Тиристоры КУ202 основные характеристики и цоколевка
| Параметр | Обозначение | Еди- ница | Тип тиристора | |||
| КУ202А | КУ202Б | КУ202В | КУ202Г | |||
| Постоянный ток в закрытом состоянии | Iз. с | мА | 10 | 10 | 10 | 10 |
| Постоянный обратный ток при Uобр max | Iобр | мА | 10 | 10 | 10 | 10 |
| Отпирающий постоянный ток управления | Iу. от | мА | 200 | 200 | 200 | 200 |
| Отпирающее постоянное напряжение управления | Uу. от | В | 7 | 7 | 7 | 7 |
| Напряжение в открытом состоянии | В | 1,5 | 1,5 | 1,5 | 1,5 | |
| Неотпирающее постоянное напряжение управления | Uу. нот | В | 0,2 | 0,2 | 0,2 | 0,2 |
| Время включения | tвкл | мкс | 10 | 10 | 10 | 10 |
| Время выключения | tвыкл | мкс | 150 | 150 | 150 | 150 |
| Предельно допустимые параметры | ||||||
| Постоянное напряжение в закрытом состоянии | U | В | 25 | 25 | 50 | 50 |
| Постоянное обратное напряжение | Uобр max | В | — | — | — | — |
| Постоянное обратное напряжение управления | Uу. обр max | В | 10 | 10 | 10 | 10 |
| Минимальное прямое напряжение в закрытом состоянии | Uз. с min | В | — | — | — | — |
| Постоянный ток в открытом состоянии | А | 10 | 10 | 10 | 10 | |
| Импульсный ток в открытом состоянии | Iос. и min | А | 50 | 50 | 50 | 50 |
| Постоянный прямой ток управления | Iу max | А | — | — | — | — |
| Импульсная рассеиваемая мощность УЭ | Pу. и max | Вт | — | — | — | — |
| Средняя рассеиваемая мощность | Pср max | Вт | 20 | 20 | 20 | 20 |
| Максимальная температура окружающей среды | Tmax | °С | +85 | +85 | +85 | +85 |
| Минимальная температура окружающей среды | Tmin | °С | -60 | -60 | -60 | -60 |
| Параметр | Обозначение | Еди- ница | Тип тиристора | |||
| КУ202Д | КУ202Е | КУ202Ж | КУ202И | |||
| Постоянный ток в закрытом состоянии | Iз. с | мА | 10 | 10 | 10 | 10 |
| Постоянный обратный ток при Uобр max | Iобр | мА | 10 | 10 | 10 | 10 |
| Отпирающий постоянный ток управления | Iу. от | мА | 200 | 200 | 200 | 200 |
| Отпирающее постоянное напряжение управления | Uу. от | В | 7 | 7 | 7 | 7 |
| Напряжение в открытом состоянии | Uос | В | 1,5 | 1,5 | 1,5 | 1,5 |
| Неотпирающее постоянное напряжение управления | Uу. нот | В | 0,2 | 0,2 | 0,2 | 0,2 |
| Время включения | tвкл | мкс | 10 | 10 | 10 | 10 |
| Время выключения | tвыкл | мкс | 150 | 150 | 150 | 150 |
| Предельно допустимые параметры | ||||||
| Постоянное напряжение в закрытом состоянии | Uз. | В | 120 | 120 | 10 | 10 |
| Постоянное обратное напряжение | Uобр max | В | — | — | 240 | 240 |
| Постоянное обратное напряжение управления | Uу. обр max | В | 10 | 10 | — | — |
| Минимальное прямое напряжение в закрытом состоянии | Uз. с min | В | — | — | — | — |
| Постоянный ток в открытом состоянии | А | 10 | 10 | 10 | 10 | |
| Импульсный ток в открытом состоянии | Iос. и min | А | 50 | 50 | 50 | 50 |
| Постоянный прямой ток управления | Iу max | А | — | — | — | — |
| Импульсная рассеиваемая мощность УЭ | Pу. и max | Вт | — | — | — | — |
| Средняя рассеиваемая мощность | Вт | 20 | 20 | 20 | 20 | |
| Максимальная температура окружающей среды | Tmax | °С | +85 | +85 | +85 | +85 |
| Минимальная температура окружающей среды | Tmin | °С | -60 | -60 | -60 | -60 |
| Параметр | Обозначение | Еди- ница | Тип тиристора | |||
| КУ202К | КУ202Л | КУ202М | КУ202Н | |||
| Постоянный ток в закрытом состоянии | Iз. с | мА | 10 | 10 | 10 | 10 |
| Постоянный обратный ток при Uобр max | Iобр | мА | 10 | 10 | 10 | 10 |
| Отпирающий постоянный ток управления | Iу. от | мА | 200 | 200 | 200 | 200 |
| Отпирающее постоянное напряжение управления | Uу. от | В | 7 | 7 | 7 | |
| Напряжение в открытом состоянии | Uос | В | 1,5 | 1,5 | 1,5 | 1,5 |
| Неотпирающее постоянное напряжение управления | Uу. нот | В | 0,2 | 0,2 | 0,2 | 0,2 |
| Время включения | tвкл | мкс | 10 | 10 | 10 | 10 |
| Время выключения | tвыкл | мкс | 150 | 150 | 150 | 150 |
| Предельно допустимые параметры | ||||||
| Постоянное напряжение в закрытом состоянии | Uз. с max | В | 10 | 10 | 10 | 10 |
| Постоянное обратное напряжение | Uобр max | В | 360 | 360 | 480 | 480 |
| Постоянное обратное напряжение управления | Uу. обр max | В | — | — | — | — |
| Минимальное прямое напряжение в закрытом состоянии | Uз. с min | В | — | — | — | — |
| Постоянный ток в открытом состоянии | Iос min | А | 10 | 10 | 10 | 10 |
| Импульсный ток в открытом состоянии | Iос. и min | А | 50 | 50 | 50 | 50 |
| Постоянный прямой ток управления | Iу max | А | — | — | — | — |
| Импульсная рассеиваемая мощность УЭ | Pу. и max | Вт | — | — | — | — |
| Средняя рассеиваемая мощность | Pср max | Вт | 20 | 20 | 20 | 20 |
| Максимальная температура окружающей среды | Tmax | °С | +85 | +85 | +85 | +85 |
| Минимальная температура окружающей среды | Tmin | °С | -60 | -60 | -60 | -60 |
Поиск по сайту Новости Миниатюрные одноваттные светодиоды XNOVA Cube с широким углом излучения | ГЛАВНАЯ » ДИОДЫ » КУ202 КУ202 — триодный, диффузионно-планарный, кремниевый тиристор, структуры p-n-p-n, незапираемый. Используется как переключающий элемент узлов аппаратуры, где необходима коммутация значительных напряжений небольшими управляющими напряжениями. КУ202 : электрические параметры
КУ202 : цоколёвка
КУ202 : предельные характеристики тиристоров
При эксплуатации тиристоров КУ202 между катодом и управляющим электродом должен быть включён шунтирующий резистор сопротивлением 51 Ом. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Имеет металлостеклянный корпус и жёсткие выводы. Тип тиристора КУ202 нанесён на его корпус. Вес — не более 14 г. (со всеми комплектующими — 18 г.)
..+75°CИммуноопосредованные некротизирующие миопатии и интерстициальные заболевания легких являются преобладающими характеристиками у анти-Ku-позитивных пациентов с идиопатическими воспалительными миопатиями
Текст статьи
Меню статьи
- Статья
Текст - Артикул
информация - Цитата
Инструменты - Поделиться
- Быстрое реагирование
- Артикул
метрика - Оповещения
На эту статью есть ответ.
Пожалуйста, смотрите:- Ответ на: «Иммуноопосредованные некротизирующие миопатии и интерстициальное заболевание легких являются преобладающими характеристиками анти-Ku-позитивных пациентов с идиопатическими воспалительными миопатиями» Yang et al. — 01 марта 2022 г.
Корреспонденция
Иммуноопосредованные некротизирующие миопатии и интерстициальные заболевания легких являются преобладающими характеристиками у анти-Ku-позитивных пациентов с идиопатическими воспалительными миопатиями
- http://orcid.org/0000-0003-2324-3921Hongxia Yang1,2,
- Wenli Li1,
- Xiaolan Tian1,
- Guochun Wang1,
- Xiaoming Shu1,
- Qinglin Peng1,
- Синь Лу1
- 1 Отделение ревматологии, Госпиталь китайско-японской дружбы, Пекин, Китай
- 2 Китайско-японская школа клинической медицины при Пекинском университете, Пекин, Китай
- Соответствие
профессор Синь Лу, отделение ревматологии, Госпиталь китайско-японской дружбы, Пекин 10029, Китай; luxin_n{at}163.
com
comhttp://dx.doi.org/10.1136/annrheumdis-2020-217096
Статистика с сайта Altmetric.com
Запросить разрешения
приведет вас к службе RightsLink Центра защиты авторских прав. Вы сможете получить быструю цену и мгновенное разрешение на повторное использование контента различными способами.
- полимиозит
- аутоантитела
- легочный фиброз
Мы читали интересное исследование Spielmann et al. заболевания (CTDs): анти-Ku-положительные пациенты с повышенным уровнем сывороточной креатинкиназы (CK) имели высокий риск развития интерстициальных заболеваний легких (ILD), в то время как анти-Ku-положительные пациенты с антидвухцепочечной ДНК имели высокий риск развития гломерулонефрита.1 Аутоантитела против Ku связаны с различными ЗСТ, такими как системная красная волчанка, системный склероз, идиопатические воспалительные миопатии (ИВМ), смешанные ЗСТ, синдром Шегрена и ревматоидный артрит. Тем не менее, несколько исследований были сосредоточены на отличительных особенностях, особенно на патологических особенностях пациентов с IIM с изолированным анти-Ku и анти-Ku сосуществованием с миозит-специфическими аутоантителами (MSA).
Здесь мы ретроспективно исследовали характеристики 1214 пациентов с ИИМ с анти-Ku аутоантителами, все из которых соответствовали критериям Бохана и Питера для ИИМ и были госпитализированы в отделение ревматологии Китайско-японской больницы дружбы с января 2008 года по июль 2019 года. Аутоантитела Ku были выявлены с помощью линейного иммуноанализа (EUROLINE, Германия) и ИФА (Enzyme-linked Biotechnology, Китай) в сыворотке крови 156 пациентов с антиядерными антителами с титрами ≥1/160, показывающими мелкую крапчатость при иммунофлуоресцентном анализе HEp- 2 клетки. Наконец, у 21 пациента была подтверждена анти-Ku-позитивность с помощью линейного иммуноанализа и анализа ELISA. В то же время уровни MSA и аутоантител к 3-гидрокси-3-метилглутарил-КоА-редуктазе в сыворотке анти-Ku-положительных пациентов измеряли с помощью линейного иммуноанализа (EUROLINE, Германия) и анализа ELISA (Raybiotech, Китай). Мышечная биопсия была выполнена у 13 из 21 анти-Ku-позитивного пациента.
Частота аутоантител против Ku составила 1,73% в нашей когорте IIM.
Двадцать из 21 пациента были женщины. Средний возраст начала заболевания составил 42,60±14,35 года. У восьми пациентов был диагностирован дерматомиозит (ДМ), у 11 — полимиозит (ПМ) и у двух — перекрывающийся ССД. У одиннадцати пациентов (52,4%) были обнаружены изолированные анти-Ку-антитела, у остальных (47,6%) — одновременное наличие анти-Ку-антител и МСА. Вовлечение кожи было менее частым среди пациентов с изолированным анти-Ku, чем среди пациентов с сосуществованием анти-Ku и MSA (18,2% против 70%, p = 0,03). ИЗЛ проявлялась у 76,2% пациентов с анти-Ku-позитивным ИИМ, что согласуется с высокой частотой ИЗЛ, о которой сообщалось в предыдущих исследованиях. сосуществования с MSA, у пациентов с изолированным анти-Ku средний процент прогнозируемого значения для FVC и DLco был ниже, чем у пациентов с сосуществованием анти-Ku и MSA (74,05% ± 12,84% против 9).3,21±18,54% и 59,61±15,41% против 76,03±14,15%, р=0,035 и 0,049 соответственно). Повышенный уровень КК наблюдался у 90,9% (10/11) пациентов с изолированным анти-Ку и у 50% (5/10) с сосуществованием анти-Ку и МСА (табл.
1).
Таблица 1
Характеристики анти-Ku-позитивных пациентов с ИВМ
В предыдущих исследованиях с участием французских и японских когорт гистопатологические показатели скелетно-мышечной системы были описаны только у 22 ИВМ-пациентов с анти-Ку-позитивным.3-5 Основными патологическими признаками были некроз мышечных волокон (18/22, 81,8%) и экспрессия главного комплекса гистосовместимости (MHC) класса I (16/19)., 84,2%). В нашей когорте 6 из 7 пациентов с изолированным анти-Ku имели типичные патологические признаки, подобные иммуноопосредованной некротизирующей миопатии (IMNM), с преимущественно некротическими мышечными волокнами и эндомизиальной инфильтрацией CD68 + макрофагами в соответствии с Европейским нервно-мышечным центром 2017 г. (ENMC). ) критерии для IMNM.6 Однако у 1 из 6 пациентов с сосуществованием анти-Ku и MSA были типичные патологические признаки IMNM. Классический патологический СД, такой как перифасцикулярная атрофия и нормальная патологическая активность, наблюдались у анти-TIF1γ- и анти-MDA5-положительных пациентов соответственно.
Кроме того, у 1 пациента с сосуществованием анти-Ku и анти-Jo-1 был диагностирован неспецифический миозит в соответствии с классификационными критериями ENMC 2004 г. для IIM (таблица 1, рисунок 1)7.
Рисунок 1
Окрашивание гематоксилин-эозином и иммуногистохимия образцов мышц у анти-Ku-позитивных пациентов с идиопатической воспалительной миопатией (ИВМ). A-C, F Пациент IIM с изолированным анти-Ku: некроз мышечных волокон, миофагоцитоз и регенерация (A), экспрессия MHC-I сарколеммы (B), CD68 + клеток, рассеянная эндомизиальная инфильтрация (C), комплекс атаки сарколеммальной мембраны (C5b- 9) выражение(Ф). D-E, пациент с дерматомиозитом с анти-Ku-сосуществованием анти-TIF1γ: перифасцикулярная атрофия (D), сарколеммальная экспрессия MHC-I в перифасцикулярных мышечных волокнах (E).
В заключение, наличие анти-Ku аутоантител среди пациентов с ИИМ встречается редко. Сопутствующая ИЗЛ и повышенный уровень КК являются общими чертами анти-Ku-позитивных пациентов.
Однако клинические и патологические характеристики различаются у пациентов с изолированным анти-Ku и у пациентов с сосуществованием анти-Ku и MSA. Кожная сыпь чаще встречается у пациентов с сосуществованием анти-Ku и MSA, в то время как тяжелые ИЗЛ и ИМНМ часто встречаются у пациентов с изолированным анти-Ku. Необходимы дальнейшие исследования характеристик анти-Ku-позитивного ИВМ с использованием более крупных когорт.
Ссылки
- ↵
- Шпильманн Л. ,
- Неспола Б ,
- Северак Ф. , и другие
. Анти-Ку-синдром с повышенным уровнем КФК и анти-Ку-синдром с анти-дцДНК представляют собой два разных состояния с разными исходами. Энн Реум Дис 2019;78:1101–6.doi:10.1136/annrheumdis-2018-214439
- ↵
- Огава-Момохара М. ,
- Муро Ю ,
- Акияма М
. Совпадение системной красной волчанки и миозита редко встречается у пациентов с положительным результатом на антитела к Ku.
Энн Реум Дис 2021;80:e147. doi: 10.1136 / annrheumdis-2019-216375
пмид: http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31604706 - ↵
- Риголет А ,
- Мюссе Л ,
- Дюбур О , и другие
. Воспалительные миопатии с антителами против Ku: прогноз, зависящий от сопутствующего заболевания легких. Медицина 2012;91:95–102.doi:10.1097/MD.0b013e31824d9cec
- ↵
- Фернандес С ,
- Бардин Н ,
- Де Паула AM , и другие
. Соотношение клинико-серологических и патологоанатомических классификаций воспалительных миопатий: изучение 178 случаев и рекомендации по диагностике. Медицина 2013;92:15–24.doi:10.1097/MD.0b013e31827ebba1
- ↵
- Сузуки С ,
- Йонекава Т ,
- Кувана М , и другие
.
Клинические и гистологические данные, связанные с аутоантителами, обнаруженными методом иммунопреципитации РНК при воспалительных миопатиях. J Нейроиммунол 2014;274:202–8.doi:10.1016/j.jneuroim.2014.07.006 - ↵
- Алленбах Ю. ,
- Маммен А.Л. ,
- Бенвенист О , и другие
. 224-й международный семинар ENMC: клинико-серопатологическая классификация иммуноопосредованных некротизирующих миопатий Зандвоорт, Нидерланды, 14-16 октября 2016 г. Нервно-мышечное расстройство 2018;28:87–99.doi:10.1016/j.nmd.2017.09.016
- ↵
- Хогендайк Дж. Э. ,
- Амато АА ,
- Леки Б.Р. , и другие
. 119-й международный семинар ENMC: дизайн исследования идиопатических воспалительных миопатий у взрослых, за исключением миозита с тельцами включения, 10–12 октября 2003 г.
, Наарден, Нидерланды. Нервно-мышечное расстройство 2004;14:337–45.doi:10.1016/j.nmd.2004.02.006
Энн Реум Дис 2021;80:e147. doi: 10.1136 / annrheumdis-2019-216375
пмид: http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31604706 
Клинические и гистологические данные, связанные с аутоантителами, обнаруженными методом иммунопреципитации РНК при воспалительных миопатиях. J Нейроиммунол 2014;274:202–8.doi:10.1016/j.jneuroim.2014.07.006 
, Наарден, Нидерланды. Нервно-мышечное расстройство 2004;14:337–45.doi:10.1016/j.nmd.2004.02.006 Сноски
Авторы HY. Ян собрал и проанализировал данные, составил рукопись; X. Лу разработал гипотезу, проанализировал данные, критически пересмотрел рукопись и дал окончательное одобрение; ГК. Ван, исправил рукопись; ВЛ. Ли, XL. Тиан, ХМ. Шу, QL. Пэн собрал и интерпретировал данные. Все авторы читали и одобрили окончательный вариант рукописи.
Финансирование Это исследование было поддержано фондом Пекинской муниципальной комиссии по науке и технологиям (Z171100001017208).
Конкурирующие интересы Не заявлено.
Участие пациентов и общественности Пациенты и/или общественность не участвовали в планировании, проведении, отчетности или распространении планов данного исследования.
Происхождение и рецензирование Не введен в эксплуатацию; внутреннюю экспертную оценку.
Статьи по ссылкам
Прочитайте полный текст или загрузите PDF:
Подписаться
Войдите под своим именем пользователя и паролем
Для личных счетов ИЛИ менеджеров институциональных счетов
Имя пользователя *
Пароль *
Забыли данные для входа? Зарегистрировать новую учетную запись?
Забыли имя пользователя или пароль?
Патент США на гетеродин с улучшенной колебательной характеристикой Патент (Патент № 6,188,296, выдан 13 февраля 2001 г.)
ПРЕДПОСЫЛКИ ИЗОБРЕТЕНИЯ
в частности, к диэлектрическому генератору для использования в антенном блоке (малошумящий блочный преобразователь с понижением частоты, далее именуемый «LNB») для приема сигналов в диапазоне Ku или более высоких частотных диапазонах (таких как диапазон Ka).
2. Описание уровня техники
Полоса Ku в диапазоне частот приема от 10 ГГц до 13 ГГц используется для спутникового вещания и спутниковой связи.
Далее будет описана типичная система приема спутникового вещания в диапазоне Ku со ссылками на прилагаемые чертежи, на которых одни и те же ссылочные позиции представляют одинаковые или соответствующие части.
На фиг. 11, система приема спутникового вещания в диапазоне Ku разделена на наружную часть 200 и внутреннюю часть 210. Наружная часть 200 включает в себя антенну 201 и LNB 202, подключенный к ней, тогда как внутренняя часть 210 включает в себя внутренний приемник 204 и телевизор 209.. LNB 202 усиливает электрическую волну, принимаемую от антенны 201, с уменьшенным шумом и подает сигнал достаточного уровня с низким уровнем шума на внутренний приемник 204, подключенный коаксиальным кабелем 203. Внутренний приемник 204 включает в себя тюнер 205 DBS, демодулятор 206 FM, видео- и аудиосхема 207 и радиочастотный модулятор 208. Сигнал, поступающий на внутренний приемник 204 по коаксиальному кабелю 203 от LNB 202, обрабатывается этими схемами и подается на телевизор 209. Теперь будет описана CS, принимающая LNB.
Ссылаясь на фиг. 12, входящий сигнал на входной частоте в диапазоне от 12,2 ГГц до 12,75 ГГц принимается антенным зондом 251 в волноводе, усиливается малошумящей усилительной схемой, далее просто «МШУ») 252 с уменьшенным шумом, и затем пропускают через полосовой фильтр (далее просто «BPF») 253. BPF 253 позволяет пропустить желаемую полосу частот, чтобы удалить сигнал в полосе частот изображения.
Сигнал, прошедший через ППФ 253, поступает на смесительный контур (далее МИКС 254) вместе с сигналом колебаний частотой 11,2 ГГц от гетеродина (ГГ) 256 и преобразуется по частоте в сигнал в полосе промежуточных частот от 1000 до 1550 МГц при MIX 254. Результирующий сигнал усиливается схемой усиления промежуточной частоты (далее именуемой «IF AMP») 257, чтобы иметь соответствующие характеристики шума и усиления, и выводится с выходного терминала 261. Источник питания 258 является источником питания для обеспечить питанием МШУ 252, ПЧ УМП 257 и гетеродин 256.
В системе приема спутникового вещания в Ku-диапазоне, как описано выше, локальный генератор 256, используемый в LNB 202, является важной частью, которая определяет рабочие характеристики LNB 202.
Генератор с диэлектрическим резонатором (DRO), обычно называемый диэлектрическим генератором отражательного типа со стоковым заземлением используется как гетеродин 256.
При этом спутниковое вещание и связь планируется реализовать с использованием Ка-диапазона о в диапазоне частот приема от 16 ГГц до 24 ГГц.
Ссылаясь на фиг. 13, система приема спутникового вещания в диапазоне Ka, которую планируется использовать для внутренних COMETS, разделена на наружную часть 300 и внутреннюю часть 310. Наружная часть 300 включает в себя антенну 301 и LNB 302, подключенный к ней. Внутренняя часть 310 включает в себя внутренний приемник 304 и терминал 308. LNB 302 усиливает очень слабую электрическую волну, принимаемую антенной 301, с пониженным шумом, и подает сигнал достаточного уровня с уменьшенным шумом на внутренний приемник 304, подключенный коаксиальным кабелем 303. приемник 304 демодулирует входной сигнал от LNB 302, используя тюнер 305 DBS и демодулятор FM 306, и декодирует данные с помощью декодера 307 для передачи на терминал 308.
Терминал 308 может быть, например, так называемым устройством цифровой обработки, таким как персональный компьютер, телевизор комплект, модем и факс.
Ссылаясь на фиг. 14, в Ka-диапазоне приемного LNB входящий сигнал на входной частоте в диапазоне от 20,4 ГГц до 21,0 ГГц принимается антенным зондом 351 в волноводе, усиливается с пониженным шумом на LNA 352, а затем снимается с изображения. в BPF 353. Сигнал, прошедший через BPF 353, поступает в MIX 354 вместе с сигналом колебаний на частоте 18,7 ГГц от гетеродина 355. Результирующий сигнал преобразуется по частоте в MIX 354 в сигнал в промежуточном полоса частот от 1700 МГц до 2300 МГц. Затем сигнал усиливается усилителем ПЧ 357 и выводится с выходного терминала 361. Источник питания 358 представляет собой источник питания для подачи электроэнергии на МШУ 352, усилитель ПЧ 357 и локальный генератор 356.
В качестве гетеродина, используемого для приема Ка-диапазона, может использоваться схема, показанная на фиг. 15. Обращаясь к фиг.
15, гетеродин Ka-диапазона включает в себя полевой транзистор 401 и диэлектрический резонатор 402. Вывод затвора G полевого транзистора 401 соединен последовательно с линией связи 403 и чип-резистором 404 с выводом 50 Ом, другой конец которого соединен с земля.
Клемма стока D полевого транзистора 401 подключена к источнику питания постоянного тока 414 и конденсатору 405 для заземления, другой конец которого подключен к земле.
Вывод S истока полевого транзистора 401 подключен к выходному согласующему шлейфу 406, другой конец которого подключен к разделительному конденсатору 407 и индуктивности 408. Индуктивность 408 дополнительно подключена к конденсатору 409 для заземления и микросхеме резистор 410 для заземления, подключенный параллельно другому концу индуктивности 408. Другие концы конденсатора 409 для заземления и микросхемы резистора 410 для заземления соединены с землей.
Характеристики колебаний гетеродина Ka-диапазона, такие как мощность, частотно-температурный дрейф, фазовый шум и колебания нагрузки, оптимизируются в зависимости от расстояния между диэлектрическим резонатором 402 и соединительной линией 403, расстояния между диэлектрическим резонатором 402 и полевым транзистором 401 и ширина и длина выходного согласующего шлейфа 406, предусмотренного на исходном терминале S.
Гетеродины диапазона Ka или Ku особенно сложны и дороги в производстве. Это связано с тем, что проектирование схемы не обеспечивает большой гибкости и затрудняет оптимизацию характеристики колебаний. Кроме того, рисунки подложек нельзя легко изменить, как это практикуется в соответствии с обычными методами, в ответ на улучшение характеристик колебаний, обусловленное изменением конструкции.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Настоящее изобретение направлено на решение вышеописанных проблем, и одной из задач настоящего изобретения является создание гетеродина, простого в изготовлении, с уменьшенной стоимостью и способного демонстрируя стабильную колебательную характеристику.
Другой целью настоящего изобретения является создание гетеродина, способного легко изменять колебательную характеристику при изменении конструкции.
Для достижения вышеуказанных целей гетеродин в соответствии с одним аспектом настоящего изобретения включает в себя колебательный элемент, цепь смещения, один конец которой подключен к источнику питания, а другой конец подключен к стоковой клемме колебательного элемента.
, и печатную плату, на которой предусмотрены колебательный элемент и цепь смещения, причем цепь смещения включает в себя первый шлейф для заземления, высокоимпедансную линию и микросхему-конденсатор.
В соответствии с настоящим изобретением схема гетеродина может быть сформирована на одном листе печатной платы, что сокращает операцию сборки, и может быть получен гетеродин с уменьшенной стоимостью производства. Кроме того, может быть обеспечен гетеродин со стабильными колебательными характеристиками.
В соответствии с другим аспектом настоящего изобретения гетеродин включает в себя колебательный элемент и цепь смещения, один конец которой подключен к источнику питания, а другой конец подключен к клемме стока колебательного элемента, а цепь смещения включает в себя U-образная линия импеданса.
В соответствии с настоящим изобретением предоставляется гетеродин, колебательная характеристика которого может быть легко улучшена путем изменения конструкции.
В соответствии с еще одним аспектом настоящего изобретения антенный блок имеет локальный генератор, который включает в себя колебательный элемент, цепь смещения, один конец которой подключен к источнику питания, а другой конец подключен к клемме стока колебательного элемента, и печатную плату, на которой предусмотрены колебательный элемент и цепь смещения, а цепь смещения включает в себя шлейф для заземления, высокоимпедансную линию и чип-конденсатор.
В соответствии с настоящим изобретением схема антенного блока может быть сформирована на одном листе печатной платы, что сокращает операцию сборки и стоимость изготовления. Может быть обеспечен антенный блок, имеющий стабильную характеристику колебаний.
Вышеупомянутые и другие цели, особенности, аспекты и преимущества настоящего изобретения станут более очевидными из следующего подробного описания настоящего изобретения в сочетании с прилагаемыми чертежами.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
РИС. 1 представляет собой принципиальную схему гетеродина согласно первому варианту осуществления настоящего изобретения;
РИС. 2 — принципиальная схема гетеродина по первому варианту осуществления;
РИС. 3 — вид гетеродина по первому варианту осуществления;
РИС. 4 представляет собой модифицированную принципиальную схему гетеродина согласно первому варианту осуществления с использованием HEMT, имеющего вывод с одним стоком;
РИС.
5 представляет собой принципиальную схему гетеродина согласно второму варианту осуществления настоящего изобретения;
РИС. 6 — принципиальная схема гетеродина согласно второму варианту осуществления;
РИС. 7 представляет собой поперечное сечение керамической подложки с микрополосковой линией на ее верхней поверхности;
РИС. 8 представляет собой модифицированную схему схемы гетеродина согласно второму варианту осуществления с использованием HEMT, имеющего вывод с одним стоком;
РИС. 9 представляет собой увеличенную схему детали согласно третьему варианту осуществления настоящего изобретения, которая соответствует детали, обозначенной позицией 400 на фиг. 6;
РИС. 10 представляет собой увеличенную схему части модификации третьего варианта осуществления, которая соответствует части, обозначенной позицией 500 на фиг. 8;
РИС. 11 представляет собой схематическую блок-схему системы приема спутникового вещания в диапазоне Ku;
РИС. 12 представляет собой принципиальную блок-схему LNB для приема в Ku-диапазоне;
РИС.
13 — схематическая блок-схема системы приема спутникового вещания в диапазоне Ка;
РИС. 14 представляет собой схематическую блок-схему LNB для приема в Ka-диапазоне; и
РИС. 15 представлена схема схемы, которую можно использовать в качестве гетеродина для использования в LNB для приема в Ka-диапазоне.
ОПИСАНИЕ ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНЫХ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
Первый вариант осуществления
Гетеродин в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения
теперь будет описан вместе с прилагаемыми чертежами, на которых одни и те же ссылочные позиции обозначают одинаковые или соответствующие части. .
Ссылаясь на фиг. 1, гетеродин для Ка-диапазона включает в себя транзистор с высокой подвижностью электронов (далее HEMT) 101 и диэлектрический резонатор 102. HEMT 101 имеет вывод G затвора, соединенный с соединительной линией 103, и чип-резистор 104 с выводом 50 Ом, другой конец которого соединен с землей.
HEMT 101 имеет стоковую клемму D, соединенную со шлейфом 105 для заземления стока, и высокоимпедансную линию 106 для блокировки высокочастотной составляющей. Другой конец высокоимпедансной линии 106 для блокировки высокочастотной составляющей соединен с разомкнутым шлейфом 107 для заземления высокочастотной составляющей и микросхемой конденсатора 109.для заземления, и высокоимпедансная линия 108 для блокировки высокочастотной составляющей. Другой конец линии 108 высокочастотного импеданса соединен с резистором 110 микросхемы смещения постоянного тока и конденсатором 111 микросхемы для заземления. Другой конец конденсатора микросхемы 111 для заземления соединен с землей; а резистор 110 микросхемы смещения постоянного тока имеет другой конец, подключенный к источнику питания постоянного тока.
HEMT 101 имеет клемму источника S, соединенную с выходным согласующим шлейфом 112, другой конец которого соединен с разделительным конденсатором 116 и высокоимпедансной линией 113 для блокировки высокочастотной составляющей.
Другой конец высокоимпедансной линии 113 соединен параллельно с конденсатором микросхемы 114 для заземления и резистором 115 смещения микросхемы. Другие концы конденсатора микросхемы 114 и резистора 115 микросхемы смещения постоянного тока соединены с землей.
Ссылаясь на фиг. 2, в гетеродине на токопроводящем стержне 129 установлена печатная плата 128. На печатной плате 128 установлены голая микросхема НЕМТ 101, микросхемы резисторов 104, 115 и 110, микросхемы конденсаторов 109, 111, 114 и 116, и диэлектрический резонатор 102. Далее на печатной плате 128 выполнены соединительная линия 103, шлейфы 105, 107 и 112 и высокоомные линии 106, 108 и 113. Кроме того, схемы заземления 122-126 со сквозным отверстием для заземления 50 Ом — резистор 104 микросхемы, конденсатор 111 микросхемы для заземления, конденсатор 109 микросхемыдля заземления конденсатор микросхемы 114 для заземления и резистор 115 микросхемы смещения постоянного тока подключены к схемам заземления 122-126 соответственно и заземлены.
Выходной контакт 131 гетеродина проходит через стержень 129, а между выходным стержнем 131 и стержнем 129 имеется диэлектрик 133 для изоляции. Один конец микрополосковой линии 117, образованной на печатной плате 128, и выходная клемма 131 соединены проводом 140. При этом клемма 132 источника питания соединена с шаблоном 127 со сквозным отверстием, выполненным на печатной плате 128.
HEMT 101 имеет две клеммы стока, одна клемма стока D1 подключена к высокоомной линии 106 для блокировки высокочастотной составляющей проводом 119, а другая клемма стока D2 подключена к шлейфу 105 для заземления проводом 121. Клемма затвора G подключен к линии связи 103 проводом 120, а вывод S истока подключен к выходному согласующему шлейфу 112 проводом 118. , на сток D1 подается постоянный ток через резистор 110 микросхемы смещения постоянного тока, линию 108 с высоким импедансом, открытый шлейф 107 для заземления высокочастотной составляющей и линию 106 с высоким импедансом для блокировки высокочастотной составляющей.
Между тем, высокочастотный компонент заземляется шлейфом 105 для заземляющего стока, подключенного к выводу D2 стока.
Мощность колебаний подается на выходную клемму 131 от клеммы истока S через выходной согласующий шлейф 112 и конденсатор 116 микросхемы связи. Однако, если такой открытый шлейф предусмотрен в цепи смещения, полоса частот, которая может быть эффективно заземлена с помощью открытого шлейфа, будет узкой, и поэтому трудно полностью заблокировать высокочастотную составляющую, поступающую в цепь смещения. Кроме того, необходимо использовать шаблон блокировки, линию с высоким импедансом и другие открытые шлейфы или микросхемы конденсаторов, чтобы перекрыть полосу частот, которая не может быть заземлена открытым шлейфом. Поэтому оптимизация должна выполняться одновременно с оптимизацией схемы заземления стока для предотвращения паразитных колебаний.
Гетеродин в соответствии с этим вариантом осуществления позволяет стороне схемы смещения клеммы стока находиться в разомкнутом состоянии, а на другой стороне стока только открытый шлейф используется для заземления высокочастотного компонента.
В результате в цепи смещения блокировку паразитных колебаний и т.п. можно рассматривать без оптимизации схемы заземления стока.
В гетеродине согласно этому варианту осуществления диэлектрический резонатор 102 предусмотрен вместе и заподлицо с другими частями схемы, такими как чип-резистор и чип-конденсатор, на печатной плате 128 с использованием автоматического монтажного приспособления. HEMT 101, колебательный элемент, приклеен к плате штампом в состоянии «голого» чипа, и каждый вывод соединен с рисунком на плате с помощью проволочного соединения.
Диэлектрический резонатор 102 закреплен клеем в положении, при котором расстояние от клеммы затвора G HEMT 101 и расстояние от муфты 103, соединенной с клеммой затвора G, являются оптимальными. Используемый здесь клей выбран таким образом, чтобы он вызывал меньшие потери на высоких частотах и мог наноситься и отверждаться в том же процессе, что и другие детали.
Колебательные характеристики гетеродина, такие как мощность, частотно-температурный дрейф, фазовый шум и флуктуации нагрузки, оптимизируются путем регулировки расстояния между диэлектрическим резонатором 102 и линией связи 103, расстояния между диэлектрическим резонатором 102 и НЕМТ 101, ширины и длины шлейфа 105 для заземления стока, а также ширины и длины выходного согласующего шлейфа 112, предусмотренного на клемме истока S.
Ссылаясь на фиг. 3, гетеродин имеет так называемую жестяную конструкцию, а диэлектрический резонатор 102 и части микросхемы (не показаны) смонтированы на печатной плате 128. Элементы генератора наплавлены на той же плате, и каждый вывод генератора элементы соединяют проволочной спайкой и устанавливают на шток 129. Затем приваривают крышку 130 для герметизации.
Как описано выше, гетеродин в соответствии с этим вариантом осуществления использует HEMT, имеющий две клеммы стока в качестве колебательного элемента, одна клемма стока D2 подключена к шлейфу 105 для заземления стока, другая клемма стока D1 подключена к цепи смещения для обеспечивают подачу питания, а шлейф 105 для заземления стока и цепь смещения для подачи питания предусмотрены отдельно друг от друга. Таким образом, помехи между шлейфом 105 для заземления стока и цепью смещения могут быть уменьшены. Кроме того, оптимизация для блокировки высокочастотных волн в цепи смещения, такая как оптимизация схемы открытого шлейфа 107 для заземления высокочастотного компонента, может рассматриваться независимо от шлейфа 105 для заземления стока.
Кроме того, схема гетеродина может быть выполнена на одной печатной плате. В результате операция сборки упрощается, что может снизить стоимость производства.
Модификация
Теперь будет описана модификация гетеродина согласно первому варианту осуществления.
С помощью схемы блокировки высокочастотной составляющей, высокоимпедансной линии, разомкнутого шлейфа и микросхемы-конденсатора в приведенной выше цепи смещения можно блокировать высокочастотную составляющую, а также схему заземления стока для предотвращения паразитных колебаний. быть оптимизированным.
Таким образом, когда высокочастотную составляющую и паразитные колебания можно предотвратить только с помощью цепи смещения, вывод стока D2 HEMT 101 не нужно подключать к открытому шлейфу 105. Следовательно, колебательный элемент HEMT, имеющий один вывод стока может быть использован.
В модификации гетеродина по первому варианту HEMT 101, имеющий два стоковых вывода, заменен на HEMT 170, имеющий один стоковый вывод.
Другая структура такая же, как и у шаблона, показанного на фиг. 2, и дополнительное описание здесь не приводится. Ссылаясь на фиг. 4, клемма стока D1 HEMT 170 соединена с высокоомной линией 106, образующей цепь смещения проводом 119., но не подключен к шлейфу 105 для заземления стока. В этой модификации в цепи смещения имеется высокоимпедансная линия 106 для блокировки высокочастотной составляющей, открытый шлейф 107 для заземления высокочастотной составляющей, микросхема-конденсатор 109 для заземления, высокоимпедансная линия 108 для блокировки высокочастотной составляющей, резистор 110 микросхемы смещения постоянного тока, и чип-конденсатор для заземления 111, блокируется высокочастотная составляющая и предотвращаются паразитные колебания.
Так, в модификации гетеродина высокоимпедансная линия, открытый шлейф и конденсатор микросхемы используются в цепи смещения для блокировки высокочастотной составляющей, а также для предотвращения паразитных колебаний, так что вывод стока HEMT 170 не обязательно подключать к шлейфу 105 для заземления стока, и можно использовать HEMT с одним выводом стока.
Таким образом, стабильные характеристики колебаний могут быть обеспечены независимо от количества выводов стока, истока и затвора. Кроме того, поскольку HEMT можно выбрать независимо от количества выводов для стока, истока и затвора, стоимость производства и этапы сборки могут быть уменьшены.
Второй вариант осуществления
Теперь будет описан гетеродин согласно второму варианту осуществления настоящего изобретения. Ссылаясь на фиг. 5 принципиальная схема такая же, как и по первому варианту, с тем существенным отличием, что между разомкнутым шлейфом 107 для заземления высокочастотного компонента и микросхемой-конденсатором 109 для заземления предусмотрена высокоомная линия 108А, поэтому дополнительное описание не приводится. здесь.
На фиг. 6, в гетеродине по второму I варианту микросхема-конденсатор 109для заземления не подключен напрямую к открытому шлейфу 107 для заземления высокочастотной составляющей. Вместо этого высокоимпедансная линия 108А для блокировки высокочастотной составляющей подключается между разомкнутым шлейфом 107 для заземления высокочастотной составляющей и чип-конденсатором 109 для заземления.
Теперь будет описана высокоимпедансная линия. Микрополосковая линия с импедансом 50 Ом. на частоте сигнала обычно используется в качестве сигнальной линии (далее именуемой «линия 50000000»). Линия с высоким импедансом относится к микрополосковой линии, имеющей импеданс относительно выше, чем это 50 Ом. линия. ИНЖИР. 7 представляет собой сечение керамической подложки, на которой сформирована микрополосковая линия. Керамическая подложка 150 имеет сформированный под ней проводник 151 в качестве шлифованной поверхности и сформированную на ней микрополосковую линию 153. Если, например, диэлектрическая проницаемость керамической подложки 150, &egr;r=9.4, толщина H=0,38 мм, и толщина микрополосковой линии 153, t=0,015 мм, ширина 50 мкм. линии, Вт=0,364 мм при частоте сигнала, f=18,75 ГГц. Между тем, если ширина линии с высоким импедансом, W=0,2 мм, характеристическое сопротивление, Zo=63,9 Ом. Это показывает, что индуктивная составляющая увеличивается, и импеданс должен принимать значение выше 50 Ом.
поскольку ширина линии микрополосковой линии меньше, чем у 50&OHgr; линия, потому что линия имеет ту же характеристику, что и катушка. Импеданс увеличивается в зависимости от частоты.
В приведенном выше конкретном примере коэффициент стабильной волны по напряжению (КСВН) между линией с высоким импедансом и линией 50 Ом. линию, &rgr;=1,28, и сигнал на частоте f=18,75 ГГц практически не пропускают через высокоимпедансную линию.
Следовательно, линия с высоким импедансом может блокировать высокочастотный сигнал на определенной частоте.
В этом варианте в цепи смещения для подачи питания на вывод стока D1 колебательного элемента HEMT 101 микросхема конденсатора для заземления 109подключен к разомкнутому шлейфу 107 для заземления высокочастотной составляющей через высокоомную линию 108А для блокировки высокочастотной составляющей, так что паразитные колебания, вызванные обратной связью между выводом стока D1 и конденсатором микросхемы 109 для заземления, могут быть ограничены, и гетеродин со стабильными колебаниями предоставляется характеристика.
Модификация
Также в гетеродине по второму варианту может быть использован НЕМТ с одним выводом стока. Как описано в связи с первым вариантом осуществления, это может быть достигнуто за счет блокировки высокочастотной составляющей и предотвращения паразитных колебаний с помощью схемы смещения. В модификации гетеродина согласно второму варианту осуществления HEMT 101, имеющий две клеммы стока, заменен на HEMT 170, имеющий одну клемму стока. Другая структура аналогична структуре, показанной на фиг. 6, и дополнительное описание здесь не приводится.
Как показано на фиг. 8, в модификации гетеродина по второму варианту используется HEMT 170, имеющий один вывод стока, и стабильная колебательная характеристика может быть получена независимо от количества выводов стока HEMT 170.
Это связано с тем, что смещение Цепь, подключенная к стоковой клемме D1 HEMT 170, включает высокоимпедансную линию 106 для блокировки высокочастотной составляющей, открытый шлейф 107 для заземления высокочастотной составляющей, микросхему-конденсатор для заземления 109.
, высокоимпедансные линии 108, 108А для блокирования высокочастотной составляющей, микросхемный резистор 110 смещения постоянного тока и микросхемный конденсатор 111 для заземления, так что можно блокировать высокочастотную составляющую и предотвращать паразитные колебания. Поскольку можно заблокировать высокочастотную составляющую и предотвратить паразитные колебания, вывод стока HEMT 170 не нужно подключать к шлейфу 105 для заземления стока.
Как и выше, модификация гетеродина по второму варианту может обеспечить стабильную колебательную характеристику независимо от количества выводов стока HEMT.
Третий вариант осуществления
Теперь будет описан гетеродин в соответствии с третьим вариантом осуществления настоящего изобретения. В гетеродине по третьему варианту схема гетеродина по второму варианту корректируется для улучшения колебательной характеристики.
На фиг. 9, высокоимпедансная линия 106 для блокировки высокочастотной составляющей имеет U-образную форму.
Провод 401 соединяет два положения линии 106 с высоким импедансом для блокировки высокочастотной составляющей, чтобы пересечь пространство, окруженное линией 106 с высоким импедансом.
Таким образом, U-образная форма линии 106 с высоким импедансом позволяет легко замкнуть накоротко два положения линии 106 с высоким импедансом. Следовательно, характеристика колебаний может быть улучшена в соответствии с изменением конструкции без исправления схемы. Кроме того, изменения в характеристике колебаний, вызванные изменениями в производстве, могут быть легко отрегулированы.
Кроме того, проволока склеивается с помощью устройства для соединения проводов, поэтому положение соединения провода можно отрегулировать с точностью устройства для соединения. В результате характеристика колебаний может быть отрегулирована с точностью, с которой можно отрегулировать положение соединения проволоки, другими словами, может быть обеспечена более высокая точность регулировки.
Модификация
Аналогично, при использовании HEMT с одним выводом стока схема модификации гетеродина по второму варианту осуществления может быть скорректирована для улучшения колебательной характеристики.
Ссылаясь на фиг. 10, HEMT 170 имеет одну стоковую клемму D1, а форма линии 106 с высоким импедансом имеет U-образную форму. Провод 401 соединяет два положения линии 106 с высоким импедансом, чтобы пересечь пространство, окруженное линией 106 с высоким импедансом.
Таким образом, модификация гетеродина в соответствии с третьим вариантом осуществления с использованием HEMT, имеющего один вывод стока, может облегчить операцию сборки и снизить стоимость производства в дополнение к ранее описанным эффектам.
В гетеродинах согласно описанным выше вариантам с первого по третий схема сформирована на одной подложке. Следовательно, гетеродин может быть сформирован на той же подложке, на которой формируются LNA, MIX и BPF, образующие схему LNB. В результате операция сборки LNB может быть исключена, а разъемы для соединения цепей этих элементов не нужны, что повышает производительность и снижает стоимость изготовления.
Кроме того, колебательные элементы можно выбирать независимо от количества выводов стока, можно выбирать более широкий ассортимент таких элементов, повышается гибкость конструкции и можно снизить стоимость деталей.
