Применение полупроводников

Увеличение проводимости полупроводников происходит с повышением температуры, так как этому способствует рост количества носителей заряда. Зависимость проводимости полупроводников представляется как:

Где E является энергией активации, k – постоянной Больцмана. Около абсолютного нуля все полупроводники становятся изоляторами. Зависимость их сопротивления от температуры позволяет применять в различных областях техники.

Термисторы

Определение 1

Приборы, которые основываются на зависимости величины сопротивления от температуры, называются термисторами.

Для их производства применяют полупроводники, обладающие существенной величиной отрицательного сопротивления. Их изготавливают в форме цилиндрических стержней, бусин, нитей, располагаемых в баллончиках из стекла, керамики или металла с изоляцией.

Параметры, характеризующие термисторы:

• наличие сопротивления с t=20 °C;
• температурный коэффициент сопротивления при t=20 °C;
• время тепловой инерции – временной промежуток, за который сопротивление термистора изменяется до определенной величины;
• максимальная температура эксплуатации;
• теплоемкость.

По предназначению термисторы классифицируют на:

• Измерительные. Применяют для получения данных о температуре и влажности воздуха. Ток, пропускаемый через него, имеет малую величину, поэтому не способен вызвать заметный разогрев термистора. Температура меняется вместе с температурой окружающей среды.
• Прямого подогрева. Изменение сопротивления происходит за счет джоулева тепла. Его использование способствует стабилизировать напряжение при существенных колебаниях и небольших токах, как в телефонных линиях. Применение позволяет поддерживать постоянство сопротивления электросетей. (Термисторы обладают отрицательным температурным коэффициентом, а остальные металлические элементы – положительным). Они способны заменить движковые реостаты. Данный тип термисторов способен производить нарастание тока в цепи.
• Косвенного подогрева. Нагревание производится за счет внешнего источника. Применяются в качестве сигнализации о перегреве отдельных частей машины.

Фотосопротивления

Электроны в полупроводниках способны переходить в зону проводимости не только при повышении температуры, но и при поглощении фотона (внутренний фотоэффект). Существуют полупроводники, энергия перехода электронов у которых составляет десятые доли электрон-вольта, то есть на сопротивление подобных проводников оказывает влияние не только видимый свет, но и инфракрасное излучение.

Определение 2

Прибор, который основывается на изменении сопротивления полупроводников под действием освещенности, называют фотосопротивлением

. Для видимой части спектра применяют полупроводники из селена, германия, сернистого кадмия, таллия. Для инфракрасной – сернистый, селенистый и теллуристый свинец.

Подобные фотосопротивления характеризуются зависимостью фототока I от величины светового потока Φ. В большинстве случаев ее изображают как:

Вольт-амперные характеристики фотосопротивлений обладают линейным характером. Фотосопротивления являются инерционными, то есть достижение максимума фототока происходит не мгновенно, спад – при прекращении подачи света.

Фотосопротивления применимы для автоматики, сортировке изделий по покраске или размерам.

Варисторы

Опытным путем было доказано, в небольших полях закон Ома для полупроводников считается применимым. У разных веществ величина критического поля имеет отличия. Она зависит от природы полупроводника, температуры, концентрации примесей.

Электропроводность полупроводника от напряженности поля определяется законом Пуля:

Где α является коэффициентом, зависящим от температуры, Ek – напряженность критического поля.

Определение 3

Полупроводники, проводимость которых растет с увеличением напряженности электрического поля, называют варисторами (ограничители перенапряжений).

Примерами полупроводников варисторов считаются такие, в состав которых входит карбид кремния, используемый в виде дисков в разрядниках, защищающих высоковольтные линии электропередач.

Полупроводниковые выпрямители

Некоторые проводники после контакта характеризуются явлением, при котором ток хорошо проходит в одном направлении и практически не идет в обратном. Существование такого эффекта обусловлено наличием разного типа проводимости полупроводников. Односторонняя проводимость разнородных полупроводников используется в диодах, триодах. Чаще всего применяют германий и кремний. Такие триоды и диоды имеют большой срок работы с малыми габаритами, высоким коэффициентом выпрямления, экономят энергию.

Униполярная проводимость между проводником применяется в вентильных элементах.

Термоэлементы

Термоэлементы изготавливают из полупроводников. Из чего состоят полупроводники? Они включают в себя два полупроводника, соединенные металлической пластиной. Нагрев полупроводника происходит на месте соединения, на противоположных концах происходит охлаждение. К свободным концам присоединяют внешнюю цепь, так как они считаются полюсами термоэлемента. Термоэлектрические батареи создают из термоэлементов. Определение термоэлектрической ЭДС Ε возможно по формуле:

Где α1 и α2 – это термоэлектродвижущие силы каждого полупроводника с разностью температур на концах, равняющейся 1°С.

КПД термобатарей составляет 6-7%.

При пропускании электротока через термоэлемент, имеет место появление эффекта Пельтье, то есть один спай нагревается, другой охлаждается. Данное явление применимо в холодильной камере.

Пример 1

Происходит отступление от закона Ома в полупроводниках с сильными электрическими полями. С чем это связано?

Решение

Необходимо записать закон Ома в дифференциальной форме:

I=σE (1.1).

Значение I является силой тока, σ – коэффициентом проводимости, E – напряженностью электрического поля.

Определение силы тока происходит по формуле:

I=qenυ (1.2) с qe, являющимся зарядом электрона, n – концентрацией заряженных частиц, υ — скоростью движения электронов. Применим выражения (1.1), (1.2) для получения σ:

σ=qenυE=qenυ (1.3).

Из формулы υ обозначают в качестве неподвижности электронов. Если следовать из выражения (1.3), то происходит соблюдение закона Ома при неизменной подвижности и концентрации во время изменения самой напряженности поля. При увеличении Е идет рост подвижности электронов и их концентрация, так как поле влияет на энергосостояние электронов в атомах. В больших полях может быть получена энергия для свободного электрона, которой достаточно для прохождения процессов ионизации атома решетки или атома примеси, что влияет на увеличение концентрации электронов проводимости.

Ответ: отступление закона Ома связано с влиянием сильных полей на подвижность электронов и их концентрацию.

Пример 2

Произвести описание процесса появления термоэлектродвижущей силы в полупроводниках.

Решение

Рост кинетической энергии теплового движения электронов в полупроводниках возможен при увеличении абсолютной температуры. Если создается разность температур в полупроводнике, то можно получить рост концентрации электронов на конце при имеющейся там высокой температуре.

Отсюда следует, что будет наблюдаться диффузия свободных электронов по направлению от горячего конца к холодному. Холодный конец получит отрицательный зарядой, а горячий – положительный. Продолжение диффузии идет до тех пор, пока разность потенциалов не компенсирует диффузионный поток при помощи возникшего электрического тока обратного направления. Данное равновесие способно определить термо ЭДС.

Применение полупроводников

Увеличение проводимости полупроводников происходит с повышением температуры, так как этому способствует рост количества носителей заряда. Зависимость проводимости полупроводников представляется как:

Где E является энергией активации, k – постоянной Больцмана. Около абсолютного нуля все полупроводники становятся изоляторами. Зависимость их сопротивления от температуры позволяет применять в различных областях техники.

Термисторы

Определение 1

Приборы, которые основываются на зависимости величины сопротивления от температуры, называются термисторами

.

Для их производства применяют полупроводники, обладающие существенной величиной отрицательного сопротивления. Их изготавливают в форме цилиндрических стержней, бусин, нитей, располагаемых в баллончиках из стекла, керамики или металла с изоляцией.

Параметры, характеризующие термисторы:

• наличие сопротивления с t=20 °C;
• температурный коэффициент сопротивления при t=20 °C;
• время тепловой инерции – временной промежуток, за который сопротивление термистора изменяется до определенной величины;
• максимальная температура эксплуатации;
• теплоемкость.

По предназначению термисторы классифицируют на:

• Измерительные. Применяют для получения данных о температуре и влажности воздуха. Ток, пропускаемый через него, имеет малую величину, поэтому не способен вызвать заметный разогрев термистора. Температура меняется вместе с температурой окружающей среды.
• Прямого подогрева. Изменение сопротивления происходит за счет джоулева тепла. Его использование способствует стабилизировать напряжение при существенных колебаниях и небольших токах, как в телефонных линиях. Применение позволяет поддерживать постоянство сопротивления электросетей. (Термисторы обладают отрицательным температурным коэффициентом, а остальные металлические элементы – положительным).
  Они способны заменить движковые реостаты. Данный тип термисторов способен производить нарастание тока в цепи.
• Косвенного подогрева. Нагревание производится за счет внешнего источника. Применяются в качестве сигнализации о перегреве отдельных частей машины.

Фотосопротивления

Электроны в полупроводниках способны переходить в зону проводимости не только при повышении температуры, но и при поглощении фотона (внутренний фотоэффект). Существуют полупроводники, энергия перехода электронов у которых составляет десятые доли электрон-вольта, то есть на сопротивление подобных проводников оказывает влияние не только видимый свет, но и инфракрасное излучение.

Определение 2

Прибор, который основывается на изменении сопротивления полупроводников под действием освещенности, называют фотосопротивлением. Для видимой части спектра применяют полупроводники из селена, германия, сернистого кадмия, таллия. Для инфракрасной – сернистый, селенистый и теллуристый свинец.

Подобные фотосопротивления характеризуются зависимостью фототока I от величины светового потока Φ. В большинстве случаев ее изображают как:

Вольт-амперные характеристики фотосопротивлений обладают линейным характером. Фотосопротивления являются инерционными, то есть достижение максимума фототока происходит не мгновенно, спад – при прекращении подачи света.

Фотосопротивления применимы для автоматики, сортировке изделий по покраске или размерам.

Варисторы

Опытным путем было доказано, в небольших полях закон Ома для полупроводников считается применимым. У разных веществ величина критического поля имеет отличия. Она зависит от природы полупроводника, температуры, концентрации примесей.

Электропроводность полупроводника от напряженности поля определяется законом Пуля:

Где α является коэффициентом, зависящим от температуры, Ek – напряженность критического поля.

Определение 3

Полупроводники, проводимость которых растет с увеличением напряженности электрического поля, называют варисторами (ограничители перенапряжений).

Примерами полупроводников варисторов считаются такие, в состав которых входит карбид кремния, используемый в виде дисков в разрядниках, защищающих высоковольтные линии электропередач.

Полупроводниковые выпрямители

Некоторые проводники после контакта характеризуются явлением, при котором ток хорошо проходит в одном направлении и практически не идет в обратном. Существование такого эффекта обусловлено наличием разного типа проводимости полупроводников. Односторонняя проводимость разнородных полупроводников используется в диодах, триодах. Чаще всего применяют германий и кремний. Такие триоды и диоды имеют большой срок работы с малыми габаритами, высоким коэффициентом выпрямления, экономят энергию.

Униполярная проводимость между проводником применяется в вентильных элементах.

Термоэлементы

Термоэлементы изготавливают из полупроводников. Из чего состоят полупроводники? Они включают в себя два полупроводника, соединенные металлической пластиной. Нагрев полупроводника происходит на месте соединения, на противоположных концах происходит охлаждение. К свободным концам присоединяют внешнюю цепь, так как они считаются полюсами термоэлемента. Термоэлектрические батареи создают из термоэлементов. Определение термоэлектрической ЭДС Ε возможно по формуле:

Где α1 и α2 – это термоэлектродвижущие силы каждого полупроводника с разностью температур на концах, равняющейся 1°С. КПД термобатарей составляет 6-7%.

При пропускании электротока через термоэлемент, имеет место появление эффекта Пельтье, то есть один спай нагревается, другой охлаждается. Данное явление применимо в холодильной камере.

Пример 1

Происходит отступление от закона Ома в полупроводниках с сильными электрическими полями. С чем это связано?

Решение

Необходимо записать закон Ома в дифференциальной форме:

I=σE (1.1).

Значение I является силой тока, σ – коэффициентом проводимости, E – напряженностью электрического поля.

Определение силы тока происходит по формуле:

I=qenυ (1.2) с qe, являющимся зарядом электрона, n – концентрацией заряженных частиц, υ — скоростью движения электронов. Применим выражения (1.1), (1.2) для получения σ:

σ=qenυE=qenυ (1.3).

Из формулы υ обозначают в качестве неподвижности электронов. Если следовать из выражения (1.3), то происходит соблюдение закона Ома при неизменной подвижности и концентрации во время изменения самой напряженности поля. При увеличении Е идет рост подвижности электронов и их концентрация, так как поле влияет на энергосостояние электронов в атомах. В больших полях может быть получена энергия для свободного электрона, которой достаточно для прохождения процессов ионизации атома решетки или атома примеси, что влияет на увеличение концентрации электронов проводимости.

Ответ: отступление закона Ома связано с влиянием сильных полей на подвижность электронов и их концентрацию.

Пример 2

Произвести описание процесса появления термоэлектродвижущей силы в полупроводниках.

Решение

Рост кинетической энергии теплового движения электронов в полупроводниках возможен при увеличении абсолютной температуры. Если создается разность температур в полупроводнике, то можно получить рост концентрации электронов на конце при имеющейся там высокой температуре.

Отсюда следует, что будет наблюдаться диффузия свободных электронов по направлению от горячего конца к холодному. Холодный конец получит отрицательный зарядой, а горячий – положительный. Продолжение диффузии идет до тех пор, пока разность потенциалов не компенсирует диффузионный поток при помощи возникшего электрического тока обратного направления. Данное равновесие способно определить термо ЭДС.

Полупроводник | Определение, примеры, типы, использование, материалы, устройства и факты

проводимости

Посмотреть все СМИ

Ключевые люди:

Дункан Холдейн Уолтер Х. Браттейн Ив-Андре Рокар

Похожие темы:

кремний германий лавинный эффект Эффект Ганна p-n переход

См. всю связанную информацию →

полупроводник , любой класс кристаллических твердых тел, промежуточный по электропроводности между проводником и изолятором. Полупроводники используются в производстве различных электронных устройств, в том числе диодов, транзисторов и интегральных схем. Такие устройства нашли широкое применение благодаря своей компактности, надежности, энергоэффективности и дешевизне. В качестве дискретных компонентов они нашли применение в силовых устройствах, оптических датчиках и излучателях света, включая твердотельные лазеры. Они имеют широкий диапазон возможностей управления током и напряжением и, что более важно, поддаются интеграции в сложные, но легко изготавливаемые микроэлектронные схемы. Они являются и будут в обозримом будущем ключевыми элементами для большинства электронных систем, обслуживающих приложения связи, обработки сигналов, вычислений и управления как на потребительском, так и на промышленном рынках.

Полупроводниковые материалы

Твердотельные материалы обычно подразделяются на три класса: изоляторы, полупроводники и проводники. (При низких температурах некоторые проводники, полупроводники и изоляторы могут стать сверхпроводниками. ) На рисунке показаны проводимости σ (и соответствующие удельные сопротивления ρ = 1/σ), связанные с некоторыми важными материалами в каждом из трех классов. Изоляторы, такие как плавленый кварц и стекло, имеют очень низкую проводимость, порядка 10 9от 0027 −18 до 10 ⁻¹⁰ сименс на сантиметр; и проводники, такие как алюминий, имеют высокую проводимость, обычно от 10 ⁴ до 10 ⁶ Сименс на сантиметр. Электропроводность полупроводников находится между этими крайними значениями и обычно чувствительна к температуре, освещению, магнитным полям и незначительному количеству примесных атомов. Например, добавление около 10 атомов бора (известного как легирующая примесь) на миллион атомов кремния может увеличить его электропроводность в тысячу раз (частично объясняя широкий разброс, показанный на предыдущем рисунке).

Изучение полупроводниковых материалов началось в начале 19 века. Элементарные полупроводники состоят из атомов одного вида, таких как кремний (Si), германий (Ge) и олово (Sn) в столбце IV и селен (Se) и теллур (Te) в столбце VI периодической таблицы. Однако существует множество составных полупроводников, состоящих из двух или более элементов. Арсенид галлия (GaAs), например, представляет собой бинарное соединение III-V, представляющее собой комбинацию галлия (Ga) из столбца III и мышьяка (As) из столбца V. Тройные соединения могут быть образованы элементами из трех разных столбцов: например, теллурид ртути и индия (HgIn ₂ Te ₄ ), соединение II-III-VI. Они также могут быть образованы элементами из двух столбцов, такими как арсенид алюминия-галлия (Al _x Ga _{1 − x} As), который представляет собой тройное соединение III-V, где и Al, и Ga происходят из колонка III и нижний индекс x относятся к составу двух элементов от 100% Al ( x = 1) до 100% Ga ( x = 0). Чистый кремний является наиболее важным материалом для приложений интегральных схем, а бинарные и тройные соединения III-V наиболее важны для излучения света.

До изобретения биполярного транзистора в 1947 году полупроводники использовались только в качестве двухвыводных устройств, таких как выпрямители и фотодиоды. В начале 1950-х германий был основным полупроводниковым материалом. Однако он оказался непригодным для многих применений, поскольку устройства, изготовленные из этого материала, демонстрировали высокие токи утечки лишь при умеренно повышенных температурах. С начала 1960-х годов кремний стал наиболее широко используемым полупроводником, практически вытеснив германий в качестве материала для изготовления устройств. Этому есть две основные причины: (1) кремниевые устройства имеют гораздо меньшие токи утечки и (2) диоксид кремния (SiO ₂ ), представляющий собой высококачественный изолятор, легко встраивается в состав устройства на основе кремния. Таким образом, кремниевая технология стала очень продвинутой и широко распространенной: кремниевые устройства составляют более 95 процентов всех полупроводниковых продуктов, продаваемых во всем мире.

Викторина «Британника»

Строительные блоки предметов повседневного обихода

Многие составные полупроводники обладают некоторыми специфическими электрическими и оптическими свойствами, которые превосходят их аналоги из кремния. Эти полупроводники, особенно арсенид галлия, используются в основном для оптоэлектроники и некоторых радиочастотных (РЧ) приложений.

Электронные свойства

Описанные здесь полупроводниковые материалы представляют собой монокристаллы; т. е. атомы расположены трехмерным периодическим образом. Часть A рисунка показывает упрощенное двумерное представление собственного (чистого) кристалла кремния, который содержит незначительные примеси. Каждый атом кремния в кристалле окружен четырьмя ближайшими соседями. Каждый атом имеет четыре электрона на своей внешней орбите и делит эти электроны со своими четырьмя соседями. Каждая общая электронная пара образует ковалентную связь. Сила притяжения между электронами и обоими ядрами удерживает два атома вместе. Для изолированных атомов (например, в газе, а не в кристалле) электроны могут иметь только дискретные энергетические уровни. Однако, когда большое количество атомов объединяется в кристалл, взаимодействие между атомами приводит к тому, что дискретные энергетические уровни распределяются по энергетическим зонам. При отсутствии тепловых колебаний (т. е. при низкой температуре) электроны в изоляторе или полупроводниковом кристалле полностью заполняют ряд энергетических зон, оставляя остальные энергетические зоны пустыми. Самая высокая заполненная зона называется валентной зоной. Следующей зоной является зона проводимости, которая отделена от валентной зоны энергетической щелью (в кристаллических диэлектриках щель гораздо больше, чем в полупроводниках). Эта энергетическая щель, также называемая запрещенной зоной, представляет собой область, обозначающую энергии, которыми не могут обладать электроны в кристалле. Большинство важных полупроводников имеют ширину запрещенной зоны в диапазоне от 0,25 до 2,5 электрон-вольт (эВ). Ширина запрещенной зоны кремния, например, составляет 1,12 эВ, а арсенида галлия — 1,42 эВ. Напротив, ширина запрещенной зоны алмаза, хорошего кристаллического изолятора, составляет 5,5 эВ.

Оформите подписку Britannica Premium и получите доступ к эксклюзивному контенту. Подпишитесь сейчас

При низких температурах электроны в полупроводнике связаны в соответствующих зонах в кристалле; следовательно, они недоступны для электропроводности. При более высоких температурах тепловая вибрация может разорвать некоторые ковалентные связи с образованием свободных электронов, которые могут участвовать в проводимости тока. Когда электрон удаляется от ковалентной связи, с этой связью связана электронная вакансия. Эта вакансия может быть заполнена соседним электроном, что приводит к смещению положения вакансии с одной позиции кристалла на другую. Эту вакансию можно рассматривать как фиктивную частицу, называемую «дыркой», которая несет положительный заряд и движется в направлении, противоположном направлению движения электрона. Когда к полупроводнику прикладывается электрическое поле, как свободные электроны (теперь находящиеся в зоне проводимости), так и дырки (оставленные в валентной зоне) движутся через кристалл, создавая электрический ток. Электропроводность материала зависит от количества свободных электронов и дырок (носителей заряда) в единице объема и от скорости движения этих носителей под действием электрического поля. В собственном полупроводнике существует равное количество свободных электронов и дырок. Однако электроны и дырки обладают разной подвижностью; то есть они движутся с разными скоростями в электрическом поле. Например, для собственного кремния при комнатной температуре подвижность электронов составляет 1500 квадратных сантиметров в вольт-секунду (см ² /В·с), т. е. электрон будет двигаться со скоростью 1500 сантиметров в секунду под действием электрического поля в один вольт на сантиметр, — а подвижность дырки равна 500 см ² /В·с. Подвижности электронов и дырок в конкретном полупроводнике обычно уменьшаются с повышением температуры.

Электрическая проводимость собственных полупроводников при комнатной температуре очень плохая. Чтобы добиться более высокой проводимости, можно намеренно ввести примеси (обычно до концентрации одна часть на миллион атомов-хозяев). Это называется легированием — процессом, который увеличивает проводимость, несмотря на некоторую потерю подвижности. Например, если атом кремния заменить атомом с пятью внешними электронами, например, мышьяком ( см. часть B рисунка), четыре электрона образуют ковалентные связи с четырьмя соседними атомами кремния. Пятый электрон становится электроном проводимости, отдаваемым зоне проводимости. Кремний становится полупроводником типа n из-за добавления электрона. Атом мышьяка является донором. Точно так же часть C рисунка показывает, что если атом с тремя внешними электронами, такой как бор, заменить атомом кремния, дополнительный электрон принимается для образования четырех ковалентных связей вокруг атома бора, а положительно заряженная дырка создается в валентной зоне. Это создает p — полупроводник, в котором бор является акцептором.

Множество применений полупроводников

Большинство людей слышали о микрочипах, но что вы знаете о компонентах, которые делают их возможными? Здесь мы обсудим множество применений полупроводников.

Что такое полупроводниковый материал?

Полупроводник — это материал, обладающий свойствами проводимости между проводником, способным проводить электричество, и непроводником или изолятором, который не позволяет проходить через него электрическим зарядам.

Это означает, что при определенных условиях полупроводники могут действовать либо как проводник, либо как изолятор. Полупроводники могут быть чистыми элементами, такими как наиболее часто используемый кремний, или соединениями, такими как арсенид галлия.

Полупроводниковые устройства

Основное применение полупроводников заключается в создании полупроводниковых устройств, которые необходимы для множества электронных продуктов. Полупроводниковые устройства проводят электрический ток в твердом состоянии, а не в виде свободных электронов в вакууме, и почти во всех приложениях являются преемниками электронных ламп.

Одним из наиболее часто используемых полупроводниковых компонентов является диод, который действует как односторонний клапан в цепи, пропуская ток только в одном направлении. И наоборот, проводники позволяют току течь в обоих направлениях.

Полупроводники применяются также в конструкции транзисторов, которые используются как для быстрого переключения, так и для усиления тока.

МОП-транзистор (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник) является наиболее распространенным полупроводниковым устройством в мире.

Полупроводники и микрочипы

Полупроводниковый кремний служит основным материалом для микрочипа, также известного как интегральная схема или монолитная интегральная схема, компонент, используемый почти во всех современных электронных устройствах.

При создании микросхем используется огромное количество крошечных МОП-транзисторов. Они состоят из набора электронных схем на маленьком плоском кусочке кремния с множеством транзисторов, которые могут включать и выключать ток.

Двумя основными типами микросхем являются логические микросхемы и микросхемы памяти. Логические чипы обрабатывают информацию, чтобы помочь электронным устройствам выполнять свои задачи. Одним из наиболее широко известных и часто используемых логических чипов является ЦП или центральный процессор.

Микросхемы памяти, с другой стороны, хранят информацию и бывают двух типов — флэш-память NAND и микросхемы «рабочей памяти», известные как DRAM.

Спрос на микрочипы настолько высок, что в настоящее время существует огромная проблема с поставками, вызывающая длительные сроки изготовления и проблемы с доступностью в электронной промышленности.

Применение полупроводников

Полупроводники используются почти во всех секторах электроники.

Бытовая электроника: Мобильные телефоны, ноутбуки, игровые приставки, микроволновые печи и холодильники работают с использованием полупроводниковых компонентов, таких как интегральные микросхемы, диоды и транзисторы. Высокий спрос на эти устройства является одной из причин того, что в настоящее время существует такое длительное время ожидания для многих бытовых электронных устройств.

Встроенные системы: Встроенные системы — это небольшие компьютеры, являющиеся частью более крупной машины. Они могут управлять устройством и разрешать взаимодействие с пользователем. Встроенные системы, которые мы обычно используем, включают системы центрального отопления, цифровые часы, системы GPS, фитнес-трекеры, телевизоры и системы управления двигателем в транспортных средствах.