Принцип работы полевого транзистора

Транзисторами  называют полупроводниковые триоды, у которых расположено три выхода. Их основным свойством является возможность посредством сравнительно низких входных сигналов осуществлять управление высоким током на выходах цепи.

• Что представляет собой полевой транзистор
• Видео «Подробно о полевых транзисторах»
• Виды полевых транзисторов
• Принцип работы полевого транзистора
• Для чего нужен полевой транзистор

Для радиодеталей, которые используются в современных сложных электроприборах, применяются полевые транзисторы. Благодаря свойствам этих элементов выполняется включение или выключение тока в электрических цепях печатных плат, или его усиление.

Что представляет собой полевой транзистор

Полевые транзисторы — это трех или четырех контактные устройства, в которых ток, идущий на два контакта, может регулироваться посредством напряжения электрополя  третьего контакта.  На двух контактах регулируется напряжением электрического поля на третьем.

В результате этого подобные транзисторы называются полевыми.

Название расположенных на устройстве контактов и их функции:

• Истоки – контакты с входящим электрическим током, которые находится на участке n;
• Стоки – контакты с исходящим, обработанным током, которые находятся  на участке n;
• Затворы – контакты, находящиеся на участке р, посредством изменения напряжения на котором, выполняется регулировка пропускной способности на устройстве.

Видео «Подробно о полевых транзисторах»

//www.youtube.com/embed/WKx_3fUtcSk?autohide=2&autoplay=0&mute=0&controls=1&fs=1&loop=0&modestbranding=0&playlist=&rel=1&showinfo=1&theme=dark&wmode=&playsinline=0

Виды полевых транзисторов

Полевой транзистор с n-р переходами подразделяется на несколько классов в зависимости:

1. От типа каналов проводников: n или р. Каналы воздействую на знаки, полярности, сигналы управления.
   Они должны быть противоположны по знакам n-участку.
2. От структуры приборов: диффузных, сплавных по р -n — переходам, с затворами Шоттки, тонкопленочными.
3. От общего числа контактов: могут быть трех или четырех контактными. Для четырех контактных приборов, подложки также являются затворами.
4. От используемых материалов: германия, кремния, арсенид галлия.

В свою очередь разделение классов происходит в зависимости от принципа работы транзистора:

• устройства под управлениями р-n переходов;
• устройства с изолированными затворами или с барьерами Шоттки.

Принцип работы полевого транзистора

Радиодетали состоят из двух участков: p-переходов и n-переходов.

По участку n проходит электроток.

Участок р является перекрывающей зоной, неким вентилем. 

Если оказывать определенное давление на нее, то она будет перекрывать участок и препятствовать прохождению тока.

Либо, же наоборот, при снижении давления количество проходящего тока возрастет.

В результате такого давления осуществляется увеличение напряжения на контактах затворов, находящихся на участке р.

Приборы с управляющими p-n канальными переходами — это полупроводниковые пластины, имеющие электропроводность с одним из данных типов. К торцевым сторонам пластин выполняется подсоединение контактов: стока и истока, в середину — контакты затвора.

Принцип работы прибора основан на изменении пространственных толщин p-n переходов. Так как в запирающих областях практически отсутствуют подвижные носители заряда, их проводимость равняется нулю. В полупроводниковых пластинах, на участках которых не воздействует запирающий слой, создаются проводящие ток каналы. Если подается отрицательное напряжение в отношении истока, на затворе образуется поток, через который протекают носителя заряда.

Для изолированных затворов, характерно расположение на них тонкого слоя диэлектрика. Такое устройство работает по принципу электрических полей.  Для его разрушения понадобится всего лишь небольшое электричество. В связи с этим, чтобы предотвратить статическое напряжение, которое может превышать 1000 В, необходимо создание специальных корпусов для приборов, которые минимизируют эффект от воздействия вирусных типов электричества.

Для чего нужен полевой транзистор

При рассмотрении работы сложных видов электротехники, стоит рассмотреть работу такого важного компонента интегральной схемы, как полевой транзистор.

Основная задача от использования данного элемента заключается в пяти ключевых направлениях, в связи с чем транзистор применяется для:

1. Усиления высокой частоты.
2. Усиления низкой частоты.
3. Модуляции.
4. Усиления постоянного тока.
5. Ключевых устройств (выключателей).

В качестве простого примера работа транзистора-выключателя, может быть представлена как микрофон и лампочка в одной компановке.  Благодаря микрофону улавливаются звуковые колебания, что влияет на появление электрического тока, поступающего на участок запертого устройства.

Присутствие тока влияет на включение устройства и включение электрической цепи, к которой подключаются лампочки. Последние загораются после того как микрофон уловил звук, но горят они за счет источников питания не связанных с микрофоном и более мощных.

Модуляцию применяют с целью управления информационными сигналами. Сигналы управляют частотами колебаний. Модуляцию применяют для качественных звуковых радиосигналов, для передачи звуковых частот в телевизионные передачи, для трансляции цветовых изображений и телевизионных сигналов с высоким качеством. Модуляцию применяют повсеместно, где нужно проводить работу с высококачественными материалами.

Как усилители полевые транзисторы в упрощенном виде работают по такому принципу: графически любые сигналы, в частности, звукового ряда, могут быть представлены как ломаная линия, где ее длиной является временной промежуток, а высотой изломов – звуковая частотность. Чтобы усилить звук к радиодетали подается поток мощного напряжения, приобретаемого нужную частотность, но с более большим значением, из-за подачи слабых сигналов на управляющие контакты.

Иначе говоря, благодаря устройству происходит пропорциональная перерисовка изначальной линии, но с более высоким пиковым значением.

Понравилась статья? Расскажите друзьям:

Оцените статью, для нас это очень важно:

Проголосовавших: 1 чел.
Средний рейтинг: 5 из 5.

Принцип работы полевого транзистора с управляющим p-n переходом.

Возвращаемся к рубрике, посвященной целиком и полностью электронике и смежным тематикам. И вот дошли руки, наконец-то, до описания процессов, происходящих в таком устройстве, как полевой транзистор. Идем по проверенной схеме – докапываемся до всех нюансов принципа работы, а затем добьем тему практическим примером. Первое невозможно без разбора устройства полевого транзистора, а второе – без рассмотрения его основных характеристик. По такому плану и действуем. Стоит оговориться, что про транзисторы можно говорить до бесконечности, в статье же основной акцент будет именно на протекающих в нем физических процессах, то есть на принципе его функционирования.

Но прежде всего разветвим данную тему на две отдельные части:

• Полевой транзистор с управляющим p-n переходом (JFET — Junction Field-Effect Transistor).
• Полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET — Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).

Конкретно сегодня речь пойдет о первом типе устройств, второй же аналогичным образом разберем во второй части, на которую я помещу потом здесь же ссылку.

Первым делом – классическое сравнение с биполярными товарищами. Итак, в биполярном транзисторе сила проходящего через него тока регулируется управляющим током. Это уже многократно обсудили, так что отдельно не останавливаюсь. В полевом же транзисторе, напротив, сила тока регулируется внешним электрическим полем. То есть, по сути, приложенным напряжением.

В творческом порыве решил визуализировать данное отличие следующим образом )

Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом (JFET).

Каждый из озвученных типов транзисторов делится еще на две подгруппы:

• с N-каналом
• с P-каналом

Мы сосредоточимся на первом варианте, суть процессов полностью идентична, различна лишь полярность подключаемых источников напряжений.

Итак, устройство JFET-транзистора с N-каналом:

Подложку зачастую соединяют с истоком еще на этапе производства транзистора, поэтому на схемах обычно присутствуют только три вывода.

Отметим сразу эти три электрода полевого транзистора: сток, исток и затвор. Собственно, наблюдаем две области P-типа, а между ними в наличии область N-типа, к концам которой подключены два оставшихся электрода – сток и исток. И вся эта область N-типа как раз и образует N-канал.

Вспоминаем об основных характеристиках областей разного типа в целом:

• В области P-типа основными носителями заряда являются дырки, концентрация же электронов мала. Электроны здесь – неосновные носители.
• Полностью противоположна ситуация в областях N-типа. В этом случае электроны как раз-таки являются основными носителями заряда, а концентрация дырок мала.

В непосредственной близости от стока и истока на схеме помечены отдельные области «N+». Это все та же область N-типа, но сильно легированная. Что означает еще более высокую концентрацию электронов в ней.

Из схемы также можно сделать вывод о том, что для полевого транзистора с управляющим p-n переходом исток и сток по своей сути идентичны, то есть в схему его можно включить двумя способами, меняя, соответственно, исток и сток местами. Таким образом, для данного класса элементов обозначения стока и истока, по большому счету, условны.

Разобравшись со структурой и устройством, переходим к самому интересному – к протекающим внутри процессам. Из чего уже будет понятно, как все это работает.

Принцип работы полевого транзистора с управляющим p-n переходом (JFET).

За отправную точку возьмем нашу схему, но дополненную носителями заряда:

Подключаем источники напряжения следующим образом, в виде наглядной иллюстрации:

В данном случае напряжение между затвором и истоком равно 0 (U_{ЗИ} = 0). Отлично, при таких раскладах транзистор ведет себя просто как проводник, то есть протеканию тока от стока к истоку не препятствует.

Проанализируем подробнее: подключенный источник питания приводит к появлению электрического поля E, которое направлено от стока к истоку. Само собой это поле начинает воздействовать на частицы – дырки начинают перемещаться в направлении этого поля, электроны – в противоположном. Это, в свою очередь, приводит к появлению тока, который по направлению противоположен направлению перемещения электронов. Все четко следует одно из другого 👍

Ситуация изменится с повышением U_{СИ}. Области P-типа в местах контакта с N-каналом образуют p-n переходы. И с увеличением напряжения между стоком и истоком возле этих переходов возникают области, обедненные носителями заряда. Что, в свою очередь, идентично «сужению» канала:

Таким образом, с одной стороны, рост напряжения U_{СИ} должен приводить к росту тока, то есть к более активному перемещению носителей заряда. Но в то же время сужение канала приводит к обратному эффекту – носителям сложнее преодолевать узкую зону, соответственно, ток уменьшается. И в итоге имеем фактически стабилизацию тока.

Данное состояние полевого транзистора называется режимом насыщения, а напряжение U_{СИ}, которое соответствует переходу в этот режим – напряжением насыщения сток-исток:

Резюмируем:

• При U_{ЗИ} равном 0 и напряжении сток-исток меньше U_{СИ \medspace нас} зависимость I_{СИ} от U_{СИ} плюс-минус близка к линейной.
• При U_{ЗИ} равном 0 и напряжении U_{СИ} > U_{СИ \medspace нас} имеем кардинально иную картину – ток между стоком и истоком практически перестает увеличиваться. Транзистор в режиме насыщения.

С этим разобрались, рассмотрим процессы, протекающие при подаче отрицательного напряжения между затвором и истоком (U_{ЗИ} < 0). Собственно, эффект тут в определенном смысле аналогичный – канал будет сужаться еще сильнее. При определенном значении U_{ЗИ} канал сузится настолько, что протекание тока полностью прекратится:

Это пороговое значение называется напряжением отсечки, U_{ЗИ \medspace отс}. Графическая интерпретация в виде зависимости тока сток-исток от напряжения между затвором и истоком:

Видим ровно то, что мы и обсудили. С изменением напряжения между затвором и истоком происходит сужение канала, что эквивалентно уменьшению тока. При значении равном U_{ЗИ \medspace отс} протекание тока прекращается.

Давайте рассмотрим поведение JFET-транзистора при разных значениях U_{ЗИ}:

Что тут стоит отметить… Во-первых, как мы и обсудили, чем меньше значение U_{ЗИ}, тем больше сужается канал, что влечет за собой уменьшение тока. Соответственно, кривые пролегают все «ниже» друг относительно друга. И во вполне определенный момент (когда U_{ЗИ} = U_{ЗИ \medspace отс}) ток исчезает.

Во-вторых, обратите внимание, что напряжение насыщения сток-исток — не фиксированная величина. Это значение будет разным для разных U_{ЗИ}. При U_{ЗИ} = U_{ЗИ \medspace 0} транзистор перейдет в режим насыщения при U_{СИ} = U_{СИ \medspace нас \medspace 0}. По такой же логике, напряжению затвор-исток U_{ЗИ \medspace 2} соответствует переход в режим насыщения при U_{СИ} = U_{СИ \medspace нас \medspace 2}.

Для транзистора с P-каналом идея такая же, отличаются только полярности подаваемых напряжений.

В общем-то, в этом и кроется суть принципа работы полевого транзистора с управляющим p-n переходом. И это подтверждает указанное в самом начале статьи отличие от биполярных собратьев – сила тока (I_{СИ}) регулируется напряжением между затвором и истоком (U_{ЗИ}).

Для закрепления и надежной фиксации данных аспектов проведем практические тесты, к которым и переходим.

Практический пример.

Итак, на принципиальных схемах полевой транзистор с управляющим p-n переходом бывает представлен следующим образом:

Для теста возьму первый попавшийся, а именно J112, вот даташит на него, в котором можно найти всю необходимую информацию. Например, зависимость, обсуждению которой мы посвятили столько времени:

Обозначения англоязычные, но, естественно, это погоды не делает.

Кроме того, первым делом при выборе транзистора будет не лишним выяснить предельно допустимые значения напряжений и токов, чтобы не превысить их и не вывести элемент из строя.

Я буду моделировать схему в Proteus, поностальгирую заодно по старым временам, когда активно его использовал. Но речь не об этом, а о том, что значения скорее всего не будут прямо в точности совпадать с приведенными в документации – это нормально. Тем не менее полученные при симуляции величины должны быть близки к аналогичным из даташита.

Схема будет такая, как в первой части статьи:

То есть — полевой транзистор, амперметр, источник питания, тогда:

• U_{ЗИ} = 0 \medspace В
• U_{СИ} же поставим 0.4 В

Из документации видим, что ток должен быть около 6 мА, получаем на практике:

I_{СИ}= 5.07 \medspace мА, нормально, все ожидаемо и подтверждает рассмотренные теоретические аспекты.

Теперь реализуем схему из второй части статьи, добавив источник напряжения между затвором и истоком. Пусть будет так:

• U_{ЗИ} = -0.6 \medspace В
• U_{СИ} = 0.4 \medspace В

На основе физических процессов в JFET-транзисторе ожидаем увидеть меньшее значение тока, так как при таком же напряжении сток-исток U_{ЗИ} стал меньше относительно первого эксперимента:

Именно это и получили:

Уменьшим еще U_{ЗИ} до -0. 8 В:

Опять все логично, и добавить нечего к этому.

Есть такое ощущение, что уже при U_{СИ} = 0.4 \medspace В транзистор в данном случае находится в режиме насыщения. Попробуем увеличить U_{СИ} до 1.4 В:

Так и есть, ток не изменился. Значит попробуем уменьшить, почему нет. U_{ЗИ} остается -0.8 В, U_{СИ} выставляем равным 0.1 В:

Ток ожидаемо уменьшился. Если вернуться к теоретическому графику, то осознаем, что при U_{СИ} = 0.1 \medspace В мы находимся в линейной области, а при U_{СИ} = 0.4 \medspace В уже в области насыщения:

На этом я и заканчиваю сегодняшний пост, прошлись по теории, подтвердили на практике, чего еще желать… До скорого 🤝

Полевой транзистор (FET), конструкция, условное обозначение, работа, преимущества

Полевой транзистор представляет собой полупроводниковый прибор с тремя выводами, в котором проводимость тока осуществляется одним типом носителей заряда, то есть либо отверстиями, либо

Полевой транзистор

Это трехвыводной полупроводниковый прибор, в котором проводимость тока осуществляется одним типом носителей заряда , то есть либо дырками, либо электронами, и контролируется действием электрического поля. FET имеет высокое входное сопротивление и низкий уровень шума.

Полевые эффекты Транзистор

Строительство FET

A FET состоит из P-Ty-Dinction SILEPE. Стержень образует проводящий канал для носителей заряда. Когда линейный полевой транзистор n-типа, он называется n-канальный FET, а когда полоса FET p-типа, она называется p-channel FET. Два PN-перехода, составляющие диод, соединены внутри, а общий вывод называется затвором. Остальные клеммы полевого транзистора являются истоком и стоком, выведенными из шины. Таким образом, полевой транзистор имеет по существу три вывода, а именно затвор (G), исток (S) и сток (D).

Схематическое обозначение полевого транзистора

Схематическое обозначение полевого транзистора показано на рисунке. Вертикальную линию на символе можно представить как канал, к которому подключены исток и сток. Третьи конечные ворота соединены в центре вертикальной линии. В n-канальный полевой транзистор , затвор и канал от PN-перехода, стрелка затвора указывает внутрь, а в p-канальном полевом транзисторе затвор и канал от PN-перехода стрелка затвора указывает наружу.

Schematic symbol of FET

Working method

When a voltage (V _DS ) is applied between drain and source terminals and voltage on the gate is zero, the two Соединения PN по бокам стержня образуют обедненные слои. Электроны будут течь от истока к стоку через канал между обедненными слоями. Размер этих слоев определяет ширину канала и, следовательно, проводимость тока через стержень.

Когда между затвором и истоком подается обратное напряжение (V _GS ), ширина обедненных слоев увеличивается. Это уменьшает ширину проводящего канала, тем самым увеличивая сопротивление стержня n-типа. Постоянно ток от истока к стоку уменьшается. С другой стороны, при уменьшении обратного напряжения на затворе уменьшается и ширина обедненных слоев. Это увеличивает ширину канала проводимости и, следовательно, ток от истока к стоку.

Таким образом, очевидно, что ток от истока к стоку можно контролировать, прикладывая потенциал к затвору. Вот почему устройство известно как полевой транзистор (FET). Можно отметить, что полевой транзистор с p-каналом также работает аналогично полевому транзистору с n-каналом, за исключением того, что носителями тока в канале будут дырки, а не электроны, и все полярности будут изменены на противоположные.

Выходные характеристики полевого транзистора

Выходные характеристики FET представляет собой кривую, построенную между током стока и напряжением сток-исток полевого транзистора при постоянном напряжении затвор-исток.

Характеристики FET

Преимущества FET

A FET — это Valtage Controlse Complontys Controls Intropecty, в которой контролируется константная пристройка в входном управлении. Он сочетает в себе множество преимуществ как биполярного транзистора, так и вакуумного пентода. Некоторые из преимуществ FET являются:

1. Он имеет очень высокое входное сопротивление. Это обеспечивает высокую степень изоляции между входными и выходными цепями.

2. Работа полевого транзистора зависит от объемных носителей тока, которые не пересекают переходы.

3. Полевой транзистор имеет отрицательный температурный коэффициент сопротивления. Это позволяет избежать риска перегрева взлетно-посадочной полосы.

4. Полевой транзистор имеет очень высокий коэффициент усиления по мощности. Это устраняет необходимость использования ступеней драйвера.

5. Полевой транзистор имеет меньшие размеры, более длительный срок службы и высокую эффективность.

Читайте также

• Что такое стабилитрон?
• Стабилитрон в качестве регулятора напряжения
• Однополупериодный и двухполупериодный выпрямитель

Полевой транзистор — типы и работа

Полевой транзистор означает полевой транзистор. Полевой транзистор (FET) — это тип транзистора, который управляет потоком тока в полупроводнике с помощью электрического поля.

Полевые транзисторы представляют собой трехвыводные устройства с истоком, затвором и стоком. Приложение напряжения к затвору, которое изменяет проводимость между стоком и истоком, управляет протеканием тока в полевых транзисторах.

(Изображение будет загружено в ближайшее время)

Первый патент на полевые транзисторы был получен Джулиасом Эдгаром в 1926 году. С тех пор произошло много изменений. Другой патент был подан Оскаром Хейлом в 1934 году. Затвор, который используется в полевых транзисторах, был создан в Bell Labs Уильямом Шокли. За прошедшие годы в полевых транзисторах было сделано много других достижений.

Работа полевого транзистора

Полевой транзистор — это устройство, работающее от напряжения, в котором приложенное напряжение используется для управления протекающим током. Он также известен под названием униполярный транзистор, так как он работает по типу с одной несущей. Входное сопротивление высокое во всех формах и типах полевых транзисторов. Проводимость всегда регулируется с помощью приложенного напряжения с вывода полевого транзистора. Кроме того, плотность заряда носителей влияет на проводимость.

Полевой транзистор представляет собой устройство, состоящее из трех основных компонентов: истока, стока и затвора. Исток — это один из выводов полевого транзистора, через который на планку поступает большинство носителей. Слив — это второй терминал, через который проходит большинство перевозчиков. Gate имеет два терминала, которые внутренне связаны друг с другом.

Поскольку затвор полевого транзистора смещен в обратном направлении, ток затвора практически равен нулю. Подача стока подключена к терминалу истока, ведущему к потоку электронов, который обеспечивает необходимые носители.

Полевой транзистор — Типы и принципы его работы

Существует еще одно подразделение полевых транзисторов. В одном из типов ток потребляется в основном основными носителями и поэтому называется устройствами с основными носителями заряда. Существуют также устройства с неосновными носителями заряда, в которых протекание тока в основном связано с неосновными носителями.

Две клеммы, исток и затвор имеют потенциал между ними, который, в свою очередь, имеет проводимость канала как функцию от него. Три клеммы, то есть исток, сток и затвор, есть у каждого полевого транзистора. Функция терминала затвора аналогична затвору в реальной жизни, поскольку затвор может открываться и закрываться, а также может разрешать прохождение электронов или полностью их останавливать.

FETS классифицируются как:

1. Эффект соединения. представляет собой форму полевого транзистора, который можно использовать для электрического управления переключателем. Между истоками и выводами стока электрическая энергия проходит по активному каналу.

   Натяжение канала и отключение электрического тока подачей обратного напряжения смещения на вывод затвора.

   Принцип работы:

   Работа этих JFET основана на каналах, которые формируются между клеммами. Можно использовать либо канал n-типа, либо канал p-типа. Он называется n-канальным JFET, потому что у него есть канал n-типа, и он называется p-канальным JFET, потому что у него есть канал p-типа.

   Полевые транзисторы изготавливаются так же, как транзисторы N-P-N и P-N-P изготавливаются из BJT (транзистора с биполярным переходом). Эти JFET имеют канал, который может быть n- или p-типа.

   • Он классифицируется как n-канальный JFET или p-канальный JFET в зависимости от канала.

   • Клемма источника подключается к положительной стороне n-канального JFET.

   • В этом n-канальном полевом транзисторе вывод стока имеет наибольший потенциал по сравнению с затвором.

   • Соединение, создаваемое выводами стока и затвора, имеет обратное смещение. В результате область истощения вокруг стока шире, чем у истока.

   • Большинство носителей заряда, которые представляют собой электроны, текут от конечного стока к истоку.

   • По мере роста потенциала на стоке увеличивается поток носителей, а вместе с ним увеличивается и ток.

   • Однако, когда напряжения на стоке и истоке увеличиваются до определенного уровня, ток прекращается.

   • JFET хорошо известен своей способностью управлять током посредством приложения входного напряжения. У этого транзистора входное сопротивление максимально.

   • На клемме затвора нет текущих данных, когда полевой транзистор JFET находится в оптимальном режиме.

   Так работает n-канальный JFET. Только изменение полярности источников питания заставляет полевой транзистор работать как p-канальный JFET.

   2. Металлооксид-полупроводниковый полевой транзистор (МОП-транзистор)

   МОП-транзисторы работают путем подачи напряжения на каналы, которые уже существуют или формируются. Полевые МОП-транзисторы делятся на два типа в зависимости от режимов работы:

   • Истощение

   • Расширение

   В режиме расширения напряжение затвора индуцирует канал, тогда как в режиме истощения полевой МОП-транзистор работает за счет существующего канала.

   Существует два типа моделей истощения MOSFET: n-типа и p-типа. Единственная разница заключается в нанесении субстрата. Формирование зоны обеднения обусловлено концентрацией носителей, предпочитаемой большинством. На проводимость влияет ширина истощения.

   Канал формируется в расширенном режиме, когда напряжение, подаваемое на вывод затвора, превышает пороговое значение. Это может быть n-тип для подложки P-типа и p-тип для подложки N-типа. Режим улучшения классифицируется как улучшенный MOSFET N-типа или улучшенный MOSFET P-типа в зависимости от формирования канала. МОП-транзисторы типа расширения используются чаще, чем транзисторы типа истощения.

   Разница между FET и MOSFET

   Основное различие между двумя основными типами FET-транзисторов — JFET и MOSFET — заключается в том, что JFET (Junction Field Effect Transistor) представляет собой полупроводниковое транзистор) представляет собой полупроводниковый прибор с четырьмя выводами. JFET может работать только в режиме истощения. В то время как MOSFET может работать как в режиме улучшения, так и в режиме истощения. Входное сопротивление выше у MOSFET, что делает их более резистивными. По сравнению с ценой MOSFET дороже, чем JFET.