Виды транзисторов
Существуют десятки тысяч транзисторов. Их все можно разделить на несколько типов по характеристикам. Я расскажу какие существуют виды транзисторов и чем они друг от друга отличаются.
Транзисторы можно разделить на виды по таким характеристикам как:
- Физическое строение
- Принцип действия
- Мощность
- Полоса пропускания частот
- Коэффициент усиления по току
- и т.д.
Но основными являются четыре: физическая структура транзистора, принцип действия транзистора, мощность и полоса рабочих частот транзистора.
По принципу действия все транзисторы можно разделить на две большие группы: биполярные транзисторы и полевые транзисторы. Различаются они как принципом действия, так и физическим строением. При этом различается как структура транзистора, так и принцип их функционирования. Внешне оба вида выполняют те же функции, но внутри у полевых и биполярных транзисторов всё работает иначе.
Посмотри на схему выше. Как ты уже заметил, и у биполярных и у полевых транзисторов есть общие характеристики: мощность и частота. Которые могут быть малыми, средними, высокими.
Рассеиваемая мощность транзистора
При это маломощными считаются транзисторы, которые в состоянии рассеять не более 0.3 Вт, транзисторы средней мощности в состоянии рассеять уже от 0.3 Вт до 1.5 Вт. Ну а мощные транзисторы рассеивают более 1.5Вт.
Полоса пропускания транзистора
Так называют диапазон частот, в которых транзистор сохраняет свои качества как транзистора. На выбор транзистора по частоте сильно влияет тип твоего устройства и с какими частотами сходящих сигналов оно должно уметь работать правильно.
Биполярный транзистор
Я не буду описывать строение транзистора, для этого сущесвуют другие статьи. В этот раз я хочу заострить твоё внимание на том, что в семейсве биполярных транзисторов есть два клана. Этоклан транзисторов со структурой N-P-N и клан со структурой P-N-P.
Кроме физ. строения каких либо других различий между ними нет.
Полевые транзисторы
Полевые транзисторы также как и биполярные можно разделить на транзисторы P- и N-типа. Но помимо этого они делять ещё два вида: MOSFET и JFET. MOSFET — это полевой транзистор с изолированным затвором и JFET — это полевой транзистор с единственным PN-переходом.
| Разница между полевым и биполярным транзисторами | ||
| Принцип работы | биполярный | полевой |
| Управляются током. Для работы требуется подавать начальный ток смещения на базу | Управляются напряжением. Всё что им требуется для работы — это подача напряжения на затвор | |
|
Обладают сравнительно малым входным сопротивлением, поэтому потребляют от больший ток, чем полярные |
Обладают высоким входным сопротивлением, что означает практически отсутствующих входной ток транзистора. Позволяет меньше нагружатьисточник питания за счет меньшего потребления тока от источника |
|
| Усиление по току | Биполярные транзисторы обладают больее высоким коэфф. усиления. | Коэфф. усиления меньше, чем в биполярном транзисторе. |
| Размер | Имеют средний и большой размер. | Полевые транзисторы можно производить для повернохстного монтажа. А также использовать в интегральных схемах. |
| Популярность | Сегодня биполярне транзисторы стали уступать свои позиции перед FET | FET-транзисторы сновятся все более популярны и активно используются в коммерческом ПО. |
| Стоимость | Биполярные транзисторы дешевы в производстве. | FET, а особенно MOSFET значительно дороже произвести, чем биполярные транзисторы. |
Вот и всё. Конечно за кадром остались глубокие принципы работы транзисторов.
Но сделано это намеренно. О них я расскажу как-нибудь в другой раз.
/blog/vidyi-tranzistorov/ Существуют десятки тысяч транзисторов. Их все можно разделить на несколько типов по характеристикам. Я расскажу какие существуют виды транзисторов и чем они друг от друга отличаются. 2016-09-22 2016-12-12 Виды транзисторов, полевой транзистор, биполярный транзистор
Автор: Донец Владимир
Большой радиолюбитель и конструктор программ
Благодаря достижениям электроники у нас есть компьютеры, планшеты, смартфоны и другая популярная техника. Я создал этот сайт для популяризации радиолюбительства. Подписывайтесь на блог, рассылку и группу в ВК: vk.com/mp16a!
Акустические транзисторы открывают путь к новой электронике / Хабр
Модель сотовой решётки, которая служит основой для «транзистора» звуковых волн. Его дизайн предполагает новые виды электрических и световых транзисторов, изготовленных из так называемых топологических материалов.
Предполагается, что электроны в топологическом транзисторе будут протекать без какого-либо сопротивления.Современные компьютеры просто невозможны без электрических транзисторов. К старту нашего флагманского курса делимся материалом о разработке транзисторов на основе акустики, открывающих путь к новой электронике. Подробности под катом.
Потребляющие гораздо меньше энергии, чем нынешние устройства, потенциальные транзисторы будущего могут использовать экзотические материалы — «топологические изоляторы», где электричество проходит только по поверхностям и краям, практически без рассеяния энергии.
В рамках исследования, которое может помочь проложить путь к созданию таких электронных топологических транзисторов, учёные из Гарварда изобрели и смоделировали первые акустические топологические транзисторы, работающие не с электрическими, а со звуковыми волнами.
Топология — это раздел математики, изучающий природу форм вне зависимости от деформации. Например, предмет в форме пончика [тора] может деформироваться в форму кружки так, что отверстие тора станет отверстием в ручке кружки.
Однако объект не мог потерять отверстие, не переходя в принципиально иную форму.
Используя идеи топологии, в 2007 году исследователи разработали первые электронные топологические изоляторы. Проскакивающие по краям или поверхностям этих материалов электроны «топологически защищены». Это означает, что схемы движения электронов остаются неизменными при любых возмущениях, с которыми они могут столкнуться. Открытие помогло получить Нобелевскую премию по физике в 2016 году. Позже учёные разработали фотонные топологические изоляторы, в которых аналогичным образом защищён свет.
Однако создание электронных топологических транзисторов, где в топологических материалах поток электронов без диссипации может включаться и выключаться, требует обращения к сложной квантовой механике.
Учёные смогли обойти эту сложность и при помощи акустических топологических изоляторов создать акустические топологические транзисторы, где топологически защищёнными могут быть звуковые волны.
Создать акустический топологический транзистор было нелегко.
«Мы знали, что наш подход к топологической логике может работать, но нам ещё нужно было найти приемлемые материалы, где он действительно работал бы, — рассказывает ведущий автор исследования Харрис Пири, занятый сегодня в Оксфордском университете. — Использовался довольно грубый подход: чтобы проверить тысячи различных материалов и конструкций, летом мы проводили расчёты на 20 компьютерах одновременно».
Хотя учёные нашли много почти работающих конструкций, эти конструкции в каком-то смысле всегда казались скомпрометированными: например, по словам Пири, «устройство было слишком большим, чтобы быть практичным».
«И вот однажды мы наконец нашли дизайн, который удовлетворял всем ограничениям (эврика!). Чтобы всё это работало, оставалось только разработать вспомогательные компоненты — термопреобразователь и расширяющуюся опорную плиту».
Конструкция — это сотовая решётка из стальных столбов, закреплённых на пластине из другого вещества (материала, который при нагревании сильно расширяется), и всё это запечатано в герметичном боксе.
Решётка устройства имеет немного увеличенные относительно других стержней с одной стороны и немного меньшие стержни с другой стороны. Эти различия в размере и расстоянии между столбами определяют топологию решётки, которая, в свою очередь, влияет на то, могут ли звуковые волны проходить через этот набор столбов.
Например, при температуре 20° С ультразвук не может пройти через устройство, а при температуре 90° С он может пройти по кромке между сторонами. По сути, тепло может переключать это устройство из одного состояния в другое, как электричество в обычных транзисторах.
Учёные также разработали второе устройство, преобразующее ультразвуковые волны в тепло. Когда оба устройства соединены, они образуют акустический транзистор, который может управлять состоянием другого идентичного транзистора, подобно тому, как протекающее в обычном транзисторе электричество переключает другие транзисторы.
Исследователи отметили, что эти акустические топологические транзисторы масштабируются.
«Это означает, что такая же конструкция может работать и на гигагерцовых частотах, которые обычно используются в схемах, потенциально полезных для обработки квантовой информации», — рассказывает Пири. — «В более общем смысле управление топологически защищённым акустическим транспортом находит применение в ряде важных областей, включая эффективное подавление акустического шума, одностороннее акустическое распространение, ультразвуковую визуализацию, эхолокацию, акустическую маскировку и акустическую связь».
Принципы проектирования для разработки акустических топологических транзисторов достаточно просто адаптировать, чтобы использовать в фотонных устройствах, «по крайней мере в принципе, поскольку уравнение акустической волны математически отображается на его фотонный аналог», — рассказывает Пири.
Физика звуковых волн и физика световых волн достаточно похожи, чтобы легко перенести уроки топологического транзистора одного вида на топологический транзистор другого вида.
Однако, по словам Пири, «такого отображения не существует в электронике», что усложняет задачу создания электронного топологического транзистора на основе этой работы.
При этом «всё ещё вероятно, что мы могли бы следовать той же общей схеме в электронике — нужно просто найти подходящие материалы», — отмечает Пири.
В начале января учёные подробно описали свои выводы в журнале Physical Review Letters.
Источник
Продолжить погружение в IT-технологии вы сможете на наших курсах:
Профессия Data Scientist
Профессия Fullstack-разработчик на Python
Узнайте подробности здесь.
Профессии и курсыData Science и Machine Learning
Профессия Data Scientist
Профессия Data Analyst
Курс «Математика для Data Science»
Курс «Математика и Machine Learning для Data Science»
Курс по Data Engineering
Курс «Machine Learning и Deep Learning»
Курс по Machine Learning
Python, веб-разработка
Профессия Fullstack-разработчик на Python
Курс «Python для веб-разработки»
Профессия Frontend-разработчик
Профессия Веб-разработчик
Мобильная разработка
Профессия iOS-разработчик
Профессия Android-разработчик
Java и C#
Профессия Java-разработчик
Профессия QA-инженер на JAVA
Профессия C#-разработчик
Профессия Разработчик игр на Unity
От основ — в глубину
Курс «Алгоритмы и структуры данных»
Профессия C++ разработчик
Профессия Этичный хакер
А также
Курс по DevOps
Все курсы
Типы транзисторов — BJT, FET, JFET, MOSFET, IGBT и специальные транзисторы
Различные типы полевых эффектов, биполярные переходы, истощение, усиление, биполярные и специальные транзисторы с изолированным затвором
Транзистор является наиболее часто используемым компонентом в современной электронике и логические схемы из-за их двух основных функций, т.
е. переключения и усиления. Они используются как в аналоговых, так и в цифровых схемах, маломощных и высокочастотных устройствах. Существует различных транзисторов , имеющие свои преимущества и недостатки. Вот некоторые типы транзисторов, обсуждаемые в этой статье.
Содержание
Что такое транзистор?
Транзистор представляет собой полупроводниковый прибор с тремя выводами, который используется для переключения или усиления сигнала. Небольшой ток или напряжение на его входе можно использовать для управления очень высоким выходным напряжением или током.
Слово « Transistor » представляет собой комбинацию двух слов «Trans» для « Trans fer» и «istor» вместо «Res istor ». Это связано с тем, что транзистор передает свое сопротивление с одного конца на другой в зависимости от входного сигнала.
Транзистор в основном подразделяется на два типа:
- Биполярный переходной транзистор – BJT
- Полевой транзистор – полевой транзистор
Биполярный транзистор или биполярный транзистор — это тип транзистора, который является биполярным и имеет переход.
Биполярный означает, что он использует оба типа носителей заряда, то есть электроны и дырки. В то время как переход относится к границе между двумя различными полупроводниковыми материалами, обычно известной как PN-переход.
Биполярный транзистор состоит из трех чередующихся слоев полупроводниковых материалов P-типа и N-типа, имеющих два PN-перехода. Он имеет 3 вывода: эмиттер, базу и коллектор. Каждый вывод соединен с каждым слоем транзистора.
Основой является средний слой, зажатый между Излучателем и Коллектором. База является наиболее слаболегированным слоем из всех. Эмиттер и коллектор сильно легированы, причем эмиттер сравнительно сильно легирован, чем коллектор.
Связанные статьи
BJT — это устройство с управлением по току. Это означает, что он использует входной ток на своей базовой клемме для управления выходным током или током коллектора. Соединение перехода база-коллектор в обратном направлении и перехода база-эмиттер в прямом смещении позволяет протекать току между эмиттером и коллектором.
Поскольку его переход база-эмиттер или вход смещены в прямом направлении, входное сопротивление очень низкое. Выходное сопротивление очень высокое из-за обратного смещения коллектор-эмиттер. Поэтому BJT имеет очень высокий коэффициент усиления.
.
- Связанный пост: Биполярный соединительный транзистор (BJT) — конструкция, работа, типы и применение
Существует два типа биполярных транзисторов: транзисторы NPN и PNP.
Транзистор NPN 9Транзистор 0004 NPN состоит из комбинации двух материалов N-типа и одного материала P-типа. P-область зажата между N-областями. Три терминала коллектор, база и эмиттер поднимаются из регионов N, P и N соответственно. Основными носителями заряда являются электроны, а неосновными носителями заряда являются дырки. Подача тока I B на клемму базы позволяет протекать току I C от коллектора к эмиттеру.
Ток прямо пропорционален базовому току. При этом суммарный ток эмиттера I E представляет собой сумму тока базы I b и тока коллектора I C .
I C = βI B
I E = I B + I C
Символ направления тока транзистора NPN. Маленькая стрелка, указывающая наружу от эмиттера, показывает текущее направление, идущее наружу от эмиттера.
Транзистор NPN включается при подаче положительного напряжения база-эмиттер В BE , а поскольку основными носителями являются электроны, он имеет высокую скорость переключения.
Запись по теме: Что такое транзистор NPN? Конструкция, работа и применение
PNP-транзистор PNP-транзистор состоит из комбинации двух P-слоев и одного N-слоя. Тонкий N-слой зажат между двумя толстыми P-слоями. Средний N-слой называется базовым, а два окружающих слоя называются коллектором и эмиттером.
Основными носителями заряда являются дырки, а неосновными носителями заряда являются электроны.
Переход коллектор-эмиттер с обратным смещением и переход база-эмиттер с прямым смещением переводят транзистор в режим проводимости, при котором выходной ток прямо пропорционален току базы.
PNP-транзистор включается при подаче на базу отрицательного напряжения V BE и выключается при подаче положительного напряжения.
Поскольку большинство носителей являются дырками, время восстановления PNP-транзистора сравнительно велико, поэтому он имеет более низкую скорость переключения, чем NPN-транзистор.
В символе PNP-транзистора стрелка, указывающая внутрь, представляет направление тока, протекающего внутри эмиттера к базе и коллектору. Таким образом, общий ток I C равен току эмиттера минус ток базы
I C = I E – I B
-
Полевой транзистор — FET
FET или полевой транзистор — это тип транзистора, который использует электрическое поле или напряжение для управления протеканием тока.
Он униполярный, то есть ток течет только за счет основных носителей заряда, то есть электронов или дырок.
Три клеммы полевого транзистора: сток (D), затвор (G) и исток (S). По своей конструкции полевой транзистор имеет канал между стоком и истоком. Канал относится к пути для потока тока. Сток и исток изготовлены из одного и того же полупроводникового материала. Однако клемма стока имеет более положительное напряжение. Поэтому выводы стока и истока взаимозаменяемы.
Ширина канала регулируется напряжением на его затворе. Применение прямого затвора к напряжению истока V GS увеличивает ширину канала и, следовательно, ток стока I D . Такой режим называется режимом улучшения. При подаче реверса V GS уменьшается длина канала и ток I D . Такой режим работы называется режимом истощения. Следовательно, это устройство, управляемое напряжением.
Поскольку вход (затвор) смещен в обратном направлении, входное сопротивление полевого транзистора очень велико в диапазоне 100 МОм, поэтому входной ток или ток затвора отсутствуют.
Следовательно, он имеет очень низкое энергопотребление и высокую эффективность. И выходное сопротивление низкое. Поэтому FET имеет меньший коэффициент усиления, чем BJT.
Поскольку в полевых транзисторах используется только один тип носителей заряда — электроны или дырки, время восстановления очень быстрое. Поэтому его скорость переключения очень высока, и его можно использовать для очень высокочастотных приложений.
Существует два типа полевых транзисторов: JFET (Junction FET) и MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET).
Связанный пост:
- Разница между BJT и FET транзисторами
- Разница между транзисторами NPN и PNP
JFET или полевой транзистор с переходом представляет собой тип полевого транзистора с одним PN-переходом между затвором и каналом. Он имеет три терминала Gate (G), Drain (D) и Source (S).
Канал окружен областью ворот. Канал и затвор выполнены из чередующегося слоя полупроводника. Два конца канала называются стоком и истоком.
Канал встраивается при изготовлении. Следовательно, JFET может проводить ток, когда на его затворе нет напряжения. Приложение обратного напряжения к затвору создает обедненную область вокруг канала, которая сжимает и уменьшает ширину канала. Поток тока уменьшается и в конце концов прекращается, когда область истощения полностью перекрывает канал. Такой режим работы также известен как режим истощения, и JFET работает только в этом режиме.0007
Канал может быть изготовлен из полупроводникового материала P-типа или N-типа. Таким образом, JFET можно разделить на
- N-канальный JFET
- P-канал JFET
Канал N-канального JFET изготовлен из полупроводникового материала N-типа, отсюда и название. Носителями заряда, ответственными за протекание тока, являются электроны.
Время восстановления электронов быстрое, поэтому N-канальный JFET имеет высокую скорость переключения.
При нулевом напряжении на затворе он будет проводить ток между истоком и стоком, так как есть канал. Применение отрицательного значения V GS создает обедненную область, которая уменьшает ширину канала. Таким образом, уменьшая текущий поток.
P-канальный JFETКанал в P-канальном JFET изготовлен из материала P-типа, а отверстия являются носителями заряда, ответственными за протекание тока. Дырки относительно тяжелее и имеют меньшую скорость, чем электроны. Следовательно, P-канальный JFET имеет более низкую скорость, чем N-канальный JFET.
P-канальный JFET работает, даже если на его затворе нет напряжения. Приложение положительного напряжения затвора уменьшает ширину канала и уменьшает ток.
Похожие сообщения:
- Транзистор с биполярным переходом (BJT) – формулы и уравнения
- Транзистор, MOSFET и IGFET Символы
МОП-транзистор или металлооксидно-полупроводниковый полевой транзистор — это тип полевого транзистора, клемма затвора которого электрически изолирована от его канала.
Поэтому он также известен как IGFET (полевой транзистор с изолированным затвором). Он имеет четыре терминала; сток, ворота, исток и корпус. Клемма корпуса часто замыкается на источник, образуя три клеммы.
MOSFET имеет изолирующий слой из диоксида кремния между затвором и каналом. Он увеличивает входное сопротивление в диапазоне мегаом и снижает ток утечки.
МОП-транзистор работает так же, как и любой другой полевой транзистор. Напряжение на его затворе используется для изменения ширины канала и тока через него. Он может уменьшить или увеличить ширину канала. Таким образом, MOSFET работает в двух режимах, то есть в режиме истощения и в режиме улучшения.
Недостатком изолирующего слоя является то, что он создает емкость между затвором и каналом, что делает его уязвимым для накопления статического заряда.
- Связанная запись: МОП-транзистор — работа, типы, работа, преимущества и применение
МОП-транзистор с истощением или D-MOSFET — это тип МОП-транзистора, в котором канал изготавливается во время производства.
Это нормально включенный МОП-транзистор, который проводит ток при отсутствии входного напряжения или напряжения затвор-исток. Применение вперед V GS переводит D-MOSFET в режим улучшения, при котором ток увеличивается. при подаче реверса V GS переводит его в режим истощения, при котором ток уменьшается и он отключается.
В зависимости от канала D-MOSFET можно разделить на N-канальный и P-канальный D-MOSFET.
D-MOSFET может работать как в режиме истощения, так и в режиме расширения. В то время как улучшение MOSFET не может работать в режиме истощения.
Related Posts:
- Типы компьютерной памяти и их применение
- Типы защелок – защелки SR и D
- Типы микросхем. Классификация интегральных схем и их ограничения
В N-канальном D-MOSFET канал изготовлен из материала N-типа, а ток течет за счет электронов. Положительное напряжение затвор-исток V GS увеличивает ширину канала, тем самым увеличивая ток.
В то время как отрицательный V GS истощает канал носителей заряда и снижает ток до полного выключения.
P-канальный D-MOSFET канал выполнен из материала P-типа с отверстиями в качестве носителей заряда. Положительное значение V GS уменьшает ширину канала и ток, в то время как отрицательное значение V GS увеличивает ток в P-канальном D-MOSFET.
Enhancement MOSFETEnhancement MOSFET или E-MOSFET — это «нормально выключенный» MOSFET, который не проводит ток при отсутствии входного сигнала. У него нет канала. Канал индуцируется приложением прямого напряжения V GS между воротами и источником. Напряжение увеличивает ширину канала и ток, отсюда и название.
E-MOSFET также подразделяются на N-канальные и P-канальные E-MOSFET.
N-Channel E-MOSFET Канал индуцируется за счет приложения положительного V GS , который аккумулирует слой отрицательных зарядов от P-подложки под затвором, который формирует N-канал.
Увеличение напряжения увеличивает его ширину и проводимость по току.
Канал индуцируется путем подачи отрицательного напряжения V GS , которое увеличивает ширину канала для увеличения тока. Канал создается путем накопления дырок из N-подложки под электродом затвора.
Похожие сообщения:
- Разница между диодом и транзистором
- Разница между транзистором и тиристором (SCR)?
Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT
IGBT или биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой тип транзистора, который сочетает в себе лучшие черты биполярного транзистора и полевого МОП-транзистора. Он имеет входные характеристики MOSFET (изолирующий затвор), которые представляют собой высокий входной импеданс и быструю скорость переключения, и выходные характеристики BJT, которые обеспечивают большие возможности обработки выходного тока.
Имеет три терминала: ворота (G), коллектор (C) и эмиттер (E). Затвор представляет собой часть MOSFET, а коллектор и эмиттер представляют собой часть BJT. Это устройство, управляемое напряжением, такое как MOSFET, не имеющее входного тока. Таким образом, он не имеет входных потерь. Однако он однонаправленный, в отличие от полевого МОП-транзистора, который является двунаправленным. Он пропускает ток только от коллектора к эмиттеру.
Он состоит из комбинации MOSFET и BJT с использованием конфигурации пары Дарлингтона, как показано выше, N-канального MOSFET с транзистором PNP. Положительное напряжение затвор-эмиттер V GE включает полевой МОП-транзистор, который запускает базовый ток на PNP. PNP включается и проводит огромный ток.
Эта комбинация улучшает общее номинальное напряжение и ток, снижает входные потери и обеспечивает приличную скорость переключения. Это намного проще в эксплуатации.
Похожие сообщения:
- Тиристорный и кремниевый выпрямитель (SCR) – типы и работа
- Что такое ДИАК? Строительство и работа
- Что такое ТРИК? Строительство и эксплуатация
Проход через IGBT имеет буферный слой N+.
Он имеет возможности блокировки асимметричного напряжения, т.е. прямое и обратное напряжения пробоя различны. Обратное напряжение пробоя меньше, чем прямое напряжение пробоя. Они не выдерживают обратного напряжения. Они используются в цепях постоянного тока, поскольку они являются однонаправленными, такими как инверторы и прерыватели. Имеет более высокую скорость переключения
Без сквозного IGBT не имеет буферного слоя N+. Они имеют симметричное напряжение пробоя, т. е. прямое и обратное напряжения пробоя равны. Они используются в цепях переменного тока, таких как выпрямители.
- Связанный пост: Как проверить транзистор мультиметром (DMM+AVO) — NPN и PNP — 4 способа
Существуют различные виды транзисторов, предназначенных для специальных целей. Вот некоторые из этих транзисторов, приведенные ниже.
Пара транзисторов Дарлингтона Транзистор Дарлингтона или пара Дарлингтона представляют собой комбинацию двух транзисторов NPN или PNP в такой конфигурации, что их общий коэффициент усиления равен произведению их индивидуального коэффициента усиления.
Он обеспечивает очень высокий коэффициент усиления по току. Ток, усиленный первым биполярным транзистором, усиливается вторым биполярным транзистором. Он используется в чувствительных схемах и занимает меньше места, чем отдельные транзисторы.
Эмиттер первого транзистора соединен с базой второго транзистора и их коллекторы общие. У него может быть высокий коэффициент усиления, но он также имеет двойные падения база-эмиттер. Он доступен в виде одного транзистора с тремя выводами, т. е. базой, эмиттером и коллектором.
Related Posts:
- Различные типы датчиков с приложениями
- Типы фильтров и их применение
- Типы электронных счетчиков
Пара Шиклаи, как и пара Дарлингтона, представляет собой комбинацию двух биполярных транзисторов для улучшения коэффициента усиления по току. Но он объединяет два разных биполярных транзистора с одним транзистором. Преимущество этой конфигурации по сравнению с парой Дарлингтона состоит в том, что она имеет единое падение напряжения база-эмиттер.
он имеет немного меньший коэффициент усиления по току, чем пара Дарлингтона.
Коллектор первого биполярного транзистора соединен с базой второго биполярного транзистора. Эмиттер первого и коллектор второго соединены вместе. Общий транзистор Шиклаи действует как первый или входной транзистор. Например, если первый транзистор является NPN, весь транзистор будет работать как NPN-транзистор с высоким коэффициентом усиления.
ФототранзисторФототранзистор, как следует из названия, зависит от интенсивности света. Это простой транзистор, но вместо базовой клеммы имеется светочувствительная область. Следовательно, у него всего два терминала. Фоточувствительная область преобразует энергию света в электрическую энергию, которая используется для управления выходным током.
Они могут быть изготовлены из BJT или FET. Фототранзистор BJT преобразует энергию света в ток базы, а фототранзистор FET преобразует свет в напряжение для управления большим током.
Остается выключенным, когда он находится в тени или в его светочувствительной области нет света. Он включается, когда свет падает на его соединение, что создает базовый ток или напряжение на затворе, пропорциональное интенсивности света. Он, в свою очередь, управляет большим током коллектора или стока
Транзисторы для слабых сигналовКак следует из названия, такие транзисторы используются для усиления и коммутации очень слабых сигналов. У них очень высокий коэффициент усиления около 500, а номинальный ток коллектора измеряется в миллиамперах. Это очень чувствительные транзисторы, и их следует использовать только для слабых сигналов.
Related Posts:
- Типы микропроцессоров и их применение
- Типы микроконтроллеров и их применение
Эти транзисторы в основном используются для переключения слабых сигналов. Их можно использовать для усиления; однако их усиление по току намного меньше, чем у транзистора с малым сигналом в диапазоне 200.
Оба транзистора изготовлены из биполярных транзисторов, таких как NPN и PNP.
Как следует из названия, эти транзисторы используются в приложениях большой мощности. Они могут работать с очень высоким током коллектора и напряжением. Они крупнее по размеру, чем любой обычный транзистор. Каждая область спроектирована большего размера с единственной целью — справиться с большим током. Они имеют высокое напряжение пробоя. Однако они также имеют высокое падение напряжения во включенном состоянии. Силовой транзистор доступен во всех типах транзисторов, таких как силовой BJT, силовой MOSFET и силовой IGBT.
Высокочастотные транзисторы Эти транзисторы используются для очень высокочастотных и высокоскоростных переключений. Они также известны как РЧ (радиочастотные) транзисторы. Они могут включать и выключать слабые сигналы на очень высокой скорости в диапазоне 2000 МГц. Они используются как для переключения, так и для усиления на такой высокой частоте.
Лавинные транзисторы представляют собой биполярные транзисторы, разработанные специально для работы за пределами напряжения пробоя, называемого областью лавинного пробоя. Это область отрицательного сопротивления, где ток значительно возрастает. Эти транзисторы работают в этой области, известной как работа в лавинном режиме. В этом режиме они способны коммутировать очень большой ток на очень высокой скорости.
МОП-транзистор с двойным затвором МОП-транзистор с двойным затвором — это особый тип полевого МОП-транзистора, специально разработанный для радиочастотных приложений. Он имеет два электрода затвора, изготовленных по одному каналу по всей его длине, на проводимость которого влияют оба затвора. Следовательно, его можно использовать для микширования двух входных сигналов. Он работает как два MOSFET последовательно, но с одним каналом. Они используются в радиочастотных смесителях и усилителях.
Related Posts:
- Типы резисторов – фиксированные, переменные, линейные и нелинейные
- Типы катушек индуктивности и их применение
- Типы конденсаторов | Фиксированный, переменный, полярный и неполярный
Транзистор с несколькими эмиттерами — это биполярный транзистор с несколькими эмиттерами. Он используется в качестве входа для логического элемента И-НЕ в схемах ТТЛ (транзисторно-транзисторная логика). BJT — это просто два диода, соединенных встречно-параллельно. Низкий логический уровень на любом эмиттере переводит базу в низкое напряжение, тем самым останавливая ток коллектора, в то время как высокий логический уровень на обоих эмиттерах позволяет току коллектора, который используется для управления логической схемой. Они помогают сократить время переключения, если используются вместо диодов в DTL (диодно-транзисторная логика).
Транзистор Шоттки Транзистор Шоттки представляет собой биполярный транзистор с диодом Шоттки, подключенным между его базой и коллектором.
Диод Шоттки имеет меньшее падение напряжения, а также высокую скорость переключения. Из-за меньшего падения напряжения, чем падение база-эмиттер, он будет отводить ток от базы, чтобы транзистор не насыщался.
Однопереходный транзистор или UJT представляет собой диод только с одним PN-переходом, но тремя выводами; эмиттер (E), base_1 (B1) и base_2 (B2). Как и диод, он используется только для переключения, но обеспечивает электрически управляемое переключение. В отличие от транзисторов, он не может усиливать какой-либо сигнал. Вход на эмиттере используется для управления током, протекающим между B1 и B2. Он включается в проводимость при подаче положительного импульса и выключается при подаче отрицательного импульса.
Биполярный транзистор с гетеропереходом (HBT) Как следует из названия, HBT — это тип BJT, основа и эмиттер которого изготовлены из различных полупроводниковых материалов для формирования гетероперехода.
Преимущество гетероперехода состоит в том, что он имеет более низкое базовое сопротивление и работает на очень высоких частотах.
Related Posts:
- Типы диодов и их применение — 24 типа диодов
- Типы выпрямителей и их работа
- Типы реле, их конструкция, работа и применение
- Типы реле SSR – конструкция и эксплуатация
- Типы двоичных множителей – Калькулятор двоичного умножения
- Типы двоичных кодировщиков — конструкция, работа и применение
- Типы двоичных декодеров — конструкция, работа и применение
- Типы двоичных сумматоров и вычитателей — конструкция, работа и приложения
- Типы микросхем таймеров 555 – конструкция, работа и применение
- Типы инверторов и их применение
- Типы цифровых логических вентилей
URL-адрес скопирован
О NPSL Запрещенные материалы Выбор деталей Содержание
| Типы транзисторов ПРИМЕЧАНИЕ.   |