SMD Транзисторы в SOT корпусах
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Цены в формате
. pdf,
.xls |
Распиновка smd транзисторов
TL одна из самых массово выпускаемых интегральных микросхем, с начала своего выпуска в году TL устанавливалась в большинство блоков питания компьютеров, ноутбуков, телевизоров, видео-аудио техники и другой бытовой электроники. TL является прецизионным программируемым источником опорного напряжения. Такая популярность обусловлена низкой стоимостью, высокой точностью и универсальностью. Принцип работы TL легко понять по структурной схеме: если напряжение на входе источника ниже опорного напряжения Vref, то и на выходе операционного усилителя низкое напряжение соответственно транзистор закрыт и ток от катода к аноду не протекает точнее он не превышает 1 мА. Если входное напряжение станет превышать Vref, то операционный усилитель откроет транзистор и от катода к аноду начнет протекать ток. Получается чем больше соотношение R1 к R2, тем больше выходное напряжение.
Поиск данных по Вашему запросу:
Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
- Кодовая маркировка SMD транзисторов
- Цоколевка распространенных биполярных и полевых транзисторов
- SMD ТРАНЗИСТОРЫ
- Транзистор 2SC3356-S
- Маркировка SMD транзисторов
- Ходовые транзисторы из поднебесной BC547 и BC557, Схема ограничения разряда Li-Ion аккумулятора.
- TL431 схема включения, TL431 цоколевка
- Транзистор MMBT5401
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как читать даташиты на полевые all-audio.
pro читать характеристики на отечественные транзисторы.
Кодовая маркировка SMD транзисторов
Транзистор биполярный в корпусе SOT с маркировкой Y1 используется в драйверах светодиодных светильников как до трансформатора напряжения, так и после него. Аналогом для замены данного транзистора является транзистор s с маркировкой J3Y. Замена транзистора на аналог возможна только в драйверах светильников, указанных в характеристиках к данному транзистору. Регистрация Вход. Каталог товаров Новинки Управляемые светодиодные светильники Точечные светильники Светильники настольные, торшеры, ночники Прожектора Комплектующие и запчасти Запасные части к драйверам светильников Поиск по компоненту Транзисторы Конденсаторы Диоды Резисторы Поиск по модели светильника Estares Saturn 60w г Estares Saturn 60w г.
Код артикула: y1-sot Сравнение Избранное.
Обзор Отзывы 0 Datasheet. Написать отзыв. Datasheet NPN Transistor ss datasheet. В наличии. В корзину. Быстродействующий диод для ремонта светодиодных светильников. Драйвер для светодиодного светильника Arion w, Sirius w или Union w. Компонент драйвера светодиодного светильника для ремонта. Подписывайтесь на нас. Все права защищены.
Диагностика и замена SMD компонента.
Цоколевка распространенных биполярных и полевых транзисторов
Характеризуется большим коэффициентом передачи тока, низким уровнем шумов и хорошей линейностью. В связи с этим, он часто встречаются в радио-приемниках передатчиках , различных схемах предварительного усиления сигнала. Полупроводниковый кристалл s размещен в стандартном пластиковом корпусе TO для дырочного монтажа. Оба корпуса имеют три контакта и его цоколевка выглядит стандартно для такого типа транзисторов: эмиттер, коллектор, база. У всех устройств серии s одинаковые предельно допустимые режимы эксплуатации и электрические характеристики.
Электронная справка основных параметров транзистора MMBTLT1 ( 1AM)(1АМ) биполярного высокочастотного npn, его.
SMD ТРАНЗИСТОРЫ
Конференция по ремонту электронной аппаратуры. Место встречи лучших русскоговорящих специалистов. Схемы, справочники, документация, советы мастеров. От Toshiba — новые строчные транзисторы и заменники для мониторов и ТВ техники. Электрические системы автомобиля 2. Скачал вышеуказанную прогу — показывает что это MT 3S11T. Шит говорит что данный транзистор только в корпусе SOT Питание инвертора около 6V. Перерыл весь тЫрнэт. Подскажите кто знает.
Транзистор 2SC3356-S
Полевые транзисторы. Транзисторы малой мощности. Транзисторы средней и большой мощности. Цветовая и кодовая маркировка полевых и биполярных транзисторов.
Коллекторный ток BC и BC может доходить до мА, что в свою очередь позволяет использовать их в управлении электронными устройствами средней мощности, например, в драйверах для небольших двигателей, реле, а также в небольших светодиодных лентах.
На рисунке ниже показана классическая схема управления реле с использованием транзистора BC
Маркировка SMD транзисторов
SMD транзисторы. Маркировка и взаимозамена SMD-транзисторов. Как по маркировке правильно определить тип установленного в плату SMD- прибора, быстро и точно найти замену, подскажет предлагаемый материал. Можно спорить о частоте таких совпадений, но они нередки и встречаются даже среди продукции одной фирмы. Различить такие совпадения может только опытный человек по окружающим компонентам обвески и схеме включения.
Ходовые транзисторы из поднебесной BC547 и BC557, Схема ограничения разряда Li-Ion аккумулятора.
Схематическое обозначение PNP-транзистора в схеме выглядит так:. Существует также другая разновидность биполярного транзистора: NPN транзистор. Здесь уже материал P заключен между двумя материалами N. Вот его схематическое изображение на схемах. Так как диод состоит из одного PN-перехода, а транзистор из двух, то значит можно представить транзистор, как два диода!
Расшифровка кодовых обозначений на smd-радиодеталях: Si-N- (Silicon NPN transistor) — кремниевый NPN (обратный) транзистор; Si-N-Darl- (Silicon .
TL431 схема включения, TL431 цоколевка
Транзисторы в SMD корпусе, очень удобны, особенно где каждый миллиметр платы важен. Представьте, как бы изменился мобильный телефон плата которого полностью из SMD деталей , если бы там использовали обычные выводные DIP детали. У планарных, как и у обычных транзисторов, есть множество видов, составные Дарлингтон , полевые, биполярные и IGBT биполярные транзисторы с изолированным затвором.
Транзистор MMBT5401
ВИДЕО ПО ТЕМЕ: СМД all-audio.pro выглядят и их all-audio.proй фен для пайки из паяльника за 5 минут.
Проекты на микроконтроллерах. Расшифровка кодовых обозначений на smd-радиодеталях:. Тип марк. Тип прибора Цветовая маркировка Структ. Еще проекты. Исправление ошибок службы DNS Как выбрать контроллер для видеостены?
Новости: 9. Высказывания: Большинство имеет за собой власть, но не право; меньшинство всегда имеет за собой право.
Транзистор биполярный в корпусе SOT с маркировкой Y1 используется в драйверах светодиодных светильников как до трансформатора напряжения, так и после него. Аналогом для замены данного транзистора является транзистор s с маркировкой J3Y. Замена транзистора на аналог возможна только в драйверах светильников, указанных в характеристиках к данному транзистору. Регистрация Вход. Каталог товаров Новинки Управляемые светодиодные светильники Точечные светильники Светильники настольные, торшеры, ночники Прожектора Комплектующие и запчасти Запасные части к драйверам светильников Поиск по компоненту Транзисторы Конденсаторы Диоды Резисторы Поиск по модели светильника Estares Saturn 60w г Estares Saturn 60w г.
Сайт помогает найти что-нибудь интересное в огромном ассортименте магазинов и сделать удачную покупку. Если Вы купили что-то полезное, то, пожалуйста, поделитесь информацией с другими. Также у нас есть DIY сообщество , где приветствуются обзоры вещей, сделанных своими руками.
Радиационно-стойкие транзисторы MOSFET в корпусе Sup-IR SMD™
Подразделение компании Infineon Technologies AG – International Rectifier HiRel Products – предлагает радиационно-стойкие N-канальные транзисторы MOSFET IRHNS67160 и IRHNS63160 для поверхностного монтажа, выполненные в корпусе Sup-IR SMD™.
Технология корпусирования является ключевым фактором повышения производительности транзисторов MOSFET.
В таблице 1 представлено сравнение основных параметров транзистора в корпусе SMD-2 и корпусе Sup-IR SMD для кристалла HEX-6 с полосковой структурой ячеек (StripFET). При этом транзистор в корпусе Sup-IR SMD может быть установлен на плату без применения дополнительного кристаллодержателя.
Таблица 1. Сравнение основных параметров транзистора в корпусе SMD-2 и корпусе Sup—IR SMD для кристалла HEX-6 с полосковой структурой ячеек (StripFET)
|
Параметр |
SMD-2 |
Sup—IR SMD™ |
|
Площадь основания, дюйм2 |
0,595 |
0,376 – на 37% меньше |
|
Вес, г |
5,1 |
2,8 – на 45% легче |
|
Ток номинальный, А |
56 |
82 – на 46% больше |
|
Тепловое сопротивление, ºC/Вт |
0,75 |
0,50 – на 0,25 ºC/Вт меньше |
|
Электрическое сопротивление, Ом |
0,97 |
0,68 – на 30% меньше |
|
Паразитная индуктивность, мкГн |
2,19 |
0,52 – на 76% меньше |
Транзисторы характеризуется высокой стойкостью как к воздействию поглощённой дозы (100/300 крад), так и одиночных заряженных частиц (90 МэВ•мг/см2).
Сочетание низкого сопротивления канала в открытом состоянии и низкого значения заряда затвора снижает потери мощности при коммутации транзистора в таких применениях как DC/DC-преобразователи и управление электроприводами.
Эти устройства сохранили все хорошо известные преимущества транзисторов MOSFET, такие как управление уровнем напряжения, быстрое переключение и температурная стабильность электрических параметров.
Таблица 2. Основные технические характеристики MOSFET-транзисторов в корпусе Sup—IR SMD
|
Наименование |
Суммарная накопленная доза, крад |
Напряжение блокирующее |
Ток стока |
Сопротивление канала |
Заряд затвора |
|
IRHNS67160 |
100 |
100 |
56 |
0,01 |
170 |
|
IRHNS63160 |
300 |
Детальные технические характеристики транзисторов представлены в справочном листке.
HiRel Products
Поделиться:
№7 / 2022
Читать Купить
Сообщить о недоставленной печатной версии журнала «Современная электроника»
E-mail*
Фамилия*
Имя*
Компания*
Телефон*
Недоставленный номер журнала*
Номер№1 №2 №3 №4 №5 №6 №7 №8 №9 Год20152016201720182019202020212022
Получали ли вы по этому же заявленному адресу предыдущие номера текущего года?*
- Да
- Нет
Комментарий
* — поля, обязательные для заполнения
Авторизация Регистрация
Пароль
На указанный в форме e-mail придет запрос на подтверждение регистрации.
Пароль
Повторите пароль
Нажимая кнопку «Регистрация», я принимаю условия Политики конфиденциальности
Восстановить пароль
E-Mail:
Вы успешно зарегистрированы.
Перейти в личный кабинет
Пять последних номеров электронной версии журнала
доступны только авторизованным пользователям
Для чтения электронной версии журнала
зарегистрируйтесь или
авторизуйтесь
(если зарегистрированы)
Авторизованные пользователи могут читать электронную версию журнала БЕСПЛАТНО
Для чтения печатной версии журнала купите его
Для чтения журнала
подпишитесь, или купите его
Специалистам в области электронных компонентов
подписка предоставляется БЕСПЛАТНО
БЕСПЛАТНАЯ ПОДПИСКА
на электронную версию
Для бесплатного доступа
к электронной версии журнала
«Современная электроника» вам необходимо зарегистрироваться на сайте.
Зарегистрироваться
Подписка на ПЕЧАТНУЮ версию с гарантированной доставкой.
Подписка на рассылки
Будьте всегда в курсе самых свежих новостей
Подписаться на новости
Узнайте первыми о содержании нового номера
Подписаться на анонсы
Отказаться
Facebook Twitter
SOT23: маркировка, даташит и микросхемы
Первый прибор с пластиковым корпусом, используемый для монтажа на поверхности, SOT23, впервые появился в 1969 году. А 3 года назад компания Nexperia смогла продать около 30 миллиардов устройств. Дело в том, что устройство является инновацией в изготовлении полупроводниковых приборов.
Создание устройства
Разработчики полупроводников часто совмещают взаимоисключающие идеи. Например, задают уменьшенные размеры и увеличенные скорости при жестких требованиях к прочности и стабильности системы, расширяют функционал при минимальных системных изменениях, стараются соблюсти баланс между высоким качеством и наименьшими затратами. Все это сочетается в самом распространенном корпусе транзистора SOT23.
Но мгновенного успеха не бывает. К тому же, поверхностный монтаж был, по большому счету, не актуален до 1990-х годов, когда потребительская электроника стала использоваться повсюду. Именно рассматриваемый корпус в те годы был взят за стандарт 3-выводных корпусов поверхностного монтажа. Сегодня почти всю электронику выпускают именно по этой технологии. Корпуса, которые устанавливают в отверстие, популярны. Чаще всего они применяются в разработке макетов и продукции.
Более современные варианты
Корпус SOT23 оставался внешне неизменным в течение нескольких десятков лет, на самом деле, он серьезно совершенствовался:
- был добавлен 5-контактный вариант;
- появилась бессвинцовая версия;
- был расширен спектр допустимых температур до 175 градусов.
Сегодня устройство также развивается. Когда понадобилась более высокая плотность монтажа, появилось много “потомков” устройства. Самые популярные из них — SOT223 и SOT323. Взгляните на какой угодно корпус типа SOT для монтажа на поверхности, и заметите очень много общего с SOT23.
Так как эффективность и качество постоянно должны повышаться, появляются технологические инновации. Они актуальны для выпуска и сборки приборов для монтажа на поверхности — smd. Новые способы и линии производства отвечают постоянно растущему спросу на SOT23 и “дочерние” приборы.
Транзисторы MOSFET в корпусе SOT-23
Фирма IR расширяет номенклатуру MOSFET в разных направлениях. Главным является усовершенствование электро параметров транзисторов, а именно:
- снижение канального сопротивления;
- паразитного сопротивления;
- выводной емкости и индуктивности;
- увеличение рабочего тока;
- увеличение рабочего напряжения;
- увеличение скорости действия.
Повышается эффективность применения корпусов в готовых устройствах, обеспечиваются высокие удельные показатели тока и передающейся мощности.
Сначала не планировались мощные применения транзисторов в корпусе SOT-23, так как он не может рассеивать больше количество тепла.
Но при сильном уменьшении открытого сопротивления ключа появилась возможность серьезно увеличить спектр токов коммутации.
Благодаря невысокой цене, данный вид корпуса представляет интерес для мобильного сектора, бюджетных преобразователей напряжения с невысокой мощностью.
К транзисторам предъявляются следующие требования:
- Невысокое открытое сопротивление.
- Стабильность температуры, если не используется радиатор.
- Невысокий порог напряжения затвора.
- Бюджетная стоимость.
У нового семейства p- и n- канальных транзисторов от IR стандартный корпус имеет очень низкое открытое сопротивление. Оно нужно для использования в зарядках для аккумуляторов, нагрузочных коммутаторах, электрических приводах, телекоммуникации, применения в различных видах приложений.
У нового семейства MOSFET спектр напряжений находится в пределах от -30 до 100 В, с разными значениями сопротивлений и емкостей. Это способствует широкому выбору при создании небольших, но качественных и доступных по стоимости вариантов.
Чем же транзисторы отличаются от предшественников? Это можно узнать при изучении технологии создания кристаллов для подобных корпусов.
Новые способы создания кристаллов помогли сделать транзистор более эффективным, по сравнению с конкурентами. Если сохраняются прежние размеры кристалла, выходят сниженные значения сопротивлений. В итоге достигаются наилучшие значения температуры для данного корпуса. IR производит транзисторы с корпусами SOT-23 и кристаллами, которые выпускаются по технологии Gen 10.7.
Характеристики современных транзисторов с корпусами SOT-23
Как мы уже указывали, главные преимущества новых устройств с корпусами SOT-23 — это наименьшие значения сопротивлений. Чтобы оценить новые приборы, учитываются лишь 2 показателя.
Канальное сопротивление транзистора сильно связано с напряжением в затворе и допустимой температурой. Это особенно важно для устройств с низким порогом напряжения.
На картинке изображена зависимость сопротивления открытого транзистора от напряжения затвора.
Если сравнить транзистор IRLML6344 с AO3400A, то выяснится, что его рабочая температура меньше, за счет лучшего значения теплового сопротивления.
Обозначения разных величин в корпусе транзисторов SOT-23
В наименовании MOSFET присутствует несколько величин:
- управляющее напряжение затвора;
- тип корпуса;
- технология кристаллизации;
- уровень напряжения стока и размера кристалла.
Например, вот как обозначается новый транзистор: IRLML6244TRPBF, где:
- L — уровень управляющего напряжения.
- F — возможность управлять логическим уровнем напряжения.
- L — возможность управлять низким логическим уровнем сигнала.
Логическим уровнем называется состояние транзистора, когда он открыт при невысоком затворном напряжении 2,5 B.
ШИМ-контроллеры SOT23
Замена контроллеров широтно-импульсной модуляции с корпусом SOT23 приводит к сложностям в определении их вида. Наименования устройств, как правило, очень длинные, их не разместить на маленьком корпусе.
Поэтому туда наносится не оно, а специальный код.
ШИМ-контроллером называется специальная схема sot23, на которой строится блок питания на импульсах. Когда нагрузочный этого прибора меняется, это приводит к изменению импульсной скважности. Имеются в виду импульсы, которые генерирует микросхема.
Для чего предназначены выводы
Обозначение производится следующим образом:
- Ground (GND) — аббревиатура основного провода.
- Input Voltage (VCC) — питание.
- Feedback (FB) — обратная связь для контроля напряжения.
- Output (JUT) — соединение с затвором главного транзистора.
- Current sense input pin (SEN) — токовый датчик, подключаемый к стоку главного транзисторного прибора.
- Internal Oscillator frequency setting pin (RI) — подключение резистора извне, задающего частоту. В ряде микросхем он заменяется на CT.
- Brownout Protection Pin (BNO) — регулятор наименьшего напряжения питания. Когда оно на этом входе меньше порогового, осуществляется отключение подачи импульсов от микросхемы.
Когда питание подается ко входу контроллера VCC, за ним следует напряжение с помощью резистора указанного моста. С помощью микросхемы запускается выдача импульсов. В дальнейшем питание подается с помощью выпрямления напряжения на нижней левой обмотке трансформатора импульсного типа.
Генерация на микросхеме происходит с фиксированной частотой. Ее задают значением резистора на RI, либо емкости на СТ.
Напряжение стабилизируется с помощью сопоставления силы тока, который протекает через главный транзистор MOSFET и обратного напряжения. Оценка тока осуществляется с учетом величины снижения напряжения резистора в цепи транзисторного стока, при подключении к выходу SEN.
Обратное напряжение снимают с регулирующегося стабилитрона. Минуя оптопару, он попадает на FB. От величины напряжения на заданных выходах зависит импульсная скважность на OUT. В большей части микросхем есть разные защитные системы, которые предотвращают поломку в нестандартных случаях.
Маркировка SOT-23
Взгляните на таблицы, приведенные ниже.
Там присутствует расшифровка кодов для нескольких корпусов.
Корпуса бывают:
- sot23-3.
- sot23-5.
- sot23-6.
Во время ремонта электронных устройств инженерам часто бывает трудно определить вид микросхемы в каждом из корпусов. Дело в том, что на заводах из-за маленьких размеров корпусов их специально кодируют. В таблицах есть разные виды микросхем, в частности:
- DC/DC.
- AC/DC.
- ШИМ(pwm).
Сборка транзисторов тоже отличается, а вот корпуса — похожи. Взгляните на рисунок — здесь видно, как располагаются выводы 3 видов корпусов.
Маркировочные коды ставят на корпусах. Один из элементов кода может быть отмечен знаком “.” Таким символом может быть заменено любое цифровое или буквенное обозначение. Оно может иметь отношение к номеру производственной серии, дате выпуска, так что периодически меняется.
Есть несколько аналогов, идентичных по распиновке. Они могут заменить оригинал, при этом дорабатывать схему или не нужно, или нужно по-минимуму.
Однако ее сравнение с datasheet будет не лишним. Замену может осуществлять только инженер.
SOT-23: аналоги
Согласно функционалу, принцип работы рассматриваемых регуляторов аналогичен микросхемам ШИМ xx384x, устойчивым и надежным.
С заменой или выбором аналогов таких регуляторов часто возникают трудности из-за кодировки при обозначении видов микросхем. К тому же, существует много фирм-производителей элементов, которые не выкладывают документацию в открытый доступ. Дело в том, что не каждый изготовитель приборов предоставляет схемы в сервису по ремонту. Так что ремонтники вынуждены осваивать возможные варианты схем по имеющимся компонентам и монтажу именно на плате.
В практическом применении обычно используются ШИМ-микросхемы с кодировкой EAxxx. Вы не найдете официальных документов к ним, но есть картинки из PDF от System General.
Взгляните на таблицу, по которым можно подобрать аналоги с соответствующей выводной цоколевкой. Они отличаются применением 3-го вывода.
ШИМ-регуляторы (PWM), где по-другому используется вывод 3, таблица:
При применении всех указанных ШИМ, присмотритесь к выводу 3. С его помощью можно обеспечить тепловую защиту и избежать увеличения напряжения на входе. Допускается фиксированная или регулируемая конденсатором частота.
Как собрать корпус SOT23 собственноручно
Приготовьте 3 куска монтажного провода подходящей длины, желательно, МГТФ. Из них получатся выводы корпуса.
Для защиты сделайте небольшую зачистку на пару миллиметров со стороны, которая припаивается к корпусу.
Замкните концы кусочков провода на участке, который впаивают в плату и зафиксируйте, чтобы уравнять потенциалы.
С помощью тонкого пинцета сделайте из пластика корпус, и зажмите его так:
Наденьте на паяльник так называемое игольчатое жало, оно, как правило, есть в паяльных станциях.
Установите на станции минимальную температуру, чтобы паять только припой. Ее можно определить только экспериментально.
Возьмите кусок провода в одну руку, паяльник — в другую. Можно паять стандартным припоем из свинца. Ни в коем случае нельзя перегревать контакты корпуса, а контакты паяльника — распаяйте и подпаяйте провода для выводов. Они должны быть уложены в виду пучка.
Припаивайте провода в определенном порядке, начиная с истока, и заканчивая затвором.
Не прикасайтесь к корпусу руками, трогать можно только паяльник и провода. При необходимости поправьте с помощью пинцета положение корпуса.
Готово! Вы не просто собрали корпус, а теперь он выводной. Его можно использовать, как все остальные транзисторы МОП.
На AliExpress очень большой выбор транзисторов в корпусе SOT-23, можете по ссылке перейти и выбрать для себя нужный.
Source Новый и оригинальный 2N7002 маркировка 12W SOT23 SMD транзистор N-Channel Smd Mosfet в наличии Mosfet Smd on m.
alibaba.comОбзор
Сведения
Запросить
Начать чат
Получить последние цены
Торговая гарантия
Интегрированный сервис защиты заказов на Alibaba.com
Качество продукции
Своевременная доставка
Подробнее об отправке и других торговых услугах.
| Порт: | Shenzhen |
| Условия оплаты: | Western Union,T/T,MoneyGram |
| Возможности поставки: | 10000 шт. за Day |
| Напряжение: | — |
| Номинальный ток (Ампер): | — |
| Полевых транзисторов типа: | — |
| Ток-ворота для утечки анода (Igao): | — |
| Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic: | 3V @ 800mA, 8A |
| Отсек коллектора тока (макс.): | — |
| Доступны IGBT: | h30R1203 |
| Применения: | General purpose |
| NTC термистор: | — |
| Сопротивление-RDS (ВКЛ): | — |
| Способ Монтажа: | — |
| Основание резистора-излучателя (R2): | — |
Пробой излучателя коллектора напряжения (макс. ): | 230V |
| Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C: | — |
| Тип корпуса: | TO-220 |
| Входная емкость (Cies) @ Vce: | — |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| Тип упаковки: | Для поверхностного монтажа |
| Частота-Переход: | 30MHz |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce: | 55 @ 1A, 5V |
| Конфигурация: | Три фазы |
| Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: | — |
| Мощность макс: | 150W |
| Warranty: | 365 Days |
| Модели: | mosfet smd |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | — |
| Доступные методы: | Техническое описание,Фото |
| Применение: | PCB Board |
Напряжение привода (Макс Rds вкл. , мин Rds вкл.): | — |
| Тип Поставщика: | От оригинального производителя |
| Packaging: | SOT-23 |
| Тип: | Field-Effect Transistor |
| Смещение напряжения (Vt): | — |
| Напряжение-выход: | — |
| Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds: | — |
| Ток слива (Id)-макс: | — |
| Слив в исходное напряжение (Vdss): | Standard |
| Наименование: | Original |
| Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0): | — |
| Part Number: | 2N7002 12W |
| Отключение напряжения (VGS off) @ Id: | — |
| Пробой напряжения (V (BR) GSS): | — |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | — |
| Vgs (макс): | — |
| Ток-долина (Iv): | — |
| Power-выходная мощность: | — |
| Напряжение-номинальное: | — |
| Коллектор тока (Ic) (макс): | 15A |
| Частота: | — |
| Condition: | Original new |
| Полевого транзистора характеристика: | Стандарт |
| 品名: | Power Audio Amplifier |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | — |
| Входной сигнал: | — |
| Происхождение товара: | Guangdong, China |
| Коэффициент шума: | — |
| d/c: | 21+ |
| В настоящее время-Peak: | — |
| Резистор-основание (R1): | — |
| Информация об упаковке: | Our whole sale orders are shipping from China
1. This transistor is in reel tape pack,3000 pcs/reel.
2. We will wrap every item separately in plastic bag, and put material details label.
3. Finally, all goods will pack into outer cartons.
We accept customized package to meet different requirements. |
Время обработки
2 дн.
1+ шт.
4 дн.
1001+ шт.
Подлежит согласованию
100000+ шт.
Shenzhen Yinggaote Technology Co., Ltd.
CNTrading Company
≤2hВремя ответа
90.5%Количество заказов, доставленных своевременно
База данных кодов маркировки компонентов SMD
Из-за малых размеров большинства SMD-компонентов производители не имеют возможности писать
полный номер детали на корпусе. Вместо этого они обычно используют код маркировки.
состоит из комбинации 2 или 3 букв или цифр. При ремонте неизвестного
электронной доске, становится так трудно узнать, какой точный тип данного
составная часть.
Эта база данных позволяет быстро найти артикул компонента SMD.
когда у вас есть только код маркировки.
2T
APX803L-27C3
Диоды
SOT-323
Детектор напряжения IC
2.7V±1.5%&запятая; -Сброс ODO
2T
HS1M
Fagor Electronica
DO-214AC
Диод
U-быстрое восстановление. выпрямить&запятая; 1000 В&запятая; 1A&запятая; Vf<1,7 В(1A)@запятая; 75ns
2T
HT2
Ferranti Semiconductors
SOT-23
Транзистор NPN
GP&запятая; 90 В&запятая; 100 мА&запятая; 300 мВт&запятая; <500/2000ns
2T
IMP162TCUS
IMP
SOT-143
Детектор напряжения IC
3.08V±1.5%&запятая; +Сброс ODO&запятая; -MR
2T
IXD5126C50ANR-G
IXYS
SSOT-24
Датчик напряжения IC
5,0 В ± 0,8%&запятая; -Сброс ППО
2T
IXD5127N43CNR
IXYS
SSOT-24
Детектор напряжения IC
4.3V±0.8%&запятая; -Сброс ODO&запятая; -MR&запятая; задержка Rt 200 мс
2T
KST4403
Samsung Electronics
SOT-23
Транзистор PNP
GP, 60 В&запятая; 600 мА&запятая; 350 мВт&запятая; B=100.
300@запятая >200 МГц
2T
MMBT4403
Vishay Semiconductor
SOT-23
Транзистор PNP
GP, 40 В&запятая; 800 мА&запятая; 200 мВт&запятая; B= 100.300&запятая; >200 МГц
2T
MMBT4403T
Диоды
SOT-23
Транзистор PNP
GP, 40 В&запятая; 800 мА&запятая; 200 мВт&запятая; B= 100.300&запятая; >200 МГц
2T
R3117K481A
Ricoh
DFN1010-4
Детектор напряжения IC
4,8 В ± 1%&запятая; -Сброс ODO&запятая; Sense
2T
R3131N26HA3
Ricoh
SOT-23
Детектор напряжения IC
2,6 В±1,5%&запятая+Сброс PPO&запятая; 400 мс
2T
R3133Q37EA
Ricoh
SOT-143
Детектор напряжения IC
3,7 В±1,5%&запятая; +Сброс PPO&запятая; -МР
2T
RN5RF12BA
Ricoh
SOT-23-5
Линейный регулятор напряжения IC
LRip, +CE&запятая; 1,2 В±2%&запятая; 1А&аст;
2T
RP100K121D5
Ricoh
PLP1612-4
Линейный регулятор напряжения IC
LDO, LN&запятая; 1,25 В±0,8%&запятая; 200 мА&запятая; +CE&запятая; КЛ
2Т
РП173К501А
Ricoh
DFN1010-4
Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; 5,0 В±1%&запятая; 150 мА&запятая; -CE
2T
RQ5RW26CA
Ricoh
SC-82AB
Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; 2,6 В±2%&запятая; 150 мА
2T
SO4403
SGS-Thomson Microelectronics
SOT-23
Транзистор PNP
GP, 40 В&запятая; 600 мА&запятая; 225 мВт&запятая; B=30.
100@запятая; 200 МГц
2T
TMPT4403
Allegro MicroSystems
SOT-23
Транзистор PNP
GP, 40 В&запятая; 600 мА&запятая; 330 мВт&запятая; B=100.300@запятая >200 МГц
2T
UMZ27K
Rohm
SOT-343
Стабилитрон
Dual, 26,19,27,53 В&запятая; Изт=5мА&запятая; 200 мВт
2T
XC6126C50ANR-G
Torex Semiconductor
SSOT-24
Детектор напряжения IC
5,0 В ± 0,8%&запятая; -Сброс PPO
2T
XC6127N43CNR
Torex Semiconductor
SSOT-24
Датчик напряжения IC
4,3 В ± 0,8%&запятая; -Сброс ODO&запятая; -MR&запятая; Задержка Rt 200 мс
2T
XC6129C43CNR-G
Torex Semiconductor
SSOT-24
Детектор напряжения IC
4,3 В±0,8%&запятая; -Сброс PPO&запятая; Задержка обнаружения
2T
XC6129N43CNR-G
Torex Semiconductor
SSOT-24
Детектор напряжения IC
4,3 В ± 0,8%&запятая; -Сброс ODO&запятая; Задержка обнаружения
2T
XC6221C32B7R
Torex Semiconductor
USPN-4
Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 3,25 В±1%&запятая; 200 мА&запятая; +CE&запятая; ПДР
2T
XC6221C32BNR
Torex Semiconductor
SSOT-24
Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 3,25 В±1%&запятая; 200 мА&запятая; +CE&запятая; PDR
2T
XC6223C3419R-G
Torex Semiconductor
USPQ-4B03
Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 3,4 В±1%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; ПДР
2Т
XC6229h3411R-G
Torex Semiconductor
BGA-4
Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,4 В±1%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; ICP
2T
YTS4403
Toshiba
SOT-23
Транзистор PNP
GP, 40 В&запятая; 600 мА&запятая; 225 мВт&запятая; B=30.
100@запятая; 200 МГц
2T-
GMBT4403
GTM
SOT-23
транзистор PNP
GP&запятая; 40 В&запятая; 600 мА&запятая; 225 мВт&запятая; B=30.100@запятая; 200 МГц
2T0
XC6103F531MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Детектор напряжения IC
3,1 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2T1
GM9012
Guilin Strong Micro Electronics
SOT-23
Транзистор PNP
LF&запятая; Усилитель&запятая; 40 В&запятая; 500 мА&запятая; 305 мВт&запятая; B=70.400@запятая 300 МГц
2T1
S9012
Galaxy Semiconductor
SOT-23
Транзистор PNP
LF, Усилитель&запятая; 40 В&запятая; 500 мА&запятая; 305 мВт&запятая; B=70.400@запятая 300 МГц
2T1
XC6103F532MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Детектор напряжения IC
3,2 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2T1H
S9012LT1-H
Weitron Technology
SOT-23
Транзистор PNP
LF, Усилитель&запятая; 40 В&запятая; 500 мА&запятая; 300 мВт&запятая; B=200.
350@запятая >150 МГц
2T1L
S9012LT1-L
Weitron Technology
SOT-23
Транзистор PNP
LF, Усилитель&запятая; 40 В&запятая; 500 мА&запятая; 300 мВт&запятая; B=120.200@запятая; >150 МГц
2T2
XC6103F533MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Детектор напряжения IC
3,3 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2T3
XC6103F534MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Детектор напряжения IC
3,4 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2T4
XC6103F535MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Детектор напряжения IC
3,5 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2T5
XC6103F536MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Детектор напряжения IC
3,6 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2T6
XC6103F537MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Детектор напряжения IC
3,7 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2T7
XC6103F538MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Детектор напряжения IC
3,8 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2T8
XC6103F539MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Детектор напряжения IC
3,9 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2T9
XC6103F540MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Детектор напряжения IC
4,0 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2TA
XC6103F541MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Детектор напряжения IC
4,1 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2 ТБ
XC6103F542MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Датчик напряжения IC
4,2 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2TC
XC6103F543MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Детектор напряжения IC
4,3 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2TD
XC6103F544MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Датчик напряжения IC
4,4 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2TE
XC6103F545MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Детектор напряжения IC
4,5 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2TF
XC6103F516MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Датчик напряжения IC
1,6 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2TF
XC6103F546MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Детектор напряжения IC
4,6 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2-й
XC6103F517MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Датчик напряжения IC
1,7 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2TH
XC6103F547MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Детектор напряжения IC
4,7 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2TK
XC6103F518MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Детектор напряжения IC
1,8 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2TK
XC6103F548MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Датчик напряжения IC
4,8 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2TL
XC6103F519MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Датчик напряжения IC
1,9 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2TL
XC6103F549MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Детектор напряжения IC
4,9 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2TM
XC6103F520MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Детектор напряжения IC
2,0 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2TM
XC6103F550MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Детектор напряжения IC
5,0 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2TN
XC6103F521MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Детектор напряжения IC
2,1 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2TP
XC6103F522MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Датчик напряжения IC
2,2 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2TR
XC6103F523MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Датчик напряжения IC
2,3 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2TS
XC6103F524MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Детектор напряжения IC
2,4 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2TT
XC6103F525MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Детектор напряжения IC
2,5 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2TU
XC6103F526MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Детектор напряжения IC
2,6 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2TV
XC6103F527MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Датчик напряжения IC
2,7 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2TX
XC6103F528MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Датчик напряжения IC
2,8 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2TY
XC6103F529MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Датчик напряжения IC
2,9 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
2TYH
S8550H
Электроника Hottech
SOT-23
Транзистор PNP
GP&запятая; 40 В&запятая; 500 мА&запятая; 300 мВт&запятая; B=200.
350@запятая 150 МГц
2TYL
S8550L
Электроника Hottech
SOT-23
Транзистор PNP
GP, 40 В&запятая; 500 мА&запятая; 300 мВт&запятая; B=120.200@запятая; 150 МГц
2TZ
XC6103F530MR
Torex Semiconductor
SOT-25
Детектор напряжения IC
3,0 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс
Транзистор смд 2т | MercadoLivre 📦
Заказной номер
Mmbt4403 / 2t — Транзистор Smd Pnp Sot 23-3 Kit 10un.
em
3x
5 реалов по 53 сентаво R$5,53
S9012/2t Транзистор Smd Pnp Sot23 Kit 10un.
em
4x
5 реалов 59 сентаво R$5,59
Transisto Smd 2t 100 Unidades Frete Free C/r
em
6x
21 reais con 67 centavos R$21,67
sem juros
Frete grátis
Transistor Smd Bc856 (kit 100 Peças)
em
5x
5 reais con 06 Centavos r $ 5,06
SEM JUROS
Patrocinado
Комплект — 3x SMK630 — SMK 630 — SMK630D — Novo E Original SMD
EM
5x
6 60,116 $ 6116.
Patrocinado
Transisto Smd 2t 5 Unidades Frete Gratis C/r
em
7x
5 reais con 85 centavos R$5,85
Transisto Smd 2t 5 Unidades
em
3x
6 reaisR$6
sem juros
2t Smd Transistor — Kit 3 Peças
em
5x
5 reais con 84 centavos R$5,84
Usado
Ao4614b — Ao4614 — 4614b — 4614 Ci Smd Sop8 ( Kit — 8 Peças)
em
12x
5 reais con 82 centavos R$5,82
Transistor Smd To 263 Tk14g65w
em
3x
5 reais con 17 centavos R$5,17
sem juros
Fgh60n60smd Igbt Fgh60n60 Smd 60n60
em
6x
6 reais con 19 centavos R$6,19
Fgd4536 — Smd — Original — 2 Peças — To252
em
6x
6 reais con 28 centavos R$6,28
Kit 10 Peças Mmbt4403 Mmbt 4403 2t 2n4403 Smd Sot23 Original
em
4x
6 reais con 76 centavos R$6,76
204s8e — Bta204s-800e — Triac Bta204s 800 Smd ( 2 Peças )
em
4x
6 reais con 48 centavos 6,48 реалов
Transistor Npn 1a 40v 0.
5w Fmmt491 Smd (10 Unidades)em
2x
6 reais con 49 centavos R$6,49
10 Peças Fgh60n60smd Igbt Fgh60n60 Smd 60n60 60a 600v To247
em
8x
31 reais con 25 centavos R$31,25
sem juros
Frete grátis
Kit 2x 30f133 2x Smk0460 — Ambos Smd To252
em
11x
6 Reais Con 16 Centavos r $ 6,16
100pçs Chave Táctil SMD 2T 3x6x2,5 Vermelha (KFC-A06)
em
9000 2 6x4064 60712. 15
sem juros
10 Uni Tgd30n40p — Tgd 30n40p — 30n40 — Transistor Em Smd
em
6x
10 reaisR$10
sem juros
Patrocinado
Chave Tactil Smd 3x6x2 .
5mm 2t 180º Fitada Kit 100 шт. AlarmeEM
4x
5 Reais Con 75 Centavos r $ 5,75
SEM JUROS
Patrocinado
Mais Vendido
05 PCS. Делай Си. ИГБТ ФГД4536 К-252 50ампер. 360volts Smd
em
5x
6 reais con 15 centavos R$6,15
(100 Peças) Transistor Smd 2n7002 Sot23
em
9x
5 reais con 97 centavos R$5, 97
10 UNIDADES SOT-23 MMBT4403 2T SOT SMD NOVO ORIGINAL
EM
2x
5 REAIS CON 95 CENTAVOS R $ 5,95
SEM JUROS
- 11113
SEM JUROS
11111113. Rjp30h3a Smd
em
9x
5 reais con 75 centavos R$5,75
4 Peças — Irg7s313u Ir G7s313u Smd To263 Original Ior
em
11x
6 reais con 02 centavos R $6,02
Rjp30h3a — Rjp30h3 — Rjp 30h3a — 30h3a Igbt Smd ( 6 Peças )
em
12x
6 reais con 04 centavos R$6,04
Bc847b ( 50 Unidades ) Transistor Smd 45v Bc847 B 1fw Ou 1f
em
3x
7 reaisR$7
Ci Ao4614b — 4614b — Sop8 — Smd- Novo ( 15 Unidades )
em
12x
11 reais con 63 centavos 11,63 реалов
Frete grátis
Transistor Bc817 Smd Sot23 — Kit 100 Peças
em
5x
5 reais con 20 centavos R$5,20
sem juros
Chave Tactil Smd 3.
7×6. 1×2.5mm 2t 180º Fitado Kit 200 Pçsem
6x
5 reais con 83 centavos R$5,83
sem juros
Patrocinado
Rjp30h3a — Rjp30h3 — Rjp 30h3a — 30h3a Igbt Smd ( 6 Песа )
em
12x
6 reais con 04 centavos R$6,04
Patrocinado
S8050 ( Kit C/20 Unidades) Transistor Smd Sot23 J3y
em
5x
5 reais con 18 Centavos r $ 5 18
SEM JUROS
5 PECAS Transistor FGH60N60SMD * FGH60N60 SMD * FGH 60N60
EM
12x
9000 10 10 Cons 18 Centavos Concais 18 Centavos Cons 18 Contavos.000325 п. Us1m Original Taramps Stetsom Banda Sd
em
2x
7 reais con 58 centavos R$7,58
Transistor P 1nk60 Smd — P1nk60 — Sot223 — 600v 300ma
em
2x
7 reais con 08 centavos R$7,08
Transistor 2sk3377 K3377 Mosfet Smd To252 — O R I G I N A L
em
3x
7 reais con 10 centavos R$7,10
Cristal 25mhz 18pf — 2T SMD 6x 3,5 мм (ABM7-25,000 МГц -D2Y -T)
EM
3x
6 ReAis Con 20 Centavos R $ 6,20
SEM JUROS
RJP63K2 -RJP 63K2 -TO TOT Ново — Оригинал —
em
3x
5 reais con 82 centavos R$5,82
Transistor Smd Bc856 E Bc846 (kit 100 Peças Cada)
em
6x
7 reais con 32 centavos R$7 ,32
sem juros
Kit 2 G1084-33 G1084-33 Regulador Tensão Smd To-263 Maior
em
3x
7 reais con 30 centavos R$7,30
Chave Tactil Smd 3.
7×6.1×2.5mm 2t 180º Fitado Kit 1000 шт.EM
9x
31 Reace Con 67 Centavos r $ 31,67
SEM JUROS
FRETE GRátis
Transistor MOSFET AOD444 D444 SMD TO252 NOWN EMAINTIRN 93000 93000. 9073 EMPET ARISFET AOD444 D444 SMD TO252 NOWN EMPET 93000 93000. 9073 93072 EMPET AIOD444 D444 TO252 NOWN NOWN EMAISFET AOD444 D444 TO252 NOWN NOWN EMAISFET AOD444 D444. reais con 85 centavos R$5,85
Mosfet Zxmp6a17 Zxmp 6a17 Smd Sot223 Novo E Original
em
3x
6 reais con 30 centavos R$6,30
Kit 2 Pçs — Triac T410-600 Smd — T4 1060 T41060 4 Amp 600v
em
6x
5 reais con 48 centavos R$5,48
sem juros
10x Pcf8582c-2t/ 03,118 SMD EEPROM 2K-BIT 256 x 8 3,3 В/5 В
EM
12x
7 Reais Con 66 Centavos r $ 7 66
Транзистор Mosfet MDD14N25 14N25 SMD252525252525252525252525252525252511111111111.
em
3x
6 реалов 30 сентаво 6,30 реалов
RJP30H2 — Транзистор SMD — до 252- Оригинал
EM
3x
5 Reais Con 82 RJP30H3A -200H -2 -rjp30h3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3-307.3.3-307.3.3-307.3.3-307.3.3-307.3.3-307.3.3-30.3.
3x
5 Reais Con 82 Centavos R $ 5 82
100%Оригинальный комплект C/10pçs светодиодный SMD/1206/Azul/467 нм/140 °/25 мА
EM
9000 2 6 ° 34444712
9000 9000 2 60004444444712
4 9000 2 6000444444 7MA
4 9000 2 6000444444 7MA
40004
4444 7MA
4 9000 2 70 ° 3
467. 50 сентаво 7,50 реалов
SEM JUROS
TGD30N40P — 30N40P SMD Оригинал
EM
3x
6 REAIS CON 1
RENSITS $ 6,19
.
)EM
2x
6 Reais Con 49 Centavos r $ 6 49
15-21 B6C ZQ1R1N/2T LED SMD (5PECAS)
6x 904. 7000 3 7000 3
6x 9000 3 9000 2 6 x 9000 3 9000 2 7000 2 6 x 9000 3 9000 3 9000 2 6 ° С. 6,03 реалов
Transistor IRFS4227 * FS4227 * SMD до 263 * Оригинал
EM
4x
5 REAIS 59 Centavos R $ 5 59
.
em
2x
7 reais con 08 centavos R$7,08
Rjp63k2 — Rjp 63k2 Smd — To263 — Novo — Original
em
3x
6 reais con 27 centavos R$6, 27
5w Fmmt491 Smd (10 Unidades)
5mm 2t 180º Fitada Kit 100 шт. Alarme
7×6. 1×2.5mm 2t 180º Fitado Kit 200 Pçs
7×6.1×2.5mm 2t 180º Fitado Kit 1000 шт.
)O frete gratis está sujeito ao peso, preço e distância do envio.
Оптопара, выход: транзистор, прочность изоляции 5,3 кВ, SMD-4 SFH6156-2T
Оптопара, выход: транзистор, прочность изоляции 5,3 кВ, SMD-4 SFH6156-2T | GM электронный COMДля корректной работы и отображения веб-страницы включите JavaScript в вашем браузере
Сторожевая собакаПродукт:
Оптопара, выход: транзистор, прочность изоляции 5,3 кВ, SMD-4 SFH6156-2T
ваш адрес электронной почты:
Следите за изменением цены
Следите за изменением доступности
- Описание продукта
- Параметры продукта
- Скачать (1)
| Код продукта | 961-054 |
| Вес | 0,00069 кг |
| Ic (выступ): | 50 мА |
| Практическая теплота мин: | -55°С |
| U(CE)-выступ: | В |
| Почетный канал: | 1 — |
| Если (вступ): | 60 мА |
| Pmax (выступ): | 0,15 Вт |
| Изолированные напитки: | 5,3 кВ |
| Электрический монтаж: | — |
| Ура (вступ): | 6 В |
| Уф (вступ): | 1,25 В |
| Время подъема/спада: | 2/2 нас |
| Поуздро: | SO4 — |
| Pmax (вступ): | 0,1 Вт |
| Ic пик (выступ): | 100 мА |
| Техническая теплота max: | 100°С |
| CTR: | 63. .125 — |
| Ифсм (вступ): | 2500 мА |
Похожие продукты
Nejprodávanější výrobci
- 907:20
- 3D СИМО
- 3М
- 3SIXT 907:20
- 4КАРМЕДИЯ
- 626
- Английский
- Немецкий
- Жалобы
- Пишите нам
- Перейти к оптовой продаже
- Корзина покупателя 0
Электронная почта
Пароль
Оставаться в системе
Забытый пароль Регистр Введите имя пользователя и пароль или зарегистрируйте новую учетную запись.
ISP815-3-SMT&R,ISP815-3-SMT&R pdf中文资料,ISP815-3-SMT&R引脚图,ISP815-3-SMT&R电路-Datasheet-电子工程世界
,ISP824X,953X,ISP824X,953X,953X,ISP815X,0003
ISP815, ISP825, ISP845-3, -2, -1
Низкий входной ток
Photodarlington Optically
Уточняйте.
l
ISP815X3,2,1
ISP815-3,2,1
2.54
7.0
6.0
Dimensions in mm
1
2
4
3
VDE 0884 in 3 доступные лид-формы: —
— STD
L
— G Форма
—
SMD, утвержденный в CECC 00802
Сертифицировано в EN60950 по следующим
Тестовые тела: —
NEMKO — Сертификат № P01102465
FIMKO FIMKO — Сертификат № P01102465
9
4. . FI18162
SEMKO — Ссылка № 0202041/01-25
DEMKO — Сертификат № 311161-01
Утверждено BSI — Сертификат № 8001
1,2
5.08
4.08
7.62
5.08
4.
08
7.62
5.08
4.08
7,2
5.08
4.08
70003
0004 4.0
3.0
0.5
3.0
0.26
3.35
13°
Max
l
DESCRIPTION
The ISP815-3,-2,-1, ISP825-3,-2, Серия оптически связанных изоляторов -1, ISP845-3, -2, -1
состоит из инфракрасных светодиодов
и кремниевых фотодарлингтонов NPN
в компактных двухрядных пластиковых корпусах
.
ХАРАКТЕРИСТИКИ
л
Опции: —
10-мм свинцовая прокладка – добавить G после арт.
Поверхностный монтаж — добавьте SM после арт.
Лента и катушка — добавить SMT&R после арт.
L
Низкий входной ток 0,25MA I
F
L
Высокое соотношение CurviseTransfer (200% мин)
L
Высокое напряжение выделения (5,3KV
обр. BV
CEO
(мин. 70 В)
l
Все электрические параметры проверены на 100 %
L
Доступны пользовательские электрические выборы
Приложения
L
Компьютерные терминалы
L
Промышленные системы контроллеров
L
.
ОПЦИЯ SM
ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ
ОПЦИЯ G
ISP825X3,2,1
0,5
ISP825-3,2,1
2.54
7.0
6.0
1.2
10.16
9.16
1
2
3
4
7.62
8
7
6
5
4.0
3,0
0,5
13 °
MAX
0,26
1
2
3
4
5
7,0
6,0
6
7
6,00003
6
6,00003
6
.0003
16
15
14
13
12
11
10
9
7.62
13°
Max
0.26
3.0
3.35
0.5
ISP845X3, 2,1
ISP845-3,2,1
2.54
7.62
1.2
20.32
19.32
4.0
3.
0
0.6
0.1
10.46
9.86
1,25
0,75
0,26
10.16
3,0
0,5 3,35
0,5
Isocom Components Ltd
Блок 25B, Park View Road,
Park View Perdun Edantust. , TS25 1YD
Тел.: (01429) 863609 Факс: (01429) 863581
31/3/03
DB
M-AS/A6
СПАСИБОМЫ
от -55°C до +125°C
Рабочая температура
от -30°C до +100°C
Температура пайки свинцом
(1/16 дюйма (1,6 мм) от корпуса в течение 10 секунд) 260° C
Входной диод
Передний ток
Обратное напряжение
Диссипация мощности
50MA
6V
70MW
Выходной транзистор
ВОЛЕТОР ВОЛТАЖ
EMITER-EMITTE0004 Eco
Power Dissipation
Dissipation
Общая диссипация мощности
200 МВт
(более глупые 2,67 МВт/° C выше 25 ° C)
Электрические характеристики (T
A
= 25 ° C, если иное.
отмечено)
Параметр
Вход
Переднее напряжение (v
F
)
Обратный ток (I
R
)
Выход
Обзор с коллекционера-эмиттер (BV
)
.0003
CEO
)
( Note 2 )
70V
6V
150mW
MIN TYP MAX UNITS
1.2
1.4
10
70
6
100
V
µ
A
Условие испытания
I
F
= 20 мА
V
R
= 4V
I
C
= 1MA
I
E
= 1000004 = 1MA
I
= 1000004 = 100.
I
= 1000004 = 1MA
I
= 1MA
I
= 1MA
I 9000 3
.0003
µ
A
V
CE
= 20 В
0,25MA I
F
, 1,0 В. 1,0 мА I
F
, 1,0 В В
CE
.
0,5MA I
F
, 1,0 В V
CE
1,0MA I
F
, 1,0 В v
CE
1,0MA I
F
1,0MA I
F
.
0003, 1,0V V
CE
0,25MA I
F
, 0,5MA I
C
0,5MA I
F
, 2MA I
C
1.0MA I
F
C
1.0MA I
.
, 8ma I
C
См. Примечание 1
V
IO
= 500 В (примечание 1)
V
CE
= 2V,
I
C
= 10ma, R
L
= 100
Ом
В
V
NA
Распад эмиттер-коллектор (BV
ECO
)
Коллекционер-эмиттер темный ток (I
Генеральный директор
)
Coupled
Коэффициент передачи.
)
ISP815-3, ISP825-3, ISP845-3
200
400
800
400
800
800
1.0
1.0
1.0
%
%
%
%
%
%
V
V
V
V
RMS
Ω
µ
s
µ
s
ISP815-2, ISP825-2 , ISP845-2
ISP815-1, ISP825-1, ISP845-1
Напряжение насыщения насыщения коллекционера-эмиттер -3
-2
-1
Вход для выходного изоляции напряжение v
5300
9 Сопротивление изоляции входа-выхода R
ISO
5×10
10
Время роста выходного времени TR
Время выхода падения
TF
60
53
300
250
Примечание 1
Примечание 2
.
вместе, а выходные провода замкнуты вместе.
Специальные варианты доступны по запросу. Пожалуйста, проконсультируйтесь с заводом.
31/03/03
DB
m-AAS/A6
Рассеиваемая мощность коллектора в зависимости от температуры окружающей среды
200
Collector power dissipation P
C
(mW)
10
150
Collector current I
C
(mA)
8
6
4
2
-30
25
50
75
100
125
Температура окружающей среды T
A
(° C)
Передний ток против окружающей0003
50
Парний ток I
F
(MA)
40
30
20
10
-30
50
75
55994
75994
75
9000 3 9000 3
75
9000 3 9000 3
75
12
75
12
75
70003
75
Температура T
A
(° C)
Насыщенность коллекционера-эмиттер
напряжение в зависимости от температуры окружающей среды
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,6
0,4
0,2
0,6
0,2
0,6
0,00004 0,2
0,6
0003-30
25
50
75
100
Температура окружающей среды T
A
(° C)
31/3/03
Collector Cury Vs.
Collecter -Emitter
.
I
F
= 1,0ma
T
A
= 25 ° C
100
I
F
= 0,5 мА
50
I
F
50 200
I
F
50 0003
I
F
I
9000MA
50 2009 2009.
1
2
3
4
5
Напряжение с коллекционером-эмиттером v
CE
(V)
Относительный коэффициент передачи
против температуры окружающей среды
1,5
I
F
№
10003
I
F
ubient
= 1,5
I
1,5
I
10003
I
. 1MA
V
CE
= 1V
1,0
0,5
-30
25
50
75
ТЕМПЕРАТИЯ ТА
A
(° C)
0004 100
Коэффициент передачи тока по сравнению с прямым током
1200
Напряжение насыщения насыщения коллекционера-эмиттер V
CE (SAT)
(V)
I
F
= 1MA
I
C
= 1MA
I
C
.
