Фоторезисторы справочник: Параметры фоторезисторов серии GL55 — справочник — RC74 — интернет-магазин радиоуправляемых моделей

Содержание

Параметры фоторезисторов серии GL55 — справочник

Фоторезисторы серии GL55 диаметром 5 мм предназначены для контроля за освещенностью в видимом спектре излучения. Они применяются в промышленной аппаратуре, бытовой аппаратуре, игрушках.

Внешний вид

Рис. 1. Зависимость от длины волны.

Рис. 2. Внешний вид и размеры фоторезисторов серии GL55 диаметром 5 мм.

Характеристики

Параметры фоторезисторов серии GL55:

Параметр	GL5506	GL5516	GL5528	GL5537-1	GL5537-2	GL5539	GL5549
Макс, напряж. V	150	150	150	150	150	150	150
Макс. мощ. W	90	90	100	100	100	100	100
Рабочая темп. С	-30.+70	-30. +70	-30.+70	-30..+70	-30 ..+70	-30.+70	-30.+70
Пик спектра пт	540	540	540	540	540	540	540
Световое сопротив. при 10Lux. kOm	2 — 5	5-10	10-20	20-30	30-50	50-100	100-200
Темновое сопротив. MOm	0.2	0,5	1.0	2.0	3,0	5,0	10,0
Время нарастания mS	30	30	20	20	20	20	20
Время снижения mS	30	30	30	30	30	30	30

Основные характеристики фоторезисторов | Мастер Винтик. Всё своими руками!

Добавил: Chip,Дата: 13 Июн 2017

Фоторезистор — это неполярный прибор, изменяющий своё сопротивление под действием источника света.

Принцип работы фоторезистора основан на эффекте фотопроводимости полупроводников. Затемненный прибор имеет максимальное сопротивление, при засветке оно уменьшается в 20…150 раз!

Фоторезисторы имеют высокую чувствительность к излучению в самом широком диапазоне — от инфракрасной до рентгеновской области спектра, сопротивление их может меняться на несколько
порядков. Фоторезисторам присущи высокая стабильность во времени, они имеют небольшие габариты и выпускаются на различные номиналы сопротивлений. Приборы оформлены в корпус с прозрачным окном и двумя выводами, полярность подключения значения не имеет.

Обозначение фоторезистора на схемах

Основные параметры отечественных фоторезисторов

Тип ФР	Uраб, В	Rт, ом.	Iт, мка	Iсв, мка	dI=Iсв-Iт, мка	Rт/Rсв	Удельная чувств., мка/лм-в	Интегр. чувств., а/лм	Мощность рассеяния, Вт
1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
ФСА-0	4-100	40*10³-10⁶	—	—	—	1,2	500	—	0,01
ФСА-1	4-100	40*10³-10⁶	—	—	—	1,2	500	—	0,01
ФСА-Г1	4-40	4710³-47010³	—	—	—	1,2	500	—	0,01
ФСА-Г2	4-40	40*10³-10⁶	—	—	—	1,2	500	—	0,01
ФСА-6	5-30	50-300*10³	—	—	—	1,2	500	—	0,01
ФСК-0	50	5*10⁶	10	2000	1990	200	7000	1,4	0,125
ФСК-1	50	5*10⁶	10	2000	1990	200	7000	1,4	0,125
ФСК-2	100	10*10⁶	10	800	790	80	1500	—	0,125
ФСК-4	50	5*10⁶	10	2000	1990	200	7000	1,4	0,125
ФСК-5	50	5*10⁶	10	1000	1990	100	6000	1,2	0,05
ФСК-6	50	3,3*10⁶	15	2000	1885	—	9000	1,8	0,2
ФСК-7а	50	10⁶	50	350	300	—	1500	—	0,35
ФСК-7б	50	10⁵	50	800	750	—	6000	1,2	0,35
ФСК-Г7	50	5*10⁶	10	2000	1990	200	3500	0,7	0,35
ФСК-Г1	50	5*10⁶	10	1500	1490	150	6000	1,2	0,12
ФСК-Г2	50	5*10⁶	10	4000	3990	400	12000	2,4	0,2
ФСК-П1	100	10¹⁰	0,01	1000-2000	1000-2000	—	4000	—	0,1
СФ2-1	15	30*10⁶	0,5	1000	1000	2000	400000	—	0,01
СФ2-2	2(10)	4*10⁶	0,5	1500	1500	3000	75000	—	0,05
СФ2-4	15	—	1,0	>750	—	—	—	—	0,01
СФ2-9	25	>3,3*10⁶	—	240-900	—	—	—	—	0,125
СФ2-12	15	>15*10⁶	—	200-1200	—	—	—	—	0,01
ФСД-0	20	20*10⁸	1	2000	2000	2000	40000	—	0,05
ФСД-1	20	20*10⁶	1	2000	2000	2000	40000	—	0,05
ФСД-Г1	20	20*10⁶	1	2000	2000	2000	40000	—	0,05
СФ3-1	15	15*10⁸	0.01	1500	1500	150000	600000	—	0,01
СФ3-8	25	—	<1	750	—	—	—	—	0,025

В таблице приведены средние значения, определенные (кроме Iт) при освещенности 200 лк.

R_т – сопротивление затемненного прибора;
R_с – сопротивление освещенного прибора;

I_т – ток через затемненный прибор;

U_р – максимально возможное рабочее напряжение

Тип	спектр приема, нм	R_т., МОм	I_т. мкА	U_р., В	R_т/R_с	габариты
ФСК-1	300…900	3,3	15	50	100	28×5
ФСК-2	300…900	3,3	15	50	20	28х12,5×5
ФСД-1	300…900	3	10	20	150	18×5
ФР1-3	300…900	0,047…0,33	320	15		10,7×6
ФР-118	400…750	0,3…0,2	30	6		7,8 х 4,5
ФР-121	400…750	10	1	10		4,2 х 1,4
ФР-162А(Б)	750…1200	5	2	10		9.6×3.5
ФР-764	300…900	3.3	15	50	150	10,7×6
ФР-765	300…900	2	10	20	150	10,7×6
ФПФ7-1	300…900	1	6	6	50	7,8 х 3,2
СФ2-18	20…900	10	0.01	100	—	10.3×5,8
СФ2-19	20…900	0.25	0.08	20	—	10.3×5,8

При повышении температуры темновое сопротивление резисторов уменьшается.
Габаритные размеры даны для корпуса без учета длины выводов в виде диаметр х высота или высота х ширина х толщина.

Наибольшее распространение получили фоторезисторы, изготовленные из сернистого свинца, сернистого кадмия, селенистого кадмия. Название типа фоторезисторов слагается из букв и цифр, причем в старых обозначениях буквы А, К, Д обозначали тип использованного светочувствительного материала, в новом же обозначении эти буквы заменены цифрами. Буква, стоящая за дефисом, при старом обозначении, характеризовала конструктивное исполнение (Г-герметизированные, П-пленочные). В новой маркировке эти буквы также заменены цифрами. В таблице, ниже приведены наименования наиболее распространенных обозначений фоторезисторов.

ТИПОВЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТОРОВ

Вид фоторезисторов	Старое обозначение	Новое обозначение
Сернисто-свинцовые	ФСА-0, ФСА-1, ФСА-6, ФСА-Г1, ФСА-Г2
Сернисто-кадмиевые	ФСК-0, 1, 2, 4, 5, 6, 7, ФСК-Г1, ФСК-Г2, ФС’Р;-Г7, ФСК-П1	СФ2-1, 2, 4, 9, 12
Селенисто-кадмиевые	ФСД-0, ФСД-1, ФСД-Г1	СФ3-1, 8

Чувствительность фоторезисторов меняется (уменьшается) в первые 50 часов работы, оставаясь в дальнейшем практически постоянной в течение всего срока службы, измеряемого несколькими тысячами часов. Интервал рабочих температур для сернисто-кадмиевых фоторезисторов составляет от -60 до +85°С для селенисто-кадмиевых — от -60 до +40°С и для сернисто-свинцовых — от -60 до +70°С.

Конструкция фоторезистора

Впервые фотопроводимость была обнаружена у Селена, впоследствии были обнаружены и другие материалы с аналогичными свойствами. Современные фоторезисторы выполнены из сульфида свинца, селенида свинца, антимонида индия, но чаще всего из сульфида кадмия и селенида кадмия. Популярные LDR из сульфида кадмия обозначаются как CDS фоторезистор.

Спектральная кривая отклика сульфида кадмия совпадает с человеческим глазом. Длина волны пиковой чувствительности составляет около 560-600 нм, что соответствует видимой части спектра.

Область применения фоторезисторов

Основной областью применения фоторезисторов является автоматика, где они в некоторых случаях с успехом заменяют вакуумные и газонаполненные фотоэлементы. Обладая повышенной допустимой мощностью рассеивания по сравнению с некоторыми типами фотоэлементов, фоторезисторы позволяют создавать простые и надежные фотореле без усилителей тока. Такие фотореле незаменимы в устройствах для телеуправления, контроля и регулирования, в автоматах для разбраковки, при сортировке и счете готовой продукции, для контроля качества и готовности самых различных деталей.

Широко используются фоторезисторы в полиграфической промышленности при обнаружении обрывов бумажной ленты, контроле за количеством листов, подаваемых в печатную машину.

В измерительной технике фоторезисторы применяются для измерения высоких температур, для регулировки температуры в различных технологических процессах.

Контроль уровня жидкости и сыпучих тел, защита персонала от входа в опасные зоны, контроль за запыленностью и задымленностью самых различных объектов, автоматические выключатели уличного освещения и т.д.

Применение фоторезисторов можно так же встретить в детских игрушках. Это далеко не полный перечень областей применения фоторезисторов.

Практическое применение фоторезистора

Схема автоматического регулятора освещенности:

ПОДЕЛИТЕСЬ С ДРУЗЬЯМИ

П О П У Л Я Р Н О Е:

Популярность: 7 148 просм.

Фоторезисторы | ElWiki — справочник по радиоэлектронике и электротехнике

Фоторезисторы — это дискретные светочувствительные резисторы, принцип действия которых основан на явлении фотопроводимости, т. е. на изменении проводимости полупроводникового материала под действием светового излучения. При воздействии на полупроводник электромагнитного излучения светового диапазона часть электронов материала приобретает энергию, достаточную для разрыва их связи с атомами. Это явление генерации свободных носителей заряда обусловливает увеличение проводимости полупроводника.

Возбужденные излучением электроны через некоторое время снова теряют избыток энергии и возвращаются в валентную зону. Среднее время пребывания электрона в роли свободного носителя заряда называют временем жизни, а процесс его возвращения на валентный уровень — рекомбинацией. При непрерывном воздействии излучения в материале устанавливается динамическое равновесие, при котором число генерируемых свободных электронов равно числу рекомбинирующих.

Фоторезисторы могут быть чувствительны к электромагнитному излучению в широком интервале длины волны (от ультрафиолетового до инфракрасного) .

Для изготовления серийных фоторезисторов в настоящее время используют главным образом два типа материалов: сернистый кадмий и селенистый кадмий. Для изготовления фоторезисторов ФСА применяют сернистый свинец.

Основные характеристики фоторезисторов — спектральная, люкс-амперная, вольт-амперная.
Спектральная характеристика отображает чувствительность фоторезистора при действии на него излучения определенной длины волны. Чувствительность зависит от свойств материала светочувствительного элемента. Сернисто-кадмиевые фоторезисторы имеют высокую чувствительность в видимой области спектра, селенисто-кад-миевые — в красной и ближней инфракрасной областях, сернисто-свинцовые — в инфракрасной области спектра.
Люкс-амперная характеристика фоторезисторов показывает зависимость светового тока, протекающего через фоторезистор, от освещенности. Полупроводниковые фоторезисторы имеют обычно нелинейные люкс-амперные характеристики.

Вольт-амперная характеристика фоторезисторов линейна в широком интервале напряжения. Линейность нарушается только при малых значениях напряжения.

Зависимость светового тока фоторезистора от изменения окружающей температуры определяется температурным коэффициентом светового тока, который выражается формулой.

где I_CB1 — световой ток при окружающей температуре T₁; I_CB2 — световой ток при окружающей температуре Т₂; T₂—T₁ — заданный интервал окружающей температуры.

Кратность изменения сопротивления фоторезисторов вычисляют по формуле:

Темновой ток измеряют при Т_{окр. ср.} = +20°С, постоянном напряжении, равном U_p, и полном затемнении фоторезистора, а световой — при освещенности 200±20 лк. Значение 1СВ снимают после воздействия света в течение 15 с, а I, — после выдержки фоторезистора затемненным в течение 30 с.

Светочувствительный элемент фоторезисторов обычно помещают в пластмассовый или металлический корпус. Фоторезисторы ФСА-1а, ФСК-7а, ФСК-7б, ФСК-1а, ФСД-1 а — бескорпусные, светочувствительный элемент у них защищен от воздействия внешней среды прозрачной пластмассовой пленкой. Светочувствительный элемент фоторезисторов ФСК-1а и ФСД-1а приклеивают к стеклянной подложке.

На рабочем поле фоторезистора СФ2-12 размещены три отдельных фоторезистора, соединенных с выводами 1 и 6, 2 и 5, 3 и 4 соответственно. На рабочей поверхности фоторезисторов серии ФСК-7 предусмотрены три вывода — два от концов и один от середины, что позволяет использовать эти приборы в качестве дифференциальных элементов. Подключают фоторезисторы ФСК-7 с помощью при-жимиых контактов.

Корпус фоторезисторов ФСК-1, ФСК-2, ФСК-6. ФСА-6 рассчитан на установку в стандартную октальную ламповую панель, ФСД-1 — в стандартную семиштырьковую. Для эксплуатации при повышенной влажности и в условиях тропического климата выпускают фоторезисторы герметичной конструкции ФСА-П, ФСК-П, ФСД-П, ФСА-Г2, ФСК-Г2. ФСК-Г7. Эти фоторезисторы отличаются большой надежностью и стабильностью параметров.

Полупроводниковые фоторезисторы предназначены для работы в цепях постоянного и переменного токов радиоэлектронной аппаратуры. Технические условия допускают работу фоторезисторов и в импульсном режиме, при условии непревышения десятикратной максимальной мощности рассеяния фоторезистора в импульсе, при средней мощности, не превышающей допустимого значения.

Радио №1 1987г.

Применение фоторезистора на практике. Сумеречный автомат

В электронике есть много способов контролирования освещенности. Если вы ищете недорогое решение, то в качестве оптического датчика можно использовать обычный фоторезистор (LDR). Фоторезисторы на основе сульфида кадмия (CdS) имеют сопротивление, которое изменяется обратно пропорционально количеству света, падающего на них.

Цифровой мультиметр AN8009

Большой ЖК-дисплей с подсветкой, 9999 отсчетов, измерение TrueRMS…

Эти LDR известны по многим названиям, включая фоторезистор, фотопроводящая ячейка или просто фотоэлемент. Как правило, фоторезисторы выпускаются в корпусе покрытый эпоксидной смолой.

Эксперимент

Вы можете сделать несколько измерений, чтобы определить математическую зависимость между сопротивлением фоторезистора и степенью его освещенности, выполнив следующие шаги:

Установите LDR в макетную плату так, чтобы плоская вершина LDR была параллельна плате.
Подключите цифровой мультиметр (диапазон сопротивления) к двум выводам LDR
Установите рядом с фоторезистором люксметр.
Включите лампу. Обеспечив одинаковое освещение фоторезистора и люксметра, запишите текущее сопротивление LDR и значения люкс. Повторите этот процесс для нескольких различных уровней освещенности (от очень темного до очень яркого света).
Наконец, перенесите ваши результаты в электронную таблицу и постройте сопротивление как функцию света.

Как правило, график сопротивления LDR в зависимости от света выглядит так, как показано ниже:

LDR и делитель напряжения

Поскольку сопротивление LDR изменяется в зависимости от света, его очень удобно использовать в цепи делителя напряжения для получения заданного уровня напряжения для дальнейшей обработки другими элементами схемы (например, АЦП микроконтроллера)

Как показано на следующем рисунке, при подключении LDR верху, мы получаем большой Vo, а когда LDR находится внизу делителя, то мы получаем малое значение Vo.

Практическое применение LDR

Сумеречный включатель – позволяет автоматически включать освещение при наступлении сумерек.

Схема содержит две важные части: маломощный источник питания 12 В постоянного тока и коммутируемую схему сумеречного управления на основе LDR.

Для простоты устройства, в схеме применен бестрансформаторный источник питания.

Внимание! Поскольку схема не имеет гальванической развязки с электросетью, следует соблюдать крайнюю осторожность при наладке и эксплуатации данного устройства!

Остальная часть схемы, как уже говорилось, предназначена для управления электромагнитным реле, которое в свою очередь включает/отключает освещение.

Для определения уровня освещенности используется 5-миллиметровый фоторезистор (LDR1). Когда мало света или его совсем нет, сопротивление LDR1 велико. Таким образом, напряжение на базе транзистора T1 очень низкое, это переводит транзистор в режим отсечки. Следовательно, транзистор T2 обеспечивает питание реле RL1, которое включает внешний свет, подключенный к CON2.

Когда на LDR1 попадает достаточно света, высокое напряжение на базе T1 открывает транзистор. Это в свою очередь прерывает базовый ток до T2, в результате чего реле обесточивается. Реле необходимо использовать с малым потреблением тока (меньше 35 мА).

Уровень переключения можно отрегулировать с помощью потенциометра VR1. Конденсатор C3 обеспечивает небольшой гистерезис, чтобы схема постоянно не переключалась вблизи порогового уровня. Поскольку схема подключается непосредственно к электросети переменного тока, поместите всю конструкцию в изолированный корпус.

HILDA — электрическая дрель

Многофункциональный электрический инструмент способн…

Фоторезистор — это… Что такое Фоторезистор?

полупроводниковый прибор, характеризующийся свойством изменять своё электрическое сопротивление под действием оптического излучения (см. Фотопроводимость). Через Ф., включенный в электрическую цепь, содержащую источник постоянного тока, протекает электрический ток. При облучении Ф. ток увеличивается в результате появления фототока, который пропорционален уровню воздействующего сигнала и не зависит от полярности приложенного к Ф. напряжения. Появление фототока (или вызванного им изменения напряжения на Ф.) используется для регистрации излучений (см. Приёмники излучения, Приёмники света, Оптрон). Для изготовления Ф. используют Se, Te, Ge (чистый либо легированный Au, Cu или Zn), Si, PbS, PbSe, PbTe, InSb, InAs, CdS, CdSe, HgCdTe. Характерная особенность этих полупроводниковых материалов – малая ширина запрещенной зоны (См. Запрещённая зона) (например, у InSb она составляет 0,18 эв). Полупроводник наносят в виде тонкого слоя на стеклянную или кварцевую подложку либо вырезают в виде тонкой пластинки из монокристалла. Слой (пластинку) снабжают двумя контактами (электродами). Подложку с фоточувствительным слоем (или пластинку) и электроды помещают в защитный корпус.

Важнейшие параметры Ф.: интегральная чувствительность (определяемая как отношение изменения напряжения на единицу мощности падающего излучения при номинальном значении напряжения питания) составляет 10³–10⁸в/вт; порог чувствительности (величина минимального сигнала, регистрируемого Ф., отнесённая к единице полосы рабочих частот) достигает 10^-12вт/гц¹/₂ постоянная времени (характеризующая инерционность Ф.) лежит в пределах 10^-3–10^-8сек. Для повышения порога чувствительности и расширения рабочего диапазона длин волн принимаемого излучения фоточувствительный слой некоторых Ф. подвергают охлаждению. Так, охлаждение Ф. из PbS до 78 К позволяет на порядок повысить пороговую чувствительность и расширить диапазон длин волн принимаемого излучения с 3,3 мкм до 5 мкм; глубоким охлаждением (до 4 К) Ф. из Ge, легированного Zn, доводят границу его спектральной чувствительности до 40 мкм.

Лит.: Марков М, Н., Приемники инфракрасного излучения, М., 1968; Аксененко М. Д., Красовский Е. А., Фоторезисторы, М., 1973.

И. Ф. Усольцев.

Схема фотодатчика движения » Паятель.Ру

Фотодатчик регистрирует малейшие изменения светового потока, вызванные перемещением людей или предметов, включением-выключением различных световых приборов и т.п. Датчик трудно заметить, поскольку он не испускает радио и световых излучений, а малогабаритный фоторезистор легко замаскировать. Специальный источник света не обязателен, достаточно существующего освещения помещения.

Чувствительный элемент — фоторезистор R2, (Рис 1) включен в эмиттерную цепь транзистора VT1, который, задает режим ОУ DA1 (половина напряжения питания на выв 3) Благодаря С2 достаточно быстрые изменения сопротивления фоторезистора (транзистор VT1 работает как источник тока), вызывают колебания напряжения на входе ОУ в цепи обратной связи, которого, параллельно R6 включены транзисторы VT2, VT3.

Как только напряжение на R6 достигнет 0,6 В открывается один из транзисторов, нагружая на выход ОУ одно из сопротивлений R7 или R8 и вызывая общее повышение потребляемого тока детекторным блоком. Повышение тока регистрируется в блоке питания (приемнике сигнала) транзистором VT5, который, может быть нагружен на реле, звуковой или световой сигнализатор VT4, VD1, R11 выполняют роль стабилизатора напряжения.

Для подавления переменной составляющей с частотой 50 Гц от люминесцентных ламп или ламп накаливания фоторезистор зашунтирован конденсатором С1, а в цепи обратной связи ОУ добавлена цепочка С3, С4, R5, которая, по сути, является аналогом неполярного конденсатора большой емкости.

Для индикации работы датчика в коллекторы транзисторов можно включить светодиоды, несколько уменьшив номиналы R7 и R8. Детекторный блок можно питать от любого стабилизированного источника питания на напряжение 9 — 12 В и ток до 15 мА

Рис.2
Недостатком данной схемы является наличие ложных срабатываний связанных с нестабильностью освещения (скачки напряжения в электросети, идущие по небу облака и т.п.). Этот эффект можно ослабить, если применить схему дифференциального датчика (Рис 2) исключив VT1, R1 — R4, С2. Для нормальной работы этой схемы потребуется отобрать два фоторезистора с возможно более близкими характеристиками и установить их разделив вертикальной светонепроницаемой перегородкой.

Транзисторы можно заменить любыми кремниевыми широкого применения соответствующей проводимости (КТ315, КТ361, SS9014, SS9015, КТ209 и др.) Операционный усилитель должен работать при напряжении питания 9 — 12В отдавая ток 5 — 10 мА в нагрузку. Резисторами R6. R9 настраивается чувствительность датчика (на место R6 можно установить подстроечный 680 кОм), конденсаторами С2, С5 временные характеристики чувствительности (чем больше емкость, тем больше чувствительность к медленным движениям и наоборот)

Фоторезистор в конструкции применялся малогабаритный, типа СФ3-1. С ним детектор без труда определял движение человека в небольшой комнате Возможно применение и других типов фоторезисторов. Надо учитывать также, что приборы с маркировкой СФ2-18 СФ2-19 наиболее чувствительны к ультрафиолетовому излучению, ФСК-х и СФ2-х к видимому свету, ФСД-х, ФСА-х, СФ3-х и СФ4-х к инфракрасному излучению.

Резисторы, термисторы, фоторезисторы, варисторы. Справочник (Том 1)

Справочник является официальным подписным изданием Министерства электронной промышленности СССР. Справочник предназначен для предприятий, разрабатывающих, изготовляющих и эксплуатирующих радиотехническую и электронную аппаратуру. Помещенные в справочнике сведения взяты из соответствующих государственных стандартов, нормалей и технических условий и в ряде случаев дополнены рекомендациями по применению, схемами включения, пояснениями принятой терминологии и т. д. Справочник будет периодически пополняться вкладными листами на вновь разработанные изделия и корректироваться в соответствии с изменениями стандартов, нормалей и технических условий. Настоящий справочник не заменяет действующих стандартов, нормалей и технических условий и поэтому не является юридическим документом в случае предъявления рекламаций.

Общая часть

Резисторы постоянные

Ряды номинальных сопротивлений, ГОСТ 2825-67
Условные обозначения резисторов при заказе
Сопротивления (резисторы) постоянные Ряды номинальных величин сопротивлений. ГОСТ 2825-60
Перечень резисторов, помещенных в справочнике

Резисторы постоянные непроволочные

Резисторы постоянные бороуглеродистые БЛП ОЖ0.467.062 ТУ
Резисторы постоянные углеродистые ВС ГОСТ 6562—67
Резисторы постоянные непроволочные углеродистые ВСЕ ОЖ0.467.034 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные тонкослойные углеродистые С1-4 ОЖ0.467.084 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные тонкослойные углеродистые С1-4И УК0.467.027 ТУ
Сопротивления углеродистые лакированные импульсные ИВС ОЖ0.467.020 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные композиционные КВМ, КЛМ ОЖ0.467.080 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные КИМ-Е ОЖ0.467.027 ТУ
Сопротивления постоянные непроволочные КЭВ ОЖ0.467.077 ТУ
Резисторы постоянные металлопленочные мощностью рассеяния до 2 Вт МГП, МЛТ, МТ, МУН, ОМЛТ ГОСТ 7113-66
Резисторы постоянные металлопленочные МТЕ ОЖ0.467.023 ТУ
Резисторы постоянные металлопленочные ОМЛТЕ ОЖ0.467.022 ТУ
Резисторы постоянные металлопленочные ОМЛТ мощностью рассеяния 0,125 Вт ОЖ0.467.089 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные МОН ОЖ0.467.038 ТУ
Сопротивления постоянные непроволочные МОУ ОЖ0.467.026 ТУ
Резисторы постоянные объемные С4-1 ОЖ0.467.030 ТУ
Резисторы постоянные объемные С4-2 ОЖ0.467.057 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные С1-8, С2-8 ОЖ0.467.037 ТУ
Резисторы постоянные металлоокисные С2-1 ОЖ0.467.025 ТУ
Сопротивления постоянные непроволочные С2-6 ОЖ0.467.032 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные С2-6 ОЖ0.467.075 ТУ
Резисторы постоянные металлоокисные С2-10 ОЖ0.467.072 ТУ
Резисторы постоянные металлопленочные С2-11 ОЖ0.467.046 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные микромодульные С2-12, ССНМ ОЖ0.467.055 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные С2-13, С2-14 С2-15 ОЖ0.467.036 ТУ
Резисторы постоянные металлопленочные С2-17 ОЖ0.467.040 ТУ
Резисторы постоянные металлопленочные С2-18, С2-19 ОЖ0.467.042 ТУ
Резисторы постоянные пластинчатые С2-20 металлопленочные ОЖ0.467.048 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные С2-22 ОЖ0.467.073 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные С2-23 ОЖ0.467.081 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные С2-24 ОЖ0.467.086 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные С2-25 ОЖ0.467.091 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные С2-25а Дополнение № 1 к ОЖ0.467.091 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные С2-26 ОЖ0.467.095 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные С2-27 ОЖ0.467.096 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные С2-29В ОЖ0.467.099 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные С2-30 ОЖ0.467.102 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные С2-31 ОЖ0.467.103 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные С2-33И 0.467.027 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные С3-2 ОЖ0.467.070 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные микромодульные С3-З, СКНМ ОЖ0.467.056 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные микромодульные С3-4 ОЖ0.467.028 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные СЗ-5 ОЖ0.467.041 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные СЗ-6 ОЖ0.467.079 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные микромодульные СЗ-7 ОЖ0.467.094 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные композиционные пленочные С3-9 ОЖ0.467.092 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные тонкослойные металлизированные пластинчатые С6-1 ОЖ0.467.078 ТУ
Резисторы постоянные углеродистые воздухоохлаждаемые СОВ ОЖ0.467.054 ТУ
Резисторы постоянные объемные ТВО ГОСТ 11324-65
Резисторы постоянные объемные ТВО-0,125 ОЖ0.467.031 ТУ
Резисторы постоянные объемные ТВО-0,25—ТВО-60 ОЖ0.467.035 ТУ
Резисторы постоянные углеродистые водоохлаждаемые УВ ОЖ0.467.071 ТУ
Резисторы постоянные непроволочные УЛД ОЖ0.467.049 ТУ
Резисторы постоянные углеродистые УЛИ ОЖ0.467.013 ТУ
Резисторы постоянные углеродистые УНУ и УНУ-III ОЖ0.467.019 ТУ

Терморезисторы

Определение некоротых терминов, принятых в справочнике для терморезисторов
Терморезисторы КМТ-1, КМТ-4, КМТ-8, ММТ-1, ММТ-4, ММТ-8, ММТ-9, ММТ-13 ГОСТ 10688-63 ОЖ0.468.086 ТУ ОЖ0.468.075 ТУ
Термосопротивления КМТ-4Е, ММТ-4Е ОЖ0.468.014 ТУ
Терморезисторы ММТ-6 ОЖ0.468.062 ТУ
Термосопротивления КМТ-10, КМТ-10а, КМТ-11 УБ0.468.004 ТУ
Терморезисторы КМТ-12, ММТ-12, КМТ-17, СТ1-17, СТЗ-17 ОЖ0.468.032 ТУ
Терморезисторы КМТ-14, СТ1-18, СТЗ-18, СТ1-19, СТЗ-19 ОЖ0.468.031 ТУ
Терморезисторы КМТ-17в, СТ1-17, СТЗ-17 ОЖ0.468.096 ТУ
Терморезисторы СТ1-2 ОЖ0.468.052 ТУ
Термосопротивления СТ1-21, СТ3-21 ОЖ0.468.016 ТУ
Терморезисторы СТ1-27 ОЖ0.468.080 ТУ
Терморезисторы СТ1-30 ОЖ0.468.058 ТУ
Терморезисторы СТЗ-1 ОЖ0.468.098 ТУ
Терморезисторы СТЗ-6 ОЖ0.468.067 ТУ
Терморезисторы СТЗ-14 ОЖ0.468.103 ТУ
Терморезисторы СТЗ-23 ОЖ0.468.043 ТУ
Терморезисторы СТЗ-25 ОЖ0.468.063 ТУ
Терморезисторы СТЗ-27 ОЖ0.468.026 ТУ
Терморезисторы СТЗ-29 ОЖ0.468.064 ТУ
Терморезисторы СТЗ-31 ОЖ0.468.082 ТУ
Терморезисторы СТ4-15 ОЖ0.468.053 ТУ
Терморезисторы СТ5-1 ОЖ0.468.028 ТУ 419
Терморезисторы СТ6-1А, СТ6-1Б, СТ6-2Б, СТ6-ЗБ ОЖ0.468.070 ТУ
Терморезисторы СТ6-4Б ОЖ0.468.105 ТУ
Терморезисторы СТ7-1 ОЖ0.468.104 ТУ
Терморезисторы СТ8-1 ОЖ0.468.101 ТУ
Терморезисторы СТ9-1 ОЖ0.468.102 ТУ
Терморезисторы ТИ-1 Ав0.336.002 ТУ

Термисторы

Термисторы Т8Д, Т8Е, Т8М, Т8Р, Т8С1, Т8С2, Т8СЗ, Т8С1М, Т8С2М, Т8СЗМ, Т9 НОД0.336.000 ТУ Ав4.681.006/016 ТУ
Термисторы ТК-2-50, ТК-2-50А, ТК-2-75, ТК-2-75А, ТВ-2-250, ТВ-2-250А НОД0.336.000 ТУ Ав4.681.000/006 ТУ
Термисторы ТВ-2-350А НОД0.336.000 ТУ Ав4.681.035 ТУ
Термисторы ТКП-20, ТКП-20Б, ТКП-50, ТКП-300, ТКП-300А НОД0.336.000 ТУ 020 Ав4.681.020/023 ТУ
Термисторы ТП2/0,5; ТП2/2; ТП6/2 НОД0.336.000 ТУ Ав4.681.017/019 ТУ
Термисторы ТПМ2/0,5 ТПМ2/0,5Б, ТПМ2/2, ТПМ6/2 НОД0.336.000 ТУ Ав4.681.032/034 ТУ
Термисторы ТПМ2/0,5А; ТПМ6/2Б НОД0.336.000 ТУ Ав4.681. 041/042 ТУ
Термисторы ТОС-3, ТОС-М, ТОС-МБ, ТОС-МД НОД0.336.000 ТУ Ав4.б81. 025/028 ТУ
Термисторы ТШ-1 НОД0.336.000 ТУ Ав4.681.036 ТУ
Термисторы ТШ-2 НОД0.336.000 ТУ Ав4.681.024 ТУ

Фоторезисторы

Определение некоротых терминов, принятых в справочнике для Фотосопротивлений
Фотосопротивления СФ2-1 СФЗ-1 УБ0.468.023 ТУ
Фоторезисторы СФ2-1А, СФЗ-1А ОЖ0.468.029 ТУ
Фотосопротивления СФ2-2 УБ4.681.128 ТУ
Фоторезисторы СФ2-4 СЩ0.468.068 ТУ
Фоторезисторы СФ2-5 ОЖ0.468.077 ТУ
Фоторезисторы СФ2-8, СФЗ-5, СФЗ-8 ОЖ0.468.095 ТУ
Фоторезисторы СФ2-12 ОЖ0.468.071 ТУ
Фоторезисторы СФ2-16 ОЖ0.468.091 ТУ
СФЗ-2А, СФЗ-4А, СФЗ-7А, СФЗ-9А, СФЗ-2Б, СФЗ-4Б, СФЗ-7Б, СФЗ-9Б, СФЗ-16 ОЖ0.468.129 ТУ
Фоторезисторы ФСА-1А; ФСК-1 А; ФСД-1А; ФСА-1А; ФСА-Г1; ФСА-Г2; ФСК-1; ФСК-Г1; ФСК-Г2; ФСД-1; ФСД-Г1; ФСД-Г2 ОЖ0.468.126 ТУ
Фоторезисторы ФСК-2, ФСК-2а, ФСА-6, ФСК-6 ОЖ0.468.055 ТУ
Фоторезисторы ФСК-5 ОЖ0.468.050 ТУ
Фотосопротивления ФСК-7, ФСК-Г7 ОЖ0.468.013 ТУ
Фоторезисторы ФСК-ОГ ОЖ0.468.048 ТУ
Фоторезисторы ФСК-П1 ОЖ0.468.065 ТУ

Варисторы (резисторы нелинейные)

Варисторы (резисторы нелинейные) СН1-1, СН1-2 ОЖ0.468.042 ТУ
Варисторы СН1-6 ОЖ0.468.079 ТУ
Варисторы СН1-7 ОЖ0.468.089 ТУ
Варисторы СН1-8 ОЖ0.468.094 ТУ
Варисторы СН1-9 ОЖ0.468.092 ТУ
Варисторы СН1-10 ОЖ0.468.111 ТУ
Варисторы СН1-11 ОЖ0.468.115 ТУ
Варисторы СН1-12 ОЖ0.468.127 ТУ
Варисторы СН1-14 ОЖ0.468.179 ТУ

Название: Справочник. Резисторы, термисторы, фоторезисторы, варисторы
Автор: РНИИ Электронстандарт
Издательство: СПб:, РНИИ Электронстандарт
Год: 1966-1977
Страниц: 630
Формат: DJVU
Качество: Отличное
Размер: 110,74 Мб

Скачать Справочник. Резисторы, термисторы, фоторезисторы, варисторы (1966-1977) Том 1

Фоторезистор

— Энциклопедия Нового Света

Внутренние компоненты фотоэлектрического регулятора типичного американского уличного фонаря. Фоторезистор, обращенный вправо, регулирует протекание тока через нагреватель, который размыкает основные силовые контакты. Ночью обогреватель охлаждает, замыкая силовые контакты и запитывая уличный фонарь.

Фоторезистор — это электронный компонент, электрическое сопротивление которого изменяется при изменении интенсивности падающего на него света. Обычно, когда он подвергается воздействию более интенсивного света, его сопротивление снижается.Его также называют фотопроводником , светозависимым резистором (LDR) , фотоэлементом или электрическим глазом .

Было разработано много типов фоторезисторов, которые служат для самых разных целей. Например, элементы из сульфида кадмия используются в уличных фонарях, фотометрах, радиочасах, охранной сигнализации и уличных часах. Фотопроводники Ge: Cu являются отличными детекторами дальнего инфракрасного излучения и ценны для инфракрасной астрономии и спектроскопии.

Светозависимый резистор.

Как это работает

Фоторезистор изготовлен из высокоомного полупроводника. Когда на устройство падает свет достаточно высокой частоты, полупроводник поглощает фотоны, которые передают энергию связанным электронам, заставляя их прыгать в зону проводимости. Полученные в результате свободные электроны (и их дырочные партнеры) проводят электричество, тем самым снижая сопротивление.

Внутренние и внешние устройства

Фотоэлектрическое устройство может быть внутренним или внешним.

Собственный полупроводник имеет свои собственные носители заряда и не является эффективным полупроводником, например кремний. В собственных устройствах единственные доступные электроны находятся в валентной зоне. Следовательно, фотоны должны иметь достаточно энергии, чтобы возбуждать электроны по всей запрещенной зоне.
Внешние устройства содержат «примеси», добавленные к ним, так что энергия основного состояния (энергия невозбужденного состояния) их электронов ближе к зоне проводимости. Следовательно, электронам не нужно прыгать так далеко, и фотонов с меньшей энергией (то есть фотонов с большей длиной волны и более низкой частотой) достаточно для срабатывания устройства.Если в образце кремния некоторые атомы заменены атомами фосфора (что соответствует «примесям»), дополнительные электроны будут доступны для проводимости. Это пример внешнего полупроводника.

Элементы из сульфида кадмия

Элементы из сульфида кадмия (или сульфида кадмия, CdS) зависят от способности материала изменять свое электрическое сопротивление в зависимости от количества света, падающего на элемент. Чем больше света попадает в ячейку, тем ниже ее сопротивление. Хотя это и неточно, даже простой элемент CdS может иметь широкий диапазон сопротивления: от менее 100 Ом (Ом) при ярком свете до более десяти МОм в темноте.Многие коммерчески доступные клетки CdS имеют пиковую чувствительность в диапазоне 500-600 нанометров (нм). Клетки также способны реагировать на широкий диапазон частот, включая инфракрасный (ИК), видимый свет и ультрафиолет (УФ). Их часто можно найти на уличных фонарях в качестве автоматических выключателей. Когда-то они использовались в ракетах с тепловым наведением для обнаружения целей.

Приложения

Фоторезисторы бывают разных типов. Недорогие элементы из сульфида кадмия можно найти во многих потребительских товарах, таких как фотометры, радиочасы, охранная сигнализация, уличные фонари и уличные часы.Они также используются в некоторых динамических компрессорах для управления снижением усиления. С другой стороны, фотопроводники Ge: Cu являются одними из лучших детекторов дальнего инфракрасного излучения, и они используются в инфракрасной астрономии и инфракрасной спектроскопии.

Условное обозначение цепи

Символ фоторезистора, используемый на некоторых принципиальных схемах, показан ниже.

См. Также

Список литературы

Харрисон, Ян. 2004. Книга изобретений: как они к этому пришли? .Вашингтон, округ Колумбия: National Geographic. ISBN 07
965
Хантер, Ллойд П., изд. 1970. Справочник по полупроводниковой электронике: Практическое руководство по физике, технологии и применению транзисторов, диодов и других полупроводниковых устройств в обычных и интегральных схемах. 3-е изд. Нью-Йорк: Макгроу-Хилл. ISBN 0070313059
Sze, S.M., ed. 1994. Полупроводниковые датчики . Нью-Йорк: Джон Вили. ISBN 0471546097
Тернер, Руфус П.1980. Солнечные элементы и фотоэлементы . 2-е изд. Индианаполис, IN: H.W. Sams. ISBN 0672217112

Внешние ссылки

Все ссылки получены 27 марта 2019 г.

Кредиты

Энциклопедия Нового Света Писатели и редакторы переписали и завершили статью Википедия в соответствии со стандартами New World Encyclopedia . Эта статья соответствует условиям лицензии Creative Commons CC-by-sa 3.0 (CC-by-sa), которая может использоваться и распространяться с указанием авторства.Кредит предоставляется в соответствии с условиями этой лицензии, которая может ссылаться как на участников Энциклопедии Нового Света, , так и на самоотверженных добровольцев Фонда Викимедиа. Чтобы процитировать эту статью, щелкните здесь, чтобы просмотреть список допустимых форматов цитирования. История более ранних публикаций википедистов доступна исследователям здесь:

История этой статьи с момента ее импорта в New World Encyclopedia :

Примечание. Некоторые ограничения могут применяться к использованию отдельных изображений, на которые распространяется отдельная лицензия.

Светозависимый резистор LDR, Фоторезистор »Электроника

Светозависимые резисторы, LDR или фоторезисторы — это электронные компоненты, которые используются для обнаружения света и изменения работы схемы в зависимости от уровня освещенности.

Resistor Tutorial Включает:

Resistors Overview Углеродный состав Карбоновая пленка Металлооксидная пленка Металлическая пленка Проволочная обмотка SMD резистор MELF резистор Переменные резисторы Светозависимый резистор Термистор Варистор Цветовые коды резисторов Маркировка и коды SMD резисторов Характеристики резистора Где и как купить резисторы Стандартные номиналы резисторов и серия E

Светозависимые резисторы, LDR или фоторезисторы часто используются в конструкциях электронных схем, где необходимо определять наличие или уровень света.

Эти электронные компоненты могут быть описаны под разными названиями от светозависимого резистора, LDR, фоторезистора или даже фотоэлемента, фотоэлемента или фотопроводника.

Хотя также могут использоваться другие электронные компоненты, такие как фотодиоды или фототранзисторы, LDR или фоторезисторы особенно удобны для использования во многих конструкциях электронных схем. Они обеспечивают большое изменение сопротивления при изменении уровня освещенности.

Ввиду их низкой стоимости, простоты изготовления и простоты использования LDR использовались в самых разных приложениях.Когда-то LDR использовались в фотографических люксметрах, и даже сейчас они все еще используются в различных приложениях, где необходимо определять уровни освещенности.

Светозависимые резисторы широко доступны: — они обычно хранятся на складах дистрибьюторов электронных компонентов, и с учетом того, как сегодня работает цепочка поставок электронной промышленности, это нормальный способ их получения. Крупные и мелкие дистрибьюторы электронных компонентов обычно имеют хороший выбор.

Типичный светозависимый резистор

Что такое светозависимый резистор, LDR или фоторезистор

Фоторезистор или светозависимый резистор — это электронный компонент, чувствительный к свету. Когда на него падает свет, сопротивление меняется. Значения сопротивления LDR могут на много порядков изменять значение сопротивления, уменьшающееся с увеличением уровня освещенности.

Нередко значения сопротивления LDR или фоторезистора составляют несколько мегом в темноте, а затем падают до нескольких сотен ом при ярком свете.При таком большом разбросе сопротивления LDR просты в использовании, и существует множество доступных схем LDR. Чувствительность светозависимых резисторов или фоторезисторов также зависит от длины волны падающего света.

LDR

изготавливаются из полупроводниковых материалов, что обеспечивает им светочувствительные свойства. Можно использовать многие материалы, но одним из популярных материалов для этих фоторезисторов является сульфид кадмия, CdS, хотя использование этих элементов в настоящее время ограничено в Европе из-за экологических проблем, связанных с использованием кадмия.

Аналогичным образом ограничивается кадмий CdSe. Другие материалы, которые можно использовать, включают сульфид свинца, PbS и антимонид индия, InSb.

Хотя для этих фоторезисторов используется полупроводниковый материал, они являются чисто пассивными устройствами, поскольку не имеют PN-перехода, что отделяет их от других фотоприемников, таких как фотодиоды и фототранзисторы.

Обозначение LDR / фоторезистора

Символ LDR, используемый в электронных схемах, основан на символе цепи резистора, но показывает свет в виде сияющих на нем стрелок.Таким образом, он следует тому же соглашению, которое используется для обозначений схем фотодиода и фототранзистора, где стрелки используются для обозначения света, падающего на эти компоненты.

Обозначения схемы фоторезистора / светозависимого резистора

Обозначения схемы светозависимого резистора / фоторезистора показаны как для символа резистора нового типа, т.

Как работает LDR

Относительно легко понять основы работы LDR, не углубляясь в сложные объяснения.Прежде всего необходимо понять, что электрический ток состоит из движения электронов внутри материала.

Хорошие проводники имеют большое количество свободных электронов, которые могут дрейфовать в заданном направлении под действием разности потенциалов. Изоляторы с высоким сопротивлением имеют очень мало свободных электронов, поэтому их трудно заставить двигаться и, следовательно, течь ток.

LDR или фоторезистор — это любой полупроводниковый материал с высоким сопротивлением.Он имеет высокое сопротивление, потому что очень мало электронов, которые свободны и могут двигаться — подавляющее большинство электронов заблокировано в кристаллической решетке и не может двигаться. Следовательно, в этом состоянии наблюдается высокое сопротивление LDR.

Когда свет падает на полупроводник, световые фотоны поглощаются решеткой полупроводника, и часть их энергии передается электронам. Это дает некоторым из них достаточно энергии, чтобы вырваться из кристаллической решетки и проводить электричество.Это приводит к снижению сопротивления полупроводника и, следовательно, к общему сопротивлению LDR.

Процесс прогрессивный, и чем больше света попадает на полупроводник LDR, тем больше электронов высвобождается для проведения электричества, и сопротивление падает.

Фоторезистор / структура LDR

Конструктивно фоторезистор представляет собой светочувствительный резистор с горизонтальным корпусом, на который падает свет.

Базовый формат фоторезистора показан ниже:

Структура фоторезистора

Активная полупроводниковая область обычно наносится на полуизолирующую подложку, а активная область обычно слегка легирована.

Во многих устройствах с дискретными фоторезисторами используется встречно-штыревой рисунок для увеличения площади фоторезистора, подвергающейся воздействию света. Рисунок вырезан в металлизации на поверхности активной области, и это пропускает свет. Две металлические поверхности действуют как два контакта резистора. Эта область должна быть относительно большой, потому что сопротивление контакта с активной областью необходимо минимизировать.

Структура фоторезистора с встречно-штыревым рисунком для увеличения площади экспонирования.

Этот тип структуры широко используется для многих небольших фоторезисторов или светозависимых резисторов, которые можно увидеть. Межпальцевой узор довольно узнаваем.

Материалы, используемые для фоторезистов, являются полупроводниками и включают такие материалы, как CdSe, CdS, CdTe, InSb, InP, PbS, PbSe, Ge, Is, GaAs. Каждый материал обладает разными свойствами с точки зрения длины волны чувствительности и т. Д.

В связи с экологической опасностью использования кадмия, этот материал не используется в продуктах в Европе.

Виды фоторезисторов

Светозависимые резисторы, LDR или фоторезисторы делятся на один из двух типов или категорий:

Собственные фоторезисторы: Собственные фоторезисторы используют нелегированные полупроводниковые материалы, включая кремний или германий. Фотоны, падающие на LDR, возбуждают электроны, перемещая их из валентной зоны в зону проводимости. В результате эти электроны могут свободно проводить электричество. Чем больше света попадает на устройство, тем больше выделяется электронов и тем выше уровень проводимости, а это приводит к более низкому уровню сопротивления.
Внешние фоторезисторы: Внешние фоторезисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов, легированных примесями. Эти примеси или легирующие примеси создают новую энергетическую зону над существующей валентной зоной. В результате электронам требуется меньше энергии для передачи в зону проводимости из-за меньшей ширины запрещенной зоны.

Независимо от типа светозависимого резистора или фоторезистора, оба типа демонстрируют увеличение проводимости или падение сопротивления с увеличением уровня падающего света.

Частотная зависимость ЛДР

Показано, что чувствительность фоторезисторов зависит от длины волны света, падающего на чувствительную область устройства. Эффект очень заметен, и было обнаружено, что если длина волны выходит за пределы заданного диапазона, то заметного эффекта нет.

Устройства, изготовленные из разных материалов, по-разному реагируют на свет с разной длиной волны, а это означает, что разные электронные компоненты могут использоваться для разных приложений.

Также обнаружено, что внешние фоторезисты имеют тенденцию быть более чувствительными к свету с большей длиной волны и могут использоваться для инфракрасного излучения. Однако при работе с инфракрасным излучением следует проявлять осторожность, чтобы избежать перегрева, вызванного, но отталкивающим эффектом излучения.

Задержка фоторезистора / светозависимого резистора

Одним из важных аспектов, связанных с фоторезисторами или светозависимыми резисторами, является задержка или время, необходимое электронному компоненту для реакции на любые изменения.Этот аспект может быть особенно важным для схемотехники.

Требуется заметное количество времени от любых изменений уровня освещенности до того, как LDR / фоторезистор достигнет своего окончательного значения для нового уровня света, и по этой причине LDR / фоторезистор не является хорошим выбором там, где есть достаточно быстро меняющиеся значения света. Однако, когда световые изменения происходят в течение определенного периода времени, их более чем достаточно.

Скорость изменения сопротивления называется скоростью восстановления сопротивления.LDR / фоторезистор обычно реагирует в течение нескольких десятков миллисекунд, когда свет включается после полной темноты, но когда свет убирается, может потребоваться секунда или около того, чтобы сопротивление достигло своего конечного уровня.

Именно по этой причине одной из спецификаций, обычно приводимых в технических описаниях электронных компонентов для фоторезисторов, является темновое сопротивление через заданное время, обычно в секундах. Часто цитируются два значения: одно для одной секунды, а другое для пяти секунд.Они дали указание на задержку резистора.

Применение фоторезисторов

Фоторезисторы

находят применение во многих различных приложениях и могут использоваться во многих различных конструкциях электронных схем. Они имеют очень простую конструкцию и являются недорогими и прочными устройствами. Они широко используются во многих различных элементах электронного оборудования и схемотехнике, включая фотографические люксметры, пожарную или дымовую сигнализацию, а также охранную сигнализацию, а также находят применение в качестве средств управления освещением для уличных фонарей.

Внешние фоторезисторы обеспечивают чувствительность для более длинных волн, и в результате они популярны в различных конструкциях электронных схем в качестве фотоприемников информационного красного. Фоторезисторы также могут использоваться для обнаружения ядерной радиации.

Характеристики светозависимого резистора

Существует несколько спецификаций, которые важны для светозависимых резисторов, LDR / фоторезисторов при рассмотрении их использования в любой конструкции электронных схем.

Эти технические характеристики фоторезистора включают:

Основные характеристики LDR / фоторезистора
Параметр	Детали
Макс.рассеиваемая мощность	Это максимальная мощность, которую устройство способно рассеять в заданном диапазоне температур.Снижение номинальных характеристик может применяться выше определенной температуры.
Максимальное рабочее напряжение	В частности, поскольку устройство является полупроводниковым, необходимо соблюдать максимальное рабочее напряжение. Обычно это 0 люкс, то есть темнота.
Пиковая длина волны	В данной спецификации фоторезистора указана длина волны максимальной чувствительности. В некоторых случаях могут быть представлены кривые для общего отклика. Длина волны указана в нм
Сопротивление при освещении	Сопротивление при освещении — это ключевая характеристика, ключевой параметр для любого фоторезистора.Часто минимальное и максимальное сопротивление дается при определенных условиях освещения, часто 10 люкс. Минимальное и максимальное значение могут быть указаны из-за вероятного разброса. Состояние «полностью включено» может также возникать при сильном освещении, например, при сильном освещении. 100 люкс.
Темное сопротивление	Для фоторезистора будут указаны значения темнового сопротивления. Они могут быть указаны по истечении заданного времени, потому что требуется время, чтобы сопротивление снизилось по мере рекомбинации носителей заряда — фоторезисторы отличаются медленным временем отклика.

Типичный светозависимый резистор, технические характеристики LDR / фоторезистора могут быть:

Пример технических характеристик фоторезистора
Параметр	Примеры фигур
Макс.рассеиваемая мощность	200 мВт
Максимальное напряжение при 0 люкс	200 В
Пиковая длина волны	600 нм
Мин.сопротивление при 10 люкс	1,8 кОм
Макс. сопротивление при 10 люкс	4,5 кОм
Тип. сопротивление при 100 люкс	0,7 кОм
Темное сопротивление через 1 сек	0,03 МОм
Устойчивость к темноте через 5 с	0,25 МОм

LDR — это очень полезные электронные компоненты, которые можно использовать для различных приложений светочувствительности и связанных с ними конструкций электронных схем.Поскольку сопротивление LDR изменяется в таком широком диапазоне, они особенно полезны, и существует множество схем LDR, выходящих за рамки показанных здесь. Чтобы использовать эти электронные компоненты, необходимо кое-что знать о том, как работает LDR, что было объяснено выше.

Другие электронные компоненты: Резисторы
Конденсаторы Индукторы Кристаллы кварца Диоды Транзистор Фототранзистор Полевой транзистор Типы памяти Тиристор Разъемы Разъемы RF Клапаны / трубки Аккумуляторы Переключатели Реле
Вернуться в меню «Компоненты».. .

Измерение схемы фоторезистора — Rheingold Heavy

[mathjax] [/ mathjax] Светозависимый резистор (LDR), фоторезистор, изменяет свое сопротивление в зависимости от количества света, попадающего на его поверхность. Мне было любопытно посмотреть, сколько света или тьмы повлияет на этот уровень сопротивления.

Схема для проверки LDR очень проста, вроде просто просто. На самом деле самая сложная часть — это выяснить, как внести достаточно стандартизованные изменения в свет, чтобы понять его.Вы также как бы хотите увидеть, какой уровень освещенности визуально, чтобы вы могли иметь систему отсчета при просмотре чисел позже через выход АЦП.

Вот что я придумал.

На схеме просто + 5В к одному выводу LDR, затем к резистору серии 1K, а затем к GND.

Базовая схема LDR

Что я собираюсь сделать, так это поместить всю схему в лайтбокс, который я использую для фотографирования материалов для веб-сайта, а затем измерить падение напряжения на резисторе серии 1K.Сначала я измерю напряжение при окружающем освещении, затем добавлю первичный источник света, а затем добавлю четыре световых блока по одному, чтобы увидеть, в чем разница. Световые блоки сделаны из высокотехнологичных заметок, вырезанных для того, чтобы поместиться в маленький держатель, который я использую… старый ультрафиолетовый линзовый фильтр. Я проверил перед тем, как сделать фотографии, и наличие фильтра не повлияло на уровень напряжения.

LDR Measurement Test 01 — Статическая установка

Итак, поехали, у нас есть настройка системы внутри светового короба, и мы готовы начать измерения.Помните, что этот оранжевый мультиметр автоматически устанавливает диапазон, поэтому вам придется внимательно следить за положением десятичной точки.

[masterslider id = 11]

Уровень освещенности	Vmeasure	Разница
Окружающая среда	2,17 В	НЕТ
Первичный	1,12 В	+ 1,95 В
Блоки: 1	2,98 В	-1,14 В
Блоки: 2	2.48 В	-0,50 В
Блоки: 3	2,13В	-0,35В
Блоки: 4	1.85V	-0.28V

По мере уменьшения количества доступного света сопротивление фоторезистора увеличивается. Судя по измерениям, также похоже, что уменьшается отдача от количества светового препятствия, которое вы получаете, когда помещаете лист для заметок между светодиодным фонариком и фоторезистором.Я решил перезапустить тест с большим количеством блоков, чтобы у меня было больше четырех точек данных, и это то, как получился график, довольно асимптотический, поскольку он приближается к сопротивлению, вызванному каким бы то ни было окружающим светом.

Можно также ожидать, что по мере уменьшения освещенности и увеличения сопротивления ток также будет уменьшаться. К счастью, поскольку мы знаем…

Входное напряжение схемы в целом, Vout моей Arduino, измеренное на уровне 4.87 В
Падение напряжения на втором резисторе, график выше
Значение последовательного резистора, измеренное при 987 Ом.

… мы можем определить как потребление тока в цепи, так и сопротивление LDR в омах при добавлении каждого светового блокиратора, благодаря закону Ома и тому факту, что одно и то же потребление тока происходит в каждом узле делителя напряжения (подробнее об этом в более позднем посте)!

Сначала мы находим ток, потребляемый в цепи. Вы бы использовали формулу \ (\ mathrm {\ frac {V_ {mes}} {R_ {2}} = I_ {circuit}} \).Если мы воспользуемся измерением окружающего освещения сверху в качестве примера, мы получим: \ [\ large \ mathrm {\ frac {2.17V} {987Ω} = 0.0021A = 2.10mA} \]

Во-вторых, мы используем начальное напряжение 4,87 В от Arduino и потребляемый ток 2,10 мА для определения общего сопротивления цепи: \ [\ large \ mathrm {\ frac {2.17V} {. 0021A} = 2319 Ом} \]

Наконец, мы вычитаем значение последовательного резистора 987 Ом из общего сопротивления 2319 Ом, чтобы получить сопротивление LDR в окружающем свете в моей лаборатории: \ [\ large \ mathrm {2319Ω-987Ω = 1332Ω} \]

Итоговая таблица, показывающая нам, сколько тока потреблялось и каково было сопротивление фоторезистора на каждой ступени, выглядит следующим образом…

Уровень освещенности	Vin	Vmeasured	Current	LDR Resistance
Окружающая среда	4.87 В	2,05 В	2,05 мА	1358
Первичный	4,87 В	3,76 В	3,81 мА	291
Блоки: 1	4,87 В	2,48 В	2,51 мА	951
Блоки: 2	4,87 В	2,05 В	2,08 мА	1358
Блоки: 3	4,87 В	1,83 В	1,82 мА	1640
Блоки: 4	4.87 В	1,71 В	1,73 мА	1824
Блоки: 5	4,87 В	1,57 В	1,59 мА	2075
Блоки: 6	4,87 В	1,48 В	1,50 мА	2261
Блоки: 7	4,87 В	1,43 В	1,45 мА	2374
Блоки: 8	4,87 В	1,34 В	1,36 мА	2600
Блоки: 9	4.87 В	1,30 В	1,32 мА	2710

Но на самом деле это грубый метод измерения — изменение милливольт, основанное на листах бумаги, набитых перед фонариком в комнате с множеством других световых и теневых загрязнений. Мне пришлось повторить все измерения для второй таблицы, когда я понял, что напряжение для одного измерения было выше, чем предыдущее, потому что в первый раз я держал руку рядом с фонариком и отбрасывал тень от источника окружающего света.

Вообще говоря, я хочу построить свой собственный оптоизолятор и вместо этого измерять его таким образом. Думаю, сделаю это завтра.

Датчик освещенности

, включая фотоэлемент и датчик LDR

A Датчик освещенности генерирует выходной сигнал, показывающий интенсивность света, путем измерения энергии излучения, которая существует в очень узком диапазоне частот, который в основном называется «свет», и который находится в диапазоне от «Инфракрасного» до «Видимого». вплоть до «ультрафиолетового» светового спектра.

Световой датчик — это пассивное устройство, которое преобразует эту «световую энергию», видимую или инфракрасную, в выходной электрический сигнал. Датчики света более известны как «фотоэлектрические устройства» или «фотодатчики», поскольку они преобразуют световую энергию (фотоны) в электричество (электроны).

Фотоэлектрические устройства можно сгруппировать в две основные категории: те, которые вырабатывают электричество при освещении, например, Фотоэлектрические или Фотоэмиссионные и т. Д., И те, которые каким-либо образом изменяют свои электрические свойства, такие как Фоторезисторы или Фотопровод .Это приводит к следующей классификации устройств.

• Фотоэмиссионные ячейки — это фотоустройства, которые высвобождают свободные электроны из светочувствительного материала, такого как цезий, при ударе фотона достаточной энергии. Количество энергии фотонов зависит от частоты света, и чем выше частота, тем больше энергии фотоны преобразуют энергию света в электрическую.
• Фотопроводящие элементы. Эти фотоустройства изменяют свое электрическое сопротивление под воздействием света.Фотопроводимость возникает в результате попадания света на полупроводниковый материал, который контролирует ток, протекающий через него. Таким образом, большее количество света увеличивает ток для данного приложенного напряжения. Наиболее распространенным фотопроводящим материалом является сульфид кадмия, используемый в фотоэлементах LDR.
• Фотовольтаические элементы. Эти фотоустройства генерируют ЭДС, пропорциональную полученной лучистой световой энергии, и по своему эффекту аналогичны фотопроводимости. Световая энергия падает на два полупроводниковых материала, зажатых вместе, создавая напряжение примерно 0.5В. Наиболее распространенным фотоэлектрическим материалом является селен, используемый в солнечных элементах.
• Устройства с фото-переходом. Эти фотоустройства в основном представляют собой настоящие полупроводниковые устройства, такие как фотодиод или фототранзистор, которые используют свет для управления потоком электронов и дырок через их PN-переход. Устройства с фотопереходом специально разработаны для детекторов и проникновения света, их спектральный отклик настроен на длину волны падающего света.

Фотопроводящий элемент

A Фотопроводящий датчик света не вырабатывает электричество, а просто меняет свои физические свойства под воздействием световой энергии.Наиболее распространенным типом фотопроводящих устройств является фоторезистор , который изменяет свое электрическое сопротивление в ответ на изменения интенсивности света.

Фоторезисторы — это полупроводниковые устройства, которые используют световую энергию для управления потоком электронов и, следовательно, током, протекающим через них. Обычно используемый фотопроводящий элемент называется светозависимым резистором или LDR .

Светозависимый резистор

Типичный LDR

Как следует из названия, светозависимый резистор (LDR) изготовлен из куска открытого полупроводникового материала, такого как сульфид кадмия, который изменяет свое электрическое сопротивление с нескольких тысяч Ом в темноте до нескольких сотен Ом, когда падает свет. это путем создания пар дырка-электрон в материале.

Чистый эффект — улучшение проводимости при уменьшении сопротивления для увеличения освещенности. Кроме того, фоторезистивные клетки имеют длительное время отклика, требующее многих секунд, чтобы отреагировать на изменение интенсивности света.

Материалы, используемые в качестве полупроводниковой подложки, включают сульфид свинца (PbS), селенид свинца (PbSe), антимонид индия (InSb), которые обнаруживают свет в инфракрасном диапазоне, причем наиболее часто используемым из всех фоторезистивных датчиков света является Сульфид кадмия (CD).

Сульфид кадмия используется в производстве фотопроводящих ячеек, потому что его спектральная кривая отклика близко соответствует кривой человеческого глаза, и его можно контролировать даже с помощью простого фонаря в качестве источника света. Обычно длина волны максимальной чувствительности (λp) составляет от 560 до 600 нм в видимом спектральном диапазоне.

Ячейка светозависимого резистора

Наиболее часто используемым фоторезистивным датчиком света является фотопроводящий элемент ORP12 из сульфида кадмия.Этот светозависимый резистор имеет спектральный отклик около 610 нм в желто-оранжевой области света. Сопротивление элемента в неосвещенном состоянии (темновое сопротивление) очень высокое и составляет около 10 МОм, которое падает до примерно 100 Ом при полном освещении (сопротивление горению).

Чтобы увеличить темновое сопротивление и, следовательно, уменьшить темновой ток, резистивный путь образует зигзагообразный узор на керамической подложке. Фотоэлемент CdS — это очень дешевое устройство, которое часто используется для автоматического затемнения, определения темноты или сумерек для включения и выключения уличных фонарей, а также для приложений типа фотографических экспонометров.

Подключение светозависимого резистора последовательно со стандартным резистором, подобным этому, к одному источнику постоянного напряжения имеет одно важное преимущество: на их стыке будет появляться разное напряжение для разных уровней света.

Величина падения напряжения на последовательном резисторе R ₂ определяется значением сопротивления светозависимого резистора R _LDR. Эта способность генерировать различные напряжения позволяет получить очень удобную схему, называемую «делителем потенциала» или сетью делителя напряжения .

Как мы знаем, ток через последовательную цепь является обычным явлением, и поскольку LDR изменяет свое резистивное значение из-за интенсивности света, напряжение, присутствующее на V _OUT, будет определяться формулой делителя напряжения. Сопротивление LDR, R _LDR, может варьироваться от примерно 100 Ом при солнечном свете до более 10 МОм в абсолютной темноте, при этом это изменение сопротивления преобразуется в изменение напряжения на V _OUT, как показано.

Одним из простых способов использования светозависимого резистора является светочувствительный переключатель, как показано ниже.

Переключатель LDR

Эта базовая схема светового датчика представляет собой реле с активированным освещением. Между фоторезистором, LDR и резистором R1 сформирована схема делителя потенциала. Когда нет света, то есть в темноте, сопротивление LDR очень велико в диапазоне мегом (МОм), поэтому на транзистор TR1 подается нулевое смещение базы, и реле обесточивается или находится в положении «ВЫКЛ».

По мере увеличения уровня освещенности сопротивление LDR начинает уменьшаться, вызывая повышение напряжения смещения базы на V1.В какой-то момент, определяемый цепью делителя потенциала, образованной резистором R1, напряжение смещения базы становится достаточно высоким, чтобы включить транзистор TR1 и, таким образом, активировать реле, которое, в свою очередь, используется для управления некоторыми внешними схемами. Когда уровень света снова падает до темноты, сопротивление LDR увеличивается, вызывая падение базового напряжения транзистора, что приводит к выключению транзистора и реле при фиксированном уровне освещенности, который снова определяется цепью делителя потенциала.

При замене постоянного резистора R1 потенциометром VR1 точка, в которой реле включается или выключается, может быть предварительно установлена на определенный уровень освещенности.Этот тип простой схемы, показанной выше, имеет довольно низкую чувствительность, и ее точка переключения может не совпадать из-за изменений температуры или напряжения питания. Более чувствительную прецизионную схему, активируемую светом, можно легко создать, включив LDR в схему «моста Уитстона» и заменив транзистор на операционный усилитель, как показано.

Цепь измерения уровня освещенности

В этой базовой схеме обнаружения темноты светозависимый резистор LDR1 и потенциометр VR1 образуют одно регулируемое плечо простой цепи резистивного моста, также известной как мост Уитстона , в то время как два фиксированных резистора R1 и R2 образуют другое плечо .Обе стороны моста образуют цепи делителей потенциала на питающем напряжении, выходы которых V1 и V2 подключены к неинвертирующим и инвертирующим входам напряжения соответственно операционного усилителя.

Операционный усилитель сконфигурирован как дифференциальный усилитель, также известный как компаратор напряжения с обратной связью, состояние выходного напряжения которого определяется разностью между двумя входными сигналами или напряжениями, V1 и V2. Комбинация резисторов R1 и R2 формирует фиксированное опорное напряжение на входе V2, задаваемое соотношением двух резисторов.Комбинация LDR — VR1 обеспечивает переменное входное напряжение V1, пропорциональное уровню освещенности, определяемому фоторезистором.

Как и в предыдущей схеме, выход операционного усилителя используется для управления реле, которое защищено свободным диодом D1. Когда уровень освещенности, измеряемый LDR, и его выходное напряжение падает ниже опорного напряжения, установленного на V2, выход операционного усилителя меняет состояние, активируя реле и переключая подключенную нагрузку.

Аналогичным образом, когда уровень освещенности увеличивается, выход снова переключается, переводя реле в положение «ВЫКЛ».Гистерезис двух точек переключения устанавливается резистором обратной связи. Rf может быть выбран таким образом, чтобы получить любой подходящий коэффициент усиления по напряжению усилителя.

Работа схемы светового датчика этого типа также может быть изменена на противоположную, чтобы включить реле, когда уровень освещенности превышает опорный уровень напряжения, и наоборот, поменяв местами датчик освещенности LDR и потенциометр VR1. Потенциометр можно использовать для «предварительной установки» точки переключения дифференциального усилителя на любой конкретный уровень освещенности, что делает его идеальным в качестве простой проектной схемы светового датчика.

Устройства фотоперехода

Устройства с фотопереходом — это в основном световые датчики с PN-переходом или детекторы, изготовленные из кремниевых полупроводниковых PN-переходов, которые чувствительны к свету и могут определять уровни как видимого света, так и инфракрасного света. Устройства с фотопереходом специально созданы для восприятия света, и этот класс фотоэлектрических датчиков света включает фотодиод и фототранзистор .

Фотодиод.

Фотодиод

Конструкция светового датчика Photodiode аналогична конструкции обычного диода с PN-переходом, за исключением того, что внешний кожух диода либо прозрачен, либо имеет прозрачную линзу для фокусировки света на PN-переход для повышения чувствительности.Переход будет реагировать на свет, особенно с более длинными волнами, такими как красный и инфракрасный, а не на видимый свет.

Эта характеристика может быть проблемой для диодов с прозрачными или стеклянными шариками, таких как сигнальный диод 1N4148. Светодиоды также могут использоваться в качестве фотодиодов, поскольку они могут как излучать, так и обнаруживать свет от своего перехода. Все PN-переходы светочувствительны и могут использоваться в режиме фотопроводящего несмещенного напряжения с PN-переходом фотодиода, всегда «смещенным в обратном направлении», так что могут протекать только диоды утечки или темновой ток.

Вольт-амперная характеристика (ВАХ) фотодиода без света на его переходе (темный режим) очень похожа на нормальный сигнальный или выпрямительный диод. Когда фотодиод смещен в прямом направлении, происходит экспоненциальное увеличение тока, как и для обычного диода. Когда применяется обратное смещение, появляется небольшой обратный ток насыщения, который вызывает увеличение области обеднения, которая является чувствительной частью перехода. Фотодиоды также можно подключать в токовом режиме, используя фиксированное напряжение смещения на переходе.Текущий режим очень линейен в широком диапазоне.

Конструкция и характеристики фотодиода

При использовании в качестве светового датчика темновой ток фотодиодов (0 люкс) составляет около 10 мкА для герани и 1 мкА для диодов кремниевого типа. Когда свет падает на переход, образуется больше пар дырка / электрон, и ток утечки увеличивается. Этот ток утечки увеличивается по мере увеличения освещенности перехода.

Таким образом, ток фотодиодов прямо пропорционален интенсивности света, падающего на PN-переход.Одним из основных преимуществ фотодиодов при использовании в качестве датчиков света является их быстрая реакция на изменения уровня освещенности, но одним из недостатков этого типа фотоустройств является относительно небольшой ток, протекающий даже при полном освещении.

На следующей схеме показана схема преобразователя фототока в напряжение, в которой в качестве усилительного устройства используется операционный усилитель. Выходное напряжение (Vout) задается как Vout = I _P * Rƒ и пропорционально характеристикам силы света фотодиода.

Этот тип схемы также использует характеристики операционного усилителя с двумя входными клеммами при примерно нулевом напряжении для работы фотодиода без смещения. Эта конфигурация операционного усилителя с нулевым смещением обеспечивает высокую импедансную нагрузку на фотодиод, что приводит к меньшему влиянию темнового тока и более широкому линейному диапазону фототока по сравнению с интенсивностью излучаемого света. Конденсатор C _f используется для предотвращения колебаний или пиков усиления и для установки выходной полосы пропускания (1 / 2πRC).

Схема усилителя на фотодиоде

Фотодиоды — это очень универсальные датчики света, которые могут включать и выключать свой ток за наносекунды и обычно используются в фотоаппаратах, люксметрах, приводах CD и DVD-ROM, пультах дистанционного управления телевизорами, сканерах, факсах. копировальные аппараты и т. д., а также при интеграции в схемы операционных усилителей в качестве детекторов инфракрасного спектра для оптоволоконной связи, схем обнаружения движения охранной сигнализации и многочисленных систем визуализации, лазерного сканирования и позиционирования и т. д.

Фототранзистор

Альтернативой фотодиоду является фототранзистор , который в основном представляет собой фотодиод с усилением. Фототранзисторный светочувствительный элемент имеет обратное смещение PN-перехода коллектор-база, подвергая его воздействию лучистого источника света.

Фототранзисторы

работают так же, как фотодиоды, за исключением того, что они могут обеспечивать усиление по току и намного более чувствительны, чем фотодиод, при этом токи в 50-100 раз больше, чем у стандартного фотодиода, и любой нормальный транзистор может быть легко преобразован в фотодатчик света. подключив фотодиод между коллектором и базой.

Фототранзисторы

состоят в основном из биполярного NPN-транзистора с большой базой, электрически не подключенной, хотя некоторые фототранзисторы позволяют базовое соединение для управления чувствительностью и которые используют фотоны света для генерации базового тока, который, в свою очередь, заставляет коллектор эмиттерный ток поток. Большинство фототранзисторов являются NPN-типами, внешний корпус которых либо прозрачен, либо имеет прозрачную линзу для фокусировки света на базовом переходе для повышения чувствительности.

Конструкция и характеристики фототранзистора

В NPN-транзисторе коллектор смещен положительно по отношению к эмиттеру, так что переход база / коллектор имеет обратное смещение.поэтому при отсутствии света на переходе протекает нормальная утечка или темновой ток, который очень мал. Когда свет падает на основание, в этой области образуется больше пар электрон / дырка, и ток, создаваемый этим действием, усиливается транзистором.

Обычно чувствительность фототранзистора является функцией усиления транзистора по постоянному току. Следовательно, общая чувствительность является функцией тока коллектора и может контролироваться путем подключения сопротивления между базой и эмиттером, но для приложений типа оптопары с очень высокой чувствительностью обычно используются фототранзисторы Дарлингтона.

Фото-Дарлингтон

Транзисторы Photodarlington используют второй биполярный транзистор NPN для обеспечения дополнительного усиления или когда требуется более высокая чувствительность фотодетектора из-за низкого уровня освещенности или избирательной чувствительности, но его отклик медленнее, чем у обычного фототранзистора NPN.

Устройства Photo Darlington состоят из обычного фототранзистора, выход эмиттера которого соединен с базой биполярного NPN-транзистора большего размера. Поскольку конфигурация транзистора Дарлингтона дает коэффициент усиления по току, равный произведению коэффициентов усиления по току двух отдельных транзисторов, устройство фотодарлингтона создает очень чувствительный детектор.

Типичные области применения фототранзисторов Световые датчики — это оптоизоляторы, щелевые оптические переключатели, датчики светового луча, волоконная оптика, пульты дистанционного управления телевизионного типа и т. Д. Иногда при обнаружении видимого света требуются инфракрасные фильтры.

Еще один тип полупроводникового светочувствительного элемента с фотопереходом, заслуживающий упоминания, — это фототиристор . Это световой тиристор или кремниевый управляемый выпрямитель , SCR , который можно использовать в качестве светового переключателя в приложениях переменного тока.Однако их чувствительность обычно очень низкая по сравнению с эквивалентными фотодиодами или фототранзисторами.

Чтобы повысить их чувствительность к свету, фототиристоры сделаны более тонкими вокруг затворного перехода. Обратной стороной этого процесса является то, что он ограничивает количество анодного тока, который они могут переключать. Затем для приложений с более высоким током переменного тока они используются в качестве пилотных устройств в оптопарах для переключения более крупных более традиционных тиристоров.

Фотоэлектрические элементы.

Наиболее распространенным типом фотоэлектрических датчиков света является солнечная батарея .Солнечные элементы преобразуют световую энергию непосредственно в электрическую энергию постоянного тока в форме напряжения или тока для питания резистивной нагрузки, такой как свет, батарея или двигатель. Тогда фотоэлектрические элементы во многом похожи на батарею, потому что они обеспечивают питание постоянного тока.

Однако, в отличие от других фотоустройств, которые мы рассмотрели выше, которые для работы используют силу света даже от фонаря, фотоэлектрические солнечные элементы лучше всего работают, используя лучистую энергию солнца.

Солнечные элементы используются во многих различных типах приложений, чтобы предложить альтернативный источник энергии от обычных батарей, например, в калькуляторах, спутниках, а теперь и в домах, предлагающих форму возобновляемой энергии.

Фотоэлектрический элемент

Фотоэлементы изготовлены из монокристаллических кремниевых PN переходов, как и фотодиоды с очень большой светочувствительной областью, но используются без обратного смещения. Они имеют те же характеристики, что и очень большой фотодиод в темноте.

При освещении энергия света заставляет электроны проходить через PN-переход, и отдельный солнечный элемент может генерировать напряжение холостого хода около 0,58 В (580 мВ).Солнечные элементы, как и батарея, имеют «положительную» и «отрицательную» стороны.

Отдельные солнечные элементы могут быть соединены друг с другом последовательно, чтобы сформировать солнечные панели, которые увеличивают выходное напряжение, или соединены вместе параллельно для увеличения доступного тока. Имеющиеся в продаже солнечные панели измеряются в ваттах, которые являются произведением выходного напряжения и тока (вольт, умноженного на ампер) при полном включении.

Характеристики типичного фотоэлектрического солнечного элемента.

Величина доступного тока от солнечного элемента зависит от интенсивности света, размера элемента и его эффективности, которая обычно очень мала и составляет от 15 до 20%.Для повышения общей эффективности ячеек коммерчески доступные солнечные элементы используют поликристаллический кремний или аморфный кремний, которые не имеют кристаллической структуры и могут генерировать токи от 20 до 40 мА на см ².

Другие материалы, используемые в конструкции фотоэлементов, включают арсенид галлия, диселенид меди, индия и теллурид кадмия. Каждый из этих различных материалов имеет разную характеристику полосы спектра, поэтому их можно «настроить» для получения выходного напряжения на разных длинах волн света.

В этом руководстве по Light Sensors мы рассмотрели несколько примеров устройств, которые классифицируются как Light Sensors . Сюда входят устройства с PN-переходами и без них, которые можно использовать для измерения интенсивности света.

В следующем уроке мы рассмотрим устройства вывода под названием Актуаторы . Приводы преобразуют электрический сигнал в соответствующую физическую величину, такую как движение, силу или звук. Одним из таких широко используемых устройств вывода является электромагнитное реле.

Как использовать фоторезистор с Raspberry PI Pico

Проекты, выполняющие различные действия в зависимости от воздействия солнца, обычно нуждаются в получении информации об уровне освещенности в качестве триггера для выполнения определенных задач. Фоторезисторы с Raspberry PI Pico могут предоставлять информацию о освещении, получая аналоговые уровни от входных контактов

В этом уроке я покажу вам, как использовать фоторезистор с Raspberry Pi Pico.Если у вас есть компьютерная плата Foundation, вы также можете использовать мое руководство по использованию фоторезисторов с компьютерной платой Raspberry PI.

Благодаря доступности нового микроконтроллера Pico, так как он также включает аналоговые порты, у нас есть доступ к ряду проектов, использующих аналоговые датчики. Полезный случай — фоторезисторы.

Фоторезистор (также известный как фотоэлемент) — это светозависимый резистор (LDR). Как следует из названия, эти компоненты действуют как резисторы, изменяя свое сопротивление в зависимости от того, сколько света падает на них.Обычно фоторезисторы имеют очень высокое сопротивление в темноте и очень низкое сопротивление при ярком свете.

Поскольку этот датчик работает как простой резистор, вы не получите абсолютных значений освещенности (например, в люменах). По сравнению с опорным уровнем напряжения (то есть 3,3 В, предоставляемым Raspberry PI Pico) вы увидите меньшее значение или равное Vref, уменьшенное пропорционально свету, падающему на фоторезистор. С модулем ADC от MicroPython это значение будет находиться в диапазоне от 0 до 65535 (максимальное 16-битное значение), и мы преобразуем его в проценты (от 0% до 100%).

Что нам нужно

Как обычно, я предлагаю добавить в вашу любимую корзину покупок в электронной коммерции все необходимое оборудование, чтобы в конце вы могли оценить общие затраты и решить, продолжать ли проект или удалить их из корзины покупок. Итак, фурнитуры будет всего:

Проверьте цены на оборудование по следующим ссылкам:

Электросхема

Ниже приведена использованная электрическая схема:

На следующем рисунке показаны некоторые детали кабельной разводки:

Пошаговая процедура

Подготовьте кабели в соответствии с предыдущим абзацем.Подключите RPI Pico к Thonny (вы можете обратиться к моему руководству «Первые шаги с Raspberry PI Pico»). Загрузите мой скрипт picoPhotoresistor.py на свой компьютер и откройте его с помощью Тонни.

В следующих абзацах мой код будет описан построчно.

Сначала импортируются необходимые модули:

  от машины импортного ADC, Pin
от времени импорт сна

Затем номер PIN, подключенный к фоторезистору, связывается с переменной. Таким образом, наш код улучшается как с точки зрения читаемости, так и с точки зрения управления:

  фотоPIN = 26

Функция будет обрабатывать все (несколько) операций, необходимых для считывания интенсивности света и преобразования ее в проценты.Для этой функции требуется только ПИН-код, подключенный к фоторезистору. Этот номер используется при запуске функции для инициализации объекта ADC micropython:

  def readLight (фото GP):
    photoRes = ADC (контакт (26))

Текущее значение освещенности считывается с помощью классической 16-разрядной функции чтения микропитона:

  свет = photoRes.read_u16 ()

Поскольку 16-битное результирующее значение будет находиться в диапазоне от 0 до 65 535, значение освещенности будет преобразовано в процентное соотношение и, наконец, возвращено как результат функции:

  светлый = круглый (светлый / 65535 * 100,2)
    обратный свет

Следующие строки являются основным циклом.В этом бесконечном цикле мы получаем значение света с помощью вызова «readLight (photoPIN)». Поскольку он возвращает числовое значение, а для функции печати требуется строка, метод str () преобразует числовой объект в строку, чтобы его можно было напечатать в оболочке. Последний сон сохраняет показания не слишком быстро:

 


в то время как True:
    print ("свет:" + str (readLight (photoPIN)) + "%")
    sleep (1) # установить задержку между показаниями

Запуск скрипта picoPhotoresistor.py

Запустите этот сценарий в своей Thonny IDE (F5), и вы начнете видеть свои показания, напечатанные на оболочке Thonny, как показано ниже:

  >>>% Выполнить -c $ EDITOR_CONTENT
свет: 10.67%
свет: 21,49%
свет: 21,37%
свет: 29.06%
свет: 33,55%
свет: 33,6%

Наслаждайтесь!

Связанные

Сумка для захвата фоторезистора

— Комната для роботов

Фотоэлементы (также называемые фоторезисторами или фотопроводниками) — это датчики, сопротивление которых меняется в зависимости от количества получаемого света. Фотоэлементы обычно используются в роботах, следующих за линией, и в роботах, ищущих свет.

Все фоторезисторы разных типов из первого пакета.
И да, они сфотографированы на «хорошей» наволочке моей жены.

В сентябре 2000 года я приобрел «100 асст. размеры и значения фотоэлементов », номер детали 169578 или 169578CE, номер перекрестной ссылки GB125, от Jameco Electronics за 6,95 доллара США для использования в качестве датчиков робота. Сумка для переноски состоит из множества фоторезисторов на основе сульфида кадмия.

В мае 2002 года я купил еще две такие же сумки, но цена поднялась до 7,95 доллара.В апреле 2004 года цена поднялась до 12,95 доллара. В августе 2008 года Туомо Тансканен предупредил меня, что сейчас цена составляет 19,95 доллара. В августе 2009 года я заметил, что сейчас цена 21,95 доллара. (Боже! Что с этим ???)

К сожалению, хотя текущие пакеты имеют тот же номер перекрестной ссылки и базовый номер детали, что и предыдущие пакеты, эти новые пакеты содержат только фоторезисторы наименьшего размера. Поэтому я больше не рекомендую сумку Jameco, если вам нужны фоторезисторы среднего, большого размера или герметичные (в металлическом корпусе).

В марте / апреле 2006 г. я купил пять пакетов «Giant CDS Cell Assortment», номер детали G14025, в Electronic Goldmine по 3 доллара США каждый. В каждой сумке было по 20 фотоэлементов разного размера и стоимости. Общая стоимость 100 фоторезисторов составила 15 долларов США. Это дешевле, чем нынешняя сумка Jameco из 100 штук, а ассортимент Electronic Goldmine имеет множество размеров и стилей и может быть приобретен партиями из 20 фоторезисторов всего за 3 доллара.

Мои ожидания относительно мешков для переноски довольно низки, и я мог бы заказать отдельные фоторезисторы CdS, если бы действительно захотел. Но мне нужно было как можно больше разновидностей и как можно больше опыта для экспериментов с роботами, таких как отслеживание линии и определение отражательной способности пола.

Вот что я получил; ваша сумка может отличаться:
(знак минус в столбцах количества указывает количество дефектов)

Изображение	Описание	Размеры	Количество в сумке Jameco 2000	Количество в сумке Jameco 2002a	Количество в сумке Jameco 2002b	Количество в пяти пакетах Goldmine 2006	Изображение дефекта
	Огромный фоторезистор, 17 кривых	22 мм x 25.5 мм	20-0	20-0	20–1	9-0
	Большой герметичный фоторезистор, 12 кривых	12,34 мм	0-0	0-0	0-0	16-0
	Большой герметичный фоторезистор, очень пышный	12.34 мм	0-0	0-0	0-0	1-0
	Большой фоторезистор, 27 кривых	10 мм x 11 мм	20–7	20–2	20–3	0-0
	Большой фоторезистор, 16 кривых	10 мм x 11 мм	0-0	0-0	0-0	24-0
	Средний фоторезистор, 12 кривых	6.3 мм x 7,3 мм	0-0	19-0	15-0	4-0
	Фоторезистор средней толщины, 9 кривых	6,3 мм x 7,3 мм	16-0	1-0	5-0	7-0
	Средний фоторезистор, 9 кривых	6.3 мм x 7,3 мм	16-0	1-0	5-0	6-0
	Средний фоторезистор, прямой	6,3 мм x 7,3 мм	0-0	0-0	0-0	1-0
	Фоторезистор малый, герметичный, 15 кривых	5 мм	0-0	0-0	1-0	0-0
	Фоторезистор малый, герметичный, 11 кривых	5 мм	0-0	11–2	7–3	1-0
	Маленький фоторезистор, оранжевый, 11 кривых	3.9 мм x 4,2 мм	22–1	12-0	11–4	11–2
	Маленький фоторезистор, коричневый, 11 кривых	3,9 мм x 4,2 мм	5–2	2-0	0-0	6–1
	Малый фоторезистор, 9 кривых	3.9 мм x 4,2 мм	2-0	0-0	0-0	3-0
	Фоторезистор малый, герметичный, 8 кривых	5 мм	0-0	8-0	8-0	6-0
	Малый фоторезистор, оранжевый, 8 кривых	3.9 мм x 4,2 мм	3-0	5–1	8-0	0-0
	Малый фоторезистор, черный, 8 изгибов	3,9 мм x 4,2 мм	7-0	1-0	1-0	0-0
	Фоторезистор малый, герметичный, крестообразный	5 мм	0-0	0-0	0-0	3-0
	Фоторезистор малый, герметичный, прямой	5 мм	0-0	1-0	5-0	2-0
	Фоторезистор малый, прямой	3.9 мм x 4,2 мм	1-0	0-0	0-0	0-0
	Всего:		96-10	100-5	101 — 11	100 — 3

Итого vs.Ожидаемое количество

Проверка столбца «Всего» показывает, что я получил только 96 фоторезисторов в сумке Jameco Electronics 2000 Grab Bag, а не 100 из рекламируемых. Новые сумки для переноски были в порядке.

Тестирование и дефекты

Все фоторезисторы я тестировал мультиметром в режиме омметра. Яркое сопротивление измеряли, прижимая кювету к люминесцентной лампе. Сопротивление темноте измерялось ячейкой, спрятанной под столом. (Ладно, это не совсем международный стандарт измерения.)

Сумка Jameco Electronics 2000: пять фоторезисторов из сульфида кадмия оказались закороченными внутри, так что их значения были менее 100 Ом как для яркости, так и для темноты. Еще пять фоторезисторов были частично закорочены (или иным образом неисправны), так что их значения были менее 4 кОм как для яркости, так и для темноты. Все остальные фоторезисторы (хорошие) показали разумный диапазон менее 500 Ом для яркости и более 30 кОм для темноты.Эти результаты представляют собой процент брака немногим более 10% . Ой!

Сумка Jameco Electronics 2002a: Два фоторезистора были закорочены внутри до сопротивления менее 5 Ом. Еще три фоторезистора имели темновое сопротивление менее 12, 6 и 2 кОм. Эти результаты представляют собой процент брака 5% .

Сумка Jameco Electronics 2002b: три фоторезистора оказались закороченными внутри, так что их значения были менее 400 Ом как для яркости, так и для темноты.Еще три фоторезистора имели темновое сопротивление менее 100 кОм, 10 кОм и 5 кОм. Еще четыре очень, очень медленно изменили свое высокое темное сопротивление. На одном из огромных фоторезисторов отсутствовало защитное покрытие. Эти результаты представляют собой процент брака немногим более 10% .

Хотя это и не считается дефектным, из всех огромных фоторезисторов Jameco некоторые были окрашены, у многих были погнутые провода (провода очень толстые), и на многих проводах оставалась грязь, указывающая на то, что они могли быть использованы.

Электронные мешки Goldmine: у одного фоторезистора был только один вывод (другой вывод был полностью оборван). Один фоторезистор был постоянно закорочен (0 Ом), а другой был постоянно открыт (бесконечное сопротивление). Эти результаты представляют собой процент брака 3% .

Стоимость

Первоначально я заплатил 7,2 цента за исправный фоторезистор Jameco (6,95 долл. США / 96 шт.), по сравнению со стоимостью 25 центов для отдельных фоторезисторов CdS при заказе в количестве 100 штук.С тех пор, с повышением цен, цены Jameco Electronics будут больше похожи на 22,8 цента (21,95 доллара США / 96) в мешках для переноски, а не на 70 центов по отдельности.

Я заплатил 15,4 цента за исправную электронную золотую жилу. В моем случае немного более высокая цена мешка (за 100 штук) была компенсирована меньшим количеством брака.

Заключение

Я немного удивлен неполной сумкой (Jameco 2000) и в целом высоким уровнем брака.Я привык к другим электронным компонентам, которые обычно не имеют дефектов. Главный урок заключается в том, что каждый фоторезистор необходимо протестировать перед использованием в проекте.

Тем не менее, я не ожидал многого от сумки. И я получил множество фоторезисторов, на которые я надеялся, по относительно низкой цене.

С момента открытия этой веб-страницы в сентябре 2000 года я много узнал о фоторезисторах. Я узнал, для чего на их лицах изображены закорючки, формулы для расчета сопротивления фотоэлемента для заданного количества света (освещенности), время реакции фотоэлементов (и, возможно, почему их не следует использовать для следования за линией), и отраслевые стандартные ожидания отклонений и дефектов.Посмотрите страницы с 370 по 378 в Intermediate Robot Building.

Датчики, преобразователи | Оптические датчики — Фотодетекторы — Ячейки CdS

60 мс

9143 900 Активный

—

3 Активный

9143

— Активный —3 9143 9143 1506 90220633 9022n 9022

9143 982 982 982 982 982 982 982 982 —

ФОТОЭЛЕМЕНТ CDS TO-8 HERMETIC

Активный

9143

— 9OT14OCELL CDS 700OHM TO-18

9143 9147 9147 914733 Активный 9022k 914 9148 9022 9149 914 9148

$ 1,18000

14,820 — Немедленно

Advanced Photonix

Большой объем

Активный

520 нм

150 В пик

60 мс

25 мс

500 кОм при 10 с

16 ~ 33 кОм при 10 лк

-30 ° C (TA ~ 75 ° C)

Сквозное отверстие

Радиальное

—

$ 1.42000

0 — Немедленно

Advanced Photonix

PDV-P8104-ND

—

9147

25 мс

2 МОм при 10 с

27 ~ 60 кОм при 10 люкс

$ 1.69000

42,402 — Немедленно

Advanced Photonix

NSL-19M51-ND

—

9143 9229 9142

—

20 МОм при 10 с

20 ~ 100 кОм при 10 люкс

-60 ° C ~ 75 ° C (TA)

Сквозное отверстие

Радиальное

—

$ 1.78000

10,282 — Немедленно

Advanced Photonix

NSL-5162-ND

—

9143

—

67 МОм при 5 с

3 ~ 100 кОм при 10 люкс 10К-30К ОМ 4.20MM

1,96000 $

1372 — Немедленно

Advanced Photonix

PDV-P9203-ND

150Vpk

70 мс

15 мс

5 МОм при 10 с

10 ~ 30 кОм при 10 люкс

-30 ° C ~ 75 ° C (TA)

Сквозное отверстие

Радиальное

—

ФОТОЭЛЕМЕНТ 4К-11К ОМ 4.20 мм

2.20000

1805 — Немедленно

Advanced Photonix

PDV-P9001-ND

150Vpk

60 мс

25 мс

300 кОм при 10 с

4 ~ 11 кОм при 10 люксах

-25 ° C ~ 75 ° C (TA)

Сквозное отверстие

Радиальное

ФОТОЭЛЕМЕНТ 10-100 кОм 4.20MM

$ 2,28000

2196 — Немедленно

Advanced Photonix

PDV-P9007-ND

150Vpk

60 мс

25 мс

1 МОм при 10 с

10 ~ 100 кОм при 10 люкс

-30 ° C ~ 75 ° C (TA)

Сквозное отверстие

Радиальное

—

2 доллара.69000

21,333 — Немедленно

Advanced Photonix

NSL-6112-ND

—

1,3 МОм при 5 с

0,17 ~ 2 кОм при 21 люкс 520НМ 10К-200К Ом

$ 2.89000

35075 — Немедленно

Advanced Photonix

PDV-P9008-ND

—

Активный 60 мс

25 мс

20 МОм при 10 с

10 ~ 200 кОм при 10 люкс

3 доллара США.54000

4,137 — Немедленно

Advanced Photonix

NORPS-12-ND

—

1 МОм при 15 с

5,4 ~ 12,6 кОм при 10 люкс

-60 ° C ~ 75 ° C (TA)

Сквозное отверстие

Радиальное

TO-18

5 долларов США.09000

9,845 — Немедленно

Advanced Photonix

NSL-06S53-ND

—

9143 9223

—

20 МОм при 10 с

20 ~ 100 кОм при 10 люкс

6 долларов США.88000

6,342 — Немедленно

Advanced Photonix

NSL-5150-ND

—

10 МОм при 10 с

10 ~ 20 кОм при 21 люкс

-60 ° C ~ 75 ° C (TA)

Сквозное отверстие

Радиальное

TO-18

$ 8.98000

6,732 — Немедленно

Advanced Photonix

NSL-5910-ND

—

Bulk —

—

100 кОм при 5 с

1 ~ 2 кОм при 21 люкс

-60 ° C ~ 75 ° C (TA)

Сквозное отверстие

Радиальное

TO-8

10 долларов США.93000

5,558 — Немедленно

Advanced Photonix

NSL-4960-ND

—

4813

43208 —

—

1 МОм при 5 с

0,5 ~ 17 кОм при 10 люкс

ФОТО ЯЧЕЙКА (CDS ФОТОРЕЗИСТОР)

$ 0.95000

1,721 — Немедленно

Adafruit Industries LLC

1528-2141-ND

—

23 9148 9147 9147 9142 9148 9148 9148

—

200 кОм при 10 с

—

Сквозное отверстие

Радиальное

—

ФОТОЭЛЕМЕНТ CDS 1 952 900OHM

42000

10,784 — Немедленно

Advanced Photonix

NSL-5152-ND

—

9143

9143

—

5 МОм при 5 с

10 ~ 20 кОм при 21 люкс

-60 ° C ~ 75 ° C (TA)

Сквозное отверстие

Радиальное

—

$ 1.42000

3,980 — Немедленно

Advanced Photonix

NSL-5112-ND

—

9022 —

—

670 кОм при 5 с

6 ~ 14 кОм при 21 люкс 48К-140К ОМ 4.20MM

$ 1.96000

14931 — Немедленно

Advanced Photonix

PDV-P9005-1-ND14

—

PDV-P9005-1-ND14

—

520 нм

150Vpk

60 мс

25 мс

20 МОм при 10 с

48 ~ 140 кОм при 10 люксах

-30 ° C ~ 75 ° C (TA)

Сквозное отверстие

Радиально —

ФОТОЭЛЕМЕНТ 80–200 КОМ 4.20MM

$ 1.96000

2425 — Немедленно

Advanced Photonix

PDV-P9006-ND

150Vpk

60 мс

25 мс

5 МОм при 10 с

80 ~ 200 кОм при 10 люкс

-30 ° C ~ 75 ° C (TA)

Сквозное отверстие

Радиальное

—

ФОТОЭЛЕМЕНТ 10-50 кОм 4.20 мм

1,96000 долл. США

2382 — Немедленно

Advanced Photonix

PDV-P9200-ND

9147

150Vpk

70 мс

15 мс

5 МОм при 10 с

10 ~ 50 кОм при 10 люкс

-30 ° C ~ 75 ° C (TA)

Сквозное отверстие

Радиальное

—

ФОТОЭЛЕМЕНТ 11K-27K ОМ 4.20MM

$ 2,05000

6,970 — Немедленно

Advanced Photonix

PDV-P9002-1-ND14

—

520 нм

150Vpk

60 мс

25 мс

500 кОм при 10 с

11 ~ 27 кОм при 10 люксах

-30 ° C ~ 75 ° C (TA)

Сквозное отверстие

Радиально —

ФОТОЭЛЕМЕНТ 16К-33К ОМ 4.20 мм

2,05000 долл. США

1,778 — Немедленно

Advanced Photonix

PDV-P9003-ND

150Vpk

60 мс

25 мс

1 МОм при 10 с

16 ~ 33 кОм при 10 люкс

-30 ° C ~ 75 ° C (TA)

Сквозное отверстие

Радиальное

—

ФОТОЭЛЕМЕНТ 3K-11K ОМ 5.10MM

2,10000 долл. США

4,356 — Немедленно

Advanced Photonix

PDV-P8001-ND

150Vpk

55 мс

20 мс

200 кОм при 10 с

3 ~ 11 кОм при 10 люксах

-30 ° C ~ 75 ° C (TA)

Сквозное отверстие

Радиальное

ФОТОЭЛЕМЕНТ 12К-58К ОМ 11ММ

$ 2.44000

4200 — Немедленно

Advanced Photonix

PDV-P5003-ND

—

43 43

13 9022k 55 мс

25 мс

1 МОм при 10 с

12 ~ 58 кОм при 10 люкс

ФОТОЭЛЕМЕНТ 4К-11К ОМ 5.10MM

2,44000

3,003 — Немедленно

Advanced Photonix

PDV-P8101-ND14

150Vpk

55 мс

20 мс

150 кОм при 10 с

4 ~ 11 кОм при 10 люксах

-30 ° C ~ 75 ° C (TA)

Сквозное отверстие

Радиальное

Параметры фоторезисторов серии GL55 — справочник

Внешний вид

Характеристики

Основные характеристики фоторезисторов | Мастер Винтик. Всё своими руками!

Обозначение фоторезистора на схемах

Основные параметры отечественных фоторезисторов

ТИПОВЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТОРОВ

Конструкция фоторезистора

Область применения фоторезисторов

Практическое применение фоторезистора

Фоторезисторы | ElWiki — справочник по радиоэлектронике и электротехнике

Применение фоторезистора на практике. Сумеречный автомат

Эксперимент

LDR и делитель напряжения

Практическое применение LDR

Фоторезистор — это… Что такое Фоторезистор?

Схема фотодатчика движения » Паятель.Ру

Резисторы, термисторы, фоторезисторы, варисторы. Справочник (Том 1)

Резисторы постоянные

Резисторы постоянные непроволочные

Терморезисторы

Термисторы

Фоторезисторы

Варисторы (резисторы нелинейные)

— Энциклопедия Нового Света

Как это работает

Внутренние и внешние устройства

Элементы из сульфида кадмия

Приложения

Условное обозначение цепи

См. Также

Список литературы

Внешние ссылки

Кредиты

Светозависимый резистор LDR, Фоторезистор »Электроника

Что такое светозависимый резистор, LDR или фоторезистор

Обозначение LDR / фоторезистора

Как работает LDR

Фоторезистор / структура LDR

Виды фоторезисторов

Частотная зависимость ЛДР

Задержка фоторезистора / светозависимого резистора

Применение фоторезисторов

Характеристики светозависимого резистора

Измерение схемы фоторезистора — Rheingold Heavy

, включая фотоэлемент и датчик LDR

Фотопроводящий элемент

Светозависимый резистор

Ячейка светозависимого резистора

Цепь измерения уровня освещенности

Устройства фотоперехода

Фотодиод.

Конструкция и характеристики фотодиода

Схема усилителя на фотодиоде

Фототранзистор

Конструкция и характеристики фототранзистора

Фотоэлектрические элементы.

Характеристики типичного фотоэлектрического солнечного элемента.

Как использовать фоторезистор с Raspberry PI Pico

Что нам нужно

Электросхема

Пошаговая процедура

Запуск скрипта picoPhotoresistor.py

— Комната для роботов

Итого vs.Ожидаемое количество

Тестирование и дефекты

Стоимость

Заключение

Датчики, преобразователи | Оптические датчики — Фотодетекторы — Ячейки CdS

alexxlab

Добавить комментарий Отменить ответ

Рубрики