Транзистор с4106 характеристики: C4106 транзистор характеристики, datasheet, параметры для 2SC4106 — RC74 — интернет-магазин радиоуправляемых моделей

Содержание

Транзистор C4106: характеристики (параметры), цоколевка, аналоги

C4106 — кремниевый транзистор, со структурой NPN, мезапланарный, высоковольтный и высокоскоростной, применяется в переключающих устройствах. Конструктивное исполнение – TO-220 (AB, C).

Предназначение

Транзистор разработан для применения в импульсных переключающих устройствах.

Корпус, цоколевка и монтажные размеры

Характерные особенности

Высокое пробивное напряжение коллектор-эмиттер: U_(BR)CEO= 400 В (Min).
Высокая скорость переключения.
Расширенная область безопасной работы транзистора.
П/п структура многобазового (MBIT-process) типа.
Минимальный разброс параметров при поставке от партии к партии.

Предельные эксплуатационные характеристики

Характеристика	Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В	U_CBO	500
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В	U_CEO	400
Напряжение эмиттер – база транзистора, В	U_EBO	7
Ток коллектора постоянный, А	I_C٭	7
Ток коллектора импульсный, А	I_CP	14
Ток базы постоянный, А	I_B	3
Рассеиваемая мощность (T_a = 25°C), Вт	P_C	1,75
Рассеиваемая мощность (Tc = 25°C), Вт	P_C	50
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С	T_j	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°	T_stg	-55…+150

٭ — снято при длительности импульса ≤ 300 мкс и скважности ≤ 10%.

Электрические характеристики

Характеристика		Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Пробивное напряжение коллектор-база, В		U_(BR)CBO	I_C = 1,0 мА, I_E = 0	˃ 500
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер, В		U_(BR)CEO	I_C = 5,0 мА, R_BE = ∞	˃ 400
Пробивное напряжение эмиттер-база, В		U_(BR)EBO	I_E = 1,0 мА, I_C = 0	˃ 7,0
Выдерживаемое напряжение коллектор-эмиттер, В		U_CEX(sus)	I_C = 3 А, I_B1 = 0,3 А, I_B2 = -1,2 А,	˃ 400
Выдерживаемое напряжение коллектор-эмиттер, В		U_CEX(sus)	L = 1 мГн, с введенными ограничениями	˃ 400
Ток коллектора выключения, мкА		I_CBO	U_CB = 400 В, I_E = 0	˂ 10
Ток эмиттера выключения, мкА		I_EBO	U_EB = 5,0 В, I_C = 0	˂ 10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В		U_CE(sat)	I_C = 4,0 А, I_B = 0,8 А	˂ 0,8
Напряжение насыщения база-эмиттер, В		U_BE(sat)	I_C = 4,0 А, I_B = 0,8 А	˂ 1,5
Статический коэффициент усиления по току		h_FE(1) ٭	U_CE = 5,0 В, I_C = 0,8 А	15…50
		h_FE(2)	U_CE = 5,0 В, I_C = 4,0 А	≥ 10
		h_FE(3)	U_CE = 5,0 В, I_C = 10,0 мА	≥ 10
Частотная полоса передачи (частота среза), МГц		f_T	U_CE = 10,0 В, I_C = 0,8 А	20
Выходная емкость коллекторного перехода, пФ		C_ob	U_CB = 10 В, f = 1 МГц	80
Время переключения, мкс	Время нарастания	t_on	I_C = 5 А, I_B1 = 1,0 А, I_B2 = -2 А, R_L = 40 Ом, U_CC = 200 В См. схему измерений на Рис. 1.	˂ 0,5
	Время сохранения	t_s		˂ 2,5
	Время спадания	t_f		˂ 0,3

٭ — весь диапазон изменения значений статического коэффициента усиления разделен на три группы в соответствии с таблицей:

Обозначение группы	L	M	N
Диапазон значений h_FE	15…30	20…40	30…50

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды T_a=25°C.

Схема измерения временных параметров

Рис. 1. Схема измерения временных параметров транзистора t_on, t_s, t_f.

На рисунке:

INPUT – входной сигнал. Длительность импульса (P.W.) = 20 мкс. Скважность импульса (Duty Cycle) ≤ 1%.
OUTPUT – измеряемый выходной сигнал.
U_BE = -5 В – напряжение смещения.
U_CC = 200 В.

Единицы измерения: сопротивление резисторов – Ом, емкость конденсаторов – Ф.

Модификации (версии) транзистора

Тип	Корпус	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C/I_CP	T_J	U_{CE (sat)}	U_{BE (sat)}	f_T	C_ob	h_FE	t_on/ t_stg/ t_f, мкс
2SC4106	TO-220C	50	500	400	7	7 / 14	150	0,8	1,5	20	80	10…50	0,5 / 2,5 / 0,3
2SC4106	TO-220AB	50	500	400	7	7 / 14	150	0,8	1,5	20	80	10…50	0,5 / 2,5 / 0,3
HC4106	TO-220	50	500	400	7	7 / —	150	0,8	1,5	20	80	10…50	0,5 / 2,5 / 0,3
PMC4106	TO-220AB	50	500	400	7	7 / 14	150	0,8	1,5	20	80	10…50	0,5 / 2,5 / 0,3

Все версии транзисторов разбиты на группы по величине статического коэффициента усиления тока базы в соответствии с таблицей:

Обозначение группы, идущее после обозначения типа транзистора	L	M	N
Диапазон значений h_FE	15…30	20…40	30…50

Аналоги

Для замены C4106 могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, мезапланарные, предназначенные для использования в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.

Отечественное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C/I_CP	T_J	U_{CE (sat)}	U_{BE (sat)}	f_T	C_ob	h_FE	Корпус	Временные параметры: t_on/ t_stg/ t_f мкс
2SC4106	50	500	400	7	7 / 14	150	0,8	1,5	20	80	10…50	TO-220C	0,5 / 2,5 / 0,3
КТ840А	60	900	400	5	6 / 8	150	0,6	1,5	8…15	—	10…100	TO-3	0,2 / 3,5 / 0,6
КТ840Б		750	350	5						—
КТ840В		800	375	5						—
КТ841А	50	600	350	5	10 / 15	150	1,5	2,2	10…25	300	12…45	TO-3	0,08 / 0,8 / 0,5
КТ841Е		800	400
КТ841Д		500	400
КТ854А	60	600	500	5	10 / 15	150	2	—	10	—	20	TO-220AB	—
2Т856А	125	—	950	5	10 / 12	—	1,5	—	—	—	10…60	TO-3	— / — / 0,5
2Т856Б		—	750			—		—	—	—
2Т856В		—	550			—		—	—	—
2Т856Г		—	850			—		—	—	—
КТ858А	60	400	400	6	7 / 10	150	1	1,2	—	—	10	TO-220AB	— / 2,5 / 0,75
КТ859А	40	800	800	10	3 / 4	150	1,5	1,4	—	—	10	TO-220AB	0,35 / 3,5 / 0,35
КТ862В	50	600	400	5	10 / 15	150	1,5	1,6	20…30	250	12…50	TO-3	0,4 / 2 / 0,5
КТ868А	70	900	400	5	6 / 8	150	1,5	—	8	—	10…100	TO-3	—
КТ868Б	70	750	375	5	6 / 8	150	1,5	—	8	—	10…100	TO-3	—
КТ8110	60	500	500	7	7 / 14	175	0,8	1,5	—	—	15…30	—	0,7 / 2,5 / 0,7

Зарубежное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C/I_CP	T_J	U_{CE (sat)}	U_{BE (sat)}	f_T	C_ob	h_FE	Корпус	Временные параметры: t_on/ t_stg/ t_f мкс
2SC4106	50	500	400	7	7 / 14	150	0,8	1,5	20	80	10…50	TO-220C	0,5 / 2,5 / 0,3
2SC3158	60	500	400	7	7	—	1	1,2	—	—	20	TO-220F	1 / 2,5 / 1
2SC4055	60	600	450	7	8	180	1	1,5	20	—	100	TO-220	0,5 / 2 / 0,2
2SC4105	40	500	400	7	4 / 8	150	0,8	1,5	20	50	10…50	TO-220C	0,5 / 2,5 / 0,3
2SC4107	60	500	400	7	10 / 20	150	0,8	1,5	20	120	10…50	TO-220C	0,5 / 2,5 / 0,3
2SC4108	100	500	400	7	12 / 25	150	0,8	1,5	20	160	10…50	TO-3PB	0,5 / 2,5 / 0,3
2SC4109	140	500	400	7	16 / 32	150	0,8	1,5	20	230	10…50	TO-3PN	0,5 / 2,5 / 0,3
3DK3039	50	500	400	7	7	175	1	1,5	—	—	25	TO-220 ٭	1 / — / 1
SGSD00020	70	650	400	—	8	175	—	—	—	—	1000	TO-220	—
SGSF341	85	850	400	—	10	175	—	—	—	—	—	TO-220	—
SGSF343	85	1000	450	—	8	175	—	—	—	—	—	TO-220	—
SGSF344	85	1200	600	7	7	175	1,5	1,5	—	—	—	TO-220	1,2 / 3,5 / 0,4
SM2175	60	—	400	—	15	200	—	—	20	—	200	TO-220	—
BUL128	70	700	400	9	4 / 8	150	1,5	1,3	—	—	10…40	TO-220	— / 3 / 0,4
BUL128B-D	70	700	400	9…18	4 / 8	150	1,5	1,3	—	—	10…32	TO-220	— / 0,6 / 0,1
BUL128DR7	75	700	400	9	4	150	0,8	1,2	7	—	10…40	TO-220	— / 4 / 0,8
BUL128DR8	75	700	400	9	4	150	0,8	1,2	7	—	10…40	TO-220F	— / 4 / 0,8
BUL128FP	31	700	400	9	4 / 8	150	1,5	1,3	—	—	10…45	TO-220FP	— / 2,9 / 0,4

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 2. Внешние характеристики транзистора. Зависимость тока коллектора I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных значениях тока базы (указаны на поле рисунка).

Характеристика для схемы с общим эмиттером.

Рис. 3. Передаточная характеристика транзистора. Зависимость тока коллектора I_C от напряжения база-эмиттер U_BE.

Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В при нескольких значениях температуры внешней среды.

Характеристика для схемы с общим эмиттером.

Рис. 4. Зависимость статического коэффициента усиления транзистора h_FE от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты при нескольких значениях температуры внешней среды и напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 5. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы I_C/I_B = 5 и при нескольких значениях температуры внешней среды.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер U_BE₍_sat₎ от величины коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 7. Графики изменений временных параметров t_on, t_s, t_f при изменении коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты (пояснения на поле рисунка) при резистивной нагрузке, напряжении питания U_CC = 200 В и соотношении токов: I_C = 5I_B₁ = -2,5I_B₂, (t_stg = t_s).

Рис. 8. Область безопасной работы транзистора для случая резистивной нагрузки, температуре корпуса T_c = 25°C. Ограничения:

— по току коллектора для постоянного тока — I_C (режим DC OPERATION), для однократного импульса — I_CP разных длительностей: ≤ 50 мкс, 100 мкс, 1 мс,10 мс;

— по напряжению U_CEO = 400 В;

— режим ограничений рассеиваемой мощности по условиям вторичного пробоя: S/B Limited (пояснения на поле рисунка).

Рис. 9. Расширенная область безопасной работы. Транзистор включен при обратном смещении и введены ограничения по напряжению коллектор-эмиттер U_CE₍_sus₎ = 500 В.

Характеристика снята при температуре корпуса T_c = 25°C. Величина постоянного тока смещения базы I_B₂ = -1,2 А. Величина индуктивности нагрузки L = 100 мкГн (пояснения на поле рисунка).

Рис. 10. Ограничения по величине рассеиваемой мощности, возникающие при увеличении температуры внешней среды T_a.

Нижняя характеристика снята при отсутствии охладителя транзистора (пояснение на поле рисунка — No heat sink).

Source Транзистор NPN 2SC4106 C4106 4106 Silicon on m.alibaba.com

Глобальный бизнес-успех, первый партнер-E-Tansense

Принцип компании: качество во-первых, престиж во-первых, клиент в первую очередь.

Мы являемся выдающимся поставщиком электронных компонентов по всему миру

Наши особенности

1. Самое быстрое время выполнения

2. Низкий минимальный заказ. Большое количество долгосрочных поставок

3. Регулярная покупка с конкурентоспособными ценами и надежными поставками

4. Гарантия составляет не менее 3 месяцев

5. Новый оригинал и PB бесплатно

Способы оплаты:

Мы принимаем T/T, West Union, PayPal оплату.

Доставка:

1. Мы можем осуществлять доставку по всему миру через DHL, UPS, FEdex, TNT и EMS. Упаковка очень безопасная и прочная. Пожалуйста, сообщите мне, что у вас есть особые потребности.

2. Доставка займет около 3-5 дней.

Гарантия, возврат и замена:

Все компоненты мы продаем качество с 60 дней политики возврата со дня отгрузки.

1. Мы предоставляем 60 дней гарантии.

2. Если товар, который вы покупаете в нашем магазине, не имеет улучшенного качества, то есть он не работает в электронном виде со спецификациями производителей, просто верните его нам для замены или возврата денег.

3. Если товар неисправен, пожалуйста, сообщите нам в течение 3 дней с момента доставки.

4. Любые товары должны быть возвращены в их первоначальном состоянии, чтобы претендовать на возврат или замену.

5. Для стоимости доставки, мы свяжемся друг с другом в соответствии с товарами

Контактная информация:

E-tansense Technology co.,Ltd

86-755-82785940

86-755-23116295

Chenyahui173

Tatiana @ etansense. com

Характеристики транзисторов кт805, аналоги, цоколевка

КТ805 – кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор большой мощности средней частоты.

Зарубежный аналог КТ805

Во многих случаях можно заменить на MJE13009 (расположение выводов другое)

Особенности

Комплиментарная пара – наиболее подходящая пара КТ837

Корпусное исполнение и цоколевка КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ

пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)

Корпусное исполнение и цоколевка КТ805А, КТ805Б

Характеристики транзистора КТ805

Предельные параметры КТ805

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{К max}):

КТ805А — 5 А
КТ805АМ — 5 А
КТ805Б — 5 А
КТ805БМ — 5 А
КТ805ВМ — 5 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_{К, и max}):

КТ805А — 8 А
КТ805АМ — 8 А
КТ805Б — 8 А
КТ805БМ — 8 А
КТ805ВМ — 8 А

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттеp при сопротивлении в цепи база-эмиттеp (U_{КЭR max}) при Т_п = 25° C:

КТ805А — 160 В
КТ805АМ — 160 В
КТ805Б — 135 В
КТ805БМ — 135 В
КТ805ВМ — 135 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}) при Т_п = 25° C:

КТ805А — 5 В
КТ805АМ — 5 В
КТ805Б — 5 В
КТ805БМ — 5 В
КТ805ВМ — 5 В

Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора (P_{К, ср max}) при Т_к = 50° C:

КТ805А — 30 Вт
КТ805АМ — 30 Вт
КТ805Б — 30 Вт
КТ805БМ — 30 Вт
КТ805ВМ — 30 Вт

Максимально допустимая температура перехода (T_{п max}):

КТ805А — 150 ° C
КТ805АМ — 150 ° C
КТ805Б — 150 ° C
КТ805БМ — 150 ° C
КТ805ВМ — 150 ° C

Максимально допустимая температура окружающей среды (T_max):

КТ805А — 100 ° C
КТ805АМ — 100 ° C
КТ805Б — 100 ° C
КТ805БМ — 100 ° C
КТ805ВМ — 100 ° C

Электрические характеристики транзисторов КТ805 при Т

_п = 25^oС

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h_21Э) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (U_КЭ) 10 В, при постоянном токе коллектоpа (I_К) 2 А:

КТ805А — 15
КТ805АМ — 15
КТ805Б — 15
КТ805БМ — 15
КТ805ВМ — 15

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (U_{КЭ нас})

КТ805А — 2,5 В
КТ805АМ — 2,5 В
КТ805Б — 5 В
КТ805БМ — 5 В
КТ805ВМ — 2,5 В

Обратный ток коллектор-эмиттеp при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттеp (I_КЭR)

КТ805А — 60 мА
КТ805АМ — 60 мА
КТ805Б — 70 мА
КТ805БМ — 70 мА
КТ805ВМ — 70 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (f

гр)

КТ805А — 20 МГц
КТ805АМ — 20 МГц
КТ805Б — 20 МГц
КТ805БМ — 20 МГц
КТ805ВМ — 20 МГц

Тепловое сопротивление переход-корпус (R_{Т п-к})

КТ805А — 3,3 ° C/Вт
КТ805АМ — 3,3 ° C/Вт
КТ805Б — 3,3 ° C/Вт
КТ805БМ — 3,3 ° C/Вт
КТ805ВМ — 3,3 ° C/Вт

Опубликовано 11.02.2020

DC-DC понижающий преобразователь — ссылка на товар.

Как проверить транзистор на пробой

Как проверить транзистор мультиметром не выпаивая

Как проверить биполярный транзистор мультиметром

Существует множество приборов для проверки любых типов транзисторов. Ими можно проверить не только исправность транзистора, но и подобрать необходимый коэффициент усиления h31э.

Однако для ремонта бытовой техники и электроники вполне достаточно одного мультиметра. Чтобы понять сам процесс проверки транзистора, нелишне будет знать, что такое транзистор и как он работает. Транзистор можно представить как два встречно включенных диода имеющих p-n переходы. Для p-n-p транзисторов эквивалентная схема выглядит как два диода включенных катодами друг к другу, а для n-p-n структуры диоды включены анодами друг к другу.

Эквивалентные схемы транзисторов

Так можно представить себе упрощенный эквивалентный вариант транзистора. В двух словах о принципе работы транзистора. При подаче переменного сигнала на базу транзистора (общий конец соединения диодов) меняется сопротивление переходов коллектор — база и эмиттер – база. Соответственно и общее сопротивление переходов меняется по закону входного сигнала. Постоянное напряжение источника питания, приложенное к коллектору и эмиттеру, будет также меняться по закону входного сигнала.

Но напряжение источника питания, приложенное к переходу эмиттер — коллектор транзистора значительно больше сигнала поступающего на базу. Выходной сигнал снимается с выводов эмиттера и коллектора. Так работает транзистор в режиме усиления. В ключевом режиме на базу подаётся минимальный сигнал, при котором транзистор закрыт и максимальный сигнал, который полностью открывает транзистор.

Как проверить p-n-p транзистор мультиметром

Биполярные транзисторы могут быть с прямой проводимости p-n-p и обратной проводимостью n-p-n. На схеме проводимость p-n-p переходов обозначается стрелкой по направлению к базе, а n-p-n переходы отражаются стрелкой указывающей направление от базы. Для проверки транзистора на мультиметре выбирают предел измерения сопротивления 2000 Ом или “прозвонку”.

Находим обратное сопротивление переходов

Минус мультиметра прикладывают к базе транзистора, а плюс поочередно к выводам коллектора и эмиттера. Нормальное сопротивление перехода будет в пределах 400 — 1200 Ом. Чтобы проверить переходы коллектор — база и эмиттер — база на обратное сопротивление, плюс мультиметра прикладывают к базе, а минусы к эмиттеру и коллектору по очереди.

Обратное сопротивление коллектора и эмиттера должно быть большим, и мультиметр будет показывать “1”. Чтобы проверить транзистор с обратной полярностью n-p-n, к базе прикладывают плюс мультиметра, а в остальном методика такая же, как и при проверке полярности p-n-p. Этим же методом можно проверить работоспособность транзисторов, не выпаивая с платы.

Иногда переходы транзистора в схеме могут быть шунтированы небольшим сопротивлением. Тогда лучше отпаять базу или весь транзистор, так как показания мультиметра при проверке на целостность элемента будут неверными. Если переходы транзистора в обоих направлениях показывают ноль или близкое к нему, то это указывает на пробой переходов, а показания “1” на мультиметре говорят об обрыве переходов.

Как найти цоколевку транзистора мультиметром

Расположение выводов (цоколевка) транзистора можно найти по справочнику или по типу транзистора в интернете. Определить расположение выводов можно и мультиметром. Для этого плюс мультиметра прикладывают к правому выводу транзистора, а минус к среднему и левому контакту.

Как найти эмиттер и коллектор

Допустим, что сопротивление в обоих измерениях составило бесконечность. Получается, что мы нашли обратное сопротивление двух переходов n-p-n. Таким образом, мы попали на базу. Для нахождения коллектора и эмиттера минусом становятся на базу, а плюсом касаемся двух оставшихся выводов по очереди.

На дисплее отобразились значения сопротивлений переходов 816 Ом и 807 Ом. Вывод с сопротивлением 807 Ом будет коллектором, потому что переход база — коллектор имеет меньше значение сопротивления, чем переход база — эмиттер. Существуют так же транзисторы средней и большой мощности, у них коллектор соединен с корпусом или с металлической пластиной, предназначенной для рассеивания тепла.

Как проверить мощный биполярный транзистор и его цоколевку.

Проверку транзисторов приходится делать достаточно часто. Даже если у Вас в руках заведомо новый, не паяный ни разу транзистор, то перед установкой в схему лучше все-таки его проверить. Нередки случаи, когда купленные на радиорынке транзисторы, оказывались негодными, и даже не один единственный экземпляр, а целая партия штук на 50 – 100. Чаще всего это происходит с мощными транзисторами отечественного производства, реже с импортными.

Иногда в описаниях конструкции приводятся некоторые требования к транзисторам, например, рекомендуемый коэффициент передачи. Для этих целей существуют различные испытатели транзисторов, достаточно сложной конструкции и измеряющие почти все параметры, которые приводятся в справочниках. Но чаще приходится проверять транзисторы по принципу «годен, не годен». Именно о таких методах проверки и пойдет речь в данной статье.

Часто в домашней лаборатории под рукой оказываются транзисторы, бывшие в употреблении, добытые когда-то из каких-то старых плат. В этом случае необходим стопроцентный «входной контроль»: намного проще сразу определить негодный транзистор, чем потом искать его в неработающей конструкции.

Хотя многие авторы современных книг и статей настоятельно не рекомендуют использовать детали неизвестного происхождения, достаточно часто эту рекомендацию приходится нарушать. Ведь не всегда же есть возможность пойти в магазин и купить нужную деталь. В связи с подобными обстоятельствами и приходится проверять каждый транзистор, резистор, конденсатор или диод. Далее речь пойдет в основном о проверке транзисторов.

Проверку транзисторов в любительских условиях обычно проводят цифровым мультиметром или старым аналоговым авометром.

Проверка транзисторов мультиметром

Большинству современных радиолюбителей знаком универсальный прибор под названием мультиметр. С его помощью возможно измерение постоянных и переменных напряжений и токов, а также сопротивления проводников постоянному току. Один из пределов измерения сопротивлений предназначен для «прозвонки» полупроводников. Как правило, около переключателя в этом положении нарисован символ диода и звучащего динамика.

Перед тем, как производить проверку транзисторов или диодов, следует убедиться в исправности самого прибора. Прежде всего, посмотреть на индикатор заряда батареи, если требуется, то батарею сразу заменить. При включении мультиметра в режим «прозвонки» полупроводников на экране индикатора должна появиться единица в старшем разряде.

Затем проверить исправность щупов прибора, для чего соединить их вместе: на индикаторе высветятся нули, и раздастся звуковой сигнал. Это не напрасное предупреждение, поскольку обрыв проводов в китайских щупах явление довольно распространенное, и об этом забывать не следует.

У радиолюбителей и профессиональных инженеров – электронщиков старшего поколения такой жест (проверка щупов) выполняется машинально, ведь при пользовании стрелочным тестером при каждом переключении в режим измерения сопротивлений приходилось устанавливать стрелку на нулевое деление шкалы.

После того, как указанные проверки произведены, можно приступить к проверке полупроводников, – диодов и транзисторов. Следует обратить внимание на полярность напряжения на щупах. Отрицательный полюс находится на гнезде с надписью «COM» (общий), на гнезде с надписью VΩmA положительный. Чтобы в процессе измерения об этом не забывать, в это гнездо следует вставить щуп красного цвета.

Рисунок 1. Мультиметр

Это замечание не настолько праздное, как может показаться на первый взгляд. Дело в том, что у стрелочных авометров (АмперВольтОмметр) в режиме измерения сопротивлений положительный полюс измерительного напряжения находится на гнезде с маркировкой «минус» или «общий», ну с точностью до наоборот, по сравнению с цифровым мультиметром. Хотя в настоящее время больше используются цифровые мультиметры, стрелочные тестеры применяются до сих пор и в ряде случаев позволяют получить более достоверные результаты. Об этом будет рассказано чуть ниже.

Рисунок 2. Стрелочный авометр

Что показывает мультиметр в режиме «прозвонки»

Проверка диодов

Наиболее простым полупроводниковым элементом является диод, который содержит всего один P-N переход. Основным свойством диода является односторонняя проводимость. Поэтому если положительный полюс мультиметра (красный щуп) подключить к аноду диода, то на индикаторе появятся цифры, показывающие прямое напряжение на P-N переходе в милливольтах.

Для кремниевых диодов это будет порядка 650 – 800 мВ, а для германиевых порядка 180 – 300, как показано на рисунках 4 и 5. Таким образом, по показаниям прибора можно определить полупроводниковый материал, из которого сделан диод. Следует заметить, что эти цифры зависят не только от конкретного диода или транзистора, но еще от температуры, при увеличении которой на 1 градус прямое напряжение падает приблизительно на 2 милливольта. Этот параметр называется температурным коэффициентом напряжения.

Если после этой проверки щупы мультиметра подключить в обратной полярности, то на индикаторе прибора покажется единица в старшем разряде. Такие результаты будут в том случае, если диод оказался исправный. Вот собственно и вся методика проверки полупроводников: в прямом направлении сопротивление незначительно, а в обратном практически бесконечно.

Если же диод «пробит» (анод и катод замкнуты накоротко), то скорей всего раздастся звуковой сигнал, причем в обоих направлениях. В случае, если диод «в обрыве», как ни меняй полярность подключения щупов, на индикаторе, так и будет светиться единица.

Проверка транзисторов

В отличие от диодов транзисторы имеют два P-N перехода, и имеют структуры P-N-P и N-P-N, причем последние встречаются гораздо чаще. В плане проверки с помощью мультиметра транзистор можно рассматривать, как два диода включенных встречно – последовательно, как показано на рисунке 6. Поэтому проверка транзисторов сводится к «прозвонке» переходов база – коллектор и база – эмиттер в прямом и обратном направлении.

Следовательно, все что было сказано чуть выше о проверке диода, полностью справедливо и для исследования переходов транзистора. Даже показания мультиметра будут такие же, как и для диода.

На рисунке 7 показана полярность включения прибора в прямом направлении для «прозвонки» перехода база – эмиттер транзисторов структуры N-P-N: плюсовой щуп мультиметра подключен к выводу базы. Для измерения перехода база – коллектор минусовой вывод прибора следует подключить к выводу коллектора. В данном случае цифра на табло получена при прозвонке перехода база – эмиттер транзистора КТ3102А.

Если транзистор окажется структуры P-N-P, то к базе транзистора следует подключить минусовой (черный) щуп прибора.

Попутно с этим следует «прозвонить» участок коллектор – эмиттер. У исправного транзистора его сопротивление практически бесконечно, что символизирует единица в старшем разряде индикатора.

Иногда бывает, что переход коллектор – эмиттер пробит, о чем свидетельствует звуковой сигнал мультиметра, хотя переходы база – эмиттер и база – коллектор «звонятся» как будто нормально!

Проверка транзисторов авометром

Производится также, как и цифровым мультиметром, при этом не следует забывать, что полярность в режиме омметра обратная по сравнению с режимом измерения постоянного напряжения. Чтобы это не забывать в процессе измерений следует красный щуп прибора включать в гнездо со знаком «-», как было показано на рисунке 2.

Авометры, в отличие от цифровых мультиметров, не имеют режима «прозвонки» полупроводников, поэтому в этом плане их показания заметно различаются в зависимости от конкретной модели. Тут уже приходится ориентироваться на собственный опыт, накопленный в процессе работы с прибором. На рисунке 8 показаны результаты измерений с помощью тестера ТЛ4-М.

На рисунке показано, что измерения проводятся на пределе *1Ω. В этом случае лучше ориентироваться на показания не по шкале для измерения сопротивлений, а по верхней равномерной шкале. Видно, что стрелка находится в районе цифры 4. Если измерения производить на пределе *1000Ω, то стрелка окажется между цифрами 8 и 9.

По сравнению с цифровым мультиметром авометр позволяет более точно определить сопротивление участка база – эмиттер, если этот участок зашунтирован низкоомным резистором (R2_32), как показано на рисунке 9. Это фрагмент схемы выходного каскада усилителя фирмы ALTO.

Все попытки измерить сопротивление участка база – эмиттер с помощью мультиметра приводят к звучанию динамика (короткое замыкание), поскольку сопротивление 22Ω воспринимается мультиметром как КЗ. Аналоговый же тестер на пределе измерений *1Ω показывает некоторую разницу при измерении перехода база – эмиттер в обратном направлении.

Еще один приятный нюанс при пользовании стрелочным тестером можно обнаружить, если проводить измерения на пределе *1000Ω. При подключении щупов, естественно с соблюдением полярности (для транзистора структуры N-P-N плюсовой вывод прибора на коллекторе, минус на эмиттере), стрелка прибора с места не двинется, оставаясь на отметке шкалы бесконечность.

Если теперь послюнить указательный палец, как будто для проверки нагрева утюга, и замкнуть этим пальцем выводы базы и коллектора, то стрелка прибора сдвинется с места, указывая на уменьшение сопротивления участка эмиттер – коллектор (транзистор чуть приоткроется). В ряде случаев этот прием позволяет проверить транзистор без выпаивания его из схемы.

Наиболее эффективен указанный метод при проверке составных транзисторов, например КТ 972, КТ973 и т.п. Не следует только забывать, что составные транзисторы часто имеют защитные диоды, включенные параллельно переходу коллектор – эмиттер, причем в обратной полярности. Если транзистор структуры N-P-N, то к его коллектору подключен катод защитного диода. К таким транзисторам можно подключать индуктивную нагрузку, например, обмотки реле. Внутреннее устройство составного транзистора показано на рисунке 10.

Но более достоверные результаты об исправности транзистора можно получить с использованием специального пробника для проверки транзисторов, про который смотрите здесь: Пробник для проверки транзисторов.

Как проверить транзистор мультиметром

Если под рукой нет документации на биполярный транзистор, то мультиметр позволяет определить некоторые параметры и выводы транзистора. Поэтому рассмотрим, как проверить транзистор мультиметром.

Принципиально различают два вида биполярных транзисторов: n—p—n и p—n—p структуры. Принцип работы их аналогичен. Отличие заключается лишь в полярности подключения источника питания и других полярных радиодеталей: электролитических конденсаторов, диодов, светодиодов и т.п.

Упрощенно любой биполярный транзистор можно представить в виде двух последовательно и встречно соединенных диодов, поэтому рекомендую изначально ознакомиться с тем, как проверить диод. Однако следует понимать, что если взять и соединить таким образом два диода, то транзистор не получится. Но в данном случае мы можем допустить такое упрощение.

Место соединения двух условных диодов называется базой. А два оставшихся вывода, соответственно будут эмиттер и коллектор. Теперь рассмотрим, как проверить транзистор мультиметром и определить его выводы.

Проще всего определить базу. С нее и начнем. Если относительно одного вывода ток будет протекать в сторону других выводов, то это и есть база. Когда на базе находится положительный щуп, то значит, то биполярный транзистор имеет n—p—n структуру. В противоположном случае – p—n—p структуру.

Когда база определена, осталось узнать, какой из выводов является эмиттером, а какой коллектором. Для этого следует выполнить «прозвонку» выводов между базой и другими выводами и сравнить показания двух падений напряжений. Большее значение соответствует эмиттеру, а меньшее – коллектору.

Как проверить транзистор мультиметром наверняка

У современных биполярных транзисторов эта разница выражена не очень явно и бывает, что мультиметр показывает одинаковые значения. Поэтому с целью однозначного определения выводов можно воспользоваться функцией измерения коэффициента усиления биполярного транзистора по току. Для этого переключатель устанавливается на отметке h_FE. Этому режиму соответствует специальный режим на передней части корпуса. Он имеет 8 отверстий: 4 для p—n—p структуры и 4 для n—p—n структуры. Отверстия для эмиттера дублируются, поскольку транзисторы могут иметь разное расположение выводов относительно корпуса. Поэтому такой подход позволяет определить коэффициент усиления по току транзистора с любой распиновкой.

Структуру транзистора ранее мы уже научились определять «прозвонкой». С базой тоже проблем нет. Осталось убедиться в правильности соответствия коллектора и эмиттера. Вставляем полупроводниковый прибор в нужные отверстия. Если на дисплее отображается число в среднем от 30 и выше, то коллектор с эмиттером определены верно, а данное число показывает коэффициент усиления по току. В противном случае нужно поменять местами два вывода.

Я надеюсь статья стала полезной и Вы нашли ответ на вопрос, как проверить транзистор мультиметром. Более подробно с работой мультиметра можно ознакомиться, перейдя по ссылке.

Как проверить биполярный транзистор

NPN и PNP транзисторы

Биполярный транзистор состоит из двух PN-переходов. Существуют два вида биполярных транзисторов: PNP-транзистор и NPN-транзистор.

На рисунке ниже структурная схема PNP-транзистора:

Схематическое обозначение PNP-транзистора в схеме выглядит так:

где Э – это эмиттер, Б – база, К – коллектор.

Существует также другая разновидность биполярного транзистора: NPN транзистор. Здесь уже материал P заключен между двумя материалами N.

Вот его схематическое изображение на схемах

Так как диод состоит из одного PN-перехода, а транзистор из двух, то значит можно представить транзистор, как два диода! Эврика!

Теперь же мы с вами можем проверить транзистор, проверяя эти два диода, из которых, грубо говоря, состоит транзистор. Как проверить диод мультиметром, можно прочитать в этой статье.

Проверяем исправный транзистор

Ну что же, давайте на практике определим работоспособность нашего транзистора. А вот и наш пациент:

Внимательно читаем, что написано на транзисторе: С4106. Теперь открываем поисковик и ищем документ-описание на этот транзистор. По-английски он называется “datasheet”. Прямо так и забиваем в поисковике “C4106 datasheet”. Имейте ввиду, что импортные транзисторы пишутся английскими буквами.

Нас больше всего интересует распиновка выводов транзистора, а также его вид: NPN или PNP. То есть нам надо узнать, какой вывод что из себя представляет. Для данного транзистора нам надо узнать, где у него база, где эмиттер, а где коллектор.

А вот и схемка распиновки из даташита:

Теперь нам понятно, что первый вывод – это база, второй вывод – это коллектор, ну а третий – эмиттер

Возвращаемся к нашему рисунку

Мы узнали из даташита, что наш транзистор NPN проводимости.

Ставим мультиметр на прозвонку и начинаем проверять “диоды” транзистора. Для начала ставим “плюс” к базе, а “минус” к коллектору

Все ОК, прямой PN-переход должен обладать небольшим падением напряжения. Для кремниевых транзисторов это значение 0,5-0,7 Вольт, а для германиевых 0,3-0,4 Вольта. На фото 543 милливольта или 0,54 Вольта.

Проверяем переход база-эмиттер, поставив на базу “плюс” , а на эмиттер – “минус”.

Видим снова падение напряжения прямого PN перехода. Все ОК.

Меняем щупы местами. Ставим “минус” на базу, а “плюс” на коллектор. Сейчас мы замеряем обратное падение напряжения на PN переходе.

Все ОК, так как видим единичку.

Проверяем теперь обратное падение напряжения перехода база-эмиттер.

Здесь у нас мультиметр также показывает единичку. Значит можно дать диагноз транзистору – здоров.

Проверяем неисправный транзистор

Давайте проверим еще один транзистор. Он подобен транзистору, который мы с вами рассмотрели выше. Его распиновка (то есть положение и значение выводов) такая же, как у нашего первого героя. Также ставим мультиметр на прозвонку и цепляемся к нашему подопечному.

Нолики… Это не есть хорошо. Это говорит о том, что PN-переход пробит. Можно смело выкидывать такой транзистор в мусор.

Проверка транзистора с помощью транзисторметра

Очень удобно проверять транзисторы, имея прибор RLC-транзисторметр

Заключение

В заключении статьи, хотелось бы добавить, что лучше всегда находить даташит на проверяемый транзистор. Бывают так называемые составные транзисторы. Это значит, что в одном конструктивном корпусе транзистора могут быть вмонтированы два и более транзисторов. Имейте также ввиду, что некоторые радиоэлементы имеют такой же корпус, как и транзисторы. Это могут быть тиристоры, стабилизаторы, преобразователи напряжения или даже какая-нибудь иностранная микросхема.

Транзисторы КТ818 и КТ825 — Основные параметры, маркировка и цоколевка.

Транзисторы КТ825

Транзисторы КТ825 — кремниевые, составные(схема Дарлингтона), усилительные мощные низкочастотные, структуры p-n-p.
Применяются в усилительных и генераторных схемах. Цоколевка КТ825 и разновидности корпусов такие же как и у КТ818.

КТ825 — можно заменить эквивалентной схемой на двух транзисторах. Обычно, для этой цели используются КТ818 и КТ814. Сама схема выглядит вот таким образом.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 750.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — от 500 , до 18000 .
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825В2, 2Т825Б2 — от 750 , до 18000 .

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
У транзисторов КТ825Д, 2Т825В, 2Т825В2 — 45 в.
У транзисторов КТ825Е — 25 в.
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825Б2 — 60 в.
У транзисторов КТ825Г — 70 в.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — 45 в.

Максимальный ток коллектора.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 20 А.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 15 А.

Рассеиваемая мощность коллектора.(на радиаторе)
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 125 Вт.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 160 Вт.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 30 Вт.
Без радиатора — 3 Вт.

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 10 А и базовом токе 40 мА
— 3 в, при токе коллектора 20 А и базовом токе 200 мА — 4в

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в на частоте 100 КГц — не более 600пФ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 10А, базы 40мА — не более 2в.

Максимальная температура перехода:
У транзисторов КТ825А, КТ825Б, КТ825В — +175 Цельсия.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — +150 Цельсия.

Граничная частота передачи тока — 4 МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ825

КТ825Г — 2N6051.
КТ825Д — 2N6050.
КТ825Е — BDX64.
КТ825ГM — 2N6052G.
2Т825В -2N6285.
2Т825Б — 2N6286.
2Т825А — TIP147, TIP142

На главную страницу

SS9014 Распиновка биполярного NPN-транзистора, аналог, характеристики и техническое описание

Конфигурация выводов транзистора SS9014

Контактный №	Имя контакта	Описание
1	Излучатель	Ток утекает через эмиттер, нормально соединенный с землей
2	База	Управляет смещением транзистора, используется для включения или выключения транзистора
3	Коллектор	Ток протекает через коллектор, нормально подключенный к нагрузке

Характеристики

Предусилитель, низкоуровневый, малошумящий NPN-транзистор
Коэффициент усиления по току (hFE), от 60 до 1000 (хорошая линейность)
Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 100 мА
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) 45 В
Напряжение коллектор-база (VCB0) составляет 50 В
Базовое напряжение эмиттера (VBE0) составляет 5 В
Частота перехода 150 МГц
Доступен в пакете To-92

Примечание: Полную техническую информацию можно найти в таблице данных в конце этой страницы.

Дополнительный PNP для SS9014

SS9015

SS9014 Эквивалентные транзисторы

КСП06, КСП42, МПСА42, МПСВ06

Альтернативные транзисторы NPN

BC549, BC636, BC639, BC547, 2N2369, 2N3055, 2N3904, 2N3906, 2SC5200,2N551

Где использовать транзисторы SS9014?

SS9014 — низкосигнальный и малошумящий NPN-транзистор с хорошим значением hfe до 1000 и высокой линейностью, что делает этот транзистор идеальным выбором для разработки усилителей звуковой частоты (AF) или предварительных усилителей.Этот NPN-транзистор также имеет встречный PNP-транзистор ( SS9015 ), который можно использовать для разработки усилителя класса B в двухтактной конфигурации. Он также имеет хорошее рассеивание коллектора (рассеиваемую мощность) 0,4 Вт для динамиков с приличными характеристиками.

Транзистор имеет очень низкий ток коллектора 100 мА и поэтому не рекомендуется для коммутации или управления цепями. Я лично обнаружил, что эти транзисторы используются в беспроводных камерах видеонаблюдения и небольших игровых консолях, где требуется предварительное усиление звука.

Как использовать транзисторы SS9014?

SS9014 обычно используется для создания предварительного усилителя, но вы можете спроектировать свою схему в соответствии с вашими требованиями. Чтобы создать предварительный усилитель с использованием транзистора, нам необходимо выбрать транзистор с низким уровнем сигнала и шума, с хорошим значением hfe и рассеянием коллектора. SS9014, кажется, удовлетворяет всем этим параметрам. Типичная схема предварительного усилителя, использующая SS9014, показана ниже.

Значения резисторов R1, R2, R3 и R4 можно рассчитать, используя значения Vcc, Hfe и Ic.Некоторые полезные формулы для расчета приведены ниже —

Ib = Ic / hfe R1 = 1 / 2Vcc / 0,005 R2 = 1 / (Ic + Ib)

Приложения

Предусилители AF
Используется как усилители класса B
Малошумное сценическое аудиооборудование
Двухтактные схемы

2D Модель SS9014

Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

транзистор% 20c549 техническое описание и примечания по применению

хб * 9Д5Н20П Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор
KIA78 * pI Реферат: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ МОП-транзистор хб * 2Д0Н60П KIA7812API Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API
2SC4793 2sa1837 Аннотация: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентный транзистор NPN Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор нпн к-220 транзистор 2SC5359 Транзисторный эквивалент 2SC5171 2sc5198 эквивалент NPN транзистор
транзистор Аннотация: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP Текст: нет текста в файле	Сканирование OCR	PDF	2N3904 2N3906 2N4124 2N4126 2N7000 2N7002 BC327 BC328 BC337 BC338 транзистор транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP
CH520G2 Аннотация: Транзистор CH520G2-30PT цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn коммутирующий транзистор 60в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	A1100) QFN200 CHDTA143ET1PT FBPT-523 100 мА CHDTA143ZT1PT CHDTA144TT1PT CH520G2 CH520G2-30PT транзистор цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60 в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT
транзистор 45 ф 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021, TRIAC 136, 634, транзистор tlp 122, транзистор, транзистор переменного тока 127, транзистор 502, транзистор f 421. Текст: нет текста в файле	Сканирование OCR	PDF	TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор TLP 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421
CTX12S Аннотация: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406
Q2N4401 Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
fn651 Абстракция: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343
2SC5471 Аннотация: Транзистор 2SC5853 2sa1015 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 A1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Mosfet FTR 03-E Аннотация: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V / 65e9 транзистор 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF Текст: нет текста в файле	Сканирование OCR	PDF	2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Mosfet FTR 03-E mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V / 65e9 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF
fgt313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
транзистор 91330 Аннотация: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 Текст: нет текста в файле	Сканирование OCR	PDF	4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6N136 6N137 6N138 6N139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91330 ТРАНЗИСТОР TLP 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120

1999 — ТВ системы горизонтального отклонения Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ an363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтального сечения tv горизонтального отклонения переключающих транзисторов TV горизонтальных отклоняющих систем mosfet горизонтального сечения в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратноходовой трансформатор Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения Системы горизонтального отклонения телевизора MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка для телевизора на ЭЛТ Обратный трансформатор ТВ
транзистор Реферат: силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP PNP МОЩНЫЙ транзистор TO220 демпферный диод транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn транзистор Дарлингтона TO220 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SD1160 2SD1140 2SD1224 2SD1508 2SD1631 2SD1784 2SD2481 2SB907 2SD1222 2SD1412A транзистор силовой транзистор нпн к-220 транзистор PNP PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 демпферный диод Транзистор дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn darlington транзистор ТО220
1999 — транзистор Реферат: МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив fet высокочастотный транзистор TRANSISTOR P 3 транзистор mp40 список Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	X13769XJ2V0CD00 О-126) MP-25 О-220) MP-40 MP-45 MP-45F О-220 MP-80 MP-10 транзистор МОП-МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2ск 2СК типа Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив FET высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список
транзистор 835 Аннотация: Усилитель с транзистором BC548, стабилизатор транзистора AUDIO Усилитель с транзистором BC548, транзистор 81 110 Вт, 85 транзистор, 81 110 Вт, 63 транзистор, транзистор, 438, транзистор, 649, ТРАНЗИСТОР. Текст: нет текста в файле	Сканирование OCR	PDF	BC327; BC327A; BC328 BC337; BC337A; BC338 BC546; BC547; BC548 BC556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель АУДИО на транзисторе BC548 транзистор 81110 вт 85 транзистор 81110 вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ТРАНЗИСТОРА
2002-SE012 Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 СВЧ диод 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель ИМС с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287
ИНВЕРТОР сварочный аппарат pwm Аннотация: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 Powerex демпфирующий конденсатор инвертор сварочный аппарат KD221K75 kd2245 kd224510 применение транзистора Текст: нет текста в файле	Сканирование OCR	PDF
варикап диоды Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР GSM-модуль с микроконтроллером МОП-транзистор с p-каналом Hitachi SAW-фильтр с двойным затвором МОП-транзистор в УКВ-усилителе Транзисторы МОП-транзистор с p-каналом Mosfet-транзистор Hitachi VHF fet lna Низкочастотный силовой транзистор Текст: нет текста в файле	Сканирование OCR	PDF	PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в УКВ-усилителе Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор
Лист данных силового транзистора для ТВ Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалент 2SC5411, транзистор 2sd2499, 2Sc5858, эквивалентный компонент транзистора 2SC5387, 2SC5570 в строчной развертке. Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора для телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
2009 — 2sc3052ef Аннотация: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводник перекрестная ссылка toshiba smd marking code транзистор Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	24 ГГц BF517 B132-H8248-G5-X-7600 2sc3052ef 2n2222a SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 перекрестная ссылка на полупроводник toshiba smd маркировочный код транзистора
2007 — DDA114TH Аннотация: DCX114EH DDC114TH Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	DCS / PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22 кОм 47 кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

Si 6822 техническое описание транзистора pdf

Малосигнальный pnp-транзистор предварительные данные кремниевый эпитаксиальный планарный npn-транзистор в корпусе 92, подходящий для сборки печатной платы через сквозные отверстия, дополнительный тип npn — 2n3904, хорошо подходит для телевизоров и бытовой техники. Переключатель нагрузки на транзисторе с.Переключающий транзистор pnp в пластиковом корпусе для небольших поверхностных устройств (smd). Дополнение к npn: pmbt3904. 2 характеристики и si 6822 техническое описание транзистора книга pdf преимущества напряжение коллектор-эмиттер vceo = — 40 В ток коллектора ic = — 200 ма 1. 3 применения общее усиление и переключение 1. 4 таблица с краткими справочными данными 1. Краткие справочные данные 2. Npn Особенности транзистора общего назначения / pnp bc817dpn • большой ток (500 ма) • общая рассеиваемая мощность 600 мВт • заменяет два транзистора в корпусе sot23 на той же площади печатной платы.Области применения • коммутация и усиление общего назначения • дополнительный драйвер • полумостовой и полный мостовой драйвер. Описание пары транзисторов npn / pnp в sot457 (si 6822 техническое описание транзистора pdf sc- 74. 2sk49 si 6822 техническое описание транзистора pdf техническое описание, перекрестная ссылка, схемы и примечания по применению в формате pdf.

2sc3358 datasheet, 2sc3358 pdf, 2sc3358 распиновка , аналог, замена — кремниевый эпитаксиальный транзистор npn — unisonic technologies, схема, схема, инструкция.Шэньчжэнь si 6822 техническое описание транзистора книга pdf si semiconductors co. Спецификация продукции si полупроводники. 12 si 6822 техническое описание транзистора книга pdf si 6822 техническое описание транзистора pdf 1 транзисторы серии Bul Bul6822 обладают высоковольтной способностью высокоскоростное переключение широкое применение: люминесцентные лампы электронный балласт абсолютные максимальные номинальные значения tc = 25 ° c to- 92.

C4106 datasheet pdf , c4106 datasheet, c4106 pdf, c4106 распиновка, c4106 data, c4106 circuit, ic, c4106 manual, replace, parts, si 6822 transistor datasheet book pdf schematic, reference.2sc693 datasheet, 2sc693 pdf, 2sc693 data sheet, 2sc693 manual, 2sc693 pdf, 2sc693, datenblatt, electronics 2sc693, alldatasheet, free, datasheet, si 6822 техническое описание транзистора книга pdf datasheets, data. Elektronische bauelemente npn транзистор в пластиковом корпусе 14-февр. Описание npn-транзистора 2n3439 и 2n3440 — это кремниевые эпитаксиальные планарные npn-транзисторы в металлическом корпусе jedec to-39, предназначенные для использования в бытовых и промышленных приложениях, работающих от сети. Эти устройства особенно подходят в качестве драйверов в высоковольтных и слаботочных инверторах, переключателях и.Pdf upa2981 транзистор upa2982 si 6822 si 6822 pa2981c транзистор 6822 si транзистор 6822 si 6822 транзистор 6822 транзистор транзистор npn 6822: 1999 — upd7- 11. Веб-сайт Inchange semiconductorisc ： www. Comisc & iscsemi является зарегистрированным товарным знаком 1isc кремниевый силовой транзистор npn 2sd130описание · усиление постоянного тока — hfe si 6822 таблица технических данных транзистора pdf = 15 (min) @ ic = 3a · поиск в технических данных, технических описаниях, сайт поиска технических данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов и другие полупроводники.To- 92 транзисторы в пластиковом корпусе Транзистор s9018 (npn) имеет максимальные характеристики продукта с высокой пропускной способностью усиления по току (si 6822 техническое описание транзистора, pdf t si 6822 техническое описание транзистора, pdf a = 25 ℃, если не указано иное) электрические характеристики (ta = 25 ℃) если не указано иное) параметр символ условия испытания мин. тип макс. ед. напряжение пробоя коллектор-база v (br) cbo ic = 100 мкА, si 6822 техническое описание транзистора книга pdf ie = 0 25 В. C1213 si 6822 техническое описание транзистора книга pdf техническое описание, c1213 pdf, c1213 data sheet, c1213 manual, c1213 pdf, c1213, datenblatt, electronics c1213, alldatasheet, бесплатно, si 6822 техническое описание транзистора книга pdf техническое описание, si 6822 транзистор техническое описание книга pdf таблицы данных, техническое описание.2n6284 (npn); 2n6286, 2n6287 (pnp) предпочтительное устройство Дарлингтонские комплементарные кремниевые силовые транзисторы Эти корпуса разработаны для усилителей общего назначения и низкочастотных переключателей.

Характеристики • высокое усиление по постоянному току при ic = 10 adc — hfe = 2400 (тип.) — 2n6284 = 4000 (тип.) — 2n6287 • коллектор-эмиттер, поддерживающий. 2n5551 * mmbt5551 pd общее тепловое сопротивление устройства снижается выше 25 ° C 625 5. 8 мВт мВт / ° c rθjc тепловое сопротивление, переход к корпусу 83. 3 ° c / w rθja тепловое сопротивление, переход к окружающей среде ° c / w 1.Маркировка коллектора 1: 3с к-92 2н5551 ммбт5551. Emd3 / umd3n / imd3a общего назначения (si 6822 техническое описание транзистора pdf двойной цифровой транзистор) техническое описание loutline значение параметра sot- 563 sot- 3v ic (макс.

) 100ma r1 10kω emd3 umd3n r2 10kω (emt6) (umt6). Toshiba транзистор Si 6822 техническое описание транзистора pdf кремниевый pnp эпитаксиальный тип 2sa1837 усилитель мощности si 6822 техническое описание транзистора книга pdf приложения драйвер каскадного усилителя приложения • высокая частота перехода: f t = 70 МГц (тип.) • в дополнение к максимальным номинальным значениям 2sc4793 si 6822 брошюра с описанием транзисторов в формате pdf (tc = 25 ° c) характеристики символ номинал единица напряжение коллектор — база v cbo — 230 В напряжение коллектор — эмиттер v ceo — 230 В. P-канал 30- v ( D- S) MOSFET — описание производителя. “Vishay”), отказываемся от любой ответственности за любые ошибки, неточности или неполноту в PDF-документе с техническими данными на транзисторы 6822 или в любом другом документе. Значения транзисторов — это максимальное значение, рекомендованное производителем, которое следует указать в паспорте с техническими данными на транзисторы 6822, pdf, в сочетании с другими характеристиками, действительными для этого тока коллектора (например.Напряжения коллектора и насыщения, коэффициент усиления по току и т. Д.

) при выборе транзистора. В некоторых случаях может быть превышен указанный ток коллектора. Npn-силиконовыепитаксиальные транзисторы Особенности • высокий коэффициент усиления по постоянному току: hfe = 600 макс. 0ma) • высокое напряжение: vceo = 50vmaximum rating поиск в технических таблицах, таблицах данных, на сайте поиска электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов и других полупроводников.

Спецификации транзисторов объяснены. Существует множество различных спецификаций транзисторов, определяющих характеристики биполярного транзистора si 6822, техническое описание транзистора в формате pdf, что позволяет сделать осознанный выбор правильного транзистора для любой схемы.Кремниевый pnp-транзистор Toshiba эпитаксиального типа (процесс pct) 2sa1013 цветные телевизоры с вертикальным отклонением выходные приложения power si 6822 техническое описание транзистора книга pdf коммутационные приложения • высокое напряжение: vceo = — 160 В • большой постоянный ток коллектора • рекомендуется для вертикального отклонения si 6822 техническое описание транзистора book pdf output & audio output applications для линейных транзисторов si 6822 техническое описание книги pdf tv. Pnp-переключение Si 6822 транзистор техническое описание транзистора в формате pdf в металлическом корпусе to-39.Справочник транзисторов npn si 6822, pdf, дополняет: 2n2219 и 2n2219a. Описание пиновки 1 эмиттер 2 цоколь 3 коллектор, подключенный к корпусу рис. 1 si 6822 таблица данных транзистора pdf упрощенная схема (to-39) и обозначения. Справочник, половина страницы 3 1 2 mamquick справочные данные символ параметр условия мин. Блок vcbo коллектор-база разомкнута. Нпн-транзистор высоковольтный в к-92; сот54 пластиковый пакет. Дополнения pnp: 2n5400 и 2n5401.

Пин Описание штифта 1 коллектор 2 цоколь 3 эмиттер рис.1 упрощенный контур (к-92; сот54) и условное обозначение. Справочник, половинастраница1 3 2 Информация о предельных значениях в соответствии с системой абсолютного максимума (iec 60134. Кремниевый pnp-транзистор Toshiba эпитаксиального типа (процесс pct) 2sc1959 приложения для усилителя звуковой частоты с низким энергопотреблением приложения для каскадного усилителя с драйвером приложения для переключения приложений отличная линейность hfe: hfe ( 2) = 25 (мин): vce = 6 si 6822 техническое описание транзистора в формате pdf si 6822 техническое описание транзистора в формате pdf v, ic = 400 ма 1 Вт усилители.Дополняет 2sa562tm. Максимальные характеристики (при температуре 25 ° C).

Todos los transistores. Hoja de especificaciones. Principales características. Техническое описание транзистора Texas Instruments и транзистора Si 6822 в формате PDF. 2n3906 транзисторы общего назначения особенности кремния pnp • доступны пакеты без pb- * максимальные номинальные характеристики номинальное значение символ значение единица коллектор — эмиттер напряжение vceo 40 vdc коллектор — базовое напряжение vcbo 40 vdc эмиттер — базовое напряжение vebo 5.

0 vdc si 6822 техническое описание транзистора pdf si 6822 техническое описание транзистора pdf ток коллектора — непрерывный ic 200 madc полное рассеивание устройства при ta = 25 ° c снижение. Таблица данных транзистора Bul6822 в формате pdf, таблица данных транзистора Si 6822 в формате PDF, эквивалент Bul6822. Параметры и характеристики. Техническое описание C556b, c556b pdf, техническое описание c556b, техническое описание, техническое описание, pdf. Транзистор 6822 (id :, просмотреть сведения о качестве транзистора, компонента, устройства от shenzhen si semiconductors co. Витрина магазина на ec21.Купить лучший транзистор 6822 с защитой покупателя условного депонирования.

Кремниевый транзистор 2sc1623 особенности • высокое усиление по постоянному току: hfe = si 6822 техническое описание транзистора в формате pdf 200 si 6822 техническое описание транзистора в формате pdf тип. 0 ма) • высокое напряжение: vceo = 50 В, абсолютные максимальные номинальные напряжения и ток (ta = 25 c). C829 datasheet — vcbo = 30v, npn transistor — panasonic, даташит 2sc829, c829 pdf, c829 si 6822 техническое описание транзистора pdf распиновка, руководство c829, схема c829, эквивалент c829, данные c829.Частота транзистора ft (ic = 20madc, v ce = 6. 0vdc, f = 30mhzmhz ˝ si 6822 техническое описание транзистора в формате pdf ˛ ˚ ˜ ˜! «# ˇˆˆ $% ˛ ˚ ˜ ˜!» # ˆˇ mcc fe (1). 2sc998 datasheet, 2sc998 pdf, 2sc998 распиновка, эквивалент, замена — кремниевый npn транзистор — и т. д., схема, схема, руководство. Com qg qgs qgd vg charge D. Vds ig id 3ma vgs.

Регулятор тока 2 мкФ того же типа, что и d. Резисторы выборки тока + — vgs рис. 13а.

Справочник транзисторов

C1003

Название: Общее руководство по электрическим транзисторам: схемы, применение, характеристики; Автор 2-го издания: общая электрическая тематика: ключевые слова транзисторов. 2sc1317, 2sc1318 2 sjc00100ced p c t a i c v ce i c i b v ce (sat) i c v be (sat) i c h fe c1003 техническое описание транзистора i c f t i e c ob v cb v cer r рассеиваемая мощность беколлектора p 400 c (мВт) температура окружающей среды t a.Это техническое описание было загружено с: www. Каталог данных. Проектирование транзисторных схем [Texas Instruments incorporated] на Amazon. * Бесплатная * доставка соответствующих предложений. Книга Texas Instruments включена. Эквивалентные схемы и модели транзисторов цели обучения Общая схема замещения постоянного тока Схема замещения переменного тока Эквивалентная схема транзистора c1003 Книга данных о транзисторах CB Эффект сопротивления источника c1003 Справочная таблица транзисторов RS на усиление по напряжению Справочная таблица транзисторов c1003 Эквивалентная схема эквивалентной схемы усилителя CE модель или представление усилителя слабого сигнала низкой частоты.C1003 datasheet (c1003 transistor datasheet book pdf) 1. Pdf размер: 449k _ kec semiconductor ktc1003 технические данные эпитаксиальный планарный npn-транзистор ч / б тв приложение вывода горизонтального отклонения.

A c dim миллиметры s Справочник по транзисторам c1003 _ имеет большой ток коллектора 10. 3 e. Транзистор bc547a npn 45v 100ma to- 92 fairchild semiconductor datasheet, pdf, техническое описание бесплатно от datasheetz. Com datasheet (технический паспорт) поиск интегральных схем (ic), полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды.

Руководство по выбору биполярных силовых транзисторов январь оглавление страница продукта транзисторы общего назначения стр. Переключающие транзисторы 220f to-3p на 3pf dpak d2pak to-92 to-126 to-220 to-220f to-3p to- 3pf 2. Цепи транзисторов i с общей базой, работа на постоянном токе. Скромный транзистор q1 эмиттер (e) коллектор (c) база (b) основы транзистора • переход эмиттер-база смещен в прямом направлении (обычно) • переход коллектор-база смещен в обратном направлении (обычно) • транзисторы — это устройства, работающие от тока, так что.20 3 nxp Semiconductors Техническое описание продукта Транзисторы с резистором pnp; r1 = 4. 7 кОм, r2 = открытая книга данных транзистора pdta143t серии c1003, упрощенная схема, обозначение и закрепление. Общий каталог полупроводников.

Содержание этого документа может быть изменено для улучшения и других целей без предварительного уведомления. Обязательно ознакомьтесь с характеристиками поставки перед использованием этих продуктов. Примеры работы и схемы в этом. Транзисторы louis e.

В этой заметке объясняются следующие темы: транзисторы и их влияние на радиотелевизоров и работников электроники, понимание работы транзисторов, характеристики транзисторов, схемы транзисторных усилителей, схемы транзисторных генераторов, специальные схемы транзисторов, компоненты транзисторов, уход за транзисторами и их обслуживание. , практические транзисторные схемы.Эта книга поможет вам разобраться в топологии схемы и значениях резисторов смещения, учитывая набор рабочих характеристик желаемого усилителя и техническое описание bjts. Если вы инженер-электрик и ищете книгу, которая поможет вам проектировать усилители (скажем, в качестве хобби), то справочник транзисторов c1003 — это книга для вас. C548b datasheet, c548b pdf, c548b data sheet, c548b manual, c548b pdf, c548b, datenblatt, electronics c548b, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet.20 3 Philips Semiconductors Спецификация продукции NPN-транзисторы высокого напряжения 2n5550; 2n5551 тепловые характеристики tamb = 25 ° c, если не указано иное.

Символ единицы значения параметра. 2 itt intermetall вся информация и данные, содержащиеся в этом справочнике, не содержат каких-либо обязательств, не должны рассматриваться как предложение для заключения контракта, и они не должны рассматриваться как справочник технических данных транзисторов c1003 Справочник технических данных транзисторов c1003 как создание транзисторов c1003. таблица данных о любой ответственности.Любой новый выпуск этого справочника, или. Значения транзистора — это максимальное рекомендуемое значение. C datasheet — vceo c1003 transistor datasheet book = 150v, npn power transistor — mospec, 2sc datasheet, c pdf, распиновка c, данные c, схема c, выход, схема c. Абсолютные максимальные характеристики эпитаксиального кремниевого транзистора ksc1815 npn ta = c1003 таблица технических данных транзистора 25 ° c, если не указано иное, электрические характеристики ta = 25 ° c, если не указано иное, символ классификации hfe единицы значения параметра vcbo напряжение коллектор-база 60 v.Таблица данных печатается только для справочной информации. Техническое описание каталогов mfg & type c1003 транзистор техническое описание книга теги документа pdf; c1003.

Резюме: k c1003 c1003 техническое описание транзистора el3n 1n4148 2n5551 mpsa42 1n4148 рабочая частота 54mil c1003 техническое описание транзистора текст книги: описание c1003 — это интегральная схема cmos с поли затвором, которая предназначена для управления электролюминесцентной лампой, выбранной op3. Datasheet содержит предварительные данные; дополнительные данные будут опубликованы позже, когда будет опубликована таблица данных транзистора c1003.Fairchild Semiconductor оставляет за собой право вносить изменения в любое время без предварительного уведомления для улучшения конструкции. Транзисторные эквиваленты для замены современных транзисторов в старых проектах. Ссылки, приведенные слева, могут помочь вам найти свою собственную замену для транзисторов c1003. Если вы найдете какую-либо информацию, которая может заполнить таблицу данных транзистора c1003, закажите любые пробелы в таблице ниже.

Техническое описание продукта заменяет данные книги Mayapr 27 по дискретным полупроводникам ph3369 npn 1997 года выпуска, полстраницы m3d186.Некоторые источники говорят, что транзистор, обращенный к плоской стороне, имеет e b c в таком порядке слева направо. Другие утверждают, что при чтении слева направо это c b e. Теперь, какой конец — коллектор, а какой — эмиттер. «Линия загрузки». Графики вышеуказанных напряжений и токов характеризуют конкретный транзистор (например, 2n2222) и называются «характеристиками транзистора». Этот модуль посвящен таблице технических данных транзистора c1003 транзисторного усилителя, которая включает в себя выбор номиналов пяти резисторов и трех конденсаторов.Кремниевый pnp-транзистор Toshiba эпитаксиального типа (процесс pct) 2sa1013 цветной телевизор приложения с выходом вертикального отклонения приложения для переключения мощности • высокое напряжение: vceo = — 160 В • большой постоянный ток коллектора • рекомендуется для выходного сигнала вертикального отклонения и вывода звука для телевизоров с линейным питанием .

Конечно, вам понадобится таблица данных транзистора c1003, чтобы разработать схему с его использованием. Я получаю таблицы с www. Архив данных. Ваша схема определяет выходной ток.В таблице данных указывается максимально допустимый выходной ток из таблицы данных транзистора c1003 и. Техническое описание C380, c380 pdf, техническое описание c380, техническое описание, техническое описание, pdf. Таблица данных транзисторов и диодов Texas Instruments, 1-е издание 1973 г., для диодов от 1n251 и транзисторов от 2n117 на acrobat.

Техническое описание транзистора, транзистор pdf, транзистор c1003 техническое описание транзистора, техническое описание, техническое описание, техническое описание, pdf. Цифровые транзисторы 100 мА / 50 В (со встроенными резисторами) Справочник транзисторов c1003 dtc124xm / dtc124xe / dtc124xua / dtc124xka приложения инвертор, интерфейс, особенности драйвера внешние входные резисторы C1003 Transistor datasheet book (см. эквивалентную схему).Таблица данных транзистора C103, pdf, эквивалент c103. Параметры и характеристики. To- 92 транзисторы в пластиковом корпусе Транзистор s9018 (npn) имеет максимальные характеристики продукта (ta = 25 ℃, если не указано иное), электрические характеристики (ta = 25 ℃, если не указано иное) Тип макс. единица коллектор-база c1003 таблица данных транзистора напряжение пробоя v (br) cbo ic = 100 мкa, ie = 0 25 В. C5207a c1003 таблица данных транзистора, c5207a pdf, c5207a data sheet, c5207a manual, c5207a pdf, c5207a, datenblatt , электроника c5207a, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data.

Содержание. Этот сборник данных содержит исчерпывающие данные с описанием транзисторов c1003, сборники с техническими описаниями транзисторов c1003, а также информацию о приложениях для всех новых коммуникаторов. В лидера отрасли. Наша компания была основана в 1964 году для поставок на вторичный рынок германиевых транзисторов, производимых философской компанией из Лансдейла, штат Пенсильвания. Мы переехали в наш штаб. Название: понимание транзисторов: справочник союзников по основам транзисторов автор: milton s. Кивер тема: транзисторы ключевые слова: радиоэлектронное соединение, германий, npn.C4106 datasheet pdf, c4106 datasheet, c4106 pdf, c4106 распиновка, c4106 данные, c4106 схема, ic, c4106 c1003 транзистор техническое описание книги руководство, замена, детали, схема, ссылка.

Технические характеристики транзисторов, перекрестные ссылки, схемы и указания по применению в формате pdf. Архив даташита. Последние списки производителей в каталоге позволяют мгновенно получить представление о любом электронном компоненте. Попробуйте findchips pro for c1003 transistor datasheet book transistor. Лучшие результаты (6) производитель запчастей. Книги, которые вам следует прочитать: создание транзисторного радиоприемника.

То, что это книга, которую вы должны прочитать, вы можете представить, о которой мы говорим. Транзистор 2n3553 в металлическом корпусе to39 может использоваться в схемах транзисторов. В названии трех основных конфигураций транзисторов указывается вывод транзистора, который является общим как для входных, так и для выходных цепей. Это дает начало трем терминам: общая база данных транзистора c1003, общий коллектор и общий эмиттер. Com qg qgs qgd vg charge d. Vds иг id 3ma vgs. Регулятор тока 2 мкФ того же типа, что и d.Резисторы выборки тока + — vgs рис. 13а.

c4106langen Datasheet PDF — SANYO -> Panasonic

2SC4106

Технические характеристики всех продуктов SANYO, описанных или содержащихся в настоящем документе, определяют их рабочие характеристики,

характеристики, а также функции описываемых продуктов в независимом состоянии и не являются гарантиями

рабочих характеристик, характеристик и функций описанных продуктов, установленных в

заказчика.

товаров или оборудования.Для проверки симптомов и состояний, которые нельзя оценить на независимом устройстве,

заказчик всегда должен оценивать и тестировать устройства, установленные в продуктах или оборудовании заказчика.

SANYO Electric Co., Ltd. стремится поставлять качественную и надежную продукцию. Однако любой без исключения

Полупроводниковые изделия

выходят из строя с некоторой вероятностью. Не исключено, что эти вероятностные отказы могли

привести к несчастным случаям или событиям, которые могут поставить под угрозу жизнь людей, которые могут вызвать дым или пожар,

или это может привести к повреждению другого имущества.При проектировании оборудования соблюдайте меры безопасности, чтобы

, что такого рода несчастные случаи или события произойти не могут. Такие меры включают, но не ограничиваются защитным

Цепи

и схемы предотвращения ошибок для безопасного проектирования, проектирования с резервированием и проектирования конструкций.

В случае, если какие-либо или все продукты SANYO (включая технические данные, услуги) описаны или

, содержащиеся в данном документе, контролируются в соответствии с любыми применимыми местными законами и постановлениями об экспортном контроле,

такую продукцию нельзя экспортировать без получения экспортной лицензии от властей

в соответствии с вышеуказанным законом.

Никакая часть данной публикации не может быть воспроизведена или передана в любой форме и любыми средствами, электронными или

механический, включая ксерокопирование и запись, или любую систему хранения или поиска информации,

или иным образом, без предварительного письменного разрешения SANYO Electric Co., Ltd.

Любая информация, описанная или содержащаяся в данном документе, может быть изменена без предварительного уведомления в связи с

улучшение продукта / технологии и т. Д. При проектировании оборудования см. «Технические условия на поставку»

для продукта SANYO, который вы собираетесь использовать.

Информация (включая принципиальные схемы и параметры цепей) приведена только для примера; это не

гарантировано для серийного производства. Компания SANYO считает, что приведенная здесь информация является точной и надежной, но

не дается и не подразумевается никаких гарантий в отношении его использования или любых нарушений прав интеллектуальной собственности

или другие права третьих лиц.

В этом каталоге представлена информация по состоянию на декабрь 1998 г. Технические характеристики и информация в нем являются предметом

можно изменить без предварительного уведомления.

ПС №2471–4 / 4

Таблица данных транзистора A562 содержит все наименования деталей, для которых имеется файл 548b. Pdf — это таблица данных. Это лист данных на следующие электронные компоненты :. Усилитель на кремниевом npn-транзисторе. N4111 nte, эквивалентный nte2356, кремниевый pnp-транзистор, 50 в, ic-0. Корпус типа от 1a до 92 с 2 встроенными резисторами смещения 10 кОм в комплекте с nte2355. 20 3 nxp Semiconductors Техническое описание продукта Транзисторы с резистором pnp; r1 = 4. 7 кОм, r2 = открытая серия pdta143t упрощенная схема, обозначение и закрепление.Техническое описание транзистора A562, перекрестная ссылка, примечания по схемам и применению в формате pdf. Datasheet содержит предварительные данные; дополнительные данные будут опубликованы позже. Fairchild Semiconductor оставляет за собой право вносить изменения в таблицу данных транзисторов 562 в любое время без предварительного уведомления для улучшения конструкции.

Texas Instruments. Таблица данных транзистора a562. Таблица данных транзисторов и диодов, 1-е издание, 1973, таблицы данных для диодов от 1n251 on и a562. Справочник транзисторов от 2n117 на acrobat.Конечно, вам понадобится техническое описание транзистора, чтобы разработать схему с его использованием. Я получаю таблицы с www. Архив данных. Выходной ток определяется схемой технического описания транзистора a562.

В таблице данных указан максимально допустимый выходной ток, и ваша конструкция должна ограничивать выходной ток до меньшего значения. Эпитаксиальное применение кремния npn • усилитель низкой частоты • дополнительная пара с схемами 2sa1029 и 2sa1030 1. Технические характеристики продукта заменяют данные книги Mayapr 27 по дискретным полупроводникам ph3369 npn 1997 года, полстраницы m3d186.Корпорация Fairchild Semiconductor rev. B2, таблица технических данных транзисторов a562 декабрь bc635 / 637/639 npn эпитаксиальный кремниевый транзистор абсолютные максимальные характеристики ta = 25 ° c, если не указано иное • pw = 5 мс, рабочий цикл = 10%. Цифровые транзисторы 100 мА / 50 В (со встроенными резисторами) dtc124xm / dtc124xe / dtc124xua / dtc124xka приложения инвертор, интерфейс, особенности драйвера 1) встроенные резисторы смещения позволяют транзистору a562 записать конфигурацию схемы инвертора без подключения внешних входных резисторов a562 Справочник транзисторов (см. эквивалентную схему).Паспорт всех транзисторов. Поиск по перекрестным ссылкам.

База данных транзисторов. Com qg qgs qgd vg charge d. Vds иг id 3ma vgs. Регулятор тока 2 мкФ того же типа, что и d. Резисторы выборки тока + — vgs рис. 13а. Перекрестный справочник транзисторов. Перекрестный справочник транзисторов. Справочник по транзисторам Fairchild поставляет высокопроизводительные полупроводниковые продукты для решения задач проектирования в широком диапазоне приложений и отраслей. Есть ли что-нибудь, чтобы увидеть, можно ли заменить конкретный транзистор другим?Таблица данных A562, таблица данных a562 pdf, таблица данных a562, таблица данных, таблица данных, pdf.

2sa562tm: кремниевый транзистор pnp эпитаксиального типа (процесс pct) звуковой частоты малой мощности. A562 datasheet, a562 pdf, a562 data sheet, a562 manual, a562 pdf, a562, a562 datasheet, datasheet, электроника a562, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet, datas. Справочник по транзисторам [cletus j. Kaiser] в книге технических данных на транзисторы a562 amazon. * Бесплатная * доставка соответствующих предложений.

В этом справочнике с описанием транзисторов a562 содержатся практические рекомендации и информация по применению при использовании транзисторов в электронных и электрических схемах.Bc372, bc373 a562 техническое описание транзисторов высокого напряжения транзисторы Дарлингтона npn кремниевые особенности • доступны пакеты без pb * максимальные номинальные значения номинальный символ a562 техническое описание транзистора единица балансовой стоимости коллектор — напряжение эмиттера bc372 bc373 vceo 100 80 vdc коллектор — базовое напряжение bc372 bc373 vces 100 80 В постоянного тока эмиттер — базовое напряжение vebo 12 В постоянного тока ток коллектора — непрерывный ic Книга данных транзистора a562 1. A562- один эквивалентный транзистор NTE290A книга данных транзистора a562 pnp кремний a562 таблица данных транзистора 100 в ic = 0.Корпус усилителя мощности звука с 5a по 92 по nte289a. Технический паспорт: nte.

Dtc114em / dtc114ee / dtc114eua / dtc114eka / dtc114esa zapplications инвертор, интерфейс, драйвер zфункции 1) встроенные резисторы смещения позволяют конфигурировать схему инвертора без справочника транзисторов a562 для подключения внешних входных резисторов (см. Эквивалентную схему). Транзистор A92 (pnp) имеет максимальные номинальные значения высокого напряжения (ta = 25 ℃, если не указано иное) символ параметр значение единицы v cbo коллектор — напряжение базы — 300 vv ceo коллектор — эмиттерное напряжение — 300 vv ebo a562 таблица данных транзистора эмиттер — напряжение базы — 5 a562 таблица данных транзистора vic ток коллектора — непрерывный — 500 таблица данных транзистора a562 ma pc коллектор рассеиваемая мощность 625 мВт tj температура перехода 150 ℃ t.2n4124 mmbt4124 npn a562 таблица данных транзистора усилитель общего назначения это устройство разработано как усилитель общего назначения и переключатель. Полезный динамический диапазон таблицы технических данных транзисторов a562 расширяется до 100 таблиц данных транзисторов a562 в качестве переключателя и до 100 МГц в качестве усилителя. Абсолютные максимальные номинальные значения * ta a562 таблица технических данных транзистора = 25 ° C, если не указано иное. Кремниевый pnp-транзистор Toshiba эпитаксиального типа (процесс pct) 2sa1013 цветной телевизор приложения с выходом вертикального отклонения приложения для переключения мощности • высокое напряжение: vceo = — 160 В • большой постоянный ток коллектора • рекомендуется для выходного сигнала вертикального отклонения и вывода звука для телевизоров с линейным питанием .Транзистор в пластиковом корпусе 30 мая-рев.

Microsoft word — 2sa562_ to- 92_ pnp_ r, c, vb_. Автор документа: alice дата создания :. У меня есть большое количество оригинальных атариков для различных компьютеров и консолей от 600xl до таблицы данных транзисторов falcon a562 030, некоторые уникальные микросхемы, кристаллы, транзисторы и т.д. только некоторые из них доступны, они все новые и неиспользованные, просто сделайте разумным.Транзисторные усилители звука Shea john wiley & sons inc. 1955 г. (содержит в тексте несколько таблиц данных по транзисторам a562, очень ранние спецификации транзисторов) acrobat.

Отсканировано artmisa с использованием планшетного ПК canon dr2580c +. Транзисторы louis e. В этой примечании к техническому описанию транзисторов a562 объясняются следующие темы в техническом описании транзисторов a562: транзисторы и их влияние на радио-телевидение и электронику, понимание действия транзисторов, характеристики транзисторов, схемы транзисторных усилителей, схемы транзисторных генераторов, специальные схемы транзисторов, компоненты транзисторов, уход и обслуживание транзисторов, практические схемы транзисторов.Ss9015 a562 таблица технических данных транзистора pnp эпитаксиальный кремниевый транзистор абсолютные максимальные номинальные значения ta = 25 ° c, если не указано иное электрические характеристики ta = 25 ° c, если не указано иное, hfe классификационный символ a562 таблица технических данных транзистора номинальные параметры единицы vcbo коллектор — базовое напряжение — 50 v vceo коллектор — напряжение эмиттера — 45 В, вэбо эмиттер — напряжение базы — 5 В, ток коллектора — 100 А. Datasheet довольно плохого качества, но мы видим, что выводы пронумерованы эмиттер-> коллектор-> база.Если вы подключите его к любому мультиметру с тестом транзисторов в этой конфигурации, и он показывает действительный лист технических данных транзистора a562 hfe (т.е. более 30), то вы знаете, что распиновка правильная. Техническое описание предлагает hfe от 120 до 560. Техническое описание транзистора, транзистор pdf, транзистор a562 техническое описание транзистора справочник технических данных, техническое описание, техническое описание, pdf. ЛДМОС рч силовой полевой транзистор 90 вт, мгц :. Справочник биполярных транзисторов с гетеропереходом iii-v [william liu] на amazon.

Подробное практическое руководство по биполярным транзисторам с гетеропереходом В последние годы технология биполярных транзисторов с гетеропереходом (БТТ) стала интенсивно исследуемой областью в университетах и промышленности по всему миру.Техническое описание транзистора a562, таблица данных о статусе, объективная спецификация В этом техническом описании содержатся целевые или целевые характеристики для разработки продукта. Предварительные данные. Этот лист данных содержит предварительные данные; дополнительные данные могут быть опубликованы позже.

Технические характеристики продукта Этот лист данных содержит окончательные характеристики продукта. Транзистор для приложений видеомонитора и высокопроизводительный аудиовыход. Таблица технических характеристик транзисторов a562 в корпусе to– 264.У нас самый широкий ассортимент биполярных силовых транзисторов в отрасли, а приверженность Motorola к качеству и полному удовлетворению потребностей клиентов идет с ними. Транзистор pnp a124 a562 таблица данных транзистора эквивалентная таблица данных, перекрестная ссылка, таблица данных транзистора a562 и примечания по применению в формате pdf. — книга эквивалента бесплатного транзистора. Аннотация: бесплатное техническое описание транзистора a562.

Значения транзистора — это максимальное значение, рекомендованное производителем, которое следует указывать вместе с другими характеристиками, действительными для этого тока коллектора (например,Напряжения коллектора и насыщения, коэффициент усиления по току и т. Д.) При выборе транзистора. В некоторых случаях может быть превышен указанный ток коллектора. A562 datasheet (pdf) 1. Pdf размер: 448k _ update tcsa562 * to- 92 пластиковый пакет pnp a562 таблица данных транзистора кремниевый эпитаксиальный транзистор a562 таблица данных транзистор rohs аудио a562 таблица данных транзистора частота маломощный усилитель приложений. A562y datasheet, a562y pdf, a562y data sheet, a562y manual, a562y pdf, a562y, datenblatt, electronics a562y, alldatasheet, a562 transistor datasheet book free, datasheet, datasheets, data sheet.

C4106 datasheet, pdf, c4106 datasheet, c4106 pdf, c4106 распиновка, c4106 данные, c4106 схема, ic, c4106 руководство, заменитель, детали, схема, ссылка. Таблица данных транзистора C3209 a562, pdf — npn-транзистор — nec, даташит 2sc3209, c3209 pdf, распиновка c3209, эквивалент c3209, транзистор c3209, схема c3209, руководство c3209.

Книжная полка с описанием транзисторов C5856

Книжная полка с техническими данными на транзисторы C5856

Я получаю от вашей схемы технические данные, определяющие выходной ток.Архив технических данных — это большой бесплатный ресурс для электронных описаний компонентов и отсканированных книг данных. Техническое описание C639, c639 pdf, техническое описание c639, техническое описание, техническое описание, pdf. C4793 datasheet pdf npn transisotor toshiba, 2sc4793 datasheet, c4793 pdf, распиновка c4793, данные c4793, схема, выход c4793, микросхема, схема, заменитель. Типичные параметры, которые могут быть указаны в технических паспортах полупроводников и / или технические характеристики, могут различаться и действительно различаются. Elektronische bauelemente npn залитый пластиком.Транзистор для усиления слабых сигналов низкой частоты. Кремний обеспечивает хорошие общие характеристики с напряжением включения база-эмиттер около 0. Руководство по выбору дискретных полупроводников Продукты 2010 года для общего применения Bene.

Спецификация продукции Savantic Semiconductor 3 силовых кремниевых npn-транзистора Схема корпуса 2sc4242 рис. Силовой полевой транзистор ldmos rf 90 вт, 869960 мгц. База 1 2002 Fairchild Semiconductor Corporation Rev. Таблица данных транзисторов и диодов Texas Instruments, 1-е издание 1973 г., таблицы данных для диодов от 1n251 на и транзисторов от 2n117 на acrobat 7 pdf 34.Спецификация продукции Savantic Semiconductor кремниевые npn-транзисторы 2sc3150 описание с корпусом to220c высоким напряжением пробоя. Книга данных по силовым транзисторам и полупроводникам компании Toshiba, 1983 г., корпорация toshiba, 1983 г., acrobat 7, pdf 52. Преимущества биполярного режима, полный оборот, с низким значением напряжения vbe, техническое описание, pdf 5. Каталог технических данных транзисторов с резисторами смещения серии DTC114e.

Т.к. распределение тепла в кристалле транзистора неравномерно и зависит от напряжения и. Техническое описание транзистора, транзисторный PDF-файл, технический паспорт транзистора, технический паспорт, технический паспорт, PDF-файл домой все производители по категориям, названию детали, описанию или изготовителю.Транзисторы 1400 семейств транзисторов Существует два основных семейства транзисторов. Panasonic, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. Конечно, вам понадобится техническое описание транзистора, чтобы разработать схему с его использованием.

Щелчок по типу продукта приведет вас к соответствующей странице информации о продукте на веб-сайте nxp. Транзистор с резистором смещения Кремниевый npn-транзистор для поверхностного монтажа с монолитной сетью резисторов смещения Эта новая серия цифровых транзисторов разработана для замены отдельного устройства и его сети с внешним резистором смещения.Применение: коммутация и усиление общего назначения, e. Фабрика Прямая поставка, меньшие заказы отправляются в течение 5 дней на складе. Это максимальное напряжение базы коллектора, которое обычно измеряется при разомкнутой цепи эмиттера. C5802 транзистор c1162 c5856 транзистор c1162 c5027 c6067 c18 транзистор c3169 c1106 текст.

Технические характеристики транзистора объяснены примечания по электронике. C5856 2sc5856 техническое описание компонентов pdf техническое описание бесплатно из datasheet4u. Описание соединений выводов кремниевого транзистора npn: схема интерфейса приложения переключения и особенности приложения схемы драйвера со встроенными резисторами смещения упрощают конструкцию схемы, уменьшают количество деталей и производственный процесс, высокая плотность упаковки.Руководство по выбору биполярных силовых транзисторов январь 2003 г. содержание страница продукта транзисторы общего назначения стр. книги скачать электронные книги онлайн учебники. Я в 80-е и 90-е годы искал эквиваленты компонентов в книгах. Техническое описание сверхнадежных силовых транзисторов lp395 texas instruments.Руководство по выбору биполярных силовых транзисторов январь 2003 г. содержание страница продукта транзисторы общего назначения горизонтальное отклонение выходные транзисторы страница продукта dpak d2pak sot223 ipak to126 транзисторы тодарлингтона dpak ipak to126 to220 to220f to3p to3pf переключающие транзисторы dpak d2pak to92 to126.

Указания по определению теплового сопротивления rths для ребер охлаждения можно найти на странице 11. Elektronische bauelemente npn транзистор в пластиковом корпусе 14feb2011 rev. Если эта ссылка на таблицу не работает, таблица все еще может быть доступна по адресу.Этот параметр представляет собой напряжение пробоя между коллектором и базой биполярного транзистора. Bc372, bc373 высоковольтные транзисторы Дарлингтона npn кремния особенности pb. Fairchild Semiconductor оставляет за собой право вносить изменения в любое время без предварительного уведомления для улучшения конструкции. Если используется слюдяная изоляция, необходимо добавить тепловое сопротивление слюдяной шайбы, которое составляет около 0. Кремниевый эпитаксиальный строгальный транзистор npn, таблица данных un1211, схема un1211, таблица данных un1211. Последние списки производителей в каталоге становятся мгновенными.2n3439 и 2n3440 представляют собой кремниевые эпитаксиальные планарные n-p-n-транзисторы с номинальной характеристикой. B 1 0 0 s 100 125 температура, tc. Транзисторы в отделе электронных деталей на запчасти. №

Описание соединений выводов кремниевого транзистора Npn переключение прикладной схемы интерфейса и схемы привода особенности прикладной схемы со встроенными резисторами смещения упрощение конструкции схемы сокращение количества деталей и производственного процесса высокая плотность упаковки информация для заказа тип № Техническое описание транзистора, транзистор pdf, техническое описание транзистора, техническое описание, техническое описание, pdf.Описание пиновки 1 цоколь 2 коллектор 3 эмиттер. Все названия частей, для которых находится файл 0c695lq7ut3hjriqzff0kfs5i8wy. C3150 datasheet, pdf 800v, npn силовой транзистор mospec. BJTS имеют 3 вывода и бывают двух разновидностей, как npn и pnp транзисторы. Блокировка тока отсечки коллектора icbo vcb 5 v, т.е. 0 0. C4106 datasheet pdf, c4106 datasheet, c4106 pdf, c4106 pinout, c4106 data, c4106 circuit, ic, c4106 manual, replace, parts, schematic, reference. Предварительный даташит r07ds0432ej0300 2sc12ak предыдущий.Таблица данных печатается только для справочной информации. Типовые параметры, которые могут быть указаны в таблицах данных и / или спецификациях scillc. Книга данных по силовым транзисторам и полупроводникам Toshiba за 1983 год. 5 апреля 2008 г. В 80-х и 90-х годах я искал эквиваленты компонентов в книгах. №

Описание npn-транзистора в пластиковом корпусе то92 сот54. Руководство по выбору биполярных силовых транзисторов Mouser Electronics. В архиве технических данных вы найдете подробные описания продуктов и быстрый доступ к техническим характеристикам продуктов.Elektronische bauelemente npn транзистор в пластиковом корпусе.

Кремниевый pnp-транзистор Toshiba эпитаксиальный процесс pct. Широкая область применения, безопасная для aso. Применение импульсного регулятора 800v3a. Ss9015 эпитаксиальный кремниевый транзистор pnp абсолютные максимальные характеристики ta25c, если не указано иное, электрические характеристики ta25c, если не указано иное, номинальные значения параметров символа классификации hfe единицы vcbo напряжение базы коллектора 50 в напряжение коллектора передатчика vceo 45 в напряжение базы эмиттера 5 В ток коллектора ic 100 а.Биполярные переходные транзисторы bjt и fieldeffect transistorsfet. Toshiba транзистор кремний pnp эпитаксиальный тип pct процесс 2sc1959 звуковая частота маломощный усилитель приложения драйвер каскад усилитель приложений переключение приложений отличная линейность hfe. Спецификация продукции Savantic Semiconductor кремниевые npn-транзисторы 2sc4242 описание с корпусом to220c высокое напряжение, высокоскоростные приложения для использования в высоковольтных, высокоскоростных. Используйте приведенное ниже простое руководство по поиску, чтобы просмотреть такие категории, как компьютерные системы, электромеханические компоненты и оптоэлектроника, и точно настроить поиск, выбрав из различных конечных рынков, таких как бытовая техника, освещение.N обозначает материал ntype, а p обозначает материал ptype. Кремниевый транзистор отличается низким уровнем шума и высоким коэффициентом усиления.

Транзистор с Pnp резистором см. Упрощенный контур, символы и выводы для деталей корпуса. 30 сентября, 2015 c4106 datasheet pdf, c4106 datasheet, c4106 pdf, c4106 распиновка, c4106 data, c4106 circuit, ic, c4106 manual, replace, parts, schematic, reference. Меры предосторожности при использовании транзисторов при использовании полупроводников, необходимо соблюдать осторожность, радиатор и минимизировать нагрузку на транзистор.Напряжение эмиттера bc372 bc373 vceo 100 80 vdc коллектор. Бесплатные пакеты доступны максимальные рейтинги рейтинг символ значение единицы коллекционер. Цифровой транзистор pnp dta143t серии pnp 100ma 50v цифровой транзистор резистор смещения встроенный транзистор техническое описание значение параметра vceo 50v ic 100ma r1 4. Bc639 45 60 100 v v vces напряжение коллектора. Техническое описание транзистора C18, перекрестные ссылки, схемы и указания по применению в формате pdf. C3150 datasheet, pdf 800v, npn-транзистор питания mospec, 2sc3150 datasheet, c3150 pdf, распиновка c3150, эквивалент c3150, данные, схема, схема c3150.Биполярные преимущества: полный оборот с низким значением VBE. Это информация о продукте в полном объеме. St microelectronics 0c695lq7ut3hjriqzff0kfs5i8wy техническое описание, pdf. Бесплатные книги по транзисторным схемам, скачать электронные книги онлайн.

7 ноября, 2016 c4793 datasheet pdf npn transisotor toshiba, 2sc4793 datasheet, c4793 pdf, c4793 распиновка, данные c4793, схема, выход c4793, ic, схема, заменитель. Этот транзистор предназначен для использования в качестве устройства вывода в дополнительном аудио. В таблице данных указан максимально допустимый выходной ток, и ваша конструкция должна его ограничивать.Транзистор общего назначения 2pc1815 npn отличается малым током макс. Внутренняя схема сброса генерирует импульс сброса, когда выход 1 опускается ниже регулируемого значения. Транзисторы npn общего назначения в небольшом корпусе поверхностного монтажа сот23 даташее пластика. Техническое описание кремниевых планарных транзисторов средней мощности с высоким коэффициентом усиления Ztx690b. C5802 транзистор c1162 c5856 транзистор c1162 c5027 c6067 c18 транзистор c3169 c1106. Компания предприняла амбициозные усилия по оцифровке тысяч устаревших справочников и технических руководств, сделав их доступными для поиска через веб-сайт архива технических данных.Есть ли какая-либо веб-программа или отдельная программа для такого обслуживания транзисторов и микросхем. В настоящее время на веб-сайте хранятся информационные таблицы и перекрестные ссылки на более чем 100 миллионов деталей из 7500. Транзисторы To92 с пластиковым капсулированием s9018 транзистор npn имеет максимальные характеристики t a25 продукта с высокой пропускной способностью усиления по току.

Транзистор C4106: характеристики (параметры), цоколевка, аналоги

Предназначение

Корпус, цоколевка и монтажные размеры

Характерные особенности

Предельные эксплуатационные характеристики

Электрические характеристики

Схема измерения временных параметров

Модификации (версии) транзистора

Аналоги

Отечественное производство

Зарубежное производство

Графические иллюстрации характеристик

Source Транзистор NPN 2SC4106 C4106 4106 Silicon on m.alibaba.com

Характеристики транзисторов кт805, аналоги, цоколевка

Зарубежный аналог КТ805

Особенности

Корпусное исполнение и цоколевка КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ

Корпусное исполнение и цоколевка КТ805А, КТ805Б

Характеристики транзистора КТ805

Предельные параметры КТ805

Электрические характеристики транзисторов КТ805 при Т

Как проверить транзистор на пробой

Как проверить транзистор мультиметром не выпаивая

Как проверить биполярный транзистор мультиметром

Как проверить p-n-p транзистор мультиметром

Как найти цоколевку транзистора мультиметром

Как проверить мощный биполярный транзистор и его цоколевку.

Как проверить транзистор мультиметром

Как проверить биполярный транзистор

NPN и PNP транзисторы

Проверяем исправный транзистор

Проверяем неисправный транзистор

Проверка транзистора с помощью транзисторметра

Заключение

Транзисторы КТ818 и КТ825 — Основные параметры, маркировка и цоколевка.

Транзисторы КТ825

Наиболее важные параметры.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ825

SS9014 Распиновка биполярного NPN-транзистора, аналог, характеристики и техническое описание

транзистор% 20c549 техническое описание и примечания по применению

хб * 9Д5Н20П

KIA78 * pI

2SC4793 2sa1837

транзистор

CH520G2

транзистор 45 ф 122

CTX12S

Варистор RU

Q2N4401

fn651

2SC5471

Mosfet FTR 03-E

fgt313

транзистор 91330

1999 — ТВ системы горизонтального отклонения

транзистор

1999 — транзистор

транзистор 835

2002-SE012

2SC5586

ИНВЕРТОР сварочный аппарат pwm

варикап диоды

Лист данных силового транзистора для ТВ

2009 — 2sc3052ef

2007 — DDA114TH

Si 6822 техническое описание транзистора pdf

C1003

c4106langen Datasheet PDF — SANYO -> Panasonic

Книжная полка с описанием транзисторов C5856

alexxlab

Добавить комментарий Отменить ответ

Рубрики