Site Loader

Содержание

Что такое полевой транзистор и как его проверить. Что такое полевой транзистор и как его проверить Где можно найти транзистор

Для опыта мы возьмем простой и всеми нами любимый транзистор КТ815Б:

Соберем знакомую вам схемку:


Для чего я поставил перед базой резистор, читаем .

На Bat1 выставляю напряжение в 2,5 вольта. Если подавать более 2,5 Вольт, то лампочка уже ярче гореть не будет. Скажем так, это граница, после которой дальнейшее повышение напряжение на базе не играет никакой роли на силу тока в нагрузке


На Bat2 я выставил 6 Вольт, хотя лампочка у меня на 12 Вольт. При 12 Вольтах транзистор у меня ощутимо грелся, и я не хотел его спалить. Здесь мы видим, какую силу тока потребляет наша лампочка и даже можем рассчитать мощность, которую она потребляет, перемножив эти два значения.


Ну и как вы видели, лампочка горит и схема нормально работает:


Но что случится, если мы перепутаем коллектор и эмиттер? По логике, у нас ток должен течь от эмиттера к коллектору, потому как базу мы не трогали, а коллектор и эмиттер состоят из N полупроводника.


Но на практике лампочка гореть не хочет.


Потребление на блоке питания Bat2 каких-то 10 миллиампер. Значит, ток через лампочку все-таки течет, но очень слабый.


Почему при правильном подключении транзистора ток течет нормально, а при неправильном нет? Дело все в том, транзистор делают не симметричным.


В транзисторах площадь соприкосновения коллектора с базой намного больше, чем эмиттера и базы. Поэтому, когда электроны устремляются из эмиттера к коллектору, то почти все они “ловятся” коллектором, а когда мы путаем выводы, то не все электроны из коллектора “ловятся” эмиттером.

Кстати, чудом не пробило P-N переход эмиттер-база, так как напряжение подавали в обратной полярности. Параметр в даташите U ЭБ макс . Для этого транзистора критическое напряжение считается 5 Вольт, у нас же оно было даже чуть выше:


Итак, мы с вами узнали, что коллектор и эмиттер неравнозначны . Если в схеме мы перепутаем эти выводы, то может произойти пробой эмиттерного перехода и транзистор выйдет из строя. Так что, не путайте выводы биполярного транзистора ни в коем случае!

Как определить выводы транзистора

Способ №1

Думаю, самый простой. Скачать на этот транзистор даташит. В каждом нормальном даташите есть рисуночек с подробными надписями, где какой вывод. Для этого вводим в гугл или яндекс крупненькие циферки и буковки, которые написаны на транзисторе, и рядышком добавляем слово “даташит”. Пока еще не было такого, чтобы я не отыскивал даташит на какой-то радиоэлемент.

Способ №2

Думаю, с поиском вывода базы проблем возникнуть не должно, если учесть, что транзистор состоит из двух диодов, включенных последовательно или катодами, или анодами:



Здесь все просто, ставим мультиметр на значок прозвонки “ )))” и начинаем пробовать все вариации, пока не найдем эти два диода. Вывод, где эти диоды соединяются либо анодами, либо катодами – это и есть база. Чтобы найти коллектор и эмиттер, сравниваем падение напряжение на этих двух диодах.

Между коллектором и базой ом оно должно быть меньше, чем между эмиттером и базой. Давайте проверим, так ли это?

Для начала рассмотрим транзистор КТ315Б:

Э – эмиттер

К – коллектор

Б – база

Ставим мультиметр на прозвонку и базу находим без проблем. Теперь замеряем падение напряжения на обоих переходах. Падение напряжения на базе-эмиттере 794 милливольт


Падение напряжения на коллекторе-базе 785 милливольт. Мы убедились, что падение напряжения между коллектором и базой меньше, чем между эмиттером и базой. Следовательно, средний синий вывод – это коллектор, а красный слева – эмиттер.


Проверим еще транзистор КТ805АМ. Вот его цоколевка (расположение выводов):


Это у нас транзистор структуры NPN. Предположим, базу нашли (красный вывод). Узнаем, где у него коллектор, а где эмиттер.

Делаем первый замер.


Делаем второй замер:


Следовательно, средний синий вывод – это коллектор, а желтый слева – эмиттер.

Проверим еще один транзистор – КТ814Б. Он у нас PNP структуры. База у него – синий вывод. Замеряем напряжение между синим и красным выводом:


а потом между синим и желтым:


Во фак! И там и там 720 милливольт.

Этот способ этому транзистору не помог. Ну не переживайте, для этого есть третий способ…

Способ №3

Почти в каждом современном есть 6 маленьких отверстий, и рядом какие-то буковки, что-то типа NPN, PNP, E, C, B. Вот эти шесть крохотных отверстий как раз и предназначены для того, чтобы замерять . Я же эти отверстия буду называть дырками. На отверстия они не очень похожи))).

Ставим крутилку мультиметра на значок “h FE “.

Определяем какой он проводимости, то есть NPN или PNP, в такую секцию его и толкаем. Проводимость определяем расположением диодов в транзисторе, если не подзабыли. Берем наш транзистор, которые в обе стороны показал одинаковое падение напряжения на обоих P-N переходах, и суем базу в ту дырочку, где буковка “В”.



Базу не трогаем, а тупо меняем местами два вывода. Опа-на, мультик показал намного больше, чем в первый раз. Следовательно, в дырочке Е находится в настоящее время эмиттер, а в дырочке С – коллектор. Все элементарно и просто;-).


Способ №4

Думаю, является самым легким и точным способом проверки распиновки транзистора. Для этого достаточно приобрести Универсальный R/L/C/Transistor-metr и сунуть выводы транзистора в клеммы прибора:


Он сразу вам покажет, жив ли ваш транзистор. И если он жив, то выдаст его распиновку.

Добрый день, друзья!

Недавно мы с вами начали плотнее знакомились с тем, как устроено компьютерное «железо». И познакомились одним из его «кирпичиков» — полупроводниковым диодом. – это сложная система, состоящая из отдельных частей. Разбирая, как работают эти отдельные части (большие и малые), мы приобретаем знание.

Обретая знание, мы получаем шанс помочь своему железному другу-компьютеру, если он вдруг забарахлит . Мы же ведь в ответе за тех, кого приручили, не правда ли?

Сегодня мы продолжим это интересное дело, и попробуем разобраться, как работает самый, пожалуй, главный «кирпичик» электроники – транзистор. Из всех видов транзисторов (их немало) мы ограничимся сейчас рассмотрением работы полевых транзисторов.

Почему транзистор – полевой?

Слово «транзистор» образовано от двух английских слов translate и resistor, то есть, иными словами, это преобразователь сопротивления.

Среди всего многообразия транзисторов есть и полевые, т.е. такие, которые управляются электрическим полем.

Электрическое поле создается напряжением. Таким образом, полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, управляемый напряжением.

В англоязычной литературе используется термин MOSFET (MOS Field Effect Transistor). Есть другие типы полупроводниковых транзисторов, в частности, биполярные, которые управляются током. При этом на управление затрачивается и некоторая мощность, так как к входным электродам необходимо прикладывать некоторое напряжение.

Канал полевого транзистора может быть открыт только напряжением , без протекания тока через входные электроды (за исключением очень небольшого тока утечки). Т.е. мощность на управление не затрачивается. На практике, однако, полевые транзисторы используются большей частью не в статическом режиме, а переключаются с некоторой частотой.

Конструкция полевого транзистора обуславливает наличие в нем внутренней переходной емкости, через которую при переключении протекает некоторый ток, зависящий от частоты (чем больше частота, тем больше ток). Так что, строго говоря, некоторая мощность на управление все-таки затрачивается.

Где используются полевые транзисторы?

Настоящий уровень технологии позволяет сделать сопротивление открытого канала мощного полевого транзистора (ПТ) достаточно малым –

в несколько сотых или тысячных долей Ома!

И это является большим преимуществом, так как при протекании тока даже в десяток ампер рассеиваемая на ПТ мощность не превысит десятых или сотых долей Ватта.

Таким образом, можно отказаться от громоздких радиаторов или сильно уменьшить их размеры.

ПТ широко используются в компьютерных и низковольтных импульсных стабилизаторах на м компьютера.

Из всего многообразия типов ПТ для этих целей используются ПТ с индуцированным каналом.

Как работает полевой транзистор?

ПТ с индуцированным каналом содержит три электрода — исток (source), сток (drain), и затвор (gate).

Принцип работы ПТ наполовину понятен из графического обозначения и названия электродов.

Канал ПТ – это «водяная труба», в которую втекает «вода» (поток заряженных частиц, образующих электрический ток) через «источник» (исток).

«Вода» вытекает из другого конца «трубы» через «слив» (сток). Затвор – это «кран», который открывает или перекрывает поток. Чтобы «вода» пошла по «трубе», надо создать в ней «давление», т.е. приложить напряжение между стоком и истоком.

Если напряжение не приложено («давления в системе нет»), тока в канале не будет.

Если приложено напряжение, то «открыть кран» можно подачей напряжения на затвор относительно истока.

Чем большее подано напряжение, тем сильнее открыт «кран», больше ток в канале «сток-исток» и меньше сопротивление канала.

В источниках питания ПТ используется в ключевом режиме, т.е. канал или полностью открыт, или полностью закрыт.

Честно сказать, принципы действия ПТ гораздо более сложны, он может работать не только в ключевом режиме . Его работа описывается многими заумными формулами, но мы не будем здесь все это описывать, а ограничимся этими простыми аналогиями.

Скажем только, что ПТ могут быть с n-каналом (при этом ток в канале создается отрицательно заряженными частицами) и p-каналом (ток создается положительно заряженными частицами). На графическом изображении у ПТ с n-каналом стрелка направлена внутрь, у ПТ с p-каналом – наружу.

Собственно, «труба» — это кусочек полупроводника (чаще всего – кремния) с примесями химических элементов различного типа, что обуславливает наличие положительных или отрицательных зарядов в канале.

Теперь переходим к практике и поговорим о том,

Как проверить полевой транзистор?

В норме сопротивление между любыми выводами ПТ бесконечно велико.

И, если тестер показывает какое-то небольшое сопротивление, то ПТ, скорее всего, пробит и подлежит замене.

Во многих ПТ имеется встроенный диод между стоком и истоком для защиты канала от обратного напряжения (напряжения обратной полярности).

Таким образом, если поставить «+» тестера (красный щуп, соединенный с «красным» входом тестера) на исток, а «-» (черный щуп, соединенный с черным входом тестера) на сток, то канал будет «звониться», как обычный диод в прямом направлении.

Это справедливо для ПТ с n-каналом. Для ПТ с p-каналом полярность щупов будет обратной .

Как проверить диод с помощью цифрового тестера, описано в соответствующей . Т.е. на участке «сток — исток» будет падать напряжение 500-600 мВ.

Если поменять полярность щупов, к диоду будет приложено обратное напряжение, он будет закрыт и тестер это зафиксирует.

Однако исправность защитного диода еще не говорит об исправности транзистора в целом. Более того, если «прозванивать» ПТ, не выпаивая из схемы, то из-за параллельно подключенных цепей не всегда можно сделать однозначный вывод даже об исправности защитного диода.

В таких случаях можно выпаять транзистор, и, используя небольшую схему для тестирования, однозначно ответить на вопрос – исправен ли ПТ или нет.

В исходном состоянии кнопка S1 разомкнута, напряжение на затворе относительно стока равно нулю. ПТ закрыт, и светодиод HL1 не светится.

При замыкании кнопки на резисторе R3 появляется падение напряжения (около 4 В), приложенное между истоком и затвором. ПТ открывается, и светодиод HL1 светится.

Эту схему можно собрать в виде модуля с разъемом для ПТ. Транзисторы в корпусе D2 pack (который предназначен для монтажа на печатную плату) в разъем не вставишь, но можно к его электродам проводники, и уже их вставить в разъем. Для проверки ПТ с p-каналом полярность питания и светодиода нужно изменить на обратную.

Иногда полупроводниковые приборы выходят из строя бурно, с пиротехническими, дымовыми и световыми эффектами.

В этом случае на корпусе образуются дыры, он трескается или разлетается на куски. И можно сделать однозначный вывод об их неисправности, не прибегая к приборам.

В заключение скажем, что буквы MOS в аббревиатуре MOSFET расшифровываются как Metal — Oxide — Semiconductor (металл – оксид – полупроводник). Такова структура ПТ – металлический затвор («кран») отделен от канала из полупроводника слоем диэлектрика (оксида кремния).

Надеюсь, с «трубами», «кранами» и прочей «сантехникой» вы сегодня разобрались.

Однако, теория, как известно, без практики мертва! Надо обязательно поэкспериментировать с полевиками, поковыряться, повозиться с их проверкой, пощупать, так сказать.

Кстати, купить полевые транзисторы можно .

Электроника окружает нас всюду. Но практически никто не задумывается о том, как вся эта штука работает. На самом деле все довольно просто. Именно это мы и постараемся сегодня показать. А начнем с такого важного элемента, как транзистор. Расскажем, что это такое, что делает, и как работает транзистор.

Что такое транзистор?

Транзистор – полупроводниковый прибор, предназначенный для управления электрическим током.

Где применяются транзисторы? Да везде! Без транзисторов не обходится практически ни одна современная электрическая схема. Они повсеместно используются при производстве вычислительной техники, аудио- и видео-аппаратуры.

Времена, когда советские микросхемы были самыми большими в мире , прошли, и размер современных транзисторов очень мал. Так, самые маленькие из устройств имеют размер порядка нанометра!

Приставка нано- обозначает величину порядка десять в минус девятой степени.

Однако существуют и гигантские экземпляры, использующиеся преимущественно в областях энергетики и промышленности.

Существуют разные типы транзисторов: биполярные и полярные, прямой и обратной проводимости. Тем не менее, в основе работы этих приборов лежит один и тот же принцип. Транзистор — прибор полупроводниковый. Как известно, в полупроводнике носителями заряда являются электроны или дырки.

Область с избытком электронов обозначается буквой n (negative), а область с дырочной проводимостью – p (positive).

Как работает транзистор?

Чтобы все было предельно ясно, рассмотрим работу биполярного транзистора (самый популярный вид).

(далее – просто транзистор) представляет собой кристалл полупроводника (чаще всего используется кремний или германий ), разделенный на три зоны с разной электропроводностью. Зоны называются соответственно коллектором , базой и эмиттером . Устройство транзистора и его схематическое изображение показаны на рисунке ни же

Разделяют транзисторы прямой и обратной проводимости. Транзисторы p-n-p называются транзисторами с прямой проводимостью, а транзисторы n-p-n – с обратной.

Теперь о том, какие есть два режима работы транзисторов. Сама работа транзистора похожа на работу водопроводного крана или вентиля. Только вместо воды – электрический ток. Возможны два состояния транзистора – рабочее (транзистор открыт) и состояние покоя (транзистор закрыт).

Что это значит? Когда транзистор закрыт, через него не течет ток. В открытом состоянии, когда на базу подается малый управляющий ток, транзистор открывается, и большой ток начинает течь через эмиттер-коллектор.

Физические процессы в транзисторе

А теперь подробнее о том, почему все происходит именно так, то есть почему транзистор открывается и закрывается. Возьмем биполярный транзистор. Пусть это будет n-p-n транзистор.

Если подключить источник питания между коллектором и эмиттером, электроны коллектора начнут притягиваться к плюсу, однако тока между коллектором и эмиттером не будет. Этому мешает прослойка базы и сам слой эмиттера.

Если же подключить дополнительный источник между базой и эмиттером, электроны из n области эмиттера начнут проникать в область баз. В результате область базы обогатиться свободными электронами, часть из которых рекомбинирует с дырками, часть потечет к плюсу базы, а часть (большая часть) направится к коллектору.

Таким образом, транзистор получается открыт, и в нем течет ток эмиттер коллектор. Если напряжение на базе увеличить, увеличится и ток коллектор эмиттер. Причем, при малом изменении управляющего напряжения наблюдается значительный рост тока через коллектор-эмиттер. Именно на этом эффекте и основана работа транзисторов в усилителях.

Вот вкратце и вся суть работы транзисторов. Нужно рассчитать усилитель мощности на биполярных транзисторах за одну ночь, или выполнить лабораторную работу по исследованию работы транзистора? Это не проблема даже для новичка, если воспользоваться помощью специалистов нашего студенческого сервиса .

Не стесняйтесь обращаться за профессиональной помощью в таких важных вопросах, как учеба! А теперь, когда у вас уже есть представление о транзисторах, предлагаем расслабиться и посмотреть клип группы Korn “Twisted transistor”! Например, вы решили , обращайтесь в Заочник.

Есть ли у MOSFET падение напряжения на источнике и сток при включении?

МОП-транзистор: когда напряжение затвора велико относительно порогового напряжения Vth, падение напряжения от стока к источнику линейно зависит от тока (для малых напряжений << Vth МОП-транзистора), поэтому оно ведет себя как резистор. Сопротивление меньше, когда MOSFET более усилен, поэтому более высокое напряжение на n-канальном затворе MOSFET относительно источника. Эквивалентное сопротивление может составлять десятки Ом для маленького полевого МОП-транзистора до миллиом, для полевого полевого МОП-транзистора. Из таблицы 2N7000Вы можете видеть, что для напряжения на затворе 4 В и напряжения Vds <0,5 В сопротивление составляет пару Ом (типичный, наихудший случай будет гораздо больше). Поэтому, как правило, при 50 мА оно может упасть, может быть, до 100 мВ (Сопротивление Rds (on) — это наклон кривых вблизи начала координат). Rds (вкл) значительно возрастает при высокой температуре, поэтому будьте осторожны при использовании 25 ° C. Если вы не дадите ему достаточно напряжения на затворе (многие MOSFET задаются при 10 В, некоторые при 4,5 и менее при 1,8 или 2,5), вы можете получить гораздо более высокое Rds (включено).

BJT: падение напряжения от коллектора к эмиттеру зависит от тока, но не линейно. При низком и высоком базовом токе BJT может иметь падение напряжения в десятки милливольт. Из таблицы данных 2N3904 вы можете видеть характеристики, когда Ib = Ic / 10. Вы можете видеть, что, скажем, при токе 50 мА падение напряжения составляет около 90 мВ, что очень похоже на 2N7000. Vce (Sat) является соответствующей спецификации. Это довольно стабильно с температурой, но вы должны дать ему достаточно базового тока для ожидаемого тока коллектора. Если вы не дадите достаточно базового тока, напряжение от коллектора к эмиттеру может сильно возрасти. При более чем базовом напряжении оно больше не считается насыщенным.

Одно интересное различие между ними состоит в том, что MOSFET сбрасывает почти точно нулевое напряжение при нулевом токе, тогда как BJT падает, возможно, на 10 мВ при нулевом токе коллектора (при условии, что вы положили некоторый разумный ток в базу — это не отражено в приведенной выше кривой). Это делает MOSFET вообще превосходным переключателем для приложений точного приборостроения, где 10 мВ это большое дело.

Биполярный транзистор, принцип работы для чайников

Обозначение биполярных транзисторов на схемах Простейшая наглядная схема устройства транзистора Биполярный транзистор  трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно…

Виды транзисторов

Транзисторы бывают в основном двух видов: биполярные транзисторы и полевые транзисторы.  Конечно можно было рассмотреть все виды транзисторов в одной статье, но мне не хочется варить кашу  у вас в голове. Поэтому в этой статье мы рассмотрим исключительно биполярные транзисторы а о полевых транзисторах я расскажу в одной из следующих статей. Не будем все мешать в одну кучу  а уделим внимание каждому, индивидуально.

Источник: http://popayaem.ru/bipolyarnyj-tranzistor-princip-raboty-dlya-chajnikov.html

Теги

PN переходБиполярный транзисторОбучениеЭлектроника

На сайте работает сервис комментирования DISQUS, который позволяет вам оставлять комментарии на множестве сайтов, имея лишь один аккаунт на Disqus.com.

В случае комментирования в качестве гостя (без регистрации на disqus.com) для публикации комментария требуется время на премодерацию.

Источник: http://radioprog.ru/post/127

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор это потомок ламповых триодов, тех что стояли в телевизорах 20 -го века. Триоды ушли в небытие и уступили дорогу более функциональным собратьям — транзисторам, а точнее биполярным транзисторам.

Триоды за редким исключением применяют в аппаратуре для меломанов.

Биполярные транзисторы выглядеть могут  так.

Как вы можете видеть биполярные транзисторы имеют три вывода и конструктивно они могут выглядеть совершенно по разному. Но на электрических схемах они выглядят простенько и всегда одинаково. И все это графическое великолепие,  выглядит как-то так.

Это изображение транзисторов еще называют УГО (Условное графическое обозначение).

Причем биполярные транзисторы могут иметь различный тип проводимости. Есть транзисторы NPN типа и PNP типа.

Отличие n-p-n транзистора от p-n-p транзистора состоит лишь в том что является «переносчиком» электрического заряда (электроны или «дырки» ). Т.е. для p-n-p транзистора электроны перемещаются от эмиттера к коллектору и управляются базой. Для n-p-n транзистора электроны идут уже от коллектора к эмиттеру и управляются базой.    В итоге приходим к тому, что для того чтобы в схеме заменить транзистор одного типа проводимости на другой достаточно изменить полярность приложенного напряжения. Или тупо поменять полярность источника питания.

У биполярных транзисторов есть три вывода: коллектор, эмиттер и база. Думаю, что по УГО будет сложно запутаться, а вот в реальном транзисторе запутаться проще простого.

Обычно где какой вывод определяют по справочнику, но можно просто  прозвонить транзистор мультиметром. Выводы транзистора звонятся как два диода, соединенные в общей точке (в области базы транзистора).

Слева изображена картинка для транзистора p-n-p типа,  при прозвонке  создается ощущение (посредством показаний мультиметра ), что перед вами два диода которые соединены в одной точке своими катодами. Для транзистора  n-p-n типа  диоды в точке базы соединены своими анодами. Думаю после экспериментов с мультиметром будет более понятно.

Источник: http://popayaem.ru/bipolyarnyj-tranzistor-princip-raboty-dlya-chajnikov.html

Принцип работы биполярного транзистора

Основной принцип работы транзистора заключается в том, что небольшой ток базы может управлять гораздо бОльшим током коллектора — в диапазоне практически от нуля до некоей максимально возможной величины.

Отношение тока коллектора к току базы называется коэффициентом усиления по току и может составлять величину от нескольких единиц до нескольких сотен.

Интересно отметить, что у маломощных транзисторов он чаще всего больше, чем у мощных (а не наоборот, как можно было бы подумать).

Это напоминает работу полевого транзистора (ПТ).

Разница в том, что в отличие от затвора ПТ, при управлении ток базы всегда присутствует, т.е. на управление всегда тратится какая-то мощность.

Чем больше напряжение между эмиттером и базой, тем больше ток базы и, соответственно, больше ток коллектора. Однако любой транзистор имеет максимально допустимые значения напряжений между эмиттером и базой и между эмиттером и коллектором. За превышение этих параметров придется расплачиваться новым транзистором.

В рабочем режиме обычно переход база-эмиттер открыт, а переход база-коллектор закрыт.

Биполярный транзистор, подобно реле, может работать и в ключевом режиме. Если подать некоторый достаточный ток в базу (замкнуть кнопку S1), транзистор будет хорошо открыт. Лампа зажжется.

При этом сопротивление между эмиттером и коллектором будет небольшим.

Падение напряжения на участке эмиттер – коллектор будет составлять величину в несколько десятых долей вольта.

Если затем прекратить подавать ток в базу (разомкнуть S1), транзистор закроется, т.е. сопротивление между эмиттером и коллектором станет очень большим.

Лампа погаснет.

Источник: http://vsbot.ru/lektronika/chto-takoe-bipolyarnyi-tranzistor-i-kak-ego-proverit.html

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы (FET, Field Effect Transistor) имеют то же назначение, но отличаются внутренним устройством.Частным видом этих компонентов являются транзисторы MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor).Они позволяют оперировать гораздо большими мощностями при тех же размерах. А управление самой «заслонкой»осуществляется исключительно при помощи напряжения: ток через затвор, в отличие от биполярных транзисторов,не идёт.

Полевые транзисторы обладают тремя контактами:

  • Сток (drain) — на него подаётся высокое напряжение, которым хочется управлять

  • Затвор (gate) — на него подаётся напряжение, чтобы разрешить течение тока; затвор заземляется, чтобы заблокировать ток.

  • Исток (source) — через него проходит ток со стока, когда транзистор «открыт»

N-Channel и P-Channel

По аналогии с биполярными транзисторами, полевые различаются полярностью. Выше был описан N-Channel транзистор.Они наиболее распространены.

P-Channel при обозначении отличается направлением стрелкии, опять же, обладает «перевёрнутым» поведением.

Источник: http://wiki.amperka.ru/%D1%81%D1%85%D0%B5%D0%BC%D0%BE%D1%82%D0%B5%D1%85%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%B0:%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D1%8B

Как проверить биполярный транзистор?

Так как биполярный транзистор представляет собой два p-n перехода, то проверить его цифровым тестером достаточно просто.

Надо установить переключатель работы тестера в положение проверки диодов, присоединив один щуп к базе, а второй – поочередно к эмиттеру и коллектору.

По сути, мы просто последовательно проверяем исправность p-n переходов.

Такой переход может быть или открыт, или закрыт.

Затем надо изменить полярность щупов и повторить измерения.

В одном случае тестер покажет падение напряжение на переходах эмиттер – база и коллектор – база 0,6 – 0,7 В (оба перехода открыты).

Во втором случае оба перехода будут закрыты, и тестер зафиксирует это.

Следует отметить, что в рабочем режиме чаще всего один из переходов транзистора открыт, а второй закрыт.

Источник: http://vsbot.ru/lektronika/chto-takoe-bipolyarnyi-tranzistor-i-kak-ego-proverit.html

 Принцип работы биполярного транзистора

А сейчас мы попробуем разобраться как работает транзистор. Я не буду вдаваться в подробности внутреннего устройства транзисторов так как эта информация только запутывает. Лучше взгляните на этот рисунок.

Это изображение лучше всего объясняет принцип работы  транзистора. На этом изображении человек посредством реостата управляет током коллектора. Он смотрит на ток базы, если ток базы растет то человек так же увеличивает ток коллектора с учетом коэффициента усиления транзистора h31Э. Если ток базы падает, то ток коллектора также будет снижаться — человек подкорректирует его посредством реостата.

Эта аналогия не имеет ничего общего с реальной работой транзистора, но она облегчает понимание принципов его работы.

Для транзисторов можно отметить правила, которые призваны помочь облегчить понимание. (Эти правила взяты из книги П. Хоровица У.Хилла «Искусство схемотехники»).

  1. Коллектор имеет более положительный потенциал , чем эмиттер
  2. Как я уже говорил цепи база — коллектор и база -эмиттер работают как диоды
  3. Каждый транзистор характеризуется предельными значениями, такими как ток коллектора, ток базы и напряжение коллектор-эмиттер.
  4. В том случае если правила 1-3 соблюдены то ток коллектора Iк прямо пропорционален току базы Iб. Такое соотношение можно записать в виде формулы.

Из этой формулы можно выразить основное свойство транзистора — небольшой ток базы управляет большим током коллектора.

-коэффициент усиления по току.

Его также обозначают как 

Исходы из выше сказанного транзистор может работать в четырех режимах:

  1. Режим отсечки транзистора — в этом режиме переход база-эмиттер закрыт, такое может произойти когда напряжение база-эмиттер недостаточное. В результате  ток базы  отсутствует и следовательно ток коллектора тоже будет отсутствовать.
  2. Активный режим транзистора — это нормальный режим работы транзистора.  В этом режиме напряжение база-эмиттер достаточное для того, чтобы переход база-эмиттер открылся. Ток базы достаточен и ток коллектора тоже имеется. Ток коллектора равняется току базы умноженному на коэффициент усиления.
  3. Режим насыщения транзистора — в этот режим транзистор переходит тогда, когда ток базы становится настолько большим, что мощности источника питания просто не хватает для дальнейшего увеличения тока коллектора. В этом режиме ток коллектора не может увеличиваться вслед за увеличением тока базы.
  4. Инверсный режим транзистора — этот режим используется крайне редко. В этом режиме коллектор и эмиттер транзистора меняют местами. В результате таких манипуляций коэффициент усиления транзистора очень сильно страдает. Транзистор изначально проектировался не для того, чтобы он работал в таком особенном режиме.

Для понимания того как работает транзистор нужно рассматривать конкретные схемные примеры, поэтому давайте рассмотрим некоторые из них.

Транзистор в ключевом режиме

Транзистор в ключевом режиме это один из случаев транзисторных схем с общим эмиттером. Схема транзистора в ключевом режиме применяется очень часто. К этой транзисторной схеме прибегают к примеру когда нужно управлять мощной нагрузкой посредством микроконтроллера. Ножка контроллера не способна тянуть мощную нагрузку, а транзистор может. Получается контроллер управляет транзистором, а транзистор мощной нагрузкой. Ну а обо всем по порядку.

Основная суть этого режима заключается в том, что ток базы управляет током коллектора. Причем ток коллектора гораздо больше тока базы. Здесь невооруженным взглядом видно, что происходит усиление сигнала по току. Это усиление осуществляется за счет энергии источника питания.

На рисунке изображена схема работы транзистора в ключевом режиме.

Для транзисторных схем напряжения не играют большой роли, важны лишь токи.  Поэтому, если отношение тока коллектора к току базы меньше коэффициента усиления транзистора то все окей.

В этом случае даже если к базе у нас приложено напряжение в 5 вольт а в цепи коллектора 500 вольт, то ничего страшного не произойдет, транзистор будет покорно переключать высоковольтную нагрузку.

Главное чтобы  эти напряжения не превышали предельные значения для конкретного транзистора (задается в характеристиках транзистора).

Чтож, теперь давайте попробуем рассчитать значение базового резистора.

На сколько мы знаем, что значение тока это характеристика нагрузки.

Т.е. I=U/R

Мы не знаем сопротивления лампочки, но мы знаем рабочий ток лампочки 100 мА. Чтобы транзистор открылся и обеспечил протекание такого тока, нужно подобрать соответствующий ток базы. Ток базы мы можем корректировать меняя номинал базового резистора.

Так как минимальное значение коэффициента усиления транзистора равно 10, то для открытия транзистора ток базы должен стать 10 мА.

Ток который нам нужен известен. Напряжение на базовом резисторе будет Такое значение напряжения на резисторе получилось из-зи  того, что на переходе база-эмиттер высаживается 0,6В-0,7В и это надо не забывать учитывать.

В результате  мы вполне можем найти сопротивление резистора

Осталось выбрать из ряда резисторов конкретное значение и дело в шляпе.

Теперь вы наверное думаете, что транзисторный ключ будет работать так как нужно? Что когда базовый резистор подключается к +5 В лампочка загорается, когда отключается -лампочка гаснет? Ответ может быть да а может и нет.

Все дело в том, что здесь есть небольшой нюанс.

Лампочка в том случае погаснет, когда потенциал резистора будет равен потенциалу земли. Если же резистор просто отключен от источника напряжения, то здесь не все так однозначно. Напряжение на базовом резисторе  может возникнуть чудесным образом в результате наводок или еще какой потусторонней нечисти

Чтобы такого эффекта не происходило делают следующее. Между базой и эмиттером подключают еще один резистор  Rбэ. Этот резистор выбирают номиналом как минимум в 10 раз больше базового резистора Rб (В нашем случае  мы взяли резистор 4,3кОм).

Когда база подключена к какому-либо напряжению, то транзистор работает как надо, резистор Rбэ ему не мешает. На этот резистор расходуется лишь малая часть базового тока.

В случае, когда напряжение к базе не приложено, происходит подтяжка базы к потенциалу земли, что избавляет нас от всяческих наводок.

Вот в принципе мы разобрались с работой транзистора в ключевом режиме, причем как вы могли убедиться ключевой режим работы это своего рода усиление сигнала по напряжению. Ведь мы с помощью малого напряжения в 5В управляли напряжением в 12 В.

Эмиттерный повторитель

Эмиттерный повторитель является частным случаем транзисторных схем с общим коллектором.

Отличительной чертой схемы с общим коллектором от схемы с общим эмиттером (вариант с транзисторным ключем) является то, что эта схема не усиливает сигнал по напряжению. Что вошло через базу, то и вышло через эмиттер, с тем же самым напряжением.

Действительно допустим приложили к базе мы 10 вольт, при этом мы знаем что на переходе база-эмиттер высаживается где-то 0,6-0,7В. Выходит что на выходе (на эмиттере, на нагрузке Rн) будет напряжение базы минус 0,6В.

Получилось 9,4В, одним словом почти сколько вошло столько и вышло. Убедились, что по напряжению эта схема нам сигнал не увеличит.

«В чем же смысл тогда таком включении транзистора?»- спросите вы. А вот оказывается эта схема обладает другим очень важным свойством.  Схема включения транзистора с общим коллектором усиливает сигнал по мощности. Мощность это произведение тока на напряжение, но так как напряжение не меняется то мощность увеличивается только за счет тока! Ток в нагрузке складывается из тока базы плюс ток коллектора. Но если сравнивать ток базы и ток коллектора то ток базы очень мал по сравнению с током коллектора. Получается ток нагрузки равен току коллектора.  И в результате получилась вот такая формула.

Теперь я думаю понятно в чем суть  схемы эмиттерного повторителя, только это еще не все.

Эмиттерный повторитель обладает еще одним очень ценным качеством — высоким входным сопротивлением. Это означает, что эта транзисторная схема почти не потребляет ток входного сигнала и не создает нагрузки для схемы -источника сигнала.

Для понимания принципа работы транзистора этих двух транзисторных схем будет вполне достаточно. А если вы еще поэкспериментируете с паяльником в руках то прозрение просто не заставит себя ждать, ведь теория теорией а практика и личный опыт ценнее в сотни раз!

Источник: http://popayaem.ru/bipolyarnyj-tranzistor-princip-raboty-dlya-chajnikov.html

Токи в транзисторе

Токи в биполярном транзисторе

Токи в биполярном транзисторе имеют две основных составляющих.

  • Ток основных носителей эмиттера IЭ, который частично проходит в коллектор, образуя ток основных носителей коллектора Iк осн, частично рекомбинирует с основными носителями базы, образуя рекомбинантный ток базы Iбр.
  • Ток неосновных носителей коллектора, который течёт через обратно смещённый коллекторый переход, образуя обратный ток коллектора Iкбо.

Источник: http://wiki2.org/ru/%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80

Где транзисторы купить?

Как и все другие радиокомпоненты транзисторы можно купить в  любом ближайшем  магазине радиодеталей. Если вы живете где-нибудь на окраине и о подобных магазинах не слышали (как я раньше) то остается последний вариант — заказать транзисторы в интернет- магазине. Я сам частенько заказываю радиодетали через интернет-магазины ведь в обычном оффлайн магазине может чего-нибудь просто не оказаться.

Впрочем если вы собираете устройство чисто для себя то можно не париться а добыть из старой, отслужившей свое техники и так сказать вдохнуть в старый радиокомпонет новую жизнь.

Чтож друзья, а на этом у меня все. Все, что планировал я сегодня вам рассказал. Если остались какие-либо вопросы, то задавайте их в комментариях, если вопросов нет то все равно пишите комментарии, мне всегда важно ваше мнение. Кстати не забывайте, что каждый кто впервые оставит комментарий получит подарок.

Также обязательно подпишитесь на новые статьи, потому что дальше вас ждет много интересного и полезного.

Желаю вам удачи, успехов  и солнечного настроения!

С н/п Владимир Васильев

P.S. Друзья, обязательно подписывайтесь на обновления! Подписавшись вы будете получать новые материалы себе прямо на почту! И кстати каждый подписавшийся получит полезный подарок!

Источник: http://popayaem.ru/bipolyarnyj-tranzistor-princip-raboty-dlya-chajnikov.html

Какие параметры учитывают при выборе биполярного транзистора?

  • Материал, из которого он изготовлен, – арсенид галлия или кремний.
  • Частоту. Она может быть – сверхвысокая (более 300 МГц), высокая (30-300 МГц), средняя – (3-30 МГц), низкая (менее 3 МГц).
  • Максимальную рассеиваемую мощность.

Источник: http://RadioElementy.ru/articles/bipolyarnye-tranzistory/

Технологии изготовления транзисторов

  • Эпитаксиально-планарная
  • Диффузионно-сплавная.

Источник: http://wiki2.org/ru/%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80

См. также

  • Униполярный транзистор

Источник: http://dic.academic.ru/dic.nsf/ruwiki/13217/%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9

Применение транзисторов

  • Усилители, каскады усиления
  • Генератор сигналов
  • Модулятор
  • Демодулятор (Детектор)
  • Инвертор (лог. элемент)
  • Микросхемы на транзисторной логике (см. транзисторно-транзисторная логика, диодно-транзисторная логика, резисторно-транзисторная логика)

Источник: http://wiki2.org/ru/%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80

Литература

  • Электронные твердотельные приборы (online курс)
  • Справочник о транзисторах
  • Принцип работы биполярных транзисторов

Источник: http://dic.academic.ru/dic.nsf/ruwiki/13217/%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9

См. также

  • Изобретение транзистора
  • Униполярный транзистор

Источник: http://wiki2.org/ru/%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80

Литература

  • Спиридонов Н.С. Основы теории транзисторов. — К.: Техника, 1969. — 300 с.
  • Кулешов В.Н., Удалов Н.Н., Богачев В.М. и др. Генерирование колебаний и формирование радиосигналов. — М.: МЭИ, 2008. — 416 с. — ISBN 978-5-383-00224-7.
Эта страница в последний раз была отредактирована 23 июня 2021 в 04:29.

Как только страница обновилась в Википедии она обновляется в Вики 2.
Обычно почти сразу, изредка в течении часа.

Источник: http://wiki2.org/ru/%D0%91%D0%B8%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80

5 Биполярные транзисторы — СтудИзба

Лекция 4. Биполярные транзисторы

Устройство и принцип действия биполярного транзистора.-n-транзистора (а), его схематическое изображение (б) и схема замещения (в) Устройство />-/г-/>-транзистора (г), его схематическое изображение (д) и схема замещения (е)

электрод базы располагается ближе к эмиттеру, а ширина базы зависит от частот­ного диапазона транзистора и с повышением частоты уменьшается. В зависимос­ти от полярности напряжений, приложенных к электродам транзистора, различа­ют следущие режимы его работы: линейный (усилительный), насыщения, отсечки и инверсный.

В линейном режиме работы транзистора эмиттерный переход смещен в пря­мом направлении, а коллекторный — в обратном. В режиме насыщения оба пере­хода смещены в прямом направлении, а в режиме отсечки — в обратном. И, наконец, в инверсном режиме коллекторный переход смещен в прямом направле­нии, а эмиттерный — в обратном Кроме рассмотренных режимов возможен еще один режим, который является не рабочим, а аварийным — это режим пробоя.

Работа транзистора основана на управлении токами электродов в зависимо­сти от приложенных к его переходам напряжений В линейном режиме, когда переход база-эмиттер открыт благодаря приложенному к нему напряжению E^Us,, через него протекает ток базы ц Протекание тока базы приводит к ин-жекции зарядов из области коллектора в область базы, причем ток коллектора определяется как i^Bi», где В — коэффициент передачи тока базы.Лкбо). Выходные вольт-амперные характеристики транзи­стора приведены на рис. 4.2 а. Линейная область на этих характеристиках отмече­на штриховой линией. Транзистор будет находиться в линейной области, если напряжение на коллекторе достаточно большое и выходит за границу штриховой линии.

Отметим некоторые особенности характеристик транзистора в линейной об­ласти. Во-первых, приращение тока коллектора пропорционально изменению тока базы. Во-вторых, ток коллектора почти не зависит от напряжения на коллек­торе (в соответствии с уравнением (4.1) такой зависимости вообще нет). В-треть­их, напряжение на базе не зависит от напряжения на коллекторе и слабо зависит

Рис. 4.2. Выходные характеристики биполярного транзистора (а) и его входная характеристика (б) оттока базь1. Из сказанного следует, что в линейном режиме транзистор для малых приращений тока базы можно заменить источником тока коллектора, уп­равляемого током базы. При этом, если пренебречь падением напряжения между базой и эмиттером, то можно считать этот переход коротким замыканием. В ре­зультате для линейного режима можно использовать простейшую модель транзи­стора, приведенную на рис. 4.3 а.

Пользуясь этой моделью, можно легко рассчитать коэффициент усиления кас­када, изображенного на рис. 4.3 6. Заменяя транзистор его моделью, получим эквивалентную схему, изображенную на рис. 4.3 в. Для этой схемы находим

откуда

«U                                                                       «

Если необходимо сделать расчет более точным, то модель транзистора можно усложнить введением других параметров, которые не учитывались при составле­нии схемы, изображенной на рис. 4.3 а. Уточненная схема замещения биполярного транзистора приведена на рис. 4.4. Этой схеме замещения соответствуют уравне­ния, которые называются уравнениями транзистора в Я-параметрах

Физический смысл параметров, приведенных в системе уравнений (4.4), мож­но легко установить, если воспользоваться режимами холостого хода на входе

Рис.кбо На вольт-амперных характеристиках транзисто­ра, приведенных на рис. 4.2 а, режиму отсечки соответствует горизонтальная ли­ния при г’8=0.

В справочных данных на транзисторы для режима отсечки обычно приводит­ся обратный ток коллектор — эмиттер /„я при заданном напряжении на коллек­торе и при заданном сопротивлении R, включенном между базой и эмиттером. Таким образом, два ключевых режима транзистора — режимы насыщения и от­сечки — позволяют использовать транзистор как замкнутый или разомкнутый ключ S. Остальные элементы на схемах замещения, приведенных на рис. 4.5, соот­ветствуют неидеальности транзисторного ключа.

Транзисторные ключи находят широкое применение в различных электрон­ных устройствах: измерительных усилителях для коммутации сигналов, в силовых преобразователях частоты и др. Во всех этих применениях транзистор поперемен­но переводится из режима насыщения в режим отсечки и обратно. В связи с этим очень важным является скорость переключения такого ключа, которая обычно характеризуется временем переключения или максимальной частотой коммутации.лин)

Наиболее часто инверсный режим транзистора используется в двунаправлен­ных ключах. В этом случае транзистор делается симметричным и его усиление практически не изменяется при замене коллектора и эмиттера. В таких транзисто­рах области коллектора и эмиттера имеют одинаковые свойства и геометрические размеры, поэтому любая из них может работать как эмиттер или коллектор. Для симметричных транзисторов характеристики в инверсном режиме подобны харак­теристикам в линейном режиме.

Динамические характеристики биполярного транзистора. Динамические харак­теристики транзистора по-разному описывают его поведение в линейном или ключевом режимах. Для ключевых режимов очень важным является время пере­ключения транзистора из одного состояния в другое. В то же время для усили­тельного режима транзистора более важными являются его свойства, которые показывают возможность транзистора усиливать сигналы различных частот

Процессы включения и выключения транзисторного ключа показаны на рис. 4.6 При включении транзистора (рис. 4.6 а) в его базу подается прямоуголь­ный импульс тока с крутым фронтоном Ток коллектора достигает установивше­гося значения не сразу после подачи тока в базу. Имеется некоторое время задер­жки ?зад> спустя которое появляется ток в коллекторе. Затем ток в коллекторе плавно нарастает и после времени /дар достигает установившегося значения /к „кл> таким образом

где 1акл — время включения транзистора.

Рис 4 б Процессы при включении транзистора (а) и выключении (б)

При выключении транзистора на его базу подается обратное напряжение, i результате чего ток базы меняет свое направление и становится равным /g „ых Покг происходит рассасывание неосновных носителей заряда в базе, этот ток не меняе1 своего значения. Это время называется временем рассасывания ?рас. После оконча­ния процесса рассасывания происходит спад тока базы, который продолжается i течение времени ten Таким образом, время выключения транзистора равно

Следует особо отметить, что при выключении транзистора, несмотря на из­менение направления тока базы, транзистор в течение времени ?p„c остается вклю­ченным и коллекторный ток не меняет своего значения. Спад тока коллектора начинается одновременно со спадом тока базы и заканчиваются они практически одновременно

Время рассасывания сильно зависит от степени насыщения транзистора перед его выключением. Минимальное время выключения получается при граничном режиме насыщения Для ускорения процесса рассасывания в базу пропускают об­ратный ток, который зависит от обратного напряжения на базе Однако прикла­дывать к базе большое обратное напряжение нельзя, так как может произойти пробой перехода база-эмиттер Максимальное обратное напряжение на базе обычно не превышает 5 7В

Если к базе транзистора в процессе запирания не прикладывается обратное напряжение (например, база замыкается на эмиттер), то такое запирание транзи­стора называется пассивным При пассивном запирании время рассасывания зна­чительно увеличивается, а обратный ток базы уменьшается Форма тока коллек­тора при подаче в базу прямоугольного импульса тока показана на рис 4 7 Из этого рисунка видно, что форма импульса тока коллектора не только изменяется за счет растягивания длительности фронтов, но и сам импульс увеличивается по длительности на время t^c В справочных данных обычно приводят времена вклю­

чения, спада и рассасывания Для наибо­лее быстрых транзисторов время рассасы­вания имеет значение 0,1. 0,5 мкс, однако для многих силовых транзисторов оно до­стигает 10 мкс

Динамические свойства транзистора в усилительном режиме принято характери­зовать не временем включения или вы­ключения, а его частотными характерис­тиками. Имеется много различных моде­лей транзисторов, работающих на высоких частотах, однако наиболее распростра­ненными являются модели, основанные на схеме замещения Джиаколетто и аппрок­симации зависимости коэффициента пере­дачи тока базы (или эмиттера) на высо­кой частоте.

Гис 4 / Изменение формы импульса при работе транзисторного ключа

Рассмотрим вначале схему замещения транзистора, предложенную Джиако-летто. Эта схема приведена на рис 4 8 я и представляет собой П-образную схему, в которой усилительные свойства транзистора учтены крутизной S его вольт-амперной характеристики (т е. проводимостью прямой передачи), а частотная зависимость усилительных свойств определяется учетом емкостей между базой и коллектором — Сц и базой и эмиттером — Су Достоинство этой схемы замещения заключается в том, что она с достаточной для практических расчетов точностью отражает реальное свойство транзисторов на высоких частотах Кроме того, все параметры элементов этой схемы замещения можно легко измерить или рассчи­тать

На схеме замещения (рис.ie, приведен­ному в схеме замещения рис. 4.4, однако в отличие от последнего он управляется не током базы ц, а напряжением щ,

Эта схема объясняет причины, приводящие к уменьшению усиления транзис­тора с повышением частоты Во-первых, с ростом частоты уменьшается полная

Рис 4 8 Схема замещения транзистора на высокой частоте (а) и частотная зависимость коэффициента передачи тока базы (б)

проводимость эмиттерного перехода, что приводит к увеличению тока ig и увели­чению падения напряжения на Гц Таким образом, управляющее напряжение щ, для источника тока уменьшается с ростом частоты и, следовательно, уменьшается усиление транзистора

Дополнительное снижение усиления обусловлено влиянием коллекторной проводимости, которая тоже уменьшается с ростом частоты В результате ток базы еще больше увеличивается, что приводит к дополнительному снижению на­пряжения Mg,

Другим способом учета влияния частоты на усилительные свойства транзис­тора является аппроксимация зависимости коэффициента передачи тока базы от частоты, т е. вместо постоянного значения коэффициента передачи тока базы В используется частотно-зависимый коэффициент

где ро=Д — коэффициент передачи тока базы на низкой частоте, <»р — предель­ная частота коэффициента передачи тока базы

Модуль частотной зависимости коэффициента передачи тока базы определя­ется по формуле

На частоте со=Юр модуль коэффициента передачи уменьшается по сравнению с ро в /2= 1,41 раза Если со>3(Вр, то частотная зависимость коэффициента переда­чи тока базы принимает вид

где (07-=Ро<Вр граничная частота коэффициента передачи тока базы, на которой коэффициент передачи тока снижается до единицы

Рассмотренная частотная зависимость коэффициента передачи тока базы приведена на рис 486. Следует учесть, что помимо падения усиления с ростом частоты имеет место фазовый сдвиг выходного сигнала по сравнению с входным, определяемый формулой

Поскольку фазовый сдвиг зависит от частоты, то сигналы с широким спект­ром частот будут дополнительно искажаться за счет фазового сдвига гармоникЛекция 5. Униполярные транзисторы

Устройство и принцип действия униполярного транзистора. Униполярными, ил) полевыми, транзисторами называются полупроводниковые приборы, в которы:

регулирование тока производится изменением проводимости проводящего канал;

с помощью электрического поля, перпендикулярного направлению тока Оба на звания этих транзисторов достаточно точно отражают их основные особенности прохождение тока в канале обусловлено только одним типом зарядов, и управле ние током канала осуществляется при помощи электрического поля

Электроды, подключенные к каналу, называются стоком (Drain) и истоков (Source), а управляющий электрод называется затвором (Gate) Напряжен» управления, которое создает поле в канале, прикладывается между затвором i истоком В зависимости от выполнения затвора униполярные транзисторы делят ся на две группы с управляющим ^-и-переходом и с изолированным затвором

Устройство полевого транзистора с изолированным затвором (ПТИЗ) приве дено на рис 5.1 а, а полевого транзистора с управляющим переходом (ПТУП) — на рис. 516.

В полевых транзисторах с изолированным затвором электрод затвора изоли рован от полупроводникового канала с помощью слоя диэлектрика из двуокис! кремния SiOz. Электроды стока и истока располагаются по обе стороны затвор. и имеют контакт с полупроводниковым каналом Ток утечки затвора пренебрежи мо мал даже при повышенных температурах Полупроводниковый канал може» быть обеднен носителями зарядов или обогащен ими При обеденном канале элек трическое поле затвора повышает его проводимость, поэтому канал называете) индуцированньш. Если канал обогащен носителями зарядов, то он называете? встроенным Электрическое поле затвора в этом случае приводит к обеднении канала носителями зарядов.

Проводимость канала может быть электронной или дырочной Если кана;

имеет электронную проводимость, то он называется и-каналом Каналы с дыроч’ ной проводимостью называются ^-каналами В результате полевые транзисторы с изолированным затвором могут быть четырех типов с каналом и- или ^-типов,

Рис 5 1 Устройство униполярного транзистора с изолированным затвором (а) и с управляющим р-п-переходом (б)

каждый из которых может иметь индуцированный или встроенный канал Услов­ные схематичные изображения этих типов транзисторов приведены на рис. 5.2. Графическое обозначение транзисторов содержит максимальную информацию о его устройстве Канал транзистора изображается вертикально штриховой или сплошной линией. Штриховая линия обозначает индуцированный канал, а сплошная — встроенный Исток и сток действуют как невыпрямляющие контак­ты, поэтому изображаются под прямым углом к каналу. Подложка изображается как электрод со стрелкой, направление которой указывает тип проводимости ка­нала. Затвор изображается вертикальной линией, параллельной каналу Вывод затвора обращен к электроду истока.

Условное обозначение полевых транзисторов состоит из ряда букв и цифр. Первая буква указывает материал, из которого изготовлен прибор (К — кремний, А — арсенид галлия) Вторая буква, П, указывает на принадлежность к группе полевых транзисторов. Первая цифра указывает на допустимую рассеиваемую мощность и максимальную рабочую частоту. Далее идет двухзначньш номер раз­работки транзистора. Пятая буква соотвествует разбраковке по параметрам. На­пример, транзистор КП302А — кремниевый, полевой, малой мощности, высоко­частотный.-типа.

Рассмотрим некоторые особенности этих характеристик. Все характеристики полевых транзисторов с каналом п-типа расположены в верхней половине графи­ка и, следовательно, имеют положительный ток, что соответствует положительно­му напряжению на стоке. Наоборот, все характеристики приборов с каналом /»-типа расположены в нижней половине графика и, следовательно, имеют отрица­тельное значение тока и отрицательное напряжение на стоке. Характеристики

ПТУП при нулевом напряжении на затворе имеют максимальное значение тока, которое называется начальным /<:нач- При увеличении запирающего напряжения ток стока уменьшается и при напряжении отсечки t/отс становится близким к нулю.

Характеристики ПТИЗ с индуцированным каналом при нулевом напряжении на затворе имеют нулевой ток. Появление тока стока в таких транзисторах про­исходит при напряжении на затворе больше порогового значения t/пор. Увеличе­ние напряжения на затворе приводит к увеличению тока стока.

Характеристики ПТИЗ со встроенным каналом при нулевом напряжении на затворе имеют начальное значение тока /с нач. Такие транзисторы могут работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения. При увеличении напряжения на затворе канал обогащается и ток стока растет, а при уменьшении напряжения на затворе канал обедняется и ток стока снижается.

На рис. 5.5 приведены выходные вольт-амперные характеристики ПТУП с каналом л-типа. Характеристики других типов транзисторов имеют аналогичный вид, но отличаются напряжением на затворе и полярностью приложенных напря­жений. На этих вольт-амперных характеристиках можно выделить две области:

линейную и насыщения.

В линейной области вольт-амперные характеристики вплоть до точки пере­гиба представляют собой прямые линии, наклон которых зависит от напряже­ния на затворе. В области насыщения вольт-амперные характеристики идут практически горизонтально, что позволяет говорить о назависимости тока сто­ка от напряжения на стоке. В этой области выходные характеристики полевых транзисторов всех типов сходны с характеристиками электровакуумных пен- тодов.—’-Uy, то сопротивление канала возрастает до бесконечности: 7?с—’-00. График зависимости сопротивления канала от управляющего напряжения на зат­воре приведен на рис. 5.6 а.

При приближении к точке перегиба вольт-амперных характеристик сопротив­ление канала начинает увеличиваться, так как сказывается второй член в выраже­нии (5.1). В этом случае можно определить дифференциальную проводимость канала, пользуясь формулой (5.1):

откуда получаем значение дифференциального сопротивления канала

Зависимость сопротивления канала от напряжения на стоке С/с„ нарушает | линейность сопротивления, однако при малом уровне сигнала этой зависимостью можно пренебречь. Таким образом, основное применение полевых транзисторов в линейной области определяется их способностью изменять сопротивление при изменении напряжения на затворе. Это сопротивление для мощных полевых тран­зисторов с изолированным затвором достигает долей ома (0,5… 2,0 Ома), что позволяет использовать их в качестве замкнутого ключа с весьма малым соб­ственным сопротивлением канала.-*Uy, то сопротивление канала возрастает до бесконечности. Re-*00. График зависимости сопротивления канала от управляющего напряжения на зат­воре приведен на рис. 5.6 а.

При приближении к точке перегиба вольт-амперных характеристик сопротив­ление канала начинает увеличиваться, так как сказывается второй член в выраже­нии (5.1). В этом случае можно определить дифференциальную проводимость канала, пользуясь формулой (5.1):

откуда получаем значение дифференциального сопротивления канала

Зависимость сопротивления канала от напряжения на стоке Uy, нарушает линейность сопротивления, однако при малом уровне сигнала этой зависимостью можно пренебречь. Таким образом, основное применение полевых транзисторов в линейной области определяется их способностью изменять сопротивление при изменении напряжения на затворе. Это сопротивление для мощных полевых тран­зисторов с изолированным затвором достигает долей ома (0,5… 2,0 Ома), что позволяет использовать их в качестве замкнутого ключа с весьма малым соб­ственным сопротивлением канала.

С другой стороны, если напряжение на затворе сделать равным пороговому значению (или больше его), то сопротивление канала транзистора увеличивается,

что соответствует разомкнутому ключу с весьма малой собственной проводи­мостью. Таким образом, полевой транзистор можно использовать как ключ, управляемый напряжением на затворе. Такой ключ способен пропускать доста­точно большой ток (до 10 А и выше) Уменьшить сопротивление канала можно параллельным включением транзисторов с общим управляющим напряжением, чем обычно и пользуются при создании силовых ключей. Схема замещения ключа на полевом транзисторе приведена на рис. 5.6 б.

Область насыщения В области насыщения ток стока полевого транзистора определяется уравнением

из которого следует его полная независимость от напряжения на стоке. Практи­чески такая зависимость есть, но в большинстве случаев она слабо выражена.тах=2&{/п, уравнение (5.8) можно записать в виде

Схему замещения полевого транзистора для области насыщения можно пред­ставить в виде источника тока стока, управляемого напряжением на затворе U,». При этом для большого сигнала нужно пользоваться уравнением (5.5), а для ма­лого сигнала, используя (5.8), получим

где крутизну S в выбранной рабочей точке можно считать величиной постоянной и не зависящей от напряжения на затворе. Схема замещения полевого транзистора приведена на рис. 5.7 а. В этой схеме цепь затвора представлена как разомкнутая, поскольку ток затвора очень мал и его можно не учитывать. Пользуясь этой схе­мой замещения, легко найти усиление простейшего усилительного каскада на по­левом транзисторе, изображенного на рис. 5.7 б. Заменив полевой транзистор его эквивалентной схемой, получим схему замещения усилительного каскада, при­веденную на рис. 5.7 в, для которой можно найти напряжение на нагрузке:

откуда

¥w 5.тах=2&{/п, уравнение (5.8) можно записать в виде

Схему замещения полевого транзистора для области насыщения можно пред­ставить в виде источника тока стока, управляемого напряжением на затворе U,». При этом для большого сигнала нужно пользоваться уравнением (5.5), а для ма­лого сигнала, используя (5.8), получим

где крутизну S в выбранной рабочей точке можно считать величиной постоянной и не зависящей от напряжения на затворе. Схема замещения полевого транзистора приведена на рис. 5.7 а. В этой схеме цепь затвора представлена как разомкнутая, поскольку ток затвора очень мал и его можно не учитывать. Пользуясь этой схе­мой замещения, легко найти усиление простейшего усилительного каскада на по­левом транзисторе, изображенного на рис. 5.7 б. Заменив полевой транзистор его эквивалентной схемой, получим схему замещения усилительного каскада, при­веденную на рис. 5.7 в, для которой можно найти напряжение на нагрузке:

откуда

¥w 5.’=S это крутизна полевого транзистора (или проводи­мость прямой передачи). Из схемы замещения, приведенной на рис. 5.5 г, можно получить простейшую схему замещения, изображенную на рис. 5.7 а, если поло­жить Уп=Уи=У22=0-

Отметим, что в справочниках по полевым транзисторам обычно приводятся не все, а только некоторые из рассмотренных характеристик. Всегда приводится значение крутизны S, вместо входной проводимости иногда приводятся ток утеч­ки затвора и входная емкость, а вместо проводимости обратной передачи в боль­шинстве случаев приводится так называемая проходная емкость Сэс, т. е. емкость с затвора на сток (или на канал). Для мощных полевых транзисторов, работаю­щих в ключевом режиме, обычно приводится значение сопротивления открытого канала, максимальный ток стока и предельное напряжение на стоке.

Динамические характеристики полевых транзисторов. Динамические характе­ристики полевых транзисторов по-разному описывают их поведение в ключевом и линейном (усилительном) режимах работы., выходная проводимость gem a также объемные сопротивления /•с и г,, участков канала, примыкающих к электродам стока и истока. Если пре­небречь небольшими объемными сопротивлениями контактов стока и истока, а также утечками с затвора на канал, то комплексные проводимости схемы замеще­ния будут иметь значения

Из выражения (5.14) следует, что с повышением частоты уменьшается входное сопротивление 1/у,х полевого транзистора и сопротивление обратной связи со стока на затвор /уг- В результате возрастает емкостной ток с затвора на канал и напряжение на затворе уменьшается. При этом снижается усиление транзистора на высокой частоте. Следует, однако, отметить, что многие из параметров схемы замещения, при­веденной на рис. 5 8 а, зависят от режима работы транзистора, т е от постоянные напряжений на его электродах Так, например, крутизна S зависит от напряжение на затворе U,u (см формулу 5 9) Для транзисторов с/»-и-переходом емкости затво­ра Сэи и Сзи являются барьерными и с увеличением обратного напряжения на затворе уменьшаются

Переходные процессы при ключевом режиме работы рассмотрим на при­мере процессов включения и выключения полевого транзистора с индуциро­ванным каналом и-типа, пользуясь схемой, изображенной на рис 586.задвык. время выключения Гцых; в течение которого спадает импульс тока стока, и время ty, установления исходного

Что такое Транзистор?

Транзистор — один из самых распространенных полупроводниковых элементов самого широкого применения. Существуют различные виды транзисторов, но как правило данный электронный компонент имеет три вывода и, как и диод, основывается на явлении p-n перехода. Отсюда происходит его второе название – полупроводниковый триод.

Главным свойством транзистора является управление током, протекающим через него (ток эмиттер–коллектор у биполярных и ток исток–сток у полевых транзисторов), с помощью третьего вывода (база у биполярных и затвор у полевых транзисторов). Иными словами транзисторы зачастую используют как выключатель и/или регулятор силы тока и напряжения.

Биполярный транзистор

Транзисторы данного типа состоят из трех слоев полупроводников с чередующимся типом проводимости:

  • Эмиттер (emitter)
  • База (base) – на схемах изображается между К. и Э. под прямым углом к несущей черте
  • Коллектор (collector) – на схемах обозначен стрелкой.

Таким образом, у биполярных транзисторов имеется два p-n перехода: эмиттер-база и база-коллектор. Наделение полупроводников определенным типом проводимости происходит с помощью легирования — добавления в них специальных примесей. Каждый слой легируется в разной степени.

Различают два типа биполярных транзиторов:

p-n-p, где эмиттер – полупроводник p-типа, база – n-типа, коллектор – p-типа

n-p-n, где эмиттер – полупроводник n-типа, база – p-типа, коллектор – n-типа.

Их схематичное устройство представлено представлено на иллюстрации ниже.

В основе работы биполярных транзисторов лежит следующий процесс, который рассмотрим на примере транзистора со структурой npn в нормальном активном режиме. В этом режиме переход эметтер-база смещён в прямом направлении, иначе говоря, открыт, а переход база-коллектор смещён в обратном направлении или закрыт. При переходе носителей заряда (электронов) из эмиттера через открытый p-n переход эмиттер-база, часть их рекомбинирует с носителями заряда (дырками) в базе. Однако база делается очень тонкой и слабо легированной (по сравнению с эмиттером), из-за чего большая часть электронов, перешедших (инжектированных) в базу из эмиттера, так сказать, «не находит себе в базе места» и, как следствие, диффундирует в коллектор. Сильное электрическое поле обратносмещённого коллекторного перехода захватывает неосновные носители из базы и переносит их в коллекторный слой. Таким образом, ток коллектора практически равен току эмиттера, за исключением небольшой потери на рекомбинацию в базе, которая и образует ток базы. В случае с биполярными транзисторами структуры pnp процесс будет тем же, изменится лишь полярность и направление токов.

Полевой транзистор (униполярный)

Принцип действия полевых транзисторов основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.

Полевые транзисторы имеют следующие выводы:
  • Исток (source) — область, из которой носители заряда уходят в канал
  • Затвор (gate) – электрод, на который подается управляющее напряжение
  • Сток (drain) – область, в которую носители заряда входят.

Читайте также про другие элементы электрической цепи:

Понравилась статья? Не забудь поделиться с друзьями в соц. сетях. А также подписаться на наш канал на YouTube, вступить в группу Вконтакте, в группу на Facebook.

До встречи в следующем уроке. Спасибо за внимание!

Технологии начинаются с простого!

Понравилась статья? Поделитесь ею с друзьями:

Портал для избранных леди

Портал для избранных леди
  • Парные браслеты с гравировкой Браслеты для влюбленных заказать
  • К чему дарят желтые цветы Нельзя дарить желтые цветы
  • Где можно отдохнуть с друзьями
  • Идем в гости: что взять с собой из еды, к столу, что взять, парню и девушке, что купить ребенку?
  • Самые модные цвета для весны и лета
  • Выбираем детскую железную дорогу по возрасту ребенка
  • Модные подарки, или что подарить людям, идущим в ногу со временем
  • Что подарить мужу на Новый год?
  • Самые смешные конкурсы на новый год
  • Типичные ошибки в одежде
  • Какие джинсы носить мужчинам этой осенью и зимой
  • Конкурсы, сценарии и развлечения на день рождения
  • Шуба-трансформер из песца: отзывы, модели, с чем носить Главные преимущества шубы-трансформера
  • Любопытные факты о наращивании ресниц Интересные факты о нарощенных ресницах
  • Проверяем факты: вредно ли наращивание ногтей на самом деле?
  • Инструкция: Как сушить шерстяные вещи, чтобы не растянулись В чем стирать полушерстяные вещи
  • Эссе воспитателя дети цветы жизни
  • Эссе воспитателя «Дети — цветы жизни
  • Как оригинально поздравить с днем рождения лучшего друга?
  • Свежий воздух: польза прогулок по лесу, в горах для взрослых и детей Зачем детям гулять на улице
  • Самое оригинальное поздравление с днем рождения: несколько идей Оригинальное поздравление для друга
  • Как поздравить друга с днем рождения оригинально
  • Что делать, если лак не держится на ногтях?
  • Рубашки мужские: модные бренды
  • Как правильно заточить нож
  • Искусственный камень своими руками для использования на даче
  • Полиэфирные лаки и грунты Полиэфирный лак для дерева чем заменить
  • Как почистить рулонные шторы и можно ли их стирать Основные правила эксплуатации для тканевых ролет
  • Натуральный камень для пола: виды и особенности Напольный камень для дома
  • Папье-маше из туалетной бумаги, поделки Для сада из папье маше своими руками
  • Поделки из папье-маше своими руками Фигуры в сад из папье маше изготовление
  • Пористая резина (декоративная пенка) Цветная пористая резина для творчества как использовать
  • Мастер-класс с пошаговыми фото
  • Детские площадки для дачи — как своими руками создать безопасный уголок для детей
  • Изготовление детского одеяла в технике пэчворк
  • Развивающие коврики для детей своими руками: как сшить коврик с дугами и бортиками, игровой, двусторонний и коврик-пазл
  • Поделки для детской площадки: обустраиваем детскую зону участка самоделками
  • Цветной лак для дерева для внутренних работ
  • Лак для наружных и внутренних работ
  • Какой лак лучше подходит мебели из дерева
Загрузка… rmi-laser.ru — Портал для избранных леди

2n2222a datasheet, equivalent, cross reference search. transistor catalog

Биполярный транзистор 2N2219 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N2219

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: TO39

2N2219


Datasheet (PDF)

1.1. 2n2219 2n2219a 3.pdf Size:55K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D111
2N2219; 2N2219A
NPN switching transistors
1997 Sep 03
Product specification
Supersedes data of 1997 May 07
File under Discrete Semiconductors, SC04
Philips Semiconductors Product specification
NPN switching transistors 2N2219; 2N2219A
FEATURES PINNING
High current (max. 800 mA)
PIN DESCRIPTION
Low voltage (max. 40 V).
1

1.2. 2n2222a 2n2219a.pdf Size:168K _st

2N2219A
2N2222A

HIGH SPEED SWITCHES
PRELIMINARY DATA
DESCRIPTION
The 2N2219A and 2N2222A are silicon Planar
Epitaxial NPN transistors in Jedec TO-39 (for
2N2219A) and in Jedec TO-18 (for 2N2222A)
metal case. They are designed for high speed
switching application at collector current up to
500mA, and feature useful current gain over a
wide range of collector current, low leakage
cur

 1.3. 2n2218-2n2219-2n2221-2n2222.pdf Size:71K _st

2N2218-2N2219
2N2221-2N2222
HIGH-SPEED SWITCHES
DESCRIPTION
The 2N2218, 2N2219, 2N2221 and 2N2222 are sili-
con planar epitaxial NPN transistors in Jedec
TO-39 (for 2N2218 and 2N2219) and in Jedec
TO-18 (for 2N2221 and 2N2222) metal cases. They
are designed for high-speed switching applications
at collector currents up to 500 mA, and feature use-
ful current gain over a wide range of col

1.4. 2n2219a 2n2222a.pdf Size:166K _st

2N2219A
2N2222A

HIGH SPEED SWITCHES
PRELIMINARY DATA
DESCRIPTION
The 2N2219A and 2N2222A are silicon Planar
Epitaxial NPN transistors in Jedec TO-39 (for
2N2219A) and in Jedec TO-18 (for 2N2222A)
metal case. They are designed for high speed
switching application at collector current up to
500mA, and feature useful current gain over a
wide range of collector current, low leakage
cur

 1.5. 2n2218-a 2n2219-a.pdf Size:56K _central

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

1.6. 2n2219a(to-39).pdf Size:327K _mcc

MCC
TM
Micro Commercial Components
Micro Commercial Components 20736 Marilla Street Chatsworth 2N2219A
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
SWITCHING
Features
Features
TRANSISTOR
Collector — Base Voltage 75 V
Collector — Current 800 mA
Medium Current, Bipolar Transistor
SMALL SIGNAL
Marking: Type number
BIPOLAR
Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) («P

1.7. 2n2218 2n2219.pdf Size:58K _microsemi

TECHNICAL DATA
NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/251
Devices Qualified Level
JAN
2N2218 2N2219
JANTX
2N2218A 2N2219A
JANTXV
2N2218AL 2N2219AL
JANS
MAXIMUM RATINGS
2N2218 2N2218A; L
Ratings Symbol Unit
2N2219 2N2219A; L
Collector-Emitter Voltage 30 50 Vdc
VCEO
Collector-Base Voltage 60 75 Vdc
VCBO
TO- 39* (TO-205AD)
Emitter-Base

Другие транзисторы… 2N2217
, 2N2217-51
, 2N2217A
, 2N2218
, 2N2218A
, 2N2218AQF
, 2N2218AS
, 2N2218S
, BC639
, 2N2219A
, 2N2219AL
, 2N2219AQF
, 2N2219AS
, 2N2219S
, 2N222
, 2N2220
, 2N2220A
.

2N2222AUB Datasheet (PDF)

1.1. 2n2222aubc.pdf Size:138K _upd

TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http: //www.microsemi.com
RADIATION HARDENED
NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/255
DEVICES LEVELS
JANSM – 3K Rads (Si)
2N2221A 2N2222A
JANSD – 10K Rads (Si)
2N2221AL 2N2222AL
JANSP – 30K Rads (Si)
2N2221AUA 2N2222AUA

1.2. 2n2222aub.pdf Size:250K _optek

Product Bulletin JANTX, JANTXV, 2N2222AUB
September 1996
Surface Mount NPN General Purpose Transistor
Type JANTX, JANTXV, 2N2222AUB
Feature Absolute Maximum Ratings (TA = 25o C unless otherwise noted)
Collector-Base Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75 V
Ceramic surface mount package
Collector-Emitter Voltage. . . . . . . . .

 1.3. 2n2221a 2n2221al 2n2221aua 2n2221aub 2n2222a 2n2222al 2n2222aua 2n2222aub.pdf Size:377K _aeroflex

Radiation Hardened
NPN Silicon Switching Transistors
2N2221A, 2N2221AL, 2N2221AUA, 2N2221AUB
2N2222A, 2N2222AL, 2N2222AUA, 2N2222AUB
Features
• Qualified to MIL-PRF-19500/255
• Levels: Commerical
JANS
JANSM-3K Rads (Si)
JANSD-l0K Rads (Si)
JANSP-30K Rads (Si)
JANSL-50K Rads (Si)
JANSR-l00K Rads (Si)
• TO-18 (TO-206AA), Surface mount UA & UB Packages
Absolute Maximum Ra

KN2222A Datasheet (PDF)

1.1. kn2222as s.pdf Size:43K _kec

SEMICONDUCTOR KN2222S/AS
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
E
FEATURES L B L
DIM MILLIMETERS
Low Leakage Current
_
+
2.93 0.20
A
B 1.30+0.20/-0.15
: ICEX=10nA(Max.) ; VCE=60V, VEB(OFF)=3V.
C 1.30 MAX
2
Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05
E 2.40+0.30/-0.20
: VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=150mA, IB=15mA.
1
G 1

4.1. kn2222 a.pdf Size:39K _kec

SEMICONDUCTOR KN2222/A
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
B C
FEATURES
Low Leakage Current
: ICEX=10nA(Max.) ; VCE=60V, VEB(OFF)=3V.
N DIM MILLIMETERS
Low Saturation Voltage
A 4.70 MAX
E
K
: VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=150mA, IB=15mA. B 4.80 MAX
G
C 3.70 MAX
D
Complementary to the KN2907/2907A.
D 0.45
E 1.00
F

2N2219 Datasheet (PDF)

1.1. 2n2219 2n2219a 3.pdf Size:55K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D111
2N2219; 2N2219A
NPN switching transistors
1997 Sep 03
Product specification
Supersedes data of 1997 May 07
File under Discrete Semiconductors, SC04
Philips Semiconductors Product specification
NPN switching transistors 2N2219; 2N2219A
FEATURES PINNING
High current (max. 800 mA)
PIN DESCRIPTION
Low voltage (max. 40 V).
1

1.2. 2n2222a 2n2219a.pdf Size:168K _st

2N2219A
2N2222A

HIGH SPEED SWITCHES
PRELIMINARY DATA
DESCRIPTION
The 2N2219A and 2N2222A are silicon Planar
Epitaxial NPN transistors in Jedec TO-39 (for
2N2219A) and in Jedec TO-18 (for 2N2222A)
metal case. They are designed for high speed
switching application at collector current up to
500mA, and feature useful current gain over a
wide range of collector current, low leakage
cur

 1.3. 2n2218-2n2219-2n2221-2n2222.pdf Size:71K _st

2N2218-2N2219
2N2221-2N2222
HIGH-SPEED SWITCHES
DESCRIPTION
The 2N2218, 2N2219, 2N2221 and 2N2222 are sili-
con planar epitaxial NPN transistors in Jedec
TO-39 (for 2N2218 and 2N2219) and in Jedec
TO-18 (for 2N2221 and 2N2222) metal cases. They
are designed for high-speed switching applications
at collector currents up to 500 mA, and feature use-
ful current gain over a wide range of col

1.4. 2n2219a 2n2222a.pdf Size:166K _st

2N2219A
2N2222A

HIGH SPEED SWITCHES
PRELIMINARY DATA
DESCRIPTION
The 2N2219A and 2N2222A are silicon Planar
Epitaxial NPN transistors in Jedec TO-39 (for
2N2219A) and in Jedec TO-18 (for 2N2222A)
metal case. They are designed for high speed
switching application at collector current up to
500mA, and feature useful current gain over a
wide range of collector current, low leakage
cur

 1.5. 2n2218-a 2n2219-a.pdf Size:56K _central

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

1.6. 2n2219a(to-39).pdf Size:327K _mcc

MCC
TM
Micro Commercial Components
Micro Commercial Components 20736 Marilla Street Chatsworth 2N2219A
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
SWITCHING
Features
Features
TRANSISTOR
Collector — Base Voltage 75 V
Collector — Current 800 mA
Medium Current, Bipolar Transistor
SMALL SIGNAL
Marking: Type number
BIPOLAR
Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) («P

1.7. 2n2218 2n2219.pdf Size:58K _microsemi

TECHNICAL DATA
NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/251
Devices Qualified Level
JAN
2N2218 2N2219
JANTX
2N2218A 2N2219A
JANTXV
2N2218AL 2N2219AL
JANS
MAXIMUM RATINGS
2N2218 2N2218A; L
Ratings Symbol Unit
2N2219 2N2219A; L
Collector-Emitter Voltage 30 50 Vdc
VCEO
Collector-Base Voltage 60 75 Vdc
VCBO
TO- 39* (TO-205AD)
Emitter-Base

PN2222A Datasheet (PDF)

1.1. pn2222arlrpg.pdf Size:194K _upd

PN2222, PN2222A
General Purpose
Transistors
NPN Silicon
http://onsemi.com
Features
• Pb-Free Packages are Available*
COLLECTOR
3
MAXIMUM RATINGS
2
Rating Symbol Value Unit
BASE
Collector-Emitter Voltage VCEO Vdc
1
PN2222 30
EMITTER
PN2222A 40
Collector-Base Voltage VCBO Vdc
PN2222 60
PN2222A 75
Emitter-Base Voltage VEBO Vdc
PN2222 5.0
TO-92
PN2222A 6.0
CASE 29
STYLE

1.2. pn2222arlrag.pdf Size:194K _upd

PN2222, PN2222A
General Purpose
Transistors
NPN Silicon
http://onsemi.com
Features
• Pb-Free Packages are Available*
COLLECTOR
3
MAXIMUM RATINGS
2
Rating Symbol Value Unit
BASE
Collector-Emitter Voltage VCEO Vdc
1
PN2222 30
EMITTER
PN2222A 40
Collector-Base Voltage VCBO Vdc
PN2222 60
PN2222A 75
Emitter-Base Voltage VEBO Vdc
PN2222 5.0
TO-92
PN2222A 6.0
CASE 29
STYLE

 1.3. pn2222arlrmg.pdf Size:194K _upd

PN2222, PN2222A
General Purpose
Transistors
NPN Silicon
http://onsemi.com
Features
• Pb-Free Packages are Available*
COLLECTOR
3
MAXIMUM RATINGS
2
Rating Symbol Value Unit
BASE
Collector-Emitter Voltage VCEO Vdc
1
PN2222 30
EMITTER
PN2222A 40
Collector-Base Voltage VCBO Vdc
PN2222 60
PN2222A 75
Emitter-Base Voltage VEBO Vdc
PN2222 5.0
TO-92
PN2222A 6.0
CASE 29
STYLE

1.4. pn2222ag.pdf Size:194K _upd

PN2222, PN2222A
General Purpose
Transistors
NPN Silicon
http://onsemi.com
Features
• Pb-Free Packages are Available*
COLLECTOR
3
MAXIMUM RATINGS
2
Rating Symbol Value Unit
BASE
Collector-Emitter Voltage VCEO Vdc
1
PN2222 30
EMITTER
PN2222A 40
Collector-Base Voltage VCBO Vdc
PN2222 60
PN2222A 75
Emitter-Base Voltage VEBO Vdc
PN2222 5.0
TO-92
PN2222A 6.0
CASE 29
STYLE

 1.5. pn2222a.pdf Size:73K _st

PN2222A

SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR
PRELIMINARY DATA
Ordering Code Marking Package / Shipment
PN2222A PN2222A TO-92 / Bulk
PN2222A-AP PN2222A TO-92 / Ammopack
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN
TRANSISTOR
TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR
THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY
THE PNP COMPLEMENTARY TYPE IS
PN2907A
TO-92 TO-92
APPLICATIONS
Bulk Ammopack
WELL SUITABLE FOR TV AND HOME
APPLIANCE EQUIPME

1.6. pn2222a mmbt2222a pzt2222a.pdf Size:174K _fairchild_semi

1.7. pn2222a .pdf Size:899K _fairchild_semi

1.8. pn2221 pn2222a.pdf Size:44K _central

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

1.9. pn2222a to-92.pdf Size:236K _mcc

MCC
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
PN2222A
Micro Commercial Components
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
625mW
Marking:Type number
Continuous Collector Current (Ic) =600mA.
NPN General
Operating and storange temperatu

1.10. pn2222a.pdf Size:279K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
PN2222A NPN SILICON TRANSISTOR
NPN GENERAL PURPOSE
AMPLIFIER
? FEATURES
* This device is for use as a medium power amplifier and switch
requiring collector currents up to 500mA.
? ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Free Halogen Free 1 2 3
PN2222AL-AB3-R PN2222AG-AB3-R SOT-89 B C E Tape Reel
PN2222AL-T92-R P

1.11. pn2222a.pdf Size:173K _auk

 PN2222A
NPN Silicon Transistor
Descriptions
PIN Connection
• General purpose application
C
• Switching application
Features
B
• Low Leakage current
• Low collector saturation voltage enabling
E
low voltage operation
• Complementary pair with PN2907A
TO-92
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
PN2222A PN2222A TO-92
Absolute maximum rat

1.12. hpn2222a.pdf Size:56K _hsmc

Spec. No. : HE6118
HI-SINCERITY
Issued Date : 1992.10.23
Revised Date : 2004.12.15
MICROELECTRONICS CORP.
Page No. : 1/5
HPN2222A
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HPN2222A is designed for general purpose amplifier and high speed,
medium-power switching applications.
Features
TO-92
• Low Collector Saturation Voltage
• High Speed Switching
• For Complementary Use

P2N2222AG Datasheet (PDF)

1.1. p2n2222ag.pdf Size:165K _upd

P2N2222A
Amplifier Transistors
NPN Silicon
Features
• These are Pb—Free Devices*
http://onsemi.com
COLLECTOR
1
MAXIMUM RATINGS (TA =25°C unless otherwise noted)
Characteristic Symbol Value Unit
2
BASE
Collector—Emitter Voltage VCEO 40 Vdc
Collector—Base Voltage VCBO 75 Vdc
3
Emitter—Base Voltage VEBO 6.0 Vdc
EMITTER
Collector Current — Continuous IC 600 mAdc
Total Devi

2.1. mtp2n2222a.pdf Size:238K _motorola

MOTOROLA
Order this document
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
by P2N2222A/D
Amplifier Transistors
NPN Silicon
P2N2222A
COLLECTOR
1
2
BASE
3
EMITTER
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit
1
2
CollectorEmitter Voltage VCEO 40 Vdc 3
CollectorBase Voltage VCBO 75 Vdc
CASE 2904, STYLE 17
EmitterBase Voltage VEBO 6.0 Vdc
TO92 (TO226AA)
Collector Current Continuous IC 600 mAdc

2.2. p2n2222a.pdf Size:238K _motorola

MOTOROLA
Order this document
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
by P2N2222A/D
Amplifier Transistors
NPN Silicon
P2N2222A
COLLECTOR
1
2
BASE
3
EMITTER
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit
1
2
CollectorEmitter Voltage VCEO 40 Vdc 3
CollectorBase Voltage VCBO 75 Vdc
CASE 2904, STYLE 17
EmitterBase Voltage VEBO 6.0 Vdc
TO92 (TO226AA)
Collector Current Continuous IC 600 mAdc

 2.3. p2n2222a-d.pdf Size:164K _onsemi

P2N2222A
Amplifier Transistors
NPN Silicon
Features
These are Pb—Free Devices*
http://onsemi.com
COLLECTOR
1
MAXIMUM RATINGS (TA =25C unless otherwise noted)
Characteristic Symbol Value Unit
2
BASE
Collector—Emitter Voltage VCEO 40 Vdc
Collector—Base Voltage VCBO 75 Vdc
3
Emitter—Base Voltage VEBO 6.0 Vdc
EMITTER
Collector Current — Continuous IC 600 mAdc
Total Device Dis

P2N2222 Datasheet (PDF)

1.1. p2n2222ag.pdf Size:165K _upd

P2N2222A
Amplifier Transistors
NPN Silicon
Features
• These are Pb—Free Devices*
http://onsemi.com
COLLECTOR
1
MAXIMUM RATINGS (TA =25°C unless otherwise noted)
Characteristic Symbol Value Unit
2
BASE
Collector—Emitter Voltage VCEO 40 Vdc
Collector—Base Voltage VCBO 75 Vdc
3
Emitter—Base Voltage VEBO 6.0 Vdc
EMITTER
Collector Current — Continuous IC 600 mAdc
Total Devi

1.2. mtp2n2222a.pdf Size:238K _motorola

MOTOROLA
Order this document
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
by P2N2222A/D
Amplifier Transistors
NPN Silicon
P2N2222A
COLLECTOR
1
2
BASE
3
EMITTER
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit
1
2
CollectorEmitter Voltage VCEO 40 Vdc 3
CollectorBase Voltage VCBO 75 Vdc
CASE 2904, STYLE 17
EmitterBase Voltage VEBO 6.0 Vdc
TO92 (TO226AA)
Collector Current Continuous IC 600 mAdc

 1.3. p2n2222a.pdf Size:238K _motorola

MOTOROLA
Order this document
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
by P2N2222A/D
Amplifier Transistors
NPN Silicon
P2N2222A
COLLECTOR
1
2
BASE
3
EMITTER
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit
1
2
CollectorEmitter Voltage VCEO 40 Vdc 3
CollectorBase Voltage VCBO 75 Vdc
CASE 2904, STYLE 17
EmitterBase Voltage VEBO 6.0 Vdc
TO92 (TO226AA)
Collector Current Continuous IC 600 mAdc

1.4. p2n2222a-d.pdf Size:164K _onsemi

P2N2222A
Amplifier Transistors
NPN Silicon
Features
These are Pb—Free Devices*
http://onsemi.com
COLLECTOR
1
MAXIMUM RATINGS (TA =25C unless otherwise noted)
Characteristic Symbol Value Unit
2
BASE
Collector—Emitter Voltage VCEO 40 Vdc
Collector—Base Voltage VCBO 75 Vdc
3
Emitter—Base Voltage VEBO 6.0 Vdc
EMITTER
Collector Current — Continuous IC 600 mAdc
Total Device Dis

 1.5. p2n2222 a.pdf Size:240K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS P2N2222
P2N2222A
EBC
TO-92
Complementary Silicon Transistors For Switching And Linear Applications
DC Amplifier & Driver For Industrial Applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified)
DESCRIPTION SYMBOL 2222 2222A UNIT
Collecto

P2N2222A Datasheet (PDF)

1.1. p2n2222ag.pdf Size:165K _upd

P2N2222A
Amplifier Transistors
NPN Silicon
Features
• These are Pb—Free Devices*
http://onsemi.com
COLLECTOR
1
MAXIMUM RATINGS (TA =25°C unless otherwise noted)
Characteristic Symbol Value Unit
2
BASE
Collector—Emitter Voltage VCEO 40 Vdc
Collector—Base Voltage VCBO 75 Vdc
3
Emitter—Base Voltage VEBO 6.0 Vdc
EMITTER
Collector Current — Continuous IC 600 mAdc
Total Devi

1.2. mtp2n2222a.pdf Size:238K _motorola

MOTOROLA
Order this document
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
by P2N2222A/D
Amplifier Transistors
NPN Silicon
P2N2222A
COLLECTOR
1
2
BASE
3
EMITTER
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit
1
2
CollectorEmitter Voltage VCEO 40 Vdc 3
CollectorBase Voltage VCBO 75 Vdc
CASE 2904, STYLE 17
EmitterBase Voltage VEBO 6.0 Vdc
TO92 (TO226AA)
Collector Current Continuous IC 600 mAdc

 1.3. p2n2222a.pdf Size:238K _motorola

MOTOROLA
Order this document
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
by P2N2222A/D
Amplifier Transistors
NPN Silicon
P2N2222A
COLLECTOR
1
2
BASE
3
EMITTER
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit
1
2
CollectorEmitter Voltage VCEO 40 Vdc 3
CollectorBase Voltage VCBO 75 Vdc
CASE 2904, STYLE 17
EmitterBase Voltage VEBO 6.0 Vdc
TO92 (TO226AA)
Collector Current Continuous IC 600 mAdc

1.4. p2n2222a-d.pdf Size:164K _onsemi

P2N2222A
Amplifier Transistors
NPN Silicon
Features
These are Pb—Free Devices*
http://onsemi.com
COLLECTOR
1
MAXIMUM RATINGS (TA =25C unless otherwise noted)
Characteristic Symbol Value Unit
2
BASE
Collector—Emitter Voltage VCEO 40 Vdc
Collector—Base Voltage VCBO 75 Vdc
3
Emitter—Base Voltage VEBO 6.0 Vdc
EMITTER
Collector Current — Continuous IC 600 mAdc
Total Device Dis

VN2222LL Datasheet (PDF)

1.1. vn2222llg.pdf Size:92K _update_mosfet

VN2222LLG
Small Signal MOSFET
150 mAmps, 60 Volts
N-Channel TO-92
http://onsemi.com
http://onsemi.com
Features
• This is a Pb-Free Device*
150 mA, 60 V
RDS(on) = 7.5 W
MAXIMUM RATINGS
N-Channel
Rating Symbol Value Unit
D
Drain -Source Voltage VDSS 60 Vdc
Drain-Gate Voltage (RGS = 1.0 MW) VDGR 60 Vdc
Gate-Source Voltage
G
— Continuous VGS ± 20 Vdc
— Non-repetitive (tp ≤ 5

1.2. vn2222ll.rev1.pdf Size:68K _motorola

MOTOROLA
Order this document
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
by VN2222LL/D
TMOS FET Transistor
NChannel Enhancement
VN2222LL
3 DRAIN
Motorola Preferred Device
2
GATE
1 SOURCE
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit
1
DrainSource Voltage VDSS 60 Vdc
2
3
DrainGate Voltage (RGS = 1.0 M?) VDGR 60 Vdc
CASE 2904, STYLE 22
GateSource Voltage
TO92 (TO226AA)
Continuous VGS 2

 1.3. vn10lls vn0605t vn0610ll vn2222ll.pdf Size:51K _vishay

1.4. vn2222ll.pdf Size:17K _diodes

N-CHANNEL ENHANCEMENT
VN2222LL
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 FEB 94
S
G
D
TO92
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT
Drain-Source Voltage VDS 60 V
Continuous Drain Current at Tamb = 25C ID 150 mA
Pulsed Drain Current IDM 1A
Gate Source Voltage VGS 40 V
Power Dissipation at Tamb = 25C Ptot 400 mW
Operating and Storage Temperature Range Tj:Tstg -55 to +150 C

 1.5. vn2222llg.pdf Size:96K _onsemi

VN2222LLG
Small Signal MOSFET
150 mAmps, 60 Volts
N-Channel TO-92
http://onsemi.com
http://onsemi.com
Features
This is a Pb-Free Device*
150 mA, 60 V
RDS(on) = 7.5 W
MAXIMUM RATINGS
N-Channel
Rating Symbol Value Unit
D
Drain -Source Voltage VDSS 60 Vdc
Drain-Gate Voltage (RGS = 1.0 MW) VDGR 60 Vdc
Gate-Source Voltage
G
— Continuous VGS 20 Vdc
— Non-repetitive (tp ? 50 ms) VG

2N2222ACSM Datasheet (PDF)

2.1. 2n2222ac3b.pdf Size:86K _upd

SILICON SWITCHING
NPN TRANSISTOR
2N2222AC3A, 2N2222AC3B
2N2222AC3C
• High Speed Saturated Switching
• Hermetic LCC3 Ceramic package.
• Variant B to MIL-PRF-19500/255 outline
• Screening Options Available
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise stated)
VCBO
Collector – Base Voltage 75V
VCEO
Collector – Emitter Voltage 50V
VEBO
Emitter – Bas

2.2. 2n2222ac1b.pdf Size:563K _upd

SILICON PLANAR
EPITAXIAL NPN TRANSISTOR
2N2222AC1
• High Speed Saturated Switching
• Hermetic Surface Mounted Package.
• Ideally suited for High Speed Switching
and General Purpose Applications
• Screening Options Available
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise stated)
VCBO
Collector – Base Voltage 75V
VCEO
Collector – Emitter Voltage 50V
VE

 2.3. 2n2222ac3c.pdf Size:86K _upd

SILICON SWITCHING
NPN TRANSISTOR
2N2222AC3A, 2N2222AC3B
2N2222AC3C
• High Speed Saturated Switching
• Hermetic LCC3 Ceramic package.
• Variant B to MIL-PRF-19500/255 outline
• Screening Options Available
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise stated)
VCBO
Collector – Base Voltage 75V
VCEO
Collector – Emitter Voltage 50V
VEBO
Emitter – Bas

2.4. 2n2222ac1a.pdf Size:563K _upd

SILICON PLANAR
EPITAXIAL NPN TRANSISTOR
2N2222AC1
• High Speed Saturated Switching
• Hermetic Surface Mounted Package.
• Ideally suited for High Speed Switching
and General Purpose Applications
• Screening Options Available
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise stated)
VCBO
Collector – Base Voltage 75V
VCEO
Collector – Emitter Voltage 50V
VE

 2.5. 2n2222ac3a.pdf Size:86K _upd

SILICON SWITCHING
NPN TRANSISTOR
2N2222AC3A, 2N2222AC3B
2N2222AC3C
• High Speed Saturated Switching
• Hermetic LCC3 Ceramic package.
• Variant B to MIL-PRF-19500/255 outline
• Screening Options Available
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise stated)
VCBO
Collector – Base Voltage 75V
VCEO
Collector – Emitter Voltage 50V
VEBO
Emitter – Bas

Оцените статью:

ECE 291 Лаборатория 10: Транзистор, сравнение двух основных типов: МОП и БИПОЛЯРНЫЙ


ЗАДАЧИ

Знакомство с MOSFET, наиболее часто используемым типом транзисторов на сегодняшний день, и его сравнение с BJT. Демонстрирует чрезвычайно высокий импеданс затвора полевого МОП-транзистора по постоянному току. Изучение линейных характеристик и поведения переключения транзисторов. МОП-транзистор как устройство, управляемое напряжением, и BJT, как устройство, управляемое током. Аналоговый переключатель MOS.

ВВЕДЕНИЕ

Сегодня существует два наиболее распространенных типа транзисторов: металл-оксидный полупроводник или MOS и биполярный переходный транзистор или BJT.MOS также обозначается как MOSFET, потому что это полевой транзистор (FET). Подавляющее большинство обоих типов изготовлено из кремния (Si) и небольшая часть (около 2%) из арсенида галлия (GaAs). Первоначально BJT доминировал на рынке, но теперь большинство транзисторов, особенно в интегральных схемах, относятся к типу MOS. BJT по-прежнему сохраняет свои позиции, особенно в некоторых аналоговых цепях и схемах большой мощности. В то время как большинство транзисторов любого типа сегодня изготавливаются как элементы интегральных схем (ИС), которые могут содержать миллионы элементов схемы, одиночные или дискретные транзисторы по-прежнему используются во многих приложениях, таких как высокочастотные или силовые блоки.

В этой лаборатории мы концентрируемся на МОП-транзисторе и сравниваем его с БЮТ. Подчеркивается важное различие между импедансом затвора MOS и базовым импедансом BJT. Вы будете экспериментировать с N-канальным мощным MOSFET в режиме улучшения и BJT типа npn.

PRELAB

  1. МОП-транзистор характеризуется очень высоким входным сопротивлением (затвором). Означает ли это, что к воротам никогда не протекает заметный ток? Объяснять.
  2. Изобразите схемы схем для экспериментов с полевым МОП-транзистором, описанных в разделах 1, 2 и 3 ниже.

ЛАБОРАТОРИЯ

Необходимое оборудование со склада: Протоплата аналоговая универсальная измеритель, коробка замены сопротивления, провода, щуп.

1. ПОЛЯРНОСТЬ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

Проверить переходы база-коллектор и база-эмиттер омметром. (используйте шкалу кОм). На самом деле вы не измеряете сопротивление, но можете определить полярность переходов транзистора. Убедитесь, что транзистор npn имеет соответствующие переходы между эмиттером (n-тип) и базой (p-тип), а также между базой и коллектором (n-тип).


Рис. 9.1: Клеммные соединения для MOS (слева) и BJT (справа) транзисторов.

2. ТРАНЗИСТОР КАК ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ

.
2.1 БЮТ

Соберите схему (показанную ниже), в которой npn BJT используется для переключения включить и выключить небольшую лампу накаливания. Резистор R 1 должен быть от 220 до 390 Ом, чтобы защитить базу транзистора от чрезмерного тока.R x может быть коробкой замены сопротивления.

Рис. 9.2 Схема транзисторного переключателя.

В этом приложении небольшой ток в базовой цепи управляет большим ток в цепи коллектора (лампы). Таким образом, транзисторы большой мощности может использоваться для управления большими токовыми нагрузками.

Найдите номинал базового резистора R x , позволяющий включить лампу на полную яркость.Измерьте базовое напряжение V b , когда лампа «включена», и вычислите базовый ток, который использовался для полного включения BJT. Какое эквивалентное сопротивление между базой и эмиттером транзистора в этой конфигурации? Также измерьте ток лампы и напряжение коллектора. Вычислите также эквивалентное сопротивление между эмиттером и коллектором, когда транзистор включен.

2.2 МОП-транзистор

ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ. Вы собираетесь работать с полевым МОП-транзистором, устройством, очень чувствительным к статическому электричеству.Не прикасайтесь к выводу затвора рукой, не дотронувшись до одного из двух других выводов транзистора той же рукой. Когда транзистор вставлен в макетную плату, сначала «заземлите» свое тело, прикоснувшись к печатной плате, прежде чем касаться электрода затвора. Когда транзистор не используется, держите его вставленным в черную прокладку из токопроводящей пены.

Замените BJT на полевой МОП-транзистор с n-канальным режимом улучшения: вывод затвора заменяет базу, исток заменяет эмиттер, а сток — коллектор (см.рис.9.1) Включите и выключите лампу, подключив резистор R x либо к плюсовой клемме источника питания, либо к земле.

Теперь сюрприз: отключите резистор затвора либо от земли, либо от источника питания. Коснитесь свободного конца резистора (или вывода затвора транзистора) одной рукой, а другой рукой коснитесь заземления или положительного вывода. Когда лампа загорится, уберите руки и подождите. Через некоторое время пальцами «отшлифуйте» ворота.С этого момента вы должны помнить, что никогда не оставляйте затвор MOSFET неподключенным. Что вы можете сказать о входном сопротивлении этой цепи? Вам нужен большой ток, чтобы включить транзистор? Сравните с BJT!

Измерьте также ток лампы и напряжение стока. Какое выходное сопротивление (сопротивление между истоком и стоком) этой цепи?

ПРИМЕЧАНИЕ: Транзистор, используемый в этих экспериментах, представляет собой силовой полевой МОП-транзистор, способный выдерживать большой ток и имеющий относительно низкое сопротивление канала.Полевой МОП-транзистор, обычно используемый в цифровых схемах, не включает лампочку; его сопротивление канала слишком велико. Однако он может управлять светодиодом (светоизлучающим диодом), который требует гораздо меньше тока, чем лампочка.

2.3. ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ МОП-транзистора.

Замените лампочку в цепи полевого МОП-транзистора двумя параллельными резисторами на 100 Ом. Подайте прямоугольный сигнал от генератора сигналов на вашем стенде к затвору через резистор 10 кОм.Амплитуда должна быть достаточно большой для включения и выключения транзистора, но используйте также регулировку смещения постоянного тока генератора, чтобы получить выход с одной полярностью (проверьте на осциллографе). Увеличьте частоту примерно с 1 кГц и наблюдайте за входным сигналом на затворе и выходным сигналом на стоке. Зачем вам нужен зонд? Часть входного сигнала должна иметь вид RC-кривой. Попытайтесь оценить емкость затвора.

ПРИМЕЧАНИЕ. Входная цепь, состоящая из резистора и затвора, более сложна, чем простая RC-цепь, поскольку на нее влияет напряжение на стоке.Когда напряжение стока меняется, оно влияет на напряжение затвора (обратная связь), и эффект выглядит как изменение емкости затвора. Это объясняет несколько странную форму наблюдаемых сигналов.

Чтобы определить, насколько быстро может переключаться транзистор, устраните сопротивление затвора и подключите затвор непосредственно к генератору сигналов. Остерегайтесь статического электричества!
Увеличьте частоту и наблюдайте за формами волны. Измерьте время «включения» и «выключения» как на входе, так и на выходе. Что ограничивает скорость переключения? Есть ли сопротивление во входной цепи?

3. ТРАНЗИСТОР КАК УСИЛИТЕЛЬ

3,1 полевой МОП-транзистор

Поскольку затвор MOSFET практически не потребляет ток, выходной ток этого устройства регулируется напряжением затвора. Чтобы изучить этот эффект, измерьте ток стока как функцию напряжения затвора с заземленным истоком.Используйте схему на рис. 9.3, где резистор стока R d может быть 1 кОм. Увеличьте напряжение затвора V g от нуля, контролируя напряжение стока. В г . Рассчитайте ток стока и постройте его зависимость от V g . Определите пороговое напряжение транзистора.

Рис. 9.3: Схема MOSFET с общим истоком.
3.2 BJT

BJT может управляться током базы, и цель этого измерения — продемонстрировать так называемое «усиление тока» транзистора или отношение тока коллектора к току базы. Коэффициент усиления по току (β или h FE ) не является хорошим параметром транзистора, потому что он зависит от условий эксплуатации и широко варьируется для разных образцов одного и того же типа, но он демонстрирует важную функцию транзистора: усиление .

Измерьте коэффициент усиления транзистора по току для нескольких значений I B , используя схему, показанную на рисунке 9.4 ниже.

Рис. 9.4 Схема измерения коэффициента усиления по току.

У вас есть несколько вариантов выполнения этих измерений. Измеряя V b и V bb с помощью цифрового вольтметра, вы можете определить ток базы, если известно значение резистора базы (4.7к на рис. 9.4). В качестве альтернативы вы можете измерить базовый ток напрямую с помощью цифрового амперметра. Ток коллектора можно определить путем измерения напряжения коллектора V c или напрямую, подключив аналоговый амперметр последовательно с резистором 1 кОм. Цифровой измеритель понадобится для измерения V b или тока в базе.

Выполните измерения для нескольких значений базового тока I B , изменив V bb . Составьте таблицу результатов, включая напряжение база-эмиттер В BE и напряжение коллектор-эмиттер V CE , а также расчетные значения усиления по току ( h FE или beta ).


4. ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРА

С помощью измерителя кривой протестируйте МОП- и БЮТ-транзисторы в режиме общего истока или эмиттера, соответственно. Характеристические кривые включают ток стока (коллектора) как функцию напряжения стока (коллектора) для различных значений напряжения затвора (тока базы).Выберите диапазоны напряжения и тока, которые включают значения, которые вы измерили в части 3. Нарисуйте наблюдаемые кривые, маркирующие оси, и укажите приблизительные масштабы осей. Свяжите кривые со значениями, измеренными в части 3.

5. МОП-транзистор КАК АНАЛОГОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ

Очень полезная схема, невозможная с BJT, может быть построена с MOSFET, используемыми в качестве переключателей аналоговых сигналов. Они действуют как твердотельные реле, управляемые напряжением затвора, в то время как стандартные реле управляются током в их катушках.Такие схемы, используемые в системах сбора данных, служат аналоговыми мультиплексорами, которые позволяют выбирать один из нескольких входов данных. В других приложениях они могут изменять коэффициент усиления операционного усилителя или коэффициент затухания путем переключения различных резисторов, используя уровни управляющего напряжения, обычно устанавливаемые цифровыми схемами. Существуют специальные аналоговые переключатели CMOS, выполненные в виде интегральных схем в нескольких блоках, также называемых воротами передачи. Здесь мы начинаем эксперимент с аналоговыми переключателями, используя наш силовой MOSFET.

Создайте аналоговый переключатель с использованием полевого МОП-транзистора. Подайте сигнал на исток и снимите выходной сигнал с резистора (от 10 кОм до 100 кОм), подключенного между стоком и землей. Управляющее напряжение должно подаваться на затвор через обычный однополюсный переключатель. Подайте сигнал, передавая некоторое смещение постоянного тока от генератора на вход, и наблюдайте за выходом на осциллографе, изменяя положение переключателя. Отрегулируйте регулятор смещения постоянного тока на генераторе и понаблюдайте за его эффектом. Каким должно быть соотношение между уровнем управляющего напряжения, подаваемого на затвор, и уровнем входного напряжения, чтобы это устройство работало?

ОТЧЕТ

  • Включите все схемы со значениями компонентов.
  • Представьте наглядно все графики.
  • Решите все проблемы и вопросы, выделенные жирным шрифтом в тексте.
  • Какие основные различия вы заметили в работе MOSFET и BJT?

Открытый коллектор и открытый сток — Digilent Blog

В чем разница между Pmod OD1 и Pmod OC1 ? В чем разница между выходом с открытым стоком и выходом с открытым коллектором ? В чем разница между MOSFET (металлооксидный полевой транзистор) и BJT (биполярный транзистор)? Оказывается, это, по сути, один и тот же вопрос! Однако для осознания этого может потребоваться некоторое время, особенно если вы новичок в понимании различных транзисторных технологий.Чтобы найти ответ, мы начнем с последней версии вопроса и вернемся к первой.

Краткий обзор транзисторов

BJT и MOSFET — это два разных типа транзисторов. У них схожие функции, но разные характеристики. С точки зрения функциональности, они оба могут использоваться как усилители или переключатели. Как усилители, они принимают небольшой ток на одном конце и производят гораздо больший ток на другом конце. Это особенно полезно в аналоговых схемах, где транзисторы составляют основу таких компонентов, как операционные усилители.

В качестве переключателей небольшой ток через одну часть транзистора может включать больший ток через другую его часть. Другими словами, транзистор может находиться в двух различных состояниях и представлять два разных значения; 0 или 1, выключено или включено. Это особенно полезно в цифровых схемах и является основой работы всех компьютерных микросхем.

Все транзисторы сделаны из кремния, электрически нейтрального химического элемента, определенного как полупроводник , что означает, что он не является ни сильным проводником электричества, ни отличным изолятором.Что такого полезного в кремнии, так это то, что его поведение можно изменить известным способом, добавив примеси, с помощью процесса, называемого «легирование». Если кремний легирован определенными химическими веществами, он получает дополнительные «свободные» электроны и может легче переносить электрический ток. Этот тип кремния известен как n-тип или отрицательный тип.

Можно сделать и обратное, создав p-типа или положительного типа, который имеет меньше свободных электронов и часто описывается как имеющий дырок, там, где должны быть электроны.Однако обратите внимание, что кремний n-типа или p-типа не заряжен электрически. Следовательно, их можно соединить вместе, и электроны и дырки не начнут пересекать n-p переход, пока не будет приложен электрический ток (BJT) или напряжение (MOSFET). Различные конфигурации кремния n-типа и p-типа — вот что приводит к разнице между BJT и MOSFET.

БЮЦ

Биполярные переходные транзисторы (BJT) — это токовые устройства , которые бывают двух типов: NPN и PNP.Как следует из названия, NPN BJT имеют два слоя кремния n-типа, окружающие один слой кремния p-типа (и наоборот для PNP). У каждого слоя есть определенное имя: эмиттер, база и коллектор. См. Рисунок 1.

Рис. 1. Две разные конфигурации биполярного транзистора (BJT).

Принципы работы каждого типа BJT практически идентичны; Функциональное отличие заключается в основном в смещении переходов. Например, когда на базу NPN-транзистора подается положительное смещение, устройство включается, и ток течет от эмиттера к коллектору.Также известный как переключатель нижнего уровня, эмиттер подключается к GND , а коллектор подключается к нагрузке. Напротив, когда отрицательное смещение (или 0 В / GND) применяется к базе транзистора PNP, устройство включается, и ток течет от коллектора к эмиттеру в противоположном направлении от устройства NPN. Также известный как переключатель верхнего плеча, эмиттер подключается к источнику напряжения , а коллектор подключается к нагрузке.

Рисунок 2. Изображение BJT с контактами, обозначенными E для эмиттера, B для базы и C для коллектора.

С точки зрения плюсов и минусов, BJT удобны для управления маломощными светодиодами и аналогичными устройствами от обычных микроконтроллеров, которые могут выдавать постоянное напряжение только 5 В, таких как chipKIT и Arduino. Полевые МОП-транзисторы логического уровня можно использовать таким же образом, но, как правило, они дороже и их труднее найти, чем стандартные МОП-транзисторы, для включения которых требуется 10 В или более. BJT также переключаются быстрее, чем MOSFET, поэтому они хороши для высокочастотных приложений, однако они менее энергоэффективны, поэтому не всегда являются отличным выбором для приложений с батарейным питанием, где нагрузка переменная.

Для получения дополнительной информации о теории, лежащей в основе BJT, см. Ссылку , а для получения поучительной анимации перейдите по ссылке , здесь .

МОП-транзисторы

Металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) — это управляемые напряжением устройства и похожи на BJT в том, что у них есть три разных вывода: исток , (аналог эмиттера), сток , (аналог коллектора) , и ворота (аналог основания).Как и BJT, полевые МОП-транзисторы состоят из кремния n-типа и p-типа, но они устроены несколько иначе. См. Рисунок 3.

Рисунок 3. Конфигурация секций n-типа и p-типа полевого МОП-транзистора.

Существует несколько подкатегорий полевых МОП-транзисторов, но я упомяну две подкатегории: N-канал и P-канал . Разница между ними заключается в приложенном напряжении и в том, какой тип носителя заряда отвечает за протекание тока. Для N-канального MOSFET источник подключается к земле , и устройство активируется путем подачи положительного напряжения на затвор .Это создает электрическое поле, «эффект поля», и позволяет электронам течь по тонкому каналу от истока к стоку. Для P-канального MOSFET источник подключается к Vcc , и устройство активируется путем соединения затвора с землей . Здесь носителями заряда выступают дырки, а не электроны. Чаще всего используются полевые МОП-транзисторы N-типа.

Примечание. Поскольку через полевой МОП-транзистор проходит только один тип заряда (электронный или дырочный), они являются «униполярными» транзисторами в отличие от биполярных транзисторов, которые позволяют обоим типам зарядов проходить через переходы NP / PN.

Рис. 4. MOSFET, показывающий выводы истока, стока и затвора, в отличие от выводов эмиттера, коллектора и базы BJT.

С точки зрения плюсов и минусов, полевые МОП-транзисторы имеют бесконечно высокое входное сопротивление, что делает их полезными в усилителях мощности. Они также более энергоэффективны, чем BJT, и более терпимы к нагреванию. Хотя биполярные транзисторы могут переключаться быстрее, полевые МОП-транзисторы по-прежнему достаточно быстры для приложений с частотой менее 1 МГц и сегодня являются наиболее часто используемыми транзисторами. В общем, вы можете думать, что высокий входной импеданс и низкое энергопотребление = MOSFET, а работа на очень высоких частотах и ​​возможности привода с большим током = BJT.

Дополнительные сведения о полевых МОП-транзисторах см. В этой статье.

В чем разница между выходом с открытым стоком и выходом с открытым коллектором?

Я уверен, что после прочтения вышеперечисленных разделов вы догадались, как ответить на эту версию вопроса. Если вы сказали, что разница между MOSFET и BJT, вы были бы правы! Выходной вывод с открытым стоком или открытым коллектором — это просто вывод, управляемый одним транзистором, либо MOSFET, либо BJT соответственно. С точки зрения использования, ответ отражает вышеприведенное обсуждение плюсов и минусов самих MOSFET и BJT.Конечно, их также можно комбинировать, чтобы создать очень интересные схемы, используя сильные стороны каждой.

В чем разница между Pmod OD1 и Pmod OC1?

Наконец, мы подошли к последней форме вопроса, и снова ответ теперь очевиден. Pmod OD1 — это модуль вывода с открытым стоком с четырьмя выходными контактами с открытым стоком, каждый из которых управляется N-канальным полевым МОП-транзистором. Pmod OC1 — это модуль с открытым коллектором с четырьмя выходными контактами с открытым коллектором, каждый из которых управляется NPN BJT.Оба модуля используются для потребления более высокого тока, чем могут обеспечить контакты на вашем Digilent FPGA или микроконтроллере.

Рисунок 5. Pmod OD1 слева и Pmod OC1 справа.

Pmod OC1 был разработан для управления устройствами с чуть более высоким током при 200 мА, такими как небольшая лампа или реле, и имеет более высокий рейтинг ESD, чем Pmod OD1. Поэтому он особенно прочен и подходит для студентов, которые учатся использовать эту схему. Он рассчитан на напряжение до 20 В. Pmod OD1 имеет винтовые клеммы на каждом штыре и был разработан специально для привода шаговых двигателей.Однако он также может использоваться для многих других приложений с высоким током до 3 А. Он рассчитан на напряжение до 40 В.

Для получения дополнительной информации о Pmod OD1 или Pmod OC1 посетите Digilent wiki или оставьте комментарий ниже!

Список литературы

Как использовать MOSFET — Учебное пособие для начинающих

Как использовать биполярный транзистор BJT — Учебное пособие для начинающих

Как работают транзисторы

Основы: Выходы с открытым коллектором

Разница между BJT и MOSFET

Открытый коллектор — Википедия

Разница между BJT и FET

BJT против FET

И BJT (биполярный транзистор), и полевой транзистор (полевой транзистор) представляют собой два типа транзисторов.Транзистор — это электронное полупроводниковое устройство, которое дает сильно изменяющийся электрический выходной сигнал для небольших изменений небольших входных сигналов. Благодаря такому качеству устройство можно использовать как усилитель или переключатель. Транзистор был выпущен в 1950-х годах и может считаться одним из важнейших изобретений 20-го века, учитывая его вклад в развитие информационных технологий. Были протестированы различные типы архитектур транзисторов.

Биполярный переходной транзистор (BJT)

BJT состоит из двух PN-переходов (переход, образованный путем соединения полупроводника p-типа и полупроводника n-типа).Эти два перехода формируются путем соединения трех полупроводниковых элементов в порядке P-N-P или N-P-N. Доступны два типа BJT, известных как PNP и NPN.

Три электрода подключены к этим трем полупроводниковым частям, а средний вывод называется «базой». Два других перехода — «эмиттер» и «коллектор».

В BJT ток большого коллектора-эмиттера (Ic) управляется током малого эмиттера базы (IB), и это свойство используется для разработки усилителей или переключателей.Поэтому его можно рассматривать как устройство с приводом от тока. BJT в основном используется в схемах усилителей.

Полевой транзистор (FET)

FET состоит из трех терминалов, известных как «Gate», «Source» и «Drain». Здесь ток стока регулируется напряжением затвора. Следовательно, полевые транзисторы — это устройства, управляемые напряжением.

В зависимости от типа полупроводника, используемого для истока и стока (в полевом транзисторе они оба сделаны из одного и того же типа полупроводника), полевой транзистор может быть устройством с каналом N или P.Поток тока от источника к стоку регулируется путем регулировки ширины канала путем подачи соответствующего напряжения на затвор. Есть также два способа управления шириной канала, известные как истощение и расширение. Поэтому полевые транзисторы доступны в четырех различных типах, таких как N-канал или P-канал в режиме истощения или улучшения.

Существует много типов полевых транзисторов, таких как MOSFET (металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор), HEMT (транзистор с высокой подвижностью электронов) и IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором).CNTFET (полевые транзисторы из углеродных нанотрубок), появившийся в результате развития нанотехнологий, является последним членом семейства полевых транзисторов.

Разница между BJT и FET

1. BJT — это в основном устройство, управляемое током, хотя полевой транзистор считается устройством, управляемым напряжением.

2. Клеммы BJT известны как эмиттер, коллектор и база, тогда как полевой транзистор состоит из затвора, истока и стока.

3. В большинстве новых приложений используются полевые транзисторы, а не BJT.

4. BJT использует для проводимости и электроны, и дырки, тогда как полевой транзистор использует только один из них и, следовательно, называется униполярным транзистором.

5. Полевые транзисторы энергоэффективнее, чем BJT.

Поставщики и ресурсы беспроводной связи RF

О компании RF Wireless World

Веб-сайт RF Wireless World является домом для поставщиков и ресурсов радиочастотной и беспроводной связи. На сайте представлены статьи, руководства, поставщики, терминология, исходный код (VHDL, Verilog, MATLAB, Labview), тестирование и измерения, калькуляторы, новости, книги, загрузки и многое другое.

Сайт RF Wireless World охватывает ресурсы по различным темам, таким как RF, беспроводная связь, vsat, спутник, радар, оптоволокно, микроволновая печь, wimax, wlan, zigbee, LTE, 5G NR, GSM, GPRS, GPS, WCDMA, UMTS, TDSCDMA, Bluetooth, Lightwave RF, z-wave, Интернет вещей (IoT), M2M, Ethernet и т. Д. Эти ресурсы основаны на стандартах IEEE и 3GPP. В нем также есть академический раздел, который охватывает колледжи и университеты по инженерным дисциплинам и MBA.

Статьи о системах на основе Интернета вещей

Система обнаружения падений для пожилых людей на основе Интернета вещей : В статье рассматривается архитектура системы обнаружения падений, используемой для пожилых людей.В нем упоминаются преимущества или преимущества системы обнаружения падений Интернета вещей. Узнать больше➤
Также обратитесь к другим статьям о системах на основе Интернета вещей следующим образом:
• Система очистки туалетов самолета. • Система измерения столкновений • Система отслеживания скоропортящихся продуктов и овощей • Система помощи водителю • Система умной торговли • Система мониторинга качества воды. • Система Smart Grid • Система умного освещения на базе Zigbee • Умная парковка на базе Zigbee • Система умной парковки на основе LoRaWAN


RF Статьи о беспроводной связи

В этом разделе статей представлены статьи о физическом уровне (PHY), уровне MAC, стеке протоколов и сетевой архитектуре на основе WLAN, WiMAX, zigbee, GSM, GPRS, TD-SCDMA, LTE, 5G NR, VSAT, Gigabit Ethernet на основе IEEE / 3GPP и т. Д. .стандарты. Он также охватывает статьи, относящиеся к испытаниям и измерениям, по тестированию на соответствие, используемым для испытаний устройств на соответствие RF / PHY. УКАЗАТЕЛЬ СТАТЬИ ДЛЯ ССЫЛКИ >>.


Физический уровень 5G NR : Обработка физического уровня для канала 5G NR PDSCH и канала 5G NR PUSCH рассмотрена поэтапно. Это описание физического уровня 5G соответствует спецификациям физического уровня 3GPP. Читать дальше➤


Основы повторителей и типы повторителей : В нем объясняются функции различных типов ретрансляторов, используемых в беспроводных технологиях.Читать дальше➤


Основы и типы замирания. Читать дальше➤


Архитектура сотового телефона 5G : В этой статье рассматривается блок-схема сотового телефона 5G с внутренними модулями 5G Архитектура сотового телефона. Читать дальше➤


Основы помех и типы помех: В этой статье рассматриваются помехи в соседнем канале, помехи в совмещенном канале, Электромагнитные помехи, ICI, ISI, световые помехи, звуковые помехи и т. Д.Читать дальше➤


5G NR Раздел

В этом разделе рассматриваются функции 5G NR (New Radio), нумерология, диапазоны, архитектура, развертывание, стек протоколов (PHY, MAC, RLC, PDCP, RRC) и т. Д. 5G NR Краткий справочный указатель >>
• Мини-слот 5G NR • Часть полосы пропускания 5G NR • 5G NR CORESET • Форматы DCI 5G NR • 5G NR UCI • Форматы слотов 5G NR • IE 5G NR RRC • 5G NR SSB, SS, PBCH • 5G NR PRACH • 5G NR PDCCH • 5G NR PUCCH • Эталонные сигналы 5G NR • 5G NR m-последовательность • Золотая последовательность 5G NR • 5G NR Zadoff Chu Sequence • Физический уровень 5G NR • Уровень MAC 5G NR • Уровень 5G NR RLC • Уровень 5G NR PDCP


Учебные пособия по беспроводным технологиям

В этом разделе рассматриваются учебные пособия по радиочастотам и беспроводной связи.Он охватывает учебные пособия по таким темам, как сотовая связь, WLAN (11ac, 11ad), wimax, bluetooth, zigbee, zwave, LTE, DSP, GSM, GPRS, GPS, UMTS, CDMA, UWB, RFID, радар, VSAT, спутник, WLAN, волновод, антенна, фемтосота, тестирование и измерения, IoT и т. Д. См. УКАЗАТЕЛЬ Учебников >>


Учебное пособие по 5G — В этом учебном пособии по 5G также рассматриваются следующие подтемы по технологии 5G:
Учебное пособие по основам 5G. Частотные диапазоны Учебник по миллиметровым волнам Волновая рама 5G мм Зондирование волнового канала 5G мм 4G против 5G Испытательное оборудование 5G Сетевая архитектура 5G Сетевые интерфейсы 5G NR канальное зондирование Типы каналов 5G FDD против TDD Разделение сети 5G NR Что такое 5G NR Режимы развертывания 5G NR Что такое 5G TF


Этот учебник GSM охватывает основы GSM, архитектуру сети, элементы сети, системные спецификации, приложения, Типы пакетов GSM, структура или иерархия кадров GSM, логические каналы, физические каналы, Физический уровень GSM или обработка речи, вход в сеть мобильного телефона GSM, установка вызова или процедура включения питания, MO-вызов, MT-вызов, VAMOS, AMR, MSK, модуляция GMSK, физический уровень, стек протоколов, основы работы с мобильным телефоном, Планирование RF, нисходящая линия связи PS-вызовов и восходящая линия связи PS-вызовов.
➤Подробнее.

LTE Tutorial , охватывающий архитектуру системы LTE, охватывающий основы LTE EUTRAN и LTE Evolved Packet Core (EPC). Он обеспечивает связь с обзором системы LTE, радиоинтерфейсом LTE, терминологией LTE, категориями LTE UE, структурой кадра LTE, физическим уровнем LTE, Стек протоколов LTE, каналы LTE (логические, транспортные, физические), пропускная способность LTE, агрегация несущих LTE, передача голоса по LTE, расширенный LTE, Поставщики LTE и LTE vs LTE продвинутые.➤Подробнее.


RF Technology Stuff

Эта страница мира беспроводной радиосвязи описывает пошаговое проектирование преобразователя частоты RF на примере преобразователя RF UP от 70 МГц до диапазона C. для микрополосковой платы с использованием дискретных радиочастотных компонентов, а именно. Смесители, гетеродин, MMIC, синтезатор, опорный генератор OCXO, колодки аттенюатора. ➤Подробнее.
➤Проектирование и разработка радиочастотного трансивера ➤Конструкция RF-фильтра ➤Система VSAT ➤Типы и основы микрополосковой печати ➤ОсновыWaveguide


Секция испытаний и измерений

В этом разделе рассматриваются контрольно-измерительные ресурсы, испытательное и измерительное оборудование для тестирования DUT на основе Стандарты WLAN, WiMAX, Zigbee, Bluetooth, GSM, UMTS, LTE.ИНДЕКС испытаний и измерений >>
➤Система PXI для T&M. ➤ Генерация и анализ сигналов ➤Измерения слоя PHY ➤Тест на соответствие устройства WiMAX ➤ Тест на соответствие Zigbee ➤ Тест на соответствие LTE UE ➤Тест на соответствие TD-SCDMA


Волоконно-оптическая технология

Оптоволоконный компонент , основы, включая детектор, оптический соединитель, изолятор, циркулятор, переключатели, усилитель, фильтр, эквалайзер, мультиплексор, разъемы, демультиплексор и т. д.Эти компоненты используются в оптоволоконной связи. Оптические компоненты INDEX >>
➤Учебник по оптоволоконной связи ➤APS в SDH ➤SONET основы ➤SDH Каркасная конструкция ➤SONET против SDH


Поставщики, производители радиочастотной беспроводной связи

Сайт RF Wireless World охватывает производителей и поставщиков различных радиочастотных компонентов, систем и подсистем для ярких приложений, см. ИНДЕКС поставщиков >>.

Поставщики радиочастотных компонентов, включая радиочастотный изолятор, радиочастотный циркулятор, радиочастотный смеситель, радиочастотный усилитель, радиочастотный адаптер, радиочастотный разъем, радиочастотный модулятор, радиочастотный трансивер, PLL, VCO, синтезатор, антенну, генератор, делитель мощности, сумматор мощности, фильтр, аттенюатор, диплексор, дуплексер, микросхема резистора, микросхема конденсатора, индуктор микросхемы, ответвитель, оборудование ЭМС, программное обеспечение для проектирования радиочастот, диэлектрический материал, диод и т. д.Производители RF компонентов >>
➤Базовая станция LTE ➤RF Циркулятор ➤RF Изолятор ➤Кристаллический осциллятор


MATLAB, Labview, встроенные исходные коды

Раздел исходного кода RF Wireless World охватывает коды, связанные с языками программирования MATLAB, VHDL, VERILOG и LABVIEW. Эти коды полезны для новичков в этих языках. ИНДЕКС ИСХОДНОГО КОДА >>
➤3-8 декодер кода VHDL ➤Код MATLAB для дескремблера ➤32-битный код ALU Verilog ➤T, D, JK, SR триггеры labview коды


* Общая информация о здравоохранении *

Выполните эти пять простых действий, чтобы остановить коронавирус (COVID-19).
СДЕЛАЙТЕ ПЯТЬ
1. РУКИ: часто мойте их
2. КОЛЕНО: Откашляйтесь
3. ЛИЦО: Не трогай его
4. НОГИ: держитесь на расстоянии более 3 футов (1 м) друг от друга
5. ЧУВСТВОВАТЬ: Болен? Оставайся дома

Используйте технологию отслеживания контактов >>, соблюдайте >> рекомендации по социальному дистанцированию и установить систему видеонаблюдения >> чтобы спасти сотни жизней. Использование концепции телемедицины стало очень популярным в таким странам, как США и Китай, чтобы остановить распространение COVID-19, поскольку это заразное заболевание.


RF Беспроводные калькуляторы и преобразователи

Раздел «Калькуляторы и преобразователи» охватывает ВЧ-калькуляторы, беспроводные калькуляторы, а также преобразователи единиц. Сюда входят такие беспроводные технологии, как GSM, UMTS, LTE, 5G NR и т. Д. СПРАВОЧНЫЕ КАЛЬКУЛЯТОРЫ Указатель >>.
➤ Калькулятор пропускной способности 5G NR ➤5G NR ARFCN против преобразования частоты ➤Калькулятор скорости передачи данных LoRa ➤LTE EARFCN для преобразования частоты ➤Калькулятор антенн Яги ➤ Калькулятор времени выборки 5G NR


IoT-Интернет вещей Беспроводные технологии

Раздел IoT охватывает беспроводные технологии Интернета вещей, такие как WLAN, WiMAX, Zigbee, Z-wave, UMTS, LTE, GSM, GPRS, THREAD, EnOcean, LoRa, SIGFOX, WHDI, Ethernet, 6LoWPAN, RF4CE, Bluetooth, Bluetooth Low Power (BLE), NFC, RFID, INSTEON, X10, KNX, ANT +, Wavenis, Dash7, HomePlug и другие.Он также охватывает датчики Интернета вещей, компоненты Интернета вещей и компании Интернета вещей.
См. Главную страницу IoT >> и следующие ссылки.
➤ НИТЬ ➤EnOcean ➤Учебник по LoRa ➤Учебник по SIGFOX ➤WHDI ➤6LoWPAN ➤Zigbee RF4CE ➤NFC ➤Lonworks ➤CEBus ➤UPB



СВЯЗАННЫЕ ЗАПИСИ


Учебные пособия по беспроводной связи RF



Различные типы датчиков


Поделиться страницей

Перевести страницу

10 главных отличий между BJT и MOSFET

BJT и MOSFET — это два типа полупроводниковых транзисторов.Несмотря на то, что оба они транзисторы, они отличаются друг от друга в разных аспектах. К концу этой статьи вы узнаете разницу между BJT и MOSFET.

Биполярные переходные транзисторы (BJT)

Транзистор с биполярным переходом, широко известный как BJT, по своей конструкции выглядит как два диода с p-n переходом, соединенные спина к спине. Это трехконтактное устройство (эмиттер, база, коллектор), управляемое током. По конструкции транзисторы с биполярным переходом подразделяются на транзисторы NPN и PNP.

В транзисторах NPN тонкий слой полупроводника p-типа зажат между двумя полупроводниками n-типа, тогда как в транзисторах PNP тонкий слой полупроводника n-типа зажат между двумя полупроводниками p-типа.

Они широко используются в качестве усилителя, переключателя или генератора. Это устройство, управляемое током, что означает, что величина тока, протекающего между эмиттером и коллектором, регулируется током базы.

MOSFET — Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы

Полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника, широко известный как MOSFET, представляет собой полевой транзистор, в основном изготовленный из кремниевого полупроводникового материала.Это наиболее используемый тип транзисторов. Он имеет три терминала: Источник, Ворота и Слив. Он имеет металлические клеммы вверху, слой оксида кремния под клеммами и полупроводниковый материал, образующий нижний слой, что делает его полевым транзистором металл-оксид-полупроводник.

По принципу действия он подразделяется на полевые МОП-транзисторы расширения и полевые МОП-транзисторы с истощением. Расширенный МОП-транзистор остается выключенным при нормальных условиях и требует напряжения затвора для его включения, тогда как истощающий МОП-транзистор остается включенным при нормальных условиях и требует напряжения затвора для его выключения.

Разница между BJT и MOSFET

МОП-транзисторы

Транзистор

Униполярный транзистор3

Тип транзистора

имеют отрицательные пределы температуры .
Свойства Биполярный переходной транзистор (BJT) Металлооксидно-полупроводниковые полевые транзисторы (MOSFET)
Классификация Есть два типа биполярных транзисторов: NPN и PNN. подразделяются на полевые МОП-транзисторы расширения (канал p и канал n) и полевые МОП-транзисторы с истощением (канал p и канал n).
Клеммы База, эмиттер и коллектор Затвор, исток и сток
Символ
Тип транзистора
Носители заряда И электроны, и дырки действуют как переносчики заряда в BJT. Электроны или дырки действуют как носители заряда.
Метод управления BJT — это текущее управляемое устройство. МОП-транзистор — это устройство, управляемое напряжением.
Скорость переключения Максимальная скорость переключения биполярного переходного транзистора близка к 100 кГц. Максимальная частота переключения составляет 300 кГц.
Входной импеданс Низкий Высокий
Выходной импеданс Низкий Средний
Температурный коэффициент и параллельная работа МОП-транзисторы имеют положительный температурный коэффициент и могут быть легко подключены параллельно.
Потребляемая мощность Поскольку BJT — это устройство, управляемое током, оно потребляет больше энергии, чем устройства, управляемые напряжением, такие как MOSFET. МОП-транзистор потребляет меньше энергии, чем биполярный транзистор.
Второй предел отказа BJT имеет второй предел отказа. MOSFET имеет безопасную рабочую зону, аналогичную BJT, но не имеет второго предела пробоя.
Приложения BJT хорошо подходят для усилителей, генераторов и коммутации цепей с постоянным током. МОП-транзисторы подходят для источников питания и высокочастотных низковольтных приложений.

Обзор — BJT против MOSFET

  • BJT и MOSFET — это полупроводниковые устройства с широким спектром применения.
  • BJT — это биполярные устройства, тогда как MOSFET — это униполярные устройства.
  • BJT — это устройство, управляемое током, тогда как MOSFET — это устройство управления напряжением.
  • Пределы скорости переключения BJT выше, чем у MOSFET
  • И BJT, и MOSFET имеют широкий спектр применений. При выборе подходящего устройства необходимо учитывать несколько факторов, таких как скорость переключения, метод управления, энергопотребление, тип нагрузки, эффективность и стоимость.
  • Просмотрите спецификации BJT и MOSFET.

NUS5530MN

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 obj > транслировать Acrobat Distiller 7.0 (Windows) 2006-05-17T14: 42: 24-07: 00BroadVision, Inc.2020-10-14T17: 26: 34 + 08: 002020-10-14T17: 26: 34 + 08: 00application / pdf

  • НУС5530МН
  • ОН Полупроводник
  • uuid: 4ae96eb0-7e27-4072-861c-1d03793d3909uuid: 3b4fd409-d8f4-4fd9-8e85-c9ca19f1a593 конечный поток эндобдж 5 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > эндобдж 20 0 объект > транслировать HKoFǁ) Hzw \ ACjQ # & = 9PJb ** I [: ˢofII = 0 P {`wq; cjD ^ X ֋» Fx7 {y7eKO) LlQXoV 菽 d_, ֆ QvQB̃3-Z] e Օ ڮ) U {pJe% {} 31г $.& * uPy7Ld2R / 8> YFRӓ) @Qoe > ôENa6 ~ c «Qd» (: *

    Сравнение

    MOSFET и BJT | ElectronicsBeliever

    Двумя наиболее распространенными полупроводниками с тремя выводами в настоящее время являются MOSFET и BJT. MOSFET — это металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор. Это вариант полевого транзистора. BJT, с другой стороны, является транзистором с биполярным переходом. Стоит обсудить сравнение MOSFET и BJT, чтобы понять, какую часть использовать. Читайте ниже сравнения.

    1. Применение MOSFET и BJT

    И MOSFET, и BJT можно использовать в качестве электронных переключателей.Они оба полезны в качестве драйверов реле, инверторов сигналов, переключателя питания и многих других.

    Оба они также известны своими усилителями сигналов. Однако BJT очень известен по сравнению с MOSFET.

    С другой стороны, полевой МОП-транзистор широко используется в качестве переключателя из-за упрощения требований к схеме и необходимости анализа.

    Некоторые приложения MOSFET:

    Как использовать полевой МОП-транзистор в качестве обратной защиты батареи

    Как управлять реле с помощью полевого МОП-транзистора

    2.Сравнение MOSFET и BJT с точки зрения конструкции

    С точки зрения конструкции сравнение MOSFET и BJT сильно отличается.

    MOSFET является либо истощением, либо улучшением в зависимости от конструкции. Тип улучшения является наиболее доминирующим.

    MOSFET также является каналом N (NMOS) или каналом P (PMOS). Это связано с доминирующими носителями заряда. NMOS обычно используется как драйвер низкой стороны, в то время как PMOS обычно используется в качестве драйвера высокой стороны.

    MOSFET представляет собой трехполюсное полупроводниковое устройство.Он имеет затвор (G), сток (D) и исток (S). Ниже приведены символы схем для полевого МОП-транзистора.

    BJT является либо NPN, либо PNP с точки зрения доминирующих носителей заряда. NPN часто используется при движении с низкой стороны, в то время как PNP известен тем, что используется для движения с высокой стороны. BJT имеет три клеммы, как и MOSFET. Он имеет основание (B), коллектор (C) и эмиттер (E). Ниже приведены электронные символы для версий NPN (слева) и PNP (справа).

    3. Сравнение MOSFET и BJT по условиям эксплуатации

    MOSFET популярен как переключатель, в котором он будет работать в режиме отсечки и насыщения.Таким же образом и BJT. При насыщении падение напряжения между стоком и истоком MOSFET в идеале равно нулю. То же самое и с BJT; напряжение на коллектор-эмиттер в идеале равно нулю.

    Оба устройства можно использовать в качестве усилителя сигнала. В этом режиме работы оба устройства будут работать в линейной области. При этой операции напряжение сток-исток полевого МОП-транзистора не равно нулю, но есть значение, зависящее от смещения схемы. Это также относится к BJT, есть падение напряжения на коллектор-эмиттер.

    MOSFET — это устройство, управляемое напряжением, а BJT — устройство, управляемое током. Управление напряжением означает, что для настройки работы MOSFET он должен иметь соответствующее напряжение между затвором и источником. С другой стороны, управление током означает, что для установки работы BJT требуется определенное количество тока на базе.

    Читать статью:

    Преимущества MOSFET перед BJT в импульсных преобразователях

    4. Как включить MOSFET и BJT

    Чтобы включить полевой МОП-транзистор, он должен подать напряжение на затвор для истока.Чтобы довести его до насыщения, уровень приложенного напряжения должен быть намного выше порогового напряжения затвор-исток (VGSth).

    Пороговое напряжение между затвором и источником на полевом МОП-транзисторе (VGSth)

    Чтобы включить BJT, сначала необходимо убедиться, что выполняется требование VBE. Типичное значение BJT VBE составляет около 0,7 В. На самом деле, некоторые детали имеют более высокие требования VBE, как показано в таблице ниже.

    Как только требование VBE будет удовлетворено, ток будет течь к базе. Чтобы схема работала как переключатель, базовый ток должен быть достаточно большим, чтобы перевести BJT в состояние насыщения.Если цель состоит в том, чтобы сделать схему усилителем, тогда подойдет небольшой ток (не позволяющий устройству насыщаться).

    5. Текущий рейтинг MOSFET

    рассчитан на ток стока, а BJT — на ток коллектора.

    МОП-транзистор

    BJT

    В том же корпусе в большинстве случаев полевые МОП-транзисторы могут выдерживать большие токи по сравнению с биполярными транзисторами.

    6. Номинальное напряжение

    MOSFET рассчитан по напряжению сток-исток или VDSS.Он также рассчитан по напряжению от затвора к источнику (VGSS).

    Номинальное значение

    BJT дано по напряжению VCEO или коллектор-эмиттер (с открытой базой). Также есть рейтинг по VEBO или напряжению эмиттер-база (с открытым коллектором). Некоторые устройства (согласно таблице данных) также предоставляют номинальные значения для VCBO или напряжения коллектор-база (с открытым эмиттером).

    Оба устройства сопоставимы по номинальному напряжению.

    7. MOSFET и BJT Рассеиваемая статическая мощность / потеря мощности Рассеивание или потеря мощности полевого МОП-транзистора

    происходит из-за сопротивления стока в исток.В идеале нет потерь мощности на затворе, когда схема предназначена только для включения / выключения.

    Pdiss_MOSFET = Idrain X Idrain X RDSon

    Читать статьи

    Как использовать данные MOSFET RDSon из таблицы

    Использование и интерпретация температурного коэффициента RDSon MOSFET

    С другой стороны,

    BJT имеет потери как на базе, так и на коллекторе-эмиттере. Потери мощности на базе связаны с VBE и током базы. Потери мощности в коллектор-эмиттер связаны с падением напряжения и током коллектора.

    Pdiss_BJT = Ibase X VBE + Icollector X VCE

    Сравнивая потери MOSFET из-за RDSon и потери BJT из-за напряжения насыщения VCE, MOSFET очень мал. Это связано с тем, что в настоящее время значение RDSon становится очень низким. С другой стороны, значение VCEsat для BJT высокое.

    8. Сравнение потерь переключения MOSFET и BJT

    В таких приложениях, как переключающие преобразователи и источники питания, у полевого МОП-транзистора будет потеря мощности на затворе, вызванная зарядом затвора или входной емкостью.Он также имеет потери из-за выходной емкости (COSS) и из-за времени нарастания и спада. Эти потери прямо пропорциональны частоте переключения.

    Ploss_MOSFET_switching = Ploss_gatecharge + Ploss_COSS + Ploss_rise_fall

    В таблице данных BJT нет информации о входной емкости, выходной емкости или времени нарастания и спада. Другими словами, коммутационные потери BJT могут быть незначительными. Несмотря на это, MOSFET в целом по-прежнему имеет преимущество.Добавленных потерь из-за переключения недостаточно, чтобы компенсировать потерю BJT из-за более высокого VCEsat.

    Читать статью

    Коэффициенты эффективности полевого МОП-транзистора

    для импульсных преобразователей

    9. Какая скорость переключения лучше?

    MOSFET имеет паразитные элементы, определенные в таблице данных. Это входная емкость, заряд затвора, выходная емкость, время нарастания и спада, чтобы назвать некоторые из них. Эти паразитные элементы как-то замедляют скорость переключения устройства.

    С другой стороны, BJT не имеет этих параметров, определенных в таблице данных. Таким образом, можно предположить, что они незначительны. Таким образом, BJT будет быстрее, чем MOSFET.

    Задержки переключения составляют наносекунды или микросекунды. Таким образом, даже если полевой МОП-транзистор работает медленнее, эта задержка переключения все еще достаточно велика для большинства приложений, в которых используются полевые МОП-транзисторы.

    10. Теплостойкость

    MOSFET более устойчив к нагреву.Только RDSon зависит от нагрева. Однако для BJT и VBE, и VCE подвержены воздействию тепла.

    11. Сложность схемы

    Оба легко сконструировать и использовать в цепи. Однако я думаю, что новичкам MOSFET легко понять. Вам нужно только удовлетворить пороговое напряжение затвора с запасом, и полевой МОП-транзистор будет работать как переключатель. С другой стороны, для BJT существует несколько конфигураций, таких как самосмещение, смещение эмиттера и смещение делителя напряжения.Это требует понимания для правильного смещения цепи.

    Все вышеперечисленные детали могут не покрывать все при сравнении MOSFET и BJT. Однако были рассмотрены основные идеи, которые могут помочь кому-то выбрать, какую часть использовать. Не стесняйтесь размещать свои комментарии и отзывы ниже.

    Связанные темы для MOSFET:

    Расчетные уравнения силового полевого МОП-транзистора

    Проектирование переключателя MOSFET с технической точки зрения

    Как узнать, неисправен ли MOSFET

    Следит за электронщиком.

    alexxlab

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.