Site Loader

Содержание

Справочник мощных импортных полевых транзисторов.

Особенностью справочника является то, что импортные полевые транзисторы взяты из прайсов интернет-магазинов.


Справочник предназначен для подбора полевых транзисторов по электрическим параметрам, для выбора замены (аналога) транзистору с известными характеристиками. За основу спраочника взяты отечественные транзисторы, расположенные в порядке возрастания напряжения и тока. Импортные MOSFET транзисторы в справочник взяты из прайс-листов магазинов. Импортные и отечественные транзисторы, расположенные в одной колонке, имеют близкие параметры, хотя и не обязательно являются полными аналогами.
MOSFET транзисторы обладают следующими достоинствами: малая энергия, которую нужно затратить для открывания транзистора. Этот параметр хоть и растет с увеличением частоты, но все равно остается гораздо меньшей, чем у биполярных транзисторов. У MOSFET транзисторов не времени обратного восстановления , как у биполярных и «хвоста», как у IGBT транзисторов, в связи с чем могут работать в силовых схемах на более высоких частотах. Кроме того, у MOSFET нет вторичного пробоя, и поэтому они более стойки к выбросам самоиндукции.








Отечеств. Корпус PDF Тип Imax, A Импортн. Корпус
Ограничения по длительному току, накладываемые корпусом:
ТО220 не более 75А, ТО247 не более 195А. В реальных
условиях отвода тепла эти цифры в несколько раз меньше.
Полевые транзисторы на напряжение до 40В:
КП364 ТО-92 n 0.02     кп364 — полевой транзистор 40В 0.1А, характеристики
КП302 ТО-92 n 0.04      транзистор кп302 на 40В 0.1А
2П914А ТО-39 n 0.1(0.2) BSS138
2SK583
sot23
TO-92
полевой транзистор 2п924 на 40В 0.1А
КП601 ТО-39 n 0.4   полевой транзистор кп601 на 40В 0.15А

КП507
ТО-92 p 0.6
1.1
TP2104
 
TO-92, sot23
sot23
полевой транзистор кп507на 40В 0.3А
      n 1.6 BSP295 sot223 импортный полевой smd транзистор BSP295
      n 2 RTR020N05
sot23 полевой транзистор для поверхностного монтажа на 40В 2А с защитным стабилитроном в затворе
      n 4 NTR4170 sot23
      n 5 PMV60EN sot23
      n 6 BSP100 sot223
КП921А TO-220 n 10     мощный полевой транзистор КП921 на 40В 10А для применения в быстродействующих переключающих устройствах
КП954Г TO-220 n 20(18) FDD8424 TO-252 мощный полевой транзистор КП954 на 40В 20А для источников питания
      n 34 BUZ11 TO-220 импортный MOSFET транзистор BUZ11 на 40В 34А
2П7160А TO-258 n 46(42) IRFR4104 TO-252 характеристики мощного MOSFET IRF4104
n 100 IRF1104 TO-220 MOSFET транзистор IRF1104 на 40В 100А
n 162 IRF1404 TO-220 MOSFET транзистор IRF1404 на 40В 162А. Подробные характеристики см. в datasheet
n 210 IRF2204 TO-220 импортный полевой транзистор IRF2204 на 40В 210А
n 280 IRF2804 TO-220 импортный полевой транзистор IRF2804 на 40В 280А
n 350 IRFP4004 TO-247 мощный полевой транзистор с изолированным затвором IRFP4004 с током до 195А
MOSFET транзисторы на напряжение до 60-75В:
      n 0.2
0.5
2N7000
BS170
TO-92, sot23 smd маломощный полевой транзистор BS170 на 60В 0.2А для поверхностного монтажа
КП804А ТО-39 n 1    
КП505 А-Г
 
ТО-92 n 1.4
2.7

IRFL014

sot223
импортный полевой транзистор irfl014 на 60В 0.1А для поверхностного монтажа
КП961Г ТО-126 n 5     транзистор КП961Г на 60В 0.5А
КП965Г ТО-126 n 5     транзистор КП965Г на 60В 0.5А
КП801 (А,Б) ТО-3 n 5      
КП739 (А-В) ТО-220 n 10 IRF520 ТО-220 импортный полевой транзистор IRF520, характеристики
КП740 (А-В) ТО-220 n 17 STP16NF06 TO-220 на 60В 15А
КП7174А ТО-220 n 18      
КП784А ТО-220 p 18    
КП954 В,Д ТО-220 n 20 STP20NF06 TO-220 мощный полевой транзистор КП954 на 60В 20А
2П912А ТО-3 n 25     полевой транзистор 2П912А на 60В и ток 25А
КП727(А,Б)
ТО-220
 

 
n
p
30
31
STP36NF06
IRF5305
ТО-220 мощный полевой транзистор КП727А на 60В 30А
КП741 (А,Б) ТО-220 n 50 IRFZ44 TO-220 мощный полевой транзистор irfz44 на 60В и ток 50А. Подробные характеристики см. в datasheet.
КП723(А-В) ТО-220 n 50 STP55NF06 TO-220 отечественный мощный полевой транзистор КП723 на 60В и ток до 50А
КП812(А1-В1) ТО-220 n 50     отечественный MOSFET транзистор КП812 на 60В и ток до 50А
2П7102Д ТО-220 n 50     MOSFET транзистор 2П7102 на 60В и ток до 50А
КП775(А-В) ТО-220 n 50(60) STP60NF06 TO-220 полевой транзистор КП775 на напряжение до 60В и ток до 50А
КП742(А,Б) ТО-218 n
n
n
p
80
80
82
74
SPB80N08

IRF1010
IRF2807
IRF4905
TO-220, D2PAK
ТО-220
ТО-220
ТО-220
полевой транзисторы irf1010, irf2807, irf4905 на 60В и ток до 80А
n 140
169
IRF3808
IRF1405
ТО-220
ТО-220
MOSFET транзистор irf3808 на 60В и ток до 140А
      n 210 IRFB3077 ТО-220 полевой транзистор irfb3077 на 75В и ток 210А
      n 350
IRFP4368
ТО-247 мощный полевой транзистор irfp4368 на напряжение 75В  ток до 195А
MOSFET на напряжение до 100-150В:
КП961В ТО-126 n 5      
КП965В ТО-126 p 5(6.8) IRF9520 ТО-220 p-канальный импортный полевой транзистор IRF9520 на напряжение до 100В, ток до7А
КП743 (А1-В1) ТО-126 n 5.6  
КП743 (А-В) ТО-220 n 5.6 IRF510 ТО-220 mosfet транзистор IRF510 на напряжение до 100В, ток до 6А.
КП801В ТО-3 n 8 IRFR120 DPAK  
КП744 (А-Г) ТО-220 n 9.2 IRF520 TO-220 импортный полевой транзистор IRF520 на напряжение до 100В и ток до 9А
КП922 (А,Б) ТО-3 n 10 BUZ72 TO-220 mosfet транзистор BUZ72 с током до 10А
КП745 (А-В) ТО-220 n 14 IRF530 ТО-220 транзистор IRF530 на напряжение до 100В и ток до 14А
КП785А ТО-220 p 19 IRF9540 ТО-220 импортный p-канальный полевой транзистор IRF9540 на ток до 19А
2П7144А ТО-220 p 19     мощный p-канальный полевой транзистор 2П7144 на 100В и ток до 19А
КП954Б ТО-220 n 20 IRFB4212 TO-220 параметры мощного MOSFET транзистора IRFB4212
2П912А ТО-3 n 20     мощный n-канальный полевой транзистор 2П912 на напряжение 100В и ток до 20А
КП746(А-Г) ТО-220 n 28 IRF3315 ТО-220 импортный полевой транзистор IRF3315 на ток до 28А
2П797Г ТО-220 n 28 IRF540 ТО-220 импортный полевой транзистор IRF540 на ток до 28А
КП769(А-Г) ТО-220 n 28     мощный полевой транзистор КП769 на напряжение до 100В и ток до 28А

КП150

ТО-218

n 33
34
38
IRF540NS
BUZ22
 
TO-220, D2PAK
TO-220
 
мощный полевой транзистор irf540 на 100В и ток 34А
КП7128А,Б ТО-220 p 40 IRF5210 ТО-220 mosfet транзистор irf5210 на 100В и ток до 40А
КП771(А-Г)

 

ТО-220

 

 

n 40
42
47

IRF1310
PHB45NQ10

ТО-220
TO-247, D2PAK
отечественный полевой транзистор КП771 на 100В 40А и его импортный аналог irf1310
      n 57 STB40NF10
IRF3710
smd
ТО-220
мощный полевой транзистор irf3710 на 100В 57А
      n 72 IRFP4710 ТО-247 mosfet транзистор irf4710 на 100В и ток до 72А
      n 171 IRFP4568 ТО-247 полевой тразистор irf4568 на 150В 171А
      n 290 IRFP4468 ТО-247 мощный полевой транзистор irf4468 на 100В 195А
Полевые транзисторы на напряжение до 200В:
КП402А ТО-92 p 0.15 BSS92 TO-92  
КП508А ТО-92 p 0.15      
КП501А ТО-92 n 0.18 BS107 TO-92  
КП960В ТО-126 p 0.2      
КП959В ТО-126 n 0.2      
КП504В ТО-92 n 0.2 BS108 ТО-92  
КП403А ТО-92 n 0.3      
КП932А ТО-220 n 0.3      
КП748 (А-В) ТО-220 n 3.3 IRF610 ТО-220 mosfet транзистор IRF610 с напряжением до 200В и на ток до 3А
КП796В ТО-220 p 4.1 BUZ173 TO-220  
КП961А ТО-126 n 5 IRF620 TO-220 полевой транзистор IRF620 на 200В 5А
КП965А ТО-126 p 5      
КП749 (А-Г) ТО-220 n 5.2      
КП737 (А-В) ТО-220 n 9 IRF630 ТО-220 mosfet транзистор irf630 на ток до 9А и напряжение до 200В
КП704 (А,Б) ТО-220 n 10 mosfet на 200В 10А
КП750 (А-В) ТО-220 n 18 IRF640
IRFB17N20
TO-220 mosfet транзистор IRF640 (200В 18А)
КП767 (А-В) ТО-220 n 18      
КП813А1,Б1 ТО-220 n 22 BUZ30A
IRFP264
TO-220
TO-247
мощный полевой транзистор irf264 на 200В 20А
КП250 ТО-218 n 30(25) IRFB4620 TO-220  
2П7145А,Б КТ-9 n 30 IRFB31N20 TO-220 мощный полевой транзистор 2П7145 (200В 30А)
КП7177 А,Б ТО-218 n 50(62) IRFS4227 D2PAK характеристики MOSFET транзистора на 200В 50А
      n 130 IRFP4668 TO-247 мощный импортный полевой транзистор irfp4668 на 200В 130А
Полевые транзисторы на напряжение до 300В:
КП960А ТО-126 p 0.2    
КП959А ТО-126 n 0.2  
КП796Б ТО-220 p 3.7  
2П917А ТО-3 n 5    
КП768 ТО-220 n 10    
КП934Б ТО-3 n 10    
КП7178А ТО-218
ТО-3
n 40    
Полевые транзисторы до 400В:
КП502А ТО-92 n 0.12    
КП511А,Б ТО-92 n 0.14      
КП733А ТО-220 n 1.5      
КП731 (А-В) ТО-220 n 2 IRF710 ТО-220 mosfet транзистор IRF710
КП751 (А-В) ТО-220 n 3.3 BUZ76
IRF720
ТО-220
TO-220
mosfet транзистор IRF720, характеристики
КП931 В ТО-220 n 5 IRF734 ТО-220 mosfet транзистор IRF734
КП768 ТО-220 n 5.5 IRF730 ТО-220 mosfet транзистор IRF730
КП707А1 ТО-220 n 6      
КП809Б ТО-218
ТО-3
n 9.6      
КП934А ТО-3 n 10 IRF740 ТО-220 mosfet транзистор IRF740
КП350 ТО-218 n 14 BUZ61 TO-220 mosfet транзистор BUZ61
2П926 А,Б ТО-3 n 16.5      
n 18.4 STW18NB40 TO-247 импортный полевой транзистор на 400В 18А
КП707А ТО-3 n 25 IRFP360 TO-247 mosfet на 400В 25А
Полевые транзисторы на напряжение до 500В:
КП780 (А-В) ТО-220 n 2.5 IRF820 ТО-220 mosfet транзистор IRF820
КП770 ТО-220 n 8 IRF840 TO-220 mosfet транзистор IRF840
КП809Б,Б1 ТО-218
ТО-3
n 9.6 2SK1162 ТО-3Р mosfet транзистор 2SK1162
КП450 ТО-218 n 12 IRFP450 TO-247 мощный полевой транзистор 500В 14А
КП7182А ТО-218 n 20 IRFP460 ТО-247  
КП460 ТО-218 n 20(23) IRFP22N50 TO-247 мощный полевой транзистор IRF22N50 на 500В 20А
КП7180А,Б ТО-218
ТО-3
n 26(31) IRFP31N50
STW30NM50
TO-247
TO-247,TO-220
мощный полевой транзистор 500В 31А
n 32 SPW32N50 TO-247 мощный полевой транзистор на 500В 32А
n 46 STW45NM50
IRFPS40N50
TO-247
S-247
мощный полевой транзистор на 500В 46А
Полевые транзисторы на напряжение до 600В:
Раздел: высоковольтные полевые транзисторы.
КП7129А ТО-220 n 1.2 SPP02N60 TO-220 высоковольтный полевой транзистор SPP02N60 на 600В
КП805 (А-В) ТО-220 n 4(3) SPP03N60 TO-220 высоковольтный MOSFET транзистор SPP03N60, характеристики
КП709(А,Б) ТО-220 n 4 IRFBC30 ТО-220 высоковольтный MOSFET транзистор IRFBC30, характеристики
КП707Б1 ТО-220 n 4 SPP04N60 ТО-220 мощный высоковольтный полевой транзистор SPP04N60 на 600В
КП7173А ТО-220 n 4      
КП726 (А,Б) smd
ТО-220
n 4.5      
КП931Б
 
ТО-220
 

 
n 5(6.2)
7
IRFBC40
SPP07N60
TO-220
TO-220
MOSFET транзистор 600В 5А
КП809В ТО-218
ТО-3
n 9.6 IRFB9N65A TO-220 мощный высоковольтный полевой транзистор IRFB9N65 на 600В
2П942В ТО-3 n 10 SPP11N60 ТО-220 MOSFET транзистор 600В 10А
КП953Г ТО-218 n 15      
КП707Б ТО-3 n 16.5 SPP20N60
SPW20N60
ТО-220
TO-247
MOSFET транзистор 600В 15А
n 30 STW26NM60 TO-247 полевой транзистор 600В 30А
КП973Б ТО-218 n 30 IRFP22N60
IRFP27N60
TO-247 MOSFET транзистор 600В 30А
n 40 IRFPS40N60 S-247 MOSFET транзистор 600В 40А
n 47 SPW47NM60
FCh57N60
TO-247 MOSFET транзистор 600В 47А
n 60 IPW60R045 TO-247 MOSFET транзистор 600В 47А
Полевые транзисторы на напряжение до 700В:
КП707В1 ТО-220 n 3      
КП728 (Г1-С1) ТО-220 n 3.3      
КП810 (А-В) ТО-218 n 7      
КП809Е ТО-218
ТО-3
n 9.6     мощный высоковольтный полевой транзистор на 700В
2П942Б ТО-3 n 10     MOSFET транзистор 700В 10А
КП707В ТО-3 n 12.5     мощный полевой транзистор 700В 12А
КП953В ТО-218 n 15 MOSFET транзистор 700В 15А
КП973А
 
ТО-218
 

 
n 30
39

IPW60R075

TO-247
полевой транзистор (IRF) 650В 25А
  n 60 IPW60R045 TO-247 полевой транзистор (IRF) 650В 38А
Полевые транзисторы на напряжение до 800В:
n 1.5 BUZ78
IRFBE20
ТО-220
TO-220
высоковольтный MOSFET транзистор IRFBE20, характеристики
КП931А ТО-220 n 5 IRFBE30 ТО-220 высоковольтный MOSFET транзистор IRFBE30, характеристики
КП705Б,В ТО-3 n 5.4 SPP06N80 ТО-220 высоковольтный MOSFET транзистор SPP06N80, характеристики
КП809Д ТО-218
ТО-3
n 9.6 STP10NK80 TO-220 мощный полевой транзистор 800В 10А
2П942А ТО-3 n 10 STP12NK80 TO-247 MOSFET транзистор 800В 10А
КП7184А ТО-218 n 15 SPP17N80 ТО-220 мощный полевой транзистор 800В 15А
КП953А,Б,Д ТО-218 n 15     MOSFET транзистор 800В 15А
КП971Б ТО-218 n 25(55) SPW55N80 TO-247 MOSFET транзистор 800В 25А
MOSFET транзисторы на напряжение до 900-1000В:
2П803А,Б   n 4.5(3.1) IRFBG30 TO-220 высоковольтный полевой транзистор IRFG30 на 900В
КП705А ТО-3 n 5.4(8) IRFPG50
2SK1120
TO-247
TO-218
мощный высоковольтный полевой транзистор 2SK1120 на 1000В
КП971А ТО-218 n 25(36) IPW90R120 TO-247 высоковольтный mosfet 900В 30А

Справочник полевых транзисторов отечественных. Импортные аналоги.

Импортные MOSFET + отечественные полевые транзисторы
Отечественные производители транзисторов






Наименование Аналог PDF Тип Imax, A Uкэmax, В Rmin, Ом
КП150 IRFP150   n 38  100  0,055
КП250 IRFP250 n 30 200 0,085
КП302 (А1-Г1) BFR30,2SK543-5 n 0,043 20 100
КП350 IRFP350   n 14  400 0,3
КП364 (А-И) 2SK653   n 0.02 25  
КП402 (А) BF998 p 0,15 200 20
КП403 (А) 3SK132   n 0,3 200  6
КП450 IRFP450 n 12 500 0,4
КП460 IRFP460 n 20  500  0,27
КП501(А,Б,В) ZVN2120 n 0,18 240 10
КП502А BSS124 n 0,12 400 28
КП504(А-Е) BSS88 n 0,25 240  8
КП505(А-Г) BSS295 n 1,4 60  0,3
КП507А BSS315 p 1,1 50 0,8
КП508А BSS92 p 0,15 240 20
КП511А,Б TN0535 n 0,14 400 22
КП601 (А,Б)   n 0,4 20  
2П701 (А,Б) MTP3N50   n 9 500  1,2
2П703 (А,Б) RRF623   p 12 150 0,7
КП704 (А,Б) 2SK757   n 10 200  0,2
КП705 (А-В) APT1004 n 5,4 1000 3,3
2П706 (А-В) 2SK1248   n 20  500  0,4
КП707 (А-В) 2SK1117 n 25 750 1
КП707(А1-В1) BUZ90   n 6 750 
КП709(А,Б) BUZ90A n 4 600 2
КП723 (А-В) IRFZ44,IRFZ45 n 50 60 0,028
КП726 (А,Б) BUZ90 n 4,5 600 1,6
КП727 (А,Б)
КП727 (А-В) (new)
IRFZ34
n 30 60 0,05
КП728 (Г1-С1)   n 3,3 700 3
КП731 (А-В) IRF710 n 400  3,6
КП733 (А)   n 1,5 400 3,6
КП737 (А-В) IRF634,IRF630 n 9 250 0,4
КП739 (А-В) IRFZ14,IRFZ10 n 10 60 0,2
КП740 (А-В) IRFZ24,IRFZ25 n 17 60 0,1
КП741 (А,Б) IRFZ48 n 50 60 0,018
КП742 (А,Б) STH75N06 n 80 60 0,012
КП743 (А-В) IRF510,IRF512 n 5,6 100 0,54
КП743 (А1-В1)   n 5,6 100 0,54
КП744 (А-Г) IRF520 n 9,2 100  0,27
КП745 (А-В) IRF530 n 14 100 0,16
КП746 (А-В) IRF540 n 28 100  0,077
КП747А IRFP150 n 41 100 0,055
КП748 (А-В) IRF610 n 3,3 200 1,5 
КП749 (А-Г) IRF620 n 5,2 200 0,8
КП750 (А-Г) IRF640 n 18 200  0,18
КП751 (А-В) IRF720 n 3,3 400 0,8
КП767 (А-В) IRF640,IRF630   n 18 200 0,18
КП768 (А-М) IRF730,IRF720 n 10 400 0,55
КП769 (А-Г) IRF540,IRF530   n 28  100  0,077
КП770 (А,Д,К) IRF840,IRF830 n 8 500 0,85
КП771 (А-Г) STP40N10 n 40 100 0,055
КП775 (А-В) 2SK2498A n 50 60 0,009
КП780 (А-В) IRF820 n 2,5 500  3
КП784А IRF9Z34 p 18 60 0,14
КП785А IRF9540 p 19 100 0,2
КП796(А-В) IRF9540 p 4,1 300 1
2П797Г IRF540 n 28 100 0,077
2П7102Д IRFZ44 n 50 60 0,028
КП7128А,Б IRF5210 p 40 100 0,06
КП7129А SSU1UN60 n 1,2 600 11,5
2П7140А IRF7103 n 3 ??? 0,13
2П7144А IRF9140 p 19 100 0,2
2П7145А,Б IRF250 n 30 200 0,085
2П7160А   n 46 30 0,006
КП7173А STP4NK60Z n 4 600 2
КП7174А   n 18 75 0,075
КП7176А     n 80 100 0,026
КП7177 А,Б IXFH50N20,IRF260 n 50 200 0,045
КП7178А   n 40 300 0,085
КП7180 А,Б IRF460, IXFh34N50 n 26 500 0,2
КП7181А     n 40 500 0,14
КП7182А IXFh30N60 n 20 500 0,35
КП7183А OM6053SJ   n 30 600 0,83
КП7184А IXFh25N80 n 15 800 0,6
КП7275 IXFH75N10   n 75 100 0,026
КП801 (А-Г)   n 5 65 2,2
2П802А     n 2,5  500  1,5
2П803 (А,Б) BV2310   n 4,5 1000 4
КП804А RFL2N05   n 1 60 0,6
КП805 (А-В) BUZ216 n 4 600 2
КП809 (А-Е1) BVZ90   n 9,6 800  0,3
КП810 (А-В) DVZ216 n 7 700 0,2
КП812 (А1-В1) IRFZ44,IRFZ34   n 50 60  0,028
КП813 (А1,Б1)   n 22 200 0,12
КП901     n 2 85  
КП902     n 0,25 70  
КП904     n 7,5 100   
КП905     n 0,3 80  
КП907     n 2,1 80  
2П912 (А,Б)   n 20 100 0,1
2П914А     n 0,1 50 23
2П917 (А,Б)   n 5 300 2,5
КП921А     n 10 45 0,08
КП922 (А,Б,А1,Б1) NTP7N05   n 10 100  0,13
2П926(А,Б)   n 16,5 450 0,1
КП931 (А-В) NTP7N05   n 5 800  0,07
КП932А MTP5N05 n 0,3 250 40
КП934 (А,Б) F1053   n 10 450 0,03
2П942 (А-В) MRF136 n 10 800 0,2
КП953 (А-Д) F1014   n 15 800  0,05
КП954 (А-Е) BFL545 n 20 150 0,025
КП959 (А-В) BVK462   n 0,2 300   
КП960 (А-В) 2SK659 p 0,2 300  
КП961 (А-Е) BLF242(A)   n 5 250 0,1
КП965 (А-Д)     p 5 250 0,1
КП971 А,Б КТ847,КТ878   n 25 900 0,04
КП973 А,Б КТ847,КТ848   n 30 700 0,03

Справочник по полевым транзисторам и их импортным аналогам

Характеристики транзисторов с сортировкой по максимальному напряжению

Отечественный Корпус Тип Макс ток, A Импортный Корпус
Полевые транзисторы на напряжение до 40В:
КП364 ТО-92 n 0.02    
КП302 ТО-92 n 0.04    
2П914А ТО-39 n 0.1(0.2) BSS138
2SK583
smd
TO-92
КП601 ТО-39 n 0.4    
КП507 ТО-92 p 1.1(0.6) TP2104 TO-92
    n 1.6 BSP295 smd
    n 2 RTR020N05 smd
    n 4 NTR4170NT1G smd
    n 5 PMV60EN smd
    n 6 BSP100 smd
КП921А TO-220 n 10    
КП954Г TO-220 n 20    
    n 34 BUZ11 TO-220
2П7160А TO-258 n 46(75) IRF2804 TO-220
    n 100 IRF1104 TO-220
    n 162 IRF1404 TO-220
    n 210 IRF2204 TO-220
    n 350 IRFP4004 TO-247
Полевые транзисторы на напряжение до 60-75В:
    n 0.2
0.5
2N7000
BS170
TO-92
TO-92
КП804А ТО-39 n 1 IRFL014 smd
КП505 А-Г ТО-92 n 1.4    
КП961Г ТО-126 n 5    
КП965Г ТО-126 n 5    
КП801 (А,Б) ТО-3 n 5    
КП739 (А-В) ТО-220 n 10 IRF520 ТО-220
КП740 (А-В) ТО-220 n 17    
КП7174А ТО-220 n 18    
КП784А ТО-220 p 18    
КП954 В,Д ТО-220 n 20    
2П912А ТО-3 n 25    
КП727(А,Б)
 
ТО-220
 
n
p
30
31
 
IRF5305
ТО-220
КП741 (А,Б) ТО-220 n 50 IRFZ44 TO-220
КП723(А-В) ТО-220 n 50    
КП812(А1-В1) ТО-220 n 50    
2П7102Д ТО-220 n 50    
КП775(А-В) ТО-220 n 50    
КП742(А,Б)
ТО-218
n
n
n
p
80
80
82
74
SPB80N08
IRF1010
IRF2807
IRF4905
smd
ТО-220
ТО-220
ТО-220
    n 140
169
IRF3808
IRF1405
ТО-220
ТО-220
    n 210 IRFB3077 ТО-220
    n 350 IRFP4368 ТО-247
Полевые транзисторы на напряжение до 100-150В:
КП961В ТО-126 n 5    
КП965В ТО-126 p 5(6.8) IRF9520 ТО-220
КП743 (А1-В1) ТО-126 n 5.6    
КП743 (А-В) ТО-220 n 5.6 IRF510 ТО-220
КП801В ТО-3 n 8    
КП744 (А-Г) ТО-220 n 9.2 IRF520 TO-220
КП922 (А,Б) ТО-3 n 10 BUZ72 TO-220
КП745 (А-В) ТО-220 n 14 IRF530 ТО-220
КП785А ТО-220 p 19 IRF9540 ТО-220
2П7144А ТО-220 p 19    
КП954Б ТО-220 n 20    
2П912А ТО-3 n 20    
КП746(А-Г) ТО-220 n 28 IRF3315 ТО-220
2П797Г ТО-220 n 28 IRF540 ТО-220
КП769 (А-Г) ТО-220 n 28    
КП150 ТО-218 n 38(34) IRF540NS
BUZ22
smd
TO-220
КП771(А-Г) ТО-220 n 40(47) PHB45NQ10
IRF1310
smd
ТО-220
КП7128А,Б ТО-220 p 40 IRF5210 ТО-220
    n 57 STB40NF10
IRF3710
smd
ТО-220
    n 72 IRFP4710 ТО-247
    n 171 IRFP4568 ТО-247
    n 290 IRFP4468 ТО-247
Полевые транзисторы на напряжение до 200В:
КП402А ТО-92 p 0.15 BSS92 TO-92
КП508А ТО-92 p 0.15    
КП501А ТО-126 n 0.18 BS107 TO-92
КП960В ТО-126 p 0.2    
КП959В ТО-126 n 0.2    
КП504В ТО-92 n 0.2 BS108 ТО-92
КП403А ТО-92 n 0.3    
КП932А ТО-220 n 0.3    
КП748 (А-В) ТО-220 n 3.3 IRF610 ТО-220
КП796В ТО-220 p 4.1 BUZ173 TO-220
КП961А ТО-126 n 5    
КП965А ТО-126 p 5    
КП749 (А-Г) ТО-220 n 5.2    
КП737 (А-В) ТО-220 n 9 IRF630 ТО-220
КП704 (А,Б) ТО-220 n 10    
КП750 (А-В) ТО-220 n 18 IRF640
IRFB17N20
TO-220
КП767 (А-В) ТО-220 n 18    
КП813А1,Б1 ТО-220 n 22 BUZ30A TO-220
КП250 ТО-218 n 30    
2П7145А,Б КТ-9 n 30    
КП7177 А,Б ТО-218 n 50    
    n 130 IRFP4668 TO-247
Полевые транзисторы на напряжение до 300В:
КП960А ТО-126 p 0.2    
КП959А ТО-126 n 0.2    
КП796Б ТО-220 p 3.7    
2П917А ТО-3 n 5    
КП768 ТО-220 n 10    
КП934Б ТО-3 n 10    
КП7178А ТО-218
ТО-3
n 40    
Полевые транзисторы на напряжение до 400В:
КП502А ТО-92 n 0.12    
КП511А,Б ТО-92 n 0.14    
КП733А ТО-220 n 1.5    
КП731 (А-В) ТО-220 n 2 IRF710 ТО-220
КП751 (А-В) ТО-220 n 3.3 BUZ76
IRF720
ТО-220
TO-220
КП931 В ТО-220 n 5 IRF734 ТО-220
КП768 ТО-220 n 5.5 IRF730 ТО-220
КП707А1 ТО-220 n 6    
КП809Б ТО-218
ТО-3
n 9.6    
КП934А ТО-3 n 10 IRF740 ТО-220
КП350 ТО-218 n 14 BUZ61 TO-220
2П926 А,Б ТО-3 n 16.5    
КП707А ТО-3 n 25    
Полевые транзисторы на напряжение до 500В:
КП780 (А-В) ТО-220 n 2.5 IRF820 ТО-220
КП770 ТО-220 n 8 IRF840 TO-220
КП809Б,Б1 ТО-218
ТО-3
n 9.6 2SK1162 ТО-3Р
КП450 ТО-218 n 12 IRFP450 TO-247
КП7182А ТО-218 n 20 IRFP460 ТО-247
КП460 ТО-218 n 20(23) IRFP360 TO-247
КП7180А,Б ТО-218
ТО-3
n 26(31) IRFP31N50 TO-247
Полевые транзисторы на напряжение до 600В:
КП7129А ТО-220 n 1.2 SPP02N60 TO-220
КП805 (А-В) ТО-220 n 4(3) SPP03N60 TO-220
КП709(А,Б) ТО-220 n 4 IRFBC30 ТО-220
КП707Б1 ТО-220 n 4 SPP04N60 ТО-220
КП7173А ТО-220 n 4    
КП726 (А,Б) smd
ТО-220
n 4.5    
КП931Б
 
ТО-220
 
n 5(6.2)
7
IRFBC40
SPP07N60
TO-220
TO-220
КП809В ТО-218
ТО-3
n 9.6 IRFB9N65A TO-220
2П942В ТО-3 n 10 SPP11N60 ТО-220
КП953Г ТО-218 n 15    
КП707Б ТО-3 n 16.5 SPP20N60 ТО-220
КП973Б ТО-218 n 30    
Полевые транзисторы на напряжение до 700В:
КП707В1 ТО-220 n 3    
КП728 (Г1-С1) ТО-220 n 3.3    
КП810 (А-В) ТО-218 n 7    
КП809Е ТО-218
ТО-3
n 9.6    
2П942Б ТО-3 n 10    
КП707В ТО-3 n 12.5    
КП953В ТО-218 n 15    
КП973А ТО-218 n 30    
Полевые транзисторы на напряжение до 800В:
    n 1.5 BUZ78
IRFBE20
ТО-220
TO-220
КП931А ТО-220 n 5 IRFBE30 ТО-220
КП705Б,В ТО-3 n 5.4 SPP06N80 ТО-220
КП809Д ТО-218
ТО-3
n 9.6    
2П942А ТО-3 n 10    
КП7184А ТО-218 n 15 SPP17N80 ТО-220
КП953А,Б,Д ТО-218 n 15    
КП971Б ТО-218 n 25    
Полевые транзисторы на напряжение до 900-1000В:
2П803А,Б   n 4.5(3.1) IRFBG30 TO-220
КП705А ТО-3 n 5.4(8) IRFPG50
2SK1120
TO-247
TO-218
КП971А ТО-218 n 25    

МОЩНЫЕ ИМПОРТНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ


    В данном материале предоставляется справочная информация по зарубежным полевым транзисторам большой мощности. В таблице указаны только основные параметры — предельное напряжение стока, ток, рассеиваемая мощность и сопротивление открытого перехода сток-исток. Для более подробной информации, скопируйте название транзистора в поле ДАТАШИТ — справа сверху страницы и скачайте PDF файл с описанием. Полевые транзисторы мощные часто применяются в стабилизаторах напряжения и тока, выходных каскадах усилителей мощности, ключах зарядных устройств и преобразователей.

МОЩНЫЕ ИМПОРТНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

  Марка Напряжение, B Сопротивление перехода, Ом Ток стока, A Мощность, Вт Корпус  
  1 2 3 4 5 6  
  STH60N0SFI 50 0,023 40,0 65 ISOWATT218  
  STVHD90FI 50 0,023 30,0 40 ISOWATT220  
  STVHD90 50 0,023 52,0 125 ТО-220  
  STH60N05 50 0,023 60,0 150 ТО-218  
  IRFZ40 50 0,028 35.0 125 ТО-220  
  BUZ15 50 0.03 45,0 125 ТО-3  
  SGSP592 50 0,033 40,0 150 ТО-3  
  SGSP492 50 0.033 40,0 150 ТО-218  
  IRFZ42FI 50 0,035 24,0 40 ISOWATT220  
  IRFZ42 50 0,035 35,0 125 ТО-220  
  BUZ11FI 50 0,04 20,0 35 ISOWATT220  
  BUZ11 50 0,04 30,0 75 ТО-220  
  BUZ14 50 0,04 39,0 125 ТО-3  
  BUZ11A 50 0,06 25,0 75 ТО-220  
  SGSP382 50 0.06 28,0 100 ТО-220  
  SGSР482 50 0.06 30.0 125 ТО-218  
  BUZ10 50 0.08 20.0 70 ТО-220  
  BUZ71FI 50 0,10 12,0 30 ISOWATT220  
  IRF20FI 50 0,10 12,5 30 ISOWATT220  
  BUZ71 50 6,10 14,0 40 ТО-220  
  IRFZ20 50 0,10 15.0 40 ТО-220  
  BUZ71AFI 50 0,12 11,0 30 ISOWATT220  
  IRFZ22FI 50 0,12 12,0 30 ISOWATT220  
  BUZ71A 50 0,12 13,0 40 ТО-220  
  IRFZ22 50 0,12 14,0 40 ТО-220  
  BUZ10A 50 0,12 17,0 75 ТО-220  
  SGSP322 50 0,13 16,0 75 ТО-220  
  SGSP358 50 0.30 7,0 50 ТО-220  
  MTh50N06FI 60 0,028 26,0 65 ISOWATT218  
  MTh50N06 60 0,028 40,0 150 ТО-218  
  SGSP591 60 0,033 40,0 150 ТО-3  
  SGSP491 60 0,033 40,0 150 ТО-218  
  BUZ11S2FI 60 0,04 20,0 35 ISOWATT220  
  BUZ11S2 60 0,04 30,0 75 ТО-220  
  IRFP151FI 60 0,055 26,0 65 ISOWATT218  
  IRF151 60 0.055 40,0 150 ТО-3  
  IRFP151 60 0.055 40,0 150 ТО-218  
  SGSP381 60 0,06 28,0 100 ТО-220  
  SGSP481 60 0.06 30.0 125 ТО-218  
  IRFP153FI 60 0,08 21,0 65 ISOWATT218  
  IRF153 60 0,08 33,0 150 ТО-3  
  IRFP153 60 0,08 34.0 150 ТО-218  
  SGSP321 60 0,13 16,0 75 ТО-220  
  MTP3055EFI 60 0,15 10,0 30 ISOWATT220  
  МТР3055Е 60 0,15 12.0 40 ТО-220  
  IRF521FI 80 0,27 7,0 30 ISOWATT220  
  IRF521 80 0.27 9,2 60 ТО-220  
  IRF523FI 80 036 6,0 30 ISOWATT220  
  IRF523 80 0.36 8,0 60 ТО-220  
  SGSP472 80 0,05 35.0 150 ТО-218  
  IRF541 80 0,077 15,0 40 ISOWATT220  
  IRF141 80 0.077 28,0 125 ТО-3  
  IRF541 80 0.077 28,0 125 ТО-220  
  IRF543F1 80 0,10 14,0 40 SOWATT220  
  SGSP362 80 0,10 22.0 100 ТО-220  
  IRF143 80 0,10 25,0 125 ТО-3  
  SGSР462 80 0.10 25,0 125 ТО-218  
  IRF543 80 0,10 25.0 125 О-220  
  IRF531FI 80 0.16 9,0 35 SOWATT220  
  IRF531 80 0.16 14,0 79 О-220  
  IRF533FI 80 0,23 8,0 35 ISOWATT220  
  IRF533 80 0,23 12.0 79 ТО-220  
  IRF511 80 0,54 5.6 43 ТО-220  
  IRF513 80 0,74 4,9 43 ТО-220  
  IRFP150FI 100 0,055 26,0 65 ISOWATT218  
  IRF150 100 0,055 40,0 150 ТО-3  
  IRFP150 100 0,055 40,0 150 ТО-218  
  BUZ24 100 0,6 32,0 125 ТО-3  
  IRF540FI 100 0,077 15,0 40 ISOWATT220  
  IRF140 100 0,077 28,0 125 ТО-3  
  IRF540 100 0,077 28,0 125 ТО-220  
  SGSP471 100 0,075 30,0 150 ТО-218  
  IRFP152FI 100 0,08 21,0 65 ISOWATT218  
  IRF152 100 0,08 33,0 150 ТО-3  
  IRFP152 100 0,08 34.0 150 ТО-218  
  IRF542FI 100 0,10 14,0 40 ISOWATT220  
  BUZ21 100 0,10 19.0 75 ТО-220  
  BUZ25 100 0,10 19.0 78 ТО-3  
  IRF142 100 0,10 25,0 125 ТО-3  
  IRF542 100′ 0,10 25,0 125 ТО-220  
  SGSP361 100 0,15 18,0 100 ТО-220  
  SGSP461 100 0,15 20.0 125 ТО-218  
  IRF530FI 100 0,16 9,0 35 ISOWATT220  
  IRF530 100 0,16 14.0 79 ТО-220  
  BUZ20 100 0,20 12.0 75 ТО-220  
  IRF532FI 100 0.23 8.0 35 ISOWATT220  
  IRF532 100 0,23 12,0 79 ТО-220  
  BUZ72A 100 0,25 9,0 40 ТО-220  
  IRF520FI 100 0.27 7,0 30 ISOWATT220  
  IRF520 100 0,27 9,2 60 ТО-220  
  SGSP311 100 0,30 11.0 75 ТО-220  
  IRF522FI 100 0,36 6.0 30 ISOWATT220  
  IRF522 100 0,36 8,0 60 ТО-220  
  IRF510 100 0,54 5,6 43 ТО-220  
  SGSP351 100 0,60 6,0 50 ТО-220  
  IRF512 100 0,74 4,9 43 ТО-220  
  SGSP301 100 1,40 2,5 18 ТО-220  
  IRF621FI 160 0,80 4.0 30 ISOWATT220  
  IRF621 150 0,80 5,0 40 ТО-220  
  IRF623FI 150 1,20 3,5 30 ISOWATT220  
  IRF623 150 1.20 4.0 40 ТО-220  
  STh43N20FI 200 0.085 20.0 70 ISOWATT220  
  SGSP577 200 0,17 20,0 150 ТО-3  
  SGSP477 200 0,17 20,0 150 ТО-218  
  8UZ34 200 0,20 19,0 150 ТО-3  
  SGSP367 200 0,33 12,0 100 ТО-220  
  BUZ32 200 0,40 9,5 75 ТО-220  
  SGSP317 200 0,75 6,0 75 ТО-220  
  IRF620FI 200 0,80 4,0 30 ISOWATT220  
  IRF620 200 0,80 5,0 40 ТО220  
  IRF622FI 200 1.20 3,5 30 ISOWATT220  
  IRF622 200 1.20 4,0 40 ТО-220  
  IRF741FI 350 0.55 5,5 40 ISOWATT220  
  IRF741 350 0,55 10,0 125 ТО-220  
  IRF743 350 0.80 8,3 125 ТО-220  
  IRF731FI 350 1,00 3,5 35 ISOWATT220  
  IRF731 350 1,00 5,5 75 ТО-220  
  IRF733FI 350 1,50 3,0 35 ISOWATT220  
  IRF733 350 1,50 4.5 75 ТО-220  
  IRF721FI 350 1,80 2.5 30 ISOWATT220  
  IRF721 350 1,80 3.3 50 ТО-220  
               
  IRF723FI 350 2,50 2,0 30 ISOWATT220  
  IRF723 350 2,50 2,8 50 ТО-220  
  IRFP350FI 400 0,30 10,0 70 ISOWATT218  
  IRF350 400 0,30 15,0 150 ТО-3  
  IRFP350 400 0,30 16,0 180 ТО-218  
  IRF740FI 400 0,55 5,5 40 ISOWATT220  
  IRF740 400 0,55 10,0 125 ТО-220  
  SGSP475 400 0,55 10,0 150 ТО-218  
  IRF742FI 400 0,80 4,5 40 ISOWATT220  
  IRF742 400 0,80 8,3 125 ТО-220  
  IRF730FI 400 1,00 3,5 35 ISOWATT220  
  BUZ60 400 1,00 5,5 75 ТО-220  
  IRF730 400 1,00 5,5 75 ТО-220  
  IRF732FI 400 1,50 3,0 35 ISOWATT220  
  BUZ60B 400 1,50 4,5 75 ТО-220  
  IRF732 400 1,50 4,5 75 ТО-220  
  IRF720FI 400 1,80 2,5 30 ISOWATT220  
  BUZ76 400 1,80 3,0 40 ТО-220  
  IRF720 400 1,80 3,3 50 ТО-220  
  IRF722FI 400 2,50 2,0 30 ISOWATT220  
  BUZ76A 400 2,50 2,6 40 ТО-220  
  IRF722 400 2,50 2,8 50 ТО-220  
  SGSP341 400 20,0 0,6 18 ТО-220  
  IRFP451FI 450 0,40 9,0 70 ISOWATT218  
  IRF451 450 0,40 13,0 150 ТО-3  
  IRFP451 450 0,40 14,0 180 ТО-218  
  IRFP453FI 450 0,50 8,0 70 ISOWATT218  
  IRF453 450 0,50 11,0 150 ТО-3  
  IRFP453 450 0,50 12,0 180 ТО-218  
  SGSP474 450 0,70 9,0 150 ТО-218  
  IRF841FI 450 0,85 4,5 40 ISOWATT220  
  IF841 450 0.85 8,0 125 ТО-220  
  IRFP441FI 450 0,85 5,5 60 ISOWATT218  
  IRF843FI 450 1,10 4,0 40 ISOWATT220  
  IRF843 450 1,10 7,0 125 ТО-220  
  IRF831FI 450 1,50 3,0 35 ISOWATT220  
  IRF831 450 1,50 4,5 75 ТО-220  
  SGSP364 450 1,50 5,0 100 ТО-220  
  IRF833FI 450 2,00 2,5 35 ISOWATT220  
  IRF833 450 2,00 4,0 75 Т0220  
  IRF821FI 450 3,00 2,0 30 ISOWATT220  
  IRF821 450 3,00 2,5 50 ТО-220  
  SGSP330 450 3,00 3,0 75 ТО-220  
  IRF823FI 450 4,00 1.5 30 ISOWATT220  
  IRF823 450 4,00 2,2 50 ТО-220  
  IRFP450FI 500 0,40 9,0 70 ISOWATT218  
  IRF450 500 0,40 13,0 150 ТО-3  
  IRFP450 500 0,40 14,0 180 ТО-218  
  IRFP452FI 500 0,50 8,0 70 ISOWATT218  
  IRF452 500 0,50 11,0 150 ТО-3  
  IRFP4S2 500 0,50 12,0 180 ТО-218  
  BUZ353 500 0,60 9,5 125 ТО-218  
  BUZ45 500 0,60 9,6 125 ТО-3  
  SGSP579 500 0,70 9,0 150 ТО-3  
  SGSP479 500 0,70 9.0 150 TO-218  
  BU2354 500 0,80 8,0 125 TO-218  
  BUZ45A 500 0,80 8,3 125 TO-3  
  IRF840FI 500 0,85 4,5 40 ISOWATT220  
  IRF840 500 0,85 8,0 125 TO-220  
  IRFP440FI 500 0,85 5,5 60 ISOWATT218  
  IRF842FI 500 1,10 4,0 40 ISOWATT220  
  IRF842 500 1.10 7,0 125 TO-220  
  IRF830FI 500 1,50 3,0 35 ISOWATT220  
  BUZ41A 500 1,50 4,5 75 TO-220  
  IRF830 500 1,50 4,5 75 TO-220  
  SGSP369 500 1,50 5,0 100 TO-220  
  IRF832FI 500 2,00 2,5 35 ISOWATT220  
  BUZ42 500 2,00 4,0 75 TO-220  
  IRF832 500 2,00 4,0 75 TO-220  
  IRF820FI 500 3,00 2,0 30 ISOWATT220  
  BUZ74 500 3,00 2,4 40 TO-220  
  IRF820 500 3,00 2,5 50 TO-220  
  SGSP319 500 3,80 2,8 75 TO-220  
  IRF322FI 500 4,00 1,5 30 ISOWATT220  
  BUZ74A 500 4,00 2,0 40 TO-220  
  IRF822 500 4,00 2,2 50 TO-220  
  SGSP368 550 2,50 5,0 100 TO-220  
  MTH6N60FI 600 1,20 3.5 40 ISOWATT218  
  MTP6N60FI 600 1,20 6,0 125 ISOWATT220  
  MTP3N60FI 600 .2,50 2,5 35 I30WATT220  
  MTP3N60 600 2,50 3,0 75 TO-220  
  STH9N80FI 800 1,00 . 5,6 70 ISOWATT218  
  STH9N80 800 1,00 9,0 180 TO-218  
  STH8N80FI 800 1,20 5,0 70 ISOWATT218  
  STH8N80 800 1,20 8.0 180 TO-218  
  STHV82FI 800 2,00 3,5 65 ISOWATT218  
  STHV82 800 2,00 5,5 125 TO-218  
  BUZ80AFI 800 3,00 2,4 40 ISOWATT220  
  BUZ80A 800 3,00 3,8 100 TO-220  
  BUZ80FI 800 4,00 2,0 35 ISOWATT220  
  BUZ80 800 4,00 2,6 75 TO-220  
  STH6N100FI 1000 2,00 3,7 70 ISOWATT218  
  STH6N100 1000 2,00 6,0 180 TO-218  
  STHV102FI 1000 3,50 3,0 65 ISOWATT218  
  STHV102 1000 3,50 4,2 125 TO-218  
  SGS100MA010D1 100 0,014 50 120 TO-240  
  SGS150MA010D1 100 0,009 75 150 TO-240  
  SGS30MA050D1 500 0,20 15 30 TO-240  
  SGS35MA050D1 500 0,16 17,5 35 TO-240  
  TSD200N05V 50 0,006 200 600 Isotop  
  TSD4M150V 100 0,014 70 135 Isotop  
  TSD4M251V 150 0,021 70 110 Isotop  
  TSD4M250V 200 0,021 60 110 Isotop  
  TSD4M351V 350 0,075 30 50 Isotop  
  TSD4M350V 400 0,075 30 50 Isotop  
  TSD4M451V 450 0,1 28 45 Isotop  
  TSD2M450V 500 0,2 26 100 Isotop  
  TSD4M450V 500 0,1 28 45 Isotop  
  TSD22N80V 800 0,4 22 77 Isotop  
  TSD5MG40V 1000 0,7 9 17 Isotop

ОБОЗНАЧЕНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ


   Проверку полевого транзистора на исправность можно проводить мультиметром в режиме тестирования P-N переходов диодов. Показываемое мультиметром значение сопротивления на этом пределе численно равно прямому напряжению на P-N переходе в милливольтах. У исправного транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление. Но в некоторых современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод поэтому бывает, что канал «сток-исток» при проверке ведет себя как обычный диод. Черным (отрицательным) щупом прикасаемся к стоку (D), красным (положительным) — к истоку (S). Мультиметр показывает прямое падение напряжения на внутреннем диоде (500 — 800 мВ). В обратном смещении мультиметр должен показывать бесконечно большое сопротивление, транзистор закрыт. Далее, не снимая черного щупа, касаемся красным щупом затвора (G) и опять возвращаем его на исток (S). Мультиметр показывает 0 мВ, причём при любой полярности приложенного напряжения — полевой транзистор открылся прикосновением. Если теперь черным щупом коснуться затвора (G), не отпуская красного щупа, и вернуть его на сток (D), то полевой транзистор закроется и мультиметр снова будет показывать падение напряжения на диоде. Это верно для большинства N-канальных полевых транзисторов.

   Справочники радиодеталей

Порядок вывода комментариев: По умолчаниюСначала новыеСначала старые


Т.н. «ПЕРЕХОД» для полевых транзисторов принято называть «КАНАЛОМ». Но табличка красивая. Другие справочники вот так же бы….


Лабораторный БП 0-30 вольт

Драгметаллы в микросхемах

Металлоискатель с дискримом

Ремонт фонарика с АКБ

Восстановление БП ПК ATX

Кодировка SMD деталей

Справочник по диодам

Аналоги стабилитронов

Полевые транзисторы «IRF…»

Справочник

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ «IRF…»

Мощные полевые ключевые транзисторы с изолированным затвором, n-канальные, обогащенного типа.

тип.

рис.

Uc-и max

(V)

Ic max

(А)

Р max

(W)

Rc-и

(Ohm)

Си

(nF)

Uз-и

(отс) (V)

Uз-и

max (V)

S

(А/V)

при Ic

(А)

IRF230

А

200

9

75

0.4

0.6

4

20

3-4.8

5

IRF231

А

150

9

75

0.4

0.6

3.5

20

3-4.8

5

IRF232

А

200

8

75

0.6

0.6

3,5

20

3-4,8

5

IRF233

А

150

8

75

0.6

0.6

4

20

3-4,8

5

IRF234

А

250

8

75

0,45

0.6

4

20

3-5

6

IRF235

А

250

6.5

75

0.7

0.6

4

20

3-5

6

IRF236

А

275

8

75

0,45

0.6

4

20

3-4,3

4

IRF237

А

275

6,5

75

0,7

0.6

4

20

3-4,3

4

IRF240

С

200

18

125

0,18

1,3

4

20

6-10

10

IRF241

С

150

18

125

0,18

1,3

4

20

6-10

10

IRF242

С

200

16

125

0,22

1.3

4

20

6-10

10

IRF243

С

150

16

125

0.22

1.3

4

20

6-10

10

IRF244

А

250

14

125

0.28

1.3

4

20

7-10

8

IRF245

А

250

13

125

0,34

1.3

4

20

7-10

8

IRF246

А

275

14

125

0,28

1.3

4

20

7-10

8

IRF247

А

275

13

125

0,34

1,3

4

20

7-10

8

IRF250

С

200

30

150

0,085

2

4

20

8-12

16

IRF251

С

150

30

150

0,085

2

4

20

8-12

16

IRF252

С

200

25

150

0.12

2

4

20

8-12

16

IRF253

С

150

25

150

0,12

2

4

20

8-12

16

IRF254

С

250

22

150

0,14

2,7

4

20

11-17

12

IRF255

А

250

20

150

0.17

2.7

4

20

11-17

12

IRF256

А

275

22

150

0,14

2.7

4

20

11-17

12

IRF257

А

275

20

150

0.17

2.7

4

20

11-17

12

IRF300

А

400

4

125

1.3

1

3

20

1-2.5

2

IRF301

А

350

4

125

1,3

1

3

20

1-2,5

2

IRF305

А

400

5

125

0,008

1

3

20

1-2,5

2

IRF320

А

400

3.3

50

1.8

0.45

3.5

20

1.8-2.7

1.8

IRF321

А

350

3,3

50

1.8

0,45

3.5

20

1.8-2.7

1.8

IRF322

А

400

2.8

50

2.5

0,45

3.5

20

1.8-2.7

1,8

IRF323

А

350

2.8

50

2.5

0,45

3.5

20

1.8-2,7

1,8

IRF330

А

400

5.5

75

1

0.7

4

20

2.9-4

3

IRF331

А

350

5,5

75

1

0.7

4

20

2.9-4

3

IRF333

А

350

4.5

75

1,5

0.7

4

20

2,9-4

3

IRF340

А

400

10

125

0,55

1,3

4

20

6-8

5.2

IRF341

А

350

10

125

0.55

1,3

4

20

6-8

5.2

IRF342

А

400

8.3

125

0.8

1,3

4

20

6-8

5.2

IRF343

А

350

8.3

125

0,8

1.3

4

20

6-8

5.2

IRF350

А

400

15

150

0.3

2

4

20

8-10

8

IRF351

А

350

15

150

0.3

2

4

20

8-10

8

IRF352

А

400

13

150

0.4

2

4

20

8-10

8

IRF353

А

350

13

150

0.3

2

3.5

20

8-10

8

IRF360

С

400

25

300

0.2

4

4

20

14-21

14

IRF362

С

400

22

300

0.25

4

4

20

14-21

14

IRF420

А

500

2.5

50

3

0,3

4

20

1,5-2,3

1.4

IRF421

А

450

2.5

50

3

0.3

4

20

1.5-2,3

1.4

IRF422

А

500

2,2

50

4

0.3

4

20

1,5-2,3

1.4

IRF423

А

450

2,2

50

4

0.3

4

20

1.5-2.3

1.4

IRF430

А

500

4,5

75

1.5

0.6

3.5

20

2.7-3.2

2.5

 

тип.

рис.

Uc-и

max (V)

Ic

max

(А)

Рmах

(W)

Rc-и

(Ohm)

Си

(nF)

Uз-и (отс)

(V)

Uз-и max

(V)

S

(А/V)

при Iс

(А)

IRF431

А

450

4,5

75

1.5

0.6

3.5

20

2.7-3.2

2.5

IRF432

А

500

4

75

2

0.6

3.5

20

2,7-3,2

2.5

IRF433

А

450

4

75

2

0.6

3.5

20

2,7-3.2

2.5

IRF440

А

500

8

125

0.85

1.2

4

20

5-7,5

4.5

IRF441

А

450

8

125

0.85

1.2

4

20

5-7.5

4,5

IRF442

А

500

7

125

1.1

1.2

4

20

5-7.5

4.5

IRF443

А

450

7

125

1.1

1.2

4

20

5-7,5

4.5

IRF448

А

500

9,6

130

0.8

1.8

4

20

6.3-9,4

5.5

IRF449

А

500

8.5

130

0.75

1.8

4

20

6,3-9.4

5,5

IRF450

А

500

13

125

0.4

1.8

4

20

6-11

7.2

IRF451

А

450

13

125

0.4

1.8

4

20

6-11

7,2

IRF452

А

500

11

125

0.5

1.8

4

20

6-11

7.2

IRF453

А

450

11

125

0,5

1.8

4

20

6-11

7.2

IRF510

В

100

5.6

43

0.54

0.135

4

20

1.3-2

3.4

IRF511

В

80

5.6

43

0.54

0.15

4

20

1,3-2

3.4

IRF512

В

100

4.9

43

0.74

0.135

4

20

1,3-2

3.4

IRF513

в

80

4.9

43

0.74

0,135

4

20

1,3-2

3,4

IRF520

в

100

9.2

60

0,27

0.35

4

20

2,7-4.1

5,8

IRF521

в

80

9.2

60

0,27

0,35

4

20

2,7-4.1

5,6

IRF522

в

100

8

60

0.36

0.35

4

20

2.7-4.1

5,6

IRF523

в

80

8

60

0.36

0,35

4

20

2.7-4,1

5,8

IRF530

в

100

14

80

0.18

0.6

4

20

5.1-7,6

8,3

IRF531

в

80

14

80

0,18

0.6

4

20

5.1-7,6

8,3

IRF532

в

100

12

80

0.25

0.6

4

20

5,1-7,6

8.3

IRF533

в

60

12

80

0.25

0.6

4

20

5.1-7,6

8.3

IRF540

в

100

28

150

0,077

1.45

4

20

8.7-13

17

IRF541

в

80

28

150

0.077

1.45

4

20

8.7-13

17

IRF542

в

100

25

150

0,1

1.45

    4

20

8.7-13

17

IRF543

в

80

25

150

0.1

1.45

4

20

8.7-13

17

Uc-и max — максимально допустимое напряжение между стоком и истоком (V).

Ic max — максимально допустимый ток стока (А). Рmах • максимально допустимая мощность рассеяния на стоке (W).

Rc-и — минимальное эквивалентное сопротивление сток-исток в полностью открытом состоянии (Ohm).

Си — емкость стока (nF).

Uз-и (отс) — максимальное напряжение отсечки между затвором и истоком (V).

Uз-и max — пробивное напряж. затвор-исток (V). S(A/V) — крутизна ампер-вольтовой характеристики, от и до.

при Iс — ток стока (А) при котором измерялась

S(A/V).


Справочник полевые транзисторы

Справочник

Пары и сборки полевых транзисторов

2П101 — КПС203

 КП301 — КП312

 КП313 — 3П330

 3П331 — КП350

 3П351 — КП364

 КП501 — КП698

 КП150 — КП640 (транзисторы мощные)

 КП701 — КП730

 КП731 — КП771

 КП801 — КП840

 КП901 — 3П930

 КП931 — КП948

 КП951 — КП973

 

Цветовая маркировка полевых транзисторов

Цоколевка полевых транзисторов 1-12

КП101, КП314, КП333, КП102, КП103, КП308-9, КПС104, КП201,КПС202, КПС203, КП301, КП302, КП601, КП914, КП303, КП307, КП310, КП337, КП304

Цоколевка полевых транзисторов 13−24

КП305, КП306, КП350, КП312, КП341, КП313, КПС315, КП322, КП323-2, 2П335-2 , 3П324-2, 3П325-2, 3П343-2, 3П344-2, 3П320-2, 3П321-2, 3П326-2, 3П330-2, 3П331-2, 3П339-2, 3П605-2, 3П328-2…

Цоколевка полевых транзисторов 25−36

2П338-1, 3П345-2, 3П602-2, 3П910-2, 3П603-2, 3П604-2, 3П606-2, 3П608-2, 3П927-2,  2П103-9, КП346-9, 2П347-2, 2П601-9, 2П607-2, КП327, КП103-1

Цоколевка полевых транзисторов 37−48

КПС316, КП901, КП902, КП903, КП904, KP905, KP907, KP908, 2П909, 2П911, 2П913, КП705, КП801, КП802, КП912, КП921, КП926, КП934, КП937, 2П918, 2П923, 2П941, 3П915-2, 3П925-2, 2П920, 2П928, 3П930-2

Цоколевка полевых транзисторов 49−60

2П933, 2П701, 2П702, 2П703, 2П803, КП921, КП931, КП704, КП707-1, КП922-1, КП946, КП948, КП932, КП707, 504НТ1 — 504НТ4, КР504НТ1 — КР504НТ4, 2П706, КП150…

маркировка полевой транзистор

 
        

использование транзисторов

Транзистор

транзисторы продам

(от

мп39 транзистор

англ.

драйвер транзистора

transfer

схема полевого транзистора

— переносить

коммутатор транзистор

и

обозначение транзисторов

resistance

усилитель на полевом транзисторе

— сопротивление

datasheet транзистор

или

n p n транзистор

transconductance

схема унч на транзисторах

полевые транзисторы характеристики

активная

полевые транзисторы справочник

межэлектродная

как работает транзистор

проводимость

как прозвонить транзистор

и

транзисторы большой мощности

varistor —

зарубежные транзисторы скачать

переменное

транзистор ру

сопротивление)

igbt транзисторы

— электронный

мощные транзисторы

прибор

цоколевка полевого транзистора

из полупроводникового

транзистор кт827

материала,

унч на полевых транзисторах

обычно

транзисторы tip

с

биполярный транзистор принцип работы

тремя

транзистор принцип работы

выводами, позволяющий входным

генератор на транзисторе

сигналам

как сделать транзистор

управлять

работа полевых транзисторов

током

полевой транзистор принцип работы

в

транзисторы большой мощности

электрической цепи.

mosfet транзисторы

Обычно

импульсный транзистор

используется

планарные транзисторы

для

проверка транзисторов

усиления,

схема унч на транзисторах

генерирования

полевой транзистор применение

и преобразования

кодовая маркировка транзисторов

электрических

параметры транзисторов

сигналов.

маркировка полевой транзистор


        

транзисторы отечественные

Управление

металлоискатель на транзисторах

током в

советские транзисторы

выходной

полевой транзистор принцип работы

цепи

параметры транзисторов

осуществляется за счёт

igbt транзисторы

изменения

кодовая маркировка транзисторов

входного

фото транзисторов

напряжения или

защита транзистора

тока.

биполярный транзистор принцип работы

Небольшое

igbt транзисторы

изменение

схема транзистора

входных величин

смд транзисторы

может

транзисторы irf

приводить к

трансформатор тесла на транзисторе

существенно

полевых транзисторов

большему

биполярный транзистор

изменению

советские транзисторы

выходного

скачать бесплатно справочник по транзисторам

напряжения

стабилизатор напряжения на транзисторе

и

1 транзистор

тока. Это

транзисторы продам

усилительное

усилитель звука на транзисторах

свойство

использование транзисторов

транзисторов используется

транзистор 3102

в

структура транзистора

аналоговой

транзистор 9014

технике

принцип работы полевого транзистора

(аналоговые

биполярные транзисторы справочник

ТВ, радио,

транзистор кт819

связь

стабилизатор напряжения на транзисторе

и

советские транзисторы

т.

транзистор d2499

п.).

маркировка полевой транзистор


         В

цифровой транзистор

настоящее

13003 транзистор

время

зарубежные транзисторы и их аналоги

в

полевой транзистор параметры

аналоговой

преобразователь на полевом транзисторе

технике

прямой транзистор

доминируют биполярные

маркировка импортных транзисторов

транзисторы

маркировка smd транзисторов

(БТ)

смд транзисторы

(международный

регулятор на полевом транзисторе

термин

трансформатор тесла на транзисторе

работа полевых транзисторов

BJT,

принцип транзистора

bipolar

s8050 транзистор

junction

транзистор d1555

transistor).

мощный полевой транзистор

Другой

ключ на биполярном транзисторе

важнейшей

усилитель мощности на полевых транзисторах

отраслью

блок питания на полевом транзисторе

электроники

блокинг генератор на транзисторе

является

устройство транзистора

цифровая

цветовая маркировка транзисторов

техника

радио транзистор

(логика,

блокинг генератор на транзисторе

память, процессоры,

транзистор pnp

компьютеры,

как подключить транзистор

цифровая

блокинг генератор на транзисторе

связь

импортные транзисторы справочник

и

база транзисторов

т.

вах транзистора

п.), где,

маркировка полевого транзистора

напротив,

маркировка полевого транзистора

биполярные транзисторы почти

завод транзистор

полностью

применение транзисторов

вытеснены

принцип транзистора

полевыми.

маркировка полевой транзистор


        

как проверить транзистор

Вся

13009 транзистор

современная цифровая

мощный полевой транзистор

техника

мдп транзистор

построена,

транзисторы продам

в

транзисторы irf

основном,

продажа транзисторы

на

13001 транзистор

полевых

транзистор процессор

МОП

типы транзисторов

(металл-оксид-полупроводник)-транзисторах

аналоги импортных транзисторов

(МОПТ),

регулятор на полевом транзисторе

как более

транзистор процессор

экономичных,

полевой транзистор схема

по

характеристики полевых транзисторов

сравнению

транзистор pnp

с

конструкция транзистора

БТ,

d880 транзистор

элементах. Иногда

транзистор мп

их

подключение транзистора

называют

преобразователь напряжения на транзисторах

МДП

работа транзистора

(металл-диэлектрик-полупроводник)-

n p n транзистор

транзисторы.

315 транзистор

Международный

маркировка полевого транзистора

термин

принцип действия транзистора

транзисторы тиристоры

MOSFET

транзистор кт827

(metal-oxide-semiconductor

параметры транзисторов

field effect

полевой транзистор схема

transistor).

триггер на транзисторах

Транзисторы изготавливаются

вч транзисторы

в

полевые транзисторы параметры

рамках

преобразователь на полевом транзисторе

интегральной технологии

усилитель звука на транзисторах

на

маркировка импортных транзисторов

одном

испытатель транзисторов

кремниевом

транзисторы отечественные

кристалле

транзисторы микросхемы

(чипе) и

фото транзисторов

составляют

цоколевка транзисторов

элементарный

тесла на транзисторах

«кирпичик» для

стабилизатор тока на транзисторе

построения

полевой транзистор схема

микросхем логики,

p канальный транзистор

памяти,

схема включения полевого транзистора

процессора

мощные биполярные транзисторы

и

транзистор кт3102

т.

транзисторы микросхемы

п.

маркировка полевого транзистора

Размеры

стабилизатор напряжения на транзисторе

современных МОПТ

справочник по зарубежным транзисторам

составляют

транзисторы bu

от

тесла на транзисторах

90

n p n транзистор

до

включение биполярного транзистора

32

принцип работы полевых транзисторов

нм[источник

ключи на полевых транзисторах

не указан

испытатель транзисторов

134

подбор транзисторов по параметрам

дня].

как проверить транзистор

На одном

цоколевка импортных транзисторов

современном

аналоги транзисторов

чипе

генератор на полевом транзисторе

(обычно размером

6822 транзистор

1—2

импортные транзисторы справочник

см?)

mosfet транзисторы

размещаются

работа биполярного транзистора

несколько

мощные полевые транзисторы

(пока единицы)

маркировка транзисторов

миллиардов

13009 транзистор

МОПТ.

d209l транзистор

На

принцип действия транзистора

протяжении

аналоги отечественных транзисторов

60

транзисторы куплю

лет происходит уменьшение размеров

цветовая маркировка транзисторов

(миниатюризация) МОПТ и

биполярные транзисторы справочник

увеличение их

схемы включения полевых транзисторов

количества

цоколевка транзисторов

на

цветовая маркировка транзисторов

одном

усилитель на транзисторах

чипе (степень

мосфет транзисторы

интеграции),

транзистор кт

в

полевой транзистор цоколевка

ближайшие

коммутатор транзистор

годы

коллектор транзистора

ожидается дальнейшее

советские транзисторы

увеличение

коэффициент усиления транзистора

степени интеграции

схема включения полевого транзистора

транзисторов

строчные транзисторы

на

реле на транзисторе

чипе

параметры полевых транзисторов

(см.

1 транзистор

Закон

унч на полевых транзисторах

Мура).

транзистор принцип работы

Уменьшение размеров

транзистор это просто

МОПТ

включение биполярного транзистора

приводит

скачать бесплатно справочник по транзисторам

также

радиоприемник на транзисторах

к

транзистор это просто

повышению быстродействия процессоров.

маркировка полевой транзистор


        

маркировка импортных транзисторов

Первые патенты

цоколевка импортных транзисторов

на

транзистор дарлингтона

принцип работы

прибор для проверки транзисторов

полевых

умзч на транзисторах

транзисторов

конструкция транзистора

были зарегистрированы

высокочастотные транзисторы

в

принцип транзистора

Германии в

n p n транзистор

1928

силовые транзисторы

году

лавинный транзистор

справочник полевых транзисторов

Канаде, 22

полевые транзисторы импортные справочник

октября

транзисторы куплю

1925

блок питания на полевых транзисторах

года)

обозначение транзисторов на схеме

на

транзисторы tip

имя

простой усилитель на транзисторах

австро-венгерского

мп39 транзистор

физика

транзистор затвор сток исток

Юлия Эдгара

составной транзистор

Лилиенфельда.[источник

схема подключения транзистора

не

генератор на транзисторе

указан

драйвер транзистора

107

лавинный транзистор

дней] В

транзисторы irf

1934 году

типы корпусов транзисторов

немецкий

принцип работы полевого транзистора

физик

ключи на полевых транзисторах

Оскар

транзистор в ключевом режиме

Хейл

конструкция транзистора

запатентовал

усилитель звука на транзисторах

полевой

полевые транзисторы импортные справочник

транзистор.

радио транзистор

Полевые

регулятор на полевом транзисторе

транзисторы

315 транзистор

как проверить транзистор мультиметром

частности, МОП-транзисторы)

аналоги отечественных транзисторов

основаны

как работает транзистор

на

схема включения полевого транзистора

простом

конструкция транзистора

электростатическом

13003 транзистор

эффекте

как сделать транзистор

поля,

тесла на транзисторах

по

схема включения полевого транзистора

физике

транзистор 3102

они

как проверить полевые транзисторы

существенно

биполярный транзистор принцип работы

проще

n p n транзистор

биполярных транзисторов,

блок питания на полевом транзисторе

и поэтому

усилительный каскад на транзисторе

они

зарубежные транзисторы и их аналоги

придуманы

мощные полевые транзисторы

и

выходная характеристика транзистора

запатентованы

стабилизатор на полевом транзисторе

задолго

как прозванивать транзисторы

до биполярных

поиск транзисторов

транзисторов.

транзистор принцип работы

Тем

ключ на биполярном транзисторе

не

драйвер транзистора

менее,

транзисторы irf

первый

параметры биполярных транзисторов

МОП-транзистор,

управление полевым транзистором

составляющий

стабилизатор на полевом транзисторе

основу

транзистор кт

современной компьютерной

справочник аналогов транзисторов

индустрии,

мощные транзисторы

был

datasheet транзистор

изготовлен

аналоги импортных транзисторов

позже биполярного

прямой транзистор

транзистора,

советские транзисторы

в

13003 транзистор

1960

коэффициент усиления транзистора

году. Только

полевой транзистор характеристики

в

биполярный транзистор принцип работы

90-х

параметры транзисторов

годах XX

включение биполярного транзистора

века МОП-технология

полевой транзистор принцип работы

стала

полевой транзистор принцип работы

доминировать

полевой транзистор применение

над биполярной.

маркировка полевой транзистор

маркировка полевой транзистор

Книги по полевым транзисторам — Alibris

  • CMOS: схемотехника, компоновка, …

    R Джейкоб Бейкер
    Купить от $ 9.97
    электронная книга от $ 120.00

  • Основы ультратонких …

    Джерри Г. Фоссум, Вишал П. Триведи
    Купить от $ 24,69
    электронная книга от 48,00 $

  • Приборы с полевым эффектом: Объем …

    Роберт Пьер
    Купить от 1,36 $

  • CMOS, схемотехника, макет ,…

    Р Джейкоб Бейкер, Гарри В. Ли
    Купить от $ 4.86

  • Усилители на полевых транзисторах с GaAs

    большой мощности

    Джон Л. Б. Уокер, доктор философии. (Введение)
    Купить от 9,99 $

  • Finfets и другие мульти-гейты …

    J -P Colinge (редактор)
    Купить от $ 157.06
    электронная книга от 47,70 $

  • Транзисторы Гана для повышения эффективности …

    Алекс Лидоу, Профессор Йохан Стридом
    Купить от 89 $.57 год

  • Полупроводниковые приборы

    Канаан Кано
    Купить от $ 6.39

  • Микроволновое поле …

    Раймонд С. Пенджелли
    Купить от 4,09 $

  • Работа и моделирование …

    Яннис Цивидис
    Купить от 135,35 $

  • Работа и моделирование …

    Яннис Цивидис
    Купить от 1,99 $

  • Основы устройств III-V…

    Уильям Лю
    Купить от $ 199,62

  • Organic Electronics II: Подробнее …

    Хаген Клаук (редактор)
    Купить от $ 139,53

  • Распределенная CMOS …

    Зиад Эль-Хатиб, Леонард Мейсахерн
    Купить от $ 129,35
    электронная книга от 38,70 $

  • Моделирование Mosfet с помощью Spice: …

    Дэниел Фоти
    Купить от $ 4.35

  • Моделирование нанопроволоки и двойника…

    Фарзан Джазаери, Жан-Мишель Саллезе
    Купить от $ 17.20

  • Эффект туннельного поля …

    Джагадеш Кумар Мамидала, Раджат Вишной
    Купить от $ 98,60

  • Анализ и проектирование …

    Джуин Джей Лиу, Адельмо Ортис-Конде
    Купить от 21,95 $

  • Арсенид галлия цифровой …

    Крыло Омара
    Купить от $ 9.05

  • Основы наномасштабирования…

    Амит Чаудри
    Купить от $ 129,35
    электронная книга от 38,70 $

  • МОП-устройства для низкого напряжения …

    Ясухиса Омура, Абхиджит Маллик
    Купить от 133,56 $

  • Расширенные устройства Mos: …

    Дитер К. Шредер
    Купить от $ 33,73

  • Проектирование с полевым эффектом …

    Siliconix Incorporated
    Купить от $ 2.59

  • Справочник по применению Mospower

    Руди Севернс (редактор), Рудольф П.Севернс
    Купить от $ 1.64

  • подробное руководство по полевым транзисторам.

    Я подробно расскажу вам о полевом транзисторе (полевом транзисторе) и расскажу обо всем, что связано с полевым транзистором, включая определение, символ, работу, характеристики, типы и приложения полевого транзистора.

    Приступим.

    Определение:

    Полевой транзистор (полевой транзистор) представляет собой электронное устройство с тремя выводами, используемое для управления потоком тока с помощью напряжения, подаваемого на его вывод затвора.Три клеммы в этом устройстве называются сток, исток и затвор.

    • Источник: Это терминал, через который носители заряда попадают в канал.
    • Дренаж: Это терминал, через который носители заряда покидают канал.
    • Gate: Этот терминал контролирует проводимость между терминалами истока и стока.

    Полевые транзисторы также известны как униполярные транзисторы в отличие от биполярных транзисторов BJT.В полевых транзисторах для процесса проводимости используются дырки или электроны. Но в процессе проводимости одновременно не участвуют оба носителя заряда. Полевые транзисторы обычно имеют высокий входной импеданс на низких частотах и ​​отображают мгновенную работу, высокую производительность, надежны и дешевы и используются во многих электрических цепях. Низкое энергопотребление и низкое рассеивание мощности делают это устройство идеальным для интегральных схем.

    Символ:

    На следующем рисунке показано обозначение транзисторов MOSFET и JFET, которые являются двумя основными типами транзисторов FET.

    Рабочий:

    Полевой транзистор — это электронное устройство, которое содержит носители заряда, электроны или дырки, которые текут от истока к выводам стока через активный канал. Процесс проводимости контролируется подачей входного напряжения на вывод затвора.

    Токоведущий путь, который существует между выводами истока и стока, известен как «канал», который может состоять из полупроводникового материала N-типа или P-типа.

    Работу N-канального JFET можно описать следующим образом, взяв два разных случая:

    Корпус 1:

    В случае 1 напряжение на выводе затвора равно нулю, и напряжение Vds приложено между выводом стока и истока, как показано на рисунке ниже.

    В этом случае два pn-перехода на сторонах стержня образуют область истощения. В результате электроны текут от истока к выводу стока через канал, который находится между обедненными слоями.Ширина канала и токопроводимость через стержень определяются размером обедненных слоев.

    Корпус 2:

    Ширина обедненного слоя увеличивается, когда обратное напряжение прикладывается к клеммам затвора и истока Vgs. Это приводит к уменьшению ширины проводящего канала и увеличению сопротивления стержня n-типа.

    Следовательно, ток от истока к клеммам стока уменьшается. Однако, когда напряжение обратного смещения на выводе затвора уменьшается, это также уменьшит ширину обедненного слоя и, как результат, ширина проводящего канала увеличится.

    Это работа N-Channel JFET, которая работает аналогично P-Channel JFET. Единственное отличие — носители заряда. В случае полевого транзистора с N-каналом носителями заряда являются электроны, а в случае полевого транзистора с P-каналом — дырки.

    Характеристики:

    На следующем рисунке показаны кривые характеристик JFET:

    A: омическая область:

    В омической области, когда Vgs = 0, JFET будет вести себя как резистор, управляемый напряжением, и несет очень маленький обедненный слой канала.

    B: область отсечения:

    Область отсечки также называется областью отсечки, где напряжения затвора Vgs достаточно, чтобы заставить JFET вести себя как разомкнутая цепь, поскольку сопротивление канала является максимальным.

    C: Область насыщенности:

    Область насыщения также называется активной областью, где проводимость устройства очень высока, что регулируется приложенным напряжением на выводах затвора и истока Vgs. В этом состоянии напряжение Vds сток-исток будет иметь небольшое влияние или не будет иметь никакого эффекта.

    D: Область разбивки:

    В этой области напряжение на выводах Vds истока и стока очень велико, что нарушает резистивный канал полевого транзистора и позволяет протекать неконтролируемому максимальному току.

    Ток стока Id линейно увеличивается с напряжением на выводах истока и стока Vds. По мере увеличения Id омическое падение напряжения на участке канала и выводе истока будет изменять обратное смещение перехода, и в результате проводимость канала остается постоянной.Напряжение Vds в этом положении известно как напряжение отсечки.

    Типы:

    Полевые транзисторы делятся на два основных типа:

    1: JFET

    2: МОП-транзистор

    1: JFET

    JFET (Junction Field Effect Transistor) представляет собой трехконтактное электронное устройство и представляет собой тип полевого транзистора, который в основном используется для разработки усилителей и используется в качестве переключателей с электрическим управлением. JFET — это устройства, управляемые напряжением, поскольку им не требуется ток смещения для запуска транзистора.

    JFET находится во включенном состоянии, когда между выводами истока и затвора нет напряжения. Однако, когда напряжение подается на клеммы истока и затвора, это устройство будет показывать сопротивление при протекании тока и допускает только ограниченное протекание тока между выводами истока и стока.

    JFET делятся на два типа:

    • N-Channel JFET, где проводимость осуществляется движением электронов.
    • P-Channel JFET, где проводимость осуществляется за счет движения отверстий.

    N-канальные JEFT предпочтительнее, чем P-канальные JFET во многих электронных приложениях, потому что подвижность электронов лучше подвижности дырок.

    2: МОП-транзистор

    MOSFET (Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор) — это полупроводниковое устройство, которое в основном используется для усиления и переключения в электронных устройствах.

    MOSFET — это устройство, управляемое напряжением, поскольку входное напряжение на выводе затвора контролирует проводимость между выводами истока и стока.

    MOSFET делятся на два основных типа:

    • N-канальный полевой МОП-транзистор, в котором проводимость осуществляется за счет движения электронов. Этот транзистор очень эффективен, имеет низкое сопротивление и занимает меньшую площадь.
    • МОП-транзистор с P-каналом, где проводимость осуществляется за счет движения отверстий. Этот транзистор менее эффективен, имеет высокое сопротивление и занимает большую площадь.

    Приложения:

    Полевые транзисторы используются в следующих приложениях.

    • Аналоговый переключатель
    • Ограничитель тока
    • Каскодный усилитель
    • Измельчитель
    • Генераторы с фазовым сдвигом
    • Мультиплексор
    • Буферный усилитель

    Надеюсь, эта статья оказалась для вас полезной. Если у вас есть какие-либо вопросы, вы можете обратиться ко мне в разделе ниже. Я хотел бы помочь вам как можно лучше. Спасибо, что прочитали статью.

    Руководство по выбору полевых транзисторов с переходом

    (JFET): типы, характеристики, применение


    Полевые транзисторы (JFET) — это тип полевых транзисторов, в которых проводящий канал находится между одним или несколькими p-n-переходами.

    Как и все транзисторы, полевые транзисторы JFET имеют три вывода: исток (S), сток (D) и затвор (G). Все полевые транзисторы JFET имеют токопроводящий канал, идущий от истока к стоку. Канал зажат между двумя областями противоположной полярности; например, в n-канальном JFET — наиболее распространенном типе — канал состоит из материала n-типа, а две внешние области — из материалов p-типа. Каждая p-область окружена тонким обедняющим слоем. Контакт затвора находится на одной из p-областей.На изображении ниже показаны схематический символ и базовая диаграмма n-канального JFET.

    Изображение предоставлено: CircuitsToday

    Полевые транзисторы

    часто используются в качестве переключателей или резисторов, управляемых напряжением, и их работу легко сравнить с работой крана. Если мы рассмотрим, что мы можем контролировать поток воды через кран, регулируя клапан, мы можем затем сравнить JFET, назначив клемму источника как источник воды, затвор как клапан и сток как физический сток.Это означает, что контакт истока обеспечивает электроны, которые проходят через проводящий канал к выводу стока. Подавая напряжение на затвор, канал становится меньше и эффективно ограничивает поток электронов; это показывает использование полевого транзистора в качестве резистора, управляемого напряжением, операция, которая будет описана более подробно ниже.

    Изображение предоставлено: Bolestad & Nashewski; Пирсон Паблишинг

    Полевые транзисторы

    , как и соответствующие биполярные переходные транзисторы (BJT), используются во множестве современных электронных устройств, таких как усилители, переключающие устройства и схемы согласования импеданса.Полевые транзисторы (FET) имеют ряд отличий по сравнению с BJT, в том числе:

    • полевые транзисторы управляются напряжением; БЮТ с управлением по току
    • полевые транзисторы имеют более высокое входное сопротивление; BJT имеют более высокий коэффициент усиления
    • Полевые транзисторы менее чувствительны к колебаниям температуры
    • полевые транзисторы однополярные, а биполярные транзисторы

    Принципы работы

    Рабочие условия полевого транзистора определяются значениями и изменениями двух различных напряжений: напряжения затвор-исток ( В, GS ) и напряжения сток-исток ( В, DS ).

    V

    GS = 0; V DS Увеличение

    Если напряжение затвор-исток равно нулю (V GS = 0) и напряжение сток-исток увеличивается, в транзисторе происходят три изменения:

    • Область обеднения между n- и p-областями увеличивается в размерах.
    • Канал n становится меньше, а сопротивление увеличивается.
    • Несмотря на повышенное сопротивление, ток от истока к стоку увеличивается из-за увеличения напряжения сток-исток.

    Если напряжение затвора остается равным нулю, а напряжение сток-исток продолжает увеличиваться, транзистор в конечном итоге испытает отсечку , , при которой слои истощения станут настолько толстыми, что закроют канал. Основываясь на изображениях ниже, может показаться, что отсечка приведет к падению тока стока до нуля, но в этом состоянии ток стока просто остается постоянным, несмотря на дальнейшее увеличение напряжения стока. В точке отсечки ток стока может называться насыщенным, (или максимальным) и может быть задан с использованием значения I DSS .

    Два условия, описанные выше: VGS = 0 (слева) и отсечка.

    Изображение предоставлено: Болестад и Нашевски; Пирсон Паблишинг

    Некоторые другие характеристики полезны при рассмотрении работы JFET:

    • V P представляет напряжение отсечки или напряжение, необходимое для возникновения условия отсечки. Полевые транзисторы JFET обычно имеют относительно низкие напряжения отсечки.
    • Если V DS продолжает увеличиваться после того, как произошло насыщение стока, ток стока (I D ) в конечном итоге начинает уменьшаться.Напряжение затвор-исток, необходимое для уменьшения тока стока до нуля, обозначается как V GS (Off ) .

    • В DSmax указывает максимальное напряжение сток-исток. Если это значение превышено, ток стока будет бесконтрольно увеличиваться, что приведет к поломке и вероятному физическому повреждению или разрушению.

    Работа в качестве резистора, управляемого напряжением

    Возвращаясь к сравнению JFET и водопроводных кранов, можно изменить напряжение затвор-исток, чтобы отрегулировать сопротивление канала.График ниже показывает взаимосвязь между всеми ранее обсуждавшимися переменными. Обратите внимание, что область графика слева от напряжения отсечки (V P ) известна как омическая область.

    Изображение предоставлено: Болестад и Нашевски; Пирсон Паблишинг

    Приложения

    Полевые транзисторы

    используются во многих из тех же приложений, которые включают переключение или усиление, как и другие полевые транзисторы, включая металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы (MOSFET).Из-за их относительно более высоких характеристик крутизны JFET особенно подходят для малошумящих операционных усилителей.

    Стандарты

    SMD 5962-98636 — Операционный усилитель JFET

    SMD 5962-87718 — Мультиплексор JFET

    Список литературы

    Калифорнийский университет в Беркли — Цепи JFET


    Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


    Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

    Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

    • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
    • Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, нажмите кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
    • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
    • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
    • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

    Почему этому сайту требуются файлы cookie?

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


    Что сохраняется в файле cookie?

    Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

    Как правило, в файлах cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

    Эксплуатация Термореактивное переключение Органическое Полевые транзисторы

    ACS Omega.2019 Dec 24; 4 (26): 22082–22088.

    , ⊥, ⊥, , , , , * ‡33 , * , * 905 и * §

    Yang-Hsun Cheng

    Департамент химической инженерии и Институт прикладных наук и технологии, Национальный университет Тайваня наук и технологий, Тайбэй 10607, Тайвань

    Ай-Нхан Ау-Зыонг

    Департамент химического машиностроения и Высший институт прикладных наук и технологии, Национальный университет Тайваня наук и технологий, Тайбэй 10607, Тайвань

    Tsung-Yen Chiang

    Департамент химического машиностроения и Высший институт прикладных наук и технологии, Национальный университет Тайваня наук и технологий, Тайбэй 10607, Тайвань

    Цзы-Юань Вэй

    Департамент химического машиностроения и Высший институт прикладных наук и технологии, Национальный университет Тайваня наук и технологий, Тайбэй 10607, Тайвань

    Кай-Лин Чен

    Департамент химического машиностроения и Высший институт прикладных наук и технологии, Национальный университет Тайваня наук и технологий, Тайбэй 10607, Тайвань

    Цзюнь-Йих Лай

    Департамент химической инженерии и Высший институт прикладных наук и технологии, Национальный университет Тайваня наук и технологий, Тайбэй 10607, Тайвань

    Чиен-Чи Ху

    Департамент химической инженерии и Высший институт прикладных наук и технологии, Национальный университет Тайваня наук и технологий, Тайбэй 10607, Тайвань

    Чу-Чен Чуэ

    § Центр перспективных исследований в области экологии Материаловедение и технологии и кафедра Химическая инженерия, Тайваньский национальный университет, Тайбэй 10617, Тайвань

    Yu-Cheng Chiu

    Департамент химического машиностроения и Высший институт прикладных наук и технологии, Национальный университет Тайваня наук и технологий, Тайбэй 10607, Тайвань

    § Центр перспективных исследований в области экологии Материаловедение и технологии и кафедра Химическая инженерия, Национальный университет Тайваня, Тайбэй 10617, Тайвань

    Департамент химического машиностроения и Высший институт прикладных наук и технологии, Национальный университет Тайваня наук и технологий, Тайбэй 10607, Тайвань

    § Центр перспективных исследований в области экологии Материаловедение и технологии и кафедра Химическая инженерия, Национальный университет Тайваня, Тайбэй 10617, Тайвань

    Автор, ответственный за переписку.

    Поступило 28.09.2019 г .; Принято 27 ноября 2019 г.

    Это статья в открытом доступе, опубликованная под лицензией ACS AuthorChoice License, которая разрешает копирование и распространение статьи или любые изменения в некоммерческих целях. Эта статья цитируется другими статьями в PMC.

    Abstract

    В данной работе используется новый термочувствительный переключающий транзистор. является разработан за счет рациональной конструкции активных материалов на основе типичная конфигурация устройства на полевых транзисторах (FET), где активный материал состоит из смеси с тепловым расширением полимер и полимерный полупроводник.Здесь полиэтилен (ПЭ) используется в качестве полимера термического расширения из-за его большого объема коэффициент расширения вблизи точки плавления (90–130 ° C), что аналогично соответствует точке перегрева, которая может вызвать повредить или вызвать возгорание устройств. Выявлено, что благодаря термисторные свойства PE, характеристики полевого транзистора устройство будет значительно уменьшаться при высоких температурах (100–120 ° С). Это потому, что большое объемное расширение полиэтилена при таком высоком температура (около T м ) эффективно увеличивает расстояние кристаллических доменов поли (3-гексилтиофен-2,5-диил) чтобы привести к сильному торможению тока.Кроме того, спектакль этого устройства вернется к исходному значению после охлаждения от 120 до 30 ° C за счет сжатия объема PE. В обратимые характеристики полевого транзистора в зависимости от температуры тепловая чувствительность устройства на основе ПЭ. Наши результаты демонстрируют простой и многообещающий подход к разработке следующего поколения выключатели отключения при перегреве электрических цепей.

    1. Введение

    За последнее десятилетие, электронные устройства стали важными элементарные блоки для разработки разнообразной потребляющей электроники в нашей общество.Во время работы электронных устройств потери тепла будут неизбежно, и основным побочным продуктом будет тепло. В некоторых случаях, электрические устройства в цепях, особенно для интегрированных электроника, такая как сотовые телефоны, автомобили и т. д., может быть перегрета из-за отходящего тепла, выделяемого при коротком замыкании, искровом промежутке, или плохой отвод тепла. 1 Такой перегретый устройства вызвали серьезное беспокойство, потому что они могут ассоциироваться с серьезными повреждениями, такими как пожар, взрыв и травмы.По этой причине, коммерческие устройства обычно комплектуются двумя элементами, объединяющими функции датчика температуры и автоматического выключателя; тем не мение, это может вызвать затруднения в работе или усложнить устройство дизайн. Таким образом, в последнее время внимание исследователей было увеличено с целью поиска более простые и эффективные методы ограничения этой нехватки. 1

    Исходя из этого требования, мы особенно заинтересованы в развитии транзисторный ключ, самый основной элемент в электронной схеме которые могут обеспечить быстрое отключение при аномальной температуре.Среди разработанные транзисторы, органические полевые транзисторы (OFET) имеют вызвали значительный исследовательский интерес из-за преимуществ низкая стоимость, легкий вес, низкое энергопотребление, простая интеграция возможности и простой дизайн конструкции. Таким образом, были задействованы OFET. для широко распространенных приложений, например, коммутация и усиление сигналов в современных электронных устройствах. 2−9 В последнее время многочисленные усилия были даже направлены на разработку реагирующих на стимулы OFET, которые реагируют на физические, 10-12 химические, 13,14 или биологические стимулы. 15 Как правило, стратегия реализации зондирования функции OFET опираются на рациональные конструкции активного канала материалы, электроды и диэлектрические слои затвора. Например, изготовлен высокопроизводительный датчик давления с высокой чувствительностью и время отклика за счет прямого включения микроструктурированной плазмы десорбционные масс-спектрометрические пленки в диэлектрический слой Устройство OFET. 11 Еще одно исследование фототранзисторов состоящий из смеси поли (3-гексилтиофен-2,5-диил) (P3HT) и TiO 2 наночастиц в качестве активного слоя было продемонстрировано чтобы показать стабильные электрические характеристики и быструю реакцию на световое освещение. 12 Однако, насколько нам известно, термореактивный OFET для приложений защиты от перегрева были редко исследуется.

    В этом исследовании мы описываем новый подход реализовать термореактивный переключение OFET за счет рациональной конструкции активного материала, для который активный канал состоит из смеси теплового расширения полимер и полимерный полупроводник. Здесь полиэтилен (ПЭ) выбран в качестве полимера термического расширения из-за его значительного свойство объемного расширения вблизи точки плавления (90–130 ° C), что аналогично соответствует точке перегрева, которая может вызвать повреждение устройств или может вызвать возгорание в результате воздействия встроенных электронных компонентов к высокотемпературным внутренним жидкости (например, масло и охлаждающая жидкость).Между тем, P3HT выбран в качестве модельный полупроводниковый материал. Интересно проявляется, что смешанный полиэтилен может эффективно увеличить расстояние между упаковочными мотивами между проводящими доменами при повышении температуры, тем самым ограничивая выходной ток при относительно высокой температуре. 16,17 Таким образом, прямая зависимость производительности от температуры изготовленные устройства OFET исследуются при нагреве и охлаждении внешняя температура (от 30 до 120 ° С). У нас также есть исследовали морфологию активных слоев при изменении температуры вариации с использованием атомно-силовой микроскопии (АСМ) и скользящего падения широкоугольное рассеяние рентгеновских лучей для корреляции структуры и характеристик отношение.Результаты, представленные в этой работе, представляют собой доказательство концепции. устройство, которое легко интегрируется в электронные схемы в качестве регулятора перегрева.

    2. Результаты и обсуждение

    2.1. Конструкция устройства защитной цепи с использованием теплового Expansion Polymer

    Идеальный термочувствительный переключающий транзистор устройство должно быть основано на типичном транзисторном устройстве, потому что оно легко интегрируется в схему как переключаемый блок питания.Когда большое количество тепла (> 100 ° C) накопленный в подключенных цепях выходной ток термочувствительного Транзистор будет в значительной степени уменьшен, чтобы служить регулятором перегрева. В принципе, ток, протекающий в устройстве OFET, можно модулировать с помощью интерфейс полупроводник / диэлектрик, тем самым управляя включением / выключением состояния устройства. Основываясь на этом принципе, мы разрабатываем термочувствительное транзисторное устройство за счет рациональной конструкции материалы активного канала.Типичный P3HT используется здесь как моделирующий полупроводниковый материал и дополнительно смешанный с полиэтиленом, который обладает высоким коэффициентом теплового расширения, как показано на рис.

    Конфигурация устройства исследуемого термочувствительного переключения OFET и структуры исследуемых полимеров для активного канала.

    Как показано в Таблице 1, PE обладает уникальной способностью реагировать к температуре изменение, которое подходит для реализации термореактивной функции. PE имеет большой коэффициент теплового расширения, равный 3.От 8 до 8,6 × 10 –4 м / (м · К), что в ∼10 раз больше чем стоимость П3НТ и полистирола (ПС). Это заставляет PE обладать значительное расширение объема вблизи точки плавления (∼90 ° С). Кривые дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК) для чистые смеси P3HT, PE и P3HT / PE представлены на рисунке S1. Как видно, смеси P3HT / PE показывают T m ∼90 ° C и T c ∼77 ° C, что аналогично чистому PE, указывая на то, что фазовый переход P3HT / PE в основном смешивается зависит от теплового расширения полиэтилена.Такое расширение объема при повышении температуры может препятствовать прохождению тока между электроды истока и стока из-за изолирующей природы ЧП. Кроме того, поскольку объемное расширение или сжатие полиэтилена сильно зависит от температуры, рабочее состояние производного OFET на основе смесей сопряженного полимера / полиэтилена, таким образом, можно переключать или контролируется внешней температурой.

    Таблица 1

    Термические свойства P3HT, PE и PS

    характеристики P3HT PS PE refs
    плавка температура, T м (° C) 238 212 90–130 (16, 25)
    термический коэффициент расширения (м / (м · К)) 7.6 × 10 –5 6–8 × 10 –5 3,8–8,6 × 10 –4 (16, 25)
    процентов изменение громкости на кубический метр на 100 ° C (%) 2,28 1,8–2,4 11,4–25,8 (16, 26)

    2.2. Изготовление и характеристика исследуемых Устройства OFET

    Сначала мы производим устройства OFET на основе смеси P3HT / PE с различным соотношением компонентов 2: 1; 1: 1 и 1: 2 (определяется массовым процентом между P3HT и PE; i.е., 67%: 33%, 50%: 50% и 33%: 67% соответственно) и исследуют их характеристики полевых транзисторов. представляет их передачу характеристики и квадратный корень из тока стока, измеренного в помещении температура и соответствующие параметры устройства приведены в таблице 2. Все устройства имеют типичное поведение p-типа; однако подвижность насыщенных дырок (μ) устройства уменьшается по мере того, как содержание PE в активном канале увеличивается. Μ нетронутого устройства P3HT составляет 7,69 × 10 –2 см 2 V –1 с –1 и постепенно уменьшается до 0.35 × 10 –2 см 2 V –1 с –1 при увеличении массового отношения полиэтилена до 70%. Такое уменьшение в подвижности, по-видимому, связана с изолирующей природой аморфного PE, который препятствует переносу заряда матрицы P3HT до определенного степень.

    (a) Передаточные характеристики и (b) квадратный корень из тока стока изученных ОПТ на основе смесей P3HT / PE с различным смешиванием соотношения при комнатной температуре.

    Таблица 2

    Подробные характеристики OFET Исследуемые устройства, измеренные при комнатной температуре (30 ° C)

    образца среднее значение μ (см 2 / (В с)) среднее соотношение тока включения / выключения среднее значение ВКЛ ток при В г = −60 В (A) средний порог напряжение В th (В)
    P3HT (7.69 ± 0,70) × 10 –2 2,10 × 10 5 2,41 × 10 –5 –1,17 ± 2,78
    P3HT / PE (2: 1) (6,84 ± 0,66) × 10 –3 7.80 × 10 3 2,08 × 10 –6 –2,11 ± 2,12
    P3HT / PE (1: 1) (3,81 ± 0,67) × 10 –3 1,10 × 10 3 3,86 × 10 –6 1.21 ± 1,49
    P3HT / PE (1: 2) (3,50 ± 0,38) × 10 –3 6,10 × 10 2 1,46 × 10 –6 16,74 ± 3,33

    Чтобы лучше понять влияние добавления полиэтилена, поверхность морфология исследуемых смесей после отжига при 120 ° C характеризуется АСМ. Как показано на рисунке, морфология первозданной пленки P3HT состоит из фибриллоподобных структур. После добавления 30 мас.% ПЭ фибриллообразный структуры P3HT могли еще сохраниться, о чем свидетельствует однородная распространение самоорганизующихся наноагрегатов.Примечательно, что немного отличается к нетронутой пленке P3HT добавление 30 мас.% полиэтилена, кажется, даже лучше индуцируют образование нановолокон, которые имеют более тонкий диаметр 10–20 нм, тогда как при смешивании количества полиэтилена более 50 % масс., начинается крупномасштабное разделение фаз между P3HT и PE, что можно объяснить их отличной поверхностной энергией. P3HT с относительно более низкая поверхностная энергия (19,8 мДж · м –2 ) 18 предпочитает существовать вблизи границы раздела n -октадецилтриметоксисилан (OTS) из-за его аналогичная поверхностная энергия, в то время как ПЭ с более высокой поверхностной энергией (30–31 мДж · м –2 ) 19 стремится накапливаться у поверхности пленки. 20,21 Спектры поглощения в УФ и видимой областях смесей P3HT / PE (после отжиг при 120 ° C, рис. S2). измеряется, чтобы проверить это наблюдаемое поведение. Изученные смеси выставляют аналогичные полосы поглощения из-за сильной межцепочечной π – π укладка P3HT. 22 Обратите внимание, что λ max (518, 544 и 593 нм) исходной пленки P3HT немного красный сдвиг до 524, 550 и 600 нм по мере того, как содержание полиэтилена непрерывно увеличивается до 70% масс. Вероятно, это связано с индуцированным фазовым расслоением. и промотированные агрегаты полимерных цепей в пленочном состоянии, которые согласуется с результатами АСМ.Кроме того, небольшая загрузка полупроводникового P3HT также уменьшит общий перенос заряда имущество. Эти вышеупомянутые причины ясно проясняют во многом снижение мобильности устройств OFET на основе смеси P3HT / PE фильмы с соотношением сторон 1: 1 и 1: 2. Чтобы признать требование адекватная мобильность для практических приложений, на основе устройства OFET на пленке из смеси P3HT / PE с соотношением 2: 1 (обозначается как P3HT / PE устройство в дальнейшем), который обеспечивает подвижность 0,68 × 10 –2 см 2 V –1 s –1 с пороговое напряжение ( В th ) -2.11 V и соотношение тока включения / выключения ( I ON / I OFF ) 7,80 × 10 3 , таким образом, предпочтительно выбран для дальнейшего изучения.

    АСМ фазовые изображения отожженных пленок на основе на смеси P3HT / PE: (а) P3HT, (b) P3HT / PE (2: 1), (c) P3HT / PE (1: 1) и (d) P3HT / PE (1: 2).

    2.3. Поведение при переключении устройств OFET в Реакция на изменение температуры

    2.3.1. Производительность исследуемых устройств OFET при изменении температуры

    Для проверки термочувствительной функции устройства P3HT / PE (2: 1) измерены его характеристики на полевом транзисторе. при разных температурах.Потому что нестабильная и ненадежная работа устройства P3HT / PE могут быть получены при измерении при температуре за пределами точки плавления ( T м ) ПЭ (∼130 ° C, таблица 1), устройство настроено на испытания в диапазоне от 30 до 120 ° C (), а подробные характеристики OFET устройств P3HT и P3HT / PE (2: 1) при изменении температуры приведены в таблицах S1 и S2 соответственно. Для устройства P3HT вся передача кривая смещена в положительном направлении, так как измеренная температура увеличивается, что приводит к более высокому току стока (состояние ВКЛ.) и улучшается подвижность при увеличении измеренной температуры (как показано на а, б).Этот феномен можно объяснить термически активированным переносом заряда, который общий эффект в типичных OFET. Кроме того, различное поведение Наблюдаемый здесь случай аналогичен случаю, описанному в литературе. 23,24

    Передача характеристики исследуемых ОФЭТ на основе (а, б) а безупречная пленка P3HT и (c, d) пленка из смеси P3HT / PE (2: 1), измеренные при различные температуры от 30 до 120 ° C, при этом температура постепенно (а, в) увеличивается от 30 до 120 ° C или (б, г) охлаждается от 120 до 30 ° С.Полная кривая передачи устройства P3HT смещается в положительном направлении, так как измеренная температура увеличивается (см. красную стрелку на (а)). Однако (e, f) извлеченные кривая передачи устройства P3HT / PE ясно показала очень особенный поведение, что его передаточная кривая первоначально сдвинулась в сторону положительного направление при измеренной температуре ниже 100 ° C, а затем перемещается в отрицательном направлении по мере увеличения измеряемой температуры от 100 до 120 ° C (красная стрелка в (e)). Оба устройства могут вернуться вернуться в исходное положение (синяя стрелка в (b, f)), когда измеренная температура понижается до комнатной (30 ° C).

    (a) ток включения и (b) подвижность обоих устройств P3HT и P3HT / PE устройство в зависимости от измеренной температуры с постепенным увеличением от 30 до 120 ° C (в процессе нагрева). (c) ВКЛ ток и (d) мобильность как устройства P3HT, так и устройства P3HT / PE как функция измеряемой температуры с постепенным снижением от 120 до 30 ° C (в процессе охлаждения).

    Интересно, что устройство P3HT / PE (2: 1) показывает разные разные поведение по сравнению с устройством P3HT.Как показано в c, передаточная кривая Устройство P3HT / PE изначально смещено в положительном направлении. при измеренной температуре ниже 90 ° C. Как измеренная температура увеличивается с 90 до 120 ° C (близко к T м PE), смещение результирующей кривой переноса меняется на противоположное. в отрицательную сторону, что приводит к значительному снижению тока передаточной кривой. Ясно, что это подавляет электрические свойства смешивающего устройства возникает в результате фазового перехода P3HT / PE смеси (при ~ 90 ° C), как показано на Рисунке S1.Соответственно, при измеренной температуре 120 ° C, устройство P3HT / PE обеспечивает значительно меньшую мобильность 0,48 × 10 –2 см 2 В –1 с –1 с уменьшенным током включения 1,81 × 10 –6 А. Такое значительное снижение производительности P3HT / PE устройство при 120 ° C сильно отличается от случая устройства P3HT при 120 ° С. Кроме того, это означает снижение тока включения на 13%. и снижение мобильности на 30% по сравнению с измеренными характеристиками. при 30 ° C, обнаруживая способность «ингибировать прохождение тока» в условиях перегрева (здесь 120 ° C).Кроме того, PS, который имеет такой же коэффициент теплового расширения, что и P3HT также использовался в качестве эталонного диэлектрика для сравнения тока способность к ингибированию полиэтиленом (как показано на рисунке S3). Устройство P3HT / PS показывает аналогичный тенденция к устройству P3HT / PE при нагревании (30–120 ° C), для которого подвижность начинает уменьшаться при ∼ 80 ° C. Однако для устройства P3HT / PS эффект термического ингибирования мобильности относительно меньше, чем у устройства P3HT / PE из-за разных коэффициентов теплового расширения между PS и ЧП.

    Более того, производительность обоих устройств может восстановиться вернуться к их соответствующие исходные состояния (почти одинаковые значения мобильности) при понижении измеряемой температуры до комнатной (c, d). Распознавать их способность к восстановлению, серия циклов нагрева-охлаждения (пять циклов) было выполнено на устройствах P3HT и P3HT / PE для оценки восстановления представление (). Оба они показали сравнимую производительность (с упором на ценности мобильности) в тесте на езду на велосипеде, который еще раз показывает возможность в возможности повторного использования устройства P3HT / PE после ингибирования при высоких внешних температура.Такое обратимое поведение наблюдается в результирующей производительности. проявляет хорошую тепловую чувствительность прибора P3HT / PE. Помимо, это подтверждает концепцию использования полимера термического расширения для обогащения термочувствительность устройства OFET, потому что объемное расширение или сокращение PE может эффективно модулировать перенос заряда матрицы P3HT от температурных изменений.

    Средняя мобильность (а) P3HT и (b) устройство P3HT / PE после серийного циклов нагрев – охлаждение с начальным увеличением с 30 до 120 ° C (в процессе нагрева), а затем понизить от 120 до 30 ° C (в процессе охлаждения).

    2.3.2. Предлагаемый механизм термореактивного Поведение

    С учетом влияния увеличения объема или сокращение PE по отношению к результирующей морфологии производный активный канал, далее мы исследуем вариацию морфологии исследуемых пленок при изменении температуры на синхротронном Широкоугольное рассеяние рентгеновских лучей при скользящем падении (GIWAXS, Рисунок S4). Константы кристаллической решетки и информация об ориентации по ( h 00) и (0 k 0) рассеяниям каждой пленки собирается после того, как она достигает желаемая температура.Как видно, шаблоны GIWAXS обоих фильмов имеют аналогичный пик (100) из-за ламеллярной структуры P3HT и аналогичный (010) пик рассеяния из-за π – π межцепочечная укладка P3HT, подтверждающая межмолекулярную самосборку за счет π – π взаимодействий. Однако в P3HT / PE смешанной пленки дифракционный пик P3HT ослаблен (рис. S4c), что указывает на то, что аморфный PE окружает пластинчатую структуру P3HT.

    В таблице 3 приведены значения расстояния d исследуемых пленок, определяемые соотношением из d = 2π / q *.Для первозданного Пленка P3HT, значение интервала d немного уменьшилось ∼0.01 нм в пике упаковки π – π и отсутствие видимого изменения расстояния между пластинами после нагрева до 120 ° C, тогда как пленка из смеси P3HT / PE демонстрирует противоположную тенденцию, для которой отсутствие изменения пика упаковки π – π и увеличение ∼0,6 нм в межпластинчатом промежутке наблюдаются после нагрева. до 120 ° C. Совершенно разные вариации в зависимости от температуры наноструктур пленок P3HT и P3HT / PE объясняет их различное наблюдаемая зависимость производительности от температуры.Высокое тепловое расширение ПЭ явно наделяет полученную смесь определенной термочувствительностью потому что он расширяется при повышении температуры, что в дальнейшем будет разделять кристаллические домены P3HT. Без использования таких аморфных и полимер термического расширения, нет никаких изменений среди кристаллических регионы P3HT. Вместо этого полимерные цепи станут ближе по мере того, как повышается температура, что обеспечивает более эффективную транспортировку заряда между цепи, как замечено.

    Таблица 3

    Кристаллографические параметры Безупречная пленка P3HT и пленка из смеси P3HT / PE, измеренные под разными Температуры

    7 1,747
    образец температура (° C) π – π стэкинг (нм –1 ) пластинчатый интервал (нм –1 )
    P3HT 30 0.389 1,716
    120 0,379 1,715
    P3HT / PE (2: 1) 30 0,393 1,656

    3. Выводы

    Таким образом, мы сообщаем простой метод развития термореактивного переключение OFET с использованием активного материала, состоящего из полупроводника полимер P3HT и полимер термического расширения PE.Мы проявляем это, благодаря термисторной матрице PE характеристики полевого транзистора P3HT в значительной степени изменяются при высоких температурах (100–120 ° С). Большое объемное расширение полиэтилена при такой высокой температуре (около T м ) эффективно увеличивает расстояние до кристаллические домены P3HT, что приводит к сильному подавлению тока. По сравнению с характеристиками, измеренными при комнатной температуре (∼30 ° C), наше оптимизированное устройство P3HT / PE (с массовым соотношением 2: 1) демонстрирует снижение тока включения на 13% и снижение подвижности на 30% при высокая температура 120 ° C, в отличие от безупречного P3HT устройство.Более того, производительность этого устройства может восстановиться. до исходного значения после охлаждения от 120 до 30 ° C за счет объемное сокращение ПЭ. Это обратимое поведение производительности с температурой демонстрирует хорошую тепловую чувствительность P3HT / PE устройство. Таким образом, мы успешно демонстрируем концептуальное устройство. что может облегчить будущее развитие термореактивных OFET для защиты от перегрева.

    4. Экспериментальная часть

    4.1. Приобретены материалы

    P3HT ( M w 54 000–75 000 г / моль), PE ( M w 35 000 г / моль) и ОТС. от Sigma-Aldrich.Безводный толуол (99,8%) был получен от Acros. Органика. Остальные реактивы были реактивными и использовались без дополнительных очищение.

    4.2. Изготовление и характеристика устройств OFET

    Транзисторный ключ был изготовлен на подложке из высоколегированной Пластина Si n-типа с толщиной SiO 300 нм 2. Позже поверхность субстрата функционализировали самоорганизующимся монослоем OTS. Перед нанесением покрытия на активные слои методом центрифугирования OTS-обработанную подложку промывают толуолом, ацетоном и изопропиловым спиртом, а затем сушат феном с газообразным азотом перед использованием.Исследуемая смесь P3HT и P3HT / PE (70%: 30%, 50%: 50% и 30%: 70%) с концентрацией 8 мг / мл в толуоле. центрифугирование на подложки, обработанные OTS, для получения тонкой пленки с толщиной ∼40 нм в перчаточном ящике. Термический отжиг процесс непрерывно проводился при 120 ° C в течение 1 ч внутри перчаточный ящик. Наконец, золотой электрод с верхним контактом (70 нм) был термически наносится испарением через обычную теневую маску с длина канала ( L ) и ширина ( W ) 50 и 1000 мкм соответственно.Все характеристики устройства изготовленных транзисторов проводились внутри перчаточного ящика с помощью анализатора параметров полупроводников Keithley 4200-SCS (Keithley Instruments Inc., Кливленд, Огайо, США), которая оборудовала плиту для контроль желаемой температуры.

    4.3. Характеристика

    Морфология поверхности полимерных пленок охарактеризовали с помощью контроллера Nanoscope 3D. атомно-силовой микроскоп (AFM, Digital Instruments), работающий в режим нажатия. Кроме того, изменение наноструктуры температура полимерной пленки измерялась на стадии нагрева in situ. на канале луча BL13A1 с длиной волны 0.827 Å (15 кэВ) на угол падения 0,15 ° в NSRRC.

    Благодарности

    Авторы благодарят за финансовую поддержку Программа тематических исследовательских центров в рамках Проект «Ростки высшего образования» Министерства образования (108L9006) и Министерство науки и технологий Тайваня (MOST 108-3017-F-002-002). C.-C.C и Y.-C.C. также признаем финансовую поддержку со стороны Министерство науки и технологий Тайваня (MOST 108-2221-E-002-026-MY3 и 108-2221-E-011-047).

    Доступна вспомогательная информация

    Вспомогательная информация доступно бесплатно по адресу https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsomega.9b03195.

    • Подробные характеристики OFET исследуемых устройств измеряется при различных температурах от 30 до 120 ° C; Кривые ДСК исходных смесей P3HT, PE и P3HT / PE при нагревании скорость 10 ° С / мин; УФ – видимые спектры поглощения исследуемых полимеры в пленочном состоянии; и GIWAXS изображения исследуемых фильмов отожженные при разных температурах (PDF)

    Вклад авторов

    Y.-H.C. и A.-N.A.-D. внесли равный вклад к этой работе.

    Примечания

    Авторы заявляют, что нет конкурирующий финансовый интерес.

    Ссылки

    • Национальная ассоциация противопожарной защиты. Руководство пользователя Nfpa 921: Руководство по расследованию пожаров и взрывов, 2-е изд .; Jones and Bartlett Publishers Inc., 2006. [Google Scholar]
    • Baeg K.-J .; Но Й.-Й .; Sirringhaus H .; Ким Д.-Й. Контролируемые смены в пороговом напряжении полимерных полевых транзисторов с верхним затвором для приложений в органических нано запоминающих устройствах с плавающими затворами.Adv. Funct. Матер. 2010, 20, 224–230. 10.1002 / adfm.200
    • 7. [CrossRef] [Google Scholar]
    • Yang Y .; Оуян Дж .; Ma L .; Tseng R.J.-H .; Чу С.-В. Электрические Переключение и бистабильность в органических / полимерных тонких пленках и памяти Устройств. Adv. Функц. Матер. 2006, 16, 1001–1014. 10.1002 / adfm.200500429. [CrossRef] [Google Scholar]
    • Chou Y.-H .; Chang H.-C .; Liu C.-L .; Чен В.-К. Полимерная зарядка накопительные электреты для энергонезависимого органического полевого транзистора запоминающие устройства. Polym.Chem. 2015, 6, 341–352. 10.1039 / c4py01213e. [CrossRef] [Google Scholar]
    • Guo Y .; Ю.Г .; Лю Ю. Функциональные органические полевые транзисторы. Adv. Матер. 2010, 22, 4427–4447. 10.1002 / adma.201000740. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
    • Han S.-T .; Чжоу Ю .; Рой В. А. Л. К Разработка гибких Энергетические воспоминания. Adv. Матер. 2013, 25, 5425–5449. 10.1002 / adma.201301361. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
    • Leong W. L .; Мэтьюз Н .; Tan B .; Вайдьянатан С.; Dötz F .; Мхайсалкар С. На пути к органической тонкой пленке для печати устройства флэш-памяти на базе транзисторов. J. Mater. Chem. 2011, 21, 5203–5214. 10.1039 / c0jm03974h. [CrossRef] [Google Scholar]
    • Li J .; Tan H.-S .; Чен З.-К .; Goh W.-P .; Wong H.-K .; Онг К.-Х .; Liu W .; Li C.M .; Онг Б. С. Диалкил-замещенный Сополимеры дитиенотиофена как полимерные полупроводники для тонких пленок Транзисторы и объемные солнечные элементы на гетеропереходе. Макромолекулы 2011, 44, 690–693. 10.1021 / ma102247x. [CrossRef] [Google Scholar]
    • Дхар Б.М .; Özgün R .; Давидчик Т .; Андреу А .; Кац Х. Э. Порог сдвиг напряжения для памяти и настройки в схемах печатных транзисторов. Матер. Sci. Англ., R 2011, 72, 49–80. 10.1016 / j.mser.2010.11.001. [CrossRef] [Google Scholar]
    • Буало Н. Т .; Cranston R .; Мирка Б .; Мелвилл О. А .; Лессард Б. Х. Металл фталоцианин органические тонкопленочные транзисторы: изменение электрических характеристик и стабильность в зависимости от температуры и окружающей среды. RSC Adv. 2019, 9, 21478–21485. 10.1039 / c9ra03648b.[CrossRef] [Google Scholar]
    • Mannsfeld S.C.B .; Футболка B.-C. К .; Столтенберг Р. М .; Chen C.V.H.-H .; Бармен С .; Мьюир Б. В. О .; Соколов А. Н .; Риз С .; Бао З. Очень чувствительное гибкое давление датчики с микроструктурированной резиной диэлектрические слои. Nat. Матер. 2010, 9, 859–864. 10.1038 / nmat2834. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
    • Mok S.M .; Ян Ф .; Чан Х. Л. В. Органический фототранзистор на основе поли (3-гексилтиофена) / TiO2 композит наночастиц. Прил. Phys. Lett. 2008, 93, 023310.10.1063 / 1.2957981. [CrossRef] [Google Scholar]
    • Chang J .; Pu H .; Уэллс С. А .; Ши К .; Guo X .; Чжоу Г .; Sui X .; Ren R .; Mao S .; Chen Y .; Hersam M. C .; Чен Дж. Полуколичественный дизайн черного фосфорного полевого транзистора датчики для обнаружения ионов тяжелых металлов в водных средах. Мол. Syst. Des. Англ. 2019, 4, 491–502. 10.1039 / c8me00056e. [CrossRef] [Google Scholar]
    • Knopfmacher O .; Гамак М.Л .; Appleton A. L .; Schwartz G .; Mei J .; Lei T .; Pei J .; Бао З. Полевой эффект высокостабильного органического полимера транзисторный датчик для выборочного обнаружения в морской среде.Nat. Commun. 2014, 5, 2954–2963. 10.1038 / ncomms3954. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
    • Робертс М. Э .; Mannsfeld S.C.B .; Queralto N .; Риз С .; Локлин Дж .; Knoll W .; Бао З. Водостойкие органические транзисторы и их применение в химических и биологических сенсорах. Proc. Natl. Акад. Sci. СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ АМЕРИКИ. 2008, 105, 12134–12139. 10.1073 / pnas.0802105105. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
    • Wei C .; Шривастава Д .; Чо К. Коэффициенты теплового расширения и диффузии композитов углеродные нанотрубки-полимеры.Нано Lett. 2002, 2, 647–650. 10.1021 / nl025554 +. [CrossRef] [Google Scholar]
    • Chen Z .; Pfattner R .; Бао З. Характеристика и понимание термостойких полимерных композитов на основе остроконечных наноструктур Наполнители. Adv. Электрон. Матер. 2017, 3, 1600397.10.1002 / aelm.201600397. [CrossRef] [Google Scholar]
    • Janovák L .; Дернович Á .; Mérai L .; Deák Á .; Sebők D .; Csapó E .; Varga A .; Dékány I .; Янаки К. Микроструктурирование поли (3-гексилтиофен) приводит к бифункциональным супергидрофобным и фотореактивным поверхностям.Chem. Commun. 2018, 54, 650–653. 10.1039 / c7cc07671a. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
    • Bishop C.A. Диагностика процессов и характеристики покрытия. В вакуумном напылении на полотнах, пленках и фольге, 3-е изд .; Епископ К. А., Ред .; Уильям Эндрю Паблишинг: Бостон, 2015; Глава 5, стр. 85–128. [Google Scholar]
    • Lu G .; Blakesley J .; Himmelberger S .; Пингель П .; Frisch J .; Lieberwirth I .; Зальцманн I .; Oehzelt M .; Ди Пьетро Р .; Salleo A .; Koch N .; Нехер Д. Умеренный допинг приводит к высоким характеристикам транзисторов на смеси полупроводник / изолятор и полимер.Nat. Commun. 2013, 4, 1588–1595. 10.1038 / ncomms2587. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
    • Wang S .; Fabiano S .; Himmelberger S .; Пузинас С .; Криспин X .; Salleo A .; Берггрен М. Экспериментальный доказательства того, что ближний межмолекулярной агрегации достаточно для эффективного переноса заряда в сопряженных полимерах. Proc. Natl. Акад. Sci. СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ АМЕРИКИ. 2015, 112, 10599–10604. 10.1073 / pnas.1501381112. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
    • Brown P. J .; Thomas D. S .; Кёлер А.; Wilson J. S .; Kim J.-S .; Ramsdale C.M .; Sirringhaus H .; Друг Р. Х. Эффект интерцепи взаимодействия на поглощение и испускание поли (3-гексилтиофена). Phys. Ред. B: Конденс. Matter Mater. Phys. 2003, 67, 064203.10.1103 / Physrevb.67.064203. [CrossRef] [Google Scholar]
    • Wang W .; Tang W .; Zhao J .; Bao B .; Xing H .; Guo X .; Wang S .; Лю Ю. Исследование внутреннего переноса заряда в тонких пленках индаценодитиофен-кобензотиадиазола. AIP Adv. 2017, 7, 125314.10.1063 / 1.5001986. [CrossRef] [Google Scholar]
    • Мозер А.J .; Sariciftci N. S .; Пиврикас А .; Österbacka R .; Юшка Г .; Brassat L .; Бесслер Х. Носитель заряда подвижность в региорегулярном поли (3-гексилтиофене), исследованная временным методы проводимости: сравнительное исследование. Phys. Ред. B: Конденс. Matter Mater. Phys. 2005, 71, 035214.10.1103 / Physrevb.71.035214. [CrossRef] [Google Scholar]
    • млн. Лет; Ян Ц .; Хигер А. Дж. Анализ пространственного преобразования Фурье морфологии объемных материалов гетероперехода, используемых в «пластике» Солнечные батареи. Adv. Матер. 2007, 19, 1387–1390.10.1002 / adma.200601933. [CrossRef] [Google Scholar]
    • Thao T. T .; Trung T. Q .; Чыонг В.-В .; Динь ​​Н. Н. Повышение мощности эффективность и стабильность органических солнечных элементов на основе P3HT при повышенных рабочих температур за счет использования фотоактивного слоя нанокомпозита. J. Nanomater. 2015, 2015, 1.10.1155 / 2015/463565. [CrossRef] [Google Scholar]

    Руководство по схемам полевых транзисторов — ОСНОВЫ полевых транзисторов



    Полевой транзистор, поскольку он ведет себя очень похоже на вакуумная лампа, открывает новые подходы к проектированию полупроводниковых схем.Некоторые схемы, в которых штатные транзисторы либо плохо работают, либо требуют специальные компоненты теперь работают эффективно и без модификации с полевые транзисторы.

    Можно пожелать, чтобы полевой транзистор был первым. Много транзисторов схемы тогда были бы намного проще, чем в настоящее время, и переход с ламп на транзисторы был бы менее болезненным, чем это было. Обычный транзистор, как более поздняя разработка, имел бы множество специализированных приложений.

    Тем не менее, позднее появление полевого транзистора отвлекает мало от его полезности.

    Теория полевого транзистора несколько отличается от теории обычного транзистор. Однако это можно представить простым языком.

    Очевидно, что разработчик схем работает с большей легкостью и прибыльностью. когда он поймет, как работает это новое полупроводниковое устройство. Эта секция представляет необходимую элементарную теорию, чтобы это понимание могло быть развитым.

    ПОЛЕВЫЙ ЭФФЕКТ

    Более века электрики время от времени задумывались над этой идеей. управления током в проводнике путем приложения электростатического поля через последнее. И, несомненно, многие из них пытались — безуспешно. Ведь рано или поздно каждый школьник с экспериментальным складом ума для установки резистора или отрезка изолированного провода между пластинами конденсатора, чтобы увидеть, повлияет ли приложенное к пластинам напряжение ток в резисторе или проводе.Но практического устройства не появилось из любых ранних экспериментов такого рода.

    (A) Нулевое управляющее напряжение.

    (B) Среднее управляющее напряжение.

    (C) Высокое управляющее напряжение.


    Рис. 1. Эффект поля.

    Электростатический контроль, к которому стремились эти экспериментаторы, уместно называется эффектом -поля. Это явление иллюстрирует рис.1. Здесь A и B — металлические пластины, параллельные друг другу и установленные вплотную друг к другу. к, но вне контакта с каким-то резистором (R1), который чувствителен электростатическому полю.Если напряжение подается на пластины через клеммы 1 и 2, поле между пластинами проникает через резистор. Источник питания, представленный батареей M1, пропускает ток через последовательно включенный чувствительный резистор (R1) и нагрузочный резистор (RL). Когда управляющее напряжение равно нулю (рис. 1А), поле между пластины, а сопротивление R1 — очень низкое значение. Следовательно, есть большой ток через нагрузку. Когда конечное управляющее напряжение впоследствии применяется к клеммам управления (1, 2), R1 изменится, и ток нагрузки.Таким образом, когда управляющее напряжение (аккумулятор M2) имеет некоторую среднее значение (рис. 1Б), R1 принимает несколько большее значение, чем раньше, и ток нагрузки снижается до среднего уровня. Аналогично, когда управляющее напряжение высокое (рис. 1C), R1 становится высоким и ток нагрузки снижается до низкого значения. Если управляющее напряжение очень высокое, R1 становится бесконечно, и ток нагрузки упадет до нуля. Таким образом, ток нагрузки модулируется управляющим напряжением.Другой способ думать о полевой эффект заключается в предположении, что управляющее напряжение снижает чувствительность сопротивление.

    Достоинством такого полевого устройства является его чувствительность к напряжению. персонаж. То есть в идеале от управляющего напряжения не поступает ток. источник, хотя контролируемый ток может быть значительным. Это тоже самое преимущество, предлагаемое вакуумной трубкой.

    Однако, в отличие от трубки, полевое устройство не требует нагревателя.

    Полевой транзистор — первый практический пример такого устройство.

    ИСТОРИЯ FET

    Первые искатели кристаллического триода потерпели неудачу. использовать электростатическое поле для модуляции тока в полупроводнике. Они надеялись таким образом имитировать вакуумную лампу, а их более поздние исследования, направленные на выяснение того, почему договоренность отказалась работать, привели к изобретение обычного транзистора.

    То, что этот транзистор стал чрезвычайно полезным, уже история. Но его низкий входное сопротивление привело к (1) невозможности замены лампы в некоторых схемы, (2) потребность в обмотках с ответвлениями и понижающих трансформаторах, и (3) трудность для многих людей переключиться с лампы усилителя напряжения мышление к мышлению-усилителю-транзистору.

    Несмотря на успех обычного транзистора, работа продолжалась. исходная линия. Соответственно, несколько экспериментальных полевых транзисторов появился в США и Европе в 1950-х годах.(Доктор Уильям Шокли, один из изобретателей первого транзистора, сообщил о некоторых его работы в этом направлении в статье «Униполярный полевой эффект. Транзистор »в ноябрьском 1952 г. I.R.E.) Модемный полевой транзистор (FET) является кульминацией этого продолженного расследования.

    Полевой транзистор обеспечивает высокое входное сопротивление за счет электростатического контроль, к которому стремились оригинальные исследователи.Быть более совместимым с вакуумной лампой, чем обычный транзистор, полевой транзистор обещает со временем заменить лампу и обычный транзистор во многих схемах используется в электронном оборудовании.


    Рис. 2. Принципиальная структура полевого транзистора. (A) N-канал. (В) П-канал.

    КОНСТРУКЦИЯ И ЭКСПЛУАТАЦИЯ ПЕРЕДАЧИ

    На рис. 2 показана базовая структура полевого транзистора; и пока это не актуальная конфигурация некоторых коммерческих моделей, достаточно точная в пояснительных целях.Сердце устройства — тонкий брусок или вафля. кремния (реже германия) с омическим (не выпрямляющим) контакт (A, B) на каждом конце. Сквозной электрический путь через этот бар называется каналом. Если кремний относится к типу N, как на рис. 1-2A, область P обрабатывается на каждой грани стержня таким образом, что .Каждая такая область параллельна другой, и соединение (C, D) делается каждому. Эти области называются воротами. (В большинстве коммерческих Полевые транзисторы, затворы, если используются два, соединены между собой внутри и подключен к одному терминалу.) Готовый транзистор получает название N-канальный полевой транзистор (NFET). Если вместо этого кремний относится к типу P, как на рис. 1-2B, тогда затворы — это N областей, а транзистор называется P-канальным полевым транзистором (PFET). Когда напряжение постоянного тока применяется между A и B, носители тока (электроны в N-канале и отверстия в полевом транзисторе с P-каналом), протекающий через стержень, должен проходить через канал между двумя электродами затвора.Клемма анода (A) называется стоком, а катодный вывод (B) — истоком. В симметричном На полевом транзисторе любой вывод может быть истоком, а другой сток. В слив эквивалентен пластине трубки или коллектору штатного транзистор; источник эквивалентен катоду лампы или эмиттер из штатного транзистора; ворота эквивалентны контролю сетка лампы или база штатного транзистора.

    Обозначения полевого транзистора см. На рис.3. Чтобы подчеркнуть сходство с полевым транзистором к трубе и чтобы исключить новые термины, некоторые ранние исследователи назвали вентиль, сток и исток с сопоставимыми знакомыми названиями сетки, пластина и катод, но их пример не был принят.


    Рис. 3. Обозначения полевых транзисторов.

    Природа PN-перехода заключается в наличии тонкого обедненного слоя. на стыке. Это регион, в котором нет доступного тока перевозчики.Слой обеднения для каждого перехода полевого транзистора показан на рис. 4 как область внутри пунктирных линий на затворных переходах. В слой истощения может быть углублен путем приложения обратного напряжения между затвор и исток, глубина которых увеличивается с увеличением напряжения. Такое увеличение в глубину сужается канал, через который носители тока должны pass, тем самым увеличивая сопротивление этого пути.


    Рис. 4. Действие полевого транзистора (показан N-канал).

    (A) Низкое напряжение затвора.

    (B) Высокое напряжение затвора.

    На рис. 4 показано действие полевого транзистора. Здесь обратное напряжение Vos приложено между ворота и источник. Второе напряжение, В нс, прикладывается между стоком и источник. Они эквивалентны напряжениям на сетке и пластине соответственно, трубки. Показан N-канальный блок; для P-канала поменяйте местами оба Vos и Vns, на рис. 1-4A неглубокие слои истощения являются результатом низкое напряжение затвора, и поэтому канал между ними широкий (позволяющий большое количество электронов (как через стержень), поэтому ток стока, В, высокий.

    На рис. 4В напряжение затвора высокое, что усиливает истощение. слоев, заставляя их проникать дальше в планку, сужая канал и уменьшение тока стока. Когда напряжение затвора достигает критическое значение, называемое напряжением отсечки, обедненные слои встречаются, полностью отключив ток. Поскольку управляющее напряжение, Vos, обратное смещение затвора, любой ток затвора, потери чрезвычайно крошечные (порядка 0.1 наноампер). Это объясняет высокий вклад импеданс полевого транзистора и, следовательно, его поведение как управляемое напряжением устройство. Поскольку сопротивление кремниевого стержня изменяется поле напряжения затвора, полевой транзистор является настоящим полевым устройством.

    Полевой транзистор называется униполярным из-за того, что он использует только один тип основных носителей тока (электроны в N-канальных полевых транзисторах, и отверстия в П-канале). Точно так же обычный транзистор называется биполярный, потому что он использует как основные, так и неосновные носители (электроны внутренние отверстия в NPN; внутренние отверстия, инжектированные электроны, в ПНП).


    Рис. 5. Типичные рабочие характеристики полевого транзистора.

    РАБОЧИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛЕВА

    Управляющее действие в полевом транзисторе аналогично действию в лампе. Проиллюстрировать На рис. 5 показано семейство кривых, полученных при изменении отношения сток-исток. напряжение, Vos, на различных уровнях напряжения затвор-исток, Vos, и отмечая ток стока, 10

    Эти кривые напоминают кривые пентода. Обратите внимание, что лавина Пробой затвора будет достигнута, если Вос сделать достаточно высоким.

    Указывается резкое увеличение тока стока в точке пробоя. пунктирным продолжением каждой кривой. Это напряжение пробоя уменьшается по мере увеличения Vos, поскольку Vos действует последовательно с VD, чтобы разбить соединение.


    Рис. 6. Типичное применение (аудиоусилитель на полевых транзисторах).

    Поскольку полевой транзистор является усилителем напряжения, его характеристики, как и у трубка может быть оценена с точки зрения крутизны. В FET вперед крутизна схемы с общим истоком (эквивалент заземленного катода схема трубки) — это отношение изменения тока стока к изменению в напряжении затвор-исток, которое его создает: где, d I »X 1000 gcs = d-V GS grs — прямая крутизна в µ.mhos, в это сток ток в миллиамперах, V Gs — напряжение затвор-исток в вольтах.

    В зависимости от марки, типа и рабочего напряжения постоянного тока полевого транзистора крутизна колеблется от минимального значения 35 до максимального значения 50 000 мкм.

    Полевой транзистор легко использовать в ламповых схемах. Рис.6, например, показан каскад усилителя звуковой частоты с общим источником. Этот эквивалентен ламповому усилителю с заземленным катодом.Следующий разделы этой книги посвящены описанию таких практических схемы.

    ПАРАМЕТРЫ

    В своих технических паспортах производители полевых транзисторов указывают минимальные и максимальные значения. различных рабочих параметров. К ним относятся следующие, зависимые по марке и типу:

    1. Прямая крутизна с общим источником (gc.). Отношение din к dV os — аналогично крутизне трубки (gm). Учитывая для указанного Vns, Vos, а f = 1 кГц.Диапазон: от 35 до 50 000мкм.мос.

    2. Проводимость выхода с общим источником (вход закорочен) (g_oss). Взаимный выходного сопротивления сток-исток. Дано для указанных V нс, Vos и f = 1 кГц. Диапазон: от 1 до 600 мкм.

    3. Входная емкость с общим источником (выходное короткое замыкание) (C_iss). Емкость между воротами и источником. Дано для указанных V ns, Vos и f = 1 кГц. Диапазон: от 2 до 65 пФ.

    4. Общая обратная передаточная емкость (Crss).Дано для указанных Vns, Vos и f = 1 кГц. Диапазон: от 1,5 до 6 пФ.

    5. Ток стока при нулевом напряжении затвора. (I_Dss), ток в сток-исток цепь (т. е. через канал), когда V_GS = 0. Дано для указанного Vns, диапазоны: Vns = 5 В: от 0,1 до 10 мА.

    Vns = 8 В: от 5 до 25 мА. Vns = 10 В: от 0,03 до 0,6 мА. Vns = 15 В: от 0,2 до 20 мА. Vns = 20 В: от 0,4 до 7,5 мА. Vns = 35 В: от 80 до 250 мА.

    6. Слейте ток отключения (I_D (oFF)).Ток утечки через канал, когда Vos настроен на выходную отсечку. Дано для указанных V нс и Vos, диапазон (для V нс 15 В): 0,05 н / с при Vos = 5 В, до 0,07 на при Vos = 10 v.

    7. Напряжение затвор-сток (Von), также называемое напряжением сток-затвор. Максимум напряжение, которое может появиться между электродами затвора и стока. Диапазон: От 20 до 50 В при 25 ° C.

    8. Обратный ток затвора (потеря). Также называется током отсечки затвора.В обратный ток в цепи затвор-исток. Дано для Vns = 0 и указанный V_GS. Дальность: Вос 15 в: 2 шт. Вос 20 в: от 10 до 0,5 па. V 0 8 30 v: от 0,1 до 30 н.д.

    9. Напряжение пробоя затвор-исток (BVoss), напряжение, при котором затвор перекресток войдет в лавину. Дано для 1 0 = 1 µ.a и Vns = 0. Диапазон: От 20 до 50 при температуре 25 ° C.

    10. Напряжение отсечки затвор-исток (VP). Напряжение затвор-исток при котором поле просто закрывает канал проводимости.Дано для In = 1 н.п., 10 н.п. или 1 мкА, а также заданное значение V нс (например, от 5 до 15 В). Диапазон: От 0,6 до 50 версии

    11. Напряжение затвор-исток (Vos). Также называется напряжением исток-затвор. В максимальное напряжение, которое может появиться между электродами затвора и истока. Диапазон: от 20 до 50 В при 25 ° C.

    12. Коэффициент шума (NF). Возникает внутренний шум. Учитывая, что Vos = 0, и заданное напряжение нс (например, 15 В) и частоту (например, 1 кГц, 200 Гц пропускная способность). Диапазон: 0.От 5 до 3 дБ.

    13. Полное рассеивание устройства (P). Максимальная мощность, которая может быть безопасно рассеивается структурой полевого транзистора. Диапазон: от 200 мВт до 0,8 Вт на открытом воздухе при 25 ° С.

    ТИПЫ полевых транзисторов

    Уже отмечалось, что полевые транзисторы могут быть классифицированы как N-канал или P-канал в зависимости от того, N-тип или P-тип полу В канале используется проводящий материал. Альтернативная терминология — NFET. и PFET.

    В дополнение к этим двум основным типам, новый полевой транзистор использует металлический затвор, который изолирован от полупроводника тонким оксидом фильм.Это устройство, которое обеспечивает чрезвычайно высокий входной импеданс, потому что близких к нулю потерь, а также дает хорошие характеристики r-f, известен четыре названия: IGFET (полевой транзистор с изолированным затвором), MOS (металл-оксид-полупроводник), MOS FET (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник) и MOST (транзистор металл-оксид-полупроводник). Обозначение этого полевого транзистора дано на рис. 3С.

    Еще одна разработка — тетрод FET. В этом блоке есть два терминалы ворот («передние ворота» и «задние ворота») и его обозначение приведено на рис.3D. Тетрод, который действует как переменный зажим FET, обеспечивает высокое соотношение g_fs / C_gss и, как следствие, превосходное производительность в качестве усилителя радиочастоты.

    [ Примечание: Это руководство основано на Sams «FET Схемы », опубликовано в 1961 г.]

    Junction Field Effect Transistors (JFET)

    Соединительные полевые транзисторы (JFET)

    В разделе 10-2 Junction полевые транзисторы иногда упоминаются как JFET от J-F-E-T. Полевые транзисторы — это еще один класс электронных компонентов.Полевые транзисторы похожи на биполярные транзисторы в том, что их можно использовать в качестве усилителей и переключателей. Обратите внимание, что упомянутые они похожи на биполярные, потому что они представляют группу, которая называется униполярной, и мы поговорим о том, почему через несколько минут. Полевые транзисторы также очень уникальны по своей конструкции и принципу действия по сравнению с биполярными транзисторами.

    Конструкция полевого транзистора

    Полевые транзисторы

    построены из материалов p- и n-типа, но совершенно иначе, чем биполярные транзисторы.Подложка из материала p-типа имеет диффузионный карман из материала n-типа. Вы начинаете с куска материала p-типа. В него распылен материал N-типа. Затем другой кусок материала P рассеивается в материале n-типа, так что у вас есть конфигурация, которая выглядит следующим образом. Провода подключаются к источнику. Здесь, здесь и к этим двум точкам, образующим ворота, будет подключен провод. Теперь в этом случае ток протекает только через N материалов. Ток будет течь от источника к стоку.Он протекает только через материал n-типа, в данном случае через полевой транзистор n-типа. Отсюда термин униполярный, потому что ток проходит только через один тип материала.

    Только что описанный полевой транзистор был n-канальным полевым транзистором. Полевые транзисторы с P-каналом сконструированы таким же образом, за исключением того, что расположение типов материалов поменяно местами. Ток течет по каналу между истоком и стоком. Помните, у нас была наша конфигурация транзисторов. Мы сказали, что ток в основном течет от счетчика к коллектору.Это схематический символ полевого транзистора, и опять же, ток будет течь по нему, но не сразу к коллектору. Это будет сливаться. Вот и ворота. Снова у нас есть стрелка. Эта линия прямо здесь указывает канал. Это канал, по которому ток течет от истока к стоку. На самом деле это ворота, вот этот круг. Это будет канал p-типа. И снова стрелка указывает на материал N ворот. Это указывает на то, что p-канал здесь является каналом в этом случае.Ток течет по каналу между истоком и стоком.

    Смещение

    Смещение для n-канальных полевых транзисторов показано справа. Здесь у нас есть предвзятость. К нему приложено некоторое напряжение. Обратите внимание, что у нас есть VDD, это напряжение на стоке. Вы заметите, что здесь к n-материалу подключено отрицательное напряжение, а с другой стороны материала N. — положительное. Ток будет течь через материал N как таковой. Это определило бы ток в стоке.Подается другое напряжение, и это напряжение находится между затвором и каналом. Обратите внимание, что здесь положительный полюс идет к материалу N, а отрицательный — к P. Итак, это конфигурация обратного смещения. Здесь обратная предвзятость. Обратите внимание, что здесь показан один вольт. Мы собираемся показать возрастающие значения напряжения здесь, на экранах, которые появятся позже здесь.

    Два параллельных PN перехода имеют обратное смещение, вызывающее образование обедненной области в канале. Обратите внимание на положительный результат на N и отрицательный на P.Мы уже указывали на это. Поскольку у них было обратное смещение между P и N, у нас будет область истощения на границах PN и материала N. Теперь это низкое напряжение. Он на 1 вольт, и у нас есть истощение, но оно не очень большое.

    Повышенное обратное смещение вызывает расширение обедненной области, увеличивая сопротивление. Когда мы увеличиваем здесь значения напряжения, мы собираемся увеличивать области истощения. Следовательно, мы собираемся увеличить сопротивление N-канала.В этом случае значение VGG составляет 1 вольт. Обычно это значение равно нулю для максимального тока, поэтому не будет смещения по стихам. Если бы это было при нулевом напряжении, у вас был бы максимальный ток, протекающий от истока к стоку. Это прямо противоположно тому, как работает биполярный транзистор. Если бы у вас было нулевое напряжение на базе биполярного транзистора, у вас не было бы тока. С нулевым напряжением полевого транзистора на эквивалентном затворе будет обеспечиваться максимальный ток.

    По мере увеличения значения обратного смещения от VGG, обратите внимание, что область истощения увеличивается и начинает подавлять ток через материал N.На предыдущем экране было 1 вольт, теперь 3 вольта. Вы заметите, что область истощения здесь становится больше. Электроны хотят лететь отсюда сюда, но их буквально душат. Мы испытываем увеличивающееся сопротивление в канале и уменьшение тока через него. Поведение N-канала очень похоже на резистор. При низком обратном смещении он имеет очень небольшое сопротивление току. С увеличением обратного смещения сопротивление увеличивается.

    Теперь у нас 3 вольта обратного смещения.Когда на P-канал подается высокий уровень обратного напряжения, N-канал — вот интересный термин — «защемлен». Здесь у нас 6 вольт. Теперь области истощения стали настолько большими, что полностью перекрыли весь поток, и ток через это устройство прекратится. Это эквивалентно отсечке в биполярном транзисторе. Следует отметить, что N-канал не имеет специального легирования, которое различает сток и исток. В биполярном транзисторе легирование эмиттера и коллектора было разным.В этом случае разницы нет. В большинстве наборов сток и исток взаимозаменяемы. Биполярный требует прямого смещения PN-перехода для проведения. JFET требует нулевого напряжения, и мы уже упоминали об этом ранее.

    Это наша отправная точка с полевыми транзисторами, и мы рассмотрели смещение и немного о конструкции этих устройств.

    Видеолекции, созданные Тимом Фигенбаумом в Общественном колледже Северного Сиэтла.

    .

    alexxlab

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *