Цоколёвки полевых транзисторов.

У полевых транзисторов, выполненных по технологии МОП (металл-оксид-полупроводник) или МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) или MOSFET (Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor) расположение выводов (цоколевка) Затвор (Gate) – Сток (Drain) – Исток (Source) может быть различным. Чаще всего выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого аппарата (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S). Если такой маркировки нет, то желательно воспользоваться справочными данными (datasheet), которые можно найти в инете (например на сайте alldatasheet.com).

Рассмотрим основные типы корпусов и цоколевку полевых транзисторов импортного производства:

1) Корпус типа D²PAK, так же известен как TO-263-3 (встречается в основном на «пожилых» платах, на современных используется редко).

 

2)Корпус типа DPAK, так же известен как TO-252-3(используется наиболее часто, представляет собой уменьшенный D²PAK).

 

3)Корпус типа SO-8 (встречается на материнских платах ПК и видеокартах, внутри может скрываться один или два полевых транзистора).

 

4)Корпус типа SuperSO-8, он же — TDSON-8 (отличается от SO-8 тем, что 4 вывода соединены с подложкой транзистора, что облегчает температурный режим, корпус характерен для продуктов фирмы Infineon и легко заменяется на аналог в корпусе SO-8).

 

5)Корпус типа IPAK так же известен как TO-251-3 (полный аналог DPAK, но с полноценной второй ногой, этот тип транзисторов очень часто использует фирма Intel на ряде своих плат).

 

Для электронных компонентов иностранного производства справочные данные берутся из Datasheet — официального документа от производителя электронных компонентов, в котором приводятся описание, параметры, характеристики изделия, типовые схемы и т.д. (Datasheet обычно представляет собой файл в формате PDF). Ниже показаны примеры цоколевок MOSFET-транзисторов:

• на рис. 1 — uPA2724UT1A,

• на рис. 2 — TexasInstrumentsMOSFETCSD16321Q5C,

• на рис. 3 — LowRDS(on) мосфеты K03В7 и K0393 (RJK0393DPA),

• на рис. 4 — MOSFET-транзисторы NTMFS4834N,

• на рис. 5 — VishaySiliconixDualN-Channel 30-V (D-S) MOSFET (withSchottkyDiode) Si4370DY.

 

Рис. 1. MOSFET-транзисторы uPA2724UT1A

 

Рис. 2. Texas Instruments MOSFET CSD16321Q5C

 

Рис. 3. LowRDS(on) мосфеты K03В7 и K0393 (RJK0393DPA)

 

Рис. 4. MOSFET-транзисторы NTMFS4834N

 Рис. 5. Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET (with Schottky Diode) Si4370DY

Транзистор полевой АП325 — DataSheet

Перейти к содержимому

Цоколевка транзистора АП325

 

Описание

Бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенид-галлиевые планарные с барьером Шотки полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих СВЧ усилителей (К_ш < 2 дБ на 8 ГГц) в составе ГИС.

 

Параметры транзистора АП325

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		АП325А-2		GAT-5, CFY-18 *2, DXL2502A-P70 *2, CFY19-22 *2
Структура			—	C барьером Шоттки, с n-каналом
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная).	PСИ, P*СИ, т max	АП325А-2	—	80	мВт, (Вт*)
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).	UЗИ отс, U*ЗИ пор	АП325А-2	—	—	В
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток.	UСИ max, U*ЗC max	АП325А-2	—	4	В
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное).	UЗИ max	АП325А-2	—	3	В
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный)	IС, I*С, И	АП325А-2	—	—	мА
Начальный ток стока	IС нач, I*С ост	АП325А-2	—	—	мА
Крутизна характеристики полевого транзистора	S	АП325А-2	1. 5 В; 10 мА	≥5	мА/В
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком	C11и, С*12и, С*22и	АП325А-2	—	—	пФ
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток	RСИ отк, K*у.P, P**вых, ΔUЗИ	АП325А-2	8 ГГц	≥4.5*	Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
Коэффициент шума транзистора	Кш, U*ш, E**ш,  Q***	АП325А-2	8 ГГц	≤2	Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
Время включения транзистора	tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT	АП325А-2	—	—	нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

IRF5210 MOSFET Распиновка, объяснение, аналоги, характеристики и применение

IRF5210 — это мощный MOSFET, доступный в корпусе TO-220. В этом посте описывается распиновка IRF5210 MOSFET, объяснение, эквиваленты, функции, приложения и другая полезная информация об этом устройстве.

Реклама

Реклама

 

Характеристики/технические характеристики:

• Тип упаковки: TO-220 90 014
• Тип транзистора: P-канал
• Максимальное напряжение от стока к источнику: -100 В
• Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ± 20 В
• Максимальный постоянный ток утечки: -40A
• Максимальный импульсный ток стока: -140 А
• Максимальная рассеиваемая мощность: 200 Вт
• Макс. сопротивление сток-исток во включенном состоянии (RDS вкл.): 0,06 Ом
• Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +175 градусов Цельсия

 

Замена и аналог:

IRF5210PBF

 

IRF5210 MOSFET Объяснение / Описание: 900 15

IRF5210 — мощный полевой МОП-транзистор с каналом P в корпусе TO-220. Это качественный полевой МОП-транзистор, предназначенный для использования в самых разных приложениях. Максимальное напряжение сток-исток, или мы также можем сказать, что максимальное напряжение нагрузки, которое может управлять этот транзистор, составляет -100 В, максимальный непрерывный ток стока / максимальная нагрузка, которую вы можете управлять, составляет -40 ампер, максимальный импульсный ток стока / максимальная нагрузка, которую вы можете управлять импульсами. составляет -140 ампер, максимальное значение RDS(on) составляет всего 0,06 Ом, а максимальная рассеиваемая мощность составляет 200 Вт.

Транзистор имеет множество функций, таких как «быстрое переключение», что делает его идеальным для использования в приложениях, где быстрое переключение имеет решающее значение, «полностью лавинный номинал» означает, что он будет стабильно работать в условиях, когда его напряжение сток-исток превышает его пределы, максимальная рабочая температура до 175°C делает его способным стабильно работать при этих температурах по сравнению с другими полевыми МОП-транзисторами, максимальная рабочая температура которых составляет 150°C. Транзистор имеет низкое сопротивление RDS(on)/сток-исток, что обеспечивает низкие потери мощности и низкое тепловыделение во время работы. Другими особенностями являются динамические рейтинги dv/dt, передовые технологические процессы и т. д.

 

Где и как использовать:

IRF5210 может использоваться в самых разных приложениях, которые подпадают под его рейтинги. Например, его можно использовать в любых целях коммутации и усиления. Приложения, в которых он может использоваться, включают источники питания, автомобильную промышленность, резервное питание, солнечную энергию, коммутационные нагрузки и т. Д. Более подробную информацию о том, какие приложения можно использовать, можно найти в разделе «Приложения» ниже.

 

Применение:

Солнечные зарядные устройства

Солнечные контроллеры заряда / зарядные устройства для солнечных батарей

Системы управления батареями (BMS)

Различные автомобильные приложения

Источники бесперебойного питания

Цепи зарядного устройства аккумулятора

Цепи резервного аккумулятора

Режим переключения Источники питания

Приложения для драйверов двигателей

Преобразователи постоянного тока в постоянный

Мощные аудиоусилители

 

Руководство по безопасной эксплуатации / Абсолютные максимальные значения:

Чтобы обеспечить долгосрочную производительность этого устройства в ваших приложениях, рекомендуется следовать приведенным ниже рекомендациям:

1. Не допускайте использования МОП-транзистора на его абсолютных максимальных значениях и всегда оставайтесь на уровне 20%.
   ниже от его максимальных оценок.
2. Максимальный непрерывный ток стока составляет -40 А, поэтому не подключайте нагрузку более 32 А.
3. Максимальное напряжение сток-исток составляет -100 В, поэтому не подключайте нагрузку выше -80 В.
4. Используйте подходящий радиатор с полевым МОП-транзистором.
5. Всегда храните или используйте транзистор при температуре выше -55°C и ниже +150°C.

 

Техническое описание:

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/I/R/F/IRF5210_InternationalRectifier.pdf

IRLZ34N MOSFET Распиновка, техническое описание, эквивалент, схема и технические характеристики

19Октябрь 2021 — 0 комментариев

МОП-транзистор IRLZ34N
Распиновка МОП-транзистора IRLZ34N

N-канальные высокомощные полевые МОП-транзисторы (металлооксидно-полупроводниковые полевые транзисторы) популярны для управления более высокими напряжениями и токами от микроконтроллера. У них очень низкое сопротивление в открытом состоянии (@0,035 Ом или 35 мОм), следовательно, они рассеивают меньше тепла и обычно не нуждаются в радиаторе (пока нагрузка не превышает 2,5 А). Семейство мощных полевых МОП-транзисторов IR MOSFET используется в широком спектре устройств для поддержки различных приложений, таких как двигатели постоянного тока, инверторы, импульсные источники питания, освещение, переключатели нагрузки, а также приложения с питанием от батарей.

 

IRLZ34N MOSFET Конфигурация контактов

Номер контакта	Название контакта	Описание контакта
1	Ворота	Управляет смещением MOSFET
2	Слив	Ток поступает через сток
3	Источник	Ток протекает через источник и покидает МОП-транзистор

 

Особенности и характеристики

• Производитель: Infineon
• Способ монтажа: компонент сквозного отверстия
• Упаковка/кейс: Чемодан ТО-220
• Высота: 15,65 мм
• Длина: 10 мм
• Ширина: 4,4 мм
• Время нарастания: 100 нс
• Время падения: 29 нс
• Полярность транзистора: N-канальный
• Режим канала: расширение
• Диапазон рабочих температур: от — 55 ⁰ C до + 175 ⁰ C
• Напряжение пробоя сток-исток (VDSS) = 55 В
• Непрерывный ток стока (I _d ) = 30 А
• Вкл. — Сопротивление сток-исток (R _ds ): 0,035 Ом
• Рассеиваемая мощность (P _d ): 68 Вт
• Напряжение пробоя сток-исток: 55 В
• Максимальное напряжение затвор-исток: ±16 В

 

IRLZ34N МОП-транзисторы, эквивалентные

IRLZ44Z, IRLZ44N, IRFB3607G, IRFB3207Z, IRF3205Z, IRF1407, IRFB4310ZG, IRFB4510G, IRF3710, IRF1407, IRF1010EZ, IRFB4321, IRFZ44V, IRFB4410 и т. д. канал, тип улучшения)

Чтобы протестировать полевые МОП-транзисторы (тип улучшения), давайте кратко разберемся, что происходит внутри. Сейчас МОП-транзисторы обычно используются в качестве переключателей. На контакт Gate подается напряжение, это включает путь стока к истоку и, следовательно, действует как переключатель. В некоторых случаях это лучше, чем механические переключатели, потому что в них нет движущихся частей. Затвор изолирован от стока и истока и действует как очень маленький конденсатор с положительным напряжением на затворе по отношению к истоку, включает канал и устройство проводит. Когда напряжение затвор-исток падает до нуля, устройство выключается.

 

Как использовать цифровой мультиметр для проверки состояния ВКЛ и ВЫКЛ МОП-транзистора

Теперь, чтобы проверить МОП-транзистор, установите цифровой мультиметр на функцию диода. Чтобы протестировать МОП-транзистор в выключенном состоянии, оставьте затвор без подачи на него напряжения и проверьте соединение между стоком и истоком. Итак, подключите отрицательный щуп цифрового мультиметра к источнику, а положительный вывод — к стоку. А цифровой мультиметр должен показывать OL (перегрузка, значит обрыв цепи). Теперь мы должны подать небольшое напряжение на вывод Gate и посмотреть, как он действует как небольшой конденсатор. Для этого возьмите положительный щуп цифрового мультиметра и на мгновение коснитесь штифта Gate и соедините положительный щуп обратно со сливом. Теперь мы видим, что произошло короткое замыкание (вы должны услышать звуковой сигнал, указывающий на короткое замыкание).