Pnp транзистор в ключевом режиме
Ключевой режим работы характеризуется тем, что транзистор находится в одном из двух состояний: в полностью открытом режим насыщения , или полностью закрытом состояние отсечки. Рассмотрим пример, где в качестве нагрузки выступает контактор типа КНЕ на напряжение 27В с катушкой сопротивлением Ом. Индуктивным характером катушки в данном примере пренебрежем, считая, что реле будет включено раз и надолго. Ik —ток коллектора.
Поиск данных по Вашему запросу:
Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
- Краткие сведения о работе биполярного транзистора в ключевом режиме
- PNP-транзистор: схема подключения.
Какая разница между PNP и NPN-транзисторами? Транзистор на схеме
- Ключевой режим работы биполярного транзистора
- ТРАНЗИСТОРЫ
- Транзисторный ключ
- Биполярный транзистор
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Транзистор в ключевом режиме. Схема с общим коллектором (Эмиттерный повторитель)
Краткие сведения о работе биполярного транзистора в ключевом режиме
Ключевой режим работы характеризуется тем, что транзистор находится в одном из двух состояний: в полностью открытом режим насыщения , или полностью закрытом состояние отсечки. Рассмотрим пример, где в качестве нагрузки выступает контактор типа КНЕ на напряжение 27В с катушкой сопротивлением Ом.
Ik —ток коллектора. Ucc — напряжение питания 27В. U кэнас- напряжение насыщения биполярного транзистора типично от 0. R н- сопротивление нагрузки Ом. На практике из соображений надежности элементы всегда необходимо выбирать с запасом. Возьмем коэффициент 1.
Таким образом, нужен транзистор с допустимым током коллектора не менее 1. Открываем справочник по биполярным транзисторам. Следующим этапом рассчитываем ток базы, который нужно создать, чтобы обеспечить ток коллектора 0.
Как известно, ток коллектора связан с током базы соотношением. При отсутствии дополнительных данных можно взять табличное гарантированное минимальное значение для КТА Но для КТ есть график зависимости h 21э от тока эмиттера. Разница невелика, но для чистоты эксперимента возьмем графические данные.
Для расчета базового резистора R 1 смотрим второй график, где приведена зависимость напряжения насыщения база-эмиттер U бэнас от тока коллектора.
Из стандартного ряда сопротивлений выбираем ближайшее в меньшую сторону 1. Если к базе подключен шунтирующий резистор вводится для более быстрого выключения транзистора или для повышения помехоустойчивости нужно учитывать, что часть входного тока уйдет в этот резистор, и тогда формула примет вид:.
Рассчитываем потери мощности на транзисторе:. U кэнас берем из графика: при мА оно составляет 0. Мощность смешная, радиатора не потребуется.
PNP-транзистор: схема подключения. Какая разница между PNP и NPN-транзисторами? Транзистор на схеме
Приветствую вас дорогие друзья! Сегодня речь пойдет о биполярных транзисторах и информация будет полезна прежде всего новичкам. Транзисторы бывают в основном двух видов: биполярные транзисторы и полевые транзисторы. Поэтому в этой статье мы рассмотрим исключительно биполярные транзисторы а о полевых транзисторах я расскажу в одной из следующих статей.
Биполярный транзистор это потомок ламповых триодов, тех что стояли в телевизорах 20 -го века. Триоды ушли в небытие и уступили дорогу более функциональным собратьям — транзисторам, а точнее биполярным транзисторам.
Также биполярные транзисторы имеют разную структуру — p-n-p или n-p-n. Когда транзистор работает в ключевом режиме, то обычно к выходу.
Ключевой режим работы биполярного транзистора
Компьютерные сети Системное программное обеспечение Информационные технологии Программирование. Все о программировании Обучение Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации Главная Тексты статей Добавить статьи Контакты Краткие сведения о работе биполярного транзистора в ключевом режиме Дата добавления: ; просмотров: ; Нарушение авторских прав.
На основе биполярного транзистора может быть построен электронный ключ — устройство, которое под действием управляющего сигнала замыкает или размыкает электрическую цепь. При этом транзистор в режиме отсечки эквивалентен разомкнутому ключу, а в режиме насыщения — замкнутому. На рис. Для ряда пояснений на рис 19, в приведены выходные ВАХ биполярного транзистора и нагрузочная прямая для выходной цепи ключа. Схема ключа на биполярном транзисторе а , упрощенные временные диаграммы его работы б , выходные ВАХ биполярного транзистора с нагрузочной прямой в. А вверх. При этом I к возрастает, а U кэ уменьшается, а также уменьшается напряжение на коллекторном переходе U кб. Пока оно остается обратным, транзистор остается в активном режиме.
ТРАНЗИСТОРЫ
Теория и практика. Кейсы, схемы, примеры и технические решения, обзоры интересных электротехнических новинок. Уроки, книги, видео. Профессиональное обучение и развитие. Сайт для электриков и домашних мастеров, а также для всех, кто интересуется электротехникой, электроникой и автоматикой.
Раньше, когда еще не было сверхмощных компьютеров и сверхскоростного интернета, сообщения передавали с помощью азбуки Морзе. В азбуке Морзе использовались три знака: точка, тире и… пауза.
Транзисторный ключ
Электроника для начинающих Электроника для начинающих. Основы электроники. Занимательная электроника для детей и не только! Электроника для детей. Мастерская юного электронщика. Телевидение Антенны.
Биполярный транзистор
Добрый день, ситуация вроде проде бы простая, управление реле на 12В. Мы принимаем формат Sprint-Layout 6! Экспорт в Gerber из Sprint-Layout 6. А это потому что сам транзистор питается от 12 вольт,вот еслибы лог 1 была 12 вольт,он бы закрывался. Ставь два транзистора. Конденсаторы Panasonic.
Отличие n-p-n транзистора от p-n-p транзистора состоит лишь в том что Транзистор в ключевом режиме это один из случаев.
В этом типе конструкции транзистора его PN-переходы открываются напряжениями обратной полярности по отношению к NPN-типу.
В условном обозначении прибора стрелка, которая также определяет вывод эмиттера, на этот раз указывает внутрь символа транзистора. Конструктивная схема транзистора PNP-типа состоит из двух областей полупроводникового материала p-типа по обе стороны от области материала n-типа, как показано на рисунке ниже. PNP-транзистор имеет очень схожие характеристики со своим NPN-биполярным собратом, за исключением того, что направления токов и полярности напряжений в нем обратные для любой из возможных трех схем включения: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором.
Войдите , пожалуйста. Хабр Geektimes Тостер Мой круг Фрилансим. Войти Регистрация. Биполярные транзисторы. For dummies Электроника для начинающих Предисловие Поскольку тема транзисторов весьма и весьма обширна, то посвященных им статей будет две: отдельно о биполярных и отдельно о полевых транзисторах.
Ключевой режим работы транзистора , наверное, один из самых простых с точки зрения поддержания параметров и в тоже время очень часто встречающихся из режимов работы транзистора.
Информация содержит все, необходимые для подбора компонентов и проведения инженерных расчетов, параметры, а также цоколевку корпусов, типовые схемы включения и рекомендации по использованию радиоэлементов. Для того, чтобы правильнее понять процедуру расчета, необходимо понимать каких видов и типов бывают транзисторы и в каких режимах они могут работать. Биполярные управляются током на база-эмиттерном переходе, конструктивно имеют два различных перехода p-n и n-p, то есть могут быть n-p-n или p-n-p типа ;. Униполярные или полевые управляются напряжением на база-эмиттерном переходе, конструктивно состоят из двух однотипных переходов p-n или n-p, выделяют два типа полевых транзисторов — с изолированным затвором и с затвором из p-n-перехода. Так как речь идет о расчете тока базы, то далее рассмотрим режимы работы только полевых транзисторов:.
Рассмотрим подробнее ключевой режим работы транзистора. На рис. Попробуем рассчитать необходимую величину резистора в базе.
Работа MOSFET в ключевом режиме.
Модуль 140C07.- ElektrolifeЭта статья поможет разобраться в свойствах полевых транзисторов с изолированным затвором — MOSFET при работе в ключевом режиме. Разберем подробно процесс включения и выключения, возможные потери при работе транзистора. Поближе посмотрим на MOSFET модуль 140C07, изучим его схему и возможности.
Сегодня на основе полевых транзисторов с изолированным затвором (MOSFET — Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) построено большинство схем электроники, входят в состав большого круга различных изделий от микропроцессоров до силовых модулей. Несмотря на то, что технология появилась еще до биполярных транзисторов, на практике их начали использоваться только в 70-х годах.
В цифровых и силовых устройствах использование полевых транзисторов более популярно, и это понятно. Во-первых, полевыми транзисторами легко управлять — их управляющий электрод изолирован от области тока нагрузки, и для поддержания его в открытом состоянии энергии не требуется вообще.
Когда полевой транзистор открывается, его управляющий ток практически равен нулю. Заряд, необходимый для переключения, значительно снижен и, соответственно, снижено время его переноса. Это в огромной степени снижает проблемы с излишним падением напряжения на приборе в режиме ожидания — и резко уменьшает время выключения транзистора. Использование полевых транзисторов оказывается значительно более энергоэффективным.Важным свойством полевого транзистора для силовой электроники — является то, что канал полевого транзистора ведет себя как резистор, то есть падение напряжения между стоком и истоком изменяется линейно от протекающего через канал тока. Это линейное соотношение характеризуется сопротивлением канала в открытом состоянии RDS(on) (обычно указывается в даташите).
Это сопротивление является константой при заданном напряжении сток/исток и температуре кристалла. В отличии от биполярного транзистора, где сопротивление с ростом температуры падает, сопротивление открытого канала полевого транзистора имеет положительный температурный коэффициент.
С ростом температуры ток уменьшается. Сопротивление изменяется до 1% на градус по Цельсию. Другими словами, при параллельном включении силовых ключей ток, проходящий через каждый ключ, автоматически выравнивается. Транзистор, ток через который больше, нагревается больше, а поскольку напряжение на всех ключах одинаковое, то это приводит к уменьшению тока через его канал. В результате достигается равновесие, когда ток через все параллельно включенные транзисторы становится одинаковым.Работа в ключевом режиме
В ключевом режиме работы полевого транзистора основной целью является его переключение между состояниями с наибольшим и наименьшим сопротивлением за минимально возможное время. Как и
биполярные транзисторы, MOSFET содержат в себе три паразитные емкости, включенные между выводами прибора. Возможности быстрого переключения полевого транзистора зависят от того, как быстро эти емкости могут перезаряжаться.В устройствах с высокими скоростями переключения наиболее важными параметрами полевого транзистора являются характеристики этих паразитных конденсаторов.
В документации на транзистор, т.е. в даташите обычно значение этих емкостей не указываются. Зато указывают другие:Input Capacitance – Ciss (Входная емкость)
Output Capacitance – Coss (Выходная емкость)
Reverse Transfer Capacitance – Crss (Емкость обратной передачи)
Из них можно получить:
Сзс = Crss
Сзи = Ciss – Crss
Сис = Coss – Crss
Немаловажным параметром также является внутреннее сопротивление вывода затвора Rзвн. Это паразитное сопротивление включено последовательно с входным сигналом и находится внутри корпуса, и при высоких скоростях переключения имеет влияние, поскольку расположено оно между внешним драйвером и входной емкостью транзистора и, следовательно, прямо влияет на скорость переключения. К сожалению, не указывается в документации на транзисторы.
Еще одним важным параметром является порог открывания транзистора Vth (Gate Threshold Voltage). Его значения даются для тока исток/сток 250 мкА при температуре 25 градусов по Цельсию.
Поскольку силовые полевые транзисторы обычно работают при повышенных температурах, при разработке схем управления необходимо учитывать наименьшее значение Vth для гарантированного выключения транзистора и его способности оставаться в этом состоянии при резких изменениях напряжения.Включение
Давайте рассмотрим, как происходит включение транзистора. Весь процесс состоит из четырёх этапов.
На первом заряжается входная емкость транзистора от 0В до Vth. В течении этого времени большая часть затворного тока идет на заряд конденсатора Cзи, и небольшой ток течет через конденсатор Cзс (напряжение на затворе увеличивается и напряжение на Cзс слегка уменьшается). На этом этапе происходит задержка включения (turn-on delay), поскольку не изменяется ни ток исток/сток через транзистор, ни напряжение на нем. Как только напряжение на затворе достигает порогового уровня Vth, транзистор начинает проводить ток.
На втором этапе входное напряжение возрастает от Vth до уровня напряжения вызванного эффектом Миллера Vmiller.
Это напряжение можно рассчитать по формуле:
Vmiller = Vth + Id/gfs,где gfs – крутизна, Id – максимальный ток через полевой транзистор в линейном режиме. Эти параметры обычно можно найти в даташите. Второй этап – это линейный режим работы транзистора — выходной ток прямо пропорционален входному напряжению. На стороне затвора, как и на первом этапе, ток течет через Cзи и Cзс. Через транзистор начинает протекать ток, но напряжение на стоке остается фактически неизменным. Транзистор еще не способен пропустить ток, достаточный для снижения напряжения, напряжение на стоке зафиксировано на уровне входного напряжения.
Третий этап начинается, когда напряжение на затворе достигает величины Vmiller, достаточной для начала прохождения тока через транзистор. Напряжение на стоке начинает падать, напряжение на затворе остается постоянным. Весь ток, на который способен драйвер, идет на перезаряд емкости Cзс для обеспечения максимально быстрого изменения напряжения сток-исток.
Ток через транзистор теперь остается постоянным и ограничен величиной Id.Последний этап процесса включения полевого транзистора — максимальное уменьшение сопротивления канала из-за дальнейшего увеличения напряжения на затворе. Напряжение на затворе увеличивается от Vmiller до своего максимального значения Vдрайв, и весь входной ток идет на дальнейший заряд Cзи и перезаряд Cзс. Выходной ток при этом остается неизменным, а напряжение сток-исток еще немного уменьшается, поскольку уменьшается сопротивление канала.
Выключение
Выключение полевого транзистора – это те же четыре этапа только наоборот. Перед выключением транзистор пропускает через себя весь ток нагрузки и напряжение на нем определяется падением от тока нагрузки на сопротивлении открытого канала RDS(on)
Первый этап, известный как задержка выключения (Turn-Off Delay Time), характеризуется разрядом входной емкости транзистора Ciss с начального уровня до уровня напряжения Vmiller.
Ток драйвера протекает через паразитные емкости Cзи и Cзс. Ток через транзистор остается неизменным, а напряжение сток-исток слегка увеличивается (увеличивается сопротивление открытого канала).На втором этапе напряжение сток-исток транзистора увеличивается до максимального значения, т.е. до уровня напряжения на нагрузке, включенной через ключ полевого транзистора. Весь ток драйвера идет на перезаряд конденсатора Cзс, поскольку напряжение на затворе остается постоянным, а напряжение на стоке возрастает.
Третий этап. Напряжение на затворе падает от Vmiller до Vth, и основной ток драйвера идет на разряд емкости Cзи, поскольку Cзс практически полностью перезарядился в течении предыдущего этапа. Транзистор находится в линейном режиме, и уменьшение напряжения на затворе приводит к уменьшению тока исток/сток, который падает практически до нуля в конце этого периода. Напряжение на стоке транзистора остается неизменным.
На последнем четвертом этапе напряжение и ток через транзистор неизменны.
Входная емкость транзистора (в основном образованная конденсатором Cзи) продолжает разряжаться до нуля.Потери
Силовой ключ рассеивает значительную мощность в короткие периоды переключения, а именно когда транзистор находится в линейном режиме, как при включении, так и при выключении. Для уменьшения потерь необходимо сокращать время переключения. Линейный режим работы транзистора ограничен 2 и 3 этапами. Здесь наиболее важен выходной (как втекающий, так и вытекающий) ток при выходном напряжении в районе Vmiller. Именно при этом значении выходного напряжения мы должны обеспечить максимальный выходной ток для минимизации времени нахождения устройства в линейном режиме и минимизации потерь.
Несмотря на то, что мы знаем какие процессы протекают при переключении, все же очень сложно рассчитать все потери при переключении. Все дело в том, что внутри полевого транзистора кроются не только паразитные емкости, но и индуктивности. Они значительно меняют формы токов и напряжений.
В цепи затвора паразитная индуктивность проявляется следующим образом.В начале процесса переключения полевого транзистора ток затвора нарастает с очень высокой скоростью, но наличие на пути этого тока паразитной индуктивности замедляет этот процесс. Соответственно, увеличивается и время, необходимое для перезаряда входной емкости, т.е. увеличиваются задержки на включение/выключение транзистора. Контур, показанный на рисунке ниже, возбуждается крутым фронтом управляющего сигнала, и именно это является причиной возникновения высокочастотного дребезга, иногда наблюдающегося в схемах.
Действие контура, образованного Ls и Ciss, может быть погашено небольшими сопротивлениями в цепи затвора — выходным сопротивление драйвера и резисторами в цепи затвора — внешним и внутренним (Rз и Rзвн). (Значение Ls указано в даташите).
Использование слишком маленького резистора Rз приведет к наличию выброса на фронтах управляющего сигнала, но скорость переключения транзистора будет высокой.
Если резистор будет слишком большой, выброса не будет, но скорость переключения упадет без всякого улучшения качества работы схемы управления.Можно попробовать рассчитать оптимальное значение резистора затвора:
Rз = 2*√ Ls/Ciss – (Rдрайв + Rзвн)(Во многих расчетах фигурирует сопротивление внутреннего затворного резистора, но оно никогда не специфицируется в документации. Это сопротивление зависит от материала подводящего вывода и конструкции корпуса.)
Паразитная индуктивность проявляется также при быстром изменении тока затвора. Этот эффект проявляется на втором этапе при включении транзистора и на третьем этапе при его выключении. В течении этих периодов напряжение на затворе находится в диапазоне между Vth и Vmiller, а ток затвора определяется напряжения на полном сопротивлении затвора, Vдрайв-Vзи. Резко изменяющийся ток протекает через индуктивность цепи затвора, генерируя на ней напряжение. Это напряжение вычитается из напряжения на затворе, уменьшая ток затвора и, соответственно, скорость переключения транзистора.
Скорость изменения тока через транзистор уменьшается.Паразитная индуктивность цепи стока — тоже образуется из нескольких компонентов.Сюда входит внутренняя индуктивность вывода стока и индуктивность внешних элементов — подводящих проводников и индуктивность нагрузки. Все они могут рассматриваться совместно, поскольку включены последовательно. При открывании транзистора они ограничивают скорость нарастания тока и понижают напряжение на ключе на Ld·di/dt.
Фактически, паразитная индуктивность стока значительно понижает динамические потери при включении транзистора. Высокое значение Ld благоприятно при включении транзистора, при его выключении приводит к большим проблемам. Быстро спадающий ток генерирует на этой индуктивности скачки напряжения, которые, приводят к выбросу напряжения на стоке и существенно увеличивают динамические потери в ключе. (Значение Ld также указывается в даташите).
Несколько слов о резисторе между затвором и истоком.
Есть ситуации, когда мы должны защищать полевой транзистор от триггерного включения при высоких скоростях изменения напряжения на нем. В этом случае обычно бывает достаточно включить резистор между истоком и затвором. Этот резистор может быть рассчитан для худшего случая по следующей формуле:Итак Rзи ˂ Vth/Crss *(dV/dt)вклНельзя ставить слишком большое сопротивление Rзи, потому как мощность наводок (в т.ч. и через электрические поля, и через магнитные поля) может стать сопоставимой с подводимой управляющей мощностью. И это может стать причиной самопроизвольного включения.
Характеристики от производителя
Напряжение управления: 3,3 В, 5 В
Выходное напряжение нагрузки: 0-24 В
Ток выходной нагрузки: <5A (Если больше нужно добавить теплоотвод)
В основе модуля находится n-канальный MOSFET IRF520. Согласно техническому описанию, это мощный полевой транзистор с изолированным затвором, обеспечивающий быстрое переключение, имеющий прочную конструкцию, низкое сопротивление и экономическую эффективность.
Рассеиваемая мощность примерно до 50 Вт.Напряжение исток-сток ограничено 100 вольтами.
Максимальное напряжение Vз = 20 В
Сила тока Id при температуре 25 градусов по Цельсию и напряжении на затворе 10 вольт – 9.2 А
Значения паразитных емкостей при Vз= 0 вольт, Vси=25 вольт:
Ciss = 360 pFCoss = 150 pF
Crss = 34 pFMOSFET IRF520
Значение паразитных индуктивностей:
LS = 7.5 nHLD = 4.5 nH
Напряжение Vth при Vис = Vзи, ID = 250 μA минимум 2 вольта, максимум – 4.
Крутизна gfs (при Vис = 50 V, ID = 5.5 A) = 2,7 S
На рисунке ниже показана схема соединения элементов модуля. Для удобства монтажа модуль содержит коннекторы под отвертку для присоединения нагрузки и источника питания нагрузки. Для подачи управляющего сигнала используется трехштыревой коннектор, средняя ножка VSS которого не используется.
Сигнал управления подается на выводы SIGN и GND. Для визуального контроля присутствия напряжения на затворе включен через ограничительный резистор красный SMD-светодиод. Также в цепь затвор/исток включен резистор на 1 кОм.Он защитит транзистор от резкого нарастания напряжения на нем, а также уменьшит напряжения затвора до нуля, при отключении входного сигнала. Ну, и к тому же не даст транзистору самопроизвольно открыться при присутствии электромагнитных наводок. Правда, наличие этого резистора накладывает некоторые ограничения на величину сопротивления Rдрайв_on + Rз, особенно при подаче управляющего сигнала амплитудой 3,3 вольта. Сопротивление Rдрайв_on + Rз совместно с Rзи образуют
делитель напряжения, который может существенно уменьшить напряжение управляющего сигнала. В этом случае Rз лучше не использовать. А при амплитуде сигнала управления 5 вольт использовать рекомендуемые параметры указанные в даташите. (Rз = 18 Ом при максимальном токе нагрузки).
Иначе транзистор не будет открываться до конца, а это лишние потери, перегрев и, как следствие, возможный выход из строя. Зная пороговое значение Vth можно попытаться вычислить значение напряжения на затворе Vmiller, т.е. напряжение при котором ток стока перестает нарастать. Напоминаю Vmiller = Vth + Id/gfs. Отношение Id/gfs будет равно 5,5/2,7=2,03. Если взять минимальное пороговое значение Vth=2 вольта, то Vmiller будет равно 4,03 вольта. Отсюда следует сделать вывод, что управляющее напряжение должно быть более 4 вольт для исключения работы транзистора в линейном режиме. Особенно это важно при больших токах нагрузки и больших частотах переключения. Заверенное продавцом управляющее напряжение 3,3 вольта не откроет транзистор полностью и не рекомендуется.
Заменой транзистору IRF520 может служить транзистор IRF1404, который имеет схожие значения Vth, но при этом гораздо более низкое сопротивление открытого канала, а именно 0.004Ω (у IRF520 — 0.27Ω). Для управления малыми токами подойдет 2n7000.
Коммутируемые токи до 350 мА, сопротивление открытого канала 5-6 Ом. Зато Vth минимальное — 0,8 вольта, максимальное — 3 вольта, т.е. для управления вполне подойдет напряжение 3,3 вольта.Ниже приведены измеренные зависимости тока стока от амплитуды управляющего сигнала на затворе вышеперечисленных транзисторов. Температура 25 градусов по Цельсию. Нагрузкой выступили три светодиода с общим максимальным током 60 мА. Напряжение исток/сток 12 вольт. Ну, и разумеется, необходимо учитывать погрешности мультиметра.
| IRF520 | |
|---|---|
| Vз, В | Ток, Id |
| 1.1 | 0 |
| 1.2 | 0 |
| 1.3 | 0 |
| 1.4 | 3 мкА |
| 1.5 | 7 мкА |
| 1.6 | 35 мкА |
| 1.7 | 108 мкА |
| 1.8 | 276 мкА |
| 1.9 | 640 мкА |
| 2 | 2,3 мА |
| 2.1 | 6,1 мА |
2. 2 | 15 мА |
| 2.3 | 47 мА |
| 2.4 | 55 мА |
| 2.5 | более 60 мА |
| IRF1404 | |
|---|---|
| Vз, В | Ток, Id |
| 1.1 | 1 мкА |
| 1.2 | 24 мкА |
| 1.3 | 84 мкА |
| 1.4 | 0,8 мА |
| 1.5 | 1,9 мА |
| 1.6 | 7,4 мА |
| 1.7 | 17 мА |
| 1.8 | 20,1 мА |
| 1.9 | 40,1 мА |
| 2 | 54 мА |
| 2.1 | более 60 мА |
| 2n7000 | |
|---|---|
| Vз, В | Ток, Id |
| 1 | 0 |
| 1.1 | 1 мкА |
| 1.2 | 16 мкА |
| 1.3 | 35 мкА |
| 1.4 | 95 мкА |
| 1.5 | 378 мкА |
1. 6 | 900 мкА |
| 1.7 | 1,3 мА |
| 1.8 | 2,2 мА |
| 1.9 | 4 мА |
| 2 | 5,5 мА |
| 2.1 | 9 мА |
| 2.2 | 11,6 мА |
| 2.3 | 15,4 мА |
| 2.4 | 21,2 мА |
| 2.5 | 31,1 мА |
| 2.6 | 38,8 мА |
| 2.7 | 50 мА |
| 2.8 | более 60 мА |
Ссылки на основные компоненты:
MOSFET-модуль 140C07
Транзистор IRF1404
Транзистор 2N7000
Транзистор IRF520 и др.
Обзоры транзисторовдля коммутаторов — Metacritic
Разбился на Nintendo Switch.Вы играете за Реда, певца, который в начале стоит на земле на коленях рядом с человеком, пронзенным огромным лезвием, известным как Транзистор. Пока человек мертв, его душа и голос были поглощены лезвием, что позволяет ему говорить с Рэдом на протяжении всей игры, рассказывая об этом. Он также поглотил голос Рэд, оставив ее немой.
Рэд отягощена этим огромным мечом, настолько большим, что, когда она ходит, он волочит ее по земле. Тем не менее, она нуждается в этом, чтобы выжить. Город, в котором она живет, Cloudbank, был захвачен армией роботов, известной как The Process.
Голова в облаках
Мир Cloudbank прекрасен. Если смотреть с изометрической точки зрения, это потрясающий мир в стиле ар-деко, возвышающийся с научно-фантастическим оттенком нахождения в небе и заросший листвой, поскольку он был пустынным. Освещение и атмосфера в Cloudbank вызывают глубокое ностальгическое ощущение, что, когда вы идете на много миль вверх по земле с футуристическими зданиями на расстоянии, вы все еще чувствуете, что это произошло давным-давно в месте, где вы уже были раньше.
Если сначала не получится, умри, умри снова
Боевая система в Transistor невероятно уникальна. По мере прохождения вы получаете новые способности или «функции», которые можно привязать к одной из четырех кнопок на лице. Разбивайте свой огромный меч, стреляйте энергетическими лучами по экрану или бросайте гранаты в своих противников, чтобы выжить в этих суровых условиях намного дольше. В то время как в типичной ролевой игре вы можете бегать в режиме реального времени, пытаясь сравнять поле битвы, но быстро вы обнаружите, что толкаете маргаритки.
К счастью, Рэд умеет останавливать время, тщательно планировать свои действия, а затем выполнять их. Предлагая вам предусмотрительность пошаговых боев в экшн-настройке. После того, как вы используете этот инструмент, вы карабкаетесь по уровню, пытаясь уклониться от входящих атак, пока ваша способность остановки времени не перезарядится. Это самое опасное время для Рэд, так как она движется довольно медленно, а ее способность к рывку не так уж хороша.
После нескольких часов игры я обнаружил, что сильно полагаюсь на способность останавливать время, но игра в реальном времени имеет свои преимущества. Например, ваши атаки не должны перезаряжаться, поэтому, если у вас есть мощная атака, вы можете спамить ее, уничтожая полчища вражеских роботов, если вы можете держаться подальше от линии огня.
Каждую функцию или силу, которую вы подбираете по пути, можно снять и заменить на другую. Или вы можете использовать одну функцию для обновления другой. Например, пробить атаку, стреляющую энергетическим лучом, можно использовать для улучшения удара меча, увеличивая его дальность и скорость. Учитывая тот факт, что вы можете менять местами эти функции абсолютно в любом порядке, вы получаете огромное количество боевой настройки. Помогу вам найти идеальную экипировку для вашего стиля игры.
К несчастью для меня, бой начал казаться невероятно повторяющимся после первых нескольких часов. Видя много одних и тех же врагов в одних и тех же ситуациях, битва в начале очень похожа на битвы позже; усиливается тем фактом, что бой в реальном времени кажется таким приятным, я бы хотел, чтобы были функции, которые помогут вам лучше адаптироваться к этому стилю игры.
Эта игра отлично работает на Nintendo Switch, как на портативных устройствах, так и в док-станциях. У меня не было никаких сбоев, и, безусловно, в портативном режиме игра выглядит фантастически. Если игра в наушниках в дороге обязательна, поскольку рассказчик и фоновая музыка так сильно влияют на историю, что вы не захотите ее пропустить.
Transistor — красивая игра с невероятно интересным сюжетом, который вознаградит вас, если вы выдержите. К сожалению, боевая система была для меня слабым местом, даже с огромным количеством настроек. обычно я хочу играть в игру от момента к моменту геймплея, а не истории.
Что ж, с Transistor все было наоборот, наблюдение за тем, как история Рэда подошла к концу, было для меня настоящим драйвом, а не уничтожением стаи повторяющихся роботов-врагов. Что, на мой взгляд, мешает этой хорошей игре стать отличной игрой.… Развернуть
Transistor Sings On The Switch
Автор:
Gita Jackson
Комментарии (28)
. Боевая система, хотя и интересная и креативная, иногда была утомительна в управлении. На Switch игра кажется более целостной.
В Transistor вы играете за Ред, певицу, потерявшую голос. Кроме того, ее бойфренд оказался в ловушке меча в форме гигантской флешки под названием «Транзистор». Вы пытаетесь выяснить, как вернуть свой голос и его тело, поскольку город, в котором вы оба живете, разрушается чем-то, называемым Процессом. Используя Транзистор, вы можете сражаться с Процессом, используя различные атаки, а также останавливая время, чтобы спланировать то, что вы хотите сделать, и выполнить это быстрее, чем ваши враги смогут ответить.
Теоретически это звучит как интересная боевая головоломка. На практике, по крайней мере, в версии для ПК, такой дизайн обычно приводил к тому, что я останавливал время, поражая кучу врагов одним и тем же движением снова и снова, а затем бегал, пока мои движения не перезарядились. На Switch в целом это кажется менее запутанным. Как в стационарном, так и в портативном режиме мне показалось, что было легче заставить Реда делать то, что я хотел, благодаря прицеливанию к врагам и, что удивительно, небольшой вибрации Joy-Con всякий раз, когда я планировал новый ход. Мне было легче планировать движения более эффективно, когда я знал, что собираюсь поразить свои цели, и эта небольшая обратная связь не давала уснуть моему мозгу. Бои с боссами, с которыми я когда-то боролся, иногда казались слишком легкими.
Неудивительно, что на Switch игра кажется такой отточенной, поскольку оригинальная игра вышла в 2014 году, поэтому у студии разработки Supergiant Games было время усовершенствовать схему управления для этой версии.
Я был удивлен тем, насколько легче это было. В моем первоначальном прохождении я ни разу не прикасался к ограничителям, которые представляют собой настройку боевого испытания в игре, которую вы можете применить, чтобы получить больше очков опыта. Некоторые из них сокращают количество ходов, которые вы можете использовать; один заставляет врагов бить в два раза сильнее. В этом обходе у меня было три ограничителя, и даже перед финальным боссом я подумал о том, чтобы добавить еще один, чтобы усложнить задачу.
Поскольку игра Transistor на Switch решила мою одну проблему с геймплеем, я заметил некоторые другие проблемы в игре. У него все еще есть запутанная история, и хотя исправление игрового процесса облегчает доступ к другим частям истории игры, все это по-прежнему доставляется громоздко. Каждое движение, которое вы используете с Транзистором, связано с главным или второстепенным персонажем из города. Чтобы узнать предысторию этого персонажа, вы должны использовать его движение в активной ячейке, которая является вашей основной ячейкой движения, а также ячейку улучшения, которая модифицирует движение, чтобы дать ему дополнительные возможности, и, наконец, в пассивном ячейке, который дает вам пассивный навык, такой как перезарядка здоровья или создание копии себя, чтобы отвлекать врагов.
