Site Loader
Posted on 24.06.2023

Содержание

19 .Полевые транзисторы. Классификация.

Полевой транзистор — полупроводниковыйприбор, в котором токизменяется в результате действия перпендикулярного электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание  рабочего тока в полевом транзисторе обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками).

Классификация полевых транзисторов

По физической структуре и механизму работы полевые транзисторы условно делят на две группы. Первую образуют транзисторы с управляющим р-n переходом или переходом металл — полупроводник, т.н. барьер Шоттки, вторую — транзисторы с управлением посредством изолированного электрода (затвора), т.н. МДП-транзисторы (металл — диэлектрик – полупроводник)

Вопрос № 20

          С каналом n-типа                  С каналом p-типа

З — затвор, И — исток, С — сток

Рис.  1. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом

21 Полевой транзистор с изолированным затвором (мдп). Классификация.

Полевой транзистор с изолированным затвором (МДП). Классификация.

Полевой транзистор с изолированным затвором – это транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от проводящего канала.

Дальнейшим развитием полевых транзисторов являются транзисторы с изолированным затвором. У них металлический затвор отделен от полупроводникового канала тонким слоем диэлектрика. Поскольку металлический затвор отделен от полупроводника слоем диэлектрика, то входное сопротивление таких транзисторов велико (для современных транзисторов достигает ).

Полевые транзисторы с изолированным затвором бывают двух типов:

Структура в обоих типах полевых транзисторов с изолированным затвором одинакова: металл – окисел (диэлектрик) – полупроводник, то такие транзисторы еще называют МОП-транзисторами (метал – окисел – полупроводник) или МДП-транзисторами (металл – диэлектрик – полупроводник).

22 Мдп транзистор со встроенным каналом. Принцип действия. Вах. Уго. Параметры.

МДП транзистор со встроенным каналом. Принцип действия.

Рисунок 1 — p-канальный МДП транзистор. б) – со встроенным каналом

В связи с наличием встроенного канала в таком МДП-транзисторе при нулевом напряжении на затворе (рис. 1 б. ) поперечное сечение и проводимость канала будут изменяться при изменении напряжения на затворе как отрицательной, так и положительной полярности. Таким образом, МДП-транзистор со встроенным каналом может работать в двух режимах: в режиме обогащения и в режиме обеднения канала носителями заряда. Недостатки таких транзисторов:

В связи с наличием встроенного канала в таком МДП-транзисторе при нулевом напряжении на затворе (см. рис. 2, б) поперечное сечение и проводимость канала будут изменяться при изменении напряжения на затворе как отрицательной, так и положительной полярности.

Эта особенность МДП-транзисторов со встроенным каналом отражается и на смещении выходных статических характеристик при изменении напряжения на затворе и его полярности.

Статические характеристики передачи выходят из точки на оси абсцисс, соответствующей напряжению отсечки UЗИотс, то есть напряжению между затвором и истоком МДП-транзистора со встроенным каналом, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.

Формулы расчёта в зависимости от напряжения UЗИ

1. Транзистор закрыт

Пороговое значение напряжения МДП транзистора

2. Параболический участок.

-удельная крутизна транзистора.

3. Дальнейшее увеличение U3u приводит к переходу на пологий уровень.

— Уравнение Ховстайна.

ВАХ

Рассмотрим принцип действия этого МДПтранзистора, воспользо­вавшись его вольт-амперными характеристиками (рис. 28). В за­висимости от величины и полярности напряжения можно выделить три режима работы МДПтранзистора;

1. Uзи=О . Через МДПтранзистор течет ток стокаIc, оп­ределяемый исходной проводимостью канала. 2.

Uзи>О Положительное напряжение, приложенное к затво­ру относительно истоке и подложки, будет притягивать в канал до­полнительные электроны из подложки. Вследствие этого количество основных носителей заряда (электронов) в токопроводящем канале увеличивается, а его общая проводимость и ток стока Icвозрас­тают. Стоковые характеристики при Uзи>Орасполагаются выше характеристики Uзи=О Транзистор работает в режиме обогащения.

3. Uзи<О Отрицательное напряжение, приложенное к затвору относительно истока и подложки, отталкивает из канала электро­ны и притягивает из подложки дырки, т.е. обедняет канал основ­ными носителями и уменьшает его проводимость.

Ток стока Icпри этом уменьшается. При некотором отрицательном напряжении U канал меняет электропроводность с электронной не дыроч­ную, и ток Ic=0. Стоковые характеристики при Uзи<О располагаются ниже характеристики Uзи=О ,Транзистор работает в режиме обеднения.

Таким образом,МДПтранзистор с встроенным каналом в отличие от ПТ с р-п переходом может работать при разной полярности входного напряжения Uзи , что отчетливо видно при сравнение их стоково-затворными характеристиками.

Вольт амперные характеристики МДПтранзистора с встроенным каналом : а-выходная , б-входная

УГО

Это БЕЗ выводом

  со встроенным p-каналом обедненного типа

со встроенным n-каналом обогащенного типа

с индуцированным p-каналом обогащенного типа

с индуцированным n-каналом обогащенного типа

Параметры

Основные параметры МДПтранзисторов аналогичны параметрам ПТ о р-п переходом и имеют тот же физический смысл. Только в МДПтранзис торах с индуцированным каналом вместо параметра напряжения отсечки U вводят параметр — пороговое напряжение затвора U . Наличие диэлектрика, изолирующего затвор от канала, увеличивает на несколько порядков входное сопротивление МДП транзисторов (до 10х5 Ом). 23 МДП транзистор с индуцированным каналом. Принцип действия. ВАХ. УГО. Параметры.

МДП транзистор с индуцированным каналом. Принцип действия

Различают две разновидности МДП (МОП) транзисторов: с индуцированным каналом, со встроенным каналом. Рисунок 1 — p-канальный МДП транзистор. а) – с индуцированным каналом

При отрицательном потенциале на затворе (рис.1 а. ) в результате проникновения электрического поля через диэлектрический слой в полупроводник при малых напряжениях на затворе (меньших UЗИ пор) у поверхности полупроводника под затвором возникает обеднённый основными носителями слой и область объёмного заряда, состоящая из ионизированных нескомпенсированных примесных атомов.

При напряжениях на затворе, больших UЗИ пор, у поверхности полупроводника под затвором возникает инверсный слой, который и является каналом.

Вах

Стоковые (выходные) вольт-амперные характеристики транзистора с индуцированным каналом приведены на рис. 5.5, а. Они близки по виду аналогичным характеристикам транзистора со встроенным каналом и имеют тот же характер зависимости . Отличие заключается в том, что управление током  транзистора осуществляется напряжением только положительной полярности, совпадающей с полярностью напряжения . Ток стока  равен нулю при , в то время как в транзисторе со встроенным каналом для этого необходимо изменить полярность напряжения на затворе относительно истока.

 

 

 

Рис. 5. 5. Характеристики транзистора с индуцированным каналом:

а – стоковые характеристики; б – стоко-затворная характеристика

Вид стоко-затворной характеристики транзистора с индуцированным каналом  показан на рис. 5.5, б. В отличие от транзистора со встроенным каналом, характеристика имеет только одну ветвь, соответствующую только режиму обогащения.

УГО

Это БЕЗ выводом

  со встроенным p-каналом обедненного типа

со встроенным n-каналом обогащенного типа

с индуцированным p-каналом обогащенного типа

с индуцированным n-каналом обогащенного типа

Параметры

Основные параметры МДПтранзисторов аналогичны параметрам ПТ о р-п переходом и имеют тот же физический смысл. Только в МДПтранзис торах с индуцированным каналом вместо параметра напряжения отсечки U вводят параметр — пороговое напряжение затвора U . Наличие диэлектрика, изолирующего затвор от канала, увеличивает на несколько порядков входное сопротивление МДП транзисторов (до 10х5 Ом).

Полевые транзисторы — презентация онлайн

Похожие презентации:

3D печать и 3D принтер

Видеокарта. Виды видеокарт

Анализ компании Apple

Трансформаторы тока и напряжения

Транзисторы

Устройство стиральной машины LG. Электрика

Конструкции распределительных устройств. (Лекция 15)

Электробезопасность. Правила технической эксплуатации электроустановок

Магнитные пускатели и контакторы

Работа на радиостанциях КВ и УКВ диапазонов. Антенны военных радиостанций. (Тема 5.1)

Полевые
транзисторы
Идея полевого транзистора
была предложена Юлием
Эдгаром
Лилиенфельдом(1882-1963)
в 1926—1928 годах.
Ю.Э. Лилиенельд
Первый
работающий
прибор этого типа
— 1960 год
Полевой транзистор — – это
полупроводниковый прибор,
усилительные свойства
которого обусловлены потоком
основных носителей заряда,
протекающим через
токопроводящий канал, и
управляемым электрическим
полем.

4. Полевые транзисторы —

Полевые транзисторы Полевые
транзисторы
называют также
униполярными, так
как в процессе
протекания
электрического тока
участвует только один
вид носителей.
Внешний вид

5. Классификация

ПТ с управляющим p-n-переходом
Все полярности напряжений смещения,
подаваемых на электроды транзисторов с n- и с
p-каналом, противоположны.

7. Полевой транзистор с p-n-переходом

Полевой транзистор с p-nпереходом

8. УГО ПТ с управляющим переходом

n-канальный
p-канальный
источник носителей тока,
управляющий электрод ( на него
подают управляющее напряжение)
Исток —
управляющий электрод,
служащий для регулирования
поперечного сечения канала
Затвор —
Сток — электрод,
куда стекают носители
и с которого снимается выходной ток
• Управление током стока, то есть
током от внешнего относительно
мощного источника питания в цепи
нагрузки, происходит при
изменении обратного напряжения
на p-n переходе затвора (или на
двух p-n переходах одновременно).
• В связи с незначительностью
обратных токов p-n перехода
мощность, необходимая для
управления током стока и
потребляемая от источника
сигнала в цепи затвора,
оказывается ничтожно малой.

12. Принцип включения

И-С
включается
так, что бы
основные
носители в
канале
двигались от И
кС

13. Принцип действия

ПТ с управляющим
переходом заключён в
изменении
площади сечения
канала под
воздействием
поля, возникающего
при подаче
напряжения между
затвором и истоком.

14. Режимы работы


Режим насыщения
Режим обеднения
Режим отсечки

15. Режим насыщения

Пока между затвором и истоком не подано
напряжение управления,
• под воздействием внутреннего поля
электронно-дырочных переходов З и И
заперты,
• сечение канала наиболее велико,
• Сопротивление канала низкое,
• ток стока транзистора максимален.
Напряжение затвор-исток, при котором ток
стока наиболее велик, называют напряжением
насыщения.

16. Режим обеднения

Между затвором и истоком приложено
небольшое напряжение, ещё немного
закрывающее p-n переходы,
• Зоны, к которым подсоединён затвор
обеднены носителями заряда,
• размеры объёмного заряда зон, к которым
подсоединён затвор возрастут, частично
перекрывая сечение канала,
• сопротивление канала возрастает, и сила тока
стока уменьшается.
Обеднённые носителями заряда
области почти не проводят
электрический ток, причём
эти области неравномерны по
длине пластины
полупроводника.
— у торца пластинки
(вывод стока)
обеднённые
носителями заряда
области будут
наиболее
перекрывать канал
— у противоположного
торца (вывод
истока), снижение
площади сечения
канала будет
наименьшим.

19. Режим отсечки

Если приложить ещё большее напряжение
между затвором и истоком,
• то области, обеднённые носителями заряда,
станут столь велики, что сечение канала
может быть ими полностью перекрыто.
• При этом сопротивление канала будет
наибольшим, ток стока будет практически
отсутствовать.
• Напряжение затвор-исток, соответствующее
такому случаю, именуют напряжением
отсечки.

20. Характеристики ПТ

Стокозатворная
характеристика
зависимость Ic от
Uзи при
фиксированном
напряжении стокисток
Uси = const.

21. Характеристики ПТ

Семейство
стоковых
характеристик
зависимости Ic от Uси
при фиксированных
стабильных напряжениях
затвор-исток
Uзи = const.

22. Схемы включения ПТ

Схема с ОИ
— на практике чаще
всего применяется,
— аналогичная схеме на
биполярном транзисторе
с общим эмиттером
(ОЭ).
Каскад с общим
истоком даёт очень
большое усиление
тока и мощности

24. Схемы включения ПТ

Схема с ОС
Применяется для
согласования
цепей
усилительных
каскадов
Истоковый
повторитель
µ (U) < 1
R (вх) высокое

27.

Схемы включения ПТСхема с ОЗ
— аналогична схеме с общей
базой (ОБ) БТ.
— каскад ОЗ обладает низким
входным сопротивлением, в
связи с чем он имеет
ограниченное практическое
применение в усилительной
технике.
Она не даёт усиления тока,
усиление мощности во
много раз меньше, чем в
схеме ОИ
ПТ с изолированным затвором
В соответствии с их структурой такие
транзисторы называют
МДП-транзисторами (металл-
диэлектрик-полупроводник)
или
МОП-транзисторами (металлоксид-полупроводник).
SiO2

30. ПТ с изолированным затвором

это полевой
транзистор,
затвор
которого
отделён в
электрическом
отношении от
канала слоем
диэлектрика
и, следовательно, заметный ток стока
появляется только при определённой
полярности и при определённом
значении напряжения на затворе
относительно истока, которое
называют
пороговым напряжением
(UЗИ пор).

32. В МОП-транзисторах со встроенным каналом

(рис. б)
у поверхности
полупроводника
под затвором при
нулевом
напряжении на
затворе
относительно
истока существует
инверсный слой —
канал, который
соединяет исток со
стоком.

33. УГО МДП-транзистора со встроенным каналом

n-типа (а)
и
p-типа (б)

34. Выходные статические (a) и сток-затворная характеристики (b) МДП-транзистора со встроенным каналом.

35. В МОП-транзисторах с индуцированным каналом

(рис. а)
проводящий
канал между
сильнолегирова
нными
областями
истока и стока
отсутствует

36. УГО МДП-транзистора с индуцированным каналом

n-типа
(а) и
p-типа
(б)

37. Статические характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом

38. Получение МДП структуры

В кристалле полупроводника с
относительно высоким удельным
сопротивлением, который называют
подложкой, созданы две
сильнолегированные области с
противоположным относительно подложки
типом проводимости.
На эти области нанесены металлические
электроды — исток и сток. Расстояние
между сильно легированными областями
истока и стока может быть меньше
микрона.
Поверхность кристалла
полупроводника между истоком и
стоком покрыта тонким слоем
(порядка 0,1 мкм) диэлектрика.
Так как исходным полупроводником
для ПТ обычно является кремний, то
в качестве диэлектрика
используется слой двуокиси
кремния SiO2, выращенный на
поверхности кристалла кремния
путём высокотемпературного
окисления.
На слой диэлектрика нанесён
металлический электрод —
затвор.
Получается структура,
состоящая из металла,
диэлектрика и полупроводника.
Поэтому полевые транзисторы
с изолированным затвором
часто называют МДПтранзисторами.

41. От БТ полевой транзистор отличается

во-первых, принципом
.
действия:
в биполярном транзисторе управление
выходным сигналом производится
входным током,
а в полевом транзисторе — управление
выходным сигналом производится
входным напряжением или
электрическим полем

42.

От БТ полевой транзистор отличаетсяВо-вторых, полевые
транзисторы имеют
значительно
большие входные
сопротивления, что
связано с обратным
смещением p-n-перехода
затвора в ПТ с управляющим
переходом

43. От БТ полевой транзистор отличается

В-третьих, полевые
транзисторы
могут обладать низким уровнем
шума (особенно на низких
частотах), так как в полевых транзисторах не
используется явление инжекции неосновных носителей
заряда и канал полевого транзистора может быть отделён от
поверхности полупроводникового кристалла.
• Процессы рекомбинации носителей в p-n переходе и в
базе биполярного транзистора, а также генерационнорекомбинационные процессы на поверхности кристалла
полупроводника сопровождаются возникновением
низкочастотных шумов.

44. Особенности ПТ

• 1. Практически полное отсутствие тока во входной
цепи затвора, что устраняет нелинейные искажения
управляющего напряжения на затворе.
• 2. Низкий уровень нелинейных искажений при
использовании транзисторов в схемах
преобразователей частоты.
• 3. Большое разнообразие проходных характеристик,
расширяющее функциональные возможности
транзисторов.
• 4. Температурная стабильность режима.
• 5. Способность работы в условиях сверхнизких
температур.
Применение полевых транзисторов
• схемы ждущих и
следящих устройств
• схемы малого
потребления и
энергосбережения
• радиопередающие
устройства
• звуковые усилители
• сенсорные датчики

46. Область применения

• широко используются в цифровых и аналоговых
интегральных схемах.
• потребляют значительно меньше энергии, что
особенно актуально в схемах ждущих и следящих
устройств, а также в схемах малого потребления и
энергосбережения (реализация спящих режимов)
• наручные кварцевые часы и пульт дистанционного
управления для телевизора

47. Область применения

• В радиопередающих устройствах позволяет получить
повышенную частоту спектра излучаемых радиосигналов,
уменьшить уровень помех и повысить надёжность
радиопередатчиков
• В силовой электронике мощные полевые транзисторы успешно
заменяют и вытесняют мощные биполярные транзисторы
• В преобразователях частоты они позволяют на 1-2 порядка
повысить частоту преобразования и резко уменьшить габариты и
массу энергетических преобразователей
Преимущества полевых
транзисторов
перед биполярными:
• способен работать при малом
значении напряжения стокисток (так как нет инжекции
неосновных носителей)
• маленькое сопротивление в
открытом состоянии
• выше температурная
стабильностьуправляется не
током, а напряжением
• отсутствие накопленного
заряда
• ПТ
• БТ
Спасибо за
внимание

English     Русский Правила

Transistor Transition (редакция Хьюго Гернсбака), февраль 1953 г.

Radio-Electronics

Февраль 1953 г. Радиоэлектроника

[Оглавление]

Восковая ностальгия и изучение истории ранней электроники. См. статьи из Радиоэлектроника , опубликовано 1930-1988 гг. Настоящим признаются все авторские права.

Хьюго Гернсбак был известен не только за его техническое мастерство, но и за сверхъестественную способность предсказывать будущее развитие в электронике, транспорте и методах производства. Не прошло и трех лет с тех пор, как господа Бардин, Шокли и Браттейн объявили об изобретении транзистора когда эта редакционная статья под названием «Транзисторный переход» появилась в Радиоэлектроника журнал. Гернсбак упоминает концепцию «прикладных схем» (т. Е. Печатных схем). транзисторные кинескопы (т. е. гибкие дисплеи) и «карманные дисплеи». радиоприемники», которые можно поднести к уху. Производство цены на транзисторы в то время составляли около 8 долларов за штуку. эквивалент с поправкой на инфляцию в размере 76 долларов США в 2018 году. В этой ценовой категории кто мог обвинить сторонников ламп и транзисторов в том, что они отрицают возможность транзисторы когда-нибудь заменят лампы? Как мы теперь знаем, затраты быстро снижались, что в итоге привело к переход от электронных ламп (они же «клапаны») к транзисторам неизбежен. В этом же выпуска, врезка под названием «Все транзисторные Телевизионный приемник, показанный RCA». Мяч уже покатился.

От редакции: Transistor Transition

Транзистор скоро будет готов изменить промышленность…

Хьюго Гернсбак

Эволюционный путь радионауки усеян рядом вех. Самый ранний известный большинству из нас искровой передатчик и когерер «беспроводных» дней, с помощью которых были отправлены и получены первые коммерческие сигналы. Когерер был вскоре заменяется кристаллодетектором и другими выпрямляющими устройствами, а искровой передатчик была частично вытеснена дугой и генератором.

Когда электровакуумная лампа триумфально и революционно вышла на рынок — расширение радио до такой степени, что даже самые смелые его сторонники никогда не предполагали — все эти более ранние устройства были обречены. Сначала в приемниках, а чуть позже в передатчиках, электровакуумная лампа стала верховной, и с 1907 года до настоящего времени доминирует индустрия.

Даже когда телевидение ворвалось на сцену, принеся с собой еще одну новую эру — электронная лампа по-прежнему оставалась важнейшим компонентом телевизионных передатчиков и приемники, уступающие только электронно-лучевому кинескопу (сама вакуумная трубка из специального тип).

С недавним появлением транзистора электронные лампы в обозримом будущем будущее будет в затмении, хотя они всегда будут с нами. Транзисторы никогда не будут полностью вытеснить вездесущую электронную лампу.

Скоро наступит время, когда транзистор начнет революцию в радиоэлектронике промышленность. Это произойдет раньше, чем ожидали даже его изобретатели. Вскоре после с появлением транзистора образцы ручной работы продавались по цене около 18 долларов за штуку. Совсем недавно цена была около $8.00. Это, естественно, только начало. Определенно, что транзисторы, когда, наконец, начнется массовое производство, они будут продаваться по более низкой цене, чем современные электронные лампы.

По этой причине всем нам в отрасли следует задуматься о том, как транзистор повлияет на и действительно произвели революцию в большинстве областей радиоэлектроники.

Сегодня никто не сомневается, что в будущем радио- и телевизионные приемники будут оснащаться транзисторами; действительно, эта тенденция определенно будет непреодолимой по многим причинам. Не требующий нагрева элементы, будет большая экономия электрического тока. Размер радио и телевидения наборы значительно сократятся. Так же как и их вес, а главное, много при изготовлении приемников потребуется меньше труда. Таким образом, они могут быть проданы по более низкой цене. цена, чем в настоящее время.

Транзисторы должны прослужить долго ибо нечему там изнашиваться и там наверное будет меньше замен. Радио и телевизоры не нагреваются везде, как наши современные. Следовательно, такие детали, как резисторы и конденсаторы не будет так склонен к дефектам из-за теплового воздействия. В дополнение к использованию транзисторы, накладные схемы — так называемые печатные схемы — также наверняка использоваться в ближайшем будущем, что еще больше удешевляет такие приемники. Вот вам и современный набор.

Однако в будущем у нас будет много других более важных новых устройств. я ссылаюсь к мини-радиоприемникам, которые нельзя было экономично производить с электронными лампами. Сейчас с транзисторами, получающими малый ток от низковольтных батарей, радиоприемники размером спичечного коробка и меньше, наверняка будут сделаны в будущем. Общественность всегда проявляли большой интерес к карманным или сумочным радиоприемникам. Выпускаемые серийно, они может быть продан по очень разумной цене и удовлетворит четкую потребность. Как наша цивилизация становится все более сложным, люди, где бы они ни находились, хотят получать мгновенные новости, сводки времени и погоды, а также другие спецслужбы. Эти станции г. будущее обеспечит. Такие маленькие карманные радиоприемники нужно просто поднести к уху, чтобы принять местные радиостанции мгновенно.

Другие минирадио, размером с перьевую ручку, уже предсказанные писателем в Апрельский номер этого журнала 1946 года станет обычным явлением. То же самое относится и к размеру часов. и радиоприемники для наручных часов, а также другие миниатюрные типы персональных приемников. Миллионы будет продан.

Транзисторный телевизионный приемник больше не является предсказанием будущего. Совсем недавно Радиокорпорация Америки разработала портативный телевизионный приемник, показали прессе в ноябре прошлого года. По общему признанию, лабораторный трюк — продемонстрировать, что можно было сделать с помощью транзисторов — в этом приемнике не было электронных ламп, но он имеют обычный тип электронно-лучевого телевизионного кинескопа.

Возникает вопрос: возможно ли будет когда-нибудь создать что-то вроде транзистора? трубка с изображением? Мы считаем, что это определенно относится к сфере будущих возможностей. Если это вызывает сомнения, достаточно изучить человеческий глаз, который, как и транзистор, работает на минимальном количестве электрического тока. Процессы видения, как учёные поддерживать, является электрохимическим. Казалось бы, вполне возможно, что в будущем какие-то такие устройство может быть изготовлено. Его размеры, вероятно, будут намного меньше, чем нынешние. тип электронно-лучевой трубки. Он не может быть больше в любом измерении, чем 2 дюйма. Это означает что это должно быть устройство проекционного типа, выбрасывающее изображение или картинку на небольшой портативный экран, который можно свернуть или сложить, когда нужно просмотреть программу.

Какое место в этой сложной отрасли будущего занимает специалист по обслуживанию? Начать с, весь технический прогресс постепенен. Миллионы современных радио и телевидения комплекты все равно придется обслуживать в течение нескольких десятилетий. Транзисторные наборы будущего не потребует такого обслуживания, как современные приемники. На с другой стороны, несомненно, что радиостанций будет в три-пять раз больше. и телевизоры, как у нас сейчас. Следовательно, даже если процент поломки меньше, сервисные специалисты все еще будут заняты, пытаясь предоставить адекватное обслуживание в будущем. По сути, должно быть еще много тысяч сервисов. техников через двадцать лет, чем мы имеем сейчас, если они хотят не отставать от работа.

Техник по обслуживанию также должен будет изменить свое мышление и свои методы, когда речь идет об обслуживании транзисторных приемников. Ему придется полностью перевоспитать себя к новой тенденции, точно так же, как ему пришлось переориентироваться, когда на сцене появилось телевидение. В этом он получит огромную пользу. В общем, сервисный техник будущего будет намного лучше и точнее, чем когда-либо прежде, и мы уверены, его способности зарабатывать также будут значительно увеличены.

 

 

Опубликовано 14 августа 2018 г.

Являются ли полевые транзисторы на основе графена жизнеспособной альтернативой? Адриен Гюго, Тереза ​​Родригес, Джулия Мадер, Вольфганг Нолл, Винсент Бушиа, Рабах Букерруб, Сабина Шунериц :: SSRN

22 страницы Опубликовано: 8 ноября 2022 г.

Просмотреть все статьи Адриана Хьюго