Datasheet на 2N2222 транзистор (PDF)

Главная » Datasheet

На сегодняшний день существует 21 производитель транзистора 2N2222, в списке мы предоставили Datasheet от каждого в формате PDF. Вы можете скачать, нажав на соответствующий значок.

Наиболее распространёнными из них являются NXP Semiconductors, Multicomp, Continental Device India Limited, Semtech Electronics, Inchange Semiconductor Company Limited. Если вам нужен datasheet от 2N2222 на русском то он представлен на этой странице.

Логотип	Производитель	Datasheet
	Central Semiconductor
	ARTSCHIP ELECTRONICS
	TTELEC Electronics
	Seme LAB
	Micro Electronics
	Nanjing International Group Co
	Fairchild Semiconductor
	Surge Components
	Semicoa Semiconductor
	Comset Semiconductor
	Foshan Blue Rocket Electronics
	ON Semiconductor
	Siemens Semiconductor
	New Jersey Semi-Conductor Products
	Micro Commercial Components (MCC)
	Inchange Semiconductor Company Limited
	Semtech Electronics
	Continental Device India Limited
	STMicroelectronics
	NXP Semiconductors
	Datasheet Multicomp

На нашем сайте ShemaTok. ru вы найдёте техническую документацию от любого интересующего вас радиоэлемента, пользуйтесь поиском на сайте он отлично работает.

УОУ | Открытый университет Уттаракханда

Перейти к основному содержанию

Что нового

Уведомления

  Загрузить допуск к экзамену , февраль-март 2023 г. | UGC Public Notice: Equivalence of degree obtained through ODL

• Announcements
• Admission
• Exam
• Workshops

• ग्रीष्‍मकालीन परीक्षा सत्र जून -2022 से संबंधित (माह अगस्‍त-सितम्‍बर 2022 )में सम्पन्न हुई परीक्षाओं के

• ग्रीष्‍मकालीन प000 सत्रीष22 से संबंधित संबंधित संबंधित संबंधित संबंधित संबंधित संबंधित संबंधित संबंधित संबंधित संबंधित संबंधित संबंधित संबंधित संबंधित संबंधित संबंधित संबंधित संबंधित म म000

• प्रयोगात्‍मक प выполнительный

• जनवरी सत्र के प्रवेश की अन्तिम तिथि 31 मार्9 6 02च0

• इतिहास विभाग की शोध सलाहकाструв

• Уведомление о собрании RDC для отдела.

  физики

Подробнее

• जनवरी सत ударя
• दिनांक 01 जनवरी 2023 से विश्‍वविद्यालय के सभी पाठ्यक्en
• विषय: सभी पाठ्यक्रमों में प्रवेश तिथि विस्‍तार के सम्‍बन्‍ध में
• Академический календарь 2022-23
• Проспект о приеме Сентябрь 2022 г.
• Данные о приеме Сентябрь-2021

Подробнее

• ग्रीष्‍मकालीन प выполнительный
• ग्रीष्‍मकालीन परीक्षा सत्रीष22 से संबंधित संबंधित संबंधित संबंधित (माह अगस्‍त -सितम Вибра 2022) में सम्पन्न हुई परीक्षाओं के स स्कраться
• Уведомление о экзамене: प्रश्न पत्र सं 0 MIT (CS) -105/ FCS/ CEGCS-050016
• दिनांक 27 फरवरी 2023 से आयोजित होने वाली परीक्षाओं हेतु प выполнение
• दिनांक 27 फ000 2023 से होने होने वाली प выполнительный
• शीतकालीन प выполнительный

подробнее

• Детали музыкальной мастерской MA | 15. 02.2023
• Расписание семинаров для магистров/магистров наук. I семестр (факультет математики) | 15.02.2023
• Расписание BA Music Workshop — приемная сессия ЯНВАРЬ 2022 г. (с 02.02.23 по 02.08.23) | 01.02.2023
• Мастер-класс по домашним наукам и уведомление Viva | 21.01.2023
• Уведомление о расписании практических занятий и семинаров для Школы библиотечных и информационных наук | 17.01.2023
• График семинаров и практических занятий для БЛИС-104 | 16.01.2023

more

Lt. Gen. Gurmit Singh, PVSM, UYSM, AVSM, VSM (Retd.)
Governor of Uttarakhand and Chancellor of University

Prof. Om Prakash Singh Negi
Vice Chancellor

Important Dates

1 января

Вход. Начало: январь-2023

31 марта

0005

UOU в печати

• यू ओ में में ऑनलाइन कार похоже на 23 से

  Hindustan: 19 января, 2023

• यू ओ यू में नई शिक्षा नीति पर हुई चर्चा ; मुक्त वि वि के पाठ्यक्रम में कुमाउनी शामिल

  : 19 января, 2023

• हल्द्वानी में धूमधाम से मन|0087

• यू ओ यू का सातवाँ दीक्षांत समारोह आज ; 18 हजार छात्रों को बांटी जाएंगी डिग्रियां

  : 11 января, 2023

• यूओयू क|

далее

Горячая линия распространения книг

(время работы: с 10:00 до 17:00: пн-сб)

Имя	Регион	Номер телефона
Г-н Нарендра Бхандари	Паури и Уттаркаши	9568507027
Г-н Йогеш Мишра	Дехрадун и Питорагарх	9639434331
Г-н Панкадж Бишт	Рурки и Раникет	9639157777
Г-н Камаль Панвар	Халдвани и Багешвар	8006969541
Г-н Пуран Лал Шах Шах	Центр изучения моделей (16000) и ежедневный выпуск	8909967659

Контактное лицо:  05946-286021    

Электронная почта: [email защищен]

Последние события

विश्वविद्यालय को पुन выполнительный0005

National Nutrition Week 1-7 Sept 2022

Suicide prevention week 2022

आज़ादी का अमृत महोत्सव कार्यक्रम: काव्य पाठ

76th Independence Day Celebration 2022

Yoga Day 2022 Celebration

Environment Day 2022

Yoga Workshops Press News

Для административных вопросов:

Открытый университет Уттаракханда

Behind Transport Nagar, Vishwavidyalaya Marg,
Haldwani (Nainital) 263139Uttarakhand

Toll Free :  1800 180 4025
Operator :  05946-286000

---

Admissions :  05946286002

---

Book Distribution Unit :  05946-286001

---

Exam Section :  05946-286022

---

Факс: 05946-264232

Определение, принцип работы, типы, схема транзистора

Что такое транзистор? Транзистор — это тип полупроводникового устройства, которое можно использовать как для проведения, так и для изоляции электрического тока или напряжения. Транзистор в основном действует как переключатель и усилитель. Простыми словами можно сказать, что транзистор — это миниатюрное устройство, которое используется для контроля или регулирования потока электронных сигналов.

Транзисторы

являются одним из ключевых компонентов большинства современных электронных устройств. Разработанный в 1947 году тремя американскими физиками Джоном Бардином, Уолтером Браттейном и Уильямом Шокли, транзистор считается одним из самых важных изобретений в истории науки.

Содержание

• Части транзистора
• Типы транзисторов
• Как работают транзисторы?
• Характеристики транзистора
• Преимущества транзистора

Детали транзистора

Типичный транзистор состоит из трех слоев полупроводниковых материалов или, точнее, выводов, которые помогают подключаться к внешней цепи и проводить ток. Напряжение или ток, подаваемый на любую пару выводов транзистора, регулирует ток через другую пару выводов.

Есть три вывода для транзистора. Они:

• База: Используется для активации транзистора.
Коллектор
• : это положительный вывод транзистора.
• Эмиттер: это отрицательный вывод транзистора.

Основной принцип работы транзистора основан на управлении потоком тока через один канал путем изменения интенсивности очень малого тока, протекающего по второму каналу.

Читайте также:

• Транзистор в качестве переключателя
• Транзистор в качестве усилителя

Типы транзисторов

В зависимости от того, как они используются в схеме, различают в основном два типа транзисторов.

Биполярный переходной транзистор (BJT)

Три вывода BJT: база, эмиттер и коллектор. Очень маленький ток, протекающий между базой и эмиттером, может управлять большим током между коллектором и терминалом эмиттера.

Кроме того, существует два типа BJT. К ним относятся;

• Транзистор P-N-P: это тип BJT, в котором один материал n-типа вводится или помещается между двумя материалами p-типа. В такой конфигурации устройство будет управлять потоком тока. Транзистор PNP состоит из 2 кварцевых диодов, соединенных последовательно. Правая и левая стороны диодов известны как диод коллектор-база и диод эмиттер-база соответственно.

• Транзистор N-P-N: в этом транзисторе мы найдем один материал p-типа, который присутствует между двумя материалами n-типа. Транзистор N-P-N в основном используется для усиления слабых сигналов до сильных сигналов. В транзисторе NPN электроны перемещаются из области эмиттера в область коллектора, что приводит к образованию тока в транзисторе. Этот транзистор широко используется в схеме.

Существует три типа конфигурации: общая база (CB), общий коллектор (CC) и общий эмиттер (CE).

В конфигурации с общей базой (CB) клемма базы транзистора является общей между входной и выходной клеммами.

В конфигурации с общим коллектором (CC) клеммы коллектора являются общими для входных и выходных клемм.

В конфигурации с общим эмиттером (CE) клемма эмиттера является общей между входной и выходной клеммами.

Полевой транзистор (FET)

Для полевого транзистора три клеммы: затвор, исток и сток. Напряжение на клемме затвора может управлять током между истоком и стоком. FET представляет собой униполярный транзистор, в котором N-канальный FET или P-канальный FET используется для проводимости. Основные области применения полевых транзисторов — в малошумящих усилителях, буферных усилителях и аналоговых переключателях.

Другие типы

Помимо этого, существует много других типов транзисторов, включая MOSFET, JFET, биполярный транзистор с изолированным затвором, тонкопленочный транзистор, транзистор с высокой подвижностью электронов, полевой транзистор с перевернутой буквой T (ITFET), быстрообратный эпитаксиальный диод. полевой транзистор (FREDFET), транзистор Шоттки, туннельный полевой транзистор, органический полевой транзистор (OFET), диффузионный транзистор и т. д.

Как работают транзисторы?

Давайте посмотрим на работу транзисторов. Мы знаем, что BJT состоит из трех выводов (эмиттер, база и коллектор). Это управляемое током устройство, в котором внутри биполярного транзистора существуют два PN-перехода.

Один P-N переход существует между эмиттером и базовой областью, а второй переход существует между коллектором и базовой областью. Очень небольшое количество тока, протекающего через эмиттер к базе, может контролировать достаточно большое количество тока, протекающего через устройство от эмиттера к коллектору.

При обычной работе биполярного транзистора переход база-эмиттер смещен в прямом направлении, а переход база-коллектор смещен в обратном направлении. При протекании тока через переход база-эмиттер в цепи коллектора будет протекать ток.

Чтобы объяснить работу транзистора, давайте возьмем пример транзистора NPN. Те же принципы используются для транзистора PNP, за исключением того, что носители тока представляют собой дырки, а напряжения меняются местами.

Работа транзистора NPN

Эмиттер устройства NPN изготовлен из материала n-типа, поэтому основными носителями являются электроны. Когда переход база-эмиттер смещен в прямом направлении, электроны будут перемещаться из области n-типа в область p-типа, а дырки неосновных носителей перемещаются в область n-типа.

Когда они встречаются друг с другом, они объединяются, позволяя току течь через соединение. Когда переход смещен в обратном направлении, дырки и электроны удаляются от перехода, и теперь между двумя областями образуется обедненная область, и через нее не будет протекать ток.

Когда между базой и эмиттером протекает ток, электроны покидают эмиттер и перетекают в базу, как показано выше. Обычно электроны объединяются, когда достигают обедненной области.

Но уровень легирования в этой области очень низок и база тоже очень тонкая. Это означает, что большая часть электронов может перемещаться по области, не рекомбинируя с дырками. В результате электроны будут дрейфовать к коллектору.

Таким образом, они могут протекать через соединение с обратным смещением, и ток течет в цепи коллектора.

Читайте также: р-н развязка

Характеристики транзистора

Характеристики транзистора — это графики, которые могут отображать соотношение между током и напряжением транзистора в определенной конфигурации.

Существует два типа характеристик.

• Входные характеристики: Подробная информация об изменении входного тока при изменении входного напряжения при сохранении постоянного выходного напряжения.
• Выходные характеристики: это график зависимости выходного тока от выходного напряжения при неизменном входном токе.
• Характеристики передачи тока: На этом графике показано изменение выходного тока в зависимости от входного тока при поддержании постоянного напряжения.

Входные характеристики

Конфигурация выключателя

Эта диаграмма описывает изменение тока эмиттера, I _E в зависимости от напряжения база-эмиттер, В _BE при постоянном напряжении коллектора, В _КБ .

Конфигурация CC

Показывает изменение I _B в соответствии с V _CB при постоянном напряжении коллектор-эмиттер V _CE .

Конфигурация CE

Здесь показано изменение I _B в соответствии с V _BE при неизменности V _CE .

Выходные характеристики

Конфигурация выключателя

На этой диаграмме показано изменение тока коллектора I _C с V _CB при сохранении постоянного тока эмиттера I _E .

Конфигурация CC

Это демонстрирует изменение I _E по сравнению с изменениями в V _CE за счет сохранения неизменности I _B .

Конфигурация CE

Здесь показан вариант I _C с изменениями в V _CE , оставив неизменным I _B .

Характеристики передачи тока

Конфигурация выключателя

Это дает изменение I _C с I _E , сохраняя V _CB постоянным.

Конфигурация CC

Здесь показано изменение I _E с I _B при неизменном значении V _CE .

Конфигурация CE

Здесь показано изменение I _C с I _B при неизменном значении V _CE .

Преимущества транзистора

• Более низкая стоимость и меньший размер.
• Меньшая механическая чувствительность.
• Низкое рабочее напряжение.
• Чрезвычайно долгий срок службы.
• Нет потребления энергии.
• Быстрое переключение.
• Могут быть разработаны схемы с более высокой эффективностью.
• Используется для разработки одной интегральной схемы.

Ограничения транзисторов

Транзисторы

также имеют несколько ограничений. Они следующие:

• В транзисторах отсутствует повышенная подвижность электронов.
• Транзисторы могут быть легко повреждены при возникновении электрических и тепловых явлений. Например, электростатический разряд при обращении.
• Транзисторы подвержены воздействию космических лучей и радиации.

Видеоуроки

Полупроводники – важные вопросы

Полупроводники – важные темы

Часто задаваемые вопросы о транзисторе

Какая область транзистора слегка легирована?

База транзистора слегка легирована.

Чем область эмиттера транзистора отличается от области коллектора?

Эмиттер легирован сильнее, чем коллектор.

Какое нормальное смещение диодов транзистора?

Переход эмиттер-база смещен в прямом направлении, а переход коллектор-база смещен в обратном направлении.