Site Loader
Posted on 20.11.2020

Содержание

КТ814 — биполярный кремниевый PNP транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом


Основные технические параметры транзистора КТ814

ПриборПредельные параметрыПараметры при T = 25°CRТ п-к, °C/Вт
  при T = 25°C            
IК,
max, ампер		IК и,
max, ампер		UКЭ0 гр, вольтUКБ0 max, вольтUЭБ0 max, вольтPК max, ваттTК, °CTп max, °CTК max, °Ch21ЭUКБ, ВIЭ, АUКЭ нас
, В		IКБ0, мАfгр, МГцКш, дБCК, пФCЭ, пФtвкл, мксtвыкл, мкс
КТ814 А1,5325 510251251004020,150,60,053 6075  10
КТ814 Б1,5340 510251251004020,150,60,05
3		 6075  10
КТ814 В1,5360 510251251004020,150,60,053 6075  10
КТ814 Г1,5380 510251251003020,150,60,053 6075  10
 

Обозначение на схеме КТ814

Цоколёвка транзистора КТ814

Внешний вид транзистора на примере КТ814Г

Транзистор кт814 аналоги советские — Морской флот

КТ814 – биполярные транзисторы p-n-p большой мощности (Pк max > 1,5 Вт) низкой частоты (Fгр ≤ 3 МГц). Применяются в линейных и ключевых схемах, узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Аналог КТ814

  • Прототип КТ814 Б — BD136
  • Прототип КТ814 В — BD138
  • Прототип КТ814 Г — BD140

Особенности

  • Максимально допустимая температура корпуса — 100 °C
  • Комплиментарная пара – КТ815

Корпусное исполнение

Транзистор кт814 аналоги советские

  • пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126)

Цоколевка КТ814 (корпус КТ-27)

Характеристики транзистора КТ814

Предельные параметры КТ814

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IK max):

  • КТ814А, Б, В, Г — 1,5 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IK, и max):

  • КТ814А, Б, В, Г — 3 А

Граничное напряжение (UKЭ0 гр):

  • КТ814А — 25 В
  • КТ814Б — 40 В
  • КТ814В — 60 В
  • КТ814Г — 80 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max):

  • КТ814А, Б, В, Г — 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PK max) при температуре корпуса 25° C:

  • КТ814А, Б, В, Г — 10 Вт

Максимально допустимая температура перехода (Тп max):

  • КТ814А, Б, В, Г — 125° C
Значения параметров КТ814 при Тперехода=25 o С

Статический коэффициент передачи тока (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-база (UКБ) 2 В, при постоянном токе эмиттера (IЭ) 0,15 А:

  • КТ814А, Б, В — 40
  • КТ814Г — 30

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)

  • КТ814А, Б, В, Г — 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (IКБО)

  • КТ814А, Б, В, Г — 0,05 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

  • КТ814А, Б, В, Г — 3 МГц

Емкость коллектоpного перехода (CК)

  • КТ814А, Б, В, Г — 60 пф

Емкость эмиттеpного перехода (CЭ)

  • КТ814А, Б, В, Г — 75 пф

Тепловое сопротивление переход-корпус (RТп-к)

  • КТ814А, Б, В, Г — 10° С/Вт

— дополнительная информация.

Транзисторы КТ814

Т ранзисторы КТ814 — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — p-n-p.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 0,7 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ814 цифра 4, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ814.

Транзистор кт814 аналоги советские

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ814А, КТ814Б, КТ814В — от 40
У транзисторов КТ814Г — 30

Граничная частота передачи тока. — 3МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов КТ814А — 25 в.
У транзисторов КТ814Б — 40 в.
У транзисторов КТ814В — 60 в.
У транзисторов КТ814Г — 80 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный). У всех транзисторов КТ814 — 1,5 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А — 0,6 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А — 1,2 в.

Рассеиваемая мощность коллектора. — 10 Вт(с радиатором).

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 40в и температуре окружающей среды не превышающей +25 по Цельсию не более — 50 мкА.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5в при частоте 465 КГц не более — 75 пФ.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-эмиттер 5в при частоте 465 КГц не более — 60 пФ.

Транзистор комплементарный КТ814 — КТ815.

Транзисторы КТ827

Транзисторы КТ827 — кремниевые, мощные, низкочастотные,составные(схема Дарлингтона) структуры — n-p-n.
Корпус металло-стекляный(ТО-3). Применяются в усилительных и генераторных схемах.

Внешний вид и расположение выводов на рисунке:

Транзистор кт814 аналоги советские

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — У транзисторов КТ827А — от 500 до 18000.
У транзисторов КТ827Б, КТ827В — от 750 до 18000.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ827А — 100в.
У транзисторов КТ827Б — 80в.
У транзисторов КТ827В — 60в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 10А и базовом 40мА до 2-х в, при типовом значении — 1,75в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 10 А и базовом 200мА до — 4-х в, при типовом значении — 3 в.

Максимальный ток коллектора — 20 А.

Рассеиваемая мощность коллектора — 125 Вт(с радиатором).

Граничная частота передачи тока — 4МГц.

Обратный ток коллектор-эмиттер при сопротивлении база-эмиттер 1кОм и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более — 3 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в не более — 2 мА.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении база-эмиттер 5в — не более 350 пФ.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10в не более — 400 пФ.

Транзистор комплементарный КТ827 — КТ825.

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее.
Транзисторы КТ814 можно найти в магнитофонах — «Весна 205-1», «Вильма 204 стерео», Маяк 240С-1, Маяк 233, Ореанда 204С и. т. д.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Транзистор кт814 аналоги советскиеКТ814 — кремниевый биполярный p-n-p транзистор низкочастотный средней мощности, в пластмассовом корпусе TO-126, либо в корпусе D-PAK для поверхностного монтажа (в наименовании суффикс 9, например, КТ814А9).

Назначение: КТ814 -транзистор широкого применения для использования в ключевых и линейных схемах.

Типы: КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г

Комплементарная пара: КТ815 (npn транзистор с такими же характеристиками)

Аналог: BD136, BD138, BD140

Цоколевка КТ814: Э-К-Б , смотри рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Цена КТ814: вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)

Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)

Основные характеристики транзисторов КТ814:

Подробные параметры КТ814 и многих других отечественных транзисторов приведены в справочнике мощных транзисторов

ПараметрыРежим измерения параметраMin (минимальное значение параметра)Max (максимальное значение параметра)
Статический коэффициент передачи тока КТ814(А-Г)Uкб=2B, Iэ=0.15A40275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ814(А-Г)Iк=0.5А, Iб=0.05A0.6В

Предельные параметры транзисторов КТ814:

Постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp
КТ814А
КТ814Б
КТ814В
КТ814Г		Rэб ≤ 100Ом40В
50В
70В
100В
Напряжение эмиттер-база (обратное)5В
Постоянный ток коллектора КТ8141.5А
Импульсный ток коллектораtи ≤ 10 мс, Т/tи≥1003А
Максимально допустимый постоянный ток базы0.5А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектораТк ≤ 50 °С10Вт
Температура перехода-60+150

аналоги отечественные, характеристики транзистора, микросхема, даташит, аналог

Аналоги (замены) транзистора КТ814:

↓ Type Mat Struct Pc Uce Ueb Ic Tj Ft Cc Hfe
2N5153 Si PNP12,0080,005,005,00200,00560,0070,00
2N5153-220M Si PNP10,0080,005,005,00200,00560,0070,00
2N5153S Si PNP10,0080,005,005,00200,00560,0070,00
2N5153SM Si PNP10,0080,005,005,00200,00560,0070,00
2N5153SMD Si PNP10,0080,005,0060,0070,00
2N5605 Si PNP25,0060,005,005,00200,0070,0070,00
2N5609 Si PNP25,0080,005,005,00200,0060,0070,00
2N5613 Si PNP50,0060,005,005,00200,0070,0070,00
2N5617 Si PNP50,0080,005,005,00200,0060,0070,00
2N5621 Si PNP100,0060,005,0010,00200,0040,0070,00
2N5625 Si PNP100,0080,005,0010,00200,0040,0070,00
2N6648 Si PNP70,0040,005,0015,00200,0020,001000,00
2N6649 Si PNP70,0060,005,0015,00200,0020,001000,00
2N6650 Si PNP70,0080,005,0015,00200,0020,001000,00
2N6666 Si PNP65,0040,005,0015,00
150,00		20,001000,00
2N6667 Si PNP65,0060,005,0015,00150,0020,001000,00
2N6668 Si PNP65,0080,005,0015,00150,0020,001000,00
2N7371 Si PNP100,00100,005,0012,00175,001000,00
2SA1045 Si PNP100,00100,005,0010,00175,0060,003500,00
2SA1046 Si PNP100,00100,005,0015,00150,0060,003500,00
2SA1129 Si PNP40,007,00150,0080,00
2SA1147 Si PNP150,00180,005,0015,00150,0060,00120,00
2SA1180 Si PNP80,00150,005,0015,00175,0060,00
2SA1180A Si PNP80,00
200,00		5,0015,00150,0060,00
2SA1195 Si PNP10,0040,005,003,00150,0050,0035,0080,00
2SA1227A Si PNP120,0012,00175,0060,0012,00120,00
2SA1232 Si PNP100,0010,00175,0060,00200,00
2SA1258 Si PNP20,0060,005,003,00175,00200,006000,00
2SA1279 Si PNP25,0050,005,00175,0060,00150,00
2SA1292 Si PNP80,0060,005,0015,00175,00100,0070,00
2SA1292Q Si PNP80,0060,005,0015,00175,00100,0070,00
2SA1292R Si PNP80,0060,005,0015,00175,00100,00100,00
2SA1292S Si PNP80,0060,005,0015,00175,00100,00140,00
2SA1293 Si PNP30,0080,007,005,00150,0030,0070,00
2SA1293O Si PNP30,0080,007,005,00150,0030,0070,00
2SA1293Y Si PNP30,0080,007,005,00150,0030,00120,00
2SA1328 Si PNP40,0050,006,0012,00175,0070,00
70,00
2SA1328O Si PNP40,0050,006,0012,00175,0070,0070,00
2SA1328Y Si PNP40,0050,006,0012,00175,0070,00120,00
2SA1329 Si PNP40,0080,006,0012,00150,0050,0070,00
2SA1329O Si PNP40,0080,006,0012,00150,0050,0070,00
2SA1329Y Si PNP40,0080,006,0012,00150,0050,00120,00
2SA1333 Si PNP150,0015,00150,0030,0090,00
2SA1355 Si PNP30,004,00150,0040,0070,00
2SA1359 Si PNP10,0040,005,003,00150,00100,0035,0070,00
2SA1359O Si PNP10,0040,005,003,00150,00100,0035,0070,00
2SA1359Y Si PNP10,0040,005,003,00150,00100,0035,00120,00
2SA1385 Si PNP10,005,00150,0060,00
2SA1385-Z Si PNP10,0060,007,005,00150,00140,00100,00
2SA1394 Si PNP25,005,00150,00120,00
2SA1444 Si PNP30,0015,00175,0060,00
2SA1469 Si PNP20,0060,005,005,00150,00100,0070,00
2SA1469Q Si PNP20,0060,005,005,00150,00100,0070,00
2SA1469R Si PNP20,0060,005,005,00150,00100,00100,00
2SA1469S Si PNP20,0060,005,005,00150,00100,00140,00
2SA1470 Si PNP25,0060,005,007,00150,00100,0070,00
2SA1470Q Si PNP25,0060,005,007,00150,00100,0070,00
2SA1470R Si PNP25,0060,005,007,00150,00100,00100,00
2SA1470S Si PNP25,0060,005,007,00150,00100,00140,00
2SA1471 Si PNP30,0060,005,0012,00150,00100,0070,00
2SA1471Q Si PNP30,0060,005,0012,00150,00100,0070,00
2SA1471R Si PNP30,0060,005,0012,00150,00100,00100,00
2SA1471S Si PNP30,0060,005,0012,00150,00100,00140,00
2SA1489 Si PNP60,006,00175,0020,00250,00
2SA1490 Si PNP80,008,00175,0020,0080,00
2SA1491 Si PNP100,0010,00175,0020,0060,00
2SA1500 Si PNP40,005,00150,00300,00
2SA1501 Si PNP40,005,00175,00250,00
2SA1513 Si PNP60,0015,00175,0070,00
2SA1553R Si PNP150,00230,006,0015,00175,0025,0025,0080,00
2SA1599 Si PNP25,0060,005,0010,00175,00150,00
2SA1600 Si PNP30,0060,005,0012,00175,0090,00
2SA1601 Si PNP45,0060,005,0015,00175,0090,00
2SA1643 Si PNP25,0050,005,005,00175,0075,0080,00
2SA1644 Si PNP30,00120,005,005,00170,00120,00
2SA1645 Si PNP35,00120,005,007,00175,0080,00
2SA1646 Si PNP40,00120,005,0010,00175,0090,00
2SA1679 Si PNP25,0040,007,005,0050,0070,00
2SA1714 Si PNP12,00100,008,003,00150,002000,00
2SA1718 Si PNP20,00100,007,005,002000,00
2SA1720 Si PNP25,00100,008,0010,00150,00100,004000,00
2SA1726 Si PNP50,006,00175,0020,00160,00
2SA1757 Si PNP25,0060,005,005,0080,00160,00
2SA1758 Si PNP30,0060,005,0012,0090,0060,00
2SA1788 Si PNP80,00120,005,008,0060,00
2SA1789 Si PNP80,0060,005,0012,0060,00
2SA1795 Si PNP10,0040,007,005,00150,0050,0070,00
2SA1796 Si PNP10,0040,007,007,00150,0050,0070,00
2SA1869 Si PNP10,0050,005,003,00150,00100,0035,0070,00
2SA1876 Si PNP10,0080,007,003,00150,0050,0070,00
2SA1877 Si PNP10,0080,007,003,00150,0050,0070,00
2SA1878 Si PNP25,0080,007,005,0050,0070,00
2SA1879 Si PNP25,0080,007,007,0050,0070,00
2SA1880 Si PNP25,0080,007,0010,0050,0070,00
2SA1988 Si PNP100,00200,005,007,0040,0070,00
2SA2004 Si PNP20,0060,005,008,00150,00100,00
2SA2022 Si PNP18,0050,006,007,00150,00290,0050,00150,00
2SA2023 Si PNP10,0060,005,005,00150,00100,00110,00
2SA2031 Si PNP140,00230,006,0015,0010,0060,00
2SA2037 Si PNP10,0050,006,007,00150,00290,0050,00150,00
2SA2039 Si PNP15,0050,006,005,00150,00360,0024,00200,00
2SA2039-TL-E Si PNP15,0050,006,005,00150,00360,0024,00200,00
2SA2040 Si PNP15,0050,006,008,00150,00290,0050,00200,00
2SA2057 Si PNP20,0060,006,003,00150,0090,00120,00
2SA2064 Si PNP25,0050,006,0010,00150,00200,00
2SA2067 Si PNP15,0060,006,003,00150,0090,00120,00
2SA2074 Si PNP15,0080,006,003,00150,00100,0080,00
2SA2075 Si PNP15,0080,006,003,00150,00100,0080,00
2SA2097 Si PNP20,0050,007,005,00150,00200,00

Биполярный транзистор KT814 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT814

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ814В обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Значения параметров КТ814 при Тперехода=25oС

Статический коэффициент передачи тока (h31Э) при постоянном напряжении коллектор-база (UКБ) 2 В, при постоянном токе эмиттера (IЭ) 0,15 А:

  • КТ814А, Б, В — 40
  • КТ814Г — 30

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)

  • КТ814А, Б, В, Г — 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (IКБО)

  • КТ814А, Б, В, Г — 0,05 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

  • КТ814А, Б, В, Г — 3 МГц

Емкость коллектоpного перехода (CК)

  • КТ814А, Б, В, Г — 60 пф

Емкость эмиттеpного перехода (CЭ)

  • КТ814А, Б, В, Г — 75 пф

Тепловое сопротивление переход-корпус (RТп-к)

  • КТ814А, Б, В, Г — 10° С/Вт

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: 2N5153

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: TO39

Наименование производителя: 2N5153-220M

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: TO252

Наименование производителя: 2N5153S

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: TO39

Наименование производителя: 2N5153SM

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: TO252

Наименование производителя: 2N5153SMD

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: TO-276AB

Автор: Редакция сайта

Транзисторы КТ816, КТ812(2Т812) — маркировка и цоколевка.

Транзисторы КТ812

Транзисторы КТ812 — кремниевые, усилительные мощные низкочастотные, структуры n-p-n.
Предназначались для работы в схемах строчной развертки телевизоров и мониторов, в импульсных и ключевых схемах(приводы электрических машин, исполнительные электромеханизмы). Корпус металло-стеклянный с жесткими выводами(ТО-3).
Цоколевка КТ812 — на рисунке ниже.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока
У транзисторов 2Т812А и 2Т812Б от 5 до 30(типовое значение — 15)
У транзисторов КТ812А и КТ812Б от 4
У транзисторов КТ812В от 10 до 125 (типовое значение — 80)

Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер:
700в, — у КТ812А, КТ812Б, КТ812В, 2Т812А.
500в — у 2Т812Б.
300в — у КТ812В.

Максимальный постоянный ток коллектора:
10А. — у транзисторов 2Т812А, 2Т812Б.
8А. — у транзисторов КТ812А, КТ812Б, КТ812В.

Максимальный импульсный ток коллектора:
17А. — у транзисторов 2Т812А, 2Т812Б.
12А. — у транзисторов КТ812А, КТ812Б, КТ812В.

Рассеиваемая мощность коллектора(с теплоотводом). —50 Вт.

Граничная частота передачи тока — 3 МГц.

Обратный ток колектора. При напряжении коллектор-база 700 в у транзисторов 2Т812А, КТ812А — 5 мА, при температуре окружающей среды + 25 по Цельсию.
При напряжении коллектор-база 500 в у транзисторов 2Т812Б, КТ812Б — 5 мА, при температуре окружающей среды + 25 по Цельсию.
При напряжении коллектор-база 300 в у транзисторов КТ812В — 5 мА, при температуре окружающей среды + 25 по Цельсию.

Обратный ток эмиттера. При напряжении эмиттер-база 6 в у транзисторов 2Т812А,2Т812Б — 50 мА.
При напряжении эмиттер-база 7 в у транзисторов КТ812А, КТ812Б, КТ812В — 150 мА.

Емкость коллекторного перехода при частоте 465 кГц
при напряжении коллектор-база 100 в — 70 — 150 пФ.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ812

КТ812А — 2N5240
КТ812Б — 2N5239
КТ812В — BDY25


На главную страницу
В начало

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *