Варикапы | Основы электроакустики

Варикапы

Варикап – это полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости емкости от обратного напряжения. При подаче на диод обратного напряжения изменяется ширина p-n перехода, а следовательно, изменяется величина барьерной емкости. Таким образом, имеется возможность изменять емкость электрическим способом. Основной характеристикой варикапа является зависимость его емкости от обратного напряжения – вольт-фарадная характеристика. На рис.4.18 а, б показаны схематическое изображение варикапа и его вольт-фарадная характеристика.

Основными параметрами варикапов являются: 

• общая емкость СОБЩ
• коэффициент перекрытия по емкости КПЕР
• добротность Q
• постоянный обратный ток IОБР.П
• постоянное обратное напряжение UОБР.П
• рассеиваемая мощность PРАС 

Рис.4.18. Схематическое изображение варикапа (а) и его вольт-фарадная характеристика (б) 

Варикапы широко используются для электронной настройки колебательных контуров радиоприемных устройств и средств связи (рис. 4.19). 

Рис.4.19. Схема включения варикапа для электронной настройки 

Варикап VD1 через разделительный конденсатор C2 подключается параллельно конденсатору С1 колебательного контура. Изменяя напряжение на выходе цифро-аналогового преобразователя, можно менять емкость диода и общую емкость контура, тем самым изменяя частоту резонанса контура и его настройку.

Варикапы применяют в основном в тех устройствах где требуется изменение емкости. Наиболее частое применение у варикапов- это использование их в качестве регулируемых конденсаторов в колебательных контурах. Изменяя приложенное к нему напряжение можно управлять емкостью варикапа и следовательно менять резонансную частоту колебательного контура. Поэтому варикапы чаще всего применяют в радиоприемных устройствах: тюнерах телевизоров или радиоприемников. P-n переход любого диода обладает так называемой барьерной ёмкостью. Сама по себе барьерная ёмкость перехода для диода нежелательна. Но и этот недостаток смогли использовать.

В результате был разработан варикап — некий гибрид диода и переменного конденсатора, ёмкость которого можно менять с помощью напряжения. Как известно, при подаче обратного напряжения на диод, он закрыт и не пропускает электрический ток. В таком случае p-n переход выполняет роль своеобразного изолятора, толщина которого зависит от величины обратного напряжения (Uобр). Меняя величину обратного напряжения (Uобр), мы меняем толщину перехода – этого самого изолятора. А поскольку электрическая ёмкость C зависит от площади обкладок, в данном случае площади p-n перехода, и расстояния между обкладками – толщины перехода, то появляется возможность менять ёмкость p-n перехода с помощью напряжения. Это ещё называют электронной настройкой. На варикап прикладывают обратное напряжение, что изменяет величину ёмкости барьера p-n перехода. Отметим, что барьерная ёмкость есть у всех полупроводниковых диодов, и она уменьшается по мере увеличения обратного напряжения на диоде. Но вот у варикапов эта ёмкость может меняться в достаточно широких пределах, в 3 – 5 раз и более.

Несмотря на то, что варикап разработан на базе диода, это всё-таки конденсатор и именно параметры, связанные с ёмкостью и являются основными. Вот лишь некоторые из них:

• Максимальное обратное постоянное напряжение (Uобр. max.). Измеряется в вольтах (В). Это максимальное напряжение, которое можно подавать на варикап. Напомним, что ёмкость варикапа уменьшается при увеличении обратного напряжения на нём.
• Номинальная ёмкость варикапа (СВ). Это ёмкость варикапа при фиксированном обратном напряжении. Поскольку варикапы выпускаются на различные значения ёмкости, начиная от долей пикофарады и до сотен пикофарад, то их ёмкость змеряют, подавая определённую величину обратного напряжения на варикап. Оно может быть равным 4 и более вольтам, и, как правило, указывается в справочных данных. 

Также может указываться минимальная и максимальная ёмкость варикапа (Cmin и Cmaх). Это связано с тем, что параметры выпускаемых варикапов могут несколько отличаться.

Поэтому в справочных данных указывают минимально- и максимально- возможную ёмкость варикапа при фиксированном обратном напряжении (Uобр). Это и есть Cmax и Cmin.  У импортных варикапов обычно указывается только одна величина Cd (или Cд) – ёмкость варикапа при обратном напряжении, близком к максимальному. Например, для импортного варикапа BB133 ёмкость Cd = 2,6 pF (пФ) при обратном напряжении VR = 28 V. Коэффициент перекрытия по ёмкости (Кс). Этот параметр показывает отношение максимальной ёмкости варикапа к минимальной.  Например, для отечественного варикапа КВ109А коэффициент перекрытия Кс равен 5,5. Ёмкость при Uобр = 25 В составляет 2,8 пФ (Это — Cmin). Так как диапазон обратного напряжения для варикапа КВ109А составляет 3 – 25 вольт, то используя формулу, можно узнать ёмкость этого варикапа при обратном напряжении в 3 вольта. Оно составит 15,4 пФ.(Это -Cmax).

В документации на импортные варикапы так же указывается коэффициент перекрытия. Он называется capacitance ratio. Как видим, берётся ёмкость варикапа при обратном напряжении в 0,5 V и в 28 V. Так как ёмкость варикапа уменьшается при увеличении обратного напряжения на нём, то становиться ясно, что эта формула расчёта аналогична той, что применяется для расчёта Кс. Все остальные параметры можно считать несущественными. В некоторых случаях необходимо обратить внимание на граничную частоту, но это не столь важно, поскольку варикапы уверенно работают во всём радио и телевизионном диапазоне.

 

Варикап | это… Что такое Варикап?

Не следует путать с переменным конденсатором.

См. также: Вариконд

Обозначение варикапа на схемах.

Варикап (от англ. vari(able) — «переменный», и cap(acity) — «ёмкость») — полупроводниковый диод, работа которого основана на зависимости барьерной ёмкости p-n перехода от обратного напряжения. Варикапы применяются в качестве элементов с электрически управляемой ёмкостью в схемах перестройки частоты колебательного контура, деления и умножения частоты, частотной модуляции, управляемых фазовращателей и др.

Обратное напряжение на диоде.

При отсутствии внешнего напряжения в p-n-переходе существуют потенциальный барьер и внутреннее электрическое поле. Если к диоду приложить обратное напряжение, то высота этого потенциального барьера увеличится. Внешнее обратное напряжение отталкивает электроны в глубь n-области, в результате чего происходит расширение обеднённой области p-n-перехода, которую можно представить как простейший плоский конденсатор, в котором обкладками служат границы области. В таком случае, в соответствии с формулой для ёмкости плоского конденсатора, с ростом расстояния между обкладками (вызванной ростом значения обратного напряжения) ёмкость p-n-перехода будет уменьшаться. Это уменьшение ограничено лишь толщиной базы, далее которой переход расширяться не может. По достижении этого минимума с ростом обратного напряжения ёмкость не изменяется.

Промышленностью выпускаются варикапы как в виде дискретных элементов (например, КВ105, КВ109, КВ110, КВ114, BB148, BB149), так и в виде варикапных сборок (например, КВС111).

Основные параметры

• Общая ёмкость — ёмкость, измеренная между выводами варикапа при заданном обратном напряжении.
• Коэффициент перекрытия по ёмкости — отношение ёмкостей при двух заданных значениях обратного напряжения на варикапе.
• Добротность — отношение реактивного сопротивления варикапа на заданной частоте к сопротивлению потерь при заданном значении ёмкости или обратного напряжения.
• Постоянный обратный ток — постоянный ток, протекающий через варикап при заданном обратном напряжении.
• Максимально допустимое постоянное обратное напряжение.
• Максимально допустимая рассеиваемая мощность.
• Температурные коэффициенты емкости и добротности — отношение относительного изменения емкости (добротности) варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры. В общем случае сами эти коэффициенты зависят от значения обратного напряжения, приложенного к варикапу.
• Предельная частота варикапа — значение частоты, на которой реактивная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей. Измерение предельной частоты производится при конкретных заданных обратном напряжении и температуре, которые в свою очередь зависят от типа варикапа.

Литература

• Пасынков В. В., Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. — 4-е перераб. и доп. изд. — М.: Высшая школа, 1987. — С. 184—188. — 479 с. — 50 000 экз.

• Диоды и тиристоры / Чернышев А. А., Иванов В. И., Галахов В. Д. и др.; Под общ. ред. А. А. Чернышева. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Энергия, 1980. — 176 с. — (Массовая радиобиблиотека. Выпуск 1005). — 190 000 экз.

Ссылки

• Варикап в БСЭ

Варакторный диод или варикапный диод Объяснение работы и применения

Содержание

1

Варакторный диод:

Варакторные диоды представляют собой тип pn-перехода, в котором путем приложения напряжения обратного смещения мы изменяем внутреннюю емкость в диод. Таким образом, эти диоды также известны как варикапы. Термин варикап относится к переменной емкости. Точно так же термин варактор относится к переменному реактивному сопротивлению. Варакторный диод был впервые разработан в 1961 дочерней компанией Pacific Semiconductor. Итак, в этом диоде, когда мы изменим приложенное обратное напряжение смещения, будет меняться его емкость или, другими словами, его реактивное сопротивление. Это свойство варакторного диода очень полезно во многих приложениях. В частности, когда мы хотим изменить емкость в цепи с помощью внешнего приложенного напряжения, частота цепи изменится. Итак, из-за этого свойства они используются в системах радиочастотной связи, и это символ варакторного диода.

Символ указывает на то, что это диод с p-n переходом, но в отличие от обычного выпрямительного диода он предназначен для использования в качестве конденсатора. Все диоды могут иметь переменную емкость, но производятся модификации, чтобы использовать эффект и увеличить изменение емкости. Варакторный диод более чувствителен к области обеднения.

Работа варакторного диода:

Итак, чтобы понять работу этого варакторного диода, прежде всего, мы должны знать, как мы можем изменить емкость плоскопараллельного конденсатора. Таким образом, для конденсатора с плоскими пластинами емкость может быть определена как:

C = (∈A)/d

Где

A — площадь пластин, ε — диэлектрическая проницаемость диэлектрического материала, а d — расстояние между двумя пластинами или толщина диэлектрического материала. Итак, для фиксированных значений ε и A, если мы изменим расстояние между двумя пластинами или, другими словами, если мы изменим толщину диэлектрической среды, емкость конденсатора изменится. Когда мы увеличиваем расстояние между двумя пластинами, емкость уменьшается, а когда мы уменьшаем расстояние между двумя пластинами, емкость увеличивается. Точно так же, когда мы увеличиваем площадь пластин, емкость увеличивается, а когда мы уменьшаем площадь пластин, емкость уменьшается.

Итак, по той же схеме меняется емкость варикапа. Теперь, как я уже сказал, варакторный диод также является одним из видов диода с p-n переходом. Область истощения образуется на стыке, где этот материал p-типа и n-типа встречаются друг с другом. Итак, этот материал p-типа содержит избыточное количество дырок, в то время как материал n-типа содержит электроны. В Р-типе при добавлении трехвалентной примеси в кремний подразумеваются атомы, у которых валентных электронов три, а кремний состоит из четырех электронов. Когда эти два атома объединятся, они сформируют 7 электронов, поэтому будет недостаток одного электрона, из-за которого будет создана дырка. Точно так же в материале N-типа, когда добавляется пентавалентный элемент, это означает атом, который имеет 5 валентных электронов в кремнии, тогда будет один дополнительный электрон, и он будет называться материалом N-типа. Дырки в материале p-типа будут притягивать электроны в материале N-типа. Из-за чего некоторые электроны будут мигрировать из материала N-типа в материал P-типа, из-за чего будет сформирована обедненная область и область будет нейтральной.

С другой стороны, если вы видите эту обедненную область, значит, в ней нет носителей заряда. Таким образом, этот диод с p-n переходом ведет себя как конденсатор. Это означает, что здесь эти области p-типа и n-типа действуют как проводящие пластины, а область обеднения действует как диэлектрическая среда. Поскольку мы знаем, что диэлектрический материал действует как изолятор, а нейтральный атом также будет действовать как изолятор. Мы подадим обратное напряжение смещения на варакторный диод, подключив положительный вывод батареи к материалу n-типа, а отрицательный вывод — к материалу P-типа. Мы знаем, что для диода с p-n-переходом, когда мы меняем приложенное обратное напряжение смещения, изменяется ширина области обеднения, потому что положительный вывод батареи притягивает электроны, а отрицательный вывод притягивает дырки, из-за которых область обеднения будет увеличиваться. Область истощения станет толстой. Это означает, что по мере увеличения приложенного обратного напряжения смещения ширина обедненной области также будет увеличиваться, что означает, что обедненная область станет толще. Поскольку мы знаем, что когда мы увеличиваем напряжение, ширина области обеднения будет увеличиваться, поэтому мы можем сказать, что существует зависимость направления между напряжением и шириной области обеднения.

V∝ w _d

Емкость будет уменьшаться при увеличении напряжения и наоборот. Таким образом, между напряжением и емкостью будет обратная зависимость.

C= 1/V

По мере увеличения ширины обедненной области из этого уравнения можно сказать, что значение емкости будет уменьшаться. Это означает, что мы можем сказать, что эта емкость обратно пропорциональна приложенному обратному напряжению, и если мы видим точное соотношение, то оно может быть выражено следующим выражением.

C= C ₀ /(1+|V/V _f |) ⁿ

Где V — приложенное напряжение обратного смещения, а Vf — прямое напряжение или встроенное напряжение диода . И здесь это Co представляет собой емкость диода, когда он несмещен. Теперь в этом уравнении значение n зависит от профиля легирования варакторного диода. Итак, исходя из профиля легирования, различают два типа варакторных диодов. Первый — это резкий варактор, так что это профиль легирования резкого варакторного диода. Итак, как вы можете видеть, в этих областях p-типа и n-типа концентрация легирования однородна, когда значение n = 1/2 для этого типа перехода. Но на стыке происходит резкое изменение допинг-профиля.

Как правило, нормальные диоды с p-n переходом имеют этот резкий переход. С другой стороны, это профиль варакторного диода со сверхрезким скачком, и, как вы можете видеть, с обеих сторон концентрация примеси быстро уменьшается с расстоянием. Для этого типа профиля легирования значение n = 2 Таким образом, из этого выражения мы можем сказать, что для сверхрезкого перехода по мере увеличения значения этого обратного напряжения смещения будет больше изменение емкости. Итак, в общем, для нормального диода с p-n переходом, если мы увидим кривую зависимости емкости от приложенного обратного напряжения смещения, то она будет выглядеть следующим образом.

Это означает, что любой диод можно использовать в качестве переменного конденсатора. Но варакторные диоды оптимизированы и изготовлены таким образом, чтобы обеспечить большее изменение емкости при приложенном обратном напряжении смещения.

Итак, теперь посмотрим эквивалентную схему варакторного диода. Итак, если подать обратное напряжение смещения, то эквивалентная схема варакторного диода в таком состоянии будет выглядеть так:

Итак, здесь Rr — обратное сопротивление диода, а Rs — омическое сопротивление. Обычно значение этого обратного сопротивления измеряется в мегаомах. Потому что всякий раз, когда мы смещаем этот диод в обратном направлении, через диод будет протекать только ток утечки или обратный ток насыщения, и этот ток может быть задан этим обратным сопротивлением. Таким образом, для варакторного диода, чтобы минимизировать этот ток утечки или обратный ток насыщения, это сопротивление должно быть как можно выше. Для более низких частот эквивалентная схема варакторного диода будет такой, что:

Но всякий раз, когда он работает на высоких частотах, нам также необходимо учитывать паразитную емкость и индуктивность. Итак, это эквивалентная схема варакторного диода на высоких частотах.

Важная спецификация варакторов:

Итак, теперь давайте рассмотрим некоторые важные характеристики варакторов, которые нам необходимо учитывать при выборе диода для конкретного применения. Первыми и наиболее важными характеристиками являются диапазон емкости и коэффициент емкости. Итак, если вы видите техническое описание любого варакторного диода, то они использовали для указания значения емкости при разных напряжениях. Например, как показано в таблице данных, при изменении обратного напряжения с 1,2 В до 8 В емкость изменяется примерно с 450 пФ до 25 пФ. Итак, в основном этот параметр дает представление, в каком диапазоне мы можем изменить значение емкости для данного диода.

Второй важной характеристикой является коэффициент емкости. Отношение емкостей может быть выражено как:

C _x /C _y

Емкость может быть измерена на концах, которые являются x и y, которые представляют диапазон напряжения. Например, здесь значение x = 1,2 В, а значение     y = 8 В, и оно определяет, как мы изменяем напряжение, насколько сильно может измениться значение емкости. Это означает, что если это отношение больше, то оно определяет, что при изменении напряжения значение емкости будет больше изменяться. Для сверхкрутых варакторных диодов можно добиться коэффициента более 10. В то время как для резких диодов обычно используется диапазон от 2 до 3. Так, для лучшей настраиваемости схемы, желательны большие отношения емкости. Другой характеристикой варакторного диода является обратный ток или ток утечки. Как я уже упоминал, для варакторного диода обратный ток или ток утечки должен быть как можно меньше.

Точно так же другой важной характеристикой является напряжение пробоя. Поскольку эти варакторные диоды работают в условиях обратного смещения. Таким образом, при эксплуатации трех диодов необходимо следить за тем, чтобы приложенное обратное напряжение смещения не превышало этого напряжения пробоя. Потому что, если оно превышает напряжение пробоя, варакторный диод выйдет из строя.

Еще одним важным параметром варакторного диода является добротность. Таким образом, всякий раз, когда в цепях настройки или в ВЧ-фильтрах используются варикапы, то для резкого отклика следует выбирать диоды с высокой добротностью. Это означает, что для хорошей селективности значение этой добротности должно быть как можно выше. Итак, вот некоторые рабочие параметры варакторных диодов.

Применение варакторных диодов:

Цепи настройки состоят из варакторных диодов, как я упоминал ранее. Например, как показано на рисунке, здесь в цепи настройки используется варикап.

Итак, для данной схемы настройки резонансная частота

f _r = 1/(2π √(LC’))

анс варакторного диода, а Cc — конденсатор связи. Емкость конденсатора можно изменить, изменив приложенное обратное напряжение смещения. Таким образом, мы можем настроить эту схему на определенную частоту.

Таким образом, эти варакторные диоды используются в FM-приемниках, а также в другом коммуникационном оборудовании, где схема должна настраиваться электронным способом. Кроме того, они используются в ВЧ-фильтрах, а также в генераторах управления напряжением. Некоторые из областей применения:

• Самонастраивающиеся мостовые схемы
• FM-радио и ТВ-приемник
• Настройка LC-резонансного контура в умножителях СВЧ частоты
• Регулируемый полосовой фильтр
• Микроволновые параметрические усилители с очень низким уровнем шума

Итак, вот некоторые области применения варакторного диода.

Использование варакторного диода в схеме настройки | Блог Advanced PCB Design

В тюнерах этих телевизоров используется варикап для выбора каналов. переключать каналы. В настоящее время все в телевизоре цифровое, но схема настройки в старом телевизоре имеет множество применений, помимо поиска мультфильмов для просмотра в субботу утром. Важным элементом схемы, обеспечивающим эту работу, является варакторный диод.

Варакторный диод имеет и другие применения помимо ТВ-тюнеров, от синтеза частоты до прецизионных ВЧ-генераторов. С помощью правильных имитационных моделей и инструментов вы можете анализировать поведение сигнала в цепях с варакторным диодом во временной области и определять наилучшие параметры настройки.

Что такое варакторный диод?

Варакторный диод представляет собой простой переменный конденсатор, который позволяет легко настраивать схемы генератора и другие схемы путем подачи напряжения. Эти диоды имеют структуру, аналогичную pn-диоду; структура варакторного диода довольно проста и иллюстрирует его мощность как компонент с нелинейным реактивным сопротивлением. Эти диоды имеют структуру p-n-n+, в которой приложенное напряжение модулирует ширину области обеднения между сторонами p и n+. При работе со слабым сигналом переменного тока, который имеет большое смещение постоянного тока, он работает почти как линейная составляющая с минимальными искажениями сигнала.

Варакторный диод работает при обратном смещении, когда приложенное напряжение изменяет ширину обедненной области. При увеличении обратного напряжения смещения ширина области обеднения также увеличивается, что приводит к уменьшению емкости. На изображении ниже показаны схематический символ и уравнение емкости для варакторного диода.

 

Схематическое обозначение варакторного диода и уравнение емкости.

 

Показатель степени в знаменателе γ подобен показателю идеальности стандартного диода, ɸ — встроенное напряжение диода, а C0 — емкость диода при нулевом приложенном напряжении. Эти параметры можно легко определить путем измерения емкости в зависимости от приложенного напряжения обратного смещения, если известно встроенное напряжение. Обычно это делается с использованием логарифмического графика, который будет линейной функцией log(1 + V/ɸ). Пример показан ниже для C0 = 1 пФ. На этом графике γ будет отрицательным наклоном результирующей линии, а log(C0) — точкой пересечения с осью y. Синяя кривая относится к варакторному диоду с γ = 1,25, а оранжевая кривая — к варакторному диоду с γ = 1,75.

 

Данные зависимости емкости от напряжения для двух варакторных диодов (синий: γ = 1,25, оранжевый: γ = 1,75).

 

Обратите внимание, что варакторные диоды также имеют некоторое паразитное последовательное сопротивление R, которое определяет максимальную полезную частоту, при которой применимо приведенное выше уравнение. Эта частота как раз равна 1/(2πRC0).

Области применения варакторных диодов

Области применения варакторных диодов зависят от диапазона напряжений постоянного и переменного тока, используемых в цепи. В простой цепи постоянного тока вам нужно беспокоиться только о емкости как функции входного напряжения. Варакторные диоды рассчитаны на десятки вольт при обратном смещении; превышение этого значения может привести к сильно нелинейной работе варакторного диода, пробою или тому и другому.

Для приложений, требующих настройки радиочастотных цепей, схемы с варикапными диодами будут использовать входной сигнал переменного тока с некоторым смещением постоянного тока (Vdc). Давайте рассмотрим три различных диапазона применения варакторных диодов с точки зрения размаха напряжения на входе переменного тока (Vp-p) и смещения постоянного тока.

Vp-p

<< Vdc, Large Vdc

Перестраиваемый характер варакторного диода делает его идеальным для использования в перестраиваемых ВЧ-генераторах, фильтрах и схемах согласования импеданса (например, LC-контуре), когда Vp-p << Vdc . В этом приложении размах напряжения должен быть меньше смещения постоянного тока, чтобы избежать слишком сильного изменения емкости варактора во время колебаний. Другими словами, в этих приложениях емкость варактора можно считать постоянной. Емкость варактора изменяется путем регулировки смещения постоянного тока. Многие коммерчески доступные варакторные диоды рассчитаны на работу на частотах в сотни МГц, что позволяет использовать их в трех областях применения, упомянутых выше.

 

Если вы посмотрите на зависимость емкости от напряжения в линейной шкале, вы сможете определить соответствующий диапазон для линейной рабочей области. На приведенном ниже графике показаны данные зависимости емкости от напряжения для двух примерных варакторных диодов, показанных на графике выше.

 

Данные зависимости емкости от напряжения для двух варакторных диодов в линейной шкале (синий: γ = 1,25, оранжевый: γ = 1,75).

 

Из этого графика видно, что следует использовать более высокое смещение по постоянному току, так как это будет поддерживать почти постоянной емкость при колебаниях составляющей переменного тока. Это позволяет настроить схему с достаточно стабильной емкостью. Затем выходной сигнал может быть передан на фильтр или усилитель для извлечения желаемого сигнала.

Vp-p ~ Vdc, от малого до большого Vdc

В этом диапазоне емкость сильно нелинейна как функция Vdc. Этот диапазон обычно используется для параметрического усиления и синтеза частоты с аналоговыми PLL. В частности, нелинейный импеданс варакторного диода будет генерировать гармоники более высокого порядка, которые затем передаются на выходной порт схемы. Желаемые гармоники затем могут быть извлечены с помощью полосового фильтра высокой добротности.

Моделирование схем настройки с помощью варакторных диодов

Поскольку варакторные диоды являются нелинейными компонентами (т. е. имеют нелинейный импеданс), самым простым методом моделирования, который можно использовать для изучения поведения этих компонентов, является анализ переходных процессов во временной области. Обратите внимание, что анализ полюс-ноль в этих схемах бесполезен, поскольку передаточные функции и графики Боде определены только для линейных схем. Следовательно, вам придется посмотреть на поведение схемы во временной области, используя анализ переходных процессов. Это позволит вам определить стабильность, которая является критическим аспектом параметрического усиления в радиочастотных системах. Когда у вас есть данные во временной области, вы можете использовать преобразование Фурье данных, чтобы исследовать любой гармонический контент более высокого порядка, генерируемый в схеме.

Другим вариантом является использование анализа малых сигналов для преобразования нелинейной схемы в линейную, где смещение постоянного тока является рабочей точкой. Это позволяет вам исследовать Vp-p << Vdc, малый режим Vdc и получать достаточно точные результаты. Затем вы можете исследовать поведение вокруг различных рабочих точек, используя развертки переменного и постоянного тока.

Если вам нужно построить высокоточные схемы настройки, вам нужно использовать лучшее программное обеспечение для проектирования и анализа печатных плат. Инструменты моделирования в PSpice Simulator для OrCAD и полный набор инструментов анализа от Cadence идеально подходят для анализа поведения любой схемы с варакторным диодом. У вас также будет доступ к инструментам поиска компонентов производителя, когда вы будете готовить исходные компоненты для своей системы.