ТЭК электроникс — официальный сайт производителя автосигнализации Призрак
Охранно-противоугонные системы для Вашего автомобиля
Разработка
Производство
Продажа
Поддержка
В 2020 году продукцию ПРИЗРАК, высоко оценив качество и технологии «ТЭК электроникс», ввели в свой ассортимент представительства автопроизводителей:
Мазда Мотор Рус
Субару Мотор Рус
Лада-имидж
GSM-сигнализации ПРИЗРАК традиционно выбирают
мировые дилеры автомобильных брендов:
Высокотехнологичное решение, способное профессионально защитить автомобиль от действий злоумышленников
Связь четвертого
поколения
Две
SIM-карты
Bluetooth
технологии
Оптимальное решение, способное
надежно обеспечить охрану автомобиля
Двухконтурная защита
Дистанционный автозапуск
Датчики удара и наклона
Высокотехнологичное решение, способное профессионально защитить автомобиль от действий злоумышленников
Трёхконтурная защита
Дистанционный автозапуск
Встроенный модуль GPS/ГЛОНАСС
Новости
Все новости
«Автозапуск с Призраком»
Самое выгодное предложение под брендом Призрак для автозапуска на ваш автомобиль.
С 1 октября до 30 декабря 2022 года компания-производитель ТЭК электроникс устанавливает специальные цены на следующие эталонные GSM-сигнализации с автозапуском:
Призрак-8L/Smart –…
Завершение акции «При покупке Призрак-5S/BT BT-реле в подарок»
Напоминаем, что компания ТЭК электроникс, производитель эталонных систем защиты от угона под маркой Призрак, 30 сентября завершает беспрецедентную акцию: при покупке иммобилайзера Призрак-5S/BT вы получаете в подарок единственное в мире несканируемое BT-реле Призрак. Если вы будете покупать …
Призрак ПО v499
Новые модели авто из Поднебесной — вот краткое описание очередного обновления для систем Призрак. В ПО v499 появилась поддержка автомобилей GAC GS5 (2018—), GAC GS8 (2016—) и FAW X40 (2016—) с классическим замком зажигания. Для всех перечисленных…
Какие преимущества вы получите, покупая GSM-автосигнализации Призрак с автозапуском?
Смотрите здесь 〉
Каталог нашей продукции
Подробнее 〉
Рекомендуем посмотреть
Новинка
Призрак-5S/BT/Slim
12 460
Новинка
BT-реле Призрак 10A
6 420
Новинка
BT-реле Призрак 1A (2х3)
5 920
Новинка
BT-реле Призрак 1A (2х3)/Implant
5 920
Новинка
Призрак-810 4G
30 740
Новинка
Призрак-830 4G
32 640
Лидер продаж
Призрак-830/BT
27 680
Лидер продаж
Призрак-8L
15 810
FanControl-GSM
Управляйте «климатом» со своего телефона
- Управление автономным
отопителем - Контроль температуры: двигателя,
салона и за бортом - Определение местоположения
автомобиля
- Активация климатической системы для
прогрева салона и оттаивания лобового стекла - Информация о состоянии
автомобиля - Режим «Отпуск» выключает
автоматические запуски
Подробнее
Блог
Все статьи
Вы, возможно, спросите, почему Призрак?
Когда-то,
на заре становления «ТЭК электроникс», мы задались целью изменить привычные на
тот момент представления о способах защиты автомобилей от угона.
И разработали
совершенно особенные охранные системы.
Подробнее
Какую сигнализацию выбрать?
Наверняка, каждому владельцу автомобиля, приходилось решать для себя непростой вопрос — какую сигнализацию установить? Ища ответ на этот вопрос, перечитать сотни статей на десятках сайтов и форумов, расспросить знакомых, соседей, друзей и других специалистов.
Подробнее
Почему срабатывает сигнализация?
В этой статье мы попытались привести наиболее часто встречающиеся причины, вызывающие срабатывание сигнализации. Для кого-то эта статья может показаться прописной истинной. Не будем вас переубеждать. Здесь собрана информация для тех, кто не знает как работает сигнализация, но хочет в этом разобратьс…
Подробнее
Обзоры
Ознакомиться с обзорами противоугонных систем Призрак, узнать об особенностях их установки и функционала, посмотреть видеоотчеты о проведенных акциях — это и многое другое Вы найдете в разделе «Видео».
0:00 / 0:00
×
Позвоните нам: +7 (495) 668-12-24
или Закажите обратный звонок
Заказ обратного звонка
Страна *БеларусьКазахстанРоссияУкраина Выберите страну
Укажите номер телефона
Тема обращения *Отдел продажТехподдержкаПодбор оборудования Выберите тему обращения
Обратный звонок
осуществляется в будние дни
с 9.00 до 19.00 по МСК
Я согласен на обработку моих персональных данных в соответствии с Федеральным Законом № 152-ФЗ «О персональных данных» в целях рассмотрения моего обращения.
Ваша заявка принята.
Мы перезвоним Вам в течение
часа с 9.00 по 19.00 МСК,
кроме выходных.
Ваша заявка принята.
Мы перезвоним Вам в течение
часа с 9.00 по 19.00 МСК,
Вы сможете отправить следующее сообщение через 10 минут.
Бытовая техника и электроника: ТВ, смартфоны и другое
Смотреть только с попкорном!
Самые яркие летние фильмы
Звук – вокруг!
Все, что вам нужно знать про LG OLED evo
Ни капли рутины: преимущества влажной уборки с пылесосами LG
Объективно красивая: премиальная коллекция техники для кухни LG Objet
Гармония искусства и технологий: коллекция LG SIGNATURE
Поговорим начистоту: как понять, что ваш пылесос устарел и требует замены?
Доверяй и проверяй со Smart Diagnosis от LG
Мощность в компактном исполнении: это нужно услышать!
Не рутина, а чистое удовольствие
Свежее решение для вашего здоровья и безопасности
Правильный выбор: техника для кухни LG и новейшие тренды в здоровом питании
Чистая работа: как пылесосы LG помогают в уборке хозяевам домашних питомцев
Жизнь в вашем вкусе
7 причин выбрать новые LG TONE Free серии FP
8 идей подарков на 8 Марта
Какой саундбар подходит именно вам?
5 способов оставаться здоровыми этой зимой
CES 2022: LG подтверждает свое лидерство в области устойчивого экологического развития
LG совершенствуют решения по уходу за одеждой
Какой телевизор LG подходит именно вам?
Идеи новогодних подарков от LG
Как искусственный интеллект улучшает телевизионные технологии
Время исполнения желаний с LG OLED
Руководство по покупке телевизора 4K ULTRA HD
7 мифов о сушильных машинах
«Зеленая» кухня или несколько осознанных изменений на пути к будущему
Как организовать эффективный домашний офис
Как правильно обустроить работу на удаленке
Зачем в стиральной машине пар?
РАСКРЫВАЕМ «ТАЙНУ КРАСНЫХ ВИНОГРАДНИКОВ»
«ХОЧУ LG Styler, НО КУДА ЕГО ПОСТАВИТЬ?!»
КАК ВЫБРАТЬ ПРАВИЛЬНЫЙ ЦИКЛ СТИРКИ
«ДРУЗЬЯ ПРИРОДЫ»: ЭКО-ФРЕНДЛИ ДОМАШНЯЯ ТЕХНИКА
ПУТЕШЕСТВУЙТЕ НА ЗДОРОВЬЕ!
ЛЕГКИЙ СПОСОБ СОХРАНЯТЬ ПРОДУКТЫ СВЕЖИМИ
ЧТО СЛЕДУЕТ ЗНАТЬ О СТИРАЛЬНЫХ МАШИНАХ LG
НЕЗАМЕТНАЯ РЕВОЛЮЦИЯ
ТЕЛЕВИЗОРЫ NANOCELL 2021: ЧТО НОВОГО?
4 ПРИЧИНЫ ВЫБРАТЬ ВСТРАИВАЕМУЮ ТЕХНИКУ
ИСТИНА — В ШКАФУ, ИЛИ 5 СВОЙСТВ ХОРОШЕГО ВИННОГО ШКАФА
ЖИЗНЬ КАК ПУТЕШЕСТВИЕ — С LG GRAM
5 НЕОЖИДАННЫХ ВЫГОД МИНИМАЛИЗМА
СИЛЬНЫЕ ЭМОЦИИ ОТ ЯРКИХ ФУТБОЛЬНЫХ СОБЫТИЙ С НОВОЙ СЕРИЕЙ ТЕЛЕВИЗОРОВ LG OLED С1
ОТКРОЙТЕ МИР С LG
КАК ОБУСТРОИТЬ КУХНЮ И НЕ ПОЖАЛЕТЬ ОБ ЭТОМ
РАЗРУШАЕМ 7 МИФОВ О СУШИЛЬНЫХ МАШИНАХ
OLED: ЧАСТО ЗАДАВАЕМЫЕ ВОПРОСЫ
БЕСПРОВОДНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ К МИРУ СОВЕРШЕННОГО ЗВУКА
КЛЮЧ К ПАРАЛЛЕЛЬНЫМ МИРАМ: НА ЧЕМ ИГРАТЬ В КУЛЬТОВЫЕ ИГРЫ
3 СИТУАЦИИ, КОГДА БЕЗ ПРОЕКТОРА НЕ ОБОЙТИСЬ
СТЕЛОКЕРАМИЧЕСКИЕ ПАНЕЛИ: ЧТО О НИХ НУЖНО ЗНАТЬ
10 АРГУМЕНТОВ В ПОЛЬЗУ СУШИЛЬНОЙ МАШИНЫ LG
ПОЛЕЗНЫЕ ЗАВТРАКИ ЗА 1, 2 И 3 МИНУТЫ
ПОДАРОК КАЖДОМУ НОВОМУ ДРУГУ
Домашние развлечения — дело техники
5 советов, как упростить домашние заботы
3 причины выбрать LG SIGNATURE
Работаете из дома?
3 способа продлить жизнь любимых вещей
3 способа повысить творческий тонус
Примерить технику в один клик? Да!
Разговоры о будущем на CES 2021
CES 2021: Ноутбуки LG GRAM 2021 года
Немецкое имя с богатой историей
Telefunken — Немецкое имя с богатой историейНемецкое имя с богатой историей
Новинки
01.
09.2022Новинка в модельном ряду портативных аудиосистем TF-PS1281B!
подробнее
29.07.2022
Лучшие портативные музыкальные системы – ТОП-5
подробнее
15.07.2022
Включаем любимую музыку с портативной аудиосистемой TF-PS1237B
Портативная аудиосистема с функцией Bluetooth TF-PS1237B – это сочетание громкости и компактности от компании Telefunken.
подробнее
20.06.2022
TF-MS3303B
Музыкальная система TF-MS3303B от бренда Telefunken – обладает одним из самых высоких показателей пиковой музыкальной мощности в 900 Вт.
подробнее
13.06.2022
TF-PS2212
Линейка портативных музыкальных центров Telefunken продолжает расширяться, радуя поклонников знаменитого немецкого бренда.
подробнее
18.05.2022 10:15:00
TF-LED65S03T2SU\Y.
Внимание! Представляем Вашему вниманию новый телевизор от компании Telefunken с диагональю 65 ‘’ (165 cм).
подробнее
26.04.2022 10:15:00
TF-LED43S97T2SU\Y
Внимание! Представляем Вашему вниманию новый телевизор от компании Telefunken с диагональю 43” (109 см).
подробнее
18.04.2022 10:15:00
Телевизионный ресивер DVB-T2 TELEFUNKEN TF-DVBT260
Наиболее простым и рациональным решением вопроса просмотра цифровых каналов на моделях телевизоров старого образца является приобретение телевизионного ресивера. Бренд Telefunken имеет в своем модельном ряду несколько функциональных и доступных типов таких ресиверов. Сегодня в нашем обзоре речь пойдет о модели TF-DVBT260.
подробнее
02.04.2022 14:30:00
Телевизионный ресивер DVB-T2 TELEFUNKEN TF-DVBT250
Наиболее простым и рациональным решением вопроса просмотра цифровых каналов на моделях телевизоров старого образца является приобретение телевизионного ресивера.
Бренд Telefunken имеет в своем модельном ряду несколько функциональных и доступных типов таких ресиверов. Сегодня в нашем обзоре речь пойдет о модели TF-DVBT250.подробнее
16.02.2022
Вечеринка с музыкальной системой TF-PS2204S от Telefunken!
Мощный звук в 150Вт и яркая динамическая подсветка наполнят окружающую атмосферу музыкальными ритмами и зажигательным настроением.
подробнее
26.01.2022
Устрой танцевальный баттл или караоке-шоу с TF-MS2211!
Линейка портативных музыкальных центров Telefunken продолжает расширяться, радуя поклонников знаменитого немецкого бренда.
подробнее
17.
01.2022Музыкальный центр TF-PS2205 — вечеринка при любых обстоятельствах!
Модель TF-PS2205 обладает приятным дизайном корпуса, удобна в переноске за счет встроенной ручки. Общая выходная мощность колонки — 50 Вт, что для мобильного решения внушительный показатель.
подробнее
11.01.2022
Классика дизайна и легкость пробуждения — лаконичность деталей радиочасов TF-1706
Радио-часы Telefunken TF-1706 — это устройство, в котором совмещены функции радиоприемника, будильника и часов, имеющее классическую устойчивую форму, что очень важно при использовании непосредственно будильника.
подробнее
16.
11.2021Беспроводная колонка TF-PS1243B — качественный звук всегда с тобой!
Бренд Telefunken представляет новую модель портативной акустической системы TF-PS1243B.
подробнее
13.10.2021
Музыкальная система Telefunken TF-PS1283B — это настоящее украшение любого интерьера!
Аудиосистема является настоящим мини музыкальным центром с яркой 3D подсветкой, подстраивающейся под музыку.
подробнее
09.2022
Бренд Telefunken имеет в своем модельном ряду несколько функциональных и доступных типов таких ресиверов. Сегодня в нашем обзоре речь пойдет о модели TF-DVBT250.
01.2022
11.2021Новости
подробнее
ПОСТАВКА ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ — СОУЛ ЭЛЕКТРОНИКС
Telegram
Search
109380, Москва, Проектируемый проезд 4586-й д.
4, стр.13, комната 8+7 (495) 987-45-74
+7 (991) 592-04-14
+7 (991) 592-04-14
Search
Сборка и поставка высококачественных печатных плат по приемлемым ценам
Мы рады предложить своим уважаемым партнёрам сборку и поставку высококачественных печатных плат по лучшим ценам при оптимальных сроках, по любому классу точности и количеству.
Узнать подробнее
Консультация
Односторонние и многосторонние печатные платы
В односторонних печатных платах проводящий рисунок получают на одной стороне фольгированного диэлектрика. Для двусторонних печатных плат используется двусторонний фольгированный диэлектрик…
Узнать подробнее
Консультация
Материалы, используемые при производстве печатных плат
Мы можем предложить сборку и поставку печатных плат из разнообразных материалов, а вы, отправив заявку, сможете выбрать, что по техническим характеристикам подходит именно Вам.
Узнать подробнее
Консультация
SMD монтаж печатных плат любой сложности
Современное оборудование и команда опытных специалистов гарантирует выгодные условия. Мы выполняем поверхностный монтаж печатных плат (SMD-монтаж), используя оборудование премиум-класса.
Узнать подробнее
Консультация
OOO «СОУЛ Электроникс»: SMD монтаж любой сложности. Поставка высококачественных печатных плат
109380, Москва, Проектируемый проезд 4586-й ( ул. Чагинская), д.4, стр.13, комната 8
+7 (495) 987-45-74
+7 (991) 592-04-14
Запросить КП
Search
Сборка и поставка высококачественных печатных плат по приемлемым ценам
Мы рады предложить своим уважаемым партнёрам сборку и поставку высококачественных печатных плат по лучшим ценам при оптимальных сроках, по любому классу точности и количеству.
Узнать подробнее
Консультация
Односторонние и многосторонние печатные платы
В односторонних печатных платах проводящий рисунок получают на одной стороне фольгированного диэлектрика. Для двусторонних печатных плат используется двусторонний фольгированный диэлектрик…
Узнать подробнее
Консультация
Материалы, используемые при производстве печатных плат
Мы можем предложить сборку и поставку печатных плат из разнообразных материалов, а вы, отправив заявку, сможете выбрать, что по техническим характеристикам подходит именно Вам.
Узнать подробнее
Консультация
SMD монтаж печатных плат любой сложности
Современное оборудование и команда опытных специалистов гарантирует выгодные условия. Мы выполняем поверхностный монтаж печатных плат (SMD-монтаж), используя оборудование премиум-класса.
Узнать подробнее
Консультация
О КОМПАНИИ
Компания «Соул электроникс» была основана в 2002 году высокопрофессиональными инженерами, выпускниками технического университета и имеет почти двадцатилетний опыт работы в отрасли производства электроники.
Штат компании укомплектован специалистами, имеющими профильное образование и хорошо знающими все стадии процесса производства электронных изделий. Именно поэтому мы всегда нацелены на глубокую технологическую проработку вопроса и результат, отвечающий всем требованиям, предъявляемым заказчиком.
Мы предоставляем полный комплекс услуг — от подготовки печатных плат до производства готовых изделий.
Подготовка к производству, выбор материала
Подробнее
Сборка и поставка печатных плат высокого качества
Подробнее
Монтаж печатных плат любой сложности
Подробнее
НАШИ ПРЕИМУЩЕСТВА
Весь спектр необходимых печатных плат и монтажа изделий.
Собственное современное технологическое оборудование, производственные мощности в России и Китае.
Монтаж электронных компонентов любого форм-фактора и уровня сложности.
100% контроль качества готовой продукции. Брак в принципе невозможен.
Одни из лучших цен на рынке при минимальном сроке производства и доставки.
Для производства плат используются высококачественные материалы.
Качество изделия определяется и тем, как был произведен последующий монтаж печатных плат. Также немаловажная роль отводится точному контролю, который должен осуществляться во время производства и после монтажа.
ЗАКАЗАТЬ ОБРАТНЫЙ ЗВОНОК
В производстве мы используем следующие материалы:
- Материал FR-4, который получил наибольшую популярность при сборке печатных плат.
- CEM (Composite epoxy material) — композитный эпоксидный материал.
- Алюминиевые печатные платы. Произведены с соблюдением регламента REACH
и соответствуют требованиям RoHS. - СВЧ материалы для сборки печатных плат.
ПЕЧАТНЫЕ ПЛАТЫ НАШЕЙ СБОРКИ
ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ СБОРКИ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ
Multi-function pick and place machine CPM-II
Faroad CPM-II Pick and Place Machine Working
Печь для пайки печатных плат E therm E4 E6
Принтер для нанесения паяльной пасты
Принтер для нанесения паяльной пасты
Система оптического контроля
КОМПАНИЯ
- О компании
- Сборка и поставка печатных плат
- Монтаж печатных плат
- Однослойные и многослойные печатные платы
- Материалы для производства
печатных плат
КЛИЕНТАМ
- Как сделать заказ
- Преимущества компании
- Оплата
- Доставка
- Обратная связь
Telegram
КОНТАКТЫ
- +7 (495) 987-45-74
- +7 (991) 592-04-14
- 109380, Москва, Проектируемый проезд 4586-й ( ул. Чагинская), д.4, стр.13, комната 8
- [email protected]
Чагинская), д.4, стр.13, комната 8Запросить КП
© SOUL ELECTRONICS. 2002-2022.Все права защищены.
Создание сайта: VEKudelin
Запрос КП в компании
«Соул Электроникс»
Для сборки и поставки печатных плат требуется следующая документация:
Воспользуйтесь бланком заказа
Описание слоев (или список файлов GERBER).
Загрузите сюда информационные слои, необходимые для создания печатной платы. Каждому слою соответствует свой файл с описанием.
Принимается информация в любом редакторе: PCAD 4.5, PCAD 8.5, PCAD 2000…2006, ACCEL-EDA, OrRCAD, CAM350, GERBER и т. д.
Прикрепить файл (ы)*
Нажав на кнопку, даю согласие на обработку моих персональных данных. С политикой конфиденциальности ознакомлен и согласен.
Главная страница — Electronic Arts — Официальный сайт EA
Главная страница — Electronic Arts — Официальный сайт EA EA Play FIFA 23 Madden NFL 22 Battlefield™ 2042 Apex Legends The Sims 4 It Takes Two Главная страница — Electronic Arts Новинки Скоро Бесплатные игры EA SPORTS EA Originals Библиотека игр ПК PlayStation 5 Xbox Series X Nintendo Switch Мобильные устройства EA Play Origin Киберспорт EA Play Live Компания Студии EA Вакансии Наши технологии EA Partners Новости Внутри EA Позитивная игра Инклюзивность и разнообразие Вклад в сообщество Люди и культура Окружающая среда Помощь Форумы Родительский контроль Доступность Пресса Инвесторы Тестирование Новинки Скоро Бесплатные игры EA SPORTS EA Originals Библиотека игр ПК PlayStation 5 Xbox Series X Nintendo Switch Мобильные устройства EA Play Origin Киберспорт EA Play Live Компания Студии EA Вакансии Наши технологии EA Partners Новости Внутри EA Позитивная игра Инклюзивность и разнообразие Вклад в сообщество Люди и культура Окружающая среда Помощь Форумы Родительский контроль Доступность Пресса Инвесторы ТестированиеИзбранные игры
Официальный веб-сайт FIFA 23 Официальный веб-сайт NHL 23 Официальный веб-сайт Battlefield 2042 Официальный веб-сайт It Takes Two Официальный веб-сайт Need for Speed: Hot Pursuit Remastered Официальный веб-сайт Apex Legends НовинкиПоследние обновления
Новости EA EA Play FIFA Apex Legends The Sims™ 4 Внутри EAНовая игра про Железного человека от компании Marvel Entertainment и студии…
Electronic Arts Inc.
20.09.2022
Компания Marvel Entertainment и студия Motive объединились и уже разрабатывают новую игру про Железного человека. ПодробнееС 18 октября The Sims™ 4 становится бесплатной
Electronic Arts Inc.
14.09.2022
На трансляции Behind The Sims Summit прозвучат и другие важные новости ПодробнееПодробный разбор EA anticheat для ПК
Electronic Arts Inc.
13.09.2022
EA anticheat обеспечивает бесперебойность игрового процесса на ПК, обнаруживая и предотвращая мошенничество. Ознакомьтесь с ответами на технические вопросы, чтобы узнать больше! ПодробнееОбеспечение честной игры с помощью системы EA anticheat для ПК
Electronic Arts Inc.
13.09.2022
Новая технология EA anticheat для ПК позволяет нам обеспечить честную игру и оградить вас от игроков, использующих уязвимости. ПодробнееEA и KOEI TECMO работают вместе над новой игрой про охоту
Electronic Arts Inc.
12.09.2022
В партнёрстве с Omega Force — японской студией компании KOEI TECMO, за плечами которой серии DYNASTY WARRIORS и SAMURAI WARRIORS, — EA Originals издаст высокобюджетную игру про охоту. ПодробнееНовости команды директоров
Electronic Arts Inc.
29.07.2022
Блейк Йоргенсен завершил подготовку нашего нового финансового директора и сегодня — 29 июля — его последний рабочий день в Electronic Arts.
Мы благодарны за всё, что он сделал для нашей компании, и желаем ему всего наилучшего…
Подробнее
ПодробнееСыграйте в Mass Effect Legendary Edition по подписке EA Play* Pro
Electronic Arts Inc.
14.05.2021
Вернитесь в мир любимой саги, отреставрированной и оптимизированной под разрешение 4K Ultra HD ПодробнееЕще больше FIFA 21 с EA Play — Официальный сайт EA SPORTS
FIFA
03.05.2021
FIFA 21 уже в Play List с EA Play. ПодробнееВ центре внимания EA Play — апрель 2021 года
Electronic Arts Inc.
01.04.2021
Узнайте о новейших играх и наградах, которые теперь доступны по подписке EA Play. ПодробнееПодписка EA Play теперь доступна обладателям Xbox Game Pass для ПК в EA app
Electronic Arts Inc.
18.03.2021
EA app — наша игровая платформа нового поколения для ПК — сейчас находится в открытом бета-тестировании, а мы объединились с Xbox, чтобы предоставить игрокам на ПК ещё больше игр. ПодробнееВ центре внимания EA Play — март 2021 года
Electronic Arts Inc.
01.03.2021
Узнайте о новейших играх и наградах, которые теперь доступны по подписке EA Play и EA Play Pro.
ПодробнееEA Play — Скоро в коллекции The Play List — Весна 2021 года
Electronic Arts Inc.
25.02.2021
Информация о новых играх, которые скоро будут доступны подписчикам EA Play и EA Play Pro. Подробнее ПодробнееFIFA 23 — Пробная версия EA Play «Играйте в числе первых» — Официальный сай…
FIFA
26.09.2022
Начните сезон раньше других с пробным ранним доступом EA Play к FIFA 23 ПодробнееMusqueam x FIFA 23 — Официальный сайт Electronic Arts
FIFA
23.
09.2022
FIFA 23 | Полевые заметки — Обновление к выходу FUT — EA SPORTS
FIFA
21.09.2022
FIFA Ultimate Team™ (FUT) 23 совсем скоро выйдет, и в этом материале мы расскажем о том, что команда запланировала к выходу режима. ПодробнееFIFA 23 — Тед Лассо и «Ричмонд» уже в игре — официальное объявление Electro…
FIFA
21.09.2022
Тед Лассо, Рой Кент и клуб «Ричмонд» появляются в EA SPORTS™ FIFA 23. ПодробнееFIFA 23 | Полевые заметки — Вопросы и ответы по ПК — EA SPORTS
FIFA
13.
09.2022
FIFA 23 | Полевые заметки — Обновление сыгранности FUT — EA SPORTS
FIFA
31.08.2022
В FUT 23 мы стремились повысить многообразие вариантов подбора состава, дать возможность игрокам создавать более разнообразные команды, упростить подбор состава и устранить общие «больные места». Подробнее ПодробнееСобытие «Бейся или бойся» возвращается с 4-мя неделями смертельных развлече…
Apex Legends
29.
09.2022
Обновление механических прицелов
Apex Legends
16.09.2022
Узнайте, как Apex Legends будет улучшать механические прицелы сейчас и в будущем для игры на равных. ПодробнееКОЛЛЕКЦИОННОЕ СОБЫТИЕ APEX LEGENDS™ «ХИЩНЫЙ ЗВЕРЬ»
Apex Legends
15.09.2022
С 20 сентября по 4 октября играйте в новом временном режиме «Оружейная гонка» и не забудьте оценить реликвию Лобы.
ПодробнееТретий год Apex Legends™ Global Series
Apex Legends
14.09.2022
Регистрация на третий год ALGS уже началась. Подробности здесь! ПодробнееОткройте охоту на врагов с новым набором Октейна для Prime Gaming
Apex Legends
12.09.2022
Получите облик Октейна «Радиоактивный» и многое другое бесплатно по подписке Prime Gaming с 15 сентября по 20 октября ПодробнееРуководите охотой с новым набором Вэнтедж для Prime Gaming.
Apex Legends
18.08.2022
Получите облик Вэнтедж «Лидер войска» и многое другое бесплатно по подписке Prime Gaming с 18 августа по 15 сентября.
Подробнее
ПодробнееС 18 октября The Sims™ 4 становится бесплатной
Electronic Arts Inc.
14.09.2022
На трансляции Behind The Sims Summit прозвучат и другие важные новости ПодробнееОбновление: 13.09.2022
The Sims 4
13.09.2022
День сурка ПодробнееВклад сообщества в комплекты «Роскоши пустыни» и «Первые наряды»
The Sims 4
05.
09.2022
Обновление: 30.08.2022
The Sims 4
30.08.2022
Легкий старт с тремя новыми сценариями! ПодробнееЭкспресс-доставка
The Sims 4
10.08.2022
Июль–сентябрь 2022 г. ПодробнееThe Sims™ 4 и нейроразнообразие
The Sims 4
04.08.2022
Новое дополнение для The Sims™ 4 — важный шаг к репрезентации нейроразнообразия в играх EA Подробнее ПодробнееШестилетие премии «Цель и убеждения»
Работа в EA
19.
09.2022
Лето с программой STEAM от EA
Работа в EA
25.08.2022
В этом блоге мы расскажем о летних образовательных программах при поддержке EA, которые помогают молодым людям разного происхождения развивать навыки в сфере естественных наук, технологий, инженерии, искусств и математики (ST… ПодробнееСтройте будущее The Sims в студии Maxis
Работа в EA
01.04.2022
Мы хотим, чтобы творческие игры вдохновляли людей делать мир лучше ПодробнееМеняем мир к лучшему как в наших играх, так и за их пределами
Работа в EA
31.
03.2022
Студия EA Firemonkeys отмечает десятилетие The Sims™ FreePlay
Работа в EA
13.01.2022
Всё началось с желания перенести The Sims на мобильные устройства, однако новая игра стала большим успехом ПодробнееРабота в Full Circle — Мелвин Тео, продюсер игры skate.
Работа в EA
16.12.2021
Узнайте больше про студию Full Circle от Мелвина Тео, продюсера игры skate. Подробнее ПодробнееВы получите не только игры.
Вы получите намного больше. Вас ждут эксклюзивные награды, специальный контент для подписчиков и библиотека лучших игр.
50 сертификатов от ООО «Ру Электроникс», ИНН 7730219976, обновлено 04 Авг 2022
Обновлено: 2022-08-04
Копировать адрес страницы
46 деклараций ООО «Ру Электроникс»
Список сертификатовПо дате регистрации
По статусу
- Дата Продукция Производитель
- 01
Авг
2022 ЕАЭС RU С-CN. НВ63.В.00247/22
Электрические аппараты бытового назначения: оборудование световое: лампы газоразрядные неоновые , Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 17
Июн
2022 ЕАЭС RU С-CN.АЖ40.В.01487/22
Автоматические выключатели Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 09
Июн
2022 ЕАЭС RU С-CN.НВ63.В.00070/22
Электрические приборы бытового назначения, Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 03
Июн
2022 ЕАЭС RU С-CN.АБ53.В.04670/22
Инструмент механизированный, в том числе электрический Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 11
Май
2022 ЕАЭС RU С-CN.АБ53.В.04463/22
Аппараты электрические для управления электротехническими установками, Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 18
Апр
2022 ЕАЭС RU С-CN.НВ26.В.02139/22
Аппараты электрические для управления электротехническими установками: электромагнитное реле, реле импульсные (бистабильные), реле промежуточные, Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 17
Фев
2022
ЕАЭС RU С-CN. АБ53.В.03646/22
Соединители электрические Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 02
Апр
2021 ЕАЭС RU С-CN.НВ65.В.00784/21
Аппараты электрические для управления электротехническими установками: Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 17
Мар
2021 ЕАЭС RU С-CN.НВ65.В.00667/21
Аппараты электрические для управления электротехническими установками: термостаты, Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 09
Июн
2020 ЕАЭС RU С-CN.НР15.В.00318/20
Оборудование световое: светодиодные лампы с напряжением 220В: Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 08
Июн
2020 ЕАЭС RU С-CN.НР15.В.00316/20
Устройство защиты цепи, Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 01
Окт
2019 ЕАЭС RU С-CN.НВ11.В.00097/19
Соединители электрические: клеммники, Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 26
Сен
2019 ЕАЭС RU С-CN.НВ11.В.00077/19
Соединители и контактные элементы для проводов и кабелей на напряжение не более 1000 Вольт: клеммы, Shenzhen Ruichi Electronics Co. , Ltd. - 05
Сен
2019 ЕАЭС RU С-CN.ЛС01.В.00056/19
Приборы электрические бытовые Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 15
Апр
2019 ЕАЭС RU С-CN.АБ88.В.00446/19
Изделия электроустановочные: разъемы, ShenZhen Connectors Co., Ltd. - 12
Апр
2019 ЕАЭС RU С-CN.АБ88.В.00439/19
Изделия электроустановочные: разъемы, ShenZhen Connectors Co., Ltd. - 11
Апр
2019 ЕАЭС RU С-CN.АБ88.В.00389/19
Электрические приборы бытового назначения: Устройства для зарядки аккумуляторов, Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 21
Мар
2019 ЕАЭС RU С-CN.АЖ17.В.01035/19
Автоматический выключатель Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 20
Мар
2019 ЕАЭС RU С-CN.АЖ17.В.00923/19
Изделия электроустановочные: Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 20
Мар
2019 ЕАЭС RU С-CN.АЖ17.В.00922/19
Оборудование световое: Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 01
Мар
2019 ЕАЭС RU С-CN.АЖ17.А.00579/19
Инструменты электронагревательные: Shenzhen Ruichi Electronics Co. , Ltd. - 18
Дек
2018 ТС RU С-CN.АД78.А.00244/18
Устройства зарядки аккумуляторных батарей, Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 29
Авг
2018 ТС RU С-CN.НА27.В.00338
Предохранители электрические, Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 22
Авг
2018 ТС RU С-CN.НА27.В.00263
Лампы газоразрядные неоновые, Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 06
Авг
2018 ТС RU С-CN.АЖ22.В.00064
Соединители электрические : клеммы, клеммники, коннекторы торговая марка «Ruichi», Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 03
Авг
2018 ТС RU С-CN.АЖ22.В.00062
Соединители электрические : клеммы, клеммники, коннекторы торговая марка «Ruichi», Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 03
Июл
2018 ТС RU С-CN.АУ04.В.05891
Шнуры, оснащенные и не оснащенные соединительными приспособлениями Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 29
Июн
2018 ТС RU С-CN.АУ04.В.05805
Аппараты электрические для управления электротехническими установками: термостаты Shenzhen Ruichi Electronics Co. , Ltd. - 06
Июн
2018 ТС RU С-CN.АУ04.В.05353
Аппараты для распределения электрической энергии Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 25
Май
2018 ТС RU С-CN.АУ04.В.05024
Блоки питания, торговой марки «Ruichi» Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 24
Май
2018 ТС RU С-CN.АУ04.В.04996
Аппараты для распределения электрической энергии Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 21
Май
2018 ТС RU С-CN.АУ04.В.04729
Аппараты для распределения электрической энергии: реле торговая марка «Ruichi» Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 21
Май
2018 ТС RU С-CN.АУ04.В.04741
Блоки питания, торговой марки «Ruichi» Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 04
Апр
2018 ТС RU С-CN.АУ05.В.05755
Соединители электрические: клеммники, торговой марки «SANHE» Ningbo New Sanhe Electric Contact Co., Ltd. - 04
Апр
2018 ТС RU С-CN.АУ05.В.05740
Соединители электрические: клеммники торговой марки «ZTM-ELECTRO» TONDA ZTM-ELECTRO LTD. - 16
Мар
2018 ТС RU С-CN.АУ05.В.05321
Изделия электроустановочные: разъемы, торговых марок: «SZC», «RUICHI» ShenZhen Connectors Co., Ltd. - 19
Фев
2018 ТС RU С-CN.АУ05.В.04722
Соединители электрические: клеммники, торговой марки «SANHE» Ningbo New Sanhe Electric Contact Co., Ltd. - 11
Дек
2017 ТС RU С-CN.АУ05.В.03433
Сетевые фильтры торговая марка «Ruichi» Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 13
Ноя
2017 ТС RU С-CN.АД75.В.00455
Граверы (бормашины) электрические торговая марка «Ruichi» Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. - 27
Окт
2017 ТС RU С-CN.АУ04.В.02680
Источники света: Светодиодные лампы, торговая марка «Ruichi» Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd.
НВ63.В.00247/22
АБ53.В.03646/22
, Ltd.
, Ltd.
, Ltd.
- Shenzhen Ruichi Electronics Co., Ltd. 59
- ShenZhen Connectors Co., Ltd. 3
- Ningbo New Sanhe Electric Contact Co., Ltd. 2
- TONDA ZTM-ELECTRO LTD. 1
52Список российских компаний с основным видом деятельности: Торговля оптовая электронным и телекоммуникационным оборудованием и его запасными частями
- ЮЕ КСР 2 055
- ЮЕ-ИНТЕРНЕЙШНЛ 492
- ХОНЕВЕЛЛ 366
- ЭПСОН СНГ 279
- РУСТОН 220
- ЮЕ КСР 95
- ЭФО 93
- МТ-СИСТЕМС 86
- РТС 55
- КОМПОНЕНТА 54
- РУ ЭЛЕКТРОНИКС 50
- ДС КОММЬЮНИКЕЙШН 49
- ЭЛИТАН ТРЕЙД 45
- ТЕХКОМПАНИЯ ОНОР 40
- ВИВО РУС 38
- СОНАР 34
- РАДИАНТ ГРУП 33
- ФОНТЕРИКО 32
- ДРЕВО ЖИЗНИ 31
- ОКСИ-БАЛТ 31
Группы продукции из ТН ВЭД
Код: 8516797000 Приборы электронагревательные, прочие 6.5k Код: 8536699008 Прочие штепсели и розетки на напряжение не более 1000 в 6.1k Код: 8504405500 Преобразователи статические, устройства для зарядки аккумуляторов 6k Код: 8536508000 Прочие переключатели 5.
1k Код: 8504403009
Преобразователи статические: используемые с телекоммуникационной аппаратурой, вычислительными машинами и их блоками прочие
5k Код: 8536901000
Соединители и контактные элементы для проводов и кабелей на напряжение не более 1000 В
5k Код: 8544499108
Провода и кабели с изолированными проводниками диаметром более 0,51 мм, прочие
4.6k Код: 8536490000
Прочие реле
4.3k Код: 8544429009
Проводники электрические прочие, оснащенные соединительными приспособленииями
4k Код: 8504409000
Преобразователи статические, прочие
2.8kГруппы продукции из ЕАЭС
Код: — Технические средства, не включенные в Перечень продукции, подлежащей сертификации к ТР ТС 020/2011 9k Код: — Блоки питания, зарядные устройства, стабилизаторы напряжения 5.6k Код: — Инструмент механизированный, в том числе электрический 4.2k Код: — Низковольтное оборудование, не включенное в Перечень продукции, подлежащей сертификации к ТР ТС 004/2011 3.7k Код: — Для бытового оборудования (бэп, брэа, телефоны, навигаторы, пэвм) 2.
9k Код: —
Электроприборы для нагревания жидкости, кипятильники, чайники, кофеварки, кофемашины, подогреватели детского питания, пароварки, стерилизаторы
1.8k Код: —
Соединители электрические промышленного назначения
1.5k Код: —
Лампы электрические (накаливания общего назначения, компактные люминесцентные, светодиодные)
1.2k Код: —
Реле управления и защиты
1k Код: —
Лампы электрические компактные люминесцентные, светодиодные
941Внутрикомплексный перенос электронов между производными рутения-цитохрома с и цитохром-с-оксидазой
. 1993 24 августа; 32 (33): 8492-8.
doi: 10.1021/bi00084a014.
Поддон L P 1 , S Hibdon, R Q Liu, B Durham, F Millett
принадлежность
- 1 Кафедра химии и биохимии, Арканзасский университет, Фейетвилл 72701.
- PMID: 8395206
- DOI: 10.1021/bi00084a014
Л. П. Пан и др. Биохимия. .
. 1993 24 августа; 32 (33): 8492-8.
doi: 10.1021/bi00084a014.
Авторы
Поддон L P 1 , С. Хибдон, Р. К. Лю, Б. Дарем, Ф. Миллетт
принадлежность
- 1 Факультет химии и биохимии, Арканзасский университет, Фейетвилл 72701.
- PMID: 8395206
- DOI:
10. 1021/bi00084a014
1021/bi00084a014Абстрактный
Методом лазерного импульсного фотолиза изучены реакции бычьей цитохром с-оксидазы с производными цитохрома с лошади, меченными по специфическим аминогруппам лизина (дикарбоксибипиридин)бис(бипиридин)рутением (II). Все производные образуют комплексы с цитохром-с-оксидазой при низкой ионной силе (5 мМ фосфата натрия, рН 7). Возбуждение Ru(II) до Ru(II*) короткой лазерной вспышкой приводило к быстрому переносу электрона на группу трехвалентного гема цитохрома с с последующим переносом электрона на цитохром с-оксидазу. Фотовосстановленный гем Fe(II) в производном цитохрома с, модифицированном по лизину 25 на периферии щелевого домена гема, переносит электрон на CuA с константой скорости 1,1 x 10(4) с-1. Затем CuA переносит электрон на цитохром а с константой скорости 2,3×10(4) с-1. Производные, модифицированные по лизинам 7, 39, 55 и 60, удаленные от щелевого домена гема цитохрома с, имеют почти одинаковую кинетику.
Константа скорости переноса электрона от гема цитохрома с к CuA превышает 10(5) с-1, а константа скорости переноса электрона от CuA к цитохрому а составляет 2 х 10(4) с-1. Производные цитохрома с, модифицированные по лизинам 13 и 27 в щелевой области гема, реагируют намного медленнее, чем другие производные, с внутрикомплексными константами скорости окисления цитохрома с в диапазоне от 1000 до 6000 с-1. Объемная рутениевая группа в щелевой области гема этих производных, по-видимому, изменяет ориентацию связывания, что приводит к снижению скорости переноса электронов.
Похожие статьи
Дизайн фотоактивных комплексов рутения для изучения переноса электронов и перекачки протонов в цитохромоксидазе.
Дарем Б., Миллет Ф. Дарем Б. и др. Биохим Биофиз Акта. 2012 апрель; 1817 (4): 567-74. doi: 10.1016/j.bbabio.2011.08.012. Epub 2011, 10 сентября.
Биохим Биофиз Акта. 2012.
PMID: 215 Бесплатная статья ЧВК. Обзор.
Фотоиндуцированный перенос электронов между цитохромом с пероксидазой и цитохромом с лошади, меченным по специфическим лизинам (дикарбоксибипиридином)(бисбипиридином)рутением(II).
Хам С., Дарем Б., Миллетт Ф. Хам С. и др. Биохимия. 1992 г., 7 апреля; 31 (13): 3472-7. doi: 10.1021/bi00128a022. Биохимия. 1992. PMID: 1313296
Внутрикомплексный перенос электронов между производными рутения-цитохрома с и цитохромом с1.
Heacock DH 2nd, Liu RQ, Yu CA, Yu L, Durham B, Millett F. Heacock DH 2-й и др. Дж. Биол. Хим. 1993 г., 25 декабря; 268(36):27171-5. Дж. Биол. Хим. 1993. PMID: 8262956
Дизайн производного рутения-цитохрома с для измерения переноса электрона на исходный акцептор в цитохром с оксидазе.
Герен Л.М., Бизли М.Р., Файн Б.Р., Сондерс А.Дж., Хибдон С., Пилак Г.Дж., Дарем Б., Миллетт Ф. Герен Л.М. и соавт. Дж. Биол. Хим. 1995 г., 10 февраля; 270(6):2466-72. doi: 10.1074/jbc.270.6.2466. Дж. Биол. Хим. 1995. PMID: 7852307
Перенос электрона в белках, модифицированных рутением.
Bjerrum MJ, Casimiro DR, Chang IJ, Di Bilio AJ, Gray HB, Hill MG, Langen R, Mines GA, Skov LK, Winkler JR, et al. Бьеррум М.Дж. и соавт. J Биоэнергетическая биомембрана. 1995 июня; 27(3):295-302. дои: 10.1007/BF02110099. J Биоэнергетическая биомембрана. 1995. PMID: 8847343 Обзор.
Биохим Биофиз Акта. 2012.
PMID: 21
Посмотреть все похожие статьи
Цитируется
Металлопротеины, содержащие цитохромные, железо-серные или медные окислительно-восстановительные центры.
Лю Дж., Чакраборти С., Хоссейнзаде П., Ю. Ю., Тиан С., Петрик И., Бхаги А., Лу Ю. Лю Дж. и др. Chem Rev. 23 апреля 2014 г .; 114 (8): 4366-469. doi: 10.1021/cr400479b. Химическая версия 2014. PMID: 24758379 Бесплатная статья ЧВК. Обзор. Аннотация недоступна.
Механизм перекачки протонов цитохром-с-оксидазы: подход к кинетическому основному уравнению.
Ким Ю.С., Хаммер Г. Ким Ю.С. и др. Биохим Биофиз Акта. 2012 апрель; 1817 (4): 526-36. doi: 10.1016/j.bbabio.2011.09.004. Epub 2011, 16 сентября. Биохим Биофиз Акта. 2012. PMID: 21
0 Бесплатная статья ЧВК. Обзор.Дизайн фотоактивных комплексов рутения для изучения переноса электронов и перекачки протонов в цитохромоксидазе.
Дарем Б., Миллет Ф. Дарем Б. и др. Биохим Биофиз Акта. 2012 апрель; 1817 (4): 567-74. doi: 10.1016/j.bbabio.2011.08.012. Epub 2011, 10 сентября. Биохим Биофиз Акта. 2012. PMID: 21
5 Бесплатная статья ЧВК. Обзор.
Антиапоптотическая нейропротекторная роль нейроглобина.
Бриттен Т., Скоммер Дж., Райчаудхури С., Берч Н. Бриттен Т. и др. Int J Mol Sci. 2010 27 мая; 11 (6): 2306-21. дои: 10.3390/ijms11062306. Int J Mol Sci. 2010. PMID: 20640154 Бесплатная статья ЧВК. Обзор.
Электрохимия редокс-активных самоорганизующихся монослоев.
Эккерманн А.Л., Фельд Д.Дж., Шоу Дж.А., Мид Т.Дж. Эккерманн А.Л. и соавт. Coord Chem Rev. 1 августа 2010 г .; 254 (15-16): 1769-1802.
doi: 10.1016/j.ccr.2009.12.023.
Координатная химическая редакция 2010 г.
PMID: 20563297
Бесплатная статья ЧВК.
doi: 10.1016/j.ccr.2009.12.023.
Координатная химическая редакция 2010 г.
PMID: 20563297
Бесплатная статья ЧВК.Просмотреть все статьи «Цитируется по»
Типы публикаций
термины MeSH
вещества
Грантовая поддержка
- GM20488/GM/NIGMS NIH HHS/США
Обратимый спилловер водорода в Ru-WO3-x повышает активность выделения водорода при расщеплении воды с нейтральным pH
Обратимый спилловер водорода в Ru-WO 3-x усиливает активность выделения водорода при расщеплении воды с нейтральным pH
Скачать PDF
Скачать PDF
- Артикул
- Открытый доступ
- Опубликовано:
- Цзядун Чен ORCID: orcid.org/0000-0002-3608-6980 1,2 na1 ,
- Chunhong Chen 1 na1 ,
- Minkai Qin 1 NA1 ,
- Ben Li 1 ,
- Binbin Lin 1 ,
- Qing Mao 3 ,
- Hongbin yang 2 , ,
- Hongbin yang 2 , ,
- hongbin yang 2 , ,
- hongbin yang 2 , ,
- hongbin yang 2 , ,
- . ORCID: orcid.org/0000-0002-4685-2052 2,4 и
- …
- Юн Ван ORCID: orcid.org/0000-0001-8043-5757 1
Связь с природой том 13 , Номер статьи: 5382 (2022) Процитировать эту статью
3258 доступов
1 Альтметрика
Детали показателей
Субъекты
- Электрокатализ
- Наноразмерные материалы
Abstract
Электрокатализаторы на основе благородных металлов (например, Pt, Ru и т.
д.) имеют вялую кинетику диссоциации воды при электрохимическом восстановлении воды до молекулярного водорода в щелочных и нейтральных средах с pH. Здесь мы обнаружили, что интеграция наночастиц (НЧ) Ru на кислорододефицитной WO 3-х показал 24,0-кратное увеличение активности реакции выделения водорода (HER) по сравнению с коммерческим электрокатализатором Ru/C в нейтральном электролите. Показано, что дефицитный по кислороду WO 3-x обладает большой емкостью для хранения протонов, которые могут быть переданы НЧ Ru под катодным потенциалом. Это значительно увеличивает покрытие водородом поверхности НЧ Ru в HER и, таким образом, изменяет определяющую скорость стадию HER на Ru с диссоциации воды на рекомбинацию водорода.
Введение
Водород с высокой гравиметрической плотностью энергии является идеальным кандидатом для замены традиционных ископаемых видов топлива, а также ключевым ингредиентом для основных промышленных химикатов (например, для очистки нефти и синтеза аммиака) 1,2,3,4,5 .
Электролиз воды с использованием возобновляемой электроэнергии открывает большие перспективы для экологически чистого производства водорода. Электролиз воды может осуществляться в кислой, нейтральной и щелочной среде, среди которых восстановление воды в нейтральной/щелочной среде протекает гораздо медленнее из-за медленной реакции диссоциации воды 6,7,8 . Следовательно, даже платина (Pt), современный катализатор реакции выделения водорода (HER), проявляет на два-три порядка более низкую активность в нейтральной/щелочной среде по сравнению с кислой средой 9 . Хотя HER в кислой среде проявляет лучшую активность, коррозия оборудования и катализатора ограничивает срок службы. Нейтральная среда обеспечивает более благоприятные условия для сохранения стабильности катализаторов и менее агрессивную среду для электролизеров 10 . А электролизеры, способные работать в нейтральной среде, дают возможность получения водорода непосредственно из морской воды без необходимости опреснения 10,11 .
На практике катализаторы обычно работают при больших перенапряжениях для достижения больших плотностей тока. При этом ранние исследования показывают, что HER в нейтральной/щелочной среде начинается с диссоциации воды (M + e − + H 2 O → M − H ad + OH − , где M относится к сайт и H г. н.э. обозначает адсорбированный H), за которой следует либо реакция Гейровского (H 2 O+E — +M — H AD → M+OH — +H 2 ) или реакция TAFEL TAFEL -реакция TAFEL -реакция TAFEL. (H ad + H ad → H 2 ) 10,12,13 . По сравнению с HER в кислой среде дополнительное расщепление молекул воды для снабжения протонами в нейтральной/щелочной среде является более медленным по кинетике, что приводит к низкому покрытию водородом (M − H ad ) на поверхности катализатора при ГВ.
Для повышения HER в нейтральной/щелочной среде предыдущие подходы в основном были направлены на облегчение вялотекущей реакции диссоциации воды посредством включения определенного компонента (например, гидроксида переходного металла) в каталитически активные частицы (например, Pt) или индукции реконструкции поверхности выставить больше активных сайтов 14,15,16,17,18 .
В процессе диссоциации воды высвобождается H + , который будет связан на поверхности катализатора, подвергаясь рекомбинации водорода с выделением молекулярного водорода. Медленная реакция диссоциации воды в нейтральной/щелочной среде приводит к низкому покрытию H на поверхности катализатора HER, что препятствует катализу HER 19,20,21 . Перелив водорода, миграция атомов активированного водорода, образующихся при диссоциации диводорода, адсорбированного на поверхности металла, на восстанавливаемый носитель из оксида металла, является обычным явлением в гетерогенном катализе 22,23,24,25,26 . Недавно стратегия перелива водорода была принята во внимание при проектировании катализаторов для достижения убедительных характеристик HER, таких как сплавы Pt-CoP 27 , Pt/CoP 28 и Pt/TiO 2 29 электрокатализаторов, обеспечивающих оптимальную активность HER. Тем не менее, стратегии перелива редко изучались на нейтральном HER, и точный механизм распространения водорода для улучшения HER до сих пор неясен.
В этой работе мы разрабатываем эффективную стратегию для значительного увеличения охвата Н на катализаторе при ГВ в нейтральной среде. В частности, мы предлагаем систему наночастиц (НЧ) Ru на оксиде вольфрама с дефицитом кислорода (Ru-WO 3−x ), в которой протоны внедряются в WO 3-x может быть перенесен на НЧ Ru во время HER, тем самым значительно увеличивая водородное покрытие на НЧ Ru и повышая производительность HER. Благодаря комбинированным исследованиям рамановской спектроскопии in situ, электрохимическим измерениям и расчетам DFT было явно продемонстрировано перетекание водорода из WO 3-x в НЧ Ru во время HER. Следовательно, HER-активность Ru-WO 3-x увеличивается в 24,0 раза по сравнению с коммерческим электрокатализатором Ru/C (5,0 мас.%) в 1,0 М фосфатно-буферном растворе (PBS) электролите.
Результаты
Происхождение неудовлетворенной HER-активности Ru/C в нейтральной среде
Ru, имеющий более низкую стоимость, но сравнимую энергию связи водорода по сравнению с Pt 30,31,32,33,34 , рассматривается как один из хороших кандидатов на замену Pt в HER.
Ранние исследования показали хорошую HER-активность коммерческого Ru/C в кислой среде 35,36 . Однако HER-активность Ru/C значительно снижается в нейтральной среде. Чтобы выяснить вялотекущую кинетику HER на Ru/C в нейтральной среде, мы провели микрокинетический анализ. HER-активность коммерческого электрокатализатора Ru/C (5,0 мас.%) сначала оценивали в 1,0 М PBS (рис. 1а). Электрокатализатор Ru/C показывает большое перенапряжение 86 мВ при плотности тока 10 мА см −2 с тафелевским наклоном до 78 мВ dec −1 . Подгонка электрохимических данных с использованием микрокинетической модели показала, что ВВР на Ru/C в нейтральной среде ограничена по скорости на стадии диссоциации воды, что приводит к низкому покрытию водородом ( θ H ) на поверхности Ru во время HER (рис. 1b, дополнительное примечание 1, дополнительные таблицы 1–6 и дополнительные рисунки 1 и 2). Низкий уровень θ H на Ru/C в HER был экспериментально подтвержден с помощью спектроскопии комбинационного рассеяния in situ, где не появляются наблюдаемые пики в диапазоне частот комбинационного рассеяния вибрации Ru-H (рис.
1c) 37,38 . Следовательно, необходимо предложить эффективные стратегии для усиления HER-активности Ru/C в нейтральной среде.
кривая LSV и соответствующий график Тафеля для коммерческого Ru/C (5,0 мас.%), загруженного на CP. Скорость сканирования: 2 мВ/с. b Водородное покрытие в зависимости от плотности тока, полученное из микрокинетического анализа. Микрокинетическая модель построена на основе трех элементарных реакций. c Спектры комбинационного рассеяния in situ, записанные на Ru/C (5,0 мас.%) в 1,0 M PBS в диапазоне потенциалов от –0,6 до –0,9 В относительно Ag/AgCl.
Изображение в полный размер
Оксид вольфрама с дефицитом кислорода (WO 3−x ) демонстрирует превосходную способность запасать протоны в воде 39,40,41 . Если вставленные протоны в WO 3-x подвижны, WO 3-x можно использовать в качестве протонного резервуара для подачи H для увеличения θ H на Ru во время HER, что, таким образом, будет способствовать кинетике HER.
Ru в нейтральной среде. Вдохновленные этой возможностью, мы получили НЧ Ru на кислорододефицитной WO 9.0149 3-x (Ru-WO 3-x ) электрокатализаторов и исследовали их катализ HER.
Синтез и характеристика Ru-WO
3-x Ru-WO 3-x был получен трехэтапным методом, как схематически показано на рис. 2a. WO 3 /CP был сначала синтезирован простым гидротермальным методом, а затем пропитан раствором RuCl 3 с последующей термообработкой в смешанной атмосфере H 2 /Ar (молярное соотношение 10/90) с образованием Ru-WO. 3-x /CP. Кристаллическую структуру свежеприготовленного катализатора Ru-WO 3-x /CP исследовали с помощью рентгеновской дифракции (XRD), как показано на рис. 2b. Ru-WO 3-x /CP показывает четкие дифракционные пики гексагональных WO 3 (JCPDS No. 85-2460) 42 , но не имеет дифракционных пиков, связанных с НЧ Ru, возможно, из-за их малых размеров и низкой содержание.
Кроме того, пики Ru-WO 3−x /CP смещены в сторону больших углов, что указывает на усадку решетки, которая может быть вызвана кислородными вакансиями 40 . Сканирующая электронная микроскопия (SEM) и просвечивающая электронная микроскопия (TEM) были выполнены для исследования морфологической информации. WO 3 /CP демонстрирует нанопроволоки с гладкими поверхностями, выращенные на углеродных волокнах (дополнительный рисунок 3a–d). Изображение одиночной нанопроволоки, полученное с помощью ПЭМ высокого разрешения (HRTEM), дает период решетки 3,84 Å (дополнительный рисунок 3e) 43,44 , что связано с гранью (002) гексагональной формы WO 3 (JCPDS No. 85-2460). Энергодисперсионная рентгеновская спектроскопия (EDX) элементное картирование одиночного WO 9Нанопроволока 0149 3 показывает равномерное распределение элементов W и O (дополнительный рисунок 3f – h). Для сравнения, Ru-WO 3−x /CP отображает шероховатые нанопроволоки (дополнительный рисунок 4a, b), что указывает на успешную загрузку НЧ Ru, что дополнительно подтверждается измерениями ПЭМ (дополнительный рисунок 4c – e).
Оба интервала решетки, возникающие в результате гексагонального WO 3 и гексагонального Ru, хорошо видны на изображениях HRTEM Ru-WO 3−x /CP (рис. 2c, d и дополнительный рисунок 4f). С другой стороны, решеточные полосы WO 3 на краю становятся размытыми, что может быть связано с образованием кислородных вакансий, вызванным восстановлением водорода 45 . Карты элементов EDX показывают равномерное распределение элементов Ru, W и O (дополнительный рисунок 4g). Более того, средний размер НЧ Ru на Ru-WO 3−x /CP составляет 3,5 нм (дополнительный рисунок 4h). Массовое содержание Ru в Ru-WO 3−x /CP было определено как 5,1 мас.% с помощью оптической эмиссионной спектрометрии с индуктивно связанной плазмой (ICP-OES) (дополнительная таблица 7). Образование кислородных вакансий в Ru-WO 3−x /CP было подтверждено измерением электронного парамагнитного резонанса (ЭПР), как показано на рис. 2e. Для исследования валентных состояний и дальнейшего изучения кислородных вакансий в Ru-WO 3-x /CP была проведена рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС).
Ru 3 d 5/2 XPS-спектр на уровне ядра показывает два пика при 280,28 эВ и 281,28 эВ соответственно, что хорошо соответствует Ru(0) и Ru(IV) (рис. 2f) 30,31 . В спектре РФЭС Ru 3 p наблюдаются две пары пиков, в которых доминирующие пики при 461,88 эВ и 484,14 эВ можно отнести к Ru 3 p 3/2 и Ru 3 p 1/2 Ru(0), а остальные пики принадлежат Ru(IV), демонстрируя, что предшественник Ru был успешно восстановлен до металлического Ru. Спектр РФЭС W 4 f Ru-WO 3−x /CP имеет два пика при 35,58 и 37,68 эВ, которые хорошо соответствуют спектрам W 4 f 2/7 и W 4 f . 2/5 W(VI) соответственно (рис. 2г) 40,41 . Кроме того, к W(V) 9 можно отнести еще два деконволютивных пика при 34,53 эВ и 36,63 эВ.0007 43,45 . Примечательно, что в процессе восстановления H 2 /Ar на поверхности носителя WO 3-x может индуцироваться несколько атомов водорода, что также может приводить к появлению W(V).
В спектре XPS O 1 s наблюдаются два деконволютивных пика. Пик с центром при 531,70 эВ отнесен к группам ОН или кислороду решетки, связанному с атомом W(V) (близким к вакансии) 45 . А еще один пик при 530,30 эВ приписывается решеточному кислороду. Процент кислородных вакансий в Ru-WO 3−x /CP составляет около 34,3%, что согласуется с содержанием W(V), полученным из спектра W 4 f XPS. Кроме того, был подготовлен WO 3-x /CP, и соответствующие РФЭС W 4 f и O1 s WO 3-x /CP показали, что также имеется большое количество кислородных вакансий (дополнительное Рис. 5). Для дальнейшего исследования кислородных вакансий в Ru-WO 3-x и WO 3-x мы провели O 2 -температурно-программируемую десорбцию (O 2 -TPD). Соответствующий результат показывает кислородные вакансии в WO 3-x и Ru-WO 3-x , что хорошо согласуется с результатами ЭПР и O 1 s XPS (дополнительный рисунок 6).
a Схематическое изображение, показывающее процедуру приготовления Ru-WO 3-x /CP. b Рентгенограммы WO 3 /CP и Ru-WO 3-x /CP. с HRTEM-изображение Ru-WO 3-x /CP. d Отфильтрованное изображение HRTEM (с использованием фильтра ASBF) и соответствующая структурная модель наночастицы Ru, отмеченная в c Ru-WO 3−x /CP. Синие сферы представляют атомы Ru. e Спектры ЭПР WO 3 и Ru-WO 3−x . f Ru 3 d 5/2 и Ru 3 p XPS спектры Ru-WO 3-x /CP. г W 4 f и O 1 903:35 с XPS-спектры Ru-WO 3−x /CP.
Изображение полного размера
HER характеристики Ru-WO
3−x /CP в нейтральной среде ПБС. По сравнению с WO 3-x /CP и коммерческим Ru/C (5,0 мас.
%)/CP, Ru-WO 3-x /CP демонстрирует значительно улучшенную HER-активность, достигая плотности тока 10 мА. см −2 при перенапряжении всего 19 мВ (рис. 3а). Примечательно, что плотность тока Ru-WO 3-x /CP увеличивается в 24,0 раза по сравнению с коммерческим Ru/C (5,0 мас.%)/CP при потенциале -0,150 В относительно RHE. Между тем, тафелевская крутизна Ru-WO 3−x /CP также значительно снижается до 41 мВ dec −1 (рис. 3б), демонстрируя изменение скорости определяющей стадии (RDS) HER от диссоциации воды. для Ru/C в рекомбинацию водорода для Ru-WO 3−x 46,47 . Примечательно, что Ru-WO 3-x /CP является одним из лучших электрокатализаторов HER, зарегистрированных в нейтральной среде (рис. 3c и дополнительная таблица 8). Кроме того, мы также рассчитали кривые LSV, нормализованные по электрохимически активной площади поверхности, и Ru-WO 3-x /CP по-прежнему показывает гораздо лучшую активность HER, чем Ru/C (5,0 мас.
%)/CP (дополнительные рисунки 7 и 8). Также оценивали активность и стабильность HER при более высоких плотностях тока. Как показано на дополнительном рис. 9., Ru-WO 3-x /CP демонстрирует низкое перенапряжение 225 мВ для достижения плотности тока 1 A см -2 , а потенциал Ru-WO 3-x /CP остается стабильным для достижения 1 А см -2 в хронопотенциометрическом тесте. Помимо активности, Ru-WO 3-x /CP также демонстрирует превосходную стойкость при катализе HER (рис. 3d). Как структура, так и состав Ru-WO 3-x / CP остаются неизменными до и после теста на стабильность HER, что было исследовано с помощью SEM, HRTEM и ICP-OES (дополнительный рисунок 10 и дополнительная таблица 7). Кроме того, чтобы выяснить, влияют ли кислородные вакансии на активность HER, Ru-WO 3 /CP также был синтезирован для сравнения. Как показано на дополнительном рисунке 11, HER-активность Ru-WO 3 /CP лучше, чем у Ru/C (5,0 мас.
%)/CP, но все же намного хуже, чем у Ru-WO 3. −x /CP. Соответствующие графики Тафеля показывают, что кинетика реакции Ru-WO 3 /CP медленнее, чем у Ru-WO 3-x /CP, но быстрее, чем у Ru/C (5,0 мас.%)/CP. . Эти результаты свидетельствуют о том, что оксид вольфрама с дефицитом кислорода полезен для улучшения активности. Более того, Ru-WO 3 /CP остается стабильным в тесте на долгосрочную стабильность, и не наблюдается явного снижения активности HER. Кроме того, WO 3 или WO 3−x постепенно растворяются в щелочном электролите 48,49 . Таким образом, нецелесообразно наносить Ru-WO 3-x в щелочных условиях из-за проблем со стабильностью. Рис. 3: Характеристики HER в 1,0 M PBS. a Кривые LSV в 1,0 M PBS. b Соответствующие графики Тафеля. с Сравнение HER-активности Ru-WO 3-x /CP с другими известными современными электрокатализаторами в 1,0 M PBS.
Соответствующие ссылки для этих зарегистрированных электрокатализаторов показаны в дополнительной таблице 8. d Хронопотенциометрическая кривая, записанная при постоянной плотности катодного тока 20 мА см -2 . Врезка сравнивает кривые LSV до и после теста на стабильность.
Изображение в полный размер
Выяснить происхождение повышенной HER-активности Ru-WO 3−x /CP мы сначала исследовали носитель из оксида вольфрама. Согласно предыдущим сообщениям, создание кислородных вакансий в оксиде вольфрама может увеличить его емкость 40,41 . Поскольку накопление протонов в оксиде вольфрама положительно коррелирует с его емкостными характеристиками, гравиметрическая емкость Ru-WO 3-x , WO 3-x и WO 3 была рассчитана на основе измерений циклической вольтамперометрии (CV). Здесь мы разделили емкостной и диффузионный вклад в измеренную емкость, используя следующее уравнение:0335 I (v) = K 1 ν + K 2 ν 1/2 , где I (V) 1/2 , где I (V) 1/2 , где I (V) 1/2 , где I (V) 1/2 , где I (V) 1/2 , где I (V) 1/2 , где I (V) 1/2 .
и k 2 ν 1/2 — полный ток, емкостной ток и ток, контролируемый диффузией, в CV, соответственно 39 . Результаты при различных скоростях сканирования показывают, что емкость WO 3−x увеличивается примерно в 23,0 раза по сравнению с емкостью WO 9.0149 3 (дополнительные рисунки 12–17). Загрузка Ru NP в WO 3-x может еще больше увеличить емкость в некоторой степени. Кинетику введения/выведения протонов оценивали по уравнению: i = aν b , где i — текущий отклик, a — поправочный коэффициент, ν — скорость развертки и мощность показатель b является параметром для анализа кинетики 50,51 . Значение 0,5 для b означает кинетику, контролируемую диффузией, а значение b Значение 1,0 указывает на идеальное емкостное или неконтролируемое диффузией поведение. Построив график log ( i ) по сравнению с log ( ν ), значение b для Ru-WO 3−x оценивается как 0,99 и 0,82 (дополнительный рис.
13a, b), соответственно, на основе на окислительно-восстановительном пике, что указывает на преобладающее псевдоемкостное поведение экстракции/вставки протонов и на то, что экстракция протонов происходит быстрее, чем их вставка в Ru-WO 3-x .
Для изучения процесса HER была проведена рамановская спектроскопия in situ. Спектры КР in situ Ru-WO 3-x /CP были получены в диапазоне потенциалов от -0,1 до -0,7 В (относительно Ag/AgCl), который включает как область нефарадеевского тока, так и область HER. . Для исходного состояния при разомкнутой цепи типичные пики комбинационного рассеяния WO 3-x наблюдались при 778 см -1 (рис. 4а), что приписывается колебаниям растяжения W-O 45,52 . Сигнал комбинационного рассеяния на 778 см -1 постепенно уменьшалось с увеличением приложенного катодного потенциала, и этот сигнал полностью исчезал при -0,5 В (относительно Ag/AgCl) из-за внедрения протона в WO 3-x 53,54 .
Кроме того, новый пик комбинационного рассеяния при 878 см -1 появился после того, как приложенный потенциал достиг -0,6 В (относительно Ag/AgCl), и интенсивность этого пика еще больше увеличилась с увеличением приложенного катодного потенциала. Основываясь на предыдущих отчетах, пик комбинационного рассеяния на 878 см -1 может быть результатом вибрации растяжения Ru-H 37,38 . Чтобы выяснить принадлежность пика комбинационного рассеяния при 878 см -1 , был проведен эксперимент по изотопному замещению дейтерия. Как только H 2 O был заменен на D 2 O, пик комбинационного рассеяния на 878 см -1 сместился к более низкому волновому числу на 611 см -1 (рис. 4b). Коэффициент сдвига вниз ( γ ) в эксперименте по изотопному замещению можно оценить по формуле: γ = ν (Ru-D)/ ν (Ru-H) (см. подробности в дополнительном примечании 2). Расчетное передаточное число сдвига вниз ( γ ) пика Ru-H составляет ~71,0%, что очень близко к теоретическим 70,0%.
Кроме того, для определения частоты колебаний H* на металлическом Ru был выполнен расчет DFT. Здесь мы рассмотрели две модели Ru. Рассчитанная частота комбинационного рассеяния валентных колебаний Ru-H составила 875 и 880 см -1 для гребня и вершины кластера Ru (рис. 4c). Эти результаты подтверждают принадлежность пика комбинационного рассеяния при 878 см -1 к колебаниям растяжения Ru-H. Когда потенциал был понижен от -0,6 В до -0,2 В (относительно Ag/AgCl) в 1,0 М PBS, характерный рамановский пик валентных колебаний W-O снова появился при -0,5 В (относительно Ag/AgCl) и интенсивность пика увеличивалась с дальнейшим снижением катодного потенциала, что свидетельствует о том, что извлечение протонов началось при -0,5 В (относительно Ag/AgCl) (рис. 4d). Примечательно, что когда приложенный катодный потенциал был увеличен, интенсивность рамановского пика Ru-H сначала оставалась стабильной до -0,5 В (относительно Ag / AgCl), а затем постепенно увеличивалась, предполагая увеличение водородного покрытия на Ru, которое может быть результатом протонного перевод из WO 3-х к Ру НПс.
Кроме того, эксперимент по изотопному замещению дейтерия также следует проводить на WO 3-x /CP. Как показано на дополнительном рисунке 18, нет очевидной разницы между результатами комбинационного рассеяния в экспериментах по изотопному замещению дейтерия и недейтерийному изотопному замещению. В спектрах комбинационного рассеяния можно увидеть только пики комбинационного рассеяния W-O.
a Рамановские спектры in situ Ru-WO 3-x /CP, записанные в 1,0 M PBS, от –0,1 до –0,7 В относительно Ag/AgCl. b Рамановские спектры in situ Ru-WO 3-x /CP, записанные в диапазоне от -0,2 до -0,7 В относительно Ag/AgCl в 1,0 М PBS (в D 2 O). c Вид сбоку и сверху иллюстраций моделей DFT, используемых для расчета рамановской частоты вибрации Ru-H. d Рамановские спектры in situ Ru-WO 3-x /CP, записанные в 1,0 M PBS, от –0,6 до –0,2 В относительно Ag/AgCl.
e Водородное покрытие в зависимости от плотности тока, полученное из микрокинетического анализа. f Подогнанные данные C φ при различных перенапряжениях для различных электрокатализаторов в процессе ВВ в 1,0 М PBS. г Потенциал начала введения и извлечения H + для Ru-WO 3-x /CP и WO 3-x /CP. ч CV-кривая WO 3-x , записанная в 1,0 M PBS. Скорость сканирования: 5 мВ/с. i CV-кривая Ru-WO 3-x , записанная в 1,0 М PBS. Скорость сканирования: 5 мВ/с.
Изображение в натуральную величину
Кроме того, покрытие водородом ( θ H ) на Ru-WO 3−x /CP в HER изучали с помощью микрокинетического анализа (дополнительное примечание 1, дополнительные таблицы 1–6 и дополнительные рисунки 1 и 2). По сравнению с θ H на Ru/C (5,0 мас.%)/CP (рис. 1b), θ H на Ru-WO 3−x /CP значительно увеличивается (рис.
4e) , хорошо совпадающий со спектрами комбинационного рассеяния in situ (рис. 1c и 4a). Далее было проведено измерение спектроскопии электрохимического импеданса Operando (EIS) для изучения процесса адсорбции/десорбции водорода в HER 9.0007 27,53 . Полученные данные EIS были смоделированы с использованием модели эквивалентной схемы, как показано на дополнительном рисунке 19 и в дополнительной таблице 9. Первая параллельная цепь с одним резистором ( R c ) и одним элементом с постоянной фазой (CPE 1 ) , соответствует внутреннему слою электродного материала, где R c — сопротивление переносу заряда, а CPE 1 соответствует емкости двойного слоя. Вторая параллельная схема моделирует межфазный перенос заряда электролит-катализатор 27,55,56 , который может отражать поведение промежуточной адсорбции водорода на каталитически активных центрах ( R i представляет собой сопротивление переносу заряда, а Cφ представляет собой псевдоемкость адсорбции водорода).
Cφ как функцию перенапряжения интегрировали для расчета заряда адсорбции водорода ( Q H* ). По сравнению с Q H* для Ru/C (5,0 мас.%)/CP, Q H* (происходит из Ru) ( Q H*(Ru-WO3-x/CP) − Q H*(WO3-x/CP) ) для Ru-WO 3-x /CP сильно возрастает (рис. 4f ), что хорошо согласуется со значительно увеличенным θ H на Ru-WO 3-x /CP, полученным из микрокинетического анализа.
Для изучения факторов, влияющих на введение/выведение протонов из оксида вольфрама, были также проведены рамановские измерения in situ на WO 3−x /CP (дополнительный рисунок 20). Сравнивая начальный потенциал внедрения/экстракции протона, обнаружено, что введение Ru в WO 3−x приводит к более положительному начальному потенциалу для вставки протонов, в то время как к более отрицательному начальному потенциалу для экстракции протонов (рис. 4g). Это указывает на то, что НЧ Ru могут не только способствовать внедрению протона, но и ускорять извлечение протона из WO 3-x .
Кроме того, CV выполняли в 1,0 M PBS, чтобы исследовать поведение вставки/экстракции протонов (рис. 4h, i). На CV-кривых очевидные пики внедрения протонов наблюдаются на WO 3−x при 0,160 В (относительно RHE) и Ru-WO 9.0149 3−x при 0,288 В (относительно RHE) 39,40 . Кроме того, на Ru-WO 3-x можно наблюдать отчетливый пик выделения протонов при 0,422 В (по сравнению с RHE), но не на WO 3-x , что убедительно свидетельствует о том, что НЧ Ru могут способствовать извлечению протонов из WO . 3-х .
Теоретическое понимание обратимого распространения водорода в HER
Чтобы получить некоторое теоретическое представление о том, может ли иметь место распространение водорода от WO 3−x к НЧ Ru, были проведены расчеты DFT для определения энергетического барьера переноса водорода. Изменение свободной энергии Гиббса на каждом этапе переноса водорода из внутренней части WO 3−x на поверхность НЧ Ru.
Поскольку перелив водорода происходит на WO 3-x со вставленным протоном (H x WO 3-x ), умеренное количество H было добавлено в модель WO 3-x в исходном состоянии для имитации реальной ситуация. Как показано на рис. 5а–в, адсорбция водорода крайне слаба на внешней поверхности H x WO 3–x (позиции 2, 3 и 4), тогда как на внутренней поверхности она становится значительно сильнее (позиция 1). ), предполагая, что внутренняя часть H x WO 3-x более благоприятен для адсорбции водорода. Разница в адсорбции водорода между внутренней и внешней поверхностью приводит к большой разнице в свободной энергии Гиббса адсорбированного водорода (Δ G H* ) между сайтом 1 и сайтом 2 с термодинамическим барьером 0,44 эВ. При этом кинетический барьер переноса водорода с позиции 1 на позицию 2 был рассчитан равным 0,62 эВ, что свидетельствует о трудности переноса водорода с позиции 1 на позицию 2.
Напротив, Δ G H* значения сайтов 2, 3 и 4 на Ru-H x WO 3−x становятся более отрицательными, что предполагает значительно улучшенную адсорбцию водорода на внешней поверхности Ru-H x WO 3-х . Благодаря усиленной адсорбции водорода термодинамический барьер переноса водорода с участка 1 на участок 2 снижается до 0,11 эВ. Кроме того, было рассчитано, что кинетический барьер переноса водорода (от участка 1 к участку 2 на Ru-H x WO 3-x ) составляет 0,25 эВ, что свидетельствует о том, что процесс переноса водорода значительно ускоряется на Ru-H x WO 3−x . Кроме того, установлено, что адсорбция водорода на поверхности Ru (участок 5) сильнее, чем на H x WO 3−x , о чем свидетельствует наиболее отрицательное значение Δ G H* , равное −0,078 эВ. на участке 5. Следовательно, адсорбированный водород может самопроизвольно переходить с внешней поверхности H x WO 3–x на Ru (с участка 4 на участок 5).
Чтобы раскрыть процесс облегченного переноса водорода на Ru-WO 3-x , была рассчитана разность плотности заряда для изучения распределения заряда на границе раздела. Как показано на рис. 5г, под поверхностным слоем WO 9 наблюдается накопление электронов.0149 3-х . Электроны высокой плотности благоприятны для захвата атомов водорода за счет взаимодействия с ненасыщенными электронами на орбитали H 1s . Следовательно, адсорбция водорода значительно усиливается на внешней поверхности WO 3-x . Более того, накопление электронов под поверхностным слоем WO 3-x также притягивает протоны внутри к поверхности за счет электростатического взаимодействия. В результате перелив водорода из WO 3-x в Ru термодинамически и кинетически облегчается. Далее, чтобы исследовать причину переноса заряда между НЧ Ru и WO 3−x были рассчитаны функции выхода (ϕ) Ru и WO 3−x . Было определено, что работа выхода НЧ Ru составляет 4,91 эВ, что намного меньше, чем у WO 3−x (9,14 эВ), что свидетельствует о переносе электрона от Ru к WO 3−x (рис.
5e и дополнительные рисунки 21). и 22). Принимая во внимание распределение размеров НЧ Ru, также была рассчитана работа выхода объемного Ru, которая немного больше, чем у НЧ Ru, но все же намного меньше, чем у WO 3−x 9.0150 . В сочетании с приведенным выше анализом разумное объяснение перелива водорода из WO 3-x в Ru дается следующим образом: разница в работе выхода между НЧ Ru и WO 3-x приводит к накоплению электронов на недрах WO. 3−x , который усиливает адсорбцию водорода, а также выводит движущиеся внутренние протоны на внешнюю поверхность. Кроме того, были также выполнены расчеты DFT, чтобы выявить изменение свободной энергии при переносе H и электронную структуру Ru-WO 9.0149 3 /CP (дополнительный рис. 23). Изменение свободной энергии при переносе H Ru-WO 3 /CP сравнимо с таковым для Ru-WO 3−x /CP, а барьер кинетической энергии Ru-WO 3 /CP от участка 1 к участок 2 определяется как 0,31 эВ, что лишь немного выше, чем у Ru-WO 3-x /CP, что указывает на то, что перенос H также благоприятен на Ru-WO 3 /CP.
Разность зарядов Ru-WO 3 /CP также показывает, что электроны переходят от Ru к WO 3 , который совпадает с номером Ru-WO 3-x /CP.
a Расчетная диаграмма свободной энергии для HER на Ru-H x WO 3−x и H x WO 3−x . b Оптимизированная структура адсорбции H* на различных участках Ru-H x WO 3−x . c Оптимизированная структура адсорбции H* на различных участках H x WO 3-х . d График разницы электронной плотности на границе раздела Ru-WO 3-x . Накопление и истощение электронов показаны желтым и синим цветом соответственно. e Расчет работы выхода для различных Ru и WO 3−x .
Изображение полного размера
Для исследования RDS HER на Ru-H x WO 3−x мы провели расчеты DFT для исследования энергетического барьера стадий реакции.
Хорошо известно, что диссоциация воды является РДС при окислении воды в щелочных и нейтральных средах, что можно вывести из очень больших наклонов Тафеля. Реакция Гейровского и реакция Тафеля тесно связаны со свободной энергией Гиббса адсорбированного водорода (Δ G H* ), что является типичным дескриптором HER. Мы рассчитали энергетический барьер диссоциации воды и Δ G H* на различных сайтах для изучения РДС HER, происходящего на Ru-H x WO 3-x . Как показано на дополнительных рис. 24–26, барьер диссоциации воды на Ru составляет около 0,46 эВ, а на WO 3−x — около 0,35 эВ. Диссоциация воды на WO 3-x более благоприятна, чем на Ru. При дальнейшем увеличении перенапряжения WO 3−x диссоциирует воду с образованием протонов, которые также могут передаваться Ru. ОН на поверхности WO 3-x подвергается десорбции и затем быстро захватывается буферным электролитом. Концентрация OH на поверхности катализатора низкая, потому что буферный электролит может быстро реагировать с десорбированным OH с образованием H 2 O.
Как показано на дополнительных рисунках. 27 и 28, Δ G H* на угловых и краевых участках кластеров Ru Ru-H x WO 3−x близки к 0 эВ, что является термодинамически нейтральным состоянием. Для дальнейшего изучения процесса реакции мы рассчитали энергетические барьеры стадии Тафеля и стадии Гейровского на Ru соответственно. Как показано на дополнительных рис. 29–31, стадия Гейровского демонстрирует более низкий энергетический барьер, чем стадия Тафеля, что позволяет предположить, что атомы водорода на Ru, перенесенные из WO 3-x , имеют тенденцию следовать механизму Гейровского для образования диводорода. В качестве энергетического барьера переноса водорода из WO 3−x в Ru составляет всего 0,25 эВ, весь процесс образования диводорода, включая перенос атомов водорода из WO 3−x в Ru с последующим этапом Гейровского для получения диводорода, имеет энергетический барьер 0,38 эВ. , что указывает на то, что стадия Гейровского является стадией, ограничивающей скорость в этом процессе (рис.
5а). Однако диводород, образующийся при диссоциации воды над самим Ru, имеет более высокий энергетический барьер 0,46 эВ, что позволяет предположить, что этот процесс более сложен, чем спилловерный механизм для образования молекулярного водорода. Следовательно, атомы H, участвующие в реакции, имеют тенденцию возникать в результате переноса H от H x WO 3-x на Ru, а не диссоциацию воды на Ru Ru-WO 3-x /CP.
На основании вышеизложенных исследований предлагается возможный механизм, объясняющий сильно повышенную HER-активность Ru-WO 3-x в нейтральной среде (рис. 6). Под приложенным катодным потенциалом протоны в электролите внедрялись в дефицитный по кислороду WO 3-x , а затем соединялись с электронами с образованием H x WO 3-x . Большое количество кислородных вакансий в WO 3−x значительно увеличил емкость хранения протонов и в то же время улучшил перенос заряда. В результате дефицит кислорода WO 3-x служил резервуаром протонов для доставки протонов на поверхность Ru, которые рекомбинировали с выделением молекулярного водорода.
При дальнейшем увеличении перенапряжения WO 3−x будет диссоциировать воду с образованием протонов, которые также перекинутся на Ru. Спилловер водорода из WO 3-x в Ru изменил RDS HER на Ru в нейтральной среде с диссоциации воды на рекомбинацию водорода, что значительно улучшило кинетику HER (обозначено как путь 1). Кроме того, рекомбинация водорода на H x WO 3-x (обозначается как путь 2) и образование водорода на НЧ Ru (обозначается как путь 3), где весь водород обеспечивается диссоциацией воды на Ru, являются неблагоприятными.
Схематическая диаграмма, показывающая, как перенос водорода из WO 3−x в Ru усиливает HER в нейтральной среде. Белые и красные стрелки указывают на процесс образования ОН и Н в результате диссоциации воды соответственно. Черные стрелки указывают на процесс переноса Н. Фиолетовые стрелки указывают на десорбцию адсорбированного на поверхности ОН.
Синие, оранжевые и зеленые стрелки указывают на разные пути образования молекулярного водорода.
Полноразмерное изображение
Обсуждение
Подводя итог, мы сообщаем о конструкции и характеристиках Ru-WO 3-x для облегчения различных частей многостадийного процесса HER в нейтральной среде: дефицит кислорода WO 3-x обладает большой емкостью для хранения протонов, которые могут переноситься на поверхность НЧ Ru под катодным потенциалом. Этот спилловер водорода из WO 3-x в Ru изменяет РДС ВВ на Ru в нейтральной среде с диссоциации воды на рекомбинацию водорода, что значительно улучшает кинетику ВВ.
Methods
Materials
Ruthenium (III) chloride anhydrous (RuCl 3 ) and ammonium metatungstate hydrate ((NH 4 ) 6 H 2 W 12 O 40 ·xH 2 O) с содержанием металлов 99,5% были приобретены у Shanghai Macklin Biochemical Co.
, Ltd. Калия фосфат одноосновный (KH 2 PO 4 , AR, 99,5%) и калия гидрофосфат (K 2 HPO 4 , ≥98%, ACS) были получены от Shanghai Aladdin Bio-Chem Technology Co., Ltd. Копировальная бумага TGP-H-060 TORAY (CP) была приобретена у Suzhou Sinero Technology Co., Ltd. Этанол (CH 3 CH 2 OH, AR, ≥99,5%) и ацетон (C 3 H 6 O, AR, ≥95%) были приобретены у Sinopharm Chemical Reagent Co., Ltd. Ацетат никеля(II) тетрагидрат (Ni(OCOCH 3 ) 2 ·4H 2 O, AR, 98%), гексагидрат платинохлористоводородной кислоты (H 2 PtCl 6 ·6H 2 O, O, реагент ACS3 на основе Pt), боргидрид натрия (NaBH 4 , гранулированный, 99,99% на основе микроэлементов), гидроксид натрия (NaOH, реагент ACS, ≥97,0%, гранулы) и оксид молибдена(VI) (MoO 3 , нанопорошок, 100 нм (ПЭМ), 99,5% на основе следов металлов) были приобретены у Sigma-Aldrich.
Все химические вещества использовали в том виде, в каком они были получены, с очисткой. Во всех экспериментах использовалась сверхчистая вода (деионизированная).
Получение WO
3 /CPКусок CP (4 см × 3 см × 0,19 мм) очищали ультразвуком в ацетоне в течение 15 мин, а затем сушили на воздухе. (NH 4 ) 6 В 2 Ш 12 O 40 ·xH 2 O (4,0 ммоль, 11,825 г) растворяли в 60,0 мл сверхчистой воды с последующим перемешиванием магнитной мешалкой в течение 20 мин до получения гомогенного раствора. Вышеупомянутый раствор переносили в автоклав на 100 мл и вертикально помещали CP в раствор. Затем автоклав нагревали при 180°С в течение 16 ч. Полученный WO -3-/CP промывали в деионизированной воде и сушили при 70 °C в течение ночи.
Подготовка WO
3-x /CP WO 3 /CP (1 см × 1,5 см) отжигали при 400 °С в течение 2 ч при скорости нагрева 5 °С/мин в атмосфере H 2 /Ar (10/90) с получением WO 3-x /КП.
Приготовление Ru-WO
3−x /CPRuCl 3 (40,0 мг) растворяли в 20,0 мл деионизированной воды с помощью магнитного перемешивания и обработки ультразвуком с получением раствора RuCl 3 с концентрацией 2,0 мг/мл. WO 3 /CP (1 см × 1,5 см) погружали в 10 мл 2,0 мг/мл раствора RuCl 3 на 2 мин. Впоследствии WO 3 /CP вынимали и сушили в инфракрасном эксикаторе в течение 8 мин с получением RuCl 3 -WO 3 /CP. Наконец, RuCl 3 -WO 3 /CP отжигали при 400 °С в течение 2 ч при скорости нагрева 5 °С/мин в атмосфере H 2 /Ar (10/90) с получением Ru- WO 3-x /CP.
Приготовление Ru-WO
3 /CP NaBH 4 (100,0 мг) растворяли в 20,0 мл 1,0 М раствора NaOH при магнитном перемешивании с получением 5,0 мг/мл NaBH 4 раствор. WO 3 /CP (1 см × 1,5 см) погружали в 10 мл 2,0 мг/мл раствора RuCl 3 на 2 мин.
Затем WO 3 /CP вынимали и сушили в инфракрасном эксикаторе в течение 8 мин с получением RuCl 3 -WO 3 /CP. Наконец, RuCl 3 -WO 3 /CP погружали в раствор NaBH 4 с концентрацией 5,0 мг/мл на 10 мин с получением Ru-WO 3 /CP.
Характеристики материалов
Мощные рентгенограммы были записаны на приборе Rigaku Ultima IV (излучение Cu Kα, λ = 1,54 Å) дифрактометра при рабочем напряжении 40 кВ и токе 20 мА. Измерение HRTEM проводилось на JEOL JEM-2100F с ускоряющим напряжением 200 кВ. Спектры XPS были получены на приборе Thermo Scientific ESCALAB 250Xi с излучением Al Kα (1486,6 эВ). СЭМ-изображения были получены на микроскопе Hitachi SU8010. Спектроскопический анализ комбинационного рассеяния был выполнен на спектрометре комбинационного рассеяния JY, HR 800 с лазером 514 нм. Эксперимент ЭПР проводился на Bruker A300-10/12. Температурно-программируемая десорбция кислорода (O 2 -TPD) анализ проводили на полностью автоматическом хемосорбционном приборе BELCAT II (MicrotracBEL).
Процедуры были следующими: (1) каждый образец предварительно обрабатывали потоком гелия (50 мл мин -1 ) при 300 °C в течение 30 мин; (2) образец продували 5% O 2 /He в течение 1 ч при 50 °C для адсорбции O 2 ; 3) образец нагревали до 700 °С со скоростью нагрева 10 °С мин -1 в потоке чистого газа Не. Сигнал десорбции O 2 измеряли детектором по теплопроводности.
Электрохимические измерения
Все электрохимические измерения проводились на электрохимической рабочей станции CHI 760E (CH Instruments Ins.) в трехэлектродной системе при комнатной температуре. Геометрическая площадь КП составляет 1 см ×1 см. Графитовый стержневой электрод и насыщенный каломельный электрод (SCE) использовали в качестве противоэлектрода и электрода сравнения соответственно. Потенциал SCE по сравнению с обратимым водородным электродом (RHE) определяли путем выполнения CV-сканирования (скорость сканирования: 1 мВ / с) в насыщенном водородом электролите с Pt-пластиной как в качестве рабочего электрода, так и в качестве противоэлектрода, и среднее значение два потенциала при нулевом токе на кривой ЦВА расцениваются как потенциал СХЭ против ОВЭ.
Вольтамперометрию с линейной разверткой (LSV) выполняли при скорости сканирования 2 мВ с9.0007 −1 после продувки H 2 в электролите в течение 20 мин. Все потенциалы в LSV скорректированы по iR. Сопротивление для iR-компенсации тестировалось при потенциале холостого хода. ЭИС проводилась в диапазоне частот от 10 5 Гц до 10 −3 Гц. Все потенциалы относятся к RHE по уравнению Нернста: E (RHE) = E (SCE) + 0,0591 × pH + 0,242 В, если не указано иное. В целом, 1,0 M фосфатно-буферный раствор (PBS) был приготовлен путем смешивания 1,0 M K 2 HPO 4 с 1,0 M KH 2 PO 4 в объемном соотношении 2:1. В этой работе только потенциалы в спектрах комбинационного рассеяния относятся к электроду Ag/AgCl; все остальные потенциалы относятся к RHE.
Измерения CV для определения удельной емкости
Поскольку CP имеет двухслойную емкость, порошки WO 3 , WO 3-x и Ru-WO 3-x , которые были сняты с WO 3 /CP, WO 3-x /CP и Ru-WO 3-x /CP, использовали для измерений CV.
Чернила для рабочего электрода готовили путем диспергирования 5 мг катализатора в смеси 480 мкл этанола и 20 мкл 5% раствора нафиона с последующей обработкой ультразвуком в течение 30 мин для получения гомогенной дисперсии. 10 мкл чернил наносили на стеклоуглеродный электрод (диаметром 5 мм) и сушили на воздухе; свежеприготовленный электрод служил рабочим электродом. В качестве электрода сравнения и противоэлектрода использовали СКЭ и графитовый стержневой электрод соответственно. Все CV-сканы были выполнены после продувки N 9.0149 2 в электролит на 20 мин.
Измерения спектроскопии комбинационного рассеяния in situ
Спектры комбинационного рассеяния in situ были записаны на спектрометре LabRAM HR Evolution (HORIBA Scientific). Электрохимическая ячейка, используемая для измерения комбинационного рассеяния света, была изготовлена в домашних условиях компанией Teflon, а кварцевая пластина использовалась в качестве окна для пересечения лазера. Pt-проволока и электрод Ag/AgCl (1,0 M KCl в качестве внутреннего заполняющего электролита) применялись в качестве противоэлектрода и электрода сравнения соответственно.
Чтобы приложить к катализатору контролируемый потенциал во время измерения комбинационного рассеяния, хроноамперометрию выполняли при различных потенциалах в 1,0 M PBS. Иллюстрация установки операндо рамановской спектроскопии показана на дополнительном рисунке 32.
Расчет DFT
Расчеты теории функционала плотности (DFT) с использованием метода плоских волн проводились в пакете моделирования Vienna Ab Initio Simulation Package. Обменно-корреляционный функционал представлял собой параметризацию Пердью-Берка-Эмзергофа обобщенного градиентного приближения. Взаимодействия электронов с ионами описывались проекционно-присоединенной волной. Взаимодействия Ван-дер-Ваальса были скорректированы методом DFT-D3. Базис плоских волн задавался с энергией отсечки 400 эВ. Зона Бриллюэна была построена с помощью (2 × 2 × 1) сетки k-точек Монкхэста-Пака для всех моделей оптимизации структуры суперячейки. Остаток силы для релаксации всех атомов был установлен равным 0,02 эВ/Å. Параметр решетки, используемый для гексагональной WO 3 составлял 7,51 Å × 7,51 Å × 7,71 Å (a × b × c).
Свободная энергия Гиббса адсорбции водорода рассчитана по формуле:
$$\Delta {{G}}_{{{{{\rm{H}}}}}}}={{E}}_{{{{{{{ \rm{H}}}}}}/{{{{{\rm{surf}}}}}}}}-{{E}}_{{{{{\rm{surf}}}}}}}- 1/2{{E}}_{{{{{{\rm{H}}}}}}}2}+\Delta {{E}}_{{{{{\rm{ZPE}}}}}} }-{{T}}\Delta {{S}}_{{{{{\rm{H}}}}}}$$
где E H/surf – полная энергия поверхности с адсорбат, E прибой энергия чистой поверхности, E h3 – энергия молекулы газовой фазы H 2 , Δ E ZPE представляет собой нулевую энергию системы и была принята равной 0,05 эВ, а T Δ4 S5 является вкладом энтропии и был упрощен до 0,20 эВ при 298 К. В этой работе конечное состояние рассчитанного H 2 находится в газовой фазе.
Сводка отчета
Дополнительная информация о дизайне исследования доступна в Сводке отчета об исследовании природы, связанной с этой статьей.
Доступность данных
Остальные данные, содержащиеся в статье и дополнительных файлах, можно получить у авторов по запросу.
Ссылки
Дрессельхаус М. и Томас И. Альтернативные энергетические технологии. Природа 414 , 332–337 (2001).
ОБЪЯВЛЕНИЯ КАС пабмед Статья Google ученый
Холладей Дж. Д., Ху Дж., Кинг Д. Л. и Ван Ю. Обзор технологий производства водорода. Катал. Сегодня 139 , 244–260 (2009).
КАС Статья Google ученый
Seh, Z.W. et al. Сочетание теории и эксперимента в электрокатализе: понимание дизайна материалов. Наука 355 , eaad4998 (2017).
ПабМед Статья Google ученый
Тернер, Дж. А. Устойчивое производство водорода. Наука 305 , 972–974 (2004).
ОБЪЯВЛЕНИЯ КАС пабмед Статья Google ученый
Ю, Б. и др. Универсальная обработка поверхности переходных металлов для превосходного электрокаталитического выделения водорода в нейтральной воде. Дж. Ам. хим. соц. 139 , 12283–12290 (2017).
КАС пабмед Статья Google ученый
Пэн, Дж. и др. Последние достижения в области двумерных соединений переходных металлов для полного электрокаталитического расщепления воды в нейтральной среде. Матер. Сегодня Адв. 8 , 100081–100097 (2020).
Артикул Google ученый
Хан, Г.
Х. и др. Микронанопористый MoO 2 @CoMo гетероструктурный катализатор для реакции выделения водорода. Заяв. Catal., B 270 , 118895–118904 (2020).КАС Статья Google ученый
Суббараман, Р. и др. Повышение активности выделения водорода при расщеплении воды путем адаптации Li + -Ni(OH) 2 -Pt интерфейсы. Наука 334 , 1256–1260 (2011).
ОБЪЯВЛЕНИЯ КАС пабмед Статья Google ученый
Динь, К.-Т. и другие. Многоцентровые электрокатализаторы выделения водорода в нейтральных средах путем дестабилизации молекул воды. Нац. Энергия 4 , 107–114 (2019).
КАС Статья Google ученый
Zhou, Z. et al. Электрокаталитическое выделение водорода в условиях нейтрального pH: современные представления, последние достижения и перспективы на будущее.
Энергетика Окружающая среда. науч. 13 , 3185–3206 (2020).КАС Статья Google ученый
Men, Y. et al. Адаптация электронной структуры Co 2 P путем легирования N для ускорения реакции выделения водорода при всех значениях pH. ACS Катал. 9 , 3744–3752 (2019).
КАС Статья Google ученый
Men, Y. et al. CoP, легированный азотом, в качестве надежного электрокатализатора для высокоэффективной реакции выделения водорода с универсальным рН. Заяв. Катал. В 253 , 21–27 (2019).
КАС Статья Google ученый
Anantharaj, S. et al. Улучшение электрокаталитического полного расщепления воды на нескольких слоях двойных гидроксидных границ раздела Pt-NiFe. Nano Energy 39 , 30–43 (2017).
КАС Статья Google ученый
Инь, Х. и др. Ультратонкие платиновые нанопроволоки, выращенные на однослойном гидроксиде никеля с высокой активностью выделения водорода. Нац. коммун. 6 , 1–8 (2015).
КАС Google ученый
Ван, П. и др. Точная настройка нанопроволок на границе раздела платина-никель/сульфид никеля для синергетического катализа выделения водорода. Нац. коммун. 8 , 1–9 (2017).
ОБЪЯВЛЕНИЯ Статья КАС Google ученый
Цинь, С. и др. Тройной сплав никель-вольфрам-медь конкурирует с платиной за катализ щелочного окисления водорода. Нац. коммун. 12 , 1–10 (2021).
Артикул КАС Google ученый
Yang, Y. et al. Иерархическая наносборка MoS 2 /Co 9 S 8 /Ni 3 S 2 /Ni в качестве высокоэффективного электрокатализатора общего расщепления воды в широком диапазоне рН. Дж. Ам. хим. соц. 141 , 10417–10430 (2019).
КАС пабмед Статья Google ученый
Фэн Л.-Л. и другие. Высокоиндексные ограненные массивы Ni 3 S 2 нанолистов в качестве высокоактивных и сверхстабильных электрокатализаторов для расщепления воды. Дж. Ам. хим. соц. 137 , 14023–14026 (2015).
КАС пабмед Статья Google ученый
Хубиар, С. Миграция атомов водорода от частицы к соседним частицам на платиново-глиноземных катализаторах. J. Phys. хим. 68 , 411–412 (1964).
КАС Статья Google ученый
Миу, Э. В. и Макконе, Дж. Р. Сравнение WO 3 восстановление до H x WO 3 под термохимическим и электрохимическим контролем. Дж. Матер. хим. А 7 , 23756–23761 (2019).
КАС Статья Google ученый
Принс Р. Перелив водорода.
Факты и вымысел. Хим. Ред. 112 , 2714–2738 (2012).КАС пабмед Статья Google ученый
Леви, Р. и Бударт, М. Кинетика и механизм распространения. J. Катал. 32 , 304–314 (1974).
КАС Статья Google ученый
Роланд У., Брауншвейг Т. и Росснер Ф. О природе перетекания водорода. Дж. Мол. Катал. Хим. 127 , 61–84 (1997).
КАС Статья Google ученый
Li, J.Y. et al. Фундаментальная точка зрения на явление перелива водорода при электрокаталитическом выделении водорода. Нац. коммун. 12 , 3502–3513 (2021).
ОБЪЯВЛЕНИЯ КАС пабмед ПабМед Центральный Статья Google ученый
Wei, Z.W. et al. Обратный перенос заряда и усиленный спилловер водорода в нанокластерах платины, закрепленных на оксиде титана с богатыми кислородными вакансиями, ускоряют реакцию выделения водорода. Анжю. хим. Междунар. Эд. 133 , 16758–16763 (2021).
ОБЪЯВЛЕНИЯ Статья Google ученый
Wang, J. et al. Высокооднородные наночастицы Ru на углероде, легированном азотом: рН и температура — универсальное выделение водорода при восстановлении воды. Энергетика Окружающая среда. науч. 11 , 800–806 (2018).
КАС Статья Google ученый
Chen, J. et al. Улучшение кинетики щелочной реакции выделения водорода на карбиде молибдена: введение добавки Ru. J. Катал. 392 , 313–321 (2020).
КАС Статья Google ученый
Chen, J., Wang, H., Gong, Y. & Wang, Y. Прямая иммобилизация координационного комплекса рутинно-таниновой кислоты на углеродной ткани: эффективный и сверхстабильный катализатор реакции выделения водорода. Дж. Матер. хим. А 7 , 11038–11043 (2019).
КАС Статья Google ученый
Лю, Ю. и др.
Эффекты модуляции Ru в синтезе уникальных стержнеобразных гетероструктур Ni@Ni 2 P-Ru и их выдающиеся характеристики электрокаталитического выделения водорода. Дж. Ам. хим. соц. 140 , 2731–2734 (2018).КАС пабмед Статья Google ученый
Ли, Ф. и др. Механохимический синтез катализатора Ru для выделения водорода с характеристиками, превосходящими Pt как в кислой, так и в щелочной среде. Доп. Матер. 30 , 1803676 (2018).
Артикул КАС Google ученый
Цинь, X. и др. Роль Ru в повышении активности Pd по отношению к выделению водорода и реакциям окисления в щелочных растворах. ACS Катал. 9 , 9614–9621 (2019).
КАС Статья Google ученый
Hagemann, H. & Moyer, R.
O. Спектроскопия комбинационного рассеяния M 2 RuH 6 , где M = Ca, Sr и Eu. Дж. Сплав. комп. 330 , 296–300 (2002).Артикул Google ученый
Hagemann, H. et al. Структурные и колебательные свойства Ca 2 FeH 6 и Sr 2 RuH 6 . J. Phys. хим. Твердые вещества 72 , 286–289 (2011).
ОБЪЯВЛЕНИЯ КАС Статья Google ученый
Jiang, H. et al. Представления о механизме внедрения протона в электрод из гексагонального гидрата оксида вольфрама. Дж. Ам. хим. соц. 140 , 11556–11559 (2018).
КАС пабмед Статья Google ученый
Парк, Дж. и др. Исследование эффекта поддержки в атомарно-дисперсной Pt по WO 3-x для использования Pt в реакции выделения водорода.
Анжю. хим. Междунар. Эд. 58 , 16038–16042 (2019).КАС Статья Google ученый
Huang, Z.H. et al. Электрическая и структурная двойная функция кислородных вакансий для повышения электрохимической емкости в оксиде вольфрама. Малый 16 , 2004709 (2020).
КАС Статья Google ученый
Гонг Х. и др. Получение и сверхемкостные свойства массивов наночешуек дисульфида молибдена (MoS 2 ) и триоксида вольфрама (WO 3 ) массивов наностержней композитного гетероперехода: синергетический эффект одномерных и двумерных наноматериалов. Электрохим. Acta 263 , 409–416 (2018).
КАС Статья Google ученый
Wang, L., Liu, Y., Han, G. & Zhao, H. Управляемый синтез гексагональных пленок WO 3 наностержневых кластеров с высокими электрохромными характеристиками в ближнем ИК-диапазоне.
Дж. Сплав. комп. 890 , 161833 (2022).КАС Статья Google ученый
Shen, L., Luo, G., Zheng, J. & Xu, C. Влияние pH на электрохромные и фотолюминесцентные свойства WO 9, легированного Eu0149 3 пленка. Электрохим. Acta 278 , 263–270 (2018).
КАС Статья Google ученый
Zheng, T. et al. Проводящие нанолисты оксида вольфрама для высокоэффективного выделения водорода. Нано Летт. 17 , 7968–7973 (2017).
ОБЪЯВЛЕНИЯ КАС пабмед Статья Google ученый
Мир, Р. А., Каур, Г. и Пандей, О. Легкий процесс использования углеродосодержащих отходов в качестве источника углерода для синтеза недорогого электрокатализатора для производства водорода. Междунар. Дж. Гидрог.
Энергия 45 , 23908–23919 (2020).КАС Статья Google ученый
Малакзаде, М., Рауф, Дж. Б., Гафарнежад, А. и Оджани, Р. Электросинтез in-situ Нанокомпозитный модифицированный стеклоуглеродный электрод, полученный из Cu-PtBTC MOF, для высокоэффективного электрокатализа реакции выделения водорода. Дж. Электроанал. хим. 900 , 115716 (2021).
КАС Статья Google ученый
Пан, Дж. и др. Высокопроизводительное электрохромное устройство, собранное из гексагональных электродов WO 3 и композитных нанолистов NiO/PB, предназначено для интеллектуального накопления энергии. Сол. Энергия Матер. Сол. Ячейки 207 , 110337 (2020).
КАС Статья Google ученый
Лян, Дж. и др. Nano WO 3 — катализируемый однореакторный процесс мягкой окислительной деполимеризации лигнина и его модельных соединений.
ChemCatChem 13 , 3836–3845 (2021).КАС Статья Google ученый
Ким Х.-С. и другие. Кислородные вакансии усиливают псевдоемкостные свойства накопления заряда MoO 3-x . Нац. Матер. 16 , 454–460 (2017).
ОБЪЯВЛЕНИЯ КАС пабмед Статья Google ученый
Wang, J., Polleux, J., Lim, J. & Dunn, B. Псевдоемкостные вклады в накопление электрохимической энергии в TiO 2 (анатаз) наночастицы. J. Phys. хим. C. 111 , 14925–14931 (2007).
КАС Статья Google ученый
Паульсен А.Л., Калампуниас А.Г., Берг Р.В. и Богосян С. Спектроскопическое исследование оксосульфатных комплексов вольфрама (VI) в WO 3 -K 2 S 7 O 9 2
0 2 SO 4 расплавленные смеси: стехиометрия, колебательные свойства и молекулярная структура.
J. Phys. хим. А 115 , 4214–4222 (2011).КАС пабмед Статья Google ученый
Се, К. и др. Фазовый переход in situ WO 3 , усиливающий перенос электронов и водорода для усиления выделения водорода на Pt. Nano Energy 71 , 104653–104660 (2020).
КАС Статья Google ученый
Mitchell, J.B. et al. Переход от поведения батареи к псевдоконденсатору через структурную воду в оксиде вольфрама. Хим. Матер. 29 , 3928–3937 (2017).
КАС Статья Google ученый
Chen, W. et al. Происхождение активности и принципы конструирования катализаторов нуклеофильного электроокисления на основе никеля. Chem 6 , 2974–2993 (2020).
КАС Статья Google ученый
«>Цинь, М. и др. Выяснение электрокаталитического механизма крупномасштабного окисления циклоалканолов, интегрированного с выделением водорода. Хим. англ. J. 442 , 136264–136274 (2022).
КАС Статья Google ученый
Х. и др. Микронанопористый MoO 2 @CoMo гетероструктурный катализатор для реакции выделения водорода. Заяв. Catal., B 270 , 118895–118904 (2020).
Энергетика Окружающая среда. науч. 13 , 3185–3206 (2020).
«>Лу, Б. и др. Атомарно диспергированный в углероде рутений превосходит платину по выделению водорода в щелочной среде. Нац. коммун. 10 , 1–11 (2019).
ОБЪЯВЛЕНИЯ Статья КАС Google ученый
«>Цзян, У.-Дж., Тан, Т., Чжан, Ю. и Ху, Дж.-С. Синергетическая модуляция электрокатализаторов, не содержащих драгоценных металлов, для усовершенствованного расщепления воды. Согл. хим. Рез. 53 , 1111–1123 (2020).
КАС пабмед Статья Google ученый
Факты и вымысел. Хим. Ред. 112 , 2714–2738 (2012).
«>Li, J. et al. Окружение лиганда этиленгликоля способствует высокоэффективному выделению водорода Pt/CoP за счет концентрации протонов и перелива водорода. Энергетика Окружающая среда. науч. 12 , 2298–2304 (2019).
КАС Статья Google ученый
«>Махмуд, Дж. и др. Эффективный и pH-универсальный катализатор на основе рутения для реакции выделения водорода. Нац. нанотехнологии. 12 , 441–446 (2017).
ОБЪЯВЛЕНИЯ КАС пабмед Статья Google ученый
Эффекты модуляции Ru в синтезе уникальных стержнеобразных гетероструктур Ni@Ni 2 P-Ru и их выдающиеся характеристики электрокаталитического выделения водорода. Дж. Ам. хим. соц. 140 , 2731–2734 (2018).
O. Спектроскопия комбинационного рассеяния M 2 RuH 6 , где M = Ca, Sr и Eu. Дж. Сплав. комп. 330 , 296–300 (2002).
Анжю. хим. Междунар. Эд. 58 , 16038–16042 (2019).
Дж. Сплав. комп. 890 , 161833 (2022).
Энергия 45 , 23908–23919 (2020).
ChemCatChem 13 , 3836–3845 (2021).
J. Phys. хим. А 115 , 4214–4222 (2011).
«>Лу, Ю. и др. Выявление геометрической зависимости оксидов шпинели при электроокислении 5-гидроксиметилфурфурола. Анжю. хим. Междунар. Эд. 59 , 19215–19221 (2020).
КАС Статья Google ученый
Ссылки на скачивание
Благодарности
Мы благодарим за финансовую поддержку Национальной ключевой программы исследований и разработок Китая (2021YFB3801600), Национального фонда естественных наук Китая (21872121, 219), Фонды фундаментальных исследований для центральных университетов (2017XZZX002−16), Министерства образования Сингапура (Уровень 1: RG4/20 и Уровень 2: MOET2EP10120-0002) и Агентства по науке, технологиям и исследованиям (AME IRG: A20E5c0080).
Информация об авторе
Примечания автора
Эти авторы внесли равный вклад: Jiadong Chen, Chunhong Chen, Minkai Qin.
Авторы и филиалы
Группа передовых материалов и катализа, Центр химии передовых технологий, Государственная ключевая лаборатория использования чистой энергии, Институт катализа, факультет химии, Университет Чжэцзян, Ханчжоу, 310028, КНР
Jiadong Chen, Chunhong Chen, Minkai Qin, Ben Li, Binbin Lin и Yong Wang
Школа химической и биомедицинской инженерии, Наньянский технологический университет, Сингапур, 637459, Сингапур
Jiadong Chen, 900 00 000 0 000 00 000 000 000 Янг и Боньин Лян3
Школа химического машиностроения, Даляньский технологический университет, Далянь, 116024, Ляонин, КНР
Цин Мао
Отделение химии и биологической химии, Школа физико-математических наук, Наньянский технологический университет, Сингапур, 1 63773 , Сингапур
Bin Liu
Авторы
- Jiadong Chen
Посмотреть публикации автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
- Chunhong Chen
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
- Minkai Qin
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Академия
- Ben Li
Посмотреть публикации автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
- Binbin Lin
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
- Qing Mao
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
- Хунбинь Ян
Посмотреть публикации автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
- Bin Liu
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
- Yong Wang
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
Contributions
Y.
W. и Б.Л. задумал исследование. Дж.К., К.К. и М.К. разработал эксперимент и провел начальные испытания. Дж.К., К.М., Б.Лин, Б.Ли и Х.Ю. провел теоретические расчеты. Дж.К., К.К. и М.К. написал рукопись. Все авторы обсудили результаты и прокомментировали рукопись.
Авторы переписки
Переписка с Бинь Лю или Юн Ван.
Заявление об этике
Конкурирующие интересы
Авторы не заявляют об отсутствии конкурирующих интересов.
Рецензирование
Информация о рецензировании
Nature Communications благодарит Арика Бека и других анонимных рецензентов за их вклад в рецензирование этой работы. Доступны отчеты рецензентов.
Дополнительная информация
Примечание издателя Springer Nature остается нейтральной в отношении юрисдикционных претензий в опубликованных картах и институциональной принадлежности.
Дополнительная информация
Дополнительная информация
Файл рецензирования
РЕЗЮМЕ Отчетности
Права и разрешения
Open Accom , совместное использование, адаптацию, распространение и воспроизведение на любом носителе или в любом формате, при условии, что вы укажете первоначальных авторов и источник, предоставите ссылку на лицензию Creative Commons и укажете, были ли внесены изменения.
Изображения или другие сторонние материалы в этой статье включены в лицензию Creative Commons для статьи, если иное не указано в кредитной строке материала. Если материал не включен в лицензию Creative Commons статьи, а ваше предполагаемое использование не разрешено законом или выходит за рамки разрешенного использования, вам необходимо получить разрешение непосредственно от правообладателя. Чтобы просмотреть копию этой лицензии, посетите http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/.
Перепечатка и разрешения
Об этой статье
Комментарии
Отправляя комментарий, вы соглашаетесь соблюдать наши Условия и правила сообщества. Если вы обнаружите что-то оскорбительное или не соответствующее нашим условиям или правилам, отметьте это как неприемлемое.
Скачать PDF
Части периодической таблицы
Части периодической таблицыПериодические тренды — Электронное сродство
| 1А | 2А | 3А | 4А | 5А | 6А | 7А | 8А | ||||||||||||
| (1) | (2) | (13) | (14) | (15) | (16) | (17) | (18) | ||||||||||||
| 3Б | 4Б | 5Б | 6Б | 7Б | — | 8Б | — | 1Б | 2Б | ||||||||||
| (3) | (4) | (5) | (6) | (7) | (8) | (9) | (10) | (11) | (12) | ||||||||||
| 1 | Ч -73 | Он 0 | |||||||||||||||||
| 2 | Ли -60 | Быть 18 | Б -27 | С -122 | Н 7 | О -141 | Ф -328 | Не 29 | |||||||||||
| 3 | Нет -53 | Мг 21 | Ал -44 | Си -134 | Р -44 | С -200 | Кл -349 | Ар 35 | |||||||||||
| 4 | К -48 | Са -2 | Sc хх | Ти хх | В хх | Кр хх | Мн хх | Фе хх | Со хх | Ni хх | Медь хх | Цинк хх | Га -30 | Гэ -116 | Как -78 | Se -195 | руб. -325 | Кр 39 | |
| 5 | руб. -47 | Ср -5 | Д хх | Зр хх | № хх | Пн хх | ТК хх | Ру хх | Рх хх | ПД хх | Аг хх | CD хх | В -30 | Сн -116 | Сб -101 | Те -190 | я -295 | Хе 41 | |
| 6 | цезий -46 | Ба 46 | Ла хх | Хф хх | Та хх | Вт хх | Ре хх | ОС хх | Ир хх | Пт хх | Золото хх | рт. хх | Тул -20 | Пб -35 | Би -91 | ПО -183 | В -270 | Р-н 41 | |
| 7 | Пт хх | Ра хх | Ас хх | РФ хх | Дб хх | Сг хх | Бх хх | Гс хх | Мт хх | Дс хх | № хх | Ууб хх | — | Уук хх | — | — | — | — | |
| 6 | Се хх | Пр хх | Нд хх | вечера хх | См хх | ЕС хх | гд хх | Тб хх | Дай хх | Хо хх | Er хх | Тм хх | Ыб хх | Лу хх | |||||
| 7 | хх | Па хх | У хх | Нп хх | Пу хх | Ам хх | См хх | Бк хх | См. хх | Эс хх | FM хх | Мд хх | № хх | Лр хх |
ст.
Сродство к электрону указано в единицах килоджоули на моль (кДж/моль).
Данные взяты у Джона Эмсли, The Elements , 3-е издание. Оксфорд: Clarendon Press, 1998.
.
сродство к электрону элемента представляет собой изменение энергии сопровождающее присоединение электрона к атому газа фаза для получения отрицательно заряженного аниона:
Х(г) + е — Х — (г)
Сродство к электрону обычно имеет отрицательное значение, так как энергия обычно высвобождается (экзотермическое изменение энергии), когда электрон присоединяется к нейтральному атому.
Сродство к электрону обычно увеличивается снизу вверх внутри группы (то есть идет к большим отрицательным числам), и увеличивается слева направо в пределах периода .
Все галогены группы 7А имеют большой отрицательный электрон. сродством, так как они находятся всего в одном электроне от наличия конфигурация благородного газа, они легко принимают другой электрон генерируют стабильные галогенид-анионы. Благородные газы уже имеют полный набор электронов, и дополнительный электрон должен войти в следующая самая высокая оболочка, которая будет стоить энергии, чтобы начать заселяться.
Тенденции для сродства к электрону не такие гладкие, как для радиус атома, ионизация энергия и электроотрицательность, как видно из следующих графиков.
Если полученный анион стабилен,
значение сродства к электрону будет отрицательным; тем стабильнее
анион, тем больше будет отрицательное число. Если
полученный анион нестабилен, значение сродства к электрону
будет положительным.
Gale Apps — Технические трудности
Приложение, к которому вы пытаетесь получить доступ, в настоящее время недоступно. Приносим свои извинения за доставленные неудобства. Повторите попытку через несколько секунд.
Если проблемы с доступом сохраняются, обратитесь за помощью в наш отдел технической поддержки по телефону 1-800-877-4253. Еще раз спасибо, что выбрали Gale, обучающую компанию Cengage.
org.springframework.remoting.RemoteAccessException: невозможно получить доступ к удаленной службе [authorizationService@theBLISAuthorizationService]; вложенным исключением является com.zeroc.Ice.UnknownException
unknown = «java.
lang.IndexOutOfBoundsException: индекс 0 выходит за границы для длины 0
в java.base/jdk.internal.util.Preconditions.outOfBounds(Preconditions.java:64)
в java.base/jdk.internal.util.Preconditions.outOfBoundsCheckIndex(Preconditions.java:70)
в java.base/jdk.internal.util.Preconditions.checkIndex(Preconditions.java:248)
в java.base/java.util.Objects.checkIndex(Objects.java:372)
в java.base/java.util.ArrayList.get(ArrayList.java:458)
в com.gale.blis.data.subscription.dao.LazyUserSessionDataLoaderStoredProcedure.populateSessionProperties(LazyUserSessionDataLoaderStoredProcedure.java:60)
в com.gale.blis.data.subscription.dao.LazyUserSessionDataLoaderStoredProcedure.reQuery(LazyUserSessionDataLoaderStoredProcedure.java:53)
в com.gale.blis.data.model.session.UserGroupEntitlementsManager.reinitializeUserGroupEntitlements(UserGroupEntitlementsManager.java:30)
в com.
gale.blis.data.model.session.UserGroupSessionManager.getUserGroupEntitlements(UserGroupSessionManager.java:17)
в com.gale.blis.api.authorize.contentmodulefetchers.CrossSearchProductContentModuleFetcher.getProductSubscriptionCriteria(CrossSearchProductContentModuleFetcher.java:244)
на com.gale.blis.api.authorize.contentmodulefetchers.CrossSearchProductContentModuleFetcher.getSubscribedCrossSearchProductsForUser(CrossSearchProductContentModuleFetcher.java:71)
на com.gale.blis.api.authorize.contentmodulefetchers.CrossSearchProductContentModuleFetcher.getAvailableContentModulesForProduct(CrossSearchProductContentModuleFetcher.java:52)
на com.gale.blis.api.authorize.strategy.productentry.strategy.AbstractProductEntryAuthorizer.getContentModules(AbstractProductEntryAuthorizer.java:130)
на com.gale.blis.api.authorize.strategy.productentry.strategy.CrossSearchProductEntryAuthorizer.isAuthorized(CrossSearchProductEntryAuthorizer.
java:82)
на com.gale.blis.api.authorize.strategy.productentry.strategy.CrossSearchProductEntryAuthorizer.authorizeProductEntry(CrossSearchProductEntryAuthorizer.java:44)
на com.gale.blis.api.authorize.strategy.ProductEntryAuthorizer.authorize(ProductEntryAuthorizer.java:31)
в com.gale.blis.api.BLISAuthorizationServiceImpl.authorize_aroundBody0(BLISAuthorizationServiceImpl.java:57)
на com.gale.blis.api.BLISAuthorizationServiceImpl.authorize_aroundBody1$advice(BLISAuthorizationServiceImpl.java:61)
на com.gale.blis.api.BLISAuthorizationServiceImpl.authorize(BLISAuthorizationServiceImpl.java:1)
в com.gale.blis.auth.AuthorizationService._iceD_authorize(AuthorizationService.java:97)
в com.gale.blis.auth.AuthorizationService._iceDispatch(AuthorizationService.java:406)
в com.zeroc.IceInternal.Incoming.invoke(Incoming.java:221)
в com.zeroc.Ice.ConnectionI.invokeAll(ConnectionI.
java:2706)
на com.zeroc.Ice.ConnectionI.dispatch(ConnectionI.java:1292)
в com.zeroc.Ice.ConnectionI.message(ConnectionI.java:1203)
в com.zeroc.IceInternal.ThreadPool.run(ThreadPool.java:412)
в com.zeroc.IceInternal.ThreadPool.access$500(ThreadPool.java:7)
в com.zeroc.IceInternal.ThreadPool$EventHandlerThread.run(ThreadPool.java:781)
в java.base/java.lang.Thread.run(Thread.java:834)
»
org.springframework.remoting.ice.IceClientInterceptor.convertIceAccessException(IceClientInterceptor.java:348)
org.springframework.remoting.ice.IceClientInterceptor.invoke(IceClientInterceptor.java:310)
org.springframework.remoting.ice.MonitoringIceProxyFactoryBean.
invoke(MonitoringIceProxyFactoryBean.java:71)
org.springframework.aop.framework.ReflectiveMethodInvocation.proceed(ReflectiveMethodInvocation.java:186)
org.springframework.aop.framework.JdkDynamicAopProxy.invoke(JdkDynamicAopProxy.java:215)
com.sun.proxy.$Proxy151.authorize(Неизвестный источник)
com.gale.auth.service.BlisService.getAuthorizationResponse(BlisService.java:61)
com.gale.apps.service.impl.MetadataResolverService.resolveMetadata(MetadataResolverService.java:65)
com.gale.apps.
controllers.DiscoveryController.resolveDocument(DiscoveryController.java:57)
com.gale.apps.controllers.DocumentController.redirectToDocument(DocumentController.java:22)
jdk.internal.reflect.GeneratedMethodAccessor282.invoke (неизвестный источник)
java.base/jdk.internal.reflect.DelegatingMethodAccessorImpl.invoke(DelegatingMethodAccessorImpl.java:43)
java.base/java.lang.reflect.Method.invoke(Method.java:566)
org.springframework.web.method.support.InvocableHandlerMethod.doInvoke(InvocableHandlerMethod.java:205)
org.
springframework.web.method.support.InvocableHandlerMethod.invokeForRequest(InvocableHandlerMethod.java:150)
org.springframework.web.servlet.mvc.method.annotation.ServletInvocableHandlerMethod.invokeAndHandle(ServletInvocableHandlerMethod.java:117)
org.springframework.web.servlet.mvc.method.annotation.RequestMappingHandlerAdapter.invokeHandlerMethod (RequestMappingHandlerAdapter.java:895)
org.springframework.web.servlet.mvc.method.annotation.RequestMappingHandlerAdapter.handleInternal (RequestMappingHandlerAdapter.java:808)
org.springframework.web.servlet.mvc.method.AbstractHandlerMethodAdapter.handle(AbstractHandlerMethodAdapter.java:87)
org.
springframework.web.servlet.DispatcherServlet.doDispatch(DispatcherServlet.java:1067)
org.springframework.web.servlet.DispatcherServlet.doService(DispatcherServlet.java:963)
org.springframework.web.servlet.FrameworkServlet.processRequest(FrameworkServlet.java:1006)
org.springframework.web.servlet.FrameworkServlet.doGet(FrameworkServlet.java:898)
javax.servlet.http.HttpServlet.service(HttpServlet.java:626)
org.springframework.web.servlet.FrameworkServlet.service(FrameworkServlet.java:883)
javax.
servlet.http.HttpServlet.service(HttpServlet.java:733)
org.apache.catalina.core.ApplicationFilterChain.internalDoFilter(ApplicationFilterChain.java:227)
org.apache.catalina.core.ApplicationFilterChain.doFilter(ApplicationFilterChain.java:162)
org.apache.tomcat.websocket.server.WsFilter.doFilter(WsFilter.java:53)
org.apache.catalina.core.ApplicationFilterChain.internalDoFilter(ApplicationFilterChain.java:189)
org.apache.catalina.core.ApplicationFilterChain.doFilter(ApplicationFilterChain.java:162)
org.
apache.catalina.filters.HttpHeaderSecurityFilter.doFilter(HttpHeaderSecurityFilter.java:126)
org.apache.catalina.core.ApplicationFilterChain.internalDoFilter(ApplicationFilterChain.java:189)
org.apache.catalina.core.ApplicationFilterChain.doFilter(ApplicationFilterChain.java:162)
org.springframework.web.servlet.resource.ResourceUrlEncodingFilter.doFilter(ResourceUrlEncodingFilter.java:67)
org.apache.catalina.core.ApplicationFilterChain.internalDoFilter(ApplicationFilterChain.java:189)
org.apache.catalina.core.ApplicationFilterChain.doFilter(ApplicationFilterChain.java:162)
org.
springframework.web.filter.RequestContextFilter.doFilterInternal (RequestContextFilter.java:100)
org.springframework.web.filter.OncePerRequestFilter.doFilter(OncePerRequestFilter.java:117)
org.apache.catalina.core.ApplicationFilterChain.internalDoFilter(ApplicationFilterChain.java:189)
org.apache.catalina.core.ApplicationFilterChain.doFilter(ApplicationFilterChain.java:162)
org.springframework.web.filter.OncePerRequestFilter.doFilter(OncePerRequestFilter.java:102)
org.apache.catalina.core.ApplicationFilterChain.internalDoFilter(ApplicationFilterChain.java:189)
org.
apache.catalina.core.ApplicationFilterChain.doFilter(ApplicationFilterChain.java:162)
com.gale.common.http.filter.SecurityHeaderFilter.doFilterInternal(SecurityHeaderFilter.java:29)
org.springframework.web.filter.OncePerRequestFilter.doFilter(OncePerRequestFilter.java:117)
org.apache.catalina.core.ApplicationFilterChain.internalDoFilter(ApplicationFilterChain.java:189)
org.apache.catalina.core.ApplicationFilterChain.doFilter(ApplicationFilterChain.java:162)
org.springframework.web.filter.OncePerRequestFilter.doFilter(OncePerRequestFilter.java:102)
org.
apache.catalina.core.ApplicationFilterChain.internalDoFilter(ApplicationFilterChain.java:189)
org.apache.catalina.core.ApplicationFilterChain.doFilter(ApplicationFilterChain.java:162)
org.owasp.validation.GaleParameterValidationFilter.doFilterInternal(GaleParameterValidationFilter.java:97)
org.springframework.web.filter.OncePerRequestFilter.doFilter(OncePerRequestFilter.java:117)
org.apache.catalina.core.ApplicationFilterChain.internalDoFilter(ApplicationFilterChain.java:189)
org.apache.catalina.core.ApplicationFilterChain.doFilter(ApplicationFilterChain.java:162)
org.
springframework.boot.web.servlet.support.ErrorPageFilter.doFilter(ErrorPageFilter.java:126)
org.springframework.boot.web.servlet.support.ErrorPageFilter.access$000(ErrorPageFilter.java:64)
org.springframework.boot.web.servlet.support.ErrorPageFilter$1.doFilterInternal(ErrorPageFilter.java:101)
org.springframework.web.filter.OncePerRequestFilter.doFilter(OncePerRequestFilter.java:117)
org.springframework.boot.web.servlet.support.ErrorPageFilter.doFilter(ErrorPageFilter.java:119)
org.apache.catalina.core.ApplicationFilterChain.internalDoFilter(ApplicationFilterChain.java:189)
org.
apache.catalina.core.ApplicationFilterChain.doFilter(ApplicationFilterChain.java:162)
org.springframework.web.filter.FormContentFilter.doFilterInternal (FormContentFilter.java:93)
org.springframework.web.filter.OncePerRequestFilter.doFilter(OncePerRequestFilter.java:117)
org.apache.catalina.core.ApplicationFilterChain.internalDoFilter(ApplicationFilterChain.java:189)
org.apache.catalina.core.ApplicationFilterChain.doFilter(ApplicationFilterChain.java:162)
org.springframework.boot.actuate.metrics.web.servlet.WebMvcMetricsFilter.doFilterInternal (WebMvcMetricsFilter.java:96)
org.
springframework.web.filter.OncePerRequestFilter.doFilter(OncePerRequestFilter.java:117)
org.apache.catalina.core.ApplicationFilterChain.internalDoFilter(ApplicationFilterChain.java:189)
org.apache.catalina.core.ApplicationFilterChain.doFilter(ApplicationFilterChain.java:162)
org.springframework.web.filter.CharacterEncodingFilter.doFilterInternal (CharacterEncodingFilter.java:201)
org.springframework.web.filter.OncePerRequestFilter.doFilter(OncePerRequestFilter.java:117)
org.apache.catalina.core.ApplicationFilterChain.internalDoFilter(ApplicationFilterChain.java:189)
org.
apache.catalina.core.ApplicationFilterChain.doFilter(ApplicationFilterChain.java:162)
org.apache.catalina.core.StandardWrapperValve.invoke(StandardWrapperValve.java:202)
org.apache.catalina.core.StandardContextValve.invoke(StandardContextValve.java:97)
org.apache.catalina.authenticator.AuthenticatorBase.invoke(AuthenticatorBase.java:542)
org.apache.catalina.core.StandardHostValve.invoke(StandardHostValve.java:143)
org.apache.catalina.valves.ErrorReportValve.invoke(ErrorReportValve.java:92)
org.
apache.catalina.valves.AbstractAccessLogValve.invoke(AbstractAccessLogValve.java:687)
org.apache.catalina.core.StandardEngineValve.invoke(StandardEngineValve.java:78)
org.apache.catalina.connector.CoyoteAdapter.service(CoyoteAdapter.java:357)
org.apache.coyote.http11.Http11Processor.service(Http11Processor.java:374)
org.apache.coyote.AbstractProcessorLight.process(AbstractProcessorLight.java:65)
org.apache.coyote.AbstractProtocol$ConnectionHandler.process(AbstractProtocol.java:893)
org.
apache.tomcat.util.net.NioEndpoint$SocketProcessor.doRun(NioEndpoint.java:1707)
org.apache.tomcat.util.net.SocketProcessorBase.run(SocketProcessorBase.java:49)
java.base/java.util.concurrent.ThreadPoolExecutor.runWorker(ThreadPoolExecutor.java:1128)
java.base/java.util.concurrent.ThreadPoolExecutor$Worker.run(ThreadPoolExecutor.java:628)
org.apache.tomcat.util.threads.TaskThread$WrappingRunnable.run(TaskThread.java:61)
java.base/java.lang.Thread.run(Thread.java:834)
Неоднородное основное состояние, индуцированное Ru-допингом – Отпечаток пальца – Исследовательский портал Университета им.
Бен-ГурионаШамес А.И., Розенберг Э., Городецкий Г., Меньян А., Мартен К., Эрвье М., Раво Б.
Результат исследования: Вклад в журнал › Статья › рецензирование
3 Скопус цитаты
- Сортировать по
- Масса
- По алфавиту
Инженерия и материаловедение
Химические соединения
Физика и астрономия
Тонкая пленка Monoclinic V1-x-yTixRuyO2 с улучшенными термочувствительными характеристиками | Письма о наномасштабных исследованиях
- Nano Express
- Открытый доступ
- Опубликовано:
- Ятао Ли 1 ,
- Дин Гу 1 ,
- Шиян Сюй 1 ,
- Синь Чжоу 1 ,
- Кай Юань 1 и
- …
- Ядун Цзян 1
Письма об исследованиях в области наноразмеров том 15 , Номер статьи: 92 (2020) Процитировать эту статью
859 доступов
4 Цитаты
Сведения о показателях
Abstract
Получение термочувствительных тонких пленок с высоким температурным коэффициентом сопротивления (ТКС) и низким удельным сопротивлением с помощью высокосовместимого процесса благоприятно для повышения чувствительности микроболометров с малыми пикселями.
Здесь мы сообщаем об эффективном и совместимом с процессом подходе к подготовке V 1-x-y Ti x Ru y O 2 термочувствительные тонкие пленки с моноклинной структурой, высоким ТКС и низким удельным сопротивлением, полученные методом реактивного напыления с последующим отжигом в атмосфере кислорода при 400 °C. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия показывает, что ионы Ti 4+ и Ru 4+ объединяются в VO 2 . Рентгеновская дифракция, рамановская спектроскопия и просвечивающая электронная микроскопия показывают, что V 1-x-y Ti x Ru y O 2 тонкие пленки имеют моноклинную структуру решетки, как и нелегированный VO 2 . Но тонкие пленки V 1-x-y Ti x Ru y O 2 не проявляют признаков SMT от комнатной температуры (RT) до 106 °C из-за эффекта закрепления Ti с высокой концентрацией в моноклинной решетке.
Более того, удельное RT тонкой пленки V 0,8163 Ti 0,165 Ru 0,0187 O 2 составляет лишь одну восьмую от нелегированного VO 2 , а его TCR достигает 3,47%/°C.
Введение
Микроболометры широко применяются в гражданской и военной областях. Одним из важных направлений развития является уменьшение размера пикселя с целью снижения стоимости продукта и увеличения дальности обнаружения [1]. Однако миниатюризация вызывает снижение чувствительности. Улучшение процесса производства микроэлектромеханических систем (МЭМС) для оптимизации коэффициента заполнения, коэффициента поглощения, теплопроводности и других ключевых факторов может эффективно повысить чувствительность, но этот подход подходит к своему пределу [1]. Другим эффективным способом является использование более термочувствительных материалов [2]. Как широко используемый термочувствительный материал, VO x при относительно низком удельном сопротивлении в диапазоне 0,1–5,0 Ом·см имеет ТКС около 2%/°C при комнатной температуре [3]. Учитывая, что чувствительность микроболометра пропорциональна ТКС, для повышения чувствительности микроболометров с малыми пикселями более выгодно использовать термочувствительные материалы с более высоким ТКС. Чтобы увеличить TCR пленок VO x , Jin et al. приготовили легированные молибденом тонкие пленки VO размером x путем осаждения ионного пучка с мишенью смещения [3]. Пленки имеют высокий TCR -4,5%/°C, но большое удельное сопротивление (> 1000 Ом·см) не является предпочтительным для применения в микроболометрах.
Для изготовления типовой болометрической матрицы на основе ВО х необходимо покрыть термочувствительную тонкую пленку ВО х пассивирующим слоем (SiN х или SiO х ), который может защитить -чувствительная тонкая пленка от окисления последующими процессами (удаление фоторезиста, освобождение жертвенного слоя и т.д.) [4]. Защитный эффект пассивирующего слоя зависит от плотности его пленки. Более плотный пассивирующий слой обеспечивает лучший защитный эффект. Как правило, высокая температура подготовки способствует более плотному пассивирующему слою [5, 6], что обеспечивает лучший защитный эффект для VO 9.Тонкие пленки 0149 x . Однако тонкие термочувствительные пленки VO x , которые обычно получают при относительно низкой температуре (ниже 300 °C), являются аморфными [3, 7, 8]. Тогда как аморфный VO x склонен к кристаллизации при повышенной температуре [9]. Как только произойдет кристаллизация, электрические параметры пленки будут существенно изменены. Таким образом, относительно низкая температура приготовления термочувствительных тонких пленок VO x сдерживает процесс создания пассивирующего защитного слоя. Это вызывает досадную проблему при изготовлении массивов болометров: очень строгий контроль над последующими процессами.
Тонкие пленки моноклинного диоксида ванадия (VO 2 ) рассматривались как потенциальный термочувствительный материал для высокочувствительных микроболометров благодаря высокому TCR при комнатной температуре (RT). Кроме того, моноклинные тонкие пленки ВО 2 получают при более высокой температуре, чем 300 °С [10], что выгодно для получения более плотного пассивирующего защитного слоя при более высокой температуре. Однако две особенности моноклинного ВО 2 в определенной степени ограничивают его практическое применение для микроболометров. С одной стороны, переход полупроводника в металл (ПМП) происходит с VO 2 около 68 °C. Гистерезис и деформационное изменение при СМТ ВО 2 будут ухудшать работоспособность устройства и снижать его надежность [11]. С другой стороны, относительно высокое удельное сопротивление RT (> 10 Ом·см) ограничивает выбор рабочих параметров устройства [12, 13]. Таким образом, получение пленок диоксида ванадия с высоким TCR, отсутствием SMT, низким удельным сопротивлением и структурой кристаллизации становится проблемой для разработки высокоэффективных термочувствительных материалов для микроболометров. Недавно Солтани и соавт. ввел как Ti, так и W в VO 2 для подавления SMT [14], а также были получены тонкие пленки VO 2 , легированные Ti-W, с признаками отсутствия SMT и высоким TCR. Однако тонкие пленки VO 2 , совместно легированные Ti-W, имеют такое же удельное сопротивление, как и нелегированный VO 2 .
В этой статье мы демонстрируем высокопроизводительную моноклинную V 1-x-y Ti x Ru y O 2 термочувствительную тонкую пленку с помощью стратегии ингибирования поверхностного монтажа путем введения ионов Ti и Ru на ВО 2 тонкие пленки. Тонкие пленки были приготовлены методом реактивного напыления с последующим отжигом при 400 °C. Более высокая температура процесса, чем у аморфных тонких пленок VO x , обеспечивает больший выбор параметров последующих процессов МЭМС для болометрических устройств. Тонкие пленки V 1-x-y Ti x Ru y O 2 имеют моноклинную структуру, аналогичную нелегированному VO 2 , но особенность SMT полностью подавлена из-за эффекта пиннинга высококонцентрированных примесей. Тонкая пленка с оптимальной концентрацией легирующей примеси имеет более высокий TCR (3,47%/°C), чем коммерческий VO 9. 0149 x тонких пленок и гораздо более низкое удельное сопротивление при комнатной температуре, чем нелегированные моноклинные тонкие пленки VO 2 .
Материалы и методы
Все тонкие пленки были изготовлены методом реактивного магнетронного напыления постоянным током (DC) на кварцевые подложки (23 мм × 23 мм × 1 мм). Для осаждения тонких пленок с расстоянием мишень-подложка около 11,5 см использовалась мишень из ванадия высокой чистоты (99,99 %) диаметром 80 мм и толщиной 4 мм. После базового давления ниже 2,0 × 10 -3 Па, напыление проводили при 0,32 А с соотношением O 2 /Ar 1:50. В процессе осаждения температура подложки поддерживалась на уровне 100 °C. Затем тонкие пленки после осаждения подвергались отжигу in situ в течение 60 мин при 400°C в чистом кислороде (4,4 см3/мин). Толщина пленок контролировалась и составляла около 380 нм в соответствии с калиброванной скоростью осаждения. Ti и Ru вводили с кусочками чистого Ti (чистота 99,9%, 10 мм × 10 мм × 2 мм) и кусочками сплава V/Ru (состоящего из 10,0 ат. % Ru и 90,0 ат.% V, 10 мм × 10 мм × 2 мм), расположенные симметрично на напыленной поверхности V-мишени. В 1-x-y Ti x Ru y O 2 тонкие пленки с использованием 3 кусочков Ti и 1, 2, 3 сплава V/Ru, тонкая пленка, легированная Ti, с использованием 3 кусочков Ti и нелегированная ВО 2 тонкопленочные маркируются ВТРО-1, ВТРО-2, ВТРО-3, ВТО, ВО соответственно.
Химическое состояние легирующих примесей (Ti и Ru) анализировали методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) с Al Kα-излучением (1486,6 эВ) на приборе ESCALAB 250 (Thermo Instrument). Энергии связи (BE) были откалиброваны по пику C 1 s при 284,6 эВ от постороннего углерода. Концентрации примесей в V 1-x-y Ti x Ru y O 2 тонкие пленки проверены методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (ЭДС). Кристаллическую структуру пленок исследовали методами рентгеновской дифракции (РФА) на дифрактометре Bruke D8 (Cu Kα-облучение) и просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) на Titan G2 60–300. Спектры комбинационного рассеяния характеризовали с помощью конфокального α-рамановского спектрометра с длиной волны возбуждения 514 нм и мощностью облучения около 0,5 мВт (Renishaw inVia). Морфологию поверхности образцов наблюдали с помощью сканирующей электронной микроскопии (SEM, SU8020, Hitachi). Температурно-зависимое удельное сопротивление тонких пленок было получено в температурном интервале 2 °C по толщине и листовому сопротивлению, которое было зарегистрировано с помощью четырехточечного датчика (SX1934) вместе с нагревательной пластиной.
Результаты и обсуждение
Химическое состояние легирующих примесей в пленках определяли с помощью анализа РФЭС. На рис. 1а показаны обзорные спектры XPS VO, VTO и VTRO-3, на которых отчетливо видны сильные пики V2p, O1s, Ti2p и C1s. Пик Ru 3d в тонких пленках V 1-x-y Ti x Ru y O 2 в виде сигнала плеча около 281,4 эВ можно наблюдать вблизи пика C 1 s [15]. Успешное внедрение Ti 4+ и Ru 4+ в решетку VO 2 демонстрируют пик Ti 2p и пик Ru 3d ВРТО-3 на рис. 1 б и в. Пик Ti 2p 1/2 при 464,0 эВ, пик Ti 2p 3/2 при 458,3 эВ и энергия расщепления дублета Ti 2p 5,7 эВ указывают на степень окисления ионов Ti 4+ в VTO и ВТРО-3 [16]. На рис. 1в показан РФЭС-спектр Ru 3d для ВТРО-3. Энергия связи 281,4 эВ свидетельствует о наличии Ru 4+ ионов в ВТРО-3 [16]. Наличие элементов Ti и Ru может быть дополнительно подтверждено анализом EDS, как показано на рис. 1f. Концентрации легирующих элементов Ti и Ru (x, y в V 1-x-y Ti x Ru y O 2 ), полученные методом ЭДС, для всех образцов приведены в табл. 1. концентрации Ti вводили в тонкие пленки V 1-x-y Ti x Ru y O 2 . Уровень легирования Ru в тонких пленках хорошо контролировался путем изменения количества кусочков сплава V/Ru.
а обзорные спектры VO, VTO и VTRO-3, РФЭС-спектры в деконволюции b Ti 2p, c Ru 3d для VTRO-3, d V 49 3/2 Спектры РФЭС для VO и ВТРО-3, e Спектры ЭДС для ВТРО-3
Увеличенное изображение
Таблица 1 Уровни легирования Ti и Ru, размер кристаллитов, удельное сопротивление и ТКС всех образцовПолная таблица
Кроме того, степени окисления ионов ванадия в пленках были также проанализированы из деконволютированного V 2p 3/2 пиков с использованием функции Ширли [17,18,19]. На рис. 1, г и д показаны XPS-спектры высокого разрешения V 2p 3/2 для VO и VTRO-3. Оба спектра V 2p состоят из двух пиков при 517,4 эВ, указывающих на V 5+ , и 516,1 эВ, указывающих на V 4+ [20]. Появление ионов V 5+ можно объяснить естественным окислением поверхности образца при хранении на воздухе [21, 22]. В частности, относительное содержание видов V 5+ в VO и VTRO-3, оцененное по интегральной интенсивности пика V 2p, показанного на рис. 1, г и д, составляет 34,5% и 28,0% соответственно. Относительное содержание V 4+ видов в ВО и ВТРО-3 составляют 65,5 и 72,0 % соответственно. Это указывает на то, что тонкая пленка V 1-x-y Ti x Ru y O 2 демонстрирует более высокую стабильность, чем нелегированная VO 2 .
Для подтверждения кристаллической структуры были собраны рентгенограммы всех образцов (рис. 2а). Все пленки имеют моноклинную структуру VO 2 (PDF № 43-1051) [23]. Для всех пленок пик (011) кажется более интенсивным, чем другие пики, что свидетельствует о предпочтительном росте вдоль грани (011). Отсутствие дифракционных пиков от другого оксида ванадия (V 2 O 3 , V 2 O 5 ) [22] или фазы оксидов титана/рутения [24]. Также стоит отметить, что ионы V 5+ зондируются методом РФЭС, в то время как характерные пики фазы V 2 O 5 на рентгенограммах отсутствуют. Учитывая, что РФЭС является поверхностно-чувствительным методом, а рентгеноструктурный анализ показывает решеточную структуру всего образца, считается, что присутствие ионов V 5+ связано с поверхностным окислением во время хранения и существует только на поверхности образцов. как сообщалось ранее [24,25,26,27].
a Рентгенограммы и b увеличенные изображения пиков (011) всех образцов
Полноразмерное изображение
пик для всех образцов после аппроксимации функцией Лоренца. По сравнению с VO дифракционный пик (011) VTO перемещается с 27,78 до 27,76°. Это означает, что легирование Ti вызывает небольшое увеличение межплоскостного расстояния грани (011) из-за замещающего присутствия Ti в моноклинном VO 2 [28, 29]. Что касается V 1-x-y Ti x Ru y O 2 , положение пика грани (011) смещается в сторону большего угла (от 27,78° для VO до 27,86° для ВТРО-2), что указывает на то, что межплоскостное расстояние решетки изменяется вдоль грани (011). Это должно быть связано с заменой части ионов V 4+ в моноклинной решетке на Ru 4+ с большим ионным радиусом. По формуле Шеррера средний размер кристаллитов оценивали по дифракционным данным грани (011) по уравнению Шеррера [30]. VTO имеет больший размер кристаллитов, чем VO (табл. 1). Это показывает, что легирование Ti способствует росту VO 2 кристаллиты. Но добавление Ru уменьшает размер кристаллитов пленок. С увеличением концентрации Ru, V 1-x-y Ti x Ru y O 2 в тонких пленках (ВТРО-1, ВТРО-2, ВТРО-3) наблюдается постепенное уменьшение размера кристаллитов. Наша предыдущая работа показала, что ионы Ru 4+ в решетке VO 2 ингибируют рост кристаллитов VO 2 в тонких пленках VO 2 , легированных Ru [24]. Аналогично, Ru 4+ 9Ионы 0008 подавляют коалесценцию соседних кристаллитов в тонких пленках V 1-x-y Ti x Ru y O 2 , тем самым уменьшая размер кристаллитов пленок.
Непосредственное наблюдение моноклинной решетки в ВО и ВТРО-3 было выполнено с помощью ПЭМ-анализа [31,32,33]. На рис. 3, а и б показаны картины селективной площадной дифракции (SAD) VO и VRTO-3. Они демонстрируют четкую серию дифракционных колец Дебая-Шеррера, которые можно отнести к моноклинным VO 9.0149 2 . Это указывает на моноклинно-поликристаллическую особенность нелегированных тонких пленок VO 2 и V 1-x-y Ti x Ru y O 2 , что согласуется с данными РФА. Изображения ПЭМ высокого разрешения (HRTEM), показанные на рис. 3 c и d, показывают четкие полосы решетки от моноклинного VO 2 . Это также свидетельствует о том, что тонкие пленки V 1-x-y Ti x Ru y O 2 имеют моноклинную структуру, как и нелегированная (VO) [34]. Но на вставке к рис. 3г показано искажение локальных полос решетки в кристаллите ВТРО-3. Это свидетельствует о том, что введение добавок Ti и Ru вызывает явное нарушение решетки моноклинного VO 2 .
а и б SAD картины, в и г ВРЭМ изображения ВО и ВТРО-3 фильмы. Все пики КРС для VO можно отнести к фононным модам A g и B g моноклинного VO 2 [35]. Рамановские моды от V 2 O 5 не наблюдаются [24]. Три известные моды комбинационного рассеяния (ω 1 около 193 см −1 , ω 2 около 223 см −1 , и ω 3 около 613 см −1 900 далее08 ) используются для исследования влияния на кристаллическую структуру ВО 2 тонкие пленки. Легированная титаном тонкая пленка VO 2 (VTO) имеет такую же высокочастотную фононную моду (ω 3 ), что и VO 2 (VO), типичную для моноклинного VO 2 . Иными словами, две низкочастотные моды (ω 1 и ω 2 ) в VTO демонстрируют явное красное смещение по сравнению с нелегированным VO 2 . Низкочастотные моды ω 1 и ω 2 можно отнести к колебаниям V-V [36]. Красное смещение ω 1 и ω 2 свидетельствует о том, что ионы Ti 4+ были введены в зигзагообразные V-V цепочки в моноклинном VO 2 [37], что снижает рамановские частоты колебаний V-V за счет локальной структуры возмущения вокруг ионов Ti 4+ .
Спектры Рамана в комнате-температуре для undoped VO 2 , TI-легированные VO 2 и V 1-X TI x RU Y O 2 SHIND FINMS
3
63. высокочастотная фононная мода ω 3 по-прежнему наблюдается для тонких пленок V 1-x-y Ti x Ru y O 2 , что свидетельствует о наличии моноклинных VO 2 . Это согласуется с анализами XRD и TEM. Но их рамановские интенсивности ω 3 значительно меньше по сравнению с ВО и ВТО. Остальные пики КР заметно ослабевают и даже исчезают при увеличении концентрации Ru. Это свидетельствует о локальном нарушении моноклинной решетки VO 2 из-за присутствия ионов Ti и Ru. В предыдущей работе было показано, что ионы Ru 4+ в решетке VO 2 способствуют индуцированию локальной тетрагональной симметрии в моноклинном каркасе, поскольку координация Ru–O демонстрирует почти идентичную симметрию с тетрагональной VO 2 [24, 38]. Тетрагональная симметрия имеет более низкую комбинационную активность, чем моноклинная фаза [39]. Так, тонкие пленки V 1-x-y Ti x Ru y O 2 показывают гораздо меньшую интенсивность комбинационного рассеяния.
На рис. 5 показана морфология поверхности РЭМ для VO, VTO и VTRO-3. Нелегированная пленка VO 2 состоит в основном из частиц размером около 50–100 нм (рис. 5а). Легирование Ti, очевидно, влияет на морфологию поверхности пленок VO 2 . VTO имеет больший размер частиц, чем VO (рис. 5б). Это также указывает на то, что легирование Ti способствует росту VO 2 кристаллитов, что согласуется с данными РФА. В отличие от этого ВТРО-3 имеет более плотную и гладкую морфологию поверхности, чем ВО и ВТО (рис. 5в), что предпочтительнее для изготовления высококачественных пикселей в микроболометре. Плотная морфология поверхности ВТРО-3 должна быть обусловлена ингибирующим действием ионов Ru 4+ в решетке VO 2 на рост кристаллов, выявленным рентгенофазовым анализом. Ионы Ru 4+ подавляют коалесценцию зерен VO 2 , сдерживая подвижность границ зерен (ГЗ) [24]. ВТРО-3 имеет меньший размер кристаллитов, чем ВО и ВТО (табл. 1). В результате более мелкие зерна ВТРО-3 образуют более плотные пленки, чем VO и VTO, как показано на рис. 5.
РЭМ изображения морфологии поверхности для a VO, b VTO и c VTRO-3
Полноразмерное изображение
На рис. для нелегированной пленки ВО 2 и тонких пленок В 1-х-у Ti х Ру у О 2 . VO имеет типичную особенность SMT поликристаллических тонких пленок VO 2 с амплитудой SMT (отношение удельного сопротивления при 26 °C к сопротивлению при 90 °C) примерно на 3 порядка, ширину гистерезиса 13,4 °C и температуру поверхностного монтажа 72,1 °C (получено из графика dln ρ/dT в зависимости от T на рис. 6b) [40,41,42 ]. Интересно, что тонкая пленка, легированная Ti (VTO), не демонстрирует резкого изменения удельного сопротивления при изменении температуры от КТ до 106 °C (рис. 6в), хотя имеет такую же моноклинную структуру при КТ, как и VO. Это свидетельствует о том, что СМТ ВО -2- сдерживается легированием Ti высокой концентрации. Функция no-SMT позволяет избежать изменений гистерезиса и деформации из-за SMT VO 9.0149 2 по температуре поверхностного монтажа, что ценно для применения в микроболометрах. При дальнейшем легировании Ru свойство отсутствия SMT сохраняется в тонких пленках V 1-x-y Ti x Ru y O 2 (рис. 6в). Более того, удельное сопротивление тонких пленок при КТ явно уменьшается с увеличением концентрации Ru (табл. 1). Удельное сопротивление при комнатной температуре ВТРО-3 (1,55 Ом·см) составляет лишь одну восьмую от VO (13,5 Ом·см). Как правило, удельное сопротивление поликристаллических пленок включает удельное сопротивление зерен и удельное сопротивление ГБ. Уменьшение размера зерен в пленках приводит к увеличению плотности ГЗ, что увеличивает удельное сопротивление за счет рассеяния ГЗ [43]. ВТРО-3 имеет меньший размер зерен, чем VO, как показал анализ СЭМ (рис. 5). Удельное сопротивление ГЗ в ВТРО-3 должно быть больше, чем в ВО из-за повышенной плотности ГЗ. Но предсказанная тенденция изменения удельного сопротивления ГБ в зависимости от размера зерна противоречит изменению удельного сопротивления пленки при легировании. Следовательно, удельное сопротивление зерен, а не ГЗ, могло играть преобладающую роль в удельном сопротивлении VO 9 .0149 2 поликристаллические тонкие пленки. Чрезвычайно низкое удельное сопротивление ВТРО-3 может быть результатом значительного уменьшения удельного сопротивления зерен из-за включения ионов Ru 4+ . Замещающие ионы Ru 4+ способствуют индуцированию локальной тетрагональной симметрии в моноклинной решетке VO 2 , что было продемонстрировано в предыдущей работе [24]. Это вызывает смещение вверх максимума валентной зоны и увеличение плотности состояний V 3d-электронов, что приводит к заметному уменьшению удельного сопротивления зерен. Таким образом, ВТРО-3 имеет гораздо меньшее удельное сопротивление, чем VO. Более низкое удельное сопротивление термочувствительных материалов обычно указывает на меньший шум и большее электрическое увеличение для микроболометрических устройств, следовательно, на более высокую чувствительность микроболометров [2]. Что еще более важно, ВТРО-3 с низким удельным сопротивлением имеет большой ТКС (3,47%/°C), аналогичный нелегированному VO 9.0149 2 тонкая пленка (ВО). Это логично, поскольку полупроводник VO 2 с моноклинной структурой обычно имеет большой ТКС [44]. Как показали анализы XRD, Raman и TEM, тонкие пленки V 1-x-y Ti x Ru y O 2 имеют такую же моноклинную структуру, как и нелегированный VO 2 . Так, они сохраняют высокий ТКС как моноклинные VO 2 . Значение TCR VTRO-3 в 1,7 раза больше VO x тонких пленок, используемых в коммерческих микроболометрах (около 2%/°C). Это ценно для повышения чувствительности микроболометров, поскольку она пропорциональна ТКС термочувствительных материалов [1]. Следовательно, V 1-x-y Ti x Ru y O 2 тонкая пленка с предпочтительными концентрациями легирующей примеси (VTRO-3) обладает привлекательными характеристиками (отсутствие SMT, низкое удельное сопротивление и высокий TCR) термочувствительных материалов для высокопроизводительные микроболометры. Кроме того, тонкая пленка V 1-x-y Ti x Ru y O 2 демонстрирует превосходные компромиссные характеристики по сравнению с другими термочувствительными тонкими пленками на основе оксида ванадия, как показано в таблице 2. Это указывает на то, что V 1-x-y Ti x Ru y O 2 может быть перспективным термочувствительным материалом для микроболометров.
а Температурная зависимость ρ для всех образцов, графики зависимости dln ρ/dT от T для б VO и с ВТО и ВТРО-3
Полный размер 3 Таблица 9 2 TCR, удельное сопротивление RT и температура обработки V 0,8163 Ti 0,165 Ru 0,0187 O 2 и другие термочувствительные тонкие пленки на основе оксида ванадия, о которых сообщалось ранее
Полноразмерная таблица
Для исследования механизма отсутствия SMT в тонких пленках VO 2 и V 1-x-y Ti x Ru y O 2, Спектры комбинационного рассеяния ВТО и ВТРО-3 получены при разной температуре. В качестве контроля на рис. 7 также показана температурная зависимость спектра КРС для нелегированной тонкой пленки (VO) 2 VO. Учитывая, что высокочастотная мода ω 3 обычно считается отпечатком для моноклинного VO 2 [36], анализируется изменение этого пика с температурой. Как показано на рис. 7а, для VO до SMT можно наблюдать четкий пик комбинационного рассеяния от ω 3 , хотя интегральная интенсивность комбинационного рассеяния уменьшается от RT до 60 °C. После SMT пик КР от ω 3 не может быть обнаружен из-за полного структурного перехода от моноклинной к тетрагональной решетке [39]. И наоборот, пик ω 3 может наблюдаться для VTO до 106 °C (рис. 7б). Это указывает на существование моноклинной VO 2 в ВТО от КТ до 106 °С. Сообщалось, что легирование Ti увеличивает температуру SMT VO 2 при низком уровне легирования [48, 49]. Но температура SMT достигает насыщения при 80–85 °C, когда уровень легирования превышает примерно 8 ат. % [37, 50]. Предыдущая литература показала, что амплитуда SMT тонких пленок VO 2 , легированных Ti, очевидно уменьшается с уровнем легирования Ti из-за значительного увеличения удельного сопротивления в металлическом состоянии [48]. Это может происходить из-за более прочных связей Ti-O, чем связи V-O. Известно, что СМТ ВО 2 связано со структурным превращением моноклинной фазы в тетрагональную [51]. По сравнению с тетрагональной фазой моноклинная VO 2 имеет заметно пониженную симметрию, для которой характерны зигзагообразные цепочки V-V с двумя расстояниями V-V (2,65 и 3,12 Å) [51, 52]. По мере повышения температуры до температуры SMT зигзагообразные цепочки V-V в моноклинной фазе трансформируются в линейные цепочки V-V с уникальным расстоянием V-V около 2,85 Å в тетрагональной фазе. Ti имеет более отрицательную стандартную теплоту образования оксидов, чем V [53]. Это указывает на то, что связи Ti–O более стабильны, чем связи V–O. Для легированного титаном VO 2 прочные связи Ti–O стабилизируют зигзагообразные цепочки V–V вокруг себя за счет эффекта пиннинга. Это приводит к тому, что некоторые моноклинные домены остаются в тетрагональной решетке поперек SMT. В результате удельное сопротивление пленок VO 2 , легированных Ti, после SMT, очевидно, увеличивается с увеличением уровня легирования Ti, поскольку моноклинный VO 2 имеет гораздо более высокое удельное сопротивление, чем тетрагональный. Поскольку концентрация Ti достигает относительно высокого значения, такого как около 17% для VTO, большинство моноклинных структур сохраняется после того, как температура превысит температуру SMT VO 2 . В результате в ВТО можно обнаружить моноклинную структуру до 106 °С (рис. 7б). Аналогичный механизм работает для тонких пленок V 1-x-y Ti x Ru y O 2 , поскольку ионы Ti 4+ с эквивалентной концентрацией VTO легированы в тонкие пленки VTRO. Так, моноклинная структура может наблюдаться и в ВТРО-3 до 106 °С, как показано на рис. 7в. Повышенная стабильность моноклинной структуры приводит к отсутствию SMT в легированных титаном тонких пленках VO 2 и V 1-x-y Ti x Ru y O 2 тонкие пленки. Рис. 7 Ti x Ru y O 2 тонкие пленки должны быть результатом повышенной локальной симметрии в моноклинной решетке за счет легирования замещения Ru 4+ ионов [24]. На рис. 8 показаны XPS-спектры валентной полосы (VB) VO и VTRO-3. Их спектры ВЗ имеют двухобластную структуру, состоящую из широкой полосы O 2p и полосы V 3d. Край полосы около 0,3 эВ показывает полупроводниковое состояние нелегированного VO 2 (VO). По сравнению с VO для VTRO-3 можно наблюдать сдвиг полосы V 3d в сторону уровня Ферми (E F ). При этом отношение интегральной интенсивности полосы V 3d к полосе O 2p для ВТРО-3 (6,23 %) больше, чем для VO (4,62 %). Это свидетельствует о том, что плотность состояний (DOS) полосы V3d для VTRO-3 увеличивается по сравнению с таковой для VO [24, 54]. Согласно модели Гуденаф, зигзагообразные цепочки V-V в моноклинной VO 2 вызывает расщепление d || полоса V 3d электронов на нижнюю и верхнюю d || полос, что приводит к запрещенной зоне. Так, моноклинный VO 2 имеет полупроводниковое состояние [41, 55]. После легирования ионами Ru 4+ усиление локальной симметрии ослабляет расщепление d || Группа . Это приводит к смещению вверх максимума VB и увеличению ПЭС полосы V 3d [24]. Таким образом, большее количество электронов может перепрыгнуть при RT из ВЗ в зону проводимости. Следовательно, V 1-x-y Ti x Ru y O 2 тонкие пленки имеют значительно более низкое сопротивление при комнатной температуре, чем нелегированные.
XPS VB спектры VO и VTRO-3. На вставке — увеличенные изображения спектров ВБ вокруг E F
Изображение в натуральную величину
Выводы
V 1-x-y Ti x Ru y O 90 2 получены из тонких пленок процесс реактивного магнетронного совместного распыления с последующим отжигом при 400 °C. Ру 9Ионы 0007 4+ и Ti 4+ встраиваются в моноклинную решетку VO 2 путем замещения. Хотя тонкие пленки V 1-x-y Ti x Ru y O 2 имеют ту же моноклинную структуру, что и нелегированный VO 2 , сосуществование ионов Ti и Ru уменьшает размер кристаллитов пленок. Это приводит к более гладкой морфологии поверхности, чем тонкие пленки VO 2 . Ионы Ti 4+ в цепочках V-V моноклинного VO 2 в некоторой степени стабилизируют зигзагообразные цепочки V-V за счет эффекта пиннинга из-за большей прочности связи Ti-O, чем связи V-O. Это приводит к тому, что в тонких пленках, легированных Ti и совместно легированных Ti-Ru, отсутствует SMT. В 1-x-y Ti x Ru y O 2 тонкие пленки с моноклинной структурой имеют большой ТКС, как и моноклинный VO 2 . Повышенная локальная симметрия из-за легирования Ru приводит к гораздо более низкому удельному сопротивлению RT для тонких пленок V 1-x-y Ti x Ru y O 2 , чем у нелегированных. В 1-х-у Ti x Ru y O 2 — один из перспективных термочувствительных материалов для изготовления высокопроизводительных мелкопиксельных микроболометров.
Доступность данных и материалов
Все данные и материалы полностью доступны без ограничений.
Сокращения
- SMT:
Переход полупроводник-металл
- ВО 2 :
Ванадия диоксид
- ТКР:
Температурный коэффициент сопротивления
- РТ:
Комнатная температура
- МЭМС:
Микроэлектромеханическая система
- ВО х :
Оксид ванадия
- ДЦ:
Постоянный ток
- XPS:
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия
- ВЕ:
Энергии связи
- ЭЦП:
Энергодисперсионная рентгеновская спектроскопия
- XRD:
Рентгеновская дифракция
- ТЕМ:
Просвечивающая электронная микроскопия
- SEM:
Сканирующая электронная микроскопия
- САД:
Селективная зональная дифракция
- БПФ:
Быстрое преобразование Фурье
Ссылки
Венкатасубраманиан С., Кабаркос О.М., Аллара Д.Л., Хорн М.В., Ашок С., Вак Дж. (2009) Корреляция температурного отклика и структуры отожженных тонких пленок VO x для применения в ИК-детекторах. J Vac Sci Technol A 4 (27): 956–961 https://doi.org/10.1116/1.3143667
Артикул КАС Google ученый
Jin Y, Basantani HA, Ozcelik A, Jackson TN, Horn MW (2013) Тонкие пленки оксида ванадия с высоким удельным сопротивлением и высоким TCR для получения инфракрасных изображений, приготовленные путем осаждения ионного пучка смещения мишени. Proc Spie 8704:87043C https://doi.org/10.1117/12.2016277
Артикул КАС Google ученый
Han J-H, Choi J-M, Lee S-H, Jeon W, Park J-S (2018) Химия тонкой пленки SiN x , осажденной методом плазменно-усиленного атомно-слоевого осаждения с использованием диизопропиламиносилана (DIPAS) и N 2 плазма. Ceram Int 17(44):20890–20895 https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2018.08.095
Артикул КАС Google ученый
Сурана В.К., Бхардвадж Н., Рават А., Ядав Й., Гангули С., Саха Д. (2019) Реализация высококачественного осаждения нитрида кремния при низких температурах. J Appl Phys 17(126):115302 https://doi.org/10.
1063/1.5114927Артикул КАС Google ученый
Dai J, Wang X, He S, Huang Y, Yi X (2008) Низкотемпературное изготовление тонких пленок VO x для неохлаждаемых ИК-детекторов методом реактивного магнетронного распыления на постоянном токе. Инфракрасная физика 4 (51): 287–291 https://doi.org/10.1016/j.infrared.2007.12.002
Артикул КАС Google ученый
Gu D, Zhou X, Guo R, Wang Z, Jiang Y (2017) Микроструктуры и электрические свойства тонких пленок аморфного оксида ванадия, легированного Y. Инфракрасная физика 81: 64–68 https://doi.org/10.1016/j.infrared.2016.12.013
КАС Статья Google ученый
Su YY, Cheng XW, Li JB, Dou YK, Rehman Fida SD-Z, Jin HB (2015) Эволюция микроструктуры болометрической пленки оксида ванадия в процессе отжига.
Appl Surf Sci 357:887–891 https://doi.org/10.1016/j.ijleo.2015.06.076КАС Статья Google ученый
Loquai S, Baloukas B, Zabeida O, Klemberg-Sapieha JE, Martinu L (2016) HiPIMS-осажденный термохромный материал VO 2 Пленки на полимерных подложках. Sol Energy Mater Sol Cells 155: 60–69 https://doi.org/10.1016/j.solmat.2016.04.048
КАС Статья Google ученый
Liu K, Cheng C, Suh J, Tang-Kong R, Fu D, Lee S, Zhou J, Chua LO, Wu J (2014) Мощные, многофункциональные торсионные микромышцы, активируемые фазовым переходом. Adv Mater 11 (26): 1746–1750 https://doi.org/10.1002/adma.201304064
Артикул КАС Google ученый
Стрельцов Е., Лилач Ю., Колмаков А. (2009) Датчик газа на основе перехода металл-изолятор в термисторе из нанопроволоки ВО 2 .
6n Нано-летт 6 (9): 2322–2326 https://doi.org/10.1021/nlАртикул КАС Google ученый
Saradha T, Subramania A, Balakrishnan K, Muzhumathi S (2015) Синтез горения нанокристаллического La , легированного Sm, с помощью микроволнового излучения 2 Mo 2 O 9 оксидно-ионные проводники для ТОТЭ. Mater Res Bull 68: 320–325 https://doi.org/10.1016/j.materresbull.2015.03.071
КАС Статья Google ученый
Солтани М., Чакер М., Хаддад Э., Крузелецкий Р.В., Марго Дж. (2004) Влияние совместного легирования Ti-W на оптическое и электрическое переключение тонких пленок диоксида ванадия, выращенных с помощью реактивного импульсного лазерного осаждения. Appl Phys Lett 11 (85): 1958–1960 https://doi.org/10.1063/1.1788883
Артикул КАС Google ученый
Yue H, Xue L, Chen F (2017) Эффективное электрохимическое удаление нитритных загрязнений с помощью стабильных электродов RuO 2 –TiO 2 /Ti. Заявка на катал. B 206:683–691 https://doi.org/10.1016/j.apcatb.2017.02.005
КАС Статья Google ученый
Ji C, Wu Z, Lu L, Wu X, Wang J, Liu X, Zhou H, Huang Z, Gou J, Jiang Y (2018) Высокие термохромные характеристики VO, легированного Fe/Mg, 2 Тонкие пленки для интеллектуальных окон.
J Mater Chem C 24 (6): 6502–6509 https://doi.org/10.1039/c8tc0111gАртикул Google ученый
Shi Q, Huang W, Wu J, Zhang Y, Xu Y, Zhang Y, Qiao S, Yan J (2012) Терагерцовые характеристики пропускания через фазовый переход в VO 2 пленки, нанесенные на кремний, сапфир и SiO 2 подложки. J Appl Phys 3 (112): 033523 https://doi.org/10.1063/1.4746701
Артикул КАС Google ученый
Shi Q, Huang W, Zhang Y, Yan J, Zhang Y, Mao M, Zhang Y, Tu M (2011) Свойства гигантского фазового перехода в терагерцовом диапазоне в пленках VO 2 , осажденных золь-гель методом. Интерфейс ACS Appl Mater 9(3):3523–3527 https://doi.org/10.1021/am200734k
Артикул КАС Google ученый
Zhang H, Wu Z, Niu R, Wu X, He Q, Jiang Y (2015) Свойства перехода металл-изолятор напыленных легированных кремнием и нелегированных пленок диоксида ванадия в терагерцовом диапазоне.
Приложение Surf Sci 331: 92–97 https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2015.01.013КАС Статья Google ученый
Zhang Z, Gao Y, Chen Z, Du J, Cao C, Kang L, Luo H (2010) Thermochromic VO 2 тонкие пленки: обработка на основе раствора, улучшенные оптические свойства и пониженная температура фазового превращения. Ленгмюр 13 (26): 10738–10744 https://doi.org/10.1021/la100515k
Артикул КАС Google ученый
Li B, Tian S, Tao H, Zhao X (2019) Легированные вольфрамом M-фазы VO 2 мезопористые нанокристаллы с улучшенными всесторонними термохромными свойствами для интеллектуальных окон. Ceram Int 4(45):4342–4350 https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2018.11.109
Артикул КАС Google ученый
Zhang Y, Zhang J, Zhang X, Huang C, Zhong Y, Deng Y (2013) Добавки W, Mo, Sn и Fe для стимулирования образования VO 2 (M) и его оптические коммутационные свойства.
Mater Lett 92: 61–64 https://doi.org/10.1016/j.matlet.2012.10.054КАС Статья Google ученый
Gu D, Zheng H, Ma Y, Xu S, Zhou X (2019) Высокоэффективный подход к снижению температуры фазового перехода тонких поликристаллических пленок VO 2 посредством легирования Ru 4+ . J Alloy Compd 790: 602–609 https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.03.214
КАС Статья Google ученый
Wang M, Bian J, Sun H, Liu W, Zhang Y, Luo Y (2016) n-VO 2 /p-GaN нитрид-оксидная гетероструктура с различной толщиной слоя VO 2 , выращенная МБЕ. Appl Surf Sci (389): 199–204 https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.07.109
Bian J, Wang M, Miao L, Li X, Luo Y, Zhang D, Zhang Y (2015) Рост и определение характеристик гетероструктуры VO 2 /p-GaN/сапфир со свойствами фазового перехода.
Appl Surf Sci 357: 282–286 https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2015.08.263КАС Статья Google ученый
Li D, Li M, Pan J, Luo Y, Wu H, Zhang Y, Li G (2014) Гидротермальный синтез композитных нанокристаллов VO 2 /TiO 2 , легированных молибденом, с улучшенными термохромными характеристиками. Интерфейс ACS Appl Mater 9(6):6555–6561 https://doi.org/10.1021/am500135d
Артикул КАС Google ученый
Chen S, Liu J, Wang L, Luo H, Gao Y (2014) Механизм распутывания при уменьшении ширины теплового гистерезиса VO 2 легированием Ti: совместное экспериментальное и теоретическое исследование. J Phys Chem C 33 (118): 18938–18944 https://doi.org/10.1021/jp5056842
Артикул КАС Google ученый
Nishikawa M, Nakajima T, Kumagai T, Okutani T, Tsuchiya T (2011) Легированные титаном пленки VO 2 , выращенные на стеклянных подложках с помощью процесса осаждения металлоорганических соединений с помощью эксимерного лазера.
Jpn J Appl Phys 1(50): 01BE04 https://doi.org/10.1143/JJAP.50.01BE04Balamurugan C, Maheswari AR, Lee DW, Subramania A (2013) Селективное определение газообразного этанола мезопористого полупроводникового n-типа FeNbO 4 нанопорошка, полученного ниобий-цитратным процессом. Curr Appl Phys 14:439–446 https://doi.org/10.1016/j.cap.2013.11.052
Артикул Google ученый
Balamurugan C, Subashini A, Chaudhari GN, Subramania A (2012) Разработка датчика с широкой запрещенной зоной на основе AlNbO 4 нанопорошок для этанола. J Alloy Compd 526:110–115 http://dx.doi.org/. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2012.01.085
КАС Статья Google ученый
Guo M, Xia X, Gao Y, Jiang G, Deng Q, Shao G (2012) Самовыравнивающиеся тонкие пленки TiO 2 с замечательной функцией определения водорода.
Приводы Sens B 168:165–171 https://doi.org/10.1016/j.snb.2012.02.072Артикул КАС Google ученый
Balamurugan C, Vijayakumar E, Subramania A (2012) Синтез и определение характеристик нанопорошка InNbO 4 для газовых сенсоров. Таланта 88:115–120 https://doi.org/10.1016/j.talanta.2011.10.017
КАС Статья Google ученый
Gu D, Li Y, Zhou X, Xu Y (2019)Простое изготовление тонких пленок композитного оксида ванадия с улучшенными термохромными свойствами. ACS Appl Mater Interface 41(11):37617–37625 https://doi.org/10.1021/acsami.9б11376
Артикул КАС Google ученый
Урена-Бегара Ф., Крунтяну А., Раскин Дж. П. (2017) Рамановская и XPS-характеристика тонких пленок оксида ванадия в зависимости от температуры. Appl Surf Sci 403: 717–727 https://doi.
org/10.1016/j.apsusc.2017.01.160КАС Статья Google ученый
Окимура К., Ажан Н.Х., Хаджири Т., Кимура С., Загриуи М., Сакаи Дж. (2014) Температурно-зависимые исследования комбинационного рассеяния света и ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии поведения фазового перехода VO 2 пленки с фазами М1 и М2. J Appl Phys 15 (115): 153501 https://doi.org/10.1063/1.4870868
Артикул КАС Google ученый
Du J, Gao Y, Luo H, Kang L, Zhang Z, Chen Z, Cao C (2011) Значительные изменения в гистерезисе фазового перехода для легированных Ti пленок VO 2 , полученных осаждением с помощью полимера. Sol Energy Mater Sol Cells 2 (95): 469–475 https://doi.org/10.1016/j.solmat.2010.08.035
Артикул КАС Google ученый
Whittaker L, Wu T, Stabile A, Sambandamurthy G, Banerjee S (2011) Раман-микрозондовые исследования переходов металл-диэлектрик, индуцированных легированием, температурой и напряжением, переходов металл-диэлектрик, индуцированных легированием, температурой и напряжением, W x В 1 –x O 2 нанопроволоки. ACS Nano 11(5):8861–8867 https://doi.org/10.1021/nn203542c
Артикул КАС Google ученый
Gu D, Sun Z, Zhou X, Guo R, Wang T, Jiang Y (2015) Влияние легирования иттрием на микроструктуры и характеристики фазового перехода полупроводник-металл поликристаллического VO 2 тонкие пленки.
Appl Surf Sci 359:819–825 https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2015.10.179КАС Статья Google ученый
Gu D, Zhou X, Sun Z, Jiang Y (2017) Влияние легирования гадолинием на микроструктуру и характеристики фазового перехода тонких пленок VO 2 . J Alloy Compd 705: 64–69 https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2017.02.138
КАС Статья Google ученый
Zhang R, Yin C, Fu Q, Li C, Qian G, Chen X (2018) Переход металл-изолятор и эффективное управление им изучено в исследованиях V 1-x Nb x O 2 шт. Ceram Int 3(44):2809–2813 https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2017.11.024
Артикул КАС Google ученый
Wu W, Brongersma SH, Van Hove M, Maex K (2004) Влияние поверхностного и зернограничного рассеяния на удельное сопротивление меди в уменьшенных размерах.
Appl Phys Lett 15 (84): 2838–2840 https://doi.org/10.1063/1.1703844Артикул КАС Google ученый
Chen X, Lv Q (2015) Анализ характеристик петли гистерезиса сопротивления тонкой пленки VO 2 для высокочувствительного микроболометра. Оптик 20(126):2718–2722 https://doi.org/10.1016/j.ijleo.2015.06.076
Артикул КАС Google ученый
Озчелик А., Кабаркос О., Аллара Д.Л., Хорн М.В. (2013) Тонкие пленки оксида ванадия, легированные Ti, Zr, Nb и Mo, для неохлаждаемых инфракрасных изображений. Дж Электрон Матер 5(42):901–905 https://doi.org/10.1007/s11664-012-2326-9
Артикул КАС Google ученый
Ван С., Ю С., Лу М., Лю М., Цзо Л. (2017) Тонкие пленки оксида ванадия, легированные титаном, осажденные атомным слоем, и их применение в термисторах.
J Electron Mater 4 (46): 2153–2157 https://doi.org/10.1007/s11664-016-5150-9Артикул КАС Google ученый
Lee H-Y, Wu C-L, Kao C-H, Lee C-T, Tang S-F, Lin W-J, Chen H-C, Lin J-C (2015) Исследование характеристик неохлаждаемого легированного танталом VO x микроболометры поплавкового типа. Appl Surf Sci 354:106–109 https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2015.03.008
КАС Статья Google ученый
Huang K, Meng Y, Xu X, Chen P, Lu A, Li H, Wu B, Wang C, Chen X (2017) Влияние электронного заполнения орбиты на переход металл–изолятор в Ti x В 1 − х О 2 . J Phys: Condens Matter 35(29):355402 https://doi.org/10.1088/1361-648X/aa7707
Google ученый
Hu Y, Shi Q, Huang W, Zhu H, Yue F, Xiao Y, Liang S, Lu T (2016) Получение и свойства фазового перехода пленок VO 2 , легированных Ti, с помощью золь-гель процесса.
J Sol-Gel Sci Technol 1 (78): 19–25 https://doi.org/10.1007/s10971-015-3913-zАртикул КАС Google ученый
Ву И, Фань Л, Лю Кью, Чен С, Хуан В, Чен Ф, Ляо Г, Цзоу С, Ву З (2015) Разделение эффектов искажения решетки и зарядового легирования на поведение фазового перехода VO 2 Ti 4+ легирование. Sol Energy Mater Sol Cells 5:9328 https://doi.org/10.1038/srep09328
КАС Google ученый
Whittaker L, Patridge CJ, Banerjee S (2011) Микроскопическая и наномасштабная перспектива фазовых переходов металлического изолятора VO 2 некоторые новые повороты в старой сказке. J Phys Chem Lett 7(2):745–758 https://doi.org/10.1021/jz101640n
Артикул КАС Google ученый
Гупта С.Н., Пал А., Мутху Д.В.С.
, Анил Кумар П.С., Суд А.К. (2016) Металлическая моноклинная фаза в VO 2 , индуцированная электрохимическим стробированием: рамановское исследование in situ. EPL 1 (115): 17001 https://doi.org/10.1209/0295-5075/115/17001Артикул КАС Google ученый
Campbell CT (1997) Ультратонкие металлические пленки и частицы на оксидных поверхностях: структурные, электронные и хемосорбционные свойства. Научный представитель по серфингу 1-3 (27): 1–111 https://doi.org/10.1016/S0167-5729(96)00011-8
Артикул Google ученый
Мураока Ю., Нагао Х., Катаяма С., Вакита Т., Хираи М., Ёкоя Т., Кумигашира Х., Осима М. (2014) Постоянный переход изолятор-металл тонкой пленки VO 2 , вызванный мягким X- лучевое облучение. Jpn J Appl Phys 5 (53): 05FB09 https://doi.org/10.7567/JJAP.53.05FB09
Артикул КАС Google ученый
Рогальский А., Мартынюк П., Копытко М. (2016) Проблемы малопиксельных инфракрасных детекторов: обзор. Респ Прог Физ 4(79):046501 https://doi.org/10.1088/0034-4885/79/4/046501
Артикул КАС Google ученый
Yung CS, Tomlin NA, Straatsma C, Rutkowski J, Richard EC (2019) Новая термически изолированная структура пикселей для неохлаждаемых инфракрасных массивов в фокальной плоскости с высоким разрешением (640 X 480). Опция Eng 1(45):014001 https://doi.org/10.1117/1.2151892
Google ученый
Chaker A, Szkutnik PD, Pointet J, Gonon P, Vallee C, Bsiesy A (2016) Понимание механизмов межфазных реакций во время роста слоя TiO 2 на RuO 2 путем осаждения атомного слоя с O 2 плазма или H 2 O в качестве источника кислорода. J Appl Phys 8(120):085315 https://doi.org/10.1063/1.4960139
Артикул КАС Google ученый
Aetukuri NB, Gray AX, Drouard M, Cossale M, Gao L, Reid AX, Kukreja R, Ohldag H, Jenkins CA, Arenholz E, Roche KP, Dürr HA, Samant MG, Parkin SSP (2013) Контроль переход металл-изолятор в диоксиде ванадия за счет изменения заполнения орбиты. Nat Phys 10 (9): 661–666 https://www.nature.com/articles/nphys2733
Артикул КАС Google ученый
Goodenough JB (1971) Аномальные свойства оксидов ванадия. Annu Rev Mater Sci 1:101–138 https://www.annualreviews.org/doi/10.1146/annurev.ms.01.080171.000533
КАС Статья Google ученый
Ссылки на скачивание
Благодарности
Авторы выражают благодарность за финансовую поддержку, оказанную этой работе Национальным фондом естественных наук Китая.
Финансирование
Работа выполнена при поддержке Национального фонда естественных наук Китая (грант № 61841501 и 61421002).
Информация об авторе
Авторы и организации
Факультет оптоэлектроники и инженерии Университета электронных наук и технологий Китая, Чэнду, 610054, Сычуань, Китайская Народная Республика
Ятао Ли, Дин Гу, Шиянг Сю, Синь Чжоу, Кай Юань и Ядун Цзян
Авторы
- Yatao Li
Посмотреть публикации автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
- Deen Gu
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
- Shiyang Xu
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
- Xin Zhou
Посмотреть публикации автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
- Kai Yuan
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
- Yadong Jiang
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
Вклады
YTL подготовила рукопись, а SYX провела эксперименты и собрала данные. DEG задумал идею и разработал эксперименты. XZ, KY и YDJ помогли в технической поддержке характеристик. Все авторы обсудили результаты и одобрили окончательный вариант рукописи.
Автор, ответственный за переписку
Переписка с Дин Гу.
Заявление об этике
Конкурирующие интересы
Авторы заявляют, что у них нет конкурирующих интересов.
Дополнительная информация
Примечание издателя
Springer Nature остается нейтральной в отношении юрисдикционных претензий в опубликованных картах и институциональной принадлежности.
Права и разрешения
Открытый доступ Эта статья находится под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 International License, которая разрешает использование, совместное использование, адаптацию, распространение и воспроизведение на любом носителе или в любом формате, при условии, что вы укажете соответствующую ссылку на оригинальный автор(ы) и источник, предоставьте ссылку на лицензию Creative Commons и укажите, были ли внесены изменения.
