Site Loader

Содержание

Новые N-канальные MOSFET-транзисторы в корпусах общепромышленного стандарта

25 сентября 2009

Выпускаемые в течение последних лет MOSFET-транзисторы в корпусах с высокой тепловой эффективностью DirectFET [1], [2] являются визитной карточкой компании IR, подтверждающей ее лидерство в этом сегменте рынка силовой электроники. Отдавая должное безусловной перспективности этой технологии, необходимо отметить, что новые изделия силовой электроники, выпущенные в традиционных стандартных корпусах (как для поверхностного, так и для выводного монтажа), также будут востребованы рынком на протяжении длительного времени.

 

Технология TrenchFET полевых


транзисторов нового поколения

Традиционно мощные MOSFET-транзисторы выпускались по так называемой планарной технологии. Начиная с 2000-х годов компания International Rectifier предлагает на рынок транзисторы, изготовленные по новой, траншейной (Trench) технологии. Не углубляясь в тонкости микроэлектроники, отметим основное различие — затвор TrenchFET-транзистора выполнен не в виде наслоения на пластину, а в виде канавки или траншеи, что иллюстрируется рисунком 1.

 

 

Рис. 1. Структура N-канальных MOSFET-транзисторов, выполненных по планарной
и Trench-технологиям
 

Это позволяет, с одной стороны, добиться более высокой плотности размещения элементов, с другой — снизить сопротивление открытого канала RDS(ON) и уменьшить значение заряда затвора QG.

Кристалл силового MOSFET-транзистора характеризуется двумя обобщенными показателями качества:

1. Удельное сопротивление канала RхAA (произведение сопротивления открытого канала на площадь активной зоны ячейки). Он характеризует компактность и цену кристалла.

2. Комплексный показатель потерь RхQG (произведение сопротивления открытого канала на заряд затвора). Показатель учитывает уровень потерь проводимости и потерь переключения.

Динамика изменения этих параметров на примере 30-вольтовых MOSFET-транзисторов IR представлена на рисунке 2 (индексы 4,5 обозначают, что значение сопротивления открытого канала дано для управляющего напряжения на затворе VGS = 4,5 В).

 

 

Рис. 2. Эволюция показателей качества 30-вольтовых N-канальных MOSFET-транзисторов

компании IR

 

Benchmark MOSFET-транзисторы


компании International Rectifier

Чтобы не запутаться в иностранных терминах, уточним, что TrenchFET — это технология, по которой выполнен транзистор, а упомянутая выше DirectFET — технология корпусирования. Одно не мешает другому.

Benchmark MOSFET — это не некая новая технология, а своего рода «знак качества». То есть отнесение изделия к этой категории говорит о том, что по своим параметрам оно соответствует лучшим изделиям в отрасли и является «эталонным в своем классе».

Для чего это нужно? В настоящий момент IR выпускает более 170 N-канальных транзисторов со статусом Active (стадия активного действующего производства) только в корпусе TO-220AB (не считая снимаемых с производства и тех, которые не рекомендованы к применению в новых разработках). Одних только 100-вольтовых транзисторов — почти 30 наименований. Оптимальный выбор требуемой модели становится для разработчика проблемой. В этом смысле индекс Benchmark MOSFET — подсказка, что данное изделие по совокупности показателей является предпочтительным.

Выбор MOSFET-транзистора обычно проводят по следующим основным показателям:

1. Пробивное напряжение VBRD

 — максимальное напряжение между выводами стока и истока при закрытом состоянии транзистора.

2. Ток стока ID — максимальное значение тока, протекающее по каналу «исток-сток» при открытом состоянии транзистора. Обращаем внимание: значение зависит от температуры кристалла, поэтому в спецификациях (datasheet) указываются не только значения для нескольких точек (обычно 25 и 100°С), но и приводится график зависимости.

3. Сопротивление открытого канала «исток-сток» RDS(ON). Опять же обращаем внимание: параметр зависит от величины управляющего напряжения «затвор-сток» VGS. Как правило, максимальное значение этого напряжения лежит в пределах 12…20 В. Но пороговое напряжение, при котором через канал начинает протекать ток, будет ниже (1,5…4 В). В спецификациях даются, как правило, значения для точек 4,5 и 10 В.

4. Заряд затвора QG. Характеризует величину входной емкости транзистора (то есть, сумму паразитных емкостей «затвор-сток» и «затвор-исток» CGD + CGS), напрямую влияющей на время включения-выключения транзистора.

5. Цена.

Первые два параметра являются, по сути, начальными условиями выбора и вытекают из требований технического задания на узел. Зная требования схемы и заложив разумный запас, разработчик определяет допустимый диапазон этих значений и, как следствие, список изделий, допустимых для применения в его разработке.

Остальные три параметра — атрибуты конкретного изделия. Значение сопротивления открытого канала непосредственно связано с теплом, которое будет рассеиваться на приборе. Отсюда — наличие или отсутствие радиатора, сложные или простые механизмы отвода тепла, большие или малые габариты и, как следствие, высокая или низкая цена конечного прибора.

Значение заряда затвора определяют динамические характеристики узла, то есть максимально возможную частоту коммутации нагрузки. Для каких-то приложений это может быть не очень критично. Но, например, для импульсных источников питания — весьма важно. Кроме того, длительные переходные процессы увеличивают энергопотребление и, следовательно, выделяемое тепло.

Вывод: минимизация комплексного показателя потерь RЧQ— необходимое условие правильного выбора. И цена не должна быть выше.

Компания International Rectifier не только позиционирует изделия из категории «эталонных» как оптимальное решение для новых разработок, но и рекомендует их в качестве прямой замены ранее выпущенным изделиям, как собственным (не обязательно снимаемым с производства), так и изделиям других производителей. Здесь необходимы пояснения. Под «прямой заменой» разработчики привыкли понимать изделие, идентичное заданному по электрическим, механическим и климатическим параметрам. То есть, прямой аналог. Возникает вопрос: откуда прямой аналог новому изделию с «лучшими в своем классе» параметрами? В нашем случае под «прямой заменой» надо понимать следующее: изделие из категории «эталонных» может быть использовано вместо применяемых ранее без корректировки схемы и изменения конструкции. То есть, замена не повлияет на «электрические» режимы работы схемы, и при этом выделяемое тепло будет меньше, а динамические характеристики — не хуже.

В материалах компании IR [3] представлена номенклатура «эталонных» Benchmark MOSFET-транзисторов компании IR.

Перейдем к рассмотрению новинок.

 

Серия «эталонных» 30-вольтовых


MOSFET-транзисторов для индустриальных приложений

В августе 2009 года компания International Rectifier объявила о выпуске четырех новых 30-вольтовых MOSFET-транзисторов для индустриальных приложений в корпусе TO-220AB: IRLB8721*, IRLB8743, IRLB8748 и IRLB3813. Транзисторы относятся к самому новому поколению приборов IR, выполненных по Trench-технологии. Изделия ориентированы для применения в источниках бесперебойного питания, инверторах, низковольтных электроприборах, ORing-приложениях. Крайне низкие значения заряда затвора позволяют новым устройствам увеличить срок автономной работы от батареи в источниках бесперебойного питания или электроприборах. Компания IR утверждает, что новые MOSFET-транзисторы являются прямыми заменами или обновлениями существующих 30-вольтовых устройств в корпусе TO-220AB. Рассмотрим линейку 30-вольтовых N-канальных транзисторов (технические характеристики приведены в таблице 1) и сравним параметры новых и ранее выпущенных приборов.

Таблица 1. Линейка 30-вольтовых N-канальных MOSFET-транзисторов компании IR 

Модель VBRD, max, В VGS, max, В RDS(ON), max, мОм ID, А QG, typ, нК RxQ, мОм х нК
IRL2703 30 16 40,0 24 10,0 400
IRL3303 30 16 26,0 34 17,3 450
IRL3103
30 16 12,0 56 22,0 264
IRF3707Z 30 16 9,5 59 9,7 92
IRLB8721 30 20 8,7 62 7,6 66
IRF3707 30 20 12,5 62 19,0 238
IRF3708 30 12 12,0 62 24,0 288
IRF3709Z 30 20 6,3 87 17,0 107
IRF3709 30 20 9,0 90 27,0 243
IRLB8748 30 20 4,8 92 15,0 72
IRL2203N 30 16 7,0 100 40,0 280
IRL8113 30 20 6,0 105 23,0 138
IRL3803 30 16 6,0 120 93,3 560
IRL3803V 30 16 5,5 140 50,7 279
IRLB8743 30 20 3,2 150 36,0 115
IRL7833 30 20 3,8 150 38,0 144
IRL3713 30 20 3,0 200 75,0 225
IRF3703 30 20 2,8 210 209,0 585
IRF1503 30 20 3,3 240 130,0 429
IRLB3813 30 20 2,0 260 57,0 111
IRF2903Z 30 20 2,4 260 160,0 384

Мы видим что, четверка новых приборов дифференцирована по величине коммутируемого тока: до 60, 90, 150 и 260 А, что позволяет производителю выбрать оптимальный для своего изделия прибор.

Транзистор IRLB8721 может рассматриваться в качестве замены следующих изделий: IRL3103, IRL3707, IRL3707Z и IRL3708. Мы видим, что новый прибор имеет лучшие значения как по сопротивлению открытого канала, так и по заряду затвора. Комплексный показатель потерь улучшен на 30% по сравнению с IRL3707Z и снижен в 3,5…4 раза по сравнению с остальными приборами. Что касается цены: IRLB8721 дешевле в 2,2…2,5** раза.

Транзисторы с коммутируемым током до 90 А в линейке IR были представлены изделиями IRF3709Z и IRF3709. Среди новых приборов им соответствует IRLB8748. Значение комплексного показателя потерь снижено в 1,5 и 3,4 раза, соответственно. Цена — в 2,3 и 2,6 раза.

Среди изделий с коммутируемым током до 150 А новый транзистор IRLB8743 может заменить IRL3803V и IRL7833. Комплексный показатель потерь снижен в 1,2 и 2,4 раза, а цена — в 2,2 и 2,6 раза, соответственно.

И наконец, среди изделий с током до 260 А сравним IRLB3813 с IRF1503 и IRF2903Z. Комплексный показатель потерь снижен в 3,9 и 3,5 раза, а цена — в 1,8 и 2,3 раза, соответственно.

 

Новые «эталонные» 150- и 200-вольтовые


MOSFET-транзисторы

Также в августе 2009 года компания International Rectifier анонсировала новые 150- и 200-вольтовые MOSFET-транзисторы: IRx4615 и IRx4620, соответственно. Транзисторы выпускаются в корпусе D2-Pak для поверхностного монтажа (префикс IRFS) и корпусах для пайки в отверстие TO-220AB и TO-262 (префиксы IRFB и IRFSB, соответственно). Они коммутируют ток до 35 и 25 А, характеризуются крайним низким значением заряда затвора и предназначаются для индустриальных приложений, таких как импульсные источники питания, источники бесперебойного питания, инверторы, приводы двигателей постоянного тока.

Кроме того, International Rectifier выпустила транзисторы IRx5615 и IRx5620, основные параметры которых аналогичны IRx4615 и IRx4620. Транзисторы IRx56xx специально разработаны для приложений цифрового звуковоспроизведения, в частности, для усилителей звуковой частоты класса D. Их параметры оптимизированы с целью повышения КПД усилителя, снижения уровеня электромагнитных помех и нелинейных искажений.

Рассмотрим линейки 150- и 200-вольтовых транзисторов IR (технические характеристики которых приведены в таблице 2) и сравним параметры новых и ранее выпущенных приборов.

Таблица 2. Линейка 150- и 200-вольтовых MOSFET-транзисторов (корпус TO-220AB) 

Модель VBRD, max, В VGS, max, В RDS(ON), max, мОм ID, А QG, typ, нК RxQ, мОм х нК
IRL3215 150 16 166 12 21 3436
IRFB4019 150 20 95 17 13 1235
IRF3315 150 20 70 21 63 4431
IRFB23N15D 150 30 90 23 37 3330
IRFB33N15D 150 30 56 33 60 3360
IRFB4615 150 20 39 35 26 1014
IRFB5615 150 20 39 35 26 1014
IRFB41N15D 150 30 45 41 72 3240
IRF3415 150 20 42 43 133 5599
IRFB52N15D 150 30 32 60 60 1920
IRFB61N15D 150 30 32 60 95 3040
IRFB4321 150 30 15 83 71 1065
IRFB4115 150 20 11 104 77 847
IRF630N 200 20 300 9 23 6990
IRFB17N20D 200 30 170 16 33 5610
IRFB4103 200 30 165 17 25 4125
IRFB4020 200 20 100 18 18 1800
IRF640N 200 20 150 18 45 6705
IRFB23N20D 200 30 100 24 57 5700
IRFB4620 200 20 73 25 25 1813
IRFB5620 200 20 73 25 25 1813
IRFB31N20D 200 30 82 31 70 5740
IRFB42N20D 200 30 55 43 91 5005
IRFB38N20D 200 30 54 44 60 3240
IRFB260N 200 20 40 56 150 6000
IRFB4227 200 30 26 65 70 1820
IRFB4127 200 20 20 76 100 2000

Анализ таблицы показывает, что новые приборы IRFB4615 и IRFB5615 могут быть предложены в качестве замены таким изделиям, как IRFB33N15D и IRFB41N15D, а IRFB4620 и IRFB5620 — для замены транзистора IRFB23N20D. Однако отметим, что максимально допустимое значение управляющего напряжения VGS у новых приборов равно 20 В (вместо 30 В у ранее выпускавшихся). Следовательно, анализ электрической схемы все же необходимо провести. Вывод: комплексный показатель потерь снижен в три и более раз. Цена IRFB46xx незначительно, но — ниже, чем у предыдущих изделий. Для IRFB56xx экономия составляет 30…40%.

 

Небольшое отступление от темы

Возникает вполне разумный вопрос. Если новые изделия имеют лучшие параметры и дешевле, то в чем смысл тех изделий, с которыми мы их сравнивали? Какова их ниша?

Заметим, эти изделия были разработаны пять и более лет назад и их характеристики соответствовали тому моменту времени. Кроме того, компания IR проводит политику фокусирования усилий на тех направлениях, где она имеет преимущества перед другими производителями компонентов силовой электроники. Именно массированное внедрение технологии TrenchFET в новых изделиях позволило скачкообразно улучшить технические характеристики и снизить себестоимость.

Что касается ниши ранее разработанных транзисторов, необходимо определить, идет ли речь о новых разработках или о прямой замене на Benchmark MOSFET в серийно выпускаемых потребителем изделиях.

Причин использовать ранее выпущенные транзисторы в новых разработках, вероятно, нет, кроме каких-то очень специфичных изделий и очень специфичных параметров.

Что касается прямой замены, для серьезного конечного производителя это связано, как минимум, с корректировкой конструкторской документации. Если заменяемая позиция в изделии не является ценообразующей, то овчинка может не стоить выделки. Для ответственных применений (военная техника и не только) подобная замена может повлечь за собой проведение повторных испытаний, подтверждающих выполнение требований технического задания, или подтверждение тактико-технических характеристик. А это — затраты, и серьезные. Собственно, в этом и заключается ответ на вопрос о нише «ранних» изделий.

Вывод: целесообразность применения «эталонных» изделий в новых разработках сомнения не вызывает. Возможность использования их прямой замены не вызывает сомнений с технической точки зрения, но требует вдумчивого анализа с точки зрения финансовой.

 

Заключение

В линейке MOSFET-транзисторов International Rectifier выделена категория Benchmark MOSFET — «изделия с эталонными в своем классе параметрами». То есть, те изделия, в которых соотношения «качество — технические характеристики — цена» позволяют отнести их не только к лучшим в номенклатуре IR, но и к лучшим в отрасли.

Качество (то есть, надежность изделий и соответствие их заявленным параметрам) продукции IR сомнений не вызывает. Не умаляя достоинств других производителей и их продукции, нельзя не согласиться — International Rectifier является мировым лидером в производстве элементной базы для силовой электроники.

Разработка технологии TrenchFET и внедрение ее в новых изделиях позволило добиться образцовых технических характеристик для тех параметров (сопротивление открытого канала и заряд затвора), которые в первую очередь влияют на потребительские свойства приборов. Это достигнуто не только без увеличения цен на продукцию, но и при существенном снижении цены в новых изделиях.

 

Литература

1. В.Башкиров, Новые семейства высокоэфективных низковольтных MOSFET, Новости электроники, №18, 2008

2. Шевченко В. Транзисторы в корпусах DirectFET компании International Rectifier// Chip News Украина, 2006, №1.

3. Benchmark MOFSETs. Product Selection Guide// материал компании International Rectifier.

Получение технической информации, заказ образцов, поставка — e-mail: [email protected]

 

 

 

•••

Наши информационные каналы

Мосфет транзисторы справочник | new-spravochnik.bitballoon.com

Транзистор является полупроводниковым электронным компонентом. Мы относим его к активным элементам схемы, поскольку он позволяет преобразовывать электрические сигналы (нелинейно).

Полевой транзистор или MOSFET ( Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) — полевый транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник. Поэтому его часто еще называют просто МОП транзистор.

Производимые по этой технологий транзисторы состоят из трех слоев:

  • Первый слой — это пластина, вырезанная из однородного кристалла кремния или из кремния с примесью германия.
  • Второй по порядку слой — напыление очень тонкой прослойки диэлектрика (изолятора) из диоксида кремния или оксида металла (оксиды алюминия или циркония). Толщина этого слоя составляет, в зависимости от технологии исполнения, около 10 нм, а в лучшем варианте толщина этого слоя может иметь около 1,2 нм. Для сравнения: 5 атомов кремния, расположенных друг над другом вплотную как раз составляют толщину, близкую к 1,2 нм.
  • Третий слой – это слой состоит из хорошо проводящего металла. Чаще всего для этой цели используют золото.

Конструкция такого транзистора схематично представлена ниже:

Следует отметить, что полевые транзисторы бывают двух типов: N-типа и P-типа, почти так же, как и в случае с биполярными транзисторами, которые производятся в вариантах PNP и NPN.

Среди полевых транзисторов гораздо чаще встречается N-тип. Кроме того, существуют полевые транзисторы:

  • с обедненным каналом, то есть такие, которые пропускают через себя слабый ток при отсутствии напряжении на затворе, и чтобы полностью его запереть необходимо подать на затвор обратное смещение в пару вольт;
  • с обогащенным каналом – это такой вид полевых транзисторов, которые при отсутствии напряжения на затворе не проводят ток, а проводят его лишь тогда, когда напряжение, приложенное к затвору, превышает напряжение истока.

Большим преимуществом полевых транзисторов является то, что они управляются напряжением, в отличие от биполярных транзисторов, которые управляются током.

Легче понять принцип их действия полевого транзистора на примере гидравлического крана.

Чтобы управлять потоком жидкости под высоким давлением в большой трубе, требуется мало усилий, чтобы открыть или закрыть кран. Другими словами, при небольшом объеме работы, мы получаем большой эффект. Небольшая сила, которую мы прикладываем к ручке крана управляет намного большей силой воды, которая давит на клапан.

Благодаря этому свойству полевых транзисторов, мы можем управлять токами и напряжениями, которые намного выше, чем те, которые выдает нам, например, микроконтроллер.

Как уже было отмечено ранее, обычный MOSFET, как правило, не проводит ток на пути источник – сток. Чтобы перевести такой транзистор состояние проводимости необходимо подать напряжение между истоком и затвором так, как указано на рисунке ниже.

На следующем рисунке приведена вольт-амперная характеристика транзистора IRF540.

На графике видно, что транзистор начинает проводить тогда, когда напряжение между затвором и истоком приближается к 4В. Однако для полного открытия нужно почти 7 вольт. Это гораздо больше, чем может выдать микроконтроллер на выходе.

В некоторых случаях может быть достаточным ток на уровне 15 мА и напряжением 5В. Но что делать, если это слишком мало? Есть два выхода.

  1. Можно применить специальные МОП-транзисторы с пониженным напряжением затвор – исток, например, BUZ10L.
  2. Как вариант можно использовать дополнительный усилитель для повышения управляющего напряжения.

Независимо от сферы применения, каждый полевой транзистор имеет несколько ключевых параметров, а именно:

  • Допустимое напряжение сток-исток: UDSmax
  • Максимальный ток стока: IDmax
  • Пороговое напряжение открытия: UGSth
  • Сопротивление канала в открытом состоянии: RDSon

Во многих случаях ключевым параметром является RDSon, поскольку косвенно указывает нам на потерю мощности, которая крайне нежелательна.

Для примера возьмем транзистор в корпусе ТО-220 с сопротивлением RDSon = 0,05 Ом и протекающий через этот транзистор ток в 4А.

Давайте посчитаем потери мощности:

Мощность потерь, которую способен рассеивать транзистор в корпусе ТО-220 составляет чуть более 1 Вт, так что в этом случае можно обойтись без радиатора. Однако, уже для тока 10А потери составят 5Вт, так что без радиатора никак не обойтись.

Следовательно, чем меньше RDSon, тем лучше. Поэтому при выборе MOSFET транзистора для конкретного применения следует всегда принимать во внимание этот параметр.

На практике с увеличением допустимого напряжения UDSmax растет сопротивление исток-сток. По этой причине не следует выбирать транзисторы с большим, чем это требуется UDSmax.

Создать справочник номенклатуры

Справочник по импортным MOSFET транзисторам

Справочник по MOSFET транзисторам
Ссылка: Справочник по импортным MOSFET транзисторам — RadioLibrary

справочник по мосфет транзисторам

Навигатор по mosfet транзисторам, рекомендуемым для новых разработок international rectifier. Навигатор по mosfet транзисторам, рекомендуемым для новых разработок. N-канальные mosfet транзисторы одноканальные. Импортные mosfet транзисторы в справочник взяты из прайс-листов магазинов. Импортные и отечественные транзисторы, расположенные в одной. Основные параметры и характеристики. как подобрать замену для mosfet-транзистора. Основные параметры и характеристики. как подобрать замену для mosfet-транзистора. Справочник по полевым транзисторам — сортировкой по напряжению. n, 100, irf1104, to-220, mosfet транзистор 40в 100а.

Справочник по MOSFET транзисторам

Импортные mosfet транзисторы в справочник взяты из прайс-листов магазинов. Импортные и отечественные транзисторы, расположенные в одной. Главная / полупроводниковые приборы / транзисторы / полевые полевые с изолированным затвором транзисторы (mosfet) (справочные данные). Полевые транзисторы, включенные в справочник, упорядочены по току и напряжению. Пара p-канальных моп транзисторов 20v 5,3a в корпусе so-8. Пара n+p-канальных моп транзисторов 55v 4,7a/3,4a в корпусе so-8. Главная / полупроводниковые приборы / транзисторы / полевые полевые с изолированным затвором транзисторы (mosfet) (справочные данные). Статья с иллюстрациями и подробными комментариями: силовые mosfet транзисторы.

https://telegra.ph/Testy-po-kursu-Metodika-prepodavaniya-matematiki-mladshim-shkolnikam-06-25

https://telegra.ph/Programma-dlya-shvejnogo-proizvodstva-STILON-avtomatizaciya-06-25-2

https://telegra.ph/Propisi-dlya-vzroslyh-kalligrafiya—PDF-06-25-2

https://telegra.ph/Driver-intel-g41-express-chipset-windows-10-06-25-2

https://telegra.ph/Regulyator-holostogo-hoda-Nissan-Vingroad-kupit-v-Irkutske-06-25

https://telegra.ph/Remont-Mazda-Bongo-Friendee-svoimi-rukami-Mashina-v-remonte-06-25

https://telegra.ph/Informatika-i-matematika-Informatika-i-matematika—Referat-06-25

https://telegra.ph/Megogo-Net-Profile-06-25-2

https://telegra.ph/Mod-man-tgs-agrar-dlya-fs-2019-06-25

https://telegra.ph/EHlektricheskaya-shema-priborov-osveshcheniya-zil-433360-Shemy-priborov-06-25-2

https://telegra.ph/Utilita-kavremover-dlya-udaleniya-programm-06-25

транзистор% 20 каталог с техническими данными и примечания по применению

2013 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: Reel targ Contact (/About/contact/default.aspx?contactType=Online% 20Directory) Вакансии (https


Оригинал
PDF ATxmega128A1U 32-битный 20Directory) com / devices / atxmega128a1u
кб * 9Д5Н20П

Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор
KIA78 * pI

Реферат: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ МОП-транзистор хб * 2Д0Н60П KIA7812API
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API
2SC4793 2sa1837

Аннотация: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентный транзистор NPN
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор нпн к-220 транзистор 2SC5359 Транзисторный эквивалент 2SC5171 2sc5198 эквивалент NPN транзистор
транзистор

Аннотация: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 2N3904 2N3906 2N4124 2N4126 2N7000 2N7002 BC327 BC328 BC337 BC338 транзистор транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP
CH520G2

Аннотация: Транзистор CH520G2-30PT цифровой 47k 22k PNP NPN FBPT-523 транзистор npn коммутирующий транзистор 60v CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF A1100) QFN200 CHDTA143ET1PT FBPT-523 100 мА CHDTA143ZT1PT CHDTA144TT1PT CH520G2 CH520G2-30PT транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60 в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT
транзистор 45 ф 122

Аннотация: Транзистор AC 51 mos 3021, TRIAC 136, 634, транзистор tlp 122, транзистор, транзистор переменного тока 127, транзистор 502, транзистор f 421.
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор TLP 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421
CTX12S

Аннотация: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU

Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406
Q2N4401

Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
fn651

Абстракция: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343
2SC5471

Аннотация: Транзистор 2SC5853 2sa1015 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 A1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Mosfet FTR 03-E

Аннотация: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V / 65e9 транзистор 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Mosfet FTR 03-E mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V / 65e9 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF
fgt313

Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
транзистор
  • Аннотация: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
    Текст: нет текста в файле


  • OCR сканирование
    PDF 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6N136 6N137 6N138 6N139 CNY17-L CNY17-M транзистор
  • ТРАНЗИСТОР TLP 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
  • 1999 — ТВ системы горизонтального отклонения

    Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ AN363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтального сечения tv горизонтального отклонения переключающих транзисторов TV горизонтальных отклоняющих систем mosfet горизонтального сечения в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратноходовой трансформатор
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения Системы горизонтального отклонения телевизора MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка для ЭЛТ-телевизора Обратный трансформатор ТВ
    транзистор

    Реферат: силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP PNP МОЩНЫЙ транзистор TO220 демпферный диод транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn транзистор Дарлингтона TO220
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF 2SD1160 2SD1140 2SD1224 2SD1508 2SD1631 2SD1784 2SD2481 2SB907 2SD1222 2SD1412A транзистор силовой транзистор нпн к-220 транзистор PNP PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 демпферный диод Транзистор дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn darlington транзистор ТО220
    1999 — транзистор

    Аннотация: МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив fet высокочастотный транзистор TRANSISTOR P 3 транзистор mp40 список
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF X13769XJ2V0CD00 О-126) MP-25 О-220) MP-40 MP-45 MP-45F О-220 MP-80 MP-10 транзистор МОП-МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2ск 2СК типа Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив FET высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список
    транзистор 835

    Аннотация: Усилитель с транзистором BC548, стабилизатор транзистора AUDIO Усилитель с транзистором BC548, транзистор 81 110 Вт, 85 транзистор, 81 110 Вт, 63 транзистор, транзистор, 438, транзистор, 649, ТРАНЗИСТОР, ПУТЕВОДИТЕЛЬ
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF BC327; BC327A; BC328 BC337; BC337A; BC338 BC546; BC547; BC548 BC556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель АУДИО на транзисторе BC548 транзистор 81110 вт 85 транзистор 81110 вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ТРАНЗИСТОРА
    2002 — SE012

    Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B
    2SC5586

    Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 СВЧ диод 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель ИМС с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287
    pwm инверторный сварочный аппарат

    Аннотация: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 Powerex демпфирующий конденсатор инвертор сварочной цепи KD221K75 kd2245 kd224510 применение транзистора
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF
    варикап диоды

    Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР GSM-модуль с микроконтроллером МОП-транзистор с p-каналом Hitachi SAW-фильтр с двойным затвором МОП-транзистор в УКВ-усилителе Транзисторы МОП-транзистор с p-каналом Mosfet-транзистор Hitachi VHF fet lna Низкочастотный силовой транзистор
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в УКВ-усилителе Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор
    Лист данных силового транзистора для ТВ

    Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалент 2SC5411, транзистор 2sd2499, 2Sc5858, эквивалентный транзистор 2SC5387, компоненты 2SC5570 в строчной развертке.
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
    2009 — 2sc3052ef

    Аннотация: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводник перекрестная ссылка toshiba smd marking code транзистор
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF 24 ГГц BF517 B132-H8248-G5-X-7600 2sc3052ef 2n2222a SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 перекрестная ссылка на полупроводник toshiba smd маркировочный код транзистора

    все% 20 транзисторов% 20 эквивалент% 20% 20 справочный лист данных и примечания к приложению

    Пакеты SMD

    Аннотация: 128-208L 8l smd SY69952 MQUAD 44L-84L 8L-10L 20L-28L 8L-16L MIC5400
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF О-220 О-247 44Л-84Л 128-208л О-263 32L8L ЦОТ-23 8Л-28Л 16L-28L 150X150 SMD пакеты 128-208л 8л smd SY69952 MQUAD 44Л-84Л 8L-10L 20L-28L 8L-16L MIC5400
    2010 — 44Л-84Л

    Абстракция: 20L-28L LGA 16L SOT23 2A6
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF 18-6731TO KS8721SL КС8001СЛ MLF88Q-64LD, MLF2025 022709PM09 44Л-84Л 20L-28L LGA 16L SOT23 2A6
    5SBA20

    Абстракция: B2950 ZENER b29 BRF20100C BZY97C11 BRF20100CT BC337 BRF1060 BZ4627 B10100
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF 5KA43A 5KE440CA 1N746 1N759 1N957 1N979 ZTK33C Z4KE100 ZGL41 ZGL41-200A 5SBA20 B2950 ЗЕНЕР В29 BRF20100C BZY97C11 BRF20100CT BC337 BRF1060 BZ4627 B10100
    Нет в наличии

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF DO-35
    2007 — Нет в наличии

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF MIL-DTL-5015 MIL-STD-1651 MIL-STD-1651.
    PEI-G20

    Аннотация: TP-FR-G15 PEI-G30 TP-IGFR-G30 PCG10 TP-FR-G30
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF E113219 PPX-G30 PPX-FRG10 PPX-FRG20 PPX-FRG30 PEI-G20 TP-FR-G15 PEI-G30 TP-IGFR-G30 PCG10 TP-FR-G30
    qml-38535

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF MIL-PRF-38535 SIAC251ERQMLV qml-38535
    стабилитрон 4744

    Аннотация: стабилитрон 4742 стабилитрон 4733 4735 стабилитрон ALL4731 стабилитрон 4734 стабилитрон 4744 B10 стабилитрон ALL4728 ALL4730
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF 073713S 474ВСЕ стабилитрона 4744 стабилитрон 4742 стабилитрон 4733 4735 стабилитрон ALL4731 Стабилитрон 4734 стабилитрон 4744 Стабилитрон B10 ВСЕ4728 ВСЕ4730
    1997 — скотчлок УР2

    Аннотация: E-9C
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF
    qml-38535

    Аннотация: 54AC646
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF
    PIC BASIC bluetooth

    Аннотация: кардридер samsung MPTA hdd приложение BCM5751MKFBG SDM-2000 Ricoh R5C843
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF
    EME-6300

    Аннотация: eme6600cs EME6600 EME6300 G700 eme-6600cs JESD22-A113 EME-7351 MP-8000 mp8000
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF О-263 SC-70 MIC2529 MIC2527 SY69952 MIC5400 EME6300 150X150 EME-6300 eme6600cs EME6600 EME6300 G700 eme-6600cs JESD22-A113 EME-7351 MP-8000 mp8000
    qml-38535

    Аннотация: 54ACTQ374 GDFP2-F20
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF 003S7Ã qml-38535 54ACTQ374 GDFP2-F20
    СОТ23 2А6

    Абстракция: 44L-84L 20L-28L MLF33
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF FTMLF1010 HMLF3035, HMLF2520 HMLF46T 14L48L 8-28л TMLF8585, О-252 О-263 ЦОТ-23 SOT23 2A6 44Л-84Л 20L-28L MLF33
    стабилитрон ИН 5232

    Реферат: стабилитрон в диоде 5229 b AMERICAN POWER DEVICES fenwal LL34 5252
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF
    Нет в наличии

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF
    1999 — XCV100 TQ144

    Аннотация: диод ds003 t25 4 L9 TQ144 CS144 XCV800 XCV600 XCV50 XCV400 DS0034
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF DS003-4 BG352 XCV400 TQ144 DS003-1, DS003-2, DS003-3, DS003-4, XCV100 TQ144 ds003 диод t25 4 L9 CS144 XCV800 XCV600 XCV50 DS0034
    2002 — LP-UNEQ

    Аннотация: JT-G707 AU-AIS UNI-9953 PM5390 PM5347 PM5346 PM5345 pm5350 JESD22 A113
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF PM5390 S / UNI-9953 PMC-2020349 PM5342 СПЕКТРА-155 PM5343 LP-UNEQ JT-G707 AU-AIS UNI-9953 PM5347 PM5346 PM5345 pm5350 JESD22 A113
    2001 — НАН Я ПЛАСТИКС 6410Г5

    Аннотация: 6410g5 1402G 6410G3 QMFZ2.E130155 3210G6 NAN YA PLASTICS 1403g6 6210G3 6401G6 2210G6
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF E130155 E130155 НАН Я ПЛАСТИКС 6410Г5 6410g5 1402G 6410G3 QMFZ2.E130155 3210G6 НАН Я ПЛАСТИКС 1403g6 6210G3 6401G6 2210G6
    A953

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF DWE100CMD0 DWE400CMD0 DWE800CMD0 DWE800CMD0 A10 / NC A953
    2001 — MP5600

    Аннотация: Сервер переднего плана POWERSOFT MP5800 sas 37 C2001 seagate 500Gb seagate 68 uap 100MHZ
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF HiRDBISO9001 51 Майкрософт MP5600 POWERSOFT MP5800 sas 37 сервер переднего плана C2001 seagate 500 ГБ Seagate 68 грн 100 МГц
    2000 — l0007

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF L0007-02 QS5805, QS5805T, QS53805, QS532805, QS5806, QS5806T, QS52806T, QS53806 QS5806T l0007
    1995 — XC3090

    Аннотация: XC4000E XC4010 XC5200 XC5204 XC5210 Xilinx XC3090
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF
    КОД МАРКИРОВКИ SMD TW

    Аннотация: qml-38535
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF MIL-PRF-38535.КОД МАРКИРОВКИ SMD TW qml-38535
    2008 — FB35-K52B-T710

    Аннотация: 115200-8-N-1 ML50x ML505 ML506 JTAG ML506 IR ML506 ChipScope ML550 ML507
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF ML50x ML50x 10-битный, Аналог к ​​Dig2008 листов / ds100 гиды / ug191 листов / DS202 FB35-K52B-T710 115200-8-N-1 ML505 ML506 JTAG ML506 ИК ML506 ChipScope ML550 ML507

    Транзисторы — РФ, МОП-транзисторы, разное.

    Щелкните подкатегорию.

    1. $ 0.75

      Добавить в корзину

      4N25 6-контактные оптоизоляторы Dip Транзисторный выход

    2. 1 доллар.95

      Добавить в корзину

      IRF510 Транзистор, 5,6 А, 100 В, 0,540 Ом, N-канальный силовой полевой МОП-транзистор

    3. 53 доллара.91

      Добавить в корзину

      MRF171A Транзистор, РЧ МОП-транзистор, 45 Вт, 150 МГц, 28 В

      MFR: M / A-COM

      Новый старый запас * Больше не доступен для экспорта

      Артикул: MRF171A-MA

    4. 129 долларов США.91

      Добавить в корзину

      Для совмещения четырехугольников (4) просто закажите две пары

      MFR: Toshiba, Япония

      Новые старые запасы * больше не доступны для экспорта

      Артикул: 2SC2782A-MP

    5. Добавить в корзину

      Силовые кремниевые силовые транзисторы NPN высокой мощности Эти устройства разработаны для линейных усилителей, последовательных регуляторов и приложений с индуктивной коммутацией.

      Характеристики

      • Допустимый ток второго пробоя с прямым смещением IS / b = 3,75 Adc @ VCE = 40 Vdc — 2N3771 = 2,5 Adc @ VCE = 60 Vdc — 2N3772 • Эти устройства не содержат свинца и соответствуют требованиям RoHS

      MFR: ON Semiconductors

      & nbs2N3771G ON Полупроводниковый транзистор NPN 40V 30Ap; Артикул: 2N3771G-ON

    6. 4 доллара.95

      Добавить в корзину

      2N5756 Транзистор, MFR: RCA больше не доступен для экспорта, (NOS)

      Сделано в США

    7. 9 долларов.95

      Добавить в корзину

      2N174 Транзисторы, германиевый PNP, MFR: Delco

    8. Добавить в корзину

      2N2222A — хороший недорогой NPN-транзистор общего назначения для усиления и переключения мощности от низкой до умеренной.
      Корпус: 22-03 TO-18
      Биполярный транзистор малой мощности
      0.8AI (C),
      40V V (BR) CEO
      1-Element
      Silicon
      New Old Stock * Больше не продается
      MFR: Motorola
      Артикул: 2N2222A / M

      См. Технические данные для получения дополнительной информации

    9. 9 долларов.95

      Добавить в корзину

      Discrete Semiconductor
      New Old Stock * Больше не доступен для экспорта
      MFR: Motorola
      SKU: 2N2905A-MOT

    10. Добавить в корзину

      2N2907 Транзистор пластиковый

    Лучшие транзисторы для хранения запасных частей — Блоги — Виртуальный класс для университетской программы ADI

    Лучшие транзисторы для хранения запасных частей

    Если вам нужны транзисторы для проекта, есть множество вариантов.Это может затруднить ответ на вопрос «Какой транзистор мне использовать?» потенциально очень запутанный. Не бойтесь, прежде чем переходить к спецификации после спецификации, подумайте об использовании одного из этих транзисторов общего назначения, которые включены в комплект аналоговых деталей ADALP2000. В запасе запасных частей каждого инженера должно быть по несколько штук каждой.

    Транзисторы

    — один из самых универсальных дискретных компонентов в электронике. В цифровых системах они включают и выключают сигналы, а в аналоговых системах они используются для усиления сигналов.Во многих проектах они используются для включения и выключения нагрузки, которая требует тока, намного большего, чем может обеспечить вывод ввода / вывода микроконтроллера или микропроцессора. Это часто можно сделать с помощью BJT или MOSFET, в зависимости от тока нагрузки и напряжения, которое необходимо переключить.

    Вкратце, мы рекомендуем:

    BJT, NPN, 2N3904

    БЮТ, ПНП, 2Н3906

    Мощность NPN, TIP31

    Мощность PNP, TIP32

    N-канальный полевой МОП-транзистор, ZVN2110A

    МОП-транзистор с P-каналом, ZVP2110A

    N-канальный полевой МОП-транзистор Power, IRF510

    Существуют европейские и японские эквиваленты, которые могут быть более доступны, если вы находитесь в этой части мира.Для NPN посмотрите BC547 или 2SC1815, для PNP — BC557 или 2SA1015.

    Вот еще несколько подробностей о каждом из них в нашем списке.

    БЮЦ

    Биполярные транзисторы поставляются в небольших корпусах. При напряжении Vbe около 0,7 В базу можно приводить в действие с помощью резистора высокого номинала непосредственно от контактов ввода / вывода CMOS, и они, как правило, имеют довольно низкую стоимость. Есть два варианта: NPN и PNP. Это рабочие лошадки большинства схем управления для слаботочных приложений. Обычно встречается в виде деталей со сквозным отверстием в 3-контактном корпусе в стиле TO-92.

    # 1 NPN — 2N3904

    Транзисторы

    NPN используются в схемах переключателей нижнего уровня. Это означает, что все, что вы хотите контролировать, подключено между высоким напряжением и коллектором транзистора, а эмиттер подключен к земле, как показано в примере драйвера светодиода, показанном на рисунке 1.

    Рисунок 1, NPN как выключатель нижнего уровня

    Обычный NPN-транзистор — 2N3904. Вы можете легко переключать большие нагрузки 12 или 16 В с помощью этого транзистора 40 В. Номинальный ток составляет 200 мА, что достаточно для многих небольших двигателей постоянного тока, катушек реле или светодиодов.

    2N3904 из ALP2000

    № 2 ПНП — 2Н3906

    Для схем переключения высокого напряжения вам понадобится транзистор типа PNP. Переключатель высокого напряжения — это место, где эмиттер подключен к источнику положительного напряжения, а нагрузка размещается между коллектором и землей. Поскольку 2N3904 был включен для NPN, его дополнение: 2N3906 включено. Он также рассчитан на 40 В и 200 мА.

    Рисунок 2, PNP как выключатель высокого давления

    2N3906 из ALP2000

    # 3 Питание — TIP31, TIP32

    Одним из преимуществ BJT является то, что они легко управляются с вывода логики ввода / вывода CMOS.Бета-коэффициент для NPN TIP31 и PNP TIP32 может составлять 25, что может быть недостаточно при управлении токами большой нагрузки. Когда они сконфигурированы как «пара Дарлингтона» с 2N3904 или 2N3906, они могут обеспечить значительно более высокие токи, чем одиночные транзисторы. TIP31 может выдерживать ток до 5 А в относительно большом корпусе TO-220. (Иногда можно увидеть тот же пакет, который используется для линейных регуляторов.) Если вы хотите управлять таким большим током, не забудьте использовать радиатор.

    TIP31 и TIP32 от ALP2000

    # 4 полевых МОП-транзисторов

    Малосигнальные полевые МОП-транзисторы, такие как ZVN2110A и ZVP2110A, могут иметь преимущества перед транзисторами BJT в том, что для их включения не требуется ток, а только напряжение на затворе.Это может быть идеальным при создании буферных усилителей с высоким входным сопротивлением. Пороговое напряжение для ZVN2110A может находиться в диапазоне от 0,8 до 2,4 В и от -1,5 до -3,5 для ZVP2110A, что значительно больше, чем у BJT Vbe, и варьируется от гораздо большего количества устройств к устройству, что может усложнить их использование в качестве аналоговых усилителей. .

    ZVN2110A, ZVP2110A из ALP2000

    Однако многие полевые МОП-транзисторы не работают на «логических уровнях», что означает, что им обычно требуется 10-15 В на затворе для полного включения.Такие транзисторы с большим Vth не могут управляться выходом CMOS с логическим уровнем 5 В. Это означает, что забудьте об их использовании напрямую с микроконтроллерами или одноплатными компьютерами.

    Когда вам нужно управлять большим током, мощные полевые МОП-транзисторы просто великолепны. Для управления ими не требуется ток затвора, а только напряжение, что делает их идеальными для эффективного переключения больших токов.

    # 5 Power N-Channel — IRF510

    Эти транзисторы рассчитаны на 100 В и 5,6 А. Не в миллиамперах, а в амперах.(Хотя вам понадобится радиатор). Минимальное и максимальное пороговое напряжение затвора составляет от 2 В до 4 В, поэтому они могут считаться совместимыми с «логическим уровнем» и могут управляться логическими уровнями 5 В. Хотя, наверное, не до конца их указал Рон. Вот почему IRF510 был включен в комплект деталей.

    IRF510 от ALP2000

    В заключение

    Эти транзисторы общего назначения предназначены для широкого диапазона применений. С таким же успехом можно использовать и другие подобные устройства.Наличие нескольких запчастей каждого из них пригодится практически для любого проекта. Оставьте ниже свои предложения по поводу того, какие транзисторы вы считаете наиболее полезными.

    Doug

    Популярные полевые МОП-транзисторы, часто используемые в конструкциях силовой электроники

    МОП-транзисторы — один из важных компонентов в силовой электронике, и мы рассмотрели многие полевые МОП-транзисторы с их схемой контактов, таблицей данных, функциями и способами их использования в схеме. Выбор полевого МОП-транзистора для вашего проекта может оказаться сложной и трудоемкой задачей, поскольку вам придется изучить спецификацию каждого полевого МОП-транзистора.Итак, мы решили составить сводный список популярных полевых МОП-транзисторов , который может помочь в выбрать правильный полевой МОП-транзистор для вашего приложения .

    Итак, если вы создаете схему силовой электроники и думаете о , как выбрать правильный полевой МОП-транзистор для вашего конкретного приложения, вот список популярных полевых МОП-транзисторов с сквозным отверстием и поверхностного монтажа, которые вы можете найти в своем местном магазине или в Интернете. хранить.

    BS170

    BS170 — это наиболее распространенный МОП-транзистор с N-канальным режимом расширения, который используется многими разработчиками электроники и любителями; он поставляется в корпусе TO-92 и лучше всего работает с низковольтными слаботочными устройствами.

    Некоторые основные характеристики BS170 MOSFET делают его пригодным для определенных приложений, например:

    • Он имеет низкое пороговое напряжение 2,1 В, что означает, что им может управлять микроконтроллер с логическим уровнем 3,3 В, например, Arduino.
    • Он имеет низкую входную емкость 22 пФ, что делает его пригодным для основных высокочастотных импульсных драйверов.
    • Низкое сопротивление в открытом состоянии 2,5 Ом повышает эффективность этого полевого МОП-транзистора для таких приложений, как драйвер светодиодов высокой мощности.
    • Он имеет очень быструю скорость переключения 7 нс, что означает, что его можно использовать в качестве двунаправленного преобразователя логических уровней для SPI, I2C и UART.
    • Может использоваться как малошумящий предусилитель с конфигурацией усилителя напряжения.

    Важнейшие параметры:

    Рейтинг

    Символ

    Значение

    Блок

    Напряжение сток-исток

    VDS

    60

    В постоянного тока

    Напряжение затвор-исток

    — непрерывный

    — неповторяющийся (tp ≤ 50 с)

    ВГС

    ВГСМ

    ± 20

    ± 40

    В постоянного тока

    Впк

    Сопротивление при включении истока-истока

    (VGS = 10 В постоянного тока, ID = 200 мА постоянного тока)

    RDS (вкл.)

    1.8

    Ом

    Ток утечки (Примечание)

    ID

    0,5

    Adc

    Общее тепловыделение устройства при TA = 25 ° C

    PD

    350

    мВт

    Напряжение пробоя сток-исток

    (VGS = 0, ID = 100 мА пост. Тока)

    В (BR) DSS

    90

    В постоянного тока

    Общая стоимость ворот

    (VDS = 30 В, ID = 0.5 А, ВГС = 20)

    Qg (макс.)

    2,4

    нКл

    Пороговое напряжение затвора

    (VDS = VGS, ID = 1,0 мА пост. Тока)

    ВГС (Th)

    2,0

    В постоянного тока

    Диапазон температур спая при эксплуатации и хранении

    ТДж,

    Тстг

    от −55 до

    +150

    ° С

    Номер детали: BS170

    Ссылка на техническое описание: BS170 MOSFET Ссылка на техническое описание

    Подобные продукты: BS170F

    BS250

    BS250 представляет собой полевой МОП-транзистор с P-каналом в корпусе TO-92 и предназначен для работы с низковольтными и слаботочными приложениями.Ниже перечислены некоторые основные характеристики BS250 MOSFET , которые делают его пригодным для определенных приложений:

    • Он имеет низкое пороговое напряжение -1,9 В, что означает, что он может управляться микроконтроллерами с логическим уровнем 1,8 В.
    • Поскольку это полевой МОП-транзистор с P-каналом, он может использоваться для приложений переключения на стороне высокого напряжения
    • Из-за низкого сопротивления в открытом состоянии он может выдерживать нагрузку до 0,18 А.
    • Высокая скорость переключения всего 16 нс и низкая входная емкость всего 15 пФ делают его подходящим выбором для многих коммутационных приложений.
    • Его можно использовать в качестве драйвера для реле, соленоидов, ламп, дисплеев, памяти, силовых транзисторов и двигателей.

    Наиболее важные параметры

    Рейтинг

    Символ

    Значение

    Блок

    Напряжение сток-исток

    VDS

    −45

    В постоянного тока

    Напряжение затвор-исток

    — непрерывный

    ВГС

    ± 25

    В постоянного тока

    Сопротивление при включении истока-истока

    (VGS = -10 В постоянного тока, ID = -0.2 ADC)

    RDS (вкл.)

    14

    Ом

    Ток утечки — постоянный

    — Импульсный

    ID

    IDM

    -0,18

    2,2

    Adc

    Общее тепловыделение устройства при TA = 25 ° C

    PD

    0.83

    Вт

    Напряжение пробоя сток-исток

    (VGS = 0, ID = 21 мА)

    В (BR) DSS

    −45

    В постоянного тока

    Общая стоимость ворот

    Qg (макс.)

    1,8

    нКл

    Пороговое напряжение затвора

    (VDS = VGS, ID = — 250 мкА)

    ВГС (Th)

    от -1 до -3.5

    В постоянного тока

    Диапазон температур спая при эксплуатации и хранении

    ТДж,

    Тстг

    от −55 до

    +150

    ° С

    Номер детали: BS250

    Ссылка на техническое описание: Щелкните здесь, чтобы открыть техническое описание

    Подобные продукты: BSP254A, TP0610KL

    Примечание: Это обычный продукт, который можно найти в местном магазине, и его время переключения практически не зависит от рабочей температуры.

    BSS138

    BSS138 — это наиболее распространенный полевой МОП-транзистор с N-канальным расширением, изготовленный с использованием запатентованной технологии ON Semiconductor, основанной на высокой плотности ячеек и технологии DMOS, которая используется многими фирмами, производящими электронику, дизайнерами и любителями. Он поставляется в корпусе SOT-23 и лучше всего работает с низковольтными и слаботочными приложениями.

    Некоторые основные функции BSS138 MOSFET делают его пригодным для определенных приложений, таких как:

    • Он имеет очень низкое пороговое напряжение затвора, равное 1.5 В, что означает, что им может управлять микроконтроллер логического уровня с напряжением 1,8 В.
    • Он имеет низкую входную емкость 27 пФ при 1 МГц, что делает его подходящим выбором для базовых высокочастотных импульсных драйверов.
    • Низкое сопротивление в открытом состоянии 3,5 Ом и ток стока в открытом состоянии 200 мА делают его пригодным для использования с драйверами светодиодов, двигателей или реле.
    • Он имеет очень высокую скорость переключения 20 нс, что делает его идеальным выбором в качестве двунаправленного преобразователя логического уровня.

    Наиболее важные параметры

    Рейтинг

    Символ

    Значение

    Блок

    Напряжение сток-исток

    VDS

    50

    В постоянного тока

    Напряжение затвор-исток

    — непрерывный

    — неповторяющийся (tp ≤ 50 с)

    ВГС

    ВГСМ

    ± 20

    ± 40

    В постоянного тока

    Впк

    Сопротивление при включении истока-истока

    (VGS = 10 В постоянного тока, ID = 200 мА постоянного тока)

    RDS (вкл.)

    3.5

    Ом

    Ток утечки — постоянный

    — Импульсный

    ID

    ,22

    .88

    Adc

    Общее тепловыделение устройства при TA = 25 ° C

    PD

    360

    мВт

    Напряжение пробоя сток-исток

    (VGS = 0, ID = 100 мА пост. Тока)

    В (BR) DSS

    50

    В постоянного тока

    Общая стоимость ворот

    Qg (макс.)

    2,4

    нКл

    Пороговое напряжение затвора

    (VDS = VGS, ID = 1,0 мА пост. Тока)

    ВГС (Th)

    1,5

    В постоянного тока

    Диапазон температур спая при эксплуатации и хранении

    ТДж,

    Тстг

    от −55 до

    +150

    ° С

    Номер детали: BSS138

    Ссылка на техническое описание: Щелкните здесь, чтобы открыть техническое описание

    Подобные продукты: BSS123, BSS126H6327XTSA2

    Примечание: Это обычный продукт, который можно найти в местном магазине.Кроме того, не забудьте правильно спроектировать печатную плату, используя это, поскольку неправильная конструкция печатной платы может привести к тепловым проблемам.

    IRF540

    IRF540 — еще один наиболее распространенный N-канальный MOSFET , который используется многими разработчиками электроники и любителями. Он поставляется в корпусе TO-220AB, поэтому он предпочтителен для всех коммерческих и промышленных приложений и лучше всего работает с низковольтными и сильноточными приложениями. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220AB делают его очень популярным в промышленности.Некоторые основные функции и приложения перечислены ниже

    .

    • Он имеет низкое пороговое напряжение 2,1 В, что означает, что он может управляться микроконтроллером с логическим уровнем 3,3 В, таким как микроконтроллер Arduino или PIC.
    • Он имеет очень низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 77 мОм, что делает его пригодным для работы с большой нагрузкой.
    • Он используется во многих коммутационных приложениях из-за высокой скорости переключения и низкой входной емкости.
    • Низкое сопротивление в открытом состоянии и низкая входная емкость затвора делают его пригодным для параллельной работы.
    • Dynamic dv / dt предотвращает ложное переключение, колебания или необратимое повреждение полевого МОП-транзистора.

    Наиболее важные параметры

    Рейтинг

    Символ

    Значение

    Блок

    Напряжение сток-исток

    VDS

    100

    В постоянного тока

    Напряжение затвор-исток

    — непрерывный

    ВГС

    ± 20

    В постоянного тока

    Сопротивление при включении истока-истока

    (VGS = 10 В постоянного тока, ID = 17 А постоянного тока)

    RDS (вкл.)

    0.077

    Ом

    Ток утечки — постоянный

    — Импульсный

    ID

    IDM

    28

    110

    Adc

    Общее тепловыделение устройства при TA = 25 ° C

    PD

    150

    Вт

    Напряжение пробоя сток-исток

    (VGS = 0, ID = 250 мкА)

    В (BR) DSS

    100

    В постоянного тока

    Общая стоимость ворот

    Qg (макс.)

    72

    нКл

    Пороговое напряжение затвора

    (VDS = VGS, ID = 250 мкА)

    ВГС (Th)

    4

    В постоянного тока

    Диапазон температур спая при эксплуатации и хранении

    ТДж,

    Тстг

    –55–

    + 175

    ° С

    Номер детали: IRF540NPBF

    Ссылка на техническое описание: Щелкните здесь, чтобы открыть техническое описание

    Подобные продукты: IRF520, IRF530, IRF640, IRF840

    Примечание: Это обычный продукт, который можно найти в местном магазине запчастей для электроники.

    IRF9540

    IRF9540 — это наиболее распространенный полевой МОП-транзистор с кремниевым затвором с P-каналом, который используется многими разработчиками электроники и любителями. Он поставляется в корпусе TO-220, поэтому является идеальным выбором для всех видов коммерчески-промышленных применений и лучше всего работает с низковольтными и сильноточными приложениями.

    Некоторые основные функции и применения полевого МОП-транзистора IRF9540 перечислены ниже:

    • Dynamic dv / dt предотвращает ложное переключение, колебания или необратимое повреждение полевого МОП-транзистора.
    • Он имеет очень низкое сопротивление в открытом состоянии 0,2 Ом, что улучшает общую эффективность системы.
    • Поскольку это полевой МОП-транзистор с P-каналом, он может использоваться для приложений переключения на стороне высокого напряжения
    • Этот полевой МОП-транзистор — идеальный выбор для инверторных приложений.
    • Благодаря широкому диапазону рабочих температур и низкой стоимости широко применяется в промышленности.

    Наиболее важные параметры

    Рейтинг

    Символ

    Значение

    Блок

    Напряжение сток-исток

    VDS

    -100

    В постоянного тока

    Напряжение затвор-исток

    — непрерывный

    ВГС

    ± 20

    В постоянного тока

    Сопротивление при включении истока-истока

    (VGS = -10 В постоянного тока, ID = -11 А постоянного тока)

    RDS (вкл.)

    .20

    Ом

    Ток утечки — постоянный

    — Импульсный

    ID

    IDM

    –19

    –72

    Adc

    Общее тепловыделение устройства при TA = 25 ° C

    PD

    150

    Вт

    Напряжение пробоя сток-исток

    (VGS = 0, ID = — 250 мкА)

    В (BR) DSS

    -100

    В постоянного тока

    Общая стоимость ворот

    Qg (макс.)

    61

    нКл

    Пороговое напряжение затвора

    (VDS = VGS, ID = — 250 мкА)

    ВГС (Th)

    -4,0

    В постоянного тока

    Диапазон температур спая при эксплуатации и хранении

    ТДж,

    Тстг

    –55–

    + 175

    ° С

    Номер детали: IRF9540

    Ссылка на техническое описание: Щелкните здесь, чтобы открыть техническое описание

    Подобные продукты: IRF9530NPBF, IRF9630PBF

    Примечание: Это обычный продукт, который можно найти в местном магазине запчастей для электроники.

    IRFZ44NPbF

    IRFZ44NPbF — еще один наиболее распространенный МОП-транзистор с N-канальным режимом улучшения, разработанный с использованием технологии International Rectifier Advanced HEXFET®, и он используется многими разработчиками электроники и любителями из-за его чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии. Он поставляется в корпусе TO-220, который универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных приложений, поэтому он лучше всего работает с низковольтными слаботочными приложениями.

    Некоторые основные характеристики IRFZ44NPbF MOSFET делают его пригодным для определенных приложений, перечисленных ниже:

    • Dynamic dv / dt предотвращает ложное переключение, колебания или необратимое повреждение полевого МОП-транзистора.
    • Он имеет очень низкое сопротивление в открытом состоянии 17,5 мОм, что максимизирует эффективность системы.
    • Из этого полевого МОП-транзистора могут быть изготовлены универсальные приложения, такие как драйвер двигателя, инвертор, импульсные источники питания, преобразователи постоянного тока в постоянный.

    Наиболее важные параметры

    Рейтинг

    Символ

    Значение

    Блок

    Напряжение сток-исток

    VDS

    60

    В постоянного тока

    Напряжение затвор-исток

    — непрерывный

    ВГС

    ± 20

    В постоянного тока

    Сопротивление при включении истока-истока

    (VGS = -10 В постоянного тока, ID = -11 А постоянного тока)

    RDS (вкл.)

    0.028

    Ом

    Ток утечки — постоянный

    — Импульсный

    ID

    IDM

    50

    200

    Adc

    Общее тепловыделение устройства при TA = 25 ° C

    PD

    150

    Вт

    Напряжение пробоя сток-исток

    (VGS = 0, ID = — 250 мкА)

    В (BR) DSS

    60

    В постоянного тока

    Общая стоимость ворот

    Qg (макс.)

    67

    нКл

    Пороговое напряжение затвора

    (VDS = VGS, ID = — 250 мкА)

    ВГС (Th)

    4,0

    В постоянного тока

    Диапазон температур спая при эксплуатации и хранении

    ТДж,

    Тстг

    –55–

    + 175

    ° С

    Номер детали: IRFZ44NPbF

    Ссылка на техническое описание: Щелкните здесь, чтобы открыть техническое описание

    Подобные продукты: IRFZ20, IRFZ24NPBF, IRFZ34PBF, IRFZ44NPBF

    Примечание: Это обычный продукт, который можно найти в местном магазине запчастей для электроники.Также обратите внимание, что его непрерывный ток утечки (ID) ограничен пакетом.

    IRLZ44N

    IRLZ44N — еще один наиболее распространенный MOSFET с N-канальным режимом расширения, разработанный с использованием технологии Advanced HEXFET® пятого поколения International Rectifier. Он используется многими разработчиками электроники, потому что он поставляется в корпусе TO-220, который универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных приложений и лучше всего работает с низковольтными слаботочными приложениями.

    Некоторые основные характеристики IRLZ44N MOSFET делают его пригодным для определенных приложений, которые перечислены ниже:

    • Это полевой МОП-транзистор с логическим уровнем, что означает, что он может управляться многими различными типами микроконтроллеров.
    • Низкое сопротивление в открытом состоянии этого полевого МОП-транзистора делает его пригодным для использования во многих сильноточных приводах.
    • Он поддерживает многие микросхемы драйверов затвора сильноточных полевых МОП-транзисторов из-за низкой входной емкости всего 3.3нФ.
    • Dynamic dv / dt предотвращает ложное переключение, колебания или необратимое повреждение полевого МОП-транзистора.
    • Этот полевой МОП-транзистор может использоваться во многих приложениях общего назначения, таких как драйвер двигателя с Н-образным мостом, драйвер затвора силового полевого МОП-транзистора и многое другое.

    Наиболее важные параметры

    Рейтинг

    Символ

    Значение

    Блок

    Напряжение сток-исток

    VDS

    60

    В постоянного тока

    Напряжение затвор-исток

    — непрерывный

    ВГС

    ± 10

    В постоянного тока

    Сопротивление при включении истока-истока

    (VGS = -10 В постоянного тока, ID = -11 А постоянного тока)

    RDS (вкл.)

    0.028

    Ом

    Ток утечки — постоянный

    — Импульсный

    ID

    IDM

    50

    200

    Adc

    Общее тепловыделение устройства при TA = 25 ° C

    PD

    150

    Вт

    Напряжение пробоя сток-исток

    (VGS = 0, ID = — 250 мкА)

    В (BR) DSS

    60

    В постоянного тока

    Общая стоимость ворот

    Qg (макс.)

    66

    нКл

    Пороговое напряжение затвора

    (VDS = VGS, ID = — 250 мкА)

    ВГС (Th)

    2,0

    В постоянного тока

    Диапазон температур спая при эксплуатации и хранении

    ТДж,

    Тстг

    –55–

    + 175

    ° С

    Номер детали: IRLZ44N

    Ссылка на техническое описание: Щелкните здесь, чтобы открыть техническое описание

    Подобные продукты: IRLZ34PBF, IRLZ14PBF

    Примечание: Это обычный продукт, который можно найти в местном магазине запчастей для электроники. Это ток, ограниченный пакетом, поэтому при выборе пакета учитывайте техническое описание.

    SSM6N7002KFU, LF

    SSM6N7002KFU, LF представляет собой необычный N-канальный MOSFET расширения и поставляется в корпусе US6, поэтому его можно использовать в некоторых очень компактных продуктах и ​​приложениях. Очень низкая стоимость этого полевого МОП-транзистора делает его подходящим выбором для многих приложений , некоторые из них перечислены ниже:

    • Имеет низкое пороговое напряжение 2.1 В, что означает, что он может управляться микроконтроллером или драйвером затвора MOSFET.
    • Он содержит два полевых МОП-транзистора в одном корпусе US6, поэтому его можно настроить как драйвер полумоста.
    • Низкое сопротивление всего 1,2 Ом делает его подходящим для драйвера затвора силового полевого МОП-транзистора
    • Двойные полевые МОП-транзисторы в корпусе DS6 также могут быть сконфигурированы как драйвер светодиода постоянного тока.
    • Этот полевой МОП-транзистор соответствует стандартам AEC-Q101, что означает, что этот полевой МОП-транзистор является идеальным выбором для автомобильных приложений.
    • Небольшие размеры, сравнительно высокая мощность и прочная конструкция делают его пригодным в качестве привода двигателя постоянного тока постоянного тока.

    Наиболее важные параметры

    Рейтинг

    Символ

    Значение

    Блок

    Напряжение сток-исток

    VDS

    60

    В постоянного тока

    Напряжение затвор-исток

    — непрерывный

    ВГС

    ± 20

    В постоянного тока

    Сопротивление при включении истока-истока

    (VGS = 10 В постоянного тока, ID = 100 мА постоянного тока)

    RDS (вкл.)

    1.5

    Ом

    Ток утечки — постоянный

    — Импульсный

    ID

    IDP

    300

    1200

    мА постоянного тока

    Общее тепловыделение устройства при TA = 25 ° C

    PD

    500

    мВт

    Напряжение пробоя сток-исток

    (VGS = 0, ID = — 250 мкА)

    В (BR) DSS

    60

    В постоянного тока

    Общая стоимость ворот

    Qg (макс.)

    0,6

    нКл

    Пороговое напряжение затвора

    (VDS = VGS, ID = — 250 мкА)

    ВГС (Th)

    2,1

    В постоянного тока

    Диапазон температур спая при эксплуатации и хранении

    ТДж,

    Тстг

    –55–

    + 150

    ° С

    Номер детали: SSM6N7002KFU, LF

    Ссылка на техническое описание: Щелкните здесь, чтобы открыть техническое описание

    Подобные продукты: SSM6K18TU (TE85L, F), SSM2135SZ

    Примечание: Непрерывное использование полевого МОП-транзистора SSM6N7002KFU при высоких нагрузках может привести к значительному снижению надежности этого продукта, даже если условия эксплуатации находятся в пределах номинальных характеристик.Его нелегко достать в магазинах, но можно купить в Интернете.

    RQ3E130BNTB

    RQ3E130BNTB — еще один уникальный N-канальный усовершенствованный MOSFET, который поставляется в корпусе HSMT8, поэтому имеет довольно хорошие тепловые характеристики и лучше всего работает с низковольтными и сильноточными приложениями. Низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 6 мОм, является еще одной уникальной особенностью этого MOSFET, а очень низкая стоимость корпуса HSMT8 делает его очень экономичным для целей проектирования и производства.

    Некоторые основные функции и приложения RQ3E130BNTB перечислены ниже:

    • Сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии всего 6 мОм и небольшой размер делают его идеальным выбором для компактных электронных устройств большой мощности.
    • Высокопроизводительный корпус HSMT8 позволяет очень легко проектировать термики на печатной плате
    • Приложения включают небольшие блоки питания, преобразователи постоянного тока в постоянный, системы подачи энергии, драйверы двигателей и многое другое.

    Наиболее важные параметры

    Рейтинг

    Символ

    Значение

    Блок

    Напряжение сток-исток

    VDS

    30

    В постоянного тока

    Напряжение затвор-исток

    — непрерывный

    ВГС

    ± 20

    В постоянного тока

    Сопротивление при включении истока-истока

    (VGS = -10 В постоянного тока, ID = -11 А постоянного тока)

    RDS (вкл.)

    0.006

    Ом

    Ток утечки — постоянный

    — Импульсный

    ID

    IDM

    39

    52

    Adc

    Общее тепловыделение устройства при TA = 25 ° C

    PD

    16

    Вт

    Напряжение пробоя сток-исток

    (VGS = 0, ID = — 250 мкА)

    В (BR) DSS

    30

    В постоянного тока

    Общая стоимость ворот

    Qg (макс.)

    36

    нКл

    Пороговое напряжение затвора

    (VDS = VGS, ID = — 250 мкА)

    ВГС (Th)

    2,5

    В постоянного тока

    Диапазон температур спая при эксплуатации и хранении

    ТДж,

    Тстг

    –55–

    + 150

    ° С

    Номер детали: RQ3E130BNTB

    Ссылка на техническое описание: Щелкните здесь, чтобы открыть техническое описание

    Подобные продукты: RQ3E160ADTB, RQ3E100BNTB, RQ3E120ATTB, RQ3E070BNTB

    Примечание : Его также нелегко приобрести в магазинах, но его можно купить в Интернете.

    DMP210DUFB4-7

    DMP210DUFB4-7 — это еще один MOSFET с уникальным P-каналом расширения, который поставляется в корпусе X2-DFN1006-3 с размерами 1,1×0,7×0,4 мм, что означает, что он практически крошечный. Благодаря сопротивлению всего 5 Ом он может быть отличным выбором для инженеров-проектировщиков, ищущих малосигнальные полевые МОП-транзисторы.

    DMP210DUFB4-7 MOSFET имеет множество уникальных функций, которые перечислены ниже:

    • МОП-транзистор с P-каналом удобен для приложений с переключением на стороне высокого напряжения.
    • Низкое сопротивление в открытом состоянии 5 Ом и ток стока в открытом состоянии 200 мА делают его пригодным для использования с драйверами светодиодов, двигателей или реле.
    • Очень низкое пороговое напряжение затвора всего -1,0 В обеспечивает возможность управления микроконтроллером.
    • Он имеет низкую входную емкость 13,7 пФ, что делает его подходящим выбором в качестве основного высокочастотного импульсного драйвера.
    • Высокая скорость переключения всего 7,7 нс обеспечивает точное переключение
    • Диод защиты от электростатического разряда в клемме затвора значительно улучшает характеристики электростатического разряда.
    • Этот полевой МОП-транзистор соответствует стандартам AEC-Q101, что означает, что этот полевой МОП-транзистор является идеальным выбором для автомобильных приложений.

    Наиболее важные параметры

    Рейтинг

    Символ

    Значение

    Блок

    Напряжение сток-исток

    VDS

    -20

    В постоянного тока

    Напряжение затвор-исток

    — непрерывный

    ВГС

    ± 10

    В постоянного тока

    Сопротивление при включении истока-истока

    ВГС = -1.5 В, ID = -10 мА

    RDS (вкл.)

    15

    Ом

    Ток утечки — постоянный

    — Импульсный

    ID

    IDM

    -200

    -600

    мА

    Общее тепловыделение устройства при TA = 25 ° C

    PD

    350

    мВт

    Напряжение пробоя сток-исток

    (VGS = 0, ID = — 250 мкА)

    В (BR) DSS

    -20

    В постоянного тока

    Общая стоимость ворот

    Qg (макс.)

    30

    нКл

    Пороговое напряжение затвора

    (VDS = VGS, ID = — 250 мкА)

    ВГС (Th)

    -1,0

    В постоянного тока

    Диапазон температур спая при эксплуатации и хранении

    ТДж,

    Тстг

    –55–

    + 150

    ° С

    Номер детали: DMP210DUFB4-7

    Ссылка на техническое описание: Щелкните здесь, чтобы открыть техническое описание

    Подобные товары: DMP2170U-7, DMP2104LP-7

    IRFP150NPBF

    IRFP150NPBF — еще один наиболее распространенный MOSFET с N-канальным режимом улучшения, разработанный с использованием технологии International Rectifier Fifth Generation Advanced HEXFET® для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии.Он используется многими разработчиками электроники, поскольку поставляется в корпусе TO-247 и лучше всего работает с низковольтными и сильноточными коммерчески-промышленными приложениями.

    Некоторые основные характеристики IRFP150NPBF MOSFET перечислены ниже:

    • Этот полевой МОП-транзистор имеет очень низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 36 мОм, и очень низкую входную емкость 2,8 нФ, поэтому его можно использовать для высокоскоростных импульсных стабилизаторов.
    • Dynamic dv / dt предотвращает ложное переключение, колебания или необратимое повреждение полевого МОП-транзистора.
    • Этот полевой МОП-транзистор подходит для некоторых промышленных применений, включая схемы ИИП высокой мощности, нагрузку с постоянным током и многое другое.
    • Изолированное центральное монтажное отверстие
    • является бонусом.

    Наиболее важные параметры

    Рейтинг

    Символ

    Значение

    Блок

    Напряжение сток-исток

    VDS

    100

    В постоянного тока

    Напряжение затвор-исток

    — непрерывный

    ВГС

    ± 20

    В постоянного тока

    Сопротивление при включении истока-истока

    (VGS = 10 В постоянного тока, ID = 100 мА постоянного тока)

    RDS (вкл.)

    0.055

    Ом

    Ток утечки — постоянный

    — Импульсный

    ID

    IDP

    41

    160

    Adc

    Общее тепловыделение устройства при TA = 25 ° C

    PD

    230

    Вт

    Напряжение пробоя сток-исток

    (VGS = 0, ID = 250 мкА)

    В (BR) DSS

    100

    В постоянного тока

    Общая стоимость ворот

    Qg (макс.)

    140

    нКл

    Пороговое напряжение затвора

    (VDS = VGS, ID = — 250 мкА)

    ВГС (Th)

    4,0

    В постоянного тока

    Диапазон температур спая при эксплуатации и хранении

    ТДж,

    Тстг

    –55–

    + 175

    ° С

    Номер детали: IRFP150

    Ссылка на техническое описание: Щелкните здесь, чтобы открыть техническое описание

    Подобные продукты: IRFP140NPBF, IRFP2907PBF, IRFP250MPBF, IRFP350PBF

    Примечание: Это обычный продукт, который можно найти в местном магазине электронных запчастей.

    SiHG47N60E

    SiHG47N60E — еще один наиболее распространенный N-канальный MOSFET-транзистор расширения, разработанный Vishay Siliconix. Он поставляется в корпусе TO-247AC, поэтому он предпочтителен для всех коммерческих и промышленных высоковольтных сильноточных приложений. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-247AC делают его очень популярным в отрасли.

    Некоторые основные функции и приложения SiHG47N60E перечислены ниже:

    • Он имеет сток до истокового напряжения пробоя 650 В и постоянный ток нагрузки 32 А, что означает, что он используется в промышленных приложениях с очень высокой мощностью.
    • Низкая входная емкость 9,62 нФ делает его идеальным драйвером для высоковольтного прерывателя.
    • Хотя это полевой МОП-транзистор очень высокой мощности, но он имеет очень низкий заряд затвора, всего 220 нКл, что означает, что им можно управлять с помощью очень дешевой ИС драйвера затвора полевого МОП-транзистора.
    • Класс энергопотребления в лавине (UIS) делает его совместимым со многими приложениями.
    • Некоторые из приложений включают
      • Импульсные источники питания (SMPS),
      • Источники питания с коррекцией коэффициента мощности
      • Балласт люминесцентный
      • Газоразрядные лампы высокой интенсивности
      • Сварка
      • Индукционный нагрев
      • Зарядные устройства
      • Солнечная энергия (фотоэлектрические инверторы)

    Наиболее важные параметры

    Рейтинг

    Символ

    Значение

    Блок

    Напряжение сток-исток

    VDS

    600

    В постоянного тока

    Напряжение затвор-исток

    — непрерывный

    ВГС

    ± 30

    В постоянного тока

    Сопротивление при включении истока-истока

    (VGS = 10 В постоянного тока, ID = 24 А постоянного тока)

    RDS (вкл.)

    .53

    Ом

    Ток утечки — постоянный

    — Импульсный

    ID

    IDP

    47

    Adc

    Общее тепловыделение устройства при TA = 25 ° C

    PD

    357

    Вт

    Напряжение пробоя сток-исток

    (VGS = 0, ID = 250 мкА)

    В (BR) DSS

    600

    В постоянного тока

    Общая стоимость ворот

    Qg (макс.)

    220

    нКл

    Пороговое напряжение затвора

    (VDS = VGS, ID = — 250 мкА)

    ВГС (Th)

    4

    В постоянного тока

    Диапазон температур спая при эксплуатации и хранении

    ТДж,

    Тстг

    от -55 до

    +150

    ° С

    Номер детали: SiHG47N60E

    Ссылка на техническое описание: Щелкните здесь, чтобы открыть техническое описание

    Подобные продукты: SIHG47N60E-GE3

    Примечание: Это обычный продукт, который можно найти в местном магазине запчастей для электроники.

    STB55NF06FP

    STB55NF06FP — еще один наиболее распространенный MOSFET-транзистор с N-канальным расширением типа , разработанный STMicroelectronics с использованием собственного процесса STripFET. Он поставляется в корпусе TO-220FP и может лучше всего работать с низковольтными и сильноточными коммерческими и промышленными приложениями, с низким тепловым сопротивлением. Низкая стоимость корпуса TO-220FP делает его очень популярным в отрасли.

    Некоторые основные функции и приложения STB55NF06FP перечислены ниже

    • Низкая входная емкость 1300 пФ делает его пригодным для многих приложений с высокоскоростной коммутацией.
    • 7 В / нс dv / dt предотвращает ложное переключение, колебания или необратимое повреждение полевого МОП-транзистора.
    • Этот полевой МОП-транзистор имеет очень низкий заряд затвора — всего 60 нКл, что означает применение в коммутационном приложении. им может управлять очень дешевая ИС драйвера затвора MOSFET.
    • Некоторые из приложений включают
      • Импульсный регулятор
      • Преобразователи постоянного тока в постоянный
      • Постоянная токовая нагрузка

    Наиболее важные параметры

    Рейтинг

    Символ

    Значение

    Блок

    Напряжение сток-исток

    VDS

    60

    В постоянного тока

    Напряжение затвор-исток

    — непрерывный

    ВГС

    ± 20

    В постоянного тока

    Сопротивление при включении истока-истока

    (VGS = 10 В постоянного тока, ID = 27.5 ADC)

    RDS (вкл.)

    0,015

    Ом

    Ток утечки — постоянный

    — Импульсный

    ID

    IDP

    50

    200

    Adc

    Общее тепловыделение устройства при TA = 25 ° C

    PD

    30

    Вт

    Напряжение пробоя сток-исток

    (VGS = 0, ID = 250 мкА)

    В (BR) DSS

    60

    В постоянного тока

    Общая стоимость ворот

    Qg (макс.)

    60

    нКл

    Пороговое напряжение затвора

    (VDS = VGS, ID = — 250 мкА)

    ВГС (Th)

    2–4

    В постоянного тока

    Диапазон температур спая при эксплуатации и хранении

    ТДж,

    Тстг

    от -55 до

    +150

    ° С

    Номер детали: STB55NF06

    Ссылка на техническое описание: Щелкните здесь, чтобы открыть техническое описание

    Подобные продукты: SiHG47N60E

    Примечание: Это обычный продукт, который можно найти в местном магазине запчастей для электроники.

    IPB035N08N3 G

    IPB035N08N3 G — это еще один уникальный N-канальный MOSFET , который поставляется в корпусе PG-TO263-3, поэтому он имеет довольно хорошие тепловые характеристики и лучше всего работает с низковольтными и сильноточными приложениями. Его чрезвычайно низкое сопротивление в открытом состоянии — всего 3,5 мОм, что является еще одной уникальной особенностью этого полевого МОП-транзистора, а очень низкая стоимость корпуса PG-TO263-3 делает его очень экономичным решением для проектирования и производства.

    Некоторые основные функции и приложения IPB035N08N3 G перечислены ниже:

    • Сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии всего 3,5 мОм и небольшой размер делают его идеальным выбором для мощных электронных схем.
    • Идеально подходит для высокочастотного переключения из-за низкого заряда затвора и низкой входной емкости.
    • Низкий заряд затвора всего 30 нКл и низкое сопротивление продукта в открытом состоянии 3,5 мОм (FOM).
    • Класс энергопотребления в лавине (UIS) делает его совместимым со многими приложениями.
    • Некоторые из приложений включают
      • Импульсные источники питания (SMPS),
      • Преобразователи постоянного тока в постоянный
      • Система подачи питания на материнской плате
      • Постоянная токовая нагрузка

    Наиболее важные параметры

    Рейтинг

    Символ

    Значение

    Блок

    Напряжение сток-исток

    VDS

    80

    В постоянного тока

    Напряжение затвор-исток

    — непрерывный

    ВГС

    ± 20

    В постоянного тока

    Сопротивление при включении истока-истока

    (VGS = 10 В постоянного тока, ID = 100 А постоянного тока)

    RDS (вкл.)

    0.0031

    Ом

    Ток утечки — постоянный

    — Импульсный

    ID

    IDP

    100

    400

    Adc

    Общее тепловыделение устройства при TA = 25 ° C

    PD

    214

    Вт

    Напряжение пробоя сток-исток

    (VGS = 0, ID = 21 мА)

    В (BR) DSS

    80

    В постоянного тока

    Общая стоимость ворот

    Qg (макс.)

    117

    нКл

    Пороговое напряжение затвора

    (VDS = VGS, ID = — 250 мкА)

    ВГС (Th)

    2–3,5

    В постоянного тока

    Диапазон температур спая при эксплуатации и хранении

    ТДж,

    Тстг

    от -55 до

    +175

    ° С

    Характеристики:

    • Идеально для высокочастотного переключения и синхронизации.рек.
    • Оптимизированная технология для преобразователей постоянного тока в постоянный
    • Превосходный заряд затвора x R DS (on) product (FOM)
    • RDS с очень низким сопротивлением в открытом состоянии (вкл.)
    • N-канал, нормальный уровень
    • 100% лавинные испытания
    • Соответствует требованиям JEDEC1) для целевых приложений
    • Без галогенов согласно IEC61249-2-21

    Приложения: Солнечная энергия, телекоммуникации, система распределения энергии, например, материнская плата

    Номер детали: IPB035N08N3 G

    Ссылка на техническое описание: Щелкните здесь, чтобы открыть техническое описание

    Подобные продукты: IPB048N15N5ATMA1, IPB025N10N3GATMA1, IPB014N06NATMA1, IPB011N04NGATMA1

    Примечание: Его также нелегко приобрести в магазинах, но его можно купить в Интернете.

    Как читать лист данных силового полевого МОП-транзистора

    Одна из моих любимых головокружений — когда мои коллеги-инженеры неверно истолковывают спецификации компонентов. В последнее время это происходило несколько раз в отдельных случаях, и все они были связаны с силовыми полевыми МОП-транзисторами. Так что пора мне заняться своей мыльницей. Послушай!

    Я собирался опубликовать статью о том, как вообще читать таблицы компонентов. Но МОП-транзисторы — хорошее место для начала, и они немного более конкретны. Я не первый человек, который пишет что-то о том, как читать таблицы данных; вот еще несколько хороших статей:

    Что такое лист данных?

    Это может показаться глупым вопросом, но что такое таблица данных? Это документ, описывающий поведение, внешний вид, производительность и ограничения компонента, заявленные производителем.

    Хорошо, что это значит?

    Ну, вы действительно должны прочитать мелкий шрифт. Информация в техническом описании — например, что IRFP260N R DS (on) имеет максимум 0,04 Ом при В GS = 10 В, I D = 28 А при температуре перехода 25 ° C, — утверждение , утверждение . Это , а не гарантия или гарантия , если производитель не говорит об этом, и для такого рода вещей (a) вы должны прочитать мелкий шрифт, и (b) я не юрист, поэтому не принимайте мои советы как евангелие, ищите своего собственного юриста.У каждого производителя полупроводников есть свой мелкий шрифт, например, вот выдержки из некоторых из них:

    Фэирчайлд:

    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ОСТАВЛЯЕТ ЗА ПРАВО ВНЕСЕНИЯ ИЗМЕНЕНИЙ БЕЗ ДАЛЬНЕЙШЕГО УВЕДОМЛЕНИЯ В ЛЮБЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ УЛУЧШЕНИЯ ЗДЕСЬ НАДЕЖНОСТЬ, ФУНКЦИЯ ИЛИ ДИЗАЙН. FAIRCHILD НЕ НЕСЕТ НИКАКОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТИ, ВОЗНИКАЮЩЕЙ ИЗ ПРИЛОЖЕНИЯ ИЛИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ЛЮБОГО ИЗДЕЛИЕ ИЛИ ЦЕПЬ, ОПИСАННЫЕ ЗДЕСЬ; ОН НЕ ПРЕДОСТАВЛЯЕТ НИКАКИХ ЛИЦЕНЗИЙ НА СВОИ ПАТЕНТНЫЕ ПРАВА, ИЛИ ИНЫЕ ПРАВА.ДАННЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ НЕ РАСШИРЯЮТ СРОКИ И УСЛОВИЯ FAIRCHILD ДЛЯ ВСЕМИРНЫХ УСЛОВИЙ, В частности, ГАРАНТИЮ. ТАМ, КОТОРЫЕ РАСПРОСТРАНЯЮТСЯ ДАННЫМИ ПРОДУКТАМИ.

    NXP:

    Общие положения — Информация в этом документе считается точной и надежный. Однако NXP Semiconductors не делает никаких заявлений или гарантии, выраженные или подразумеваемые, в отношении точности или полноты таких информации и не несет ответственности за последствия использования такой Информация.

    Вишай:

    Vishay не несет никакой ответственности, возникающей в связи с использованием или применением любого продукта, описанного здесь, или любого информация, предоставленная здесь, в максимальной степени, разрешенной законом. Характеристики продукта не расширяются и не иным образом изменять условия покупки Vishay, включая, помимо прочего, выраженную гарантию в них, которые относятся к этим продуктам.

    TI:

    TI гарантирует работу своих компонентов в соответствии со спецификациями, действующими на момент продажи, в соответствии с гарантией, изложенной в условиях продажи полупроводниковой продукции TI.Испытания и другие методы контроля качества используются в той степени, в которой TI считает необходимым для поддержки данной гарантии. За исключением случаев, предусмотренных действующим законодательством, тестирование всех параметров каждого компонента не обязательно выполняется

    Микрочип:

    Информация об устройстве, содержащаяся в данной публикации. приложения и тому подобное предоставляется только для вашего удобства и могут быть заменены обновлениями. Вы обязаны убедитесь, что ваше приложение соответствует вашим спецификациям.МИКРОЧИП НЕ ДАЕТ НИКАКИХ ПРЕДСТАВЛЕНИЙ ИЛИ ЛЮБЫХ ГАРАНТИЙ, ЯВНЫХ ИЛИ ПОДРАЗУМЕВАЕМЫЕ, ПИСЬМЕННЫЕ ИЛИ УСТНЫЕ, ЗАКОННЫЕ ИЛИ В противном случае, ОТНОСИТЕЛЬНО ИНФОРМАЦИИ, ВКЛЮЧАЯ, НО НЕ ОГРАНИЧИВАЯСЬ ​​ЕГО СОСТОЯНИЕМ, КАЧЕСТВО, РАБОЧИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, ТОВАРНАЯ ЦЕННОСТЬ ИЛИ ПРИГОДНОСТЬ ДЛЯ ЦЕЛЕЙ.

    И в технических характеристиках IR ничего не сказано, кроме «Данные и спецификации могут быть изменены без предварительного уведомления».

    Так что же делать инженеру? Лучшее, что я могу понять в этом — и опять же, я , а не юрист — это то, что таблица данных по сути является уверенным утверждением информации об устройстве, но без каких-либо юридических гарантий, подтверждающих ее, по крайней мере, не на основе таблицы данных. .

    Например, IR уверен, что если вы поднимете напряжение затвора на 10 В выше напряжения истока IRFP260N и позволите току 28 А от стока к истоку при температуре перехода 25 ° C, то сопротивление в открытом состоянии будет не более 0,04 Ом. На практике это означает, что производитель проводит характеристики и испытания, иногда для каждого компонента, который он производит, иногда нет. Это дает им гистограммы рабочих характеристик устройств, которые они производят.Если они проверяют каждое устройство и находят одно, превышающее установленные ограничения, от него отказываются. У производителя достаточно информации, так что в статистическом смысле вероятность того, что устройство будет иметь характеристики, превышающие технические характеристики, очень мала. Они не скажут вам эту вероятность. Но он маленький; возможно, одно из миллиарда устройств может превышать спецификации.

    Если вам нужна юридическая гарантия, она должна быть частью условий продажи, когда вы покупаете детали у производителя.Если вы крупная компания и покупаете детали на миллионы долларов у производителя полупроводников, возможно, вам удастся договориться о гарантии. Остальным из нас (а чаще всего мы даже не покупаем напрямую у производителя; мы покупаем у дистрибьюторов) просто нужно доверять производителям. Фуи.

    С другой стороны, производители полупроводников действительно хотят отстаивать свой фирменный стиль, поэтому, если вы обнаружите деталь, которая не соответствует ее спецификациям, они захотят узнать, чтобы они могли выяснить, почему, и убедиться, что это больше не повторится.Но есть вероятность, что вы не соблюдали все правила, указанные в таблице; возможно, вы перегрели устройство или поразили его электростатическим разрядом. И в этом случае все ставки отключены — как только вы превысите рейтинг, нет никакой гарантии, что устройство будет работать. Я готов поспорить, что вы обедаете в любой день недели, если деталь соответствует спецификациям, указанным в таблице данных.

    Ладно, хватит юридической чуши. Помните, я не юрист.

    Несколько примеров

    Просто для чего-то более осязаемого, давайте взглянем на несколько таблиц данных MOSFET.Все это N-канальные устройства:

    • IRFP260N (200 В 40 мОм TO-247AC), International Rectifier (теперь часть Infineon)
    • FQA70N15 (150 В 28 мОм TO-3PN), Fairchild Semiconductor
    • SUP85N15 (150 В 21 мОм TO-220AB), Vishay Siliconix
    • PSMN035-150P (150 В 35 мОм TO-220AB), NXP
    • MCP87130 (25 В 13,5 мОм 5×6-PDFN), Microchip Technology
    • CSD18542KCS (60 В 3,3 мΩ TO-220), Texas Instruments

    Первые три из этих документов следуют «классическому» формату таблицы данных MOSFET, который компания International Rectifier представила в 1980-х годах в своей линейке устройств HEXFET.Техническое описание IR MOSFET представляет собой 8-страничный документ, который описывает почти с литургической регулярностью всю информацию, которую производитель хочет, чтобы вы знали о конкретном устройстве.

    Пирог Jesu Domine
    R dson — семь Ом ….

    Таблица данных MOSFET от IR содержит эти разделы в следующем порядке:

    1. Общее описание, включая напряжение, сопротивление в открытом состоянии, номинальные токи и информацию об упаковке
    2. Таблица абсолютных максимальных оценок
    3. Таблица параметров термического сопротивления
    4. Таблица электрических характеристик
    5. Рисунки, в том числе
      • Графики типовых характеристик
      • Схемы тестовых цепей
    6. Информация о пакете

    Большинство производителей MOSFET следовали этой организации.8-страничная таблица данных — это неплохо, потому что, если у вас есть любимые компоненты, вы можете распечатать их как двухсторонние двусторонние документы на двух страницах бумаги и поместить их в папку с тремя кольцами. Зовите меня олдскулом, но мне легче читать таблицу на бумаге, чем на экране компьютера.

    Затем Philips Semiconductor (ныне NXP) нарушил условность и сделал свое дело. То же самое и в таблицах данных NXP, но в другом порядке, и поэтому их не так легко сравнивать бок о бок, если вы пытаетесь выбрать полевой МОП-транзистор.Фуей на них.

    Спецификация игры

    Хорошо, теперь пора сыграть в Спецификационную игру.

    В таблице данных есть несколько типов информации. Некоторые из них не связаны со спецификациями производительности, поэтому мы не будем о них здесь говорить:

    • информация о нумерации деталей : например, суффикс TR в номере детали может указывать на ленту и катушку, а суффикс Q может означать, что подходит для автомобилей.
    • информация о пакете : например, это пакет TO-247AC, помеченный определенным образом.
    • поведенческие характеристики : Их полно в микроконтроллерах; например, адреса 0x4000 и 0x4002 содержат 16-битные регистры TMRFOO и TMRBAZ , которые определяют периоды таймеров для таймеров FOO и BAZ. Таблицы данных MOSFET не содержат таких спецификаций; вместо этого MOSFET — это абстрактное понятие, которое имеет определенные общие особенности. Производители стараются поддерживать такое поведение и часто публикуют о них отдельные заметки по применению.Например:
      • IR AN1084 Power MOSFET Basics
      • IR AN936 Что можно и чего нельзя делать при использовании МОП-транзисторов
      • IR AN937 Характеристики привода затвора и требования для силовых полевых МОП-транзисторов HEXFET®
      • IR AN941 МОП-транзисторы параллельной мощности
      • IR AN944 Использование заряда затвора для разработки схемы управления затвором для силовых MOSFET и IGBT
      • IR AN947 Общие сведения о коммутационных характеристиках HEXFET®
      • IR AN949 Текущие рейтинги силовых полупроводников и теплового оборудования
      • IR AN957 Измерение характеристик полевого МОП-транзистора HEXFET®
      • IR AN976 Понимание и использование данных о надежности силовых MOSFET
      • IR AN1005 Power MOSFET Руководство по проектированию лавинных полевых транзисторов
      • IR AN1012 Рекомендации по установке для Power Semiconductor Packages International Rectifier
      • IR Моделирование системы AN1040 с использованием квазидинамической модели силового полевого МОП-транзистора
      • Fairchild AN558 Введение в силовые полевые МОП-транзисторы и их приложения
    • информация о приложении : Таблицы данных National Semiconductor содержат, вероятно, лучшие примеры информации о приложениях — небольшие фрагменты образцов схем для операционных усилителей и регуляторов напряжения.Посмотрите на стр. 15-23 таблицы данных LM358, например. В таблицах данных MOSFET их нет.
    • правовая информация
    • контактная информация (адрес производителя / телефон / сайт производителя)
    • ни к чему не обязывающий маркетинг ( ”HEXFET-транзисторы пятого поколения от International Rectifier используют передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления на площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и надежной конструкцией устройства, которыми хорошо известны силовые полевые МОП-транзисторы HEXFET for, предоставляет разработчикам чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разных приложениях.”)

    Остальные биты информации попадают в одну из четырех категорий. Я покажу пример каждого из них из таблицы данных IRFP260N:

    • маркетинговая сводка
    • абсолютный максимум оценок
    • технические характеристики
    • графики характеристик

    Добро пожаловать в игру по спецификациям! Сначала вы увидите маркетинговую сводку. Маркетинговая сводка — это то, что отображается в верхней части таблицы.Он содержит несколько ключевых выдержек из подробных спецификаций, упомянутых ниже. Не доверяйте ничему, что перечислено здесь, , если вы не можете проверить это в более поздних спецификациях.

    Это неофициальные заявления. Это спецификации , а не , потому что здесь недостаточно информации, чтобы сказать, что они говорят. Например, «V DSS = 200 В» означает, что напряжение пробоя сток-исток составляет минимум 200 В при заданном токе и температуре, но вы не найдете этих подробностей, если не посмотрите в спецификации. .Некоторые производители указывают типовые значения, некоторые — минимальные или максимальные.

    В следующем разделе рассматриваются абсолютные максимальные характеристики устройства.

    Это таблица, в которой указано, чего нельзя делать, если вы ожидаете, что устройство будет работать. Если вы превысите любое из этих значений в любое время, Game Over. В этом случае производитель не дает никаких гарантий относительно поведения устройства в любое время после превышения абсолютных максимальных значений. МОП-транзистор может быть поврежден.Это может сработать. Это может работать с пониженной производительностью. Он может стать зеленым или начать танцевать, шепча «Бутон розы!», Хотя это маловероятно. Вы просто не знаете. В случае IRFP260N имеется 13 позиций. Я расскажу об этом более подробно позже в этой статье.

    Итак, чтобы играть в игру со спецификациями, вы должны быть готовы удостовериться, что максимальные рейтинги никогда не превышаются. НИКОГДА.

    И даже в этом случае могут быть обстоятельства, при которых устройство не будет соответствовать остальным характеристикам: например, при воздействии радиации, химических веществ, электростатического разряда или повышенной влажности.

    Следующий раздел — самый важный, таблица или таблицы спецификаций.

    Таблицы спецификаций

    содержат три важных элемента информации:

    • описание (символ и название) параметра
    • числовая спецификация, включая единицы
    • условия, при которых спецификация действительна.

    Описание сообщает вам, что это за параметр, и если вы что-то знаете о полевых МОП-транзисторах, они имеют более или менее стандартные значения.

    Числовая спецификация говорит вам об одном из трех. Если это минимум или максимум, это заявленный предел, и если вы доверяете производителю (в большинстве случаев вам следует доверять) и оставались в пределах всех абсолютных максимальных оценок, то вы можете ожидать, что поведение вашего устройства будет выше или ниже указанный предел. Большой!

    Если числовая спецификация — это типичное значение , это мало что вам скажет, это просто нечеткое число, которое производитель предлагает использовать в некоторых случаях, потому что вы не получите ничего лучшего.(Извините.) В некоторых случаях это среднее значение из характеристических данных, но производители редко говорят об этом. Значения, отмеченные как «типовые», не представляют собой пределов, и для любого конкретного устройства значения могут отличаться от типичных. Например, посмотрите значения индуктивности стока и истока, которые обычно составляют 5,0 нГн и 13 нГн. Если вы хотите сделать некоторые приблизительные оценки поведения устройства, используйте эти значения. Если вам приходится зависеть от индуктивности стока и источника, не повезло — вам придется как-то измерить эти значения самостоятельно; одно устройство может иметь индуктивность стока 2 нГн, а другое — 11 нГн.Мы просто не знаем. Если у вас хорошие отношения с производителем (то есть вы покупаете или планируете покупать много их продуктов), то, возможно, вы сможете убедить их предоставить вам копию некоторых данных о характеристиках, которые у них есть … возможно, они протестировали 50 устройств и среднее значение индуктивности стока составляло 5,0 нГн, а для всех устройств — от 4,5 до 5,5 нГн. Мы не знаем, и производитель решил не делать никаких заявлений о минимальной или максимальной индуктивности. Скорее всего, это просто потому, что тестировать на каждом устройстве слишком дорого.

    Последняя важная вещь в спецификации — это набор условий, при которых эта спецификация действительна. Это требования для числовой спецификации. Например, предел 0,04 Ом для R DS (on) не гарантируется , если вы не соблюдаете условия спецификации: температура перехода T J должна быть 25 ° C (это типично для большинства спецификаций) напряжение затвор-исток должно быть 10 В, а ток стока — 28 А. Если провести в устройство 29А, все ставки отключены; то же самое, если температура перехода составляет 30 ° C или если напряжение затвор-исток равно 9.5В. Во всех трех случаях сопротивление при включении будет выше.

    Наконец, таблица данных включает раздел, полный хороших графиков характеристик:

    Они показывают всевозможную полезную информацию, но вам нужно помнить, что, если не указано иное, это всегда ТИПИЧНЫЙ . Они действительно , а не представляют какую-либо спецификацию. Вы можете использовать их только для изучения общего качественного поведения. Если вам нужно что-то определенное, вы не можете полагаться на них.Они могут представлять собой среднее значение для большого количества образцов устройств. Они могут представлять собой измерения только одного конкретного образца , того, который инженер-испытатель Боб случайно имел на своем столе в тот день, когда его начальник сказал, что им нужны характеристические данные для таблицы данных.

    Благодарим вас за участие в игре «Спецификация»! Помните, что маркетинговые сводки не имеют значения, типовые спецификации не имеют значения, диаграммы характеристик не имеют значения … имеют значение только минимальные и максимальные характеристики, если вы выполняете все условия и не превышаете абсолютные максимальные рейтинги.

    Практическое применение таблиц данных

    Ух ты. Звучит цинично. Я не могу доверять половине того, что в таблице данных? Действительно?!

    Уловка состоит в том, чтобы узнать, когда следует полагаться на информацию в таблице данных и как ее использовать для каких целей. По сути, , если число не является частью минимальной или максимальной спецификации , вы не можете использовать его, не выполнив собственную независимую проверку.

    Например, возьмите нормированный график зависимости сопротивления во включенном состоянии от температуры.

    Вот странная вещь. Вы знаете, что мы носили с собой номер R DS (вкл.) , 0,04 Ом? Это максимальная спецификация в таблице данных. Но у него температура перехода 25 ° C. И почти никто не использует полевой МОП-транзистор с температурой перехода 25 ° C. Возможно, вы используете его при комнатной температуре, но устройство будет нагреваться, и обычно температура перехода выше 25 ° C. Допустим, я знаю, что температура перехода составляет 100 ° C. Я использую цифру 4, чтобы решить, что при 100 ° C сопротивление в открытом состоянии будет множителем 1.В 8 раз больше или 0,072 Ом. Вероятно, это верно … но если мне нужно на это полагаться, мне нужно провести собственные измерения, чтобы подтвердить это.

    Иногда на собственном опыте вы узнаете, какие параметры устройства сильно различаются от детали к детали, а какие из них имеют тенденцию плотно сгруппироваться вокруг среднего значения. Это не то, что будет указано в таблице данных; чтобы сделать такие выводы, вам нужно будет прочитать заявления производителей, связаться с их отделом приложений или провести собственные тесты.

    Важная информация: характеристики MOSFET, которые необходимо знать

    В таблицах абсолютных максимумов и спецификаций много цифр. Вот те, которые вы на самом деле должны знать в первую очередь.

    • Диапазон рабочих температур спая и хранения . Это самый важный пункт в списке абсолютного максимума рейтинга. С большинством других предметов вы никогда не столкнетесь. Для IRFP260N это от -55 до +175 ° C. Если вы не работаете с аэрокосмическими проблемами, вам, вероятно, не придется беспокоиться о пределе -55 ° C.Остается +175 ° C. Большинство полевых МОП-транзисторов рассчитаны на максимальную температуру перехода + 150 ° C или + 175 ° C. Сделайте свой тепловой расчет правильно и оставьте некоторый запас, и вы можете убедиться, что вы соответствуете этому требованию.
    • Термическое сопротивление переход-корпус R θJC . Тепловое сопротивление 0,50 ° C / Вт означает, что на каждый ватт мощности, рассеиваемой в переходе, температура перехода повышается на 0,5 ° C по сравнению с температурой корпуса. Другими словами, \ (T_J = T_C + R _ {\ theta JC} P_J \), где \ (P_J \) — мощность, рассеиваемая в переходе.
    • Напряжение пробоя сток-исток . МОП-транзистор может использоваться управляемым образом ниже напряжения пробоя. В этой спецификации сказано, что до тех пор, пока я поддерживаю напряжение между стоком и истоком ниже 200 В, ток стока не будет превышать 250 мкА. Как только я поднимаюсь выше 200 В, все ставки прекращаются. На практике, поскольку полевые МОП-транзисторы используются в качестве динамических переключателей, мы обычно не используем полевые МОП-транзисторы на 200 В при достижении его полного номинального напряжения; вместо этого мы используем какое-то снижение номинальных характеристик, чтобы убедиться, что индуктивные выбросы во время переходных процессов не превышают напряжение пробоя.Снижение номинальных характеристик в диапазоне 60–70% кажется нормой; если бы я хотел использовать систему с постоянным напряжением до 48 В, я бы использовал полевые МОП-транзисторы с номинальным напряжением пробоя не менее 75 В. МОП-транзистор на 60 В не имеет достаточного конструктивного запаса для обработки индуктивных всплесков от источника 48 В.
    • Статическое сопротивление между стоком и источником в открытом состоянии R DS (вкл.) . Обычно это наиболее важная характеристика производительности. В конце концов, вы используете устройство в качестве переключателя и хотите убедиться, что падение напряжения на переключателе является приемлемым при заданном уровне тока.Помните, что напряжение затвор-исток V GS и ток стока являются условиями спецификации. Большинство «обычных» мощных полевых МОП-транзисторов имеют напряжение 10 В GS ; некоторые полевые МОП-транзисторы с логическим уровнем имеют напряжение 4,5 В или 5 В GS ; иногда вы можете встретить низковольтные полевые МОП-транзисторы, указанные в диапазоне 1,8 — 3,3 В GS . Если вы используете полевой МОП-транзистор в качестве переключателя и не можете соответствовать требованиям по сопротивлению во включенном состоянии, не используйте его !!! Это означает, что если у вас есть выход логического уровня из 3.3 В, вы должны НЕ использовать полевые МОП-транзисторы, рассчитанные на 4,5 В. Напряжения недостаточно, чтобы гарантировать полное включение. Не забывайте, что использование логики «5 В» не означает, что высокое выходное напряжение будет 5 В. Вот почему полевые МОП-транзисторы с логическим уровнем обычно указываются при напряжении 4,5 В gs , чтобы вы могли убедиться, что высокий выходной уровень превышает этот порог. Я видел эту ошибку снова и снова. Если вы не можете выполнить требования спецификации V gs , сопротивление сток-исток обычно будет выше, чем у R DS (on) .Он может вообще не вести себя резистивным образом; при более низких уровнях V gs MOSFET ведет себя как приемник постоянного тока, при этом точная величина тока сильно зависит от колебаний от детали к детали и температуры перехода.
    • Пороговое напряжение затвора В GS (th) . Это важно только потому, что вы должны знать, что означает и что не означает . Пороговое напряжение затвора равно , а не магическому напряжению, выше которого полевой МОП-транзистор считается включенным.Это напряжение, при котором полевой МОП-транзистор едва начинает проводить. IRFP260N показывает 2,0–4,0 В при токе стока 250 мкА. Если вы посмотрите на эту спецификацию и придете к выводу, что V GS 4,5 В достаточно для включения устройства, вы НЕПРАВИЛЬНО . Вам нужны полные 10В. Однако пороговое напряжение затвора полезно для обеспечения того, чтобы устройство было от . В идеале вы хотите, чтобы нулевое напряжение между затвором и истоком удерживало MOSFET в выключенном состоянии. Но ни один драйвер ворот не идеален в этом отношении.Он имеет статические и динамические характеристики, которые будут иметь небольшое ненулевое падение напряжения над его возвратной шиной питания. Поэтому, если я использую логическую микросхему, которая может опускаться до 0,5 В или даже 1,5 В, это может быть приемлемо для отключения MOSFET, потому что он ниже минимального порога затвора 2,0 В, и, следовательно, будет течь ток менее 250 мкА. . Обратите внимание, что для приложений питания это может быть нормально, но для приложений с сигналом 250 мкА — это большое число, и большинство полевых МОП-транзисторов плохо работают, оставаясь полностью выключенными.
    • Заряд ворот . Эти характеристики действительно важные числа. Затворы MOSFET являются емкостными, а его характеристические емкости очень нелинейны с напряжением, но вы можете использовать заряд для расчета времени переключения наихудшего случая. Заряд затвора определяет, как быстро полевой МОП-транзистор будет переключаться из состояния ВКЛ в ВЫКЛ и обратно. Если вам известен ток драйвера затвора, просто разделите общий заряд затвора на ток. Если у меня драйвер затвора 1A, 234nC потребуется до 234ns для полного включения или выключения.Заряд затвор-сток («Миллера») примерно говорит мне, как быстро полевой МОП-транзистор будет проходить через свою линейную область, а его напряжение стока будет расти или падать. Этому драйверу затвора 1А потребуется до 110 нс для зарядки или разрядки емкости затвор-сток с максимальной спецификацией 110 нКл. Характеристики заряда затвора, как правило, гораздо более полезны, чем характеристики емкости (вход / выход / обратная передача), поскольку последние обычно типичны и обычно измеряются только при нулевом напряжении затвор-исток, а это очень нелинейные емкости.
    • Время включения, подъема, выключения и спада . Они полезны только для понимания минимального времени переключения. Обычно ваша схема управления затвором и так не переключается так быстро, как эти числа, поэтому они полезны, но только в качестве приблизительной системы отсчета.

    Вот и все! Остальные спецификации предназначены для более сложных расчетов, и вы, вероятно, не будете их использовать.

    Например, рейтинг «прямой крутизны» g fs — это то, что я никогда не использовал за 20 лет работы с полевыми МОП-транзисторами.Прямая крутизна — это линейная зависимость тока стока от напряжения затвора; минимум 27S = 27A / V при I D = 28A и V DS = 50V означает, что, когда напряжения затвор-исток едва достаточно для поддержки напряжения стока 28A, тогда, если вы увеличите напряжение затвора на при дополнительном 1 мВ ток стока увеличивается как минимум на 27 мА. Хорошо. Конечно. Что бы ни. Просто эта спецификация имеет место в линейной области, при этом 1400 Вт рассеивается в устройстве. Таким образом, он расскажет вам кое-что о том, как изменяется ток стока во время переключения, когда напряжение затвора увеличивается выше порогового напряжения, но спецификация относится только к одной конкретной рабочей точке, поэтому на практике это действительно бесполезно.

    Если в таблице данных есть спецификация, которая вас интересует или кажется полезной, но которую я не рассмотрел, я хотел бы услышать об этом!

    Графики важных характеристик

    Мы уже видели рисунки 1 и 2:

    Они представляют типичное поведение устройства при 25 ° C и 175 ° C. Для заданного напряжения затвор-исток полевые МОП-транзисторы имеют четыре важных области работы, две из которых здесь не показаны.

    • Если напряжение сток-исток отрицательное, внутренний диод проводит.
    • Если напряжение сток-исток положительное, но достаточно низкое, МОП-транзистор действует как резистор. На логарифмическом графике это отображается в виде линий с наклоном 1 (на рис. 1 это показано для V GS = 4,5 В примерно до 1,1 В DS ; для V GS ≥ 8,0 В это правда примерно до 10 В DS )
    • Если напряжение сток-исток высокое, но ниже напряжения пробоя, полевой МОП-транзистор действует как приемник постоянного тока. На графиках это отображается в виде горизонтальных линий.
    • Если напряжение сток-исток выше напряжения пробоя, может случиться что угодно; MOSFET, скорее всего, будет проводить.

    Рисунок 2 просто показывает, как все может измениться при повышенных температурах. Не забывайте: Это типичные графики, и вы не можете полагаться на них, чтобы решить: «О, ну, у меня есть драйвер затвора, который может выдавать только 8 В, этого достаточно». Убедитесь, что вы соответствуете спецификации R DS (on) , убедившись, что у вас имеется достаточное напряжение !!! Если в спецификации указано, что вам нужно 10 В, вам нужно 10 В.

    Я уже упоминал рисунок 4, который дает нормированное сопротивление в открытом состоянии в зависимости от температуры. Умножьте этот коэффициент на значение R DS (on) при 25 ° C, и вы сможете вычислить приблизительное сопротивление в открытом состоянии при повышенных температурах. Вогнутость графика вверх означает, что в некоторых случаях полевые МОП-транзисторы, которые видят нагрузки с постоянным током (или используются для регулирования постоянного тока), могут видеть тепловой разгон: повышенная температура перехода вызывает повышенное сопротивление в открытом состоянии, что увеличивает рассеиваемую мощность, что увеличивает переход температура дальше.Ой. Будь осторожен.

    Рисунки 5 и 6 относятся к емкости затвора:

    На рис. 5 показано нелинейное уменьшение емкостей с увеличением напряжения сток-исток.

    На рисунке 6 показан типичный график зависимости заряда затвора от напряжения затвор-исток. Левый наклон графика представляет начальный оборот до достижения порога ворот. Плато на графике показывает, когда тока стока достаточно, чтобы начать понижать напряжение на выводе стока.Это плато, потому что оно остается примерно при постоянном токе стока (= постоянном напряжении затвор-исток), в то время как напряжение на выводах стока уменьшается. Затем, когда напряжение стока упало до минимума и полевой МОП-транзистор был полностью включен, дальнейшее увеличение заряда затвора соответствует увеличению напряжения затвор-исток. Опять же, не полагается на этот график, чтобы определить, достаточно ли напряжений затвор-исток. Если бы я сделал это, я бы сделал вывод, что 5В достаточно. Это может быть верно для одного конкретного образца, но не для всех устройств.Используйте спецификацию R DS (on) , чтобы обеспечить достаточное напряжение затвор-исток.

    На рисунке 7 показана типичная характеристика диода для обратных токов стока.

    Рисунок 8 очень важен для выявления неисправностей. В отличие от других графиков, это , а не типичный характеристический график. Этот график представляет собой максимальную безопасную рабочую зону (SOA) одиночного импульса. В любой момент времени полевой МОП-транзистор должен оставаться в пределах области, отмеченной пунктирными линиями.Если у меня есть импульс тока 10 А в течение 10 мс с 10 В между стоком-истоком, это в пределах SOA. Если бы у меня было 100 А в течение 10 мс с 10 В через сток-исток, это было бы слишком много. Во время статической проводимости вы не увидите таких состояний; наклонная вверх линия слева представляет резистивные характеристики, когда полевой МОП-транзистор полностью включен. Операция справа от этой строки означает, что полевой МОП-транзистор включается или выключается или недостаточно включен. График означает, что полевой МОП-транзистор может обрабатывать состояние отказа 100 А и 200 В сток-исток в течение до 10 мкс.Если вы включите полевой МОП-транзистор через конденсатор на 200 В и поток 100 А, то он сможет выдержать состояние неисправности, если вы можете выключить его в течение 10 мкс. Это может произойти в полумосте, если один из транзисторов закорочен.

    Наконец, на рисунке 11 показано максимальное эффективное тепловое сопротивление. Это то, что вы можете использовать для расчета теплового повышения температуры между переходом и корпусом в динамических условиях, когда полевой МОП-транзистор включается или выключается. Например, предположим, что полевой МОП-транзистор периодически проводит ток 10 А во время сигнала переключения рабочего цикла 20% при периоде переключения 100 мкс.Это время включения 20 мкс и время выключения 80 мкс. Если я найду кривую D = 0,20 при 20 мкс, я увижу тепловой отклик Z thJC около 0,11 ° C / Вт вместо постоянно включенного значения R θJC 0,5 ° C / Вт, указанного в термическом сопротивлении. часть спецификации. Имеет смысл: на высоких частотах переключения MOSFET видит только среднюю мощность проводимости, поскольку тепловые характеристики устройства действуют как фильтр нижних частот. На низких частотах переключения (здесь точка останова составляет около 10 миллисекунд времени включения) вместо фильтра нижних частот переход нагревается при включении полевого МОП-транзистора, а переход охлаждается при выключении полевого МОП-транзистора.

    Это все, что я могу сказать о тепловых характеристиках полевых МОП-транзисторов, которые я рассмотрел в другой статье.

    Заключение

    Мы рассмотрели большую часть содержания классической таблицы данных полевого МОП-транзистора. Вот что это сводится к:

    • Таблицы данных содержат много полезной консультативной информации, но не являются юридической гарантией.
    • Абсолютные максимальные характеристики — это то, чему вы должны соответствовать, если используете конкретный компонент; остальные спецификации недействительны в любое время после того, как вы нарушили абсолютный максимум требований, даже если это только на мгновение.
    • Минимальные и максимальные характеристики — единственная другая часть таблицы, на которую вы можете положиться. (Это практические гарантии, даже если они не юридические.)
    • Если не указано иное, характеристические графики показывают типичные значения — по ним можно узнать качественное поведение, но нельзя полагаться на них в количественном отношении.
    • При использовании силового MOSFET в качестве переключателя не полагайтесь на его поведение, если вы не укажете напряжение затвор-исток V gs , которое является хотя бы одним из значений, упомянутых в спецификации R ds (on) .Напряжения затвор-исток ниже этих значений недостаточно для правильной работы устройства в качестве переключателя.
    • Дополнительную информацию о силовых полевых МОП-транзисторах см. В примечаниях к применению, опубликованных производителем.

    Я также рассказывал о силовых полевых МОП-транзисторах в ряде других статей:

    Удачного переключения!


    © 2015 Джейсон М. Сакс, все права защищены.

    Вам также может понравиться … (продвигаемый контент)

    Chanzon 10pcs 4N60 TO-220F Сделка Sic MOS n Mosfet N-канальный транзистор

    Chanzon 10pcs 4N60 TO-220F Сделка Sic MOS n Mosfet N-Channel транзистор

    Chanzon 10pcs 4N60 TO-220F Сделка Sic MOS n Mosfet N-Channel Transistor / my-list-shows /, vivredanslesperance.com, Industrial Electrical, Semiconductor Products, Transistors, 4N60, ​​$ 4, MOS, Chanzon, TO-220F, N-Channel, Sic, 10pcs, Mosfet, n, Transistor /my-list-shows/,vivredanslesperance.com, Industrial Electrical, Полупроводниковые приборы, Транзисторы, 4N60, ​​$ 4, MOS, Chanzon, TO-220F, N-Channel, Sic, 10pcs, Mosfet, n, Transistor Chanzon 10pcs 4N60 TO-220F Сделка Sic MOS n Mosfet N-Channel Transistor $ 4 Chanzon 10pcs 4N60 TO -220F Sic Mosfet MOS N-канальный транзистор n Промышленные электрические полупроводниковые транзисторы $ 4 Chanzon 10 шт. 4N60 TO-220F Sic Mosfet MOS N-канальный транзистор n Промышленные электрические полупроводниковые продукты Транзисторы

    $ 4

    Chanzon 10 шт. 4N60 TO-220F Sic Mosfet MOS N-канальный транзистор n

    • Обзор: TO220F MOS N-Channel 4N60 N-Type, ток: 4 А, напряжение: 600 В
    • Замена для: FQPF4N60C / 4N60C Оригинальные NMOS-транзисторы Mosfets Биполярный переходный триод
    • Для: Электронный проект DIY
    |||

    Chanzon 10 шт. 4N60 TO-220F Sic Mosfet MOS N-канальный транзистор n

    Пресс-релизы »

    Philips привносит ясность в каждый момент лечения рака с помощью новых ориентированных на пациента инноваций на ASTRO 2021

    21 октября 2021 г. Рабочая область мультимодального RT-моделирования обеспечивает единое пространство для объединения мультимодальных изображений и контурирования. Новые платформы визуализации MR Ingenia RT XD и Spectral CT 7500 поддерживают точное планирование лечения. Deepened…

    Устная презентация IPAX-1, посвященная поздним нарушениям, на заседании Конгресса неврологических хирургов (ЦНС)

    МЕЛЬБУРН, Австралия и ИНДИАНАПОЛИС, 19 октября 2021 г. (ГЛОБАЛЬНАЯ ИНФОРМАЦИЯ) — Telix Pharmaceuticals Limited (ASX: TLX, Telix, Компания) рада объявить о первом наборе рецензируемых результатов IPAX-1 Ph I / II исследование TLX101 (4-L- […

    Калькулятор уровня сахара в крови

    Следите за уровнем сахара в крови

    К какому врачу-специалисту (врачу) мне следует проконсультироваться по поводу моего состояния?

    Опрос

    Какую вакцину от COVID вы бы выбрали?

    Позвоните в CDC-INFO

    (800-232-4636)


    TTY 888-232-6348 Обычные часы работы: понедельник — пятница, 8:00.

    alexxlab

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *