Site Loader

Транзисторы PNP в категории «Электрооборудование»

TIP36C, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 25 А, 125W, [TO-247]

Доставка из г. Полтава

26.10 грн

Купить

200x Транзистор биполярный NPN PNP TO92, набор

Доставка из г. Ровно

220 — 230 грн

от 11 продавцов

220 грн

Купить

Транзистор BD436 (p-n-p 32V,4A,36W)

На складе в г. Запорожье

Доставка по Украине

9.09 грн

Купить

Транзистор BD438 (p-n-p 45V,4A,36W)

На складе в г. Запорожье

Доставка по Украине

17.53 грн

Купить

Транзистор BD912 (p-n-p,100V,15A,90W) , TO220

На складе в г. Запорожье

Доставка по Украине

32.67 грн

Купить

Транзистор TIP116 (p-n-p,80V,2A,50W) , TO220

На складе в г. Запорожье

Доставка по Украине

14.53 грн

Купить

Транзистор TIP127 (p-n-p,100V,5A,65W) , TO220

На складе в г. Запорожье

Доставка по Украине

26.97 грн

Купить

Чип BC557B 100ШТ BC557 TO-92, Транзистор биполярный PNP

На складе

Доставка по Украине

по 170 грн

от 3 продавцов

170 грн

Купить

200x Транзистор биполярный NPN PNP TO92, набор

На складе в г. Ровно

Доставка по Украине

по 220 грн

от 2 продавцов

220 грн

Купить

Чип BC557B 100ШТ BC557 TO-92, Транзистор биполярный PNP

Заканчивается

Доставка по Украине

170 — 198 грн

от 9 продавцов

170 грн

Купить

Чип BC807-40 100ШТ BC807 5C SOT-23, Транзистор биполярный PNP

Доставка по Украине

60 — 77 грн

от 10 продавцов

60 грн

Купить

Чип BC557B BC557 TO92, Транзистор биполярный PNP

Доставка по Украине

176 — 221 грн

от 7 продавцов

404 грн

182 грн

Купить

200x Транзистор биполярный NPN PNP TO92, набор

Доставка по Украине

220 — 258 грн

от 6 продавцов

491 грн

221 грн

Купить

2SB817 Транзистор биполярный PNP, Ic=-12А, Vceo=-140В, Vcbo=-160В, Pd=100Вт, hFE= 60 200 [TO-3PN]

Доставка из г. Полтава

по 29.99 грн

от 2 продавцов

29.99 грн

Купить

2N3906, Биполярный транзистор, высокоскоростной импульсный, PNP, 40 В, 200 мА, 625 мВт, TO-92, Through Hole

Доставка по Украине

по 3.39 грн

от 2 продавцов

3.39 грн

Купить

Смотрите также

2STA2510 транзистор PNP 125V 25A 100W 20MHz

Доставка по Украине

100 грн

Купить

Чип BC807-40 BC807 5C SOT23, Транзистор биполярный PNP

Доставка по Украине

68 — 105 грн

от 7 продавцов

109 грн

76 грн

Купить

BC807-40.215 NXP SOT-23 -0.5A -45V 0.25W hFE: 250-600% транзистор биполярный PNP

Доставка из г. Днепр

от 0.90 грн

Купить

BD136 CJ TO-126 -1.5A -45V транзистор биполярный PNP

Доставка из г. Днепр

от 4.05 грн

Купить

BC857C CJ SOT23 -0.1A -45V 200mW 4,5pF транзистор биполярный PNP

Под заказ

Доставка по Украине

от 0.90 грн

Купить

FMMT717TA DIODES (ZETEX) SOT-23 -2. 5A -12V 0.625W транзистор биполярный PNP

Доставка из г. Днепр

от 7.20 грн

Купить

200x Транзистор биполярный NPN PNP TO92, набор

Доставка из г. Ровно

220 грн

Купить

Чип BC557B BC557 TO92, Транзистор биполярный PNP

На складе

Доставка по Украине

по 170 грн

от 2 продавцов

170 грн

Купить

Чип BC807-40 BC807 5C SOT23, Транзистор биполярный PNP

На складе в г. Ровно

Доставка по Украине

60 грн

Купить

Транзистор 2Т313Б 50 В 350 мА 300 мВт pnp

На складе

Доставка по Украине

Купить

Транзистор КТ326Ам pnp 50 мА 200мВт

На складе в г. Чернигов

Доставка по Украине

Купить

Транзистор 2Т818В 60В 15А pnp

На складе

Доставка по Украине

50 грн

Купить

Транзистор КТ818ВМ 70В 15 А pnp 87 год

На складе в г. Чернигов

Доставка по Украине

40 грн

Купить

Транзистор 2Т825Б pnp 30A 80V

На складе

Доставка по Украине

80 грн

Купить

Транзисторы типа p-n-p.

Интегральные транзисторы типа р-п-р существенно уступают транзисторам типа п-р-п по коэффициенту усиления и предельной частоте. Для их изготовления используют стандартную технологию, оптимизированную для формирования транзистора типа п+-р-п. Естественно, что получение транзисторов типа р-п-р с близкими к теоретическим пределам параметрами в этом случае невозможно.

Горизонтальные транзисторы типа p-n-p.

В настоящее время эти транзисторы используют в ИМС наиболее часто. Их изготовляют одновременно с транзисторами типа п+-р-п по обычной технологии. Эмиттерный и коллекторный слои получают на этапе базовой диффузии, причем коллекторный слой охватывает эмиттер со всех сторон. Базовая область формируется на основе эпитаксиального слоя с подлегированием контактной области во время эмиттерной диффузии. Перенос носителей заряда в транзисторе типа

р-п-р происходит в горизонтальном направлении. Дырки, инжектированные из боковых частей эмиттера в базу, диффундируют к коллекторной области. Перенос наиболее эффективен в приповерхностной области, так как здесь расстояние w между коллектором и эмиттером минимально и, кроме того, наиболее высокая концентрация примеси в р — слоях. Ширину базы w удается выполнить равной 3 — 4 мкм (мешает боковая диффузия под маску), в результате чего коэффициент усиления оказывается равным 50, а fт = 20 — 40 МГц. Без особого труда получают w = 6 — 12 мкм, но при этом В = 1,5 — 20, а fт = 2 — 5 МГц. Для подавления действия паразитных р-n-р — транзисторов (р -эмиттер, n — эпитаксиальный слой, р – подложка) стремятся уменьшить площадь донной части эмиттера (его делают возможно более узким), используют скрытый n
+
-слой вдоль границы эпитаксиального слоя и подложки. На основе горизонтального транзистора легко сформировать многоколлекторный транзистор типа р-n-р (рис. 6.4).

Рис.6.4. Конструкция многоколлекторного горизонтального

транзистора типа p-n-p.

Основные недостатки горизонтального транзистора типа

р-п-р — сравнительно большая ширина базы и однородность распределения примесей в ней (транзистор является бездрейфовым). Их можно устранить двумя способами. Для этого используют дрейфовую структуру. Два электрода в противоположных концах базы создают в базовом слое электрическое поле, которое уменьшает время переноса инжектированных дырок и создает в эмиттере смещение, снижающее инжекцию из его донной части.

Вертикальные транзисторы типа p-n-p.

Можно использовать также вертикальную р-n-р — структуру. Для ее формирования необходимо изменить технологию: проводить более глубокую диффузию для формирования р — слоя и вводить дополнительную операцию диффузии для создания р

++ — слоя, причем для получения р++ — слоя требуется акцепторная примесь, у которой предельная растворимость больше, чем у донорной примеси в n+-слое. Фактически перед проведением диффузии акцепторов приходится стравливать наиболее легированную часть n+-слоя, т. е. вводить еще одну дополнительную операцию.

Рис.6.5. Структура вертикального транзистора

Составные транзисторы.

Составные интегральные транзисторы могут быть реализованы на основе двух транзисторов одного или разных типов, расположенных в одной изолированной области. В зависимости от схемы соединений могут быть реализованы составные транзистора, состоящие из двух транзисторов типа

п-р-п с общим коллектором или из вертикального транзистора типа п-р-п и горизонтального транзистора типа р-п-р. В принципе возможна реализация составных транзисторов в разных изолированных областях.

Рис.6.6. Структура составного транзистора

Составной транзистор имеет коэффициент усиления, равный произведению коэффициентов усиления составляющих его транзисторов: B = B1B2, однако быстродействие составного транзистора определяется наименее быстродействующим транзистором.

Знать определения, различия и использование

Дом »Физика

Дивья Каре | Обновлено: 13 сентября 2022 г., 22:38 IST

0

Сохранить

Скачать публикацию в формате PDF

Транзистор представляет собой полупроводниковый компонент, который передает или обменивает незначительный сигнал от цепи сопротивления стока к другой. Он регулирует, систематически обрабатывает или усиливает сигналы, такие как напряжение или ток. Они уникальны, потому что позволяют управлять потоком в контуре. В зависимости от направления протекания тока существуют в основном два типа транзисторов; Транзисторы NPN и PNP. Эта статья даст читателям краткое представление об этих двух транзисторах и разнице между транзисторами NPN и PNP.

Что такое транзистор NPN?

Транзистор NPN является одним из широко используемых транзисторов с биполярным переходом. Это сделано путем прослоения полупроводника P-типа между двумя типами полупроводников. NPN-транзистор состоит из трех выводов — коллектора, эмиттера и базы. NPN-транзистор работает как два диода PN-перехода, которые подключены в обратном порядке. Диоды со встречным PN-переходом также называются переходом коллектор-база или переход база-эмиттер.

Что касается трех выводов NPN-транзистора, эмиттер имеет область, которая используется для доставки носителей заряда в область коллектора через область базы. Коллекторная область — это та, которая собирает большинство носителей заряда, выпущенных эмиттером. Базовая область контролирует и запускает количество тока, протекающего через эмиттер к коллектору. На приведенном ниже изображении показан символ, а также структура транзистора NPN:

Что такое транзистор PNP?

Транзистор PNP представляет собой один из транзисторов с биполярным переходом, изготовленных с использованием технологии многослойного соединения, при которой полупроводник N-типа помещается между двумя полупроводниками P-типа. Транзистор PNP состоит из трех выводов, а именно коллектора, эмиттера и базы. Это транзистор, похожий на два диода для PN-переходов, соединенных встречно-параллельно. Диоды со встречно-параллельным PN-переходом называются для их перехода коллектор-база или переход база-эмиттер.

Что касается трех выводов PNP-транзистора, то есть эмиттер, который представляет собой область, которая используется для подачи зарядных носителей на коллектор, а эмиттер отправляет носители заряда на коллектор через базовую область. Коллекторная область — это та, которая собирает большинство носителей заряда, выпущенных эмиттером. Базовая область — это та, которая запускает и регулирует количество тока, протекающего от эмиттера к коллектору. Изображение, приведенное ниже, изображает символ, а также структуру NPN-транзистора:

Разница между NPN и PNP Transistor

Различия между NPN и PNP -транзисторами приведены в следующей таблице, приведенной ниже:

NPN Transistor NPN Transistor PNISISTR PNISISTOR . PNISISTR PNISISTR PNISISTOR . PNISTOR . . имеет два транзистора N-типа. Имеет два транзистора P-типа.
Текущая точка направлена ​​наружу. Текущая точка указывает внутрь.
В нем электрон работает как основной носитель тока. В ней отверстия работают как главные носители тока.
В нем сигнал заземления низкий. В нем сигнал земли высокий.
Текущее направление от эмиттера к базе. Текущее направление от базы к эмиттеру.
Обладает высокой электропроводностью. Имеет низкую электропроводность.
В нем есть отверстия в качестве второстепенных носителей тока. Электроны являются второстепенными носителями тока.
Очень быстрое переключение. Довольно медленное время переключения.
Он включается, когда электроны входят в базу. Включается, когда отверстия входят в основание.
В нем небольшой ток течет от эмиттера к базовым переходам. В нем небольшой ток течет от базы к эмиттерным переходам.

Применение транзисторов NPN и PNP

Применение транзисторов NPN и PNP указано ниже:

Транзистор NPN:

  • Его основная цель — коммутация.
  • Также используется в усилительных схемах.
  • Также используется для ослабления сигналов в паре цепей Дарлингтона.
  • Он также используется в приборах, где требуется поглотить ток.
  • Он также используется в двухтактных усилителях.
  • Также присутствует в датчиках температуры.
  • Также используется в приборах очень высокой частоты.
  • Также используется в логарифмических преобразователях.

PNP Транзистор:

  • Используется как источник тока.
  • Также используется как выключатель.
  • Также используется в усилительных схемах.
  • Также используется в цепях Дарлингтона.
  • Используется в согласованных парах цепей для обеспечения непрерывной подачи электроэнергии.
  • Он также используется для управления потоком тока в тяжелых двигателях.
  • Также используется в робототехнике.
  • Также используется при аварийных отключениях для отключения всей системы.

Вы можете узнать больше по предметам физики. Загрузите приложение Testbook прямо сейчас, чтобы воспользоваться их обширными и надежными учебными материалами, а также рекомендациями экспертов Testbook для успешной сдачи экзамена. Получите самую удивительную экономию сейчас, загрузив бесплатное приложение Testbook отсюда прямо сейчас.

Разница между транзисторами NPN и PNP Часто задаваемые вопросы

В.1 В чем разница между транзисторами NPN и PNP?

Ans.1 Различия между транзисторами NPN и PNP заключаются в том, что транзистор NPN имеет электроны в качестве основных носителей тока, а транзистор PNP имеет дырки в качестве основных носителей тока.

Q.2 Где используются транзисторы PNP и NPN?

Ans.2 Транзисторы PNP используются там, где требуется потреблять ток, что означает, что ток течет к коллектору, как в переключателях. Принимая во внимание, что транзисторы NPN используются в качестве источника тока в приборах, а это означает, что ток течет из коллектора, как в усилителях.

В.3 Что лучше, NPN или PNP?

Ans.3 Транзисторы NPN лучше, чем транзисторы PNP, поскольку первые имеют электроны по сравнению с последними, которые имеют отверстия, и благодаря этому NPN может проводить больше по сравнению с транзисторами PNP.

В.4 Почему основания NPN тонкие?

Ответ 4 Транзистор NPN имеет тонкую базу, так как тонкая база способствует лучшей проводимости большинства носителей от эмиттера к коллектору через базу.

В.5 Почему транзистор типа NPN является наиболее широко используемым?

Ans. 5 NPN обычно используется по сравнению с PNP, потому что транзистор NPN имеет большую проводимость по сравнению с транзистором PNP.

В.6 Когда NPN-транзистор используется в качестве усилителя?

Ответ 6 Транзистор NPN используется в качестве усилителя, когда большая часть его электронных носителей заряда эмиттера N-типа перемещается от его эмиттера к его базе, а затем от его базы к его выводу коллектора.

Скачать публикацию в формате PDF

Подробнее Сообщения

Понимание теоремы об остатках для разложения многочленов на множители с решенными примерами
Мультипликативное тождество: выучить определение, тождество для рациональных чисел, целые числа на примерах!
Акустика: узнайте о ее характеристиках, типах, преимуществах, недостатках и использовании
Громкость звука: узнайте ее определение, единицу измерения, интенсивность и факторы
Полевой транзистор: узнайте о его типах и применении

Транзистор

NPN против транзистора PNP — разница Wiki

Основное отличие

Транзистор NPN — это тип биполярного транзистора, состоящего из полупроводника p-типа, который прикреплен между двумя полупроводниками n-типа, тогда как PNP — это тип биполярного транзистора. биполярный транзистор, состоящий из полупроводника n-типа, соединенного между двумя полупроводниками p-типа. Дырки являются более важными носителями в транзисторах PNP, в то время как электроны являются более важными носителями в транзисторах NPN. Электроны являются основным носителем в NPN-транзисторах, поэтому процесс переключения в нем происходит быстрее, чем в PNP-транзисторах. База p-типа подключена к отрицательному потенциалу в NPN, тогда как в NPN база n-типа подключена к положительному выводу.

Транзистор NPN и транзистор PNP — есть ли разница?

РЕКЛАМА

Разница между транзистором NPN и транзистором PNP

Транзистор NPN и транзистор PNP

Транзистор представляет собой полупроводниковое устройство, имеющее три контакта; он способен к усилению в дополнение к выпрямлению. В отличие от транзисторов FET, транзисторы с биполярным переходом (BJT) представляют собой управляемые током устройства, способные выпрямлять ток. BJT можно разделить на два типа транзисторов, которые легко различить. Транзистор NPN — это тип биполярного транзистора, состоящего из полупроводника p-типа, прикрепленного между двумя полупроводниками n-типа, тогда как PNP — это тип биполярного транзистора, состоящего из полупроводника n-типа, прикрепленного между двумя полупроводниками p-типа. Другое наиболее заметное различие между ними заключается в том, что дырки являются более важными носителями в транзисторах PNP, а избиратели — более важными носителями в транзисторах NPN.

Comparison Chart

NPN Transistor PNP Transistor
NPN Transistor is the type of bipolar transistor consisting up of p-type semiconductor that is affixed in between two n-type semiconductors. PNP представляет собой тип биполярного транзистора, состоящего из полупроводника n-типа, присоединенного между двумя полупроводниками p-типа.
Держатель
Электроны являются наиболее важными носителями в транзисторе NPN. Отверстия являются более важными носителями в транзисторе PNP.
Процесс переключения
FAST Медленно
Основание
. Отсутствие P-typ. В NPN n-типа база соединяется с плюсовой клеммой.

РЕКЛАМА

Что такое транзистор NPN?

Транзистор NPN представляет собой тип биполярного транзистора, состоящего из полупроводника p-типа, который прикреплен между двумя полупроводниками n-типа. Поскольку мы знаем, что электроны являются основным носителем в NPN-транзисторах, поэтому процесс переключения в нем происходит быстрее, чем в PNP-транзисторах. В качестве транзисторов используются три соединения полупроводниковых приборов. В NPN три контакта присоединены к каждому из легированных полупроводников. Полупроводник p-типа в этом случае является базой и находится в середине корпуса, тогда как слева он является эмиттером, а справа — коллектором. База p-типа подключена к отрицательному потенциалу, а коллектор — к положительному потенциалу. В NPN-транзисторах небольшой ток, поступающий на базу, усиливается, создавая большой ток коллектора и эмиттера.

Что такое транзистор PNP?

PNP — это тип биполярного транзистора, состоящего из полупроводника n-типа, присоединенного между двумя полупроводниками p-типа. Транзисторы PNP используют небольшой ток базы и отрицательное напряжение базы для управления гораздо большим током эмиттер-коллектор. Поскольку дырки являются более важными носителями в PNP, время переключения у него немного меньше, чем у NPN. Это потому, что дырки движутся медленнее, чем электроны в NPN. PNP — это полная противоположность NPN, и это можно уточнить, поскольку в этом n-типе основание соединено с положительным полюсом. Во многих условиях становится довольно сложно отличить NPN- и PNP-транзисторы, просто взглянув на них. Таким образом, в этом случае они подключаются к мультиметру и определяются путем проверки их проводимости тока с учетом их полярности.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *