Транзисторы с каналом N SMD

Channel kind

depleted enhanced

Transistor kind

dual gate FETKY, HEXFET HEXFET

Вид упаковки

бобина бобина, лента

Время включения

13.7нс 17нс 21.5нс 8.8нс

Время выключения

15нс 20нс 51.2нс

Выход

N-MOSFET

Выходной ток

4.4А 59А 850мА

Заряд затвора

1.3нC 10.4нC 10.5нC 100нC 106.7нC 107нC 108нC 10нC 11.5нC 11.9нC 110нC 11нC 12.2нC 12.7нC 12.8нC 120нC 12нC 13.2нC 13.3нC 13.6нC 130нC 133.3нC 13нC 14.5нC 142нC 143нC 14нC 15.6нC 150нC 15нC 16. 7нC 160нC 16нC 17.3нC 17.4нC 170нC 17нC 180нC 186нC 18нC 19.3нC 19.7нC 190нC 19нC 2.3нC 2.4нC 2.9нC 200нC 20нC 21.3нC 216нC 21нC 22.7нC 22нC 23.3нC 236нC 23нC 24 (N)/26 (P)нC 24.7нC 24нC 25нC 26.5нC 26нC 274нC 27нC 28нC 29.3нC 29нC 3.5нC 300нC 305нC 30нC 31нC 32нC 33нC 34нC 35нC 36нC 37нC 38нC 39нC 3нC 4.2нC 4.3нC 4.4нC 4.5нC 4.6нC 4.7нC 4.8нC 40нC 41нC 42нC 43.3нC 43нC 44.

7нC 44нC 45.3нC 46нC 47.3нC 48нC 49.3нC 5.4нC 5.5нC 5.6нC 50нC 52нC 53нC 54нC 56нC 57нC 58нC 59нC 6.2нC 6.6нC 6.8нC 6.9нC 60нC 61нC 62нC 63.3нC 63нC 65нC 66нC 68нC 69нC 6нC 7.1нC 7.2нC 7.4нC 7.5нC 70нC 71нC 72нC 73.3нC 73нC 74нC 75нC 76нC 77нC 79нC 7нC 8.1нC 8.3нC 8.5нC 8.7нC 8.9нC 80нC 81нC 82нC 83нC 84нC 85нC 86.6нC 86.7нC 87нC 88нC 89нC 8нC 9.1нC 9. (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({}); 3нC 9.5нC 9.6нC 9.7нC 90нC 91нC 92нC 93.3нC 93нC 97.3нC 97нC 9нC

Корпус

CanPAK™ M, MG-WDSON-2 CanPAK™ MN, MG-WDSON-2 CanPAK™ MX, MG-WDSON-2 CanPAK™ MZ, MG-WDSON-2 CanPAK™ S, MG-WDSON-2 CanPAK™ SJ, MG-WDSON-2 CanPAK™ SQ, MG-WDSON-2 D2PAK D2PAK-7 DE475 DFN4 DFN8 DirectFET DPAK DPAK, PG-TO252-3 Micro8 PG-DSO-8 PG-HSOF-8-1 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 FL PG-TISON-8 PG-TISON-8-4 PG-TO252 PG-TO252-3 PG-TO263 PG-TO263-3 PG-TO263-7 PG-TSDSON-8 PG-VSON-4 PMPAK3x3 PMPAK5x6 PowerFLAT™(5×5) PQFN PQFN2X2 PQFN3.3X3.3 PQFN3X3 PQFN3X5 PQFN5X6 PQFN8 QFN14 SC-59 SC70-6 SC75 SO10RF SO8 SOT143 SOT223 SOT23 SOT23-3 SOT26 SOT323 SOT363 SOT523 SOT563 SOT669 SOT89 SOT89-3 SOT89-4 TDFN8 TO220 TO220AB TO223 TO252 TO252/DPAK TO252AA TO262 TO263 TO263AB TO271AA TO92 TSDSON-8 FL TSOP6

Монтаж

SMD THT

Мощность

0. 2Вт 1.25Вт 1.38Вт 1.3Вт 1.4Вт 1.56Вт 1.5Вт 1.6Вт 1.7Вт 1.8Вт 1.8кВт 1.98Вт 10.4Вт 100Вт 101Вт 102Вт 104.2Вт 104Вт 105Вт 107Вт 10Вт 110Вт 113Вт 114Вт 115Вт 119Вт 11Вт 12.5Вт 12.8Вт 120Вт 125Вт 128Вт 12Вт 13.5Вт 13.9Вт 130Вт 135Вт 136Вт 1378мВт 138Вт 139Вт 13Вт 140Вт 143Вт 144Вт 14Вт 15.5Вт 15.6Вт 150Вт 151Вт 156Вт 15Вт 160Вт 163Вт 167Вт 169Вт 16Вт 170Вт 171Вт 17Вт 18.5Вт 180Вт 188Вт 18Вт 190Вт 195.

3Вт 195Вт 1Вт 2.1Вт 2.3Вт 2.5Вт 2.6Вт 2.7Вт 2.8Вт 200Вт 200мВт 208.3Вт 208Вт 20Вт 210Вт 214Вт 21Вт 220Вт 225мВт 227Вт 22Вт 230Вт 230мВт 231Вт 245Вт 250Вт 250мВт 25Вт 26.6Вт 260Вт 260мВт 26Вт 27.8Вт 272Вт 277.8Вт 278Вт 27Вт 28.4Вт 280мВт 28Вт 29.7Вт 290Вт 290мВт 294Вт 29Вт 2Вт 3.1Вт 3.2Вт 3.3Вт 3.4Вт 3.57Вт 3.5Вт 3.6Вт 3.7Вт 3.8Вт 300Вт 300мВт 307Вт 30Вт 31.25Вт 310Вт 31Вт 320Вт 325мВт 32Вт 33. 3Вт 33.8Вт 330Вт 33Вт 34.7Вт 34Вт 350Вт 350мВт 357Вт 35Вт 36.7Вт 360мВт 36Вт 370Вт 375Вт 37Вт 380Вт 38Вт 39Вт 3Вт 4.2Вт 4.5Вт 400мВт 40Вт 41Вт 42Вт 43Вт 44.6Вт 44Вт 45Вт 460мВт 46Вт 47Вт 48Вт 490мВт 500мВт 50Вт 50мВт 52Вт 53.6Вт 530мВт 53Вт 540мВт 54Вт 55Вт 56.8Вт 56Вт 57Вт 59Вт 5Вт 6.25Вт 60Вт 62.5Вт 625мВт 63Вт 65Вт 66Вт 67Вт 68Вт 69Вт 6Вт 7.5Вт 700мВт 70Вт 71Вт 72Вт 73Вт 740мВт 74Вт 75Вт 78Вт 79Вт 7Вт 8. 3Вт 800мВт 80Вт 82Вт 83.3Вт 830мВт 83Вт 86Вт 87Вт 88Вт 89.2Вт 89Вт 8Вт 9.5Вт 9.6Вт 90Вт 91Вт 92Вт 94Вт 95Вт 96Вт 98Вт 99Вт 9Вт

Напряжение затвор-исток

-2.1В -3.5В -3В 1.6В 12В 16В 1В 2.4В 2.5В 20В 2В 30В 4В 800мВ ±12В ±16В ±20В ±25В ±30В ±6В ±8В

Напряжение коллектор-эмиттер

1.2кВ

Напряжение сток-исток

-55В 1.7кВ 100В 10В 120В 12В 150В 18В 190В 1кВ 200В 20В 240В 24В 250В 25В 300В 30В 34В 350В 35В 400В 40В 42В 450В 500В 50В 55В 560В 600В 60В 650В 65В 700В 70В 75В 7В 800В 80В 8В 900В 90В

Номинальный ток

330мА

Полярность

полевой

Принципиальная схема

посмотрите

Серия

C3M™ Z-FET™

Сопротивление в открытом состоянии

0. 0011Ом 0.00159Ом 0.0017Ом 0.0028Ом 0.0041Ом 0.0046Ом 0.005Ом 0.0065Ом 0.006Ом 0.0075Ом 0.0081Ом 0.0085Ом 0.009Ом 0.0105Ом 0.011Ом 0.012Ом 0.0135Ом 0.013Ом 0.0145Ом 0.014Ом 0.0155Ом 0.015Ом 0.0165Ом 0.018Ом 0.01Ом 0.021Ом 0.022Ом 0.024Ом 0.025Ом 0.028Ом 0.02Ом 0.031Ом 0.032Ом 0.034Ом 0.035Ом 0.036Ом 0.03Ом 0.041Ом 0.042Ом 0.045Ом 0.04Ом 0.054Ом 0.05Ом 0.075Ом 0.082Ом 0.085Ом 0.08Ом 0.093Ом 0.095Ом 0.09Ом 0.117Ом 0.11Ом 0.12Ом 0.15Ом 0.18Ом 0.19Ом 0. 1Ом 0.23Ом 0.24Ом 0.25Ом 0.26Ом 0.27Ом 0.28Ом 0.2Ом 0.35Ом 0.3Ом 0.4мОм 0.4Ом 0.56Ом 0.65Ом 0.7мОм 0.7Ом 0.8мОм 0.8Ом 0.95мОм 0.95Ом 0.97мОм 0.9мОм 1.05мОм 1.1мОм 1.25мОм 1.2мОм 1.2Ом 1.3мОм 1.3Ом 1.45мОм 1.4мОм 1.4Ом 1.59мОм 1.5мОм 1.5Ом 1.65мОм 1.6мОм 1.6Ом 1.75мОм 1.76Ом 1.7мОм 1.85мОм 1.8мОм 1.8Ом 1.95мОм 1.9мОм 10.4мОм 10.5мОм 10.7мОм 10.8мОм 10.9мОм 1000мОм 100мОм 104мОм 105мОм 10мОм 10Ом 11.5мОм 11.7мОм 11. 8мОм 11.9мОм 110мОм 115мОм 117мОм 11мОм 12.1мОм 12.3мОм 12.4мОм 12.6мОм 120мОм 125мОм 12мОм 12Ом 13.4мОм 13.5мОм 13.8мОм 13.9мОм 130мОм 13мОм 13Ом 14.3мОм 14.4мОм 14.5мОм 140мОм 145мОм 14мОм 14Ом 15.5мОм 15.8мОм 150мОм 15мОм 15Ом 16.5мОм 160мОм 165мОм 16мОм 16Ом 17.5мОм 17мОм 18.9мОм 180мОм 185мОм 18мОм 19.6мОм 190мОм 195мОм 199мОм 19мОм 1кОм 1мОм 1Ом 2.1мОм 2.2мОм 2.3мОм 2.4мОм 2.5мОм 2.5Ом 2.6мОм 2.7мОм 2. 7Ом 2.8мОм 2.8Ом 2.9мОм 200мОм 20мОм 20Ом 210мОм 21мОм 225мОм 22мОм 230мОм 235мОм 23мОм 24.5мОм 24мОм 25.2мОм 250мОм 25мОм 25Ом 26.5мОм 26мОм 27мОм 28.5мОм 280мОм 28мОм 290мОм 299мОм 29мОм 2мОм 2Ом 3.1мОм 3.2мОм 3.2Ом 3.3мОм 3.4мОм 3.5мОм 3.5Ом 3.6мОм 3.7мОм 3.8мОм 3.9мОм 300мОм 30мОм 30Ом 310мОм 31мОм 32мОм 330мОм 33мОм 340мОм 34мОм 35мОм 35Ом 36.3мОм 360мОм 36мОм 37мОм 380мОм 399мОм 39мОм 3мОм 3Ом 4. 1мОм 4.2мОм 4.3мОм 4.4мОм 4.5мОм 4.6мОм 4.7мОм 4.8мОм 4.9мОм 40.7мОм 400мОм 40мОм 420мОм 425мОм 42мОм 42Ом 43мОм 44мОм 450мОм 45мОм 45Ом 460мОм 46мОм 48мОм 4мОм 4Ом 5.1мОм 5.1Ом 5.2мОм 5.3мОм 5.4мОм 5.5мОм 5.6мОм 5.7мОм 5.8мОм 5.9мОм 500мОм 500Ом 50мОм 520мОм 52мОм 53мОм 54мОм 550мкОм 55мОм 560мОм 57.5мОм 5мОм 5Ом 6.1мОм 6.2мОм 6.3мОм 6.5мОм 6.6мОм 6.7мОм 6.8мОм 6.9мОм 600мОм 60мОм 60Ом 62мОм 63мОм 650мОм 65мОм 660мОм 66мОм 6мОм 6Ом 7. 2мОм 7.3мОм 7.5мОм 7.5Ом 7.6мОм 7.7мОм 7.9мОм 700Ом 70мОм 725мОм 75мОм 78мОм 7мОм 7Ом 8.1Ом 8.2мОм 8.3мОм 8.4мОм 8.5мОм 8.7мОм 8.8мОм 8.9мОм 800мОм 80мОм 82мОм 830мОм 85мОм 8мОм 8Ом 9.1мОм 9.2мОм 9.3мОм 9.4мОм 9.5мОм 9.7мОм 9.8мОм 9.9мОм 900мОм 90мОм 950мОм 95мОм 970мкОм 99мОм 9мОм

Тепловое сопротивление переход-корпус

1.04К/Вт 1.05К/Вт 1.09К/Вт 1.11К/Вт 1.14К/Вт 1.1К/Вт 1.2К/Вт 1.32К/Вт 1.38К/Вт 1.42К/Вт 1.4К/Вт 1.64К/Вт 1.66К/Вт 1. 69К/Вт 1.6К/Вт 1.73К/Вт 1.75К/Вт 1.7К/Вт 1.83К/Вт 1.87К/Вт 1.89К/Вт 1.8К/Вт 1.9К/Вт 1045мК/Вт 13К/Вт 1К/Вт 2.12К/Вт 2.2К/Вт 2.3К/Вт 2.4К/Вт 2.65К/Вт 2.73К/Вт 2.7К/Вт 2К/Вт 3.12К/Вт 3.15К/Вт 3.1К/Вт 3.2К/Вт 3.3К/Вт 3.4К/Вт 3.5К/Вт 3.75К/Вт 3К/Вт 4.1К/Вт 4.28К/Вт 4.3К/Вт 4.7К/Вт 400мК/Вт 450мК/Вт 470мК/Вт 500мК/Вт 510К/Вт 510мК/Вт 570мК/Вт 600мК/Вт 610мК/Вт 650мК/Вт 7.6К/Вт 750мК/Вт 770мК/Вт 850мК/Вт 900мК/Вт 920мК/Вт 950мК/Вт

Тепловое сопротивление переход-среда

100К/Вт 120К/Вт 45К/Вт 50К/Вт 60К/Вт 62. 5К/Вт

Технология

CoolMOS™ CoolMOS™ CE OptiMOS™ OptiMOS™ 2 OptiMOS™ 3 OptiMOS™ 5 OptiMOS™ FD SIPMOS™

Тип канала

обогащенный

Тип транзистора

IGBT logic level N-JFET N-MOSFET N-MOSFET x2 N/P-MOSFET x2 МОП n-канал. x2 МОП n-канальный полевой n-канальный полевой n-канальный, TrenchMOS

Ток коллектора

5А

Ток стока

-3.4А 0.115А 1.1А 1.2А 1.4А 1.5А 1.6А 1.7А 1.8А 1.9А 10.1А 10.3А 10.4А 10.6А 10.9А 100А 100мА 103А 104А 105А 106А 108А 10А 10мА 11.3А 11.4А 11.5А 110А 112А 114А 115мА 116А 117А 119А 11А 12. 1А 12.4А 12.5А 12.7А 120А 120мА 123А 124А 127А 12А 13.1А 13.3А 13.4А 13.5А 13.6А 13.8А 130А 131А 135А 13А 14.4А 140А 140мА 145А 14А 15.2А 150А 150мА 155А 156А 15А 15мА 16.1А 16.6А 160А 161А 162А 166А 16А 17.5А 170А 170мА 173А 17А 180А 180мА 184А 185А 18А 190А 190мА 192А 195А 198А 19А 1А 1мА 2.1А 2.2А 2.3А 2.4А 2.5А 2.6А 2.7А 2.8А 2.9А 20.2А 20. 7А 20.8А 200А 200мА 20А 21.3А 210А 213А 216А 21А 21мА 22.4А 220А 220мА 22А 23.5А 230А 230мА 23А 240А 246А 24А 250мА 255А 25А 260А 260мА 26А 270А 27А 280А 280мА 28А 293А 295А 29А 2А 3.1А 3.2А 3.3А 3.4А 3.5А 3.6А 3.7А 3.8А 3.9А 300А 300мА 30А 30мА 31.2А 31А 320А 324А 32А 33А 340А 343А 34А 350мА 35А 360мА 362А 36А 37А 380А 38А 397А 39А 3А 4. 1А 4.2А 4.3А 4.4А 4.5А 4.6А 4.7А 4.9А 4/0.9А 400А 400мА 40А 40мА 41А 426А 429А 42А 43А 44А 450мА 45А 46А 47А 48А 49А 4А 5.1А 5.2А 5.3А 5.4А 5.5А 5.6А 5.7А 5.8А 500мА 50А 50мА 51А 52А 53А 540мА 54А 55А 56А 57А 58А 59А 5А 5мА 6.1А 6.2А 6.3А 6.5А 6.5мА 6.6А 6.7А 6.8А 6.9А 600мА 60А 60мА 61А 62А 63А 64А 65А 660мА 66А 67А 680мА 68А 69А 6А 7. 1А 7.3А 7.5А 7.6А 7.7А 7.8А 700мА 70А 71А 72А 73А 74А 750мА 75А 76А 77А 79А 7А 8.1А 8.2А 8.3А 8.5А 8.7А 800мА 80А 81А 82А 83А 84А 85А 86А 87А 880мА 88А 890мА 89А 8А 9.1А 9.2А 9.3А 9.4А 9.5А 9.7А 9.9А 900мА 90А 90мА 91А 92А 93А 94А 950мА 95А 960мА 96А 97А 98А 99А 9А

Производитель

ADVANCED POWER ELECTRONICS ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR CREE DIODES INCORPORATED Fairchild Semiconductor INFINEON (IRF) INFINEON TECHNOLOGIES IXYS MICROCHIP (SUPERTEX) MICROCHIP TECHNOLOGY NXP ON SEMICONDUCTOR ST MICROELECTRONICS TAIWAN SEMICONDUCTOR TEXAS INSTRUMENTS TOSHIBA VISHAY

Маркировка биполярных и полевых SMD транзисторов для поверхностного монтажа — Avislab

---

13. 05.2011

 

Маркировка биполярных SMD транзисторов

Маркировка	Тип прибора	Эквивалент
15	MMBT3960	2N3960
1A	BC846A	BC546A
1B	BC846B	BC546B
1C	MMBTA20	MPSA20
1D	BC846	—
1E	BC847A	BC547A
1F	BC847B	BC547B
1G	BC847C	BC547C
1H	BC847	—
1J	BC848A	BC548A
1K	BC848B	BC548B
1L	BC848C	BC548C
1M	BC848	—
1P	FMMT2222A	2N2222A
1T	MMBT3960A	2N3960A
1X	MMBT930	—
1Y	MMBT3903	2N3903
2A	FMMT3906	2N3906
2B	BC849B	BC549B
2C	BC849C	BC549C/BC109C/ MMBTA70
2E	FMMTA93	—
2F	BC850B	BC550B
2G	BC850C	BC550C
2J	MMBT3640	2N3640
2K	MMBT8598	—
2M	MMBT404	—
2N	MMBT404A	—
2T	MMBT4403	2N4403
2W	MMBT8599	—
2X	MMBT4401	2N4401
3A	BC856A	BC556A
3B	BC856B	BC556B
3D	BC856	—
3E	BC857A	BC557A
3F	BC857B	BC557B
3G	BC857C	BC557C
3J	BC858A	BC558A
3K	BC858B	BC558B
3L	BC858C	BC558C
3S	MMBT5551	—
4A	BC859A	BC559A
4B	BC859B	BC559B
4C	BC859C	BC559C
4E	BC860A	BC560A
4F	BC860B	BC560B
4G	BC860C	BC560C
4J	FMMT38A	—
449	FMMT449	—
489	FMMT489	—
491	FMMT491	—
493	FMMT493	—
5A	BC807-16	BC327-16
5B	BC807-25	BC327-25
5C	BC807-40	BC327-40
5E	BC808-16	BC328-16
5F	BC808-25	BC328-25
5G	BC808-40	BC328-40
549	FMMT549	—
589	FMMT589	—
591	FMMT591	—
593	FMMT593	—
6A	BC817-16	BC337-16
6B	BC817-25	BC337-25
6C	BC817-40	BC337-40
6E	BC818-16	BC338-16
6F	BC818-25	BC338-25
6G	BC818-40	BC338-40
9	BC849BLT1	—
AA	BCW60A	BC636/BCW60A
AB	BCW60B	—
AC	BCW60C	BC548B
AD	BCW60D	—
AE	BCX52	—
AG	BCX70G	—
AH	BCX70H	—
AJ	BCX70J	—
AK	BCX70K	—
AL	MMBTA55	—
AM	BSS64	2N3638
AS1	BST50	BSR50
B2	BSV52	2N2369A
BA	BCW61A	BC635
BB	BCW61B	—
BC	BCW61C	—
BD	BCW61D	—
BE	BCX55	—
BG	BCX71G	—
BH	BCX71H	BC639
BJ	BCX71J	—
BK	BCX71K	—
BN	MMBT3638A	2N3638A
BR2	BSR31	2N4031
C1	BCW29	—
C2	BCW30	BC178B/BC558B
C5	MMBA811C5	—
C6	MMBA811C6	—
C7	BCF29	—
C8	BCF30	—
CE	BSS79B	—
CEC	BC869	BC369
CF	BSS79C	—
CH	BSS82B/BSS80B	—
CJ	BSS80C	—
CM	BSS82C	—
D1	BCW31	BC108A/BC548A
D2	BCW32	BC108A/BC548A
D3	BCW33	BC108C/BC548C
D6	MMBC1622D6	—
D7	BCF32	—
D8	BCF33	BC549C/BCY58/ MMBC1622D8
DA	BCW67A	—
DB	BCW67B	—
DC	BCW67C	—
DE	BFN18	—
DF	BCW68F	—
DG	BCW68G	—
DH	BCW68H	—
E1	BFS17	BFY90/BFW92
EA	BCW65A	—
EB	BCW65B	—
EC	BCW65C	—
ED	BCW65C	—
EF	BCW66F	—
EG	BCW66G	—
EH	BCW66H	—
F1	MMBC1009F1	—
F3	MMBC1009F3	—
FA	BFQ17	BFW16A
FD	BCV26	MPSA64
FE	BCV46	MPSA77
FF	BCV27	MPSA14
FG	BCV47	MPSA27
GF	BFR92P	—
h2	BCW69	—
h3	BCW70	BC557B
h4	BCW89	—
H7	BCF70	—
K1	BCW71	BC547A
K2	BCW72	BC547B
K3	BCW81	—
K4	BCW71R	—
K7	BCV71	—
K8	BCV72	—
K9	BCF81	—
L1	BSS65	—
L2	BSS70	—
L3	MMBC1323L3	—
L4	MMBC1623L4	—
L5	MMBC1623L5	—
L6	MMBC1623L6	—
L7	MMBC1623L7	—
M3	MMBA812M3	—
M4	MMBA812M4	—
M5	MMBA812M5	—
M6	BSR58/ MMBA812M6	2N4858
M7	MMBA812M7	—
O2	BST82	—
P1	BFR92	BFR90
P2	BFR92A	BFR90
P5	FMMT2369A	2N2369A
Q3	MMBC1321Q3	—
Q4	MMBC1321Q4	—
Q5	MMBC1321Q5	—
R1	BFR93	BFR91
R2	BFR93A	BFR91
S1A	SMBT3904	—
S1D	SMBTA42	—
S2	MMBA813S2	—
S2A	SMBT3906	—
S2D	SMBTA92	—
S2F	SMBT2907A	—
S3	MMBA813S3	—
S4	MMBA813S4	—
T1	BCX17	BC327
T2	BCX18	—
T7	BSR15	2N2907A
T8	BSR16	2N2907A
U1	BCX19	BC337
U2	BCX20	—
U7	BSR13	2N2222A
U8	BSR14	2N2222A
U9	BSR17	—
U92	BSR17A	2N3904
Z2V	FMMTA64	—
ZD	MMBT4125	2N4125

Маркировка полевых SMD транзисторов

Маркировка	Тип прибора	Маркировка	Тип прибора
6A	MMBF4416	C92	SST4392
6B	MMBF5484	C93	SST4393
6C	MMBFU310	h26	SST4416
6D	MMBF5457	I08	SST108
6E	MMBF5460	I09	SST109
6F	MMBF4860	I10	SST110
6G	MMBF4393	M4	BSR56
6H	MMBF5486	M5	BSR57
6J	MMBF4391	M6	BSR58
6K	MMBF4932	P01	SST201
6L	MMBF5459	P02	SST202
6T	MMBFJ310	P03	SST203
6W	MMBFJ175	P04	SST204
6Y	MMBFJ177	S14	SST5114
B08	SST6908	S15	SST5115
B09	SST6909	S16	SST5116
B10	SST6910	S70	SST270
C11	SST111	S71	SST271
C12	SST112	S74	SST174
C13	SST113	S75	SST175
C41	SST4091	S76	SST176
C42	SST4092	S77	SST177
C43	SST4093	TV	MMBF112
C59	SST4859	Z08	SST308
C60	SST4860	Z09	SST309
C61	SST4861	Z10	SST310
C91	SST4391

МОП — транзисторы

Маркировка	Тип прибора	Маркировка	Тип прибора
6Z	MMBF170	V01	VN50300T
701	2N7001	V02	VN0605T
702	SN7002	V04	VN45350T
SA	BSS123	V0AJ	TP610T
SS	BSS138	V50	VP0610T

см. также:

• Маркировка SMD резисторов
• Маркировка SMD конденсаторов (керамических, электролитических, танталовых)
• Маркировка алюминиевых электролитических SMD конденсаторов для поверхностного монтажа
• Маркировка биполярных и полевых SMD транзисторов для поверхностного монтажа
• Цветовая маркировка диодов в корпусах SOD-123 и SOD-80 (MELF)

Довідники

Коментарі:

---

uapress.info говорить:

08.09.2011 17:26

спасибо, как раз искал

---

Alex говорить:

27.12.2011 19:35

То что нужно. Спасибо!

---

JuVas говорить:

17.01.2012 18:53

В мене транзистор на базі sot 89, на ньому просто написано напис "GP" як можна взнати його марку, або хоча б аналог???

---

UA3BL говорить:

28.02.2012 00:42

Существуют ли НЧ германиевые SMD транзисторы?

---

dewolt говорить:

29. 02.2012 09:25

спасибо, еще бы добавить распиновку транзисторов чтобы отдельно не искать

---

Денис говорить:

14.03.2012 18:04

Подскажите, какой транзистор можно подобрать в замен этому D4N06L Спасибо!

---

Додати коментар

* Ваше ім’я:

e-mail:

* Коментар:

Введіть код з картинки:

* — обов’язкові поля

13 SMD маркировка

Posted on 14.04.201718.11.2021 by Evgeniy811

Алфавитный указатель по SMD маркировкам

Справочная таблица по SMD маркировкам радиоэлементов (диодов, транзисторов, микросхем),
с двумя первыми знаками в SMD маркировке 13

Корпус, название, назначение, краткое описание и ссылки на имеющиеся на нашем сайте даташиты.

Страница периодически пополняется и обновляется по мере поступления новой информации

Важно!!!
Символы *, =, xx в SMD маркировке, означают дополнительные сведения о радиоэлементе (номер партии, дата выпуска и т.д).
Более подробная информация о дополнительных символах содержится в даташитах

Маркировка	Корпус	Элемент	Описание	datasheet
13	sot363	BC847BPN	npn+pnp 50 В / 100 мА	datasheet
13	sot23	BSS84	pМОП: 50В/130мА/10 Ом logic	datasheet
13	usc	KDZ13V	стабилитрон 200мВт: 13В	datasheet
13	sot23	MA4CS103A	диод Шоттки радиочастотный, 20 В, 100 мА	datasheet
13	sot23	MMBD1503	2 «тандемных» диода: 200В/100мА	datasheet
13	sot363	MUN5313DW1	npn/pnp, 4,7к/4,7к	datasheet
13	SOT-416	DTA143	Цифровой PNP транзистор	datasheet
13	SOT-23	ZD13-AE3	Стабилитрон	datasheet
13 **	WDFN-10 3×3	RT8068AZQW	Понижающий преобразователь	datasheet
13 •	SOT-23	MTP3413N3	Полевой транзистор с P-каналом	datasheet
13**		MTP3415KN3	Полевой транзистор с P-каналом	datasheet
13-	SOT-363	BC847BPN	NPN + PNP транзисторы	datasheet
13003	SOT-89	3DD13003	NPN транзистор	datasheet
1301	SOT-26	PT1301E23F	Повышающий пребразователь	datasheet
1308 *	SO-8	LT1308	Повышающий пребразователь	datasheet
130A 130B 130C	smb	NP1300SAT3G NP1300SBT3G NP1300SCT3G	защитные динисторы	datasheet
130E	sot23-6	BQ21040DBV	контроллер заряда Li-Ion/Li-Pol аккумуляторов: 0,8А	datasheet
130P03LS	TDSON-8	BSC130P03LS	Полевой транзистор с P-каналом	datasheet
131	sot346	PZM13NB1	стабилитрон 0,3Вт: 13В	datasheet
132	sot346	PZM13NB2	стабилитрон 0,3Вт: 13В	datasheet
132	SOT-323	DTA123	Цифровой PNP транзистор	datasheet
133	sot346	PZM13NB3	стабилитрон 0,3Вт: 13В	datasheet
133G 133L	SOT-343	LR9101G-33	Стабилизатор напряжения	datasheet
1350	tsot23-5	ZXLD1350	драйвер СИД: 350мА	datasheet
1356	tsot23-5	ZXLD1356	драйвер СИД: 550мА	datasheet
1360	sot89	2STF1360	npn: 60В/3А h31=400	datasheet
1360	tsot23-5	ZXLD1360	драйвер СИД: 1А	datasheet
1362	tsot23-5	ZXLD1362	драйвер СИД: 1А	datasheet
137**	sip3	ATS137-P	«цифровой» датчик Холла	datasheet
138	SOT-323	BSS138W	N-канальный MOSFET	datasheet
1380	SO-8	NCP1380	Quasi-Resonant Current-Mode Controller	datasheet
1392B	SO-8	NCP1392BDR2G	Полумостовой драйвер со встроенным генератором	datasheet
1393	SO-8	NCP1393	High-Voltage Half-Bridge Driver with Inbuilt Oscillator	datasheet
13A	sot23	MMBD1503A	2 «тандемных» диода: 200В/100мА	datasheet
13A	sot346	PZM13NB2A	сдвоенный ОА стабилитрон 0,3Вт: 13В	datasheet
13A	SMB	1. 5SMC13AT3	Супрессор	datasheet
13C	smb	P6SMB13CAT3	симметричный супрессор 600W:13 В	datasheet
13E	sot23	ZC2813E	сдвоенный ОА диод Шоттки: 15 В, 20 мА	datasheet
13N03LA	TO-252	IPD13N03LA IPU13N03LA	N-канальный MOSFET	datasheet
13p	SOT-363	BC847BPN	NPN + PNP транзисторы	datasheet
13p	SOT-23	BSS84	Полевой транзистор с P-каналом	datasheet
13S	sot23	BAS125/W	диод Шоттки переключающий: 24 В, 100 мА	datasheet
13t	SOT-23	BSS84	Полевой транзистор с P-каналом	datasheet
13V	sot346	PZM13NB	стабилитрон 0,3Вт: 13В	datasheet
13W	sot363	BC847BPN	npn+pnp 50 В / 100 мА	datasheet
13W	sot23	BSS84	pМОП: 50В/130мА/10 Ом logic	datasheet
13W	SOT-323	CMSZDA36V	Стабилитроны	datasheet
13Y	SOT-89	BZV49-C13	Стабилитрон	datasheet

Posted in маркировка SMDTagged SMD

поиск по сайту

Найти:

Немного рекламы

Крупногабаритная гибкая и прозрачная электроника на основе монослойных дисульфидмолибденовых полевых транзисторов

• Артикул
• Опубликовано: 21 сентября 2020 г.

• На Ли ^{1,2  na1} ,
• Циньцинь Ван ^{1,2  na1} ,
• Ченг Шен ORCID: orcid.org/0000-0001-7196-9239 ^1,2 ,
• Zheng Wei ^1,2 ,
• Hua Yu ^1,2 ,
• Jing Zhao ^1,2 ,
• Xiaobo Lu ^1,2 ,
• Guole Wang ^1,2 ,
• Congli He ^1,2 ,
• Li Xie ^1,2 ,
• Jianqi Zhu ^1,2 ,
• Luojun Du ^1,2 ,
• Rong 9.3 1,3 1,2 ,

,

rong yang ^1,2 , 9000

Rong yang ^1,2 . ,4 ,

Дунся Ши ^1,2,3 и

…

Гуанъюй Чжан ORCID: orcid. org/0000-0002-1242-4391 ^1,2,3,4  

Природная электроника том 3 , страницы 711–717 (2020)Процитировать эту статью

• 8084 Доступ

• 96 цитирований

• 38 Альтметрический

• Сведения о показателях

Предметы

• Электронные устройства
• Двумерные материалы

Abstract

Атомарно тонкий дисульфид молибдена (MoS ₂ ) является многообещающим полупроводниковым материалом для встроенной гибкой электроники благодаря своим превосходным механическим, оптическим и электронным свойствам. Однако изготовление крупномасштабных MoS _{2 Гибкие интегральные схемы на основе} с высокой плотностью устройств и производительностью остаются проблемой. Здесь мы сообщаем об изготовлении прозрачных транзисторов на основе MoS ₂ и логических схем на гибких подложках с использованием четырехдюймовых монослоев MoS ₂ в виде пластины. В нашем подходе используется модифицированный процесс химического осаждения из паровой фазы для выращивания монослоев в виде пластин с большим размером зерна и электродами из золота/титана/золота для создания контактного сопротивления до 2,9 кОм мкм ⁻¹ . Полевые транзисторы изготовлены с высокой плотностью устройств (1518 транзисторов на см ² ) и выходом (97%), а также имеют высокие коэффициенты включения / выключения (10 ¹⁰ ), плотности тока (~ 35  мкА   мкм ⁻¹ ), подвижность (~55 см ²  V ⁻¹  с ⁻¹ ) и гибкость. Мы также используем этот подход для создания различных гибких интегральных логических схем: инверторов, вентилей ИЛИ-НЕ, вентилей НЕ-И, вентилей И, статических запоминающих устройств с произвольным доступом и пятикаскадных кольцевых генераторов.

Это предварительный просмотр содержимого подписки, доступ через ваше учреждение

Соответствующие статьи

Статьи открытого доступа со ссылками на эту статью.

• Гибкая многофункциональная платформа на основе пьезоэлектрической акустики для взаимодействия человека с машиной и восприятия окружающей среды

  • Цянь Чжан
  • , Юн Ван
  •  … Юнцин Фу

  Микросистемы и наноинженерия Открытый доступ 14 сентября 2022 г.

• Двумерные полупроводники для конкретных электронных приложений: от устройства к системе

  • Сяохэ Хуан
  • , Чунсен Лю
  •  и Пэн Чжоу

  npj 2D-материалы и приложения Открытый доступ 01 августа 2022 г.

• Гибкий прозрачный электрод, устойчивый к сверхвысоким температурам, со встроенной микросеткой из пучка серебряных нанопроволок для электрического нагревателя

  • Боуэн Сун
  • , Жуйсюэ Сюй
  •  … Кай Цянь

  npj Гибкая электроника Открытый доступ 20 июня 2022 г.

Варианты доступа

Подписаться на журнал

Получить полный доступ к журналу на 1 год

118,99 €

всего 9,92 € за выпуск

Подписаться

Расчет налогов будет завершен во время оформления заказа.

Купить статью

Получите ограниченный по времени или полный доступ к статье на ReadCube.

32,00 $

Купить

Все цены указаны без учета стоимости.

Рис. 1: Схема и изготовленные MoS ₂ транзисторные устройства на гибких подложках из ПЭТ. Рис. 2: Характеристики транзисторов MoS ₂ . Рис. 3: Электрические характеристики гибких устройств под нагрузкой. Рис. 4: MoS _{2 Гибкие логические элементы и генераторы на основе} .

Доступность данных

Данные, подтверждающие графики в этой статье и другие результаты этого исследования, можно получить у соответствующего автора по обоснованному запросу.

Ссылки

1. Рус Д. и Толли М. Т. Проектирование, изготовление и управление мягкими роботами. Природа 521 , 467–475 (2015).

   Артикул Google ученый

2. Венер, М. и др. Интегрированная стратегия проектирования и производства полностью мягких автономных роботов. Природа 536 , 451–455 (2016).

   Google ученый

3. Ван, С. и др. Электроника кожи из масштабируемого изготовления массива транзисторов с возможностью растяжения. Природа 555 , 83–88 (2018).

   Google ученый

4. Гао В. и др. Полностью интегрированные массивы носимых датчиков для мультиплексного анализа пота на месте. Природа 529 , 509–514 (2016).

   Google ученый

5. Park, Y.J. et al. Все на основе MoS ₂ Тактильный датчик большой площади с активной матрицей, крепящийся к коже. ACS Nano 13 , 3023–3030 (2019).

   Google ученый

6. Хоссейни, П., Райт, К.Д. и Бхаскаран, Х. Оптоэлектронная структура на основе низкоразмерных пленок с фазовым переходом. Природа 511 , 206–211 (2014).

   Google ученый

7. Zhang, X. et al. Двумерная гибкая ректенна с поддержкой MoS ₂ для беспроводного сбора энергии в диапазоне Wi-Fi. Природа 566 , 368–372 (2019).

   Google ученый

8. Briseno, A.L. et al. Создание массивов органических монокристаллических транзисторов. Природа 444 , 913–917 (2006).

   Google ученый

9. Номура, К. и др. Изготовление при комнатной температуре прозрачных гибких тонкопленочных транзисторов с использованием аморфных оксидных полупроводников. Природа 432 , 488–492 (2004).

   Google ученый

10. Такеи, К. и др. Схема активной матрицы нанопровода для низковольтной искусственной кожи макромасштаба. Нац. Матер. 9 , 821–826 (2010).

    Google ученый

11. Цао, К. и др. Среднеразмерные тонкопленочные интегральные схемы из углеродных нанотрубок на гибких пластиковых подложках. Природа 454 , 495–500 (2008).

    Google ученый

12. Гелинк, Г. Х. и др. Гибкие дисплеи с активной матрицей и регистры сдвига на основе органических транзисторов, обработанных раствором. Нац. Матер. 3 , 106–110 (2004).

    Google ученый

13. Кальтенбруннер, М. и др. Сверхлегкая конструкция для незаметной пластиковой электроники. Природа 499 , 458–463 (2013).

    Google ученый

14. Мин, С. Ю. и др. Крупномасштабная литография органических нанопроволок и электроника. Нац. коммун. 4 , 1773 (2013).

    Google ученый

15. Хим Д. и др. Точно контролируемые ультратонкие сопряженные полимерные пленки для прозрачных транзисторов большой площади и высокочувствительных химических сенсоров. Доп. Матер. 28 , 2752–2759 (2016).

    Google ученый

16. Дуан, С. и др. Масштабируемое производство тонкой пленки органического полупроводника с высокой степенью кристалличности с помощью трафаретной печати с ограниченным каналом для недорогого изготовления высокопроизводительных транзисторных матриц. Доп. Матер. 31 , 1807975 (2019).

    Google ученый

17. «>

    Сюй, Дж. и др. Многомасштабное упорядочение в сильно растяжимых полимерных полупроводниковых пленках. Нац. Матер. 18 , 594–601 (2019).

    Google ученый

18. Нела, Л., Танг, Дж., Цао, К., Тулевски, Г. и Хан, С.Дж. Высокоэффективный гибкий датчик давления большой площади с активной матрицей из углеродных нанотрубок для электронной кожи. Нано Летт. 18 , 2054–2059 (2018).

    Google ученый

19. Цао, X. и др. Полностью напечатанные методом трафаретной печати электрохромные дисплеи с большой площадью и гибкой активной матрицей с использованием тонкопленочных транзисторов из углеродных нанотрубок. ACS Nano 10 , 9816–9822 (2016).

    Google ученый

20. Чой, Ю. и др. Гибридные тонкопленочные транзисторы с ионным гелем и углеродными нанотрубками с емкостной связью для низковольтных гибких логических схем. Доп. Функц. Матер. 28 , 1802610 (2018).

    Google ученый

21. Танг Дж. и др. Гибкие КМОП-интегральные схемы на основе углеродных нанотрубок с ступенчатой ​​задержкой менее 10 нс. Нац. Электрон. 1 , 191–196 (2018).

    Google ученый

22. Лю X., Лонг Ю.-З., Ляо Л., Дуань X. и Фан З. Дж. А. Н. Крупномасштабная интеграция полупроводниковых нанопроводов для высокопроизводительной гибкой электроники. ACS Nano 6 , 1888–1900 (2012).

    Google ученый

23. Лин, Ю.Ю., Хсу, К.С., Ценг, М.Х., Шюэ, Дж.Дж. и Цай, Ф.Ю. Стабильные и высокопроизводительные гибкие тонкопленочные транзисторы ZnO методом осаждения атомного слоя. Приложение ACS Матер. Интерфейсы 7 , 22610–22617 (2015 г.).

    Google ученый

24. «>

    Сонг, К. и др. Полностью гибкие тонкопленочные транзисторы ZnO с осаждением из раствора. Доп. Матер. 22 , 4308–4312 (2010).

    Google ученый

25. Шэн, Дж., Ли, Х.Дж., О, С. и Парк, Дж.С. Гибкий и высокопроизводительный тонкопленочный транзистор из аморфного оксида индия и цинка с использованием низкотемпературного осаждения атомных слоев. Приложение ACS Матер. Интерфейсы 8 , 33821–33828 (2016 г.).

    Google ученый

26. Ян З. и др. Пластинчатый синтез высококачественного полупроводникового двумерного слоистого InSe с широкополосным фотооткликом. ACS Nano 11 , 4225–4236 (2017).

    Google ученый

27. Pu, J. et al. Высокогибкие MoS ₂ тонкопленочные транзисторы с ионно-гелевыми диэлектриками. Нано Летт. 12 , 4013–4017 (2012).

    Google ученый

28. Сальваторе, Г. А. и др. Изготовление и перенос гибких малослойных MoS ₂ тонкопленочных транзисторов на любую произвольную подложку. ACS Nano 7 , 8809–8815 (2013).

    Google ученый

29. Саркар, Д. и др. MoS ₂ полевой транзистор для биосенсоров нового поколения без меток. ACS Nano 8 , 3992–4003 (2014).

    Google ученый

30. Lim, Y.R. et al. Пластинчатые однородные слои MoS ₂ на пластиковых подложках для гибких фотодетекторов видимого света. Доп. Матер. 28 , 5025–5030 (2016).

    Google ученый

31. Ю, Х. и др. Рост в масштабе пластины и перенос высокоориентированных монослойных непрерывных пленок MoS ₂ . ACS Nano 11 , 12001–12007 (2017).

    Google ученый

32. Кан, К. и др. Высокоподвижные полупроводниковые пленки толщиной в три атома с однородностью в масштабе пластины. Природа 520 , 656–660 (2015).

    Google ученый

33. Сюй, Х. и др. Высокопроизводительные полупроводниковые транзисторы MoS ₂ для практического применения. Малый 14 , 1803465 (2018).

    Google ученый

34. Лин, З. и др. Двумерные полупроводники, пригодные для обработки, для высокопроизводительной электроники большой площади. Природа 562 , 254–258 (2018).

    Google ученый

35. Wang, Y. et al. Ван-дер-ваальсовы контакты между трехмерными металлами и двумерными полупроводниками. Природа 568 , 70–74 (2019).

    Google ученый

36. Радисавлевич Б., Раденович А., Бривио Дж., Джакометти В. и Кис А. Однослойный MoS _{2 9Транзисторы 0114. Нац. нанотехнологии. 6 , 147–150 (2011).}

    Google ученый

37. Wang, H. et al. Интегральные схемы на двухслойных транзисторах MoS ₂ . Нано Летт. 12 , 4674–4680 (2012).

    Google ученый

38. Cheng, R. et al. Малослойные дисульфидмолибденовые транзисторы и схемы для быстродействующей гибкой электроники. Нац. коммун. 5 , 5143 (2014).

    Google ученый

39. Амани, М. и др. Гибкие интегральные схемы и многофункциональная электроника на основе одноатомных слоев MoS ₂ и графена. Нанотехнологии 26 , 115202 (2015).

    Google ученый

40. Shinde, S.M. et al. Функционализация поверхности опосредована прямым переносом дисульфида молибдена для гибких устройств большой площади. Доп. Функц. Матер. 28 , 1706231 (2018).

    Google ученый

41. Zhang., J. et al. Масштабируемый рост высококачественных поликристаллических монослоев MoS ₂ на SiO ₂ с настраиваемыми размерами зерен. ACS Nano 8 , 6024–6030 (2014).

    Google ученый

42. Hills, G. et al. Современный микропроцессор, построенный из комплементарных транзисторов из углеродных нанотрубок. Природа 572 , 595–602 (2019).

    Google ученый

43. «>

    Аллен А., Канг Дж., Банерджи К. и Кис А. Электрические контакты с двумерными полупроводниками. Нац. Матер. 14 , 1195–1205 (2015).

    Google ученый

44. Лю, Х., Нил, А. Т. и Йе, П. Д. Масштабирование длины канала MoS ₂ МОП-транзисторов. ACS Nano 6 , 8563–8569 (2012).

    Google ученый

45. Das, S., Chen, H.-Y., Penumatcha, A. V. & Appenzeller, J. Высокопроизводительные многослойные транзисторы MoS ₂ со скандиевыми контактами. Нано Летт. 13 , 100–105 (2013).

    Google ученый

46. Лю, В., Саркар, Д., Канг, Дж., Цао, В. и Банерджи, К. Влияние контакта на работу и характеристики монослоя MoS 9 с обратным затвором0113 2 полевые транзисторы. ACS Nano 9 , 7904–7912 (2015 г. ).

    Google ученый

47. Cui, X. et al. Низкотемпературный омический контакт с монослоем MoS ₂ с помощью ван-дер-ваальсовых электродов Co/h-BN. Нано Летт. 17 , 4781–4786 (2017).

    Google ученый

48. Ли, Н. и др. Атомно-слоевое осаждение Al ₂ O ₃ непосредственно на двумерных материалах для высокопроизводительной электроники. Доп. Матер. Интерфейсы 6 , 1802055 (2019 г.).

    Google ученый

49. Conley, H.J. et al. Разработка запрещенной зоны напряженного монослоя и бислоя MoS ₂ . Нано Летт. 13 , 3626–3630 (2013).

    Google ученый

50. Паласиос-Берракеро, К. и др. Крупномасштабные массивы квантовых эмиттеров в атомарно тонких полупроводниках. Нац. коммун. 8 , 15093 (2017).

    Google ученый

51. Ли, Г.-Х. и другие. Гибкие и прозрачные полевые транзисторы MoS ₂ на гексагональных гетероструктурах нитрид бора-графен. ACS Nano 7 , 7931–7936 (2013).

    Google ученый

Ссылки на скачивание

Благодарности

Этот проект был поддержан Национальным научным фондом Китая (гранты NSFC № 61734001, 11834017, 11574361 и 51572289), Стратегической приоритетной исследовательской программой (B) CAS (грант № XDB30000000), Ключевой исследовательской программой Frontier Sciences CAS (грант № QYZDB-SSW-SLH004), Национальной ключевой программы исследований и разработок Китая (грант № 2016YFA0300904) и Ассоциации содействия инновациям молодежи CAS (грант № 2018013).

Информация об авторе

Примечания автора

1. Эти авторы внесли равный вклад: Na Li, Qinqin Wang.

Авторы и организации

1. Пекинская национальная лаборатория физики конденсированных сред; Ключевая лаборатория наноразмерной физики и устройств, Институт физики Китайской академии наук, Пекин, Китай

   На Ли, Циньцинь Ван, Ченг Шэнь, Чжэн Вэй, Хуа Юй, Цзин Чжао, Сяобо Лу, Гуоле Ван, Конгли Хэ, Ли Се, Цзяньци Чжу, Луоцзюнь Ду, Ронг Ян, Дунся Ши и Гуаньюй Чжан

2. Школа физических наук Университета Китайской академии наук, Пекин, Китай

   На Ли, Циньцинь Ван, Ченг Шэнь, Чжэн Вэй, Хуа Юй, Цзин Чжао, Сяобо Лу, Гуоле Ван, Конгли Хэ, Ли Се , Jianqi Zhu, Luojun Du, Dongxia Shi & Guangyu Zhang

3. Пекинская ключевая лаборатория наноматериалов и наноустройств, Пекин, Китай

   Rong Yang, Dongxia Shi и Guangyu Zhang

Songshan Materials, Dongguan-Lakeshan 900 Провинция, Китай

Ронг Ян и Гуанъю Чжан

Авторы

1. На Ли

   Посмотреть публикации автора

   Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

2. Qinqin Wang

   Просмотр публикаций автора

   Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

3. Cheng Shen

   Просмотр публикаций автора

   Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Академия

4. Zheng Wei

   Посмотреть публикации автора

   Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

5. Hua Yu

   Просмотр публикаций автора

   Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

6. Jing Zhao

   Просмотр публикаций автора

   Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

7. Сяобо Лу

   Посмотреть публикации автора

   Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

8. Guole Wang

   Просмотр публикаций автора

   Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

9. Congli He

   Просмотр публикаций автора

   Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

10. Li Xie

    Посмотреть публикации автора

    Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

11. Jianqi Zhu

    Просмотр публикаций автора

    Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

12. Luojun Du

    Посмотреть публикации автора

    Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

13. Ронг Ян

    Просмотр публикаций автора

    Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Академия

14. Dongxia Shi

    Посмотреть публикации автора

    Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

15. Guangyu Zhang

    Посмотреть публикации автора

    Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

Contributions

G. Z. курировал проект. К.В. выполнил рост 4-дюймовых пластин MoS ₂ . Н.Л. изготовил гибкие устройства с помощью Z.W., HY, CS, J. Zhao. и Г.В. Н.Л. выполнил электрические измерения с помощью C.S. и X.L. Н.Л., К.В., Р.Ю. и Г.З. проанализированные данные. Н.Л., К.В., К.С., Р.Ю. и Г.З. написал рукопись, и все авторы прокомментировали рукопись.

Авторы переписки

Переписка с Ронг Ян или Гуанъюй Чжан.

Заявление об этике

Конкурирующие интересы

Авторы не заявляют об отсутствии конкурирующих интересов.

Дополнительная информация

Примечание издателя Springer Nature остается нейтральной в отношении юрисдикционных претензий в опубликованных картах и ​​институциональной принадлежности.

Дополнительная информация

Дополнительная информация

Дополнительные рис. 1–16, обсуждение, таблица 1 и ссылки 1–20.

Права и разрешения

Перепечатка и разрешения

Об этой статье

Эта статья цитируется

• Двумерные полупроводники для конкретных электронных приложений: от устройства к системе

  • Сяохэ Хуан
  • Чунсен Лю
  • Пэн Чжоу

  npj 2D материалы и приложения (2022)

• Гетероэпитаксия полупроводниковых тонких пленок 2H-MoTe2 на произвольных поверхностях для крупномасштабного гетерогенного интегрирования

  • Ю Пан
  • Роджер Гусман
  • Ю Е

  Синтез природы (2022)

• Рост атомарно тонких материалов с помощью флюса

  • Пэн Чжан
  • Синго Ван
  • Юнцзи Гонг

  Синтез природы (2022)

• Самособирающиеся микротрубчатые электроды для внутричиповой низковольтной электрофоретической манипуляции с заряженными частицами и макромолекулами

  • Апратим Хандельвал
  • Нагендра Атрея
  • Сюлин Ли

  Микросистемы и наноинженерия (2022)

• Надежный рост двумерных дихалькогенидов металлов и их сплавов за счет подачи активного мономера халькогена

  • Юнган Цзо
  • Джан Лю
  • Кайхуэй Лю

  Nature Communications (2022)

Принцип полупроводниковых устройств Часть II: Полевые транзисторы и полевые МОП-транзисторы

Доступен один сеанс:

Начало 6 октября

Окончание 20 декабря

Регистрация

Я хотел бы получать электронные письма от HKUSTx и узнавать о других предложениях относится к Принципу полупроводниковых устройств, часть II: полевые транзисторы и полевые МОП-транзисторы.

Об этом курсе

Чему вы научитесь

Инструкторы

Способы пройти этот курс

edX для бизнеса

7 недель

4–5 часов в неделю

Самостоятельный темп

Прогресс в удобном для вас темпе

Бесплатно 2 доступно обновление

0 Доступно:

Начало 6 октября

Завершение 20 декабря

Зарегистрируйтесь

Я хотел бы получать электронные письма от HKUSTx и узнавать о других предложениях, связанных с принципами полупроводниковых устройств, часть II: полевые транзисторы и МОП-транзисторы.

Принцип работы полупроводниковых устройств. Часть II: Полевые транзисторы и полевые МОП-транзисторы

Полупроводниковые устройства, являющиеся предметом изучения, представляют собой уникальную задачу из-за сложной математики. В этом курсе мы применяем более интуитивный подход к изучению основных концепций. Избегая математики, мы используем привлекательную анимацию, чтобы помочь вам визуализировать принципы работы многих распространенных полупроводниковых устройств.

Если вы новичок в предмете или опытный инженер, этот курс даст вам другую точку зрения и новый взгляд на поведение полупроводниковых устройств.

Уменьшение зависимости от уравнений не означает, что приносится в жертву глубина материала. На самом деле, курс дает еще более подробные объяснения ключевых понятий. Мы смещаем акцент с количественной оценки поведения полупроводниковых устройств на интуитивное представление действий полупроводниковых устройств.

Следуя подходу, описанному в части I, мы расширяем понимание от диодов с PN-переходом и биполярных транзисторов до МОП-конденсаторов, устройств с зарядовой связью и полевых МОП-транзисторов. В дополнение к описанию теории полевых МОП-транзисторов курс охватывает некоторые более поздние разработки нетрадиционных нано-КМОП-транзисторов. Помимо изучения существующих технологий, курс также позволит вам проект развития отрасли в ближайшее время.

Краткий обзор

• Язык: английский
• Расшифровка видео: английский, русский

• Как визуализировать характеристики заряда и емкости МОП-конденсаторов
• Способы описания принципа действия устройств с зарядовой парой и КМОП-сенсора с активными пикселями для построения цифровой камеры
• Как рассчитать вольтамперные характеристики МОП-транзисторов
• Как уменьшение размеров транзисторов и масштабирование устройств стимулируют развитие технологий
• Каковы наиболее важные параметры для управления эффектами короткого канала
• Как сконструировать полевые МОП-транзисторы с коротким каналом
• Общение на языке нано-CMOS технологии

Неделя 1: Заряд и емкость МОП-конденсатора
Введение в структуру МОП-конденсатора, характеристики заряда и емкости

Неделя 2: Устройство с зарядовой связью, КМОП-датчик с активными пикселями и МОП-конденсатор с источником
Принцип работы устройств с зарядовой связью, КМОП-датчик с активными пикселями для цифровых камер. Эффект добавления источника к МОП-конденсатору.

Неделя 3: Классические ВАХ MOSFET
Вывод классических уравнений MOSFET и подпороговых характеристик.

Неделя 4: Деградация подвижности и насыщение несущей скорости
Поправка к классической модели пинчоффа путем включения эффекта деградации подвижности и насыщения скорости носителя.

Неделя 5: Масштабирование КМОП-устройств и полевой МОП-транзистор с коротким каналом
Влияние масштабирования транзистора, эффекты короткого канала и проблемы конструкции малых транзисторов.

Неделя 6: Нетрадиционные нано-КМОП-транзисторы
Знакомство с современной структурой транзисторов, включая технологию SOI, FinFET, многозатворный MOSFET, туннельный транзистор и транзисторы на основе двумерных материалов.

Неделя 7: выпускной экзамен

Выберите путь при регистрации.

	$60 USD	Free
	Unlimited	Limited Expires on Nov 24

Прочтите наши часто задаваемые вопросы в новой вкладке

о часто задаваемых вопросах по этим трекам.

Беспереходные полевые транзисторы: проектирование, моделирование и симуляция

Выбранный тип: Твердый переплет

Количество:

135,00 $

Шубхам Сахай, Мамидала Джагадеш Кумар

ISBN: 978-1-119-52353-6 февраль 2019 Wiley-IEEE Press 496 страниц

• Электронная книга

  От 108,00 долларов США

• Печать

  От 135,00 долларов США

Электронная книга com are delivered on the VitalSource platform. To download and read them, users must install the VitalSource Bookshelf Software.</li><li>E-books have DRM protection on them, which means only the person who purchases and downloads the e-book can access it.</li><li>E-books are non-returnable and non-refundable.</li><li>To learn more about our e-books, please refer to our&nbsp;<a href="https://www.wiley.com/wiley-ebooks" target="_blank">FAQ</a>.</li></ul>» data-original-title=»» title=»»/>

108,00 $

Твердый переплет

135,00 $

Загрузить рекламный проспект

Загрузить рекламный проспект

Загрузить флаер продукта для загрузки PDF в новой вкладке. Это фиктивное описание. Загрузить флаер продукта — загрузить PDF в новой вкладке. Это фиктивное описание. Загрузить флаер продукта — загрузить PDF в новой вкладке. Это фиктивное описание. Загрузить флаер продукта — загрузить PDF в новой вкладке. Это фиктивное описание.

Описание

Полный справочник в одном томе по текущим методам, технологиям и исследованиям JLFET

Достижения в области транзисторных технологий привели к современной революции в области интеллектуальных устройств — многие сотовые телефоны, часы, бытовая техника , и многие другие устройства повседневного обихода использования сейчас превосходят производительность суперкомпьютеров прошлого, заполняющих комнату. Электронные устройства продолжают становиться более мобильными, мощными и универсальными в эпоху Интернета вещей (IoT) во многом благодаря масштабированию полевых транзисторов на основе оксидов металлов (MOSFET). Постоянное масштабирование обычных полевых МОП-транзисторов для удовлетворения потребностей потребителей без снижения производительности требует дорогостоящего и сложного процесса изготовления из-за наличия металлургических переходов. В отличие от обычных МОП-транзисторов, беспереходные полевые транзисторы (JLFET) не содержат металлургических переходов, поэтому они проще в обработке и дешевле в производстве. В JLFET используется полупроводниковая пленка с затвором для управления ее сопротивлением и током, протекающим через нее. Беспереходные полевые транзисторы: проектирование, моделирование и симуляция — всеобъемлющий универсальный справочник по изучению и исследованиям JLFET

Эта своевременная книга охватывает фундаментальную физику, лежащую в основе работы JLFET, новые архитектуры, методы моделирования и симуляции, сравнительные анализ показателей производительности JLFET и несколько других интересных фактов, связанных с JLFET. Откалиброванная среда моделирования, включая руководство по программному обеспечению SentaurusTCAD, позволяет исследователям исследовать JLFET, разрабатывать новые архитектуры и повышать производительность. Этот ценный ресурс:

• Рассмотрены проблемы проектирования и архитектуры, с которыми сталкивается JLFET в качестве замены MOSFET
• Изучаются различные подходы к аналитическому и компактному моделированию JLFET в схемотехнике и моделировании
• Объясняется, как использовать программное обеспечение для автоматизированного проектирования (TCAD) для производить численное моделирование JLFET
• Предлагает направления исследований и потенциальных применений JLFET

Беспереходные полевые транзисторы: проектирование, моделирование и моделирование является важным ресурсом для исследователей КМОП-устройств и продвинутых студентов, изучающих физику и полупроводниковые устройства.

Об авторе

SHUBHAM SAHAY, P H D, — научный сотрудник с докторской степенью на факультете электротехники и вычислительной техники Калифорнийского университета в Санта-Барбаре. Он является автором нескольких рецензируемых журнальных статей по таким темам, как проектирование и моделирование полупроводниковых устройств, а также нетрадиционные применения новых энергонезависимых запоминающих устройств.

МАМИДАЛА ДЖАГАДЕШ КУМАР, P H D, , профессор Индийского технологического института в Нью-Дели и вице-канцлер Университета Джавахарлала Неру в Нью-Дели. Он является главным редактором журнала IETE Technical Review и широко публикуется в области микро/наноэлектроники.

Разрешения

Запросить разрешение на повторное использование контента с этого сайта

Содержание

ПРЕДИСЛОВИЕ XI

1 ВВЕДЕНИЕ В Транзисторы с полевым эффектом 1

1. 1 Транзисторный действие 2

1.2 METL-OXIDE-SECIDERONDUCTOR Транзисторы 4

1.3 MOSFET Circuits: Полетели для комплекта. Необходимость масштабирования КМОП 11

1.5 Закон Мура 13

1.6 Закон Куми 13

1.7 Проблемы масштабирования MOSFET 13

1.8 Заключение 23 6 3 900 82039 Ссылки0241 2 Новые архитектуры FET 27

2,1 Туннельные полеты 28

2.2 Ionization MOSFET 34

2,3 Bipolar I-MOS 39

2,4 FET FETS 41

2,5.

2.7 Нанотрубчатые полевые транзисторы 51

2.8 Заключение 57

Ссылки 58

3 Основы беспереходных полевых транзисторов 67

7 3.1 Структура устройства 69 083

3,3 Параметры проектирования 80

3.4 Параметры, которые влияют на производительность 82

3.5 За пределами кремния JLFET: другие материалы 100

3,6 Проблемы 103

3,7 Заключение 110

СПИСУАКОВ 111183

9086 9086 9089. 410 410.shiples. Полевые транзисторы 125

4. 1 Беспереходные полевые транзисторы с накоплением 126

4.2 Реализация эффективного истощения объема 129

4.3 SOI JLFET с высокой коробкой 131

4.4 Bulk Planar JLFET 137

4,5 JLFET с неравномерным допингом 140

4,6 JLFET с профилем STEP DOPING 144

4.7 JLFET с пошами. Прокладка High-𝜅 153

4.9 JLFET с затвором из двух материалов 157

4.10 Вывод 162

Ссылки 162

0086 5.1 Накопление отверстий 174

5.2 Паразитарное действие BJT 176

5.3 Влияние, вызванное BTBT, паразитическое действие BJT на масштабирование 177

5.4. 5.7 Характер GIDL в различных конфигурациях NWFET 190

5.8 Архитектуры устройств для уменьшения GIDL 199

5.9 Заключение 248

Ссылки 249

6 Влияние ионизации в безразличных транзисторах с полевым эффектом 255

6.1. Влияние ионизация 256

6.2. Коэффициент 263

6.5 Защелка одиночного транзистора в JLFET 266

6. 6 Влияние смещения тела на ударную ионизацию в JLFET 267

6.7 Поддиапазонная ионизация ударной щели в DGJLFETS с асимметричной работой 268

6.8 Влияние смещения ворот на воздействие ионизации в DGJLFETS 270

6.9 Руководство по проектированию спейсеров с точки зрения Ionization 272

6.10 Hysteresis и Snapback в JLFETS 273

6.11.

Каталожные номера 276

7 Беспереходные устройства без химического легирования 281

7.1 Легирование зарядовой плазмой 282

7.2 Зарядная плазма на основе p–n-диода 283

7.3 Junctionless I-MOS FET 288

7.4 Junctionless Tunnel FETs 290

7.5 JLTFET on a Highly Doped Silicon Film 294

7.6 Bipolar Enhanced JLTFET 294

7.7 Junctionless FETS Without Any Chemical Doping 297

7.8 Challenges for CPJLFETs 302

7.9 Полевые транзисторы на основе электростатического легирования 312

7.10 Выводы 319

Ссылки 319

8 Моделирование беспереходных полевых транзисторов 327

8.