Site Loader
Posted on 05.07.2018

Транзистор КТ315 — DataSheet

ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКТ315АBFP719, 2N2476 *3, 2N5225 *3, 2N3291 *3, 2N3292 *3, 2SC3881S *3, KST1009F1 *3, 40218 *3, 2N3294 *3, KM9011 *3, K917 *3, CD9011 *3, 2N3131 *3
КТ315БBFP20, 2N2712, ВС170А *3, 2N3293 *3, BSY73 *3, SE1010 *3, 2N5219 *3, BSY95A *1, BSY27 *1, BSY95 *1, 2SC33 *3, BSX66 *3, 2N5223 *1, A5T5223 *3
КТ315ВBFP721, 2N3512 *3, С63 *3, BSX24 *3, 2SC394 *3, PET8005 *1, 2SC460 *3, 2SC460A *3, 2SC461 *3, 2N3854A *3, MPS9624 *3
КТ315ГBFP722, BSX24 *3, 2SC4128 *1, 2SC4128N *1, 2SC4018K *1, 2SC4018KN *1, KTN5010R *3, KTN5010 *3, KTC941TMR *3, KTC941TM *3, 2SC941 *3, 2SC394 *3, PET8005 *3, 2SC461 *3, 2SC460 *3, 2SC460A *3, CX917
*3
КТ315Д2SC641, 2N3512 *3
КТ315Е2N3397, BSX24 *3, 2SC4128 *1, 2SC4128N *1, 2SC4018K *1, 2SC4018KN *1, KTN5010R *3, KTN5010 *3, KTC941TMR *3, KTC941TM *3, 2SC941 *3, 2SC394 *3, PET8005 *3, 2SC461 *3, 2SC460 *3, 2SC460A *3, CX917 *3
КТ315Ж2N2711, 2N3293 *3, 2N3294 *3, 2SC398 *3, 2SC399
*3, 2N706C *3, 2N3825 *3, 2N706B/46 *3, 2N706J
КТ315И2SC634, HSE166 *3, SS9011 *3, JE9011D *3, 2SC381 *3
КТ315НBFP722
КТ315Р2SC633, 2SC380A-О *1, 2SC380A-R *3, 2SC380A *3, 2SC2076 *3, HSE133 *3, BF234 *3, BF235 *3, CX917 *3, KTC9016 *3, 2SC839 *3, 2SC838 *3, BF594 *3
Структура —n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxКТ315А—150(250*)мВт
КТ315Б—150(250*)
КТ315В—150(250*)
КТ315Г—150(250*)
КТ315Д
—150(250*)
КТ315Е—150(250*)
КТ315Ж—100
КТ315И—100
КТ315Н—150
КТ315Р—150
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***max
КТ315А		—≥250МГц
КТ315Б—≥250
КТ315В—≥250
КТ315Г—≥250
КТ315Д—≥250
КТ315Е—≥250
КТ315Ж—≥250
КТ315И—≥250
КТ315Н—
≥250
КТ315Р—≥250
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.КТ315А—25В
КТ315Б—20
КТ315В—40
КТ315Г—35
КТ315Д
10к40*
КТ315Е10к35*
КТ315Ж10к20*
КТ315И10к60*
КТ315Н10к35*
КТ315Р10к35*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб., КТ315А
—6В
КТ315Б—6
КТ315В—6
КТ315Г—6
КТ315Д—6
КТ315Е—6
КТ315Ж—6
КТ315И—6
КТ315Н—6
КТ315Р—6
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxКТ315А—100мА
КТ315Б—100
КТ315В—100
КТ315Г—100
КТ315Д—100
КТ315Е—100
КТ315Ж—50
КТ315И—50
КТ315Н—100
КТ315Р—100
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOКТ315А10 В≤0.5мкА
КТ315Б10 В≤0.5
КТ315В10 В≤0.5
КТ315Г10 В≤0.5
КТ315Д10 В≤0.6
КТ315Е10 В≤0.6
КТ315Ж10 В≤0.6
КТ315И10 В≤0.6
КТ315Н10 В≤0.6
КТ315Р10 В≤0.5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭКТ315А10 В; 1 мА30…120*
КТ315Б10 В; 1 мА50…350*
КТ315В10 В; 1 мА30…120*
КТ315Г10 В; 1 мА50…350*
КТ315Д10 В; 1 мА20…90*
КТ315Е10 В; 1 мА50…350*
КТ315Ж10 В; 1 мА30…250*
КТ315И10 В; 1 мА≥30*
КТ315Н10 В; 1 мА50…350*
КТ315Р10 В; 1 мА150…350*
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эКТ315А10 В≤7пФ
КТ315Б10 В≤7
КТ315В10 В≤7
КТ315Г10 В≤7
КТ315Д10 В≤7
КТ315Е10 В≤7
КТ315Ж10 В≤10
КТ315И10 В≤10
КТ315Н10 В≤7
КТ315Р10 В≤7
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.КТ315А—≤20Ом, дБ
КТ315Б—≤20
КТ315В—≤20
КТ315Г—≤20
КТ315Д—≤30
КТ315Е—≤30
КТ315Ж—≤25
КТ315И—≤45
КТ315Н—≤5.5
КТ315Р—≤20
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, P**выхКТ315А—≤40*Дб, Ом, Вт
КТ315Б—≤40*
КТ315В—≤40*
КТ315Г—≤40*
КТ315Д—≤40*
КТ315Е—≤40*
КТ315Ж——
КТ315И——
КТ315Н——
КТ315Р——
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)КТ315А—≤300пс
КТ315Б—≤500
КТ315В—≤500
КТ315Г—≤500
КТ315Д—≤1000
КТ315Е—≤1000
КТ315Ж—≤800
КТ315И—≤950
КТ315Н—≤1000
КТ315Р—≤500

KT315 Datasheet | ETC — Datasheetspdf.com

KT315

Таблица 1. Основные электрические параметры КТ315 при Токр. среды = 25 °С

Паpаметpы

Обратный ток коллектора

Обратный ток эмиттера

Статический коэффициент

передачи тока

Напряжение насыщения

коллектор — эмиттер

Напряжение насыщения

база — эмиттер

Емкость коллекторного перехода

КТ315Ж1

КТ315И1

Граничная частота коэффициента

передачи тока

Постоянная времени цепи

обратной связи

Обозначение

IКБО

IЭБО

h31е

Ед. изм.

Режимы

измеpения

нА UКБ = 10 B, IЭ = 0

мкА UЭБ = 6 B

UКБ = 10 B, IЭ = 1 мA

UКЭ (НАС)

В IК = 20 мА, IБ = 2,0 мA

UБЭ (НАС)

В IК = 20 мА, IБ = 2,0 мA

CК пФ UКБ = 10 B, f = 5 MГц

FГР MГц UКЭ = 10 B, IЭ = 5 мA

τк

пс

UКБ = 10 B, IЭ = 5 мА,

f = 5 МГц

Min Max

0,5…0,6

3,0…50

20 350

0,4…0,9

0,9…1,35

7,0

10

10

250

300…1000

Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ315

Параметры

Напряжение коллектор — база

Напряжение коллектор — эмиттер

Напряжение эмиттер — база

Постоянный ток коллектора

КТ315Ж1

КТ315И1

Рассеиваемая мощность коллектора

КТ315Ж1

КТ315И1

Температура перехода

Обозначение

UКБ MAX

UКЭR MAX

UЭБ MAX

IК MAX

PК MAX

TJ

Ед. изм.

В

В

В

мА

мВт

°C

Значение

20…40

20…60

6

100

50

50

150

100

100

120

Таблица 3. Классификация КТ315

Тип

КТ315А1

КТ315Б1

КТ315В1

КТ315Г1

КТ315Д1

КТ315Е1

КТ315Ж1

КТ315И1

КТ315Н1

КТ315Р1

UКБ MAX

[В]

25

20

40

35

—

—

—

—

20

35

UКЭ MAX

[В]

25

20

40

35

40

35

UКЭК 20

UКЭК 60

20

35

h31e

30…120

50…350

30…120

50…350

20…90

50…350

30…250

30

50…350

150…350

UКЭ НАС

[В]

0,4

0,4

0,4

0,4

0,6

0,6

0,5

0,9

0,4

0,4

UБЭ НАС

[В]

1,0

1,0

1,0

1,0

1,1

1,1

0,9

1,35

1,0

1,0

IКБО

[ мкА ]

0,5

0,5

0,5

0,5

0,6

0,6

0,6

0,6

0,5

0,5

IЭБО

[ мкА ]

30

30

30

30

30

30

30

50

30

3,0

τк

[ пс ]

300

500

500

500

1000

1000

800

950

500

500

КТ315 (май 2012г., редакция 1.1)

2

Free Datasheet http://www.Datasheet4U.com

КТ315 цоколевка, КТ315 параметры, КТ315 характеристики

Транзистор КТ315 — один из самых массовых отечественных транзисторов, был запущен в производство в 1967 году. Первоначально выпускался в пластиковом корпусе КТ-13.

КТ315 цоколевка

Если расположить КТ315 маркировкой к себе выводами вниз, то левый вывод это эмиттер, центральный — коллектор, а правый — база.

В последствии КТ315 стал выпускаться и в корпусе КТ-26 (зарубежный аналог TO92), транзисторы в этом корпусе получили дополнительную ”1” в обозначении, например КТ315Г1. Цоколевка КТ315 в этом копусе такая же как и в КТ-13.

КТ315 параметры

КТ315 это маломощный кремниевый высокочастотный биполярный транзистор с n-p-n структурой. Имеет комплементарный аналог КТ361 c p-n-p структурой.
Оба этих транзистора предназначались для работы в схемах усилителей как звуковой так промежуточной и высокой частоты.
Но благодаря тому, что характеристики этого транзистора были прорывными, а стоимость ниже существующих германиевых аналогов КТ315 нашел самое широкое применение в отечественной электронной технике.

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером (fгр.) – 250 МГц.

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (Pкmax)

  • Для КТ315А, Б, В, Г, Д, Е – 0,15 Вт;
  • Для КТ315Ж, И, Н, Р – 0,1 Вт.

Максимально допустимый постоянный ток коллектора (Iкmax)

  • Для КТ315А, Б, В, Г, Д, Е, Н, Р – 100 мА;
  • Для КТ315Ж, И – 50 мА.

Постоянное напряжение база-эмиттер — 6 В.

Основные электрические параметры КТ315 которые зависят от буквы приведены в таблице.

  • Uкбо — Максимально допустимое напряжение коллектор-база,
  • Uкэо — Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер,
  • h21э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером,
  • Iкбо — Обратный ток коллектора.
Наимен.Uкбо и Uкэо, Вh21эIкбо, мкА
КТ315А2530-120≤0,5
КТ315Б2050-350≤0,5
КТ315В4030-120≤0,5
КТ315Г3550-350≤0,5
КТ315Г135100-350≤0,5
КТ315Д4020-90≤0,6
КТ315Е3550-350≤0,6
КТ315Ж2030-250≤0,01
КТ315И60≥30≤0,1
КТ315Н2050-350≤0,6
КТ315Р35150-350≤0,5

Маркировка транзисторов КТ315 и КТ361

Именно с КТ315 началось кодированное обозначение отечественных транзисторов. Мне попадались КТ315 с полной маркировкой, но гораздо чаще с единственной буквой из названия смещенной чуть левее от центра, справа от буквы был логотип завода выпустившего транзистор. Транзисторы КТ361 тоже маркировались одной буквой, но буква располагалась по центру и слева и справа от неё были тире.

И конечно у КТ315 есть зарубежные аналоги, например: 2N2476, BSX66, TP3961, 40218.

КТ315 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка, datasheet. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом


КТ315 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка, datasheet.


Основные технические параметры кремниевого NPN транзистора КТ315

Тран
зистор		IК, макс (И)
мА		UКЭ макс
В		UКБ макс
В		UЭБ макс
В		PК макс
 Вт		h21ЭUКЭ нас
В		IКБ0
мкА		fгр
МГц
КТ315А100252560,1530..1200,40,5250
КТ315Б100202060,1550..3500,40,5250
КТ315В100404060,1530..1200,40,5250
КТ315Г100353560,1550..3500,40,5250
КТ315Д100404060,1520..900,60,6250
КТ315Е100353560,1550..3500,60,6250
КТ315Ж50202060,130..2500,50,6250
КТ315И50606060,1300,90,6250
КТ315Н100252560,150..3500,40,5250
КТ315Р100252560,1150..3500,40,5250

Обозначение на схеме кремниевого NPN транзистора КТ315

Цоколёвка и размеры кремниевого NPN транзистора КТ315

Внешний вид кремниевого NPN транзистора КТ315




КТ315 — Википедия

Transistor KT315.svg
KT315
Структураn-p-n
Uce15–60 В
Ube6 В
Ic50–100 мА
Ib50 мА
P100 мВт
Pmax150 мВт
Рабочие температурыдо 100 °C
fгрне менее 250 МГц
h21e20–350

КТ315 — кремниевый высокочастотный биполярный транзистор малой мощности n-p-n-проводимости в корпусе KT-13, получивший самое широкое распространение в советской радиоэлектронной аппаратуре.

Transistor KT315.svg

В 1966 году А. И. Шокин прочитал в журнале «Electronics» новость о разработке в США транзистора, технологически приспособленного под массовое производство[1] — с использованием метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Разработкой транзистора и оборудованием для производства занялся НИИ «Пульсар», Фрязинский полупроводниковый завод и его ОКБ. Уже в 1967 году была выполнена подготовка производства для запуска массового изготовления, а в 1968 году были выпущены первые электронные устройства на базе КТ315[1].

Первым массовым транзистором с кодовой маркировкой был КТ315 в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. На нём в левом верхнем углу плоской стороны ставилась буква, обозначающая группу, ниже иногда указывалась дата изготовления. Через несколько лет в корпусе КТ-13 стали выпускать транзистор с p-n-p проводимостью — КТ361. Для отличия от КТ315 буква, обозначающая группу, ставилась посередине верхней части на плоской стороне корпуса.

Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР[2].

Транзистор выпускался предприятиями: «Электроприбор» (г. Фрязино), «Квазар» (г. Киев), «Континент» (г. Зеленодольск), «Кварцит» (г. Орджоникидзе), ПО «Элькор» (г. Нальчик), НИИПП (г. Томск), ПО «Электроника» (г. Воронеж). В 1970 г. их производство в порядке технического сотрудничества также было передано в Польшу на предприятие Unitra CEMI. Для этого на Воронежском объединении «Электроника» демонтировали целый цех, и в кратчайшие сроки вместе с запасом материалов и комплектующих смонтировали и запустили его в Варшаве. Научно-производственный центр Unitra CEMI в конечном итоге обанкротился в 1990 году, оставив польский рынок микроэлектроники открытым для иностранных компаний.[3]. В начале 1990-х общее количество выпущенных транзисторов КТ315 превысило 7 миллиардов.

Транзистор КТ315 выпускается, по сей день рядом предприятий: ЗАО «Кремний» г. Брянск, СКБ «Элькор» Республика Кабардино-Балкария г. Нальчик, завод НИИПП г. Томск. Транзистор КТ315-1 выпускается: ЗАО «Кремний» г. Брянск, завод «Транзистор» Республика Беларусь г. Минск, АО «Элекс» г. Александров Владимирская область [3]. Так например Белорусский ОАО «Интеграл» (предприятие холдинга завод «Транзистор») производит транзистор КТ315 в корпусе КТ-26 (аналог TO92)[4].

Транзисторы КТ315 предназначались для работы в схемах усилителей звуковых и радиочастот, в преобразовательных и импульсных схемах, и широко использовались в электронной аппаратуре бытового и промышленного назначения, а также радиолюбителями. В военной аппаратуре КТ315 не применялись, их функции в аналогичных схемах обычно выполняли транзисторы 2Т312 или 2Т316 в металло-стеклянных корпусах.

В начале 1990-х появилась тенденция вытеснения КТ315 более современным транзистором КТ3102, который также имел комплементарную пару p-n-p проводимости — КТ3107 — и отличался от КТ315 бо́льшим статическим коэффициентом передачи тока при малом коэффициенте шумов на низких частотах, что было важно для высококачественной аналоговой аудиоаппаратуры. Однако, в связи с начавшимся массовым переходом электронной аппаратуры на микросхемы, КТ3102 такого же широкого распространения не получил.

Транзисторы этого типа стали первенцами новой технологии — планарно-эпитаксиальной. Эта технология подразумевает, что все структуры транзистора образуются с одной стороны кристала, исходный материал имеет тип проводимости, как у коллектора, в нём сначала формируется базовая область, а затем в ней — эмиттерная. Эта технология была освоена советской радиоэлектронной промышленностью, как ступень к изготовлению интегральных микросхем без диэлектрической подложки. До появления КТ315 низкочастотные транзисторы изготавливались по «сплавной» технологии, а высокочастотные — по диффузионной. Соотношение параметров, достигнутое в КТ315, было прорывным для времени его появления. Так, например, он превосходил современный ему германиевый высокочастотный транзистор ГТ308 по мощности в 1,5 раза, по граничной частоте в 2 раза (ГТ308 — 120 МГц, КТ315 — 250 МГц), по максимальному току коллектора в 3 раза, и при этом был дешевле. Он мог заменить и низкочастотные МП37, при равной мощности превосходя их по коэффициенту передачи тока базы, максимальному импульсному току и обладая лучшей температурной стабильностью. Кремний как материал позволял этому транзистору десятки минут работать на умеренных токах даже при температуре плавления припоя, правда, с ухудшением характеристик, но без необратимого выхода из строя.

Transistor KT315.svg
KT361
Структураp-n-p
Uce10—60 В
Ube4 В
Ic50—100 мА
Pmax150 мВт
fгрне менее 250 МГц
h21e20—350

КТ361 — биполярный транзистор p-n-p-проводимости. Комплементарен к КТ315, благодаря чему часто использовался в паре с последним в бестрансформаторных двухтактных схемах. Благодаря неплохим техническим характеристикам получил широкое распространение в отечественной радиотехнике. Для отличия от КТ315 буква, обозначающая группу, ставилась посередине верхней части плоской стороны, иногда между двумя дефисами.

Транзистор КТ361 и КТ361-1 изготавливался в корпусе КТ-13. Впоследствии КТ361 стал выпускаться в корпусе КТ-26 (зарубежный аналог TO92), транзисторы в этом корпусе получили дополнительные цифры «2 или 3» в обозначении, например КТ361Г2 или КТ361Г3. Корпус надежно предохраняет кристалл транзистора от механических и химических повреждений. На основе этих транзисторных структур изготавливаются выпрямительные диоды типов КД128А, КД128Б, КД128В. Транзистор КТ361 выпускался предприятиями: ПО «Элькор» Республика Кабардино-Балкария г. Нальчик, НИИПП г. Томск, «Элекс» г. Александров Владимирская область. В настоящее время промышленностью выпускаются транзисторы КТ361-2 и КТ361-3. Транзистор КТ361-2 выпускает ЗАО «Кремний» г. Брянск по техническим условиям АДБК.432140.995ТУ (справочный лист на него). Транзистор КТ361-2 и КТ361-3 производит завод «Транзистор» Республика Беларусь г. Минск по техническим условиям ФЫО.336.201 ТУ/02 (справочный лист на него).[5]

  • Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 было выпущено в корпусах жёлтого или красно-оранжевого цвета, значительно реже можно встретить розовые, зелёные и черные.
  • В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, эмблемы завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.
  • В отличие от многих советских транзисторов КТ315 не имеет своего военного аналога 2Т315, однако для компьютеров, станков с ЧПУ, цветных телевизоров и аудиоаппаратуры высшего класса выпускались транзисторы повышенной надежности, в их маркировке рядом с буквой присутствовала точка.[1]

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *