Site Loader

Справочник по полупроводниковым диодам и транзисторам 1964. Николай николаевич горюнов

Предисловие
Условные обозначения

Часть первая. Транзисторы

Раздел I. Общие сведения

2. Схемы включения, области и режимы работы транзистора
3. Вольтамперные характеристики р-n перехода (диода)
4. Характеристики транзистора в схеме с общей базой
5. Характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером
6. Параметры области отсечки
6.1 Обратные токи * и *
6.2. Сквозной ток * и начальный ток *
6.3. Максимальные напряжения
7. Параметры активной области
7.1. Параметры малого сигнала
7.2. Параметры большого сигнала
7.3. Шумы
7.4. Максимальные напряжения
7.5. Максимальные токи
7.6 Время включения и выключения
8. Параметры области насыщения
8.1. Время задержки
8.2. Сопротивление и напряжение насыщения
8.3. Максимальный ток
9. Тепловые параметры
9.1. Максимальная температура перехода
9. 2. Тепловое сопротивление
9.3. Теплоёмкость и тепловые постоянные времени

10. Максимальная мощность, рассеиваемая транзистором
11. Предельно допустимые эксплуатационные данные
12. Особенности применения
12.1. Температурная стабилизация
12.2. Отвод тепла

Раздел II. Справочные данные
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р, низкочастотные мощные: П4А, П4Б, П4В, П4Г, П4Д (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П5А, П5Б, П5В, П5Г, П5Д, П5Е (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П6А, П6Б, П6В, П6Г, П6Д (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа * низкочастотные: П8, П9А, П10, П10А, П10Б, П11. П11А (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П13, П13Б, П14, П14А, П14Б, П15, П15А (общие данные)

Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р импульсные: П16, П16Л, П16Б (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р импульсные: П20, П21, П21А (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П25, П25А, П25Б, П26, П26А, П26Б (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П27, П27А, П28 (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П29, П29А, П30 (общие данные)
Транзисторы кремниевые сплавные типа n-р-n низкочастотные: П101, П101А, П101Б, П102, П103 (общие данные)
Транзисторы кремниевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П104, П105, П106 (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р мощные: П201, П201А, П202, П203 (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р мощные: П209, П209А, П210, П210А (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П211, П212, П212А (общие данные)
Транзисторы кремниевые, сплавные типа р-n-р низкочастотные мощные: П302, П303, П303А, П304 (общие данные)
Транзисторы германиевые диффузионные типа р-n-р высокочастотные: П401, П402, П403, П403А (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р высокочастотные: П12, П12А, П406, П407 (общие данные)
Транзисторы германиевые диффузионные типа р-n-р высокочастотные: П410, П410А, П411, П411А (общие данные)
Транзисторы германиевые диффузионные типа р-n-р высокочастотные: П414, П414А, П414Б, П415, П415А, П415Б
Транзисторы германиевые диффузионные типа р-n-р высокочастотные: П416, П416А, П416Б (общие данные)
Транзисторы кремниевые диффузионные типа р-n-р высокочастотные: П501, П501А, П502, П502А, П502Б, П501В, П503, П503А (общие данные)
Транзисторы германиевые конверсионные типа р-n-р высокочастотны с мощные: П601, П601А, П601Б, П602, П602А (общие данные)
Транзисторы германиевые конверсионные типа р-n-р импульсные мощные: П605, П605А, П606, П606А (общие данные)

Часть вторая.

Полупроводниковые диоды

Раздел I. Общие Сведения
1. Принципы маркировки и классификации
2. Вольтамперные характеристики
3. Последовательное включение
4. Параллельное включение
5. Особенности эксплуатации

Раздел II. Справочные данные
Диоды германиевые точечные Д1А, Д1Б, Д1В, Л1Г, Д1Д, Д1Е, Д1Ж (общие данные)
Диоды германиевые точечные Д2А, Д2Б, Д2В, Д2Г, Д2Д, Д2Е, Д2Ж, Д2И (общие данные)
Диоды германиевые сплавные выпрямительные Д7А, Д7Б, Д7В, Д7Г, Д7Д, Д7Е, Д7Ж (общие данные)
Диоды германиевые точечные Д9А, Д9Б, Д9В, Д9Г, Д9Д, Д9Е, Д9Ж, Д9И, Д9К, Д9Л (общие данные)

Диоды германиевые точечные Д10, Д10А, Д10Б (общие данные)
Диоды германиевые точечные Д11, Д12, Д12А, Д13, Д14, Д14А (общие данные)
Диоды германиевые точечные Д18 (общие данные)
Диоды кремниевые точечные Д101, Д101А, Д102, Д103, Д103А (общие данные)
Диоды кремниевые точечные Д104, Д104А, Д105, Д105А, Д106, Д106А (общие данные)
Диоды кремниевые точечные Д107, Д107А, Д108, Д109 (общие данные)
Диоды кремниевые сплавные выпрямительные Д202, Д203, Д204, Д205 (общие данные)
Диоды кремниевые сплавные Д206, Д207, Д208, Д209, Д210, Д211 (общие данные)
Диоды кремниевые сплавные Д214, Д214А, Д215, Д215А (общие данные)
Диоды кремниевые сплавные Д219А, Д220, Д220А, Д220Б (общие данные)
Диоды кремниевые сплавные Д221, Д222 (общие данные)
Диоды кремниевые Д223, Д223А, Д223Б (общие данные)
Диоды кремниевые сплавные Д231, Д232, Д233, Д231Б, Д232Б, Д233Б, Д234Б, Д231А, Д232А (общие данные)
Диоды германиевые сплавные Д302, Д303, Д304, Д305 (общие данные)
Стабилитроны кремниевые сплавные Д808, Д809, Д810, Д811, Д813 (общие данные)
Диоды германиевые сплавные ДГ-Ц21, ДГ-Ц22, ДГ-Ц23, ДГ-Ц24, ДГ-Ц25, ДГ-Ц26, ДГ-Ц27 (общие данные)

  • Горюнов Н. Н… Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам.
    [Djv-14.5M ] Справочник. Издание 4-е, переработанное и дополненное. Авторы: Николай Николаевич Горюнов, Аркадий Юрьевич Клейман, Николай Никитович Комков, Янина Алексеевна Толкачева, Николай Федорович Терехин. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. Переплет художника А.А. Иванова.
    (Москва: Издательство «Энергия», 1977)
    Скан, обработка, формат Djv: PGP-vimpel.63, 2018
    • КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ:
      Предисловие (13).
      ЧАСТЬ ПЕРВАЯ. КЛАССИФИКАЦИЯ И СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
      Раздел первый. Классификация и система обозначений полупроводниковых приборов (14).
      Раздел второй. Классификация и система обозначений интегральных микросхем (23).
      ЧАСТЬ ВТОРАЯ. СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
      Раздел третий. Диоды, столбы и блоки выпрямительные (35).
      Раздел четвертый. Диоды высокочастотные (71).
      Раздел пятый. Диоды импульсные (86).
      Раздел шестой. Диодные матрицы и сборки (115).
      Раздел седьмой. Стабилитроны (139).
      Раздел восьмой. Варикапы (172).
      Раздел девятый. Диоды туннельные и обращенные (187).
      Раздел десятый. Светодиоды (201).
      Раздел одиннадцатый. Тиристоры (215).
      Раздел двенадцатый. Диоды СВЧ (228).
      ЧАСТЬ ТРЕТЬЯ. СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ТРАНЗИСТОРОВ
      Раздел тринадцатый. Транзисторы малой мощности низкочастотные (236).
      Раздел четырнадцатый. Транзисторы малой мощности среднечастотные (256).
      Раздел пятнадцатый. Транзисторы малой мощности высокочастотные (260).
      Раздел шестнадцатый. Транзисторы малой мощности сверхвысокочастотные (304).
      Раздел семнадцатый. Транзисторы средней мощности низкочастотные и среднечастотные (327).
      Раздел восемнадцатый. Транзисторы средней мощности высокочастотные и сверхвысокочастотные (338).
      Раздел девятнадцатый. Транзисторы большой мощности низкочастотные (363).
      Раздел двадцатый. Транзисторы большой мощности среднечастотные (374).

      Раздел двадцать первый. Транзисторы большой мощности высокочастотные и сверхвысокочастотные (387).
      Раздел двадцать второй. Транзисторы полевые (401).
      ЧАСТЬ ЧЕТВЕРТАЯ. СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
      Раздел двадцать третий. Полупроводниковые логические микросхемы (424).
      Раздел двадцать четвертый. Полупроводниковые линейно-импульсные микросхемы (581).
      Раздел двадцать пятый. Гибридные логические микросхемы (624).
      Раздел двадцать шестой. Гибридные линейно-импульсные микросхемы (682).
      Приложение (736).
      Алфавитно-цифровой указатель приборов, помещенных в справочнике (742).

Аннотация издательства: В справочнике приводятся электрические параметры, предельные эксплуатационные данные и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых полупроводниковых диодов, транзисторов, тиристоров и интегральных схем широкого применения.

Справочник предназначен для широкого круга специалистов по радиотехнике и электронике, занимающихся разработкой радиоэлектронной аппаратуры на полупроводниковых приборах.

Название : Полупроводниковые приборы — Транзисторы — Справочник.

Приведены электрические параметры, габаритные размеры, предельные эксплуатационные данные и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых транзисторов широкого применения. Для широкого круга специалистов по электронике, автоматике, радиотехнике, измерительной технике, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.


Предисловие. 11
ЧАСТЬ ПЕРВАЯ. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
Раздел первый. Классификация биполярных и полевых транзисторов. 12
1.1. Классификация и система обозначений. 12
1.2. Классификация транзисторов по функциональному назначению. 16
1.3. Условные графические обозначения. 16
1.4. Условные обозначения электрических параметров. 17
1.5. Основные стандарты па биполярные и полевые транзисторы. 23
Раздел второй. Особенности использования транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре. 26
ЧАСТЬ ВТОРАЯ. СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Раздел третий. Транзисторы маломощные низкочастотные. 36
Раздел четвертый. Транзисторы маломощные высокочастотные. 166
Раздел пятый. Транзисторы маломощные сверхвысокочастотные. 307
Раздел шестой. Транзисторы мощные низкочастотные. 453
Раздел седьмой. Транзисторы мощные высокочастотные. 569
Раздел восьмой. Транзисторы мощные сверхвысокочастотные. 671
Раздел девятый. Транзисторные сборки. 770
ЧАСТЬ ТРЕТЬЯ. Справочные данные полевых транзисторов
Раздел десятый. Транзисторы маломощные. 812
Раздел одиннадцатый. Транзисторы мощные. 870
Раздел двенадцатый. Транзисторы сдвоенные. 891
Алфавитно-цифровой указатель транзисторов, помещенных в справочнике.

ОСОБЕННОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ В РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЕ .

Все преимущества полупроводниковых приборов, позволяющие создавать чрезвычайно экономичную, малогабаритную и надежную аппаратуру, могут быть сведены к минимуму, если при разработке, изготовлении и эксплуатации ее не будут приняты во внимание их специфические особенности.

Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть обеспечена только при учете таких факторов, как разброс параметров транзисторов, температурная нестабильность и зависимость их параметров от режима работы, а также изменение параметров транзисторов в процессе эксплуатации радиоэлектронной аппаратуры.

Транзисторы, приведенные в справочнике, являются транзисторами общего применения Они сохраняют свои параметры в установленных пределах в условиях эксплуатации и хранения, характерных для различных видов и классов аппаратуры

Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Полупроводниковые приборы — Транзисторы — Справочник — Горюнов Н.Н. — fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Справочник по импортным биполярным транзисторам — страница 1

Справочник по импортным биполярным транзисторам — страница 1 — RadioLibrary
Наименование Структура UКЭ Ток коллектора Корпус

2DA1213

p-n-p50 В2 АSOT-89

2DA1213O

p-n-p50 В2 АSOT-89

2DA1213Y

p-n-p50 В2 АSOT-89

2N1131

p-n-p50 В0. 6 АTO-39

2N1479

n-p-n60 В1.5 АTO-39

2N1480

n-p-n100 В1.5 АTO-39

2N1481

n-p-n60 В1.5 АTO-39

2N1482

n-p-n100 В1.5 АTO-39

2N1549

p-n-p40 В15 АTO-3

2N1550

p-n-p60 В15 АTO-3

2N1551

p-n-p80 В15 АTO-3

2N1552

p-n-p100 В15 АTO-3

2N1553

p-n-p40 В15 АTO-3

2N1554

p-n-p60 В15 АTO-3

2N1555

p-n-p80 В15 АTO-3

2N1556

p-n-p100 В15 АTO-3

2N1557

p-n-p40 В15 АTO-3

2N1558

p-n-p60 В15 АTO-3

2N1559

p-n-p80 В15 АTO-3

2N1560

p-n-p100 В15 АTO-3

2N1613

n-p-n75 В0. 5 АTO-39

2N1711

n-p-n75 В0.5 АTO-39

2N1893

n-p-n120 В0.5 АTO-39

2N2102

p-n-p120 В1 АTO-39

2N2102A

p-n-p120 В1 АTO-39

2N2218

n-p-n60 В0.8 АTO-39

2N2218A

n-p-n75 В0.8 АTO-39

2N2219

n-p-n60 В0.8 АTO-39

2N2219A

n-p-n75 В0.8 АTO-39

2N2220

n-p-n60 В0.8 АTO-18

2N2221

n-p-n60 В0.8 АTO-18

2N2221A

n-p-n75 В0.8 АTO-18

2N2222

n-p-n60 В0. 8 АTO-18

2N2222A

n-p-n75 В0.8 АTO-18

2N2270

n-p-n60 В1 АTO-39

2N2297

n-p-n80 В0.15 АTO-39

2N2369

n-p-n40 В0.2 АTO-18

2N2369A

n-p-n40 В0.2 АTO-18

2N2405

n-p-n120 В1 АTO-39

2N2484

n-p-n60 В0.05 АTO-18

2N2904

p-n-p60 В0.6 АTO-39

2N2904A

p-n-p60 В0.6 АTO-39

2N2905

p-n-p60 В0.6 АTO-39

2N2905A

p-n-p60 В0.6 АTO-39

2N2906

p-n-p60 В0. 6 АTO-18

2N2906A

p-n-p60 В0.6 АTO-18

2N2907

p-n-p60 В0.6 АTO-18

2N2907A

p-n-p60 В0.6 АTO-18

2N2923

n-p-n25 В0.1 АTO-92

2N2924

n-p-n25 В0.1 АTO-92

Назад12345678910185Вперед

Транзисторный! Ссылки на веб-сайты

Заказ DVD/Видео

веб-сайтов

Александр Путь Грэма Белла к телефону

Американский институт физики Исторический центр

АТ&Т

Lucent/Bell Labs
Bell Laboratories Фон

Fairchild Semiconductor и их история инноваций

Поле Эффектные транзисторы. Часть базового курса электроники, написанного и авторское право © 1995, C. G. Lesurf ([email protected]), Университет Сент-Эндрюс, Шотландия.

«А История физики в Пердью: первая фаза эры Ларка-Горовица, 1928-1942» Соломона Гартенхауса, Арнольда Тубиса и Дэвида Кэссиди.

Как Европа упустила транзистор (HTML или PDF) авторское право © 2005 IEEE Spectrum.

Виртуальный музей IEEE (электричество, микроэлектроника)

Интел

Изобретатели современного компьютера: ARPAnet — первый Интернет

Карл Ларк-Горовиц

Общество исследования материалов

Мура Лоу и Гордон Мур

» Происхождение исследований полупроводников в Purdue: взгляд в прошлое от одного первых участников» Ральфа Брея

ПБС Онлайн-версия «Научная одиссея: люди и открытия»: Eniac
PBS Онлайн «Научная одиссея: люди и открытия»: Интернет дает выход во всемирную паутину
PBS Online: «Ботаники 2. 0.1: Краткая история Интернета»

Корпорация Sony и ее история

Кремний Генезис Проект
Кремний Genesis: Интервью с Тедом Хоффом
Silicon Genesis: Интервью с Гордоном Муром

История телекоммуникаций

Техасские инструменты

Теодор Н. Вейл

Транзисторные ссылки

Транзистор Музей — фотографии, интервью, ссылки и т.д.

Ресурсы для печати

Бассет, Росс Нокс. «В эпоху цифровых технологий: исследовательские лаборатории, стартапы Компании и рост технологии МОП». Балтимор: Джонс Хопкинс. Университетское издательство, 2002.

.

Бевитт, Уильям Дилтри. Справочник по транзисторам . Энглвудские скалы: Прентис-Холл, Инк, 1956.

Боукер, Американские мужчины и женщины науки.

Браттейн, Уолтер Х. «Генезис транзистора». Учитель физики (март 1968 г.) 109–114.

Браун, Эрнест и Стюарт Макдональды. Революция в миниатюре: The История и влияние полупроводниковой электроники. Нью-Йорк: Кембридж Пресс, 1978.

Консидайн, Дуглас М. и др. Научная энциклопедия Ван Ностранда, 7-е издание.  Нью-Йорк: Ван Ностранд Рейнхольд, 1989 г.

Де Форест, Ли. Отец радио: автобиография Ли де Лес. Чикаго: Уилкокс и Фоллетт, Ко., 1950.

Эккерт, Майкл и Гельмут Шуберт. Кристаллы, Электроны, Транзисторы: От исследования ученого к промышленным исследованиям , 1986. Томас Хьюз, пер. Нью-Йорк: Американский институт физики, 19.90.

Фейнман, Ричард. Фейнмановские лекции по физике. Паб Эддисон-Уэсли. Ко, 1970 г.

Гортон, В.С. «Происхождение транзистора, Меморандум для записи», в г. История инженерии и науки в системе Белл: физический наук (1925-1980) , С. Миллман, изд. Телефонные лаборатории Белла, 1985 год.

Грюн, Бернар, изд. Расписания истории. 3-е изд. Новый Йорк: Саймон и Шустер, 19 лет.91. Хенриксен, Пол В. «Физика твердого тела. Research at Purdue.» Osiris 3 , Series 2, vol.3. (1987): 237-260.

Сельдь, Коньерс. «Воспоминания о первых годах твердотельных Physics. Physics Today (апрель 1992 г.): 26-33.

Ходдесон, Лилиан. «Вступление квантовой теории твердых тел в колокол Телефонные лаборатории, 1925–1940 годы». Минерва, 18, 422–47.

—. «Истоки исследований твердого тела в Bell Labs». Физика Сегодня . (март 1977 г.).

Ходдесон, Лилиан и Вики Дейтч. «Настоящий гений: жизнь и Наука Джона Бардина, единственного лауреата двух Нобелевских премий по физике». Вашингтон, округ Колумбия: Джозеф Генри Пресс, 2005.

Ходдесон, Лилиан, Эрнест Браун и Спенсер Уиарт. Из Хрустальный лабиринт: главы из истории физики твердого тела. Нью-Йорк: Издательство Оксфордского университета, 1992.

Холоньяк младший Ник. «Джон Бардин и точечный транзистор». Физика сегодня. (апрель 1992 г.).

Лекюйе, Кристоф. «Создание Силиконовой долины: инновации и Рост высоких технологий, 1930-1970». Кембридж, Массачусетс: MIT Press, 2005.

Линдли, Дэвид. Куда уходит странность? Почему квантовая механика Странно, но не так странно, как вы думаете.   Нью-Йорк: Харпер Коллинз, 1996.

Маколей, Дэвид. Как все работает . Бостон: Хоутон Миффлин, 1988 год.

Кукуруза, Кеннеди. «Отцы спутников связи удостоены чести». байтов новостей Сеть новостей . 3 октября 1995 г.

Миллман, С. изд. История техники и науки в системе Белла: физические науки (1925–1980) . Мюррей Хилл: Телефонные лаборатории Белла, 1985.

Нойс, Роберт. «Микроэлектроника». Научный американец 237, № 3 (сентябрь 1977 г. ): 63–69.

Квайссер, Ганс. Завоевание микрочипа. Кембридж: Гарвард Университетское издательство, 1988.

Рид, Т.Р. Чип: как два американца изобрели микрочип и Запустил революцию. Нью-Йорк: Рэндом Хаус, 2001.

Риордан, Майкл и Лилиан Ходдесон. Хрустальный огонь: изобретение транзистора и рождение информационного века. Нью-Йорк: В.В. Нортон и компания, 1997.

—. «Моисей Кремниевой долины». Физика сегодня (декабрь 1997 г.).

Риордан, Майкл. «Утраченная история транзистора», IEEE. Спектр (май 2004 г.): 44-49.

—. «Как Европа пропустила транзистор». IEEE Спектр (ноябрь 2005 г.): 46-48.
(HTML или PDF) авторское право © 2005 IEEE Spectrum.

Роцкий Георгий. «25 лет-Электроника на пороге Новое тысячелетие» Electronic Engineering Times (30 октября, 1997).

Зейтц, Фредерик. На границе: Моя жизнь в науке. Нью-Йорк: Американский институт физики, 1994.

Зейтц, Фредерик и Норман Г. Эйнспрух. Электронный Джинн: запутанная история кремния. . Урбана и Чикаго: Университет Иллинойс Пресс, 1998.

Шокли, Уильям. «Дырки и электроны». Физика сегодня 3, вып. 10 (октябрь 1950 г.): 16–24.

—. «Как мы изобрели транзистор». Новый ученый 21 . ( декабря 1972 г.): 689-91.

«Сооснователь Sony Ибука умер в возрасте 89 лет.» Лента новостей AP . (19 декабря, 1997)

Стюарт, Чарльз К. и Питер Фрицше, ред. Воображая Двадцатое столетие. участников, Уолтер Л. Арнштейн и др. Урбана: Университет Иллинойса, 1997.

«Команда из трех инженеров Texas Instruments изобрела портативный ручной Электронный калькулятор в 1967 году». Редактор, Texas Instruments.

«Чип, который построил Джек, изменил мир. » Редакционный фон, Инструменты Техаса.

«Невероятные годы», Electronics (19 февраля 1968 г.).

«Транзистор среднего возраста». The Economist 346. (январь 3, 1998)

Торнтон, Стивен Т., Пол М. Фишбейн и Стивен Гасиорович. Физика для ученых и инженеров.  Нью-Джерси: Прентис-Холл, 1992.

Типлер, Пол. Физика, второе издание. 1976. Рочестер, Мичиган: Worth Publishers, Inc., 1987.

Витце, Александра. «Значительный переключатель: появление транзистора в 1947 году изменило курс технологии». The Dallas Morning News. (8 декабря 1997 г.): 6Д.

Вулф, Том. «Мастерство Роберта Нойса: как солнце взошло на кремнии» Долина.» Эсквайр. (декабрь 1993 г.): 346–374.

Интервью

Андерсон, Джин. Интервью. «Транзисторный!»
Бардин, Джон. Интервью Лилиан Ходдесон. АИП.
Браттейн, Роберт. Интервью. Транзисторный !Брэттен, Уолтер. Интервью с А. Н. Холденом и У. Дж. Кингом. Январь 1964 г. АИП.
Браун, Уолтер. Интервью. «Транзисторный!»
Фой, Фил. Интервью. «Транзисторный!»
Холоньяк, Ник. Интервью Фредерика Небекера. 22 июня, 1993. IEEE.
Индиг, Джордж. Интервью. «Транзисторный!»
Мур, Гордон. Интервью. «Транзисторный!»
Ол, Рассел. Интервью с Лилиан Ходдесон, август 1976 г. АИП
—. Интервью с Фрэнком Полкингхорном. 6 января 1975 г. IEEE.
Пирсон, Джеральд. Интервью Лиилиан Ходдесон. Август. АИП.
Пирс, Джон. Интервью. «Транзисторный!»
Риордан, Майкл. Интервью. «Транзисторный!»
Росс, Ян. Интервью. «Транзисторный!»
Зейтц, Фредерик. Интервью с Н. Хенриксен. АИП.
—. Интервью с Лилиан Ходдесон, 20 января 1981 г. АИП.
—. Интервью. Транзисторный !
Селло, Гарри. Интервью. Транзисторный !
Шокли, Уильям. Интервью Лилиан Ходдесон. 10 сентября. АИП.
Шуркин Джоэл. Интервью. «Транзисторный!»
Спаркс, Бетти. Интервью. Транзисторный !
Спаркс, Морган. Интервью. «Транзисторный!»
Торсильери, Артур. Интервью. Транзисторный !

-PBS Online- -Сайт Кредиты- -Фото Кредиты- -Отзывы-

Авторское право 2005 г., ScienCentral, Inc. и Американский институт физики. Нет часть этого веб-сайта может быть воспроизведена без письменного разрешения. Все права защищены.

Книги по транзисторам — Sanfoundry

Мы составили список лучших справочников по транзисторной тематике. Эти книги используются студентами ведущих университетов, институтов и колледжей. Вот полный список лучших книг по транзисторам вместе с обзорами.

Пожалуйста, обратите внимание, что мы приложили много усилий для поиска лучших книг по теме «Транзисторы» и составили рекомендуемый список лучших книг. В таблице ниже указаны названия этих лучших книг, их авторы, издатели и непредвзятый обзор книг по «Транзисторам», а также ссылки на сайт Amazon для прямой покупки этих книг. Как партнер Amazon, мы зарабатываем на соответствующих покупках, но это не влияет на наши обзоры, сравнения и списки этих лучших книг; таблица служит готовым счетным списком этих лучших книг.

Список книг о транзисторах с именами авторов, издателей и непредвзятым обзором, а также ссылками на веб-сайт Amazon для прямой покупки этих книг.

  • Теория транзисторов
  • Физика транзисторов

1. Теория транзисторов

1. «Микроэлектронные схемы: теория и применение», Адель С. Седра и Кеннет С. Смит

«Микроэлектронные схемы: теория и применение» Рецензия на книгу: Книга имеет обновленное содержание и охват, отражающий изменения в технологии интегральных схем. Книга дает всестороннее, гибкое, точное и ориентированное на дизайн описание электронных схем. Он имеет большое количество примеров. Он имеет хорошо продуманные задачи в конце главы и практические упражнения. Основное внимание уделяется таким темам, как каскодные усилители, частотная характеристика и обратная связь. В нем есть новые темы, такие как усилители мощности класса D, фильтры на интегральных схемах, генераторы и датчики изображения. Книга предназначена для студентов и аспирантов в области электротехники и электроники.

2. «Теория и конструкция биполярного транзистора с изолированным затвором IGBT (серия Ieee Press по микроэлектронным системам)», Винод Кумар Кханна
3. «Органические полевые транзисторы: теория, изготовление и характеристика (интегральные схемы и системы)» Иоанниса Кимиссиса.

реклама

реклама

«Органические полевые транзисторы: теория, изготовление и характеристика (интегральные схемы и системы)» Рецензия на книгу: В книге представлен современный уровень развития органических полевых транзисторов (OFET). Основное внимание уделяется материалам и методам, используемым для изготовления интегральных схем. Книга начинается с общих сведений об органических полупроводниках. В нем обсуждаются типы органических полупроводниковых материалов, пригодных для изготовления полевых транзисторов, процессы изготовления, используемые для изготовления интегральных схем, а также соответствующие методы измерения и моделирования. Книга предназначена для практиков и исследователей.

4. «Современные микроволновые транзисторы: теория, конструкция и характеристики», Франк Швирц и Джуин Дж. Лиу
5. «Транзисторы: теория и приложения» Авраама Кобленца и Гарри Л. Оуэнса
6. «Транзисторная теория и простые схемы» Харви Поллака
7. «Транзисторная теория для техников и инженеров», Эндрю М. Веронис
8. «Упрощенная теория транзисторов» Стэнли Л. Левина
9. «Микропроцессорные сельскохозяйственные приборы» Кант Кришна

«Микропроцессорные сельскохозяйственные приборы» Рецензия на книгу: В книге излагаются основные концепции проектирования систем с использованием микропроцессоров в сельскохозяйственных приборах. Он начинается с введения в области сельского хозяйства и применения инструментов в сельском хозяйстве. Затем он охватывает датчики, специфичные для сельскохозяйственной области. В книге подробно рассматриваются основы микропроцессора, а также аппаратное и программное обеспечение Intel 8085. В нем обсуждается периферийный интерфейс микропроцессора и его поддерживающие микросхемы, такие как Intel 8225, Intel 8253 и Intel 8279.вместе со своими приложениями. В нем также есть тематические исследования различных приложений микропроцессоров в сельском хозяйстве. Книга содержит большое количество рисунков для понимания теории. В нем также есть упражнение в конце главы для разделов аппаратного и программного обеспечения. Книга предназначена для студентов и аспирантов сельскохозяйственных инженерных специальностей.

2. Физика транзисторов

1. «Модели MOSFET для моделирования схемы СБИС» Н. Д. Арора

«Модели МОП-транзисторов для моделирования схем СБИС» Рецензия на книгу: Эта книга плавно устраняет разрыв между теоретическими и практическими аспектами моделирования МОП-транзисторов. Он описывает различные значения параметров модели устройств с коротким каналом и объясняет, какая модель должна быть определена и использована. Студенты, исследователи и специалисты могут обратиться к этой книге.

2. «Биполярные полупроводниковые устройства» Э. Дж. Роулстона
3. «Физика полупроводниковых приборов» С. М. Зе

Рецензия на книгу «Физика полупроводниковых приборов»: Это очень хороший справочник в области полупроводниковых приборов. Он содержит подробную и исчерпывающую информацию о многих важных полупроводниковых устройствах. Он предоставляет читателям немедленную информацию о подробных описаниях основных физических и рабочих характеристик биполярных, полевых, микроволновых, фотонных и сенсорных устройств. В книге есть полное обновление последних разработок, трехмерных полевых МОП-транзисторов, полевых МОП-транзисторов, туннельных диодов, полупроводниковых датчиков, каскадных лазеров, одноэлектронных транзисторов, устройств передачи данных в реальном пространстве и многих других.

реклама

4. «Эксплуатация и моделирование МОП-транзистора» Ю. П. Цивидиса.

«Эксплуатация и моделирование МОП-транзистора» Рецензия на книгу: Эта книга предлагает всестороннее рассмотрение фундаментальной теории и приложений МОП-транзисторов. В нем обсуждается важная роль МОП-транзисторов в современных микросхемах микроэлектроники. Его операции и методы моделирования описаны очень подробно. На это может сослаться любой студент, исследователь или профессионал.

5. «Эффекты горячих носителей в МОП-устройствах», Э. Такеда.

«Эффекты горячих носителей в МОП-устройствах» Рецензия на книгу: Эта книга обеспечивает прочную основу для фундаментальных основ новой области эффектов горячих носителей в МОП-устройствах. Наряду с основами МОП-устройств в книге также рассматриваются практические аспекты горячих носителей и последние достижения в этой области. Также отмечается их внедрение в производственно-технологическую отрасль. Эта книга обязательна к прочтению инженерами по МОП-устройствам и технологам, исследователями, а также студентами выпускных курсов.

6. «Физика быстродействующих транзисторов» Пожела Юрас Карлович Пожела

реклама

«Физика быстродействующих транзисторов» Рецензия на книгу: В этой книге анализируются основные физические принципы работы быстродействующих транзисторов на частотах выше 10 ГГц и времени переключения менее 100 пс. В книге также предлагается изготовление транзисторов, которые работают на один-два порядка быстрее. Также обсуждались применения сверхбыстродействующих транзисторов и микроволновых транзисторов в вычислительной технике, телевидении, радиолокации, связи, радиолокационной технике и производстве научного, промышленного и медицинского оборудования. Студенты, исследователи и специалисты могут обратиться к этой книге.

7. «Введение в тонкопленочные транзисторы: физика и технология TFT», Стэн Бразертон С. Д. Браттон

«Введение в тонкопленочные транзисторы: физика и технология тонкопленочных транзисторов» Рецензия на книгу: В этой книге дается всесторонний обзор работы, применения и технологии основных классов тонкопленочных транзисторов (ТПТ). Книга знакомит с основами физики поверхности полупроводников, работой классического полевого МОП-транзистора и влиянием дополнительных состояний запрещенной зоны на поведение TFT. Охватываемые материалы TFT включают поликристаллический кремний (поли-Si), гидрогенизированный аморфный кремний (a-Si:H), органические полупроводники, полупроводники с прозрачным аморфным оксидом (AOS) и другие материалы TFT, которые были тщательно исследованы. Отдельные главы посвящены работе AMLCD, AMOLED и электрофоретических дисплеев, а также проблемам расположения пикселей, с которыми сталкивается TFT. Также обсуждается транзистор с управляемым источником (SGT). Также рассматриваются рабочие характеристики TFT, такие как ток утечки, механизмы нестабильности и ограничения подвижности носителей. Эта книга идеально подходит для студентов-исследователей, ученых, инженеров, студентов и аспирантов.

8. «Транзисторная физика», Николс Верон

«Транзисторная физика» Обзор книги: Эта книга служит теоретическим руководством для изучения основной физики полупроводников и транзисторных устройств с некоторыми дополнительными ссылками на экспериментальные работы. Книга начинается с обсуждения классической атомной теории и квантово-механических приложений к уровням энергии электронов в атомах, с особым акцентом на атоме водорода, и в одномерных кристаллических телах. Это подчеркивает различия между металлами, изоляторами и полупроводниками. Объясняется статистическая механика погружением в статистику Ферми-Дирака для электронов в металлах и полупроводниках, а также определение плотности носителей тока в различных полупроводниках. Также обсуждаются протекание тока через p-n-переходы и теория транзисторов p-n-p. Вывод уравнений дрейфового и диффузионного токов проанализирован и применен к полупроводникам с однородными и градиентными примесями. Требуются предварительные знания физики, теории цепей и векторных методов.

9. «Транзисторы, датчики и не только на углеродных нанотрубках: введение в углеродные нанотрубки», Синьцзянь Чжоу.

«Транзисторы из углеродных нанотрубок, датчики и не только» Рецензия на книгу: В этой книге исследуется электрический транспорт полупроводниковых однослойных углеродных нанотрубок и исследуется их будущий потенциал в качестве биологических сенсоров. Изучаются как теоретические, так и практические аспекты электрон-фононного рассеяния. В нем обсуждается природа электрического транспорта в нанотрубках и важность установления предела производительности устройств с нанотрубками в диффузионном режиме. Более подробно объясняется интеграция нанотрубок с поддерживаемыми липидными бислоями и структурами, имитирующими клеточные мембраны, для введения биомолекул рядом с нанотрубками для целей восприятия. К этой книге могут обращаться исследователи, студенты и специалисты.

10. «Органические полевые транзисторы: теория, изготовление и характеристика» Иоанниса Кимиссиса.

«Органические полевые транзисторы: теория, изготовление и характеристика» Рецензия на книгу: В этой книге рассматриваются основные механизмы изготовления, работы и характеристики OFET с особым акцентом на материалы и методы, используемые для изготовления интегральных схем. Книга также охватывает все основные классы материалов OFET и химическую физику работы органических полупроводников. Также обсуждались практические вопросы, связанные с моделированием OFET и интеграцией с другими устройствами. Включено подробное описание традиционных и новых процедур определения электрических характеристик, а также лабораторных процедур и примеров. К этой книге могут обращаться исследователи, специалисты и студенты.

Люди, которые ищут бесплатные загрузки книг и бесплатные pdf-копии этих книг по транзисторам – мы хотели бы отметить, что у нас нет бесплатных загружаемых pdf-копий этих хороших книг, и вам следует искать бесплатные pdf-копии от этих Авторов только в том случае, если они явно разрешили загружать и читать их бесплатно.

Мы создали коллекцию лучших справочников по «Транзисторам», чтобы можно было легко увидеть список лучших книг по «Транзисторам» и купить книги онлайн или офлайн.

Если в список лучших книг по теме «Транзисторы» необходимо добавить еще какую-либо книгу, сообщите нам об этом.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *