• Каталог

  Каталог электронных компоненты, активные электронные компоненты, пассивные электронные компоненты, микросхемы, транзисторы, биполярные транзисторы, диоды, стабилитроны, клеммы, клеммники

• О магазине
  • О магазине
  • Контакты
  • Обратная связь
  • Оплата
  • Доставка
  • Как купить
  • Ответы на вопросы
  • Сотрудничество
  • Правовая информация
  • Товары под заказ
  • Параметрический фильтр
  • Вакансии
• Скидки
• Оплата

• Доставка
• Как купить
• Справочник

  Справочник по транзисторам, тиристорам, симисторам, стабилитном, полевым транзисторам, биполярным странзисторам

• Личный кабинет
  • Мои настройки
  • Мои заказы
  • Моя корзина
  • Подписка

Где купить

Характеристики Пассивированное стеклом соединение без полостей. Способность к высокому импульсному току. Низкий ток утечки. Сверхбыстрое время восстановления для высоких

20A 20B Максимальное повторяющееся обратное напряжение Средний выпрямленный прямой ток, длина провода 0,375 дюйма = 55C Неповторяющийся пиковый прямой импульсный ток 8,3 мс Одиночная полусинусоида Диапазон температур хранения Рабочая температура перехода 20C 150

*Эти номиналы являются предельными значениями, выше которых может быть нарушена работоспособность любого полупроводникового устройства.

20A 20B Прямое напряжение 2,0 A Время обратного восстановления 1,0 A, Irr 0,25 A Обратный ток при номинальном = 125C Общая емкость = 1,0 МГц 0,95 50

ПРИМЕЧАНИЯ: 1. Время нарастания макс. 7,0 нс; входное сопротивление = 1,0 МОм 22 пф. 2. Время нарастания макс. 10 нс; полное сопротивление источника = 50 Ом. Ом

Следующие зарегистрированные и незарегистрированные товарные знаки принадлежат Fairchild Semiconductor или имеют право на их использование, и не являются исчерпывающим списком всех таких товарных знаков.

ACExTM BottomlessTM CoolFETTM CROSSVOLT TM DenseTrenchTM DOMETM EcoSPARKTM E2CMOSTM EnSignaTM FACTTM FACT Серия QuietTM

FAST FASTrTM FRFETTM GlobalOptoisolatorTM GTOTM HiSeCTM ISOPLANARTM LittleFETTM MicroFETTM MicroPakTM MICROWIRETM

OPTOLOGICTM OPTOPLANARTM PACMANTM POPTM Power247TM PowerTrench QFETTM QSTM QT OptoelectronicsTM Quiet SeriesTM SILENT SWITCHER

SMART STARTTM STAR*POWERTM StealthTM SuperSOTTM-6 SuperSOTTM-8 SyncFETTM TinyLogicTM TruTranslationTM UHCTM UltraFET

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ОСТАВЛЯЕТ ЗА СОБОЙ ПРАВО ВНЕСИТЬ ИЗМЕНЕНИЯ БЕЗ ДОПОЛНИТЕЛЬНОГО УВЕДОМЛЕНИЯ В ЛЮБУЮ ПРОДУКЦИЮ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ НАДЕЖНОСТИ, ФУНКЦИОНАЛЬНОСТИ ИЛИ КОНСТРУКЦИИ. FAIRCHILD НЕ НЕСЕТ НИКАКОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТИ, ВЫТЕКАЮЩЕЙ В СВЯЗИ С ПРИМЕНЕНИЕМ ИЛИ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЛЮБОГО ПРОДУКТА ИЛИ СХЕМЫ, ОПИСАННЫХ ЗДЕСЬ; ЭТО НЕ ПРЕДОСТАВЛЯЕТ НИКАКИХ ЛИЦЕНЗИЙ В СООТВЕТСТВИИ С СВОИМИ ПАТЕНТНЫМИ ПРАВАМИ, НИ ПРАВАМИ ДРУГИХ.

ПОЛИТИКА ЖИЗНЕОБЕСПЕЧЕНИЯ ПРОДУКТЫ FAIRCHILD НЕ РАЗРЕШЕНЫ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В КАЧЕСТВЕ ВАЖНЕЙШИХ КОМПОНЕНТОВ В УСТРОЙСТВАХ ИЛИ СИСТЕМАХ ЖИЗНЕОБЕСПЕЧЕНИЯ БЕЗ ЯВНОГО ПИСЬМЕННОГО УТВЕРЖДЕНИЯ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION. Используемый здесь: 1. Устройства или системы жизнеобеспечения — это устройства 2. Критический компонент — это любой компонент систем жизнеобеспечения, который (a) предназначен для хирургической имплантации в поддерживающее устройство или систему, отказ от работы которых может привести к повреждению организма, или ( b) поддерживать или поддерживать жизнь, или (c) которые, как разумно ожидать, могут привести к сбою срока службы при надлежащем использовании в соответствии с поддерживающим устройством или системой или повлиять на его безопасность или с инструкциями по применению, указанными на маркировке, может быть эффективность. разумно ожидать, что это приведет к серьезной травме пользователя. ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОСТОЯНИЯ ПРОДУКТА Определение терминов Идентификация технического паспорта Предварительная информация Статус продукта На стадии разработки или в разработке Определение В этом техническом паспорте содержатся проектные спецификации для разработки продукта. Спецификации могут быть изменены любым образом без предварительного уведомления. Этот лист данных содержит предварительные данные, а дополнительные данные будут опубликованы позднее. Fairchild Semiconductor оставляет за собой право вносить изменения в любое время без предварительного уведомления с целью улучшения конструкции. Это техническое описание содержит окончательные спецификации. Fairchild Semiconductor оставляет за собой право вносить изменения в любое время без предварительного уведомления с целью улучшения конструкции.

Это техническое описание содержит спецификации продукта, производство которого было прекращено компанией Fairchild semiconductor. Спецификация печатается только для справочной информации.

BDW93A : Эпитаксиальный кремниевый транзистор NPN

DM74ALS521N : 8-битный компаратор семейства Bipolar->ALS

FFB2222A : Усилитель NPN Многокристальный усилитель общего назначения

MM74HC175MTCX: CMOS/BiCMOS->HC/HCT Четырехъядерный триггер типа D с прозрачным покрытием

MV942-4 : Зеленая прозрачная твердотельная светодиодная лампа Подсветка ЖК-дисплея

NDP510AE : N-канальный полевой транзистор с улучшенным режимом

FOD3181SV ​​: FOD3181 представляет собой высокоскоростную оптопару с выходным током 0,5 А на полевых МОП-транзисторах. Он состоит из арсенида галлия-алюминия (AlGaAs), светоизлучающего диода, оптически связанного с интегральной схемой CMOS с силовым каскадом. Силовой каскад состоит из PMOS pullup и NMOS pull-down силового транзистора 9.0009

USB1T11A_08 : Приемопередатчик универсальной последовательной шины

74VHC14MTCX_NL : Шестигранный инвертор Шмитта

10GWJ2C47C : Блок выпрямителей с барьером Шоттки Toshiba, тип барьера Шоттки.

BF901 : BF901; БФ901Р; Кремниевые N-канальные МОП-транзисторы с двойным затвором. Файл продукта под Discrete Semiconductors, SC07, ноябрь 1992 г. Предназначен для работы при низком напряжении Транзистор с коротким каналом с высоким отношением Yfs :Cis Малошумящий усилитель с регулируемым коэффициентом усиления до 1 ГГц BF901R имеет обратную распиновку. Полевые транзисторы улучшающего типа в пластиковых микроминиатюрных корпусах SOT143 и SOT143R, с соединенными между собой истоком и подложкой.

CM350DU-5F : 350-амперный Igbt-модуль для переключения высокой мощности с использованием изолированного типа. : Модули Mitsubishi IGBT предназначены для использования в коммутационных устройствах. Каждый модуль состоит из двух IGBT в полумостовой конфигурации, где каждый транзистор имеет обратный диод со сверхбыстрым восстановлением. Все компоненты и межсоединения изолированы от пластины радиатора, что упрощает сборку системы и тепловую защиту.

HER506 : Высокоэффективные выпрямительные диоды. Высокоэффективные выпрямительные диоды.

PE60Q04N : Устройство = SBD ;; Максимальная рабочая температура перехода (C) = 125; Температура хранения (С) = от -40 до +125; Схема = 3-фазный полумост;; Технический паспорт (pdf) = _pe60q04n.pdf ;; Контур(dxf) = Pe80q04n.dxf ;; Примечания =   ;; «=» «=» «=»

SD103B : Диод Шоттки. Для приложений общего назначения Серия SD103 представляет собой устройство с барьером Шоттки металл-кремний, защищенное защитным кольцом соединения PN. Низкое падение прямого напряжения и быстрое переключение делают его идеальным для защиты МОП-устройств, управляющих, смещающих и связующих диодов для быстрого переключения и приложений с низким логическим уровнем. Другие приложения клик.

STD1HNC60 : Среднее напряжение. N-канальный 600В 4 Ом 2А Dpak/ipak Powermesh ii MOSFET.

XN04322XN4322 : . Кремниевый эпитаксиально-планирующий транзистор NPN (Tr1) Кремниевый эпитаксиально-планирующий транзистор PNP (Tr2) Параметр Напряжение между коллектором и базой Tr1 Напряжение между коллектором и эмиттером Ток коллектора Напряжение между коллектором и базой Tr2 Напряжение между коллектором и эмиттером Ток коллектора Суммарная рассеиваемая мощность Общая температура перехода Температура хранения Обозначение VCBO VCEO ИК ВКБО.

AP2N7002K : 450 мА, 60 В, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канальный ; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 60 вольт; RDS(вкл.): 2 Ом; PD: 700 мВт; Тип упаковки: СООТВЕТСТВУЮЩИЙ ROHS ПАКЕТ-3; Количество единиц в IC: 1.

BSS84Q-13-F : МАЛЫЙ СИГНАЛ, FET. Низкое сопротивление в открытом состоянии Низкое пороговое напряжение затвора Низкая входная емкость Быстрая скорость переключения Низкая утечка на входе/выходе Провод, не содержащий галогенов и сурьмы, соответствует требованиям RoHS (Примечание 1) «Зеленое» устройство (Примечание 2) Соответствует стандартам высокой надежности AEC-Q101 Это MOSFET спроектирован так, чтобы свести к минимуму сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) и при этом обеспечить превосходное переключение.

CMDD6001BK : 0,25 А, 100 В, КРЕМНИЯ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД. s: Упаковка: ПЛАСТИКОВАЯ, СУПЕРМИНИ-2 ; Количество диодов: 1; ЕСЛИ: 250 мА.

FR601GP-AP : 6 А, 50 В, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Упаковка: СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, ПЛАСТИКОВАЯ, R-6, 2 PIN; Количество диодов: 1; ВРРМ: 50 вольт; ЕСЛИ: 6000 мА; трр: 0,1500 нс; Соответствует RoHS: RoHS.

RH005120R0FE02 : РЕЗИСТОР, ПРОВОЛОЧНЫЙ, 7,5 Вт, 1 %, 20 частей на миллион, 120 Ом, КРЕПЛЕНИЕ НА ШАССИ. s: Категория/применение: Общее использование; Технология/конструкция: Wirewound; Монтаж/упаковка: шасси на болтах, без свинца; Диапазон сопротивления: 120 Ом; Допуск: 1 +/- % ; Температурный коэффициент: 20 ± ppm/°C; Номинальная мощность: 7,5 Вт (0,0101 л.с.); Рабочая температура: от -55 до 250 C (-67,

VUO52-22NO1 : 3-ФАЗНЫЙ, 54 А, 2200 В, КРЕМНИЕВЫЙ, МОСТОВОЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Тип диода: МОСТОВОЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД ; Применение диодов: выпрямитель; ЕСЛИ: 325000 мА; Соответствует RoHS: RoHS; Пакет: МОДУЛЬ-7 ; Количество выводов: 7; Количество диодов: 6.

alexxlab