Транзистор 13001: характеристики (параметры), цоколевка, аналоги

Главная » Транзистор

13001 — кремниевый, со структурой NPN, высоковольтный транзистор средней мощности, общепромышленного применения. Конструктивное исполнение — TO-92 (L, S, T), TO-126; а также исполнение SMD — SOT-89, SOT-23.

Содержание

1. Корпус и цоколевка
2. Предназначение
3. Характерные особенности
4. Предельные эксплуатационные характеристики
5. Электрические параметры
6. Модификации и группы
7. Аналоги
8. Отечественное производство
9. Зарубежное производство
10. Графические иллюстрации характеристик

Корпус и цоколевка

Предназначение

Транзистор разработан для применения в качестве переключающего элемента в импульсных модулирующих устройствах общего назначения.

Характерные особенности

• Высокое пробивное напряжение: U_CBO = 600 В.
• Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: U_CE(sat) ≤ 0,75 В при I_C = 0,1 А
• Высокая скорость переключений.

Предельные эксплуатационные характеристики

Характеристика	Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В	UCBO	600
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В	UCEO	400
Напряжение эмиттер – база транзистора, В	UEBO	6
Ток коллектора постоянный, А	IC	0,3
Ток коллектора импульсный, А	ICP	0,6
Ток базы постоянный, А	IB	0,04
Рассеиваемая мощность (Ta = 25°C), Вт	PC	1
Рассеиваемая мощность (Tc = 25°C), Вт	PC	10
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С	Tj	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°	Tstg	-55…+150

Электрические параметры

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Напряжение коллектор-база, В	UCBO	IC = 100 мкА	600
Напряжение коллектор-эмиттер, В	UCEO	IC = 10 мА	400
Напряжение эмиттер-база, В	UEBO	IE = 10 мкА	6
Ток коллектора выключения, мкА	ICBO	UCB = 550 В	10
Ток коллектора выключения, мА	ICEO	UCB = 400 В	10
Ток эмиттера выключения, мкА	IEBO	UEB = 6,0 В	10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UCE(sat)1 ٭	IC = 50 мА, IB = 10 мА	0,4
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UCE(sat)2 ٭	IC = 100 мА, IB = 20 мА	0,75
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	UBE(sat) ٭	IC = 50 мА, IB = 10 мА	1
Статический коэффициент усиления по току	hFE (1) ٭	UCE = 10,0 В, IC = 10 мА	≥ 8
	hFE (2) ٭	UCE = 10,0 В, IC = 50 мА	10…36

٭ — получено в импульсном режиме: длительность импульса – 380 мкс, скважность поступления импульсов — ≤ 2%.

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды T_a = 25°C.

Модификации и группы

Тип	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	hFE	Группы по hFE	Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс	Корпус
13001-0	0,8	700	400	9	0,4	150	˃ 5	8…30	—	0,7 / 1,8 / 0,6	TO-92T
13001-2	0,8	700	400	9	0,45	150	˃ 5	8…30	—	0,7 / 2,0 / 0,6	TO-92T
13001-A	0,8	600	400	9	0,5	150	˃5	8…30	—	0,7 / 2,5 / 0,6	TO-92T
3DD13001	0,75	600	400	7	0,2	150	˃8	5…26	Группы A/B	— / 1,5 / 0,3	TO-92
3DD13001A1	0,8	600	400	9	0,25	150	˃5	15…30	—	0,8 / 1 / 1	TO-92
3DD13001P	0,6	600	400	9	0,17	150	˃5	15…30	—	1 / 3 / 1	TO-92
3DD13001P1	0,6	600	400	9	0,2	150	˃5	15…30	—	1 / 3 / 1	TO-92
3DD13001A1	0,8	600	400	9	0,25	150	˃5	15…30	—	1 / 3 / 1	TO-92
ALJ13001	1	600	400	7	0,2	150	˃8	10…40	10 групп без обозначения	— / 1,5 / 0,3	TO-92
CD13001	0,9	500	400	9	0,5	150	—	—	6 групп A/B/C/…/F	— / 1,5 / 0,3	TO-92
CS13001	0,75	700	480	9	0,2	150	—	8…30	4 группы без обозначения	—	TO-92
HMJE13001	1	600	400	6	0,3	150	—	8…36	—	—	TO-92
MJ13001A	0,625	500	400	8	0,5	150	˃10	8…40	—	—	TO-92
MJE13001	0,75	600	400	7	0,2	150	˃8	10…70	12 групп A/B/C…/L	—	TO-92, SOT-89
MJE13001A1	0,8	600	400	9	0,17	150	˃5	10…40	—	— / 3 / 1,2	TO-92
MJE13001A2	0,8	600	400	9	0,17	150	˃5	10…40	—	— / 3 / 1,2	TO-92L
MJE13001AH	1	700	480	9	0,3	150	—	5…30	—	— / 2 / 0,8	TO-92(S)
MJE13001B1	1	600	400	9	0,2	150	˃5	10…40	—	— / 3 / 0,6	TO-92
MJE13001C1	1	600	400	9	0,25	150	˃5	10…40	—	— / 3 / 0,6	TO-92
MJE13001C2	1	600	400	9	0,25	150	˃5	10…40	—	— / 3 / 0,6	TO-92L
MJE13001DE1	1	600	400	9	0,5	150	˃5	10…40	—	— / 3 / 0,8	TO-92
MJE13001E1	1	600	400	9	0,45	150	˃5	10…40	—	— / 3 / 0,6	TO-92
MJE13001E2	1	600	400	9	0,45	150	˃5	10…40		— / 3 / 0,6	TO-92L
MJE13001H	1	700	480	9	0,18	150	—	5…30	—	—	TO-92(S)
MJE13001P	0,75	600	400	7	0,2	150	˃8	5…70	12 групп A/B/C…/L	— / 1,5 / 0,3	TO-92
SBN13001	0,6	600	400	9	0. 5	150	—	10…40	—	— / 2 / 0,8	TO-92
SXW13001	9	600	400	—	0.5	—	—	8…70	—	—	TO-92
SXW13001	10	600	400	—	0.5	—	—	10…40	—	—	TO-126
XW13001	7	600	400	—	0,25	—	—	8…70	—	—	TO-92
Исполнение SMD
MJD13001	0,3	700	400	8	0,2	150	˃8	10…40	6 групп A/B/C/…/F	— / 2,4 / 0,9	SOT-23
MJE13001A0	0,5	600	400	9	0,17	150	˃5	10…40	—	— / 3 / 1,2	SOT-23
MJE13001AT	0,8	600	400	9	0,17	150	˃5	10…40	—	— / 3 / 1,2	SOT-89
MJE13001C0	0,65	600	400	9	0,25	150	˃5	10…40	—	— / 3 / 0,6	SOT-23
MJE13001CT	1	600	400	9	0,25	150	˃5	10…40	—	— / 3 / 0,6	SOT-89

Примечание. Маркировка:

• MJE13001A0, MJE13001AT — H01A.
• MJE13001C0, MJE13001CT — H01C.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, примененяемые в пускорегулирующих устройствах осветительной аппаратуры, преобразователях напряжения, импульсных регуляторах и других переключающих устройствах.

Отечественное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	hFE	Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс	Корпус
13001-0	0,8	700	400	9	0,4	150	5	8…30	0,7 / 1,8 / 0,6	TO-92
КТ538А	0,7	600	400	9	0,5	125	4	5	—	TO-92
2Т506А/Б	0,8	800/600	800/600	5	2	150	17	30	0,25 / 1,56 / 0,5	TO-39
КТ8270А	7	600	400	9	0,5	125	4	10	—	TO-126

Зарубежное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	hFE	Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс	Корпус
13001-0	0,8	600	400	9	0,5	150	5	8…30	0,7 / 1,8 / 0,6	TO-92
3DD6012A1	0,8	900	500	9	1,5	150	5	5	1 / 2 /1,5	TO-92
BU103AH	0,8	900	600	9	1,6	150	5	15	1 / 3 / 0,8	TO-92
BU103DH	0,8	800	500	9	1,6	150	5	20	1 / 3,5 / 0,8	TO-92
BUJ100	2	700	700	—	1	150	—	14	0,88 / 1,2 / 0,3	TO-92
CS13002	9,9	700	480	9	1	150	—	8	—	TO-92
CS13003	0,9	700	480	9	1,5	150	—	8	—	TO-92
KSB13003H	1,1	900	530	9	1,5	150	4	20	1,1 / 4 / 0,7	TO-92
KSB13003HR	1,1	900	530	9	1,5	150	4	20	1,1 / 4 / 0,7	TO-92
KTC3003HV	1,1	900	530	9	1,5	150	4	20	1,1 / 3 / 0,7	TO-92
MJE13002AHT	1,2	850	500	9	1,5	150	—	20	—	TO-92(S)
MJE13003HT	1,3	850	500	9	2	150	—	20	—	TO-92
MJE13003J1	1	900	550	9	1,5	150	5	10	— / 6 / 1,2	TO-92
MJE13003J1G	1	900	550	9	1,5	150	5	10	—	TO-92
MJE13003L1	1	900	530	9	1,5	150	5	10	— / 5 / 1,2	TO-92
STD5915	1,1	900	530	9	1,5	150	4	20	1,1 / 4 / 0,7	TO-92
STX616	2,8	980	500	12	1,5	150	—	25	0,2 / 5 / 0,65	TO-92

Примечания:

1. Для транзистора MJE13002AHT возможны также корпуса: TO-126(S), TO-251(S), SOT-89.
2. Данные в таблицах взяты из даташип-производителя. 

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при трех значениях температуры кристалла и при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 10 В.

Рис. 2. Зависимость напряжения насыщения U_CE(sat) коллектор-эмиттер от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при трех значениях температуры кристалла и при соотношении тока коллектора к току базы I_C/I_B = 5.

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения U_BE(sat) база-эмиттер от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при трех значениях температуры кристалла и при соотношении тока коллектора к току базы I_C/I_B = 5.

Рис. 4. Ограничение мощности рассеивания P_C при увеличении температуры внешней среды T_a.

Рис. 5. Область безопасной работы транзистора.

Ограничительные кривые определены при в импульсном режиме при длительностях импульсов: 1 мс, 100 мс, 1с.

Транзистор 13001: характеристики, цоколевка и аналоги

Биполярный, кремниевый n-p-n транзистор 13001, согласно сведениям, приведённым в технических характеристиках, предназначен для работы в высоковольтных и скоростных коммутационных схемах. Кроме этого его часто устанавливают в импульсных блоках питания и зарядных устройствах мобильных телефонов и планшетов. Он изготавливается на юго-востоке Азии и в Индии.

Распиновка

Цоколевка 13001 приводится в корпусе ТО-92, сделанном из пластика и имеющем гибкие выводы. Большинство производителей располагают ножки в таком порядке: эмиттер, коллектор, база. Но некоторые компании, например, Tiger Electronic и Micro Commercial Components, меняют порядок их следования на такой: база, коллектор, эмиттер. Поэтому перед установкой транзистора нужно быть осторожным и проверять назначение тестером.

Характеристики транзистора 13001

Описание технических характеристик 13001 начнём с предельно допустимых, как наиболее важных. Они показывают предельные возможности транзистора. Их измеряют при температуре +25°С. Вот они:

• разность потенциалов между коллектором и базой V_CBO (U_{кб max}) = 600 В;
• разность потенциалов между коллектором и эмиттером V_CЕO (U_{кэ max}) = 400 В;
• разность потенциалов между эмиттером и базой V_ЕВO (U_{эб max}) = 7 В;
• коллекторный ток I_C (I_{к max}) = 200 мА;
• мощность P_D (Р_{к max}) = 750 мВт;
• предельная температура кристалла T_j = +150°С;
• температура при которой он может работать T_stg = -55 … +150°С.

Теперь перейдём к рассмотрению его электрических х-к. Они измерялись при температуре окружающего воздуха +25°С, если не указана другая.

Остальные параметры, важные при измерении, можно найти во соответствующей колонке таблицы.

Электрические х-ки 13001 (при Т = +25 оC)
Параметры	Режимы измерения	Обозн.	min	typ	max	Ед. изм
Пробивное напряжение К-Б	IC = -100 мкA, IE=0	V(BR)CВO	600			В
Пробивное напряжение К-Э	IC=1 мA, IB=0	V(BR)CEО	400			В
Пробивное напряжение Э-Б	IE= 10 мкA, IC=0	V(BR)EBO	7			В
Обратный ток коллектора	VCВ = 600 В, IE=0	ICВO			100	мкА
Обратный ток К-Э	VCE= 400 В, IB=0	ICEО			200	мкА
Обратный ток эмиттера	VEB = 7 В, IC=0	IEBO			100	мкА
Напряжение насыщения К-Э	IC= 50 мA, IB = 10 мA	V CE(sat)			0,5	В
Напряжение насыщения Б-Э	IC= 50 мA, IB = 10 мA	V ВE(sat)			1,2	В
Напряжение Б-Э	IE=100 мА	VBE			1,1	В
Выходная ёмкость на коллекторе	VCB =-10В,IE =0, f=1 МГц	Cob			8	пФ
К-т усиления тока	VCE = 20 В, Ic=20 мA	hFE(1)	10		70
	VCE = 10 В, Ic=0,25 мA	hFE(2)	5
Граничная частота к-та передачи тока	VCE=20 В, IC= 20 мA, f=1 МГц	fT	8			МГц
Время закрытия транзистора	IC=50 мA, IB1 = -IB2 = 5 мА, Vcc = 45 В	tF			0,3	мкс
Время рассасывания.		tS			1,5	мкс

Кроме этого производители делят транзисторы на 12 грумм в зависимости от h_FE (к-та усиления по току):

• A: h_FE от 10 до 15;
• В: h_FE от 15 до 20;
• C: h_FE от 20 до 25;
• D: h_FE от 25 до 30;
• E: h_FE от 30 до 35;
• F: h_FE от 35 до 40;
• G: h_FE от 40 до 45;
• H: h_FE от 45 до 50;
• I: h_FE от 50 до 55;
• J: h_FE от 55 до 60;
• K: h_FE от 60 до 65;
• L: h_FE от 65 до 70.

Аналоги

Полностью аналогичных транзисторов нет. Для замены обычно используют более мощные устройства: MJE13002, 13002, MJE13003, 13003, MJE13005, 13005, MJE13007, 13007, MJE13009, 13009. Однако они имеют более габаритный корпус и могут иметь другое расположение выводов. Среди российских аналогов 13001, можно назвать следующие: КТ538А и КТ8270А. Обязательно перепроверьте все параметры, так как все равно что то будет отличаться.

Производители

Перечислим основных производителей транзистора 13001:

• Unisonic Technologies;
• Tiger Electronic;
• ARTSCHIP ELECTRONICS;
• Nanjing International Group.

В магазинах встречается продукция следующих компаний:

• Micro Commercial Components;
• Shenzhen SI Semiconductors;
• SEMTECH ELECTRONICS.

Транзистор 13001: техническое описание, распиновка, эквивалент, применение

Транзистор 13001

Спецификация транзистора 13001

• Высоковольтный NPN BJT Транзистор
• Диапазон коэффициента усиления постоянного тока от 5 до 40 ч _FE
• Ток коллектора (I _C ) 200 мА
• Напряжение между коллектором и базой ( В _CB ) составляет 600 В
• Напряжение между коллектором и эмиттером (
  В _CE ) 400В
• Напряжение между эмиттером и базой ( В _EB ) составляет 7 В
• Температура перехода ( T _J ) составляет 150°C
• Рассеиваемая мощность на транзисторе 1000 мВт
• Частота перехода ( F _T ) составляет 8 МГц

13001 Схема контактов транзистора 13001 Схема контактов транзистора

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1	Излучатель	Ток протекает через эмиттер
2	Коллектор	Ток протекает через коллектор
3	База	База запускает транзистор

 

13001 корпус транзистора

Корпус TO-126 используется на транзисторах 13001, эти типы корпусов компонентов обычно используются для силовых устройств.

Транзистор 13001 обладает высокой температурой и напряжением, а на упаковке имеется отверстие для крепления радиатора. имел важное применение в цепях зарядных устройств аккумуляторов.

У 13001 были более высокие значения напряжения, от коллектора к базе 600 В , от коллектора к эмиттеру 400 В и от эмиттера к базе 7v , а более высокие значения напряжения составляют 13001 в приложениях с регулируемым напряжением.

Максимальный ток коллектора транзистора 13001 составляет 200 мА , это значение тока обеспечивает максимальную нагрузку, допустимую для данного конкретного транзистора.

Коэффициент усиления по току на этом транзисторе начинается от 5 до 40Hfe , это значение важно для схем усилителя.

Рассеиваемая мощность на транзисторах 13001 составляет 1000 МВт , это известно как силовой транзистор, поэтому теплоемкость является важным фактором.

Транзисторы 13001 имели значение частоты перехода 8 МГц , это важно для коммутационных приложений.

13001 Transistor Dataheet 13001 Transistor Dataheet

Если вам нужен таблица данных в PDF, пожалуйста, Нажмите эту ссылку

13001 Транзистор. количество транзисторов в нем почти идентично транзисторам 13001.

Физические и электрические характеристики каждого транзистора аналогичны транзисторам 13001.

Но при замене транзисторов 13001 нам необходимо проверить и проверить электрическое значение.

13001 vs 13009 vs 13007

The table below will compare each transistor such as 13001 vs 13009 and 13001 vs 13007.

Characteristics	13001	13009	13007
Напряжение между коллектором и базой (VCB)	600 В	700 В	700 В
Напряжение между коллектором и эмиттером (VCE)	400 В	400 В	400 В
Напряжение между эмиттером и базой (VEB)	7 В	9 В	9 В
Ток коллектора (IC)	200 мА	12 А	8 А
Рассеиваемая мощность	1000 мВт	2 Вт	80 Вт
Температура перехода (TJ)	150°C	150°C	150°C
Частота перехода (FT)	8 МГц	4 МГц	14 МГц
Шум (Н)	—	—	—
Коэффициент усиления (hFE)	от 5 до 40hFE	40hFE	40hFE
Пакет	ТО-126	ТО-220 ТО-3П	ТО-220

В этой таблице сравниваются электрические характеристики всех транзисторов, это поможет в процессе замены.

13001 использует

• Коммутационные цепи общего назначения
• Схемы усилителя
• Цепи контроллера двигателя
• Схемы инвертора
• Цепи ИБП
• Цепи ИИП
• Цепи выпрямителя
• Цепи зарядного устройства

13001 схема транзисторного усилителя 13001 схема транзисторного усилителя

На рисунке показана схема простого модельного усилителя с использованием 13001 транзисторов, мощность усиления 13001 среднего уровня.

Эта схема состоит из очень небольшого количества компонентов, вход берется с аудиоразъема и переходит на транзисторный вход.

Транзисторы 13001 усиливают сигнал до уровня и передают на нагрузку выходного динамика.

Мы уже упоминали, что это всего лишь схема модели, мы можем построить более крупную схему усилителя с транзистором 13001.

13001 схема зарядного устройства на транзисторах 13001 схема зарядного устройства на транзисторах

На рисунке показана схема зарядного устройства на 13001 транзисторах, это схема зарядного устройства на 5 В, состоящая из нескольких компонентов.

Когда сигнал переменного тока достигает цепи, секция выпрямителя преобразует переменный ток в постоянный.

Затем компонент регулятора стабилизирует сигнал и передает его на транзисторы 13001, совместная работа делает его чистым постоянным током с высоким номиналом.

Затем трансформатор проходит в следующую секцию, это для фильтрации постоянного тока.

13001 Транзистор NPN – КварцКомпоненты

• Дом
• 13001 НПН транзистор

рупий 4,00 (без НДС)

Добавление товара в корзину

• Описание
• Доставка + Возврат
• Отзывы

Описание

13001 — это обычный биполярный транзистор NPN (BJT). используется для коммутационных операций общего назначения. Поскольку это NPN-транзистор, коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми, когда на базе нет сигнала, а когда сигнал подается на базовую клемму, эмиттер и коллектор будут закрыты, т. Е. Они начнут проводить, поскольку BJT будет работать в Область насыщения . 13001 имеет коэффициент усиления от 40 до 80, это значение определяет мощность усиления транзистора. Непрерывный ток, который может протекать через вывод коллектора, составляет 100 мА. Чтобы сместить транзистор, мы должны подать ток на базовый вывод с напряжением 7 В постоянного тока, чтобы перевести транзистор в состояние насыщения. Его можно использовать в коммутационных приложениях с непрерывным током до 100 мА, в Управление скоростью ИС драйверов двигателей, схемы маломощных инверторов и выпрямителей . Он может иметь максимальное напряжение коллектор-эмиттер 400В и напряжение коллектор-база 400В.

 

Технические характеристики

• Непрерывный ток коллектора: 100 мА
• Коллектор-эмиттер Напряжение: 400 В
• База коллектора Напряжение: 400 В
• Базовое напряжение запуска: 7 В
• Максимальный постоянный ток Коэффициент усиления: 80
• Пакет: ТО-92

Описание

Содержание пакета

1 × 13001 NPN Транзистор

Читать дальнейшие

Читать

Доставка + Возврат

Политика возврата

Из-за типа продаваемой нами продукции мы принимаем ограниченный возврат. Ниже приведены условия, при которых мы можем принять запрос на возврат.

1. Производственный брак

Если вы получили продукт с производственным дефектом, пожалуйста, сообщите нам в течение 3 дней с момента получения продукта, подкрепленного надлежащими фотографиями и описанием. Как только наша служба поддержки примет возврат, мы предоставим замену или полный возврат средств, включая стоимость обратной доставки. Обратите внимание, что если ваш товар уже перепаян или изменен каким-либо образом, мы не сможем принять его к возврату.

2. Отправлен неправильный товар

Если ваш товар выглядит не так, как показано на изображении на нашем веб-сайте, мы примем его обратно и вернем деньги или заменим товар по вашему выбору.

Ограничение возврата

Мы не принимаем возврат продуктов, поврежденных в результате неправильного использования продукта. Кроме того, мы не принимаем возврат, если заказанный товар не подходит для какого-либо конкретного применения. Пожалуйста, ознакомьтесь со спецификациями продукта и техническим описанием, прежде чем выбрать и заказать продукт. Возвраты принимаются только в течение 3 дней с момента доставки.

Доставка

Мы осуществляем бесплатную доставку всех предоплаченных заказов по всей Индии. При оплате наложенным платежом взимается плата в размере 70 индийских рупий, если стоимость заказа ниже 59 индийских рупий.9 и 20 индийских рупий будут взиматься за заказы свыше 599. Пожалуйста, свяжитесь с нашей службой поддержки по адресу support@quartzcomponents.com по любому вопросу, связанному с доставкой.

Обратите внимание, что минимальная стоимость заказа составляет 200 индийских рупий как для заказов с предоплатой, так и для заказов с наложенным платежом.

Отзывы {{/если}} {{if compare_at_price_min > price_min}}

Продажа

{{/если}} {{если доступно}}

Распродано

{{/если}} {{if tagLabelCustom}}

Пользовательская этикетка

{{/если}}

${название}

{{if compare_at_price_min > price_min}} {{html Shopify.