 1.25.

Цоколевка полевых транзисторов в микросхеме 1014КТ1А…В

Автор опробовал десятки электронных узлов, включенных по схеме Дарлингтона. Такие узлы используются в радиолюбительских конструкциях в качестве токовых ключей аналогично составным транзисторам, включенным по схеме Дарлингтона. К перечисленным выше особенностям полевых транзисторов можно добавить их энергоэкономичность, так как в закрытом состоянии из-за высокого входного сопротивления они практически не потребляют тока. Что касается стоимости таких транзисторов, то сегодня она практически такая же, как и стоимость среднемощных транзисторов типа КТ815, КТ817, КТ819 (и аналогичным им), которые принято использовать в качестве усилителя тока для управления устройствами нагрузки.

Источник: Кяшкаров А. П., Собери сам: Электронные конструкции за один вечер. — М.: Издательский дом «Додэка-ХХ1», 2007. — 224 с.: ил. (Серия «Собери сам»).

транзистор% 20 замена% 20 руководство и примечания по применению

кб * 9Д5Н20П

Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор
KIA78 * pI

Реферат: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ транзистор mosfet хб * 2Д0Н60П KIA7812API
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API
2SC4793 2sa1837

Аннотация: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентный транзистор NPN
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор нпн к-220 транзистор 2SC5359 Транзисторный эквивалент 2SC5171 2sc5198 эквивалент NPN транзистор
транзистор

Аннотация: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 2N3904 2N3906 2N4124 2N4126 2N7000 2N7002 BC327 BC328 BC337 BC338 транзистор транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP
CH520G2

Аннотация: Транзистор CH520G2-30PT цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn коммутирующий транзистор 60в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF A1100) QFN200 CHDTA143ET1PT FBPT-523 100 мА CHDTA143ZT1PT CHDTA144TT1PT CH520G2 CH520G2-30PT транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60 в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT
транзистор 45 ф 122

Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021, TRIAC 136, 634, транзистор tlp 122, транзистор, транзистор переменного тока 127, транзистор 502, транзистор f 421.
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор TLP 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421
CTX12S

Аннотация: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU

Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406
Q2N4401

Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
fn651

Абстракция: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343
2SC5471

Аннотация: Транзистор 2SC5853 2sa1015 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий PNP-транзистор
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 A1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Mosfet FTR 03-E

Аннотация: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V / 65e9 транзистор 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Mosfet FTR 03-E mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V / 65e9 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF
fgt313

Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
транзистор 91330

Аннотация: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6N136 6N137 6N138 6N139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91330 ТРАНЗИСТОР TLP 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
1999 — ТВ системы горизонтального отклонения

Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ AN363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтального сечения tv горизонтального отклонения переключающих транзисторов TV горизонтальных отклоняющих систем mosfet горизонтального сечения в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратноходовой трансформатор
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения Системы горизонтального отклонения телевизора MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка для ЭЛТ-телевизора Обратный трансформатор ТВ
транзистор

Реферат: силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP PNP МОЩНЫЙ транзистор TO220 демпферный диод транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn транзистор Дарлингтона TO220
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SD1160 2SD1140 2SD1224 2SD1508 2SD1631 2SD1784 2SD2481 2SB907 2SD1222 2SD1412A транзистор силовой транзистор нпн к-220 транзистор PNP ПНП СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР ТО220 демпферный диод Транзистор дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn darlington транзистор ТО220
1999 — транзистор

Аннотация: МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный матричный высокочастотный транзистор TRANSISTOR P 3 транзистор mp40 список
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF X13769XJ2V0CD00 О-126) MP-25 О-220) MP-40 MP-45 MP-45F О-220 MP-80 MP-10 транзистор МОП МОП-транзистор 2sj 2sk транзистор 2ск 2СК типа Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив FET высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список
транзистор 835

Аннотация: Усилитель с транзистором BC548, стабилизатор транзистора AUDIO Усилитель с транзистором BC548, транзистор 81 110 Вт, 85 транзистор, 81 110 Вт, 63 транзистор, транзистор 438, транзистор, 649, ТРАНЗИСТОР.
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BC327; BC327A; BC328 BC337; BC337A; BC338 BC546; BC547; BC548 BC556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель АУДИО на транзисторе BC548 транзистор 81110 вт 85 транзистор 81110 вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ТРАНЗИСТОРА
2002 — SE012

Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B
2SC5586

Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 СВЧ диод 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель ИМС с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287
pwm инверторный сварочный аппарат

Аннотация: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 Powerex демпфирующий конденсатор инвертор сварочный аппарат KD221K75 kd2245 kd224510 применение транзистора
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF
варикап диоды

Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР GSM-модуль с микроконтроллером МОП-транзистор с p-каналом Hitachi SAW-фильтр с двойным затвором МОП-транзистор в УКВ-усилителе Транзисторы MOSFET-канальный МОП-транзистор Hitachi VHF fet lna Низкочастотный мощный транзистор
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в УКВ-усилителе Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор
Лист данных силового транзистора для ТВ

Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалент 2SC5411, транзистор 2sd2499, 2Sc5858, эквивалентный транзистор 2SC5387, компоненты 2SC5570 в строчной развертке.
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора для телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
2009 — 2sc3052ef

Аннотация: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD КОД МАРКИРОВКИ s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводник перекрестная ссылка toshiba smd marking code транзистор
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 24 ГГц BF517 B132-H8248-G5-X-7600 2sc3052ef 2n2222a SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 перекрестная ссылка на полупроводник toshiba smd маркировочный код транзистора
2007 — DDA114TH

Аннотация: DCX114EH DDC114TH
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF DCS / PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22 кОм 47 кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

Как выбрать замену биполярному транзистору || AllTransistors.com

Биполярных транзисторов много, и большинство из них имеет множество аналогов, близких по своим параметрам, так что поиск замены обычно не вызывает никаких затруднений. Конечно, лучший вариант — заменить перегоревший транзистор на такой же, но если достать не получится, то с выбором аналога не возникнет никаких трудностей. Вот что нужно сделать для этого:

  1. Чтобы узнать название транзистора.Если это SMD устройство — его код нужно расшифровать в разделе SMD-кодов 🔗.
  2. Для анализа схемы транзистора (связка схемы).
  3. Найдите техническое описание неисправного транзистора и введите его основные параметры в форму аналогового поиска.
  4. Просматривая паспорта предлагаемых транзисторов, выберите наиболее подходящий по параметрам аналог, учитывая режимы его работы в устройстве.

На что обратить внимание?

Открыв PDF-Datasheet, в первую очередь выясним тип транзистора — биполярный или полевой, p-n-p или n-p-n, тип корпуса, расположение распиновок.

Из числовых параметров в первую очередь это максимальные ток и напряжение. Максимальный ток и напряжение при замене транзистора должны быть больше или равны исходному.

Для биполярного транзистора важным параметром является коэффициент передачи тока hFE. Если транзистор находится в ключевых цепях (требует включения-выключения) hFE должен быть больше или равен требуемому коэффициенту. Если он есть в аналоговых усилителях или аналогичных устройствах, он должен быть близок к hFE.В импульсных источниках питания аналоговые транзисторы следует выбирать с близким hFE (необходимо будет заменить еще и рабочий транзистор, стоящий в паре).

Необходимо проверить температурный режим (нагрев) транзистора после включения прибора. Если транзистор чрезмерно горячий, проблема может быть как в транзисторе, так и в нерабочих элементах его связки.

Основные параметры расшифровки биполярных транзисторов

Полупроводниковый материал: большинство транзисторов будет из германия или кремния.Другие типы не используются в обычных устройствах. С учетом этого параметра будет создана связка транзисторов.

Полярность: при установке транзистора другой полярности выходит из строя.

Pc — Максимальная мощность: необходимо убедиться, что выбранный транзистор может рассеивать достаточную мощность. Этот параметр зависит от максимальной рабочей температуры транзистора — при повышении температуры максимальная мощность снижается.Если мощность рассеивания недостаточна — ухудшаются другие характеристики транзистора, например, резкое увеличение тока коллектора, что приводит к еще большему нагреву и выходу транзистора из строя.

Ucb — Максимально допустимое напряжение коллектор-база, определяемое значением напряжения пробоя p-n перехода. Это зависит от тока коллектора и температуры транзистора.

Uce — Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер. Для Uce необходимо на треть больше напряжения коллекторной цепи.Если в схеме требуется катушка реле, необходимо предусмотреть защиту от перенапряжения транзистора, например диодную.

Ic — Максимальный постоянный ток коллектора. Ток транзистора также берется с запасом не менее 30%. Его значение зависит от температуры транзистора или окружающей среды.

Tj — максимальная температура PN-перехода. Этот параметр важно учитывать, если транзистор работает в экстремальных условиях, например в автомобиле, где его температура может достигать 100 градусов.

ft — Граничная частота коэффициента передачи тока — частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером стремится к единице. Этот параметр важен, потому что с увеличением частоты входного сигнала коэффициент усиления уменьшается.

Cc — емкость коллекторного перехода. От этого параметра зависит скорость транзистора (поэтому чем ниже, тем лучше).

hfe — Статический коэффициент передачи тока — отношение тока коллектора Iс к току базы Ib.

Выше описаны только самые важные параметры транзистора. Производитель указывает в паспортах множество дополнительных параметров: напряжение насыщения коллектор-эмиттер, максимально допустимый импульсный ток коллектора, обратный ток эмиттера, максимально допустимый базовый ток и т. Д.


Все транзисторы. Техническая спецификация. Поиск по перекрестным ссылкам. База данных транзисторов.

BJT TOP50: 2N2222 | 2N3055 | BC547 | 2N3904 | 2N2222A | BC107 | C945 | BC548 | BD139 | 8050 | S8050 | BC557 | BC337 | TIP31 | D882 | AC128 | BC108 | S9014 | C1815 | BD140 | 2N3906 | S8550 | 8550 | 2SC945 | 2SC5200 | BC547B | 2N5551 | MJE13003 | 9014 | BC549 | BC148 | TIP122 | 9013 | 2N2907 | BC558 | BC327 | C102 | A733 | 2SC1815 | 2N60C | 2N222 | 2N4401 | BC109 | BD135 | S9013 | BC546 | A1015 | 9012 | 431 | 2N3773

MOSFET TOP30: IRF3205 | IRFZ44N | IRF740 | IRF540 | IRF840 | BS170 | IRFZ44 | IRF640 | IRF540N | 2N7000 | IRF630 | IRFP460 | IRFZ46N | IRF530 | IRF1404 | IRF3710 | IRFZ34N | IRFP250 | BUZ11 | RFP50N06 | IRF520 | IRFP450 | IRFB3306 | IRF510 | IRF830 | 2N5484 | IRF730 | IRF150 | STF5N52U | 2360

IGBT TOP15: IRGP4086 | CT60AM-18F | FGPF4633 | G40N60B3 | IRG7IC28U | G20N60B3D | IXGR40N60C2D1 | G7N60C3D | РДЖП30х2ДПД | ИКВ50Н60х4 | 10Н40Ф1Д | GT60M303 | ФГх50Н60СФД | IRG4BC30W-S | IRG4PC50UD

КУПИТЬ ТРАНЗИСТОРЫ

Выбор замены биполярного транзистора

Материал =

Структура =

Пк> Вт

Vcb> V

Vce> V

Вэб> В

Ic> А

Tj> C

футов> МГц

куб.см пФ

Hfe>

Caps =

R1 = кОм

R2 = кОм

R1 / R2 =

Пустые или нулевые поля при поиске игнорируются!

Как выбрать замену биполярному транзистору 🔗

ИТОГО: 127314 транзисторов


audio — Рекомендации по замене транзисторов? (и BC147A)

Я нахожусь в США и чиню старинный немецкий интегрированный усилитель, у которого есть проблема с потрескиванием статического электричества, которую я изолировал от транзистора в секции предусилителя.Транзистор обозначен на схеме (ниже) как BC147A (технические характеристики), а фактическая часть усилителя выглядит как BC147B (технические характеристики). Обе части являются винтажными европейскими деталями, обычно недоступными здесь и сейчас. . (Я пытаюсь избегать использования международных почтовых отправлений во время пандемии по части NOS.)

Я не инженер-электрик и, честно говоря, не очень разбираюсь в транзисторах, кроме их основного использования в схемах, но я хочу научиться.Поэтому я пытаюсь воспользоваться возможностью, чтобы понять, каким рекомендациям я должен следовать, пытаясь найти транзистор на замену для детали, которую я не могу найти. (Я трачу много времени, пытаясь исправить старые аудиофайлы, поэтому время от времени они возникают.)

В самом низу этой веб-страницы есть удобный список:

  • Используйте устройство с таким же или большим напряжением пробоя
  • Используйте устройство с равным или большим рабочим током
  • Используйте устройство с равной или большей рассеиваемой мощностью
  • Используйте устройство с равным или большим коэффициентом усиления продукта
  • Используйте устройство с равным или меньшим временем переключения
  • Используйте устройство с равным или меньшим током срабатывания
  • Используйте устройство с равным или меньшим обратным током

Я пытаюсь понять, имеет ли смысл этот набор рекомендаций и насколько важна каждая из этих переменных (или как определить, насколько важна для данного устройства).Я болван в большинстве этих вещей, поэтому приношу свои извинения за то, что искал что-то более механическое, но я рад узнать, хочет ли кто-нибудь указать мне куда-нибудь, что могло бы помочь контекстуализировать части для аудиосхем

Кто-то посоветовал мне, что RCA раньше делал кучу «универсальных» заменяющих транзисторов, и что в моем случае их часть SK3444 (таблица данных) будет подходящей. Однако он не соответствует всем правилам из приведенного выше списка, например, исходная часть, кажется, имеет несколько большее (45 В) напряжение пробоя между коллектором и эмиттером, чем заменяющая (40 В).Не все вышеперечисленные характеристики кажутся легко доступными для обеих частей.

Спасибо за понимание.

Каковы основы замены транзисторов? (с иллюстрациями)

Замена транзистора часто необходима, когда конкретный транзистор, требуемый в конструкции электроники, недоступен. При попытке замены транзистора необходимо тщательно сравнить рабочие и физические характеристики транзисторов.В зависимости от области применения и типа исходного транзистора основными проблемами являются напряжение, мощность, ток, скорость переключения и характеристики усиления заменителя. Другие области, которые также могут быть важны, включают расположение выводов на транзисторах и варианты монтажа.

Первый фактор, который следует учитывать при замене транзистора, — это заряд транзисторов.Транзистор с положительно-отрицательно-положительным зарядом (PNP) необходимо заменить транзистором типа PNP. Аналогично, отрицательно-положительно-отрицательный (NPN) транзистор необходимо заменить на NPN-транзистор.

Все транзисторы должны иметь возможность рассеивать заданное количество мощности, хотя количество энергии зависит от каждого приложения.Характеристики рассеиваемой мощности обычно выражаются в ваттах или милливаттах. Замещающий транзистор должен рассеивать по крайней мере такое же количество энергии, что и исходный. Транзистор с большей номинальной мощностью подходит, если номинальная мощность транзистора включает полный диапазон мощности оригинала.

Номинальное напряжение исходного транзистора должно быть согласовано при замене транзистора.Напряжение транзистора, измеряемое в вольтах или милливольтах, может варьироваться, как и напряжение, подходящее для различных компонентов транзистора. Напряжение также может варьироваться в зависимости от применения транзистора. Замещающий транзистор должен соответствовать или превосходить все эти характеристики оригинала.

Рабочий ток, измеряемый в амперах или миллиамперах, должен быть сопоставим между исходным транзистором и его заменой.Оба транзистора также должны иметь одинаковые минимальные и максимальные допустимые токи. Некоторые транзисторы обладают минимальной и максимальной пропускной способностью по току при разных напряжениях. Они тоже должны быть сопоставимы.

Если транзистор используется в приложении переключения, скорость, с которой исходный транзистор переключается, должна быть идентична в замене.Слишком медленное или слишком быстрое переключение может вызвать проблемы для других компонентов цепи. Некоторые транзисторы также имеют определенное напряжение для коммутации, которое должно совпадать.

Замена транзистора для приложений усиления может быть сложной задачей.Замена должна иметь такое же отношение напряжения, тока и сигнал / шум, как и исходное. Кроме того, разные типы входов могут запускать разные типы выходов на разных транзисторах. Все эти параметры должны быть идентичны, чтобы заменяющий элемент работал так же, как и исходный транзистор.

Другие соображения по замене транзисторов относятся к физическим характеристикам транзисторов.Либо они должны иметь идентичную ориентацию коллектора, эмиттера и базы, либо должно быть достаточно места, чтобы переставить провода-заменители, не замыкая их вместе. Также должно быть достаточно места для замены на печатной плате. Наконец, некоторые транзисторы крепятся с помощью винта или небольшого болта. Их следует заменить на транзисторы с идентичным монтажом.

Модернизация схем германиевых транзисторов, Часть 7: Замена транзисторов, конденсаторов и диодов

Сменные транзисторы, конденсаторы и диоды


Универсальные запасные части

К счастью, замена германиевых устройств на кремниевые не совсем догадки.Когда в 1960-х и 1970-х годах отрасль перешла на другую сторону, это обеспечило отличные запчасти. На тот момент эти детали имели средние тактико-технические характеристики. этого было бы достаточно для многих схем. Со временем дизайнеры значительно улучшили эти характеристики. Сегодня можно осторожно поменять силиконовые детали и сделать несколько смещений. изменения. Возможно, вашему оборудованию тоже может потребоваться ремонт. После этого ваш электроника будет как новенькая.

Предлагаемые малосигнальные транзисторы. Для малосигнальных устройств NPN замените Кремниевый транзистор 2N2222A или 2N3904. Для устройств PNP со слабым сигналом замените 2N3906 или Кремниевый транзистор 2Н2907. Это универсальных запасных частей. Надежно заменяют около 80 процентов транзисторов в предварительных усилителях предыдущих поколений. (Универсальный Запасные части также работают в большинстве кремниевых предусилителей .) Для универсальной замены Детали, которые я уже упоминал, форма упаковки — ТО-92.Отрегулируйте напряжение смещения как в нашем методе преобразования Таблица.


Транзистор ТО-92 (из даташита)

Специализированные приложения для транзисторов


ТО-3 транзистор
  • Для силовых устройств начните с самого популярного в мире кремниевого транзистора: A 2N3055 может работать в некоторых цепях.Этот NPN-транзистор выпускается в двух типах корпусов: большой TO-3. пакет, а также различные пакеты меньшего размера. Во времена германия устройства PNP были более распространены. Так упомянем, что дополнением PNP для 2N3055 является MJ2955. (Также кремний.)
  • Еще один превосходный силовой транзистор — TIP31. Это устройство NPN поставляется в корпусе силового вкладыша ТО-220. Его дополнением к PNP является TIP32.
  • Некоторые маломощные схемы , такие как транзисторные радиоприемники, подойдут для универсальные сменные транзисторы (см. выше) : даже в двухполюсных силовых каскадах.Не забывайте при необходимости использовать радиаторы.

ТО-220 транзистор

К-225 транзистор
  • Для предусилителей с питанием от сети попробуйте MPSA42 (NPN) или MPSA92 (PNP). Оба поставляются в пакетах ТО-92.Если вам нужно немного больше мощности, используйте MJE340, транзистор NPN и его дополнение PNP MJE350. Эти устройства поставляются в корпусе ТО-225. Все эти транзисторы на 300 вольт (максимум) устройств.
  • Для усилителей ВЧ и ПЧ AM радио используйте те же универсальные заменители, что и выше.
  • Для FM — TV — VHF — UHF на низкие микроволны , попробуйте 2N918. Это кремний NPN ВЧ-транзистор с четырьмя выводами.2N918 поставляется в металлическом корпусе TO-72.

ТО-72 транзистор
  • Для низковольтных цепей , ниже примерно 2 вольт, измените напряжение питания на 3 вольта. Есть два перехода в кремниевом транзисторе. Каждый требует 0,7 вольт. Добавьте падение напряжения на коллекторные и эмиттерные резисторы, и вам понадобится не менее 2 вольт, а лучше 3 вольт.Германий транзисторы могли работать при более низких напряжениях.

Другие компоненты, влияющие на производительность

Конденсаторы и диоды
Конденсаторы связи
  • Вы использовали наш метод преобразования, но цепь все еще не работает: подозрение на негерметичное соединение основания конденсатор.Утечка нарушает смещение базы, вызывая искажения.
  • У вас есть электролитический конденсатор? Замените его новым алюминиевым электролитический.
  • У вас есть конденсатор на основе воска и бумаги? Замените его новым полипропиленовым конденсатором такой же стоимости.
  • Проверьте выходное напряжение постоянного тока усилителя. Если напряжение сейчас около половины Vcc (в пределах разумного) , послушайте свой усилитель или радио. Звук лучше?

Электролитический конденсатор

Германиевые диоды
Для старинных радиоприемников. Иногда в качестве детектора используется германиевый диод. Ничего страшного в этом нет! Оставьте как есть! (Но если вам все равно необходимо заменить кремнием, попробуйте диод Шоттки.Эти диоды наиболее чувствительны и включаются при более низком напряжении, чем большинство кремниевых PN-диодов.)

Германиевые диоды. В вашем радиоприемнике могут также использоваться германиевые диоды для смещения дополнительного выходного каскада. Если ты при замене выходных устройств придется заменить германиевые диоды смещения кремниевыми. диоды. Используйте стандартные диоды PN, , а не устройства Шоттки . В транзисторных радиоприемниках диоды типа 1N4148 сделают свою работу.В большом усилителе мощности вам понадобится что-то более надежное.


Германиевый диод

Резисторы
Не пренебрегайте резисторами. Резисторы , особенно в силовых цепях, иногда выходят из строя. По мере старения иногда значения резисторов выходят за рамки спецификации.Если транзистор выходит из строя, иногда он потреблять чрезмерный ток через резисторы эмиттера и коллектора. Тогда они будут поддерживать тепло повреждать. Проверить резисторы цепи. Замените их, если они не соответствуют требованиям более чем на 20 процентов.

Резисторы четверть ваттные

Другие проблемы преобразования и решения. См. Устранение проблем смещения усилителя

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6 7 Назад

ДОМ

ИСПРАВИТЬ ПРОБЛЕМЫ со смещением

Разделы статьи

Информация о замене и замене транзисторов и информация

Информация о замене и замене транзисторов очень важна для специалистов по ремонту электроники

Руководство по ЭКГ Philips

На поиск замены транзистора у вас могут уйти часы, если вы не знаете правильный способ сделать это.Поиск подходящего транзистора для замены — это навык, если вы замените транзистор неправильной спецификации на оборудование; он может сгореть менее чем за пару секунд.

Замените с правильным номером детали, оборудование будет работать долго, а иногда и на замену Транзистор будет работать даже лучше, чем оригинальный номер детали. В новой модели продукта обычно используется последний номер детали в цепи. Если в этом последнем продукте сгорел транзистор, вы можете столкнуться с трудностями при получении оригинального номера детали, потому что транзистор такой новый и невозможно найти на рынке или у поставщика электроники.

Единственный выход — найти замену транзистору. Вы должны сослаться на перекрестный справочник транзисторов, такой как знаменитое руководство по полупроводникам ЭКГ Philips, или любая другая информация, которую вы считаете может помочь вам найти ближайшую замену. Поиск в Интернете и посещение технических форумов также могут помочь вам получить ответ.

Современные транзисторные диоды, тиристоры и руководство по ИС

К вашему сведению, не все справочники по транзисторам предоставляют правильную информацию, но, по крайней мере, у вас есть некоторые справочные данные для вас. ссылаться.Правильный выбор параметров транзисторов или спецификаций для оборудования, которое вы ремонтируете, позволит избежать обратных звонков от ваших клиентов. Обратный звонок или повторный ремонт из-за неправильной замены транзистора будет стоить вам дополнительных денег и пустой траты времени.

Понимание данных транзистора определенно поможет вам найти правильный и правильный номер детали для подмена. Ниже приведены некоторые важные характеристики транзистора или параметры, которым вы должны следовать, чтобы получить ближайшую замену.

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO) — Замещающая часть номер должен иметь рейтинг VCBO равный или выше исходного.

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) — Замена номер детали должен иметь рейтинг VCEO, равный или превышающий исходный

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO) — Замещающая часть номер должен иметь рейтинг ВЭБО не ниже исходного.

Максимальный ток коллектора (IC) — Номер детали для замены должен выдерживать такой же (или более) ток коллектора, как и исходный.

Рассеиваемая мощность (PD Вт) — Запасная часть должна быть способен рассеивать столько же (или больше) мощности, что и исходный.

The Gain (hfe) — Выигрыш при замене должен быть равен или лучше оригинала и должен быть максимально приближен к исходному параметру.

The Gain-bandwidth (ft) — Замещение должно иметь переход частота равна исходной или превышает ее, и она должна быть как можно ближе к исходному параметру.

Требования к заявке

Важные характеристики

1. Усилитель низкого уровня общего назначения и переключающие транзисторы. hFE, IC (максимум), fT, VCEO
2. Приложения для переключения мощности VCEO, VCBO, hFE, IC (максимум), PD (максимум)
3. Низкоуровневое усиление ПЧ / ВЧ IC (максимум), fT, VCEO
4. Усиление звука IC (максимум), PD (максимум), hFE, VCEO
5. Высоковольтные транзисторы, например, транзистор горизонтального вывода VCEO, VCBO, IC (максимум), fT (ширина полосы пропускания)


Выше представлена ​​таблица требований к применению и важные спецификации, которые вы можете использовать для рекомендации по замене транзисторов.Помните, что новый транзистор не должен нагреваться, и если проблема не исчезнет, ​​попробуйте другая замена на номер или найти оригинальный номер детали, если можете. Не забывайте, что окружающие компоненты также может вызвать перегрев транзистора, даже если используется исходный номер.

Например, в случае ремонта монитора горизонтальный выход транзистор (HOT) всегда сгорает от нескольких часов до нескольких дней, если вы не проверили окружающие компоненты, такие как электролитический конденсатор, подключенный к выводу питания трансформатора строчной развертки.Понимание замены транзисторов очень важно и считается обязательным для вас знанием, если вы хотите добиться успеха в ремонте любого электронного оборудования.

Контур горизонтального драйвера монитора


.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *