Маркировка радиодеталей, Коды SMD Y1, Y1-, Y10, Y11, Y12, Y13, Y14, Y15, Y16, Y17, Y1766, Y18, Y19, Y1W, Y1Y, Y1p, Y1t. Даташиты 2SC1766, BZV49C11, BZX84-C11, BZX84-C27, BZX84-C30, BZX84-C33, BZX84-C36, BZX84-C39, BZX84-C43, BZX84-C47, BZX84-C51, BZX84-C56, BZX84-C62, BZX84C11, BZX84C11-V, BZX84C11LT1G, BZX84C27, BZX84C27-V, BZX84C27LT1G, BZX84C30, BZX84C30-V, BZX84C30LT1G, BZX84C33, BZX84C33-V, BZX84C33LT1G, BZX84C36, BZX84C36-V, BZX84C36LT1G, BZX84C39, BZX84C39-V, BZX84C39LT1G, BZX84C43, BZX84C43-V, BZX84C43LT1G, BZX84C47, BZX84C47-V, BZX84C47LT1G, BZX84C51, BZX84C51-V, BZX84C51LT1G, BZX84C56, BZX84C56-V, BZX84C56LT1G, BZX84C62, BZX84C62-V, BZX84C62LT1G, CMSZDA11V, EMY1, FMY1A, M8050, PXT8050, PXT8050-C, PXT8050-D, PXT8050-D3, PZU16B1A/DG, SS8050, SS8050LT1, SS8050W, SZBZX84C11LT1G, SZBZX84C27LT1G, SZBZX84C30LT1G, SZBZX84C33LT1G, SZBZX84C36LT1G, SZBZX84C39LT1G, SZBZX84C43LT1G, SZBZX84C47LT1G, SZBZX84C51LT1G, SZBZX84C56LT1G, SZBZX84C62LT1G, UMY1N.

Главная Автомагнитолы DVD Материнские платы Мобильные телефоны Мониторы Ноутбуки Принтеры Планшеты Телевизоры Даташиты Маркировка SMD Форум

Главная Маркировка SMD Y1 Код SMD Корпус Наименование Производитель Описание Даташит Y1 SOT-89 BZV49C11 Zetex (Now Diodes) Стабилитрон Y1 SOT-23 BZX84C11 Taitron Стабилитрон Y1 SOT-23 BZX84C11-V Vishay Стабилитрон Y1 SOT-23 BZX84C11LT1G ON Стабилитрон Y1 SOT-553 EMY1 ROHM NPN + PNP транзисторы Y1 SOT-753 FMY1A ROHM NPN + PNP транзисторы Y1 SOT-89 PXT8050 TGD NPN транзистор Y1 SOT-89 PXT8050 LX NPN транзистор Y1 SOT-89 PXT8050 JCST NPN транзистор Y1 SOT-89 PXT8050-C MCC NPN транзистор Y1 SOT-89 PXT8050-D MCC NPN транзистор Y1 SOT-89 PXT8050-D3 MCC NPN транзистор Y1 SOD-323 PZU16B1A/DG NXP Стабилитрон Y1 SOT-23 SS8050 BL Galaxy Electrical NPN транзистор Y1 SOT-23 SS8050LT1 Tuofeng NPN транзистор Y1 SOT-323 SS8050W BL Galaxy Electrical NPN транзистор Y1 SOT-23 SZBZX84C11LT1G ON Стабилитрон Y1 SOT-353 UMY1N ROHM NPN + PNP транзисторы Y1- SOT-23 BZX84-C11 NXP Стабилитрон Y10 SOT-23 BZX84-C27 NXP Стабилитрон Y10 SOT-23 BZX84C27 Taitron Стабилитрон Y10 SOT-23 BZX84C27-V Vishay Стабилитрон Y10 SOT-23 BZX84C27LT1G ON Стабилитрон Y10 SOT-23 SZBZX84C27LT1G ON Стабилитрон Y11 SOT-23 BZX84-C30 NXP Стабилитрон Y11 SOT-23 BZX84C30 Taitron Стабилитрон Y11 SOT-23 BZX84C30-V Vishay Стабилитрон Y11 SOT-23 BZX84C30LT1G ON Стабилитрон Y11 SOT-23 M8050 BL Galaxy Electrical NPN транзистор Y11 SOT-23 SZBZX84C30LT1G ON Стабилитрон Y12 SOT-23 BZX84-C33 NXP Стабилитрон Y12 SOT-23 BZX84C33 Taitron Стабилитрон Y12 SOT-23 BZX84C33-V Vishay Стабилитрон Y12 SOT-23 BZX84C33LT1G ON Стабилитрон Y12 SOT-23 SZBZX84C33LT1G ON Стабилитрон Y13 SOT-23 BZX84-C36 NXP Стабилитрон Y13 SOT-23 BZX84C36 Taitron Стабилитрон Y13 SOT-23 BZX84C36-V Vishay Стабилитрон Y13 SOT-23 BZX84C36LT1G ON Стабилитрон Y13 SOT-23 SZBZX84C36LT1G ON Стабилитрон Y14 SOT-23 BZX84-C39 NXP Стабилитрон Y14 SOT-23 BZX84C39 Taitron Стабилитрон Y14 SOT-23 BZX84C39-V Vishay Стабилитрон Y14 SOT-23 BZX84C39LT1G ON Стабилитрон Y14 SOT-23 SZBZX84C39LT1G ON Стабилитрон Y15 SOT-23 BZX84-C43 NXP Стабилитрон Y15 SOT-23 BZX84C43 Taitron Стабилитрон Y15 SOT-23 BZX84C43-V Vishay Стабилитрон Y15 SOT-23 BZX84C43LT1G ON Стабилитрон Y15 SOT-23 SZBZX84C43LT1G ON Стабилитрон Y16 SOT-23 BZX84-C47 NXP Стабилитрон Y16 SOT-23 BZX84C47 Taitron Стабилитрон Y16 SOT-23 BZX84C47-V Vishay Стабилитрон Y16 SOT-23 BZX84C47LT1G ON Стабилитрон Y16 SOT-23 SZBZX84C47LT1G ON Стабилитрон Y17 SOT-23 BZX84-C51 NXP Стабилитрон Y17 SOT-23 BZX84C51 Taitron Стабилитрон Y17 SOT-23 BZX84C51-V Vishay Стабилитрон Y17 SOT-23 BZX84C51LT1G ON Стабилитрон Y17 SOT-23 SZBZX84C51LT1G ON Стабилитрон Y1766 SOT-89 2SC1766 BL Galaxy Electrical NPN транзистор Y18 SOT-23 BZX84-C56 NXP Стабилитрон Y18 SOT-23 BZX84C56 Taitron Стабилитрон Y18 SOT-23 BZX84C56-V Vishay Стабилитрон Y18 SOT-23 BZX84C56LT1G ON Стабилитрон Y18 SOT-23 SZBZX84C56LT1G ON Стабилитрон Y19 SOT-23 BZX84-C62 NXP Стабилитрон Y19 SOT-23 BZX84C62 Taitron Стабилитрон Y19 SOT-23 BZX84C62-V Vishay Стабилитрон Y19 SOT-23 BZX84C62LT1G ON Стабилитрон Y19 SOT-23 SZBZX84C62LT1G ON Стабилитрон Y1W SOT-23 BZX84-C11 NXP Стабилитрон Y1Y SOT-323 CMSZDA11V Central Стабилитроны Y1p SOT-23 BZX84-C11 NXP Стабилитрон Y1t SOT-23 BZX84-C11 NXP Стабилитрон

характеристики (параметры), отечественные аналоги, цоколевка

S8050 — кремниевый, со структрурой NPN, эпитаксиально-планарный малосигнальный транзистор для общего применения. Конструктивное исполнение – ТО-92 и SMD (SOT-23).

Корпус и цоколевка

Предназначение

Транзистор разработан для применения в выходных аудио усилителях двухтактной связи класса В и аппаратуре общего назначения.

Характерные особенности

• Высокий коллекторный ток: I_C до 1,5 А.
• Высокая рассеиваемая мощность: P_C до 2 Вт при T_C = 25°C.
• Комплементарная пара: транзистор S8550.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при температуре среды T_a=25°C

Характеристика	Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В	VCBO	40
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В	VCEO	25
Напряжение эмиттер – база транзистора, В	VEBO	6
Ток коллектора, А	IC	1,5
Рассеиваемая мощность, Вт	PC	1
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С	Tj	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°	Tstg	-65…+150

Электрические параметры (при T

_a = 25°C)

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Ток коллектора выключения, мкА	ICBO	UCB = 35 В В, IE = 0	≤ 0,1
Ток эмиттера выключения, мкА	IEBO	UEB = 6 В, IC = 0	≤ 0,1
Напряжение пробоя коллектор-база, В	UCBO	IC = 100 мкА, IE = 0	≥ 40
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В	UCEO	IC = 2 мА, IB = 0	≥ 25
Напряжение пробоя база-эмиттер, В	UEBO	IE = 100 мкА, IC = 0	≥ 6
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UCE(sat)	IC = 0,8 А, IB = 0,08 А	≤ 0,5
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	UBE(sat)	IC = 0,8 А, IB = 0,08 А	≤ 1,2
Статический коэффициент усиления по току	hFE (1)	UCE = 1 В, IC = 0,005 мА	135
	hFE (2)	UCE = 1 В, IC = 0,1 мА	160
	hFE (3)	UCE = 1 В, IC = 0,8 мА	110
Частота среза, МГц	fT	UCE = 10 В, IC = 0,05 мА	190
Выходная емкость, pF	Cob	UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц	9

٭ — производитель разделяет транзисторы по величине параметра h_FE на группы B, C, D в пределах указанного диапазона. См. таблицу.

Классификация	B	C	D
hFE (2)	85…160	120…200	160…300

Модификации и маркировка транзистора S8050

Модель	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	Cob	hFE	Корпус	Маркировка
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92	—
GS8050T	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	45	TO-92	—
GSTSS8050	1	40	25	5	1,5	150	100	—	85	TO-92	—
MPS8050	0,625	40	25	6	1,5	150	190	9	85	TO-92	—
S8050A/B/C/D/G	0,625	40	25	6	0,8/0,5	150	100/150	9	85…300	TO-92	—
S8050T	0,625	40	25	6	0,5	150	150	—	85	TO-92	—
SPS8050	0,625	15	12	6,5	1,5	150	260	5	200	TO-92	—
SS8050/C/D/G	1	40	25	5	1,5	150	100	—	85…400	TO-92	—
SS8050T	1	40	25	5	1,5	150	100	—	85	TO-92	—
STS8050	0,625	30	25	6	0,8	150	120	19	85	TO-92	—
Транзисторы исполнения SMD и их маркировка
MMSS8050W-H/J/L	0,2	40	25	5	1,5	150	100	15	120…400	SOT-323	Y1
S8050W	0,25	40	25	6	0,8	150	100	9	85	SOT-323	Y1
SS8050W	0,2	40	25	5	1,5	150	100	—	120	SOT-323	Y1
GSTSS8050LT1	0,225	40	25	5	1,5	150	100	—	100	SOT-23	1HA
MMSS8050-L/H	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120…350	SOT-23	Y1
MPS8050S	0,35	40	25	6	1,5	150	190	—	85	SOT-23	—
MPS8050SC	0,35	40	25	5	1,2	150	150	—	85…300	SOT-23	—
MS8050-H/L	0,2	40	25	6	0,8	150	150	—	80…300	SOT-23	Y11
S8050	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23	—
S8050M-/B/C/D	0,45	40	25	6	0,8	150	100	9	85…300	SOT-23	HY3B/C/D
SS8050LT1	0,225	40	25	5	1,5	150	150	—	120	SOT-23	KEY
KST8050D	0,25	50	50	6	1,2	150	100	—	100…320	SOT-23	Y1C, Y1D
KST8050M	0,3	40	25	6	0,8	150	150	—	40…400	SOT-23	Y11
KST8050X	0,3	40	20	5	1,5	150	100	20	40…350	SOT-23	Y1+
KST9013	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	200…400	SOT-23	J3
KST9013C	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	40…200	SOT-23	J3Y
S8050LT1	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23	J3Y
MMS8050-L/H	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	50…350	SOT-23	J3Y
DMBT8050	0,3	40	25	5	0,8	150	100	—	120	SOT-23	J3Y
KST8050S	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	50…400	SOT-23	J3Y
KTD1304S	0,2	25	20	12	0,3	150	50	10	20…800	SOT-23	J3Y
KTD1304	0,2	25	20	12	0,3	150	60	—	20…1000	SOT-23	J3Y или MAX

Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции. Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра h_FE.

Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.

Производство российское и белорусское

Модель	PC Ta = 25°C	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	Cob	hFE	Корпус
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
КТ6111 А/Б/В/Г	1	40	25	6	0,1	150	100	1,7	45…630	TO-92
КТ6114 А/Б/В	0,45	50	45	5	0,1	150	150	3,5	60…1000	TO-92
КТ968 В	4	300	200	5	0,1	150	90	2,8	35…220	TO-39

Зарубежное производство

Модель	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	Cob	hFE	Корпус
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
3DG8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
BC517S	0,625	40	30	10	1	150	200	—	33000	TO-92
BTN8050A3	0,625	40	25	6	1,5	150	100	6	160	TO-92
BTN8050BA3	0,625	40	25	6	1,5	150	100	—	160	TO-92
CX908B/C/D	0,625	40	25	6	1	150	100	—	120…260	TO-92
KTC3203	0,625	—	30	—	0,8	150	190	—	100	TO-92
KTC3211	0,625	40	25	6	1,5	150	190	9	85	TO-92
KTS8050	0,625	—	25	—	0,8	175	—	—	100	TO-92
M8050-C/D	0,625	40	25	6	—	150	150	—	120…160	TO-92
S8050	0,3	409	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
8050HQLT1	0,3	40	25	5	1,5	150	—	—	150	SOT-23
8050QLT1	0,3	40	25	5	0,8	150	—	—	150	SOT-23
8050SLT1	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
CHT9013GP	0,3	45	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
F8050HPLG	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
KTC9013SC	0,35	40	30	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
MMBT8050D	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
MMS9013-H/L	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
NSS40201L	0,54	40	25	—	4	150	150	—	120	SOT-23
NSS40201LT1G	0,54	40	40	6	2	—	150	—	200	SOT-23
NSV40201LT1G	0,54	40	40	6	2	150	150	—	200	SOT-23
PBSS4140T	0,3	40	40	5	1	150	150	—	300	SOT-23
S9013	0,3	40	25	5	0,8	150	150	—	120	SOT-23
ZXTN2040F	0,35	—	40	—	1	—	150	—	300	SOT-23
ZXTN25040DFL	0,35	—	40	—	1,5	—	190	—	300	SOT-23
ZXTN649F	0,5	—	25	—	3	—	—	—	200	SOT-23

Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах (управления) базы I_B.

Рис. 3. Характеристика передачи транзистора. Зависимость выходного тока (тока коллектора I_C) от входного напряжения (управления) база-эмиттер U_BE.

Зависимость снята при напряжении коллектор — эмиттер U_CE = 1 В.

Рис. 4. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) и эмиттер-база U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы I_C/I_B = 10.

Рис. 5. Изменение полосы пропускания (частоты среза) транзистора f_T при возрастании коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 10 В.

Рис. 6. Зависимость изменения выходной емкости (коллекторного перехода) C_ob от приложенного напряжения коллектор-база U_CB при непроводящей коллекторной цепи I_E = 0.

Частота процесса измерения составляет 1 МГц.

Электроника и микропроцессорная техника | Страница 12 из 12

Техническая реализация импульсных элементов ИИТ

В общем смысле под импульсной техникой следует понимать совокупность методов расчёта и технических средств, позволяющую реализовать устройства логической обработки импульсных сигналов. Прямоугольным импульсным сигналом принято называть скачкообразное изменение токов и (или) напряжений, при этом эти параметры могут принимать только два значения: высокое и низкое (логические 0 или 1).В так называемой положительной логике высокому уровню соответствует логическая 1, низкому — логический 0, в отрицательной логике – наоборот.На рис.99 приведена временная диаграмма прямоугольного импульса с характеризующими его параметрами.
Рис.99
   Параметры импульсного сигнала

Uм  — амплитуда импульса ,
g = DU/Uм — относительный завал
вершины импульса,
tи – длительность импульса,
tф+- передний фронт импульса,
tф- — задний фронт импульса.

Длительности фронтов импульса представляют собой время, в течение которого напряжение импульса изменяется с 10% до 90% максимального значения –передний фронт, или с 90% до 10% — задний фронт. Последовательность импульсных сигналов представлена на рис.100 и , кроме параметров одиночного импульса, характеризуется рядом дополнительных характеристик таких как период (временной интервал между одинаковыми фазами двух соседних импульсов), скважность (отношение периода к длительности импульса),

среднее напряжение (постоянная составляющая) импульсной последовательности, пауза (временной интервал между задним и передним фронтами двух соседних импульсов).

Рис.100 Импульсная последовательность tп — пауза

Скважность можно выразить как:  Q=Т/tи = (tи + tп)/tи = 1 + tп/ tи ,при скважности равной двум (tи = tп) последовательность импульсов носит название «меандр». Среднее напряжение импульсной последовательности представляет собой:

, для U(t) = Uм = Const получим: Uср = Uм*tи/Т

Рассмотренный выше импульсный сигнал относится к классу видеоимпульсов, наиболее распространенному в импульсных устройствах  ИИТ. Другие классы импульсных сигналов: радиоимпульсы, импульсы специальной формы здесь не рассматриваются. Основу построения  логических устройств любой степени сложности составляют так называемые базовые логические элементы, выполняющие простейшие логические операции, они присутствуют практически во всех современных сериях  цифровых интегральных схем. Так основой  широко распространенной серии ИС  транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ-серии: К155 и усовершенствованные модификации К533, К555,К1533 и др.) является ключевой элемент (ключ) на биполярном транзисторе , выполняющий операцию логического отрицания. Используется также название ключа- инвертор.
Схема транзисторного ключа приведена на рис.101. Характерной особенностью схемы является  работа транзистора либо в режиме “закрыт”– рабочая точка на выходных характеристиках транзистора располагается  на границе области отсечки (логический 0 по коллекторному току), либо в режиме “открыт” – рабочая точка располагается на границе области насыщения (логическая 1 по коллекторному току). Кроме того, из-за инерционных свойств транзистора переход рабочей точки из одного состояния в другое происходит не мгновенно, поэтому необходимо учитывать переходный процесс переключения, влияющий на параметры выходного импульса коллекторного тока.

Рис.101 Схема транзисторного ключа

Физически логические переменные Х и Y представлены уровнями напряжений входного и выходного сигналов соответственно. Условное графическое изображение инвертора показано на рис.102.

Рис.102 УГО инвертора

В состоянии насыщения транзистор как бы “стянут” в точку, грубой аналогией этого состояния может служить замкнутый механический тумблер. При этом в идеальном случае должно быть Uвых =  0 (логический 0 ),однако, реально Uвых равно напряжению насыщения транзистора (около 0,5В для Si – транзисторов), это напряжение называют остаточным параметром , характеризующим неидеальные свойства транзисторного ключа в указанном режиме. В режиме насыщения  ток коллектора  максимален , ограничен только сопротивлением коллекторной нагрузки Rк, обозначается символом Iк.н (ток коллектора насыщения) и равен:
Iк.н = (Uк – Uнас.)/Rк » Uк/Rк, поскольку Uнас.«  Uк
Для поддержания коллекторного тока насыщения очевидно необходимо создать ток в базе транзистора теоретически величиной не менее:
Iб.н = Iк.н/h31Э – ток базы насыщения,h31Э- коэффициент передачи базового тока в коллектор для схемы с общим эмиттером.
Практически из – за технологического разброса h31Э, а также его нестабильности в температурном диапазоне реальный базовый ток должен быть больше теоретического значения, величина реального тока базы равна:

Iб.реал. = (Uм-Uбэ)/Rб » Uм/Rб, поскольку напряжение на открытом базо-эмиттерном переходе Uбэ«Uм.

Отношение: Iб.реал./ Iб.н = S называют коэффициентом насыщения (практически его величина лежит в пределах 5-10 относительных единиц).
В состоянии отсечки сопротивление между коллектором и эмиттером транзистора велико, грубой аналогией в этом случае является разомкнутый механический тумблер. При этом напряжение на выходе в идеальном случае должно быть равно напряжению коллекторного питания (если сопротивление нагрузки ключа бесконечно велико) и трактуется как логическая 1. Однако, из-за наличия теплового тока коллектора образуется напряжение на коллекторном  резисторе и реальное напряжение  на выходе будет равно:

Uвых= Uк – Iко*Rк  (Rн = ?), т.е. несколько меньше (на единицы милливольт) идеального.

Напряжение  Iко*Rк, также называется остаточным параметром  в режиме отсечки и характеризует неидеальность ключа в этом режиме. Кроме того, указанный режим накладывает ограничения на предельную величину резистора, ограничивающего базовый ток.

Поскольку тепловой коллекторный ток создает напряжение на этом резисторе, причём его полярность является отпирающей для транзистора, то при слишком большой величине Rб транзистор из состояния отсечки может перейти в активный режим, т.е. произойдёт несанкционированное срабатывание ключа (низкий уровень напряжения логической 1 или вообще переход транзистора в открытое состояние). Опасность несанкционированного срабатывания резко возрастает, если ключ работает в широком температурном диапазоне, поскольку тепловой ток коллектора удваивается на каждые 10оС повышения температуры окружающей среды.  Очевидно, что величина Rб должна быть ограничена сверху в соответствии с условием:

Rб ? Uбэ.пор./Iко.макс.,где Uбэ.пор.- напряжение отпирания транзистора по базе, Iко.макс.- максимальное значение теплового тока для данного типа транзистора и заданных условий внешней среды.

Переходный процесс переключения транзистора между указанными состояниями исследуется с помощью так называемого метода заряда в базе транзистора. Суть  метода заключается в следующем — скорость изменения заряда в базе при переключениях ключа можно записать как:

dQ/dt = Iб – Q/t , где Q – заряд, Iб – установившееся значение тока базы, t -постоянная времени транзистора (пропорциональна времени жизни  неосновных носителей заряда в базе), после очевидных преобразований получим:

t* dQ/dt +Q = Iб*t – неоднородное дифференциальное уравнение первого порядка, аналогичное уравнениям, описывающим поведение  RC – цепей с одной реактивностью в переходном процессе, решение таких уравнений рассматривается в курсе теоретических основ электротехники и выглядит следующим образом:

Q(t) = Q(?) — [Q(?) – Q(0) ]*е-t/t ,
здесь Q(?) и Q(0)- граничные условия (установившиеся значения заряда через бесконечно большой промежуток времени и в начальный момент соответственно). Вид функции представлен на рис.103.

Рис.103. Экспоненциальная зависимость изменения заряда в базе при включении транзисторного ключа

Практический интерес представляет также интервал времени в течение которого заряд изменяется в определённых пределах, например для рис.103, в пределах от Q(t1) до Q(t2) из общего решения можно найти моменты времени t1, t2 и их разность:
Dt = t2 – t1 = t*ln{Q(?)-Q(t1)}/ {Q(?)-Q(t2)}
Временные диаграммы, поясняющие процесс переключения транзисторного ключа при подаче на его базу прямоугольного импульса тока и влияние переходного процесса на форму и параметры выходного (коллекторного) импульса тока приведены на рис.104.Обозначения на рис104:

• Qм =t*Iб — максимальный заряд {Q(?)},приобретаемый базой в течение входного  импульса,
• Qн = t*Iбн —  заряд базы, соответствующий току базы насыщения ,
• Iк.н – коллекторный ток насыщения.

Рис.104. Временная диаграмма переходного процесса в транзисторном ключе.

tзад. = t1-t0 –время заряда базо-коллекторной
ёмкости, приблизительно 0,25 t
tф+ = t2 –t1 — передний фронт коллектоного
импульса тока,
tрас. = t4 –t3- время рассасывания избыточного
заряда базы,
tф- = t5 – t4 –задний фронт коллекторного им-
пульса тока,
Dt = t3 – t2 – время накопления избыточного
заряда в базе (не влияющего на величину кол-
лекторного тока).

Пользуясь приведенными выше соотношениями, можно определить временные параметры импульса коллекторного тока, так для длительности переднего фронта получим:
Q(?) = Qм,  Q(t1) = 0, Q(t2) = Qн  — граничные условия рассматриваемой фазы импульса,

tф+ = t*ln{Q(м)-0}/ {Q(м)-Q(н)} = t*lnt*Iб/( t*Iб — t*Iбн) =t*ln 1/(1- Iбн/ Iб)= t*ln S/(S-1)
Применим разложение  функции натурального логарифма в степенной ряд  вида:
lnx »(x-1)/x +…, где х = S/(S-1), получим: tф+ » t/S

Из полученного выражения следует, что для уменьшения длительности переднего фронта необходимо увеличивать степень насыщения транзистора на этапе включения.

Таким образом, время включения транзистора при подаче отпирающего импульса тока в базу составит:

tвкл.= tзад.+ tф+= 0,25t+t/S

По изложенной методике найдем время рассасывания избыточного заряда в базе:
tрас. = t*ln {Q(t5) – Q(t3)}/ {Q(t5) – Q(t4)} = t*ln(0-t*Iб)/(0-t*Iбн)»t{1 – (1/S)}

В данном случае необходимо уменьшать  насыщение транзистора, чтобы ускорить процесс его выключения , т.е. для улучшения параметров импульсов выходного коллекторного тока необходимо удовлетворить противоречивые требования относительно коэффициента насыщения транзистора.

Длительность заднего фронта выходного импульса найдем , предполагая, что его формирование закончилось при снижении величины заряда в базе до уровня 0,1Qн,тогда:

tф- = t*ln {Q(t5) – Q(t4)}/ {Q(t5) –0,1Q(t4)} = t*ln(0-t*Iбн)/(0-0,1t*Iбн) = 2,3t

Таким образом, время выключения транзистора составит: tвыкл. = tрас.+ tф-»t{3,3-(1/S)}.
Обычно время задержки срабатывания определяется как: tз.ср. = 0,5(tвкл.+tвыкл.)

Известны методы ускорения переходных процессов транзисторного ключа, основные из них приведены ниже.

Метод форсирующего конденсатора основан на свойстве конденсатора сохранять неизменным  напряжение на нём в момент поступления переднего фронта входного импульса, т.е. фактически в этот момент его реактивное сопротивление равно нулю (первый закон коммутации теории переходных процессов в RC-цепях). Схема включения форсирующего конденсатора приведена на рис.105.

Рис. 105. Включение форсирующего конденсатора Сф

Временные диаграммы, поясняющие принцип работы форсирующего конденсатора показаны на рис.106.

Рис.106. Ток базы ключа при наличии форсирующего конденсатора
В момент включения ток базы достигает максимальной величины –Iбмакс=Uм/Rбэ,где Rбэ- входное сопротивление транзистора, тем самым обеспечивается высокое значение коэффициента насыщения и минимальная длительность переднего фронта импульса коллекторного тока. По мере заряда конденсатора ток базы уменьшается и в конце входного импульса достигает минимальной величины Iбмин.=Uм/(Rб+Rбэ),обеспечивающей S=1.

Метод введения нелинейной отрицательной обратной связи с использованием диода Шоттки также обеспечивает разное насыщение транзистора в процессе его коммутации аналогично предыдущему случаю, однако технологически проще реализуем в интегральном исполнении. Особенностью диода Шоттки является малый порог срабатывания и высокое быстродействие, благодаря чему отрицательная обратная связь срабатывает раньше чем транзистор ключа войдет в насыщение. Схема ключа с диодом Шоттки представлена на рис.107.

Рис. 107. Нелинейная обратная связь с диодом Шоттки

Падение напряжения на диоде Шоттки  обеспечивает положительный потенциал коллектора относительно базы, предотвращая тем самым  смещение коллекторно-базового перехода в прямом направлении и накопление избыточного заряда в базе. В современной схемотехнике ИС серии ТТЛ диод Шоттки интегрирован с транзистором (серии ИС ТТЛШ).
Инвертор (ключ) на полевых транзисторах является основой популярной серии ИС-КМОП (К561,564).Ключ выполнен на двух полевых транзисторах с дополнительной симметрией ( К- дополнительный),т.е. транзисторы имеют каналы различного типа проводимости. На рис.108 приведена схема такого ключа на полевых транзисторах с индуцируемыми  каналами “p” и “n” типа.

Рис.108 Ключ на полевых транзисторах с дополнительной симметрией

Переключение ключа происходит , когда входное напряжение превышает по модулю порог срабатывания транзисторов. При этом Uпор.vт1 » -0,5U, Uпор.vт2 » +0,5U, таким образом при Uвх = 0 (логический ноль): VТ2 – закрыт, VТ1 – открыт, поскольку на его затворе действует потенциал равный минус U, на выходе формируется высокий уровень, примерно равный напряжению питания +U (логическая единица). При Uвх  » +U (по входу ключ управляется выходным напряжением аналогичного элемента), состояние транзисторов противоположно предыдущему и на выходе напряжение оказывается близким  к нулю (логический 0).Таким образом выполняется операция логического отрицания, в статическом состоянии ток потребления практически отсутствует, т.к.один из транзисторов всегда закрыт. При переключениях появляется входной ток, связанный с перезарядом подзатворных  емкостей, величина этого тока тем больше, чем выше частота входного сигнала. Кроме того, наличие  этих емкостей ограничивает частотный диапазон работы ключа  и , следовательно, КМОП серии ИС, что сужает диапазон её применения.

На основе рассмотренных ключей строятся  так называемые базовые элементы основных серий ИС: И-НЕ (штрих Шеффера), ИЛИ-НЕ (стрелка Пирса), на которых возможна реализация сложных логических устройств с наименьшими затратами аппаратных средств.
Базовый элемент И-НЕ серии ИС ТТЛ  имеет условное графическое обозначение, показанное на рис.109 , выполняет логическую операцию   , таблица истинности приведена ниже.

Рис.109
Таблица истинности
УГО логической
операции
штрих Шеффера

Принцип работы и техническая реализация  указанного элемента показаны на рис.110. Основой схемы является многоэмиттерный транзистор VT1,выполняющий операцию конъюнкции (И), фактически он представляет собой интегрированный набор диодов по числу входов -2 и выходов -1.Операция НЕ реализуется транзисторами Vт2,Vт3,Vт4 с одновременным  усилением  выходного сигнала. Диоды VД1, VД2 необходимы для повышения порогов срабатывания транзисторов VТ2 и VТ3 с целью их надёжного запирания при низких уровнях входных напряжений.  Резисторы R1 ?R4 обеспечивают допустимые режимы работы транзисторов по базовым и коллекторным токам транзисторов. Характерной особенностью ТТЛ схем является напряжение питание +5В.

Рис.110. Схема базового элемента И-НЕ ТТЛ

Введём обозначения физических уровней логических 1 и 0 как Е1 и Е0 соответственно.

Работа базового элемента происходит следующим образом:
Uвх1 = Uвх2 = Е0 –эмиттерные выводы VТ1 через внутренние сопротивления источников входных сигналов соединены с общей точкой , базо-эмиттерные  переходы открыты и шунтируют коллекторно-базовый переход VТ1, ток базы  VТ2 равен нулю и транзисторы VТ2 и VТ4 закрыты, в этом случае транзистор VТ3 отпирается током базы  по цепи: Uп- R2- базо-эмиттерный переход VТ3- VД2-Rн-общая точка , на выходе формируется высокий уровень напряжения :

Е1 » Uп*Rн/(R3 + Rн) – логическая 1;

Uвх1 = Е1, Uвх2 = Е0  или Uвх1 = Е0, Uвх2 = Е1 – состояние схемы не изменяется, поскольку коллекторно – базовый переход VТ1 шунтирован обним из открытых базо-эмиттерных переходов, на выходе сохраняется логическая 1;

Uвх1 =Uвх2 = Е1 – оба базо-эмиттерных перехода VТ1 закрыты высокими запирающими  напряжениями, открывается коллекторно-базовый переход транзистора VТ1 и его коллекторный ток открывает транзистор VТ2 по цепи: Uп- R1-коллекторно-базовый переход VТ1-VД1-база VТ2, эмиттерный ток VТ2 создаёт напряжение на резисторе R4, отпирающее транзистор VТ4, тем самым  вывод выхода оказывается соединённым с общей точкой через малое сопротивление между коллектором и эмиттером открытого VТ4 и на выходе формируется низкое напряжение Е0  (логический ноль).

Таким образом, приведенная схема реализует таблицу истинности логической операции штрих Шеффера. Типичным представителем рассмотренного базового логического элемента является микросхема серии ТТЛ — К555ЛА3, содержащая 4 двухвходовых элемента И-НЕ, УГО этой микросхемы приведено на рис.111.

Основные параметры и характеристики базового логического элемента ТТЛ:

• I1вх » 40 мкА – входной ток при Uвх = Е1 (обратный ток базо-эмиттерного перехода VТ1),
• I0вх  » 1,6 мА — входной ток при Uвх = Е0 (максимальное значение для открытого базо-эмиттерного перехода VТ1),
• I1вых = I0 вых » 16 мА –максимально допустимый выходной ток,
• коэффициент разветвления: n = Iвых/I0вх = 16 – допустимое количество аналогичных логических элементов, которое может быть подключено к выходу одного базового логического элемента при создании сложных логических устройств,
• Uвых = Е1 » 2.4 …4,5В в зависимости от величины сопротивления нагрузки,
• Uвых = Е0 » 0,2…0,4В в зависимости от величины выходного тока ,
• Uвх = Е1 или Е0 поскольку логические элементы одной серии ИС как правило соединены по выходам / входам между собой,
• быстродействие базового логического элемента оценивается временем перехода выходного напряжения из состояния Е0 в Е1 (t01) или наоборот (t10) и зависит от задержки срабатывания транзисторных ключей, рассмотренной ранее. Обычно принимают t01=t10 »3 tз.ср., практически эта величина находится в пределах 10…20 наносекунд,
• помехоустойчивость ИС ТТЛ можно оценить по передаточной характеристике, идеализированный вид которой для наиболее тяжелого режима (минимально допустимое сопротивление нагрузки), приведен на рис.112.
  

Рис.112. Передаточная характеристика базового ТТЛ — элемента
1,6 В – пороговое напряжение
срабатывания

Для состояния Uвх = Е0 и Uвых = Е1 возможно ложное срабатывание элемента, если напряжение помехи относительно шины «земля» будет равно: Uпом.зем. ? 1,6 – 0,4 = 1,2В.
Для состояния Uвх = Е1 и Uвых = Е0 ложное срабатывание возможно, если напряжение помехи относительно шины «питание» по модулю будет равно Uпом.пит.? 2,4 – 1,6 = 0,8В.Практически с учетом влияния температуры внешней среды считается допустимой помеха не более 0,6В.
потребляемая базовым логическим элементом мощность относительно велика и составляет около 20 мВТ.

Следует отметить, что элементы ТТЛ чувствительны к величине внутреннего сопротивления источника входного сигнала (Ri), действительно, если Ri ? 1Ком,то в состоянии Uвх = Е0  падение напряжения на нём от входного тока может превысить пороговое напряжение, что приведёт к несанкционированному срабатыванию.

Базовый логический элемент И – НЕ серии ИС КМОП.

Основой указанной серии ИС является рассмотренный ранее ключ на полевых транзисторах с дополнительной симметрией , УГО, логическое уравнение, таблица истинности аналогичны приведенным для элемента И-НЕ ТТЛ.

Напряжение питания ИС этой серии отличается широким диапазоном 3…15В, потребляемая мощность в статическом режиме не превышает 0,1мВт, входное сопротивление весьма велико (> 1 Мом), благодаря этому КМОП ИС находят широкое применение в схемотехнике в случаях, когда не предъявляются повышенные требования к быстродействию. Быстродействие КМОП логического элемента находится в пределах 100 – 200 наносекунд и определяется свойствами ключевого элемента, рассмотренными выше. Принцип работы базового элемента поясняется схемой приведенной на рис.113.

Рис.113. Логический элемент КМОП штрих Шеффера

Работа базового элемента происходит следующим образом:

• Uвх1 =Uвх2 = Е0 – затворы всех транзисторов через внутренние сопротивления источников входных сигналов соединены с общей точкой , низкий уровень входных сигналов является запирающим для транзисторов  с n-каналом (VТ3, VТ4) и отпирающим для транзисторов с p-каналом (VТ1, VТ2),  на выходе формируется высокий уровень напряжения Е1 по цепи: +U – параллельно соединённые  проводящие каналы транзисторов VТ1 и VТ2 – Uвых, от общей точки вывод выходного напряжения отключён запертыми каналами транзисторов VТ3, VТ4,
• Uвх1 = Е1, Uвх2 = Е0  – по выходу состояние схемы не изменяется, поскольку высокое напряжение  +U подключено к выходному выводу через проводящий канал транзистора VТ1 , при этом каналы VТ2 и VТ4  — заперты , т.к. напряжения на их затворах Е1 и Е0 соответственно , не превышают порогов срабатывания, открытый канал транзистора VТ3 не имеет значения в связи с тем , что последовательно с ним  включен запертый канал VТ4, прерывающий гальваническую связь выходного вывода с общей точкой,
• Uвх1 = Е0, Uвх2 = Е1 —  Uвых  по прежнему равно Е1, поскольку закрыты каналы транзисторов VТ1 и VТ3 и открыты каналы транзисторов VТ2 и VТ4 ,
• Uвх1 = Uвх2 = Е1 – закрыты каналы транзисторов VТ1 и VТ2, открыты каналы транзисторов VТ3 и VТ4, таким образом, прервана гальваническая связь выходного вывода с выводом +U и он подключен к общей точке через открытые каналы транзисторов VТ3 и VТ4.

Базовый элемент ИС КМОП серии обладает высокой помехоустойчивостью: Uпом.пит» Uпом.зем » 0,5Uпит. В связи с высокими входными сопротивлениями коэффициент разветвления «n» может достигать 100 единиц. Типичным примером выпускаемых ИС рассмотренного типа может служить микросхема, показанная на рис.114.

Базовый логический элемент ИС серии ЭСЛ (эмиттерно- связанная логика) .
Отличительными особенностями указанной серии являются:

• в состоянии «включено» транзисторы работают без насыщения (без накопления избыточного заряда в базе),
• с целью повышения помехоустойчивости к общей точке схемы подключен положительный полюс источника питания , поэтому входные и выходные напряжения имеют отрицательную полярность,
• наличие двух выходов – прямого и инверсного.

Приведенная на рис.115 схема базового логического элемента (БЛЭ) этой серии ИС выполняет две логические операции:

Таблица истинности выглядит следующим образом:

Рис.115. Базовый элемент ЭСЛ  2 ИЛИ, 2ИЛИ-НЕ

Транзисторы VТ1 и VТ5 работают в режиме эмиттерных повторителей, обеспечивая усиление выходных сигналов по мощности. Транзисторы VТ2, VТ3 являются входными, на их базы подаются  напряжения  соответствующие логическим уровням Е1 и Е0 ,измеряемые относительно общей точки и, следовательно, имеющие отрицательную полярность. Транзистор VТ4 является опорным, задающим режим  переключения входных транзисторов , потенциал его базы (Uо) фиксируется постоянным относительно шины +Uп в данном случае с помощью стабилитрона VD1 (возможны и другие способы). Эмиттеры входных и опорного транзисторов связаны между собой (отсюда название ЭСЛ) и подключены к общему резистору отрицательной обратной связи по эмиттерному току R5. Все транзисторы имеют одинаковые параметры, поскольку изготавливаются в едином технологическом процессе. Резисторы R1, R2 являются коллекторными нагрузками, резистор R3 – задаёт режим работы стабилитрона по току, резисторы R4, R6 –­ нагрузки эмиттерных повторителей.
Принцип работы БЛЭ основан на переключении эмиттерного тока опорного транзистора на один или оба входных транзистора в зависимости от комбинации входных сигналов,  в последнем случае ток опорного транзистора распределяется пополам между входными транзисторами в силу симметрии схемы.

Рассмотрим работу элемента при комбинациях входных и выходных сигналов в соответствии с таблицей истинности. Согласно первой строке таблицы оба входных сигнала имеют низкий логический уровень, т.е. Uвх1 = Uвх2 = Е0 — транзисторы VT2,VT3 закрыты, т.к. потенциалы их баз относительно шины –Uп меньше напряжения отрицательной обратной связи Uо на величину DUбэ.  Это объясняется тем, что логические элементы одной серии  соединены друг с другом и для рассматриваемой комбинации входных сигналов можно считать, что на базы VT2,VT3 поступает напряжение с выхода другого БЛЭ, находящегося в состоянии логического нуля, т.е. в данном случае аналогичное существующему на резисторе R6 . Опорный транзистор VT4 открыт, режим его работы близок к эмиттерному повторителю, поскольку схемотехнически реализовано соотношение R2 « R5 и опорное напряжение (Uо) практически полностью повторяется на резисторе ООС R5. Поскольку VT4 открыт, то потенциалы его коллектора и базы VТ5 находятся на низком уровне относительно шины –Uп . Следовательно , на резисторе R6 напряжение относительно шины –Uп также мало, т.е. меньше Uо: DUбэ = Uо – UR6. Тогда выходное напряжение, измеряемое относительно общей точки (+Uп), равное падению напряжения между коллектором и эмиттером VТ5, будет высоким  по модулю: |Uвых2| = |Uп| — | UR6| и низким с учётом его знака (»-1,5В), этому значению в серии ИС ЭСЛ соответствует логический ноль Y2 = 0  (прямой выход БЛЭ). В свою очередь, высокий относительно шины –Uп потенциал объединённых коллекторов закрытых VT2,VT3 будет повторяться  на эмиттерной нагрузке VТ1 – резисторе R4 и, следовательно, Uвых1 будет мало по модулю и велико с учетом знака (»-0,9В), т.е. соответствовать логической 1: Y1 = 1 (инверсный выход).

Для комбинаций входных сигналов: Uвх1 =Е1, Uвх2 = Е0 ; Uвх1 =Е0, Uвх2 = Е1 ;
Uвх1 =Е1, Uвх2 = Е1, реализующих 2ю, 3ю и 4ю строки таблицы истинности соответственно, происходит , как указывалось выше, переключение тока опорного транзистора на открытый входной транзистор. Например, для комбинации Uвх1 =Е1, Uвх2 = Е0 открыт транзистор VТ2 высоким уровнем напряжения относительно шины –Uп , поступающим с аналога резистора R4 предыдущего элемента , находящегося в состоянии Y1 = 1.Схемотехникой обеспечивается соотношение: Uвх1 = Uо + DUбэ, это напряжение практически полностью повторяется на резисторе обратной связи R5, в результате напряжение на базе опорного транзистора становится отрицательным и он закрывается: DUбэ.VT4 = Uо – Uо- DUбэ = -DUбэ.
Таким образом, ток опорного транзистора переключается на входной транзистор VT2, потенциал коллектора VT2 ( и базы VT1) относительно шины –Uп уменьшается, низкий потенциал  базы VT1 практически без изменения повторяется на резисторе R5.

Таким образом, на выходе VT1 формируется высокое по модулю и низкое с учетом знака напряжение Uвых1» -1,5В, трактуемое как логический ноль (Е0) на инверсном выходе, аналогичным образом легко убедиться, что на прямом выходе Uвых2 » -0,9В, т.е.логическая единица (Е1). Процессы, протекающие в схеме для остальных комбинаций входных сигналов принципиально не отличаются от рассмотренного выше ( в последней комбинации ток опорного транзистора  переключается на оба входных транзистора и делится между ними пополам). Следует отметить, что из-за высоких усилительных свойств транзисторов напряжение их переключения весьма мало: DUбэ » 50мВ, кроме того очевидно, что должно выполняться соотношение: Uо = (Е1 +Е0)/2 = -(0,9 +1,5)/2 = -1,2В. Процесс переключения поясняется передаточными характеристиками приведенными на рис.116 для прямого и инверсного выходов.

Рис.116 Передаточная характеристика базового логического элемента ЭСЛ

2 ИЛИ, 2ИЛИ-НЕ

Достоинством ИС серии ЭСЛ является высокое быстродействие – tз.ср. ?  1…2нС, обусловленное тем, что транзисторы в открытом состоянии работают без насыщения из-за глубокой отрицательной обратной связи и малой величины отпирающего напряжения, благодаря чему время рассасывания заряда базы мало и , следовательно, мало время выключения входных транзисторов. Время включения также мало из-за регенеративного режима переключения, связанного с ОС и малого  времени перезаряда входных емкостей транзисторов через относительно малые сопротивления резисторов (R1 = R2 = 200…300 Ом). К недостаткам ИС ЭСЛ относятся: высокая потребляемая мощность, связанная с работой эмиттерных повторителей в активном режиме (? 50мВт) и невысокая помехоустойчивость  из – за  малых уровней переключающих напряжений. По указанным причинам серия ИС ЭСЛ имеет ограниченное применение.
К ЭСЛ сериям ИС относятся  К1500, К1590, в качестве практического примера на рис.117 приведено условное графическое изображение элемента К1590 ЛМ105.

Рис.117 Базовый элемент ЭСЛ К1590ЛМ105
2(2ИЛИ, 2ИЛИ – НЕ), 3ИЛИ, 3ИЛИ — НЕ

Таблица сравнительных параметров базовых элементов

Тип серии ИС	Е0 (В)	Е1 (В)	Рпотр. (мВт)	tз.ср. (нС)	Коэфф. разветвл. n	Uпомех. (В)	Uп. (В)
ТТЛ	0,2 – 0,4	2,4 — 4	? 20	5…20	?10	0,8…1,1	+5
КМОП	0,2 – 0,4	»0,9Uп.	?0,1	?200	до 200	»0,5Uп.	+ 3…15
ЭСЛ	— 1,5	— 0,9	20…50	1…3	?10	? 0,3	— 5

Устройство для экспресс-диагностики идентичности транзисторов

 

Предлагаемая полезная модель относится к электронике, измерительной и медицинской технике, в частности для экспресс-диагностики идентичности униполярных или биполярных транзисторов и подбора их в пару, и может быть использовано при подборе пары для дифференциальных, балансных, двухтактных узлов электро- и электронной техники — во входных, промежуточных и выходных блоках, в узлах, критичных к колебаниям как электрических, так и температурных характеристик.

Задачей изобретения является упрощение подбора пар транзисторов и экспресс-диагностики идентичности транзисторов при их подборе в пару с учетом как статических, так и динамических параметров транзисторов.

Для решения задачи предлагается устройство экспресс-диагностики идентичности транзисторов: при их подборе в пару используют дифференциальный каскад из эталонного и испытуемого транзисторов, на вход которого подают синфазно смесь регулируемого постоянного и переменного напряжения, к нагрузочным резисторам транзисторов подключен индикатор, в случае минимального расхождения осциллограмм при их синхронном перемещении по дисплею делают вывод об идентичности транзисторов, а при увеличении расхождения осциллограмм делают вывод о неидентичности транзисторов.

В результате упрощается и ускоряется процедура экспресс-диагностики идентичности транзисторов при их подборе в пару с учетом как статических, так и динамических параметров. 8 п.ф-лы, 2 илл.

Полезная модель относится к электронике, измерительной и медицинской технике, в частности для экспресс-диагностики идентичности униполярных или биполярных транзисторов и подбора их в пару, и может быть использовано при простом, наглядном и быстром подборе пары транзисторов для дифференциальных, балансных, двухтактных узлов электро — и электронной техники — во входных, промежуточных и выходных каскадах и блоках, особенно в узлах, критичных к колебаниям как электрических, так и температурных характеристик.

Известно применение согласованных транзисторных пар с типовым разбросом основных параметров около 15% (см. П.Хоровиц, У.Хилл «Искусство схемотехники». ч.1, М., Мир, 1983, с.374). Однако, эти эксклюзивные пары дороги, не всегда доступны и имеют ограниченный ассортимент, что сужает область их использования.

Известны устройства для определения статических параметров полупроводниковых приборов (например, измерители параметров транзисторов Л2-76, Л2-78), или измерения вольтамперных характеристик (ВАХ) транзисторов (характериографы), и последующей разбраковки транзисторов по результатам измерений, что можно использовать для их подбора в пару (см. «Характериограф для транзисторов», журн. Радио, 1990, 12, с.78). Недостатками таких устройств является, во-первых, большие затраты времени и сложность использования, во-вторых эксклюзивность и дороговизна аппаратуры, в-третьих, не всегда присутствует экспресс-диагностика как статических, так и динамических параметров транзисторов, в четвертых, отсутствие простого наглядного однозначного подтверждения идентичности и маскировка, по сути, этого подтверждения множеством ненужных в данном случае количественных характеристик.

Прототипом полезной модели является устройство, содержащее стендовый усилитель, собранный по схеме с общим истоком и содержащий узел фиксации истокового напряжения, входные и выходные клеммы стендового усилителя, испытуемый транзистор, а также клеммы подключения выводов испытуемого транзистора. На входные клеммы стендового усилителя подают испытательный сигнал в виде синусоиды 1 кГц определенной амплитуды — в одном случае 0,2 В, в другом 1 В, в зависимости от типа транзистора, при этом напряжение на истоке испытуемого транзистора зафиксировано на одном значении (см. К.Мусатов «Транзисторный усилитель мощности без обратной связи» — журн. Радио, 2005, 1, с.21, 22, рис.15, 16).

Недостатком этого устройства является сложность процедуры подбора пар транзисторов, большие затраты времени и отсутствие синхронной экспресс-диагностики как статических, так и динамических параметров транзисторов. В наибольшей степени эти недостатки сказываются в условиях небольших производств, в лабораториях и индивидуальных предприятиях.

Технической задачей предлагаемой полезной модели является упрощение подбора транзисторов и экспресс-диагностика идентичности транзисторов при их подборе в пару с учетом как статических, так и динамических параметров транзисторов.

Для решения поставленной задачи предлагается полезная модель — устройство для экспресс-диагностики идентичности транзисторов.

В устройство для экспресс-диагностики идентичности транзисторов, содержащее стендовый усилитель, входные и выходные клеммы стендового усилителя, испытуемый транзистор, клеммы подключения выводов испытуемого транзистора, введены дифференциальный каскад, содержащий эталонный и испытуемый транзистор, блок регулировки параметров регулируемого постоянного напряжения, генератор переменного напряжения, сумматор, индикатор, выходы блока регулировки параметров регулируемого постоянного напряжения и генератора переменного напряжения соединены со входами сумматора, выход которого соединен с управляющими электродами эталонного и испытуемого транзисторов, к нагрузочным резисторам обоих транзисторов подключен индикатор.

Кроме того, индикатор выполнен в виде двухлучевого осциллографа.

Кроме того, индикатор выполнен в виде двухвходового компаратора с регулируемым порогом и светодиодным индикатором на выходе.

Кроме того, индикатор выполнен в виде стрелочного гальванометра с нулем посреди шкалы.

Кроме того, генератор переменного напряжения выполнен в виде функционального генератора, например, с треугольным выходным сигналом.

Кроме того, блок регулировки параметров регулируемого постоянного напряжения выполнен в виде переменного резистора-потенциометра.

Кроме того, блок регулировки параметров регулируемого постоянного напряжения выполнен в виде цифрового потенциометра.

Кроме того, генератор переменного напряжения выполнен в виде интегратора, вход которого соединен с выходом генератора прямоугольных импульсов двухлучевого осциллографа.

Отличительные признаки предложенного технического решения — полезной модели устройства для экспресс-диагностики идентичности транзисторов позволяют упростить и ускорить процедуру экспресс-диагностики идентичности транзисторов при их подборе в пару с учетом как статических, так и динамических параметров транзисторов.

Предлагаемое изобретение поясняется чертежами:

фиг.1 Блок-схема измерительного комплекса;

фиг.2 Осциллограммы сигналов на индикаторе.

Устройство для экспресс-диагностики идентичности транзисторов содержит дифференциальный каскад из эталонного и испытуемого транзисторов 1, блок регулировки параметров регулируемого постоянного напряжения 2, генератор переменного напряжения 3, сумматор 4, индикатор 5, блок питания 6. Выходы блока регулировки параметров регулируемого постоянного напряжения 2 и генератора переменного напряжения 3 соединены со входами сумматора 4, выход которого соединен со входом дифференциального каскада из эталонного и испытуемого транзисторов 1, к выходам которого подключен индикатор 5.

Указанные узлы и блоки могут быть выполнены на следующих элементах:

Дифференциальный каскад 1 — резистивный, собран по схеме с общим истоком (эмиттером) либо общим стоком (коллектором), содержит эталонный 7 и испытуемый 8 транзисторы, нагрузочные резисторы 9 и 10 выполнены в виде двух (или трех) последовательно соединенных прецизионных резисторов типа С2-29, величина которых может одновременно коммутироваться, например, перемычками (джамперами) для каждого из резисторов 9 и 10, что обеспечивает работу с двумя значениями одинакового тока, протекающего через транзисторы. Такая коммутация может потребоваться, но не является обязательной. Блок регулировки параметров регулируемого постоянного напряжения 2 выполнен на переменном резисторе-потенциометре 11, номиналом, например, 100 кОм, подключенном крайними выводами к выходным шинам блока питания 6, а средним — к одному из входов неинвертирующего резистивного сумматора 4, выполненного на операционном усилителе LM358. Потенциометр 11 может также быть реализован на основе микросхемы цифрового потенциометра, например, AD8400 на 256 шагов. Генератор переменного напряжения (оптимальная форма — треугольная) 3 — типовой функциональный генератор серии Г6, вариант выполнения — в виде интегратора 12 на операционном усилителе LM358, вход которого соединен с выходом генератора прямоугольных импульсов амплитудой 13 В, имеющемся в каждом осциллографе, например, С1-83, который является индикатором 5, при этом входы Y1, Y2 осциллографа подключены к нагрузочным резисторам 9 и 10. Вариантами выполнения (на схеме не показано) индикатора 5 являются высокоомный стрелочный микроамперметр с нулем посреди шкалы (на 50100 мкА) включенный (с дополнительным сопротивлением) между нагрузочными резисторами 9 и 10 транзисторов 7 и 8, а также двухпороговый компаратор, например LM393 или компаратор на операционном усилителе LM358 со светодиодом АЛ307 на выходе компаратора. В этом варианте регулировкой порога срабатывания компаратора добиваются загорания (или погашения) светодиода в соответствии с разницей выходного напряжения на нагрузочных резисторах 9 и 10. Еще одним вариантом индикатора 5 является компьютер с АЦП на его входе. Блок питания 6 двухполярный с симметричным выходным напряжением +/-915 В сетевой или автономный батарейный из двух «Крон», питает дифференциальный каскад 1, сумматор 4 (LM358) и блок регулировки параметров регулируемого постоянного напряжения 2, а также вариант генератора переменного напряжения 3 на интеграторе (LM358) и индикатора 5 на компараторе со светодиодом (LM358 и АЛ307).

Экспресс-диагностику идентичности транзисторов при их подборе в пару производят в режиме усиления (линейном режиме) следующим образом. Перед включением схемы в дифференциальный каскад 1 подключают эталонный и испытуемый транзисторы 7 и 8, нагрузочные резисторы 9 и 10 одинаково коммутируют в одно из положений, например, 11 кОм — максимальное (или 1 кОм — минимальное) для каждого из сопротивлений. После включения блока питания 6 напряжение 13 на выходе блока регулировки параметров регулируемого постоянного напряжения 2 устанавливают в положение близкое к напряжению отсечки эталонного полевого транзистора или близкое к нулевому по отношению к общей шине для биполярного транзистора. Включают генератор переменного напряжения 3 — осциллограмма 14. Частоту генератора 3 выбирают из соображения удобства наблюдения и отсутствия мерцания изображения осциллограмм 15 и 16 на стоках (коллекторах) транзисторов 7 и 8: оптимальная частота — единицы кГц, минимум 50 Гц. Форма напряжения генератора 3 — плавно меняющаяся по известному закону, оптимально-треугольная, с максимальной амплитудой, обеспечивающей неискаженное усиление в линейной части амплитудной характеристики усилительных каскадов на транзисторах 7 и 8, т.е. типовая амплитуда генератора 3 не должна превышать 1 В. Контроль напряжения на нагрузочных резисторах 9 и 10 осуществляют по дисплею индикатора 5, например, двухлучевого осциллографа С1-83. При этом входы Y₁, Y₂ включают в «открытом» режиме, усиление каналов выбирают в режиме 1 или 2,5 В/деление, длительность развертки — в режиме около 1 мс/деление. Регулировкой постоянного смещения каждого канала Y₁, Y₂ осциллограммы напряжений U₁ -15 и U₂-16 смещают в центр дисплея осциллографа и совмещают в одну осциллограмму. После этого, изменяют напряжение 13 на выходе блока регулировки параметров регулируемого постоянного напряжения 2 плавно, оптимально по пилообразному закону, с медленным нарастанием и быстрым возвратом к первоначальному состоянию, в течение нескольких секунд, чтобы наблюдатель успевал отследить изменения в осциллограммах 15 и 16 (315 с, т.е. с разной скоростью — это некритично), наблюдают перемещение осциллограмм 15 и 16, например, вверх по дисплею осциллографа и оценивают расхождение осциллограмм 15 и 16: чем ближе параметры транзисторов 7 и 8, тем меньше расхождение осциллограмм 15 и 16. При максимальном совпадении параметров транзисторов 7 и 8 осциллограмма 17 вырождается в идеальном случае в горизонтальную линию (U=0). Время процедуры экспресс-диагностики определяется прежде всего скоростью изменения сопротивления потенциометра 11 и может составлять доли минуты, при этом точность идентификации параметров может быть увеличена регулировкой параметров индикатора 5, в частности, аттенюаторов Y₁, Y₂ — каналов осциллографа.

Совместное использование смеси регулируемого постоянного и переменного напряжения, которую подают синфазно на управляющие электроды, например, затворы эталонного и испытуемого транзисторов 7 и 8, обеспечивает быстрое одновременное тестирование как статических, так и динамических параметров в процессе экспресс-диагностики идентичности транзисторов при их подборе в пару. При этом форма осциллограмм 15 и 16 и их разностного сигнала 17 может свидетельствовать об искажениях тестирующего сигнала, например, треугольного, обусловленных характеристиками транзисторов 7 и 8.

Таким образом, предлагаемая полезная модель устройства позволяет упростить и ускорить подбор транзисторов в пару, увеличить наглядность и достоверность результатов, а также обеспечить экспресс-диагностику идентичности транзисторов при их подборе в пару персоналом невысокой квалификации.

1. Устройство для экспресс-диагностики идентичности транзисторов, содержащее стендовый усилитель, входные и выходные клеммы стендового усилителя, испытуемый транзистор, а также клеммы подключения выводов испытуемого транзистора, отличающееся тем, что в него введены дифференциальный каскад, содержащий эталонный и испытуемый транзистор, блок регулировки параметров регулируемого постоянного напряжения, генератор переменного напряжения, сумматор, индикатор, выходы блока регулировки параметров регулируемого постоянного напряжения и генератора переменного напряжения соединены со входами сумматора, выход которого соединен с управляющими электродами эталонного и испытуемого транзисторов, к нагрузочным резисторам обоих транзисторов подключен индикатор.

2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что индикатор выполнен в виде двухлучевого осциллографа.

3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что индикатор выполнен в виде двухвходового компаратора с регулируемым порогом и светодиодным индикатором на выходе.

4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что индикатор выполнен в виде стрелочного гальванометра с нулем посреди шкалы.

5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что генератор переменного напряжения выполнен в виде функционального генератора, например, с треугольным выходным сигналом.

6. Устройство по п.1, отличающееся тем, что блок регулировки параметров регулируемого постоянного напряжения выполнен в виде переменного резистора-потенциометра.

7. Устройство по п.1, отличающееся тем, что блок регулировки параметров регулируемого постоянного напряжения выполнен в виде цифрового потенциометра.

8. Устройство по п.1, отличающееся тем, что генератор переменного напряжения выполнен в виде интегратора, вход которого соединен с выходом генератора прямоугольных импульсов двухлучевого осциллографа.

Ksp13 транзистор характеристики

Welcome to the website for Star Trek Kerbal, a Kerbal Space Program series created by Maland2016. The site is also run by Maland2016. Due to this being a free site, a link to Maland’s YouTube channel can be found in the menu to the side so you can watch the series there. Mar 14, 2020 · I HIGHLY reccommend downloading my Salyut Stations to use with this. It is the sister mod meant to be used with this. I HIGHLY reccommend downloading my Soviet Rockets to use with this. It is required to launch all of these probes and you need it to use the craft files. This pack is a soviet era. MJE13009 SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE DESCRIPTION The MJE13009 is a multiepitaxial mesa NPN transistor. It is mounted in Jedec TO-220 plastic package, intended for use in motor controls, switching regulators, deflection circuits, etc. 3 2 1 TO-220 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol. Маркировка радиодеталей, Коды smd z1, z1-, z11, z11 *, z12, z1237qi2, z13, z14, z15, z16, z17, z19, z1aag, z1aal, z1abg, z1abl, z1acg, z1acl. Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications, 2SK3566 datasheet, 2SK3566 circuit, 2SK3566 data sheet : TOSHIBA, alldatasheet, datasheet, Datasheet search site for Electronic Components and Semiconductors, integrated circuits, diodes, triacs, and other semiconductors. Маркировка радиодеталей, Коды smd y1, y1-, y10, y11, y12, y13, y14, y15, y16, y17, y1766, y18, y19, y1w, y1y, y1p, y1t. Даташиты. Ksp13 транзистор характеристики Ksp13 транзистор характеристики Tristram Stuart sounds the warning bell on global food waste, calling for us to change the systems whereby large quantities of produce and other foods end up in trash heaps. Why you should listen Western countries waste up to half of their food. To experience the flight from the perspective of Yuri, click on his portrait and select «IVA» (Intra-Vehicular Activity).This allows you to look out of the small window above him and take a look at Kerbin no Kerbal has ever taken before. Aug 02, 2016 · K4005-01MR Datasheet — 2SK4005, Power MOSFET — Fuji, K4005-01MR pdf, K4005-01MR pinout, K4005-01MR manual, K4005-01MR schematic, K4005-01MR equivalent. Sep 30, 2015 · 2) При повторении схемы нужно учесть характеристики транзистора, и то, что «управление» базой обязательно. Nov 04, 2018 · C3807 Datasheet — Vcbo=30V, NPN Transistor — Sanyo, 2SC3807 datasheet, C3807 pdf, C3807 pinout, C3807 manual, C3807 schematic, C3807 equivalent, C3807 data. marking of electronic components, smd codes z7, z7-, z70, z71, z72, z73, z74, z75, z76, z77, z78, z79, z7w, z7z, z7p, z7t. datasheets bzv49c8v2, bzx84-b16, bzx84-b18. Характеристики транзистора ksp92, его цоколевка (распиновка), маркировка, отечественные и импортные аналоги, параметры, его обозначение на схеме c26552SC, 26682SC, 27102SC, 28792SC, 28982s c29092s c29102SC, 29222SC, 29792s c30002s c30392s c30402s c30422SC, 30712SC, 30742s c30892s c31132s c31162s c31172SC, 31482s c31492s c31502s c31522s c31532SC, 31792SC, 32252s c32772SC, 32792s c32812SC, 33062SC, 33552SC, 33572SC, 34022s c34172s c34202s c34472s c34512s c34572s c34602s c34612s c34662s. Saturn V is the rocket famous for delivering the first men to the moon during the Apollo 11 Mission. Designed with correct staging in mind, this stock version of Saturn V resembles (as far as i could tell) the layout of the Saturn V as closely as It can with stock parts. May 10, 2015 · Real Mars Rover Engineer Builds A Mars Rover In Kerbal Space Program • Professionals Play — Duration: 9:53. BuzzFeed Multiplayer Recommended for you K3479 Datasheet, K3479 PDF, K3479 Data sheet, K3479 manual, K3479 pdf, K3479, datenblatt, Electronics K3479, alldatasheet, free, datasheet, Datasheets, data sheet. Posted in r/KerbalSpaceProgram by u/Tangerinetrooper • 3 points and 0 comments The Maritime Pack Mod for KSP 1.0.4. Introduction: In the warning I stated that I’ve been making mods for about a week (as of the OP date). That’s not entirely true but mostly. Aug 11, 2015 · Наша группа в ВК: — TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington power transistor) 2SD2088 Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications Switching Applications Power Amplifier Applications High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 1 A) Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 1 A, IB = 1 mA) Jun 16, 2019 · 2SK3548 Datasheet — 900V, N-Channel Power MOSFET — Fuji, 2SK3548 pdf, 2SK3548 pinout, data, circuit, ic, manual, substitute, parts, schematic, reference. Transistor Not finding what you are searching for. Try a partial part number. Характеристики транзистора ksp44, его цоколевка (распиновка), маркировка, отечественные и импортные аналоги, параметры, его обозначение на схеме Aug 01, 2016 · Сервисная организация обслуживает предприятия торговли и питания. На канале вы сможете увидеть наши.

Ksp13 транзистор характеристики

Ksp13 транзистор характеристики. Ksp13 транзистор характеристики.

y% 20параметры% 20of% 20Транзисторы техническое описание и примечания к применению

2009 — 2SA1491P.Y Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	CST-100 SL-156 МТА-100 МТА-100 2SA1491P.Y
2009 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	CST-100 SL-156 МТА-100
2005 — HC49SSDLF Реферат: сн-3.0ag-0.5cu F1602T F5101 F1145 F3415 FSMLF FOX801BE F1144E F1100ER Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	F1100E F1100ER F1144E F1144ER F1145E F1145ER F1148E F1523BA F1523BAM F1602T HC49SSDLF sn-3.0ag-0.5cu F1602T F5101 F1145 F3415 FSMLF FOX801BE F1144E F1100ER
1998 — микросхема w53 Абстракция: SLQ34 y623 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
108-1051 Резюме: EP 1408 6414 трубка MTA 170 85 03 MTA-156 LR7189 CST-100 KPH 141 82056 amp Tyco аппликатор Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	CST-100 SL-156 MTA-156 UL94V-0, 108-1051 EP 1408 6414 трубка MTA 170 85 03 LR7189 KPH 141 82056 аппликатор amp tyco
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	МТА-15 MTA-156 UL94V-0
2008 — N / S877T Аннотация: N / A7W18 N / M2N6660 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	CST-100 SL-156 MTA-156 N / S877T N / A7W18 N / M2N6660
1998 — ГДЖ, Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
108-1051 Аннотация: MTA-156 LR7189 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	MTA-156 108-1051 LR7189
мф 31-55 Реферат: EN 3155 MF31-55 радиолокационная трубка 15кв300 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	MF31-55 мф 31-55 EN 3155 MF31-55 радиолокационная трубка 15кв300
2014 — SN74AUP1GXX Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	DFN0808 SN74AUP1GXX
2011 — Renesas v850 — цена: + 0 руб. Аннотация: upd70f3805 uPD70F3745gj UPD70F3742GC UPD70F3793GC-UEU-AX upd70f38 QB-V850ES uPD70F3740 UPD70F3761GC-UEU-AX UPD70F3744GJ Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	32-битный V850ES 0411 / 4K / CPRN / BCD / SP R01PF0037EU0100 Renesas V850 upd70f3805 uPD70F3745gj UPD70F3742GC UPD70F3793GC-UEU-AX upd70f38 QB-V850ES uPD70F3740 UPD70F3761GC-UEU-AX UPD70F3744GJ
ампер мта 100 Резюме: 3-641213-2 408-8040 LR7189 CST-100 IDC закрытый заголовок AMP 641994-1 641126-2 644893-2 4-647630-0 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	CST-100 SL-156 МТА-100 МТА-100 усилитель mta 100 3-641213-2 408-8040 LR7189 закрытый заголовок idc AMP 641994-1 641126-2 644893-2 4-647630-0
2009 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	CST-100 SL-156 МТА-50 E28476 E53793 Sys354
RA3CSH9 Аннотация: RA3esh9 RA3CSH9R RA3FSH9R RA3ATL6 RA3ctl9 RA3FTL6-2SL ra3ftl6 RA3ETL9 RA3CTH9 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	50 мА / 24 В постоянного тока AQCXX-24 AQCXX-25 AQCXX-26 AQCXX-27 1B09XUXXX 1D09XXX 1F096XXX 1ZB09XDXXX Кнопка1ZB09 RA3CSH9 РА3еш9 RA3CSH9R RA3FSH9R RA3ATL6 RA3ctl9 RA3FTL6-2SL ra3ftl6 RA3ETL9 RA3CTH9
2012 — 62087 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	47 дюймов Th57LFT30W 47 дюймов PMY02 / 08/2012 62087
ЗАЖИГАТЕЛЬ Z 400 M Резюме: 67551 Thyratron Ignitron PL6755 Scans-00180016 Тиратронная трубка RS-сканирование трубки-0018001 redresseur Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	PL6755 ЗАЖИГАТЕЛЬ Z 400 M 67551 Тиратрон Игнитрон PL6755 Скан-00180016 тиратронная трубка rs трубка сканы-0018001 рецензент
2009 — GPMC Аннотация: ARM Cortex A8 Neon SIMD PBGA 423 cus PowerVR 12X12 POP PACKAGE проводное соединение ноутбука камера процессор 1wire AM3517 ARM процессор.Шаг 4 мм e-MMC Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	OMAP35x AM35x AM3505 / 17 OMAP35x OMAP35 GPMC ARM Cortex A8 Neon SIMD PBGA 423 cus PowerVR ПАКЕТ 12X12 провод подключения ноутбук камера процессор 1wire AM3517 Процессор ARM шаг 0,4 мм e-MMC
108-1050 Аннотация: разъем idc 10 pin mta 156 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	CST-100 SL-156 МТА-100 UL94V-0, 108-1050 разъем idc 10 контактов mta 156
2012 — em231 Аннотация: предохранитель ЭМ-231 ф 3.15а 250в Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	Май 2012D 5×20 мм IEC-127-2 63 В постоянного тока. EIA-296-F em231 ЭМ-231 предохранитель f 3.15a 250v
Стн 800×600 моно Аннотация: Stn 640×480 mono tft lcd 8-дюймовая панель 1024×768 256KX16-60 1280X1024 Y 60 800X600 640X480 256KX16 68554 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	CT82 / 3-97 640 x 480 800X600 1024X768 1280X1024 256Kx16-40 55 МГц CT82 / 3-97 Стн 800×600 моно Stn 640×480 моно tft жк-панель 8 дюймов, 1024×768 256KX16-60 1280X1024 Y 60 800X600 640X480 256KX16 68554
113 л Абстракция: HA 1329 QN-08 1329 y-448 AO2222 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	147нс, 00866pF) ao211 ao2111 ao2111d2 ao211d2 ao211d4 ao21d2 ao21d4 ao221 113 лет HA 1329 QN-08 1329 у-448 AO2222
GCK 164 Аннотация: samsung 649 ao21 OA21D Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	204нс, 00486pF, 048пФ, 048пФ ao2111 ao2111d2 ao211d2 ao211d4 ao21d2 ao21d4 GCK 164 Самсунг 649 ao21 OA21D
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF
АО222 Аннотация: ND3B FD2D2 FD3D2 FD4D2 NID4 Samsung 546 STD150 OA221 FD2Q Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	112нс, 00305pF) ao211 ao2111 ao2111d2 ao211d2 ao211d4 ao21d2 ao21d4 ao221 AO222 ND3B FD2D2 FD3D2 FD4D2 NID4 Samsung 546 STD150 OA221 FD2Q

% PDF-1.3 % 796 0 объект > эндобдж xref 796 276 0000000016 00000 н. 0000005873 00000 н. 0000036983 00000 п. 0000037142 00000 п. 0000037290 00000 п. 0000037557 00000 п. 0000037865 00000 п. 0000038170 00000 п. 0000038452 00000 п. 0000038633 00000 п. 0000038887 00000 п. 0000039059 00000 п. 0000039267 00000 п. 0000039458 00000 п. 0000039706 00000 п. 0000039931 00000 н. 0000040228 00000 п. 0000040527 00000 п. 0000040761 00000 п. 0000041004 00000 п. 0000041175 00000 п. 0000041439 00000 п. 0000041604 00000 п. 0000041800 00000 п. 0000042088 00000 п. 0000042346 00000 п. 0000042611 00000 п. 0000042890 00000 н. 0000043166 00000 п. 0000043421 00000 п. 0000043637 00000 п. 0000043894 00000 п. 0000044070 00000 п. 0000044261 00000 п. 0000044564 00000 п. 0000044781 00000 п. 0000045017 00000 п. 0000045220 00000 п. 0000045474 00000 п. 0000045726 00000 п. 0000045932 00000 п. 0000046178 00000 п. 0000046428 00000 н. 0000046643 00000 п. 0000046944 00000 п. 0000047162 00000 п. 0000047439 00000 п. 0000047748 00000 п. 0000048035 00000 п. 0000048258 00000 п. 0000048566 00000 п. 0000048815 00000 н. 0000049058 00000 н. 0000049298 00000 п. 0000049595 00000 п. 0000049848 00000 п. 0000050096 00000 п. 0000050359 00000 п. 0000050719 00000 п. 0000051085 00000 п. 0000051438 00000 п. 0000051611 00000 п. 0000051830 00000 п. 0000052094 00000 п. 0000052368 00000 п. 0000052660 00000 п. 0000052951 00000 п. 0000053330 00000 п. 0000053721 00000 п. 0000054020 00000 п. 0000054216 00000 п. 0000054419 00000 п. 0000054764 00000 п. 0000054931 00000 п. 0000054983 00000 п. 0000055209 00000 п. 0000055427 00000 п. 0000055769 00000 п. 0000056151 00000 п. 0000056455 00000 п. 0000056829 00000 п. 0000057115 00000 п. 0000057441 00000 п. 0000057781 00000 п. 0000058071 00000 п. 0000058426 00000 п. 0000058967 00000 п. 0000059289 00000 п. 0000059593 00000 п. 0000059957 00000 н. 0000060387 00000 п. 0000060600 00000 п. 0000060806 00000 п. 0000061042 00000 п. 0000061094 00000 п. 0000061392 00000 п. 0000061629 00000 п. 0000061861 00000 п. 0000062159 00000 п. 0000062339 00000 п. 0000062542 00000 п. 0000062786 00000 п. 0000063148 00000 п. 0000063388 00000 п. 0000063643 00000 п. 0000063942 00000 п. 0000064185 00000 п. 0000064412 00000 п. 0000064644 00000 п. 0000064926 00000 п. 0000065214 00000 п. 0000065513 00000 п. 0000065788 00000 п. 0000066035 00000 п. 0000066321 00000 п. 0000066533 00000 п. 0000066780 00000 п. 0000067022 00000 п. 0000067240 00000 п. 0000067442 00000 п. 0000067651 00000 п. 0000067819 00000 п. 0000068009 00000 п. 0000068176 00000 п. 0000068379 00000 п. 0000068640 00000 п. 0000068830 00000 п. 0000069030 00000 н. 0000069211 00000 п. 0000069383 00000 п. 0000069621 00000 п. 0000069863 00000 п. 0000070112 00000 п. 0000070386 00000 п. 0000070628 00000 п. 0000070868 00000 п. 0000071075 00000 п. 0000071289 00000 п. 0000071490 00000 п. 0000071729 00000 п. 0000071914 00000 п. 0000072117 00000 п. 0000072304 00000 п. 0000072528 00000 п. 0000073729 00000 п. 0000074308 00000 п. 0000074481 00000 п. 0000074706 00000 п. 0000074931 00000 п. 0000075091 00000 п. 0000075270 00000 п. 0000075449 00000 п. 0000075647 00000 п. 0000075840 00000 п. 0000076052 00000 п. 0000076301 00000 п. 0000076541 00000 п. 0000076769 00000 п. 0000076977 00000 п. 0000077186 00000 п. 0000077384 00000 п. 0000077552 00000 п. 0000077744 00000 п. 0000077924 00000 п. 0000078112 00000 п. 0000078281 00000 п. 0000078445 00000 п. 0000078654 00000 п. 0000078853 00000 п. 0000079045 00000 п. 0000079215 00000 п. 0000079431 00000 п. 0000079647 00000 п. 0000079825 00000 п. 0000080015 00000 п. 0000080297 00000 п. 0000080580 00000 п. 0000080776 00000 п. 0000081069 00000 п. 0000081329 00000 п. 0000081593 00000 п. 0000081806 00000 п. 0000082061 00000 п. 0000082348 00000 п. 0000083153 00000 п. 0000083410 00000 п. 0000083608 00000 п. 0000083874 00000 п. 0000084392 00000 п. 0000084444 00000 п. 0000084858 00000 н. 0000085113 00000 п. 0000085286 00000 п. 0000085495 00000 п. 0000085676 00000 п. 0000085915 00000 п. 0000086079 00000 п. 0000086346 00000 п. 0000086571 00000 п. 0000086784 00000 п. 0000087002 00000 п. 0000087254 00000 п. 0000087476 00000 п. 0000087729 00000 п. 0000087963 00000 п. 0000088162 00000 п. 0000088371 00000 п. 0000088529 00000 п. 0000088704 00000 п. 0000088878 00000 н. 0000089053 00000 п. 0000089216 00000 п. 0000089456 00000 п. 0000089697 00000 п. 0000089920 00000 н. 00000 00000 п. 00000 00000 п. 00000

00000 п. 0000093023 00000 п. 0000093238 00000 п. 0000093432 00000 п. 0000093685 00000 п. 0000093962 00000 п. 0000094181 00000 п. 0000094402 00000 п. 0000094674 00000 п. 0000094921 00000 п. 0000095166 00000 п. 0000095389 00000 п. 0000095660 00000 п. 0000095905 00000 п. 0000096167 00000 п. 0000096404 00000 п. 0000096678 00000 н. 0000096842 00000 п. 0000097008 00000 п. 0000097272 00000 п. 0000097325 00000 п. 0000097566 00000 п. 0000097838 00000 п. 0000098047 00000 п. 0000098290 00000 п. 0000098556 00000 п. 0000098791 00000 п. 0000098988 00000 п. 0000099236 00000 н. 0000099414 00000 н. 0000099924 00000 н. 0000100122 00000 н. 0000100329 00000 н. 0000100547 00000 н. 0000100771 00000 н. 0000100969 00000 н. 0000101175 00000 н. 0000101872 00000 н. 0000102080 00000 н. 0000102302 00000 п. 0000102523 00000 н. 0000102728 00000 н. 0000102962 00000 н. 0000103183 00000 п. 0000103415 00000 н. 0000103643 00000 п. 0000103838 00000 п. 0000104049 00000 н. 0000104258 00000 н. 0000104487 00000 н. 0000104717 00000 н. 0000104924 00000 н. 0000105140 00000 н. 0000105363 00000 п. 0000105598 00000 п. 0000105796 00000 н. 0000105989 00000 п. 0000005930 00000 н. 0000036958 00000 п. трейлер ] >> startxref 0 %% EOF 797 0 объект > эндобдж 1070 0 объект > транслировать HTY8 5! CK% DRQKBDFZMU ڢ 7] kJoф ע E + Z5b2 [\ Դ

Аналитическая модель МОП-транзисторов LDD в режиме пробоя

% PDF-1.7 % 1 0 объект > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 2 0 obj > транслировать 2015-05-14T08: 46: 16-07: 002015-05-14T08: 46: 16-07: 002015-05-14T08: 46: 16-07: 00Appligent pdfHarmony 2.0uuid: 89fb8273-a006-11b2-0a00-782dad000000uuid : 89fc291a-a006-11b2-0a00-50f8cdadfc7fapplication / pdf

Аналитическая модель для МОП-транзисторов LDD в режиме пробоя

Збигнев А. Козловский

Prince 9.0 rev 5 (www.princexml.com) pdfHarmony 2.0 Linux Kernel 2.6 64bit 13 марта 2012 Библиотека 9.0,1 конечный поток эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 obj > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text] / XObject> >> / Повернуть 0 / Тип / Страница >> эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > эндобдж 20 0 объект > эндобдж 21 0 объект > эндобдж 22 0 объект > эндобдж 23 0 объект > эндобдж 24 0 объект > эндобдж 25 0 объект > эндобдж 26 0 объект > эндобдж 27 0 объект > эндобдж 28 0 объект > эндобдж 29 0 объект > эндобдж 30 0 объект > эндобдж 31 0 объект > эндобдж 32 0 объект > эндобдж 33 0 объект > эндобдж 34 0 объект > эндобдж 35 0 объект > эндобдж 36 0 объект > эндобдж 37 0 объект > эндобдж 38 0 объект > эндобдж 39 0 объект > эндобдж 40 0 объект > эндобдж 41 0 объект > эндобдж 42 0 объект > эндобдж 43 0 объект > эндобдж 44 0 объект > эндобдж 45 0 объект > эндобдж 46 0 объект > эндобдж 47 0 объект > эндобдж 48 0 объект > эндобдж 49 0 объект > эндобдж 50 0 объект > эндобдж 51 0 объект > эндобдж 52 0 объект > эндобдж 53 0 объект > эндобдж 54 0 объект > эндобдж 55 0 объект > эндобдж 56 0 объект > эндобдж 57 0 объект > эндобдж 58 0 объект > эндобдж 59 0 объект > эндобдж 60 0 объект > эндобдж 61 0 объект > эндобдж 62 0 объект > эндобдж 63 0 объект > эндобдж 64 0 объект > эндобдж 65 0 объект > эндобдж 66 0 объект > эндобдж 67 0 объект > эндобдж 68 0 объект > эндобдж 69 0 объект > эндобдж 70 0 объект > эндобдж 71 0 объект > эндобдж 72 0 объект > эндобдж 73 0 объект > эндобдж 74 0 объект > эндобдж 75 0 объект > эндобдж 76 0 объект > эндобдж 77 0 объект > эндобдж 78 0 объект > эндобдж 79 0 объект > эндобдж 80 0 объект > эндобдж 81 0 объект > эндобдж 82 0 объект > эндобдж 83 0 объект > эндобдж 84 0 объект > эндобдж 85 0 объект > эндобдж 86 0 объект > эндобдж 87 0 объект > эндобдж 88 0 объект > эндобдж 89 0 объект > эндобдж 90 0 объект > эндобдж 91 0 объект > эндобдж 92 0 объект > эндобдж 93 0 объект > эндобдж 94 0 объект > эндобдж 95 0 объект > эндобдж 96 0 объект > эндобдж 97 0 объект > эндобдж 98 0 объект > эндобдж 99 0 объект > эндобдж 100 0 объект > эндобдж 101 0 объект > эндобдж 102 0 объект > эндобдж 103 0 объект > эндобдж 104 0 объект > / Граница [0 0 0] / Rect [81.0 646,991 198,432 665,009] / Подтип / Ссылка / Тип / Аннотация >> эндобдж 105 0 объект > / Граница [0 0 0] / Rect [81.0 617.094 192.168 629.106] / Подтип / Ссылка / Тип / Аннотация >> эндобдж 106 0 объект > / Граница [0 0 0] / Rect [243,264 211,794 382,656 223.806] / Подтип / Ссылка / Тип / Аннотация >> эндобдж 107 0 объект > / Граница [0 0 0] / Rect [81.0 144.141 81.0 153.15] / Подтип / Ссылка / Тип / Аннотация >> эндобдж 108 0 объект > / Граница [0 0 0] / Rect [327,704 97,5415 390,848 105,5495] / Подтип / Ссылка / Тип / Аннотация >> эндобдж 109 0 объект > транслировать xYKo7W1K [@ KoI $ ۤ6` __jDά8 => = J || Hiab? EP p) ‘NN 鵷 WgZOm? | H6! + Wg`l} ~ o? «ꄲ n} ~} f | Uy8 VFq9ïU%) [* ߵ v? NT Zw * a ‘ߓ {G1 = ru

W

2.2: Двухпортовые сети — Engineering LibreTexts

Многие методы, используемые при анализе цепей, требуют, чтобы напряжение на каждом выводе цепи было привязано к общей точке, такой как земля. В микроволновых схемах это сделать, как правило, затруднительно. Напомним, что с линиями передачи невозможно установить общую точку заземления. Однако с линиями передачи (и элементами схемы, которые используют распределенные эффекты) было замечено, что для каждого тока сигнала существует обратный ток сигнала.{1} \) Сеть на Рисунке 2.1.1 (а) имеет четыре терминала и два порта. Напряжение порта определяется как разность напряжений между парой клемм, при этом одна из клемм в паре становится опорной клеммой. Ток, входящий в сеть на верхнем терминале порта \ (\ mathsf {1} \), равен \ (I_ {1} \), и такой же ток выходит из эталонного терминала. Такое расположение явно имеет смысл, когда линии передачи подключены к портам \ (\ mathsf {1} \) и \ (\ mathsf {2} \), как на рисунке 2.{-} \), показанный на Рисунке 2.1.1 (b). Дизайн ВЧ и СВЧ обязательно требует переключения между двумя формами.

2.1.1 Взаимность, симметрия, пассивность и линейность

Взаимность, симметрия, пассивность и линейность — фундаментальные свойства сетей. Сеть является линейной, если отклик (напряжения и токи) линейно зависит от уровня возбуждения, а также применяется суперпозиция. Таким образом, если двухпортовый, показанный на рисунке 2.1.1 (a), является линейным, токи \ (I_ {1} \) и \ (I_ {2} \) являются линейными функциями \ (V_ {1} \) и \ (V_ {2} \).Примером линейной сети может быть сеть с резисторами и конденсаторами. Сеть с диодом может быть примером нелинейной сети.

Рисунок \ (\ PageIndex {1} \): Эквивалентные схемы параметров \ (z -, \: y -, \) и \ (h- \) для отображения на основе портов и глобального наземного представления. Иммитансы показаны как импедансы.

Пассивная сеть не имеет внутренних источников питания, поэтому сеть со встроенной батареей не является пассивной сетью. Симметричный двухпортовый интерфейс имеет одинаковые характеристики на каждом из портов.Примером симметричной сети является линия передачи с постоянным поперечным сечением.

Взаимный двухпортовый ответ имеет ответ в Порте \ (\ mathsf {2} \) от возбуждения в Порте \ (\ mathsf {1} \), который совпадает с ответом в Порте \ (\ mathsf {1} \) к тому же возбуждению в Порту \ (\ mathsf {2} \). В качестве примера рассмотрим двухпортовый на рис. 2.1.1 (a) с \ (V_ {2} = 0 \). Если сеть является взаимной, то отношение \ (I_ {2} / V_ {1} \) с \ (V_ {2} = 0 \) будет таким же, как отношение \ (I_ {1} / V_ {2 } \) с \ (V_ {1} = 0 \).Например, большинство сетей с резисторами, конденсаторами и линиями передачи являются взаимными. Транзисторный усилитель не является обратным, так как усиление, аналогичное соотношению \ (V_ {2} / V_ {1} \), имеет только одно направление (или однонаправленное).

2.2.2 Параметры, основанные на общем напряжении и токе

Здесь будут описаны параметры импеданса \ ((z) \), проводимости \ ((y) \) и гибридного \ ((h) \) на основе порта. Они похожи на более традиционные параметры \ (z, \: y, \) и \ (h \), определенные относительно общей или глобальной основы.Контрастные схемные представления параметров показаны на рисунке \ (\ PageIndex {1} \).

Параметры импеданса

Во-первых, параметры импеданса на основе портов будут рассмотрены на основе общих напряжений и токов портов, как определено для двухпортовых портов на рисунке 2.1.1. Эти параметры также называются параметрами импеданса порта или просто параметрами импеданса, если контекст понимается как порты.

Параметры импеданса на основе порта или параметры \ (z \) определены как

Рисунок \ (\ PageIndex {2} \): Эквивалентность схемы параметров \ (z \) и \ (y \) для обратной сети (в (b) элементы являются входами).

Рисунок \ (\ PageIndex {3} \): Подключение двухполюсного элемента к двухпортовому.

\ [\ begin {align} \ label {eq: 1} V_ {1} & = z_ {11} I_ {1} + z_ {12} I_ {2} \\ \ label {eq: 2} V_ {2 } & = z_ {21} I_ {1} + z_ {22} I_ {2} \ end {align} \]

или в матричной форме как

\ [\ label {eq: 3} \ mathbf {V} = \ mathbf {ZI} \]

Двойной индекс параметра упорядочен так, что первый относится к выходу, а второй — к входу, поэтому \ (z_ {ij} \) связывает выходное напряжение в порту \ (i \) с текущим входом в Порт \ (j \).Если сеть является взаимной, то \ (z_ {12} = z_ {21} \), но этот простой тип взаимосвязи не применяется ко всем параметрам сети. Эквивалентность обратной схемы параметров \ (z \) показана на рисунке \ (\ PageIndex {2} \) (a). Будет видно, что параметры \ (z \) являются удобными параметрами для использования, когда элемент включен последовательно с одним из портов, поскольку тогда операция, необходимая для разработки параметров \ (z \) большей сети, является просто добавлением .

На рисунке \ (\ PageIndex {3} \) (a) показано последовательное соединение двухполюсного элемента с двухпортом, обозначенным как сеть \ (\ text {A} \).{(A)} I_ {2} \]

, поэтому параметры \ (z \) всей сети можно записать как

\ [\ label {eq: 8} \ mathbf {Z} = \ left [\ begin {array} {cc} {z} & {0} \\ {0} & {0} \ end {array} \ right ] + \ mathbf {Z} _ {A} \]

Пример \ (\ PageIndex {1} \): эквивалент источника с двумя портами

Что такое эквивалентная схема Тевенина двухпортовой сети с оконечной нагрузкой справа?

Рисунок \ (\ PageIndex {4} \)

Решение

Из оригинальной схемы

\ [\ begin {align} \ label {eq: 9} V_ {1} & = Z_ {11} I_ {1} + Z_ {12} I_ {2} \\ \ label {eq: 10} V_ {2 } & = Z_ {21} I_ {1} + Z_ {22} I_ {2} \\ \ label {eq: 11} V_ {2} & = E-I_ {2} Z_ {L} \ end {align} \]

Подставляя уравнение \ (\ eqref {eq: 11} \) в уравнение \ (\ eqref {eq: 10} \)

\ [\ label {eq: 12} E = Z_ {21} I_ {1} + (Z_ {22} + Z_ {L}) I_ {2} \]

Умножение уравнения \ (\ eqref {eq: 9} \) на \ ((Z_ {22} + Z_ {L}) \) и уравнения \ (\ eqref {eq: 12} \) на \ (Z_ {12} \)

\ [\ begin {align} (Z_ {22} + Z_ {L}) V_ {1} & = (Z_ {22} + Z_ {L}) Z_ {11} I_ {1} \ nonumber \\ \ label {eq: 13} & \ quad + (Z_ {22} + Z_ {L}) Z_ {12} I_ {2} \\ \ label {eq: 14} Z_ {12} E & = Z_ {12} Z_ { 21} I_ {1} + Z_ {12} (Z_ {22} + Z_ {L}) I_ {2} \ end {align} \]

Вычитание уравнения \ (\ eqref {eq: 14} \) из уравнения \ (\ eqref {eq: 13} \)

\ [(Z_ {22} + Z_ {L}) V_ {1} — Z_ {12} E = [(Z_ {22} + Z_ {L}) Z_ {11} -] I_ {1} \ nonumber \ ]

\ [\ label {eq: 15} V_ {1} = \ frac {Z_ {12} E} {Z_ {22} + Z_ {L}} + \ left (Z_ {11} — \ frac {Z_ {12 } Z_ {21}} {Z_ {22} + Z_ {L}} \ right) I_ {1} \]

Для эквивалентной схемы Тевенина \ (V_ {1} = E _ {\ text {TH}} + I_ {1} Z _ {\ text {TH}} \) и так

\ [\ label {eq: 16} Z _ {\ text {TH}} = \ left (Z_ {11} — \ frac {Z_ {12} Z_ {21}} {Z_ {22} + Z_ {L}} \ right) \ quad \ text {and} \ quad E _ {\ text {TH}} = \ frac {Z_ {12} E} {Z_ {22} + Z_ {L}} \]

Параметры проводимости

Когда элемент находится в шунте с двумя портами, параметры полной проводимости на основе портов или параметры \ (y \) являются наиболее удобными для использования. {(A)} V_ {2} \ end {align} \]

Таким образом, параметры \ (y \) всей сети равны

\ [\ label {eq: 23} \ mathbf {Y} = \ left [\ begin {array} {cc} {y} & {0} \\ {0} & {0} \ end {array} \ right ] + \ mathbf {Y} _ {A} \]

Рисунок \ (\ PageIndex {5} \): Последовательное соединение двух двухпортовых сетей.

Рисунок \ (\ PageIndex {6} \): Пример последовательного соединения двухпортовых сетей: (а) усилитель; и (б) его компоненты, представленные в виде двухпортовых сетей.

Параметры гибрида

Иногда удобнее использовать гибридные параметры или параметры \ (h \), определяемые

\ [\ label {eq: 24} V_ {1} = h_ {11} I_ {1} + h_ {12} V_ {2} \ quad \ text {и} \ quad I_ {2} = h_ {21} I_ {1} + h_ {22} V_ {2} \]

или в матричной форме как

\ [\ label {eq: 25} \ left [\ begin {array} {c} {V_ {1}} \\ {I_ {2}} \ end {array} \ right] = \ mathbf {H} \ left [\ begin {array} {c} {I_ {1}} \\ {V_ {2}} \ end {array} \ right] \]

Эти параметры удобно использовать с транзисторными схемами, поскольку они описывают управляемый напряжением источник тока, который представляет собой простую модель транзистора.

Выбор используемых сетевых параметров зависит от удобства, но, как будет видно по всему тексту, некоторые параметры естественным образом описывают конкретную характеристику, желаемую в проекте. Например, если порт \ (\ mathsf {1} \) является входным портом усилителя, а порт \ (\ mathsf {2} \) является выходным портом, \ (h_ {21} \) описывает текущий коэффициент усиления усилитель.

2.2.3 Последовательное соединение двухпортовых сетей

Последовательное соединение двух двух портов показано на рисунке \ (\ PageIndex {5} \).Пример того, когда происходит последовательное соединение, показан на рисунке \ (\ PageIndex {6} \), который представляет собой схему конфигурации транзисторного усилителя с катушкой индуктивности в ветви истока. Транзистор и катушка индуктивности могут быть представлены как два порта, так что схема на рисунке \ (\ PageIndex {6} \) (a) представляет собой последовательное соединение двух двух портов, как показано на рисунке \ (\ PageIndex { 6} \) (б). {(B)}} \ end {array} \ right] \ end {align} \]

Таким образом, общее отношение параметра \ (y \) равно

\ [\ label {eq: 35} \ left [\ begin {array} {c} {I_ {1}} \\ {I_ {2}} \ end {array} \ right] = (\ mathbf {Y} _ {A} + \ mathbf {Y} _ {B}) \ left [\ begin {array} {c} {V_ {1}} \\ {V_ {2}} \ end {array} \ right] \]

Рисунок \ (\ PageIndex {8} \) представляет собой пример подсхем, которые могут быть представлены как два порта, которые затем соединяются параллельно.

2.2.5 Последовательно-параллельное соединение двухпортовых сетей

Подход, аналогичный подходу, описанному в предыдущем подразделе, применяется при разработке общих сетевых параметров последовательно-параллельного соединения

.

Рисунок \ (\ PageIndex {8} \): Пример параллельного соединения двух двух портов: (а) усилитель обратной связи; и (б) его компоненты, представленные в виде двухпортовых сетей \ (\ text {A} \) и \ (\ text {B} \).

Рисунок \ (\ PageIndex {9} \): Последовательно-параллельное соединение двух портов.{(B)}} \ end {array} \ right] \ end {align} \]

В компактной форме:

\ [\ label {eq: 42} \ left [\ begin {array} {c} {V_ {1}} \\ {I_ {2}} \ end {array} \ right] = (\ mathbf {H} _ {A} + \ mathbf {H} _ {B}) \ left [\ begin {array} {c} {I_ {1}} \\ {V_ {2}} \ end {array} \ right] \]

2.2.6 \ (ABCD \) Матричная характеристика двухпортовых сетей

Параметры

\ (ABCD \) являются лучшими параметрами для использования при каскадном соединении двух портов, как показано на рисунке \ (\ PageIndex {10} \), и требуются отношения общего напряжения и тока.Сначала рассмотрим рисунок \ (\ PageIndex {11} \), на котором показаны напряжения и токи

Рисунок \ (\ PageIndex {11} \): Двухпортовая сеть с каскадируемыми определениями напряжения и тока.

в каскадной форме с входными переменными в терминах выходных переменных:

\ [\ label {eq: 43} \ left [\ begin {array} {c} {V_ {a}} \\ {I_ {a}} \ end {array} \ right] = \ left [\ begin { массив} {cc} {A} & {B} \\ {C} & {D} \ end {array} \ right] \ left [\ begin {array} {c} {V_ {b}} \\ {I_ {b}} \ end {array} \ right] \]

Отношение взаимности параметров \ (ABCD \) не так просто, как для параметров \ (z \) и \ (y \).Чтобы увидеть это, сначала выразите параметры \ (ABCD \) через параметры \ (z \). Обратите внимание, что ток в Порте \ (\ mathsf {2} \) имеет направление, противоположное обычному определению двухпортового тока, показанному на Рисунке 2.1.1 (a). Итак

\ [\ begin {align} \ label {eq: 44} V_ {a} & = V_ {1} \\ \ label {eq: 45} I_ {a} & = I_ {1} \\ \ label {eq » : 46} V_ {a} & = z_ {11} I_ {a} -z_ {12} I_ {b} \\ \ label {eq: 47} V_ {b} & = V_ {2} \\ \ label { eq: 48} I_ {b} & = — I_ {2} \\ \ label {eq: 49} V_ {b} & = z_ {21} I_ {a} -z_ {22} I_ {b} \ end { align} \]

Из уравнения \ (\ eqref {eq: 49} \),

\ [\ label {eq: 50} I_ {a} = \ frac {z_ {22}} {z_ {21}} I_ {b} + \ frac {1} {z_ {21}} V_ {b} \ ]

и подставив это в уравнение \ (\ eqref {eq: 46} \), получим

\ [\ label {eq: 51} V_ {a} = \ frac {z_ {11}} {z_ {21}} V_ {b} + \ left (z_ {11} \ frac {z_ {22}} { z_ {21}} — z_ {12} \ right) I_ {b} \]

Сравнение уравнений \ (\ eqref {eq: 50} \) и \ (\ eqref {eq: 51} \) с уравнением \ (\ eqref {eq: 43} \) приводит к

\ [\ label {eq: 52} \ begin {align} A & = z_ {11} / z_ {21} & B & = \ Delta_ {z} / z_ {21} \ nonumber \\ C & = 1 / z_ {21} & D & = z_ {22} / z_ {21} \ nonumber \ end {align} \]

где

\ [\ label {eq: 53} \ Delta_ {z} = z_ {11} z_ {22} -z_ {12} z_ {21} \]

Перестановка,

\ [\ label {eq: 54} \ begin {align} z_ {11} & = A / C & z_ {12} & = (AD-BC) / C \ nonumber \\ z_ {21} & = 1 / C & z_ {22} & = D / C \ nonumber \ end {align} \]

Теперь можно определить условие взаимности в терминах параметров \ (ABCD \).Для параметров \ (z \) \ (z_ {12} = z_ {21} \) для взаимности; то есть из уравнения \ (\ eqref {eq: 54} \) для обратной сети,

\ [\ label {eq: 55} \ frac {AD-BC} {C} = \ frac {1} {C} \ quad \ text {and} \ quad AD-BC = 1 \]

Таким образом, чтобы двухпортовая сеть была взаимной, \ (AD — BC = 1 \). Полезность этих параметров заключается в том, что матрица \ (ABCD \) каскадного соединения двух портов \ (N \) на рисунке \ (\ PageIndex {10} \) равна произведению \ (ABCD \) матрицы отдельных двухпортовых:

\ [\ label {eq: 56} \ left [\ begin {array} {cc} {A} & {B} \\ {C} & {D} \ end {array} \ right] = \ left [\ begin {array} {c} {A_ {1}} & {B_ {1}} \\ {C_ {1}} & {D_ {1}} \ end {array} \ right] \ left [\ begin {array } {cc} {A_ {2}} & {B_ {2}} \\ {C_ {2}} & {D_ {2}} \ end {array} \ right] \ cdots \ left [\ begin {array} {cc} {A_ {N}} & {B_ {N}} \\ {C_ {N}} & {D_ {N}} \ end {array} \ right] \]

См. В таблице \ (\ PageIndex {1} \) параметры \ (ABCD \) для нескольких двухпортовых сетей.

Таблица \ (\ PageIndex {1} \): \ (ABCD \) параметров нескольких двухпортов. Линия передачи без потерь с постоянной распространения \ (\ beta \). (\ (\ beta \ ell \) и \ (\ theta \) — электрические длины линий передачи в радианах.)

Сноски

[1] Даже когда термин «двухпортовый» используется сам по себе, дефис используется, поскольку он относится к двухпортовой сети.

— аналитический подход для упрощения автоматизированного проектирования.

ция фазовых условий, а затем

— отказ от колебаний.(Прерывистые линии

на графике Pout в зависимости от L и C на графике

уточняют границы колебательного импульса.) Постоянный ток коллектора смещения

не превышал 32 мА в течение

. процедура моделирования.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Был разработан простой аналитический метод конструкции генератора на биполярном транзисторе mi-

, который определяет явные выражения для оптимальных

значений элементов обратной связи через

Z-параметров биполярного транзистора.Концепция отрицательного сопротивления

используется

для разработки генератора на биполярных транзисторах mi-

с последовательной обратной связью

с оптимизированными элементами обратной связи

и максимальной выходной мощностью, равной

параметру импеданса транзистора

метров. Такой подход значительно упрощает процедуру моделирования нелинейной схемы. Окончательное повторное моделирование

результатов указывает на привлекательность и

целесообразность аналитической оценки параметра схемы

, используемой для нелинейного компьютерного проектирования

.■

Ссылки

1. C.R. Chang, M.B. Стир, С. Мартин и Э.

Риз, «Компьютерный анализ свободно работающих микроволновых генераторов

», IEEE

Transactions on Microwave Theory and

Techniques, Vol. 39, October 1991,

pp. 1735–1745.

2. R.J. Трю, «Модели MESFET для компьютерного проектирования микроволнового излучения Mi-

», журнал Mi-

crowave, Vol. 33, No. 5, May 1990,

pp. 115–128.

3.Д.А. Уоррен, Дж.М.Голио и В.Л. Seely,

«Анализатор осцилляторов больших и малых сигналов —

sis», Microwave Journal, Vol. 32, No. 5,

May 1989, pp. 229–246.

4. А.В. Гребенников, В. Никифоров, «Аналитический метод

для СВЧ транзистора

, проектирование осциллятора», Международный журнал электроники

, Vol. 83, декабрь 1997 г.,

стр. 849–858.

5. D.F. Page, «Основы проектирования схем транзисторных генераторов Junction

», Proceedings

of IRE, Vol.46, ноябрь 1958 г., стр.

1271–1280.

6. М. Мадихиан и Т. Ногучи, «Аналитический подход к проектированию микроволнового GaAs-полевого транзистора Os-

», NEC Research and Devel-

, № 82, июль 1986 г., стр. 49–56.

7. П. Антогнетти и Г. Массобрио, Semicon-

Моделирование устройств ductor с помощью SPICE, Mc-

Graw-Hill, New York, NY, 1993.

8. Serenade 7.5, Reference Volume, Ansoft

Corp., Нью-Джерси, 1998.

Андрей В.

Гребенников получил

диплом инженера

в Московском технологическом институте

и докторскую степень

в Московском техническом университете

Связь и

информатика в 1980 г.

,

и 1991, соответственно.

В 1983 году поступил на научно-исследовательский отдел

Московского технического университета

Связь и информатика в качестве ассистента-исследователя

.С октября 1998 года

Гребенников работает в Институте микроэлектроники

, Сингапур. Его исследования

включают проектирование и разработку передатчиков

power FM и телевизионных передатчиков VHF-UHF

; гибридные микросхемы узкополосных усилителей

и широкополосных ВЧ и СВЧ малой и высокой мощности

с высоким КПД и линейностью;

и одночастотные и управляемые напряжением генераторы

, использующие биполярные и полевые транзисторы.

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

и 8 соответственно. Несмотря на некоторое достаточно серьезное предварительное упрощение

, экспериментальные результаты показывают хорошую точность прогнозируемой частоты колебаний

за счет аналитического

расчета параметров обратной связи

(с учетом стандартная нагрузка —

в условиях с RL = 50 Ом). Действующее значение ex-

установившегося колебания

частоты f = 4 ГГц реализуется при Re =

28 Ом, когда выходная мощность Pout составляет

, близкую к максимальному значению.Далее —

, выходная мощность Pout = 21,5

дБм очень близка к максимальному значению —

ue 21,9 дБм при оптимальной нагрузке RL

0 = 45 Ом

, где реализована полная фазовая компенсация

.

Для проверки достоверности выбранных

параметров обратной связи L = 1,2 нГн и

C = 0,8 пФ, моделирование некоторых схем

с другими наборами параметров обратной связи

элементов, удовлетворяющих условиям колебаний —

значений при резонансная частота f = 4

ГГц.Из результатов

следует, что отклонение параметров обратной связи на

от оптимального набора

приводит сначала к ухудшению-

662k smd транзистор pdf

Единственный регулятор напряжения — 662k, это слишком мало по сравнению к другим регуляторам напряжения! si2301ds datasheet (pdf) 1. сообщение как гостевое имя. получите товар, который вы заказали, или получите обратно свои деньги 662k smd транзистор pdf.

ic, pos volt reg, 0. макс. Входное напряжение 8В: номинальное выходное напряжение 6В.5а сот- 23 смд триодный транзистор. каталог электронных компонентов. Максимальный выходной ток: 500 мА. параметры и характеристики. 39; Коды маркировки транзисторов smd pdf wilyxucil 15 июня — коды маркировки транзисторов smd pdf устройства smd по самой своей природе слишком малы для кодов транзисторов smd Значения в маркировке 22 июня, — резистор поверхностного монтажа. узнать 662k smd транзистор pdf подробнее — открывается в новом окне или вкладке.эта сумма может быть изменена до тех пор, пока вы не произведете оплату. перейти к основному содержанию.

на обрезке микросхем позволяет стабилизатору достичь очень жесткого допуска выходного напряжения, в пределах ± 1% при 25 ° C. маркировка радиодеталей, коды smd 1п. проценты будут взиматься с вашего счета с даты покупки, если остаток не будет полностью выплачен в течение 6 месяцев. а вы проверяли ebay? 662k доступны на сайте Mouser Electronics. Судя по картинке 662j, это рободуино.

обеспечивается транзистором npn pass.определение типового номера производителя устройства smd из. 662k smd pdf — серия xc — это высокоточные 3-полюсные стабилизаторы положительного напряжения с низким энергопотреблением, изготовленные с использованием. xc6206p332mr (662k) 3. 7 a bjts — биполярные транзисторы биполярные транзисторы — bjt. информация о продавце superdeals посмотреть другие товары еще saint louis, missouri, usa. Устройства smd по самой своей природе слишком малы, чтобы иметь обычные номера типов полупроводников. pdf размер: 61k _ vishay. 2sc4468 даташит pdf; конвертировать smartform в pdf; airtac 2v025-08 pdf; apl1581 даташит pdf; c1383 транзистор pdf; coto 9091 pdf; 662k smd pdf; глобальный обзор сексуального благополучия durex, pdf; bty79 даташит pdf; abit sl6 pdf.

даташиты cmdz18l, fmmt2222a, kst2222a, mmbt2222a, mmbt2222at. txt) или читайте онлайн бесплатно. сроки доставки могут отличаться, особенно в периоды пиковой нагрузки. taitroncomponents. это смс нет в наличии. xc6206p332mr- ‘662k’ smd стабилизатор напряжения — скачать бесплатно в формате pdf (. 5-v описание продукта mosfet vds (v) rds (on) (w) id (a) 0. проверить транзистор. ds1x055-k smd code 662k 662k

3v, smd, sot- 23- 3. Для стабильности требуется только очень распространенный конденсатор минимальной емкостью 10 мкФ.Размеры упаковки сот- 23, сот346, сот- 323, сот- 416, сот- 223, сот- 89, сот- 143, сот- 363 диодов. com страница 3 из 3 размеров в мм как с нами связаться: штаб-квартира в сша 28040 west harrison parkway, valencia, catel: (800) taitronfax: (800) taitfaxemail: com com. com за последний месяц посетило более 1 млн пользователей. этот товар 662 должен быть отправлен через глобальную программу доставки и включает международное отслеживание. 000 smd-кодов для различных полупроводников, таких как диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы.узнать больше — открывается в новом окне или вкладке. • СТК и СТР интегральные микросхемы, редакция.

от 9 до 236 (sot- 23) g 1 3 d информация для заказа: si2301ds- t1 s 2 вид сверху si2301ds (a1) * * код маркировки Абсолютные максимальные характеристики (ta = 25_ c, если не указано иное) параметр. Пакет резисторов smd эквивалентен кодировке даты цифровых транзисторов. более 80% новых и купите сейчас; это новый ebay. Я очень ценю своих клиентов и делаю все возможное, чтобы предоставлять качественный продукт. cmos и лазерная обрезка.(посмотрите размер и размер официальной ардуино), поэтому высокая температура — это нормально. Выходной ток 3 В: 200 мА, выпадение напряжения vdo: 250 мВ Тип корпуса регулятора ldo: sot- 23. Посмотреть другие товары есть ли еще один на продажу? конденсаторы; вел; диоды; транзисторы; индукторы; оптопары; микроконтроллеры; интегральные схемы (ic). папка продукта заказать сейчас техническая документация инструменты и поддержка программного обеспечения и справочный дизайн сообщества. Важное примечание в конце этого листа данных касается доступности, гарантии, изменений, использования в критически важных для безопасности приложениях.smd транзистор общего назначения (pnp) www.

, пожалуйста, убедитесь, что ваш подтвержденный адрес PayPal действителен, чтобы избежать задержек с доставкой. добавить в список наблюдения удалить из списка наблюдения. коды smd кодовой книги smd. В новом издании базы данных smd-кодов в электронном формате от известного автора eugeniu turuta представлены smd-коды для активных полупроводниковых компонентов. вместо этого выросла несколько произвольная система кодирования, в которой пакет устройства содержит простой двух- или трехсимвольный идентификационный код.

, 60 В, 600 мА, переключающий транзистор pnp в ультрамалом пластиковом корпусе для безвыводных устройств поверхностного монтажа (smd) dfn1006b-3 (sot883b).выходной ток: 250 мА. mouser предлагает инвентарь, цены и спецификации за 662 тыс. Судя по картинке, это рободуино. получите немедленное предложение.

техпаспорт — регулятор напряжения smd. Я быстро упаковываю и отправляю ваши вещи! Фактически в этом случае, в отличие от pnp, ток покоя в основном течет в нагрузку. оригинал: pdf dvhe2800s iso9001 milprf- 38534 mil- std- 883. аннотация: smd code 662k 662k smd smd 662k smd транзистор 662k 662k транзистор smd. 16 pmbt3904qa, 40 в, 200 мА, переключающий транзистор npn в ультрамалом пластиковом корпусе для безвыводных устройств поверхностного монтажа (smd) dfn1010d-3 (sot1215) с видимыми и паяемыми боковыми контактными площадками.

отзывов о выживании от других, кто купил этот предмет. вернуться на главную страницу. 662k 662k smd smd маркировка код 336 маркировка 662k: k. этот товар имеет увеличенное время обработки и предполагаемую доставку более 15 рабочих дней.

см. 662k smd транзистор pdf все определения условий. регулируемый ld1117 штырь к штырю. (arduino uno может получить до 1a, а регулятор больше). 3v, sot23- 3 входное напряжение мин: 1. pdf), текстовый файл (. 662k datasheet, 662k pdf, 662k data sheet, 662k manual, 662k pdf, 662k, datenblatt, electronics 662k, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data). лист, датас.выберите допустимую страну. введите 5 или 9 цифр для почтового индекса. Эта книга включает в себя теперь 235. 5a sot- 23 smd триодные транзисторы. Специальные предложения и рекламные акции amazon business: цены только для бизнеса, оптовые скидки и бесплатная доставка. Компоненты smd / smt.

12 v npn 2 a биполярные транзисторы — bjt, — 400 v — 400 v pnp биполярные транзисторы — bjt, dual smd / smt npn, pnp bjts — биполярные транзисторы биполярные транзисторы — bjt, 60 в sot- 23-3 smd / smt Биполярные транзисторы npn — bjt, 150 v smd / smt транзисторы — bjt, 0.smd код упаковка название устройства данные производителя; 2f sot- 23 fmmt2907a: zetex (теперь диоды) pnp-транзистор: 2f sot- 23 kst2907a: fairchild: pnp-транзистор: 2f sot- 23 mmbt2907a: bl galaxy electric: pnp-транзистор: 2f sot- 523 mmbt2907at: bl galaxy electric: pnp-транзистор : 2f- sot- 23 2sa1036kpt: chenmko: pnp транзистор: 2f- sot- 323. si2301ds vishay Siliconeix p- channel 1. введите 5 или 9 цифр для zip 662k. xc6206p332mr xc6206 662k sot23. найти выгодные предложения прямо сейчас! 662k 548k код smd y1 dvhe2805sf текст: 435k 3.Таблица данных транзистора zxmp7a17g, эквивалент zxmp7a17g, спецификации в формате pdf.

SS8050-G Лист данных компании Comchip Technology

1

База

2

Излучатель

Коллектор

3

Диаграмма:

Размеры в дюймах и (миллиметрах)

3

1 2

0,118 (3,00) 9109

0.055 (1,40)

0,047 (1,20)

0,079 (2,00)

0,071 (1,80)

0,041 (1,05)

0,035 (0,90)

0,020 (0,50)

0,012 (0,30) 0,00

(

) 0,15)

0,003 (0,08)

0,100 (2,55)

0,089 (2,25)

0,004 (0,10) макс.

0,012 (0,30)

0,020 (0,50)

SS8050-G (NPN)

9000 Устройство

Транзистор общего назначения

QW-BTR56 Page 1

REV A:

Comchip Technology CO., ООО

Компания оставляет за собой право без предварительного уведомления улучшать дизайн, функции и надежность продукта.

Максимальные характеристики (при TA = 25 ° C, если не указано иное)

VCEO

Напряжение эмиттер-база

Напряжение коллектор-эмиттер

Напряжение коллектор-база

Ток коллектора

Символ

Параметр Значение Единица

В

В

В

5

25

40

IC1.5 A

300 мВт

PC

Рассеиваемая мощность коллектора

° C / Вт

RθJA 417

VCBO

VEBO

° C

TJ

TJ

9000 9000

Температура перехода

Температура хранения -55 ~ + 150

Символ

Параметр Условия Мин.

Макс.

Агрегат

Электрические характеристики (при TA = 25 ° C, если не указано иное)

Напряжение пробоя коллектор-база

0.1

IC = 100 мкА, IE = 0

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер

Напряжение пробоя эмиттер-база

Ток отсечки коллектора

Ток отсечки коллектора

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Частота перехода

IC = 0,1 мА, IB = 0

IE = 100 мкА, IC = 0

VCB = 40 В, IE = 0

VE = 20 В, IE = 0C

IC = 800 мА, IB = 80 мА

VCE = 10 В , IC = 50 мА, f = 30 МГц

В (BR) CBO

В (BR) CEO

В (BR) EBO

ICBO

ICEO

VCE (sat)

fT

25

5

0.