Site Loader
Posted on 07.03.2023

Новые технологии STMicroelectronics в MOSFET

25 марта 2013

Одной из характерных черт современной полупроводниковой силовой электроники является постоянное повышение плотности энергии — увеличиваются рабочие напряжения, токи и рабочие частоты при уменьшении габаритов изделий и увеличении энергоэффективности. Это ставит производителей перед необходимостью постоянно совершенствовать технологии производства полупроводниковых изделий. Одними из ключевых компонентов для управления и преобразования электрической энергии являются полевые транзисторы, от которых требуются низкие потери на переключение, низкие потери проводимости и высокая эффективность рассеивания излишнего тепла.

Компания STMicroelectronics постоянно совершенствует технологии производства транзисторов для высоковольтных и низковольтных приложений. Ассортимент силовых транзисторов STMicroelectronics включает MOSFET-транзисторы для работы с напряжениями 500…1500 В, IGBT-транзисторы с предельными напряжениями 350…1300 В, а также широкий спектр биполярных транзисторов [1].

Портфолио MOSFET-транзисторов STMicroelectronics включает в себя p- и n-канальные транзисторы с рабочими напряжениями до 1500 В с малой емкостью затвора и низким сопротивлением открытого канала, представленные в более чем тридцати вариантах корпусов различного способа монтажа (TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, I2PAKFP, DPAK, IPAK, TO-247, Max247, PowerFLAT и др.).

Спектр технологий компании ST для производства транзисторов представлен на рисунке 1 [2].

 

 

Рис. 1. Спектр технологий производства транзисторов

Система маркировки MOSFET-транзисторов STMicroelectronics, представленная на рисунке 2 [2], позволяет получить основную информацию о компоненте — максимальные рабочие токи, напряжение пробоя, тип канала и технология изготовления.

 

 

Рис. 2. Система маркировки MOSFET-транзисторов STMicroelectronics

Компания STMicroelectronics постоянно работает над совершенствованием технологий производства. Это касается и такого большого сегмента рынка, как силовые транзисторы (силовые MOSFET). При этом переход на каждую из новых технологий дает достаточно существенное улучшение характеристик. Одним из ключевых показателей является сопротивление транзистора во включенном состоянии (сопротивление «исток-сток», R

DS(ON)), чаще фигурирующее в нормализованном виде, т.е. помноженное на площадь кристалла транзистора, RDS(ON)S.

В начале 2000-х годов STMicroelectronics представила на рынок технологию «Super Junction MOSFET». Базовая структура транзистора данной технологии представлена на рисунке 3 [3]. Основная идея технологии заключается в том, что исток разбит на отдельные области, связанные металлическими переходниками.

 

 

Рис. 3. Структура транзистора технологии SuperJunction MOSFET

Нормализованное сопротивление открытого канала, RDS(on)S (площадь транзистора) и напряжение пробоя связаны между собой и представляют так называемый «теоретический предел», зависящий от материала транзистора (рисунок 4). Усилия разработчиков были направлены на приближение RDS(on)S к теоретическому пределу за счет снижения RDS(on).

 

 

Рис. 4. Зависимость RDS(on) от напряжения пробоя

Увеличение плотности размещения областей стока позволило существенно снизить сопротивление эпитаксиального слоя и самого канала, и уменьшить его протяженность. Однако для получения требуемого напряжения пробоя необходимо увеличивать площадь кристалла, что негативно сказывается на частотных характеристиках транзистора. Теоретический предел технологии Super Junction MOSFET также представлен на рисунке 4 [3].

Развитием технологии SuperJunction явилась концепция MDmesh, воплощенная компанией в нескольких последующих поколениях транзисторов. Она заключается в следующем: в тело стока встраиваются протяженные p-области в виде полос (рисунок 5) [2].

 

 

Рис. 5. Сравнение структуры транзисторов в технологиях SuperJunction и MDmesh

Это позволяет снизить сопротивление эпитаксиальной n-области без снижения напряжения пробоя, а также — активное сопротивление канала. Геометрия полос и чередование p- и n-областей позволяет получить постоянную напряженность электрического поля во всем объеме стока, несмотря на низкое сопротивление проводящей области [2, 3].

Технология MDmesh позволяет вплотную приблизиться к идеальному теоретическому пределу для кремния (рисунок 4).

Дальнейшее развитие технологии связано с оптимизацией трехмерной структуры транзистора. Таким образом, следующее поколение транзисторов технологии MDmesh II обладает примерно на 40% меньшим показателем R

DS(ON)S (среднее значение 30мОмсм2), чем транзисторы первой версии. Дальнейшее уменьшение размеров полос p-вставок и уменьшение расстояния между ними в технологии MDmesh V дало снижение RDS(ON)S на 40% по сравнению с MDmeshII. Устойчивое снижение RDS(ON)S от технологии к технологии иллюстрирует рисунок 6 [3].

 

 

Рис. 6. Снижение R

DS(on) по мере развития технологий производства

По сравнению с предыдущей транзисторной технологией MDmesh II, в технологии MDmesh V изменена структура вставок, уменьшен шаг их следования, применен более эффективный диффузионный процесс, повышен уровень легирования n-области.

Снижение сопротивления канала в транзисторах технологии MDmesh V позволяет существенно снизить потери в схемах коррекции коэффициента мощности и в первичных преобразователях напряжения питания. Это, в свою очередь, позволяет повысить эффективность преобразователей и корректоров, уменьшить габариты устройств за счет меньших размеров радиаторов и уменьшения площади печатной платы.

В каждой из технологий производства транзисторов компания STMicroelectronics представляет серии на различные диапазоны напряжений, высоковольтные версии транзисторов, а также транзисторы с диодами с малым временем восстановления.

Некоторые параметры транзисторов STMicroelectronics различных технологий представлены в таблицах 1…7.

Таблица 1. Параметры транзисторов технологии SuperMesh4  

Максимальное
напряжение, UDSS, В 		Максимальное напряжение
открытого канала, RDS(ON), Ом 		Наименование Тип корпуса
450  3,5  STx3N45K3SOT-223/SO-8/IPAK  
525  2,6  STx4N52K3TO-220/FP/TO-247/DPAK  
1,5  STx5N52K3
TO-220/FP/DPAK/D2PAK/IPAK  
1,2  STx6N52K3TO-220/FP/DPAK/D2PAK  
0,98  STx7N52K3TO-220/FP/DPAK/D2PAK  
1,15  STx7N52DK3TO-220/FP/DPAK  
620  3  STx2N62K3TO-220/FP/DPAK/IPAK  
2,5  STx3N62K3
TO-220/FP/DPAK/D2PAK/IPAK/I2PAK  
2,0  STx4N62K3TO-220/FP/DPAK/D2PAK/IPAK/I2PAK/PowerFLAT_5x6  
1,6  STx5N62K3TO-220/FP/DPAK/D2PAK/IPAK  
1,28  STx6N62K3TO-220/FP/DPAK/D2PAK/IPAK/I2PAK/PowerFLAT_5x6_HV  
0,75  STx10N62K3TO-220/FP/I2PAK  
0,38  		STx17N62K3TO-220/FP/TO-247  
650  1  STx10N65K3TO-220/FP  

 

Таблица 2. Параметры транзисторов технологии MDmesh II  

Максимальное
напряжение, UDSS, В 		Максимальное напряжение
открытого канала, RDS(ON), Ом 		Наименование Тип корпуса
500  0,790  STx8NM50NDPAK/TO-220/TO-220FP  
0,630  STx10NM50NDPAK/TO-220/TO-220FP  
0,470  STx11NM50NDPAK/TO-220/TO-220FP  
0,320  STx14NM50ND2PAK,DPAK/TO-220/TO-220FP  
0,250  STx19NM50ND2PAK-TO-247-TO-220/FP  
0,190  STx23NM50ND2PAK-TO-247-TO-220/FP  
0,158  STx28NM50ND2PAK-TO-247-TO-220/FP  
0,043  STW60NM50NTO-247  
0,022  STY105NM50NMax247  
600  0,900  STx7NM60NDPAK/TO-220/TO-220FP  
0,745  STx9NM60N  DPAK/TO-220/TO-220FP  
0,550  STx10NM60NDPAK/TO-220/TO-220FP  
0,600  STx10NM60NDDPAK/TO-220/TO-220FP  
0,360  STx13NM60NDPAK/TO-220/TO-220FP  
0,285  STx18NM60ND2PAK-TO-247-TO-220/FP  
0,220  STx22NM60ND2PAK-TO-247-TO-220/FP  
0,190  STx24NM60ND2PAK-TO-247-TO-220/FP  
0,165  STx26NM60ND2PAK-TO-247-TO-220/FP  
0,105  STX34NM60ND2PAK-TO-247-TO-220FP  
0,110  STx34NM60NDTO-247-TO-220  
0,070  STW48NM60NTO-247  
0,060  STW56NM60NTO-247  
0,049  STW62NM60NTO-247  
0,029  STY100NM60NMax247  
650  0,410  STx11NM65NTO220/FP/DPAK  
0,350  STx15NM65NTO-220  
0,250  STx20NM65NTO-220  

 

Таблица 3. Параметры транзисторов технологии MDmesh V  

Максимальное
напряжение, UDSS, В 		Максимальное напряжение открытого канала, RDS(ON), Ом Наименование Максимальный
постоянный ток, Id, А 		Тип корпуса
550  0,080  STx36N55M529  TO-220/TO-220FP/D2PAK  
0,100  STx32N55M525  TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247  
0,240  STx18N55M514  TO-220/TO-220FP/D2PAK/DPAK  
650  0,017  STY139N65M5130  Max247  
0,029  STx88N65M584  TO-247  
0,045  STW69N65M560  TO-247/TO-3P  
0,059  STx60N65M545  TO-247/TO-3PF  
0,063  STx57N65M542  TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247  
0,078  STx45N65M531  TO-220/TO-220FP/D2PAK/TO-247  
0,110  STx34N65M529  TO-220/TO-220FP/D2PAK/TO-247  
0,148  STx31N65M522  TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAKFP/TO-247  
0,190  STx20N65M518  TO-220/TO-220FP/I2PAKFP/TO-247  
0,220  STx18N65M515  TO-220/TO-220FP/D2PAK/DPAK  
0,340  STx15N65M511  TO-220/TO-220FP/I2PAKFP/DPAK  
0,480  STx11N65M59  TO-220/TO-220FP/I2PAK/DPAK/IPAK  
1,200  STL3N65M52. 5  PowerFLAT  

 

Таблица 4. Параметры транзисторов технологии FDmesh II с диодами с малым временем восстановления  

Максимальное
напряжение, UDSS, В 		Максимальное напряжение открытого канала, RDS(ON), Ом Максимальный заряд паразитной емкости диода, Qrr, мкКл Наименование Тип корпуса
500  0,380  <1  STx12NM50ND  DPAK/D2PAK  
600  0,700  <1  STx8NM60ND  DPAK/TO-220/FP  
0,450  <1  STx11NM60ND  DPAK/TO-220/FP  
0,299  <1  STx15NM60ND  D2PAK/TO-220/TO-247  
0,220  <1  STx21NM60ND  D2PAK/TO-220/TO-247  
0,180  <2  STx23NM60ND  D2PAK/TO-220/TO-247  
0,160  <2  STx25NM60ND  D2PAK/TO-220/TO-247  
0,130  <2  STx30NM60ND  D2PAK/TO-220/FP/TO-247  
0,110  <2  STx34NM60ND  TO-220/TO-247  
0,088  <2  STx43NM60ND  D2PAK/TO-220/FP/TO-247  
0,060  <2  STW55NM60NDTO-247  
0,085  <2  STW48NM60ND  TO-247  
0,060  <2  STW56NM60ND  TO-247  
650  0,067  <2  STW53NM65ND  TO-247  
0,065  <2  STW54NM65ND  TO-247  
0,057  <2  STW62NM65ND  TO-247  

 

Таблица 5. Параметры транзисторов технологии FDmesh V с диодами с малым временем восстановления 

Максимальное
напряжение, UDSS, В 		Максимальное напряжение открытого канала, RDS(ON), Ом Наименование Тип корпуса
650  0,031  STW88N65DM5  TO-247  
0,085  STP/W/B57N65DM5  D2PAK/TO-220/TO-247  
0,230  STD18N65DM5  DPAK/TO-220FP/TO-220  

 

Таблица 6. Параметры высоковольтных транзисторов VHV   

Максимальное
напряжение, UDSS, В 		Наименование Максимальное напряжение
открытого канала, RDS(ON), Ом 		Тип корпуса
1500  STW9N1502,5  TO-247  
STx4N1507  TO-247/TO-3PF/TO-220/h3PAK  
STx3N1509  TO-247/TO-3PF/TO-220/h3PAK  
1700  STx3N170*13  TO-247/TO-3PF/TO-220  

 

Таблица 7. Высоковольтные транзисторы SuperMesh V  

Максимальное
напряжение, UDSS, В 		Максимальное напряжение
открытого канала, RDS(ON), Ом 		Наименование Тип корпуса
800  1,2  STx7N80K5TO-220/FP/DPAK/PowerFLAT  
 0,95  STx8N80K5TO-220/FP/I2PAKFP/DPAK/PowerFLAT  
 0,375  STx12N80K5TO-220/FP/D2PAK/TO-247  
 0,260  STx25N80K5TO-220/TO-220FP/TO-247  
850  0,275  STx23N85K5PowerFLAT/TO-247  
900  0,299  STx21N90K5TO-220/TO-220FP/TO-247/D2PAK  
950  1,25  STx6N95K5IPAK/DPAK/TO-220/TO-220FP/TO-247  
 0,330  STx20N95K5TO-220/TO-220FP/TO-247/D2PAK  
1200  0,690  STx12N120K5TO-220/TO-3PF/TO-247  

Для некоторых серий одного и того же эшелона напряжений и токов сопротивление канала транзисторов технологии MDmeshV оказывается существенно ниже, что при прямой замене аналогичных по напряжению и токам транзисторов может дать неплохой выигрыш за счет сокращения потерь проводимости. Помимо этого, транзисторы технологии MDmesh V обладают меньшими потерями на переключение по сравнению с аналогами.

Улучшение характеристик транзисторов дает и заметное улучшение характеристик схем на их основе. К примеру, возьмем отладочную плату корректора коэффициента мощности STEVAL-ISF001V1 [4], работающего по методу фиксированного времени выключенного состояния.

Применение в отладочной плате транзистора STW88N65M5 дает прирост эффективности на несколько десятых процента (цифра может показаться малой, но речь идет о мощностях 500…2000 Вт, и при длительной непрерывной работе экономия будет ощутимой). Что не менее важно, снижается рабочая температура транзистора при работе под нагрузкой. Особенно это заметно при больших мощностях [2].

Транзисторы технологии FDmesh разработаны специально для схем мостовых преобразователей, выпрямителей и прекрасно подходят для импульсных высокочастотных схем. Обладают малым временем восстановления диода, высокой скоростью нарастания напряжения на выходе (dU/dt).

Одним из примеров таких схем является схема инверторов для солнечных батарей.

Транзисторы технологии FDmesh V рассчитаны на применение в импульсных источниках питания, инверторах, преобразователях напряжения, в том числе — в источниках альтернативной энергии (ветрогенераторы, солнечные батареи).

Высоковольтные транзисторы технологии SuperMesh V при крайне низком сопротивлении канала обладают рабочими напряжениями до 1200 В. Доступен широкий выбор компактных корпусов, в том числе — корпусов для поверхностного монтажа, включая новые корпуса FlatPOWER.

 

Заключение

Вариация рабочих параметров и корпусных исполнений транзисторов STMicroelectronics позволяет подобрать оптимальное решение для любого диапазона рабочих напряжений и областей применения. Эти транзисторы применяются в преобразователях напряжения, корректорах коэффициента мощности, импульсных источниках питания, автомобильном оборудовании.

Компания КОМПЭЛ, совместно с STMicroelectronics, выводит на массовый рынок аналоги [6] (таблица 8) широко используемых полевых транзисторов таких производителей, как:

  • International Rectifier,
  • Infineon,
  • Vishay,
  • ON Semiconductor,
  • Fairchild.

Таблица 8. Аналоги популярных MOSFET-транзисторов от STMicroelectronics   

Ценовая политика STMicroelectronics и превосходные параметры производимых ею MOSFET-транзисторов во многих случаях способны склонить чашу весов в свою сторону.

 

Литература

1. Power MOSFETs — STMicroelectronics// http://www.st.com/web/en/catalog/sense_power/FM100/CL824

2. Maurizio Giudice. ST High Voltage Power MOSFET// http://www.compel.ru/wordpress/wp-content/uploads/2012/04/HV-Power-MOSFET.pdf  

3. AN3994 — Application note. Managing the best in class MDmeshTM V and MDmeshTM II super junction technologies: driving and layout key notes// http://www.arroweurope.com/nc/about-arrow/download-center.html?jumpurl=fileadmin%2Fuser_upload%2Fdownload%2FEvent%2520documents%2F2012-01_-_Hardware_Forum%2FAN3994.pdf&juSecure=1&locationData=72%3Att_content%3A3795&juHash=573b3054cc  

4. AN2951. Application note 3 kW fixed-off-time (FOT) power factor correction// http://www.st.com/st-web-ui/static/active/en/resource/technical/document/application_note/CD00228417.pdf?s_searchtype=keyword  

5. AN2794 Application note 1 kW dual stage DC-AC converter based on the STP160N75F3// http://www.st.com/st-web-ui/static/active/en/resource/technical/document/application_note/CD00201961. pdf?s_searchtype=keyword

6. Аналоги популярных MOSFET от STMicroelectronics// http://www.compel.ru/2012/10/12/aktsiya-analogi-populyarnyih-mosfet-v-roznitsu-po-optovyim-tsenam/.

Получение технической информации, заказ образцов, поставка — e-mail: [email protected]

•••

код маркировки, код маркировки электронных компонентов, транзистор, код маркировки диода, smd код резистора

Номер части

Техническая спецификация

Замена

Код маркировки

Развернуть меню

3 Тележка

Поиск кода маркировки

Самая большая база данных поисковой системы Marking Code в мире.
при поиске верхней метки (код маркировки) мы покажем оригинальный номер модели, которую вы ищете.

1

101112131415161718191A1B1C1D1E1F1G1h2J1K1L1M1N1P1Q1R1S1T1U1V1W1X1Y1Z

2

202122232425262728292A2B2C2D2E2F2G2h3J2K2L2M2N2P2Q2R2T2U2V2W2X2Y2Z

3

323334353A3B3C3D3E3F3G3h4J3K3L3M3N3P3R3S3T3W

4

4041424344454647494A4B4C4D4E4F4G4h5J4K4L4M4N4P4R4S4T4U4V4W4X4Y4Z

5

505152535455565758595A5B5C5D5E5F5G5H5I5J5K5L5M5N5P5Q5R5S5T5U5V5W5X5Y5Z

6

606162636465666768696A6B6C6D6E6F6G6H6I6J6K6L6M6N6O6P6Q6R6S6T6U6V6W6X6Y6Z

7

707172737475767778797A7B7C7D7E7F7G7H7I7J7K7L7M7N7O7P7Q7R7S7T7U7V7W7X7Y7Z

8

808182838485868788898A8B8C8D8E8F8G8H8I8J8K8L8M8N8O8P8Q8R8S8T8U8V8W8X8Y8Z

9

909192939495969798999A9B9C9D9E9F9G9H9I9J9K9L9M9N9O9P9R9S9T9U9V9X9Y9Z

А

A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9AAABACADAEAFAGAHAIAJAKALAMANAOAPAQARASATAUAVAWAXAYAZ

Б

B0B1B2B3B4B5B6B7B8B9BABBBCBDDBEBFBGBHBIBJBKBLBMBNBOBPBQBRBSBTBUBVBWBXBYBZ

С

C0C1C2C3C4C5C6C7C8C9CACBCCCDCECFCGHCICJCKCLCMNCOCPCQCRCSCTCUCVCWCxCYCZ

Д

D0D1D2D3D4D5D6D7D8D9DADBDCDDDEDFDGDHDIDJDKDLDMDNDODPDQDRDSDTDUDVDWDXDYDZ

Э

E0E1E2E3E4E5E6E7E8E9EAEBECEDEEEFEGEHEIEJEKELEMENEOEPEQERESETEUEVEWEXEYEZ

Ф

F0F1F2F3F4F5F6F7F8F9FAFBFCFDFEFFFGFHFIFJFKFLFMFNFOFPFQFRFSFTFUFVFWFxFYFZ

Г

G0G1G2G3G4G5G6G7G8G9GAGBGCGDGEGFGGGH

Х

H0h2h3h4h5H5H6H7H8H9HAHBHCHDHEHFHGHHHIHJHKHLHMHNHOHPHQHRHSHTHUHVHWHxHYHZ

я

I0I1I2I3I4I5I6I7I8I9IAIBICIDIEIFIGIHIIIJIKILIMINIOIPIQIRISITIUIVIWIXIYIZ

Дж

J0J1J2J3J4J5J6J7J8J9JAJBJCJDJEJFJGJHJIJJJKJLJMJNJOJPJQJRJSJTJUJVJWJXJYJZ

К

K0K1K2K3K4K5K6K7K8K9KAKBKCKDKEKFKGKHKIKJKKKLKMKNKOKPKQKRKSKTKUKVKWKXKYKZ

л

L0L1L2L3L4L5L6L7L8L9LALBLCLDLELFLGLHLHLILJLKLLLMLNLOLPLQLRLSLTLULVLWLxLYLZ

М

M0M1M2M3M4M5M6M7M8M9MAMBMCMDMEMFMGMHMIMJMKMLMMMNMOMPMQMRMSMTMUMVMVMWMXMYMZ

Н

N0N1N2N3N4N5N6N7N8N9NANBNCNDNENFNGNHNINJNKNLNMNNNONPNQNRNSNTNUNVNWNXNYNZ

О

О0О1О2О3О4О5О6О7О8О9ОАОБОКОДОЕОГОХОКОЛОМОНООПОКОРОСОТУОВОВОВОКСОЙОЗ

П

P0P1P2P3P4P5P6P7P8P9PAPBPCPDPEPFPGPHPIPJPKPLPMPNPOPPPQPRPSPTPUPVPWPWPX

В

Q0Q1Q2Q3Q4Q5Q6Q7Q8Q9QAQBQCQDQEQFQGQHQJQKQLQMQNQOQPQQQRQSQTQUQVQWQXQYQZ

Р

Р0Р1Р2Р3Р4Р5Р6Р7Р8Р9RARBRCRDRERFRGRHRIRJRKRLRMRNRORPRQRRRSRTRURVRWRXRYRZ

С

S0S1S2S3S4S5S6S7S8S9SASBSCSDSESFSGSHSISJSKSLSMSNSOSPSQSRSSSTSUSVSWSXSYSZ

Т

T0T1T2T3T4T5T6T7T8T9TATBTCTDTETFTGTHTITJTKTLTMTNTOTPTQTRTSTTTUTVTWTXTYTZ

У

U0U1U2U3U4U5U6U7U8U9UAUBUCUDUEUFUGUHUIUJUKULUMUOUPUQURUSUTUUUVUWUXUYUZ

В

V0V1V2V3V4V5V6V7V8V9VAVBVCVDVEVFVGVHVIVJVKVLVMVNVPVQVRVSVTVUVVVWVXVYVZ

Вт

W0W1W2W3W4W5W6W7W8W9WAWBWCWDWEWFWGWHWIWJWKWLWMWNWOWPWQWRWSWTWUWVWWWXWYWZ

х

X0X1X2X3X4X5X6X7X8X9XAXBXCXDXEXFXGXHXIXJXKXLXMXNXOXPXQXRXSXTXUXVXWXXXYXZ

Д

Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7Y8Y9YAYBYCYDYEYFYGYHYIYJYKYLYMYNYOYPYQYRYSYTYUYVYWYXYYYZ

З

Z0Z1Z2Z3Z4Z5Z6Z7Z8Z9ZAZBZCZDZEZFZGZHZIZJZKZLZMZNZOZPZQZRZSZTZUZVZWZXZYZZ

Топ

90 код маркировки, 90 код маркировки smd, SMAJ90 до XC6223G211GR-G

Код маркировки поиск «90», поиск 90 найдено 50 записей.

Маркировка электронных компонентов, коды SMD 90, 90**. SMAJ90, SMBJ90, SMCJ90, LM26LVCISD-090, LM26LVCISD-090, код маркировки ic.

М-28
Номер детали Код маркировки Производитель Пакет
СМАДЖ90 90 СМА
SMBJ90 90 СМБ
SMCJ90 90 SMC
LM26LVCISD-090 90 ТИ ТОО-6
LM26LVCISD-090 90 НСК СДБ06А
LM26LVCISDX-090 90 НСК СДБ06А
РП110Л311Д 90 РИКОХ ДФН1010-4
ЧДТА124XMPT 90 Чм СОТ-723
МБК13900Т1 900 СОТ-343
СК6223А12БГР-Г 900 ТОРЕКС УСП-4
СК6223А13БГР-Г 9000 ТОРЕКС УСП-4
СК6223А14БГР-Г

 ТОРЕКС УСП-4
СК6223А15БГР-Г

0

 ТОРЕКС УСП-4
СК6223А16БГР-Г

00

ТОРЕКС УСП-4
СК6223А17БГР-Г

000

ТОРЕКС УСП-4
СК6223А18БГР-Г

0000

ТОРЕКС УСП-4
СК6223А19БГР-Г

00000

ТОРЕКС УСП-4
СТ901Т 901Т ТО-220
СК6223Г121ГР-Г 902 ТОРЕКС УСП-4
FC903 903 СР6
СК6223Г131ГР-Г 903 ТОРЕКС УСП-4
НЭМ0 9030 Т-91М
СК6223Г141ГР-Г 904 ТОРЕКС УСП-4
СК6223Г151ГР-Г 905 ТОРЕКС УСП-4
СК6223Г161ГР-Г 906 ТОРЕКС УСП-4
СК6223Г171ГР-Г 907 ТОРЕКС УСП-4
LM9076BMA-3. 3 9076БМА33 М08А
LM9076BMAX-3.3 9076BMA33 М08А
LM9076BMA-5.0 9076БМА50 М08А
LM9076BMAX-5.0 9076БМА50 М08А
LM9076QBMA-3.3 9076BQMA33 М08А
LM9076QBMAX-3.3 9076BQMA33 М08А
LM9076QBMA-5.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Внимание! Внешний вид товара, комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительных уведомлений. Данный интернет-сайт носит исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса Российской Федерации. 2024 © Все права защищены.