Полевой транзистор распиновка
Полевые транзисторы — специальный класс транзисторов, которые могут использоваться в качестве выключателей, регуляторов тока или усилителей. Полевой транзистор, отличается от обычного транзистора тем, что ток в нем двигается не пересекая P-N перехода. Величиной тока можно управлять путем регулировки затворного потенциала, подаваемого через этот переход. Существует две основные разновидности полевых транзисторов: полевые транзисторы с затвором на основе перехода и полевые транзисторы с изолированным затвором. Полевой транзистор с затвором на основе перехода состоит из канальной области канала и затвора. Когда он работает, то ток протекает через канал от клеммы истока к клемме стока.
Поиск данных по Вашему запросу:
Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
- Цоколевка широко распространенных транзисторов
- Принцип работы полевого транзистора для чайников
- Полевые транзисторы
- Полевой транзистор
- Транзистор IRF640N
- Цоколевка широко распространенных транзисторов
- Транзисторы биполярные (5 шт.)
- Транзистор IRF830
Цоколевка широко распространенных транзисторов
Компьютер — это сложная система, состоящая из отдельных частей. Разбирая, как работают эти отдельные части большие и малые , мы приобретаем знание. Обретая знание, мы получаем шанс помочь своему железному другу-компьютеру, если он вдруг забарахлит. Мы же ведь в ответе за тех, кого приручили, не правда ли? Из всех видов транзисторов их немало мы ограничимся сейчас рассмотрением работы полевых транзисторов.
Среди всего многообразия транзисторов есть и полевые, то есть такие, которые управляются электрическим полем. Электрическое поле создается напряжением. Таким образом, полевой транзистор — это полупроводниковый прибор, управляемый напряжением. Есть другие типы полупроводниковых транзисторов, в частности, биполярные, которые управляются током. При этом на управление затрачивается и некоторая мощность, так как к входным электродам необходимо прикладывать некоторое напряжение.
На практике, однако, полевые транзисторы используются большей частью не в статическом режиме, а переключаются с некоторой частотой. Конструкция полевого транзистора обуславливает наличие в нем внутренней переходной емкости, через которую при переключении протекает некоторый ток, зависящий от частоты чем больше частота, тем больше ток.
Так что, строго говоря, некоторая мощность на управление все-таки затрачивается. Настоящий уровень технологии позволяет сделать сопротивление открытого канала мощного полевого транзистора ПТ достаточно малым — в несколько сотых или тысячных долей Ома!
И это является большим преимуществом, так как при протекании тока даже в десяток ампер рассеиваемая на ПТ мощность не превысит десятых или сотых долей Ватта. Таким образом, можно отказаться от громоздких радиаторов или сильно уменьшить их размеры.
Из всего многообразия типов ПТ для этих целей используются ПТ с индуцированным каналом. ПТ с индуцированным каналом содержит три электрода — исток source , сток drain , и затвор gate.
Принцип работы ПТ наполовину понятен из графического обозначения и названия электродов. В источниках питания ПТ используется в ключевом режиме, то есть канал или полностью открыт, или полностью закрыт.
Честно сказать, принципы действия ПТ гораздо более сложны, он может работать не только в ключевом режиме. Его работа описывается многими заумными формулами, но мы не будем здесь все это описывать, а ограничимся этими простыми аналогиями. Скажем только, что ПТ могут быть с n-каналом при этом ток в канале создается отрицательно заряженными частицами и p-каналом ток создается положительно заряженными частицами.
На графическом изображении у ПТ с n-каналом стрелка направлена внутрь, у ПТ с p-каналом — наружу. В норме сопротивление между любыми выводами ПТ бесконечно велико. И, если тестер показывает какое-то небольшое сопротивление, то ПТ, скорее всего, пробит и подлежит замене.
Это справедливо для ПТ с n-каналом. Для ПТ с p-каналом полярность щупов будет обратной. Как проверить диод с помощью цифрового тестера, описано в соответствующей статье. Если поменять полярность щупов, к диоду будет приложено обратное напряжение, он будет закрыт и тестер это зафиксирует. Однако исправность защитного диода еще не говорит об исправности транзистора в целом. В таких случаях можно выпаять транзистор, и, используя небольшую схему для тестирования, однозначно ответить на вопрос — исправен ли ПТ или нет.
В исходном состоянии кнопка S1 разомкнута, напряжение на затворе относительно стока равно нулю. ПТ закрыт, и светодиод HL1 не светится. При замыкании кнопки на резисторе R3 появляется падение напряжения около 4 В , приложенное между истоком и затвором. ПТ открывается, и светодиод HL1 светится. Эту схему можно собрать в виде модуля с разъемом для ПТ.
Транзисторы в корпусе D2 pack который предназначен для монтажа на печатную плату в разъем не вставишь, но можно припаять к его электродам проводники, и уже их вставить в разъем.
Для проверки ПТ с p-каналом полярность питания и светодиода нужно изменить на обратную. Иногда полупроводниковые приборы выходят из строя бурно, с пиротехническими, дымовыми и световыми эффектами. В этом случае на корпусе образуются дыры, он трескается или разлетается на куски. И можно сделать однозначный вывод об их неисправности, не прибегая к приборам. Однако, теория, как известно, без практики мертва! Надо обязательно поэкспериментировать с полевиками, поковыряться, повозиться с их проверкой, пощупать, так сказать.
Кстати, купить полевые транзисторы можно вот здесь. А у полевого — 0. У полевого — только один диод защитный , включенный параллельно каналу. Это у тех полевиков, про которые я писал. Виктор,скажите на сегодня в схеме-всё ок или нет.
С наступающим! Да, я схему точнее нумерацию элементов давно подправил.
В схеме все ок. Николай, и Вас с наступающим Новым годом, и всего самого наилучшего! Это значит, естественно, что такие выводы нужно припаять к общему проводу. Следует отличать обозначение общего провода от знака заземления, состоящего из трех параллельных черточек разной длины.
Такой знак чаще всего встречается на схемах простых приемников, для хорошей работы которых нужна не только наружная антенна, но и заземление — проводник, подпаянный к зарытому в землю металлическому предмету. Как правило, заземляют общий провод конструкции. Общий — это общий, земля — это земля. Выводы, подключенные к общему проводу, должны быть соединены между собой, иначе схема не будет работать.
Во многих случаях схема будет работать нормально, если общий провод ее не заземлять. Например, в проверочной схеме в статье ее общий провод можно не заземлять — все и так будет работать. Заземление нужно, нужно в частности, в силовых цепях для защиты от поражения электрическим током. На западе давно применяется трехпроводная система питания — фазный провод, нулевой провод и земля.
Для нормальной работы защиты земельный провод должен быть соединен с металлическим штырем их может быть несколько , вкопанным в землю. Да, в этом вопросе существует некоторая путаница. Наверное, правильнее будет, если рисовать схемы, не требующие заземления, с одной горизонтальной чертой. Да, это в интегральной технологии очень широко используется. А если брать отдельно, то транзисторы с n-каналом используются гораздо чаще, чем с p-каналом. По Вашей схеме можно проверить любые ПТ?
Ведь они различаются по напряжению. Извините за дилетантский вопрос. Геннадий, можно проверить ПТ с n-каналом. За все транзисторы говорить не буду всего многообразия их не знаю. Большинство проверить можно. Этого хватает, чтобы ПТ открылся, и сопротивление открытого канала стало небольшим. В то же время это меньше предельного напряжения исток-затвор, поэтому транзистор из строя не выйдет. Если придется проверять какой-то хитрый транзистор, надо посмотреть даташит.
Главное здесь — чтобы канал был хорошо открыт, и прилагаемые напряжения не превысили максимально допустимых.
А после, уже рассказать про ПТ со встроенным и индуцированным каналом, про то что у них затвор полностью изолирован от этих каналов и это одно из главных его свойств. Что же касаемо ПТ с изолир. Отличие в том, что канал пропускает незначительный ток от приложенного напряжения между стоком и истоком как и канал ПТ с управляющим p-n переходом о котором шла речь в самом начале.
Но, почему говорим незначительный ток — да потому, что встроенный канал имеет туже проводимость что сток и исток только очень слабо легированную, в то время как сток и исток всегда сильно легированы так же как весь канал в ПТ с управляющим p-n переходом. Вот это и придает этому типу ПТ его характеристики и отличительные свойства от ПТ с индуцированным каналом и ПТ с управляющим p-n переходом. Так что в ПТ со встроенным слаболегтрованым каналом — своя структура транзистора и его способ управления.
И как же он управляется и как при этом воздействует на ток в канале. Очень просто: ток как уже стало понятно протекает но не значительный.
Такое нас конечно не устраивает. При подаче соответствующей полярности управляющего напряжения на затвор и исток канал можно настолько отсечь, выгнать из него основные носители зарядов соответствующего типа проводимости канала, что он полностью заглохнет. А поменяв полярность управляющего напряжения между затвором и истоком, можно создать условия для лавинного втягивания основных носителей зарядов соответствующего типа проводимости канала и он — этот канал, станет проводить большой ток насколько это возможно: Таким образом стало понятно как управлять тем или тем ПТ и все это благодаря только их структуры.
Блог у меня о компьютерах. Поэтому и был рассмотрен только ПТ с индуцированным n-каналом. Такие как раз и используются в цифровой технике. ПТ в сильноточном стабилизаторе схемы питания ядра процессора, в блоке питания компьютера, в бесперебойных источниках питания как раз такие. Была приведена простая аналогия, позволяющая уяснить принцип работы.
А так, да — существуют несколько типов ПТ.
Но я не стал усложнять картину, и не рассказал об обогащенных и обедненных ПТ, об отсечке, крутизне, лавинном пробое, V-канавке, основных и неосновных носителях в канале. Сколько терминов, скорее всего, сразу отпугнет новичка.
Принцип работы полевого транзистора для чайников
Благодаря большой токовой способности и низкому сопротивлению канала транзистор IRF часто используется в качестве силовых ключей в автомобильных электронных устройства и там где нужно коммутировать относительно большие токи при небольших напряжениях. Цоколевка стандартная как и у большинства силовых транзисторов:. При этом обещают сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. Это ограничение называют ограничением по максимальному току корпуса.
Один из самых первых отечественных полевых транзисторов, заслуживший Технические параметры транзистора КП, распиновка и цоколевка.
Полевые транзисторы
Не знаю, как вы, а я лично постоянно забываю, где у полевых МОП-транзисторов a. Поэтому я решил сделать себе небольшую шпаргалку, ну и заодно поделиться ею с вами.
Я также подготовил упрощенную PDF-версию этого поста , которую можно распечатать на половине листа A4 и повесить на стену. Итак, у МОП-транзисторов три ноги, называемые затвором gate , истоком source и стоком drain :. При использовании незнакомого полевика, естественно, следует свериться с его даташитом. Транзистор с N-каналом подключается, что называется, в нижнем плече low-side , а с P-каналом — в верхнем плече high-side. По такой схеме полевые транзисторы используются для нагрева паяльника, управления двигателями , и так далее. Fun fact! На самом деле, полевые транзисторы разделяют еще на две категории : enhancement mode и depletion mode. Последние встречаются существенно реже и обычно являются N-канальными.
Полевой транзистор
В технике и радиолюбительской практике часто применяются полевые транзисторы. Такие устройства отличаются от обычных, биполярных, транзисторов тем, что в них управление выходным сигналом осуществляется управляющим электрическим полем. Особенно часто используются полевые транзисторы с изолированным затвором.
В зависимости от технологии изготовления такие транзисторы могут быть n- или p-канальными.
Новости: 9. Высказывания: Одинаковые приборы, проверенные одинаковым образом, будут в эксплуатации вести себя совершенно по разному.
Транзистор IRF640N
Компьютер — это сложная система, состоящая из отдельных частей. Разбирая, как работают эти отдельные части большие и малые , мы приобретаем знание. Обретая знание, мы получаем шанс помочь своему железному другу-компьютеру, если он вдруг забарахлит. Мы же ведь в ответе за тех, кого приручили, не правда ли? Из всех видов транзисторов их немало мы ограничимся сейчас рассмотрением работы полевых транзисторов.
Цоколевка широко распространенных транзисторов
В транзисторе имеется PN переход, но его единственное назначение — обеспечить непроводящую обедненную область, которая используется для ограничения тока через канал. Обратите внимание на то, что вывод стока соединяется с любым концом N-канала, и что вывод затвора прикреплен к металлической пластине, отделенной от канала тонким изолирующим барьером.
Этот барьер иногда выполняется из двуокиси кремния основного химического соединения, находимого в песке , которая является очень хорошим изолятором. Также обратите внимание на то, что у полевого транзистора с изолированным затвором имеется четыре вывода. На практике вывод подложки непосредственно соединен с истоком , чтобы сделать эти два вывода общими.
Рассмотрены особенности работы полевых транзисторов типа MOSFET. Приведена методика как проверить полевой транзистор р- и n-канального.
Транзисторы биполярные (5 шт.)
На принципиальных схемах можно встретить обозначения полевого транзистора той или иной разновидности. Чтобы не запутаться и получить наиболее полное представление о том, какой всё-таки транзистор используется в схеме, сопоставим условное графическое обозначение униполярного транзистора и его отличительные свойства, и особенности. Независимо от разновидности полевого транзистора он имеет три вывода. Один из них называется Затвор З.
Транзистор IRF830
Что вам в них? Схемы принципиальные Библиотечка литературы Радиолюбительская хрестоматия Новости электроники Карта сайта Магазинчик на сайте Загрузка Топ 10! В приемнике, рассчитанном на два диапазона средневолновый и длинноволновый , используются две лампы типа СО
Что вам в них? Схемы принципиальные Библиотечка литературы Радиолюбительская хрестоматия Новости электроники Карта сайта Магазинчик на сайте Загрузка
Полевые транзисторы.
Транзисторы малой мощности. Транзисторы средней и большой мощности. Цветовая и кодовая маркировка полевых и биполярных транзисторов. Метки: маркировка транзистора , транзистор , цоколевка транзистора. Рекомендуемый контент.
Полевой транзистор с управляющим PN-переходом — это очень мутная тема для многих начинающих электронщиков. Как вы знаете, поле бывает разным. Бывает такое:.
Транзистор полевой КП103 — DataSheet
Перейти к содержимому
Цоколевка транзистора КП103Описание
Малошумящие диффузионно-планарные полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -55…+85 °С.
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КП103Е | 2N3329, IFP44 *2, 2N2842 *2 | |||
| КП103Ж | ТР5021 *1 | ||||
| КП103И | FММJ5484 *3 | ||||
| КП103К | 2N3575 *2, 2N2607 *2 | ||||
| КП103Л | 2SJ106GR *1, 2N3330, ECG460 *2, NTE460 *2 | ||||
| КП103М | ТР4381 *1, 2N3909A, MFE2609H, MFE2609HX | ||||
| КП103Е1 | 2SJ44K *2, 2SJ45K *2 | ||||
| КП103Ж1 | ТР5021 | ||||
| КП103И1 | FММJ5484 *3, MFE4007 *3 | ||||
| КП103К1 | 2SJ45K *2, 2SJ44K *2, ТР3329 *2 | ||||
| КП103Л1 | ECG326 *2, NTE326 *2 | ||||
| КП103М1 | ТР3330 *2 | ||||
| Структура | — | C p-n переходом и p-каналом | |||
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). | PСИ, P*СИ, т max | КП103Е | — | 7 | мВт, (Вт*) |
| КП103Ж | — | 12 | |||
| КП103И | — | 21 | |||
| КП103К | — | 38 | |||
| КП103Л | — | 66 | |||
| КП103М | — | 120 | |||
| Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором). | UЗИ отс, U*ЗИ пор | КП103Е | — | 0.4…1.5 | В |
| КП103Ж | — | 0. 5…2.2 | |||
| КП103И | — | 0.8…3 | |||
| КП103К | — | 1.4…4 | |||
| КП103Л | — | 2…6 | |||
| КП103М | — | 2.8…7 | |||
| Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. | UСИ max, U*ЗC max | КП103Е | — | 10 | В |
| КП103Ж | — | 10 | |||
| КП103И | — | 12 | |||
| КП103К | — | 10 | |||
| КП103Л | — | 12 | |||
| КП103М | — | 10 | |||
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). | UЗИ max | КП103Е | — | — | В |
| КП103Ж | — | — | |||
| КП103И | — | — | |||
| КП103К | — | — | |||
| КП103Л | — | — | |||
| КП103М | — | — | |||
| Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) | IС, I*С, И | КП103Е | — | — | мА |
| КП103Ж | — | — | |||
| КП103И | — | — | |||
| КП103К | — | — | |||
| КП103Л | — | — | |||
| КП103М | — | — | |||
| Начальный ток стока | IС нач, I*С ост | КП103Е | — | 0. 3…2.5 | мА |
| КП103Ж | — | 0.35…3.8 | |||
| КП103И | — | 0.8…1.8 | |||
| КП103К | — | 1…5.5 | |||
| КП103Л | — | 1.8…6.6 | |||
| КП103М | — | 3…12 | |||
| Крутизна характеристики полевого транзистора | S | КП103Е | 5 В | 0.4…2.4 | мА/В |
| КП103Ж | 5 В | 0.5…2.8 | |||
| КП103И | 5 В | 0.8…2.6 | |||
| КП103К | 5 В | 1…3 | |||
| КП103Л | 5 В | 1. 8…3.8 | |||
| КП103М | 5 В | 1.3…4.4 | |||
| Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком | C11и, С*12и, С*22и | КП103Е | — | ≤20; ≤8* | пФ |
| КП103Ж | — | ≤20; ≤8* | |||
| КП103И | — | ≤20; ≤8* | |||
| КП103К | — | ≤20; ≤8* | |||
| КП103Л | — | ≤20; ≤8* | |||
| КП103М | — | ≤20; ≤8* | |||
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток | RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ | КП103Е | — | — | Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***) |
| КП103Ж | — | — | |||
| КП103И | — | — | |||
| КП103К | — | — | |||
| КП103Л | — | — | |||
| КП103М | — | — | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, U*ш, E**ш, Q*** | КП103Е | 1 кГц | ≤3 | Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**) |
| КП103Ж | 1 кГц | ≤3 | |||
| КП103И | 1 кГц | ≤3 | |||
| КП103К | 1 кГц | ≤3 | |||
| КП103Л | 1 кГц | ≤3 | |||
| КП103М | 1 кГц | ≤3 | |||
| Время включения транзистора | tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT | КП103Е | — | 3** | нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***) |
| КП103Ж | — | 3** | |||
| КП103И | — | 3** | |||
| КП103К | — | 3** | |||
| КП103Л | — | 3** | |||
| КП103М | — | 3** |
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КП103МP1 | 2N4360 | |||
| Структура | — | C p-n переходом и p-каналом | |||
| Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). | PСИ, P*СИ, т max | КП103ЕP1 | — | 7 | мВт, (Вт*) |
| КП103ЖP1 | — | 12 | |||
| КП103ИP1 | — | 21 | |||
| КП103КP1 | — | 38 | |||
| КП103ЛP1 | — | 66 | |||
| КП103МP1 | — | 120 | |||
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором). | UЗИ отс, U*ЗИ пор | КП103ЕP1 | — | 0.4…1.5 | В |
| КП103ЖP1 | — | 0.5…2.2 | |||
| КП103ИP1 | — | 0.8…3 | |||
| КП103КP1 | — | 1.4…4 | |||
| КП103ЛP1 | — | 2…6 | |||
| КП103МP1 | — | 2.8…7 | |||
| Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. | UСИ max, U*ЗC max | КП103ЕP1 | — | 10 | В |
| КП103ЖP1 | — | 10 | |||
| КП103ИP1 | — | 12 | |||
| КП103КP1 | — | 10 | |||
| КП103ЛP1 | — | 12 | |||
| КП103МP1 | — | 10 | |||
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). | UЗИ max | КП103ЕP1 | — | — | В |
| КП103ЖP1 | — | — | |||
| КП103ИP1 | — | — | |||
| КП103КP1 | — | — | |||
| КП103ЛP1 | — | — | |||
| КП103МP1 | — | — | |||
| Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) | IС, I*С, И | КП103ЕP1 | — | — | мА |
| КП103ЖP1 | — | — | |||
| КП103ИP1 | — | — | |||
| КП103КP1 | — | — | |||
| КП103ЛP1 | — | — | |||
| КП103МP1 | — | — | |||
| Начальный ток стока | IС нач, I*С ост | КП103ЕP1 | — | 0. 3…2.5 | мА |
| КП103ЖP1 | — | 0.35…3.8 | |||
| КП103ИP1 | — | 0.8…1.8 | |||
| КП103КP1 | — | 1…5.5 | |||
| КП103ЛP1 | — | 1.8…6.6 | |||
| КП103МP1 | — | 3…12 | |||
| Крутизна характеристики полевого транзистора | S | КП103ЕP1 | — | 0.4…2.4 | мА/В |
| КП103ЖP1 | — | 0.5…2.8 | |||
| КП103ИP1 | — | 0.8…2.6 | |||
| КП103КP1 | — | 1…3 | |||
| КП103ЛP1 | — | 1. 8…3.8 | |||
| КП103МP1 | — | 1.3…4.4 | |||
| Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком | C11и, С*12и, С*22и | КП103ЕP1 | — | ≤20; ≤8* | пФ |
| КП103ЖP1 | — | ≤20; ≤8* | |||
| КП103ИP1 | — | ≤20; ≤8* | |||
| КП103КP1 | — | ≤20; ≤8* | |||
| КП103ЛP1 | — | ≤20; ≤8* | |||
| КП103МP1 | — | ≤20; ≤8* | |||
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток | RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ | КП103ЕP1 | — | — | Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***) |
| КП103ЖP1 | — | — | |||
| КП103ИP1 | — | — | |||
| КП103КP1 | — | — | |||
| КП103ЛP1 | — | — | |||
| КП103МP1 | — | — | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, U*ш, E**ш, Q*** | КП103ЕP1 | 1 кГц | ≤3 | Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**) |
| КП103ЖP1 | 1 кГц | ≤3 | |||
| КП103ИP1 | 1 кГц | ≤3 | |||
| КП103КP1 | 1 кГц | ≤3 | |||
| КП103ЛP1 | 1 кГц | ≤3 | |||
| КП103МP1 | 1 кГц | ≤3 | |||
| Время включения транзистора | tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT | КП103ЕP1 | — | — | нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***) |
| КП103ЖP1 | — | — | |||
| КП103ИP1 | — | — | |||
| КП103КP1 | — | — | |||
| КП103ЛP1 | — | — | |||
| КП103МP1 | — | — |
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Структура | — | C p-n переходом и p-каналом | |||
| Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). | PСИ, P*СИ, т max | КП103Е9 | — | 7 | мВт, (Вт*) |
| КП103Ж9 | — | 12 | |||
| КП103И9 | — | 21 | |||
| КП103К9 | — | 38 | |||
| КП103Л9 | — | 66 | |||
| КП103М9 | — | 120 | |||
| Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором). | UЗИ отс, U*ЗИ пор | КП103Е9 | — | 0. 4…1.5 | В |
| КП103Ж9 | — | 0.5…2.2 | |||
| КП103И9 | — | 0.6…3 | |||
| КП103К9 | — | 1…4 | |||
| КП103Л9 | — | 2…6 | |||
| КП103М9 | — | 2.6…7 | |||
| Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. | UСИ max, U*ЗC max | КП103Е9 | — | 15 | В |
| КП103Ж9 | — | 15 | |||
| КП103И9 | — | 15 | |||
| КП103К9 | — | 15 | |||
| КП103Л9 | — | 17 | |||
| КП103М9 | — | 17 | |||
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). | UЗИ max | КП103Е9 | — | 30 | В |
| КП103Ж9 | — | 30 | |||
| КП103И9 | — | 30 | |||
| КП103К9 | — | 30 | |||
| КП103Л9 | — | 30 | |||
| КП103М9 | — | 30 | |||
| Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) | IС, I*С, И | КП103Е9 | — | — | мА |
| КП103Ж9 | — | — | |||
| КП103И9 | — | — | |||
| КП103К9 | — | — | |||
| КП103Л9 | — | — | |||
| КП103М9 | — | — | |||
| Начальный ток стока | IС нач, I*С ост | КП103Е9 | — | 0. 3…2.5 | мА |
| КП103Ж9 | — | 0.35…3.8 | |||
| КП103И9 | — | 0.8…1.8 | |||
| КП103К9 | — | 1…5.5 | |||
| КП103Л9 | — | 1.8…6.6 | |||
| КП103М9 | — | 3…12 | |||
| Крутизна характеристики полевого транзистора | S | КП103Е9 | 10 В | 0.4…2.4 | мА/В |
| КП103Ж9 | 10 В | 0.5…2.8 | |||
| КП103И9 | 10 В | 0.8…2.6 | |||
| КП103К9 | 10 В | 1…3.3 | |||
| КП103Л9 | 10 В | 1. 8…3.8 | |||
| КП103М9 | 10 В | 1.3…4.4 | |||
| Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком | C11и, С*12и, С*22и | КП103Е9 | — | ≤8* | пФ |
| КП103Ж9 | — | ≤8* | |||
| КП103И9 | — | ≤8* | |||
| КП103К9 | — | ≤8* | |||
| КП103Л9 | — | ≤8* | |||
| КП103М9 | — | ≤8* | |||
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток | RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ | КП103Е9 | — | — | Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***) |
| КП103Ж9 | — | — | |||
| КП103И9 | — | — | |||
| КП103К9 | — | — | |||
| КП103Л9 | — | — | |||
| КП103М9 | — | — | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, U*ш, E**ш, Q*** | КП103Е9 | — | — | Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**) |
| КП103Ж9 | — | — | |||
| КП103И | — | — | |||
| КП103К | — | — | |||
| КП103Л | — | — | |||
| КП103М | — | — | |||
| Время включения транзистора | tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT | КП103Е | — | ≤80* | нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***) |
| КП103Ж | — | ≤80* | |||
| КП103И | — | — | |||
| КП103К | — | — | |||
| КП103Л | — | — | |||
| КП103М | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Зависимость напряжения шума от напряжения затвор-исток | Зависимость напряжения шума от частоты |
Зависимость напряжения шума от сопротивления генератора | |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
P55NF06 MOSFET Распиновка, техническое описание, эквиваленты, схема и характеристики
17 сентября 2021 — 0 комментариев
P55NF06 представляет собой N-канальный MOSFET с высоким током стока 50 А и низким значением Rds 18 мОм.
Он также имеет VGS 20 В, при котором MOSFET начнет проводить. Следовательно, он обычно используется для управления приложениями. Однако схема драйвера необходима, если полевой МОП-транзистор должен быть полностью включен.
Конфигурация выводов MOSFET P55NF06
Номер контакта | Название контакта | Описание |
1 | Ворота | Управляет смещением MOSFET |
2 | Слив | Ток поступает через сток |
3 | Источник | Ток течет через источник на листьях MOSFET |
Характеристики и характеристики
- N-канальный силовой МОП-транзистор
- Непрерывный ток стока (ID): 35 А
- Импульсный ток стока (ID-пик) составляет 50 А
- Напряжение пробоя сток-исток: 60 В
- Сопротивление источника стока (RDS) равно 0,018 Ом
- Пороговое напряжение затвора (VGS-th) составляет 20 В (макс.
) - Время нарастания и время спада составляет 50 нс и 15 нс
- Входная емкость 1300 пФ
- Выходная емкость 300 пФ
- Доступен в пакете То-220
)Примечание: Полные технические данные можно найти в P55NF06 Datahate . IRF540N, IRF3205
Общее описание P55NF06 MOSFET
P55NF06 MOSFET — это мощный N-канальный MOSFET, который можно использовать во многих различных приложениях. Этот полевой МОП-транзистор известен своим высоким током стока и высокой скоростью переключения , кроме того, он имеет очень низкое сопротивление во включенном состоянии, что повышает эффективность этого устройства. Согласно техническому описанию, этот MOSFET начнет проводить при небольшом напряжении затвора 10 В, но максимальный ток стока будет течь при напряжении затвора 20 В. Поскольку этот полевой МОП-транзистор предназначен для приложений с большой мощностью, он может управляться микроконтроллером или устройством логического уровня.
Этот полевой МОП-транзистор имеет низкое пороговое напряжение затвора всего 4 В, это означает, что МОП-транзистор можно включить даже при напряжении 5 В на выводе GPIO таких микроконтроллеров, как Arduino. Но это не означает, что полевой МОП-транзистор полностью включится при напряжении всего 5 В, ему нужно около 10 В, подаваемое на контакт затвора, чтобы полностью включиться и обеспечить постоянный ток 27 А. Итак, если вы ищете полевой МОП-транзистор для использования с микроконтроллером, вам следует рассмотреть полевой МОП-транзистор логического уровня, такой как 2N7002 или IRLZ44N и т. д. В качестве альтернативы, вы также можете использовать схему драйвера для подачи 10 В на вывод затвора этого МОП-транзистора, используя транзистор. Частотная характеристика этого полевого МОП-транзистора достаточно хороша, поэтому его также можно использовать в схемах преобразователя постоянного тока.
В нормальных условиях и без внешнего воздействия на затворе МОП-транзистора не будет напряжения, потому что МОП-транзистор состоит из конденсатора, и поэтому нам нужно прижать затвор МОП-транзистора к земле, чтобы предотвратить ложное срабатывание схемы, так как мы все знаем, что MOSFET — это устройства, управляемые напряжением, что означает, что для отключения MOSFET нам нужно подать только напряжение на затвор, и теоретически через затвор не должен протекать ток, но практически небольшая утечка ток течет через ворота.
Как использовать МОП-транзистор P55NF06
МОП-транзисторы являются устройствами, управляемыми напряжением, поэтому для их включения необходимо лишь небольшое напряжение. Для MOSFET P55NF06 напряжение включения затвора составляет всего 4 В, поскольку P55NF06 является N-канальным MOSFET, что означает, что он будет включен, когда затвор MOSFET подключен к VCC источника питания, и будет выключен, когда его опущен или он подключен к земле.
Смоделированная схема ниже показывает, как этот полевой МОП-транзистор ведет себя, когда затвор базовой схемы подключен к земле и когда он подключен к VCC источника питания.
Когда мы включаем MOSFET, подключая затвор к источнику питания, MOSFET остается включенным до тех пор, пока напряжение на затворе MOSFET не опустится ниже порогового напряжения MOSFET. Для этого полевого МОП-транзистора P55NF06 это напряжение меньше 4 В, ниже этого напряжения МОП-транзистор будет находиться в омическом состоянии, и через устройство не будет протекать ток. Как мы упоминали ранее, затвор МОП-транзистора должен быть подключен к земле с помощью подтягивающего резистора, как показано в примере схемы, для подтягивания затвора МОП-транзистора к земле используется резистор 10 КОм.
Приложения
- Рулевое управление с электроусилителем (EPS)
- Антиблокировочная тормозная система (ABS)
- Стеклоочиститель
- Климат-контроль
- Двери с электроприводом
2D-модель и размеры
Если вы проектируете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, следующие сведения из таблицы данных P55NF06 будут полезны, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.
Метки
Канальный МОП-транзистор N
МОП-транзистор
Силовой МОП-транзистор
Силовая электроника
IRF520 MOSFET Распиновка, техническое описание, характеристики и альтернативы
12 января 2019 — 0 комментариев
IRF520 представляет собой силовой полевой МОП-транзистор с током коллектора 9,2 А и напряжением пробоя 100 В.
МОП-транзистор имеет низкое пороговое напряжение затвора 4 В и, следовательно, обычно используется с микроконтроллерами, такими как Arduino, для переключения сильноточных нагрузок.
Конфигурация контактов
Номер контакта | Название контакта | Описание |
1 | Источник | Ток течет через источник |
2 | Ворота | Управляет смещением MOSFET |
3 | Слив | Ток поступает через сток |
Особенности
- N-канальный силовой МОП-транзистор
- Непрерывный ток стока (ID): 9,2 А
- Напряжение пробоя сток-исток: 100 В
- Сопротивление источника стока (RDS) составляет 0,27 Ом
- Пороговое напряжение затвора (VGS-th) составляет 4 В (макс. )
- Время нарастания и время спада составляет 30 нс и 20 нс
- Обычно используется с Arduino из-за низкого порогового напряжения.
- Доступен в пакете То-220
)Примечание. Полную техническую информацию можно найти в техническом описании IRF520 , ссылка на которое приведена внизу страницы.0003
Другие N-канальные MOSFET
2N7000, FDV301N
IRF520 MOSFET ОбзорIRF540N -N-канал MOSFET. МОП-транзистор может переключать нагрузки, которые потребляют до 9,2 А непрерывного тока и работают при напряжении ниже 100 В. Он также имеет приличное сопротивление в открытом состоянии 0,27 Ом, что повышает эффективность MOSFET, поскольку он будет рассеивать меньше тепла в виде потерь.
Этот Mosfet имеет низкое пороговое напряжение затвора всего 4 В, это означает, что Mosfet может быть включен даже при 5 В от контакта GPIO микроконтроллеров, таких как Arduino.
Но это не означает, что Mosfet полностью включится всего лишь с 5 В, ему нужно около 10 В, подаваемое на контакт затвора, чтобы полностью включиться и подать 9.2А ток коллектора. Поэтому, если вы ищете Mosfet для использования с микроконтроллером, вам следует рассмотреть Mosfet с логическим уровнем, например 2N7002 и т. Д.
В качестве альтернативы вы также можете использовать схему драйвера для подачи 10 В на вывод затвора этого Mosfet с помощью транзистора. Вдобавок к этому, полевой МОП-транзистор также имеет хорошие скорости переключения и, следовательно, может использоваться также в схемах преобразователя постоянного тока.
Применение
- Переключение устройств большой мощности
- Управление скоростью двигателей
- Светодиодные диммеры или мигалки
- Применения для высокоскоростного переключения
- Преобразователи или схемы инверторов
2D-модель компонента
Если вы проектируете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующее изображение из таблицы данных IRF520 будет полезно, чтобы узнать его тип упаковки и размеры.
