Site Loader

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

6.15. Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ изготовлСния транзисторов

Π˜ΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ тСхнологичСскиС способы изготовлСния ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… транзисторных структур: сплавлСния, Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ, ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ-Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ, ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½ΠΎ-ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ, ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠΌΠΏΠ»Π°Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ Π΄Ρ€.

ΠŸΡ€ΠΈ сплавлСнии Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ крСмния помСщаСтся, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, алюминий ΠΈ нагрСваСтся Π² атмосфСрС ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π³Π°Π·Π°. ПослС охлаТдС­ния расплава образуСтся капля смСси Аl–Si, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ формируСтся ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ, насыщСнная Π°ΠΊΡ†Π΅ΠΏΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Эпитаксия прСдставляСт ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ вы­ращивания кристалла Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ химичСской Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Π½Π° повСрхности исходного монокристалла крСмния. Π§Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π°Π³Ρ€Π΅Ρ‚Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΎ 1150 Β°Π‘ ΠΎΡ‡ΠΈΡ‰Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ исходный ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ Π² ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ продуваСтся ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ Π²ΠΎΠ΄ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π° с ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅ΡΡŒΡŽ SiΠ‘14 ΠΈΠ»ΠΈ SiН4, ΠΈ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΡ‹ крСмния Π²Ρ‹ΠΏΠ°Π΄Π°Β­ΡŽΡ‚ Π² осадок, наращивая ΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π»ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Ρ‚ΠΊΡƒ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ. Добав­ляя Π² Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΡƒΡŽ смСсь РН3 ΠΈΠ»ΠΈ Π’2Н6, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎΠ½ΠΎΡ€Π½ΡƒΡŽ ΠΈΠ»ΠΈ Π°ΠΊΡ†Π΅ΠΏΡ‚ΠΎΡ€Π½ΡƒΡŽ примСси. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ тонкая ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ° с Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ Π΄ΠΎΠ·ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ примСси.

ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠΌΠΏΠ»Π°Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ связан с воздСйствиСм Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ пластины ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² примСси, Ρ€Π°Π·ΠΎΠ³Π½Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ΅ Π΄ΠΎ энСр­гий Π² нСсколько килоэлСктрон-Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚. Π­Ρ‚ΠΎ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ способ внСдрСния примСси.

Для биполярных транзисторов ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ-сплав­ная с ΠΌΠ΅Π·Π°-структурой ΠΈ планарная Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ (рис. 6.39).

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Ρ структура (рис. 6.39, Π°), получСнная Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΒ­ΠΎΠ½Π½ΠΎ-сплавным способом, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Π² сСбя Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΎΠΌΠ½Ρ‹ΠΉ высоколСги­рованный ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ (диффузия, эпитаксия), области Ρ€- ΠΈ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² (диффузия) с Π²ΠΏΠ»Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ элСктродом Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Ρ€-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° (сплав­лСниС) Π½Π° Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π΅ с ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° эмиттСра. Π’Ρ‹Π΅ΠΌΠΊΠ° ΠΌΠ΅Π·Π°-структуры Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π° для ограничСния Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ области структуры для сни­ТСния собствСнной Смкости.

ΠŸΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½Π°Ρ тСхнология (ΠΎΡ‚ английского слова planar – плоский) – Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ изготовлСния ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΒ­Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… микросхСм с ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ нанСсСниСм «ΠΌΠ°ΡΠΊΠΈ» Π½Π° ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ. ВСхнология Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Π² сСбя ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΒ­Ρ‰ΠΈΠ΅ основныС ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ: нанСсСниС Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΉ диэлСктричСской ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ крСмния, ΡƒΠ΄Π°Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ способом Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ элСк­тронно-фотолитографичСским способом ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ участка этой ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ, Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² кристалл Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π²ΡˆΠΈΠ΅ΡΡ «ΠΎΠΊΠ½Π°» Π΄ΠΎΠ½ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ»ΠΈ Π°ΠΊΡ†Π΅ΠΏΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… примСсСй, мСталлизация области Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° элСктродов. ПлСнка наносится Π½Π° ΠΈΡΡ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Β­Π²Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ½ΠΎΠ²Π΅Π½ΠΈΠ΅ примСси Π² ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ области структуры. НаиболСС ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½Π° «ΠΌΠ°ΡΠΊΠ°» ΠΈΠ· слоя SiO

2. Для этого крСмниСвая пластина помСщаСтся Π² ΠΏΠ΅Ρ‡ΡŒ ΠΈ нагрСваСтся Π² атмосфСрС Π²Π»Π°ΠΆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ кислорода. ΠžΠ±Β­Ρ€Π°Π·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ° SiO2 Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 1 ΠΌΠΊΠΌ.

Π° Π±

Рис. 6.39. Π”ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ-сплавная (Π°) ΠΈ планарная (6) ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ структуры биполярных транзисторов

ΠŸΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½Π°Ρ полупроводниковая структура (рис. 6.39, 6) ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π° Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠ΅ΠΉ алюминия Π² исходный ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Β­Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈ n+-слой сформированы Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠ΅ΠΉ фосфора Π² исходный ΠΊΡ€Π΅ΠΌΒ­Π½ΠΈΠΉ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° со стороны Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ Π² Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ p-слой Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ «ΠΎΠΊΠ½ΠΎ» Π² ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ΅ SiO2. ΠœΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π° Π½Π°ΠΏΡ‹Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ алюминия. Подобная тСхнология обСспСчиваСт ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Β­Π½ΠΈΠ΅ высокоомного ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎ ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ увСличСния напряТСния Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€Π΅Π½ΠΈΡŽ объСмного заряда Π² основном Π² сторону ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Благодаря этому эффСкт модуляции Π±Π°Π·Ρ‹ Π²Ρ‹Β­Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ. Высокоомный слой Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ тран­зистора Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅. Вакая структура ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Ρ… транзисторах. Π’ этом случаС примСняСтся крСмниСвая структура Π² Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ΅ диска (ΠΊΠ°ΠΊ Π² Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°Ρ…), выполняСтся фаска. Для сниТСния Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ высокоомного слоя ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π² Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Ρ… транзисторах примСняСтся ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π½Π°Ρ€Π°Ρ‰ΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠ³ΠΎ n-слоя Π½Π° исходной пластинС Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΎΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ n+-крСмния.

Для ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ явлСния вытСснСния эмиттСрного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² нСболь­шой участок ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π·Π²Π΅Ρ‚Π²Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΡΠ΅Ρ‚ΡŒ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΈ эмиттСрных элСктродов ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторов.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΠ΅Ρ‚ΡΡ грСбСнчатая, ΡΠ²ΠΎΠ»ΡŒΠ²Π΅Π½Ρ‚Π½Π°Ρ ΠΈ многоэмиттСрная кон­струкция эмиттСрных ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ².

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ структуры ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ.

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Ρ структура транзистора ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ помСщаСтся Π² гСрмСтичСский корпус ΠΈΠ· ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π° (рис. 6.40, Π°), пластмассы ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠ΅Ρ€Π°Β­ΠΌΠΈΠΊΠΈ. Вранзисторы ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ мощности ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² бСскор­пусном исполнСнии (рис. 6.40, Π±).

Π’ транзисторС с мСталличСским корпусом полупроводниковая структура 1 закрСпляСтся Π½Π° ΠΊΠΎΠ²Π°Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΌ Ρ„Π»Π°Π½Ρ†Π΅ 2, элСктроды эмиттСра ΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ (истока ΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°) 3 выводятся ΠΈΠ· корпуса Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· стСклянныС изоляторы 4. ГСрмСтичСский корпус 5 привариваСтся ΠΊ Ρ„Π»Π°Π½Ρ†Ρƒ швом Ρ…ΠΎΠ»ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сварки 6. Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ транзистора Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ конструкции ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ значСния: Н = 2,5 + 12 ΠΌΠΌ ΠΈ D1=13,7 + 30 ΠΌΠΌ. ΠœΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ транзисторы Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ Π΄ΠΎ сотСн Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡŽ, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΡƒΡŽ силовым Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°ΠΌ, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΡƒΡŽ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΠΈΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄.

Π° Π±

Рис. 6.40. ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ транзисторов Π² мСталличСском корпусС (Π°)

ΠΈ бСскорпусныС (Π±)

На рис. 6.40, Π± ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· Π²ΠΈΠ΄ΠΎΠ² бСскорпусного транзистора, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π² Π³ΠΈΠ±Ρ€ΠΈΠ΄Π½Ρ‹Ρ… микросхСмах с Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΈΠΌΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ. К ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ кристаллу 1 ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ тСрмокомпрСссии ΠΏΡ€ΠΈΠΏΠ°ΠΈΒ­Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΊ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΊΠ°ΠΌ Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ 2 ΠΈΠ· Π·ΠΎΠ»ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΒ­ΠΊΠΈ Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ 30-50 ΠΌΠΊΠΌ. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ мСханичСски Π·Π°Β­ΠΊΡ€Π΅ΠΏΠ»ΡΡŽΡ‚ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΡƒΠ½Π΄Π° 3.

ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… основных конструктивных Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ транзисторы Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΌΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΉ р–n–р- ΠΈ n–р–n-Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ², Π² стСклянно-мСталличСском, пластмассовом ΠΈ мСталлокСрамичСском корпу­сах, с Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΈΠΌΠΈ ΠΈ ТСсткими Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ.

Π­Π»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ биполярных ис | ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Ρ‹ элСктроакустики

Главная Β» ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ-тСхннолгичСскоС обСспСчСниС

Π­Π»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ биполярных ис

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌ элСмСнтом Π² биполярных ИМБ являСтся биполярный n-p-n транзистор. Он ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠΌΠΈ характСристиками, Ρ‡Π΅ΠΌ транзистор p-n-p Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Π° Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ° изготовлСния Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ проста.

ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ тСхнологичСский процСсс изготовлСния биполярных ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСм отрабатываСтся Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ n-p-n транзистора Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ, Π° ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ элСмСнты ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΠΎ тСхничСскому ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΡƒΠΌΡƒ для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора. n+ эмиттСр n- ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ p- Π±Π°Π·Π° Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ p+ слой  скрытый n+ слой ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΠΊΠ½ΠΎ Π² окислС n+ эмиттСра ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΠΊΠ½ΠΎ окисла p Π±Π°Π·Ρ‹ n+ слой ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΠΊΠ½ΠΎ Π² окислС n+ Β Β Β Β ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈΒ 

Випичная конфигурация биполярных транзисторов Π² ΠΏΠ»Π°Π½Π΅.

Β 

Π’ Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π΅ формируСтся коллСкторная ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ n Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ Π°ΠΊΡ†Π΅ΠΏΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅ΡΡŒΡŽ базовая p ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ, послС Ρ‡Π΅Π³ΠΎ донорная ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅ΡΡŒ n, ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΠ΅Ρ‚ ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½ΡƒΡŽ ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Β n+ слой. Π¨ΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ распространСниС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»Π° транзисторная структура со скрытым n+ слоСм. Π‘ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ слой Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° располоТСн Π½Π° повСрхности. Π­Ρ‚ΠΎ Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ сопротивлСния Ρ‚Π΅Π»Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ ΡƒΡ…ΡƒΠ΄ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ характСристики транзистора, ΠΊΠ°ΠΊ Π² ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ…. УмСньшСниС ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ слоя сниТаСт напряТСния пробоя ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ этого ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΡ…ΡƒΠ΄ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ частотныС свойства. Π€ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ скрытого n+ слоя обСспСчиваСт созданиС Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΎΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ слоя ΠΎΡ‚ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ области ΠΊ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρƒ. НазначСниС ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ n+ области – это созданиС Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΎΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ омичСского ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΏΠ»Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ алюминия, Ρ€Π°ΡΡ‚Π²ΠΎΡ€ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π² ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΈ составляСт 1016 см-3, поэтому ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΏΠ»Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ алюминия Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ слой с ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ внСдрСния примСсСй (лСгирования) 1015-1016 см-3 ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΠ΅Ρ‚ p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄. ΠŸΡ€ΠΈ ассимСтричной конструкции Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ эмиттСрный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ симмСтричном располоТСнии ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ Π² 3 направлСниях, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сниТаСт сопротивлСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π² 3 Ρ€Π°Π·Π°. Данная конструкция ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ высокочастотных транзисторах.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ :

  • — коэффициСнт усилСния Ξ², 100-200
  • — ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ частота fr, ΠΌΠ“Ρ† 200-500
  • — коллСкторная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Ck, 0,3-0,5
  • — ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° vΠΊΠ±, 40-50 Π’
  • — ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС эмиттСрного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, 7-8 Π’

    Β 

Π‘ΡƒΠΏΠ΅Ρ€ Ξ²-транзисторы

Β 

Π­Ρ‚ΠΎ транзисторы с высоким коэффициСнтом усилСния Ξ² 3000-5000, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ получаСтся засчСт ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρ‹ Π±Π°Π·Ρ‹ Π΄ΠΎ уровня 0,2-0,3 ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ½ (стандарт 1,5-2,5).
НапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ пробоя Ρƒ Π½ΠΈΡ… составляСт 1,5-2 Π’ ΠΈΠ·-Π·Π° эффСкта «ΡΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΡ» эмиттСрного ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ². Π­Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ, Π° спСциализированный элСмСнт, главная ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ примСнСния – Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ каскады ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСлСй.

Π˜Π½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ – ΠΈΡ… Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ Π² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… элСмСнтах Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ транзисторы с ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ элСктродов.

Β 

Π‘Πš-Π­,Β Β Β Β  Β Π­-Π‘

Π‘-ЭК

Π‘Π­-К,Β Β Β Β Β  Π‘Πš

UΠΏΡ€Β Β  (Π’)

7-8

7-8

40-60

IΠΎΠ±Ρ€Β Β  (мА)

0,5-1

20-40

15-30

Β 

НапряТСниС пробоя большС Ρƒ Ρ‚Π΅Ρ… Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄. Но Ρƒ Π½ΠΈΡ… Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΠΈ большС ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ. МСньшСС сопротивлСниС пробоя ΠΈ мСньшиС Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Ρ‹, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ эмиттСрный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄. Π•ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ максимальна Ρƒ структуры Π­,Π‘-К, Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π° ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ΅ минимальна Ρƒ структуры Π‘Π­. По совокупным ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ схСмы ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π­,Π‘-К ΠΈ Π­-Π‘. Для ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ воздСйствия смСТных эмиттСров, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ Π³ΠΎΡ€ΠΈΠ·ΠΎΠ½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ n-p-n транзисторы, расстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‚ Π½Π΅ мСньшС Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Π΄Π»ΠΈΠ½Ρ‹ носитСлСй Π² Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΌ слоС (10-15 ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ½).

Β 

Β 

ΠœΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Π΅ n-p-n транзисторы

Β 

Π­Ρ‚ΠΎ практичСски многоэмиттСрный транзистор, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ Π² инвСрсном Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅. ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром являСтся ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ слой, Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ – n+ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ². Для обСспСчСния достаточно высоких коэффициСнтов усилСния Π² расчСтС Π½Π° 1 ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, скрытый n+ слой Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π±Π»ΠΈΠΆΠ΅ ΠΊ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ слою, Π° n+ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π±Π»ΠΈΠΆΠ΅ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ ΠΊ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Ρƒ. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° с ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ эмиттСрными ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌΠΈ областями являСтся основой ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ (И2Π›).

Β 

Π›Π°Ρ‚Π΅Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ (Π³ΠΎΡ€ΠΈΠ·ΠΎΠ½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ) p-n-p транзистор Вранзистор p-n-p ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ для n-p-nΒ  ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ транзисторов. Π˜Ρ… ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ с транзисторами Ρ‚ΠΈΠΏΠ° n+-p-n ΠΏΠΎ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Π΅ слои ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° этапС Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ. Базовая ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° основС ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ слоя с ΠΏΠΎΠ΄Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ области Π²ΠΎ врСмя эмиттСрной Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ. Π“ΠΎΡ€ΠΈΠ·ΠΎΠ½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ коэффициСнт усилСния Ξ² 50-100, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π² Π½ΠΈΡ… ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ инТСкция, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ пСрСнос Π½Π΅ основных носитСлСй заряда, Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… областСй эмиттСра. ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ частота 50 ΠΌΠ΅Π³Π°Π³Π΅Ρ€Ρ†, Π² Ρ‚ΠΎΠΌ случаС, Ссли расстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ 3-4 ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ½Π°. Если Ξ² Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ 1,5-20 , ΠΏΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ частота 2-5 ΠΌΠ΅Π³Π°Π³Π΅Ρ€Ρ†, Ссли расстояниС 6-12 ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ½. Для подавлСния дСйствия ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… p-n-p транзисторов (p-эмиттСр, n-Π±Π°Π·Π°, p-ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ°): ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ части эмиттСра  использованиС скрытого n+ слоя вдоль Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹ ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ слоя ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ биполярного транзистора

БиполярныС транзисторы

Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° ΠœΠ”ΠŸ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСм

ΠŸΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°

ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π° ΠΈ нСдостатки, Π° Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ области примСнСния ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… Вранзисторов

Вранзисторы ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ мощности

Вранзисторы большой мощности

Вранзисторы срСднСй мощности

Π˜Π·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзисторов

  • Π˜Π·ΡƒΡ‡ΠΈΠ² этот Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π», Π²Ρ‹ смоТСтС:
  • β€’ РаспознаваниС Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΈΠ· сплава.
  • β€’ ΠžΡΠΎΠ·Π½Π°ΠΉΡ‚Π΅ прСимущСства ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ.
  • β€’ ΠžΠΏΠΈΡˆΠΈΡ‚Π΅ основныС этапы производства ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½Ρ‹Ρ… транзисторов.

Рис. 3.2.1 Π Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ транзистор ΠΈΠ· сплава гСрмания


Вранзисторы с рассСиваниСм ΠΈΠ· сплава

Π Π°Π½Π½ΠΈΠ΅ транзисторы с биполярным ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ использовали Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ для производства усилитСля Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π² качСствС Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора использовалась тонкая гСрманиСвая пластина. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ Π΄Π²ΡƒΡ… Π³Ρ€Π°Π½ΡƒΠ» индия (Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…Π²Π°Π»Π΅Π½Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‚Ρ€ΠΈ элСктрона Π² своСй Π²Π°Π»Π΅Π½Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΎΠ»ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅) ΠΏΠΎ ΠΎΠ±Π΅ΠΈΠΌ сторонам пластины с основаниСм N-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. 3.2.1.

Π’ процСссС синтСза ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ½Π΄ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π² Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠΉ. Когда Π΄Π²Π° ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π° ΡΠ»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ вмСстС, Π°Ρ‚ΠΎΠΌΡ‹ индия (с 3 Π²Π°Π»Π΅Π½Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ элСктронами) ΡΠΌΠ΅ΡˆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ с Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠ°ΠΌΠΈ чистого гСрмания (с 4 Π²Π°Π»Π΅Π½Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ элСктронами), создавая ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» P-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠ°ΠΌ индия Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π΅ Ρ…Π²Π°Ρ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ элСктрона, ΠΈ поэтому ΠΎΠ½ΠΈ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ связаны Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ с трСмя. вмСсто Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ… сосСдних Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ². Π­Ρ‚ΠΎ создаСт Β«Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉΒ» Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ заряда Π½Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠ΅ индия. БлияниС прСкращаСтся нСпосрСдствСнно ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ встрСчСй Π΄Π²ΡƒΡ… областСй P-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ получаСтся Ρ‡Ρ€Π΅Π·Π²Ρ‹Ρ‡Π°ΠΉΠ½ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠΉ слой ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° N-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° (BASE), Π·Π°ΠΆΠ°Ρ‚Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ двумя Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ толстыми слоями P-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ Π΄Π²Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°, эмиттСр ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° P, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠ°Ρ для ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, большС, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ эмиттСра. Π­Ρ‚ΠΎ связано с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ большая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π°, выдСляСмого Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ транзистора, гСнСрируСтся Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π±Π°Π·Π°/ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, этот ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ большС, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΡΡ‚ΡŒ это Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎ.

РассСянныС транзисторы ΠΈΠ· сплава ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ нСсколько нСдостатков:

  • 1. Π£ Π½ΠΈΡ… плохая частотная характСристика, Π² основном ΠΈΠ·-Π·Π° большой Смкости ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°.
  • 2. Π’ΠΎΠΊ ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° увСличиваСтся ΠΏΠΎ ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΈΡ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΡ… уязвимыми ΠΊ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΈΠ·-Π·Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π°Π·Π³ΠΎΠ½Π°.
  • 3. Они ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ высокиС Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹.
  • 4. НС Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ высокого напряТСния.

Рис. 3.2.2 Многослойная конструкция


ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора.

ΠšΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½Ρ‹Π΅ транзисторы

НСдостатки транзисторов ΠΈΠ· Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ сплава Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ΄ΠΎΠ»Π΅Π½Ρ‹ Π² 1950-Ρ… Π³ΠΎΠ΄Π°Ρ… ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ транзисторов, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ Π² качСствС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° ΠΈ ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½ΠΎΠΉ (слоистой) конструкции, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π° рисунках 3.2.2–3.2.3. Π­Ρ‚ΠΈ транзисторы состоят ΠΈΠ· ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΡ… слоСв (ΠΈΠ»ΠΈ плоскостСй) ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°, Π½Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… многослойный сэндвич). ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ слоТная, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ сплава, Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… этапов, нанСсСния оксидных слоСв Π½Π° ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΡƒΡŽ пластину ΠΈ использования ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ для вытравливания Π½Π΅ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… областСй крСмния. Π­Ρ‚ΠΈ шаги ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΡΡŽΡ‚ΡΡ с вариациями для создания Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹Ρ… шаблонов ΠΈ слоСв для формирования Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… транзисторов, Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π½Ρ‹Ρ… взаимосвязанных ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСм.

Π₯отя ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ производствСнныС этапы слоТны, ΠΎΡ‚ формирования слитка ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ чистого крСмния, Π΅Π³ΠΎ разрСзания Π½Π° пластины ΠΈ формирования Π½Π° пластинС Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ², Π½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ пластинС ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Ρ‹ тысячи транзисторов. Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° этот ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ конструкции становится Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ дСшСвлС ΠΈ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½Π΅Π΅, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ сплава Β«ΠΏΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ транзистору Π·Π° Ρ€Π°Π·Β».

ПослС Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ транзисторы сформированы Π½Π° пластинС, ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… автоматичСски провСряСтся, ΠΈ Π»ΡŽΠ±Ρ‹Π΅ нСисправныС транзисторы ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ пятном краситСля. Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ пластина разрСзаСтся Π½Π° ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ транзисторы, Π° Ρ‚Π΅, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΊΠ°ΠΊ нСисправныС, Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°ΡΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ.

ΠŸΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ процСсс Π΅Ρ‰Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ эффСктивСн ΠΏΡ€ΠΈ использовании для производства ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСм, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΌ кристаллС ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ изготавливаСтся нСсколько взаимосвязанных транзисторов. Π˜Π½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ схСмы, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ этим ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ всСго нСсколько взаимосвязанных транзисторов (малая интСграция ΠΈΠ»ΠΈ SSI), сотни транзисторов (срСдняя интСграция ΠΈΠ»ΠΈ MSI), тысячи транзисторов (большая интСграция ΠΈΠ»ΠΈ LSI) ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ устройства, ΠΊΠ°ΠΊ микропроцСссоры с ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠΎΠ½Ρ‹ взаимосвязанных транзисторов (Very Large Scale Integration ΠΈΠ»ΠΈ VLSI). Рис. 3.2.2–3.2.4 ΠΈΠ»Π»ΡŽΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ основныС этапы производствСнного процСсса, прСдполагая, Ρ‡Ρ‚ΠΎ пластина Π·Π°ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π° ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ транзисторами.

Рис. 3.2.3 ΠŸΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡ плоского построСния.

  • Π¨Π°Π³ΠΈ Π½Π° рис. 3.2.3

  • 1. Π‘Π»ΠΎΠΉ 1 β€” Бильно Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ N-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.
  • 2. Π‘Π»Π°Π±ΠΎΠ»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ N-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° нанСсСн ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ… слоя 1, образуя двухслойный ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. (см. «Как Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ BJTΒ»).
  • 3. Π§Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ слоя Π²Ρ‹Ρ‚Ρ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΡ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡƒΠ³Π»ΡƒΠ±Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ для Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ слоя P-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.
  • 4. Π”ΠΎΠ±Π°Π²Π»Π΅Π½ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ слой Ρ‚ΠΈΠΏΠ° P.
  • 5. Π§Π°ΡΡ‚ΡŒ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ слоя стравливаСтся, оставляя ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ слой.
  • 6. Π”ΠΎΠ±Π°Π²Π»Π΅Π½ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ эмиттСрный слой N-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.
  • 7. НаконСц, Π΄ΠΎΠ±Π°Π²Π»Π΅Π½Ρ‹ мСталличСскиС соСдинитСли, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ„ΠΈΠΊΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° послС тСстирования ΠΈ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡΡ‚ΡŒ ΠΈΡ… ΠΎΡ‚ пластины.

Рис. 3.2.4 Π“ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ транзистор.

К Π½Π°Ρ‡Π°Π»Ρƒ страницы

Β 

Анализ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π° ΠΈ Π΄ΠΎΠ»ΠΈ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° биполярных силовых транзисторов β€” ΠžΡ‚Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΎΠ± отраслСвых исслСдованиях

Анализ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π° ΠΈ Π΄ΠΎΠ»ΠΈ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° биполярных силовых транзисторов β€” ΠžΡ‚Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΎΠ± отраслСвых исслСдованиях β€” Π’Π΅Π½Π΄Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ роста

ОбъСм Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° биполярных силовых транзисторов

ΠŸΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ обучСния: 2018 — 2028
Π‘Π°ΠΌΡ‹ΠΉ быстрорастущий Ρ€Ρ‹Π½ΠΎΠΊ: БСвСрная АмСрика
Π‘Π°ΠΌΡ‹ΠΉ большой Ρ€Ρ‹Π½ΠΎΠΊ: Азиатско-ВихоокСанский Ρ€Π΅Π³ΠΈΠΎΠ½
CAGR: 4,5 %
ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ³Ρ€ΠΎΠΊΠΈ

*ΠžΡ‚ΠΊΠ°Π· ΠΎΡ‚ отвСтствСнности: основныС ΠΈΠ³Ρ€ΠΎΠΊΠΈ отсортированы Π² ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ порядкС

НуТСн ΠΎΡ‚Ρ‡Π΅Ρ‚, ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ, ΠΊΠ°ΠΊ COVID-19 повлиял Π½Π° этот Ρ€Ρ‹Π½ΠΎΠΊ ΠΈ Π΅Π³ΠΎ рост?

Анализ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° биполярных силовых транзисторов

ΠžΠΆΠΈΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π° Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ΅ биполярных силовых транзисторов срСднСгодовой Ρ‚Π΅ΠΌΠΏ роста составит 4,5% Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Π½ΠΎΠ·ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π° (2022–2027 Π³Π³. ). РастущСС использованиС элСктронных устройств, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ элСктричСскиС вСлосипСды ΠΈ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΠΈ, способствуСт Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΡŽ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° биполярных силовых транзисторов. А биполярныС силовыС транзисторы ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСмах (ИБ) ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ². ΠŸΡ€ΠΎΠ³Π½ΠΎΠ·ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ растущСС сокращСниС Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈ принятиС Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… государствСнных ΠΌΠ΅Ρ€ ΠΏΠΎ созданию соврСмСнной инфраструктуры распрСдСлСния элСктроэнСргии ΠΈ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΡŽ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ°.

Β· ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ высокая ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рассСивания Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ мощности, высокотСмпСратурныС прилоТСния ΠΈ высокая ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΎΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΡŽ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° ΠΈ бСзопасности, ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌΡƒ рСгулятору напряТСния ΠΈ подсвСткС ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ. Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Ρ‹Π½ΠΎΠΊ. БиполярныС силовыС транзисторы ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Ρ… устройствах.

Β· По Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ МЭА, Π² 2021 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠΈ элСктромобилСй достигли 6,6 ΠΌΠ»Π½. На долю элСктромобилСй ΠΏΡ€ΠΈΡˆΠ»ΠΎΡΡŒ 9% ΠΎΡ‚ всСх ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»Π΅ΠΉ ΠΏΠΎ всСму ΠΌΠΈΡ€Ρƒ. Π’ элСктромобилях биполярныС силовыС транзисторы ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ„Π°Ρ€Π°Ρ… с ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΌΠΈ свСтодиодами. Рост Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ являСтся Π΄Π²ΠΈΠΆΡƒΡ‰Π΅ΠΉ силой Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° биполярных силовых транзисторов.

Β· РастущиС трСбования ΠΊ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π² цСпях ΠΈ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΡΡ‚ΠΈΠΌΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Ρ€Ρ‹Π½ΠΎΠΊ биполярных силовых транзисторов. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ NXP, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΠ»ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠΈ своих транзисторов Π½Π° 55%, сохранив ΠΏΡ€ΠΈ этом Ρ‚Π΅ ΠΆΠ΅ характСристики мощности.

Β· COVID-19 Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ повлиял Π½Π° Π³Π»ΠΎΠ±Π°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΡƒ поставок ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½Ρ‹Ρ… элСктронных Π±Ρ€Π΅Π½Π΄ΠΎΠ². ΠšΠΈΡ‚Π°ΠΉ являСтся ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΈΠ· ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΈ экспортСров Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² для элСктроники, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ биполярныС силовыС транзисторы, кондСнсаторы, Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹, выпрямитСли, усилитСли ΠΈ Ρ‚. Π΄. Из-Π·Π° постоянного простоя производства Π² ΠšΠΈΡ‚Π°Π΅ нСсколько ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ элСктроники Π² БША ΠΈ Π•Π²Ρ€ΠΎΠΏΠ΅ Π±Ρ‹Π»ΠΈ Π²Ρ‹Π½ΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½Ρ‹ ΠΎΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ производство Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… элСктронных ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ Ρ€Π°Π·Ρ€Ρ‹Π²Ρƒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ спросом ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π² элСктронной ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ.

БСгмСнтация биполярных силовых транзисторов

Биполярный силовой транзистор β€” это ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ для усилСния. Устройство ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ сигналы. Он Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€. ЀизичСски биполярный силовой транзистор усиливаСт большоС напряТСниС ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ, Π½ΠΎ Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊ схСмам, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ для усилСния напряТСния ΠΈΠ»ΠΈ мощности. ИсслСдованиС ΠΎΡ…Π²Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ биполярный силовой транзистор, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Π² сСбя PNP-транзистор, NPN-транзистор, ΠΈ использованиС биполярного силового транзистора для основных ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ бытовая элСктроника, связь ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ, автомобилСстроСниС, производство, энСргСтика ΠΈ элСктроэнСргСтика. ИсслСдованиС Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΡ…Π²Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ спрос Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅Π³ΠΈΠΎΠ½Π°Ρ… ΠΈ рассматриваСт влияниС COVID-19.Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠ΅.

By Type
PNP Transistor
NPN Transistor
By End User
Consumer Electronics
Communication and Technology
ΠΠ²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ
ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΡΡ‚Π²ΠΎ
Π­Π½Π΅Ρ€Π³Π΅Ρ‚ΠΈΠΊΠ° ΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ
Other End Users
Geography
North America
Europe
Asia-Pacific
Latin America
Π‘Π»ΠΈΠΆΠ½ΠΈΠΉ Восток ΠΈ Африка

ОбъСм ΠΎΡ‚Ρ‡Π΅Ρ‚Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ настроСны Π² соотвСтствии с вашими трСбованиями. ΠšΠ»ΠΈΠΊΠ½ΠΈΡ‚Π΅ сюда.

Π’Π΅Π½Π΄Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° биполярных силовых транзисторов

Π’ этом Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ основныС Ρ€Ρ‹Π½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅Π½Π΄Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ, Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ€Ρ‹Π½ΠΎΠΊ биполярных силовых транзисторов, ΠΏΠΎ мнСнию Π½Π°ΡˆΠΈΡ… экспСртов-исслСдоватСлСй:

ΠžΠΆΠΈΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ сСгмСнт Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΡ‚ΠΈΠΌΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ рост Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ°

Β· Π Ρ‹Π½ΠΎΠΊ биполярных силовых транзисторов находится ΠΏΠΎΠ΄ влияниСм растущих тСхничСских ΡƒΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ. Π’ элСктромобилях биполярныС силовыС транзисторы ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ„Π°Ρ€Π°Ρ… с ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΌΠΈ свСтодиодами.

Β· Π’ связи с Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΌ Π²Π½Π΅Π΄Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ элСктромобилСй ΠΈ Π³ΠΈΠ±Ρ€ΠΈΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транспортных срСдств Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ являСтся ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΈΠ· растущих сСгмСнтов Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° биполярных силовых транзисторов. ΠžΠΆΠΈΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ долю. Π˜Π½Π½ΠΎΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠ½ΠΎΠΌΠ½Ρ‹Π΅ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ, Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Π΅ прилоТСния, повысили спрос Π½Π° биполярныС силовыС транзисторы.

Β· ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»Π°, Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… систСм ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΠΈ Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŽ (ADAS), способствовали росту сСгмСнта. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ Π² Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΆΠΈΠ·Π½Π΅Π½Π½ΠΎ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ для бСзопасности ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π²Π΅Ρ€Π³Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π²ΠΎΠ·Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡŽ высокого напряТСния ΠΈ ΡΠΊΡΡ‚Ρ€Π΅ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… условий. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π°Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π»ΠΈ Π½Π° это созданиСм Π½ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠΊΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… биполярных транзисторов для Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ.

Β· НапримСр, Π² ΠΌΠ°Ρ€Ρ‚Π΅ 2022 Π³ΠΎΠ΄Π° Renesas Electronics Corporation, ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ, объявила ΠΎ Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€Π΅Π½ΠΈΠΈ сотрудничСства с Honda Π² области ΡƒΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ систСмы ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΠΈ Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŽ (ADAS).

Β· Π’ сСнтябрС 2021 Π³ΠΎΠ΄Π° компания GaN Systems, ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ силовых ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² Π½Π° основС Π½ΠΈΡ‚Ρ€ΠΈΠ΄Π° галлия, подписала с BMW Π²ΡΠ΅ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌΠ»ΡŽΡ‰Π΅Π΅ соглашСниС ΠΎ мощности силовых GaN-транзисторов ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ для ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ эффСктивности ΠΈ ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ мощности критичСски Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ Π² элСктромобилях.

Β· По Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ института статистики ΠΈ Π³Π΅ΠΎΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ, Π² январС 2022 Π³ΠΎΠ΄Π° Π² МСксикС Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°Π½ΠΎ 237 аккумуляторных элСктромобилСй. ΠšΠΎΠ»ΠΈΡ‡Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎ зарСгистрированных элСктричСских ΠΈ Π³ΠΈΠ±Ρ€ΠΈΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транспортных срСдств Π² Латинской АмСрикС Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ»ΠΎΡΡŒ Π² ΠšΠΎΠ»ΡƒΠΌΠ±ΠΈΠΈ ΠΈ Π‘Ρ€Π°Π·ΠΈΠ»ΠΈΠΈ, Π³Π΄Π΅ Ρ€Ρ‹Π½ΠΎΠΊ остаСтся ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ. Π“ΠΈΠ±Ρ€ΠΈΠ΄Ρ‹ стали ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ популярными срСди ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΡ‰ΡƒΡ‚ ΡΠΊΠΎΠ½ΠΎΠΌΠΈΡ‡Π½ΡƒΡŽ Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Ρƒ Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌΡƒ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŽ, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ МСксика Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ свою инфраструктуру зарядки для элСктромобилСй с ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΌ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»Π΅ΠΌ.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ основныС Ρ‚Π΅Π½Π΄Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ, Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΈΡ‚Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π΅Ρ† ΠžΡ‚Ρ‡Π΅Ρ‚

ΠžΠΆΠΈΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² Π‘Π΅Π²Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ АмСрикС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ зарСгистрирован Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ рост

Β· БСвСрная АмСрика являСтся ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΈΠ· Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠΎΠ² для биполярных ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΈΠ·-Π·Π° Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… сСкторов Ρ€Π΅Π³ΠΈΠΎΠ½Π°. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Ρ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ производство биполярных силовых транзисторов Π² Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ стСпСни зависят ΠΎΡ‚ Π‘ΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π¨Ρ‚Π°Ρ‚ΠΎΠ² Π² ΠΏΠ»Π°Π½Π΅ производства, проСктирования ΠΈ исслСдований. Π—Π½Π°Ρ‡ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π³ΠΈΠΎΠ½Π° ΠΏΠΎΠ΄ΠΏΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ спрос Π½Π° экспорт элСктронного оборудования, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ сСкторы ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ большиС ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌΡ‹ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° биполярных силовых транзисторов, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ бытовая элСктроника ΠΈ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΠΈ, Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ высокого напряТСния.

Β· ΠΡ‹Π½Π΅ΡˆΠ½ΡΡ пандСмия COVID-19 ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π»Π° ΠΊ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΡŽ Π·Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ². ОбС Ρ„Π°Π±Ρ€ΠΈΠΊΠΈ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Π»ΠΈΡΡŒ Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Π½Π΅Π΄Π°Π²Π½Π΅ΠΉ Π²ΡΠΏΡ‹ΡˆΠΊΠΈ COVID-19. ΠŸΡ€Π°Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΠΎ Π‘ΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π¨Ρ‚Π°Ρ‚ΠΎΠ² вносит свой Π²ΠΊΠ»Π°Π΄ Π² исслСдования ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ элСктромобилСй посрСдством Π΅ΠΆΠ΅Π³ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ассигнований Π² Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ энСргоэффСктивности ΠΈ возобновляСмым источникам энСргии (EERE).

Β· ΠžΠΆΠΈΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ рост производства элСктронного оборудования Π² Ρ€Π΅Π³ΠΈΠΎΠ½Π΅ для удовлСтворСния растущСго спроса Π½Π° элСктромобили, Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²ΡƒΡŽ элСктронику ΠΈ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΡŽ ΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ росту Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° биполярных силовых транзисторов.

Β· ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ Π·Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΈΠ»ΠΈ нСполная Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° производствСнных мощностСй ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ привСсти ΠΊ ΡΠΎΠΊΡ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΡŽ Π·Π°ΠΊΠ°Π·ΠΎΠ² ΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ слСдствиС, ΠΊ ΡΠΎΠΊΡ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΈΠ»ΠΈ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆ. Π’ Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ, ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ элСктроники ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ², Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ TT Electronics ΠΈ NXP Semiconductors, ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π΄Π²ΠΈΠΆΡƒΡ‰Π΅ΠΉ силой индустрии биполярных силовых транзисторов Π² этом Ρ€Π°ΠΉΠΎΠ½Π΅ с ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ потрСбитСлями ΠΈΠ· ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… сСкторов, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ бытовая элСктроника ΠΈ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ запчасти. Бпрос подпитываСтся спросом Π½Π° Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΡƒΡŽ Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²ΡƒΡŽ элСктронику Π²ΠΎ всСм Ρ€Π΅Π³ΠΈΠΎΠ½Π΅.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Π΅Π½Π΄Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ Π³Π΅ΠΎΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ, Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΈΡ‚Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π΅Ρ† ΠžΡ‚Ρ‡Π΅Ρ‚

ΠžΠ±Π·ΠΎΡ€ отрасли производства биполярных силовых транзисторов

Π Ρ‹Π½ΠΎΠΊ биполярных силовых транзисторов характСризуСтся высокой ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡƒΡ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ, Π½Π° Π½Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΈΠ³Ρ€ΠΎΠΊΠΈ. НапримСр, STMicroelectronics, TT Electronics, Nexperia, Sanken Electric Co., Ltd. ΠΈ Semiconductor Components Industries, LLC ΠΏΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ биполярныС силовыС транзисторы. Компании Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π·Π°ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Ρ‹, ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ для биполярных ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторов, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ долю Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ°. STMicroelectronics, TT Electronics, Sanken Electric Co., Ltd. ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΈΠ³Ρ€ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ —

Β· июнь 2021 Π³. β€” компания Nexperia выпустила высокомощныС биполярныС транзисторы MJD2873 NPN 50 Π’, 2 А, ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² ΠΏΠ»Π°ΡΡ‚ΠΈΠΊΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΡƒ для устройства повСрхностного ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ° (SMD) TO-252 (SOT428C). ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΠ½ΠΈ Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ мСньшС Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π°, эти устройства ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ высокой ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ рассСивания Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ мощности ΠΈ высокой ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΎΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. Nexperia MJD2873 отличаСтся Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ напряТСниСм насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр ΠΈ быстрым ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ. Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° напряТСния Π² Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, подсвСтка ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄Π° постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΌΠΎΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΈ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Π° Ρ€Π΅Π»Π΅ β€” всС это ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ области примСнСния этих устройств.

Π›ΠΈΠ΄Π΅Ρ€Ρ‹ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° биполярных силовых транзисторов

  1. STMicroelectronics

  2. Π’Π’ ЭлСктроникс

  3. НСкспСрия

  4. Π‘Π°Π½ΠΊΠ΅Π½ Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΠΊ Ко., Π›Ρ‚Π΄.

  5. ООО Β«ΠžΡ‚Ρ€Π°ΡΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²Β»

*ΠžΡ‚ΠΊΠ°Π· ΠΎΡ‚ отвСтствСнности: основныС ΠΈΠ³Ρ€ΠΎΠΊΠΈ отсортированы Π² ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ порядкС

ΠžΡ‚Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΎ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ΅ биполярных силовых транзисторов – Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

  1. 1. Π’Π’Π•Π”Π•ΠΠ˜Π•

    1. 1.1. ДопущСния исслСдования ΠΈ опрСдСлСния Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ°

    2. 1,2 ΠžΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ исслСдования

  2. 2. ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡ исслСдования

  3. 3. Π‘ΡƒΠΌΠΌΠ° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ власти

    9000 9003

    4,0003

    3. Π‘ΡƒΠΌΠΌΠ° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ власти

    9000 9003

    4. 4,0003

    . ΠžΠ±Π·ΠΎΡ€ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ°

  4. 4.2 ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π»Π΅ΠΊΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ отрасли – Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· пяти сил ΠŸΠΎΡ€Ρ‚Π΅Ρ€Π°

    1. 4.2.1 Π£Π³Ρ€ΠΎΠ·Π° появлСния Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… участников

    2. 4.2.2 Π‘ΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ€Π³ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ

    3. 4.2.3. Ворговая Π²Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ поставщиков

    4. 4.2.4 Π£Π³Ρ€ΠΎΠ·Π° замСститСлСй ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΠ²

    5. 4.2.5 Π˜Π½Ρ‚Π΅Π½ΡΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡƒΡ€Π΅Π½Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡƒΡ€Π΅Π½Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡƒΡ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ

  5. 4.3. ВлияниС COVID-19 Π½Π° Ρ€Ρ‹Π½ΠΎΠΊ

  • 5. Π”Π˜ΠΠΠœΠ˜ΠšΠ РЫНКА

    1. 5.1 Π Ρ‹Π½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹

      1. 5.9.1 Растущий спрос Π½Π° высокоэнСргоэффСктивныС устройства ΠΈ элСктронику для Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»Π΅ΠΉ ΠΈ элСктроники0018

      2. 5.1.2 Бпрос Π½Π° Π²Ρ‹Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΡƒ энСргии Π·Π΅Π»Π΅Π½ΠΎΠΉ энСргии. 6. Π‘Π•Π“ΠœΠ•ΠΠ’ΠΠ¦Π˜Π― РЫНКА

        1. 6.1 По Ρ‚ΠΈΠΏΡƒ

          1. 6.1.1 Вранзистор PNP

          2. 6. 1.2 Вранзистор NPN

          3. 0003

            6.2 ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ

            1. 6.2.1. ΠŸΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠ°Ρ элСктроника

            2. 6.2.2 ΠšΠΎΠΌΠΌΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡ ΠΈ тСхнология

            3. 6.2.3. Power

            4. 6.2.6. Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ

          4. 6.3 ГСография

            1. 6.3.1 БСвСрная АмСрика

            2. 6.3.2 Π•Π²Ρ€ΠΎΠΏΠ°

            3. 6.3.3.0018

            4. 6.3.4 Латинская АмСрика

            5. 6.3.5 Π‘Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΈΠΉ восток ΠΈ Африка

        2. 7. Π‘ΠΎΡ€Π΅Π²Π½ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π»Π°Π½Π΄ΡˆΠ°Ρ„Ρ‚

          1. 7.1. ΠŸΡ€ΠΎΡ„ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ

                                                    9.1004 9.1004
                                                          1. 7.1.

                                                          2. 7.1.2 TT Electronics

                                                          3. 7.1.3 Nexperia

                                                          4. 7.1.4 Sanken Electric Co., Ltd.

                                                          5. 7.1.5 Semiconductor, LLC0018

                                                          6. 7.1.6 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,

                                                          7. 7. 1.7 Renesas Electronics Corporation.

                                                          8. 7.1.8 Solitron Devices, Inc.

                                                          9. 7.1.9 GlobalSpec

                                                          10. 7.1.10 NXP Semiconductors

                                                          *List Not Exhaustive

                                                      1. 8. INVESTMENTS ANALYSIS

                                                      2. 9. Π‘Π£Π”Π£Π©Π˜Π• Π’Π•ΠΠ”Π•ΠΠ¦Π˜Π˜

                                                      **ΠŸΡ€ΠΈ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ

                                                      Π’Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ приобрСсти части этого ΠΎΡ‚Ρ‡Π΅Ρ‚Π°. Π₯ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅ ΠΎΠ·Π½Π°ΠΊΠΎΠΌΠΈΡ‚ΡŒΡΡ с прайс-листом ΠΏΠΎ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π°ΠΌ? Часто Π·Π°Π΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ вопросы ΠΎΠ± исслСдовании Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° биполярных силовых транзисторов

                                                      Каков ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ изучСния этого Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ°?

                                                      Π Ρ‹Π½ΠΎΠΊ биполярных силовых транзисторов изучаСтся с 2018 ΠΏΠΎ 2028 Π³ΠΎΠ΄.

                                                      ΠšΠ°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΡ‹ роста Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° биполярных силовых транзисторов?

                                                      Π Ρ‹Π½ΠΎΠΊ биполярных силовых транзисторов Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ расти Π² срСднСм Π½Π° 4,5% Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… 5 Π»Π΅Ρ‚.

                                                      Какой Ρ€Π΅Π³ΠΈΠΎΠ½ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ самыС высокиС Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΡ‹ роста Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° Биполярный силовой транзистор?

                                                      БСвСрная АмСрика дСмонстрируСт самый высокий срСднСгодовой Ρ‚Π΅ΠΌΠΏ роста Π² 2018–2028 Π³ΠΎΠ΄Π°Ρ….

  • alexxlab

    Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

    Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *