Mosfet p channel

Новый клиент? Начинать здесь. Нажимая эту кнопку, вы соглашаетесь с нашей политикой конфиденциальности. Добавить в корзину Купить сейчас.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• On Semiconductor. MOSFET. VDSS= 30 В. P-канальные
• Category:MOSFET symbols
• Easyelectronics.ru
• Электронный компонент «AP3310H»
• Одиночные MOSFET транзисторы
• Транзистор, CJ2301 P-CHANNEL MOSFET WITH DIODE SOT23-3
• ST 95N2LH5 N-Channel Power MOSFET

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: MOSFET Basics — n & p Channel MOSFETs — MOSFET Drivers

On Semiconductor. MOSFET. VDSS= 30 В. P-канальные

Заказать звонок. Отправить копию директору. Данные товары не находятся на нашем складе — мы заказываем и доставляем их специально для вас. Делая заказ на данные товары Вы соглашаетесь с нашими правилами. Подробнее о товарах под заказ. Я внимательно прочитал правила. Больше не показывать их. Отрицательная величина означает, что мы должны Вам. Баланс корректируется в режиме реального времени.

Вы прочитали текст и он Вам не помог — звоните из любой мобильной сети: Подвердить заказ вы можете перейдя по ссылке. В противном случае заказ будет удален автоматически через 5 минут. Это следует сделать перед отправкой заказа, пометив галочкой интересующие элементы.

Срок VIP гарантии составляет 3 года, что подтверждается гарантийным талоном и исчисляется с момента совершения покупки.

В случае выхода из строя оборудования в течение гарантийного срока, компания обязуется отремонтировать, или, на свое усмотрение, заменить дефектное оборудование без дополнительной оплаты в срок не более трех дней.

Гарантийный ремонт производится только на территории сервисного центра компании, при предъявлении гарантийного талона. VIP гарантия не распространяется на расходные материалы и другие узлы, имеющие естественный ограниченный период эксплуатации. Компания не несет ответственности за неправильную работу нелицензионного программного обеспечения. VIP гарантия не распространяется на оборудование фирм-производителей, которые имеют собственные сервисные центры в Республике Беларусь. Обслуживание производится на сервисном центре компании.

Ввести пароль. Я тут впервые. Я не помню пароль. Задать вопрос Сообщить об ошибке. Не помню. Быстрый заказ. Вернуть товар? Без проблем! Производитель оставляет за собой право вносить изменения в характеристики и комплектацию товара без предварительного уведомления. При совершении покупки уточняйте параметры, имеющие для Вас большую значимость. Компьютеры Баребоны Наш партнер — ForPro. Контакты Не дозвонились?

Время работы: Пн. Дата регистрации в Торговом реестре Республики Беларусь Договор публичной оферты. Закрыть Корзина. Отправить копию директору Отправить. Обслуживание производится на сервисном центре компании Вы прочитали текст и он Вам не помог — звоните из любой мобильной сети: Жду звонка. Телефон Логин. Получить пароль SMS. Регистрация дает низкие цены и доступ к истории заказов. Получить инструкции на email. Введите номер вашего мобильного телефона:.

Введите E-mail:. Зарегистрироваться и войти. Я уже зарегистрирован.

Category:MOSFET symbols

Для диагностики полевых транзисторов N-канального вида ставим мультиметр на проверку диодов обычно он пищит на этом положении , черный щуп слева на подложку D — сток , красный на дальний от себя вывод справа S — исток , тестер показывает Ома — полевой транзистор закрыт Рис. Далее, не снимая черного щупа, касаемся Рис. Если сейчас черным щупом коснуться нижней G — затвор ножки, не отпуская красного щупа Рис. В чем мы можем убедится, опять проверив. Кстати есть еще одна тонкость — если мы откроем транзистор и измерим сопротивление сток-исток, но только не сразу, а через некоторое время, то тестер будет показывать сопротивление отличное от нуля.

N-канальные MOSFET транзисторы одноканальные. Корпуса для поверхностного В. IRFHMTRPBF. DUAL N-CHANNEL, V, A, PQFN3x3.

Easyelectronics.ru

В отличие от биполярных транзисторов , которые управляются током, транзисторы с изолированным затвором управляются напряжением, так как, по причине изолированного управляющего электрода затвора такие транзисторы обладают очень высоким входным сопротивлением. Встречаются МОП-транзисторы с собственным или встроенным англ. Встроенный канал означает, что при нулевом напряжении затвор-исток канал транзистора открыт то есть проводит ток ; для закрытия канала нужно приложить к затвору напряжение определённой полярности. Канал приборов с индуцированным каналом закрыт не проводит ток при нулевом напряжении затвор-исток; для открытия канала нужно приложить к затвору напряжение определённой полярности. В цифровой и силовой технике обычно применяются транзисторы только с индуцированным каналом. В аналоговой технике используются приборы обоих типов. Полупроводник канала может быть легирован примесями для получения электропроводности P или N типа. Подачей на затвор определённого потенциала можно менять тип проводимости участка канала под затвором.

Электронный компонент «AP3310H»

Войти или зарегистрироваться. Искать только в заголовках Сообщения пользователя: Имена участников разделяйте запятой. Новее чем: Искать только в этой теме Искать только в этом разделе Отображать результаты в виде тем. Быстрый поиск.

Возможно ее увеличение на стоимость доставки по России и сертификации.

Одиночные MOSFET транзисторы

Как правило, при условии оплаты до по Москве, отправление заказа осуществляется в день оплаты. Подробнее об условиях доставки особенно по Москве и Санкт-Петербургу можно почитать тут. Для полной функциональности этого сайта необходимо включить JavaScript. Вот инструкции, как включить JavaScript в вашем браузере. Артикул AO Количество :.

Транзистор, CJ2301 P-CHANNEL MOSFET WITH DIODE SOT23-3

Rus Eng. Все В наличии Спецпредложения Распродажа Новинки. Advanced Power Electronics Corp. Cree, Inc. Diodes Incorporated FUJI Electric

5 PCS FQD3P50 TO FQD 3P50 V P-Channel MOSFET Electrical Equipment & Supplies 5 PCS FQD3P50 TO FQD 3P50 V P-Channel MOSFET.

ST 95N2LH5 N-Channel Power MOSFET

В этой статье я расскажу вам, как проверить полевой транзистор с изолированным затвором, то есть МОП-транзистор. Это вторая часть статьи по проверки полевых транзисторов. В первой части я рассказывал, как проверить транзистор с управляющим p-n переходом. Да, полевые транзисторы с управляющим p-n переходом уходят в прошлое, а сейчас в современных схемах применяются более совершенные полевые транзисторы с изолированным затвором.

Заказать звонок. Отправить копию директору. Данные товары не находятся на нашем складе — мы заказываем и доставляем их специально для вас. Делая заказ на данные товары Вы соглашаетесь с нашими правилами. Подробнее о товарах под заказ. Я внимательно прочитал правила.

Я имею в виду, какой из этих четырех схем будет работать с правильно поданными управляющими сигналами?

Серия 30 В P-канальных транзисторов компании International Rectifier обладает низким сопротивлением открытого канала: лучшие представители этой серии имеют Rds on не более 4. Максимально-допустимая разность напряжений между затвором и истоком составляет 20 В, что делает данные транзисторы идеальным решением для вычислительной техники с шиной В. Серия представлена в стандартных корпусах для SMD-монтажа — SO-8, SOT и TSOP-6 и имеет совместимость выводов с транзисторами других производителей, что значительно упрощает их использование в существующих и новых устройствах. Данные транзисторы обеспечивают низкие потери проводимости и обладают повышенной надежностью, благодаря своим электрическим характеристикам.

Одной из основных схем, в которых с успехом могут применяться P-канальные транзисторы, является схема коммутации и защиты аккумуляторной батареи , представленная на рисунке:.

Семейство p-канальных MOSFET-транзисторов компании IXYS обладает всеми основными преимуществами сопоставимых n-канальных MOSFET, такими как очень быстрое переключение, управление с помощью уровня напряжения затвора, простота параллельного соединения и высокая температурная стабильность. Оптимизация паразитного p-n-p-транзистора позволила получить приборы с отличной стабильностью к лавинному пробою [1]. По сравнению с n-канальными силовыми MOSFET со схожей топологией, p-канальные транзисторы имеют лучшую FB-SOA область безопасной работы при прямом токе и практически имеют иммунитет к феномену одиночного эффекта выгорания Single Event Burnout — открытие паразитного биполярного транзистора под воздействием космического излучения: приводит к разрушению прибора [2]. Источник питания для управления p-канальным транзистором в схеме верхнего ключа может быть однополярным, в то время как управление n-канальным MOSFET в схеме верхнего ключа требует наличия либо изолированного драйвера, либо импульсного трансформатора, который во многих случаях может работать некорректно.

P-канальные МОП-транзисторы — STMicroelectronics

• STD36P4LLF6

  P-канальные 40 В, 0,0175 Ом тип., 36 A STripFET F6 в корпусе DPAK

• STD45P4LLF6AG тип. , -50 A STripFET F6 Power MOSFET в корпусе DPAK

• STD95P3LLH6AG

  Автомобильный P-канал -30 В, 5 мОм тип., -80 A, STripFET H6 Power MOSFET в корпусе DPAK

• P-channel -канальный 40 В, 0,0125 Ом тип., 46 А STripFET F6 Power MOSFET в корпусе DPAK

• STL60P4LLF6

  P-канал -40 В, 0,0115 Ом тип., -60 A STripFET F6 Power MOSFET в корпусе PowerFLAT 5×6 MOSFET в корпусе PowerFLAT 5×6

• STN3P6F6

  P-канал -60 В, 0,13 Ом тип., -3 A STripFET F6 Power MOSFET в корпусе SOT-223

• STN3P10F6

  P-канал -0,103 В, Ом6 тип., -3 A STripFET F6 Power MOSFET в корпусе SOT-223

• STD26P3LLH6

  P-канальный 30 В, 0,024 Ом тип., 12 A, STripFET(TM) VI DeepGATE Power MOSFET в корпусе DPAK

• STL6P3LLH6

  P-канальный STripFET тип. H6 Power MOSFET в корпусе PowerFLAT 3,3 x 3,3

• STS9P3LLH6

  P-канал -30 В, 12 мОм тип., -9 A, STripFET H6 Power MOSFET в корпусе SO-8

• STS6P3LLH6 P-канал

  В, 0,024 Ом тип., 6 A, STripFET(TM) VI DeepGATE Power MOSFET в корпусе SO-8

• STL9P3LLH6

  P-канал -30 В, 12 мОм тип., -9 A STripFET H6 Power MOSFET в корпусе PowerFLAT 3,3 x 3,3

• STL45P3LLH6

  P-канал -30 В, 11 -5 мОм тип. A STripFET H6 Power MOSFET в корпусе PowerFLAT 5×6

• STD15P6F6AG

  Автомобильный P-канал -60 В, 0,13 Ом тип., -10 A STripFET F6 Power MOSFET в корпусе DPAK

• STS7P4LLF46 В, 0,0175 Ом тип., 7 A STripFET F6 Power MOSFET в корпусе SO-8

• STS10P3LLH6

  P-канал -30 В, 0,01 Ом тип., -12,5 A, STripFET H6 Power MOSFET в корпусе SO-8

• STL8P4LLF6

  P-канал 40 В, 0,0178 Ом STripFET тип., F6 Power MOSFET в корпусе PowerFLAT 3.3 x 3.3

• STD35P6LLF6

  P-channel 60 В, 0,025 Ом тип., 35 A STripFET F6 Power MOSFET в корпусе DPAK

• STD40P8F64 V-channel -motive P-channel -80-8AG 9000 , 18,5 мОм тип. , -40 A STripFET F6 Power MOSFET в корпусе DPAK

• STS10P4LLF6

  P-канальный 40 В, 0,0125 Ом тип., 10 A STripFET F6 Power MOSFET в корпусе SO-8

• STL42P6LLF6

  P-канальный 60 В, 0,023 F A MOSFET 4 AMOSFET тип. в корпусе PowerFLAT 5×6

• STD10P10F6

  P-канал 100 В, 0,136 Ом тип., 10 A STripFET F6 Power MOSFET в корпусе DPAK

• STR2P3LLH6

  STripFET тип2 P-канал 0,04 В, Ом A-FET 2 P-канал 0,04 В, Ом A H6 Power MOSFET в корпусе SOT-23

• STL4P3LLH6

  P-канал 30 В, 0,048 Ом тип., 4 A STripFET H6 Power MOSFET в корпусе PowerFLAT™ 2×2

• STD10P6F6

  P-канал -60 В, 0,13 Ом STripFET 6 тип., -10 A Силовой МОП-транзистор в корпусе DPAK

• STL30P3LLH6

  P-канал 30 В, 0,024 Ом тип., 30 А 30 В, 0,01 Ом тип., 52 А STripFET H6 Power MOSFET в корпусе DPAK

• STT4P3LLH6

  P-канал 30 В, 0,048 Ом тип., 4 A STripFET H6 Power MOSFET в корпусе SOT23-6L Power MOSFET в корпусе TO-220

• STL62P3LLH6

  P-канал 30 В, 0,009 Ом тип. , 62 A STripFET H6 Power MOSFET в корпусе PowerFLAT 5×6

• STL42P4LLF6 В, тип.05 P-канал 0,009 42 Мощный полевой МОП-транзистор STripFET F6 в корпусе PowerFLAT 5×6

• STS5P3LLH6

  P-канал 30 В, 0,048 Ом тип., 5 A Stripfet H6 Power Mosfet в SO-8 Пакет

  393941394139

  	ЧАСТЬ	Описание	ЧАСТЬ	Описание	ЧАСТЬ	Описание	ЧАСТЬ
  	.	Поддерживаемые устройства

  	Название ресурса	Тип ресурса

  0137 Название ресурса Тип ресурса

  MOSFET – мощность, P-канал, логический уровень, DPAK -25 A, -30 В

  . 4 %PDF-14. % 1 0 объект > эндообъект 5 0 объект /ModDate (D:20201021141332+08’00’) /Производитель (Acrobat Distiller 19.