Стоит ли покупать мощные транзисторы на AliExpress?
Собираете или ремонтируете устройство, вам вдруг понадобились транзисторы и вы нашли их на AliExpress по привлекательной цене? Лучше посмотрите в локальном магазине или хотя бы не в Китае. «Почему?», спросите вы, ведь заказов много, а рейтинг товара практически 5 звезд, не может же столько человек ошибаться? Если одним словом – то часто это подделка. Если хотите подробностей, добро пожаловать под кат.
Некоторое время назад я читал статью, где автор жаловался на то, что не может купить микросхем УНЧ в интернете – все время попадаются подделки. Причем могут быть настолько откровенные, что вместо микросхемы идет «кирпичик» — кусочек пластика оригинальной формы с выводами, металлической подложкой и правильной маркировкой, только вот… кристалла в этом кирпичике нет от слова «совсем». Тогда я сильно удивился – «Как это возможно? Вроде столько всего уже купил на AliExpress, но ни разу такого не встречал».
И вот месяца 4 назад решил я собрать лабораторный источник питания достаточно приличной (200 Вт) мощности. Да не просто стабилизатор, а с «предрегулятором» — устройством, работающем в ключевом режиме и останавливающим заряд накопительного конденсатора в нужный момент, если максимальное напряжение на нем сейчас не требуется. Стал разрабатывать схему, заряжающую конденсатор, а в качестве ключевого элемента выбрал транзистор IRF4905 (P-Channel, 70 A, 55 V, 200 W). В процессе разработки случайно ввел транзистор в линейный режим (коснувшись пальцем затвора), и… тот сгорел. Я очень удивился, т.к. питал тестовую конструкцию от достаточно маломощного трансформатора, и по ощущениям транзистор с таким трансформатором сгореть вообще никак не должен был (на затворе стоял стабилитрон, так что пробой затвора тоже исключается). Но ощущения при разработке – далеко не главное, поэтому я полез в документацию на транзистор, посмотрел график SOA (Safe Operating Area), после чего померил ток КЗ трансформатора, посчитал его эквивалентное сопротивление и снова пришел к выводу, что транзистор сгореть не может, т.
К сожалению, как оказалось, на данном форуме присутствует тенденция «закидования» вопрошающего «камнями» вместо реальной помощи, поэтому ответ пришлось искать в интернете дальше. Хотя определенный толчок в данном направлении (а также много полезной информации и обсуждения по другим вопросам) форум мне все же дал, за что ему спасибо.
В результате где-то на просторах интернета была найдена информация, что из Китая могут прийти поддельные транзисторы, размер кристалла в которых в несколько раз меньше нужного. Это меня настолько заинтересовало, что я решил распилить сгоревший IRF4905, чтобы увидеть, какой у него внутри кристалл. Сказано – сделано, я взял «микроболгарку» (дремель на самом деле) и начал пилить 
Через пару минут моему взору предстала следующая картина:
Какого размера должен быть кристалл в таком транзисторе, я не знал, однако увиденное явно казалось маленьким для заявленных 200 ватт. Да, куплен IRF4905 был здесь. Как видите, у товара большое количество заказов и отличный рейтинг:
Если включить фильтр на негативные оценки, можно, конечно, найти и реальные отзывы, где основной упор делается на уменьшенную емкость затвор-исток по сравнению с документацией (что как бы косвенно говорит о кристалле меньшей площади) или на завышенное сопротивление канала в открытом состоянии:
Негативный отзыв
Но это сейчас идут такие транзисторы, мои (купленные еще в 2016-м году) показывают как ёмкость, так и сопротивление в пределах нормы! Только что перепроверил — емкость (по транзистор-тестеру) — 3.81 нФ, падение напряжения при токе 1.9 А — 49 мВ, то есть сопротивление канала 26 мОм, что практически соответствует документации.
А каким должен быть вообще кристалл у полевого транзистора? Может быть показанных размеров достаточно? Чуть позже у меня сгорел IRFZ44 (94 W, то есть в два раза меньше, чем у IRF4905), купленный лет пять назад в локальном магазине. Ниже фото его кристалла:
Явно видно, что кристалл в разы больше. Его размер примерно 3х2.5 мм, что дает площадь в 7.5 мм². К сожалению, фото с линейной у IRF4905 я тогда не сделал, а сам транзистор выкинул. Но из пропорций относительно корпуса видно, что кристалл там 2-3 мм².
Далее я столкнулся с тем, что купленные здесь TIP142T и TIP147T (100 V, 15 A, 90 W) даже не в состоянии управлять лампочкой 24 В 42 Вт в линейном режиме – сразу перегорают, не успевая при этом хотя бы как-то нагреть радиатор.
Но теперь я знал, что делать:
Итого, что мы тут имеем? Кристалл размером 1.2х1.2 мм. То есть 1.44 мм². А каким он вообще должен быть-то, может быть с транзисторами все в порядке? Чтобы ответить на этот вопрос, я решил «открыть» отечественный КТ818Г, который только что сгорел по моей вине от перегрева:
Также на фото кристаллы отечественных КТ805АМ и КТ815Г. КТ818Г (90 V, 10 A, 60 W) и КТ805АМ (60 V, 5 A, 30 W) имеют кристаллы размером 2.6х2.6 мм = 6.76 мм². Странно, максимальная мощность различается в два раза, а кристалл – одинаковый. Предположу, что вот тут дело в более новой технологии (так как 805-й — весьма старый транзистор), и современным транзисторам необходим примерно 1 мм² кристалла на каждые 10 Вт рассеиваемой мощности (оценка взята «с потолка», но все же). И КТ815Г (100 V, 1.5 A, 10 W), имеющий кристалл 1х1 мм = 1 мм² это подтверждает.
Но это отечественные транзисторы, может быть, наше производство просто сильно отстает, и в Китае давно научились использовать кремний гораздо эффективней? Чуть позже у меня сгорел TIP142T, купленный в локальном магазине, не доверять которому (транзистору) повода не было – нагрузку он держал отлично, а сгорел по моей вине (я ошибочно замкнул цепь защиты по току).
Да и в магазине заверили, что транзисторы они получают не из Китая. Это позволило посмотреть, какой кристалл находится внутри оригинального (будем считать так) TIP142T:
Как видите, почему-то кристалл в нем стоит под углом и имеет размер 3.17х3.17 мм = 10 мм². То есть предположение, что биполярному транзистору надо примерно 1 мм² на 10 Вт сходится и тут.
Далее мне пришли TIP41C и TIP42C (100 V, 6 A, 65 W), купленные там же. Но теперь я сразу знал, что делать. Нет, я не стал ломать рабочие транзисторы, а собрал тестовую схему с переменным резистором в базовой цепи и подключил её к блоку питания на 20 В. Один транзистор (на радиаторе с термопастой) сгорел при 20 В 1.2 А, другой – при 1.3 А. Это 24 и 26 Вт соответственно. После этого я заглянул «внутрь»:
Кристалл оказался площадью 1.1 мм², то есть на 11 Вт по моей приблизительной оценке. Транзисторы же сгорели при в два раза большей мощности – то есть либо оригинальные транзисторы имеют приличный запас, либо китайцы действительно научились использовать кремний более эффективно.
Затем у меня вдруг сгорел стабилизатор 7815, купленный в том же магазине. Да не просто сгорел – от него отлетел кусок пластика с такой скоростью, что если бы он попал в лицо, все могло бы закончиться печально! Отсюда еще один важный вывод – не рассматривайте что-либо во включенной силовой аппаратуре с небольшого расстояния! А получилось все так – на плате перервалась дорожка, подключающая общий провод стабилизатора к схеме, вход и выход остались подключенными. Я это заметил (по возросшему напряжению в цепи +15 В), выключил устройство, исправил дорожку и включил снова. Сначала от 7815 пошел небольшой дымок, а через буквально секунду он «выстрелил» пластиком. Это стало поводом для его разборки:
Кристалл тут имеет размер 0.
Далее в нашей эстафете идут BD237/BD238 (100 V, 2 A, 25 W), купленные тут:
Как видно, кристалл тут вообще 0.35х0.35 мм = 0.12 мм². При какой мощности сгорит такой транзистор – страшно представить (надо будет проверить). Хотя, конечно, обычно они стоят в предвыходных цепях и больших мощностей не рассеивают. То есть о покупке таких транзисторов еще можно задуматься, если заранее учесть данную «особенность».
Теперь очередь MJL4281A/MJL4302A, купленных тут.
По документации – это превосходные транзисторы в корпусе TO-264, рассчитанные на 350 V, 15 A и 230 W. Это – одни из самых мощных биполярных транзисторов в пластиковом корпусе. Нашел я их по справочнику Farnell, а купить уже решил на AliExpress, т.к. там было значительно дешевле (5 пар на момент покупки обошлись около $10), а про подделки я тогда даже не задумывался. На эти транзисторы я возлагал большие надежды использования их в качестве основных транзисторов для стабилизатора – ведь при паспортной мощности в 230 W при 25 градусах, в реальном устройстве (с учетом нагрева) вполне можно рассеивать на таком транзисторе половину, а это 115 ватт! То есть, обойтись только одним транзистором в регуляторе, а не парой.
Но реальность оказалась печальней – при мощности около 75 Вт транзистор сгорел. Правда, радиатор в этот момент был нагрет где-то до 80 градусов, то есть в пересчете это дает порядка 130 Вт «на холодную». Транзистор был отправлен в мусорку, а позже извлечен оттуда и «открыт»:
Что оказалось внутри – кристалл размером 2.
9х2.9 мм = 8.4 мм², что по приблизительной оценке соответствует мощности в 84 ватта. Сгорел же он при 130 (будем считать, с учетом нагрева). Не так уж плохо! Такой транзистор, зная его реальную мощность, вполне можно использовать в схеме. Однако, это все равно почти в два раза меньше документации, то есть подделка. Приобретать такой транзистор или нет – решать вам, отзыв фотографией кристалла на Али я дополнил (к сожалению, изначально пошел по стандартному пути, проверил детали транзистор-тестером и поставил 5 звезд).
Справедливости ради скажу, что в этот момент я задумался, а какого же размера должен быть кристалл у таких транзисторов?
Поиском в интернете была найдена следующая фотография:
Это MJ15003 (140 V, 20 A, 250 W) в металлическом корпусе. Зная, что расстояние между выводами эмиттера и базы у него 10.92 мм, можно приблизительно оценить размер кристалла – 4.2х5 мм = 21 мм². То есть, 210 Вт из предположения 1 мм² = 10 Вт.
Учитывая, что тепловое сопротивление кристалл-корпус в металлическом корпусе меньше, вполне возможно, что 21 мм² в данном случае вполне хватит на 250 Вт. Это еще раз говорит, что в китайском MJL4281A кристалл маленький.
Ну и напоследок несколько разных полевых транзисторов, купленных на Али. Все они были опробованы в тестовой схеме (в линейном режиме) и сгорели при значительно меньшей мощности, чем должны были (по документации, с учетом SOA):
Слева направо: IRF3205 (200 W), 1×1.5 мм = 1.5 мм², IRF1407 (330 W), 1.7х2.3 мм = 3.9 мм², IRF3205 (купленный в другом месте), 1х1.4 мм = 1.4 мм², IRF1405 (330 W), 1.6х2.6 = 4.2 мм². Здесь можно вспомнить, что кристалл оригинального IRFZ44 (94 W) имел размер 3х2.5 мм = 7.5 мм², то есть больше, чем кристалл любого из этих.
Внимательный читатель может заметить, что многие поддельные полупроводники были приобретены в одном и том же магазине «Fantasy Electronics CO., Ltd». Да, раньше мне нравился этот магазин своим ассортиментом и ценами, поэтому я часто покупал там.
За все время в нем было приобретено много других радиодеталей – операционные усилители, резисторы, конденсаторы, разъемы и т.д., и с ними проблем замечено не было (предполагаю, что ОУ могут быть поддельными, но в работе отличий с документацией пока не встречал). Также после этого случая я пробовал искать мощные полупроводники у других продавцов, и обычно там, где большое количество отзывов всегда находится один-два с одной или двумя звездами, где указывается, что транзисторы – поддельные и иногда даже приводится фото кристалла. То есть, это не проблема конкретно данного магазина, это проблема AliExpress в целом.
Другие отзывы о подделках
IRF3205
IRF1407
IRFZ44N
И так далее… К сожалению, если покупок много, практически всегда есть такой негативный отзыв. А если покупок мало, возможно, просто никто еще не докопался до истины.
Не знаю, будете ли вы после прочтения данного обзора покупать мощные полупроводники на Али, но я для себя решил брать их только в локальных магазинах.
Стоят они тут в разы дороже, но это вполне окупится качественной работой собираемых изделий. Да, можно найти на Али более дорогие лоты, но разве есть гарантия, что там не окажутся те же самые подделки? Более того, теперь я прихожу к выводу, что и купленные в других местах полупроводники надо тестировать перед установкой в схему, потому что не известно, откуда они могут быть «родом».
Спасибо за потраченное на прочтение время, всем удачи и качественных деталей!
P.S.
Котика у меня сейчас нет, поэтому фото классного рыжего кота, встреченного осенью по пути на работу:
P.P.S. Если кто-либо покупал на Али мощные транзисторы и они оказались не подделкой (если есть достаточные основания быть в этом уверенным — например, фото кристалла или реальный опыт использования транзистора на мощностях, близких к предельной), просьба скидывать в комментарии модели и ссылки на магазины.
Составной транзистор (схема Дарлингтона и Шиклаи)
Составной транзистор — электрическое соединение двух или более биполярных транзисторов, полевых транзисторов или IGBT-транзисторов, с целью улучшения их электрических характеристик.
К этим схемам относят так называемую пару Дарлингтона, пару Шиклаи, каскодную схему включения транзисторов, схему так называемого токового зеркала и др.
Условное обозначение составного транзистора
Составной транзистор имеет три вывода (база, эмиттер и коллектор), которые эквивалентны выводам обычного одиночного транзистора. Коэффициент усиления по току типичного составного транзистора (иногда ошибочно называемого «супербета»), у мощных транзисторов ≈ 1000 и у маломощных транзисторов ≈ 50000. Это означает, что небольшого тока базы достаточно для того, чтобы составной транзистор открылся.
В отличие от биполярных, полевые транзисторы не используются в составном включении. Объединять полевые транзисторы нет необходимости, так как они и без того обладают чрезвычайно малым входным током. Однако существуют схемы (например, биполярный транзистор с изолированным затвором), где совместно применяются полевые и биполярные транзисторы.
В некотором смысле, такие схемы также можно считать составными транзисторами. Так же для составного транзистора достигнуть повышения значения коэффициента усиления можно, уменьшив толщину базы, но это представляет определенные технологические трудности.
Примером супербета (супер-β) транзисторов может служить серия КТ3102, КТ3107. Однако их также можно объединять по схеме Дарлингтона. При этом базовый ток смещения можно сделать равным всего лишь 50 пкА (примерами таких схем служат операционные усилители типа LM111 и LM316).
Фото типичного усилителя на составных транзисторах
Схема Дарлингтона
Один из видов такого транзистора изобрёл инженер-электрик Сидни Дарлингтон (Sidney Darlington).
Принципиальная схема составного транзистора
Составной транзистор является каскадным соединением нескольких транзисторов, включенных таким образом, что нагрузкой в эмиттере предыдущего каскада является переход база-эмиттер транзистора следующего каскада, то есть транзисторы соединяются коллекторами, а эмиттер входного транзистора соединяется с базой выходного.
Кроме того, в составе схемы для ускорения закрывания может использоваться резистивная нагрузка первого транзистора. Такое соединение в целом рассматривают как один транзистор, коэффициент усиления по току которого при работе транзисторов в активном режиме приблизительно равен произведению коэффициентов усиления первого и второго транзисторов:
βс = β1 ∙ β2
Покажем, что составной транзистор действительно имеет коэффициент β, значительно больший, чем у его обоих компонентов. Задавая приращение dlб = dlб1, получаем:
dlэ1 = (1 + β1) ∙ dlб = dlб2
dlк = dlк1 + dlк2 = β1 ∙ dlб + β2 ∙ ((1 + β1) ∙ dlб)
Деля dlк на dlб, находим результирующий дифференциальный коэффициент передачи:
βΣ = β1 + β2 + β1 ∙ β2
Поскольку всегда β>1, можно считать:
βΣ = β1 ∙ β1
Следует подчеркнуть, что коэффициенты β1 и β1 могут различаться даже в случае однотипных транзисторов, поскольку ток эмиттера Iэ2 в 1 + β2 раз больше тока эмиттера Iэ1 (это вытекает из очевидного равенства Iб2 = Iэ1).
Схема Шиклаи
Паре Дарлингтона подобно соединение транзисторов по схеме Шиклаи, названное так в честь его изобретателя Джорджа Шиклаи, также иногда называемое комплементарным транзистором Дарлингтона. В отличие от схемы Дарлингтона, состоящей из двух транзисторов одного типа проводимости, схема Шиклаи содержит транзисторы разной полярности (p–n–p и n–p–n). Пара Шиклаи ведет себя как n–p–n-транзистор c большим коэффициентом усиления. Входное напряжение — это напряжение между базой и эмиттером транзистора Q1, а напряжение насыщения равно, по крайней мере, падению напряжения на диоде. Между базой и эмиттером транзистора Q2 рекомендуется включать резистор с небольшим сопротивлением. Такая схема применяется в мощных двухтактных выходных каскадах при использовании выходных транзисторов одной полярности.
Каскад Шиклаи, подобный транзистору с n–p–n переходом
Каскодная схема
Составной транзистор, выполненный по так называемой каскодной схеме, характеризуется тем, что транзистор VT1 включен по схеме с общим эмиттером, а транзистор VT2 — по схеме с общей базой.
Такой составной транзистор эквивалентен одиночному транзистору, включенному по схеме с общим эмиттером, но при этом он имеет гораздо лучшие частотные свойства и большую неискаженную мощность в нагрузке, а также позволяет значительно уменьшить эффект Миллера (увеличение эквивалентной ёмкости инвертирующего усилительного элемента, обусловленное обратной связью с выхода на вход данного элемента при его выключении).
Достоинства и недостатки составных транзисторов
Высокие значения коэффициента усиления в составных транзисторах реализуются только в статическом режиме, поэтому составные транзисторы нашли широкое применение во входных каскадах операционных усилителей. В схемах на высоких частотах составные транзисторы уже не имеют таких преимуществ — граничная частота усиления по току и быстродействие составных транзисторов меньше, чем эти же параметры для каждого из транзисторов VT1 и VT2.
Достоинства:
а) Высокий коэффициент усиления по току.
б) Cхема Дарлингтона изготавливается в виде интегральных схем и при одинаковом токе рабочая поверхность кремния меньше, чем у биполярных транзисторов. Данные схемы представляют большой интерес при высоких напряжениях.
Недостатки:
а) Низкое быстродействие, особенно перехода из открытого состояния в закрытое. По этой причине составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, на высоких частотах их параметры хуже, чем у одиночного транзистора.
б) Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер в схеме Дарлингтона почти в два раза больше, чем в обычном транзисторе, и составляет для кремниевых транзисторов около 1,2 — 1,4 В (не может быть меньше, чем удвоенное падение напряжения на p-n переходе).
в) Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В (по сравнению с 0,2 В у обычных транзисторов) для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности (не может быть меньше чем падение напряжения на p-n переходе плюс падение напряжения на насыщенном входном транзисторе).
Применение нагрузочного резистора R1 позволяет улучшить некоторые характеристики составного транзистора. Величина резистора выбирается с таким расчётом, чтобы ток коллектор-эмиттер транзистора VT1 в закрытом состоянии создавал на резисторе падение напряжения, недостаточное для открытия транзистора VT2. Таким образом, ток утечки транзистора VT1 не усиливается транзистором VT2, тем самым уменьшается общий ток коллектор-эмиттер составного транзистора в закрытом состоянии. Кроме того, применение резистора R1 способствует увеличению быстродействия составного транзистора за счёт форсирования закрытия транзистора VT2. Обычно сопротивление R1 составляет сотни Ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько кОм в малосигнальном транзисторе Дарлингтона. Примером схемы с эмиттерным резистором служит мощный n-p-n — транзистор Дарлингтона типа кт825, его коэффициент усиления по току равен 10000 (типичное значение) для коллекторного тока, равного 10 А.
Импорт диодов, транзисторов и аналогичных полупроводниковых устройств в США из Германии
Импорт диодов, транзисторов и аналогичных полупроводниковых устройств в США из Германии в 2021 году составил 249,58 млн долларов США, согласно базе данных COMTRADE Организации Объединенных Наций по международной торговле.
.- 10 лет
- 25 лет
- 50 лет
- МАКС
- Диаграмма
- Сравнить
- Экспорт
- API
- Встроить
Участники Trading Economics могут просматривать, загружать и сравнивать данные почти из 200 стран, включая более 20 миллионов экономических показателей, обменные курсы, доходность государственных облигаций, фондовые индексы и цены на товары.
Интерфейс прикладного программирования (API) Trading Economics обеспечивает прямой доступ к нашим данным. Это позволяет клиентам API загружать миллионы строк исторических данных, запрашивать наш экономический календарь в режиме реального времени, подписываться на обновления и получать котировки валют, товаров, акций и облигаций.
Функции API Документация Заинтересованы? Нажмите здесь, чтобы связаться с нами
Пожалуйста, вставьте этот код на свой сайт
источник: tradeeconomics.
com
высота
Предварительный просмотр
| Соединенные Штаты | Последний | Предыдущий | Высшее | Самый низкий | Блок | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Баланс торговли | -67419.00 | -61015. 00 | 1946.00 | -106400.00 | млн долларов США | [+] |
| Текущий аккаунт | -217106.00 | -238727.00 | 9957.00 | -282540.00 | млн долларов США | [+] |
| Текущий счет к ВВП | -3,60 | -2,90 | 0,20 | -6,00 | процент ВВП | [+] |
| Импорт | 317571. 00 | 313365.00 | 350178.00 | 577,00 | млн долларов США | [+] |
| Экспорт | 250152.00 | 252349.00 | 261239.00 | 772,00 | млн долларов США | [+] |
| Внешний долг | 24350913.00 | 24048762.00 | 24350913.00 | 6570168.00 | млн долларов США | [+] |
| Условия торговли | 113,90 | 114,52 | 172,45 | 94,05 | точки | [+] |
| Потоки капитала | 28600. 00 | 213400.00 | 315039.00 | -194622.00 | млн долларов США | [+] |
| Прямые зарубежные инвестиции | 69144.00 | 74407.00 | 74700.00 | -9988.00 | млн долларов США | [+] |
| Чистые долгосрочные потоки TIC | 152755.00 | 171516.00 | 261938.00 | -134889. 00 | млн долларов США | [+] |
| Золотовалютные резервы | 8133,46 | 8133,46 | 8149.05 | 8133,46 | Тонны | [+] |
| Производство сырой нефти | 12101.00 | 12375.00 | 12860.00 | 3974.00 | ББЛ/Д/1К | [+] |
| Еженедельная добыча сырой нефти | 12300. 00 | 12300.00 | 13100.00 | 3813.00 | Тысяча баррелей в день | [+] |
| Индекс терроризма | 4,96 | 5,54 | 7,39 | 3,70 | Очки | [+] |
| Доходы от туризма | 15933.00 | 16022.00 | 20813.00 | 3743.00 | млн долларов США | [+] |
| Туристические прибытия | 5136449. 00 | 4874485.00 | 8418370.00 | 248486.00 | [+] | |
| Продажа оружия | 10613.00 | 9233.00 | 15731.00 | 1427.00 | СИПРИ ТИВ Миллион | [+] |
| Торговый баланс товаров | -91500.00 | -89670,00 | 1492.20 | -125664.00 | млн долларов США | [+] |
| Экспорт нефти | 9617. 07 | 10405.04 | 11384,88 | 0,00 | млн долларов США | [+] |
Техническое описание RT3N11M-T150 — композитный транзистор. Пакет Исайя : ; Пакет JEITA
Детали, спецификация, цитата по номеру детали: RT3N11M-T150
| Деталь | RT3N11M-T150 |
| Категория | Дискретные — Транзисторы |
| Название | Составной транзистор |
| Описание | |
| Компания | Исахая Электроникс |
| Техническое описание | Загрузить RT3N11M-T150 Техническое описание |
Specifications
| Isahaya Package | |
| JEITA Package | SC-88 |
| JEDEC Package | |
| AEC correspondence | ? |
| Составной | RTr(NPN)+RTr(NPN) |
| TR1 Входной резистор?R1(кОм? | 10 |
| TR1 Резистор между базой и эмиттером?????Ом? | 10 |
| TR1 Коллекционер для эмиттерного напряжения? VCEO (V) | 50 |
| TR1 Collector Current? IC (MA) | 100 |
TR18 DISSIPTER (MA). | |
| TR1 Коэффициент усиления постоянного тока?hFE | 50? |
| Входной резистор TR2?R1(кОм? | 10 |
| TR2 Резистор между базой и эмиттером?????Ом? | 10 |
| TR2 Коллекционер для эмиттера напряжения? VCEO (V) | 50 |
| TR2 Collector Current? IC (MA) | 100 |
| TR2. Collector Discipator). | |
| TR2 Коэффициент усиления постоянного тока?hFE | 50? |
Изображение первой страницы технического описания
Предварительный просмотр документа
ОПИСАНИЕ
RT3N11M представляет собой составной транзистор, построенный на двух микросхемах RT1N141 в корпусе SC-88.
ОСОБЕННОСТЬ
Кремниевый эпитаксиальный тип Каждый элемент транзистора является независимым. Мини-упаковка для удобного монтажа
ПРИМЕНЕНИЕ
Инвертированная схема, схема переключения, схема интерфейса, схема управления
Составной транзистор с резистором для применения при переключении Кремниевый эпитаксиальный тип
ПАРАМЕТР Напряжение коллектор-база Напряжение эмиттер-база Напряжение коллектор-эмиттер Входное напряжение Пиковый ток коллектора Ток коллектора Общее рассеивание Температура перехода Температура хранения
Напряжение пробоя между коллектором и эмиттером Ток отсечки коллектора Ток отсечки эмиттера Коэффициент усиления по постоянному прямому току Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Входное напряжение Входное напряжение отключения Входное сопротивление Соотношение резисторов Произведение ширины полосы усиления
ТЕМПЕРАТУРА ОКРУЖАЮЩЕЙ СРЕДЫ Ta ВХОД НА НАПРЯЖЕНИИ В ОТНОШЕНИИ ТОКА КОЛЛЕКТОРА
НАПРЯЖЕНИЕ НАСЫЩЕНИЯ КОЛЛЕКТОРА В ОТНОШЕНИИ ТОКА КОЛЛЕКТОРА
Безопасность превыше всего в ваших схемах! что с ними может случиться беда.
Проблемы с полупроводниками могут привести к травмам, пожару или материальному ущербу. Не забывайте уделять должное внимание безопасности при проектировании схем с соответствующими мерами, такими как (1) размещение замещающих, вспомогательных, (2) использование несельскохозяйственных материалов или (3) предотвращение любой неисправности или несчастного случая.
Примечания относительно этих материаловЭти материалы предназначены для помощи нашим клиентам в выборе продуктов ISAHAYA, наиболее подходящих для применения клиентом; они не передают никакой лицензии на какие-либо права интеллектуальной собственности или любые другие права, принадлежащие ISAHAYA или третьей стороне. ISAHAYA Electronics Corporation не несет ответственности за любой ущерб или нарушение прав любой третьей стороны, возникающие в результате использования любых данных продукта. , диаграммы, диаграммы или примеры применения схем, содержащиеся в этих материалах. Вся информация, содержащаяся в этих материалах, включая данные о продуктах, диаграммы и диаграммы, представляет собой информацию о продуктах на момент публикации этих материалов и может быть изменена ISAHAYA Electronics Corporation.
без предварительного уведомления в связи с улучшением продукта или по другим причинам. Поэтому рекомендуется, чтобы клиенты обращались в корпорацию ISAHAYA Electronics или к авторизованному дистрибьютору продуктов ISAHAYA для получения последней информации о продуктах, прежде чем приобретать продукты, перечисленные здесь. Продукты ISAHAYA Electronics Corporation не предназначены и не производятся для использования в устройствах или системах, которые используются в условиях, в которых человеческая жизнь потенциально находится под угрозой. Пожалуйста, свяжитесь с корпорацией ISAHAYA Electronics Corporation или авторизованным дистрибьютором продуктов ISAHAYA, если вы рассматриваете возможность использования продукта, содержащегося в данном документе, для каких-либо конкретных целей, таких как устройства или системы для транспорта, автомобильных, медицинских, аэрокосмических, ядерных или подводных ретрансляторов. Предварительное письменное разрешение ISAHAYA Electronics Corporation необходимо для перепечатки или воспроизведения этих материалов полностью или частично.
Если на эти продукты или технологии распространяются ограничения экспортного контроля Японии, они должны экспортироваться по лицензии правительства Японии и не могут быть импортированы в страну. кроме утвержденного пункта назначения. Любая утечка или реэкспорт, противоречащие законам и правилам экспортного контроля Японии и/или страны назначения, запрещены. Пожалуйста, свяжитесь с корпорацией ISAHAYA Electronics или авторизованным дистрибьютором продуктов ISAHAYA для получения дополнительной информации об этих материалах или продуктах, содержащихся в них.
Номер детали того же производителя
VLA552-01R Драйвер БТИЗ. Встроенный источник питания затвора: Да, функция защиты от короткого замыкания Защита от короткого замыкания: Да, защита от короткого замыкания VLA526A-06AR Драйвер БТИЗ. Встроенный источник питания затвора: минусовое смещение, функция защиты от короткого замыкания Защита от короткого замыкания VLA107-666R Преобразователь постоянного тока.
Функция/тип: преобразователь DC/DC изолированного типа (тип входа низкого напряжения), выходы: 4, входное напряжение 2SC5210 Транзистор. Пакет Isahaya: Пакет JEITA: SC-62, Пакет JEDEC: SOT-89, Соответствие AEC: Тип: NPN, 2SC5211 Транзистор. Пакет Isahaya: Пакет JEITA: SC-62, Пакет JEDEC: SOT-89, Соответствие AEC: Тип: NPN, RT1N431C Резистор Встроенный транзистор. Пакет Isahaya: Mini, Пакет JEITA: SC-59, Пакет JEDEC: Соответствие AEC: Тип: NPN, Вход RT1N434U Резистор Встроенный транзистор. Пакет Isahaya: Ультра Супер Мини, Пакет JEITA: Пакет SC-75A, JEDEC: Соответствие AEC: Тип RT1P24BM Резистор Встроенный транзистор. Пакет Isahaya: Super Mini, Пакет JEITA: Пакет SC-70, JEDEC: Соответствие AEC: Тип: PNP, RT1P250M Резистор Встроенный транзистор. Пакет Isahaya : Super Mini, Пакет JEITA : SC-70, Пакет JEDEC : , Соответствие AEC : , Тип : PNP, РТ1П432У Резистор Встроенный транзистор.
