Составные транзисторы отечественные: Составные транзисторы отечественные — RC74 — интернет-магазин радиоуправляемых моделей

Содержание

Составные транзисторы отечественные

Составной транзистор транзистор Дарлингтона — объединение двух или более биполярных транзисторов с целью увеличения коэффициента усиления по току. Такой транзистор используется в схемах, работающих с большими токами например, в схемах стабилизаторов напряжения, выходных каскадов усилителей мощности и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс. Условное обозначение составного транзистора. Составной транзистор имеет три вывода база, эмиттер и коллектор , которые эквивалентны выводам обычного одиночного транзистора.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

Биполярные транзисторы

Составной транзистор (схема Дарлингтона и Шиклаи)

Усилитель Дарлингтона

Схема транзистора КТ827

Отечественные составные транзисторы справочник

Транзисторы справочник онлайн

Составной транзистор. Транзисторная сборка Дарлингтона

Транзистор КТ829, kt829 характеристики и цоколевка (datasheet)

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Транзисторы серии КТ827

Биполярные транзисторы

К этим схемам относят так называемую пару Дарлингтона, пару Шиклаи, каскодную схему включения транзисторов, схему так называемого токового зеркала и др. В этой схеме ток эмиттера предыдущего транзистора является базовым током последующего транзистора. Коэффициент усиления по току пары Дарлингтона очень высок и приблизительно равен произведению коэффициентов усиления по току транзисторов составляющих такую пару.

У мощных транзисторов включенных по схеме пары Дарлингтона, конструктивно выпускаемой в одном корпусе например, транзистор КТ гарантированный коэффициент усиления по току при нормальных условиях эксплуатации не менее [2].

У пар Дарлингтона, собранных на маломощных транзисторах этот коэффициент может достигать значения Высокий коэффициент усиления по току обеспечивает управление малым током, поданным на управляющий вход составного транзистора, выходными токами превышающими входной на несколько порядков.

Примерами супербета транзисторов могут служить серии одиночных транзисторов КТ, КТ Однако и такие транзисторы иногда объединяют в схеме Дарлингтона. Поэтому в относительно сильноточных и высоковольтных схемах, где требуется снизить управляющий ток, используются пары Дарлингтона или пары Шиклаи.

Составные транзисторы Дарлингтона используются в сильноточных схемах, например, в схемах линейных стабилизаторов напряжения , выходных каскадах усилителей мощности и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс и малые входные токи.

Составной транзистор имеет три электрических вывода, которые эквивалентны выводам базы, эмиттера и коллектора обычного одиночного транзистора. Иногда в схеме для ускорения закрывания выходного транзистора и снижения влияния начального тока входного транзистора используется резистивная нагрузка эмиттера входного транзистора, как показано на рисунке.

Пару Дарлингтона электрически в целом рассматривают как один транзистор, коэффициент усиления по току которого, при работе транзисторов в линейном режиме, приблизительно равен произведению коэффициентов усиления всех транзисторов, например, двух:.

Паре Дарлингтона подобно соединение транзисторов по схеме Шиклаи Sziklai pair , названное так в честь его изобретателя Джорджа К. Шиклаи , также иногда называемое комплементарным транзистором Дарлингтона [5].

В отличие от схемы Дарлингтона, состоящей из двух транзисторов одного типа проводимости, схема Шиклаи содержит транзисторы разного типа проводимости p-n-p и n-p-n. Пара Шиклаи электрически эквивалентна n-p-n-транзистору c большим коэффициентом усиления.

Между базой и эмиттером транзистора Q2 обычно включают резистор с небольшим сопротивлением. Такая схема применяется в мощных двухтактных выходных каскадах при использовании выходных транзисторов одной проводимости.

Основная статья: Каскодный усилитель. Такой составной транзистор эквивалентен одиночному транзистору, включенному по схеме с общим эмиттером, но при этом он имеет гораздо лучшие частотные свойства, высокое выходное сопротивление и больший линейный диапазон, то есть меньше искажает передаваемый сигнал.

Так как потенциал коллектора входного транзистора практически не изменяется, это существенно подавляет нежелательное влияние эффекта Миллера и расширяет рабочий диапазон по частоте. Высокие значения коэффициента усиления в составных транзисторах реализуются только в статическом режиме, поэтому составные транзисторы нашли широкое применение во входных каскадах операционных усилителей.

Применение нагрузочного резистора R1 позволяет улучшить некоторые характеристики составного транзистора. Величина резистора выбирается с таким расчётом, чтобы ток коллектор-эмиттер транзистора VT1 в закрытом состоянии начальный ток коллектора создавал на резисторе падение напряжения, недостаточное для открытия транзистора VT2.

Таким образом, ток утечки транзистора VT1 не усиливается транзистором VT2 , тем самым уменьшается общий ток коллектор-эмиттер составного транзистора в закрытом состоянии.

Кроме того, применение резистора R1 способствует увеличению быстродействия составного транзистора за счёт форсирования закрытия транзистора, так как неосновные носители , накопленные в базе VT2 при его запирании из режима насыщения не только рассасываются, но и стекают через этот резистор. Обычно сопротивление R1 выбирают величиной сотни ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько килоом в маломощном транзисторе Дарлингтона.

Примером схемы Дарлингтона выполненной в одном корпусе со встроенным эмиттерным резистором служит мощный n-p-n транзистор Дарлингтона типа КТ, его типовой коэффициент усиления по току около при коллекторном токе 10 А.

Материал из Википедии — свободной энциклопедии. Текущая версия страницы пока не проверялась опытными участниками и может значительно отличаться от версии , проверенной 15 августа ; проверки требует 1 правка.

При этом рабочий базовый ток одиночного транзистора можно снизить до десятков пА. Такие транзисторы применены в первом каскаде операционных усилителей со сверхмалыми входными токами, например, типов LM и LM Основы теории транзисторов и транзисторных схем.

Искусство схемотехники : В 3-х томах: Пер. Электронные компоненты. Резистор Переменный резистор Подстроечный резистор Варистор Фоторезистор Конденсатор Переменный конденсатор Подстроечный конденсатор Катушка индуктивности Кварцевый резонатор Предохранитель Самовосстанавливающийся предохранитель Трансформатор Мемристор Бареттер.

Электронно-лучевая трубка ЖК-дисплей Светодиод Газоразрядный индикатор Вакуумно-люминесцентный индикатор Блинкерное табло Семисегментный индикатор Матричный индикатор Кинескоп. Терморезистор Термопара Элемент Пельтье. Транзисторные усилители. Категории : Базовые электронные узлы Транзисторы. Пространства имён Статья Обсуждение. В других проектах Викисклад. Эта страница в последний раз была отредактирована 15 августа в Текст доступен по лицензии Creative Commons Attribution-ShareAlike ; в отдельных случаях могут действовать дополнительные условия.

Подробнее см. Условия использования. Политика конфиденциальности Описание Википедии Отказ от ответственности Свяжитесь с нами Разработчики Заявление о куки Мобильная версия.

Составной транзистор (схема Дарлингтона и Шиклаи)

Здравствуйте уважаемые читатели. Существует много схем, где с большим успехом используются замечательные мощные составные транзисторы КТ и естественно иногда возникает необходимость в их замене. Кода под рукой данных транзисторов не обнаруживается, то начинаем задумываться об их возможных аналогах. Полных аналогов среди изделий иностранного производства я не нашел, хотя в интернете есть много предложений и утверждений о замене этих транзисторов на TIP

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ n-p-n СОСТАВНЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ МОЩНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ КТА, КТА, КТА и КТА1.

Усилитель Дарлингтона

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца ноябрь и декабрь года , в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины? Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs. Амбициозная цель компании MediaTek — сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик — порог входа очень низкий. Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге? Светодиод — это диод который излучает свет. Не обижайтесь, составные транзисторы кт p-n-p структуры, у вас закралась ошибка обозначено как n-p-n. Более подробно к выше посту.

Схема транзистора КТ827

Наименование составных транзисторов выделено цветом. Особенностью справочника является то, что импортные транзисторы взяты не из справочников, а из прайсов интернет-магазинов т. За основу справочника взяты отечественные транзисторы, расположенные в порядке возрастания напряжения и тока. Импортные современные транзисторы в справочник взяты из прайс-листов магазинов. Импортные и отечественные транзисторы, расположенные в одной колонке, имеют близкие параметры, хотя и не обязательно являются полными аналогами.

Внешний вид и размеры корпусов транзисторов, выпускаемых отечественной промышленностью. Основные типы корпусов отечественных транзисторов, применяемых в конструировании и изготовлении различной радиоэлектронной аппаратуры.

Отечественные составные транзисторы справочник

При проектировании схем радиоэлектронных устройств часто желательно иметь транзисторы с параметрами лучше тех моделей, которые предлагают фирмы производители радиоэлектронных компонентов или лучше чем позволяет реализовать доступная технология изготовления транзисторов. Эта ситуация чаще всего встречается при проектировании интегральных микросхем. Нам обычно требуются больший коэффициент усиления по току h 21 , большее значение входного сопротивления h 11 или меньшее значение выходной проводимости h Улучшить параметры транзисторов позволяют различные схемы составных транзисторов. Существует много возможностей реализовать составной транзистор из полевых или биполярных транзисторов различной проводимости, улучшая при этом его параметры.

Транзисторы справочник онлайн

Приведено фото транзистора КТ, его внутренняя схема, а также схема эквивалентной замены. КТ — мощный низкочастотный кремниевый составной транзистор со структурой N-P-N. Транзисторы КТ отличаются высоким коэффициентом усиления и применяются в усилителях низкой частоты, ключевых устройствах, электронных переключателях и т. Транзисторы КТ выпускаются в пластмассовом корпусе TO Цоколевка у транзисторов КТ — перевернутая. Более мощным аналогом является отечественный транзистор КТ Из зарубежных транзисторов наиболее близким по параметрам является TIP

Этот справочник по транзисторам отечественным для поверхностного Составные транзисторы (например, КТ) в справочнике выделены цветом .

Составной транзистор. Транзисторная сборка Дарлингтона

Справочник по транзисторам биполярным низкочастотным средней и большой мощности. Цены в магазинах. Входные и выходные характеристики транзисторов кта, ктб, ктв, ктг, аналоги, цена.

Транзистор КТ829, kt829 характеристики и цоколевка (datasheet)

Теория и практика. Кейсы, схемы, примеры и технические решения, обзоры интересных электротехнических новинок. Уроки, книги, видео. Профессиональное обучение и развитие. Сайт для электриков и домашних мастеров, а также для всех, кто интересуется электротехникой, электроникой и автоматикой.

Справочники по отечественным и импортным транзисторам и другим электронным компонентам с Datasheets. Здесь можно скачать документацию в pdf на отечественные и импортные компоненты.

Регистрация Забыл пароль. Теги каталога: режим, расчет, каскад, усиление, усилитель, NPN, PNP, эмиттер, коллектор, база, управление, мощный, аналоги, даташит, распиновка, принцип работы, проверка, корпус, SMD, СМД, пайка, описание, наряжение, мощность, ток, характеристики, параметры, высокочастотные, оптом, схема, справочник, маркировка, цоколевка, фото.

Биполярный транзистор — полупроводниковый электронный компонент, состоящий из трех слоев полупроводника р-n-р или n-р-n. Принцип работы биполярных транзисторов — одновременное перемещение двух типов носителей заряда электронами и дырками. В каталоге нашего магазина указаны складские розничные цены, при этом, оптовые покупатели, имеют возможность купить дешевле со скидкой.

характеристики (параметры), аналоги отечественные, цоколевка

Главная » Транзистор

TIP122 — Кремниевый, NPN, планарно-эпитаксиальный составной транзистор Дарлингтона. Конструктивное исполнение – преимущественно TO-220.

Содержание

Корпус и цоколевка
Предназначение
Характерные особенности
Предельные эксплуатационные характеристики
Типовые термические характеристики
Электрические параметры
Модификации транзистора TIP122
Аналоги
Отечественное производство
Зарубежное производство
Графические данные

Корпус и цоколевка

Предназначение

Транзисторы разработаны для применения в усилителях общего назначения и низкоскоростных переключающих устройствах.

Характерные особенности

Высокий статический коэффициент усиления по току: h_FE ≥ 1000 при I_C = 3 А.
Низкое напряжение насыщения: U_CE_(sat) ≤ 2 В при IC = 3 А; U_CE_(sat) ≤ 4 В при I_C = 5 А.
Комплементарная пара: TIP127.
Малый разброс основных параметров выпускаемыхизделий от партии к партии.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при Ta=25°C, если не указано иное.

Характеристика		Символ	Значение
Напряжение коллектор-база, В		U_CBO	100
Напряжение коллектор-эмиттер, В		U_CEO	100
Напряжение база-эмиттер, В		U_EBO	5
Ток коллектора постоянный, А		I_CO	5
Ток коллектора пиковый, А		I_CM	8
Ток базы постоянный, мА		I_BO	120
Мощность рассеяния, Вт	при T_С = 25°С	P_C	65
Мощность рассеяния, Вт	при Ta = 25°С	P_C	2
Предельная температура кристалла, °С		T_J	150
Диапазон температур при хранении, °С		T_STG	от -55 до 150

Типовые термические характеристики

Характеристика	Символ	Величина
Тепловое сопротивление: коллекторный переход – внешняя среда, °С/Вт	R_ƟJA	62,5
Тепловое сопротивление: коллекторный переход – корпус транзистора, °С/Вт	R_ƟJC	1,92

Электрические параметры

Данные в таблице действительны при температуре внешней среды Ta = 25°C.

Характеристика	Обознач.	Параметры при измерениях	Значения
Ток коллектора выключения, мА	I_CBO	U_CB = 100 В, I_E = 0	≤ 0,2
Ток выключения коллектор-эмиттер, мА	I_CEO	U_CE = 50 В, I_B = 0	≤ 0,5
Ток базы выключения, мА	I_EBO	U_EB = 5 В, I_C =0	≤ 2
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В *	U_CE(sat)(1)	I_C = 3 А, I_B = 12 мА	≤ 2 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В *	U_CE(sat)(2)	I_C = 5 А, I_B = 20 мА	≤ 4 В
Напряжение включения база-эмиттер, В *	U_BE(ON)	I_C = 3 А, U_CE = 3,0 В	≤ 2,5
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В *	U_CEO(sus)	I_C = 30 мА, I_B = 0	100
Статический коэффициент усиления по току *	h_FE(1)	U_CE = 3 В, I_C = 0,5 А	≥ 1000
Статический коэффициент усиления по току *	h_FE(2)	U_CE = 3 В, I_C = 3 А	≥ 1000
Выходная емкость, pF	C_OB	U_CB = 10 В, I_E = 0, f = 0,1 МГц	300

٭ — параметры сняты в импульсном режиме: ширина импульса 300 мкс, коэффициент заполнения (скважность) ≤ 2 %.

Модификации транзистора TIP122

Модель	P_C ٭	U_CB	U_CE	U_EB	I_C	T_J	C_C, pF	h_FE	Корпус
TIP122	65	100	100	5	5	150	300	≥ 1000	TO-220
TIP122F	65	100	100	5	5	150	200	≥ 1000	TO-220FP ٭٭
TIP122FP	29								TO-220FP ٭٭
TIP122L	40								TO-126
STTIP122	65								TO-220
HTIP122	65								TO-220AB

٭ — данные для сравнения по мощности приводятся для температуры коллектора транзистора TC = 25°C.

٭٭ — модели транзисторов TIP122F и TIP122FP выполнены в корпусе TO-220FP, обеспечивающем повышенное напряжение пробоя изоляции между выводами и внешним охладителем – 1500 В постоянного тока.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые планарно-эпитаксиальные, NPN, составные, импульсные. Разработаны для применения в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, переключающих устройствах и других схемах аппаратуры широкого применения.

Отечественное производство

Модель	P_C *	U_CB	U_CE	U_EB	I_C	T_J	f_T	C_C, pF	h_FE	Корпус
TIP122	65	100	100	5	5	150		300	≥ 1000	TO-220
КТ716А/Б	60	100/80	100/80	5	8/10	150	6	150	от 500 до 750	TO-220, TO-66
КТ8116А/Б	65		100		5		4	—	1000	TO-220
КТ8116А/Б	25		100		3		4	—	1000	DPAK
КТ8141А	60	100	100		8		7	—	750	TO-220
КТ8147А/Б	100	700/500	—	8	10		5	—	5	—
КТ8158В	125	100	100	5	12		5	—	2500	TO-218

Зарубежное производство

Модель	P_C *	U_CB	U_CE	U_EB	I_C	T_J	h_FE	Корпус
TIP122	65	100	100	5	5	150	≥ 1000	TO-220
NTE261	65	100	100	5	8	150	1000	TO-220
NTE263	65	100	100	5	10	150	1000	TO-220
RCA122	65	100	100	5	8	150	1000	TO-220
SE9302	70	100	100	5	10	150	1000	TO-220
TIP102	80	100	100	5	8	150	1000	TO-220
TIP132	70	100	100	5	8	150	1000	TO-220
WW263	65	100	100	5	10	150	1000	TO-220
2N6045G	75	100	100	5	8	150	1000	TO-220AB
2SD498	75	100	100	5	8	150	1000	TO-220
3DA122	65	100	100	5	5	150	1000	TO-220
3DA142T	80	100	100	5	10	150	1000	TO-220
3DD122	65	100	100	5	5	150	1000	TO-220
BDW93C	80	100	100	5	12	150	15000	TO-220
CFD811	65	110	100	5	8	150	1000	TO-220FP
HEPS9151	65	100	100	5	8	150	1000	TO-220
HP102	80	100	100	5	8	150	1000	TO-220
HP122	65	100	100	5	5	150	1000	TO-220
HP142T/TS	80/70	100	100	5	10/8	150	1000	TO-220
MJE6045/T	75	100	100	5	8	150	1000	TO-220 TO-220AB

Примечание: данные в таблицах взяты из даташит производителя.

Графические данные

Рис. 1. Типичные зависимости коэффициента усиления по постоянному току h_FE от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора T_C в режиме повторяющихся импульсов длительностью t_p = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. При этом коллекторное напряжение U_CE = 3 В.

Рис. 2. Зависимости напряжения насыщения транзистора U_CE(sat)от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора T_C в режиме повторяющихся импульсов длительностью t_p = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы I_B соотносится с током коллектора I_Cкак 1:100.

Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения базы U_BE(sat) от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 4. Зависимости входной C_ib и выходной C_ob емкостей от обратных напряжений, приложенных к коллекторному и базовому p-n переходам U_CB и U_EB.

Зависимости сняты при частоте приложенных напряжений f = 0,1 МГц.

Рис. 5. Ограничение предельной рассеиваемой мощности P_C транзистора при возрастании температуры коллекторного перехода T_C.

Рис. 6. Области безопасной работы транзистора.

Области безопасной работы ограничиваются:

по напряжению — величиной напряжения коллектор-эмиттер, чреватой невосстановимым пробоем п/п структуры транзистора;
по величине тока – предельным значением тока в цепи коллектор-эмиттер, при котором происходит локальный перегрев и прожигание п/п структуры;
по величине рассеиваемой мощности – предельным значением, при котором в результате перегрева параметры транзистора безвозвратно изменяются в сторону их ухудшения.

Графические характеристики сняты при различных значениях предельной импульсной мощности в режимах с однократными неповторяющимися импульсами тока длительностей 100 мкс, 500 мкс, 1 мс, 5 мс, а также при постоянном токе (на графике обозначен как DC).

GoodSystem успешно локализовала подложки с высокими характеристиками рассеивания тепла для полупроводниковых корпусов с металлическими композитными материалами Cu-Diamond

26 мая 2022 г. Корейский язык

Малому и среднему предприятию в Южной Корее удалось локализовать высокоэффективные теплорассеивающие подложки для полупроводниковых корпусов, изготовленные из металлических композитных материалов Cu-Diamond. Обладая самой высокой в мире теплопроводностью и низким коэффициентом теплового расширения, он выходит на внутренний и зарубежный рынки материалов для беспроводной связи 5-го и 6-го поколения (G) и материалов для рассеивания тепла электромобилей.

Компания GoodSystem (TGS; генеральный директор Мён Хван Чо), производитель полупроводниковых устройств, сообщила 23-го числа, что они успешно разработали металлический композитный материал Cu-Diamond и приступили к серийному производству.

<Высокоэффективная теплорассеивающая подложка TGS для полупроводниковых корпусов с металлическими композитными материалами Cu-Diamond, локально протравленными на поверхности.>

Компании удалось создать лучшие в мире характеристики теплоотвода с теплопроводностью класса 800 Вт/мК и тепловым сопротивлением 8 PPM. коэффициент расширения в качестве теплоотводящего материала для радиочастотных (РЧ) мощных транзисторов для беспроводной связи 5·6G и мощных биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) для электромобилей.

Из-за недавнего увеличения скорости передачи данных и пропускной способности увеличивается выход мощных полупроводниковых модулей, используемых в информационных коммуникациях и силовых областях, а также количество полупроводниковых микросхем, установленных на единицу площади, и перегрев стал важный вопрос. Металл-алмазные композиционные материалы привлекают внимание с целью получения высокой теплопроводности и низких характеристик теплового расширения. Однако из-за большой разницы в плотности между металлическими и алмазными частицами было трудно равномерно диспергировать и синтезировать два материала, поэтому они не были коммерциализированы.

<Взаимосвязь между коэффициентом теплового расширения и теплопроводностью Cu-Diamond от TGS.>

TGS удалось разработать металлический композитный материал Cu-Diamond, который не удалось разработать даже ведущим мировым компаниям по производству материалов, с принципиально отличающейся собственной технологией. от существующей технологии производства. Это стало поворотным моментом в отечественной промышленности теплорассеивающих материалов, которая зависела исключительно от импорта. В частности, при стабильных поставках высококачественного технического алмазного порошка, который является ключевым материалом, теперь возможно производство полностью из отечественных материалов.

Основные технологии компании включают специальное алмазное порошковое покрытие и технологию равномерного рассеивания, бесплатную обработку и дизайн продукта, проверенную надежность в испытаниях на термический удар, высокую производительность благодаря запатентованному методу производства и низкие производственные затраты. Два продукта, arCuDia и SbS-Dia, считаются обладающими лучшими в мире свойствами рассеивания тепла, а их способность проектировать характеристики рассеивания тепла в соответствии со спецификациями заказчика считается конкурентоспособностью на глобальном уровне. Они также обеспечили 37 прав интеллектуальной собственности.

<Различные медно-алмазные металлические композитные материалы TGS для высокоэффективных теплорассеивающих подложек для полупроводниковых корпусов.>

В настоящее время зарубежные заказчики заинтересованы в применении высокоэффективных теплорассеивающих материалов, таких как беспроводная связь следующего поколения и аэрокосмическая промышленность. . Продукция оценивается компаниями из США, Израиля и других стран. После выставки «Нюрнбергское преобразование энергии и интеллектуальное движение (PCIM Europe)» в Германии в прошлом месяце они также примут участие в «Международном микроволновом симпозиуме (IMS) в Денвере». Выставка 2022 года» в июне для проведения маркетинга продукции.

Генеральный директор Мён Хван Чо сказал: «Мощные полупроводниковые чипы и высокоэффективные теплорассеивающие подложки должны быть реализованы одновременно, а существующие теплорассеивающие материалы имеют ограниченное применение в мощных модулях из-за их низкой теплопроводности. », добавив: «Ожидается, что высокопроизводительный металлический композитный материал Cu-Diamond, разработанный исключительно в Южной Корее, получит взрывной спрос во всем мире, когда связь 6G с использованием спутниковой связи и электрических автономных транспортных средств будет коммерциализирована».

Штатный репортер Хан-сик Ким hskim@etnews. com

Композиты | Композитные материалы | Goodfellow Materials Hub

Какой материал вы ищете?

Композиты

Композитный материал изготовлен из двух или более составляющих материалов со значительно различающимися физическими или химическими свойствами. В сочетании эти компоненты создают материал с новым набором характеристик. Отдельные компоненты не смешиваются полностью, вместо этого они остаются отдельными в готовой структуре, что отличает композиты от смесей и твердых растворов, таких как сплавы.

Композиты обычно состоят из армирующего материала, например искусственных волокон, таких как стеклянные, углеродные или арамидные, или натуральных волокон, и полимерной матрицы, которая связывает волокна. Они также могут включать основные материалы, наполнители, добавки и отделку поверхности, чтобы обеспечить уникальные рабочие характеристики. Композиты создаются с учетом конкретного применения и для обеспечения большей прочности, эффективности, долговечности, жесткости, теплопроводности, стойкости к истиранию, стабильности размеров и эстетических свойств, среди прочих свойств. Универсальное средство, они используются в самых разных отраслях промышленности.

Select CategoryAlloysCeramicsCompositesCompoundsGlassGreenMetalsNanoPolymersSemi-MetalsTop Materials
Select Tag0.2% Proof stengthAbrasion ResistantAcousticActuatorsAerospaceAestheticAge hardenableAircraft bulkheadsAircraft componentsalloyed with platinum and iridiumAluminumAmmunitionAmorphousand lustrousand Magnesiumand Magnesium.Anti-corrosion Chrome-plating; изготовление нержавеющей стали; TanningAnti-inflammatoryAntimicrobialAttacked by oxygen and by water vapour at elevatedAutomotive/tubular grids in battery industryBacteriostaticBiocompatibleBiodegradableBoltsBreaker switch/fuseBrittleBulletproofBurns easilyburns easily when ignited.Castablecatalystcatalytic converters designed to clean vehicle emissionsCathode ray tubesCenterless ground rodsChemical ResistanceChemical resistantChemical StabilityChemically StableCircuit breaker terminalsCircuit breakersClampscoating optic fibersCombustion cansCommutator barsCompositesComputersConcentrated solar powerConductiveContactsControl resistorsCorrosion сопротивлениеКоррозионностойкийСтойкий к коррозииЭкономичныйСопротивление ползучестиОпасно для здоровья человекаДеоксидантыДекоративныеПлотныеДетекторыДиафрагмыСтабильность размеровДискиРастворяется как в разбавленных, так и в концентрированных кислотахМедленно растворяется в разбавленных минеральных кислотахНе легко реагирует на кислородПластичныйпластичныйНизкая температура плавленияДолговечныйДинамическийЛегко поддается обработкеЛегко формоватьЛегко к fabricateEasy to join and installEasy to machineElasticElastic solidElectric motors in cordless toolsElectrical ConductiveElectrical conductivityElectrical connectorselectrical contact materialElectrical elements in both industrial and domestic applicationsElectrical insulationElectrical InsulatorElectrical resistanceElectrical resistantElectrical switchesElectrical transformersElectrically conductiveElectrically resistantElectricity resistantElectro and Thermal ConductiveElectroconductiveElectronic and optical propertiesElectronic tubes (powerElectroresistantElectrosinsulatingEnergy harvestersEnhances high-temperature oxidation resistanceEnvironmental resistanceExcellent machinabilityExpansion управлениеСопротивление усталостиПредставленныйФерромагнитныйФильтрацияМелкозернистая структураОгнезамедлительОгнеупорныйОгнестойкийНегорючийОгнезащитный Поглотитель с низким содержанием влагиогнеопасныйFlatwireГибкостьГибкийПоковкиСтабильность формыФормуемыйПлавкийГаллий легко связывается с большинством металловГазовая турбина ponentsХорошая коррозионная стойкостьХорошая стойкость к кислородуХорошая конструкционная прочностьХорошая износостойкостьЗначительно улучшенная физическаяЗеленый материалЖесткие дискиЖесткие дискиТвердый термопластТвердостьТермостойкостьЖаростойкийТеплопередачаТеплообработкаОборудование для термообработкиНагревательные элементыНагревательные элементы как в бытовых, так и в промышленных приборахСверхмощные печи для термообработкиВысокотемпературные характеристикиГерметическое уплотнениеТрубы HHS®Высокая температура кипенияВысокая химическая реактивностьВысокая коррозионная стойкостьВысокая коррозионная стойкостьВысокая плотностьВысокая плотность пластичностьВысокая электрическаяВысокая электрическая и теплопроводностьВысокое удельное электрическое сопротивлениеВысокое поглощение энергииВысокая усталостная прочностьВысокая текучестьВысокая ударная вязкостьВысокие магнитные свойстваВысокая температура плавленияВысокая передача влагиВысокая производительностьВысокая пористостьПроволока высокой чистотыВысокое преломлениеВысокая прочностьВысокая прочность на разрывВысокая термостойкостьВысокая температурная стабильностьВысокая термостойкостьВысокая прочность на растяжениеВысокая теплопроводностьВысокая h поглощение тепловых нейтроновВысоковольтные линии электропередач и автоматические выключателиОчень красочные и разнообразные степени окисленияЛегковоспламеняющиесяСильно изолирующиеИнструменты для горячей обработкиГибридные кожухи цепейГидрофильныеГидрофобныеГипераллергенныеУдаропрочныеНепроницаемыеУлучшенные тепловые характеристикиПри контакте с водойИнертныеНедорогиеГорючиеНерастворимыеИзоляторРаздражающиеПовышает прочность полезных для здоровья сплавов металлов, таких как хром, вступает в реакцию с образованием гидроксида печиЛазерные соплаЛазерыСвинцовые рамыБез свинцаЛегкийЛегкийЛегкийОблицовка резервуаров. Жидкость при комнатной температуре или близкой к нейНагрузочный подшипникДолгий срок службыДолгий срок службы при высоких температурахНизкая стоимостьНизкая плотностьНизкая электропроводностьНизкое трениеНизкая термостойкостьНизкое техническое обслуживаниеНизкая температура плавленияНизкая проводимость металлаНизкое влагопоглощениеНизкая пористостьНизкая пористостьНизкая реактивность и низкая токсичностьНизкая относительная летучесть при большом объемеНизкая температураНизкая термостойкостьНизкая ermal resistanceLow ToxicityLow Water AbsorbingLustrousMachinableMagneticMagnetic fastenersMagnetic permabilityMagnetic SheildingMagnetron bodies and coolersMaintenance FreeMaleableMalleableMan madeMeasuring and positioning devicesmechanical and electrical propertiesMechanical assemblyMicrofluidic devicesMicroscale electromagnetsMicroscale electronicsMicrowave componentsMIG/MAG welding contact tipsMinimises wasteMinimum distortionMoldableMotorsMould and lay up tools for compositesMould resistantNatural resistance to corrosionnegligible porosityNon ReactiveNon toxicNon-ConductiveNon-FlammableNon-magneticNon -смачиваниеБез запахаOLEDOНепрозрачныйОптическая прозрачностьОптическое волокноКорпуса осцилляторовСтойкий к окислениюПроницаемый пигменты и красители; Блестящие поверхностные покрытияВыводыТрубы и оболочки силовых кабелейЭлектроды и сопла для плазменной резкиГибкиеПММАТочныеТочное и равномерное тепловое расширениеТочностьТочные лопатки конденсаторовПроизводство бумажной массыПроизводство транзисторов и диодов в электронной промышленностиЗащитныеПрототипыРадиальные стержни для роторов генераторовРадиальные стержни для роторов генераторов. с водой и воздухомРеагирует на сильные кислотыРеагирует с водой и воздухомлегко окисляетсяПерерабатываемыйПригодный для повторного использованияОтражающийОгнеупорныйАрмирующийОтносительно стабильный на воздухеОтносительно стабильный на воздухе и очень нестабильный при разделенииДетали релеУпругийСтойкий к высокотемпературной коррозииСтойкий к окислениюПриводит к меньшему количеству отходов при использованииСохраняет механические свойства до 950 FСтопорные кольцаРетросветоотражающиеУкрашения с родиевым покрытием.Секция кольцаНаучные приборыПолупроводниковые базыПолупроводникиДатчикиПамять формыФасонная проволокаОболочка электронагревательных элементовУдаропрочностьУдаропрочнаяСущественно повышает стойкость к высокотемпературному окислениюсеребристо-металлическийсеребристо-белый металлПроволока SLT®Мелкая бытовая техникаГладкаяРазъемные разъемыМягкая, достаточно мягкая, чтобы ее можно было разрезать ножомМягкая серебристая и плотнаяСолнечные элементыПайка и сварка tipsSound absorbingSphericalSpot welding electrodesSpring contactsSpringsStabilityStability against alkalis acids and salt waterStableSteam-generator tubingSterileStickyStrand and cablesStrengthStress resistantStribgStringStrongStructuralStructurally stableStub bases for power transmissionStudsSuited for high stresses in applicationsSuperconductiveSwitch blade jawsSwitch gear partsTarget foils for nuclear physicsTarnishes in air and reacts with waterTarnishes in moist airTechnicalTemperature ResistantTemperature sens itiveTemperature StabilityTensile StrengthThermal conductiveThermal conductivityThermal InsulatorThermal resistantThermal Shock ResistanceThermal shock resistantThermal stabilityThermally stableThermoconductivethermocouple elements and headlight reflectors.