Наименование	Структура	UКЭ	Ток коллектора	Корпус
2DA1213	p-n-p	50 В	2 А	SOT-89
2DA1213O	p-n-p	50 В	2 А	SOT-89
2DA1213Y	p-n-p	50 В	2 А	SOT-89
2N1131	p-n-p	50 В	0. 6 А	TO-39
2N1479	n-p-n	60 В	1.5 А	TO-39
2N1480	n-p-n	100 В	1.5 А	TO-39
2N1481	n-p-n	60 В	1.5 А	TO-39
2N1482	n-p-n	100 В	1.5 А	TO-39
2N1549	p-n-p	40 В	15 А	TO-3
2N1550	p-n-p	60 В	15 А	TO-3
2N1551	p-n-p	80 В	15 А	TO-3
2N1552	p-n-p	100 В	15 А	TO-3
2N1553	p-n-p	40 В	15 А	TO-3
2N1554	p-n-p	60 В	15 А	TO-3
2N1555	p-n-p	80 В	15 А	TO-3
2N1556	p-n-p	100 В	15 А	TO-3
2N1557	p-n-p	40 В	15 А	TO-3
2N1558	p-n-p	60 В	15 А	TO-3
2N1559	p-n-p	80 В	15 А	TO-3
2N1560	p-n-p	100 В	15 А	TO-3
2N1613	n-p-n	75 В	0. 5 А	TO-39
2N1711	n-p-n	75 В	0.5 А	TO-39
2N1893	n-p-n	120 В	0.5 А	TO-39
2N2102	p-n-p	120 В	1 А	TO-39
2N2102A	p-n-p	120 В	1 А	TO-39
2N2218	n-p-n	60 В	0.8 А	TO-39
2N2218A	n-p-n	75 В	0.8 А	TO-39
2N2219	n-p-n	60 В	0.8 А	TO-39
2N2219A	n-p-n	75 В	0.8 А	TO-39
2N2220	n-p-n	60 В	0.8 А	TO-18
2N2221	n-p-n	60 В	0.8 А	TO-18
2N2221A	n-p-n	75 В	0.8 А	TO-18
2N2222	n-p-n	60 В	0. 8 А	TO-18
2N2222A	n-p-n	75 В	0.8 А	TO-18
2N2270	n-p-n	60 В	1 А	TO-39
2N2297	n-p-n	80 В	0.15 А	TO-39
2N2369	n-p-n	40 В	0.2 А	TO-18
2N2369A	n-p-n	40 В	0.2 А	TO-18
2N2405	n-p-n	120 В	1 А	TO-39
2N2484	n-p-n	60 В	0.05 А	TO-18
2N2904	p-n-p	60 В	0.6 А	TO-39
2N2904A	p-n-p	60 В	0.6 А	TO-39
2N2905	p-n-p	60 В	0.6 А	TO-39
2N2905A	p-n-p	60 В	0.6 А	TO-39
2N2906	p-n-p	60 В	0. 6 А	TO-18
2N2906A	p-n-p	60 В	0.6 А	TO-18
2N2907	p-n-p	60 В	0.6 А	TO-18
2N2907A	p-n-p	60 В	0.6 А	TO-18
2N2923	n-p-n	25 В	0.1 А	TO-92
2N2924	n-p-n	25 В	0.1 А	TO-92

Назад12345678910…185Вперед

Заказ DVD/Видео

веб-сайтов

Александр Путь Грэма Белла к телефону

Американский институт физики Исторический центр

АТ&Т

Lucent/Bell Labs
Bell Laboratories Фон

Fairchild Semiconductor и их история инноваций

Поле Эффектные транзисторы. Часть базового курса электроники, написанного и авторское право © 1995, C. G. Lesurf ([email protected]), Университет Сент-Эндрюс, Шотландия.

«А История физики в Пердью: первая фаза эры Ларка-Горовица, 1928-1942» Соломона Гартенхауса, Арнольда Тубиса и Дэвида Кэссиди.

Как Европа упустила транзистор (HTML или PDF) авторское право © 2005 IEEE Spectrum.

Виртуальный музей IEEE (электричество, микроэлектроника)

Интел

Изобретатели современного компьютера: ARPAnet — первый Интернет

Карл Ларк-Горовиц

Общество исследования материалов

Мура Лоу и Гордон Мур

» Происхождение исследований полупроводников в Purdue: взгляд в прошлое от одного первых участников» Ральфа Брея

ПБС Онлайн-версия «Научная одиссея: люди и открытия»: Eniac
PBS Онлайн «Научная одиссея: люди и открытия»: Интернет дает выход во всемирную паутину
PBS Online: «Ботаники 2. 0.1: Краткая история Интернета»

Корпорация Sony и ее история

Кремний Генезис Проект
Кремний Genesis: Интервью с Тедом Хоффом
Silicon Genesis: Интервью с Гордоном Муром

История телекоммуникаций

Техасские инструменты

Теодор Н. Вейл

Транзисторные ссылки

Транзистор Музей — фотографии, интервью, ссылки и т.д.

Ресурсы для печати

Бассет, Росс Нокс. «В эпоху цифровых технологий: исследовательские лаборатории, стартапы Компании и рост технологии МОП». Балтимор: Джонс Хопкинс. Университетское издательство, 2002.

Бевитт, Уильям Дилтри. Справочник по транзисторам . Энглвудские скалы: Прентис-Холл, Инк, 1956.

Боукер, Американские мужчины и женщины науки.

Браттейн, Уолтер Х. «Генезис транзистора». Учитель физики (март 1968 г.) 109–114.

Браун, Эрнест и Стюарт Макдональды. Революция в миниатюре: The История и влияние полупроводниковой электроники. Нью-Йорк: Кембридж Пресс, 1978.

Консидайн, Дуглас М. и др. Научная энциклопедия Ван Ностранда, 7-е издание.  Нью-Йорк: Ван Ностранд Рейнхольд, 1989 г.

Де Форест, Ли. Отец радио: автобиография Ли де Лес. Чикаго: Уилкокс и Фоллетт, Ко., 1950.

Эккерт, Майкл и Гельмут Шуберт. Кристаллы, Электроны, Транзисторы: От исследования ученого к промышленным исследованиям , 1986. Томас Хьюз, пер. Нью-Йорк: Американский институт физики, 19.90.

Фейнман, Ричард. Фейнмановские лекции по физике. Паб Эддисон-Уэсли. Ко, 1970 г.

Гортон, В.С. «Происхождение транзистора, Меморандум для записи», в г. История инженерии и науки в системе Белл: физический наук (1925-1980) , С. Миллман, изд. Телефонные лаборатории Белла, 1985 год.

Грюн, Бернар, изд. Расписания истории. 3-е изд. Новый Йорк: Саймон и Шустер, 19 лет.91. Хенриксен, Пол В. «Физика твердого тела. Research at Purdue.» Osiris 3 , Series 2, vol.3. (1987): 237-260.

Сельдь, Коньерс. «Воспоминания о первых годах твердотельных Physics. Physics Today (апрель 1992 г.): 26-33.

Ходдесон, Лилиан. «Вступление квантовой теории твердых тел в колокол Телефонные лаборатории, 1925–1940 годы». Минерва, 18, 422–47.

—. «Истоки исследований твердого тела в Bell Labs». Физика Сегодня . (март 1977 г.).

Ходдесон, Лилиан и Вики Дейтч. «Настоящий гений: жизнь и Наука Джона Бардина, единственного лауреата двух Нобелевских премий по физике». Вашингтон, округ Колумбия: Джозеф Генри Пресс, 2005.

Ходдесон, Лилиан, Эрнест Браун и Спенсер Уиарт. Из Хрустальный лабиринт: главы из истории физики твердого тела. Нью-Йорк: Издательство Оксфордского университета, 1992.

Холоньяк младший Ник. «Джон Бардин и точечный транзистор». Физика сегодня. (апрель 1992 г.).

Лекюйе, Кристоф. «Создание Силиконовой долины: инновации и Рост высоких технологий, 1930-1970». Кембридж, Массачусетс: MIT Press, 2005.

Линдли, Дэвид. Куда уходит странность? Почему квантовая механика Странно, но не так странно, как вы думаете.   Нью-Йорк: Харпер Коллинз, 1996.

Маколей, Дэвид. Как все работает . Бостон: Хоутон Миффлин, 1988 год.

Кукуруза, Кеннеди. «Отцы спутников связи удостоены чести». байтов новостей Сеть новостей . 3 октября 1995 г.

Миллман, С. изд. История техники и науки в системе Белла: физические науки (1925–1980) . Мюррей Хилл: Телефонные лаборатории Белла, 1985.

Нойс, Роберт. «Микроэлектроника». Научный американец 237, № 3 (сентябрь 1977 г. ): 63–69.

Квайссер, Ганс. Завоевание микрочипа. Кембридж: Гарвард Университетское издательство, 1988.

Рид, Т.Р. Чип: как два американца изобрели микрочип и Запустил революцию. Нью-Йорк: Рэндом Хаус, 2001.

Риордан, Майкл и Лилиан Ходдесон. Хрустальный огонь: изобретение транзистора и рождение информационного века. Нью-Йорк: В.В. Нортон и компания, 1997.

—. «Моисей Кремниевой долины». Физика сегодня (декабрь 1997 г.).

Риордан, Майкл. «Утраченная история транзистора», IEEE. Спектр (май 2004 г.): 44-49.

—. «Как Европа пропустила транзистор». IEEE Спектр (ноябрь 2005 г.): 46-48.
(HTML или PDF) авторское право © 2005 IEEE Spectrum.

Роцкий Георгий. «25 лет-Электроника на пороге Новое тысячелетие» Electronic Engineering Times (30 октября, 1997).

Зейтц, Фредерик. На границе: Моя жизнь в науке. Нью-Йорк: Американский институт физики, 1994.

Зейтц, Фредерик и Норман Г. Эйнспрух. Электронный Джинн: запутанная история кремния. . Урбана и Чикаго: Университет Иллинойс Пресс, 1998.

Шокли, Уильям. «Дырки и электроны». Физика сегодня 3, вып. 10 (октябрь 1950 г.): 16–24.

—. «Как мы изобрели транзистор». Новый ученый 21 . ( декабря 1972 г.): 689-91.

«Сооснователь Sony Ибука умер в возрасте 89 лет.» Лента новостей AP . (19 декабря, 1997)

Стюарт, Чарльз К. и Питер Фрицше, ред. Воображая Двадцатое столетие. участников, Уолтер Л. Арнштейн и др. Урбана: Университет Иллинойса, 1997.

«Команда из трех инженеров Texas Instruments изобрела портативный ручной Электронный калькулятор в 1967 году». Редактор, Texas Instruments.

«Чип, который построил Джек, изменил мир. » Редакционный фон, Инструменты Техаса.

«Невероятные годы», Electronics (19 февраля 1968 г.).

«Транзистор среднего возраста». The Economist 346. (январь 3, 1998)

Торнтон, Стивен Т., Пол М. Фишбейн и Стивен Гасиорович. Физика для ученых и инженеров.  Нью-Джерси: Прентис-Холл, 1992.

Типлер, Пол. Физика, второе издание. 1976. Рочестер, Мичиган: Worth Publishers, Inc., 1987.

Витце, Александра. «Значительный переключатель: появление транзистора в 1947 году изменило курс технологии». The Dallas Morning News. (8 декабря 1997 г.): 6Д.

Вулф, Том. «Мастерство Роберта Нойса: как солнце взошло на кремнии» Долина.» Эсквайр. (декабрь 1993 г.): 346–374.

Интервью

-PBS Online- -Сайт Кредиты- -Фото Кредиты- -Отзывы-

Авторское право 2005 г., ScienCentral, Inc. и Американский институт физики. Нет часть этого веб-сайта может быть воспроизведена без письменного разрешения. Все права защищены.

«Микроэлектронные схемы: теория и применение» Рецензия на книгу: Книга имеет обновленное содержание и охват, отражающий изменения в технологии интегральных схем. Книга дает всестороннее, гибкое, точное и ориентированное на дизайн описание электронных схем. Он имеет большое количество примеров. Он имеет хорошо продуманные задачи в конце главы и практические упражнения. Основное внимание уделяется таким темам, как каскодные усилители, частотная характеристика и обратная связь. В нем есть новые темы, такие как усилители мощности класса D, фильтры на интегральных схемах, генераторы и датчики изображения. Книга предназначена для студентов и аспирантов в области электротехники и электроники.

реклама

реклама

«Органические полевые транзисторы: теория, изготовление и характеристика (интегральные схемы и системы)» Рецензия на книгу: В книге представлен современный уровень развития органических полевых транзисторов (OFET). Основное внимание уделяется материалам и методам, используемым для изготовления интегральных схем. Книга начинается с общих сведений об органических полупроводниках. В нем обсуждаются типы органических полупроводниковых материалов, пригодных для изготовления полевых транзисторов, процессы изготовления, используемые для изготовления интегральных схем, а также соответствующие методы измерения и моделирования. Книга предназначена для практиков и исследователей.

«Микропроцессорные сельскохозяйственные приборы» Рецензия на книгу: В книге излагаются основные концепции проектирования систем с использованием микропроцессоров в сельскохозяйственных приборах. Он начинается с введения в области сельского хозяйства и применения инструментов в сельском хозяйстве. Затем он охватывает датчики, специфичные для сельскохозяйственной области. В книге подробно рассматриваются основы микропроцессора, а также аппаратное и программное обеспечение Intel 8085. В нем обсуждается периферийный интерфейс микропроцессора и его поддерживающие микросхемы, такие как Intel 8225, Intel 8253 и Intel 8279.вместе со своими приложениями. В нем также есть тематические исследования различных приложений микропроцессоров в сельском хозяйстве. Книга содержит большое количество рисунков для понимания теории. В нем также есть упражнение в конце главы для разделов аппаратного и программного обеспечения. Книга предназначена для студентов и аспирантов сельскохозяйственных инженерных специальностей.

«Модели МОП-транзисторов для моделирования схем СБИС» Рецензия на книгу: Эта книга плавно устраняет разрыв между теоретическими и практическими аспектами моделирования МОП-транзисторов. Он описывает различные значения параметров модели устройств с коротким каналом и объясняет, какая модель должна быть определена и использована. Студенты, исследователи и специалисты могут обратиться к этой книге.

Рецензия на книгу «Физика полупроводниковых приборов»: Это очень хороший справочник в области полупроводниковых приборов. Он содержит подробную и исчерпывающую информацию о многих важных полупроводниковых устройствах. Он предоставляет читателям немедленную информацию о подробных описаниях основных физических и рабочих характеристик биполярных, полевых, микроволновых, фотонных и сенсорных устройств. В книге есть полное обновление последних разработок, трехмерных полевых МОП-транзисторов, полевых МОП-транзисторов, туннельных диодов, полупроводниковых датчиков, каскадных лазеров, одноэлектронных транзисторов, устройств передачи данных в реальном пространстве и многих других.

реклама

«Эксплуатация и моделирование МОП-транзистора» Рецензия на книгу: Эта книга предлагает всестороннее рассмотрение фундаментальной теории и приложений МОП-транзисторов. В нем обсуждается важная роль МОП-транзисторов в современных микросхемах микроэлектроники. Его операции и методы моделирования описаны очень подробно. На это может сослаться любой студент, исследователь или профессионал.

«Эффекты горячих носителей в МОП-устройствах» Рецензия на книгу: Эта книга обеспечивает прочную основу для фундаментальных основ новой области эффектов горячих носителей в МОП-устройствах. Наряду с основами МОП-устройств в книге также рассматриваются практические аспекты горячих носителей и последние достижения в этой области. Также отмечается их внедрение в производственно-технологическую отрасль. Эта книга обязательна к прочтению инженерами по МОП-устройствам и технологам, исследователями, а также студентами выпускных курсов.

реклама

«Физика быстродействующих транзисторов» Рецензия на книгу: В этой книге анализируются основные физические принципы работы быстродействующих транзисторов на частотах выше 10 ГГц и времени переключения менее 100 пс. В книге также предлагается изготовление транзисторов, которые работают на один-два порядка быстрее. Также обсуждались применения сверхбыстродействующих транзисторов и микроволновых транзисторов в вычислительной технике, телевидении, радиолокации, связи, радиолокационной технике и производстве научного, промышленного и медицинского оборудования. Студенты, исследователи и специалисты могут обратиться к этой книге.

«Введение в тонкопленочные транзисторы: физика и технология тонкопленочных транзисторов» Рецензия на книгу: В этой книге дается всесторонний обзор работы, применения и технологии основных классов тонкопленочных транзисторов (ТПТ). Книга знакомит с основами физики поверхности полупроводников, работой классического полевого МОП-транзистора и влиянием дополнительных состояний запрещенной зоны на поведение TFT. Охватываемые материалы TFT включают поликристаллический кремний (поли-Si), гидрогенизированный аморфный кремний (a-Si:H), органические полупроводники, полупроводники с прозрачным аморфным оксидом (AOS) и другие материалы TFT, которые были тщательно исследованы. Отдельные главы посвящены работе AMLCD, AMOLED и электрофоретических дисплеев, а также проблемам расположения пикселей, с которыми сталкивается TFT. Также обсуждается транзистор с управляемым источником (SGT). Также рассматриваются рабочие характеристики TFT, такие как ток утечки, механизмы нестабильности и ограничения подвижности носителей. Эта книга идеально подходит для студентов-исследователей, ученых, инженеров, студентов и аспирантов.

«Транзисторная физика» Обзор книги: Эта книга служит теоретическим руководством для изучения основной физики полупроводников и транзисторных устройств с некоторыми дополнительными ссылками на экспериментальные работы. Книга начинается с обсуждения классической атомной теории и квантово-механических приложений к уровням энергии электронов в атомах, с особым акцентом на атоме водорода, и в одномерных кристаллических телах. Это подчеркивает различия между металлами, изоляторами и полупроводниками. Объясняется статистическая механика погружением в статистику Ферми-Дирака для электронов в металлах и полупроводниках, а также определение плотности носителей тока в различных полупроводниках. Также обсуждаются протекание тока через p-n-переходы и теория транзисторов p-n-p. Вывод уравнений дрейфового и диффузионного токов проанализирован и применен к полупроводникам с однородными и градиентными примесями. Требуются предварительные знания физики, теории цепей и векторных методов.

«Транзисторы из углеродных нанотрубок, датчики и не только» Рецензия на книгу: В этой книге исследуется электрический транспорт полупроводниковых однослойных углеродных нанотрубок и исследуется их будущий потенциал в качестве биологических сенсоров. Изучаются как теоретические, так и практические аспекты электрон-фононного рассеяния. В нем обсуждается природа электрического транспорта в нанотрубках и важность установления предела производительности устройств с нанотрубками в диффузионном режиме. Более подробно объясняется интеграция нанотрубок с поддерживаемыми липидными бислоями и структурами, имитирующими клеточные мембраны, для введения биомолекул рядом с нанотрубками для целей восприятия. К этой книге могут обращаться исследователи, студенты и специалисты.

«Органические полевые транзисторы: теория, изготовление и характеристика» Рецензия на книгу: В этой книге рассматриваются основные механизмы изготовления, работы и характеристики OFET с особым акцентом на материалы и методы, используемые для изготовления интегральных схем. Книга также охватывает все основные классы материалов OFET и химическую физику работы органических полупроводников. Также обсуждались практические вопросы, связанные с моделированием OFET и интеграцией с другими устройствами. Включено подробное описание традиционных и новых процедур определения электрических характеристик, а также лабораторных процедур и примеров. К этой книге могут обращаться исследователи, специалисты и студенты.