Site Loader
Posted on 18.06.2023

Содержание

6.15. Технологии изготовления транзисторов

Имеются различные технологические способы изготовления полупроводниковых транзисторных структур: сплавления, диффузии, эпитаксиально-диффузионный, планарно-эпитаксиальный, ионной имплантации и др.

При сплавлении на поверхность кремния помещается, например, алюминий и нагревается в атмосфере инертного газа. После охлажде­ния расплава образуется капля смеси Аl–Si, в которой формируется область, насыщенная акцептором. Эпитаксия представляет метод вы­ращивания кристалла в результате химической реакции на поверхности исходного монокристалла кремния. Через нагретый до 1150 °С очищенный исходный кремний в кварцевом реакторе продувается поток водорода с примесью SiС14 или SiН4, и атомы кремния выпада­ют в осадок, наращивая кристаллическую решетку подложки. Добав­ляя в газовую смесь РН3 или В2Н6, можно получить донорную или акцепторную примеси. Получается тонкая пленка с точно дозируемой концентрацией примеси.

Метод ионной имплантации связан с воздействием на поверхность кремниевой пластины ионов примеси, разогнанных в вакууме до энер­гий в несколько килоэлектрон-вольт. Это наиболее контролируемый и точный способ внедрения примеси.

Для биполярных транзисторов используются диффузионно-сплав­ная с меза-структурой и планарная технологии (рис. 6.39).

Полупроводниковая структура (рис. 6.39, а), полученная диффузи­онно-сплавным способом, включает в себя низкоомный высоколеги­рованный кремний (диффузия, эпитаксия), области р- и n-типов (диффузия) с вплавленным электродом базы и область р-типа (сплав­ление) на границе с металлом вывода эмиттера. Выемка меза-структуры выполнена для ограничения активной области структуры для сни­жения собственной емкости.

Планарная технология (от английского слова planar – плоский) – высокопроизводительный метод группового изготовления полупро­водниковых приборов и интегральных микросхем с предварительным нанесением «маски» на кремний. Технология включает в себя следую­щие основные операции: нанесение тонкой диэлектрической пленки на поверхность кремния, удаление способом фотолитографии или элек­тронно-фотолитографическим способом определенного участка этой пленки, введение в кристалл через образовавшиеся «окна» донорных или акцепторных примесей, металлизация области вывода электродов. Пленка наносится на исходную кремниевую подложку, чтобы предот­вратить проникновение примеси в определенные области структуры. Наиболее удобна «маска» из слоя SiO

2. Для этого кремниевая пластина помещается в печь и нагревается в атмосфере влажного кислорода. Об­разуется пленка SiO2 толщиной около 1 мкм.

а б

Рис. 6.39. Диффузионно-сплавная (а) и планарная (6) полупроводниковые структуры биполярных транзисторов

Планарная полупроводниковая структура (рис. 6.39, 6) получена диффузией алюминия в исходный кремний n-типа. Эмиттерный пере­ход и n+-слой сформированы диффузией фосфора в исходный крем­ний n-типа со стороны вывода коллектора и в диффузионный p-слой через центральное «окно» в пленке SiO2. Металлизация выполнена напылением алюминия. Подобная технология обеспечивает получе­ние высокоомного коллектора, что по мере увеличения напряжения на коллекторе приводит к расширению объемного заряда в основном в сторону коллектора. Благодаря этому эффект модуляции базы вы­ражен незначительно. Высокоомный слой в ключевом режиме тран­зистора вызывает значительное падение напряжения на коллекторе. Такая структура используется в высоковольтных транзисторах. В этом случае применяется кремниевая структура в форме диска (как в диодах), выполняется фаска. Для снижения толщины высокоомного слоя коллектора в низковольтных транзисторах применяется эпитаксиальное наращивание тонкого n-слоя на исходной пластине низкоомного n+-кремния.

Для уменьшения явления вытеснения эмиттерного тока в неболь­шой участок около базового вывода применяют специальную разветвенную сеть базовых и эмиттерных электродов мощных транзисторов.

Применяется гребенчатая, эвольвентная и многоэмиттерная кон­струкция эмиттерных переходов.

Полупроводниковые структуры полевых транзисторов изготавливаются методом планарной технологии.

Полупроводниковая структура транзистора обычно помещается в герметический корпус из металла (рис. 6.40, а), пластмассы или кера­мики. Транзисторы малой мощности могут изготавливаться в бескор­пусном исполнении (рис. 6.40, б).

В транзисторе с металлическим корпусом полупроводниковая структура 1 закрепляется на коваровом фланце 2, электроды эмиттера и базы (истока и затвора) 3 выводятся из корпуса через стеклянные изоляторы 4. Герметический корпус 5 приваривается к фланцу швом холодной сварки 6. Размеры транзистора такой конструкции могут иметь значения: Н = 2,5 + 12 мм и D1=13,7 + 30 мм. Мощные транзисторы на токи до сотен ампер имеют конструкцию, аналогичную силовым диодам, имеющую дополнительный третий вывод.

а б

Рис. 6.40. Конструкции транзисторов в металлическом корпусе (а)

и бескорпусные (б)

На рис. 6.40, б показан один из видов бескорпусного транзистора, используемого в гибридных микросхемах с гибкими выводами. К полупроводниковому кристаллу 1 методом термокомпрессии припаи­вают к контактным площадкам гибкие выводы 2 из золотой проволо­ки диаметром 30-50 мкм. Выводы дополнительно механически за­крепляют с помощью защитного компаунда 3.

Кроме указанных основных конструктивных типов различают транзисторы других модификаций р–n–р- и n–р–n-типов, в стеклянно-металлическом, пластмассовом и металлокерамическом корпу­сах, с гибкими и жесткими выводами.

Элементы биполярных ис | Основы электроакустики

Главная » Конструкторского-техннолгическое обеспечение

Элементы биполярных ис

Основным элементом в биполярных ИМС является биполярный n-p-n транзистор. Он обладает лучшими характеристиками, чем транзистор p-n-p типа, а техника изготовления более проста.

Поэтому технологический процесс изготовления биполярных интегральных схем отрабатывается так, чтобы параметры n-p-n транзистора были оптимальными, а остальные элементы изготовлены по техническому оптимуму для данного транзистора. n+ эмиттер n- коллектор p- база разделительный p+ слой  скрытый n+ слой контактное окно в окисле n+ эмиттера контактное окно окисла p базы n+ слой коллектора контактное окно в окисле n+     коллектора металлизированные проводники 

Типичная конфигурация биполярных транзисторов в плане.

 

В начале формируется коллекторная область n типа, затем акцепторной примесью базовая p область, после чего донорная примесь n, образует эмиттерную и подконтактный коллекторный  n+ слой. Широкое распространение получила транзисторная структура со скрытым n+ слоем. Скрытый слой нужен, так как вывод коллектора расположен на поверхности. Это ведет к увеличению сопротивления тела коллектора и ухудшает характеристики транзистора, как в усилительном, так и в переключающем режимах. Уменьшение удельного сопротивления коллекторного слоя снижает напряжения пробоя коллекторного p-n перехода и увеличивает емкость этого перехода, что ухудшает частотные свойства. Формирование скрытого n+ слоя обеспечивает создание низкоомного слоя от активной коллекторной области к контакту. Назначение подконтактной n+ области – это создание низкоомного омического контакта к коллектору при вплавлении алюминия, растворимость которого в кремнии составляет 1016 см-3, поэтому при вплавлении алюминия в коллекторный слой с уровнем внедрения примесей (легирования) 1015-1016 см-3 образует p-n переход. При ассиметричной конструкции характерно, что эмиттерный ток протекает к коллектору только в одном направлении. При симметричном расположении коллектора, ток эмиттера протекает к коллектору в 3 направлениях, что снижает сопротивление коллектора в 3 раза. Данная конструкция используется в мощных и высокочастотных транзисторах.

Основными параметрами интегрального транзистора являются :

  • — коэффициент усиления β, 100-200
  • — предельная частота fr, мГц 200-500
  • — коллекторная емкость Ck, 0,3-0,5
  • — пробивное напряжение коллекторного перехода vкб, 40-50 В
  • — пробивное напряжение эмиттерного перехода, 7-8 В

     

Супер β-транзисторы

 

Это транзисторы с высоким коэффициентом усиления β 3000-5000, который получается засчет уменьшения ширины базы до уровня 0,2-0,3 микрон (стандарт 1,5-2,5).
Напряжение коллекторного пробоя у них составляет 1,5-2 В из-за эффекта «смыкания» эмиттерного и коллекторного переходов. Это не универсальный, а специализированный элемент, главная область применения – входные каскады операционных усилителей.

Интегральные диоды – их функцию в интегральных элементах выполняют транзисторы с определенной коммутацией электродов.

 

БК-Э,      Э-Б

Б-ЭК

БЭ-К,      БК

Uпр   (В)

7-8

7-8

40-60

Iобр   (мА)

0,5-1

20-40

15-30

 

Напряжение пробоя больше у тех вариантов коммутации, в которых используется p-n переход. Но у них выше и больше обратные токи. Меньшее сопротивление пробоя и меньшие токи имеют варианты, в которых используется эмиттерный переход. Емкость максимальна у структуры Э,Б-К, емкость на подложке минимальна у структуры БЭ. По совокупным параметрам оптимальны схемы коммутации Э,Б-К и Э-Б. Для исключения воздействия смежных эмиттеров, которые образуют паразитные горизонтальные n-p-n транзисторы, расстояние между ними выбирают не меньше диффузионной длины носителей в базовом слое (10-15 микрон).

 

 

Многоколлекторные n-p-n транзисторы

 

Это практически многоэмиттерный транзистор, используемый в инверсном режиме. Общим эмиттером является эпитаксиальный слой, а коллекторами – n+ малых размеров. Для обеспечения достаточно высоких коэффициентов усиления в расчете на 1 коллектор, скрытый n+ слой необходимо располагать как можно ближе к базовому слою, а n+ коллекторы как можно ближе друг к другу. Структура с объединенными эмиттерными и коллекторными областями является основой интегральной инжекторной логики (И2Л).

 

Латеральный (горизонтальный) p-n-p транзистор Транзистор p-n-p используется как нагрузочный для n-p-n  переключателя транзисторов. Их изготовление одновременно с транзисторами типа n+-p-n по обычной технологии. Эмиттерные и коллекторные слои получаются на этапе базовой диффузии. Базовая область формируются на основе эпитаксиального слоя с подлегированием контактной области во время эмиттерной диффузии. Горизонтальные транзисторы имеют коэффициент усиления β 50-100, так как в них используется инжекция, то есть перенос не основных носителей заряда, только боковых областей эмиттера. Предельная частота 50 мегагерц, в том случае, если расстояние между эмиттером и коллектором 3-4 микрона. Если β будет 1,5-20 , причем частота 2-5 мегагерц, если расстояние 6-12 микрон. Для подавления действия паразитных p-n-p транзисторов (p-эмиттер, n-база, p-подложка): уменьшение площади дополнительной части эмиттера  использование скрытого n+ слоя вдоль границы эпитаксиального слоя и подложки

Режимы работы биполярного транзистора

Биполярные транзисторы

Структура МДП интегральных схем

Питание цепей коллектора

Преимущества и недостатки, а так же области применения Полевых Транзисторов

Транзисторы малой мощности

Транзисторы большой мощности

Транзисторы средней мощности

Изготовление транзисторов

  • Изучив этот раздел, вы сможете:
  • • Распознавание диффузионных и кремниевых планарных транзисторов из сплава.
  • • Осознайте преимущества кремниевой планарной технологии.
  • • Опишите основные этапы производства планарных транзисторов.

Рис. 3.2.1 Рассеивающий транзистор из сплава германия


Транзисторы с рассеиванием из сплава

Ранние транзисторы с биполярным переходом использовали различные методы для производства усилителя тока. Обычно в качестве базы транзистора использовалась тонкая германиевая пластина. Эмиттер и коллектор были изготовлены путем диффузии двух гранул индия (трехвалентного материала, имеющего три электрона в своей валентной оболочке) по обеим сторонам пластины с основанием N-типа, как показано на рис. 3.2.1.

В процессе синтеза индий диффундирует в германий. Когда два металла сливаются вместе, атомы индия (с 3 валентными электронами) смешиваются с атомами чистого германия (с 4 валентными электронами), создавая материал P-типа, в котором атомам индия будет не хватать одного электрона, и поэтому они будут связаны только с тремя. вместо четырех соседних атомов. Это создает «дырочный» носитель заряда на каждом атоме индия. Слияние прекращается непосредственно перед встречей двух областей P-типа. В результате получается чрезвычайно тонкий слой полупроводника N-типа (BASE), зажатый между двумя более толстыми слоями P-типа, которые образуют два других вывода, эмиттер и коллектор. Обратите внимание, что область типа P, используемая для коллектора, больше, чем область эмиттера. Это связано с тем, что большая часть тепла, выделяемого внутри транзистора, генерируется на переходе база/коллектор. Следовательно, этот переход должен быть больше, чтобы рассеять это дополнительное тепло.

Рассеянные транзисторы из сплава имеют несколько недостатков:

  • 1. У них плохая частотная характеристика, в основном из-за большой емкости перехода.
  • 2. Ток их коллектора увеличивается по мере повышения их температуры, что делает их уязвимыми к разрушению из-за теплового разгона.
  • 3. Они имеют относительно высокие токи утечки через переходы.
  • 4. Не выдерживают высокого напряжения.

Рис. 3.2.2 Многослойная конструкция


кремниевого планарного транзистора.

Кремниевые планарные транзисторы

Недостатки транзисторов из диффузионного сплава были преодолены в 1950-х годах путем разработки транзисторов, использующих кремний в качестве полупроводникового материала и планарной (слоистой) конструкции, показанной на рисунках 3.2.2–3.2.3. Эти транзисторы состоят из очень тонких слоев (или плоскостей) полупроводникового материала, напоминающих многослойный сэндвич). Конструкция более сложная, чем метод диффузии сплава, требующая многих отдельных этапов, нанесения оксидных слоев на кремниевую пластину и использования методов фотолитографии для вытравливания нежелательных областей кремния. Эти шаги повторяются с вариациями для создания необходимых шаблонов и слоев для формирования либо отдельных транзисторов, либо полных взаимосвязанных интегральных схем.

Хотя многие отдельные производственные этапы сложны, от формирования слитка очень чистого кремния, его разрезания на пластины и формирования на пластине необходимых компонентов, на одной кремниевой пластине одновременно могут быть изготовлены тысячи транзисторов. тогда этот метод конструкции становится намного дешевле и надежнее, чем метод диффузии сплава «по одному транзистору за раз».

После того, как транзисторы сформированы на пластине, каждый из них автоматически проверяется, и любые неисправные транзисторы помечаются пятном красителя. Затем пластина разрезается на отдельные транзисторы, а те, которые помечены как неисправные, выбрасываются.

Планарный процесс еще более эффективен при использовании для производства интегральных схем, когда на одном кремниевом кристалле одновременно изготавливается несколько взаимосвязанных транзисторов. Интегральные схемы, полученные этим методом, могут содержать всего несколько взаимосвязанных транзисторов (малая интеграция или SSI), сотни транзисторов (средняя интеграция или MSI), тысячи транзисторов (большая интеграция или LSI) или такие устройства, как микропроцессоры с миллионы взаимосвязанных транзисторов (Very Large Scale Integration или VLSI). Рис. 3.2.2–3.2.4 иллюстрируют основные этапы производственного процесса, предполагая, что пластина заполнена одиночными транзисторами.

Рис. 3.2.3 Процесс плоского построения.

  • Шаги на рис. 3.2.3

  • 1. Слой 1 — Сильно легированный кремний N-типа.
  • 2. Слаболегированный кремний N-типа нанесен поверх слоя 1, образуя двухслойный коллектор. (см. «Как работают BJT»).
  • 3. Часть коллекторного слоя вытравлена, чтобы сформировать углубление для базового слоя P-типа.
  • 4. Добавлен базовый слой типа P.
  • 5. Часть базового слоя стравливается, оставляя очень тонкий базовый слой.
  • 6. Добавлен сильнолегированный эмиттерный слой N-типа.
  • 7. Наконец, добавлены металлические соединители, позволяющие фиксировать провода после тестирования и отделять их от пластины.

Рис. 3.2.4 Готовый планарный кремниевый транзистор.

К началу страницы

 

Анализ размера и доли рынка биполярных силовых транзисторов — Отчет об отраслевых исследованиях

Анализ размера и доли рынка биполярных силовых транзисторов — Отчет об отраслевых исследованиях — Тенденции роста

Объем рынка биполярных силовых транзисторов

Период обучения: 2018 — 2028
Самый быстрорастущий рынок: Северная Америка
Самый большой рынок: Азиатско-Тихоокеанский регион
CAGR: 4,5 %
Основные игроки

*Отказ от ответственности: основные игроки отсортированы в произвольном порядке

Нужен отчет, отражающий, как COVID-19 повлиял на этот рынок и его рост?

Анализ рынка биполярных силовых транзисторов

Ожидается, что на рынке биполярных силовых транзисторов среднегодовой темп роста составит 4,5% в течение прогнозируемого периода (2022–2027 гг. ). Растущее использование электронных устройств, таких как электрические велосипеды и автомобили, способствует развитию рынка биполярных силовых транзисторов. А биполярные силовые транзисторы широко используются в интегральных схемах (ИС) из-за их компактных размеров. Прогнозируется, что другие факторы, такие как растущее сокращение размеров электронных компонентов и принятие различных государственных мер по созданию современной инфраструктуры распределения электроэнергии и генерации, будут способствовать развитию рынка.

· Кроме того, такие функции, как высокая способность рассеивания тепловой мощности, высокотемпературные приложения и высокая энергоэффективность, способствуют развитию автомобильного рынка и безопасности, управлению питанием, переключению нагрузки, линейному регулятору напряжения и подсветке промышленных деталей. водить изученный рынок. Биполярные силовые транзисторы используются в высоковольтных устройствах.

· По данным МЭА, в 2021 году мировые продажи электромобилей достигли 6,6 млн. На долю электромобилей пришлось 9% от всех продаж автомобилей по всему миру. В электромобилях биполярные силовые транзисторы используются в автомобильных фарах с мощными светодиодами. Рост автомобильной промышленности является движущей силой рынка биполярных силовых транзисторов.

· Растущие требования к управлению питанием в цепях и миниатюризации стимулируют рынок биполярных силовых транзисторов. Полупроводники NXP, например, уменьшили размер упаковки своих транзисторов на 55%, сохранив при этом те же характеристики мощности.

· COVID-19 также повлиял на глобальную цепочку поставок крупных электронных брендов. Китай является одним из крупнейших производителей и экспортеров различных входных компонентов для электроники, таких как биполярные силовые транзисторы, конденсаторы, диоды, выпрямители, усилители и т. д. Из-за постоянного простоя производства в Китае несколько производителей электроники в США и Европе были вынуждены остановить производство готовых электронных приложений, что приведет к разрыву между спросом и предложением в электронной продукции.

Сегментация биполярных силовых транзисторов

Биполярный силовой транзистор — это полупроводниковый прибор, обычно используемый для усиления. Устройство может усиливать аналоговые или цифровые сигналы. Он также может переключать постоянный ток или функционировать как генератор. Физически биполярный силовой транзистор усиливает большое напряжение и ток, но его можно подключать к схемам, предназначенным для усиления напряжения или мощности. Исследование охватывает биполярный силовой транзистор, который включает в себя PNP-транзистор, NPN-транзистор, и использование биполярного силового транзистора для основных конечных пользователей, таких как бытовая электроника, связь и технологии, автомобилестроение, производство, энергетика и электроэнергетика. Исследование также охватывает спрос в различных регионах и рассматривает влияние COVID-19.в продаже.

By Type
PNP Transistor
NPN Transistor
By End User
Consumer Electronics
Communication and Technology
Автомобильная промышленность
Производство
Энергетика и мощность
Other End Users
Geography
North America
Europe
Asia-Pacific
Latin America
Ближний Восток и Африка

Объем отчета может быть настроены в соответствии с вашими требованиями. Кликните сюда.

Тенденции рынка биполярных силовых транзисторов

В этом разделе рассматриваются основные рыночные тенденции, формирующие рынок биполярных силовых транзисторов, по мнению наших экспертов-исследователей:

Ожидается, что автомобильный сегмент будет стимулировать рост рынка

· Рынок биполярных силовых транзисторов находится под влиянием растущих технических усовершенствований автомобильной промышленности. В электромобилях биполярные силовые транзисторы используются в автомобильных фарах с мощными светодиодами.

· В связи с более широким внедрением электромобилей и гибридных транспортных средств автомобильная промышленность является одним из растущих сегментов рынка биполярных силовых транзисторов. Ожидается, что она будет иметь значительную долю. Инновации, такие как автономные автомобильные технологии, высоковольтные приложения, повысили спрос на биполярные силовые транзисторы.

· Кроме того, правительственные правила, требующие передовых систем помощи водителю (ADAS), способствовали росту сегмента. Электронные компоненты в автомобильной промышленности имеют жизненно важное значение для безопасности и подвергаются воздействию высокого напряжения и экстремальных условий. Производители отреагировали на это созданием новой линейки мощных биполярных транзисторов для автомобильных приложений.

· Например, в марте 2022 года Renesas Electronics Corporation, производитель передовых полупроводниковых технологий, объявила о расширении сотрудничества с Honda в области усовершенствованной системы помощи водителю (ADAS).

· В сентябре 2021 года компания GaN Systems, производитель силовых полупроводников на основе нитрида галлия, подписала с BMW всеобъемлющее соглашение о мощности силовых GaN-транзисторов компании, которые предназначены для повышения эффективности и удельной мощности критически важных приложений в электромобилях.

· По данным Национального института статистики и географии, в январе 2022 года в Мексике было продано 237 аккумуляторных электромобилей. Количество зарегистрированных электрических и гибридных транспортных средств в Латинской Америке значительно увеличилось в Колумбии и Бразилии, где рынок остается относительно стабильным. Гибриды стали относительно популярными среди пользователей, которые ищут экономичную альтернативу традиционному автомобилю, поскольку Мексика развивает свою инфраструктуру зарядки для электромобилей с подключаемым модулем.

Чтобы понять основные тенденции, загрузите образец Отчет

Ожидается, что в Северной Америке будет зарегистрирован значительный рост

· Северная Америка является одним из важных рынков для биполярных мощных транзисторов из-за автомобильного и других секторов региона. Полупроводниковая промышленность и производство биполярных силовых транзисторов в значительной степени зависят от Соединенных Штатов в плане производства, проектирования и исследований. Значимость региона подпитывает спрос на экспорт электронного оборудования, а также увеличивает секторы конечных пользователей, которые используют большие объемы рынка биполярных силовых транзисторов, таких как бытовая электроника и автомобили, требующие высокого напряжения.

· Нынешняя пандемия COVID-19 привела к закрытию заводов. Обе фабрики закрылись в результате недавней вспышки COVID-19. Правительство Соединенных Штатов вносит свой вклад в исследования и разработки электромобилей посредством ежегодных ассигнований в Управление по энергоэффективности и возобновляемым источникам энергии (EERE).

· Ожидается, что рост производства электронного оборудования в регионе для удовлетворения растущего спроса на электромобили, бытовую электронику и энергию и мощность будет способствовать росту рынка биполярных силовых транзисторов.

· Кроме того, закрытие заводов или неполная загрузка производственных мощностей могут привести к сокращению заказов и, как следствие, к сокращению или задержке продаж. В целом, мощные производители электроники и полупроводников, такие как TT Electronics и NXP Semiconductors, являются движущей силой индустрии биполярных силовых транзисторов в этом районе с конечными потребителями из многих секторов, таких как бытовая электроника и автомобильные запчасти. Спрос подпитывается спросом на высоковольтную бытовую электронику во всем регионе.

Чтобы понять тенденции географии, загрузите образец Отчет

Обзор отрасли производства биполярных силовых транзисторов

Рынок биполярных силовых транзисторов характеризуется высокой конкуренцией, на нем присутствуют различные ключевые игроки. Например, STMicroelectronics, TT Electronics, Nexperia, Sanken Electric Co., Ltd. и Semiconductor Components Industries, LLC поставляют биполярные силовые транзисторы. Компании также запускают новые продукты, специально предназначенные для биполярных мощных транзисторов, чтобы увеличить долю рынка. STMicroelectronics, TT Electronics, Sanken Electric Co., Ltd. и другие являются ключевыми игроками. Основные разработки —

· июнь 2021 г. — компания Nexperia выпустила высокомощные биполярные транзисторы MJD2873 NPN 50 В, 2 А, упакованные в пластиковую упаковку для устройства поверхностного монтажа (SMD) TO-252 (SOT428C). Поскольку они выделяют меньше тепла, эти устройства обладают высокой способностью рассеивания тепловой мощности и высокой энергоэффективностью. Nexperia MJD2873 отличается низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер и быстрым переключением. Управление питанием, переключение нагрузки, регулировка напряжения в линейном режиме, подсветка привода постоянного тока, моторные приводы и замена реле — все это обычные области применения этих устройств.

Лидеры рынка биполярных силовых транзисторов

  1. STMicroelectronics

  2. ТТ Электроникс

  3. Нексперия

  4. Санкен Электрик Ко., Лтд.

  5. ООО «Отрасли полупроводниковых компонентов»

*Отказ от ответственности: основные игроки отсортированы в произвольном порядке

Отчет о рынке биполярных силовых транзисторов – Содержание

  1. 1. ВВЕДЕНИЕ

    1. 1.1. Допущения исследования и определения рынка

    2. 1,2 Область исследования

  2. 2. Методология исследования

  3. 3. Сумма исполнительной власти

    9000 9003

    4,0003

    3. Сумма исполнительной власти

    9000 9003

    4. 4,0003

    . Обзор рынка

  4. 4.2 Привлекательность отрасли – анализ пяти сил Портера

    1. 4.2.1 Угроза появления новых участников

    2. 4.2.2 Способность потребителей торговаться

    3. 4.2.3. Торговая власть поставщиков

    4. 4.2.4 Угроза заместителей продуктов

    5. 4.2.5 Интенсивность конкурентной конкурентной конкуренции

  5. 4.3. Влияние COVID-19 на рынок

  • 5. ДИНАМИКА РЫНКА

    1. 5.1 Рыночные факторы

      1. 5.9.1 Растущий спрос на высокоэнергоэффективные устройства и электронику для автомобилей и электроники0018

      2. 5.1.2 Спрос на выработку энергии зеленой энергии. 6. СЕГМЕНТАЦИЯ РЫНКА

        1. 6.1 По типу

          1. 6.1.1 Транзистор PNP

          2. 6. 1.2 Транзистор NPN

          3. 0003

            6.2 от конечного пользователя

            1. 6.2.1. Потребительская электроника

            2. 6.2.2 Коммуникация и технология

            3. 6.2.3. Power

            4. 6.2.6. Другие конечные пользователи

          4. 6.3 География

            1. 6.3.1 Северная Америка

            2. 6.3.2 Европа

            3. 6.3.3.0018

            4. 6.3.4 Латинская Америка

            5. 6.3.5 Средний восток и Африка

        2. 7. Соревновательный ландшафт

          1. 7.1. Профили компании

                                                    9.1004 9.1004

                                                          1. 7.1.

                                                          2. 7.1.2 TT Electronics

                                                          3. 7.1.3 Nexperia

                                                          4. 7.1.4 Sanken Electric Co., Ltd.

                                                          5. 7.1.5 Semiconductor, LLC0018

                                                          6. 7.1.6 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,

                                                          7. 7. 1.7 Renesas Electronics Corporation.

                                                          8. 7.1.8 Solitron Devices, Inc.

                                                          9. 7.1.9 GlobalSpec

                                                          10. 7.1.10 NXP Semiconductors

                                                          *List Not Exhaustive

                                                      1. 8. INVESTMENTS ANALYSIS

                                                      2. 9. БУДУЩИЕ ТЕНДЕНЦИИ

                                                      **При наличии

                                                      Вы также можете приобрести части этого отчета. Хотите ознакомиться с прайс-листом по разделам? Часто задаваемые вопросы об исследовании рынка биполярных силовых транзисторов

                                                      Каков период изучения этого рынка?

                                                      Рынок биполярных силовых транзисторов изучается с 2018 по 2028 год.

                                                      Каковы темпы роста рынка биполярных силовых транзисторов?

                                                      Рынок биполярных силовых транзисторов будет расти в среднем на 4,5% в течение следующих 5 лет.

                                                      Какой регион имеет самые высокие темпы роста рынка Биполярный силовой транзистор?

                                                      Северная Америка демонстрирует самый высокий среднегодовой темп роста в 2018–2028 годах.

    • alexxlab

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *