Как проверить полевой транзистор не выпаивая

Использование полевых транзисторов очень распространено. Если происходит поломка необходимо найти неисправную деталь. Тогда через эту деталь потечёт ток. Рассматриваемые электронные компоненты также называют мосфетами.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• Как правильно прозвонить транзистор?
• Как проверить мосфет (полевик)
• Как проверить полевой транзистор не выпаивая его.
• Как проверить полевой МОП (Mosfet) — транзистор цифровым мультиметром
• Как проверить транзистор
• Notebook1 форум
• Проверка транзистора

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Проверка деталей на плате без выпаивания с Тестером транзисторов ESR LCR T4 T3 прошивка 1,12К рус

Как правильно прозвонить транзистор?

Использование полевых транзисторов очень распространено. Если происходит поломка необходимо найти неисправную деталь. Тогда через эту деталь потечёт ток. Рассматриваемые электронные компоненты также называют мосфетами.

Они используют следующий принцип действия. Чтобы открыть затвор. Нужно учитывать, что выводы, получаемые без выпайки, носят вероятностный характер. Когда происходит поломка, необходимо знать, как проверить мосфет. Проверка мультиметром. Разновидности полевиков.

Устройство транзистора. Транзистор открыт. Назначение выводов. Открытие канала. Работа полевого МДП транзистора. Цифровой мультиметр. С управляющим p-n-переходом. Назначение и функция устройства защитного отключения УЗО. Индуктивность катушки, её назначение, характеристики, формулы.

Виды и применение греющего электрического кабеля. Принцип работы тиристора, назначение и схема подключения.

Виды, устройство и принцип работы ползункового реостата.

Розетка с таймером: инструкция по применению и принцип работы. Щупы для мультиметра. Проверка конденсатора мультиметром. Особенности сети передачи электроэнергии. Добавить комментарий. Нажмите, чтобы отменить ответ.

Как проверить мосфет (полевик)

Отправить комментарий. Как проверить полевой транзистор не выпаивая. Но обычно, выпаивать полевик есть смысл только при подозрении на него. В схеме просто смотрим омметром сопротивление между выводами стока и истока: в правильной полярности для канала сопротивление должно быть как можно больше с учётом влияния элементов схемы , а в обратной — должно звониться как обыкновенный диод.

При прозвонке полевого транзистора, не выпаивая, обязательно отключаем проверяемый.

Как проверить полевой транзистор не выпаивая его.

Солнечный город — Обустройство, ремонт, полезные советы для дома и квартир. В технике и радиолюбительской практике часто применяются полевые транзисторы. Такие устройства отличаются от обычных, биполярных, транзисторов тем, что в них управление выходным сигналом осуществляется управляющим электрическим полем. Особенно часто используются полевые транзисторы с изолированным затвором. В зависимости от технологии изготовления такие транзисторы могут быть n- или p-канальными. Транзистор n-канального типа состоит из кремниевой подложки с p-проводимостью, n-областей, получаемых путем добавления в подложку примесей, диэлектрика, изолирующего затвор от канала, расположенного между n-областями. К n-областям подсоединяются выводы исток и сток.

Как проверить полевой МОП (Mosfet) — транзистор цифровым мультиметром

При проведении ремонтных работ электронной техники, возникает вопрос проверки функционального состояния тех или иных полупроводниковых элементов. Решение этой проблемы сильно облегчает наличие специализированных приборов, однако, во многих случаях вполне можно обойтись и без них. Есть ряд способов, как проверить транзистор мультиметром без использования сложных приборов и каких-либо дополнительных электрических схем. Рассматриваются алгоритмы проверки различных типов транзисторов. Проверка trz транзистора , равно как и любого другого элемента схемы, начинается с определения его типа.

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, служащий для преобразования электрических величин. Основное их применение заключается в усилении сигнала и способность работать в режиме ключа.

Как проверить транзистор

Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах. Те, кто называют их наиболее важными и самыми распространенными радиодеталями абсолютно правы. Но любые компоненты не вечны, перегрузка по напряжению и току, нарушение температурного режима и другие факторы могут вывести их из строя. Расскажем не перегружая теорией , как проверить работоспособность различных типов транзисторов npn, pnp, полярных и составных пользуясь тестером или мультиметром. Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики.

Notebook1 форум

В технике и радиолюбительской практике часто применяются полевые транзисторы. Такие устройства отличаются от обычных, биполярных, транзисторов тем, что в них управление выходным сигналом осуществляется управляющим электрическим полем. Особенно часто используются полевые транзисторы с изолированным затвором. В зависимости от технологии изготовления такие транзисторы могут быть n- или p-канальными. Транзистор n-канального типа состоит из кремниевой подложки с p-проводимостью, n-областей, получаемых путем добавления в подложку примесей, диэлектрика, изолирующего затвор от канала, расположенного между n-областями.

Проверка полевого MOSFET транзистора цифровым мультиметром Таким образом можно проверить транзисторы не выпаивая их из схемы.

Проверка транзистора

Мы принимаем формат Sprint-Layout 6! Экспорт в Gerber из Sprint-Layout 6. В каких-то схемах можно, а в каких-то нельзя, или слишком сложно. Напрмер, если обвешеный деталями, неизвестный транзистор, составной, полевой, однопереходный, имеет внутренние резисторы, шунтирующие диоды, либо база по схеме закорочена низкоомной катушкой с эмиттером.

.

Для диагностики полевых транзисторов N-канального вида ставим мультиметр на проверку диодов обычно он пищит на этом положении , черный щуп слева на подложку D — сток , красный на дальний от себя вывод справа S — исток , тестер показывает Ома — полевой транзистор закрыт Рис. Далее, не снимая черного щупа, касаемся Рис. Если сейчас черным щупом коснуться нижней G — затвор ножки, не отпуская красного щупа Рис. В чем мы можем убедится, опять проверив. Кстати есть еще одна тонкость — если мы откроем транзистор и измерим сопротивление сток-исток, но только не сразу, а через некоторое время, то тестер будет показывать сопротивление отличное от нуля.

Компьютер — это сложная система, состоящая из отдельных частей. Разбирая, как работают эти отдельные части большие и малые , мы приобретаем знание.

Современные электронные мультиметры имеют специализированные коннекторы для проверки различных радиодеталей, включая транзисторы. Это удобно, однако, проверка не совсем корректная. Радиолюбители со стажем помнят, как проверить транзистор тестером со стрелочной индикацией. Техника проверки на цифровых приборах не изменилась. Для точного определения состояния полупроводникового прибора, каждые его элемент тестируется отдельно. Полупроводниковые кристаллы соединены в корпусе, образуя p-n переходы. Такая же технология применяется в диодах.

Как видите схема транзисторного тестора проще некуда. Практически любой биполярный транзистор имеет три вывода, эмиттер-база-коллектор. Для того что бы он заработал, на базу необходимы подать небольшой ток, после этого полупроводник открывается и может пропускать через себя значительно больший ток через эмиттерный и коллекторный переходы. На транзисторах T1 и T3 собран триггер, кроме того они являются активной нагрузкой транзисторов мультивибратора.

мосфет или полевик, мультиметром не выпаивая, с изолированным затвором на неисправность

Полевой транзистор — что это

Он включает три основных элемента — исток, затвор и сток. Для их создания используются полупроводники n-типа и p-типа. Они могут сочетаться одним из способов:

1. Сток, исток соответствуют n-типу, а затвор — p-типу. Их называют транзисторы n-p-n типа.
2. Такие, у которых используется полярность p-n-p. Тип проводимости у каждой части транзистора изменён на противоположный в сравнении с предыдущим вариантом.

Проверка мультиметром
Если эту деталь соединить с источником питания, то ток будет отсутствовать. Но всё будет иначе, если это сделать между истоком и затвором или стоком и затвором. Нужно, чтобы к затвору было приложено напряжение, соответствующее по знаку его типу проводимости (положительное для p-типа, отрицательное для n-типа). Тогда через эту деталь потечёт ток. Чем более высокое напряжение было подано на затвор, тем он будет сильнее.

Отличие полевого от биполярного транзистора

Транзистор станет открытым при условии, что на затвор подаётся разность потенциалов нужной полярности. В этом случае при помощи электрического поля создаётся канал между истоком и стоком, через который могут перемещаться электрические заряды. У других разновидностей транзисторов управление происходит на основе тока, а не напряжения.

Рассматриваемые электронные компоненты также называют мосфетами. Это слово происходит из аббревиатуры MOSFET — Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (в переводе это означает: металл-окисел-полупроводник полевой транзистор).

Разновидности полевиков

Как работает

Полевой транзистор отличается от других разновидностей особенностями своего устройства. Он может относиться к одному из двух типов:

• с управляющим переходом;
• с изолированным затвором.

Первые из них бывают n канальными и p канальными. Первые из них более распространены. Они используют следующий принцип действия.

В качестве основы используется полупроводник с n-проводимостью. К нему с противоположных сторон присоединены контакты истока и стока. В средней части с противоположных сторон имеются вкрапления проводника с p-проводимостью — они являются затвором. Та часть полупроводника, которая между ними — это канал.

Вам это будет интересно Что такое удельное сопротивление

Транзистор с управляющим переходом

Если к истоку и стоку n канального транзистора приложить разность потенциалов, то потечёт ток. Однако при подаче на затвор отрицательного напряжения по отношению к истоку, то ширина канала для перемещения электронов уменьшится. В результате сила тока станет меньше.

Таким образом, уменьшая или увеличивая ширину канала, можно регулировать силу тока между истоком и стоком или изолировать их друг от друга.

В p-канальных транзисторах принцип работы будет аналогичным.

Этот тип полевых транзисторов становится менее распространённым, а вместо него получают всё большее распространение те, в которых используется изолированный затвор. Они могут относиться к одному из двух типов: n-p-n или p-n-p. У них принцип действия является аналогичным. Здесь будет рассмотрен более подробно первый из них: n-p-n.

В этом случае в качестве основы для транзистора применяется полупроводник p-типа. В него встраиваются две параллельно расположенные полоски полупроводника с другим типом основных носителей заряда. Между ними по поверхности прокладывается изолятор, а сверху устанавливается слой проводника. Эта часть является затвором, а полоски — это исток и сток.

Устройство транзистора

Когда на затвор подаётся положительное напряжение по отношению к истоку, на пластину попадает положительный заряд, создающий электрическое поле. Оно притягивает к поверхности положительные заряды, создавая канал для протекания тока между истоком и стоком. Чем сильнее напряжение, поданное на затвор, тем более сильный ток проходит между истоком и стоком.

Для всех типов полевых транзисторов управление происходит при помощи подачи напряжения на затвор.

Транзистор открыт

Характеристики устройства

Чтобы правильно проверить тиристор мультиметром, необходимо не только понимать принцип его работы, но и знать основные его характеристики. Наиболее значимым параметром элемента является его вольт-амперная характеристика (ВАХ). Она наглядно показывает зависимость протекания тока через прибор от приложенного к его выводам напряжения. ВАХ динистора относится к S-образному виду. Эту характеристику разделяют на шесть зон:

1. Участок открытого состояния. На этом промежутке элемент практически не оказывает сопротивления проходящему через него току. Его проводимость максимальная. Эта зона заканчивается точкой, в которой ток перестаёт протекать.
2. Область отрицательного сопротивления. Провоцирует начало лавинного пробоя.
3. Пробой коллекторного перехода. На этом промежутке элемент работает в режиме лавинного пробоя, из-за чего происходит резкое уменьшение напряжения на его выводах.
4. Участок прямого включения. В этой области динистор закрыт, так как разность потенциалов, приложенная к его выводам, меньше, чем необходимая для возникновения пробоя.
5. Пятый и шестой участки описывают работу прибора в нижней половине ВАХ и соответствуют состояниям обратного включения и пробоя элемента.

Анализируя ВАХ, можно сделать вывод о том, что работа динистора похожа на диод, но, в отличие от последнего, для его открытия необходимо подать напряжение, превышающее диодное значение в несколько раз. При этом динистор характеризуется рядом параметров, определяющих его применение в электрических цепях. К основным его характеристикам относят следующие величины:

1. Разность потенциалов в открытом состоянии. Обычно указывается применительно к значению тока открытия. В качестве её единицы измерения используется вольт.
2. Наименьшее значение тока в открытом состоянии. Эта величина зависит от температуры прибора и при её увеличении снижается. Измеряется в миллиамперах.
3. Время переключения. Характеризуется периодом времени, в течение которого происходит переход режима работы прибора с одного устойчивого состояния в другое. Это значение составляет микросекунды.
4. Ток запертого состояния. Определяется значением обратного напряжения и редко превышает 500 мкА.
5. Ёмкость. Этот параметр характеризует обобщённую паразитную ёмкость, возникающую в элементе. Из-за неё ограничивается применение устройства в высокочастотных цепях и снижается скорость переключения режимов работы. Измеряется она в пикофарадах.
6. Ток удержания. Обозначает величину, при которой динистор открыт. Единица измерения — ампер.

Какие случаются неисправности

Полевые транзисторы могут быть перегружены током во время проведения проверки и, в результате перегрева прийти в неисправное состояние.

Важно! Они уязвимы к статическому напряжению. В процессе проведения работы нужно обеспечить, чтобы оно не попадало на проверяемую деталь.

При работе в составе схемы может произойти пробой, в результате которого полевой транзистор становится неисправным и подлежит замене. Его можно обнаружить по низкому сопротивлению p-n-переходов в обоих направлениях.

Определить то, насколько транзистор является работоспособным можно, если прозвонить его с помощью цифрового мультиметра.

Назначение выводов

Это нужно делать следующим образом (для примера используется широко распространённая модель М-831, рассматривается полевой транзистор с каналом n-типа):

1. Мультиметр нужно переключить в режим диодной проверки. Он отмечен на панели схематическим изображением диода.
2. К прибору присоединены два щупа: чёрный и красный. На лицевой панели имеются три гнезда. Чёрный устанавливают в нижнее, красный — в среднее. Первый из них соответствует отрицательному полюсу, второй — положительному.
3. Нужно на тестируемом полевом транзисторе определить, какие выходы соответствуют истоку, затвору и стоку.
4. В некоторых моделях дополнительно предусмотрен внутренний диод, защищающий деталь от перегрузки. Сначала нужно проверить то, как он работает. Для этого красный провод присоединяют к истоку, а чёрный — к стоку.

Вам это будет интересно Особенности двухзонного счетчика

Проверка диода в прямом направлении

На индикаторе должно появиться значение, входящее в промежуток 0,5-0,7. Если провода поменять местами, то на экране будет указана единица, что означает, что ток в этом направлении не проходит.

Проверка диода в обратном направлении

1. Дальше осуществляется проверка работоспособности транзистора.

Если присоединить щупы к истоку и стоку, то ток не будет проходить по ним. Чтобы открыть затвор. Необходимо подать положительное напряжение на затвор. Нужно учитывать, что на красный щуп подан от мультиметра положительный потенциал. Теперь достаточно его соединить с затвором, а чёрный со стоком или истоком, для того, чтобы транзистор стал пропускать ток.

Открытие канала

Теперь, если красный провод подключить к истоку, а чёрный — к стоку, то мультиметр покажет определённую величину падения напряжения, например, 60. Если подключить наоборот, то показатель будет примерно таким же.

Если на затвор подать отрицательный потенциал, то это закроет транзистор в обоих направлениях, однако будет работать встроенный диод. Если полевик закрыт не будет, то это указывает на его неисправность.

Проверка мофсета с p-каналом выполняется аналогичным образом. Отличие состоит в том, что при проверке там, где раньше использовался красный щуп, теперь используется чёрный и наоборот.

Работа полевого МДП транзистора

Определение функциональности n-канального полупроводника.

Поскольку у таких компонентов между стоком и истоком часто встраивается диод, то, для проверки функциональности, на измерительном устройстве устанавливается в режим проверки диодов. Ч идет на минус тестера, а К – на плюс.

• К помещается на исток элемента, а Ч – на сток. Напряжение должно быть от 500 до 700 мВ.
• К – на сток, а Ч – на исток. Значение в этом случае должны выходить за пределы измерений мультиметра. Об этом свидетельствует цифра «1» на экране прибора.
• Ч – на истоке. Касание К затвора открывает транзистор. Ч остается на истоке, а К соединяется со стоком. Замеренное напряжение должно лежать в диапазоне от 0 до 800 мВ и не зависеть от смены полярности проводов тестера.
• Замыкание К на исток, а Ч – на затвор проводит к закрытию прибора и переводу его в изначальное состояние.

Для определение работоспособности p-канального полупроводника Ч подключается к плюсу мультиметра, а К – к минусу. Дальнейшая последовательность действий аналогична методике проверки элемента n-канального типа.

Инструкция по прозвонке без выпаивания

Чтобы проверить, исправен ли полевой транзистор, нужно его выпаять и прозвонить с мультиметром. Однако могут возникать ситуации, когда нужно в схеме есть несколько таких деталей и неизвестно, какие из них исправны, а какие — нет. В этом случае полезно знать, как проверить полевой транзистор мультиметром не выпаивая.

Цифровой мультиметр

В этом случае применяют проверку без выпаивания. Она даёт примерный результат.

Важно! После того, как будет определён предположительно неисправный элемент, его отсоединяют и проверяют, получив точную информацию о его работоспособности. Если он функционирует нормально, его устанавливают на прежнее место.

Проверка без выпаивания выполняется следующим образом:

1. Перед проведением прозвонки полевого транзистора цифровым мультиметром устройство отключают от электрической розетки или от аккумуляторов. Последние вынимают из устройства.
2. Если красный щуп соединить с истоком, а чёрный — со стоком, то можно рассчитывать, что мультиметр покажет 500 мв. Если на индикаторе можно увидеть эту или превышающую её цифру, то это говорит о том, что транзистор полностью фунукционален. В том случае, если эта величина гораздо меньше — 50 или даже 5 мв, то в этом случае можно с высокой вероятностью предположить неисправность.

Вам это будет интересно Индуктивность катушки, её назначение, характеристики, формулы

С управляющим p-n-переходом

1. Если красный мультиметровый щуп переставить на затвор, а чёрный оставить на прежнем месте, то на индикаторе можно будет увидеть 1000 мв или больше, что говорит об исправности полевого транзистора. Когда разница составляет 50 мв, то это внушает опасение, что деталь испорчена.
2. Если чёрный щуп тестера поставить на исток, а красный поместить на затвор, то для работоспособного транзистора можно ожидать на дисплее 100 мв или больше. В тех случаях, когда цифра будет меньше 50 мв, имеется высокая вероятность того, что проверяемая деталь неработоспособна.

Нужно учитывать, что выводы, получаемые без выпайки, носят вероятностный характер. Эти данные позволяют получить предварительные выводы об используемых в схеме полевых транзисторах.

Для проверки их нужно выпаять, произвести проверку и установить, если работоспособность подтверждена.

Подготовка к работе

Аналоги

Полными зарубежными аналогами устройства являются: STP11NK40Z (STM), D84EQ2 (National Semiconductor). Аналогичный вид корпуса, распиновка и характеристики этих устройств не потребуют вносить изменения в схему проекта в случае замены. Так же, наиболее подходящим для замены, моно сказать отечественным аналогом irf740, является транзисторы серии КП776. КП776 производит ОАО «ИНТЕГРАЛ», г.Минск, Республика Беларусь. В его даташит транзистор irf740 указан как прототип. Вот максимальные предельно допустимые электрические режимы эксплуатации КП776:

Правила безопасной работы

Мосфеты очень уязвимы по отношению к статическому электричеству. В этом случае может произойти пробой. Для того, чтобы этого не случилось, нужно при помощи проведения тестирования его удалять.

При пайке возможна ситуация, когда тепло, попадающее на транзистор, приведёт к его порче. В этом случае нужно обеспечить теплоотвод. Для этого достаточно придерживать выводы транзистора плоскогубцами в процессе пайки.

Полевики имеют широкое распространение в современных электронных приборах. Когда происходит поломка, необходимо знать, как проверить мосфет. Выяснить, исправен ли он, возможно, если использовать для этого мультиметр.

RS Компоненты | Промышленные, электронные продукты и решения

Компоненты РС | Промышленные, электронные продукты и решения

• Поддержка
• Откройте для себя
• для вдохновения
• Найдите местное отделение

Разделы нашей продукции:

• Аккумуляторы и зарядные устройства
• Соединители
• Дисплеи и оптоэлектроника
• Контроль электростатического разряда, чистые помещения и прототипирование печатных плат
• Пассивные компоненты
• Блоки питания и трансформаторы
• Raspberry Pi, Arduino и средства разработки
• Полупроводники

• Механизм автоматизации и управления
• Кабели и провода
• Корпуса и серверные стойки
• Предохранители и автоматические выключатели
• HVAC, вентиляторы и управление температурным режимом
• Освещение
• Реле и формирование сигналов
• Переключатели

• Доступ, хранение и обработка материалов
• Клеи, герметики и ленты
• Подшипники и уплотнения
• Инженерные материалы и промышленное оборудование
• Застежки и крепления
• Ручной инструмент
• Механическая передача энергии
• Сантехника и трубопровод
• Пневматика и гидравлика
• Электроинструменты, Пайка и сварка

• Компьютеры и периферия
• Уборка и техническое обслуживание помещений
• Офисные принадлежности
• Средства индивидуальной защиты и рабочая одежда
• Безопасность и скобяные изделия
• Безопасность сайта
• Испытания и измерения

Об инструментах: Полевые транзисторы

Полевые транзисторы сконструированы так же, как транзисторы и диоды, но имеют специфические характеристики, которые создают уникальные проблемы для электриков. Объясняет Дэвид Херрес.

В прошлом я писал о транзисторах. Полевые транзисторы (FET) представляют собой дальнейшее усовершенствование, работающее на тех же основных принципах — области легированного полупроводника, которые приобретают разные характеристики в зависимости от смещения, обеспечиваемого внешним источником электрической энергии.

Напомним, что в традиционном диоде или транзисторе p-n или n-p переход проводит или не проводит, когда электроны и дырки (отсутствие электронов) отталкиваются или притягиваются из-за полярности смещения, так что они мигрируют в направлении или от перекресток. Они являются носителями заряда и должны присутствовать в переходе, чтобы ток протекал по выходной цепи.

Аналогичная деятельность происходит в полевом транзисторе, но структура и электрические характеристики отличаются. В частности, большой выход реагирует на небольшие изменения напряжения, подаваемого на вход. Здесь присутствует очень низкий уровень электрического заряда, а электрический ток ничтожен.

Это означает, что входное сопротивление очень велико. В отличие от традиционного транзистора, входная цепь испытывает очень небольшую нагрузку, поэтому она не подвергается заметным изменениям при подключении к полевому транзистору.

Это имеет важные последствия и очень выгодно во многих приложениях. Например, во входной цепи высокоимпедансного вольтметра можно использовать полевой транзистор, чтобы тестируемая цепь была электрически изолирована и не подвергалась влиянию процесса измерения. Чтобы понять, как это возможно, мы рассмотрим внутреннюю структуру полевого транзистора и посмотрим, как он работает на субатомном уровне.

Основные части полевых транзисторов имеют живописные и очень описательные названия. Исток соответствует базе транзистора. Затвор и сток аналогичны базе и коллектору, соответственно, в традиционном транзисторе.

Исток и сток соединены каналом, и именно здесь происходит действие в ответ на смещение, подаваемое на вход. Канал в выходной цепи ведет себя как сопротивление, которое меняется в зависимости от смещения, подаваемого на вход.

Ток, в соответствии с законом тока Кирхгофа, одинаков на выводах истока и стока и в любом месте канала.

Форма и результирующая проводимость канала изменяются в зависимости от электрического заряда, размещенного на клеммах затвора и истока. Традиционный транзистор — это устройство тока, тогда как полевой транзистор — это устройство напряжения. Идея состоит в том, что напряжение на клемме затвора модулирует фактические физические размеры канала, тем самым определяя его проводимость (обратную величину его сопротивления). Выходной ток реагирует в соответствии с законом Ома.

Затвор изолирован от канала (включая исток и сток) с помощью очень тонкого непроводящего слоя, поэтому ток на входе практически отсутствует, так что устройство практически невидимо для схемы который подключен к входу. Тем не менее, вентиль канала действует как конденсатор, ограничивая частоту, с которой он может работать. На более высоких частотах емкостное реактивное сопротивление падает, так что полевой транзистор больше не является устройством с высоким импедансом, и в конечном итоге связь замыкается, отключая предыдущее состояние и, возможно, разрушая его.

Полевые транзисторы бывают двух видов: полевые транзисторы с переходом (JFET) и полевые транзисторы на основе оксидов металлов и полупроводников (MOSFET) или полевые транзисторы с изолированным затвором (IGFET). Любой из них может существовать в p-канальном или n-канальном типах, что составляет в общей сложности четыре разновидности.

МОП-транзистор работает аналогично JFET-транзистору, но имеет другую конструкцию и его электрические характеристики значительно отличаются. Затвор изолирован от канала изолирующим слоем, изначально состоящим из оксида металла, который наносится в процессе производства. Оксидный слой может быть загрязнен ионами натрия, которые неизбежны во всех окружающих средах. Эти ионы вызывают изменения электрических характеристик устройства, что недопустимо. Было обнаружено, что раствор покрывает изоляционную среду защитным слоем нитрида кремния, который блокирует проникновение вредных ионов натрия.

MOSFET — не совсем точное название для этого устройства, потому что оксид металла больше не используется в качестве изолирующей среды. IGFET более точен, хотя среди технических специалистов сохраняется термин MOSFET.

МОП-транзисторы стали наиболее широко используемыми полевыми транзисторами и, по сути, из всего семейства транзисторов. Они используются в цифровых схемах в компьютерах, где они выполняют высокоскоростные операции переключения, а также в аналоговых приложениях, например, в высококачественных аудиоусилителях на МОП-транзисторах. Они способны обрабатывать относительно большое количество энергии и используются в частотно-регулируемых приводах, которые позволяют регулировать скорость трехфазных асинхронных двигателей.

Если дефект неисправного оборудования был изолирован на печатной плате, имеющей один или несколько МОП-транзисторов, и предварительный визуальный осмотр не выявил сгоревшего компонента, а измерения омметра не выявили обрыв резистора, конденсатора или индуктор, пришло время взглянуть на состояние полупроводников.

Огромное количество полевых МОП-транзисторов встроено в интегральные схемы (ИС), которые будут обсуждаться в следующей статье. Конечно, невозможно вскрыть микросхему, чтобы протестировать, а тем более заменить внутренние МОП-транзисторы. Но часто эти устройства существуют как отдельные компоненты. Для выполнения полностью определенных тестов требуется дорогостоящее тестовое оборудование, но с помощью мультиметра можно сделать довольно точные определения.

Большинство современных мультиметров имеют функцию проверки диодов. Это относится к тестируемому устройству между 3 В и 4 В. Вам нужен второй измеритель для измерения этого напряжения. В редких случаях, когда он ниже, тест не может быть выполнен. Для выполнения теста полевой МОП-транзистор должен быть удален из схемы. Эти устройства повреждаются под воздействием тепла и статического электричества. При отпайке или припаивании на место используйте самый маленький утюг, который подойдет для этой работы, и не нагревайте его дольше, чем это необходимо. Радиатор, который выглядит как зажим типа «крокодил» с гладкими губками, удобен для отвода тепла, которое в противном случае могло бы пройти от паяного соединения вдоль вывода к полупроводниковому устройству.