Site Loader

Принцип работы полевого транзистора с управляющим p-n переходом.

Возвращаемся к рубрике, посвященной целиком и полностью электронике и смежным тематикам. И вот дошли руки, наконец-то, до описания процессов, происходящих в таком устройстве, как полевой транзистор. Идем по проверенной схеме – докапываемся до всех нюансов принципа работы, а затем добьем тему практическим примером. Первое невозможно без разбора устройства полевого транзистора, а второе – без рассмотрения его основных характеристик. По такому плану и действуем. Стоит оговориться, что про транзисторы можно говорить до бесконечности, в статье же основной акцент будет именно на протекающих в нем физических процессах, то есть на принципе его функционирования.

Но прежде всего разветвим данную тему на две отдельные части:

  • Полевой транзистор с управляющим p-n переходом (JFET — Junction Field-Effect Transistor).
  • Полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET — Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).

Конкретно сегодня речь пойдет о первом типе устройств, второй же аналогичным образом разберем во второй части, на которую я помещу потом здесь же ссылку.

Первым делом – классическое сравнение с биполярными товарищами. Итак, в биполярном транзисторе сила проходящего через него тока регулируется управляющим током. Это уже многократно обсудили, так что отдельно не останавливаюсь. В полевом же транзисторе, напротив, сила тока регулируется внешним электрическим полем. То есть, по сути, приложенным напряжением.

В творческом порыве решил визуализировать данное отличие следующим образом )

Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом (JFET).

Каждый из озвученных типов транзисторов делится еще на две подгруппы:

  • с N-каналом
  • с P-каналом

Мы сосредоточимся на первом варианте, суть процессов полностью идентична, различна лишь полярность подключаемых источников напряжений.

Итак, устройство JFET-транзистора с N-каналом:

Подложку зачастую соединяют с истоком еще на этапе производства транзистора, поэтому на схемах обычно присутствуют только три вывода.

Отметим сразу эти три электрода полевого транзистора: сток, исток и затвор. Собственно, наблюдаем две области P-типа, а между ними в наличии область N-типа, к концам которой подключены два оставшихся электрода – сток и исток. И вся эта область N-типа как раз и образует N-канал.

Вспоминаем об основных характеристиках областей разного типа в целом:

  • В области P-типа основными носителями заряда являются дырки, концентрация же электронов мала. Электроны здесь – неосновные носители.
  • Полностью противоположна ситуация в областях N-типа. В этом случае электроны как раз-таки являются основными носителями заряда, а концентрация дырок мала.

В непосредственной близости от стока и истока на схеме помечены отдельные области «N+». Это все та же область N-типа, но сильно легированная. Что означает еще более высокую концентрацию электронов в ней.

Из схемы также можно сделать вывод о том, что для полевого транзистора с управляющим p-n переходом исток и сток по своей сути идентичны, то есть в схему его можно включить двумя способами, меняя, соответственно, исток и сток местами. Таким образом, для данного класса элементов обозначения стока и истока, по большому счету, условны.

Разобравшись со структурой и устройством, переходим к самому интересному – к протекающим внутри процессам. Из чего уже будет понятно, как все это работает.

Принцип работы полевого транзистора с управляющим p-n переходом (JFET).

За отправную точку возьмем нашу схему, но дополненную носителями заряда:

Подключаем источники напряжения следующим образом, в виде наглядной иллюстрации:

В данном случае напряжение между затвором и истоком равно 0 (U_{ЗИ} = 0). Отлично, при таких раскладах транзистор ведет себя просто как проводник, то есть протеканию тока от стока к истоку не препятствует.

Проанализируем подробнее: подключенный источник питания приводит к появлению электрического поля E, которое направлено от стока к истоку. Само собой это поле начинает воздействовать на частицы – дырки начинают перемещаться в направлении этого поля, электроны – в противоположном. Это, в свою очередь, приводит к появлению тока, который по направлению противоположен направлению перемещения электронов. Все четко следует одно из другого 👍

Ситуация изменится с повышением U_{СИ}. Области P-типа в местах контакта с N-каналом образуют p-n переходы. И с увеличением напряжения между стоком и истоком возле этих переходов возникают области, обедненные носителями заряда. Что, в свою очередь, идентично «сужению» канала:

Таким образом, с одной стороны, рост напряжения U_{СИ} должен приводить к росту тока, то есть к более активному перемещению носителей заряда. Но в то же время сужение канала приводит к обратному эффекту – носителям сложнее преодолевать узкую зону, соответственно, ток уменьшается. И в итоге имеем фактически стабилизацию тока.

Данное состояние полевого транзистора называется режимом насыщения, а напряжение U_{СИ}, которое соответствует переходу в этот режим – напряжением насыщения сток-исток:

Резюмируем:

  • При U_{ЗИ} равном 0 и напряжении сток-исток меньше U_{СИ \medspace нас} зависимость I_{СИ} от U_{СИ} плюс-минус близка к линейной.
  • При U_{ЗИ} равном 0 и напряжении U_{СИ} > U_{СИ \medspace нас} имеем кардинально иную картину – ток между стоком и истоком практически перестает увеличиваться. Транзистор в режиме насыщения.

С этим разобрались, рассмотрим процессы, протекающие при подаче отрицательного напряжения между затвором и истоком (U_{ЗИ} < 0). Собственно, эффект тут в определенном смысле аналогичный – канал будет сужаться еще сильнее. При определенном значении U_{ЗИ} канал сузится настолько, что протекание тока полностью прекратится:

Это пороговое значение называется напряжением отсечки, U_{ЗИ \medspace отс}. Графическая интерпретация в виде зависимости тока сток-исток от напряжения между затвором и истоком:

Видим ровно то, что мы и обсудили. С изменением напряжения между затвором и истоком происходит сужение канала, что эквивалентно уменьшению тока. При значении равном U_{ЗИ \medspace отс} протекание тока прекращается.

Давайте рассмотрим поведение JFET-транзистора при разных значениях U_{ЗИ}:

Что тут стоит отметить… Во-первых, как мы и обсудили, чем меньше значение U_{ЗИ}, тем больше сужается канал, что влечет за собой уменьшение тока. Соответственно, кривые пролегают все «ниже» друг относительно друга. И во вполне определенный момент (когда U_{ЗИ} = U_{ЗИ \medspace отс}) ток исчезает.

Во-вторых, обратите внимание, что напряжение насыщения сток-исток — не фиксированная величина. Это значение будет разным для разных U_{ЗИ}. При U_{ЗИ} = U_{ЗИ \medspace 0} транзистор перейдет в режим насыщения при U_{СИ} = U_{СИ \medspace нас \medspace 0}. По такой же логике, напряжению затвор-исток U_{ЗИ \medspace 2} соответствует переход в режим насыщения при U_{СИ} = U_{СИ \medspace нас \medspace 2}.

Для транзистора с P-каналом идея такая же, отличаются только полярности подаваемых напряжений.

В общем-то, в этом и кроется суть принципа работы полевого транзистора с управляющим p-n переходом. И это подтверждает указанное в самом начале статьи отличие от биполярных собратьев – сила тока (I_{СИ}) регулируется напряжением между затвором и истоком (U_{ЗИ}).

Для закрепления и надежной фиксации данных аспектов проведем практические тесты, к которым и переходим.

Практический пример.

Итак, на принципиальных схемах полевой транзистор с управляющим p-n переходом бывает представлен следующим образом:

Для теста возьму первый попавшийся, а именно J112, вот даташит на него, в котором можно найти всю необходимую информацию. Например, зависимость, обсуждению которой мы посвятили столько времени:

Обозначения англоязычные, но, естественно, это погоды не делает.

Кроме того, первым делом при выборе транзистора будет не лишним выяснить предельно допустимые значения напряжений и токов, чтобы не превысить их и не вывести элемент из строя.

Я буду моделировать схему в Proteus, поностальгирую заодно по старым временам, когда активно его использовал. Но речь не об этом, а о том, что значения скорее всего не будут прямо в точности совпадать с приведенными в документации – это нормально. Тем не менее полученные при симуляции величины должны быть близки к аналогичным из даташита.

Схема будет такая, как в первой части статьи:

То есть — полевой транзистор, амперметр, источник питания, тогда:

  • U_{ЗИ} = 0 \medspace В
  • U_{СИ} же поставим 0. 4 В

Из документации видим, что ток должен быть около 6 мА, получаем на практике:

I_{СИ}= 5.07 \medspace мА, нормально, все ожидаемо и подтверждает рассмотренные теоретические аспекты.

Теперь реализуем схему из второй части статьи, добавив источник напряжения между затвором и истоком. Пусть будет так:

  • U_{ЗИ} = -0.6 \medspace В
  • U_{СИ} = 0.4 \medspace В

На основе физических процессов в JFET-транзисторе ожидаем увидеть меньшее значение тока, так как при таком же напряжении сток-исток U_{ЗИ} стал меньше относительно первого эксперимента:

Именно это и получили:

Уменьшим еще U_{ЗИ} до -0.8 В:

Опять все логично, и добавить нечего к этому.

Есть такое ощущение, что уже при U_{СИ} = 0.4 \medspace В транзистор в данном случае находится в режиме насыщения. Попробуем увеличить U_{СИ} до 1.4 В:

Так и есть, ток не изменился. Значит попробуем уменьшить, почему нет. U_{ЗИ} остается -0.8 В, U_{СИ} выставляем равным 0.1 В:

Ток ожидаемо уменьшился. Если вернуться к теоретическому графику, то осознаем, что при U_{СИ} = 0.1 \medspace В мы находимся в линейной области, а при U_{СИ} = 0.4 \medspace В уже в области насыщения:

На этом я и заканчиваю сегодняшний пост, прошлись по теории, подтвердили на практике, чего еще желать… До скорого 🤝

Мощные полевые транзисторы-принцип работы, применение

Существует два главных основополагающих типа полевых (униполярных, управляемых напряжением) транзисторов, являющихся активными полупроводниковыми элементами, обладающими высокой мощностью – это n-канальные иp-канальные.

Первые из них применяются более часто и отличаются наибольшим диапазоном токов и напряжений. Кроме этих моделей производятся полевые транзисторы, управляемые сигналом логического уровня, они обладают ограничением по току и защелкой по напряжению.

Определение полевого транзистора

Транзистор полевого типа считается полупроводниковым прибором, в конструкции которого регулировка осуществляется измерением проводимости проводящего канала, благодаря использованию поперечного электрического поля.

Другими словами, он является источником тока, который управляется Uз-и. От параметра напряжения между затвором и истоком зависит проводимость канала. Помимо p–n – канальных транзисторов существует их разновидность с затвором из металла, который изолирован от канала кремниевым диэлектриком. Это МДП-транзисторы (металл – диэлектрик, (окисел) – проводник). Транзисторы с использованием окисела называются МОП-транзисторы.

Параметры, характеризующие полевой транзистор

  1. Ширина канала – расстояние между p-n-переходами W.
  2. Напряжение отсечки — напряжение на затворе при исчезновении каналов.
  3. Напряжение насыщения – с него начинается формирование пологой части ВАХ.
  4. Стоко-затворная ВАХ (вольт-амперная характеристика).

Рис. №1. Стоко-затворная ВАХ n-канального транзистора с

Ic= Icmax (IUзи / U0)2 , здесь Icmax стока.

  1. Крутизна определяется по формуле S = dIc / dUзи(мА/В),что является следствием увеличенияU рабочего стока, при этом крутизна полевого транзистора становится меньше.
  2. Внутреннее сопротивление транзистора (дифференциальное сопротивление) rcсоставляет в пологой части характеристики несколько МОм.
  3. Лавинный пробой p-n-переходов возможен после повышения напряжения области стока и истока, что считается причиной ограничения применения полевого транзистора относительноUc.
  4. Коэффициент усиления относительно напряжения µu= srспри уменьшении величины тока стока коэффициент µuповышается.
  5. Инерционность полевого транзистора обуславливается временем,отводимым на заряд барьерной емкости переходов затвора.
  6. Полевой транзистор обладает граничной частотой для улучшения своих качественных частотных свойств.

Проводимость транзистора

Существует две разновидности проводимости – электронная и дырочная, это означает, что в основе работы лежит использование электронов и дырок. Транзистор с электронной проводимостью относится к n-канальным устройствам, p-канальные транзисторы обладают дырочной проводимостью.

Отличие полевых униполярных транзисторов от биполярных заключается в наличии значительно высокого значения величины входного сопротивления. Потребление электроэнергии полевыми транзисторами отличается значительной экономией.

Небольшие габаритные размеры МОП-транзисторах позволяет занимать очень малую площадь в конструкции интегральной схемы, в противоположность биполярным аналогам. Благодаря этому достигается значительно уплотненная компоновка элементов в интегральных схемах. Технология производства интегральной схемы на МОП-транзисторах затрачивает намного меньшее количество операций, чем технология производства ИС с применением биполярного транзистора.

Структура полевого транзистора

Основополагающий принцип работы, на котором осуществляется действие полевого транзистора с использованием управляющего p-n-перехода основывается на изменении проводимости канала, которая возможна благодаря изменению поперечного сечения.

Сток и исток включают напряжение полярности, при котором главные носители заряда (ими являются электроны в канале n-типа) движутся от истока к стоку. В свою очередь, между затвором и истоком включается отрицательное напряжение, управляющее запиранием p – n–переходом.

Рис. №2. Структуры (а) полевых транзисторов с управляющим pn-перехода и (б) структура транзистора с изолированным затвором.

При большем значении напряжения расширяется запирающий активный слой и канал становится уже. С уменьшением поперечного размера канала происходит увеличение сопротивления и уменьшение величины тока между стоком и истоком. Это действие позволяет управлять протеканием тока. При невысоком значении напряжения затвор  — исток происходит перекрытие канала запирающим слоем, что снижает проводимость канала. Ширина канала варьируется от нулевого значения  до отрицательных величин, иначе говоря, p-n-переходы затвора сдвигаются в обратном направлении, сопротивление увеличивается.

Напряжение на затворе после исчезновения канала и смыкании  p-n-перехода, определяется, как напряжение отсечки U

0– это величина считается одной из основополагающих для всех  разновидностей полевых транзисторов.

Рис. №3. Структура полевого транзистора. Канал, расположенный между электродами стоком и истоком сформирован из слабообогащенного полупроводника n-типа.

 

Сфера использования полевых транзисторов

Полевой транзистор является устройством, рассчитанным на большую мощность, характерным в конструкции регуляторов, конвертеров, драйверов, электродвигателей, реле и мощных биполярных транзисторов. Они применяются в конструкции зарядных устройств, автоэлектроники, устройствах управления температурным режимом, широкополосных и малошумящих усилителях в схемах зарядочувствительных предусилителей и прочее.  Для полевых транзисторов характерно наличие высокого входного сопротивления.

Управление полевым транзистором производится непосредственно от микросхемы, без применения добавочных усиливающих каскадов.

Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на карту сайта, буду рад если вы найдете на моем сайте еще что-нибудь полезное.

FET Transistor — Типы и работа

Fet Transistor означает полевой транзистор. Полевой транзистор (FET) — это тип транзистора, который управляет потоком тока в полупроводнике с помощью электрического поля.

Полевые транзисторы представляют собой трехвыводные устройства с истоком, затвором и стоком. Приложение напряжения к затвору, которое изменяет проводимость между стоком и истоком, управляет протеканием тока в полевых транзисторах.

(Изображение скоро будет загружено)

Первый патент на полевые транзисторы был получен Джулиасом Эдгаром в 1926 году. С тех пор произошло много изменений. Другой патент был подан Оскаром Хейлом в 1934 году. Затвор, который используется в полевых транзисторах, был создан в Bell Labs Уильямом Шокли. За прошедшие годы в полевых транзисторах было сделано много других достижений.

Работа полевого транзистора

Полевой транзистор представляет собой устройство, работающее от напряжения, в котором приложенное напряжение используется для управления протекающим током. Он также известен под названием униполярный транзистор, так как он работает по типу с одной несущей. Входное сопротивление высокое во всех формах и типах полевых транзисторов. Проводимость всегда регулируется с помощью приложенного напряжения с вывода полевого транзистора. Кроме того, плотность заряда носителей влияет на проводимость.

Полевой транзистор представляет собой устройство, состоящее из трех основных компонентов: истока, стока и затвора. Исток — это один из выводов полевого транзистора, через который на планку поступает большинство носителей. Слив — это второй терминал, через который проходит большинство перевозчиков. Gate имеет два терминала, которые внутренне связаны друг с другом.

Поскольку затвор полевого транзистора смещен в обратном направлении, ток затвора практически равен нулю. Подача стока подключена к терминалу истока, ведущему к потоку электронов, который обеспечивает необходимые носители.

FET-транзистор — Типы и принципы его работы

Существует еще одно подразделение FET-транзисторов. В одном из типов ток потребляется в основном основными носителями и поэтому называется устройствами с основными носителями заряда. Существуют также устройства с неосновными носителями заряда, в которых протекание тока в основном связано с неосновными носителями.

Две клеммы, исток и затвор имеют потенциал между ними, который, в свою очередь, имеет проводимость канала как функцию от него. Три клеммы, то есть исток, сток и затвор, есть у каждого полевого транзистора. Функция терминала затвора аналогична затвору в реальной жизни, поскольку затвор может открываться и закрываться, а также может разрешать прохождение электронов или полностью их останавливать.

FETS классифицируются как:

  1. Эффект поля соединения Транзистор (JFET)

  2. Металл оксид полупроводник Полевой эффект Транзистор (JFET)

1. Джак -эффект Полевый эффект Транзистор Транзистор (JFET)

9003 представляет собой разновидность полевого транзистора, который можно использовать для электрического управления переключателем. Между истоками и выводами стока электрическая энергия проходит по активному каналу.

Канал нагружен и электрический ток отключен подачей обратного напряжения смещения на вывод затвора.

Принцип работы:

Работа этих JFET основана на каналах, которые формируются между терминалами. Можно использовать либо канал n-типа, либо канал p-типа. Он называется n-канальным JFET, потому что у него есть канал n-типа, и он называется p-канальным JFET, потому что у него есть канал p-типа.

Полевые транзисторы изготавливаются так же, как транзисторы N-P-N и P-N-P изготавливаются из BJT (транзистора с биполярным переходом). Эти JFET имеют канал, который может быть n- или p-типа.

  • Он классифицируется как n-канальный JFET или p-канальный JFET в зависимости от канала.

  • Клемма источника подключается к положительной стороне n-канального JFET.

  • В этом n-канальном полевом транзисторе вывод стока имеет наибольший потенциал по сравнению с затвором.

  • Соединение, создаваемое выводами стока и затвора, имеет обратное смещение. В результате область истощения вокруг стока шире, чем у истока.

  • Большинство носителей заряда, которые представляют собой электроны, текут от конечного стока к истоку.

  • По мере роста потенциала на стоке увеличивается поток носителей, а вместе с ним увеличивается и ток.

  • Однако при повышении напряжения на стоке и истоке до определенного уровня ток прекращается.

  • JFET хорошо известен своей способностью управлять током посредством подачи входного напряжения. У этого транзистора входное сопротивление максимально.

  • На клемме затвора нет текущих данных, когда полевой транзистор JFET находится в оптимальном режиме.

Так работает n-канальный JFET. Только изменение полярности источников питания заставляет полевой транзистор работать как p-канальный JFET.

2. Металлооксид-полупроводниковый полевой транзистор (МОП-транзистор)

МОП-транзисторы работают путем подачи напряжения на каналы, которые уже существуют или формируются. Полевые МОП-транзисторы делятся на два типа в зависимости от режимов работы:

  • Истощение

  • Расширение

В режиме расширения напряжение затвора индуцирует канал, тогда как в режиме истощения MOSFET работает за счет существующего канала.

Существует два типа моделей истощения MOSFET: n-типа и p-типа. Единственная разница заключается в нанесении субстрата. Формирование зоны обеднения обусловлено концентрацией носителей, предпочитаемой большинством. На проводимость влияет ширина истощения.

Канал формируется в расширенном режиме, когда напряжение, подаваемое на вывод затвора, превышает пороговое напряжение. Это может быть n-тип для подложки P-типа и p-тип для подложки N-типа. Режим улучшения классифицируется как улучшенный MOSFET N-типа или улучшенный MOSFET P-типа в зависимости от формирования канала. МОП-транзисторы типа расширения используются чаще, чем транзисторы типа истощения.

Разница между FET и MOSFET

Основное различие между двумя основными типами FET транзисторов — JFET и MOSFET — заключается в том, что JFET (Junction Field Effect Transistor) представляет собой полупроводниковое транзистор) представляет собой полупроводниковый прибор с четырьмя выводами. JFET может работать только в режиме истощения. В то время как MOSFET может работать как в режиме улучшения, так и в режиме истощения. Входное сопротивление выше у MOSFET, что делает их более резистивными. По сравнению с ценой MOSFET дороже, чем JFET.

Из-за высокого входного импеданса полевые транзисторы обычно используются в качестве входных усилителей в электронных вольтметрах, осциллографах и других измерительных устройствах. Они также занимают мало места, что делает их более эффективными для других устройств.

Заключение

В статье рассматриваются некоторые важные и ключевые характеристики полевых транзисторов. Эти фундаментальные знания можно в дальнейшем использовать для понимания других концепций, связанных с электричеством и током. Определение полевого транзистора, типы полевых транзисторов и то, как он регулирует схемы, являются ключевыми моментами этой статьи.

404: Страница не найдена

Страница, которую вы пытались открыть по этому адресу, похоже, не существует. Обычно это результат плохой или устаревшей ссылки. Мы приносим свои извинения за доставленные неудобства.

Что я могу сделать сейчас?

Если вы впервые посещаете TechTarget, добро пожаловать! Извините за обстоятельства, при которых мы встречаемся. Вот куда вы можете пойти отсюда:

Поиск
  • Пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы сообщить, что эта страница отсутствует, или используйте поле выше, чтобы продолжить поиск
  • Наша страница «О нас» содержит дополнительную информацию о сайте, на котором вы находитесь, WhatIs.
    com.
  • Посетите нашу домашнюю страницу и просмотрите наши технические темы

Поиск по категории

ПоискСеть

  • беспроводная ячеистая сеть (WMN)

    Беспроводная ячеистая сеть (WMN) — это ячеистая сеть, созданная путем соединения узлов беспроводной точки доступа (WAP), установленных в …

  • Wi-Fi 7

    Wi-Fi 7 — это ожидаемый стандарт 802.11be, разрабатываемый IEEE.

  • сетевая безопасность

    Сетевая безопасность охватывает все шаги, предпринятые для защиты целостности компьютерной сети и данных в ней.

ПоискБезопасность

  • Что такое модель безопасности с нулевым доверием?

    Модель безопасности с нулевым доверием — это подход к кибербезопасности, который по умолчанию запрещает доступ к цифровым ресурсам предприятия и …

  • RAT (троянец удаленного доступа)

    RAT (троян удаленного доступа) — это вредоносное ПО, которое злоумышленник использует для получения полных административных привилегий и удаленного управления целью . ..

  • атака на цепочку поставок

    Атака на цепочку поставок — это тип кибератаки, нацеленной на организации путем сосредоточения внимания на более слабых звеньях в организации …

ПоискCIO

  • Пользовательский опыт

    Дизайн взаимодействия с пользователем (UX) — это процесс и практика, используемые для разработки и внедрения продукта, который будет обеспечивать положительные и …

  • соблюдение конфиденциальности

    Соблюдение конфиденциальности — это соблюдение компанией установленных правил защиты личной информации, спецификаций или …

  • контингент рабочей силы

    Временная рабочая сила — это трудовой резерв, члены которого нанимаются организацией по запросу.

SearchHRSoftware

  • Поиск талантов

    Привлечение талантов — это стратегический процесс, который работодатели используют для анализа своих долгосрочных потребностей в талантах в контексте бизнеса . ..

  • удержание сотрудников

    Удержание сотрудников — организационная цель сохранения продуктивных и талантливых работников и снижения текучести кадров за счет стимулирования …

  • гибридная рабочая модель

    Гибридная рабочая модель — это структура рабочей силы, включающая сотрудников, работающих удаленно, и тех, кто работает на месте, в офисе компании…

SearchCustomerExperience

  • CRM (управление взаимоотношениями с клиентами) аналитика

    Аналитика CRM (управление взаимоотношениями с клиентами) включает в себя все программные средства, которые анализируют данные о клиентах и ​​представляют…

  • разговорный маркетинг

    Диалоговый маркетинг — это маркетинг, который вовлекает клиентов посредством диалога.

  • цифровой маркетинг

    Цифровой маркетинг — это общий термин для любых усилий компании по установлению связи с клиентами с помощью электронных технологий.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *