Site Loader

Содержание

КТ503 транзистор: характеристики, цоколевка, аналоги, параметры

Транзистор КТ503 – кремниевый эпитаксиально-планарный низкочастотный, маломощный биполярный транзистор n-p-n структуры. Применяется в усилителях низкой частоты и генераторных схемах. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Цоколевка транзистора КТ503

Цветовая маркировка транзисторов кт503

Маркируют этот транзистор одним из двух способов:
1. Кодовая маркировка (в виде белого круга на передней части корпуса слева). Группу(букву) указывают справа.
2. Цветовая маркировка (в виде белой точки на передней части корпуса). Группу(букву) указывают точкой определенного цвета на верхней части транзистора:

А – темно-красная
Б – жёлтая
В – темно-зелёная
Г – голубая
Д – синяя
Е – белая

Характеристики транзистора КТ503

Транзистор Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), мВт h31э fгр., МГц
КТ503А
40
25 150(350) 350 40-120 5
КТ503Б 40 25 150(350) 350 80-240 5
КТ503В 60 40 150(350) 350 40-120 5
КТ503Г 60 40 150(350) 350 80-240 5
КТ503Д 80 60 150(350) 350 40-120 5
КТ503Е 100 80 150(350) 350 40-120 5

Uкбо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Аналоги транзистора КТ503

КТ503А: MPS2711

КТ503Б: MPS2712, KSD227O, KSD227Y
КТ503Г: KSC853O, KSC853Y, KSC853R
КТ503Е: BSS38

Транзистор типа: КТ350А

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p универсальный высокочастотный маломощный: КТ350А. Предназначен для переключения и усиления сигналов высокой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

На корпусе наносится условная маркировка двумя точками серого и розового цвета.

Масса транзистора не более 0,3 гр.

Чертёж КТ350А

Электрические параметры КТ350А.

Граничная частота при UКБ=5 В, IЭ=10 мА, не менее 100 МГц
типовое значение 280 МГц
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=1 В, IЭ=500 мА
при Т=24,85°С 20-200
типовое значение 70
при Т=-40,15°С, не менее 0,5 значения при Т=24,85°С
при Т=84,85°С От 0,9 до 2 значений при Т=24,85°С
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=500 мА, IБ=50 мА, не более 1 В
типовое значение 0,92
Обратный ток коллектора при UКБ=10 В, не более
при Т=24,85°С 1 мкА
при Т=81,85°С 15 мкА
Обратный ток эмиттера при UЭБ=4 В, не более 10 мкА
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=5 В, не более 70 пФ
типовое значение 12 пФ
Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=1 В, не более 100 пФ
типовое значение 68 пФ

Предельные эксплуатационные данные транзистора КТ350А.

Постоянное напряжение коллектор-база 20 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RЭБ≤10 кОм 15 В
Постоянное напряжение эмиттер-база 5 В
Импульсный ток коллектора при τи≤1 мс, Q≥10 600 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Т=233-303 К 300 мВт
при Т=358 К 162,5 мВт
Общее тепловое сопротивление
400 К/Вт
Температура окружающей среды От -40,15 до 84,85°С

Транзистор кт503, характеристики, маркировка, аналоги, цоколевка

Транзисторы КТ503 универсальные кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n. Применяются в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, импульсных устройствах, преобразователях.

Зарубежный аналог КТ503

  • Во многих случаях можно заменить на KSC815
Перед заменой транзистора на аналогичный, внимательно ознакомтесь с характеристиками и цоколевкой аналога.

Особенности

  • Комплиментарная пара – КТ502

Корпусное исполнение

  • Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92)

Цоколевка КТ503

№1 — Эмиттер

№2 — База

№3 — Коллектор

Маркировка КТ503

КТ503А — сбоку белая точка, сверху темнокрасная точка

КТ503Б — сбоку белая точка, сверху желтая точка

КТ503В — сбоку белая точка, сверху темнозеленая точка

КТ503Г — сбоку белая точка, сверху голубая точка

КТ503Д — сбоку белая точка, сверху синяя точка

КТ503Е — сбоку белая точка, сверху белая точка

Характеристики транзистора КТ503

Предельные параметры КТ503

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):

  • КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е —
    150 мА

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IК, и max):

  • КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е — 350 мА

Граничное напряжение биполярного транзистора (UКЭ0 гр) при ТП = 25° C:

  • КТ503А — 25 В
  • КТ503Б — 25 В
  • КТ503В — 40 В
  • КТ503Г — 40 В
  • КТ503Д — 60 В
  • КТ503Е — 80 В

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (UКБ0 max

) при ТП = 25° C:

  • КТ503А — 40 В
  • КТ503Б — 40 В
  • КТ503В — 60 В
  • КТ503Г — 60 В
  • КТ503Д — 80 В
  • КТ503Е — 100 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при ТП = 25° C:

  • КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е — 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PК max) при Т = 25° C:

  • КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е — 350 мВт

Максимально допустимая температура перехода (Tп max):

  • КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е — 125 ° C

Максимально допустимая температура окружающей среды (Tmax):

  • КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е — 85 ° C
Электрические характеристики транзисторов КТ503 при Т
П = 25oС

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э) при (UКЭ) 5 В, (IЭ) 10 мА:

  • КТ503А — 40 — 120
  • КТ503Б — 80 — 240
  • КТ503В — 40 — 120
  • КТ503Г — 80 — 240
  • КТ503Д —
    40 — 120
  • КТ503Е — 40 — 120

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UКЭ нас):

  • КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е — 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (IКБ0)

  • КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е — 1 мкА

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

  • КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е — 5 МГц

Емкость коллекторного перехода (CК)

  • КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е — 20 пФ

Емкость эмиттерного перехода (CЭ)

  • КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е — 30 пФ

Тепловое сопротивление переход-среда (RТ п-с)

  • КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е — 214 ° C/Вт

Опубликовано 12.03.2020

DC-DC понижающий преобразователь — ссылка на товар.

КП350А, КП350Б, КП350В, 2П350А, 2П350Б

Поиск по сайту


Транзистор КП350 — полевой, с двумя изолированными затворами и каналом n-типа, диффузионно-планарный, кремниевый. Применяется в генераторах, усилителях и преобразователях сверхвысокой частоты (до 700 МГц). Корпус металлостеклянный, выводы гибкие. На корпусе наносится тип транзистора. Дополнительно КП350А, КП350Б и КП350В маркируются двумя чёрными точками на торце корпуса. Весит не более 0.7 г.

КП350 цоколевка

Цоколевка КП350 показана на рисунке.

Электрические параметры транзистора КП350

Коэффициент шума (статический)
при Uси = 10 В, Uзи = 6 В, Iс = 10 мА:
f = 400 МГц, 2П350А 4.8 ÷ 6 дБ
типовое значение 5.5 дБ
КП350А 3.7 ÷ 6 дБ
типовое значение 3.8 дБ
КП350В 4.1 ÷ 8 дБ
типовое значение 4.8 дБ
f = 100 МГц, 2П350Б 4.15 ÷ 6 дБ
типовое значение 4.9 дБ
КП350Б 2 ÷ 5 дБ
типовое значение 3 дБ
• Крутизна характеристики по первому затвору
при Uси = 10 В, Uз2и = 6 В, Iс = 10 мА, f = 50 ÷ 1500 Гц:
КП350А, КП350Б, КП350В:
T = +25°C 6 ÷ 13 мА/В
типовое значение 10 мА/В
T = −60°C 6 ÷ 13 мА/В
типовое значение 11.5 мА/В
T = +85°C 4 ÷ 10 мА/В
типовое значение 8 мА/В
2П350А, 2П350Б:
T = +25°C 6 ÷ 11.5 мА/В
типовое значение 9.4 мА/В
T = −60°C 6 ÷ 15 мА/В
типовое значение 11.7 мА/В
T = +85°C 4 ÷ 10 мА/В
типовое значение 8 мА/В
• Крутизна характеристики по второму затвору
при Uси = 10 В, Uз1и = 6 В и Iс = 10 мА:
0.6 ÷ 0.85 мА/В
типовое значение 0.7 мА/В
• Напряжение отсечки по первому затвору
при Uси = 15 В, Uз2и = 6 В, Iс = 0.1 мА:
КП350А, КП350Б, КП350В 0.07 ÷ 6 В
типовое значение 0.7 В
2П350А, 2П350Б 0.17 ÷ 6 В
типовое значение 0.29 В
• Напряжение отсечки по второму затвору
при Uси = 15 В, Uз1и = 5 В и Iс = 0.1 мА:
0.15 ÷ 4.5 В
типовое значение 0.5 мА/В
• Начальный ток стока при Uси = 15 В, Uз1и = Uз2и = 0, не более:
КП350А, КП350Б, КП350В при T = +25°C 3.5 мА
T = −45°C и +85°C 6 мА
2П350А, 2П350Б при T = +25°C 3.5 мА
T = −60°C и +85°C 6 мА
• Ток утечки затвора при Uси = 15 В, не более 5 нА
• Входная ёмкость при Uси = 10 В, Uз1и = Uз2и = 0, f = 10 МГц:
КП350А, КП350Б, КП350В 2.9 ÷ 6 пФ
типовое значение 3.5 пФ
2П350А, 2П350Б 3 ÷ 6 пФ
типовое значение 3.2 пФ
• Проходная ёмкость при Uси = 10 В, Uз1и = Uз2и = 0, f = 10 МГц:
КП350А, КП350Б, КП350В 0.03 ÷ 0.07 пФ
типовое значение 0.05 пФ
2П350А, 2П350Б 0.03 ÷ 0.07 пФ
типовое значение 0.04 пФ
• Выходная ёмкость при Uси = 10 В, Uз1и = Uз2и = 0, f = 10 МГц:
КП350А, КП350Б, КП350В 2.9 ÷ 6 пФ
типовое значение 3.2 пФ
2П350А, 2П350Б 3.2 ÷ 6 пФ
типовое значение 4 пФ
• Активная составляющая выходной проводимости
при Uси = 10 В, Uз2и = 6 В и Iс = 10 мА
для КП350А, КП350Б и КП350В, не более:
250 мкСм

Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КП350

• Напряжение сток — исток 15 В
• Напряжение первый затвор — сток для КП350А, КП350Б, КП350В   
21 В
• Напряжение первый (второй) затвор — исток 15 В
• Ток стока 30 мА
• Рассеиваемая мощность (постоянная):
при T ≤ +25°C 200 мВт
при T = +85°C 100 мВт
• Рабочая температура (окружающей среды)
КП350А, КП350Б, КП350В −45°C … +85°C
2П350А, 2П350Б −60°C … +85°C


Транзистор КТ503 — DataSheet

Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ503А KSC815, KSD2270, MPS9632, 

2N772 *3, 2N1386 *1, MPS6511 *2

ВС170 *3, 2SC2407, 2N2711 *3

2N5852 *3, MPS6567, CK420 *3,

 2N621 *3, ММ1941 *3, 2N1051 *3

КТ503Б MPS2712, KST1623L3 *1

2SC828 *2, MPS3397, 

MPS3398, 2N3398 *3

2N3397 *3, 2N3394 *3, CS9014 *2, 2N2712 *1

КТ503В KSC853R, 2N339A *1

2N742 *3, 2N742A *3

2SC1360A *2, 2N844 *3

2N754 *3, JE9214, JE9214A, 

2N840 *3, 40246 *3, 40243 *3

2N551 *3

КТ503Г KSC853R, 2N6222, JE9214C, 

JE9214B,  BFY85 *3

2N1704 *3, 2N841 *3, 2SC828A *2, 2N5824 *2, ММ2483 *3, 2SC853

КТ503Д KSC853R, 2N2198 *1, 2N3877 *2, 2N1565 *3, 2N735A *3, 2N735 *3
КТ503Е BSS38, ZTX341, 2N340A *1, 2N3877A *2, 2N845 *3, 2N755 *3
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ503А 350 мВт
КТ503Б 350
КТ503В 350
КТ503Г 350
КТ503Д 350
 КТ503Е 350
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max КТ503А 5…50 МГц
КТ503Б 5…50
КТ503В 5…50
КТ503Г 5…50
КТ503Д 5…50
 КТ503Е 5…50
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ503А 40 В
КТ503Б 40
КТ503В 60
КТ503Г 60
КТ503Д 80
  КТ503Е 100
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ503А 5 В
КТ503Б 5
КТ503В 5
КТ503Г 5
КТ503Д 5
 КТ503Е 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ503А 150(300*) мА
КТ503Б 150(300*)
КТ503В 150(300*)
КТ503Г 150(300*)
КТ503Д 150(300*)
 КТ503Е 150(300*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ503А 40 В ≤1 мкА
КТ503Б 40 В ≤1
КТ503В 60 В ≤1
КТ503Г 60 В ≤1
КТ503Д 80 В ≤1
КТ503Е 100 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ503А 1 В; 30 мА 40…120
КТ503Б 1 В; 30 мА 80…240
КТ503В 1 В; 30 мА 40…120
КТ503Г 1 В; 30 мА 80…240
КТ503Д 1 В; 30 мА 40…120
 КТ503Е 1 В; 30 мА 40…120
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ503А 10 В ≤50
пФ
КТ503Б 10 В ≤50
КТ503В 10 В ≤50
КТ503Г 10 В ≤50
КТ503Д 10 В ≤50
 КТ503Е 10 В ≤50
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ503А ≤60 Ом, дБ
КТ503Б ≤60
КТ503В ≤60
КТ503Г ≤60
КТ503Д ≤60
 КТ503Е ≤60
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ503А ≤580* Дб, Ом, Вт
КТ503Б ≤580*
КТ503В ≤580*
КТ503Г ≤580*
КТ503Д ≤580*
 КТ503Е ≤580*
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ503А пс
КТ503Б
КТ503В
КТ503Г
КТ503Д
 КТ503Е

РАЗРАБОТКА УПРАВЛЯЕМЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ БИПОЛЯРНЫХ СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ ТРАНЗИСТОРОВ (БСИТ) | Букашев

1. Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Букашев Ф.И., Захарова П.Р. Технология, конструкции, методы моделирования и применение БСИТ-транзисторов/ М.: Академия, 2012.-252 с.

2. Букашев Ф.И. SPICE-модель биполярного статического индукционного транзистора // Известия вузов. Электроника, № 5, 2009. — С. 15-21.

3. Григорьев Б.И. Состояние и перспективы развития теории силовых биполярных транзисторов// Известия высших учебных заведений. Приборостроение. Спб.: ИТМО, 2016, Т. 59 — № 2, с. 95-106.

4. Лагунович Н.Л., Турцевич А.С., Борздов В.М. Новый технологический маршрут изготовления биполярного транзистора со статической индукцией// МНПК «Современные информационные и электронные технологии». Одесса, 2016, С.150-151.

5. Шахмаева А.Р., Шангереева Б.А., Саркаров Т.Э. Технология изготовления транзисторных структур силовой электроники//Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. 2016. – №1. –Т. 40. -С.31-37.

6. Шахмаева А.Р., Захарова П.Р. Применение САПР SYNOPSYS для моделирования БСИТ-транзистора// Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы материаловедения и наноматериалов: труды VIII Международной конференции.- 9-10 июня 2011.- М: Изд-во МИСиС, 2011.-С.823-828.

7. Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А. Полевой транзистор с длинным каналом со свойствами короткоканального транзистора// Физика и техника полупроводников. М.: Изд. «Наука», 2014.- № 4 — С. 498-503.

8. Захарова П.Р. Исследование и анализ изменения параметров канальной области бсит-транзистора средней высоковольтности. Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. 2013;29(2):15-21

9. Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Захарова П.Р. Технологическое решение по улучшению параметров кристалла биполярного со статической индукцией транзистора// Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки.-2011.-Т. 20 — №1 — С. 6-10.

10. Шахмаева А.Р., Шангереева Б.А., Захарова П.Р. Разработка конструктивно-технологических решений создания БСИТ-транзисторов с применением средств приборно-технологического моделирования//Актуальные направления фундаментальных и прикладных исследований: материалы IV международной научно-практической конференции, 4-5 августа 2014 г.– М., 2014.-С. 172-174

11. Шахмаева А.Р., Захарова П.Р. Совершенствование технологии изготовления низковольтного транзистора с наноразмерными величинами активных областей// Прикаспийский журнал. Управление и высокие технологии. 2011.- Т.4 — №16. — С.103-110.

12. Патент 2013100562/28 Рос. Федерация: МПК H01L 21/58, № 2534439; заявл. 09.01.2013;опубл. 27.11.2014 Бюл. №33.-4с. Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Захарова П.Р. Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора.

13. Wang, Y., Feng, J., Liu, C. et al. Improvements on voltage-resistant performance of bipolar static induction transistor (BSIT) with buried gate structure. Science in China Series F: Information Sciences, 2012, 55(4): 962.

14. Wang, Y., Feng, J., Liu, C. et al. Improvement on the dynamical performance of a power bipolar static induction transistor with a buried gate structure. Journal of Semiconductors, 2011, 32 (11): 962.

15. Napoli, E. and Strollo, A. G. Static Induction Transistors. Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering, 2014, pp.1–6.

16. Meenakshi Mataray et al. Modern Power Semiconductor Devices. (IJCSIT) International Journal of Computer Science and Information Technologies, 2012, vol.3, no. 4, pp. 4571 – 4574.

17. Shaohua Lu and Farid Boussaid. An Inductorless Self-Controlled Rectifier for Piezoelectric Energy Harvesting. Sensors, 2015, p.15.

18. G. Belkacem1a, S. Lefebvre1, P. Joubert et al. Distributed and coupled 2D electro-thermal model of power semiconductor devices. Eur. Phys. J. Appl. Phys., 2014, 66: 20102.

Транзистор КТ350А —

Драгоценные металлы в транзисторе КТ350А согласно данных и паспортов-формуляров. Бесплатный онлайн справочник содержания ценных и редкоземельных драгоценных металлов с указанием его веса вида которые используются при производстве электрических радио транзисторов.

Содержание драгоценных металлов в транзисторе КТ350А.
Золото: 0.00111 грамм.
Серебро: 0 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий:  0 грамм.
Примечание: Из справочника Связь-Инвест.

Если у вас есть интересная информация о транзисторе КТ350А сообщите ее нам мы самостоятельно разместим ее на сайте.

Вопросы справочника по транзисторах которые интересуют наших посетителей: найти аналог транзистора, усилитель на транзисторе, замена транзистора, как проверить транзистор или чем заменить транзистор в схеме, правила включения транзистора,

Также интересны ваши рекомендации по мощным транзисторам, импортным и отечественным комплектующим, как самостоятельно проверить транзистор,

Фото транзистора марки КТ350А:

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.

Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).

Схемы включения полевых транзисторов

Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут иметь три схемы включения: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Схема включения определяется тем, какой из трех электродов транзистора является общим и для входной и выходной цепи. Очевидно, что рассмотренный нами пример (рис. 4.2) является схемой с общим истоком (рис. а).

Схема с общим затвором (рис. ) аналогична схеме с общей базой у биполярных транзисторов. Она не дает усиления по току, а входное сопротивление здесь маленькое, так как входным током является ток стока, вследствие этого данная схема на практике не используется.

Схема с общим стоком (рис в) подобна схеме эмиттерного повторителя на биполярном транзисторе и ее называют истоковым повторителем. Для данной схемы коэффициент усиления по напряжению близок к единице. Выходное напряжение по величине и фазе повторяет входное. В этой схеме очень высокое входное сопротивление и малое выходное.

Справочные данные на транзисторы (DataSheet) КТ350А включая его характеристики:

Актуальные Даташиты (datasheets) транзисторов – Схемы радиоаппаратуры:

Транзистор доступное описание принципа работы.

Жуткая вещь, в детстве все не мог понять как он работает, а оказалось все просто.
В общем, транзистор можно сравнить с управляемым вентилем, где крохотным усилием мы управляем мощнейшим потоком. Чуть повернул рукоятку и тонны дерьма умчались по трубам, открыл посильней и вот уже все вокруг захлебнулось в нечистотах. Т.е. выход пропорционален входу умноженному на какую то величину. Этой величиной является коэффициент усиления.

Делятся эти устройства на полевые и биполярные.
В биполярном транзисторе есть эмиттер, коллектор и база (смотри рисунок условного обозначения). Эмиттер он со стрелочкой, база обозначается как прямая площадка между эмиттером и коллектором. Между эмиттером и коллектором идет большой ток полезной нагрузки, направление тока определяется стрелочкой на эмиттере. А вот между базой и эмиттером идет маленький управляющий ток. Грубо говоря, величина управляющего тока влияет на сопротивление между коллектором и эмиттером. Биполярные транзисторы бывают двух типов: p-n-p и n-p-n принципиальная разница только лишь в направлении тока через них.

Полевой транзистор отличается от биполярного тем
, что в нем сопротивление канала между истоком и стоком определяется уже не током, а напряжением на затворе. Последнее время полевые транзисторы получили громадную популярность (на них построены все микропроцессоры), т.к. токи в них протекают микроскопические, решающую роль играет напряжение, а значит потери и тепловыделение минимальны.
Обозначение транзисторов или камень преткновения всех студентов. Как запомнить тип биполярного транзистора по его условной схеме? Представь что стрелочка это направление твоего движения на машине… Если едем в стенку то дружный вопль «Писец Нам Писец.

В общем, транзистор позволяет тебе слабеньким сигналом, например с ноги микроконтроллера, управлять мощной нагрузкой типа реле, двигателя или лампочки. Если не хватит усиления одного транзистора, то их можно соединять каскадами – один за другим, все мощней и мощней. А порой хватает и одного могучего полевого MOSFET транзистора. Посмотри, например, как в схемах сотовых телефонов управляется виброзвонок. Там выход с процессора идет на затвор силового MOSFET ключа.
Купить транзисторы или продать а также цены на  КТ350А:

Оставьте отзыв или бесплатное объявление о покупке или продаже транзисторов (полевых транзисторов, биполярных транзисторов, КТ350А:

% PDF-1.3 % 1 0 объект > поток конечный поток эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 obj > / Родительский 3 0 R / Содержание [20 0 R] / Тип / Страница / Ресурсы> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / Шрифт >>> / MediaBox [0 0 595.} | d-PjHQAoG @? _ b4b * `KK» ~ TB! ͓H J-J ֔ 6 x0j bcZNQ]} ̣] hl.0tNP? O: h lc \ KMYO @ 4`Ld ~ \ 31Oej> 54Dr8KD% lPYҳ

Amazon.com: Кремниевый транзистор KT991AS 350 … 700 МГц СССР 1 шт: Industrial & Scientific


Цена: 14 долларов.50 +4,99 $ перевозки
  • Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
  • Транзистор кремниевый КТ991АС 350 … 700 МГц СССР 1 шт.
  • На нашем складе более 25 000 наименований. Полные списки можно найти здесь: www.amazon.com/shops/A19NX3RFNSYB6R.
  • Если вы не можете найти нужный товар, свяжитесь с нами.

транзистор% 20tip% 20350 техническое описание и примечания по применению

хб * 9Д5Н20П

Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор
KIA78 * pI

Реферат: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ транзистор mosfet хб * 2Д0Н60П KIA7812API
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API
2SC4793 2sa1837

Аннотация: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентный транзистор NPN
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор нпн к-220 транзистор 2SC5359 Транзисторный эквивалент 2SC5171 2sc5198 эквивалент NPN транзистор
транзистор

Аннотация: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 2N3904 2N3906 2N4124 2N4126 2N7000 2N7002 BC327 BC328 BC337 BC338 транзистор транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP
CH520G2

Аннотация: Транзистор CH520G2-30PT цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn коммутирующий транзистор 60в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF A1100) QFN200 CHDTA143ET1PT FBPT-523 100 мА CHDTA143ZT1PT CHDTA144TT1PT CH520G2 CH520G2-30PT транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60 в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT
транзистор 45 ф 122

Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021, TRIAC 136, 634, транзистор tlp 122, транзистор, транзистор переменного тока 127, транзистор 502, транзистор f 421.
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор TLP 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421
CTX12S

Аннотация: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU

Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406
Q2N4401

Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
fn651

Абстракция: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343
2SC5471

Аннотация: Транзистор 2SC5853 2sa1015 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий PNP-транзистор
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 A1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Mosfet FTR 03-E

Аннотация: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V / 65e9 транзистор 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Mosfet FTR 03-E mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V / 65e9 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF
fgt313

Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
транзистор 91330

Аннотация: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6N136 6N137 6N138 6N139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91330 ТРАНЗИСТОР TLP 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
1999 — ТВ системы горизонтального отклонения

Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ AN363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтального сечения tv горизонтального отклонения переключающих транзисторов TV горизонтальных отклоняющих систем mosfet горизонтального сечения в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратноходовой трансформатор
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения Системы горизонтального отклонения телевизора MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка для ЭЛТ-телевизора Обратный трансформатор ТВ
транзистор

Реферат: силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP PNP МОЩНЫЙ транзистор TO220 демпферный диод транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn транзистор Дарлингтона TO220
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SD1160 2SD1140 2SD1224 2SD1508 2SD1631 2SD1784 2SD2481 2SB907 2SD1222 2SD1412A транзистор силовой транзистор нпн к-220 транзистор PNP PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 демпферный диод Транзистор дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn darlington транзистор ТО220
1999 — транзистор

Реферат: МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив fet высокочастотный транзистор TRANSISTOR P 3 транзистор mp40 список
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF X13769XJ2V0CD00 О-126) MP-25 О-220) MP-40 MP-45 MP-45F О-220 MP-80 MP-10 транзистор МОП-МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2ск 2СК типа Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив FET высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список
транзистор 835

Аннотация: Усилитель на транзисторе BC548, стабилизатор на транзисторе AUDIO Усилитель на транзисторе BC548 на транзисторе 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 ПУТЕВОДИТЕЛЬ ТРАНЗИСТОРА
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BC327; BC327A; BC328 BC337; BC337A; BC338 BC546; BC547; BC548 BC556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель АУДИО на транзисторе BC548 транзистор 81110 вт 85 транзистор 81110 вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ТРАНЗИСТОРА
2002 — SE012

Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B
2SC5586

Реферат: транзистор 2SC5586, диод RU 3AM 2SA2003, СВЧ диод 2SC5487, однофазный мостовой выпрямитель ИМС с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287
pwm инверторный сварочный аппарат

Аннотация: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 Powerex демпфирующий конденсатор инвертор сварочный аппарат KD221K75 kd2245 kd224510 применение транзистора
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF
варикап диоды

Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР GSM-модуль с микроконтроллером МОП-транзистор с p-каналом Hitachi SAW-фильтр с двойным затвором МОП-транзистор в УКВ-усилителе Транзисторы МОП-транзистор с p-каналом Mosfet-транзистор Hitachi VHF fet lna Низкочастотный силовой транзистор
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в УКВ-усилителе Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор
Лист данных силового транзистора для ТВ

Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалент 2SC5411, транзистор 2sd2499, 2Sc5858, эквивалентный транзистор 2SC5387, компоненты 2SC5570 в строчной развертке.
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора для телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
2009 — 2sc3052ef

Аннотация: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводник перекрестная ссылка toshiba smd marking code транзистор
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 24 ГГц BF517 B132-H8248-G5-X-7600 2sc3052ef 2n2222a SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 перекрестная ссылка на полупроводник toshiba smd маркировочный код транзистора
2007 — DDA114TH

Аннотация: DCX114EH DDC114TH
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF DCS / PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22 кОм 47 кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

Модификация роста слоя, вызванная температурой и состоянием поверхности

Реферат

В этой работе мы представляем in situ, электрические и поверхностные аналитические, а также ex situ, исследования с помощью атомно-силовой микроскопии (АСМ) для изучения температуры и состояния поверхности, индуцированного модификации роста пентаценового слоя, ведущие к выбору оптимальных условий осаждения и повлекшие за собой повышение производительности.Мы приготовили образцы p ++ -кремний / диоксид кремния с нижним затвором, золотыми нижними контактами транзисторов и оценили рост слоя пентацена для трех различных условий поверхности (напыленный, напыленный + углерод и нераспыленный + углерод) при температурах образца во время осаждения 200 K, 300 K и 350 K. Исследования AFM были сосредоточены на золотых контактах, области канала диоксида кремния и высококритической переходной области. Оценка подвижностей насыщения, зависящих от покрытия, пороговых напряжений и соответствующий анализ АСМ позволили подтвердить, что первые 3-4 полных монослоя вносят вклад в большую часть переноса заряда в области канала.При высоких температурах и на напыленных поверхностях образование равномерного слоя в области перехода контакт – канал ограничивается осушением, что приводит к образованию канавок и частичному развитию островков двойного слоя в области канала вместо полных смачивающих слоев. Объединив преимущества начального высокотемпературного осаждения (хорошо упорядоченные островки в канале) и последующего низкотемпературного осаждения (образование сплошной пленки для низкого контактного сопротивления), мы смогли изготовить очень тонкие (8 ML) пентаценовые транзисторы со сравнительно высокой мобильность.

Ключевые слова: Органический тонкопленочный транзистор, пентацен, подвижность носителей, атомно-силовая микроскопия, диффузия, обезвоживание

1. Введение

Органическая электроника, обширная область использования электронных свойств, обнаруженных в полимерах и малых органических молекулах, уже далеко за пределами того, чтобы быть в первую очередь специфическим термином для исследования. Он часто используется в современных маркетинговых стратегиях для электронных устройств, символизируя высокое качество и передовые технологии [1,2].Органическим системам присуще преимущество обработки и формирования рисунка при комнатной температуре, что позволяет создать совершенно новый класс критичных к температуре подложек и материалов с такими связанными качествами, как низкая стоимость, гибкость и способность к биологическому разложению [3,4]. С появлением первых систем, получивших коммерческий статус, научный фокус расширяется от практического создания устройств на органических тонкопленочных транзисторах (OTFT) до все более и более фундаментальных исследований. В самом деле, особенности устройства, представляющие критический интерес, такие как характеристики транзисторов и рост органических полупроводников, до настоящего времени не полностью изучены и не поддаются контролю с достаточной степенью детализации [5–8].

Будучи частью исследований и разработок органических полевых транзисторов на протяжении почти 25 лет [9,10], полициклический ароматический углеводород пентацен (C 22 H 14 ) заработал репутацию рабочего материала в производстве OTFT. Это по большей части связано с достижимой высокой подвижностью носителей заряда и может быть связано со склонностью материалов к образованию хорошо упорядоченных слоев стоячих молекул с превосходным выравниванием по длинной оси пяти линейно связанных бензольных колец, которые образуют структуру молекул [ 11].Чтобы получить окончательное представление о росте тонких пленок и связанных с ними электрических свойствах, недавно несколько групп обратили свое внимание на измерения in situ в условиях вакуума, чтобы улучшить воспроизводимость и уменьшить загрязнение и деградацию, вызванное атмосферой [12–20]. Эти группы смогли показать, что осаждение в камере сверхвысокого вакуума (UHV) в сочетании с методами анализа поверхности in situ и электрических характеристик позволяет точно связать рост и морфологию активного слоя с результирующими свойствами электрического транзистора на основе конкретных, хорошо контролируемые поверхностные изменения [21,22].

Особый интерес представляет количество закрытых монослоев (ML), при которых рост подвижности с увеличением покрытия достигает насыщения и, следовательно, указывает на максимальную эффективную длину Дебая в пленке [23,24]. Это было предметом ряда статей [14,15,19,20,23–27], а также в некоторой степени обсуждалось в нашей предыдущей публикации [28]. В этой работе мы сообщили о насыщении подвижности при толщине слоя около 4 монослоев (примерно 6,4 нм) для низкотемпературных (200 К) слоев.При осаждении при комнатной температуре наблюдалось значительное дополнительное увеличение подвижности до толщины слоя 50 нм. Это было связано с уменьшением сопротивления доступа из-за лучшего непрерывного образования пленки в переходной области диоксид кремния – золотой электрод [28].

Дополнительные измерения, описанные в этом вкладе, касаются и расширяют вышеупомянутые отчеты о росте пентацена. Слои пентацена были нанесены на загрязненный углеродом, а также очищенный распылением SiO 2 для температур образцов до 350 К.Это позволило нам получить более полное представление об оптимальных температурах обработки для осаждения пентацена для диапазона толщин полупроводников. На основе полученной информации мы смогли подготовить смешанные системы слоев с различными температурами образцов во время осаждения, которые показали улучшенное поведение транзисторов.

2. Экспериментальная

2.1. Подготовка пленки и аналитическая характеристика поверхности

Наша экспериментальная установка позволяет полностью контролировать процесс осаждения полупроводников за счет точной регулировки температуры и скорости осаждения, а также точного контроля температуры поверхности образца и ее изменения от 120 K до 800 K во время и после осаждения. сам.Поверхность образца и осажденные слои могут быть модифицированы распылением ионов аргона и проанализированы методами электронной оже-спектроскопии (AES), а также термодесорбционной спектроскопии (TDS). Электрические характеристики были выполнены с помощью программного обеспечения LabVIEW ® собственной разработки. Ex situ AFM был использован для характеристики морфологии пленок. Подробное описание имеющихся в нашем распоряжении пробоподготовки, вакуумного оборудования и экспериментальных методов можно найти в нашей предыдущей публикации [28].

2.2. Электрические характеристики

Хотя не всегда применим в полной мере [23,29], формализм, разработанный для кремниевых полевых транзисторов, оказался наиболее эффективным и интуитивно понятным способом сравнения рабочих характеристик между образцами и с результатами других исследований. группы. Путем установки напряжения сток-исток ( U DS ) и изменения напряжения затвор-исток ( U GS ) или наоборот и измерения результирующего тока сток-исток ( I DS ) могут быть сгенерированы передаточные и выходные характеристики, которые, в свою очередь, содержат необходимую информацию для извлечения параметров, важных для характеристики органического транзистора, в нашем случае подвижности носителей заряда ( мкм, ) и порогового напряжения ( U T ) [30].Для наших исследований подвижность насыщения ( μ Sat ) как функция покрытия была основным интересным моментом, извлеченным из известной формулы:

IDSSat = CGμSatW2L [UGS-UT] 2для UDS∣> ∣UGS − UT∣> 0 (режим насыщения)

(1)

с указанными выше параметрами для условия насыщения, а также емкостью затвора SiO 2 C G (23 нФ / см 2 ), шириной канала W (4 мм) и длиной L (25 мкм) [28].

2.3. Матрица условий подготовки

Основной целью данной работы было достижение всестороннего понимания влияния параметров подготовки пленки на свойства транзистора. Для этого мы осаждали пленки пентацена на конфигурацию нижнего затвора SiO 2 , золотого нижнего контакта при трех различных температурах (200 К, 300 К, 350 К). Следуя нашим предыдущим исследованиям [28] на подложках, которые были очищены распылением перед созданием слоя насыщения углеродом (обозначенного как Sputtered + C), мы расширили наши исследования до контрастных условий поверхности без напыления и впоследствии покрытого углеродом (обозначенного Unsputtered + C) а также образцы, очищенные распылением (помеченные Sputtered).Слой насыщения углеродом был установлен повторными циклами адсорбции / десорбции слоев пентацена, как более подробно описано в нашей предыдущей статье [28]. Для всех образцов (3 температуры, 3 состояния поверхности) мы выполнили полное определение электрических характеристик in situ с помощью выходных и переходных кривых, а затем исследовали морфологию пленки с помощью ex situ AFM в области канала SiO 2 , в области контакта золота и в очень важной переходной области SiO 2 –Au.В результате получилась информационная матрица (3 × 3 × 3). Кроме того, уникальная возможность наших систем повторного осаждения и удаления пентацена позволила нам выполнить показанные измерения зависимости покрытия на одном образце кремниевой пластины для каждого набора параметров и, таким образом, обеспечила оптимальную воспроизводимость отображаемых результатов. Полученные значения подвижностей и пороговых напряжений показали отличное согласие с нашими предыдущими измерениями для аналогичных наборов параметров. Эта сопоставимость измерений, выполненных за период более года и более 50 образцов, является доказательством надежности и воспроизводимости, обеспечиваемых нашей экспериментальной установкой.

3. Результаты и обсуждение

3.1. Подвижность, зависящая от покрытия на образцах Unsputtered + C

На поверхности образца Unsputtered + C была приготовлена ​​серия транзисторов на основе пентацена при 200 K, 300 K и 350 K. Соответствующие выходные и передаточные кривые были записаны для извлечения параметров, в частности подвижность и пороговое напряжение как функция покрытия. Характеристики производительности и переходные кривые для трех температурных режимов показаны на -.Нелинейность для низких напряжений сток-исток ( U DS ) в и может быть связана с эффектами контактного сопротивления [30]. Эволюция подвижности с увеличением толщины слоя пентацена для этих температур в диапазоне покрытия 0–150 нм, а также вставка, изображающая формирование первого перколяционного слоя для электропроводности при низком покрытии, показаны на рис.

Выходные (а) и передаточные характеристики (б) пленки пентацена толщиной 80 нм на нераспыленной поверхности + С, осажденной при 200 К и измеренной при температуре образца 300 К.Ширина и длина канала составляют 4 мм и 25 мкм соответственно.

Выходные (а) и переходные характеристики (б) пленки пентацена толщиной 80 нм на нераспыленной поверхности + C, осажденной и измеренной при температуре образца 300 К. Ширина и длина канала составляют 4 мм и 25 мкм соответственно.

Выходные (а) и передаточные характеристики (б) пленки пентацена толщиной 144 нм на нераспыленной поверхности + С, осажденной при 350 К и измеренной при 300 К. Ширина и длина канала составляют 4 мм и 25 мкм соответственно.

Подвижность насыщения мкм Sat как функция покрытия для пленок пентацена на нераспыленной поверхности + C SiO 2 , полученных и измеренных при 200 К, 300 К и 350 К, соответственно. На вставке показано начало поведения транзистора в режиме очень малого покрытия.

3.1.1. Осаждение пентацена при 200 К и 300 К

Непосредственно наблюдаемая особенность электрических оценок — отличная воспроизводимость в пределах погрешности, когда дело доходит до извлеченных значений подвижности для двух измерений 300 К на поверхности Unsputtered + C.Первые токи исток-сток и, следовательно, подвижности больше нуля могут наблюдаться при номинальном покрытии пентаценом около 1,2–1,5 нм для слоев 200 К и 300 К (см. Вставку), что эквивалентно толщине слоя примерно 0,75 монослоя, что в В свою очередь, показывает хорошее согласие с постулируемым порогом перколяции около 0,7 монослоя, сообщенным другими группами [31–33]. Максимальные зарегистрированные подвижности насыщения для обеих температур на поверхности Unsputtered + C примерно в 10 раз ниже, чем ранее опубликованные результаты для образцов Sputtered + C [28], что указывает на сильное влияние подготовки поверхности.Рост на 200 К показывает насыщение подвижности при завершении 3–4 монослоев, что соответствует примерно 5–7 нм номинального покрытия пентаценом. Это насыщение указывает на полное заполнение всех вносящих заряд полупроводниковых слоев в области канала в пределах длины Дебая [19,23,24]. АСМ-исследования на 1,5 ML (эквивалент 2,4 нм) пентацена в канале и в области золотого контакта, а также на 7,5 ML (12 нм) в переходе между этими двумя, выявили рост нижележащего слоя, ответственного за электрические результаты ( видеть ).При сравнительно низкой температуре процесса 200 K молекулы пентацена сталкиваются с поверхностью и прилипают за сравнительно короткий промежуток времени, не имея возможности диффундировать на большую площадь, чтобы занять более энергетически более благоприятный участок, такой как аккомодация в существующий край острова [34]. Это приводит к образованию и росту большого количества мелких зерен диаметром менее 250 нм на диоксиде кремния (см.) (Очень большая средняя толщина слоя, предполагаемая поперечным сечением, вызвана многочисленными высокими и заостренными островками и, как следствие, завышение и уширение характеристик острием АСМ).На золоте (см.) Низкая температура также существенно влияет на рост слоев пентаценовых островков, приводя к распределению небольших островков, состоящих из лежащих молекул, как описано Käfer et al. [35]. В АСМ-анализе 7,5 мл пентацена показан переход от области золотого контакта (вверху слева) к области канала. Мелкие зерна, образующиеся при температуре подложки 200 К, равномерно покрывают всю переходную область, что можно наблюдать на поперечном сечении.

Пентацен, нанесенный при 200 К: 1.5 монослоев на SiO 2 (а) и золоте (б), а также 7,5 монослоев на переходной области золотой контакт – канал (в). Соответствующие сечения обозначены на снимках АСМ линией и показаны внизу.

На АСМ-изображениях показаны 1,5 ML (эквивалент 2,4 нм) пентацена в канале и в области золотого контакта, а также 7,5 ML (12 нм) в переходной области, все осажденные при 300 K. Для осаждения SiO 2 при комнатной температуре наблюдается режим роста типа Странского – Крастанова [36] (см.), Характеризующийся полным развитием первого монослоя стоячих молекул перед переходом в более островковидную форму слоя, снова с характерной высотой ступеньки около 1.6 нм, что эквивалентно длинной оси пентацена. Превосходная калибровка нашей системы осаждения для низких покрытий и сопровождающая небольшая погрешность для оценок фактической толщины слоя становятся очевидными по совпадению площади второго слоя с номинальной толщиной нанесенного слоя в 1,5 полных монослоя. Это позволяет сделать четкие выводы из различий в начале поведения транзисторов для разных режимов роста. При такой повышенной температуре падающие молекулы могут диффундировать по большей площади, чем при 200 К, и легче преодолевать диффузию и барьеры Эрлиха – Швёбеля [37,38].Это приводит к уменьшению общего числа островков и предпочтительной аккомодации молекул на энергетически выгодных краях существующих островков, которые теперь доступны посредством диффузии и прыжков вверх и вниз между слоями островков [39].

Пентацен, нанесенный при 300 К: 1,5 монослоя на SiO 2 (а) и золото (б), а также 7,5 монослоя на переходной области контакт-канал золота (в). Соответствующие сечения обозначены на снимках АСМ линией и показаны внизу.

Для роста на золоте при 300 К в настоящее время наблюдаются выделенные высокие островные структуры, состоящие из плоских молекул (см.), Которые следуют моделям роста, описанным Käfer et al. [35]. Совершенно иная островная структура на SiO 2 , состоящая из сильно каскадных островков с мономолекулярными ступенями стоячих молекул пентацена, играет важную роль для роста островков в переходной области канал – контакт (). Благодаря повышенной диффузии при 300 К по сравнению с осаждением при 200 К большее количество молекул пентацена может покинуть энергетически неблагоприятную переходную область.Затем молекулы имеют тенденцию встраиваться в существующие структуры либо на золоте, либо на диоксиде кремния, препятствуя образованию гладкого слоя в переходной области, наблюдаемой при 200 К. После образования одного полного смачивающего слоя между двумя золотыми контактами, характеризующегося начало поведения транзистора примерно на одном монослое (см. вставку), дальнейшее закрытие слоев в переходной области с увеличением покрытия задерживается. Это приводит к постоянному увеличению подвижности виртуальных носителей заряда до покрытия более 50 нм.

3.1.2. Осаждение пентацена при 350 K

Для измерений подвижности в зависимости от покрытия на поверхности Unsputtered + C при температуре образца 350 K зарегистрированные значения подвижности все еще более чем в 10 раз ниже, чем у слоев сопоставимой толщины на системе Sputtered + C в нашем предыдущие исследования [28]. Форма кривой подвижности, зависящей от охвата, теперь показывает очень ярко выраженное поведение двойного насыщения (). Слой 350 K достигает очень раннего и ярко выраженного первого насыщения подвижности вокруг покрытия пентаценом 6-8 нм, что указывает на 4-5 полностью закрытых слоев в пределах длины Дебая в области канала [23].Это объясняется увеличением молекулярной подвижности с повышением температуры [11], что обычно способствует более послойному росту пентацена в области канала и образованию более крупных, хорошо упорядоченных кристаллов, влекущих за собой меньшее количество границ зерен. . На АСМ-изображении отображается пленка из 7,5 мл пентацена, нанесенная на область канала SiO 2 при 350 К. В то время как слои 200 К показывают очень большое количество мелких зерен (), а пленка 300 К имеет характерный и часто описываемый каскадный пирамидоподобный рост островков (), пленка 350 К показывает очень большие, хорошо упорядоченные островки с небольшими каскадирование и связанные с ними островки, а также большое количество полностью закрытых слоев под видимыми островками, как видно на соответствующем поперечном сечении ().Было выбрано более высокое покрытие в 7,5 ML по сравнению с 1,5 ML, показанное для 200 K и 300 K, для отображения однородности формирования слоев в широком диапазоне покрытия. На золотых контактах () большие островковые структуры образуются поверх замкнутых слоев, оба из которых состоят из плоско лежащих молекул пентацена [35].

Пентацен, нанесенный при 350 К: 7,5 монослоев на SiO 2 (а), золото (б) и на переходной области контакт-канал золота (в). Соответствующие сечения обозначены на снимках АСМ линией и показаны внизу.

Область перехода от области канала к золотым контактам показывает хорошо упорядоченное формирование слоев на SiO 2 , а также довольно гладкие слои с несколькими очень высокими островками на золотых контактах (). Обычно можно ожидать увеличения подвижности носителей заряда в пленке с температурой 350 К по сравнению с такой же толщиной слоя, нанесенного при 200 и 300 К, за счет структуры верхнего слоя и общей температурной зависимости подвижности [28]. Однако переходная область SiO 2 –Au кажется энергетически очень неблагоприятной для роста пентацена в этой конфигурации образца и решающим фактором для максимально достижимой подвижности при осаждении при повышенной температуре.Формирование четких канавок происходит на краю перехода канал – контакт, как это видно на соответствующем поперечном сечении ниже. По-видимому, повышенная температура позволяет молекулам не только диффундировать на большие расстояния, но и преодолевать барьеры Эрлиха – Швёбеля для прыжков вверх на существующие островки и частичного образования двойных слоев [39]. Это приводит к задержке начала поведения транзистора примерно до 2,5 нм покрытия пентаценом, что почти вдвое превышает покрытие, необходимое для просачивания при 200 К и 300 К (см. Вставку).При более высоких покрытиях это обезвоживание в переходной области противодействует превосходной проводимости внутренней структуры канала в пределах длины Дебая. Таким образом, преимущество хорошо упорядоченных пленок пентацена в области канала из-за высокотемпературного осаждения может быть использовано в полной мере только после того, как золотой контакт будет достаточно соединен с активным полупроводниковым слоем. Следовательно, покрытие пентаценом приблизительно 120 нм необходимо для того, чтобы слой 350 K полностью обогнал слой 300 K по своим характеристикам.

3.2. Подвижность, зависящая от покрытия, на напыленных образцах при 200 К, 300 К и 350 К

После измерений на нераспыленной поверхности + C тот же образец затем был использован для исследований роста пентацена и электрических характеристик напыленного SiO 2 и золота. показывает кривые выхода и переноса для максимальной зарегистрированной подвижности, измеренной для слоя пентацена толщиной 96 нм, нанесенного при 350 К на распыляемую поверхность. Эволюция подвижности как функция покрытия пентаценом на поверхности распыляемого образца для всех трех температурных режимов и вставка, изображающая начало поведения транзистора, показаны на.Обычно считается, что распыление увеличивает шероховатость поверхности и, следовательно, уменьшает диффузию частиц по поверхности [40]. С другой стороны, в зависимости от системы материалов удаление загрязнений может привести к увеличению диффузии. Поскольку с помощью нашей установки АСМ не может быть зарегистрировано существенное шероховатость поверхности очень гладкой поверхности SiO 2 в результате распыления, можно предположить увеличение вероятности диффузии.

Выходные (а) и переходные характеристики (б) пленки пентацена толщиной 96 нм на напыляемой поверхности, осажденной при 350 К и измеренной при температуре образца 300 К.Ширина и длина канала составляют 4 мм и 25 мкм соответственно.

Подвижность насыщения мкм Sat как функция покрытия для пленок пентацена на напыленной поверхности SiO 2 , подготовленной и измеренной при 200 К (включая 20-кратное увеличение), 300 К и 350 К, соответственно. На вставке показано начало поведения транзистора в режиме очень малого покрытия.

Как и ожидалось из предыдущих обсуждений, увеличение диффузии привело к тенденции к еще более отложенному началу работы транзисторов для распыленных образцов.Только эксперимент при 200 К не продемонстрировал никаких изменений в поведении начала процесса распыления, еще раз продемонстрировав первую перколяцию при покрытии пентаценом приблизительно 1,5 нм.

Покрытие, необходимое для первой перколяции, увеличивается с примерно 1,2 нм до 2 нм покрытия пентаценом для осаждения при 300 К и примерно с 2,5 до 3 нм для измерения 350 К по сравнению с нераспыленными образцами. Причиной такого поведения является описанная выше тенденция к образованию двойных слоев вместо мономолекулярных смачивающих слоев путем скачкообразной перемотки вверх, когда вероятность диффузии достаточно высока [39].В подробном АСМ-анализе этой области для критического покрытия перехода 2,5 ML показан чуть ниже порога перколяции для распыленной конфигурации 350 К. Из-за отсутствия функциональности транзистора в этом покрытии и соответствующего поперечного сечения можно сделать вывод, что самой темной областью вблизи золотого электрода действительно должна быть поверхность диоксида кремния, поскольку нанесенного количества материала не хватит для образования третьего нижележащий слой. Таким образом, практически отсутствует контакт между слоем пентацена и зоной контакта золота.При анализе аналогично приготовленной пленки с покрытием 7,5 ML (распыленный образец, температура 350 K) в области среднего канала также демонстрируется описанное поведение скачкообразной перестройки вверх, ведущее к предпочтительному формированию двойных слоев для самой нижней наблюдаемой плоскости. даже для более толстых слоев, как показано измеренной высотой ступеньки двух стоящих молекул пентацена (3,2 нм) для самого нижнего слоя в соответствующем поперечном сечении.

2,5 монослоя пентацена на переходной области золотой контакт – канал диоксида кремния (а) и 7.5 монослоев пентацена на SiO 2 (b), оба нанесены на распыленные поверхности при температуре образца 350 К. Соответствующие поперечные сечения обозначены линией на снимках АСМ и показаны внизу.

Как описано в разделе 3.1.2, увеличение максимально достижимой подвижности носителей заряда из-за уменьшения общего количества границ зерен ожидается для всех температур приготовления распыленных образцов. Анализ электрических данных подтверждает это утверждение и указывает на увеличение подвижности при насыщении в 5–10 раз для всех температурных настроек (обратите внимание на разницу в один порядок величины в масштабировании оси подвижности между и).Тем не менее, процессы осушения в переходной области канал – контакт настолько развиты для этих образцов, что полное насыщение подвижности при увеличении покрытия не происходит вплоть до толщины слоя пентацена 96 нм для всех трех температур обработки.

3.3. Пороговые напряжения, зависящие от покрытия

Помимо подвижности, пороговое напряжение ( U T ) является параметром транзистора, который представляет очень большой интерес. Определяемое как напряжение для «заметного» тока истока-стока [22], U T должно быть извлечено, чтобы использовать выбранный нами метод расчета подвижности насыщения.В этой форме пороговое напряжение иногда рассматривается как простой параметр подгонки [41], тем не менее, может быть получена важная информация о переносе носителей заряда в области канала. Как показано на, пороговое напряжение обычно демонстрирует довольно раннее поведение насыщения с увеличением покрытия, особенно по сравнению с некоторыми из связанных результатов для отложенного насыщения подвижности. Это можно объяснить тем, что вышеупомянутые 3–4 полных монослоя покрытия канала пентаценом ответственны за подавляющую часть переноса заряда между электродами.Как только достигается достаточный уровень напряжения затвора, канал полностью открывается, и все доступные места транспортировки носителей заряда в пределах длины Дебая могут вносить свой вклад в транспортировку. Для конфигураций слоев, характеризующихся очень равномерным ростом и, следовательно, низким сопротивлением доступу к золотым электродам, пороговое напряжение и подвижность достигают насыщения при покрытии, представляющем примерно 4 полностью закрытых монослоя, что можно наблюдать при измерениях при температуре образца 200 К (см. И ).

Пороговое напряжение U T как функция покрытия для пленок пентацена на нераспыленной + C (a) и напыленной (b) поверхности SiO 2 , подготовленной и измеренной при 200 K, 300 K и 350 K, соответственно.

Для образцов с отложенным образованием замкнутых слоев в переходной области золотой электрод – SiO 2 наблюдается значительное влияние контактного сопротивления (см. S-образную форму выходных кривых в [30]). Слои на SiO 2 внутри канала все еще полностью закрыты, что приводит к насыщению порогового напряжения при вышеупомянутом покрытии в 3–4 монослоя, что соответствует длине Дебая.Дальнейшее «виртуальное» увеличение подвижности с покрытием пентаценом, наблюдаемое для всех измерений при 300 К и 350 К (см. И), затем объясняется закрытием слоев в переходной области SiO 2 –Au.

Общая форма кривой порогового напряжения как функция покрытия пентаценом определяется плотностью состояний ловушки в слое. Состояния ловушек с глубокими дырками, связанные с границей раздела полупроводник-диэлектрик, влияют на начальную точку для проводимости и отвечают за самые низкие значения U T , которые могут быть обнаружены при низком покрытии, так как более отрицательное напряжение затвора необходимо для привлечения Достаточно носителей заряда к поверхности диэлектрика, чтобы заполнить ловушки и обеспечить проводимость между истоком и стоком.Согласно Fiebig et al. [20] и, как видно из наших предыдущих оценок [28], рост порогового напряжения с увеличением покрытия можно объяснить образованием электронных ловушек в пленке пентацена и особенно на ее поверхности. Эти ловушки приводят к отрицательному заряду пленки и противодействуют ловушкам с глубокими отверстиями. Этот эффект нивелируется при более высоком покрытии, когда ловушки, связанные с формой поверхности, не имеют прямого влияния на электропроводящие слои в нижней части пленки, которые находятся ближе всего к электроду затвора.Следовательно, выше достаточного покрытия пентаценом пороговое напряжение должно оставаться почти постоянным с увеличением покрытия. Такое поведение насыщения наиболее очевидно для слоев 300 K и 350 K на образце Unsputtered + C и для обеих пленок 200 K. Для распыленного образца при 300 К и 350 К наблюдается продолжающееся небольшое увеличение порогового напряжения с покрытием пентаценом, связанное с введением новых состояний ловушек в результате бомбардировки ионами Ar + .

Тем не менее, основным влиянием распыления является равномерное снижение порогового напряжения по сравнению с образцом без напыления + C.По нашему мнению, это вызвано сдвигом электростатического потенциала из-за включения ионов Ar + в область канала. Это приводит к экранированию потенциала затвора, требуя более сильных отрицательных напряжений затвора для достижения того же поля притяжения заряда и, следовательно, смещает порог в отрицательном направлении. При нагревании образца до температур выше 650 К, ионы Ar + , которые были имплантированы в приповерхностную область, могут быть дегазированы перед осаждением пентацена, как показывает термодесорбционная спектроскопия.Действительно, это привело к смещению порогового напряжения вверх. Это открывает возможность контролируемого воздействия на пороговое напряжение посредством имплантации аргона и, следовательно, регулировки порогового напряжения в соответствии с потребностями конкретного применения. Специально разработанные эксперименты, проведенные в нашей системе, показали стабильные и обратимые сдвиги порогового напряжения за счет процессов распыления аргона и отжига. Поскольку в центре внимания этой работы находится формирование и морфология слоя в зависимости от покрытия и условий роста, эта особенность не будет здесь подробно обсуждаться.

3.4. Оптимизированный рост пентацена и экспериментальный вывод

В предыдущих разделах рост слоя пентацена в канале и в переходной области SiO 2 –Au в зависимости от температуры осаждения и контролируемого распыления углеродного загрязнения поверхности оказался невысоким. основная область интересов для оптимизации роста полупроводников в нашей системе. Демонстрация режима роста слоя в зависимости от температуры образца на образцах без напыления + C в — изображает весь переход от равномерного роста небольших островков при 200 K () через сильно каскадный рост при 300 K () до образования наиболее крупных и наиболее упорядоченных островков с вредной переходной областью SiO 2 –Au, осушающей при 350 K ().Соответствующее представление о влиянии распыления на режим роста слоя и плотность островков показано на рис.

7,5 монослоев пентацена на напыленном (а), напыленном + C (b) и без напыленном + C (c) образце SiO 2 , все осажденные при температуре поверхности 300 К.

Температура образца 300 K была выбрана как наиболее репрезентативная на основании выраженного влияния распыления на режим роста слоя и соответствующего наибольшего сдвига в начале подвижности.Оценки AFM показывают превосходное согласие с нашими исследованиями роста слоя с преобладанием диффузии. От самых крупных, наиболее хорошо упорядоченных и каскадных островков в образце Sputtered можно наблюдать явный переход к более высокой плотности островков в образце Unsputtered + C (). Образец Sputtered + C, анализируемый в нашем предыдущем отчете [28], демонстрирует морфологию пленки между этими двумя конфигурациями ().

С этой собранной информацией мы можем теперь вернуться к вопросу об оптимизированном росте слоя для наших пентаценовых транзисторов.Большинство исследовательских групп используют различные формы очистки поверхности и повышенную температуру поверхности для улучшения роста слоя пентацена [11]. Одним из важных факторов является часто сравнительно большая общая толщина осаждаемого слоя пентацена. Это переводит систему в режим высокой температуры и высокой степени покрытия, в котором мы также достигли наших лучших результатов (см.). С другой стороны, это не учитывает влияние высококритичной переходной области SiO 2 –Au для конфигурации нижнего контакта, которая может быть доминирующим фактором для большого разброса значений подвижности насыщения в зависимости от покрытия, о котором сообщается в литературе. , начиная с 3.От 2 нм до более 150 нм [15,19,20,25–27]. Поэтому толщина слоя представляет фундаментальный интерес при выборе оптимальных температур обработки. Как это часто бывает в физике полупроводников, тенденция делать слои как можно более тонкими является основным фактором при проектировании и производстве устройств. Перенос заряда происходит только в первых нескольких монослоях в пределах длины Дебая [23,24]. Для более тонких слоев это означает, что благодаря улучшенному контакту с электродами режим роста при низкой температуре поверхности, несмотря на более низкое качество слоя в канале, может привести к увеличению производительности по сравнению с более высокотемпературными слоями, с изначально лучшими характеристиками. структура внутреннего слоя.Следуя нашим исследованиям распыленных и нераспыленных систем, мы предлагаем систему смешанных слоев на распыленной подложке, состоящую из тонкой пленки 350 К для формирования хорошо упорядоченного проводящего слоя в области канала, покрытого тонкой пленкой 200 К. Это обеспечивает небольшое количество границ зерен для высокой подвижности в канале и однородного покрытия и соединения электродов в переходной области SiO 2 –Au. Результат этого эксперимента по сравнению с несмешанными слоями эквивалентного покрытия показан на.

Подвижность насыщения, зависящая от покрытия μ Sat для слоев 200 K, 300 K, 350 K и смешанных температур на напыленном образце. Смешанный слой представляет собой 4 монослоя (6,4 нм) при 350 K (i), дополнительные 4 монослоя при 200 K (ii) и, наконец, 4,5 дополнительных монослоя при 300 K (iii).

Комбинация 4 ML (6,4 нм) пентацена, нанесенная при 350 K (i) и покрытая еще 4 ML при 200 K (ii), демонстрирует ожидаемые качества. В то время как пленка 8 ML (12,8 нм), осажденная при 350 K, дает подвижность около 0.004 см 2 / Vs, осаждение 4 ML при 350 K и дополнительных 4 ML при 200 K приводит к увеличению подвижности в 4 раза примерно до 0,016 см 2 / vs. Конфигурация смешанного слоя стабильна при комнатной температуре, а слой 200 K не обнаруживает обезвоживания с течением времени в этом температурном диапазоне. Дополнительные 4,5 ML, нанесенные при температуре образца 300 K, тогда только увеличили подвижность в диапазоне, ожидаемом от предыдущих исследований 300 K.

4. Резюме и выводы

В дополнение к нашей предыдущей работе по in situ изготовление и определение характеристик пентаценовых транзисторов кремний / диоксид кремния с нижним затвором и золотым нижним контактом мы подготовили и проанализировали устройства на покрытых углеродом и очищенных распылением образцы при трех различных температурах поверхности во время осаждения: 200 К, 300 К и 350 К.Наша уникальная установка образца позволила точно контролировать температуру, а также многократно десорбировать пентацен с поверхности образца, что позволило проводить все оценки подвижности в зависимости от покрытия только на одном образце, обеспечивая максимальную сопоставимость полученных результатов. Нам удалось получить убедительное представление об основных параметрах, влияющих на рост слоя пентацена, а именно о температуре роста во время формирования слоя и о загрязнении поверхности углеродными остатками.Недавно полученные данные подтверждают модель постепенного перехода в режим роста и соответствующих характеристик транзистора от 200 К до 350 К, а также от роста на углеродном покрытии к образцам, очищенным распылением. Электрические оценки показали увеличение максимально достижимой подвижности и увеличение необходимой толщины слоя для первой перколяции посредством распыления для всех температур, что объясняется увеличением поверхностной диффузии.

В сочетании с обширным АСМ-анализом и анализом порогового напряжения, мы смогли показать, что в нашей установке формирование активного слоя и контакта электрода в основном определяется температурой поверхности и вызванным обработкой изменением преобладающей вероятности диффузии во время осаждения полупроводника. процесс.Хотя высокая вероятность диффузии увеличивает проводимость в канале из-за уменьшения количества границ зерен и лучшего молекулярного упорядочения в зернах, повышенное обезвоживание в переходной области контакт-канал противодействует этому преимуществу.

Обладая полученными знаниями, мы разработали конкретную последовательность нанесения на распыленный образец, в котором 4 ML пентацена нанесены при 350 K в качестве проводящего слоя в канале с наиболее оптимальными свойствами переноса заряда, за которым следует покрывающий слой 4 ML, нанесенный на Температура образца 200 К, обеспечивающая оптимальное соединение активного слоя с золотыми электродами.Конфигурация смешанного слоя стабильна при комнатной температуре, а слой 200 K не показывает обезвоживания в этом температурном диапазоне. С помощью этого метода подготовки нам удалось добиться значительного увеличения подвижности носителей заряда по сравнению со всеми другими процессами однократного осаждения напыленных образцов.

Где я ошибся? Сгорает транзистор

Я пытаюсь управлять 3 светодиодными даунлайтами с помощью Arduino. Я очень неопытен, поэтому я пройду через свой мыслительный процесс, и вы, возможно, сможете уловить что делаю не так…

Я выбрал транзистор 2N5551 NPN на основании следующей информации: Транзистор NPN, потому что я буду переключать более высокое напряжение, чем то, которое подается на Arduino.

Даунлайты: http://www.malmbergs.com/frmProductDisplay_new.aspx?item=9974006 Они рассчитаны на ток 350 мА, 3×1,2 Вт / точечный свет равняется в сумме 10,8 Вт. 10,8 Вт / 0,35 А = 30,86 В (чтобы убедиться, что мои расчеты верны, я измерил цепь, 28 В и 350 мА) Они управляются драйвером постоянного тока 350 мА.

Итак, я ищу транзистор NPN, способный обрабатывать 31 В и 350 мА.Согласно даташиту: https://www.fairchildsemi.com/ds/MM/MMBT5551.pdf VCEO составляет 160 В, а Ic 600 мА, пока все хорошо?

А вот и самая сложная часть — вычисление минимального тока, необходимого для поддержания транзистора в состоянии насыщения (для такого новичка, как я, таблицы данных транзисторов кажутся невероятно непоследовательными по своей схеме и в целом трудными для чтения). Руководства, которые я использовал, говорят мне искать Hfe в насыщении, Ic / Ib или, если он не может быть найден, используйте значение наихудшего случая, равное 10. Поскольку я не могу найти информацию в таблице данных, я буду использовать 10.

Базовый ток: 350 мА / 10 = 35 мА (безопасное значение от Arduino, кажется, составляет около 40 мА)

Следующим шагом найдите Vbe: На рисунке 3 показан пик 0,9 В при 200 ° C. мА (почему график не расширен, чтобы показать до 600 мА, разве Vbe не поднимается выше 0,9 В?) Выходное напряжение Arduino составляет 5 В, что дает нам падение напряжения на резисторе: 5 В-0,9 В = 4,1 В

Базовый резистор: 4,1 В / 0,035 = 117 Ом

Подача выходного сигнала Arduino через два резистора 220 Ом, включенных параллельно базе транзистора, а также эмиттер и коллектор, переключающие землю для светодиодов, все работает как ожидалось в течение 20 ~ секунд, а затем был дым…

Приветствуется любая помощь в решении моей проблемы. У меня тоже не по теме вопрос, можно ли ШИМ-драйвер CC на вторичной стороне? Было бы здорово иметь возможность затемнять эти светодиоды …

IBM SiGe транзистор достигает 350 ГГц

ОСТИН, Техас — IBM Microelectronics разработала кремниево-германиевый (SiGe) биполярный транзистор с максимальной частотой транзистора 350 ГГц и планирует коммерчески внедрить его в процесс 9HP BiCMOS примерно через два года, сказал Дэвид Харам, выдающийся инженер IBM. .

Процесс 9HP BiCMOS должен привести к созданию микросхем, работающих на частоте 150 ГГц или достаточно быстрой для поддержки стандарта оптических сетей Sonet 160 Гбит / с и высокочастотных беспроводных приложений. «Что касается транзистора на 350 ГГц, к тому времени, когда мы его усовершенствуем, мы будем говорить о 400 ГГц f max в окончательном формате», — сказал Хараме.

Хотя клиенты оптических сетей обычно первыми принимают самые быстрые технологии SiGe, Хараме сказал, что клиенты беспроводных сетей никогда не отстают.По его словам, если более эффективный транзистор работает на более низких скоростях, потребление энергии снижается.

«Сетевые люди пожирают все это, потому что им очень нужна пропускная способность. Сразу после этого появляются клиенты беспроводной связи, потому что они могут обменять пропускную способность на мощность », — сказал он.

В мае прошлого года инженеры IBM описали биполярный транзистор SiGe с гетеропереходом (HBT) с f T на 207 ГГц и f max на 285 ГГц. Этот транзистор все еще готовится к использованию в 130-нм процессе BiCMOS для коммерческого производства.

Самая быстрая из имеющихся 0,18-микронных (180 нм) технологий SiGe BiCMOS от IBM включает в себя 120-ГГц f T HBT. Хараме сказал, что один неназванный заказчик использует этот процесс для беспроводного чипа, который включает 6000 HBT, 7 миллионов транзисторов CMOS, технологию шумоизоляции и «целый ряд конденсаторов». Это наш самый сложный чип — аналоговая радиочастотная система на кристалле, работающая на частоте 2 ГГц », — сказал он.

Биполярный транзистор на 350 ГГц отличается более тонкими слоями и некоторыми нововведениями в структуре устройства.(Биполярные характеристики во многом зависят от утонения в вертикальном направлении.) «Мы масштабировали устройство, в первую очередь по вертикали, но также сделали некоторое масштабирование в боковом направлении. Мы уменьшили количество паразитов и значительно ускорили время прохождения через все слои устройства », — сказал Хараме.

Более подробно транзистор будет описан на Международной конференции по электронным устройствам, которая состоится 8-11 декабря в Сан-Франциско.

Фирма IC Insights (Phoenix), занимающаяся маркетинговыми исследованиями, оценивает, что рынок устройств на основе кремния и германия в 2001 году составлял около 320 миллионов долларов и, по прогнозам, вырастет до 2 долларов.7 миллиардов к 2006 году. По оценкам IC Insights, на данный момент на долю IBM приходится около 80 процентов рынка.

Повышенная конкуренция

Фред Зибер, президент Pathfinder Research (Сан-Хосе, Калифорния), сказал, что объявление IBM усиливает конкуренцию между решениями на основе SiGe и ИС на основе арсенида галлия и фосфида индия за самые быстрые приложения. По словам Зибера, техническая литература сообщила о гонке между SiGe и InP с точки зрения устройств с самой высокой частотой.

«Технология SiGe достигла огромных успехов. «Арсенид галлия — это область, которая сильно пострадала — цифровой арсенид галлия, похоже, почти полностью переходит на CMOS, а некоторые устройства со смешанными сигналами переходят на фосфид индия и SiGe BiCMOS», — сказал Зибер.

SiGe имеет коммерческое преимущество в том, что его биполярные транзисторы встроены в процесс CMOS, который может достигать высоких уровней интеграции. Кроме того, как отметил Зибер, SiGe «использует огромные деньги, вложенные в CMOS», чтобы получить более мелкую ширину линий.

IBM сталкивается с усилением конкуренции на рынке SiGe. Корпорация Intel объявила о планах предложить свой первоначальный процесс SiGe, например, на 90-нм узле. Conexant Systems Inc. заявила, что ее процесс SiGe будет поддерживать частоты транзисторов 200 ГГц и максимальные частоты 180 ГГц.

По словам Зибера, менее известна будущая конкурентоспособность немецкого литейного завода SiGe, Communicant Semiconductor, который на прошлой неделе заявил, что получил от Европейского сообщества субсидии, которые позволили бы ему построить свое производственное предприятие.

— С дополнительным отчетом Марка Лапедуса.

IBM SiGe транзистор достигает 350 ГГц

// php echo do_shortcode (‘[responseivevoice_button voice = «Американский английский мужчина» buttontext = «Listen to Post»]’)?>

Остин, Техас — IBM Microelectronics разработала кремниево-германиевый (SiGe) биполярный транзистор с максимальной частотой транзистора 350 ГГц и планирует коммерчески внедрить его в процесс 9HP BiCMOS примерно через два года, сказал Дэвид Харам, выдающийся инженер IBM.

Процесс 9HP BiCMOS должен привести к тому, что чипы будут работать на частоте 150 ГГц или достаточно быстро, чтобы поддерживать стандарт оптических сетей Sonet 160 Гбит / с и высокочастотные беспроводные приложения. «Что касается транзистора на 350 ГГц, к тому времени, когда мы его усовершенствуем, мы будем говорить о 400 ГГц f max в окончательном формате», — сказал Хараме.

Хотя клиенты оптических сетей обычно первыми принимают самые быстрые технологии SiGe, Хараме сказал, что клиенты беспроводных сетей никогда не отстают.По его словам, если более эффективный транзистор работает на более низких скоростях, потребление энергии снижается.

«Сетевые люди пожирают все это, потому что им не хватает пропускной способности. Сразу после этого появляются клиенты беспроводной связи, потому что они могут обменять пропускную способность на мощность », — сказал он.

В мае прошлого года инженеры IBM описали биполярный транзистор SiGe с гетеропереходом (HBT) с f T на 207 ГГц и f max на 285 ГГц. Этот транзистор все еще готовится к использованию в 130-нм процессе BiCMOS для коммерческого производства.

Самая быстрая из имеющихся 0,18-микронных (180-нм) технологий SiGe BiCMOS от IBM включает в себя 120-ГГц f T HBT. Хараме сказал, что один неназванный заказчик использует этот процесс для беспроводного чипа, который включает 6000 HBT, 7 миллионов транзисторов CMOS, технологию шумоизоляции и «целый ряд конденсаторов». Это наш самый сложный чип — аналоговая радиочастотная система на кристалле, работающая на частоте 2 ГГц », — сказал он.

Биполярный транзистор на 350 ГГц отличается более тонкими слоями и некоторыми нововведениями в структуре устройства.(Биполярные характеристики во многом зависят от утонения в вертикальном направлении.) «Мы масштабировали устройство, в первую очередь по вертикали, но также сделали некоторое масштабирование в боковом направлении. Мы уменьшили количество паразитов и значительно ускорили время прохождения через все слои устройства », — сказал Хараме.

Более подробно транзистор будет описан на Международной конференции по электронным устройствам, которая состоится 8-11 декабря в Сан-Франциско.

По оценкам компании IC Insights (Phoenix), занимающейся маркетинговыми исследованиями, в 2001 году рынок устройств на основе кремния и германия составлял около 320 миллионов долларов и, по прогнозам, вырастет до 2 долларов.7 миллиардов к 2006 году. По оценкам IC Insights, на данный момент на долю IBM приходится около 80 процентов рынка.

Повышенная конкуренция

Фред Зибер, президент Pathfinder Research (Сан-Хосе, Калифорния), сказал, что объявление IBM усиливает конкуренцию между решениями на основе SiGe и ИС на основе арсенида галлия и фосфида индия за самые быстрые приложения. По словам Зибера, техническая литература сообщила о гонке между SiGe и InP с точки зрения устройств с самой высокой частотой.

«Технология SiGe достигла огромных успехов. «Арсенид галлия — это область, которая сильно пострадала — цифровой арсенид галлия, похоже, почти полностью переходит на CMOS, а некоторые устройства со смешанными сигналами переходят на фосфид индия и SiGe BiCMOS», — сказал Зибер.

SiGe имеет коммерческое преимущество в том, что его биполярные транзисторы встроены в процесс CMOS, который может достигать высоких уровней интеграции. Кроме того, как отметил Зибер, SiGe «использует огромные деньги, вложенные в CMOS», чтобы получить более мелкую ширину линий.

IBM сталкивается с усилением конкуренции на рынке SiGe. Корпорация Intel объявила о планах предложить свой первоначальный процесс SiGe, например, на 90-нм узле. Conexant Systems Inc. заявила, что ее процесс SiGe будет поддерживать частоты транзисторов 200 ГГц и максимальные частоты 180 ГГц.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *