Зачем соединяют диоды последовательно

Зачем соединяют диоды последовательно? Последовательное соединение диодов можно рассматривать как один диод, у которого увеличивается такой важный параметр, как обратное напряжение диода U_обр. И увеличивается он пропорционально количеству соединённых диодов. Такое включение можно увидеть на рисунке 1.

Рис. 1

Если каждый из диодов имеет максимальное обратное напряжение 100 В, то для всего соединения этот параметр возрастает троекратно и равняется 300 В. Постоянный прямой ток при этом не меняется. Если каждый из диодов имеет ток в 500 мА, то полученный в результате диод будет иметь прямой ток 0.5 А и максимальное обратное напряжение 300 В.

Соединение диодов последовательно используется довольно часто. К примеру, диоды с U_обр=1000 В довольно распространены и достаточно дёшевы. Но если понадобится большее напряжение, то поиски покажут, что диоды на такие напряжения достаточно дороги. Т.е. получается так, что выгоднее соединить несколько дешёвых диодов последовательно, чем ставить один дорогой.

Шунтирование диодов

Характеристики любых, даже однотипных диодов всегда будут несколько отличаться. При последовательном соединении диодов этот факт необходимо обязательно учитывать. Каждый диод в обязательном порядке имеет некое внутреннее сопротивление, которое очень сильно отличается для проводящего и непроводящего состояния. К примеру, падение напряжения на внутреннем сопротивлении диода при его прямом смещении составляет всего около 0.3 В. Но при соединении диодов последовательно важную роль играет не прямое, а обратное сопротивление. При этом обратное напряжение распределяется по диодам неравномерно. Оно будет максимально на том диоде, у которого окажется максимальное обратное сопротивление. Это может привести к пробою диода с большой вероятностью. Чтобы избежать такой аварийной ситуации проводят шунтирование диодов. Каждый из последовательно соединённых диодов шунтируется своим резистором. Резисторы ставят высокоомные и маломощные. Пример такого соединения диодов показан на рис. 2.

Рис. 2

Как правило, такие резисторы имеют сопротивление в районе 510 КОм. Это шунтирование обеспечивает выравнивание напряжения на соединённых диодах.

для чего нужны, катоды и аноды, классификация и назначение

Диод –это один из самых простых приборов-полупроводников. У него есть две области с разными типами проводимости: положительный и отрицательный электрод. Это есть то, из чего состоит диод: анод, катод иp-n переход. Существует несколько разновидностей приборов.

Стандартный диод

Электровакуумные диоды

Вакуумный диод – это устройство в виде стеклянной лампы или металлокерамического баллона. Из него откачивают воздух и помещают внутрь два электрода с нитью накаливания – проводником. Она соединяется с катодом и нагревается внешним током.

Принцип работы

У диода принцип работы основан на односторонней проводимости. В электровакуумных приборах это достигается следующим образом:

1. Нить накаливания нагревается, передавая тепло катоду, который начинает испускать электроны.
2. Анод притягивает частицы только на «плюсе».
3. Анод, подключенный к «минусу»,начнет отталкивать электроны, и тока в цепи не будет.

Благодаря принципу действия диода, основанному на управлении потоком электронов, такие устройства также называют ламповыми.

Конструкция прибора предполагает наличие выводов электродов, соединенных с контактными областями. У диода может быть два состояния: открытое и закрытое.

Прямое включение диода

К аноду диода подают положительное напряжение, на катод – отрицательное. Что получается:

• электроны двигаются к месту p-n границы;
• сопротивление в месте перехода уменьшается, проводимость увеличивается;
• как следствие возникает прямой ток.

При соблюдении полярности диод будет считаться включенным прямо.

Прямое включение диода

Обратное включение диода

Если подключить выводы наоборот, частицы станут перемещаться от p-n слоя. Сопротивление повысится, и протекающий ток будет низким, или обратным. При расчетах его не учитывают – под односторонней проводимостью подразумевают наличие именно прямого тока.

Виды напряжения

Соответственно состояниям различают два типа напряжения: прямое и обратное. Главный определяющий параметр – сопротивление границы областей электродов.

Вольт-амперная характеристика (ВАХ)

Один из ответов на вопрос о том, что такое вах диода, – зависимость проходящего через границу p-n тока от полярности подаваемого напряжения и его величины.

Ее показывают на графике:

• вертикальная ось – прямой и обратный ток (верхняя и нижняя часть) в Амперах;
• горизонтальная – обратное и прямое напряжение (левая и правая сторона).

Образуется кривая, показывающая значения пропускного и обратного тока.

Полупроводниковые диоды

Как работает диод полупроводник? Его работа основана на взаимодействии заряда с электромагнитным полем. Условная конструкция:

• элемент из полупроводникового материала;
• сторона, принимающая электроны, – анод, проводимость p-типа;
• катод, отдающий частицы (проводимость n-типа).

Между двумя слоями формируется граница – p-n переход.

Полупроводниковый диод

Вольт-амперная характеристика

На графике кривая имеет ветви в обеих его частях:

1. Прямая – в правой части графика. Направлена вверх, показывает возрастание прямого тока при увеличении напряжения.
2. Обратная – в левой стороне. Показывает рост обратного тока – меньше, чем прямого, поэтому ветвь расположена близко к оси напряжения.

Чем ближе ветвь к вертикальной оси справа и к горизонтальной слева, тем лучше выпрямительные свойства.

Предельные значения параметров

На графике каждого прибора есть момент, когда ток нарастает сильнее. Это зависит от устройства диода – разные материалы «открываются» при разных показателях. Ток возрастает, и происходит нагревание кристалла полупроводника.

Тепло либо рассеивается само по себе, либо отводится при помощи радиаторов. Если ток превышает допустимый параметр, проводник разрушается под воздействием высокой температуры. Поэтому по назначению диода, а также материалу определяют максимально допустимые параметры.

Виды полупроводниковых диодов

Полупроводниковый – широкое определение, оно описывает саму идею и общее устройство. На практике существует множество узкоспециализированных разновидностей.

Выпрямители и их свойства

Иногда нужно преобразовать ток в цепи, для чего нужен диод с выпрямительными свойствами либо диодный мост. Благодаря принципу работы, переменный ток на входе прибора даст лишь одну полуволну – в открытом состоянии.

Полупроводниковые стабилитроны

Задача этих устройств – стабилизация напряжения. Как это происходит:

• в обычном состоянии у перехода высокое сопротивление, ток почти не проходит;
• если наступает пробой, проходимость увеличивается, сопротивление падает.

Устройства работают в условиях пробоя и часто применяются для профилактики перенапряжения.

Диод-стабилитрон

Диод Зенера

Часто можно встретить название «диод Зенера», что это такое? Это лишь еще одно название стабилитрона – в честь ученого Кларенса Зенера, открывшего туннельный пробой. Это эффект прохождения заряженных частиц через p-n барьер, когда перекрываются зоны электродов. Открытие позволило разработать первые стабилитроны, отсюда название.

Принцип работы детекторов

На основе обычного выпрямителя можно собрать простейший амплитудный детектор. Как устроена работа диода (например, с барьером Шоттки):

• если полупериоды выше напряжения на конденсаторе, начинается зарядка;
• как только амплитуда становится меньше его значения, диод закрывается.

Конденсатор разряжается, происходит восстановление низкочастотного сигнала.

Светодиод

В отличие от обычного прибора, СД создают оптическое излучение при прохождении тока. Это происходит при рекомбинации носителей заряда с излучением фотонов на границе электродов. Впервые эффект был открыт в 1907 году, технология продолжает совершенствоваться до сих пор.

Особенности светодиода

Спектр оптического излучения узкий – нужный цвет изначально заложен в кристалле диода. Однако диапазон может отличаться в зависимости от состава материала-полупроводника:

• зеленый – фосфид галлия;
• синий – карбид кремния;
• красный – арсенид галлия.

При этом светодиоды обладают высокой световой отдачей, спектральной чистотой, прочностью и долговечностью.

Обычные светодиоды

Туннельный

Работает на основе одноименного эффекта. При изготовлении применяют вырожденные полупроводники. Встречается в качестве усилителя.

Обращенный диод

Обладают высокими показателями обратного тока, превосходящими прямой. Отличаются низкой чувствительностью к ионизирующему излучению.

Варикап

Проще всего объяснить на примере конденсатора с переменной толщиной диэлектрического слоя. При низком напряжении на p-n переходе толщина слоя при высокой емкости мала, при высоком – слой должен увеличиваться. Для чего нужны такие диоды? Их используют как элементы с управляемой емкостью, например, в системах автонастройки частоты в радиоприборах.

Фотодиод

Устройства, в которых обратный ток возникает при попадании фотонов. По принципу действия схожи с обычным солнечным элементом.

Маркировка

Современная маркировка диодов содержит четыре элемента:

• материал изготовления;
• обозначение класса диода;
• назначение или свойства;
• номер разработки.

Например, КД202А – кремниевый (К), выпрямительный (Д) диод.

Триоды

Раньше использовались вместо транзисторов; в современной электротехнике почти не используются. Состоят из трех электродов: катода прямого либо косвенного накала, анода и сетки. В зависимости от напряжения, регулируется поток электронов, создавая эффект усилителя.

Плюсы и минусы

Полупроводниковые диоды имеют как преимущества, так и недостатки. К первым можно отнести:

• доступность – элементы стоят недорого;
• взаимозаменяемость – при выходе из строя легко подобрать и установить аналогичный;
• высокая пропускная способность;
• простой принцип работы.

Из недостатков – уязвимость к внешним воздействиям и возможные неисправности. Это могут быть:

• обрыв перехода;
• нарушение герметичности;
• пробой перехода.

Однако устранить повреждения и заменить устройство несложно, поэтому минусы можно считать несущественными.

Использование в быту

Благодаря тому, как просто устроены диоды, они распространены повсеместно. Их используют почти в каждом приборе, который можно увидеть дома. Например, LED телевизоры, сам принцип их работы основан на использования светодиодов. Другие примеры – блоки питания, реле, любительские электрические схемы.

Основные неисправности диодов

Главная проблема, с которой сталкиваются при использовании диодов, – эффект пробоя. Есть несколько видов неисправности.

Пробой на графике ВАХ

Пробой p-n-перехода

При пробое происходит уменьшение сопротивления, образуется обратный ток. Различают лавинный пробой, которой сопровождается цепочкой прорывов, и полевой.

Электрический пробой

Главное в электрических пробоях – они обладают обратимой природой (состояние возвращается к нормальному). Это значит, что переход не повреждается. Это позволяет использовать пробой как основополагающий принцип работы – как в стабилитронах.

Тепловой пробой

Возникает при повышении температуры. Отличается возникновением необратимых повреждений: разрушается кристаллическая решетка полупроводника.

Несмотря на простоту конструкции, диод по-прежнему используется в современных устройствах. Найти ему альтернативу удается не всегда. Тем более продолжаются работы по технологическому совершенствованию диодов для различных задач.

Видео

Включение и выключение диода. — Студопедия

Ключевой режим.

Полупроводниковые приборы широко используются в качестве переключателей, т.е. устройств, имеющих два состояния: «открыто», когда сопротивление прибора очень мало, и «закрыто», когда оно очень велико. Время перехода диода из одного состояния в другое должно быть по возможности малым, так как этим определяется быстродействие аппаратуры.

Переходные процессы в полупроводниковых приборах существенно зависят от амплитуды импульса.

При малых плотностях тока переходные процессы в диоде определяются зарядом и разрядом барьерной ёмкости диода. Аналогичные процессы совместно с конечным временем пролёта носителей через базу определяют переходные характеристики транзистора в активном режиме.

Ключевой режим работы характеризуется большой амплитудой переключающего импульса, когда диод или транзистор переходят из состояния с большим внутренним сопротивлением (ключ разомкнут) в состояние с малым сопротивлением (ключ замкнут) и обратно. В этом режиме основными процессами, определяющими переходные характеристики, являются процессы накопления и рассасывания неравновесных носителей в базе прибора. Процессы заряда и разряда барьерных ёмкостей играют второстепенную роль. Ключевой режим работы полупроводниковых приборов лежит в основе принципа действия цифровых электронных схем.

Включение и выключение диода.

Рассмотрим явления, происходящие в диоде при прохождении через него прямоугольного импульса тока. Диод условно можно представить в виде эквивалентной схемы, показанной на рис. 1. В этой упрощённой схеме диод представляется в виде последовательного

соединения сопротивления базы r_б и нелинейного сопротивления р-n – перехода r_п, параллельно которому включена ёмкость C_д, складывающаяся из барьерной и диффузионной ёмкостей диода.

Рис.2

Временные диаграммы тока падения напряжения на базе, на переходе и суммарного напряжения на диоде при подаче импульса прямого тока представлены на рис.2. В начальный момент времени напряжение на диоде U₁ определяется падением напряжения на сопротивлении базы r_б0; напряжение на переходе, шунтированном ёмкостью, отсутствует. По мере накопления дырок в базе сопротивление базы и, следовательно, напряжение на ней уменьшается. Ёмкость перехода заряжается, и напряжение перехода увеличивается.

В момент окончания импульса тока падение напряжения на базе диода скачком падает до нулевого значения. Величина скачка напряжения на диоде U₂–U₃ определяется амплитудой импульса тока I₁ и установившимся значением сопротивления базы r_{б уст.}.

Таким образом,

rб0 = U1/ I1,  rбуст=(U2 – U3)/ I1.

(1)

Время установления прямого напряжения определяется на уровне 1,1 от установившегося значения при большом уровне инжекции или на уровне 0,9 U₂ и при малом уровне инжекции, когда напряжение на диоде возрастает.

После окончания импульса прямого тока напряжение на диоде определяется концентрацией неравновесных носителей в базе на границе
c p-n-переходом:

(2)

где  – температурный потенциал (при комнатной температуре  р_n|_x=0 – концентрация дырок в базе на границе с p–n — переходом; p_no – равновесная концентрация дырок в базе.

Накопленные вблизи p-n-перехода дырки исчезают вследствие рекомбинации. Кроме того, они диффундируют вглубь базы. Основной вклад в изменение концентрации вносит рекомбинация, что приводит к экспоненциальному уменьшению концентрации дырок вблизи запорного слоя. При больших уровнях инжекции спад напряжения на диоде на начальном участке происходит по линейному закону:

,

(3)

где t_p – время жизни неравновесных носителей в базе. Эта закономерность нарушается, когда избыточная концентрация дырок становится соизмеримой с равновесной. В конце переходного процесса наблюдается более крутой спад напряжения на диоде.

Уравнение (3) позволяет легко определить время жизни дырок в базе диода:

(4)

Для этого измеряют перепад напряжения DU_Д на линейном участке кривой U_Д(t) и время Dt соответствующее этому перепаду.

Переключение диода из прямого направления в обратное.

Рассмотрим диод, включённый в схему последовательно с резистором (рис.3).  Переходные процессы в диоде, протекающие при смене полярности напряжения источника, зависят от величины сопротивления. Если сопротивление R мало, ток в цепи определяется током диода, так как большая часть напряжения прикладывается к диоду. Если же сопротивление R велико, то ток через диод обусловлен этим сопротивлением, по крайней мере, до тех пор, пока концентрация неосновных носителей на границах запорного слоя остаётся повышенной.

В ключевом режиме прямой ток, как правило, ограничен сопротивлением R, прямое напряжение на диоде мало по сравнению с напряжением источника.

Временные диаграммы для этого случая приведены на рис.4:

Процессы при переключении диода. В исходном состоянии диод находится при обратном смещении –E₂, в цепи протекает ничтожный обратный ток I₀. В момент t=0 подан импульс прямого напряжения E₁ (рис.4а). Прямой ток ограничен сопротивлением R: I₁=E₁/R, на диоде возникает падение напряжения DU₁=r_б0I₁. По мере заряжения емкости диода напряжение на диоде возрастает до максимального значения U_пр,и, а затем уменьшается из-за уменьшения сопротивления базы. Время установления прямого напряжения определяется по уровню 1,1 от установившегося значения.

При переключении на обратное напряжение –E₂ возникает обратный ток I₂:

I₂=(E₂+U*)/R,

где U* – напряжение открытого
р-п-перехода. На диоде появляется скачок напряжения ΔU₂ (рис.4в), обусловленный изменением падения напряжения на установившемся сопротивлении базы
r_{б уст}:

ΔU₂=(I₁+I₂)r_{б уст}

При этом на диоде сохраняется прямое напряжение, происходит рассасывание заряда: неосновные носители экстрагируются током через р-п-переход и частично исчезают за счет рекомбинации. Время, за которое концентрация неравновесных носителейзаряда на границе р-п-перехода обращается в ноль, t_р, называется временем рассасывания. Время рассасывания t_р, можно оценить по приближённой формуле

                               (5)

После этого начинается процесс восстановления обратного сопротивления. Время восстановления обратного сопротивления диода t_вос определяется как время, в течение которого обратный ток диода после переключения полярности приложенного напряжения с прямогона обратное достигает заданного уровня. Обычно принимается уровень 0,1 или 0,01 от значения прямого тока.

Особенности работы диодов при прохождении через них импульсных сигналов

 

Для понимания сути процессов, происходящих в диоде при работе в высокочастотных импульсных цепях рассмотрим прохождение через него прямоугольного сигнала (т.е. сигнала с малой длительностью фронта и среза). При этом диод включается по схеме, приведенной на рис. 3.1-1.

 

Рис. 3.1-1. Схема включения диода при рассмотрении переходных процессов

 

В случае, когда входной прямоугольный сигнал является двуполярным, переходные процессы в диоде будут характеризоваться диаграммами, представленными на рис. 3.1-2.

 

Рис. 3.1-2. Переходные процессы в диоде при прохождении через него двуполярного прямоугольного сигнала

 

Для анализа приведенных зависимостей можно воспользоваться выражением для тока диода в переходном режиме:

\( I_д = \cfrac{Q_б}{\tau_б} + \cfrac{\operatorname{d}Q_б}{\operatorname{d}t} + C_б \cfrac{\operatorname{d} U_{p-n}}{\operatorname{d}t}\) ,

где:

\(Q_б\) — объемный заряд неосновных носителей в области базы диода;

\(\tau_б\) — время жизни неосновных носителей в области базы;

\(C_б\) — барьерная емкость перехода;

\(U_{p-n}\) — напряжение на \(p\)-\(n\)-переходе диода.

 

Первое слагаемое выражения связано с рекомбинацией неосновных носителей в области базы. Второе слагаемое определяет изменение во времени объемного заряда неосновных носителей в области базы. Третье — обусловлено перезарядом барьерной емкости \(p\)-\(n\)-перехода при изменении входного сигнала во времени.

Таким образом, основными причинами инерционности заряда являются: эффект накопления избыточного заряда в базовой области прибора и наличие барьерной емкости перехода.

 

Рассмотрим участок времени \([t_0;t_1]\), когда входное напряжение скачком увеличивается от \(–U_{вх обр}\) до \(+U_{вх пр}\).

При увеличении прямого тока сопротивление базы диода уменьшается (эффект модуляции сопротивления области базы). Поскольку скорость накопления избыточного заряда в области базы конечна, то установление прямого сопротивления диода требует некоторого времени. Учитывая, что \(R_Н \gg r_{д пр}\), можно показать, что ток диода не зависит от его сопротивления. Поэтому эффект модуляции сопротивления базы приводит к появлению резкого выброса напряжения на диоде при его включении.

Перезаряд барьерной емкости диода \(C_б\), наоборот, ведет к замедлению скорости увеличения напряжения на диоде.

Вследствие действия двух противоположных тенденций реальный вид переходного процесса определяется конкретным соотношением параметров диода. При малых уровнях инжекции превалирующими являются процессы, связанные с перезарядом емкости \(C_б\). При больших уровнях инжекции — процессы, связанные с изменением объемного заряда области базы. Поэтому для диодов различных типов переходные процессы при включении могут иметь качественно отличный вид. На приведенной на рис. 3.1-2 диаграмме представлен случай большого уровня инжекции и соответственно малого влияния \(C_б\).

Длительность всплеска напряжения на диоде \(\tau_у\) называется временем установления. Рассчитанное для \(1,2 U_{д пр}\), оно примерно равно: \(\tau_у \approx 2,3 t_б\) , а максимальное падение напряжения на диоде:

\(U_{д пр max} \approx \varphi_к + I_{пр} \cdot r_{дб}\),

где:

\(\varphi_к\) — контактная разность потенциалов,

\(r_{дб}\) — сопротивление области базы диода.

 

Интервал времени [t1;t2] характеризует установившийся режим в диодном ключе. В базовой области диода накоплен избыточный заряд неосновных носителей \(Q_б = I_{пр} \cdot \tau_б\). Концентрация избыточных носителей при этом падает по мере удаления от перехода. Прямой ток, протекающий через диод, равен:

\(I_{пр} = \cfrac{U_{вх пр} – U_{д пр}}{r_{д пр} + R_н}\).

 

В момент времени \(t_2\) входное напряжение изменяет свою полярность на обратную. Однако до момента \(t_4\) диод будет находиться в проводящем состоянии. До момента \(t_3\) через него в обратном направлении будет протекать ток, импульсное значение которого \(I_{обр}\) и соизмеримо с \(I_{пр}\). Далее, по мере рассасывания объемного заряда неосновных носителей в области базы и разряда барьерной емкости на интервале \([t_3;t_4]\), обратный ток через диод будет уменьшаться, стремясь к своему установившемуся значению.

Как видно из приведенной диаграммы (рис. 3.1-2), в момент времени \(t_2\) смены полярности входного напряжения падение напряжения на диоде скачком уменьшается на долю падения напряжения на активном сопротивлении диода \( \operatorname{d} U_д = r_{дб} \left( I_{пр} + I_{обр и} \right)\) и далее остается постоянным. Это объясняется тем, что избыточный заряд, накопленный в базовой области диода во время его прямого смещения, остается достаточным для поддержания импульса обратного тока на уровне:

\( I_{обр и} = \cfrac{U_{обр} — \left[ U_{д пр} — r_{дб} \left( I_{пр} + I_{обр и} \right) \right] }{\tau_б} \),

 

т.е. непосредственно после смены полярности \(U_{вх}\) диод обладает практически нулевым сопротивлением.

 

Для интервала времени \([t_2;t_3]\): \(I_д = –I_{обр и}\). Предполагая, что в конце этого интервала концентрация неосновных носителей заряда в непосредственной близости к \(p\)-\(n\)-переходу уменьшается до нуля, получим:

\(t_{рас} = t_3 – t_2 \approx t_б \cdot \ln{\left( 1+ \cfrac{I_{пр}}{I_{обр и}} \right)} \).

 

Временной интервал \(t_{рас}\) называется временем рассасывания неосновных носителей из области базы. Следует отметить, что приведенное выражение является приближенным, так как не учитывает особенностей изменения пространственного заряда \(Q_б\), характерных для диодов, изготовленных по различным технологиям.

На временном интервале \([t_3;t_4]\) суммарный объемный заряд в области базы уменьшается до нуля, что характеризуется уменьшением тока диода от значения \(I_{обр и}\) до величины \(I_{обр}\), соответствующей стационарному обратному току диода в выключенном состоянии.

Длительность интервала \(t_{сп} = t_4 – t_3\), называемого временем спада обратного тока диода, также сильно зависит от технологии его изготовления. Реально: \(t_{сп} \approx {(0,1…1)} \cdot t\), т.е. практически для всех типов диодов \(t_{рас} > t_{сп}\). Временной интервал \(t_{рас} + t_{сп} = t_{вос}\) носит название времени восстановления обратного сопротивления диода и является важной характеристикой быстродействия.{t_4} I_{обр}(t) \operatorname{d}t \).

 

В случае, когда напряжение входного прямоугольного сигнала не является двуполярным, на диаграммах переходных процессов возникнут качественные отличия от приведенного на рис. 3.1-2 вида.

Временные диаграммы для случая однополярного прямоугольного сигнала приведены на рис. 3.1-3.

 

Рис. 3.1-3. Переходные процессы в диоде при прохождении через него однополярного прямоугольного сигнала

 

Очевидно, что и в этом случае переходные процессы будут сильно искажать форму сигнала, проходящего через диод в нагрузку.

Процесс включения диода аналогичен случаю двуполярного сигнала. Существенные отличия наблюдаются при выключении диода.

После окончания действия напряжения \(U_{пр}\) в момент времени \(t_2\) напряжение на диоде резко уменьшается на \(\Delta U_д = r_{д обр} \left( I_{пр} + I_{обр и} \right) \) и затем еще достаточно продолжительное время сохраняет полярность прямосмещенного диода. При условии \(U_{вх} = 0\) это означает, что к нагрузке прикладывается напряжение обратной полярности, равное:

\( U_{вых обр} \approx — \left[ U_{пр} — r_{д пр} \left( I_{пр} + I_{обр и} \right) \right] \cfrac{R_н}{R_н + R_{вн}} \),

где \( R_{вн}\) — внутреннее сопротивление источника сигнала.

 

Причиной возникновения этого напряжения является объемный заряд \(Q_б\), накопленный в области базы. После окончания импульса \(U_{вх}\) неосновные носители в области базы постепенно рекомбинируют, создавая ток в цепи нагрузки диода. Поэтому длительность интервала \([t_2;t_3]\) определяется как собственными параметрами диода, так и параметрами внешней цепи. При уменьшении сопротивления разряда \(R_{раз} = R_н \cfrac{R_{вн}}{R_н + R_{вн}}\) длительность \([t_2;t_3]\) уменьшается.

Напряжение, присутствующее на диоде после окончания импульса \(U_{вх}\) принято называть послеинжекционным.

Таким образом, при применении диодов в импульсных цепях следует учитывать, что их некоторая инерционность является причиной искажения формы проходящих через них импульсов. Причем эти искажения тем существеннее, чем меньше длительность обрабатываемых импульсов и их фронтов (срезов).

 

 

< Предыдущая		Следующая >

Включение диода

Рассмотрим явления, происходящие в диоде при прохождении через него прямоугольного импульса тока. Диод условно можно представить в виде электрической схемы, показанной на рис.6.

Рис.6 Эквивалентная схема диода.

Сопротивление базы R_б выделено как некоторое внешнее сопротивление, последовательно включенное с сопротивлением p-n перехода. Параллельно p-n переходу включена емкость С_Д, учитывающая барьерную емкость перехода. Вся цепь шунтируется емкостью корпуса прибора Скорп.

Проанализируем осциллограмму напряжения на диоде. Емкость корпуса прибора учитывать не будем. На рис.7. приведены осциллограммы напряжения на базе U_б на p-n переходе диода Uпер и суммарная осциллограмма, отражающая полное напряжение на диоде Uд.

Рис.7. Временные диаграммы напряжения при прохождении через диод прямоугольного импульса тока: а) напряжение на базе диода; б) напряжение на переходе; в) суммарное напряжение.

В начальный момент времени напряжение на диоде U₁ определяется величиной импульса тока и сопротивлением базы. Напряжение на переходе, шунтированном емкостью, отсутствует. По мере накопления дырок в базе сопротивление и, следовательно, напряжение на ней уменьшается. Напряжение на переходе увеличивается, так как емкость перехода заряжается. В момент окончания импульса тока напряжение на базе скачком падает до нулевого значения. Величина скачка определяется сопротивлением базы и амплитудой импульса тока.

Изменение сопротивления базы при заполнении ее носителями заряда называют модуляцией сопротивления базы.

Величину базового сопротивления можно найти. Измеряя начальное падение напряжения на диоде U₁. Зависимость сопротивления базы то тока диода определяется изменением перепада напряжения (U₂-U₃) после окончания импульса тока.

В заключение отметим, что напряжение на диоде после подачи импульса тока может увеличиваться. Это происходит в том случае, если начальное сопротивление базы диода мало.

Выключение диода.

Рассмотрим осциллограмму напряжения на диоде после окончания импульса прямого тока (рис.7В). В момент окончания импульса тока концентрация дырок в базе не изменяется. Накопленные вблизи запорного слоя дырки исчезают вследствие рекомбинации Кроме того, они диффундируют в глубь базы. По мере уменьшения концентрации дырок вблизи запорного слоя уменьшается напряжение на переходе, что и отражено на осциллограмме.

Найдем закон изменения напряжения на диоде, пренебрегая диффузией дырок вглубь базы. Характер уменьшения концентрации дырок вблизи запорного слоя отвечает уравнению: (17)

где — избыточная концентрация дырок.

Подставляя ее значение в уравнение (17), получим:

(18)

Будем считать, что избыточная концентрация дырок вблизи запорного слоя больше равновесной. Тогда уравнение (18) можно записать в виде:

(19)

Напряжение на переходе связанно с концентрацией дырок в базе уравнением:

(20)

Зависимость напряжения на p-n переходе от времени найдем, подставляя в уравнение (20) значение

(21)

Заметим, что в конце переходного процесса наблюдается более резкое уменьшение напряжения, чем в начале. Это не отображено в уравнении (21), которое получено для случая, когда избыточная концентрация дырок вблизи запорного слоя больше равновесного, и оно несправедливо, когда эти концентрации соизмеримы. Уравнение (21) позволяет легко определить время жизни дырок в базе диода. Для этого измеряют перепад напряжения U_Д на линейном участке кривой UД(t) и время, соответствующее этому перепаду, t. Тогда время жизни дырок:

(22)

Измерение начального остаточного напряжения U_З в зависимости от величины прямого тока через диод позволяет найти контактную разность потенциалов. С увеличением амплитуды импульсов прямого тока величина U_З стремится к некоторому постоянному значению. Определим это напряжение Uз. Концентрация дырок вблизи запорного слоя :

(23)

С увеличением амплитуды импульсов величина Pn стремится к P_P0 — бесконечности. Поэтому при достаточно больших импульсах тока остаточное напряжение .

Почему нагреваются диоды и диодные мосты (выпрямители тока), причины нагрева и что с этим делать.

Как известно диоды являются полупроводниками, способны пропускать ток только в одном направлении. При прямом включении диода к источнику питания (плюс питания подключается к плюсу, аноду, диода, а минус питания к минусу, катоду, диода) этот полупроводник переходит в открытое состояние и через него может протекать ток. При этом на диоде образуется некоторое падение напряжения (где-то от 0,6 до 1,2 вольта) и с увеличением напряжения питания будет только увеличиваться ток, проходящий через полупроводник. При обратном включении диода (минус питания к плюсу диода и плюс питания к минусу диода) данный полупроводник будет находится в закрытом состоянии. Через него не будет протекать ток, а величина напряжения, которая на нем осядет, будет равна приложенному к нему напряжению.

Нагрев различных электрических элементов, в том числе и диодов, диодных мостов, напрямую связан с количеством тока, который проходит через них. Чем его больше, тем больше и нагрев. При маленьких токах нагрев настолько мал, что его даже незаметно. С увеличением тока и количеством выделяемого тепла температура постепенно увеличивается. Стоит учесть, что это тепло рассеивается через сам корпус компонента, и чем больше по объему этот компонент, тем больше и рассеивание тепла. Но уже при каком-то значительном количестве тока тепла становится настолько много, что оно уже не успевает рассеиваться. Естественно, происходит увеличение температуры компонента, в нашем случае это диод и диодный мост.

Стоит взять во внимание, что большинство нынешних полупроводников, в том числе и диодов, сделаны и кремния. А кристаллы кремния начинают безвозвратно разрушаться от температуры порядка 150-180 градусов по цельсию. Следовательно, когда нагрев диодов дойдет до этих температур они просто сгорят в результате теплового пробоя. Температуры близкие к критическим также негативно влияют на работу полупроводников, как минимум у них ухудшаются имеющиеся характеристики, а то и вовсе такие диоды могут иметь крайне малый срок службы. Максимальными температурами, при которых еще допустимо нормальное использование кремниевых полупроводников можно считать примерно до 60-80 °C.

Теперь по поводу зависимости электрической мощности, что оседает на диоде (полупроводнике) и выделяемого тепла. Выше я упомянул, что чем больше ток протекает через полупроводник, тем больше его нагрев. Это так, но еще нужно учитывать и падение напряжение, которое образовывается на компоненте. Простой пример, если взять одинаковые по своему объему два куска провода, у одного из которых будет большое сечение, но малая длина, и второй кусок провода, содержащий значительно большую длину с меньшим сечением. То есть, по массе и общему объему проводящего материала они будут одинаковы, но по внутреннему сопротивлению они будут различны (где толще сечение и меньше длина сопротивление будет меньше, чем у второго куска). И когда мы эти куски провода поставим между источником питания и какой-нибудь нагрузкой, то заметим, что через, как первый, так и второй кусок будет проходить один и тот же ток (одинаковая величина), а вот падение напряжения будет на них разное. На куске с большим сопротивлением (где большая длина и тоньше провод) будет оседать больше напряжения.

Электрическая мощность равна напряжение умножить на силу тока. И получается, что на куске провода с большим падением напряжения будет оседать большая электрическая мощность. А чем больше мощность, тем большее количество тепла будет выделяться. Проще говоря. И говоря о диодах и выпрямителях можно подытожить, что те полупроводники, на которых происходит большее падение напряжения, при их прямом включении, будут иметь большее тепловыделение, чем те, у которых оно меньше, при одном и том же токе.

Сила тока, которая протекает через диод, диодный мост выпрямитель зависит от мощности нагрузки. Чем меньше сопротивление этой нагрузки и больше ее мощность, тем и сила тока в цепи будет больше. Каждый диод, диодный мост имеет свою максимальную величину, как обратного напряжения, так и прямого тока (тока при прямом включении полупроводника). Протекание тока большей величины, чем это максимальное значение, чревато тепловым пробоем компонента. И, естественно, использовать диоды в своих схемах нужно с токовым запасом. То есть, чтобы в своем номинальном режиме диод или диодный мост работал не на пределе своих возможностей, а имел хотя бы 25% запас (как по току, так и по обратному напряжению), а то и больше.

Мощные диоды и диодные мосты при их эксплуатации на максимальных токах изначально рассчитаны на работу с радиатором, отводящими излишки тепла от полупроводников, улучшающие его рассеивание. Если их использовать на малых токах, то можно обойтись и без радиатора. Чтобы снизить имеющийся излишний нагрев диодов либо выпрямителей можно делать параллельное подключение одинаковых компонентов. То есть, при таком подключении будет увеличен как общий объем детали, что увеличивает рассеивание тепла, так и снизит падение напряжения при прямом включении компонентов.

Каковы причины чрезмерного нагрева диодов и диодных мостов? Ну если полупроводники не используются в режиме перегрузки, которая вызвана слишком большой нагрузкой, то возможно они могут нагреваться от соседних компонентов. Условием для излишнего нагрева полупроводников будет чрезмерная электрическая мощность, которая оседает на элементах. Возможно произошел частичных пробой полупроводника и его внутреннее сопротивление при прямом включении увеличилось. Естественно, на нем будет большее падение напряжения, что ведет к увеличенному тепловыделению. В этом случае полупроводник нужно проверить на имеющееся падение напряжения при прямом включении, и если оно не соответствует норме произвести замену компонента.

P.S. Старайтесь подбирать электронные компоненты для своих схем с неким запасом по их характеристикам. В случае с диодами и диодными мостами нужно иметь хотя бы 25% запас как по прямому току, так и по обратному напряжению. 25%, это как минимум, а лучше 50% или 100%. По стоимости этот запас вам обойдется не так уж и дорого, но зато вы свои схемы обезопасите от случайных тепловых и электрических пробоев, возникающих в полупроводниковых компонентах.

Как устроены и работают полупроводниковые диоды

Диод – простейший полупроводниковый прибор. Диод представляет собой пластинку полупроводника (германий), в левой половине которого имеется акцепторная примесь, а в правой – донорная. При этом левая часть называется полупроводником типа Р, правая – типа N. Свойства полупроводникового диода, как и любого другого полупроводника, определяются границей между левой и правой частями полупроводника, т.н. Р-N переходом (рисунок 1). В отличии от тиристоров и транзисторов, диод имеет один Р-N переход. Главной отличительной особенностью диода является односторонняя проводимость электрического тока.

Рисунок 1 – Строение диода и его обозначение на электрической схеме.

Конструктивно диод представляет собой двухвыводной полупроводниковый элемент. Выводы диода обозначаются как анод и катод.

Рассмотрим физические процессы, происходящие на границе Р-N перехода в различных состояниях диода.

1. Диод в состоянии покоя (выводы диода некуда не подключены). В этом состоянии области полупроводника N и Р характеризуются наличием отрицательного и положительного заряда соответственно. Взаимодействие этих зарядов создает электрическое поле (рисунок 2).

Рисунок 2.

Как известно, разноименные заряды обладают свойством притягиваться, поэтому электроны (отрицательные носители заряда из зоны N) проникают в положительно заряженную зону Р, заполняя при этом некоторые дырки. Движение электронов – есть не что иное, как электрический ток. Величина этого тока незначительна. Однако, заряженные частицы стремятся равномерно распространиться по всему объему (проводнику), поэтому часть электронов возвращается назад в зону N.

2. Включение полупроводникового диода в обратном направлении (рисунок 3).

Рисунок 3.

При обратном включении диода (область N подключена к «+» источника питания, область Р – к «-» источника питания) ток через Р-N переход не пройдет. Это обусловлено тем, что электроны устремятся к положительному полюсу источника питания, положительные заряды (дырки) – к отрицательному полюсу источника питания. На границе Р-N перехода образуется «вакуум», в котором отсутствуют какие-либо носители заряда. Увеличение обратного напряжения источника питания приведет к еще большему увеличению зоны в области Р-N перехода без носителей заряда.

Помимо понятия «обратного напряжения» существует понятие и «обратного тока». Обратный ток – ток, протекающий через границу Р-N перехода, вызванный перемещением неосновных носителей заряда, которые двигаются, как и основные, но в обратном направлении. Величина обратного тока мала, т.к. число носителей невелико. Однако повышение температуры полупроводникового диода приводит к увеличению сила неосновных носителей заряда и увеличению обратного тока, который может привести к разрушению Р-N перехода. Для снижения температуры полупроводников применяют пассивные (радиаторы) и активные (вентиляторы) теплоотводы.

3. Включение полупроводникового диода в прямом направлении (рисунок 4).

Рисунок 4.

Прямое включение диода вызовет смещение электронов и дырок от отрицательного и положительного выводов источника к питания соответственно в сторону Р-N перехода. В результате этого смещения в области Р-N перехода образуется электрическое поле, способствующее перемещению электронов в область Р и их устремление к положительному выводу источника питания. Таким образом, через диод протекает прямой ток.

Принцип действия диода подобен механическому вентилю, поэтому диоды еще называют полупроводниковыми вентилями.

---

Всего комментариев: 0

---

Цепи переключения диодов

| Диоды и выпрямители

Диоды могут выполнять коммутационные и цифровые логические операции. Прямое и обратное смещение переключают диод между состояниями низкого и высокого импеданса соответственно. Таким образом, он служит переключателем.

Логика

Диоды могут выполнять функции цифровой логики: И и ИЛИ. Диодная логика использовалась в первых цифровых компьютерах. Сегодня он находит ограниченное применение. Иногда бывает удобно собрать один логический вентиль из нескольких диодов.

И Выход

Диод И вентиль

Логический элемент И показан на рисунке выше. Логические ворота имеют входы и выход (Y), который является функцией входов. На входе логического элемента высокий уровень (логическая 1), скажем, 10 В, или низкий уровень, 0 В (логический 0).

На рисунке логические уровни генерируются переключателями. Если переключатель в верхнем положении, входной сигнал фактически высокий (1). Если переключатель находится в нижнем положении, он подключает катод диода к земле, которая имеет низкий уровень (0). Выход зависит от комбинации входов A и B.Входные и выходные данные обычно записываются в «таблицу истинности» в пункте (c) для описания логики вентиля. В (а) все входы высокие (1). Это записано в последней строке таблицы истинности в (c).

Выход Y высокий (1) из-за V + на верхней части резистора. На него не влияют открытые переключатели. В точке (b) переключатель A подтягивает катод подключенного диода к низкому уровню, подтягивая выход Y к низкому уровню (0,7 В). Это записано в третьей строке таблицы истинности.

Вторая строка таблицы истинности описывает выход с переключателями, перевернутыми от (b).Переключатель B подтягивает диод и выводит низкий уровень. В первой строке таблицы истинности записано значение Output = 0 для обоих входов low (0).

Таблица истинности описывает функцию логического И. Резюме: оба входа A и B high дают высокий (1) выход.

OR ворота

Логический элемент ИЛИ с двумя входами, состоящий из пары диодов, показан на рисунке ниже. Если оба входа имеют низкий логический уровень в точке (a), как имитируется обоими переключателями «вниз», резистор подтягивает выход Y к низкому уровню. Этот логический ноль записывается в первой строке таблицы истинности в (c).Если на одном из входов высокий уровень, как на (b), или на другом входе высокий уровень, или на обоих входах высокий уровень, диод (ы) проводит (-ы), подтягивая выход Y к высокому уровню.

Эти результаты переупорядочены во второй-четвертой строках таблицы истинности. Резюме: любой вход «высокий» — это максимум на уровне

юаней.

Элемент ИЛИ: (a) Первая строка таблицы истинности (TT). (b) Третья строка ТТ. (d) Логическое ИЛИ источника питания и резервного аккумулятора.

Приложения логики OR

Резервная батарея может быть подключена по ИЛИ к источнику постоянного тока, работающему от сети, как показано на рисунке выше (d), для питания нагрузки даже во время сбоя питания.При наличии переменного тока сетевое питание питает нагрузку, предполагая, что оно имеет более высокое напряжение, чем батарея. В случае сбоя питания напряжение в сети падает до 0 В; батарея питает нагрузку.

Диоды должны быть включены последовательно с источниками питания, чтобы предотвратить разряд батареи из-за сбоя сетевого питания и предотвратить перезарядку батареи при наличии сетевого питания. Сохраняет ли ваш компьютер настройки BIOS при выключении? Сохраняет ли ваш видеомагнитофон (кассетный видеомагнитофон) настройки часов после сбоя питания? (ПК да, старый видеомагнитофон нет, новый видеомагнитофон да.)

Аналоговый переключатель

Диоды могут переключать аналоговые сигналы. Обратно смещенный диод выглядит как разомкнутая цепь. Диод с прямым смещением — это провод с низким сопротивлением. Единственная проблема — изолировать переключаемый сигнал переменного тока от управляющего сигнала постоянного тока.

Схема на рисунке ниже представляет собой параллельную резонансную сеть: резонансная настраивающая катушка индуктивности соединена параллельно с одним (или несколькими) переключаемыми конденсаторами резонатора. Этот параллельный LC-резонансный контур может быть фильтром предварительного выбора для радиоприемника.Это может быть частотно-определяющая сеть генератора (не показан). Линии цифрового управления могут управляться микропроцессорным интерфейсом.

Переключатель диодов: Цифровой управляющий сигнал (низкий) выбирает конденсатор резонатора путем прямого смещения переключающего диода.

Блокирующий конденсатор постоянного тока большой емкости заземляет резонансную индуктивность настройки для переменного тока, блокируя постоянный ток. Он будет иметь низкое реактивное сопротивление по сравнению с реактивными сопротивлениями параллельных ЖК. Это предотвращает замыкание анодного постоянного напряжения на землю резонансным настраивающим дросселем.Переключаемый конденсатор резонатора выбирается путем подтягивания соответствующего низкого уровня цифрового управления. Это прямое смещение переключающего диода.

Путь постоянного тока проходит от +5 В через высокочастотный дроссель (RFC), переключающий диод и RFC на землю через цифровое управление. Назначение RFC на +5 В — защитить переменный ток от источника +5 В. RFC, соединенный с цифровым управлением, предназначен для предотвращения попадания переменного тока во внешнюю линию управления. Конденсатор развязки замыкает небольшую утечку переменного тока через RFC на землю, минуя внешнюю цифровую линию управления.

Когда все три линии цифрового управления имеют высокий уровень (≥ + 5 В), переключаемые конденсаторы резонатора не выбираются из-за обратного смещения диода. При понижении уровня одной или нескольких линий выбирается один или несколько переключаемых конденсаторов резонатора соответственно. Чем больше конденсаторов подключается параллельно резонансной настраивающей катушке индуктивности, тем меньше резонансная частота.

Емкость диода с обратным смещением может быть значительной по сравнению с цепями с очень высокой или сверхвысокой частотой. PIN-диоды могут использоваться в качестве переключателей для снижения емкости.

СВЯЗАННЫЕ РАБОЧИЕ ЛИСТЫ:

Что такое переключающий диод? — Теория быстрых переключающихся диодов

переключающий диод (также называемый импульсным диодом , диодом Шоттки ) — полупроводниковый диод , используемый в импульсных (дискретных) системах. Он в основном работает в коммутационных схемах, которые генерируют импульс только одного знака (+) с прямым смещением. В зависимости от применения переключающий диод может также работать как простой выпрямительный диод , ограничитель переходных напряжений или детекторный диод).Он отличается очень высокой скоростью работы (измеряется в наносекундах, тогда как для более высоких напряжений — в микросекундах).

Наиболее востребованные параметры переключающего диода, работающего в качестве переключающего устройства, следующие:

• Очень низкое сопротивление при прямом смещении и очень высокое сопротивление при обратном смещении
• Процесс переключения диода должен происходить как можно быстрее (минимально возможная задержка и отсутствие искажения импульсов).

Рис.1 переключающий диод, символ

Переключающий диод имеет чрезвычайно низкую емкость перехода, что приводит к очень малому времени переключения. Такие свойства указывают на контраст с помощью плоского диода, который имеет аналогичные свойства. Тем не менее, переключающий диод намного менее надежен (также автоматически становится ударопрочным), характеризуется более компактным числом значений параметров, существенно меньшим обратным током, меньшим сопротивлением в управлении проводимостью, но большей паразитной емкостью.В покрывающем диоде сравнительно большой заряд накапливается от p-n-перехода через проводимость, что имитирует диоды с такими свойствами, среди прочего, из-за пригодности для работы, где, например, им необходимо управлять высокими частотами. Переключающий диод имеет довольно низкую инерцию только потому, что плата, которая собирается на переходе металл-полупроводник, мала, что делает его действительно хорошо подходящим для переключения и очень значительных диапазонов частот. Это только одно из наиболее важных свойств, благодаря которым диоды с быстрым переключением используются в качестве элементов импульсных зарядных устройств (например, используемых сейчас для питания лампочек, среди других объектов) или смесителей (электронных схем, которые должны создавать третий сигнал из двух различных знаков, используя частоту, которая представляет собой смесь сигналов во входном сигнале).

Переключающий диод Включает в себя покрытие из металла, а также покрытие из полупроводника, чаще всего кремния. Его свойства делают его идеальным для всех применений в электронном оборудовании — в качестве компонента, который защищает чувствительные цифровые схемы, а также в качестве выпрямителя, используемого для сигналов с очень большой частотой. Он работает лучше в этом приложении по сравнению со стандартным кремниевым диодом — он отличается в основном уменьшенным падением напряжения, а даже более высокая частота указывает на то, что он может успешно справиться.Благодаря своим рабочим характеристикам его часто называют диодом для горячей ванны или даже барьерным диодом. Минимальное напряжение проводимости начинается от 150 мВ до примерно 500 мВ, при этом наименьшее значение из кремниевых диодов составляет 600 мВ. Описанный выше так называемый барьерный переход (часто известный как барьерный переключающий диод) формируется путем соединения полупроводника с каким-либо металлом. Полупроводник обычно представляет собой кремний, хотя чаще всего выбирают сплав из платины, вольфрама, молибдена или хрома.Выбор набора веществ, которые будут функционировать как анод (тип сплава) и катод (вид полупроводника), определяет, какое значение этого напряжения проводимости получит переключающий диод.

Характеристики переключающего диода

Характеристики переключающего диода показаны ниже на рис. 2.

Рис.2 Характеристики переключающего диода

Раздел

• Быстро переключающиеся диоды — изготавливаются с применением полупроводниковых материалов с большей шириной запрещенной зоны (например.грамм. Арсенид галлия (GaAs): t _rr <0,1 нс). Диоды Шоттки имеют значительно более короткое время переключения (малая емкость перехода C _j значений) по сравнению с обычными полупроводниковыми диодами (t _rr 100ps), что связано с их конструкцией перехода «M-S» емкостью перехода,
• Диоды с малым временем затухания (также называемые ступенчато-восстановительными диодами) — в таких диодах накопление заряда имеет решающее влияние на быстродействие диода. Он используется для генерации прямоугольных импульсов (время затухания t _f должно быть очень маленьким).

Предельные параметры

• I _Fmax — максимальное постоянное смещение,
• I _FMmax — пик, максимально допустимое смещение диода,
• В _Rmax — максимальное постоянное обратное напряжение,
• В _RMmax — максимальное пиковое обратное напряжение,
• T _j — допустимая температура перехода.

Статические и динамические параметры

• V _F — прямое напряжение при определенном прямом токе I _F (чем выше ток, тем больше заряд сохраняется на основе pn-перехода и процесс разрядки медленнее)
• I _R — обратный ток при данном V _R реверсивное напряжение (чем выше ток, тем быстрее будет разгружен заряд, накопленный в переходе, диод переключится быстрее)
• Емкость диода (при определенных обратных напряжении и частоте),
• t _rr — время переключения диода (иногда вместо времени t _rr указывается заряд переключения Q _rr , накопленный в разъеме).

Эффективность рассеивания тепла

Вакуумный остаток дает действительно прекрасную «возможность» использовать металлическое покрытие на полупроводниковой подложке в максимально возможной степени. Даже анод становится металлическим, хотя катод — это полупроводник. Металл действует главным образом как резистивное прикосновение к аноду — это не что иное, как тонкое покрытие, нанесенное на кремний. Этот тип решения демонстрирует своего рода наблюдаемый недостаток по сравнению с обычными кремниевыми диодами.Элементы с такими тонкими проводами часто превращаются в «слабые звенья», а также делают полный диод не таким устойчивым к пробоям. Кроме того, стоит отметить, что переключающий диод хуже справляется со всем излучаемым теплом в системе в связи с его плотным аналогом, использующим p-n переход. Основная причина этих свойств заключается в использовании сплава, который может находиться в непосредственном контакте со всем переходом переключающего диода.

Переключающий диод — это полупроводниковая электронная часть, одной из наиболее важных и отличительных особенностей которой от обычного переходного диода является тот простой факт, что его основными носителями являются электроны.Это связано с тем, что в полупроводнике N-типа их на несколько больше (от катода — обычно кремния), чем от анода, из-за чего они ведут себя как носители тока. Металлическое покрытие полностью электрически инертно. Сочетание этих функций делает диод с быстрым переключением менее инертным, чем обычные диоды. Последнее объяснение заключается в том простом факте, что в стыке нет так называемой черепной области, что означает очень короткий период восстановления. Требуется перейти из какой-то страны, в которой диод проводит, в состояние, когда он играет роль барьера (например, защита цепи при недостаточном источнике питания, что может повредить смонтированные чувствительные электронные компоненты, когда ток течет в противоположном направлении. ).Разница между обычными диодами, использующими pn-переходы, важна, поскольку в идеальном случае так называемый pn-диод потребует несколько сотен наносекунд, а может даже оказаться несколько тысяч наносекунд, тогда как переключающий диод может использовать десятые доли секунды. компонентов до максимум тысяч наносекунд для регенерации.

Применения переключающих диодов

Короткое время переключения быстродействующих диодов востребовано во многих областях применения. Вот некоторые из наиболее типичных:

• Фиксатор напряжения,
• Высокоскоростные выпрямительные и коммутационные цепи,
• Защита от обратного тока и разряда,
• Импульсные источники питания (в качестве выпрямителя).

Высокая эффективность переключающего диода при управлении сигналами очень высокой частоты, что делает его прекрасным выбором для устройства защиты от перенапряжения, устанавливаемого перед входным сигналом в чувствительную цепь. Очень короткий период регенерации делает его действительно практичным компонентом, используемым в инверторах или повышающих преобразователях. Низкое напряжение, а также невероятно короткий период регенерации значительно повышают эффективность источника энергии — она ​​может достигать даже 90% эффективности.Стоит напомнить, что такие диоды могут использоваться для частот тока, не превышающих 100 ГГц. Переключающий диод часто является разумной альтернативой использованию германиевых диодов, особенно когда пороговое напряжение должно быть максимально низким (в данном случае оно составляет всего около 0,4 В). Минимальное падение напряжения делает его фантастическим компонентом для подключения резервных источников питания — фантастическим для инверторов и других программ. Во время работы необходимо сосредоточиться на температурах, которые существуют в цепи, так как между 25 и 100 градусами Цельсия значение их так называемого обратного тока может возрасти даже вдвое.

Проверка правильности работы диода

Может случиться так, что устройство, оснащенное такой электроникой, перестанет работать, а также переключающий диод считается этой неисправностью. Например, это может быть источник питания в экране или в телевизоре. В этот момент очень важно оценить, правильно ли работает деталь. Но стоит понять, как это сделать правильно. Попытка проверить барьерный диод точно так же, как обычный диод, не принесет желаемых преимуществ.Цель состоит в том, чтобы точные результаты очень точных тестов для некоторых форм диодов не подходили для них, а также для многих других означают правильную работу. Довольно часто в подобной электронике (блоки питания для телевизоров или мониторов) используются элементы, в которые вставлено более одного диода, хотя снаружи кажется одним компонентом. Очень часто вы встретите два диода, включенные в один корпус, который может быть расположен в заметке каталога, в котором будет схема всего компонента (так называемый файл информационного листа).Самым первым действием человека, выполняющего эту работу, должен быть всесторонний анализ того, что именно представляет собой анализируемый элемент, если это абсолютно переключающий диод, как он устроен и каково ваше распределение распиновки. Затем, в зависимости от информации, содержащейся в авторитетных источниках в Интернете, например, следует разработать набор оценок для определения текущего состояния этого диода. При этом вам, безусловно, следует использовать мультиметр с омметром.

Коммутационные диоды | Nexperia

BAS101; BAS101S	Диоды коммутационные высоковольтные	ACT
BAS101	Диоды коммутационные высоковольтные	Производство
BAS101S	Диоды коммутационные высоковольтные	Производство
BAS16	Быстродействующие переключающие диоды	ACT
BAS16	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAS16H	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAS16J	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAS16L	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAS16VV	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAS16VY	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAS16W	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAS316	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAS516	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAS21W серии	Диоды коммутационные высоковольтные	ACT
BAS21AW	Диоды коммутационные высоковольтные	Производство
BAS21SW	Диоды коммутационные высоковольтные	Производство
BAS21W	Диоды коммутационные высоковольтные	Производство
BAS29; BAS31; BAS35	Лавинные (двойные) диоды общего назначения регулируемые	ACT
BAS29	Лавинные (двойные) диоды общего назначения регулируемые	Производство
BAS31	Лавинные (двойные) диоды общего назначения регулируемые	Производство
BAS35	Лавинные (двойные) диоды общего назначения регулируемые	Производство
BAV102; BAV103	Одиночные переключающие диоды общего назначения	ACT
BAV102	Одиночные переключающие диоды общего назначения	Производство
BAV103	Одиночные переключающие диоды общего назначения	Производство
BAV20; BAV21	Диоды общего назначения	ACT
BAV20	Диоды общего назначения	Производство
BAV21	Диоды общего назначения	Производство
BAV23 серии	Двойные высоковольтные переключающие диоды	ACT
BAV23	Двойные высоковольтные переключающие диоды	Производство
BAV23A	Двойные высоковольтные переключающие диоды	Производство
BAV23C	Двойные высоковольтные переключающие диоды	Производство
BAV23S	Двойные высоковольтные переключающие диоды	Производство
BAV70 серии	Быстродействующие переключающие диоды	ACT
BAV70	Быстродействующий двойной диод	Производство
BAV70M	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAV70S	Быстродействующий двойной диод	Производство
BAV70W	Быстродействующий двойной диод	Производство
BAV756S; BAW56 серии	Быстродействующие переключающие диоды	ACT
BAV756S	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAW56	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAW56M	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAW56S	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAW56W	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAV99 серии	Быстродействующие переключающие диоды	ACT
BAV99	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAV99S	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAV99W	Диод быстродействующий переключающий	Производство
1N4531	Диоды быстродействующие	Производство
1PS300	Двойной высокоскоростной переключающий диод	Производство
1PS301	Двойной высокоскоростной переключающий диод	Производство
1PS302	Двойной высокоскоростной переключающий диод	Производство
BAL74	Диод быстродействующий	Производство
BAL99	Диод быстродействующий	Производство
BAS116	Диод с малой утечкой	Производство
BAS116GW	Переключающий диод с малой утечкой	Производство
BAS116H	Переключающий диод с малой утечкой	Производство
BAS116L	Диод с малой утечкой	Производство
BAS116QA	Диод с малой утечкой	Производство
BAS16-Q	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAS16GW	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAS16H-Q	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAS16J-Q	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAS16L-Q	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAS16LD	Одинарный быстродействующий переключающий диод	Производство
BAS16LS	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAS16LS-Q	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAS16QA	Одинарный быстродействующий переключающий диод	Производство
BAS16TH	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAS16VY-Q	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAS16W-Q	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAS19	Диод коммутирующий высоковольтный	Производство
BAS20	Диод коммутирующий высоковольтный	Производство
BAS20-Q	Диод коммутационный высоковольтный	Производство
BAS21	Диод коммутирующий высоковольтный	Производство
BAS21-Q	Диод коммутационный высоковольтный	Производство
BAS21AVD	Диоды коммутационные высоковольтные	Производство
BAS21GW	Диод коммутирующий высоковольтный	Производство
BAS21H	Переключающий диод одиночный высоковольтный	Производство
BAS21J	Одинарный быстродействующий переключающий диод	Производство
BAS21LD	Диод коммутационный высоковольтный	Производство
BAS21LL	Диод коммутационный высоковольтный	Производство
BAS21LS	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAS21LS-Q	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAS21PG	Двойной изолированный высоковольтный переключающий диод	Производство
BAS21QA	Диод коммутирующий высоковольтный	Производство
BAS21QB	Диод коммутационный высоковольтный	Производство
BAS21QC	Диод коммутационный высоковольтный	Производство
BAS21TH	Диод коммутационный высоковольтный	Производство
BAS21VD	Диоды коммутационные высоковольтные	Производство
BAS28	Быстродействующий двойной диод	Производство
BAS316-Q	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAS321	Диод общего назначения	Производство
BAS321-Q	Диод общего назначения	Производство
BAS321J	Диод коммутационный высоковольтный	Производство
BAS32L	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAS416	Диод с малой утечкой	Производство
BAS45A	Диод с малой утечкой	Производство
BAS45AL	Диод с малой утечкой	Производство
BAS516-Q	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAS521	Переключающий диод одиночный высоковольтный	Производство
BAS521B	Диод коммутационный высоковольтный	Производство
BAS56	Быстродействующий двойной диод	Производство
BAS716	Диод с малой утечкой	Производство
BAV170	Двойной диод с малой утечкой	Производство
BAV170-Q	Двойной диод с малой утечкой	Производство
BAV170M	Диод со сдвоенным общим катодом и малой утечкой	Производство
BAV170QA	Диод со сдвоенным общим катодом и малой утечкой	Производство
BAV199	Двойной диод с малой утечкой	Производство
BAV199-Q	Двойной диод с малой утечкой	Производство
BAV199W	Двойной диод с малой утечкой	Производство
BAV199W-Q	Двойной диод с малой утечкой	Производство
BAV23QA	Высоковольтный переключающий диод со сдвоенным общим катодом	Производство
BAV70-Q	Быстродействующий двойной диод	Производство
BAV70QA	Высокоскоростной переключающий диод со сдвоенным общим катодом	Производство
BAV70S-Q	Быстродействующий двойной диод	Производство
BAV70SRA	Четырехскоростные переключающие диоды	Производство
BAV70W-Q	Быстродействующий двойной диод	Производство
BAV74	Быстродействующий двойной диод	Производство
BAV99-Q	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAV99QA	Двухсерийные высокоскоростные переключающие диоды	Производство
BAV99QC	Двухсерийные высокоскоростные переключающие диоды	Производство
BAV99W-Q	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAW101	Двойной диод высокого напряжения	Производство
BAW101S	Двойной диод высокого напряжения	Производство
BAW101S-Q	Двойной диод высокого напряжения	Производство
BAW156	Двойной диод с малой утечкой	Производство
BAW56-Q	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAW56QA	Высокоскоростной переключающий диод со сдвоенным общим анодом	Производство
BAW56S-Q	Диод быстродействующий переключающий	Производство
BAW56SRA	Четырехскоростные переключающие диоды	Производство
BAW56W-Q	Диод быстродействующий переключающий	Производство
MMBD4148	Диод быстродействующий переключающий	Производство
PMBD6050	Диод быстродействующий	Производство
PMBD6100	Быстродействующий двойной диод	Производство
PMBD7000	Двойной быстродействующий переключающий диод	Производство
PMBD7100	Быстродействующий двойной диод	Производство
PMBD914	Одинарный быстродействующий переключающий диод	Производство
PMLL4148L	Быстродействующие переключающие диоды	Производство
PMLL4153	Диод быстродействующий	Производство
PMLL4448	Быстродействующие переключающие диоды	Производство

ОСНОВЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ДИОДОВ

Повторите эксперимент 1, но подключите вольтметр постоянного тока к клеммам диода.Измеритель должен иметь чувствительность 20 кОм / вольт и быть установлен на диапазон 10 В. В идеале вы должны использовать измеритель с центральным отсчетом 10–0–10 в, но вы можете использовать обычный измеритель и поменять местами провода, чтобы получить положительное показание.

Когда цепь была подключена в соответствии со схемой, показание напряжения было 0,7 В постоянного тока. Это связано с тем, что диод был проводящим, а 0,7 В — это падение напряжения прямого смещения диода. Когда аккумулятор был перевернут, показание напряжения было 10 В. Диод разомкнут, и полное напряжение батареи находится на диоде.

Практическое применение — домофон

Показанный до сих пор простой переключатель можно использовать в простых аудиоприложениях. Вот простая схема внутренней связи «все ведущие», которая направляет усилитель звука на один из нескольких удаленных приемников. Все показанные блоки идентичны и подключены к одному многопарному кабелю. Все устройства питаются от одной батареи.

Домофон «all master» на 5 станций с диодной коммутацией.

Вы нажимаете кнопку, соответствующую станции, с которой хотите поговорить.При нажатии любого переключателя «TALK» горизонтальные диоды подают питание 12 В постоянного тока от кабеля на усилитель 741 MIC. Здесь вы можете увидеть, как диоды используются для объединения постоянного тока с общим источником. Это предотвращает обратную подачу энергии на другие каналы.

Резисторы 1K0 подают питание постоянного тока на один из четырех выбранных диодов. Рабочая точка постоянного тока 741 операционного усилителя составляет около 5,5 В, которая подается на катод всех четырех вертикальных диодов. Переключатель TALK и соответствующий резистор вызывают положительное смещение одного из этих четырех диодов.Диод будет ограничивать линию выбранной станции до 6,2 В, с наложением на нее 500 мВ RMS aoudio. На этой схеме вы можете видеть, что была нажата кнопка станции 2.

На станции 2 постоянный ток и аудиосигнал проходят через заслонку для удаления нежелательных радиочастот. Резистор 2K2 фиксирует вход на массу при отсутствии входного сигнала. При вызове значение 2K2 слишком велико, чтобы повлиять на это. Схема приемника представляет собой аудиоусилитель со связью по постоянному току. Когда он не вызывается, условия постоянного тока нарушаются, и он не потребляет ток.При вызове от вызывающей станции поступает правильное смещение постоянного тока, и усилитель приводит в действие динамик.

Во время работы вы просто нажимаете кнопку станции, с которой хотите поговорить. Этот человек нажимает кнопку вашей станции, чтобы ответить. Этот метод означает, что другие станции также бесплатны и могут также вести личный разговор: например, станции с 1 по 2 и другой разговор между станциями 3 и 4.

Усилитель OpAmp MIC имеет пару встречных диодов для ограничения аудиосигнала до 1.Пиковое напряжение 5 В, что предотвращает перегрузку переключения диодов. Резистор 220R в цепи обратной связи выбран для правильного усиления. Я предположил, что используется микрофон ELECTRET с выходным сигналом от 10 мВ до 20 мВ. Если вы используете динамический микрофон, вам нужно удалить помеченный резистор 10 кОм и, возможно, выбрать 220 Ом для большего усиления (уменьшите значение). В идеале динамик и микрофон следует размещать как можно дальше друг от друга и направлять друг от друга. Избегайте механической проводимости между этими двумя.При нормальной работе вам нужно будет говорить близко к микрофону, а резистор 220 должен быть установлен так, чтобы не возникала обратная связь.

Сопротивление динамика должно быть 36 Ом.

Практическое применение — частотная модуляция

Вот довольно новое приложение. Большинство из вас, вероятно, узнают схему генератора как генератор Кольпита. «Интересный» бит — это диод и потенциометр. Вот схема для вашего прочтения:

В этом случае частота генератора определяется номиналами конденсатора и катушки индуктивности: C и L.Обратите внимание, что я добавил диод и еще один конденсатор 10C (в 10 раз больше, чем C). Колебания на концах L представляют собой синусоидальную волну, изменяющуюся выше и ниже клеммы Gnd (батарея -ve).

Я подключил диод к концу L и подключил его к потенциометру. Поток обеспечивает переменное напряжение от 0 до +3 В. в моем примере. Как только колебания превышают напряжение потенциометра, конденсатор 10С включается в цепь, увеличивая время периода колебаний.Я выбрал 3В, потому что в последнем измеренном мной осцилляторе уровень составлял +/- 3В от пика до пика.

Общий эффект заключается в понижении частоты генератора за счет изменения VR1. Максимальное напряжение должно быть равным без сдвига частоты. Этот метод может дать ОЧЕНЬ широкий частотный сдвиг, хотя искажение присутствует из-за асимметричной формы волны. Следовательно, для схемы действительно требуется некоторая форма постфильтрации, но, поскольку должен быть также буфер, добавление фильтра нижних частот должно быть легко реализовано.

Шунтирующие диоды

До сих пор я рассмотрел последовательные диоды и то, как их можно включать и выключать при прохождении тока. Если вы вернетесь к эксперименту №1, но на этот раз включите генератор на 1 МГц, вы увидите, что схема не полностью отключает сигнал при перестановке батареи. Это связано с тем, что через диод проходит некоторый сигнал «перепрыгивания». Это связано с магнитной и емкостной связью. Рассмотрим этот эксперимент .:

Модифицированный эксперимент с шунтирующим диодом D2.

Здесь мы видим ту же схему, что и раньше, но в сигнальную цепь были добавлены еще один резистор и диод. Опять же, конденсаторы «вставляются», когда это необходимо, чтобы блокировать коммутационные напряжения постоянного тока.

Когда батарея подключена, как показано, положительный полюс батареи подается через резистор на анод D1, заставляя его проводить. Другой резистор подает положительный вывод на катод D2, предотвращая проводимость D2. Но когда аккумулятор перевернут, D1 перестанет проводить, нарушая путь прохождения сигнала.D2 также будет проводить, замыкая любой сигнал «прыжка» на землю. Таким образом, комбинация последовательных и шунтирующих диодов может улучшить изоляцию. Такая изоляция необходима при работе с передатчиками УКВ и чувствительными приемниками.

RF Коммутация

При переключении антенны между передатчиком и приемником 1N914 или 1N4148 все еще можно использовать, но с уменьшением успеха по мере увеличения частоты. Обычной практикой в ​​преобразователях УКВ является использование диода с PN переходом, но со слегка легированной «собственной» областью между слоями P и N.Диод называется PIN-диодом.

Когда PIN-диод пропускает ток, он имеет низкое сопротивление, как и обычный PN-диод. Но когда ток удаляется, возникает задержка, когда носители заряда не рекомбинируют немедленно, что приводит к задержке. Эта задержка приводит к фазовому сдвигу и может дать PIN-диоду много других применений, например, в качестве заглушки детектора скорости полицейского РАДАРА. Но свойства «более совершенного диода» и задержка выключения — это те, на которые полагаются, чтобы защитить ваш хороший 0.Приемник с чувствительностью 1 мкВ от сотрясения 100 В.

Вот основная схема переключения диода T / R:

Когда переключатель S1 разомкнут, оба D1 и D2 вообще не смещены, поэтому сигнал антенны проходит через 1/4 волновую линию к приемнику. Когда S1 замкнут, ток проходит через RFC1, D1 и RFC2, поэтому D1 эффективно передает RF от передатчика к антенне.

Ток также будет проходить через RFC3 и диод D2, поэтому D2 будет шунтировать любые RF на входе приемника на землю.Полное короткое замыкание на входе приемника отражается на передатчик в виде высокого импеданса четвертьволновой линией. Таким образом, диод D2 не будет шунтировать цепь передатчика / антенны.

Этот метод может быть построен до довольно сложной схемы, требующей большого количества диодов и способной обрабатывать 100, если не 1000 ватт, и на частотах в диапазоне ГГц.

Я надеюсь, что вы узнали что-то полезное из этой информации. С наилучшими пожеланиями от Гарри — SM0VPO

Вернуться на страницу ИНДЕКС

Коммутационные диоды

Диод 1SV307, переключатель диапазона тюнера УКВ, Toshiba, диод 1SV212, переменная емкость, SMD, Toshiba, JDP2S08SC ДИОД КРЕМНИЙ, ПИН-диод, SC2, 1-1R1A, 2 PIN, ПИН-диод, Toshiba, SDPICODI-DIODI, 1 1L1A, 2 контакта, диод PIN, Toshiba, JDP2S02ACT DIODE SILICON, PIN DIODE, CST2, 1-1P1A, 2 PIN, диод PIN, Toshiba, диод 1SV308, переключатель диапазона тюнера VHF, Toshiba, переключатель диапазона тюнера 1SS381, диапазон диапазона тюнера VHF

1. 2 доллара.50

   Добавить в корзину

   Диодный переключатель диапазона VHF-тюнера
   Новый Старый запас * Больше не продается
   MFR: Toshiba
   SKU: 1SS314

2. $ 0.60

   Добавить в корзину

   Диодный переключатель диапазона VHF-тюнера
   Новый Старый запас * Больше не продается
   MFR: Toshiba
   SKU: 1SS381

3. $ 0.60

   Добавить в корзину

   Диодный переключатель диапазона VHF-тюнера
   Новый Старый запас * Больше не продается
   MFR: Toshiba
   SKU: 1SV308

4. $ 0.60

   Добавить в корзину

   Diode Silicon Pin Diode CST2 1-1P1A
   New Old Stock * Больше не продается
   MFR: Toshiba
   SKU: JDP2S2ACT

5. $ 0.60

   Добавить в корзину

   Diode Silicon Pin Diode 1-1L1A 2 Pin
   New Old Sock * Больше не продается
   MFR: Toshiba
   SKU: JDP2S02AFS

6. $ 0.45

   Добавить в корзину

   Diode Silicon Pin Diode SC2 1-1R1A
   New Old Stock * Больше не продается
   MFR: Toshiba
   SKU: JDP2S08SC

7. $ 0.75

   Добавить в корзину

   Диод переменной емкости, SMD
   Новый Старый запас * Больше не доступен для экспорта
   MFR: Toshiba
   SKU: 1SV212

8. $ 0.60

   Добавить в корзину

   Диодный переключатель диапазона VHF-тюнера
   Новый Старый запас * Больше не продается
   MFR: Toshiba
   SKU: 1SV307

9. 12 долларов.91

   Добавить в корзину

   Предназначен для работы в качестве переключающего диода общего назначения.
   Новый старый инвентарь * Новый в коробке * Больше не доступен для экспорта.
   MFR: General Electric
   Артикул: 1N91

   Сделано в США
   

RadioShack 1N4148 Кремниевые переключающие диоды (комплект из 10)

RadioShack.com Политика возврата в Интернете

Из-за COVID-19 обработка возврата может занять больше времени, чем обычно. Пожалуйста, подождите от 14 до 21 дня, прежде чем связываться со службой поддержки клиентов относительно статуса вашего возврата. Спасибо за терпеливость.

На RadioShack.com мы хотим, чтобы вы были полностью удовлетворены каждым приобретенным товаром. Если вы не удовлетворены своей покупкой на RadioShack.com, вы можете вернуть большинство товаров в течение 30 дней с полным возмещением покупной цены за вычетом доставки, обработки или других дополнительных расходов.См. Раздел «Исключения» для продуктов, на которые не распространяется наша политика возврата.

ВАЖНО: За некоторыми исключениями, возврат осуществляется в форме кредита интернет-магазина, который можно погасить на RadioShack.com. RadioShack не возмещает стоимость доставки. За некоторыми исключениями, мы не предоставляем предоплаченные этикетки для возврата; Вы несете ответственность за покрытие любых транспортных расходов при возврате вашего товара (ов).

Пожалуйста, не забудьте отправить ваш товар (-ы) обратно в полном соответствии с нашей Политикой возврата через Интернет:

• Товар (-ы) необходимо отправить обратно в течение 30 дней с даты доставки.
• Товар (-ы) должны быть неиспользованными и в новом состоянии.
• Все товары должны быть возвращены в оригинальной упаковке со всеми прилагаемыми аксессуарами и документами.
• При возврате, отправленном обратно на наш склад без разрешения на возврат, созданного в нашем Центре возврата или связавшись с нашей службой поддержки клиентов, будет взиматься плата за ручную обработку в размере 10 долларов США.

Исключения: RadioShack.com не принимает возврат некоторых товаров. Товары, которые не подлежат возврату, указаны в Интернете.Невозвратные товары включают:

• Продукты, которые были перепроданы или изменены (или помечены) для перепродажи, не принимаются.
• Открытый софт или комплекты.
• Электронные носители, не имеющие дефектов (например, флэш-накопители USB и карты памяти).
• Средства личной гигиены (например, маски для лица, защитные маски).
• Товары, перечисленные как окончательная продажа или невозвратные.
• Продукты, приобретенные не на RadioShack.com.

Возврат внутри страны (США)

Для возврата или обмена товара:

• Начните с посещения нашего центра возврата по адресу radioshack.com / returns и введите адрес электронной почты, который вы использовали при размещении заказа.
• Ваш запрос на возврат ваших товаров должен быть отправлен в течение 30 дней с даты доставки или иным образом в рамках нашей Политики возврата.
• За некоторыми исключениями, мы не предоставляем предоплаченные этикетки для возврата; Вы несете ответственность за оплату обратной доставки. Стоимость обратной доставки будет вычтена из суммы возврата.
• Вы получите электронное письмо с инструкциями по возврату. Выберите «Начать возврат» и выберите товары, которые хотите вернуть.Следуйте инструкциям, чтобы распечатать этикетку обратной доставки.
• Пожалуйста, используйте выданную транспортную этикетку, чтобы обеспечить надлежащую обработку вашего возврата. Сохраните номер отслеживания возврата из возвращаемой посылки, чтобы гарантировать, что посылка будет возвращена на наш склад.
• Вы можете вернуть посылку в любое почтовое отделение США. Как только ваш возврат будет получен и обработан на нашем складе, вам будет отправлено электронное письмо с подтверждением.

Международный возврат

Если вы решите вернуть свой товар (-ы), RadioShack не предоставляет этикетки с предоплаченным возвратом, и вы несете ответственность за покрытие транспортных расходов.Кроме того, клиенты за пределами США не смогут использовать наш онлайн-центр возврата. Вместо этого следуйте приведенным ниже инструкциям, чтобы вернуть товар в соответствии с нашей Политикой возврата через Интернет.

Чтобы вернуть товар (-ы) по почте, свяжитесь с нашей службой поддержки клиентов по адресу [email protected] или позвоните нам по телефону 1-800-THE-SHACK (1-800-843-7422). Мы предоставим вам этикетку для возврата, которую вы можете передать любому из местных перевозчиков. Отправляйте возвращаемые товары в наш отдел возврата по адресу, указанному ниже:

.

RadioShack Returns
900 Terminal Road # 244
Fort Worth, TX 76106

Поврежденные или дефектные товары

Если вы получили поврежденный или бракованный товар от RadioShack.com, немедленно свяжитесь с представителем службы поддержки клиентов.

● Сообщите представителю номер вашего заказа, номер позиции и номер отслеживания из исходного электронного письма с подтверждением. Представителю также понадобятся ваш адрес электронной почты и номер телефона.

● RadioShack.com сделает все возможное, чтобы помочь вам с возвращением.

● Неисправный элемент может быть заменен в течение 30 дней с даты покупки в соответствии с нашей Гарантийной политикой или в течение гарантийного срока производителя, в зависимости от того, какой срок больше.Обратитесь за помощью к представителю службы поддержки клиентов.

● По возможности, предоставьте фотографии повреждения или дефекта, чтобы ускорить оказание помощи.

● Поврежденные или дефектные товары будут заменены, если они доступны, или будет предоставлен кредит магазина RadioShack.com.

Пропавший в пути товар (ы)

Если ваш номер отслеживания показывает, что заказ был доставлен, но вы так и не получили его от RadioShack.com, немедленно свяжитесь с представителем службы поддержки клиентов.

● Свяжитесь с перевозчиком и подайте претензию в отношении утерянных при транспортировке предметов.Сообщите представителю номер вашего заказа, номер позиции, номер для отслеживания из исходного электронного письма с подтверждением и номер претензии. Представителю также понадобятся ваш адрес электронной почты и номер телефона. ● RadioShack.com приложит все разумные усилия, чтобы помочь вам с заменой, если таковая имеется, или будет предоставлен кредит магазина.

Отмена заказа

Поскольку ваш заказ обрабатывается максимально быстро, в обычное рабочее время существует 15-минутное окно для отмены заказа.Если вы разместили заказ по ошибке, немедленно позвоните в службу поддержки по телефону 1-800-843-7422. Если запрос на отмену поступит более чем через 15 минут после размещения заказа или в нерабочее время, заказ будет доставлен и должен быть обработан как возврат после доставки.

Гарантии на продукцию

Щелкните здесь , чтобы ознакомиться с положениями и условиями для всех штатов.

Многие товары, которые продаются на RadioShack.com, поставляются с гарантией производителя.Применимую информацию о гарантии обычно можно найти внутри коробки или упаковки. За дополнительной информацией о гарантии производителя на конкретный продукт обращайтесь непосредственно к производителю.

На наши продукты под собственной торговой маркой RadioShack предоставляется 90-дневная или 1-летняя гарантия, в зависимости от продукта. Вы можете прочитать условия этих ограниченных гарантий ниже.

Условия гарантии

За исключением Калифорнии, RadioShack не дает никаких дополнительных гарантий, явных или подразумеваемых, в отношении любого продукта, произведенного какой-либо стороной, кроме RadioShack.

ЗА ИСКЛЮЧЕНИЕМ ЗАКОНОДАТЕЛЬСТВ, ПОДРАЗУМЕВАЕМЫЕ ГАРАНТИИ КОММЕРЧЕСКОЙ ЦЕННОСТИ И ПРИГОДНОСТИ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕННОЙ ЦЕЛИ ОСОБЕННО ОТКАЗЫВАЮТСЯ: (1) ДЛЯ ВСЕХ ПРОДАЖ «КАК ЕСТЬ»; И (2) ПОСЛЕ ПРОИЗВОДСТВА: [A] истечения срока действия ЛЮБЫХ ПРИМЕНИМЫХ ЯВНЫХ ГАРАНТИЙ, ИЛИ [B] 90 ДНЕЙ С ДАТЫ ПОКУПКИ.

RadioShack не несет ответственности за любые убытки или ущерб (включая косвенные, особые, случайные или косвенные убытки), прямо или косвенно вызванные продуктами, перечисленными в этой квитанции.В некоторых штатах не допускаются ограничения подразумеваемых гарантий (например, гарантии товарной пригодности или пригодности для определенной цели) или исключение случайных или косвенных убытков, поэтому вышеуказанные ограничения или исключения могут не относиться к вам. Кроме того, у вас могут быть другие права, которые варьируются от штата к штату.

Продукты, которые подверглись неправильному использованию (включая статический разряд), небрежному обращению, аварии или модификации, или которые были спаяны или изменены во время сборки и не могут быть протестированы, исключаются из любой гарантии RadioShack.com.

Продукты, которые мы продаем, не авторизованы для использования в качестве критических компонентов в устройствах, имплантируемых человеку, а также в устройствах или системах жизнеобеспечения. Критическим компонентом является любой компонент имплантируемого человеку устройства, устройства или системы жизнеобеспечения, отказ от работы которых, как можно разумно ожидать, вызовет отказ имплантата, устройства или системы жизнеобеспечения или повлияет на их безопасность или эффективность.

На многие другие продукты, предлагаемые на этом веб-сайте, распространяется гарантия производителя.Копия конкретной гарантии, если она предлагается гарантом, будет доступна для проверки перед продажей по специальному запросу по нашему каталожному номеру.

Мы поставляем множество продуктов, которые соответствуют военным спецификациям производителя. Мы не отслеживаем эти продукты; поэтому мы поставляем их только как коммерческие детали.

Информация для международных клиентов или клиентов, путешествующих за границу: продуктов, приобретенных на RadioShack.com или через наши розничные точки в США не подлежат возврату для гарантийного обслуживания ни в одном из наших международных представительств.

90-дневная ограниченная гарантия

RadioShack Online OpCo LLC (далее «RadioShack») гарантирует отсутствие в этом продукте дефектов материалов и изготовления при нормальном использовании первоначальным покупателем в течение девяноста (90) дней с даты покупки в магазине RadioShack.com, принадлежащем RadioShack. , или авторизованный франчайзи или дилер RadioShack.RADIOSHACK НЕ ДАЕТ НИКАКИХ ДРУГИХ ЯВНЫХ ГАРАНТИЙ.

Данная гарантия не распространяется на: (a) повреждения или неисправности, вызванные или связанные с неправильным обращением, неправильным использованием, несоблюдением инструкций, неправильной установкой или обслуживанием, переделками, авариями, стихийными бедствиями (такими как наводнения или молнии) или превышением напряжения или текущий; (б) ненадлежащим или неправильно выполненным ремонтом лицами, не авторизованными сервисным центром RadioShack; (c) расходные материалы, такие как предохранители или батареи; (d) обычный износ или косметическое повреждение; (e) расходы на транспортировку, доставку или страхование; (f) затраты на снятие, установку, настройку, настройку или переустановку продукта; и (g) претензии лиц, не являющихся первоначальным покупателем.

В случае возникновения проблемы, на которую распространяется данная гарантия, доставьте продукт и товарный чек RadioShack в качестве доказательства даты покупки в место первоначальной покупки или посетите сайт www.radioshack.com/warranty. RadioShack по своему усмотрению, если иное не предусмотрено законом (а) заменит продукт таким же или сопоставимым продуктом, или (б) вернет покупную цену. Все замененные продукты и продукты, за которые производится возврат, становятся собственностью RadioShack.

RADIOSHACK ЯВНО ОТКАЗЫВАЕТСЯ ОТ ВСЕХ ГАРАНТИЙ И УСЛОВИЙ, НЕ УКАЗАННЫХ В ДАННОЙ ОГРАНИЧЕННОЙ ГАРАНТИИ.ЛЮБЫЕ ПОДРАЗУМЕВАЕМЫЕ ГАРАНТИИ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ НАЛОЖЕННЫМ ЗАКОНОДАТЕЛЬСТВОМ, ВКЛЮЧАЯ ПОДРАЗУМЕВАЕМУЮ ГАРАНТИЮ КОММЕРЧЕСКОЙ ЦЕННОСТИ И, ЕСЛИ ПРИМЕНИМО, ПОДРАЗУМЕВАЕМУЮ ГАРАНТИЮ ПРИГОДНОСТИ ДЛЯ КОНКРЕТНОЙ ЦЕЛИ, ДЕЙСТВУЮТ ПО ДЕЙСТВУЮЩЕЙ ГАРАНТИИ.

, ЗА ИСКЛЮЧЕНИЕМ ВЫШЕ ОПИСАННОГО, RADIOSHACK НЕ НЕСЕТ НИКАКОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТИ ПЕРЕД ПОКУПАТЕЛЕМ ПРОДУКТА ИЛИ ЛЮБЫМ ЛИЦАМ ИЛИ ЛИЦОМ В ОТНОШЕНИИ ЛЮБОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТИ, ПОТЕРЯ ИЛИ УЩЕРБ, ВЫЗВАННЫЙ НАПРЯМУЮ ИЛИ НЕПОСРЕДСТВЕННЫМ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРОДУКЦИИ. НАРУШЕНИЕ ДАННОЙ ГАРАНТИИ, ВКЛЮЧАЯ, НО НЕ ОГРАНИЧИВАЯСЬ, ЛЮБЫЕ УБЫТКИ, ВЫЗВАННЫЕ НЕУДОБСТВАМИ И ЛЮБЫМИ ТЕРЯМИ ВРЕМЕНИ, ДАННЫХ, ИМУЩЕСТВА, ДОХОДА ИЛИ ПРИБЫЛИ И ЛЮБЫХ КОСВЕННЫХ, СПЕЦИАЛЬНЫХ, СЛУЧАЙНЫХ ИЛИ КОСВЕННЫХ УБЫТКОВ, ДАЖЕ ЕСЛИ ВОЗМОЖНОСТЬ ТАКИХ УБЫТКОВ.

В некоторых штатах не допускается ограничение срока действия подразумеваемой гарантии, а также исключение или ограничение случайных или косвенных убытков, поэтому указанные выше ограничения или исключения могут к вам не относиться. Эта гарантия дает вам определенные юридические права, и вы также можете иметь другие права, которые варьируются от штата к штату.

Вы можете связаться с RadioShack по телефону:

Служба поддержки клиентов RadioShack

www.radioshack.com
1-800-THE-SHACK
shop @ radioshack.com

Обновлено 06.10.

Ограниченная гарантия на 1 год

RadioShack Online OpCo LLC (далее «RadioShack») гарантирует отсутствие в этом продукте дефектов материалов и изготовления при нормальном использовании первоначальным покупателем на один (1) год после с даты покупки в магазине RadioShack.com, принадлежащем RadioShack. , или авторизованный франчайзи или дилер RadioShack. RADIOSHACK НЕ ДАЕТ НИКАКИХ ДРУГИХ ЯВНЫХ ГАРАНТИЙ.

Данная гарантия не распространяется на: (a) повреждения или неисправности, вызванные или связанные с неправильным обращением, неправильным использованием, несоблюдением инструкций, неправильной установкой или обслуживанием, переделками, авариями, стихийными бедствиями (такими как наводнения или молнии) или превышением напряжения или текущий; (б) ненадлежащим или неправильно выполненным ремонтом лицами, не авторизованными сервисным центром RadioShack; (c) расходные материалы, такие как предохранители или батареи; (d) обычный износ или косметическое повреждение; (e) расходы на транспортировку, доставку или страхование; (f) затраты на снятие, установку, настройку, настройку или переустановку продукта; и (g) претензии лиц, не являющихся первоначальным покупателем.

В случае возникновения проблемы, на которую распространяется данная гарантия, доставьте продукт и товарный чек RadioShack в качестве доказательства даты покупки в место первоначальной покупки или посетите сайт www.radioshack.com/warranty. RadioShack по своему усмотрению, если иное не предусмотрено законом (а) заменит продукт таким же или сопоставимым продуктом, или (б) вернет покупную цену. Все замененные продукты и продукты, за которые производится возврат, становятся собственностью RadioShack.

RADIOSHACK ЯВНО ОТКАЗЫВАЕТСЯ ОТ ВСЕХ ГАРАНТИЙ И УСЛОВИЙ, НЕ УКАЗАННЫХ В ДАННОЙ ОГРАНИЧЕННОЙ ГАРАНТИИ.ЛЮБЫЕ ПОДРАЗУМЕВАЕМЫЕ ГАРАНТИИ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ НАЛОЖЕННЫМ ЗАКОНОДАТЕЛЬСТВОМ, ВКЛЮЧАЯ ПОДРАЗУМЕВАЕМУЮ ГАРАНТИЮ КОММЕРЧЕСКОЙ ЦЕННОСТИ И, ЕСЛИ ПРИМЕНИМО, ПОДРАЗУМЕВАЕМУЮ ГАРАНТИЮ ПРИГОДНОСТИ ДЛЯ КОНКРЕТНОЙ ЦЕЛИ, ДЕЙСТВУЮТ ПО ДЕЙСТВУЮЩЕЙ ГАРАНТИИ.

, ЗА ИСКЛЮЧЕНИЕМ ВЫШЕ ОПИСАННОГО, RADIOSHACK НЕ НЕСЕТ НИКАКОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТИ ПЕРЕД ПОКУПАТЕЛЕМ ПРОДУКТА ИЛИ ЛЮБЫМ ЛИЦАМ ИЛИ ЛИЦОМ В ОТНОШЕНИИ ЛЮБОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТИ, ПОТЕРЯ ИЛИ УЩЕРБ, ВЫЗВАННЫЙ НАПРЯМУЮ ИЛИ НЕПОСРЕДСТВЕННЫМ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРОДУКЦИИ. НАРУШЕНИЕ ДАННОЙ ГАРАНТИИ, ВКЛЮЧАЯ, НО НЕ ОГРАНИЧИВАЯСЬ, ЛЮБЫЕ УБЫТКИ, ВЫЗВАННЫЕ НЕУДОБСТВАМИ И ЛЮБЫМИ ТЕРЯМИ ВРЕМЕНИ, ДАННЫХ, ИМУЩЕСТВА, ДОХОДА ИЛИ ПРИБЫЛИ И ЛЮБЫХ КОСВЕННЫХ, СПЕЦИАЛЬНЫХ, СЛУЧАЙНЫХ ИЛИ КОСВЕННЫХ УБЫТКОВ, ДАЖЕ ЕСЛИ ВОЗМОЖНОСТЬ ТАКИХ УБЫТКОВ.

В некоторых штатах не допускается ограничение срока действия подразумеваемой гарантии, а также исключение или ограничение случайных или косвенных убытков, поэтому указанные выше ограничения или исключения могут к вам не относиться. Эта гарантия дает вам определенные юридические права, и вы также можете иметь другие права, которые варьируются от штата к штату.

Вы можете связаться с RadioShack по телефону:

Служба поддержки клиентов RadioShack

www.radioshack.com
1-800-THE-SHACK
shop @ radioshack.com

Обновлено 06.10.

ВЧ-переключатели

, Часть 1: Механические переключатели и переключатели на PIN-диодах

Существует повсеместная и возрастающая потребность в переключении ВЧ-сигналов в диапазоне десятков ГГц; Доступны четыре основных технологии переключения — электромеханический, PIN-диодный, аналоговый и MEMS — каждая с различными функциями и возможностями.

Необходимость переключения радиочастотных сигналов была необходимой конструктивной функцией с первых дней существования «беспроводной связи». Это переключение может происходить внутри схемы для маршрутизации сигналов, для отправки (и приема) сигнала на (и от) одной антенны из многих или для тестовой матрицы.Сейчас также возрастает потребность в переключении радиочастот для новых приложений массового потребления, таких как MIMO и формирование луча для 5G, в дополнение к более старым применениям, например, в радарах с фазированной антенной решеткой.

В этом разделе часто задаваемых вопросов будут рассмотрены четыре основные технологии, используемые для коммутации RF, их ключевые атрибуты и их основные характеристики. К ним относятся электромеханический переключатель, PIN-диод, аналоговый радиочастотный переключатель и переключатель на основе MEMS.

Q: Каковы параметры производительности высшего уровня для РЧ-коммутаторов?

A: Помимо обычных опасений по поводу энергопотребления (если таковые имеются), размера, долговременной надежности и веса, дизайнеры обеспокоены следующим:

–Полоса пропускания, которая может достигать от низких МГц или даже постоянного тока до ГГц и десятков ГГц, наряду с равномерностью характеристик спектра по всей полосе пропускания;

–VSWR (коэффициент стоячей волны по напряжению): в идеале равен единице, но меньше 2.0 обычно приемлемо;

–Вносимые потери: сколько энергии радиочастотного сигнала теряется при переходе через переключатель, в дБ;

–Изоляция: на сколько дБ разделяются входной и входной сигналы переключателя при выключенном переключателе;

— Обработка мощности: сколько мощности может выдержать коммутатор, что является проблемой для коммутаторов на стороне передачи, но не для трактов сигнала на стороне приема;

–Конфигурация: некоторые переключатели являются базовыми переключателями включения / выключения (SPST), другие — SPDT, в то время как другие имеют несколько полюсов и могут переключаться между многими трактами сигнала;

В: Что такое электромеханические переключатели?

A: Как видно из названия, в этой старейшей технологии переключателей используется прямой контакт металл-металл, и она является самой простой по концепции.Возможно, несколько удивительно, что, несмотря на их размер и тонкости трактов ВЧ-сигналов, которые варьируются от меньших, чем колода карт, до больших коробок, в зависимости от уровней мощности, они могут обеспечивать отличные ВЧ характеристики на частотах до десятков ГГц. Эти переключатели имеют встроенные коаксиальные разъемы для облегчения подключения сигналов.

В: Электромеханические переключатели устарели?

A: Несмотря на свой возраст и электромеханический характер, они вовсе не устарели и по-прежнему являются наиболее жизнеспособным вариантом для переключения мощных радиочастотных сигналов.Доступны переключатели, которые управляются вручную или с положением, устанавливаемым с помощью реле или двигателя, и управляются через базовые логические уровни или даже через интерфейс USB. В качестве всего лишь одного примера из доступных тысяч, электромеханические переключатели SPDT серии K2 от Microwave Communications Laboratories, Inc, работают от постоянного тока 26 ГГц, поставляются с разъемами SMA и управляются сигналом 28 В постоянного тока, Рисунок 1 , с характеристиками РЧ как функцией частоты, Рисунок 2 . Характеристики изоляции и вносимых потерь впечатляют.

Рис. 1. Этот типичный электромеханический РЧ-переключатель может выдерживать до 200 Вт (непрерывно) на частоте 1 ГГц; его реле срабатывания требует источника 28 В постоянного тока / 100 мА. Источник изображения: Microwave Communications Laboratories Inc.) Рис. 2: Рабочие характеристики SPDT RF-переключателей серии K2 являются функцией частоты, как показано в этом кратком обзоре. (Изображение: Microwave Communications Laboratories Inc)

В: Эти переключатели трудно найти?

A: Существуют десятки поставщиков этих коммутаторов, и доступны варианты для обработки только одного замыкания SPST или SPDT до версий с несколькими контактами, необходимых для матричной маршрутизации, и с уровнями мощности от нескольких ватт до кВт.Они обеспечивают отличные ВЧ характеристики с вносимыми потерями в доли дБ и развязкой> 40 дБ по всей рабочей полосе частот. Хорошо спроектированный переключатель может работать в соответствии со спецификациями от пяти до десяти миллионов циклов; количество циклов в некоторой степени зависит от того, используется ли он в качестве горячего выключателя (включение / выключение при наличии сигнала) или холодного выключателя (отсутствие сигнала во время цикла переключения).

Q: Что такое РЧ-переключатель на PIN-диоде?

A: PIN-диод — это специальный диод, который можно настроить как РЧ-переключатель.Он имеет широкую нелегированную внутреннюю полупроводниковую область («I»), зажатую между полупроводником p-типа («P») и полупроводниковой областью n-типа («N»), отсюда и обозначение PIN. Это не похоже на стандартный диод, у которого нет собственной области. (Обратите внимание, что PIN-диоды также используются в качестве светочувствительных фотодиодов, но это, конечно, другое применение).

Q: Какова передаточная функция PIN-диода, чтобы его можно было использовать для переключения РЧ?

A: PIN-диод работает как обычный диодный выпрямитель на низких частотах.Однако на сверхвысоких частотах его ВАХ изменяется, и он работает как резистор с регулируемым током, причем значение сопротивления задается уровнем постоянного тока. Таким образом, PIN-диод представляет собой высокочастотный резистор, управляемый постоянным током, и при отсутствии постоянного тока диод похож на разомкнутую цепь.

В: Каков частотный диапазон PIN-диода в качестве РЧ-переключателя?

A: Это в первую очередь зависит от толщины I-области, более толстые диоды могут работать на частотах до 1 МГц, а более тонкие — в много-ГГц диапазоне.Обратите внимание, что в отличие от электромеханического радиочастотного переключателя, PIN-диод не может работать вплоть до постоянного тока.

Q: Каково соотношение управляющего тока и мощности для PIN-диода? А как насчет скорости переключения? Изоляция? Вносимая потеря?

A: Отношение довольно высокое: всего несколько миллиампер постоянного тока могут позволить PIN-диоду «замкнуть» ампер или более ВЧ-тока, что является значительной мощностью во многих ВЧ-приложениях. Скорость переключения находится в диапазоне от одной микросекунды и выше, а изоляция находится в диапазоне от 40 до 60 дБ.Вносимые потери низкие, поскольку прямое радиочастотное сопротивление составляет около 1 Ом.

Q: Какие проблемы возникают при проектировании с использованием PIN-диода?

A: Основная проблема заключается в том, что это устройство с двумя выводами, поэтому управляющий сигнал (смещение постоянного тока) и радиочастотный сигнал используют одни и те же выводы. Это означает, что они должны быть объединены, прежде чем они попадут на диод, а затем разделены. Для этого требуется топология схемы, в которой используются катушки индуктивности и конденсаторы для разделения сигналов, и их значения довольно сложно определить, поскольку они зависят от частоты, полосы пропускания, характеристик диодов, паразитных характеристик схемы и т. Д. Рисунок 3 .По этой причине многие поставщики предлагают РЧ-переключатели с PIN-диодами в виде полных модулей со всеми уже включенными вспомогательными схемами, чтобы значительно упростить задачу.

Рис. 3. PIN-диод является эффективным радиочастотным переключателем, но как устройство с двумя выводами он требует тщательно спроектированной периферийной схемы для объединения и последующего разделения управляющего напряжения смещения постоянного тока и управляемого радиочастотного сигнала. (Изображение: Infineon)

Во второй части этого FAQ будут рассмотрены новые устройства для РЧ-коммутации: аналоговый переключатель и переключатель на основе MEMS.

Ссылки — EE World

Ссылки — Общие

• Википедия, «РЧ-переключатели»
• Microwave Communications Laboratories Inc, «Электромеханические переключатели»
• Skyworks Solutions, Inc, «Основы работы с PIN-диодами»
• Microsemi Corp, Micronote 701, «Основные принципы работы с PIN-диодами»
• Keysight Technologies, «Электромеханические переключатели ВЧ и СВЧ»
• pSemi Corp / Murata, PE42412 Лист данных
• Analog Devices, ADRF5046, техническое описание
• Analog Devices, ADGM1304, техническое описание
• Analog Devices, «Технология коммутации МЭМС: прорыв новых основ»
• Analog Devices, «Основы революционной технологии MEMS-переключателей Analog Devices»
• Analog Devices, «Analog Devices превращает технологию коммутации МЭМС в коммерческую реальность»
• Infineon, «PIN-диоды в приложениях радиочастотного переключателя»

.