Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов — BJT

2N5551BU

2822520

Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 600 мА, 625 мВт, TO-92, Through Hole ONSEMI

Посмотреть дополнительные поставки Avnet

Штука

NPN

160В

300МГц

625мВт

600мА

Through Hole

30hFE

TO-92

3вывод(-ов)

150°C

—

—

BD239C

3003865

Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 2 А, 30 Вт, TO-220, Through Hole ONSEMI

Посмотреть дополнительные поставки Avnet

Штука

NPN

100В

—

30Вт

2А

Through Hole

15hFE

TO-220

3вывод(-ов)

150°C

—

—

KSC1008YBU

2825102

Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 700 мА, 800 мВт, TO-92, Through Hole ONSEMI

Штука

NPN

60В

50МГц

800мВт

700мА

Through Hole

120hFE

TO-92

3вывод(-ов)

150°C

—

—

MMBT2907AM3T5G

2774794

Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 600 мА, 265 мВт, SOT-723, Surface Mount ONSEMI

Посмотреть дополнительные поставки Avnet

Штука (Поставляется на разрезной ленте) Разрезная лента Варианты упаковки

PNP

60В

200МГц

265мВт

600мА

Surface Mount

100hFE

SOT-723

3вывод(-ов)

150°C

—

AEC-Q101

KSP42BU

2825115

Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 500 мА, 625 мВт, TO-92, Through Hole ONSEMI

Посмотреть дополнительные поставки Avnet

Штука

NPN

300В

50МГц

625мВт

500мА

Through Hole

40hFE

TO-92

3вывод(-ов)

150°C

—

—

BD681

3129873

Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 4 А, 40 Вт, SOT-32, Through Hole STMICROELECTRONICS

Штука

NPN

100В

—

40Вт

4А

Through Hole

750hFE

SOT-32

3вывод(-ов)

150°C

—

—

FJL6920TU

2825089

Биполярный транзистор, NPN, 800 В, 20 А, 200 Вт, TO-264, Through Hole ONSEMI

Посмотреть дополнительные поставки Avnet

Штука

NPN

800В

—

200Вт

20А

Through Hole

5.5hFE

TO-264

3вывод(-ов)

150°C

—

—

FMMT495TA

3127389

Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 1 А, 500 мВт, SOT-23, Surface Mount DIODES INC.

Штука (Поставляется на разрезной ленте) Разрезная лента Варианты упаковки

NPN

150В

100МГц

500мВт

1А

Surface Mount

100hFE

SOT-23

3вывод(-ов)

150°C

—

—

TIP47

3130123

Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 1 А, 40 Вт, TO-220, Through Hole STMICROELECTRONICS

Штука

NPN

250В

10МГц

40Вт

1А

Through Hole

10hFE

TO-220

3вывод(-ов)

150°C

—

—

ST13007

2807157

Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 8 А, 80 Вт, TO-220AB, Through Hole STMICROELECTRONICS

Посмотреть дополнительные поставки Avnet

Штука

NPN

400В

—

80Вт

8А

Through Hole

5hFE

TO-220AB

3вывод(-ов)

150°C

—

—

BC807-40LVL

3020943

Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 500 мА, 250 мВт, TO-236AB, Surface Mount NEXPERIA

Посмотреть дополнительные поставки Avnet

Штука (Поставляется на разрезной ленте) Разрезная лента Варианты упаковки

PNP

45В

80МГц

250мВт

500мА

Surface Mount

250hFE

TO-236AB

3вывод(-ов)

150°C

BC807L

AEC-Q101

BCP53-16

2849623

Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1 А, 1.6 Вт, SOT-223, Surface Mount STMICROELECTRONICS

Посмотреть дополнительные поставки Avnet

Штука (Поставляется на разрезной ленте) Разрезная лента Варианты упаковки

PNP

80В

50МГц

1.6Вт

1А

Surface Mount

40hFE

SOT-223

4вывод(-ов)

150°C

—

—

2N3055

3378898

Биполярный транзистор, Общего назначения, NPN, 60 В, 15 А, 115 Вт, TO-3, Through Hole MULTICOMP PRO

Штука

0

0

2.5МГц

0

15А

Through Hole

20hFE

TO-3

3вывод(-ов)

150°C

Multicomp Pro Power NPN Transistor

0

MJ15004

3473380

Биполярный транзистор, универсальный, PNP, 140 В, 20 А, 250 Вт, TO-3, Through Hole MULTICOMP PRO

Штука

0

0

2МГц

0

20А

Through Hole

25hFE

TO-3

2вывод(-ов)

200°C

0

0

MJ3001

3473377

Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 80 В, 10 А, 150 Вт, TO-3, Through Hole MULTICOMP PRO

Штука

0

0

—

0

10А

Through Hole

1000hFE

TO-3

2вывод(-ов)

200°C

0

0

BC109B

9206795

Биполярный транзистор, малошумящий, NPN, 25 В, 200 мА, 600 мВт, TO-18, Through Hole MULTICOMP PRO

Штука

NPN

25В

150МГц

600мВт

200мА

Through Hole

450hFE

TO-18

3вывод(-ов)

200°C

—

—

BF259

9207112

Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 100 мА, 1 Вт, TO-39, Through Hole MULTICOMP PRO

Штука

NPN

300В

75МГц

1Вт

100мА

Through Hole

25hFE

TO-39

3вывод(-ов)

200°C

—

—

2N1711

1611558

Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 500 мА, 3 Вт, TO-39, Through Hole MULTICOMP PRO

Штука

NPN

50В

70МГц

3Вт

500мА

Through Hole

100hFE

TO-39

3вывод(-ов)

200°C

—

—

BC549C

1574382

Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 мА, 625 мВт, TO-92, Through Hole MULTICOMP PRO

Штука

NPN

30В

250МГц

625мВт

100мА

Through Hole

500hFE

TO-92

3вывод(-ов)

150°C

—

—

TIP35C

9294350

Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 100 В, 25 А, 125 Вт, TO-247, Through Hole MULTICOMP PRO

Штука

NPN

100В

3МГц

125Вт

25А

Through Hole

75hFE

TO-247

3вывод(-ов)

150°C

—

—

MJE350

1574368

Биполярный транзистор, универсальный, PNP, 300 В, 500 мА, 20 Вт, TO-126, Through Hole MULTICOMP PRO

Штука

PNP

300В

—

20Вт

500мА

Through Hole

30hFE

TO-126

3вывод(-ов)

150°C

—

—

BSR16..

1700670

Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -60V, -800mA, 350mW, SOT-23, SMD ONSEMI

Посмотреть дополнительные поставки Avnet

Штука (Поставляется на разрезной ленте) Разрезная лента Варианты упаковки

PNP

60В

200МГц

350мВт

800мА

Surface Mount

100hFE

SOT-23

3вывод(-ов)

150°C

—

—

FZT751

9525025

Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 3 А, 2 Вт, SOT-223, Surface Mount DIODES INC.

Штука (Поставляется на разрезной ленте) Разрезная лента Варианты упаковки

PNP

60В

140МГц

2Вт

3А

Surface Mount

200hFE

SOT-223

4вывод(-ов)

150°C

—

—

2N2222A

9207120

Single Bipolar Transistor (BJT), High Speed Switching, NPN, 40 V, 1.2 W, 800 mA, TO-18 MULTICOMP PRO

Штука

NPN

40В

300МГц

1.2Вт

800мА

Through Hole

35hFE

TO-18

3вывод(-ов)

200°C

—

—

BC161-16

9207694

Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1 А, 800 мВт, TO-39, Through Hole MULTICOMP PRO

Штука

PNP

60В

50МГц

800мВт

1А

Through Hole

250hFE

TO-39

3вывод(-ов)

200°C

—

—

Биполярный транзистор, что собой представляет, как устроен и работает

Структура, носители, принципы и режимы работы: нормальный режим (в активной области), режимы отсечки и насыщения. Как и за счёт чего усиливает биполярный транзистор? Сначала хотел приписать в названии темы: «для начинающих» или «для чайников», но, поразмыслив, пришёл к выводу: «А ведь далеко не каждый электронщик, считающий себя продвинутыми, понимает: как технологически устроен биполярный транзистор, за счёт чего он обладает усилительными свойствами, что влияет на характеристики транзистора и откуда появился этот загадочный зверь — «дырка»«. Начнём с определения: Биполярный транзистор — это полупроводниковый электронный прибор, работающий по принципу взаимодействия двух, вплотную расположенных на кристалле p-n переходов. А коли прибор полупроводниковый, то это значит, что, как ни крути, а изготовлен транзистор из полупроводниковых материалов таких как: кремний, германий, индий и т.д. А что это такое — полупроводниковый материал или по-простому полупроводник? Полупроводники по своим свойствам занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. При температурах, не сильно отличающихся от абсолютного нуля (-273,15°C), полупроводники обладают свойствами диэлектриков. Однако даже при незначительном повышении температуры, сопротивление полупроводника быстро уменьшается, и он начинает проводить электрический ток — т.е. становится проводящим. За счёт чего это происходит? С ростом температуры кристалл полупроводника получает некоторую долю энергии в виде тепла, достаточную для того, чтобы часть отрицательно заряженных электронов покинуло свои атомы и перешло в межатомное пространство. Такие электроны называются свободными, а атомы кристаллической решётки, от которых отпочковались электроны, приобретают несбалансирован- ный положительный заряд и получают условное название — «дырка». Таким образом, при температурах выше -273,15°C в кристалле чистого полупроводника содержится некоторое количество зарядов обоих знаков — свободные электроны и дырки. Если кристалл не содержит примесей, то в любой момент времени количество свободных электронов равно числу имеющихся в кристалле дырок. Другое дело, если к чистому полупроводнику подмешать некое вещество! В зависимости от свойств этой примеси мы можем получить: либо концентрацию дырок, намного превышающую концентрацию электронов (полупроводник p-типа), либо наоборот — превышение концентрации электронов над концентрацией дырок (полупроводник n-типа). Итак, p-полупроводник (от англ. positive) — это полупроводник с положительным дырочным типом проводимости, а n-полупроводник (от англ. negative) — с отрицательным электронным типом проводимости. Ну вот, а теперь можно переходить к описанию структурной схемы транзистора. Рис.1 Как следует из рисунка Рис.1, биполярные транзисторы — это приборы, изготовленные на основе трёхслойной полупроводниковой структуры. В зависимости от порядка чередования областей, различают изделия двух типов проводимости: прямой (p-n-p) и обратной (n-p-n). Легко заметить, что подобная комбинация полупроводников в транзисторе напоминает встречно-последовательное соединение двух диодов с общим катодом (p-n-p) либо анодом (n-p-n). Эта аналогия справедлива лишь в одном случае — она позволяет легко тестировать транзистор на предмет его живучести при помощи обычного омметра или мультиметра. Рассмотрим цепь, иллюстрирующую работу n-p-n транзистора типа в различных режимах. Рис.2 а) Режим отсечки тр-ра б) Активный режим тр-ра в) Режим насыщения тр-ра На Рис.2 приведено классическое включение транзистора n-p-n типа по схеме с общим эмиттером. Положительный вывод источника питания через нагрузку (в качестве которой в нашем случае выступает светодиод) подключается к коллектору транзистора, отрицательный — к эмиттеру полупроводника и для кучи — к земляной шине. Подадим нулевое смещение на базу транзистора (Рис.2 а)), посредством чего введём его в режим отсечки, соответствующий условию Uэб . В этом случае и эмиттерный, и коллекторный p-n-переходы оказываются запертыми, и в коллекторной цепи будет протекать лишь незначительный обратный ток Iко ≈ току обратно смещённого диода. Основные носители заряда (электроны в коллекторной/эмиттерной областях и дырки в базовой) сидят в отведённых областях и никуда выбираться не собираются, ввиду отсутствия воздействия на них какого-либо электрического поля. Другое дело если мы подадим между базой и эмиттером транзистора небольшое напряжение Uэб > 0,6—0,7 В (Рис.2 б)) и тем самым переведём его в активный (нормальный) режим. В данном режиме переход база-эмиттер оказывается включённым в прямом направлении (открыт), а переход база-коллектор — в обратном (закрыт): Поскольку прослойка р-полупроводника базы технологически сделана очень тонкой, положительное напряжение, приложенное к базе, сможет «дотянуться» своим электрическим полем до значительно большей по размеру n-области эмиттера. Под действием этого поля электроны из эмиттера направляются к базе и проникают внутрь неё. Малая часть электронов встречается и рекомбинирует (нейтрализуется) с дырками, являющимися основными носителями базы, но в связи с её малыми размерами (а соответственно и малым количеством дырок) бОльшая часть электронов проходит сквозь базу и доходит-таки до коллекторного перехода. Уменьшение числа дырок в базе, происходящее в результате рекомбинации, компенсируется источником питания Bat2 и обуславливает ток базы, который, как мы уже поняли — значительно меньше тока эмиттера, который находится в прямой зависимости к интенсивности потока электронов. Далее под действием электрического поля, создаваемого положительным потенциалом источника Bat1, электроны проникают из базы через p-n-переход в коллектор транзистора, выходят наружу и через источник питания замыкаются обратно в область эмиттера. Если дальше повышать напряжение на базе, то количество электронов, участвующих в процессе циркуляции по цепи также увеличится. Результатом будет являться незначительное (в абсолютном выражении) увеличение тока базы и значительное увеличение тока коллектора. А поскольку ток в цепи прямопропорционален интенсивности потока носителей заряда, то, исходя из всего вышесказанного и в соответствии с первым законом Кирхгофа, в транзисторе всегда существует следующее соотношение между токами: Iк = Iэ — Iб. Величина отношения токов коллектора и эмиттера характеризует такой параметр транзистора, как — коэффициент передачи тока α = Iк / Iэ. Из формул следует, что коэффициент передачи тока транзистора всегда меньше единицы и принимает значение ≈ 0,9-0,99. Усиливающее свойство транзистора заключается в том, что посредством относительно малого тока базы можно управлять большим током коллектора. Причём, в активном режиме — изменение тока коллектора прямо пропорционально изменению тока базы: ΔIк = ΔIб x h21э , где h31э (или β) — статический коэффициент передачи тока транзистора. Этот параметр является справочным и для разных полупроводников составляет величину от 10—12 до 200—300. И последний режим работы транзистора — режим насыщения (Рис 2 в)) или по-умному — режим двойной инжекции. При дальнейшем повышении уровня напряжения на базе, ток в коллекторной цепи Iк также увеличивается, что приводит (согласно закону Ома) к пропорциональному увеличению падения напряжения на нагрузке и, как следствие — уменьшению напряжения Uк. При определённом уровне этого напряжения Uк, коллекторный переход база-коллектор начнёт переходить в прямосмещённое (открытое) состояние, т.е. оба p-n перехода транзистора окажутся открытыми. Уровень напряжения на базе, при котором начинается этот процесс, называется Uбэ.нас, является справочной величиной и указывается при неком фиксированном токе коллектора. Физически, это прямое смещение КП приводит к тому, что не только эмиттер будет засылать (инжектировать) электроны в базу, но и коллектор — тоже. Движение этих коллекторных электронов противоположно направлению диффузионного тока эмиттера и активно препятствует дальнейшему повышению тока транзистора. В результате этого противостояния, ток коллектора практически перестаёт зависеть от дальнейшего увеличения уровня напряжения на базе и фиксируется на уровне, называемом Iк.нас. Ещё один паспортный параметр, характеризующий работу транзистора в режиме насыщения — Uкэ.нас показывает величину падения напряжения между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора. В связи с тем, что величина тока Iк.нас может принимать значения, значительно превышающие токи транзистора, находящегося линейном режиме, следует внимательно относиться к выбору коллекторной нагрузки, чтобы не превысить максимально допустимых значений мощностей как самого транзистора, так и нагрузки. В случае, изображённом на Рис 2 в), этот выходной ток будет явно выше 20мА, допустимых для светодиода, что собственно говоря, и отображено на схеме. Рис.3 Ну и под занавес приведу пример работы транзисторного каскада ОЭ в активном режиме (Рис.3). Переменный резистор R1 принимает значения от 0 (в верхнем положении) до 680кОм (в нижнем). В первом приближении — изменением значения напряжения Uбэ можно пренебречь и считать его равным Uбэ ≈ 0,6 В. Тогда, согласно закону Ома, в верхнем положении потенциометра ток базы будет равен: Iб ≈ (UBat1 — Uбэ)/(R1+R2) = (9в-0,6в)/51к = 0,16 мА, а в нижнем: Iб ≈ (UBat1 — Uбэ)/(R1+R2) = (9в-0,6в)/(51к +680к) = 0,011 мА, А поскольку мы помним, что Iк = Iб x h21э, то в верхнем положении R1 — Iк = 16мА, т.е. яркость светодиода близка к максимальной. В нижнем положении R1 — Iк = 1,1мА, т.е. светодиод не светится, либо светится очень слабо. В промежуточных положениях ручки потенциометра — токи, а соответственно и яркость свечения, также принимают промежуточные значения. На следующей странице рассмотрим эквивалентную схему транзистора, а также свойства и характеристики различных типов усилительных каскадов.

РАЗНИЦА МЕЖДУ NPN И PNP ТРАНЗИСТОРОМ | СРАВНИТЕ РАЗНИЦУ МЕЖДУ ПОХОЖИМИ ТЕРМИНАМИ — НАУКА

NPN против транзистора PNP Транзисторы — это 3-х оконечные полупроводниковые устройства, используемые в электронике. В зависимости от внутренней работы и структуры транзисторы делятся на две категори

NPN против транзистора PNP

Транзисторы — это 3-х оконечные полупроводниковые устройства, используемые в электронике. В зависимости от внутренней работы и структуры транзисторы делятся на две категории: биполярные переходные транзисторы (BJT) и полевые транзисторы (FET). BJT были первыми, которые были разработаны в 1947 году Джоном Бардином и Уолтером Браттейном из Bell Telephone Laboratories. PNP и NPN — это всего лишь два типа транзисторов с биполярным переходом (BJT).

Структура BJT такова, что тонкий слой полупроводникового материала P-типа или N-типа помещен между двумя слоями полупроводника противоположного типа. Прослоенный слой и два внешних слоя создают два полупроводниковых перехода, отсюда и название транзистора с биполярным переходом. Биполярный транзистор с полупроводниковым материалом p-типа в середине и материалом n-типа по бокам известен как транзистор типа NPN. Точно так же BJT с материалом n-типа в середине и материалом p-типа по бокам известен как транзистор PNP.

Средний слой называется основанием (B), а один из внешних слоев называется коллектором (C), а другой эмиттером (E). Переходы называются переходом база-эмиттер (B-E) и переходом база-коллектор (B-C). База слабо легирована, а эмиттер сильно легирован. Коллектор имеет относительно более низкую концентрацию легирования, чем эмиттер.

При работе, как правило, переход BE смещен в прямом направлении, а переход BC — в обратном направлении с гораздо более высоким напряжением. Поток заряда обусловлен диффузией носителей через эти два перехода.

 

Подробнее о транзисторах PNP

Транзистор PNP построен из полупроводникового материала n-типа с относительно низкой концентрацией легирующей донорной примеси. Эмиттер легирован более высокой концентрацией акцепторной примеси, а коллектор имеет более низкий уровень легирования, чем эмиттер.

В процессе работы соединение BE смещается в прямом направлении за счет приложения более низкого потенциала к базе, а переход BC смещается в обратном направлении, используя гораздо более низкое напряжение на коллекторе. В этой конфигурации транзистор PNP может работать как переключатель или усилитель.

Основной носитель заряда PNP-транзистора, дырки, имеет относительно низкую подвижность. Это приводит к более низкой скорости частотной характеристики и ограничению тока.

Подробнее о транзисторах NPN

Транзистор типа NPN построен на полупроводниковом материале p-типа с относительно низким уровнем легирования. Эмиттер легирован донорной примесью с гораздо более высоким уровнем легирования, а коллектор легирован более низким уровнем, чем эмиттер.

Конфигурация смещения NPN-транзистора противоположна PNP-транзистору. Напряжения меняются местами.

Основным носителем заряда типа NPN являются электроны, которые обладают большей подвижностью, чем дырки. Следовательно, время отклика транзистора типа NPN относительно меньше, чем у транзистора типа PNP. Следовательно, транзисторы типа NPN чаще всего используются в устройствах, связанных с высокими частотами, и их простота изготовления, чем PNP, делает их в основном используемыми из двух типов.

В чем разница между NPN и PNP транзистором?

• Транзисторы PNP имеют коллектор и эмиттер p-типа с базой n-типа, а транзисторы NPN имеют коллектор и эмиттер n-типа с базой p-типа.

• Большинство носителей заряда PNP — это дырки, а в NPN — электроны.

• При смещении используются потенциалы противоположные по отношению к другому типу.

• NPN имеет более быстрое время частотной характеристики и больший ток через компонент, в то время как PNP имеет низкую частотную характеристику с ограниченным током.

NGSPICE.js — биполярный транзистор

Published: Ср. 02 Ноябрь 2016

By Oleg Mazko

In Electronics.

tags: gEDA ngspice

Продолжаем осваивать NGSPICE.

Также как и диод биполярный транзистор (Bipolar Junction Transistor — BJT) основан на физических свойствах p-n перехода. Прибор состоит из трёх полупроводниковых слоёв с чередующимся типом примесной проводимости: эмиттера — базы — коллектора. В зависимости от порядка чередования слоёв различают n-p-n (эмиттер n-полупроводник, база p-полупроводник, коллектор n-полупроводник) и p-n-p транзисторы. Поскольку биполярный транзистор состоит из двух p-n-переходов отсюда название «биполярный». Применяется транзистор в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний.

В следующих схемах для симуляции использовалась SPICE модель популярного n-p-n транзистора 2N2222:

~$ wget -nc http://www.centralsemi.com/docs/csm/2N2222.LIB

схема коэффициент передачи тока эмиттера | netlist | ngspice.js

Как вытекает из первого закона Кирхгофа Iэ=Iб + Iк, где Iэ Iб Iк токи эмиттера базы и коллектора транзистора. Коэффициент α, связывающий ток эмиттера и ток коллектора (Iк = α * Iэ), называется коэффициентом передачи тока эмиттера. Численное значение коэффициента α = 0,9…0,999. Чем больше коэффициент, тем эффективней транзистор передаёт ток. Этот коэффициент мало зависит от напряжения коллектор-база и база-эмиттер. Поэтому в широком диапазоне рабочих напряжений ток коллектора пропорционален току базы, коэффициент пропорциональности равен β = α/(1 − α) = Iк/Iб = Iк/(Iэ — Iк), обычно от 10 до 1000.

ngspice 1 -> source alpha.net
ngspice 2 -> set temp=0
ngspice 3 -> dc v1 0 2 2m
ngspice 4 -> set temp=25
ngspice 5 -> dc v1 0 2 2m
ngspice 6 -> set temp=50
ngspice 7 -> dc v1 0 2 2m
ngspice 8 -> plot (-dc1.i(v1)) (-dc2.i(v1)) (-dc3.i(v1)) ylimit 0 2m

На картинке 0…0.2В — напряжение насыщения коллектор-эмиттер, после которого участок 0.2В…MAX является активным режимом работы транзистора. Коэффициент передачи по току почти не зависит от напряжения коллектор-эмиттер.

Коэффициент передачи зависит от конкретной модели транзистора, температуры и частоты усиливаемого сигнала. Последний параметр называют предельной частотой коэффициента передачи тока базы.

ngspice 1 -> source alpha.net
ngspice 2 -> alter v1 10
ngspice 3 -> set temp=0
ngspice 4 -> dc i1 0 2m 2u
ngspice 5 -> set temp=25
ngspice 6 -> dc i1 0 2m 2u
ngspice 7 -> set temp=50
ngspice 8 -> dc i1 0 2m 2u
ngspice 9 -> plot (-dc1.i(v1)) (-dc2.i(v1)) (-dc3.i(v1))

В идеальном мире коэффициент передачи тока должен был бы быть константой, однако на картинке видно отклонение от прямой линии. На практике, если транзистор используется для усиления сигнала, это приводит к т.н. нелинейным искажениям.

Далее полевые транзисторы.

Биполярные транзисторы

n-p-n и p-n-p

Context 1

… есть два типа носителей (электроны и дырки), мы можем визуализировать две разные конфигурации BJT, а именно, конфигурацию npn и конфигурацию pnp. На рисунке 1 показаны символы, а также полярности тока и напряжения для обеих конфигураций. …

Context 2

… Например, мы можем разорвать цикл в точке A на рисунке 9. Измененный рисунок показан на рисунке 10….

Контекст 3

… схема, предложенная на рисунке 9, страдает «лямбда-эффектом», поскольку V DS M1 больше, чем V DS M3 на напряжение диода. Эту проблему можно решить, добавив диод в ведущий тракт, как показано на рисунке 11. Следует отметить, что диод не влияет на изображение сигнала переменного тока. …

Context 4

… транзисторы, тем не менее, имеют конечный коэффициент усиления по току коллектора (β), и, следовательно, рассогласование статических токов в первую очередь связано с различными базовыми токами.Например, рассмотрим транзистор с диодным соединением, показанный на рисунке 12. …

Контекст 5

… теперь можно реализовать базовый источник тока с управлением по току BJT путем приложения напряжения база-эмиттер, разработанного системой Главный транзистор (Q1) к подчиненному транзистору (Q2), как показано на рисунке 13. Предполагая, что площадь эмиттерного перехода Q2 в n раз больше, чем у Q1, и дополнительно предполагая, что коэффициенты усиления по току транзисторов одинаковы, мы может вычислить h-матрицу CCCS…

Контекст 6

… несоответствие между входным током и током коллектора в подключенном через диод BJT (показано на рисунке 12) происходит из-за конечного коэффициента усиления контура β. Если бы мы могли как-то увеличить петлевое усиление, мы могли бы уменьшить несоответствие между входным током и током коллектора. …

Context 7

… мы могли бы как-то увеличить усиление контура, мы можем уменьшить рассогласование между входным током и током коллектора.Один из способов добиться этого — использовать другой транзистор, как показано на рисунке 14, между коллектором и базой Q1. Это увеличивает петлевое усиление от β до β (β + 1). …

Контекст 8

… увеличивает коэффициент усиления контура с β до β (β + 1). Теперь мы можем реализовать управляемый током источник тока, применяя напряжение база-эмиттер, развиваемое Q1 на Q2, как показано на рисунке 15. h-матрица задается как …

Context 9

… обратная связь работает только на ведущем транзисторе, этот метод не улучшает выходное сопротивление CCCS.В следующем разделе мы увидим, как изменить токовое зеркало на рисунке 15, чтобы увеличить выходное сопротивление. …

Context 10

… увеличить выходное сопротивление, нам нужно изменить схему, показанную на рисунке 15, таким образом, чтобы обратная связь не ограничивалась ведущим трактом. Один из способов сделать это — сделать Q2 транзистором с диодным соединением и использовать ток коллектора Q3 в качестве выходного тока, как показано на рисунке 16. …

Контекст 11

… Для увеличения выходного сопротивления нам необходимо изменить схему, показанную на рисунке 15, таким образом, чтобы обратная связь не ограничивалась ведущим трактом. Один из способов сделать это — сделать Q2 транзистором с диодным соединением и использовать ток коллектора Q3 в качестве выходного тока, как показано на рисунке 16. Эта схема известна как токовое зеркало Вильсона [4]. …

Context 12

… вычислить I0 Iin для этой схемы, давайте перерисуем схему как систему управления. (Мы должны помнить, что подход с использованием блок-схемы, используемый инженерами систем управления, представляет собой простой способ вычисления передаточной функции и не учитывает эффект нагрузки — для вычисления всей матрицы мы должны использовать метод составных матриц или узловой анализ) Блок-схема показана на рисунке 17.Блок-схема была построена с использованием следующего подхода. …

Контекст 13

… Принципиальная схема (первоначально показанная на рисунке 8) повторяется на рисунке 18 для удобства. …

Контекст 14

… оптимальная конструкция с точки зрения выходного напряжения достигается, если на каждый транзистор подается напряжение сток-исток, достаточное для поддержания транзистора в состоянии насыщения. На рисунке 19 показано напряжение, необходимое на затворе двух транзисторов в каскодной конфигурации….

Контекст 15

… уравнения 87 и 88 в уравнении 89, Эта структура теперь может использоваться для получения токового зеркала с широким поворотом. Полная схема показана на рисунке 21. Эта схема называется каскодным токовым зеркалом Суча в честь ее изобретателя [5]. …

Контекст 16

… Принципиальная схема (первоначально показанная на рисунке 11) повторяется на рисунке 22 для удобства. …

Context 17

… сделайте это, нам нужно подать второй вход (I 00 sin (ω m) в примере) как дифференциальный сигнал.Схема показана на рисунке 31. Используя ту же идею, что использовалась для вывода уравнений 118 и 119. Мы можем вычислить выходной дифференциальный ток, I m — I n, как …

PNP транзисторы с одинарным биполярным переходом — BJT

8

BC860C, 215

1081249

Биполярный (BJT) одиночный транзистор, PNP, 45 В, 100 мА, 250 мВт, SOT-23, поверхностный монтаж NEXPERIA

Каждый (поставляется на отрезанной ленте)

Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт. Только кратное 5 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 5 Mult: 5

PNP

45В

100 мА

250 мВт

СОТ-23

Поверхностное крепление

3 контакта

100 МГц

420hFE

150 ° С

—

—

BC856 215

1081242RL

Биполярный (BJT) одиночный транзистор, PNP, 65 В, 100 мА, 250 мВт, SOT-23, поверхностный монтаж NEXPERIA

Каждый (поставляется на отрезанной ленте) 3 фунта стерлингов.Для этого продукта будет добавлено 50 перемоток

Запрещенный товар Минимальный заказ от 500 шт. Только кратное 5 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 500 Mult: 5

PNP

65 В

100 мА

250 мВт

СОТ-23

Поверхностное крепление

3 контакта

100 МГц

125hFE

150 ° С

BC856

—

BD912

1084576

Биполярный (BJT) одиночный транзистор, общего назначения, PNP, 100 В, 15 А, 90 Вт, TO-220AB, сквозное отверстие СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКА

Просмотреть дополнительные запасы Avnet

Каждый

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

PNP

100 В

15А

90 Вт

К-220АБ

Сквозное отверстие

3 контакта

3 МГц

40hFE

150 ° С

—

—

BC807-16,215

1081220

Биполярный (BJT) одиночный транзистор, PNP, 45 В, 500 мА, 250 мВт, SOT-23, поверхностный монтаж NEXPERIA

Каждый (поставляется на отрезанной ленте) Варианты упаковки

Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт. Только кратное 5 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 5 Mult: 5

PNP

45В

500 мА

250 мВт

СОТ-23

Поверхностное крепление

3 контакта

—

100hFE

150 ° С

BC807

—

MJ11015G

9556575

Биполярный (BJT) одиночный транзистор, PNP, 120 В, 30 А, 200 Вт, TO-3, сквозное отверстие ONSEMI

Каждый

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

PNP

120 В

30А

200 Вт

ТО-3

Сквозное отверстие

2 контакта

—

1000hFE

200 ° С

—

—

BSR16..

1700670

Биполярный (BJT) одиночный транзистор, PNP, -60 В, -800 мА, 350 мВт, SOT-23, SMD ONSEMI

Просмотреть дополнительные запасы Avnet

Каждый (поставляется на отрезанной ленте) Варианты упаковки

Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт. Только кратное 5 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 5 Mult: 5

PNP

60В

800 мА

350 мВт

СОТ-23

Поверхностное крепление

3 контакта

200 МГц

100hFE

150 ° С

—

—

BC858B-7-F

1773610

Биполярный (BJT) одиночный транзистор, PNP, 30 В, 100 мА, 300 мВт, SOT-23, поверхностный монтаж DIODES INC.

Просмотреть дополнительные запасы Avnet

Каждый (поставляется на отрезанной ленте)

Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт. Только кратное 5 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 5 Mult: 5

PNP

30 В

100 мА

300 мВт

СОТ-23

Поверхностное крепление

3 контакта

200 МГц

330hFE

150 ° С

—

—

BCX51-16,115

1081274

Биполярный (BJT) одиночный транзистор, PNP, 45 В, 1 А, 500 мВт, SOT-89, поверхностный монтаж NEXPERIA

Просмотреть дополнительные запасы Avnet

Каждый (поставляется на отрезанной ленте)

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

PNP

45В

1А

500 мВт

СОТ-89

Поверхностное крепление

3 контакта

145 МГц

100hFE

150 ° С

BCX51

—

BC856 215

1081242

Биполярный (BJT) одиночный транзистор, PNP, 65 В, 100 мА, 250 мВт, SOT-23, поверхностный монтаж NEXPERIA

Каждый (поставляется на отрезанной ленте) Варианты упаковки

Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт. Только кратное 5 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 5 Mult: 5

PNP

65 В

100 мА

250 мВт

СОТ-23

Поверхностное крепление

3 контакта

100 МГц

125hFE

150 ° С

BC856

—

BDX34C

1015774

Биполярный (БЮТ) одиночный транзистор, Дарлингтон, PNP, 100 В, 10 А, 70 Вт, TO-220, сквозное отверстие СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКА

Каждый

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

PNP

100 В

10А

70 Вт

К-220

Сквозное отверстие

3 контакта

—

750hFE

150 ° С

—

—

STN9260

2770319

Биполярный (BJT) одиночный транзистор, PNP, 600 В, 500 мА, 1.6 Вт, SOT-223, поверхностный монтаж СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКА

Просмотреть дополнительные запасы Avnet

Каждый (поставляется на отрезанной ленте)

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

PNP

600 В

500 мА

1.6 Вт

СОТ-223

Поверхностное крепление

4 контакта

—

50hFE

150 ° С

—

—

ZTX550

9525548

Биполярный (БЮТ) одиночный транзистор, общего назначения, PNP, 45 В, 1 А, 1 Вт, TO-226AA, сквозное отверстие DIODES INC.

Каждый

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

PNP

45В

1А

1 Вт

К-226АА

Сквозное отверстие

3 контакта

150 МГц

100hFE

200 ° С

—

—

BC857CW, 115

1

5

Биполярный (BJT) одиночный транзистор, общего назначения, PNP, 45 В, 100 мА, 200 мВт, SOT-323, поверхностный монтаж NEXPERIA

Каждый (поставляется на отрезанной ленте) Варианты упаковки

Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт. Только кратное 5 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 5 Mult: 5

PNP

45В

100 мА

200 мВт

СОТ-323

Поверхностное крепление

3 контакта

—

420hFE

150 ° С

—

—

MJE15031G

9557105

Биполярный (BJT) одиночный транзистор, аудио, PNP, 150 В, 8 А, 50 Вт, TO-220, сквозное отверстие ONSEMI

Просмотреть дополнительные запасы Avnet

Каждый

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

PNP

150 В

8A

50 Вт

К-220

Сквозное отверстие

3 контакта

30 МГц

40hFE

150 ° С

—

—

ZTX951

9524975

Биполярный (BJT) одиночный транзистор, PNP, 60 В, 4 А, 1.2 Вт, E-Line, сквозное отверстие DIODES INC.

Каждый

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

PNP

60В

4А

1.2 Вт

E-Line

Сквозное отверстие

3 контакта

120 МГц

200hFE

200 ° С

—

—

BD140-16

1084566

Биполярный (BJT) одиночный транзистор, PNP, 80 В, 1.5 А, 1,25 Вт, SOT-32, сквозное отверстие СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКА

Каждый

Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт. Только кратное 5 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 5 Mult: 5

PNP

80 В

1.5А

1,25 Вт

СОТ-32

Сквозное отверстие

3 контакта

—

40hFE

150 ° С

—

—

PMST3906,115

1758031

Биполярный (BJT) одиночный транзистор, переключение, PNP, 40 В, 200 мА, 200 мВт, SOT-323, поверхностный монтаж NEXPERIA

Каждый (поставляется на отрезанной ленте) Варианты упаковки

Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт. Только кратное 5 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 5 Mult: 5

PNP

40В

200 мА

200 мВт

СОТ-323

Поверхностное крепление

3 контакта

250 МГц

100hFE

150 ° С

—

—

BD678

9946446

Биполярный (BJT) одиночный транзистор, Дарлингтон, PNP, 60 В, 4 А, 40 Вт, SOT-32, сквозное отверстие СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКА

Просмотреть дополнительные запасы Avnet

Каждый

Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт. Только кратное 5 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 5 Mult: 5

PNP

60В

4А

40Вт

СОТ-32

Сквозное отверстие

3 контакта

—

750hFE

150 ° С

—

—

TTA1943

1

Биполярный (BJT) одиночный транзистор, аудио, PNP, 230 В, 15 А, 150 Вт, TO-3P, сквозное отверстие TOSHIBA

Каждый

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

PNP

230 В

15А

150 Вт

ТО-3П

Сквозное отверстие

3 контакта

30 МГц

160hFE

150 ° С

—

—

2N6609

1165913

Биполярный (BJT) одиночный транзистор, общего назначения, PNP, 140 В, 16 А, 150 Вт, TO-3, сквозное отверстие MULTICOMP PRO

Каждый

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

PNP

140 В

16А

150 Вт

ТО-3

Сквозное отверстие

2 контакта

—

60hFE

200 ° С

—

—

MJ15004

3473380

Биполярный (BJT) одиночный транзистор, общего назначения, PNP, 140 В, 20 А, 250 Вт, TO-3, сквозное отверстие MULTICOMP PRO

Каждый

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

PNP

140 В

20А

250 Вт

ТО-3

Сквозное отверстие

2 контакта

2 МГц

25hFE

200 ° С

—

—

BC807-40

1798085

Биполярный (BJT) одиночный транзистор, PNP, 45 В, 500 мА, 300 мВт, SOT-23, поверхностный монтаж MULTICOMP PRO

Каждый (поставляется на отрезанной ленте) Варианты упаковки

Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт. Только кратное 5 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 5 Mult: 5

PNP

45В

500 мА

300 мВт

СОТ-23

Поверхностное крепление

3 контакта

200 МГц

250hFE

150 ° С

—

—

TIP2955

9294619

Биполярный (BJT) одиночный транзистор, общего назначения, PNP, 60 В, 15 А, 90 Вт, TO-247, сквозное отверстие MULTICOMP PRO

Каждый

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

PNP

60В

15А

90 Вт

К-247

Сквозное отверстие

3 контакта

2.5 МГц

100hFE

150 ° С

—

—

BCX53-16

1798041

Биполярный (BJT) одиночный транзистор, PNP, 80 В, 1 А, 500 мВт, SOT-89, поверхностный монтаж MULTICOMP PRO

Каждый

Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт. Только кратное 5 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 5 Mult: 5

PNP

80 В

1А

500 мВт

СОТ-89

Поверхностное крепление

3 контакта

125 МГц

250hFE

150 ° С

—

—

BD238

1574355

Биполярный (BJT) одиночный транзистор, общего назначения, PNP, 80 В, 2 А, 25 Вт, TO-126, сквозное отверстие MULTICOMP PRO

Каждый

Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт. Только кратное 5 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 5 Mult: 5

PNP

80 В

2А

25 Вт

К-126

Сквозное отверстие

3 контакта

3 МГц

40hFE

150 ° С

—

—

Биполярный транзистор, биполярный транзистор PNP, биполярный транзисторный усилитель

Биполярный транзистор — это тип полупроводника, в котором используются два носителя заряда вместо одного.Обычно используется в схемах, его функция заключается в увеличении тока или в качестве переключателя. Действуя как изолятор или проводник, транзистор может легко переключаться между переключателем и усилителем.

Также известные как транзисторы с биполярным переходом, каждый состоит из трех слоев кремния и представляет собой трехконтактное активное устройство. Хотя кремний, как известно, является плохим проводником, при определенной химической обработке его способность проводить электричество улучшается. Это также известно как «допинг».

Как работают биполярные транзисторы?

Стандартные характеристики биполярного транзистора включают два PN (положительно-отрицательных) перехода и три соединительных вывода биполярного транзистора: эмиттер, коллектор и базу. Биполярный транзистор контролирует электрический ток от эмиттера к коллектору и регулирует его в зависимости от напряжения, приложенного к базе.

Когда в базу подается небольшой ток, можно контролировать больший ток через выводы эмиттера и коллектора.Это делает устройство отличным как для усиления, так и для функций переключения.

Преимущества использования биполярного транзисторного перехода включают:

• Возможность использовать его в высокочастотных или низкочастотных приложениях
• Большая полоса усиления
• Лучшее усиление по напряжению
• Хорошие характеристики на высоких частотах

Для них По этой причине схема усилителя на биполярных транзисторах часто используется в электронных аудиопередатчиках или беспроводных передатчиках.

Биполярные транзисторы Наиболее часто используется активный режим, то есть транзистор может действовать как усилитель, увеличивая электрический ток от коллектора к эмиттеру.

В режиме насыщения ток может свободно течь между коллектором и эмиттером. Это также известно как «включенный» режим. Режим отсечки противоположен насыщению и означает, что нет тока, необходимого для создания выходного сигнала. Эти режимы «вкл / выкл» означают, что биполярный транзистор чрезвычайно эффективно работает как переключатель.

Типы биполярных транзисторов

Существует два основных типа биполярных транзисторов: биполярный транзистор PNP или биполярный транзистор NPN.Наиболее распространенная конфигурация транзисторов — это биполярный силовой транзистор NPN, в котором ток течет от коллектора к эмиттеру. В конфигурации PNP все наоборот, и ток течет от эмиттера к коллектору.

Биполярный транзистор PNP включается с низким сигналом, тогда как биполярный транзистор NPN использует высокий сигнал. Тем не менее, существует также двойной комплементарный биполярный транзистор NPN PNP, который представляет собой гибридное устройство с шестью выводами, содержащее оба.

Другой тип биполярного транзистора — это биполярный транзистор с изолированным затвором.Состоящие из четырех слоев в схеме PNPN, эти транзисторы становятся все более распространенными в современных приложениях, таких как умные дома, источники питания для сканеров безопасности в аэропортах, а также в зарядных устройствах для электромобилей.

Технические характеристики

Наши биполярные переходные транзисторы имеют широкий диапазон спецификаций, чтобы удовлетворить ваши потребности. Варианты для вашего транзистора включают NPN, PNP плюс двойной дополнительный биполярный транзистор NPN PNP. Благодаря большому диапазону вариантов коллекторного тока и напряжения коллектор-эмиттер, включая высоковольтные биполярные транзисторы до 1500 В, вы обязательно найдете подходящий продукт.

Благодаря широкому выбору вариантов монтажа и количества выводов выбор идеального биполярного транзистора не может быть проще. Кроме того, наши раскрывающиеся меню позволяют легко фильтровать наши продукты в соответствии с вашими точными характеристиками.

Выберите лучший биполярный транзистор для ваших нужд

У нас есть товары от уважаемых производителей, включая такие известные производители, как:

• Diodes Inc.
• NTE Electronics Inc.
• ON Semiconductor
• Panasonic
• Solid Государственное производство

Вы можете искать предпочитаемую марку с помощью фильтра «производитель», поэтому найти нужную деталь еще никогда не было так просто.

Воспользуйтесь нашим порталом быстрого заказа, чтобы найти продукт по складскому номеру или номеру детали и добавить его в корзину, если вы уже знаете, что ищете. Кроме того, если вам нужен совет или вы хотите задать какие-либо вопросы, свяжитесь с нами для получения экспертной помощи, и мы будем рады обсудить ваши потребности в продукте.

Чтобы узнать о последних отраслевых новостях и опыте, посетите наш центр консультаций экспертов.

Введение в транзисторы PNP — инженерные проекты

Привет, друзья! Надеюсь, у вас все хорошо.Я вернулся, чтобы давать вам ежедневную дозу ценной информации, чтобы вы всегда могли опережать своих конкурентов. Ранее я обновлял статью о транзисторе NPN, который используется для усиления и переключения. Сегодня я собираюсь раскрыть подробности о Введение в PNP-транзистор , который относится к категории транзисторов с биполярным переходом и имеет три слоя, то есть два слоя с примесью фосфора и один слой с примесью азота, где имеется слой с примесью азота. между двумя слоями, легированными P.

Основная функция: Малый ток на одной клемме используется для управления большим током на других клеммах.

Основные носители заряда: Отверстия

Эти транзисторы NPN и PNP имеют свои преимущества в зависимости от характера электронного проекта, однако транзисторы NPN всегда считаются предпочтительнее транзисторов PNP из-за их быстрого отклика из-за мобильности электронов, в то время как транзисторы PNP не являются предпочтительными для целей усиления и переключения, поскольку проводимость через подвижность дырок считается менее полезной и выгодной по сравнению с подвижностью электронов.

В этом руководстве я расскажу обо всем, что связано с этим транзистором PNP, то есть о том, что он делает, принципиальной схеме, приложениях и всем, что вам нужно знать. Давайте углубимся и разберемся, что это такое и как это используется для выполнения электронных проектов.

Введение в транзистор PNP

• Транзистор PNP — это тип биполярного транзистора, который используется для усиления и переключения, а также для разработки дополнительного выходного каскада в сочетании с транзистором NPN.
• Он имеет три клеммы: эмиттер, база и коллектор, где небольшой ток на клемме базы используется для управления большим током на других клеммах.
• Это устройство с управляемым током, также известное как , втекающее устройство , в котором ток втекает в свой базовый вывод, а ток течет из коллектора.
• В отличие от транзистора NPN, в этом транзисторе PNP ток течет от эмиттера к коллектору, а дырки действуют как основные носители заряда.

• Этот транзистор имеет те же характеристики, что и NPN-транзистор, но с некоторыми исключениями.В случае транзистора PNP все полярности напряжения и направления тока будут обратными по сравнению с транзистором NPN. Транзистор PNP пропускает ток в свою базу, в то время как транзистор NPN передает ток через свой базовый вывод.
• И NPN, и PNP-транзисторы представляют собой устройства с регулируемым током, в которых проводимость осуществляется обоими носителями заряда, то есть электронами и дырками, но в случае NPN-транзисторов основными носителями заряда являются электроны. В то время как в случае транзистора PNP основными носителями заряда являются дырки.
• Транзистор PNP похож на комбинацию диодов, соединенных спина к спине со стороны катода.

Конструкция

• Этот транзистор PNP состоит из двух слоев с примесью P и одного слоя с примесью азота, где слой с примесью азота представляет собой базу транзистора, а другие слои с примесью фосфора представляют собой эмиттер и коллектор соответственно.
• База транзистора более отрицательная, чем вывод эмиттера.
• Все три вывода в транзисторе PNP различаются концентрацией легирования и размером.
• Эмиттер сильно легирован и показывает 100% ток транзистора, в то время как база слегка легирована, что отвечает за работу транзистора и контролирует количество отверстий в случае транзистора PNP.
• В то время как коллектор слегка легирован и имеет больший размер по сравнению с двумя другими выводами и собирает количество отверстий.

Принципиальная схема

• На следующем рисунке показана принципиальная схема транзистора PNP.

• В транзисторе PNP на вывод эмиттера подается напряжение истока (вместо вывода коллектора в случае транзистора NPN) и нагрузочный резистор используется для сопротивления току на выводе коллектора.
• Аналогичным образом, напряжение смещения прикладывается к клеммам базы, и к этой клемме подключается резистор базы, чтобы ограничить ток, протекающий через эту клемму.
• Эмиттер подключен к положительному напряжению, в то время как база подключена к отрицательному напряжению.

Рабочий

• Подобно транзистору NPN, транзистор PNP имеет два pn перехода, то есть переход эмиттер-база и переход коллектор-база.
• Переход эмиттер-база смещен в прямом направлении и показывает низкое сопротивление, в то время как переход коллектор-база имеет обратное смещение и высокое сопротивление.Шаги и процессы, необходимые для того, чтобы сделать эти переходы смещенными в прямом и обратном направлении, отличаются от транзисторов NPN.
• Переход эмиттер-база станет смещенным в прямом направлении, когда база отрицательна по отношению к эмиттеру, а напряжение на стороне базы на 0,7 В меньше напряжения на стороне эмиттера.
• Точно так же переход эмиттер-база становится обратно смещенным, когда приложенное напряжение коллектора отрицательное. В случае транзистора PNP напряжение эмиттера намного больше, чем напряжение коллектора.
• Для обеспечения проводимости для транзистора PNP напряжение эмиттера должно быть более положительным по сравнению с базой и коллектором.
• Транзистор включается, когда от эмиттера к клемме базы протекает небольшой ток.
• В транзисторах PNP эмиттер испускает дырки по сравнению с NPN, где эмиттер испускает электроны.
• Когда соответствующее напряжение смещения приложено к выводу базы, оно смещается, и отверстия, имеющиеся на выводе эмиттера, перемещаются к выводу основания, где они объединяются с электроном, присутствующим на этом выводе.Это генерирует небольшой ток на базовом выводе.
• Основание очень тонкое, поэтому для основания очень трудно принять все отверстия, вводимые эмиттером, в результате большинство отверстий выходят из вывода основания и входят в вывод коллектора.

Согласованный переключатель

• Комбинация транзистора PNP и транзистора NPN используется для проектирования и разработки схем усилителя мощности. Усилители Power B являются прекрасным примером этой схемы усилителя, в которой транзисторы PNP и NPN объединены вместе для создания цикла высокого усиления.

• Пара NPN- и PNP-транзисторов, используемая в усилителях класса B, называется комплементарным или согласованным переключателем, где PNP-транзистор проводит отрицательный полупериод, а NPN-транзистор проводит положительный полупериод транзистора.
• Этот процесс используется для выработки необходимой мощности для громкоговорителя в обоих направлениях. Результирующая мощность, генерируемая при очень высоком выходном токе, затем равномерно распределяется между согласованным переключателем, состоящим из транзисторов NPN и PNP.

Кривая выходных характеристик

• Кривая выходных характеристик транзистора PNP выглядит идентично таковой для транзистора NPN, но с одним исключением: она повернута на 180 градусов.
• На характеристической кривой, которую мы построили для NPN-транзистора, нанесена та же линия нагрузки, которая указывает рабочие точки транзистора.
• На следующем рисунке показана характеристическая кривая PNP-транзистора, которая проведена между выходным током и напряжением коллектор-эмиттер и повернута на 180 градусов при изменении направления тока и полярности напряжения на противоположные.Напряжение питания для транзистора PNP становится отрицательным.

• Значение коэффициента усиления по току (альфа, бета) намного меньше в транзисторе PNP по сравнению с транзистором NPN. Мы можем вычислить бета-значение по следующему уравнению;

Разница между транзисторами PNP и NPN

• Транзистор PNP известен как поглощающее устройство, в то время как транзистор NPN известен как устройство источника.
• Основное различие между транзисторами PNP и NPN заключается в правильном смещении клеммы базы, где направления тока и полярности напряжения всегда противоположны друг другу.
• В транзисторе PNP дырки являются основными носителями, в то время как в транзисторе NPN электроны являются основными носителями.
• Напряжение эмиттера становится более положительным по сравнению с базой и коллектором в транзисторе PNP. При этом напряжение коллектора сделано более положительным по сравнению с базой и эмиттером в случае NPN-транзистора.
• Транзистор PNP будет считаться включенным, если на клемме базы нет тока. Транзистор NPN будет считаться включенным, если на клемме базы присутствует достаточный ток.
• В транзисторе PNP ток течет от эмиттера к коллектору, в то время как в случае транзистора NPN ток течет от коллектора к эмиттеру.
• База положительна в случае транзистора NPN и отрицательна в транзисторе PNP.
• Когда на клемму базы подается достаточное напряжение, она смещается в случае клеммы NPN, в то время как в случае транзистора PNP должно подаваться отрицательное напряжение на 0,7 В меньше напряжения эмиттера для запуска действия транзистора.

Приложения

• Этот транзистор используется в качестве переключателя электронных сигналов.
• Используется в усилительных схемах.
• Используется как согласованный переключатель в сочетании с транзистором NPN для генерации непрерывной мощности.
• Для протекания тока через тяжелые двигатели используются эти транзисторы.
• Используется в роботизированных приложениях, где требуется снижение тока.

На сегодня все. Надеюсь, эта статья оказалась для вас полезной. Если вы не уверены или у вас есть какие-либо вопросы, вы можете задать мне их в разделе комментариев ниже. Я хотел бы помочь вам чем могу.Вы можете добавить что-нибудь ценное, связанное с этим транзистором. Спасибо, что прочитали статью.

Автор: Аднан Акил

Он блоггер и технический писатель, который любит исследовать новые вещи из любопытства. Он верит в упорный труд, честность и энтузиазм, которые являются важными составляющими достижения окончательного успеха. Он не хвастается своими писательскими способностями, но своим мастерством хвастается. [helloworld]

сообщение навигации

Биполярный переходной транзистор | pnp bjt hbt jfet npn Transistor — Электротехника 123

Что такое транзистор

Транзистор представляет собой трехслойное полупроводниковое устройство, которое состоит из:

• двух слоев n-типа и одного слоя материала p-типа, который называется npn-транзистором
• два слоя p-типа и один слой материала n-типа, который называется pnp-транзистором

Существует два основных типа транзисторов i.д. биполярный переходной транзистор или полевой транзистор BJT и полевой транзистор , которые используются в двух широких областях: линейный усилитель для усиления или усиления электрического сигнала и в качестве электронного переключателя.

History Of Transistor / bjt

Транзистор был изобретен группой из трех человек в Bell Laboratories в 1947 году. Хотя это не был биполярный транзистор BJT, это было начало технологической революции, которая продолжается до сих пор. Сегодня все электронные устройства и системы являются результатом ранних разработок полупроводниковых транзисторов.

BJT Структура транзистора

BJT состоит из трех легированных полупроводниковых областей, разделенных двумя pn-переходами, которые называются эмиттером, базой и коллектором. Один тип биполярного переходного транзистора bjt состоит из двух n-областей, разделенных p-областью ( npn-транзистор ), а другой тип состоит из двух p-областей, разделенных n-областью ( pnp-транзистор ).

Структура базового биполярного транзистора BJT

Переходы в BJT

Р-n-переход, соединяющий область базы и область эмиттера, называется переходом база-эмиттер bej .Р-n переход, соединяющий базовую область и коллекторную область, называется переходом база-коллектор bcj .

Клеммы EBC биполярного транзистора — Принцип работы транзистора

К каждой из трех областей подключается провод, и эти выводы обозначены E, B и C для эмиттера, базы и коллектора соответственно. Базовая область слабо легирована и очень тонка по сравнению с сильно легированным эмиттером и умеренно легированными областями коллектора. Термин биполярный относится к использованию как дырок, так и электронов в качестве носителей в структуре транзистора.

Принципиальная схема биполярного переходного транзистора

Принцип работы биполярного переходного транзистора

Ниже показано правильное устройство смещения для транзисторов npn и pnp для их активной работы в качестве усилителя. В обоих случаях переход база-эмиттер BEJ смещен в прямом направлении, а переход база-коллектор (BC) смещен в обратном направлении. Прямое смещение от базы к эмиттеру сужает область истощения БЭ, а обратное смещение от базы к коллектору расширяет область истощения ЧУ. Сильнолегированная область эмиттера n-типа изобилует (свободными) электронами зоны проводимости, которые легко диффундируют через смещенный вперед BE-переход в базовую область p-типа, где они становятся неосновными носителями.Базовая область слегка легирована и очень тонкая, поэтому имеет ограниченное количество отверстий. Таким образом, только небольшой процент всех электронов, проходящих через переход BE , может объединиться с доступными отверстиями в основании. Эти относительно немногочисленные рекомбинированные электроны выходят из основного провода в виде валентных электронов, вызывая небольшой ток основного электрона, как показано на рисунке.

Попав в эту область, электроны протягиваются через смещенный в обратном направлении переход BC под действием электрического поля, создаваемого силой притяжения между положительными и отрицательными ионами.На самом деле вы можете представить себе электроны, которые тянутся через обратносмещенный переход BC за счет притяжения напряжения питания коллектора. Электроны теперь движутся через область коллектора, выходят через вывод коллектора и попадают на положительный вывод источника напряжения коллектора. Это формирует ток электронов коллектора, как показано на рисунке. Коллекторный ток намного больше, чем ток базы. Это причина того, что транзисторы демонстрируют усиление по току.

Выше было краткое введение в биполярный транзистор BJT с несколькими изображениями. Вы можете посмотреть видео ниже, чтобы понять работу транзистора.

Видеообъяснение принципа работы биполярного переходного транзистора

Биполярный переходной транзистор — конструкция, типы и методы соединения

Это имя обозначает устройство, имеющее передаточные резисторы. Поскольку мы видели, что полупроводник обеспечивает меньшее сопротивление течению тока в одном направлении и высокое сопротивление в другом направлении, мы называем устройство из полупроводников транзистором.
Существует два основных типа транзисторов:

.

1. Контактное лицо
2. Переходной транзистор

Переходные транзисторы используются чаще, чем точечные транзисторы.Их отдают предпочтение из-за их прочности и небольшого размера. Переходные транзисторы делятся на два типа

1. PNP
2. НПН

Каждый имеет 3 электрода, называемых эмиттером, базой и коллектором. Они изготавливаются из полупроводников типа P и N. В зависимости от типа.

ТРАНЗИСТОР

Транзистор был изобретен Уильямом Шокли в 1947 году. Транзистор состоит из двух PN-переходов. Переходы формируются путем наложения полупроводниковых слоев P-типа или N-типа между парой противоположных типов.Существует два типа транзисторов: один называется транзистором PNP, а другой — транзистором NPN.

PNP-транзистор состоит из двух полупроводников P-типа, разделенных тонкой секцией N-типа, как показано на рисунке (a). Точно так же транзистор NPN состоит из двух полупроводников N-типа, разделенных тонкой секцией P-типа, как показано на рисунке (а). символы, используемые для транзисторов PNP и NPN, также показаны на диаграммах.

По сути, транзистор состоит из трех частей, известных как эмиттер, база и коллектор.Часть с одной стороны является эмиттером, а часть с противоположной стороны — коллектором. Средняя часть называется базой и образует два перехода между эмиттером и коллектором.

ЭМИТТЕР

Часть на одной стороне транзистора, которая поставляет носители заряда (то есть электроны или дырки) на две другие части. Эмиттер представляет собой сильно легированную область. Эмиттер всегда смещен в прямом направлении относительно базы, так что он может обеспечивать большое количество основных несущих.В обоих транзисторах PNP и NPN эмиттерный базовый переход всегда должен быть смещен в прямом направлении. Эмиттер PNP-транзистора подает дырочные заряды на его стыки с базой. Точно так же эмиттер PNP-транзистора подает свободные электроны к его стыку с базой.

КОЛЛЕКТОР

Часть на другой стороне транзистора (то есть сторона, противоположная эмиттеру), которая собирает носители заряда (то есть электроны или дырки). Коллектор всегда больше, чем эмиттер и база транзистора.Уровень легирования коллектора находится между сильным легированием эмиттера и легким легированием базы. В обоих транзисторах PNP и NPN коллектор-база всегда должна иметь обратное смещение. Его функция заключается в удалении носителей заряда из соединения с базой. Коллектор транзистора PNP принимает дырочные заряды, которые текут в выходной цепи. Точно так же коллектор NPN-транзистора принимает электроны.

ОСНОВАНИЕ

Среднее зелье, которое образует два PN перехода между эмиттером и коллектором, называется базой.База транзистора тонкая по сравнению с эмиттером и представляет собой слаболегированный участок. Функция базы — управлять потоком носителей заряда. Эмиттерные переходы смещены в прямом направлении, что позволяет использовать эмиттерную цепь с низким сопротивлением. Коллекторный переход базы имеет обратное смещение и показывает высокое сопротивление в цепи коллектора.

КОНСТРУКЦИЯ ТРАНЗИСТОРА

Методы, используемые для изготовления транзисторов, приведены ниже:

1. Grown Junction
2. Переходник из сплава или плавленого сплава
3. диффузное соединение
4. Эпитаксиальный переход
5. Разветвитель с точечным контактом

Grown Junction

Это соединение подготовлено с использованием техники Чохральского или плавающей зоны.Аппарат, используемый для техники Чохральского, показан на рисунке ниже. Он состоит из графитового тигля, кварцевого контейнера, вращающегося тянущего стержня и катушек индукционного нагрева, размещенных вокруг графитового тигля. Графитовый тигель содержит расплавленный полупроводниковый материал.

Прежде всего, одиночная затравка полупроводника погружается в расплавленный полупроводник. Затем он постепенно извлекается, при этом стержень, удерживающий посевной материал, медленно вращается. PN-переходы выращивают, сначала добавляя примеси P-типа в расплав, а затем меняя его на N-тип.

Переходник из сплава или плавленого сплава

Метод сплавных соединений позволяет получать PN-переходы с высокими значениями пикового напряжения и тока (PIV). Такие переходы имеют большую емкость из-за их большой площади перехода. В технике соединения сплава небольшая точка алюминия помещается на кремниевую воду N-типа, как показано на рисунке (d). Его нагревают до температуры около 150С. При этой температуре алюминий плавится и растворяет часть кремния. Затем его температура понижается, и кремний повторно замерзает, образуя монокристалл с PN-переходом, как показано на рисунке.

диффузное соединение

Этот метод дает нам точный контроль концентрации примесей для изготовления PN перехода. Кремниевая пластина N-типа, называемая подложкой (или основанием), подвергается воздействию газообразной примеси P-типа, как показано на рисунке (e). Затем пластина нагревается до достаточно высокой температуры, при которой примеси медленно диффундируют в поверхность воды. После диффузии части поверхности защищаются, а остальные вытравливаются, как показано на рисунке.

Эпитаксиальный переход

Этот переход отличается от диффузного перехода только в одном аспекте: переход создается не на подложке, а на эпитаксиальном слое, выращенном над подложкой.Преимущество эпитаксиальных переходов — низкое сопротивление.

Разветвитель с точечным контактом

Он состоит из полупроводниковой пластины N-типа (кремния или германия), одна сторона которой припаяна к металлическому основанию, а другая сторона имеет пружину из фосфористой бронзы (или вольфрама) (называемую усами Кошки), прижатую к ней, как показано на Рисунок (е). Вся сборка заключена в керамическую или стеклянную оболочку для придания ей механической прочности.

PN-переход образуется при пропускании большого тока (около 200 мА) длительностью от 1 до 100 миллисекунд.Переход образуется в точке контакта из-за плавления поверхности кремния и диффузии материала нитевидных кристаллов на поверхность в этой точке, как показано на рисунке (f).

Точечный переход имеет очень низкое значение емкости. По этой причине такие переходы очень удобны для работы на частотах до 10 ГГц.

Режимы работы BJT

Биполярный транзистор имеет два перехода. Каждый переход может иметь прямое или обратное смещение независимо.Таким образом, существует четыре режима работы:

1. Вперед Активная
2. Отрезать
3. Насыщенность
4. Реверс активен

ВПЕРЕД АКТИВНЫЙ

В этом режиме работы переход эмиттер-база смещен в прямом направлении, а переход коллектор-база смещен в обратном направлении. Транзистор ведет себя как источник. Благодаря управляемым характеристикам источника BJT может использоваться как усилитель и в аналоговых схемах.

ОТРЕЗАТЬ

Когда оба перехода имеют обратное смещение, это называется режимом отсечки.В этой ситуации ток почти равен нулю, и транзистор ведет себя как разомкнутый ключ.

НАСЫЩЕННОСТЬ

В режиме насыщения оба перехода смещены в прямом направлении, большой ток коллектора течет с небольшим напряжением через переход коллектор-база. Транзистор ведет себя как замкнутый переключатель.

ОБРАТНЫЙ АКТИВ

Это противоположно прямому активному режиму, потому что в этом базовом переходе эмиттера имеется обратное смещение, а базовое соединение коллектора смещено в прямом направлении. Это называется инвертированным режимом.Он не подходит для усиления.
Однако обратный активный режим находит применение в цифровых схемах и некоторых аналоговых схемах переключения.

драйверов роста рынка биполярных одиночных транзисторов (BJT) в 2020-2026 годах на основе ключевых игроков (ON Semiconductor (США), NXP Semiconductors (Нидерланды), Renesas Electronics Corporation (Япония), STMicroelectronics (Швейцария), Texas Instruments (США), и др.), Типы и приложения

содержание

В отчете представлен углубленный анализ мирового рынка биполярных одиночных транзисторов (BJT).В нем представлены последние данные о рыночной стоимости, потреблении, внутреннем производстве, экспорте и импорте, а также динамике цен. В отчете о рынке биполярных одиночных транзисторов (BJT) представлены данные о продажах, что позволяет определить ключевые факторы и ограничения. Вы можете найти здесь стратегический анализ ключевых факторов, влияющих на рынок. Прогнозы показывают, как рынок будет трансформироваться в среднесрочной перспективе. Профили ведущих игроков, таких как ON Semiconductor (США), NXP Semiconductors (Нидерланды), Renesas Electronics Corporation (Япония), STMicroelectronics (Швейцария), Texas Instruments (США), и т. Д.также включены.

Отчет о рынке данных для биполярного одиночного транзистора (BJT):

• Биполярный одиночный транзистор (BJT) Рыночная стоимость
• Объем и динамика производства
• Структура производства по регионам и странам
• Ключевые игроки рынка и их профили
• Объем и динамика экспорта / импорта
• Цены производителей, импортные / экспортные цены
• Тенденции рынка, драйверы и ограничения
• Прогноз динамики рынка на среднесрочную перспективу
• Потребление на душу населения

Получите образец отчета о состоянии рынка биполярных одиночных транзисторов (BJT) высшего качества по адресу: https: // www.affluencemarketreports.com/industry-analysis/request-sample/1841394/

Ключевые участники исследования рынка биполярных одиночных транзисторов (BJT):

• ON Semiconductor (США)
• NXP Semiconductors (Нидерланды)
• Renesas Electronics Corporation (Япония)
• STMicroelectronics (Швейцария)
• Texas Instruments (США)
• Vishay Intertechnology (США)

Сегментационный анализ:

Рынок биполярных одиночных транзисторов (BJT)

разделен по типам и приложениям.На период 2016-2026 годов рост среди сегментов обеспечивает точные расчеты и прогнозы продаж по типам и приложениям с точки зрения объема и стоимости. Этот анализ может помочь вам расширить свой бизнес, ориентируясь на подходящие нишевые рынки.

Сегментация рынка по типу:

• NPN транзисторы
• Транзисторы PNP
• Биполярный транзистор с гетеропереходом

Сегментация рынка по приложениям:

• Энергия и мощность
• Бытовая электроника
• Инвертор и ИБП
• Электромобиль
• Промышленная система

Для получения дополнительных сведений в этом отчете Свяжитесь с нами по адресу https: // www.affluencemarketreports.com/industry-analysis/request-inquiry/1841394/

Отчет предлагает ценную информацию о развитии рынка биполярных одиночных транзисторов (BJT) и подходах, связанных с рынком биполярных одиночных транзисторов (BJT), с анализом каждого региона. Далее в отчете рассказывается о доминирующих аспектах рынка и исследуется каждый сегмент.

В отчете о рынке биполярного одиночного транзистора (BJT) приводится значение CAGR, отраслевые цепочки, разведка, география, конечный пользователь, применение, анализ конкурентов, SWOT-анализ, продажи, выручка, цена, валовая прибыль, доля рынка, импорт-экспорт, тенденции. , и прогноз.Отчет также дает представление о барьерах входа и выхода из отрасли.

Глобальный отчет о состоянии рынка биполярных одиночных транзисторов (BJT) Объем:

Отчет предлагает полный профиль компании ведущих игроков, конкурирующих на мировом рынке биполярных одиночных транзисторов (BJT), с уделением особого внимания доле, валовой прибыли, чистой прибыли, продажам, портфелю продуктов, новым приложениям, недавним разработкам и ряду других аспектов. факторы. Это также проливает свет на ландшафт поставщиков, чтобы помочь игрокам узнать о будущих конкурентных изменениях на глобальном рынке биполярных одиночных транзисторов (BJT).

Целевая аудитория глобального рынка биполярных одиночных транзисторов (BJT) в исследовании рынка:

• Ключевые консалтинговые компании и консультанты
• Крупные, средние и малые предприятия
• Венчурные капиталисты
• Реселлеры с добавленной стоимостью (VAR)
• Сторонние поставщики знаний
• Инвестиционные банкиры
• Инвесторы

Получите дополнительную скидку на отчет о рынке биполярных одиночных транзисторов (BJT) , Если ваша компания внесена в список вышеупомянутых ключевых игроков @ https: // www.affluencemarketreports.com/industry-analysis/request-discount/1841394/

Основные моменты из содержания

1. Обзор рынка биполярных одиночных транзисторов (BJT)
2. Конкуренция на рынке биполярных одиночных транзисторов (BJT)
3. Ретроспективный рыночный сценарий биполярного одиночного транзистора (BJT) по регионам
4. Глобальный анализ рынка биполярных одиночных транзисторов (BJT) по типам: Транзисторы NPN, транзисторы PNP, биполярные транзисторы с гетеропереходом
5. Исторический анализ рынка биполярных одиночных транзисторов (BJT) по приложениям: Энергия и мощность, бытовая электроника, инверторы и ИБП, электромобили, промышленные системы
6. Ключевые компании, представленные в профиле: ON Semiconductor (США), NXP Semiconductors (Нидерланды), Renesas Electronics Corporation (Япония), STMicroelectronics (Швейцария), Texas Instruments (США), Vishay Intertechnology (США)
7. Анализ затрат
8. Канал сбыта, дистрибьюторы и клиенты
9. Динамика рынка биполярных одиночных транзисторов (BJT)
10. Прогноз мирового рынка
11. Результаты исследования и заключение
12. Методология и источник данных

Подробнее о влиянии COVID-19 на рынок биполярных одиночных транзисторов (BJT): https: // www.affluencemarketreports.com/industry-analysis/covid19-request/1841394/

О достатке:

Affluence Market Reports — это новое поколение всех ваших исследовательских задач, которые активно используются на мировом рынке для отраслей, организаций и правительств. Наша цель — предоставить образцовые отчеты, отвечающие определенным потребностям клиентов, которые предлагают адекватные методы ведения бизнеса, планирование и конкурентную среду для новых и существующих отраслей, которые будут развивать потребности вашего бизнеса.

Мы предлагаем высококачественный углубленный статистический подход, 360-градусный обзор рынка, который включает подробную сегментацию, ключевые тенденции, стратегические рекомендации, показатели роста, анализ затрат, новый прогресс, развивающиеся технологии и прогнозы авторитетных агентств.

Для получения дополнительной информации свяжитесь с нами:

Обзоры рынка богатства

Контактное лицо: Г-н Рохит

Телефон: США + 1- (424) 256-1722

Электронная почта: [электронная почта защищена]

Веб-сайт : www.