Site Loader
Posted on 23.02.2023

аналоги отечественные, характеристики транзистора, микросхема, даташит, аналог

Аналоги транзистора КТ315б:

↓ Type Mat Struct Pc Ucb Uce Ueb Ic Tj Ft Cc Hfe
1D500A-030 Si NPN2500,00400,00400,0010,00500,00150,00500,00
1DI200A-120 Si NPN1400,001200,001200,0010,00200,00150,0070,00
1DI200E-055 Si NPN1000,00600,00600,006,00200,00150,0070,00
1DI200K-055 Si NPN1000,00600,00600,006,00200,00150,0070,00
1DI200Z-100 Si NPN1400,001000,001000,0010,00200,00150,00100,00
1DI300D-100 Si NPN2000,001000,001000,0010,00300,00150,00100,00
1DI300Z-120 Si NPN2000,001200,001200,0010,00300,00150,00100,00
1DI30MA-050 Si NPN200,00600,00600,0010,0030,00150,00750,00
1DI400A-120 Si NPN3120,001200,001200,0010,00400,00150,00100,00
1DI480A-055 Si NPN2000,00600,00600,006,00480,00150,0070,00
1DI50F-100 Si NPN400,001000,001000,0010,0050,00150,00100,00
1DI50H-055 Si NPN300,00600,00600,006,0050,00150,0070,00
1DI50K-055 Si NPN300,00600,00600,006,0050,00150,0070,00
1DI50MA-050 Si NPN310,00600,00600,0010,0050,00150,00750,00
1DI75E-055 Si NPN350,00600,00600,006,0075,00150,0070,00
1DI75E-100 Si NPN500,001000,001000,0010,0075,00150,00100,00
1DI75F-055 Si NPN350,00600,00600,006,0075,00150,0070,00
1DI75F-100 Si NPN500,001000,001000,0010,0075,00150,00100,00
2DD1621T Si NPN1,0025,002,00300,00200,00
2DD1664P Si NPN1,0032,001,00280,0082,00
2DD1664Q Si NPN1,0032,001,00280,00120,00
2DD1664R Si NPN1,0032,001,00280,00180,00
2DD2656 Si NPN 0. 330,001,00270,00270,00
2DI100A-120 Si NPN800,001200,001200,0010,00100,00
150,00		70,00
2DI100D-050 Si NPN620,00600,00600,007,00100,00150,00100,00
2DI100D-100 Si NPN800,001000,001000,0010,00100,00150,00100,00
2DI100Z-100 Si NPN800,001000,001000,0010,00100,00150,00100,00
2DI100Z-120 Si NPN800,001200,001200,0010,00100,00150,00
100,00
2DI150A-120 Si NPN1000,001200,001200,0010,00150,00150,0070,00
2DI150D-050 Si NPN690,00600,00600,007,00150,00150,00100,00
2DI150D-100 Si NPN1000,001000,001000,0010,00150,00150,00100,00
2DI150Z-100 Si NPN1000,001000,001000,0010,00150,00150,00100,00
2DI150Z-120 Si NPN1000,001200,001200,0010,00150,00150,00100,00
2DI200A-050 Si NPN900,00600,00600,0010,00200,00150,0080,00
2DI200D-100 Si NPN1200,001000,001000,0010,00200,00150,00100,00
2DI240A-055 Si NPN1000,00600,00600,00
6,00		240,00150,0070,00
2DI300A-050 Si NPN1200,00600,00600,0010,00300,00150,0070,00
2DI30A-120 Si NPN300,001200,001200,0010,0030,00125,0070,00
2DI30D-050A Si NPN250,00600,00600,007,0030,00150,00100,00
2DI30D-100 Si NPN300,001000,001000,0010,0030,00150,00100,00
2DI50A-120 Si NPN400,001200,001200,0010,0050,00150,0070,00
2DI50D-050A Si NPN310,00600,00600,007,0050,00150,00100,00
2DI50D-100 Si NPN400,001000,001000,0010,0050,00150,00100,00
2DI50M-050 Si NPN310,00600,00600,0010,0050,00150,00750,00
2DI50M-120 Si NPN310,001200,001200,0010,0050,00150,00500,00
2DI50Z-100 Si NPN400,001000,001000,0010,0050,00150,00100,00
2DI50Z-120 Si NPN400,001200,001200,0010,0050,00150,00100,00
2DI75D-050A Si NPN350,00600,00450,007,0075,00150,00100,00
2DI75D-100 Si NPN500,001000,00800,0010,0075,00125,00100,00
2DI75M-120 Si NPN500,001200,00900,0010,0075,00150,00750,00
2DI75Z-120 Si NPN500,001200,001200,0010,0075,00150,00100,00
2N2108 Si NPN1,0060,00 0.
5		150,0075,00
2N2501 Si NPN 0.3640,0020,006,00 0.5200,00350,004,0050,00
2N2904E Si NPN 0.260,0040,006,00 0.2150,00300,004,00100,00
2N2904U Si NPN 0.260,0040,006,00 0.2150,00300,004,00100,00
2N2904U1 Si NPN 0.260,0040,006,00 0.2150,00300,004,00100,00
2N3509 Si NPN 0.440,0020,006,00 0.5200,00500,004,00100,00
2N3509CSM Si NPN 0. 420,00 0.5500,00100,00
2N3509DCSM Si NPN 0.420,00 0.5500,00100,00
2N3862 Si NPN 0.3650,0020,00 0.2200,00600,004,0050,00
2N3903 Si NPN 0.3160,0040,006,00 0.2135,00250,004,0050,00
2N3904-T18 Si NPN 0.3160,0040,006,00 0.2200,00300,004,00100,00
2N3904A Si NPN 1.560,0040,006,00 0.2150,00300,004,00100,00
2N3904C Si NPN 0. 62560,0040,006,00 0.2150,00300,004,00100,00
2N3904CSM Si NPN 0.3160,0040,006,00 0.2135,00300,004,00100,00
2N3904DCSM Si NPN 0.3160,0040,006,00 0.2135,00300,004,00100,00
2N3904G Si NPN 0.62560,0040,006,00 0.2150,00300,00100,00
2N3904N Si NPN 0.460,0040,006,00 0.2150,00300,003,00100,00
2N3904S Si NPN 0.3560,0040,006,00 0.2150,00300,004,00100,00
2N3904SC Si NPN 0. 3560,0040,006,00 0.2150,00250,00150,00
2N3947 Si NPN 0.3660,0040,006,00 0.2175,00300,004,00100,00
2N4150S Si NPN15,00100,0070,0010,0010,00200,00350,0050,00
2N4401 Si NPN 0.3160,0040,006,00 0.6135,00250,007,00100,00
2N4401G Si NPN 0.62560,0040,006,00 0.6150,00250,00 6.5100,00
2N4401L Si NPN 0.62560,0040,006,00 0.6150,00250,00 6. 5100,00
2N4401SC Si NPN 0.3575,0040,006,00 0.6150,00250,00150,00
2N4576 Si NPN150,00100,0080,0010,00200,0050,00
2N5000 Si NPN20,00100,0080,006,002,00200,00560,0070,00
2N5000SM Si NPN30,00100,0080,006,002,00200,00560,0070,00
2N5079 Si NPN 0.3660,0030,001,00200,00400,007,00100,00
2N5080 Si NPN 0.3660,0030,001,00200,00500,007,00200,00
2N5154 Si NPN12,00100,0080,006,005,00200,00560,0070,00
2N5233 Si NPN 0. 3380,0060,00 0.1140,004,00100,00
2N5234 Si NPN 0.3380,0060,00 0.1140,004,00250,00
2N5235 Si NPN 0.3380,0060,00 0.1140,004,00400,00
2N5271 Si NPN 0.6200,007,005,00200,006,00
2N5272 Si NPN 0.3640,0020,00 0.2200,00500,004,00100,00
2N5550S Si NPN 0.35160,00140,006,00 0.6150,00300,006,0060,00
2N5551C Si NPN 0. 625180,00160,006,00 0.6150,00300,006,0080,00
2N5551HR Si NPN 0.36180,00160,006,00 0.6200,006,0080,00
2N5551S Si NPN 0.35180,00160,006,00 0.6150,00300,006,0080,00
2N6492 Si NPN100,0055,0045,007,0015,00150,00500,00
2N6493 Si NPN100,00100,0070,007,0015,00150,00500,00
2N6494 Si NPN100,00100,0080,007,0015,00150,00500,00
2N916CSM Si NPN 0. 3625,00 0.1250,0050,00
2N916DCSM Si NPN 0.3625,00 0.1250,0050,00
2SC1019 Si NPN40,0060,004,00175,0050,00
2SC1020 Si NPN70,0060,008,00175,0050,00
2SC1031 Si NPN27,00300,00270,006,006,00150,0050,00
2SC1046 Si NPN25,001000,00400,006,003,00125,00200,00
2SC1046N Si NPN25,001000,00400,006,003,00125,00200,00
2SC1233 Si NPN20,0045,0035,002,00175,00380,0050,00
2SC1376 Si NPN 0. 340,0040,00 0.1150,00250,005,0070,00
2SC1432 Si NPN 0.330,0010,00 0.3175,0040000,00
2SC1485 Si NPN 0.35250,00250,006,00 0.125150,0090,00
2SC1545M Si NPN 0.340,0032,006,00 0.3125,00250,003,001000,00
2SC1600 Si NPN4,0040,00 0.25175,001000,00 4.5200,00
2SC1629 Si NPN50,0090,0070,006,006,00120,00500,00
2SC1645S Si NPN 0. 240,0032,006,00 0.3150,00250,003,005000,00
2SC1664 Si NPN40,0070,0060,006,006,00175,00500,00
2SC1664A Si NPN40,00100,0080,006,006,00175,00500,00
2SC1698 Si NPN125,00210,00140,006,0010,00125,003000,00
2SC1703 Si NPN150,00600,00400,006,0015,00125,00100,00
2SC1768 Si NPN50,00200,00150,006,005,00150,00600,00
2SC1829 Si NPN100,00200,00150,006,005,00175,00400,00
2SC1830 Si NPN150,00140,00140,007,0015,00125,00500,00
2SC1831 Si NPN100,0090,0070,006,008,00175,00500,00
2SC1832 Si NPN150,00500,00400,006,0015,00175,00100,00
2SC1876 Si NPN 0. 8100,0070,007,00 0.5150,003000,00
2SC1876H Si NPN 0.8100,0070,007,00 0.4150,003000,00
2SC1879 Si NPN 0.8120,00120,007,002,00150,001000,00
2SC1879H Si NPN8,00120,00120,007,002,00150,001000,00
2SC1880 Si NPN15,00120,00120,007,002,00150,001000,00
2SC1880K Si NPN15,00120,00120,007,002,00150,001000,00
2SC1881 Si NPN30,0060,0060,007,003,00150,001000,00
2SC1881K Si NPN30,0060,0060,007,003,00150,001000,00
2SC1884 Si NPN40,00120,00120,007,008,00150,002000,00
2SC1884H Si NPN50,00120,00120,007,008,00150,002000,00
2SC1888 Si NPN 0. 880,0060,006,003,00150,00500,00
2SC1889 Si NPN 0.880,0060,006,003,00150,00500,00

Биполярный транзистор KT315B — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT315B

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 120 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50

Характеристики основных аналогов

Наименование производителя: 1D500A-030

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2500 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 500 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
  • Корпус транзистора: BBTIV

Наименование производителя: 1DI200A-120

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1400 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: MODULE

Наименование производителя: 1DI200E-055

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1000 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: M207

Наименование производителя: 1DI200K-055

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1000 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: M207

Наименование производителя: 1DI200Z-100

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1400 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
  • Корпус транзистора: M106

Наименование производителя: 1DI300D-100

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2000 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 300 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
  • Корпус транзистора: M105
  • Аналоги (замена) для 1DI300D-100

Наименование производителя: 1DI300Z-120

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2000 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 300 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
  • Корпус транзистора: M106

Наименование производителя: 1DI30MA-050

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
  • Корпус транзистора: M102

kt315b техническое описание и примечания по применению

kt315b техническое описание и примечания по применению — Datasheet Archive

кт315б техпаспорт (2)

org/Product»>
Деталь Модель ECAD Производитель Описание Тип ПДФ
КТ315Б Другие Краткое техническое описание транзистора СканироватьPDF
КТ315Б1 интеграл Русский Транзистор Оригинал PDF

kt315b Спецификации Context Search

org/Product»>

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Внимание! Внешний вид товара, комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительных уведомлений. Данный интернет-сайт носит исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса Российской Федерации. 2024 © Все права защищены.
Каталог Спецификация MFG и тип ПДФ Теги документов
2T3130A9

Реферат: HEP310 kp303g kt117 HEP-310 kt117b kt117a KT117G kt816g kt3102e
Текст: PN5132 KT3117B PN3691 KT312B BFY39 KT313A1 2N2906 KT313B KT315B KT315B KT342A KT342B
Оригинал		 PDF КТ117АМ КТ117БМ КТ117Г КТ117ГМ КТ117ВМ 2Н1923 2Н739 БСВ56С, HEP310 2Н844 2Т3130А9 HEP310 КП303Г кт117 ГЭП-310 кт117б кт117а КТ117Г кт816г кт3102е
Транзистор БУ 5027

Реферат: Транзистор КТ 816 Транзистор СД 5024 Ж 5027-Р бу 5027 КТ 817 Транзистор КТ315 Транзистор КУ 607 МДА 2020 РФТ Э 355 д
Текст: -25-40 7 7 КТ315Б 3 1 5 Т5 н Т 6 КТ315А В КТ315А Тп2(Тр2) 120инВ КТ 315 А Л
OCR-сканирование		 PDF КТ315 Indikatoransteuerung02 136/Г АСЗ1016 транзистор БУ 5027 транзистор КТ 816 транзистор сд 5024 J 5027-Р бу 5027 Транзистор КТ 817 Транзистор КУ 607 МДА 2020 РФТ е 355 д
1HT251

Реферат: 2Т203 кт117 1Т308 2Т355А 2Т312 ИТ308Б К1НТ251 кт117б 2Т313
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF ФойО33 КТ357 КТ358 КТ361 КТ363 КТ364-2 КТ366 КТ368 КТ369 КТ369-1 1HT251 2Т203 кт117 1Т308 2Т355А 2Т312 IT308B K1HT251 кт117б 2Т313
2Т908А

Реферат: 2T602 2T907A KT604 1HT251 1T813 2t903 KT920A PO6 115,05 KT117
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF Т-0574Д. 30Эиаа Coi03nojiH 2Т908А 2Т602 2Т907А КТ604 1HT251 1Т813 2т903 КТ920А ПО6 115,05 КТ117
КС156А

Реферат: ky202e K174XA2 KT809A KT805A KT610B KP350A KT808a KT920A KC213
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF КсапфаКОБ-57, КС156А ky202e К174ХА2 КТ809А КТ805А КТ610Б КП350А КТ808а КТ920А КС213
y51 ч 120с

Реферат: bd124 KT368 BFQ59 Silec Semiconductors BD214 al103 AFY18 bd192 MM1711
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF 500 мА 500 мА 240 МВт 240 МВт у51 ч 120с бд124 КТ368 БФК59 Силек Полупроводники БД214 ал103 AFY18 бд192 ММ1711
КТ805АМ

Реферат: КТ805 КТ610А КТ837Б BD140 npn КТ872А КТ837К КТ315Б КТ315 КТ818
Текст: КТ3130Х9 КТ3130Х9 КТ3130Е9 КТ3130Х9 2Т3133А-2 КТ3142А КТ315А1 КТ315Х1 КТ315Б1 КТ315Х1 КТ315Х1
Оригинал		 PDF КТ3126А КТ3126Б КТ3127А КТ3128А КТ3128А1 КТ3128 КТ3129А9 КТ3129 КТ3129Б9 КТ805АМ КТ805 КТ610А КТ837Б БД140 нпн КТ872А КТ837К КТ315Б КТ315 КТ818