3. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов
В технической документации и специальной литературе применяются условные графические обозначения полупроводниковых приборов в соответствии с ГОСТ 2.730–73 «Обозначения условные, графические в схемах. Приборы полупроводниковые». В табл. П.8 приведены графические обозначения основных полупроводниковых приборов.
Таблица П.8 -Графические обозначения полупроводниковых приборов
Наименование прибора | Обозначение |
Диод выпрямительный | |
Диод Шоттки | |
Стабилитрон | |
Стабилитрон двуханодный | |
Диод туннельный | |
Обращенный диод | |
Варикап |
Наименование прибора | Обозначение |
Биполярный транзистор p—n—p-типа | |
Биполярный транзистор n—p—n-типа | |
Полевой транзистор с управляющим переходом с каналом n-типа | |
Полевой транзистор с управляющим переходом с каналом р-типа | |
Полевой транзистор с изолированным затвором с индуцированным каналом n-типа |
Наименование прибора | Обозначение |
Полевой транзистор с изолированным затвором с индуцированным каналом р-типа | |
Полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом n-типа | |
Полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом n-типа | |
Диодный тиристор | |
Диодный симметричный тиристор | |
Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении с управлением по аноду | |
Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении с управлением по катоду |
Наименование прибора | Обозначение |
Триодный симметричный тиристор | |
Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении, выключаемый с управлением по аноду | |
Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении, выключаемый с управлением по катоду | |
Излучающий диод | |
Фоторезистор | |
Фотодиод | |
Фототранзистор p-n-p-типа |
Наименование прибора | Обозначение |
Фототиристор | |
Оптрон диодный | |
Оптрон тиристорный | |
Оптрон резисторный | |
Оптрон транзисторный |
4. Условные буквенные обозначения полупроводниковых приборов в электрических схемах.
Элементы, входящие в состав изделия, на электрической принципиальной схеме должны иметь буквенно-цифровые обозначения.
Типы условных буквенно-цифровых обозначений и правила их построения устанавливает ГОСТ2.710–81.
Позиционное обозначение элемента в общем случае состоит из трех частей, указывающих вид, номер и функцию элемента и записывается без разделительных знаков и пробелов. Вид и номер являются обязательной частью
Буквенные коды некоторых полупроводниковых элементов приведены в табл. П.9.
Таблица П.9 — Буквенные коды полупроводниковых приборов
Первая буква кода (обязательная) | Полупроводниковый прибор | Двухбуквенный код |
B | Фотоэлемент | BL |
D | Схема интегральная аналоговая Схема интегральная цифровая | DA DD |
V | Диод, стабилитрон Транзистор Тиристор | VD VT VS |
ПРИЛОЖЕНИЕ 2
| На главную | База 1 | База 2 | База 3 |
| Поиск по реквизитамПоиск по номеру документаПоиск по названию документаПоиск по тексту документа |
| Искать все виды документовДокументы неопределённого видаISOАвиационные правилаАльбомАпелляционное определениеАТКАТК-РЭАТПЭАТРВИВМРВМУВНВНиРВНКРВНМДВНПВНПБВНТМ/МЧМ СССРВНТПВНТП/МПСВНЭВОМВПНРМВППБВРДВРДСВременное положениеВременное руководствоВременные методические рекомендацииВременные нормативыВременные рекомендацииВременные указанияВременный порядокВрТЕРВрТЕРрВрТЭСНВрТЭСНрВСНВСН АСВСН ВКВСН-АПКВСПВСТПВТУВТУ МММПВТУ НКММПВУП СНЭВУППВУТПВыпускГКИНПГКИНП (ОНТА)ГНГОСТГОСТ CEN/TRГОСТ CISPRГОСТ ENГОСТ EN ISOГОСТ EN/TSГОСТ IECГОСТ IEC/PASГОСТ IEC/TRГОСТ IEC/TSГОСТ ISOГОСТ ISO GuideГОСТ ISO/DISГОСТ ISO/HL7ГОСТ ISO/IECГОСТ ISO/IEC GuideГОСТ ISO/TRГОСТ ISO/TSГОСТ OIML RГОСТ ЕНГОСТ ИСОГОСТ ИСО/МЭКГОСТ ИСО/ТОГОСТ ИСО/ТСГОСТ МЭКГОСТ РГОСТ Р ЕНГОСТ Р ЕН ИСОГОСТ Р ИСОГОСТ Р ИСО/HL7ГОСТ Р ИСО/АСТМГОСТ Р ИСО/МЭКГОСТ Р ИСО/МЭК МФСГОСТ Р ИСО/МЭК ТОГОСТ Р ИСО/ТОГОСТ Р ИСО/ТСГОСТ Р ИСО/ТУГОСТ Р МЭКГОСТ Р МЭК/ТОГОСТ Р МЭК/ТСГОСТ ЭД1ГСНГСНрГСССДГЭСНГЭСНмГЭСНмрГЭСНмтГЭСНпГЭСНПиТЕРГЭСНПиТЕРрГЭСНрГЭСНсДИДиОРДирективное письмоДоговорДополнение к ВСНДополнение к РНиПДСЕКЕНВиРЕНВиР-ПЕНиРЕСДЗемЕТКСЖНМЗаключениеЗаконЗаконопроектЗональный типовой проектИИБТВИДИКИМИНИнструктивное письмоИнструкцияИнструкция НСАМИнформационно-методическое письмоИнформационно-технический сборникИнформационное письмоИнформацияИОТИРИСОИСО/TRИТНИТОсИТПИТСИЭСНИЭСНиЕР Республика КарелияККарта трудового процессаКарта-нарядКаталогКаталог-справочникККТКОКодексКОТКПОКСИКТКТПММ-МВИМВИМВНМВРМГСНМДМДКМДСМеждународные стандартыМетодикаМетодика НСАММетодические рекомендацииМетодические рекомендации к СПМетодические указанияМетодический документМетодическое пособиеМетодическое руководствоМИМИ БГЕИМИ УЯВИМИГКМММНМОДНМонтажные чертежиМос МУМосМРМосСанПинМППБМРМРДСМРОМРРМРТУМСанПиНМСНМСПМТМУМУ ОТ РММУКМЭКННАС ГАНБ ЖТНВННГЭАНДНДПНиТУНКНормыНормы времениНПНПБНПРМНРНРБНСПНТПНТП АПКНТП ЭППНТПДНТПСНТСНЦКРНЦСОДМОДНОЕРЖОЕРЖкрОЕРЖмОЕРЖмрОЕРЖпОЕРЖрОКОМТРМОНОНДОНКОНТПОПВОПКП АЭСОПНРМСОРДОСГиСППиНОСНОСН-АПКОСПОССПЖОССЦЖОСТОСТ 1ОСТ 2ОСТ 34ОСТ 4ОСТ 5ОСТ ВКСОСТ КЗ СНКОСТ НКЗагОСТ НКЛесОСТ НКМОСТ НКММПОСТ НКППОСТ НКПП и НКВТОСТ НКСМОСТ НКТПОСТ5ОСТНОСЭМЖОТРОТТПП ССФЖТПБПБПРВПБЭ НППБЯПВ НППВКМПВСРПГВУПереченьПиН АЭПисьмоПМГПНАЭПНД ФПНД Ф СБПНД Ф ТПНСТПОПоложениеПорядокПособиеПособие в развитие СНиППособие к ВНТППособие к ВСНПособие к МГСНПособие к МРПособие к РДПособие к РТМПособие к СНПособие к СНиППособие к СППособие к СТОПособие по применению СППостановлениеПОТ РПОЭСНрППБППБ-АСППБ-СППБВППБОППРПРПР РСКПР СМНПравилаПрактическое пособие к СППРБ АСПрейскурантПриказПротоколПСРр Калининградской областиПТБПТЭПУГПУЭПЦСНПЭУРР ГазпромР НОПРИЗР НОСТРОЙР НОСТРОЙ/НОПР РСКР СМНР-НП СРО ССКРазъяснениеРаспоряжениеРАФРБРГРДРД БГЕИРД БТРД ГМРД НИИКраностроенияРД РОСЭКРД РСКРД РТМРД СМАРД СМНРД ЭОРД-АПКРДИРДМРДМУРДПРДСРДТПРегламентРекомендацииРекомендацияРешениеРешение коллегииРКРМРМГРМДРМКРНДРНиПРПРРТОП ТЭРС ГАРСНРСТ РСФСРРСТ РСФСР ЭД1РТРТМРТПРУРуководствоРУЭСТОП ГАРЭГА РФРЭСНрСАСанитарные нормыСанитарные правилаСанПиНСборникСборник НТД к СНиПСборники ПВРСборники РСН МОСборники РСН ПНРСборники РСН ССРСборники ценСБЦПСДАСДАЭСДОССерияСЗКСНСН-РФСНиПСНиРСНККСНОРСНПСОСоглашениеСПСП АССП АЭССправочникСправочное пособие к ВСНСправочное пособие к СНиПСправочное пособие к СПСправочное пособие к ТЕРСправочное пособие к ТЕРрСРПССНССЦСТ ССФЖТСТ СЭВСТ ЦКБАСТ-НП СРОСТАСТКСТМСТНСТН ЦЭСТОСТО 030 НОСТРОЙСТО АСЧМСТО БДПСТО ВНИИСТСТО ГазпромСТО Газпром РДСТО ГГИСТО ГУ ГГИСТО ДД ХМАОСТО ДОКТОР БЕТОНСТО МАДИСТО МВИСТО МИСТО НААГСТО НАКССТО НКССТО НОПСТО НОСТРОЙСТО НОСТРОЙ/НОПСТО РЖДСТО РосГеоСТО РОСТЕХЭКСПЕРТИЗАСТО САСТО СМКСТО ФЦССТО ЦКТИСТО-ГК «Трансстрой»СТО-НСОПБСТПСТП ВНИИГСТП НИИЭССтП РМПСУПСССУРСУСНСЦНПРТВТЕТелеграммаТелетайпограммаТематическая подборкаТЕРТЕР Алтайский крайТЕР Белгородская областьТЕР Калининградской областиТЕР Карачаево-Черкесская РеспубликаТЕР Краснодарского краяТЕР Мурманская областьТЕР Новосибирской областиТЕР Орловской областиТЕР Республика ДагестанТЕР Республика КарелияТЕР Ростовской областиТЕР Самарской областиТЕР Смоленской обл.ТЕР Ямало-Ненецкий автономный округТЕР Ярославской областиТЕРмТЕРм Алтайский крайТЕРм Белгородская областьТЕРм Воронежской областиТЕРм Калининградской областиТЕРм Карачаево-Черкесская РеспубликаТЕРм Мурманская областьТЕРм Республика ДагестанТЕРм Республика КарелияТЕРм Ямало-Ненецкий автономный округТЕРмрТЕРмр Алтайский крайТЕРмр Белгородская областьТЕРмр Карачаево-Черкесская РеспубликаТЕРмр Краснодарского краяТЕРмр Республика ДагестанТЕРмр Республика КарелияТЕРмр Ямало-Ненецкий автономный округТЕРпТЕРп Алтайский крайТЕРп Белгородская областьТЕРп Калининградской областиТЕРп Карачаево-Черкесская РеспубликаТЕРп Краснодарского краяТЕРп Республика КарелияТЕРп Ямало-Ненецкий автономный округТЕРп Ярославской областиТЕРрТЕРр Алтайский крайТЕРр Белгородская областьТЕРр Калининградской областиТЕРр Карачаево-Черкесская РеспубликаТЕРр Краснодарского краяТЕРр Новосибирской областиТЕРр Омской областиТЕРр Орловской областиТЕРр Республика ДагестанТЕРр Республика КарелияТЕРр Ростовской областиТЕРр Рязанской областиТЕРр Самарской областиТЕРр Смоленской областиТЕРр Удмуртской РеспубликиТЕРр Ульяновской областиТЕРр Ямало-Ненецкий автономный округТЕРррТЕРрр Ямало-Ненецкий автономный округТЕРс Ямало-Ненецкий автономный округТЕРтр Ямало-Ненецкий автономный округТехнический каталогТехнический регламентТехнический регламент Таможенного союзаТехнический циркулярТехнологическая инструкцияТехнологическая картаТехнологические картыТехнологический регламентТИТИ РТИ РОТиповая инструкцияТиповая технологическая инструкцияТиповое положениеТиповой проектТиповые конструкцииТиповые материалы для проектированияТиповые проектные решенияТКТКБЯТМД Санкт-ПетербургТНПБТОИТОИ-РДТПТПРТРТР АВОКТР ЕАЭСТР ТСТРДТСНТСН МУТСН ПМСТСН РКТСН ЭКТСН ЭОТСНэ и ТЕРэТССЦТССЦ Алтайский крайТССЦ Белгородская областьТССЦ Воронежской областиТССЦ Карачаево-Черкесская РеспубликаТССЦ Ямало-Ненецкий автономный округТССЦпгТССЦпг Белгородская областьТСЦТСЦ Белгородская областьТСЦ Краснодарского краяТСЦ Орловской областиТСЦ Республика ДагестанТСЦ Республика КарелияТСЦ Ростовской областиТСЦ Ульяновской областиТСЦмТСЦО Ямало-Ненецкий автономный округТСЦп Калининградской областиТСЦПГ Ямало-Ненецкий автономный округТСЦэ Калининградской областиТСЭМТСЭМ Алтайский крайТСЭМ Белгородская областьТСЭМ Карачаево-Черкесская РеспубликаТСЭМ Ямало-Ненецкий автономный округТТТТКТТПТУТУ-газТУКТЭСНиЕР Воронежской областиТЭСНиЕРм Воронежской областиТЭСНиЕРрТЭСНиТЕРэУУ-СТУказУказаниеУказанияУКНУНУОУРврУРкрУРррУРСНУСНУТП БГЕИФАПФедеральный законФедеральный стандарт оценкиФЕРФЕРмФЕРмрФЕРпФЕРрФормаФорма ИГАСНФРФСНФССЦФССЦпгФСЭМФТС ЖТЦВЦенникЦИРВЦиркулярЦПИШифрЭксплуатационный циркулярЭРД |
| Показать все найденныеПоказать действующиеПоказать частично действующиеПоказать не действующиеПоказать проектыПоказать документы с неизвестным статусом |
| Упорядочить по номеру документаУпорядочить по дате введения |
| ГОСТ 2.721-74 Обозначения общего применения | |||
| Наимено | Обозна | Наимено | Обозна |
| Линия электрической связи, провода, кабели, шины, линия групповой связи. | Коаксиальный кабель | ||
| Заземление, общее обозначение | а) соединенный с корпусом | ||
| Защитное заземление | б) заземленный | ||
| Электрическое соединение с корпусом (массой) | Экранированная линия электрической связи | ||
| Группа линий электрической связи, осуществленная n скрученными проводами, например, шестью скрученными проводами, изображенная: | |||
| а) однолинейно | б) многолинейно | ||
| ГОСТ 2.732-68 Источники света | |||
| Лампа накаливания осветительная и сигнальная. Общее обозначение. | Лампа с импульсной световой сигнализацией | ||
| Лампа газоразрядная осветительная и сигнальная. Общее обозначение | Пускатель для газоразрядных ламп | ||
| ГОСТ 2.755-87 Устройства коммутационные и контактные соединения | |||
| Контакт коммутационного устройства: | |||
| 1) замыкающий | 3) переключающий | ||
| 2) размыкающий | 4) переключающий с нейтральным центральным положением | ||
| Контакт, чувствительный к температуре (термоконтакт): | |||
| 1) замыкающий | 2) размыкающий | ||
| Контакт замыкающий нажимного кнопочного выключателя без самовозврата: | |||
| 1) автомати | 2) посредством вторичного нажатия кнопки | ||
| Выключатели: | |||
| Выключатель ручной | Выключатель термический саморегу | ||
| Переключатель однополюсный многопози | Выключатель электро | ||
| Контакт разъемного соединения: | |||
| — штырь | — гнездо | ||
| ГОСТ 2.742-68 Источники тока электрохимические | |||
| Элемент гальванический или аккумуляторный | Батарея из гальванических элементов или аккумуляторов | ||
| ГОСТ 2.768-90 Источники электрохимические, электротермические и тепловые | |||
| Гальванический элемент (первичный или вторичный) | Батарея, состоящая из гальванических элементов | ||
| Термоэлемент (термопара) | Источник тепла, основной символ | ||
| ГОСТ 2.727-68 Разрядники, предохранители | |||
| Предохранитель плавкий | Разрядник | ||
| ГОСТ 2.756-76 Воспринимающая часть электромеханических устройств | |||
| Катушка электромеха | Восприни | ||
| Катушка электромеханического устройства с указанием вида обмотки: | |||
| Обмотка тока | Обмотка напряжения | ||
| Обмотка максимального тока | Обмотка минимального напряжения | ||
| ГОСТ 2.723-68 Катушки индуктивности, дроссели, трансформаторы, автотрансформаторы и магнитные усилители | |||
| Обмотка трансформатора, автотрансформатора, дросселя и магнитного усилителя. | |||
| Форма I | Форма II | ||
| Магнитопровод: | |||
| Ферромаг | Магнитодиэле | ||
| Катушка индуктивности, подстраиваемая магнитодиэлек | Дроссель с феррома магнито | ||
| Трансформаторы: | |||
| Трансформатор с магнитодиэлек | Трансформатор, подстраиваемый общим магнитодиэлек | ||
| Трансформатор дифферен | Трансформатор однофазный с феррома | ||
| ГОСТ 2.730-73 Приборы полупроводниковые | |||
| Диоды, тиристоры: | |||
| Диод. Общее обозначение | Стабилитрон односторонний | ||
| Стабилитрон двухсторонний | Варикап (диод емкостной) | ||
| Диод светоизлу | Тиристор диодный симметричный | ||
| Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении | Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении | ||
| Тиристор диодный симметричный | Тиристор триодный. Общее обозначение | ||
| Тиристор триодный симметричный (двунапра | Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении | ||
| Светочувствительные элементы: | |||
| Фоторезистор | Фотодиод | ||
| Фототиристор | Фототранзистор PNP | ||
| Фототранзистор NPN | Фотоэлемент | ||
| Оптроны: | |||
| Оптрон диодный | Оптрон тиристорный | ||
| Оптрон резисторный | Оптрон транзисторный | ||
| Однофазная мостовая выпрямительная схема: | |||
| а) развернутое изображение | б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение) | ||
| Транзистор биполярные: | |||
| Транзистор типа PNP | Транзистор типа NPN | ||
| Транзистор типа PNIP с выводом от I-области | Многоэмит | ||
| Транзисторы полевые: | |||
| Транзистор полевой с каналом типа N | Транзистор полевой с каналом типа Р | ||
| Транзисторы полевые с изолированным затвором: | |||
| обогащенного типа с Р-каналом | обогащенного типа с N-каналом | ||
| обедненного типа с Р-каналом | обедненного типа с N-каналом | ||
| ГОСТ 2.728-74 Резисторы, конденсаторы | |||
| Резисторы: | |||
| Резистор постоянный | Резистор переменный | ||
| Резистор переменный в реостатном включении | Резистор подстроечный | ||
| Тензорезистор | Bapистор | ||
| Терморезистор | |||
| Конденсаторы: | |||
| Конденсатор постоянной емкости | Конденсатор электроли | ||
| Конденсатор электрол | Конденсатор переменной емкости | ||
| ГОСТ 2.741-68 Приборы акустические | |||
| Телефон | Микрофон | ||
| Громкого | Сирена электрическая | ||
| Зуммер | Гудок | ||
| Ревун | Трещетка электро | ||
ГОСТ 2.730-73* — ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые.
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ЕДИНАЯ СИСТЕМА КОНСТРУКТОРСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ
ОБОЗНАЧЕНИЯ
УСЛОВНЫЕ
ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ
ГОСТ 2.730-73
ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ
Москва
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
|
Единая система конструкторской документации ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ Unified system for design
documentation. |
ГОСТ |
Дата введения 1974-07-01
1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.
(Измененная редакция, Изм. № 3).
2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл. 1.
Таблица 1
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. (Исключен, Изм. № 2). |
|
2. Электроды: |
|
|
база с одним выводом |
|
|
база с двумя выводами |
|
|
Р-эмиттер с N-областью |
|
|
N-эмиттер с Р-областью |
|
|
несколько Р-эмиттеров с N -областью |
|
|
несколько N -эмиттеров с Р-областью |
|
|
коллектор с базой |
|
|
несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе |
|
|
3. Области: область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью. Переход от Р-области к N-области и наоборот |
|
|
область собственной электропроводности (I-область): l) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP |
|
|
2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN |
|
|
3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP |
|
|
4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN |
|
|
4. Канал проводимости для полевых транзисторов: обогащенного типа |
|
|
обедненного типа |
|
|
5. Переход PN |
|
|
6. Переход NP |
|
|
7. Р-канал на подложке N-типа, обогащенный тип |
|
|
8. N -канал на подложке Р-типа, обедненный тип |
|
|
9. Затвор изолированный |
|
|
10. Исток и сток Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например: |
|
|
11. Выводы полупроводниковых приборов: |
|
|
электрически, не соединенные с корпусом |
|
|
электрически соединенные с корпусом |
|
|
12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку |
(Измененная редакция, Изм. № 2, 3).
3, 4. (Исключены, Изм. № 1).
5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.
Таблица 4
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Эффект туннельный |
|
|
а) прямой |
|
|
б) обращенный |
|
|
2. Эффект лавинного пробоя: а) односторонний |
|
|
б) двухсторонний 3-8. (Исключены, Изм. № 2). |
|
|
9. Эффект Шоттки |
6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.
Таблица 5
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Диод |
|
|
Общее обозначение |
|
|
2. Диод туннельный |
|
|
3. Диод обращенный |
|
|
4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный) |
|
|
а) односторонний |
|
|
б) двухсторонний |
|
|
5. Диод теплоэлектрический |
|
|
6. Варикап (диод емкостный) |
|
|
7. Диод двунаправленный |
|
|
8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами |
|
|
8a. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами |
|
|
9. Диод Шотки |
|
|
10. Диод светоизлучающий |
7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.
Таблица 6
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении |
|
|
2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении |
|
|
3. Тиристор диодный симметричный |
|
|
4. Тиристор триодный. Общее обозначение |
|
|
5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: по аноду |
|
|
по катоду |
|
|
6. Тиристор триодный выключаемый: общее обозначение |
|
|
запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду |
|
|
запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду |
|
|
7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении: |
|
|
общее обозначение |
|
|
с управлением по аноду |
|
|
с управлением по катоду |
|
|
8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) — триак |
|
|
9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении |
Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.
8. Примеры построения обозначений транзисторов с Р-N-переходами приведены в табл. 7.
Таблица 7
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Транзистор а) типа PNP |
|
|
б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана |
|
|
2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом |
|
|
3. Транзистор лавинный типа NPN |
|
|
4. Транзистор однопереходный с N-базой |
|
|
5. Транзистор однопереходный с Р-базой |
|
|
6. Транзистор двухбазовый типа NPN |
|
|
7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области |
|
|
8. Транзистор двухразовый типа PNIN с выводом от I-области |
|
|
9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN |
|
|
Примечание. При выполнении схем допускается: а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например, б) изображать корпус транзистора. |
|
Таблица 8
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Транзистор полевой с каналом типа N |
|
|
2. Транзистор полевой с каналом типа Р |
|
|
3. Транзистор полевой с изолированным затвором баз вывода от подложки: |
|
|
а) обогащенного типа с Р-каналом |
|
|
б) обогащенного типа с N-каналом |
|
|
в) обедненного типа с Р-каналом |
|
|
г) обедненного типа с N-каналом |
|
|
4. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки |
|
|
5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом |
|
|
6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки |
|
|
7. Транзистор полевой с затвором Шоттки |
|
|
8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки |
Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.
10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9.
Таблица 9
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Фоторезистор: а) общее обозначение |
|
|
б) дифференциальный |
|
|
2. Фотодиод |
|
|
З. Фототиристор |
|
|
4. Фототранзистор: |
|
|
а) типа PNP |
|
|
б) типа NPN |
|
|
5. Фотоэлемент |
|
|
6. Фотобатарея |
Таблица 10
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Оптрон диодный |
|
|
2. Оптрон тиристорный |
|
|
3. Оптрон резисторный |
|
|
4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем: |
|
|
а) совмещенно |
|
|
б) разнесенно |
|
|
5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором: а) с выводом от базы |
|
|
б) без вывода от базы |
Примечания:
1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721-74,
например:
2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:
12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл. 11.
Таблица 11
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Датчик Холла |
|
|
Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника |
|
|
2. Резистор магниточувствительный |
|
|
3. Магнитный разветвитель |
13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.
Таблица 12
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Однофазная мостовая выпрямительная схема: |
|
|
а) развернутое изображение |
|
|
б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение) Примечание. К выводам 1-2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3-4 — выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность. Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения. |
|
|
Пример применения условного графического обозначения на схеме |
|
|
2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема |
|
|
3. Диодная матрица (фрагмент) |
|
|
Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов |
14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл. 13.
Таблица 13
|
Наименование |
Обозначение |
Отпечатанное обозначение |
|
1. Диод |
||
|
2. Транзистор типа PNР |
||
|
3. Транзистор типа NPN |
||
|
4. Транзистор типа PNIP с выводом от I-области |
||
|
5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN |
Примечание к пп. 2-5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» — вывод эмиттера.
15. Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.
(Измененная редакция, Изм. № 4).
Приложение 1. (Исключено, Изм. № 4).
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Диод |
|
|
2.. Тиристор диодный |
|
|
3. Тиристор триодный |
|
|
4. Транзистор 5. Транзистор полевой |
|
|
6. Транзистор полевой с изолированным затвором |
(Введено дополнительно, Изм. № 3).
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1 РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР
РАЗРАБОТЧИКИ
В. Р. Верченко, Ю. И. Степанов, Э. Я. Акопян, Ю. П. Широкий, В. П. Пармешин, И. К. Виноградова
2 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 № 2002
3 Соответствует СТ СЭВ 661-88
4 ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицы
5 ПЕРЕИЗДАНИЕ (январь 1995 г.) с Изменениями № 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91)
ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ЕДИНАЯ СИСТЕМА КОНСТРУКТОРСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ
ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ
ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ
ГОСТ 2.730-73
ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ
Москва
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
|
Единая система конструкторской документации ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ Unified system for design documentation. |
ГОСТ |
Дата введения 1974-07-01
1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.
(Измененная редакция, Изм. № 3).
2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл. 1.
Таблица 1
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. (Исключен, Изм. № 2). |
|
|
2. Электроды: |
|
|
база с одним выводом |
|
|
база с двумя выводами |
|
|
Р-эмиттер с N-областью |
|
|
N-эмиттер с Р-областью |
|
|
несколько Р-эмиттеров с N -областью |
|
|
несколько N -эмиттеров с Р-областью |
|
|
коллектор с базой |
|
|
несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе |
|
|
3. Области: область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью. Переход от Р-области к N-области и наоборот |
|
|
область собственной электропроводности (I-область): l) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP |
|
|
2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN |
|
|
3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP |
|
|
4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN |
|
|
4. Канал проводимости для полевых транзисторов: обогащенного типа |
|
|
обедненного типа |
|
|
5. Переход PN |
|
|
6. Переход NP |
|
|
7. Р-канал на подложке N-типа, обогащенный тип |
|
|
8. N -канал на подложке Р-типа, обедненный тип |
|
|
9. Затвор изолированный |
|
|
10. Исток и сток Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например: |
|
|
11. Выводы полупроводниковых приборов: |
|
|
электрически, не соединенные с корпусом |
|
|
электрически соединенные с корпусом |
|
|
12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку |
(Измененная редакция, Изм. № 2, 3).
3, 4. (Исключены, Изм. № 1).
5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.
Таблица 4
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Эффект туннельный |
|
|
а) прямой |
|
|
б) обращенный |
|
|
2. Эффект лавинного пробоя: а) односторонний |
|
|
б) двухсторонний 3-8. (Исключены, Изм. № 2). |
|
|
9. Эффект Шоттки |
6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.
Таблица 5
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Диод |
|
|
Общее обозначение |
|
|
2. Диод туннельный |
|
|
3. Диод обращенный |
|
|
4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный) |
|
|
а) односторонний |
|
|
б) двухсторонний |
|
|
5. Диод теплоэлектрический |
|
|
6. Варикап (диод емкостный) |
|
|
7. Диод двунаправленный |
|
|
8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами |
|
|
8a. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами |
|
|
9. Диод Шотки |
|
|
10. Диод светоизлучающий |
7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.
Таблица 6
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении |
|
|
2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении |
|
|
3. Тиристор диодный симметричный |
|
|
4. Тиристор триодный. Общее обозначение |
|
|
5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: по аноду |
|
|
по катоду |
|
|
6. Тиристор триодный выключаемый: общее обозначение |
|
|
запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду |
|
|
запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду |
|
|
7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении: |
|
|
общее обозначение |
|
|
с управлением по аноду |
|
|
с управлением по катоду |
|
|
8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) — триак |
|
|
9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении |
Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.
8. Примеры построения обозначений транзисторов с Р-N-переходами приведены в табл. 7.
Таблица 7
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Транзистор а) типа PNP |
|
|
б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана |
|
|
2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом |
|
|
3. Транзистор лавинный типа NPN |
|
|
4. Транзистор однопереходный с N-базой |
|
|
5. Транзистор однопереходный с Р-базой |
|
|
6. Транзистор двухбазовый типа NPN |
|
|
7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области |
|
|
8. Транзистор двухразовый типа PNIN с выводом от I-области |
|
|
9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN |
|
|
Примечание. При выполнении схем допускается: а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например, б) изображать корпус транзистора. |
|
Таблица 8
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Транзистор полевой с каналом типа N |
|
|
2. Транзистор полевой с каналом типа Р |
|
|
3. Транзистор полевой с изолированным затвором баз вывода от подложки: |
|
|
а) обогащенного типа с Р-каналом |
|
|
б) обогащенного типа с N-каналом |
|
|
в) обедненного типа с Р-каналом |
|
|
г) обедненного типа с N-каналом |
|
|
4. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки |
|
|
5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом |
|
|
6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки |
|
|
7. Транзистор полевой с затвором Шоттки |
|
|
8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки |
Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.
10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9.
Таблица 9
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Фоторезистор: а) общее обозначение |
|
|
б) дифференциальный |
|
|
2. Фотодиод |
|
|
З. Фототиристор |
|
|
4. Фототранзистор: |
|
|
а) типа PNP |
|
|
б) типа NPN |
|
|
5. Фотоэлемент |
|
|
6. Фотобатарея |
Таблица 10
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Оптрон диодный |
|
|
2. Оптрон тиристорный |
|
|
3. Оптрон резисторный |
|
|
4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем: |
|
|
а) совмещенно |
|
|
б) разнесенно |
|
|
5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором: а) с выводом от базы |
|
|
б) без вывода от базы |
Примечания:
1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721-74,
например:
2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:
(Поправка, ИУС № 3 1991 г.)
12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл. 11.
Таблица 11
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Датчик Холла |
|
|
Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника |
|
|
2. Резистор магниточувствительный |
|
|
3. Магнитный разветвитель |
13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.
Таблица 12
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Однофазная мостовая выпрямительная схема: |
|
|
а) развернутое изображение |
|
|
б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение) Примечание. К выводам 1-2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3-4 — выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность. Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения. |
|
|
Пример применения условного графического обозначения на схеме |
|
|
2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема |
|
|
3. Диодная матрица (фрагмент) |
|
|
Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов |
14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл. 13.
Таблица 13
|
Наименование |
Обозначение |
Отпечатанное обозначение |
|
1. Диод |
||
|
2. Транзистор типа PNР |
||
|
3. Транзистор типа NPN |
||
|
4. Транзистор типа PNIP с выводом от I-области |
||
|
5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN |
Примечание к пп. 2-5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» — вывод эмиттера.
15. Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.
(Измененная редакция, Изм. № 4).
Приложение 1. (Исключено, Изм. № 4).
ПРИЛОЖЕНИЕ 2
Справочное
Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Диод |
|
|
2.. Тиристор диодный |
|
|
3. Тиристор триодный |
|
|
4. Транзистор 5. Транзистор полевой |
|
|
6. Транзистор полевой с изолированным затвором |
(Введено дополнительно, Изм. № 3).
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1 РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР
РАЗРАБОТЧИКИ
В. Р. Верченко, Ю. И. Степанов, Э. Я. Акопян, Ю. П. Широкий, В. П. Пармешин, И. К. Виноградова
2 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 № 2002
3 Соответствует СТ СЭВ 661-88
4 ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицы
5 ПЕРЕИЗДАНИЕ (январь 1995 г.) с Изменениями № 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91)
ГОСТ 2.730-73* — ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые.
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ЕДИНАЯ СИСТЕМА КОНСТРУКТОРСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ
ОБОЗНАЧЕНИЯ
УСЛОВНЫЕ
ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ
ГОСТ 2.730-73
ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ
Москва
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
|
Единая система конструкторской документации ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ Unified system for design
documentation. |
ГОСТ |
Дата введения 1974-07-01
1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.
(Измененная редакция, Изм. № 3).
2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл. 1.
Таблица 1
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. (Исключен, Изм. № 2). |
|
|
2. Электроды: |
|
|
база с одним выводом |
|
|
база с двумя выводами |
|
|
Р-эмиттер с N-областью |
|
|
N-эмиттер с Р-областью |
|
|
несколько Р-эмиттеров с N -областью |
|
|
несколько N -эмиттеров с Р-областью |
|
|
коллектор с базой |
|
|
несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе |
|
|
3. Области: область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью. Переход от Р-области к N-области и наоборот |
|
|
область собственной электропроводности (I-область): l) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP |
|
|
2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN |
|
|
3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP |
|
|
4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN |
|
|
4. Канал проводимости для полевых транзисторов: обогащенного типа |
|
|
обедненного типа |
|
|
5. Переход PN |
|
|
6. Переход NP |
|
|
7. Р-канал на подложке N-типа, обогащенный тип |
|
|
8. N -канал на подложке Р-типа, обедненный тип |
|
|
9. Затвор изолированный |
|
|
10. Исток и сток Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например: |
|
|
11. Выводы полупроводниковых приборов: |
|
|
электрически, не соединенные с корпусом |
|
|
электрически соединенные с корпусом |
|
|
12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку |
(Измененная редакция, Изм. № 2, 3).
3, 4. (Исключены, Изм. № 1).
5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.
Таблица 4
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Эффект туннельный |
|
|
а) прямой |
|
|
б) обращенный |
|
|
2. Эффект лавинного пробоя: а) односторонний |
|
|
б) двухсторонний 3-8. (Исключены, Изм. № 2). |
|
|
9. Эффект Шоттки |
6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.
Таблица 5
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Диод |
|
|
Общее обозначение |
|
|
2. Диод туннельный |
|
|
3. Диод обращенный |
|
|
4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный) |
|
|
а) односторонний |
|
|
б) двухсторонний |
|
|
5. Диод теплоэлектрический |
|
|
6. Варикап (диод емкостный) |
|
|
7. Диод двунаправленный |
|
|
8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами |
|
|
8a. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами |
|
|
9. Диод Шотки |
|
|
10. Диод светоизлучающий |
7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.
Таблица 6
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении |
|
|
2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении |
|
|
3. Тиристор диодный симметричный |
|
|
4. Тиристор триодный. Общее обозначение |
|
|
5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: по аноду |
|
|
по катоду |
|
|
6. Тиристор триодный выключаемый: общее обозначение |
|
|
запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду |
|
|
запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду |
|
|
7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении: |
|
|
общее обозначение |
|
|
с управлением по аноду |
|
|
с управлением по катоду |
|
|
8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) — триак |
|
|
9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении |
Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.
8. Примеры построения обозначений транзисторов с Р-N-переходами приведены в табл. 7.
Таблица 7
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Транзистор а) типа PNP |
|
|
б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана |
|
|
2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом |
|
|
3. Транзистор лавинный типа NPN |
|
|
4. Транзистор однопереходный с N-базой |
|
|
5. Транзистор однопереходный с Р-базой |
|
|
6. Транзистор двухбазовый типа NPN |
|
|
7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области |
|
|
8. Транзистор двухразовый типа PNIN с выводом от I-области |
|
|
9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN |
|
|
Примечание. При выполнении схем допускается: а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например, б) изображать корпус транзистора. |
|
Таблица 8
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Транзистор полевой с каналом типа N |
|
|
2. Транзистор полевой с каналом типа Р |
|
|
3. Транзистор полевой с изолированным затвором баз вывода от подложки: |
|
|
а) обогащенного типа с Р-каналом |
|
|
б) обогащенного типа с N-каналом |
|
|
в) обедненного типа с Р-каналом |
|
|
г) обедненного типа с N-каналом |
|
|
4. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки |
|
|
5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом |
|
|
6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки |
|
|
7. Транзистор полевой с затвором Шоттки |
|
|
8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки |
Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.
10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9.
Таблица 9
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Фоторезистор: а) общее обозначение |
|
|
б) дифференциальный |
|
|
2. Фотодиод |
|
|
З. Фототиристор |
|
|
4. Фототранзистор: |
|
|
а) типа PNP |
|
|
б) типа NPN |
|
|
5. Фотоэлемент |
|
|
6. Фотобатарея |
Таблица 10
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Оптрон диодный |
|
|
2. Оптрон тиристорный |
|
|
3. Оптрон резисторный |
|
|
4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем: |
|
|
а) совмещенно |
|
|
б) разнесенно |
|
|
5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором: а) с выводом от базы |
|
|
б) без вывода от базы |
Примечания:
1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721-74,
например:
2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:
12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл. 11.
Таблица 11
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Датчик Холла |
|
|
Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника |
|
|
2. Резистор магниточувствительный |
|
|
3. Магнитный разветвитель |
13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.
Таблица 12
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Однофазная мостовая выпрямительная схема: |
|
|
а) развернутое изображение |
|
|
б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение) Примечание. К выводам 1-2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3-4 — выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность. Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения. |
|
|
Пример применения условного графического обозначения на схеме |
|
|
2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема |
|
|
3. Диодная матрица (фрагмент) |
|
|
Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов |
14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл. 13.
Таблица 13
|
Наименование |
Обозначение |
Отпечатанное обозначение |
|
1. Диод |
||
|
2. Транзистор типа PNР |
||
|
3. Транзистор типа NPN |
||
|
4. Транзистор типа PNIP с выводом от I-области |
||
|
5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN |
Примечание к пп. 2-5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» — вывод эмиттера.
15. Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.
(Измененная редакция, Изм. № 4).
Приложение 1. (Исключено, Изм. № 4).
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Диод |
|
|
2.. Тиристор диодный |
|
|
3. Тиристор триодный |
|
|
4. Транзистор 5. Транзистор полевой |
|
|
6. Транзистор полевой с изолированным затвором |
(Введено дополнительно, Изм. № 3).
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1 РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР
РАЗРАБОТЧИКИ
В. Р. Верченко, Ю. И. Степанов, Э. Я. Акопян, Ю. П. Широкий, В. П. Пармешин, И. К. Виноградова
2 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 № 2002
3 Соответствует СТ СЭВ 661-88
4 ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицы
5 ПЕРЕИЗДАНИЕ (январь 1995 г.) с Изменениями № 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91)
Условно-графические обозначения полупроводниковых приборов
На электрических и радиоэлектронных схемах полупроводниковые диоды обозначаются символом, напоминающим кристаллический детектор с парой кристалл – металлическое острие, использовавшийся в 20-е годы. Вместо острия на схеме рисуется треугольник (анод), вершина, которого упирается в черту, под которой подразумевается плоскость кристалла полупроводника (катод). Эта вершина указывает направление наибольшей проводимости. Этот символ обозначения полупроводникового диода лежит в основе и для обозначения диодов разного назначения.
В таблице 5.12 даны некоторые обозначения различных видов диодов.
Таблица 5.12 – Обозначения некоторых видов диодов
Некоторые обозначения тиристоров приведены в таблице 5.13
Таблица 5.13 – Обозначения некоторых видов тиристоров
| Наименование | Обозначение |
| Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении |  |
| Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении |  |
| Тиристор диодный симметричный |  |
| Тиристор триодный |  |
Условное графическое обозначение биполярных транзисторов содержит обозначение базы, эмиттера и коллектора. Базу транзистора обозначают короткой черточкой, эмиттер — наклонной линией со стрелкой. Для транзистора структуры p-n-р стрелка направлена к изображению базы, а для транзистора структуры n-p-п — от базы. Кружок на схеме символизирует корпус транзистора. Если транзистор без корпуса или входит в состав интегральной микросхемы, то кружок не ставится. В изображении лавинного транзистора используется дополнительный знак — изображение прямого угла между эмиттером и коллектором. Особенностью изображения однопереходного транзистора является то, что символ эмиттера направлен под углом к середине изображения базы, а два вывода от базы смещены к ее краям.
В таблице 5.14 даны некоторые обозначения некоторых видов биполярных транзисторов.
Таблица 5.14 – Обозначения некоторых видов биполярных транзисторов
При выполнении схем допускается выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например, так, как показано на рисунке 5.12.
 |
| Рисунок 5.12 – Пример обозначения транзисторов в зеркальном изображении |
Полевые транзисторы изображают несколько иначе. Они имеют только общее изображение корпуса в виде кружка. У полевых транзисторов с р-п переходом канал изображают в виде черточки, как базу у биполярных транзисторов. Две параллельные линии справа символизируют сток и исток полевого транзистора. Линия, продолжающая исток в противоположном направлении, представляет затвор. Соединение затвора с каналом, управляющим p-n переходом, изображается стрелкой, указывающей электропроводность канала. Стрелка, направленная к общей вертикальной черте, — полевой транзистор с каналом n-типа стрелка, идущая от общей вертикальной черты — с каналом p-типа.
Примеры построения обозначений некоторых полевых транзисторов приведены в таблице 5.15.
Таблица 5.15 – Обозначения некоторых видов полевых транзисторов
| Наименование | Обозначение |
| Транзистор полевой с каналом типа N |  |
| Транзистор полевой с каналом типа Р |  |
| Транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки: обогащенного типа с Р-каналом |  |
| обедненного типа с N-каналом |  |
Размеры условных графических обозначений полупроводниковых приборов (в модульной сетке) приведены в таблице 5.18.
Таблица 5.18 – Размеры условных графических обозначений полупроводниковых приборов
| Наименование | Обозначение |
| Диод |  |
| Тиристор диодный |  |
| Транзистор биполярный |  |
| Транзистор полевой |  |
