Транзистор S9018: Характеристики, аналоги, цоколевка
Главная » Транзистор
S9018 относится к биполярным широкополосным малошумящим кремниевым n-p-n транзисторам средней мощности, сверхвысокочастотным. Изготовлен по планарной технологии методом эпитаксии. Применяются в AM/FМ-усилителях, и автогенераторах гетеродина в приёмниках. Производители могут маркировать транзистор как SS9018 и другие символы в буквенной части с сохранением цифрового обозначения. Транзистор впервые разработан Samsung Semiconductor (Южная Корея).
Содержание
- Распиновка
- Характеристики
- Электрические параметры
- Классификация по hfe
- Тепловые параметры
- Пример использования
- Аналоги
- Datasheet
Распиновка
Корпус транзистора выпускался в двух видах исполнения: пластиковые TO-92 и SOT-23 (для монтажа на плату по SMD-технологии). У изделия S9018 выводы не маркированы. Маркировка типа нанесена цифробуквенным кодом на транзисторе.
Сторона корпуса ТО-92 с надписями считается фронтальной. Выводы при таком расположении нумеруются слева-направо «эмиттер-база-коллектор». Изделия в SMD-корпусе SOT-23 маркируются символами «J8». S9018 имеют цоколевку — «база-коллектор-эмиттер». Коллектор на стороне с одним выводом. Надписи на транзисторе содержат наименование, логотип производителя, дату производства. Размеры корпусов приведены на рисунке.
Характеристики
В максимальных характеристиках S9018 указана довольно высокая для небольшого корпуса максимальная рассеиваемая на коллекторе мощность в 0,4 Вт. С учетом отсутствия радиатора эта мощность может разогревать корпус до 150 градусов цельсия. Предельное обратное напряжение которое может выдержать переход коллектор-эмиттер 15 вольт. Для транзистора в корпусе SOT-23 предельные характеристики отличаются и составляют на несколько единиц меньшие показатели в зависимости от производителя.
Максимальные характеристики S9018:
- Допустимое max напряжение эмиттер-база VEBO max = до 5 В;
- Допустимое max напряжение коллектор-эмиттерVCEO max = до 15 В;
- Допустимое max напряжение коллектор-база VCBO max = до30 В;
- Допустимая рассеиваемая мощность (P max) = до 400 мВт;
- Допустимый ток коллектора (I max) = до 50 мА;
Электрические параметры
Электрические характеристики приведены со значениями, измеренными при температуре +25 ОС и условиями сопутствующими режимам измерения.
| Параметры | Режимы измерения | Обозначения | Min | Typ | Max | Ед. изм. |
| Пробивное напряжение коллектор-база | Ic=100 мкА, IE=0 | VCBO max | 30 | — | — | В |
| Пробивное напряжение коллектор-эмиттер | Ic=1 мА, IE=0 | VCEO max | 15 | — | — | В |
| Пробивное напряжение эмиттер-база | IE =100 мкА, Ic =0 | VEBO max | 5 | — | — | В |
| Обратный ток коллектора | VCBO=12B, IE=0 | ICBO | — | — | 50 | нА |
| Обратный ток коллектор-эмиттер | VCEO=12B, IB=0 | ICEO | — | — | 0,1 | мкА |
| Обратный ток эмиттера | VEBO=3B, IC=0 | IEBO | — | — | 0,1 | мкА |
| Статический коэффициент передачи тока | VCE=5B, IC=1мА | HFE | 28 | 100 | 198 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC=10мА, IB=1мА | VCE | — | — | 0,5 | В |
| Выходная ёмкость | VCB=10B, IE=0 мА, f=1МГц | VOB | — | 1,3 | 1,7 | пФ |
| Граничная частота коэффициента передачи тока | VCE=5B, Ic=5мА | FT | 700 | 1000 | МГц |
Классификация по hfe
Коэффициент усиления по току (HFE) для транзисторов с различной буквенной маркировкой разный.
Обозначение группы указывается на маркировке транзистора.
| Буква транзистора | Коэффициент усиления |
| D | 28-45 |
| E | 39-60 |
| F | 54-80 |
| G | 72-108 |
| H | 97-146 |
| I | 132-198 |
| J | 180-270 |
Тепловые параметры
Рабочая температура транзистора: от – 55 до +150°C, максимальная температура p-n-перехода до +150°C. Эффективность теплоотведения имеет термическое сопротивление кристалл–воздух RΘj— ≤ 312,5 °С/Вт.
Пример использования
Схемотехника использования S9018 разнообразна в усилителях и тюнерах. Примером интересной схемы является приёмник прямого преобразования на одном транзисторе (детекторный приёмник) с низковольтным питанием, приведённый на рисунке.
Порядок сборки и настройки FM приемника на основе S9018 показан на видео:
youtube.com/embed/OZS-qELaaAE?feature=oembed» frameborder=»0″ allow=»accelerometer; autoplay; clipboard-write; encrypted-media; gyroscope; picture-in-picture; web-share» allowfullscreen=»»> Аналоги
Отечественным аналогом транзистора S9018 являются КТ6113 и КТ368. В качестве замены рекомендуется рассматривать экземпляры с учётом буквенной группы прибора. По параметрам стоит подбирать и зарубежные аналоги: SS9018, С9018, 2SC9018, KTC9019.
Datasheet
Производителями транзисторов модели S9018 являются компании:
- ON Semiconductor;
- Fairchild Semiconductor;
- UTD Semiconductor;
- SUNMATE electronic;
- Daya Electric Group;
- SeCoS Halbleitertechnologie;
- Shenzhen Luguang Electronic Technology.
На российском рынке эти компании представлены дилерами и дистрибьюторами (РС Компоненты, РадиоМастер, Электронные Компоненты, Мастер Кит, Чип и Дип), маркетплейсами OZON, Яндекс-Маркет и др., а также маркетплейсами с международной доставкой AliExpress, RS Components, Digi-Key, HobbyKing, DX, Banggood, Amazon, eBay.
У транзистора S9018 datasheet на русском языке производителями не готовятся. Datasheet отдельных производителей можно скачать на нашем сайте по ссылке с названием изготовителя, а перевод характеристик найти в настоящей статье.
кт603а, кт603б, кт603в, кт603г, ке603д, кт603е
Содержание:
- Транзисторы КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315И, КТ315Ж.
- Наиболее важные параметры.
- Зарубежные аналоги транзисторов КТ315.
- Подпишись на RSS!
- Транзисторы — купить… или найти бесплатно.
- Транзисторы КТ368(2Т368)
- Электрические параметры транзистора КТ603
- Транзисторы КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В,КТ3107Г,КТ3107Е, КТ3107Д.
- Зарубежные аналоги транзисторов КТ3107.
- Архивы
- Транзисторы КТ503
Транзисторы КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315И, КТ315Ж.
Т ранзисторы КТ315 — кремниевые, маломощные высокочастотные, структуры — n-p-n.
Корпус пластиковый — желтого, красного, темно — зеленого, оранжевого цветов. Масса — около 0,18г. Маркировка буквенно — цифровая, либо буквенная. Цоколевка легко определяется с помощью буквы, обозначающей подкласс транзистора. Она распологается напротив вывода эмиттера. Вывод коллектора — посередине, базы — оставшийся, крайний.
Наиболее широко распространенный отечественный транзистор. При изготовлении КТ315 впервые массово была применена планарно — эпитаксиальная технология. На пластине из материала n — проводимости формировался участок базы, проводимостью — p, затем, уже в нем — n участок эмиттера. Эта технология способствовала значительному удешевлению производства, при меньшем разбросе параметрических характеристик, по тому времени — довольно высоких.
Благодаря плоской форме корпуса и выводов КТ315 хорошо подходит для поверхностного монтажа. Таким образом, применение КТ315 позволило в свое время значительно уменьшить размеры элементов ТТЛ советских ЭВМ второго поколения.
Область применения КТ315 черезвычайно широка, кроме элементов логики это — низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные усилители, генераторы, все что сотавляло основу огромного количества бытовых и промышленных электронных устройств советской эпохи.
Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР. Примечательно, что КТ315 до сих пор производятся в Белоруссии, в корпусе ТО-92.
Наиболее важные параметры.
Граничная частота передачи тока — 250 МГц. Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ315А, КТ315В, КТ315Д — от 20 до 90. У транзисторов КТ315Б,КТ315Г,КТ315Е — от 50 до 350. У транзистора КТ315Ж, — от 30 до 250. У транзистора КТ315Ж, не менее 30.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. транзистора КТ315А — 25в. Транзистора КТ315Б — 20в, транзистора КТ315Ж — 15в. У транзисторов КТ315В, КТ315Д — 40 в. у транзисторов КТ315Г, КТ315Е — 35 в. У транзистора КТ315И — 60 в.
Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы — 2 мА: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 1,1 в.
У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1,5 в. У транзисторов КТ315Ж — 0,9 в.
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы 2 мА: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 0,4 в. У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1 в. У транзисторов КТ315Ж — 0,5 в.
Максимальное напряжение эмиттер-база — 6 в.
Обратный ток коллектор-эмиттер при предельном напряжении : У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 1 мкА. У транзисторов КТ315Ж — 10 мкА. У транзисторов КТ315И — 100 мкА.
Обратный ток коллектора при напряжении колектор-база 10в — 1 мкА.
Максимальный ток коллектора. У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 100 мА. У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 50 мА.
Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, не более: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,КТ315Д, КТ315Е, КТ315И — 7 пФ. У транзисторов КТ315Ж — 10 пФ.
Рассеиваемая мощность коллектора.
У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 150 мВт.
У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 100 мВт.
Зарубежные аналоги транзисторов КТ315.
Прямых зарубежных аналогов у КТ315 нет. Наиболее близкий аналог(полное совпадение параметров) транзистора КТ315А — BFP719.
Аналог КТ315Б — 2SC633. Параметры этих транзисторов в основном совпадают, но у 2SC633 несколько ниже граничная частота передачи тока — 200МГц.
Аналог КТ315Г — BFP722, КТ315Д — BC546B
Подпишись на RSS!
Дисперсия, среднеквадратичное (стандартное) отклонение, коэффициент вариации в excel
Подпишись на RSS и получай обновления блога!
Получать обновления по электронной почте:
- Блок управления на SG3525 схема защиты
25 ноября 2020 - Микроомметр цифровой на базе модулей ADS1115 и TM1637
7 октября 2020 - Ампервольтваттметр для блока питания на INA226
23 сентября 2020 - Измеритель тока напряжения и мощности на INA226
11 сентября 2020 - Программа взаимодействия INA226 с микроконтроллером PIC
29 июля 2020
- Блок управления на SG3525 схема защиты
- Зарядное устройство для автомобильных аккумуляторов — 237 882 просмотров
- Стабилизатор тока на LM317 — 174 007 просмотров
- Стабилизатор напряжения на КР142ЕН12А — 125 323 просмотров
- Реверсирование электродвигателей — 102 150 просмотров
- Зарядное для аккумуляторов шуруповерта — 98 779 просмотров
- Карта сайта — 96 492 просмотров
- Зарядное для шуруповерта — 88 674 просмотров
- Самодельный сварочный аппарат — 88 140 просмотров
- Схема транзистора КТ827 — 82 786 просмотров
- Регулируемый стабилизатор тока — 81 912 просмотров
Транзисторы — купить… или найти бесплатно.
Транзистор tip122: аналоги, характеристики, схемы, чем заменить
Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта — либо
купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.
Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные
запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день.
— можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги.
Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте.
Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».
Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее.
Транзисторы КТ368 иногда можно найти
в УКВ блоках приемников Рига, Океан, Вега и т. д., но особенно много их в осциллографе С1-118.
На главную страницу
Использование каких — либо материалов этой страницы,
допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
Транзисторы КТ368(2Т368)
2n5401 транзистор характеристики аналог
Транзисторы КТ368(2Т368) — кремниевые, маломощные,
высокочастотные, структуры — n-p-n.
КТ368 применяются в каскадах усиления высокой частоты, как правило — в устройствах промышленной и специальной техники, иногда
Корпус пластмассовый(три ножки), или металло — стеклянный (три или четыре ножки) с гибкими выводами.
Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса или цветовая(для пласмассового корпуса).
При цветовой маркировке — одна или две(!) точки произвольного цвета на передней части корпуса.
Кроме того, у КТ368А — красная точка сверху, у КТ368Б — желтая, у КТ368В — зеленая,
На рисунке ниже — цоколевка КТ368.
Электрические параметры транзистора КТ603
| • Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером: | |
| при Uкб = 2 В, Iэ = 150 мА: | |
| 2Т603А, 2Т603В, КТ603Д | 20 ÷ 80 |
| КТ603А, КТ603В | 10 ÷ 80 |
| 2Т603Б, 2Т603Г | 60 ÷ 180 |
| КТ603Б, КТ603Г, не менее | 60 |
| КТ603Е | 60 ÷ 200 |
| при Iэ = 350 мА для 2Т603И, не менее | 20 |
| типовое значение | 50 |
| при Т = −60°C, Iэ = 150 мА: | |
| 2Т603А, 2Т603В | 8 ÷ 80 |
| 2Т603Б, 2Т603Г | 20 ÷ 180 |
| 2Т603И, не менее | 8 |
| при Т = +125°C, Iэ = 150 мА: | |
| 2Т603А, 2Т603В | 20 ÷ 180 |
| 2Т603Б, 2Т603Г | 60 ÷ 400 |
| 2Т603И, не менее | 20 |
• Граничная частота коэффициента передачи тока. Схема с ОЭ при Uкэ = 10 В, Iэ = 30 мА, не менее | 200 МГц |
| типовое значение | 370 МГц |
| • Напряжение насыщения К-Э: | |
| при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА: | |
| 2Т603А, 2Т603Б 2Т603В, 2Т603Г, не более | 0.8 В |
| типовое значение | 0.2 В |
| КТ603А, КТ603Б КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е не более | 1 В |
| при Iк = 350 мА, Iб = 50 мА для 2Т603И, не менее | 1.2 В |
| • Напряжение насыщения Б-Э: | |
| при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА: | |
| 2Т603А, 2Т603Б 2Т603В, 2Т603Г, КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, не более | 1.5 В |
| типовое значение | 0.9 В |
| при Iк = 350 мА, Iб = 50 мА для 2Т603И, не более | 1.3 В |
| типовое значение | 1 В |
| • Время рассасывания при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА: | |
| 2Т603А, 2Т603Б 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И, не более | 70 нс |
| типовое значение | 40 нс |
| КТ603А, КТ603Б КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, не более | 100 нс |
| • Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при Iэ = 30 мА, Uкб = 10 В, f = 5 МГц, не более | 400 пс |
| типовое значение | 25 пс |
| • Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В, f = 5 МГц, не более | 15 пФ |
| типовое значение | 3 пФ |
| • Ёмкость эмиттерного перехода при Uэб = 0, f = 5 МГц, не более | 40 пФ |
| типовое значение | 35 пФ |
| • Обратный ток коллектора, не более: | |
| при Т = +25°C и Uкб о = 30 В: | |
| 2Т603А, 2Т603В, 2Т603И | 3 мкА |
| КТ603А, КТ603Б | 10 мкА |
| при Uкб о = 15 В: | |
| 2Т603В, 2Т603Г | 3 мкА |
| КТ603В, КТ603Г | 5 мкА |
| при Uкб о = 10 В для КТ603Д, КТ603Е | 1 мкА |
| при Т = +125°C и Uкб о = 24 В для 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И | 60 мкА |
| при Uкб о = 12 В для 2Т603В, 2Т603Г | 60 мкА |
| • Обратный ток эмиттера, не более: | |
| при Uэб о = 3 В для 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е | 3 мкА |
| при Uэб о = 4 В для 2Т603И | 3 мкА |
Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ603
| • Напряжение К-Б и К-Э (постоянное) при Rбэ = 1 КОм: | |
| Тп = +70°C: | |
| КТ603А, КТ603Б | 30 В |
| КТ603В, КТ603Г | 15 В |
| КТ603Д, КТ603Е | 10 В |
| Тп = +100°C: | |
| 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И | 30 В |
| 2Т603В, 2Т603Г | 15 В |
| Тп = +120°C: | |
| КТ603А, КТ603Б | 15 В |
| КТ603В, КТ603Г | 7. 5 В |
| КТ603Д, КТ603Е | 10 В |
| Тп = +125°C: | |
| 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И | 24 В |
| 2Т603В, 2Т603Г | 12 В |
| Тп = +150°C: | |
| 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И | 18 В |
| 2Т603В, 2Т603Г | 9 В |
| • Напряжение Э-Б | 5 В |
| 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г | 3 В |
| 2Т603И при Тп = +70°C | 4 В |
| 2Т603И при Тп = +125°C | 3 В |
| • Ток коллектора (постоянный) | 300 мА |
| • Ток коллектора (импульсный) при tи ≤ 10 мкс, Q = 10 | 600 мА |
| • Рассеиваемая мощность (постоянная): | |
| при Т = +50°C | 0.5 Вт |
| при Т = +85°C для КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е и Т = +125°C для 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603Г, 2Т603И | 0. 12 Вт |
| • Тепловое сопротивление переход-среда | 200°С/Вт |
| • Температура p-n перехода: | |
| 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И | +150°C |
| КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е | +120°C |
| • Температура окружающей среды: | |
| 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И | −60 ÷ +125°C |
| КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е | −40 ÷ +85°C |
Транзисторы КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В,КТ3107Г,КТ3107Е, КТ3107Д.
Транзисторы КТ3107 — кремниевые, усилительные маломощные
высокочастотные, структуры p-n-p.
Применяются в усилительных и генераторных схемах.
Корпус пластиковый — , с гибкими выводами.
Масса — около 0,5 г.
Маркировка буквенно — цифровая, либо символьная или цветовая — на боковой поверхности корпуса.
При символьной маркировке, значек — равнобедреный треугольник на боковой поверхности, слева сверху определяет тип(КТ3107).
При цветовой кодировке, пятнышко светло- голубого цвета слева вверху определяет тип(КТ3107).
Цветовое пятно сверху справа определяет группу: Бордовое — группа А(КТ3107А). Желтое — группа Б(КТ3107Б).Темно-зеленое — группа В(КТ3107В). Голубое — группа Г(КТ3107Г).Синие — группа Д(КТ3107Д).Цвета «электрик» — группа Е(КТ3107Е).Светло-зеленое — группа Ж(КТ3107Ж).Зеленое — группа И(КТ3107И).Красное — группа К(КТ3107К).Серое — группа Л(КТ3107Л).
Цоколевка КТ3107Б — на рисунке ниже.
Коэффициент шума при напряжении коллектор-база 5 в, токе коллектора 0,2мА на
частоте 1кГц: У транзисторов КТ3107А,КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г,КТ3107Д,
КТ3107И, КТ3107К — не более 10дб.
У транзисторов КТ3107Е,КТ3107Ж, КТ3107Л
— не более 4дб.
Коэффициент передачи тока.
У транзисторов КТ3107А, КТ3107В — от 70, до 140.
У транзисторов КТ3107Б, КТ3107Г, КТ3102Е — от 120, до 220.
У транзисторов КТ3107Д, КТ3107Ж, КТ3107И — от 180, до
460.
У транзисторов КТ3107К, КТ3107Л — от 380, до 800.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер.
У транзисторов КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107И — 45в.
У транзисторов КТ3102В, КТ3107Г, КТ3107К, КТ3102Д — 25в.
У транзистора КТ3107Л, КТ3107Ж, КТ3107Л — 20в.
Максимальный постоянный ток коллектора — 100мА, импульсный — 200мА
Рассеиваемая мощность коллектора — 300мВт.
Граничная частота коэффициента передачи
тока — 200 МГц.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер При коллекторном токе 100 мА и токе базы 5 мА
— 0,5в.
При коллекторном токе 10 мА и токе базы 0,5 мА
— 0,2в.
Напряжение насыщения база-эмиттер. При коллекторном токе 100 мА и токе базы 5 мА
— 1в.
При коллекторном токе 10 мА и токе базы 0,5 мА
— 0,8в.
Обратный ток колектора.
При напряжении коллектор-база 20 в не более 0,1 мкА.
Обратный ток эмиттера.
При напряжении эмиттер-база 5 в не более 0,1 мкА.
Емкость коллекторного перехода
при напряжении коллектор-база 10 в — 70-150 пФ.
Транзистор комплиментарный КТ3107 — .
Зарубежные аналоги транзисторов КТ3107.
КТ3107А — 2N5086
КТ3107Б — BC560A
КТ3107В — 2SC828
КТ3107Г — BC308A
КТ3107Д — 2SA564
КТ3107Е — BC309B
На главную страницу
Использование каких — либо материалов этой страницы,
допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
Архивы
АрхивыВыберите месяц Ноябрь 2020 (1) Октябрь 2020 (1) Сентябрь 2020 (2) Июль 2020 (2) Июнь 2020 (1) Апрель 2020 (1) Март 2020 (3) Февраль 2020 (2) Декабрь 2019 (2) Октябрь 2019 (3) Сентябрь 2019 (3) Август 2019 (4) Июнь 2019 (4) Февраль 2019 (2) Январь 2019 (2) Декабрь 2018 (2) Ноябрь 2018 (2) Октябрь 2018 (3) Сентябрь 2018 (2) Август 2018 (3) Июль 2018 (2) Апрель 2018 (2) Март 2018 (1) Февраль 2018 (2) Январь 2018 (1) Декабрь 2017 (2) Ноябрь 2017 (2) Октябрь 2017 (2) Сентябрь 2017 (4) Август 2017 (5) Июль 2017 (1) Июнь 2017 (3) Май 2017 (1) Апрель 2017 (6) Февраль 2017 (2) Январь 2017 (2) Декабрь 2016 (3) Октябрь 2016 (1) Сентябрь 2016 (3) Август 2016 (1) Июль 2016 (9) Июнь 2016 (3) Апрель 2016 (5) Март 2016 (1) Февраль 2016 (3) Январь 2016 (3) Декабрь 2015 (3) Ноябрь 2015 (4) Октябрь 2015 (6) Сентябрь 2015 (5) Август 2015 (1) Июль 2015 (1) Июнь 2015 (3) Май 2015 (3) Апрель 2015 (3) Март 2015 (2) Январь 2015 (4) Декабрь 2014 (9) Ноябрь 2014 (4) Октябрь 2014 (4) Сентябрь 2014 (7) Август 2014 (3) Июль 2014 (2) Июнь 2014 (6) Май 2014 (4) Апрель 2014 (2) Март 2014 (2) Февраль 2014 (5) Январь 2014 (4) Декабрь 2013 (7) Ноябрь 2013 (6) Октябрь 2013 (7) Сентябрь 2013 (8) Август 2013 (2) Июль 2013 (1) Июнь 2013 (2) Май 2013 (4) Апрель 2013 (7) Март 2013 (7) Февраль 2013 (7) Январь 2013 (11) Декабрь 2012 (7) Ноябрь 2012 (5) Октябрь 2012 (2) Сентябрь 2012 (10) Август 2012 (14) Июль 2012 (5) Июнь 2012 (21) Май 2012 (13) Апрель 2012 (4) Февраль 2012 (6) Январь 2012 (6) Декабрь 2011 (2) Ноябрь 2011 (9) Октябрь 2011 (14) Сентябрь 2011 (22) Август 2011 (1) Июль 2011 (5)
Транзисторы КТ503
Транзисторы КТ503 — кремниевые, средней мощности,
низкочастотные, структуры — n-p-n.
Корпус пластмассовый.
Применяются в усилительных и генераторных схемах.
Маркировка цветовая — белая точка на передней части корпуса.
Красная точка сверху — КТ503А, желтая у КТ503Б, темно-зеленая у КТ503В,
голубая у КТ503Г, синяя у КТ503Д, белая у КТ503Е.
Внешний вид и расположение выводов на рисунке:
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока —
У транзисторов КТ503А, КТ503В, КТ503Д, КТ503Е —
от 40 до 120.
У транзисторов КТ503Б, КТ503Г —
от 80 до 240.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ503А, КТ503Б
— 25в.
У транзисторов КТ503В, КТ503Г
— 40в.
У транзисторов КТ503Д
— 60в.
У транзисторов КТ503Е
— 80в.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 10мА и базовом 1мА
— не более 0,6 в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 10мА и базовом 1мА
— не более 1,2 в.
Максимальный ток коллектора — не более 150 мА.
Обратный ток коллектора
— не более 1 мкА.
Рассеиваемая мощность коллектора.
— 350 мВт.
Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-эмиттер 5в при частоте 465 КГц
— не более 20 пФ.
Граничная частота передачи тока — 5 МГц.
2n5054 техническое описание и указания по применению
Поиск в наличии
Полупроводники2Н5054 | |||||||||||
| Onlinecomponents.com | 2Н5054 | 12 | 18,72 доллара США | $10,49 | $10,49 | $10,49 | $10,49 | Больше информации | |||
Нью-Джерси Semiconductor Products Inc2Н5054 | |||||||||||
| Компоненты квеста | 2Н5054 | 873 | 4,2 доллара США | 4,2 доллара США | 1,96 доллара США | 1,82 доллара США | 1,82 доллара США | Больше информации | |||
Нью-Джерси Полупроводниковые продукты, инк. 2Н5054 | |||||||||||
| Бристоль Электроникс | 2Н5054 | 1 092 | 2 | — | 2,0384 доллара США | 1,4636 доллара США | 1,2858 доллара США | 1,2858 доллара США | Больше информации | ||
Технический паспорт 2n5054 (9)
| Деталь | ECAD-модель | Производитель | Описание | Тип | ПДФ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5054 | Другие | Исторический справочник цен на полупроводники (долл. США — 1998 г.). Из нашего проекта сканирования каталога. | Сканирование | ||
| 2N5054 | Другие | Полное перекрестное справочное руководство по полупроводникам | Сканирование | ||
| 2N5054 | Другие | Краткое техническое описание транзистораСканирование | |||
| 2N5054 | Другие | Vintage Transistor Листы данных | Сканирование | ||
| 2N5054 | Другие | Краткое описание микросхем и компонентов (плюс данные перекрестных ссылок) | Сканирование | ||
| 2N5054 | Другие | Краткое техническое описание транзистораи перекрестные ссылки | Сканирование | ||
| 2N5054 | Другие | Замена транзистора | Сканирование | ||
| 2N5054 | Другие | Краткое описание транзистораСканирование | |||
| 2N5054 | Томсон-КСФ | Краткий каталог полупроводников 1982 | Сканирование |
2n5054 Листы данных Context Search
| Лист данных по каталогу | MFG и тип | ПДФ | Ярлыки для документов |
|---|---|---|---|
2N2857 Модель Аннотация: 2N3570 | OCR-сканирование | МА42020 2N2857 MA42021 MA42022 MA42023 MA42024 MA42025 MA42026 MA42027 Модель 2N2857 2Н3570 | |
2N3571 Резюме: MA42141 2N5054 2n5053 2N5651 | OCR-сканирование | 2Н3571 2Н5031 2Н5053 2Н5054 2N5651 2Н6618 MA42001 А42003 А42004 MA42005 MA42141 | |
S-параметр 2N5179 Реферат: s-параметр 2N2857 2N3953 биполярный транзистор s-параметр 2N3570 NPN транзистор мГц s-параметр | OCR-сканирование | МА42020 2N2857 MA42021 MA42022 MA42023 MA42024 MA42025 MA42026 MA42027 S-параметр 2N5179 s-параметр 2N2857 2Н3953 биполярный транзистор s-параметр 2Н3570 NPN-транзистор МГц s-параметр | |
БФ981 Резюме: bf498 BF982 BF980 SOT-103 Dual-Gate* bf981 BF926 sot103 BF980 Philips BF751 | OCR-сканирование | BF980 BF980A BF981 BF982 BF988 ОТ-103 ОТ-103 бф498 СОТ-103 Двойной шлюз* bf981 BF926 сот103 BF980 Филипс BF751 | |
а400 а406 а440 Аннотация: 2N6600 | OCR-сканирование | bbS3T31 2Н6595 а400 а406 а440 2Н6600 | |
2011 — 2SC288a Реферат: MMBR2857 TP390 TP393 S763T 40518 BF378 2N5652 s763 72 сот 23 | Оригинал | ||
МА40285 Реферат: ma4882 MA40150 MA46h301 masw2070g1 MA46h306 MA47203 JANTX2N2857 MA4P9 MA40420 | OCR-сканирование | 1Н5165 1Н5166 1Н5167 1N5712 1Н5713 1N5767 2N2857 2Н3570 2Н3571 2Н3572 MA40285 ma4882 MA40150 МА46х301 masw2070g1 МА46х306 MA47203 JANTX2N2857 MA4P9 MA40420 | |
2N6665 Резюме: MA42001-509 2N6665-509 MA42181-510 2n5054 RF NPN СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР C 10-50 ГГц 2N2857 Модель MA42001 ma42 транзистор 2N3953 | OCR-сканирование | SL42E05 М220С 0001фл11 2N6665 МА42001-509 2Н6665-509 МА42181-510 2н5054 RF NPN СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР C 10-50 ГГц Модель 2N2857 MA42001 транзистор ма42 2Н3953 | |
транзистор К 2056 Реферат: Транзистор MA42120 K 2056 2N6665 MA42001-509 2N5054 2n5651 MA42005 MA-42120 2N2857 Модель | OCR-сканирование | ||
МА42181-510 Аннотация: 2N5054 2N6665-509 | OCR-сканирование | ||
бф0262а Резюме: BF0262 OM335 1N5821ID OM336 OM2061 OM926 BUK645 OM2060 BLY94 | OCR-сканирование | 1Н821 1Н821А 1Н823 1Н823А 1Н825 1Н825А 1Н827 1Н827А 1Н829 1Н829А бф0262а BF0262 ОМ335 1N5821ID ОМ336 ОМ2061 ОМ926 БУК645 ОМ2060 БЛИ94 | |
ТСД10К40 Реферат: TXD10K60 BT1690 BT808 1N5004 TXD10H60 mp8706 TXC10K40 BSTC1026 BT13G | OCR-сканирование | bbS3131 синий52 1Н321 BYW56 1Н321А БЛВ97 1Н322 TXD10K40 TXD10K60 BT1690 BT808 1N5004 ТСД10Х60 mp8706 TXC10K40 BSTC1026 БТ13Г | |
ст178 Аннотация: диод E1110 CK705 ЭКГ руководство по замене полупроводника CS1237 ME1120 TE1088 1N942 1N733A транзистор Delco DTG-110B | OCR-сканирование | Сильван58MC 09А001-00 66С0003-001 50746А 68X0003 68С0003-001 T-E0137 93Б3-3 93Б3-4 ст178 диод Е1110 CK705 Руководство по замене полупроводника ЭКГ CS1237 ME1120 ТЕ1088 1Н942 1Н733А Транзистор Delco DTG-110B | |
sx3704 Аннотация: Транзистор AP239 80139 8C547 6C131C IN2222A 2N50B 2N2064 радио AC176 AC126 sft353 | OCR-сканирование | ||
RCA SK ПЕРЕКРЕСТНАЯ ССЫЛКА Реферат: CD4003 2N2505 TF408 1N4465 250PA120 2N3017 pt 3570 trw rf pa189 Semicon, том 1 | OCR-сканирование | ||
2n7588 Резюме: P3139 BC233A планка 40d GEX36/7 C4274 s1766 C12712 TC236 GP149 | OCR-сканирование | ||
Германиевый дрейфовый транзистор Реферат: германиевый транзистор 2N4895 эпитаксиальный меза-транзистор sec tip31A транзистор индекса Хальбляйтера транзистор BD222 BD699 ЭКВИВАЛЕНТный транзистор kd 2060 | OCR-сканирование | корпорация/464 СН-8105 Германиевый дрейфовый транзистор 2N4895 германиевый транзистор эпитаксиальная меза транзистор с наконечником 31А транзистор с индексом Хальбляйтера транзистор БД222 БД699 ЭКВИВАЛЕНТ кд 2060 транзистор | |
| Принципиальная схема цветного телевизора LG Реферат: бесплатная книга эквивалентов транзисторов 2sc NPN СПИСОК ТРАНЗИСТОРОВ ПО ТОКУ, НАПРЯЖЕНИЮ RCA SK ПЕРЕКРЕСТНАЯ ССЫЛКА Транзистор KIA 4318 cs 9012 Til 322A sx3704 диод d. | OCR-сканирование | 3186J Принципиальная схема цветного телевизора LG бесплатная книга эквивалент транзистора 2sc ПЕРЕЧЕНЬ ТРАНЗИСТОРОВ NPN ПО ТОКУ, НАПРЯЖЕНИЮ ПЕРЕКРЕСТНАЯ ССЫЛКА RCA SK КИА 4318 транзистор кс 9012 До 322А секс3704 данные диода книга 1Н1007 | |
НТ101 Реферат: SEMICON INDEXES Kt606 Mps56 bf503 KT-934 BD245C перекрестная ссылка 72284 ss120a 2SB618 | OCR-сканирование | ||
т110 94в 0 Резюме: PTC SY 16P 2N2955T Philips диод PH 37m 2N3349 ASI 2N4948 NJS Trimble R8 модель 2 2n6259 ssi 2SA749 2sd73 | OCR-сканирование | Барселона-28, С-171 СН-5400 т110 94в 0 PTC SY 16P 2Н2955Т диод филипс PH 37m 2N3349 АСИ 2N4948 NJS тримбл R8 модель 2 2n6259 сси 2SA749 2сд73 | |
МХВ721А2 Резюме: 13001 S 6D ТРАНЗИСТОР atv5030* Motorola 2N5591 MOTOROLA 13001 6D ТРАНЗИСТОР BGY41 MHW710-1 строительный линейный усилитель 2sc1945 7119 amperex bf503 | OCR-сканирование | 1PHX11136Q-14 MHW721A2 13001 S 6D ТРАНЗИСТОР atv5030* моторола 2N5591 МОТОРОЛА 13001 6D ТРАНЗИСТОР BGY41 MHW710-1 строительный линейный усилитель 2sc1945 7119 амперекс бф503 | |
MC2259 Резюме: MC880P MC9713P mc2257 1N4003 спецификация германиевого диода 2N1256 S P 1N4465 MC9802P MC9718P 3N214 | OCR-сканирование | ||
БТИЗ M16 100-44 Реферат: GM378 SEMICON INDEXES Ericsson SPO 1410 Kt606 Transistor B0243C ASEA HAFO AB транзистор 8BB smd Ericsson RBS 6102 GD243 | OCR-сканирование | W211d W296o W211c БТИЗ М16 100-44 GM378 ПОЛУКОНТРОЛЬНЫЕ ИНДЕКСЫ Эрикссон СПО 1410 Кт606 Транзистор B0243C АСЕА ХАФО АБ транзистор 8ВВ smd Эрикссон РБС 6102 ГД243 | |
лет 51 час 120с Реферат: bd124 KT368 BFQ59 Silec Semiconductors BD214 al103 AFY18 bd192 MM1711 | OCR-сканирование | 500 мА 500 мА 240 МВт 240 МВт у51 ч 120с бд124 КТ368 БФК59 Силек Полупроводники БД214 ал103 AFY18 бд192 ММ1711 | |
транзистор c2060 Резюме: Краткое описание транзистора и перекрестные ссылки 1N4465 Транзистор C1906 Германий itt 3N58 IN939 MC1230F 2N3866 Транзистор MOTOROLA C943 | OCR-сканирование | Ан-134 транзистор c2060 Транзистор Краткое техническое описание и перекрестные ссылки 1N4465 Транзистор С1906 германий итт 3Н58 IN939 MC1230F 2N3866 МОТОРОЛА Транзистор С943 | |
2N 3953 2N5031 2N 5032 2N5053 2N5054 2N 51 79 2N5651 2N 5662 2N6618 2N 6665 MA42001 M A 42 00 2 . М А42003 М А42004 МА42005 М А 42 00 6 . М А42008 М А 42 00 9. . М А 4 2 0 1 0-510 М А 4 2 0 1 0-509 . . М А 4 2 0 1 1-309 . М А 4 2 0 1 1-310 М А42012 М А42014 М А42015 . М А 42 01 6 М А42020
330 2Н5053 . 330 2Н5054
a.t.a. книга 1Н1007 l05%20Технические данные транзисторов и указания по применению
| Каталог Технический паспорт | MFG и тип | ПДФ | Ярлыки для документов |
|---|---|---|---|
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | SFH601 СФХ601-2, СФХ601-3 СФХ601-4 E52744 SFH601 | |
НедоступноРезюме: нет абстрактного текста 9СФХ600 5-212 | OCR-сканирование | SFH600 СФХ600-0, СФХ600-1, СФХ600-2 СФХ600-3 E52744 SFH600 лк тире 2 б-5 | |
2002 — транзисторы к2628 Реферат: к1118 к1317 к0317 к2225 транзистор транзистор к1317 к1117 к2225 транзистор к2628 к2324 | Оригинал | АН1503/Д р14525 транзисторы к2628 к1118 к1317 к0317 транзистор к2225 транзистор к1317 к1117 к2225 транзистор К2628 к2324 | |
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | 29июл05 | |
y51 ч 120с Реферат: bd124 KT368 BFQ59 Silec Semiconductors BD214 al103 AFY18 bd192 MM1711 | OCR-сканирование | 500 мА 500 мА 240 МВт 240 МВт у51 ч 120с бд124 КТ368 БФК59Силек Полупроводники БД214 ал103 AFY18 бд192 ММ1711 | |
2002 — К1117 Реферат: К2225 транзистор К2225 к1317 К0217 ТРАНЗИСТОР К0312 К1618 К0311 транзистор к1117 транзистор к0319 | Оригинал | АН1503/Д р14525 АН1503/Д К1117 транзистор к2225 К2225 к1317 K0217 ТРАНЗИСТОР K0312 К1618 Транзистор К0311 транзистор к1117 к0319 | |
2003 — транзистор к2225 Реферат: к1118 к1117 к1213 силовой транзистор к1821 транзистор к1213 к1117 транзистор к2225 к1518 транзистор к1117 | Оригинал | АН1560/Д 150Подготовлено АН1503 транзистор к2225 к1118 к1117 к1213 силовой транзистор к1821 транзистор к1213 транзистор к1117 К2225 к1518 транзистор к1117 | |
2001 — транзистор к1317 Реферат: К2225 к1317 транзисторы к2628 к1117 транзисторы К1317 к1118 к2225 транзистор к1117 транзистор транзистор к1117 | Оригинал | АН1503/Д р14525 транзистор к1317 К2225 к1317 транзисторы к2628 к1117 транзисторы К1317 к1118 транзистор к2225 транзистор к1117 транзистор к1117 | |
2001 — К1213 Аннотация: транзистор к1518 эквивалент с1213 транзистор к1213 к1112 К1113 к0305 к0205 к0309 эквивалент к1117 | Оригинал | АН1560/Д АН1503 р14525 К1213 к1518 аналог транзистора с1213 транзистор к1213 к1112 К1113 к0305 к0205 эквивалент k0309 к1117 | |
2000 — к1213 Реферат: К1118 транзистор к0312 к2225 транзисторы к0317 транзисторы к2628 к1020 транзистор с1213 транзистор к1213 к1117 | Оригинал | И8009/Д р14525 к1213 К1118 к0312 транзистор к2225 транзисторы к0317 транзисторы к2628 К1020 транзистор с1213 транзистор к1213 К1117 | |
2002 — к1117 Реферат: к2225 к2225 транзистор к1117 транзистор к1317 транзистор к1317 транзистор к1117 к1118 транзистор к1213 к1213 | Оригинал | АН1503/Д р14525 к1117 к2225 транзистор к2225 транзистор к1117 к1317 транзистор к1317 транзистор к1117 к1118 транзистор к1213 к1213 | |
СП201 Реферат: 05-нм SRBV131803 R1005 srrm | Оригинал | DC/50BA /150м 000 циклов 000 циклов СРБВ131803 СРБВ131502 СРБВ141404 СРБВ141201 СРБВ151102 СРБВ150901 СП201 05 нм СРБВ131803 Р1005 сррм | |
2002 — к1213 Аннотация: транзисторы к2628 транзистор с1213 аналог к1317 к0316 к2225 транзистор к0232 к1117 к1518 к0317 | Оригинал | АН1560/Д АН1503 р14525 АН1560/Д к1213 транзисторы к2628 аналог транзистора с1213 к1317 K0316 транзистор к2225 к0232 к1117 к1518 к0317 | |
JST-BHSR-02VS-1 Реферат: JST-SM02B-BHSS-1-TB M170E5-L05 Chi Mei m170e5 L05 диод chi mei lcd e207943 распиновка chi mei lcd e207943 15 CHI MEI e207943 FI-X30hl | Оригинал | М170Е5 ДЖСТ-БХСР-02ВС-1 JST-SM02B-BHSS-1-ТБ M170E5-L05 Чи Мэй m170e5 Диод L05 чи мэй жк e207943 распиновка чи мне жк e207943 15 ЧИ МЭИ e207943 FI-X30hl | |
СП201 Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | DC/50BA /150м 15мНм 000 циклов 000 циклов СРБВ131803 СРБВ131502 СРБВ141404 СРБВ141201 СРБВ151102 СП201 | |
100Н Аннотация: сррн | Оригинал | DC/50BA /100м 000 циклов 000 циклов СРН151800 СРН152000 18-зубый СРН161100 369Г349Г367 100Н сррн | |
2N2222A 338 Реферат: TFK 949 2N1167 транзистор индекса Halbleiter ad161 BSY19 al103 ac128 TFK 404 Tfk 931 | OCR-сканирование | 2CY17 2CY18 2CY19 2CY20 2CY21 500 мА 500 мА 2Н2222А 338 ТФК 949 2Н1167 транзистор с индексом Хальбляйтера объявление161 BSY19 ал103 ac128 ТФК 404 ТФК 931 | |
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | ||
2004 — к2324 Реферат: k1821 k2225 k1317 силовой транзистор k1821 k1213 k1117 k0313 k2225 транзистор N13R | Оригинал | И8009/Д C0203 K0204 K0204WB L01WB L02WB L03WB к2324 к1821 к2225 к1317 силовой транзистор к1821 к1213 к1117 к0313 транзистор к2225 N13R | |
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | М0-078АА О-247 A01453 | |
конденсатор 100 мкФ 25 В Реферат: NJ 25 50 N S 5 F 10 N 80 A 220F NJM2930 NJM2930F05 NJM2930F08 NJM2930F85 NJM2930L NJM2930L08 | OCR-сканирование | NJM2930 NJM2930 150 мА 100 мА: О-220Ф) NJM2930F05 NJM2930F05/L05 NJM2930L05 конденсатор 100 мкФ 25 В Нью-Джерси 25 50 Н С 5 Ж 10 Н 80 А 220F NJM2930F08 NJM2930F85 NJM2930L NJM2930L08 | |
2003 — 995в 903:00 Резюме: NJM2930L NJM2930L05 10 Гц-100 кГц NJM2930 NJM2930F NJM2930F05 NJM2930F85 tj-2 94 В | Оригинал | NJM2930 150 мANJM2930L 100 мА NJM2930F NJM2930F 150 мА NJM2930L 100 мА) 995В NJM2930L05 10 Гц-100 кГц NJM2930 NJM2930F05 NJM2930F85 тж-2 94в | |
100Н Резюме: SRRN134300 | Оригинал | DC/50BA /100м 30мНм 000 циклов 000 циклов СРН151800 СРН152000 СРН161100 СРРН142100 СРН134300 100Н СРН134300 | |
2000 — R0651 Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | 180 В переменного тока,
200 В переменного тока,
220 В переменного тока,
250 В переменного тока,
430 В переменного тока
50/60 Гц)
1000Fмин.  | |
Транзистор