Термодатчик на транзисторе — E-core

В этой статье я расскажу об использовании биполярного транзистора в качестве датчика температуры. Описание приводится в контексте использования его для измерения температуры радиатора (теплоотвода).

Главное преимущество датчика температуры на транзисторе в том, что он обеспечивает хороший тепловой контакт с радиатором и его относительно просто на нем закрепить и стоит биполярный транзистор не дорого.

Ниже показана схема включения транзистора и узел обработки сигнала на ОУ. VT1 это и есть транзистор-термодатчик, который крепится на радиатор.

Транзистор намеренно используется p-n-p структуры т.к. радиатор часто соединяется с общим проводом схемы, а коллектор транзистора в корпусе TO-220 соединен с теплоотводной пластиной и при креплении транзистора нет необходимости электрически изолировать его от радиатора, что дополнительно упрощает конструкцию.

Падение напряжения на p-n переходе изменяется при увеличении его температуры с крутизной примерно -2 мВ/градус (т. е. уменьшается с ростом температуры). Такое малое изменение напряжения не очень удобно обрабатывать АЦП, более того удобнее когда зависимость прямая т.е. при увеличении температуры сигнал температуры растет.

Приведенная схема смещает, инвертирует и усиливает сигнал с транзистора, обеспечивая увеличение выходного напряжения с ростом температуры, и работает следующим образом.

Из опорного напряжения, формируемого делителем R1R2, вычитается падение напряжения на транзисторе и результат вычитания усиливается. Опорное напряжения выбирается чуть выше падения напряжения на транзисторе при температуре 25 градусов, чем обеспечивается измерение напряжения ниже 25 градусов.

Коэффициент усиления схемы определяется соотношением R5/R4 и для данной схемы равен 10. Итоговая крутизна сигнала температуры получается 2*10=20мВ/градус. Таким образом для обеспечения измерения температуры от 0 градусов выходной сигнал при 25 градусах должен быть не менее 25*0,022=0,55В. Превышение напряжения смещения над падением на транзисторе при 25 градусах должно быть не менее 0,05В.

Падение напряжения на транзисторе при 25 градусах составляет 0,5-0,6В и зависит от конкретного типа транзистора и тока через него и наверняка подобрать опорное напряжение «с ходу» не получится, поэтому на этапе отладки требуется подбор резисторов R1R2 для конкретного типа транзистора и тока через него, от одного транзистора к другому это значение может меняться, но это уже может быть скорректировано программными методами.

Ток через транзистор определяется сопротивлением резистора R3, в данной схеме ток примерно равен 15мА. Рекомендуемое значение тока через транзистор 10-20мА.

Приведенная схема адаптирована под АЦП с опорным напряжением 3,3В, но может быть использована и для 5В опорного напряжения, для этого необходимо увеличить коэффициент усиления схемы, исходя из требуемого диапазона температур.

На элементах R6VD1 собрана схема ограничения выходного напряжения на случай нештатных ситуаций, например обрыва провода к транзистору. Если напряжение питания ОУ не превышает опорное напряжение АЦП, то их можно исключить.

В качестве DA1 может использовать любой ОУ, обеспечивающий работу при однополярном питании и входном напряжение от 0В. Например дешевый и распространенный LM358.

В качестве транзистора может использоваться любой не составной транзистор p-n-p структуры.

Датчик температуры • Все своими руками

     Зависимость падения напряжения на p-n переходе от температуры было замечено сразу после создания самого этого перехода. Это свойство полупроводников используется в электронных термометрах, датчиках температуры, термореле и т.д.

     Простейшим датчиком температуры является p-n переход кремниевого диода, температурный коэффициент напряжения, которого равен, примерно, 3 мВ/°C, а прямое падение напряжения находится в районе 0,7В. Работать с таким маленьким напряжением неудобно, поэтому в качестве термозависимого элемента лучше использовать p-n переходы транзистора, добавив к нему базовый делитель напряжения. Полученный двухполюсник обладает свойствами цепочки диодов, т. е. падение напряжения на нем можно устанавливать намного больше, чем 0,7В. Зависит оно от соотношения базовых резисторов R1 и R2 см. рис. 1.

     Обладая отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, этот двухполюсник нашел применение в схеме питания варикапов. При повышении температуры, емкость варикапов начинает увеличиваться, но одновременно уменьшается падение напряжения на двухполюснике VT1, R1,R2, что ведет к увеличению напряжения на переменном резисторе и соответственно на варикапе, уменьшая его емкость. Таким образом, достигается температурная стабилизация резонансной частоты колебательного контура. На рисунке 2 показана схема двухполюсника, который можно использовать в качестве термодатчика в схемах электронных термореле и термометрах. Здесь есть одно неудобство, кристалл транзистора КТ315 размещен в пластмассовом корпусе, что повышает инерцию измерения температуры или срабатывания реле. И второе, это неудобство крепления его к объекту, температуру которого необходимо отслеживать. Например, для отслеживания температуры теплоотводов мощных ПП, лучше применить в качестве термодатчика транзистор КТ814. Конструкция этого транзистора позволяет крепить его непосредственно к радиатору, находящемуся под потенциалом земли, всего одним винтиком. Такой датчик используется в схеме терморегулятора для вентилятора, размещенной на сайте www. ixbt.com/spu/fan-thermal-control.shtml

     На рисунке 4 показана практическая схема для вентилятора охлаждения блока питания. Применение операционного усилителя средней мощности К157УД1 в качестве компаратора, позволило подключить пару вентиляторов от блока питания компьютера непосредственно на выход микросхемы, выходной ток которой, равен 0,3А. Температуру включения вентиляторов устанавливают резистором R5. Схема работает следующим образом. При нормальной температуре теплоотвода напряжение на выводе 9 микросхемы DA1 должно быть больше, чем на выводе 8. При этом на выходе DA1, выводе 6, будет потенциал близкий к напряжению питания схемы. Напряжение на вентиляторах при таких условиях будет практически равно «0». Вентиляторы выключены. При повышении температуры теплоотводов будет повышаться и температура транзистора VT1, что в свою очередь вызовет уменьшение напряжения на неинвертирующем входе 8 микросхемы DA1. Как только это напряжение будет меньше напряжения, установленного резистором R5, состояние компаратора изменится и на его выходе напряжение упадет примерно до потенциала земли. Вентиляторы включатся. Резистор R7 обеспечивает небольшой гистерезис схемы, что исключает неопределенное состояние выходного напряжения на выходе DA1 при равенстве входных напряжений. Плату терморегулятора лучше установить прямо на контролируемом радиаторе, чтобы его микросхема тоже обдувалась вентилятором. Транзистор VT1 соединяется с платой тремя проводами и устанавливается в непосредственной близости от мощных ПП.

Просмотров:28 985

Метки: Датчики

Как использовать диоды, транзисторы, микросхемы в качестве датчиков температуры

Обычно термисторы используются в качестве датчиков для обнаружения и контроля температуры в электронных схемах. Однако обычные полупроводниковые компоненты, такие как транзисторы и диоды, на самом деле работают лучше, чем термиторы, когда дело доходит до обнаружения изменений температуры.

На самом деле, эта особенность является одним из самых больших недостатков полупроводниковых устройств, рабочие характеристики которых сильно ухудшаются при повышении температуры их корпуса.

Повышение температуры приводит к пропорциональному уменьшению характеристики прямого напряжения любого полупроводника, и это свойство используется всякий раз, когда полупроводниковая часть сконфигурирована для измерения температуры.

Они также становятся идеальной альтернативой для измерения изменений температуры, а лучшим аспектом полупроводниковых датчиков является то, что реакция на изменения температуры является довольно линейной, что невозможно в термисторах.

Явление возникает, поскольку поток напряжения и тока через 9На переход 0011 pn в биполярном транзисторе или диоде сильно влияет температура окружающей среды. Мы можем легко доказать это с помощью обычного кремниевого диода, скажем, используя любой из диодов серии 1N400X или просто диод 1N4148.

Использование диода 1N4148 в качестве датчика температуры

Подсоедините щупы омметра к контактам анода и катода диода так, чтобы диод был смещен в прямом направлении. Смысл прикрепить красный щуп измерителя к аноду диода, а черный щуп к катоду.

Чтобы быть более точным, правильным будет соединение, которое демонстрирует минимальное сопротивление в диапазонах омметра x1, x10 или x100. Проверьте показания счетчика, затем используйте тепло (может быть достаточно тепла от вашего пальца, зажмите диод между пальцами и удерживайте его в течение нескольких секунд), и вы можете обнаружить, что сопротивление медленно меняется на шкале омметра!

Однако, несмотря на то, что диоды обычно могут применяться в качестве датчиков или преобразователей температуры, они, как правило, не являются идеальной альтернативой.

Как правило, стандартный биполярный транзистор или BJT может легко работать как очень эффективный датчик температуры, особенно если он сконфигурирован как диод. Это означает, что когда его коллектор и база соединены вместе, чтобы работать как один конец «диода»; в то время как эмиттер транзистора подобен другому концу.

Напряжение V _BE BJT или напряжение база-эмиттер в этой ситуации будет критически зависеть от тока коллектора устройства, а также от температуры окружающей среды или его корпуса. Таким образом, BJT можно использовать для создания невероятно линейных преобразователей температуры, которые могут эффективно работать в диапазоне от -55 ° C до + 125 ° C.

Практически все типы транзисторов можно использовать для приблизительного измерения температуры благодаря взаимосвязи транзистора между напряжением база-эмиттер и температурой при условии, что ток, протекающий через его коллектор, является постоянным.

Однако некоторые BJT работают как идеальные датчики температуры по сравнению с другими. По-видимому, транзисторы в корпусе металлического корпуса (TO-5 и, в частности, маленькие типы TO-18) обеспечивают улучшенный отклик по сравнению с другими вариантами, имеющими эпоксидный или пластиковый корпус.

Кроме того, некоторые BJT демонстрируют повышенную линейность на кривой V _BE vs I _c по сравнению с другими. На рисунке ниже показан базовый датчик температуры, использующий биполярные транзисторы NPN MAT01.

Использование MAT01 в качестве датчика температуры

В этой конкретной конструкции используется двойной транзистор (пара согласованных кремниевых транзисторов NPN, упакованных в один корпус), подобный MAT01. На эмиттеры подается постоянный ток 1 мА и 2 мА (не забудьте использовать разные токи эмиттера для Q1 и Q2), а выходное напряжение примерно около 59 В.мкВ/°К.

Дифференциальный операционный усилитель становится необходимым для усиления и повышения выходного напряжения до некоторого значимого значения. Рекомендуется откалибровать диапазон напряжения до 10 мВ/°К, чтобы можно было использовать обычный вольтметр.

Чтобы выполнить это с этим датчиком BJT, дифференциальный операционный усилитель должен иметь коэффициент усиления более 167. Когда выходное напряжение достигает 10 мВ/°K, почти любой 3 _1/2 -разрядный DVM может быть использован для тестирования эквивалентного температура на транзисторе.

Использование 2N2222 в качестве датчика температуры

Схема точного датчика температуры, показанная на рисунке ниже, работает с конфигурацией инвертирующего повторителя на обычном операционном усилителе вместе с одним стандартным биполярным транзистором типа 2N2222 в металлическом корпусе.

Транзистор используется как щуп датчика температуры, который должен иметь соответствующий корпус, такой как рукоятка щупа старинного вольтметра, небольшой отрезок металлической трубки и т. д.

В случае реализации концепции определения температуры в существующем устройстве, оно может быть полностью установлено внутри устройства и может не требовать отдельного корпуса. Тем не менее, независимо от того, как он расположен, очень важен хороший тепловой контакт с измеряемой температурой.

Для этого приложения используются два опорных напряжения постоянного тока +/-6,2 В. Диод D1 обеспечивает опорное напряжение +6,2 В, а диод D2 обеспечивает опорное напряжение -6,2 В. Питание +6.2 подключено к выводу коллектор/база датчика температуры BJT (Q1). Это означает, что ток эмиттера Q1 будет линейно инкрементальным и чувствительным только к изменениям температуры, поскольку напряжение коллектора для Q1 поддерживается постоянным.

Этот ток усиливается операционным усилителем IC1 до уровня, пропорционального выходному потенциалу 100 мВ/°K. Переменный резистор R1 можно настроить в процессе калибровки, чтобы обеспечить соответствующий уровень масштабирования. Опять же, любой обычный 31/2-разрядный DVM может хорошо работать для считывания температуры, хотя единица измерения будет отображаться в градусах Кельвина.

Если вы хотите изменить единицы измерения на градусы Цельсия, вы должны знать, что шкалы Кельвина и Цельсия идентичны, но смещены на 273 градуса (0°C = 273°K). Чтобы увидеть показания температуры в градусах Цельсия, потребуется перенастройка смещения.

Потенциометр R3 переключает диапазон температур стандартного исполнения от Кельвина до Цельсия путем суммирования противотока от источника питания -6,2 В, используя ток от биполярного транзистора.

Потенциометр настроен так, чтобы генерировать нулевой выходной сигнал усилителя IC1 при температуре образца на транзисторе, установленной точно на 0°C.

Калибровка

После создания схемы ее необходимо откалибровать. Начните с настройки пресетов R1 и R3 вокруг центра их индивидуальных циферблатов. Включите питание схемы и подождите от 5 до 10 минут, чтобы схема стабилизировалась при комнатной температуре. Тем временем приготовьте миску с тающим льдом или «ледяную ванну». Температура льда воды равна 0°С; (температура, при которой лед начинает превращаться в воду).

Используйте обычный стеклянный термометр для подтверждения температуры таяния льда 0° C (или 32° F). Как только схема стабилизируется и ледяная баня готова, погрузите транзистор 2N2222 в ванну и подождите около 30 секунд. Когда вы увидите, что выходное напряжение операционного усилителя больше не меняется, точно настройте потенциометр R3, чтобы он показывал на измерителе точно 0,00 вольт.

Оставьте датчик 2N2222 в ванне еще на пару минут, пока вы контролируете температуру ванны по стеклянному термометру, чтобы убедиться, что температура ванны соответствует показаниям счетчика контура. Как только вы обнаружите, что выходное напряжение достаточно постоянно (небольшие отклонения допустимы), выньте транзистор 2N2222 и стеклянный термометр и верните их в комнатную температуру.

Как только два блока стабилизируются до комнатной температуры (это можно проверить по показаниям стеклянного ртутного термометра и дополнительным постоянным показаниям выходного измерителя цепи), могут быть выполнены заключительные этапы процедуры калибровки. завершенный. Измените потенциометр R3 так, чтобы показания измерителя, подключенного к выходу операционного усилителя, совпадали с показаниями ртутного стеклянного термометра (цифры справа от десятичной точки на измерителе можно игнорировать).

После этого выходной сигнал 0 В операционного усилителя будет соответствовать 0°C, выходной сигнал 3 В пост. тока будет соответствовать 30°C и так далее. Это происходит, очевидно, из-за учета масштабирования 100 мВ/°C. Альтернативой калибровке может быть использование бани с теплой водой. Создайте ванну с теплой водой, соединив горячую и холодную воду, и выполните описанные выше процедуры для калибровки контура при комнатной температуре.

Совместное использование транзистора и диода

В этой конструкции индикатора температуры используются совместно транзистор и диод во взаимодополняющем режиме.

Диод выдерживают при температуре окружающей среды, а результирующее падение напряжения на нем используется в качестве опорного уровня. Обнаружение температуры выполняется транзистором, расположенным рядом с источником тепла, который необходимо обнаружить.

Таким образом, транзистор T1 действует как датчик фактической температуры по отношению к температуре окружающей среды, определяемой диодом. Это реализуется путем сравнения напряжения база/эмиттер биполярного транзистора с опорным уровнем от соединения D1 и R1 через заданный P1.

Транзистор будет оставаться выключенным до тех пор, пока температура вокруг него остается ниже определенного уровня, который может быть соответствующим образом установлен параметром P1.

Напряжение базового эмиттера T1 начинает падать примерно на 2 мВ в ответ на повышение температуры вокруг биполярного транзистора на каждый градус Цельсия.

Когда напряжение базы-эмиттера транзистора становится ниже уровня напряжения на движке P1, транзистор начинает проводить, о чем свидетельствует постепенно увеличивающееся свечение светодиода D2.

Значения резисторов R1 и R2 зависят от напряжения питания Ub и могут быть определены с помощью следующих простых уравнений: кОм)

R ₂ = (U _b — 1,5) / 15 (результат будет в килоомах)

эталонный диод размещается на открытом воздухе при комнатной температуре и, конечно же, никогда рядом с T1 или источником тепла, который контролируется T1.

Следует иметь в виду, что несмотря ни на что, абсолютная максимальная температура, воздействующая на транзистор T1, не должна превышать 125°C, если вы хотите поддерживать T1 в надлежащем рабочем состоянии.

Использование микросхемы AD590 в качестве датчика температуры

Существуют различные прецизионные интегральные схемы или микросхемы, специально предназначенные для использования в качестве датчиков температуры, такие как AD590, LM35 и т. д. в корпусе ТО-18, а также с уникальным 2-контактным плоским корпусом. Устройство работает как чувствительный к температуре источник тока и масштабируется для считывания температуры с точностью примерно 1 мкА/°К.

Когда ток проходит через микросхему AD590 через последовательный резистор 1k, вызывает изменение напряжения на резисторе на 1 мВ/°K (согласно закону Ома) в ответ на соответствующее изменение температуры устройства AD590.

Температурный датчик AD590 можно использовать по-разному. Ниже показан один из основных методов, заключающийся в подключении последовательного резистора сопротивлением около 100 Ом. Эта схема известна как 1-температурная или 1-точечная схема. Горшок R2 можно настроить таким образом, чтобы выходное напряжение точно соответствовало стандартному ртутному термометру при определенной температуре.

Незначительная нелинейная характеристика устройства, характерная для всех полупроводниковых устройств, может привести к незначительной ошибке на диапазонах, далеких от калиброванной шкалы.

Другой метод заключается в подключении AD590 непосредственно между регулируемым источником опорного напряжения +5 В и инвертирующим входом операционного усилителя.

Диапазон датчика можно настроить с помощью резистора обратной связи (RF) по формуле:

В _o = (I мкА/°K) (R _F ) (T).

Мы могли бы также использовать AD590 со схемой двойной подстройки, используя операционный усилитель, как описано выше.

Ток смещения суммируется с током ИС на инвертирующем входе ОУ. Можно подключить пару потенциометров, один для управления смещением, а другой для регулировки усиления, чтобы можно было настроить схему с использованием двух разных температур и, таким образом, свести к минимуму ошибку.

Использование LM35

LM35 — еще один универсальный и точный датчик температуры, предназначенный для получения выходного напряжения, которое может быть прямо пропорционально температуре в градусах Цельсия. Это означает, что при температуре 0 °C выходное напряжение будет равно 0 В.

Выходное напряжение увеличивается на 10 мВ на каждый градус Цельсия. Это означает, что если температура LM35 составляет 19,8 °C, он обеспечит выходное напряжение 0,198 В.

Это определенно значительное преимущество по сравнению с другими датчиками температуры, которые предназначены для генерации выходного сигнала в градусах Кельвина. Для этих датчиков, измеряющих температуру в градусах Цельсия, требуется невероятно стабильное опорное напряжение, которое необходимо вычесть из показаний.

Дополнительным достоинством LM35 является удивительно низкое потребление тока, не превышающее 60 мкА. Это обеспечивает увеличенный срок службы батареи и малое рассеивание мощности ИС, что гарантирует, что ошибки из-за внутреннего нагрева будут незначительными при температуре около 0,1 ° C при напряжении батареи 4 В.

Как подключить

Настроить датчик LM35 можно напрямую с помощью аналогового или цифрового мультиметра, или, как ни странно, к персональному компьютеру, который впоследствии сможет обрабатывать и сохранять полученные данные о температуре. Подходящее программное обеспечение для этой функции можно найти в Интернете. Надежность LM35/LM35C обычно составляет 0,4 °C при 25 °C. Чтобы внутреннее рассеяние оставалось небольшим, нагрузка должна быть не ниже 5 кОм.

Если между датчиком и измерителем используется удлиненный экранированный кабель, между выходом LM35 и землей необходимо подключить RC-цепочку (последовательный резистор 10 Ом с 1 мкФ) для защиты от любых наведенных колебаний.

BJT и диодные датчики температуры – Быстрая прогулка

Когда речь идет о повседневном измерении температуры, термистор является самым простым и недорогим компонентом для удобного получения данных о температуре. Это хорошо, но в этой статье я объясню, как использовать обычные транзисторы с биполярным переходом и маломощные диоды в качестве точных мониторов/датчиков температуры. Поскольку они являются настоящими аналоговыми компонентами, вам не нужно писать длинные коды и/или вызывать специальные сторонние библиотеки, даже если вы используете их в своих относительно сложных проектах микроконтроллеров!

Диод датчика температуры – прямое

Стоит еще раз отметить, что диод может использоваться в качестве датчика температуры, и большинство датчиков температуры на основе диодов используют изменение прямого напряжения. Это связано с тем, что зависимость является довольно линейной с падением напряжения примерно на 2 мВ меньше на каждый градус повышения температуры (-2 мВ/°C).

Вы знаете, что типичное прямое падение напряжения (V _F ) обычного кремниевого диода составляет 700 мВ или около того. Это нормально, но помните, что на это падение напряжения влияет ток, протекающий через диод (I _F ) и температура, непосредственно окружающая диод. Итак, если вы поддерживаете постоянный ток и считываете прямое напряжение, да, у вас есть довольно простой диод датчика температуры! Звучит здорово, правда?

Я использовал слабосигнальный кремниевый диод 1N4148 (https://www. vishay.com/docs/81857/1n4148.pdf) в качестве датчика температуры в нескольких хобби-проектах по электронике. Мой выбор сделан намеренно, так как диод в корпусе DO-35 имеет оболочку из неплавкого стекла, которая подходит для моих «горячих» применений. Ниже вы можете увидеть простую идею датчика температуры 1N4148.

Здесь достаточно одного резистора, потому что прямое падение напряжения на диоде не сильно меняется и, следовательно, ток через резистор достаточно постоянен. В любом случае, вы можете выбрать источник постоянного тока для управления диодом — смотрите ниже.

Примечание: Для кремниевого диода барьерное напряжение для протекания тока выше 700 мВ, а для германиевого диода оно выше 300 мВ. Кроме того, «объемное сопротивление» диода — это приблизительное сопротивление на клеммах диода, когда на него подается прямое напряжение и ток. Это сопротивление является динамическим, т. е. изменяется в зависимости от величины прямого напряжения и тока, протекающих через диод в любой момент времени.

Диод датчика температуры – обратный

Следует также отметить, что обратный ток диода можно использовать даже в качестве датчика температуры. См. https://www.digikey.com/eewiki/display/Motley/Diodes#Diodes-LeakageLeakage

Я также измерил обратный ток диода 1N4148, используя установку, показанную ниже. И я обнаружил, что обратный ток утечки довольно мал — всего около 3 наноампер (нА). И температура, и напряжение влияют на обратный ток диода, поэтому я использовал постоянный источник питания 5 В постоянного тока при снятии показаний DVM.

Датчик температуры BJT

Переход база-эмиттер BJT имеет очень предсказуемую передаточную функцию, которая зависит от температуры. Итак, чтобы измерить температуру корпуса устройства или температуры платы, мы можем использовать дискретный транзистор NPN (или PNP), как показано на следующем рисунке.

Как обсуждалось ранее, одним из интересных свойств кремниевого диода является то, что он имеет температурный коэффициент около -2 мВ/°C, то есть напряжение падает на -2 мВ с каждым °C, когда он нагревается. , и это довольно линейно от 0 до 100°C. Поскольку переход база-эмиттер любого транзистора также является диодом, дискретные транзисторы легко использовать в качестве надежных датчиков температуры.

Здесь стоит отметить, что почти любой кремниевый диод/биполярный переходной транзистор можно использовать в качестве датчика температуры, и в большинстве случаев любой прецизионный операционный усилитель можно использовать для формирования сигнала датчика (скорость обычно не большая проблема). Но Motorola MTS102 — это кремниевый датчик температуры, специально разработанный и оптимизированный для этого конкретного применения (https://datasheetspdf.com/pdf-file/521287/Motorola/MTS102/1).

A Практическая/экспериментальная конструкция

Температура — это величина, которую необходимо часто контролировать в электронных схемах, особенно когда мы работаем с силовой электроникой, рассеивающей много тепла. Экстремальные температуры могут быть очень разрушительными, но при эффективном управлении температурой (часто путем отключения контура или принудительной вентиляции) мы можем предотвратить повреждение системы, предотвращая в конечном итоге дорогостоящие аварии.

Итак, теперь вы можете увидеть маленькую схему датчика температуры на основе BJT, который разработан максимально простым, с обычными и дешевыми компонентами, но в то же время максимально гибким и полезным. На следующей схеме (v1) показана практическая/экспериментальная схема, состоящая из старого доброго биполярного транзистора (BC107B) и дешевого дифференциального компаратора IC (LM39).3Н).

Подводя итог, несмотря на то, что продемонстрированные здесь решения имеют несколько ограничений, удивительно легко использовать диоды и транзисторы в качестве дешевых и надежных аналоговых датчиков температуры и использовать их в повседневных хобби-электронных проектах. Я использовал множество различных конфигураций связанных цепей в качестве грубых мониторов температуры. Тем не менее, я почти уверен, что многие другие могут знать об этом намного больше, чем я. Итак, наслаждайтесь поиском в Google, чтобы найти знания и работу, которую они вложили в свои удивительные проекты, и многое другое!

Постскриптум

Я просто хочу показать вам свою небольшую коллекцию «стеклянных диодных датчиков температуры», которые обычно используются в индукционных плитах и ​​рисоварках.