Site Loader
Posted on 23.01.2023

smd-код r1

Подробная информация о производителях — в GUIDE’е, о типах корпусов — здесь
коднаименованиефункциякорпуспроизводительпримечания
R1BFR93npn:12В/40мА 5ГГцsot23Vishay 
R1BZD27C180Pстабилитрон: 180В/5мА 5% automotivesmfVishay 
R1DMN2550UFAnМОП:20В/0,6А/500мОмdfn0806-3Diodes 
R1PRTR5V0U2Xзащитный ESD диод 5,5Вsot143BNXP 
R1SI3401pМОП: -30В/-4,2А/65мОмsot23MCC 
R1xHSMS-8101смесительный СВЧ диод Шотткиsot23Avagox — код даты
R1##RP114K191DLDO: 1,9В/300мА + autodischargedfn4Ricoh## — lot-код
R1000ITR1000IPWконтроллер IrDAtssop8TI 
R10BREG710NA-5преобразователь на ком. конденсаторах в 5 Вsot23-6TI 
R10CREG710NA-3.3преобразователь на ком.конденсаторах в 3.3 Вsot23-6TI 
R10DREG710NA-3преобразователь на ком.конденсаторах в 3,0 Вsot23-6TI 
R10FREG710NA-2,7преобразователь на ком.конденсаторах в 2,7 Вsot23-6TI 
R10GREG710NA-2,5преобразователь на ком.конденсаторах в 2,5 Вsot23-6TI 
R10HREG71055DDCпреобразователь на ком.конденсаторах в 5,5 Вtsot23-6TI 
R111718REG1117A-1.8LDO 1.8 V/1 AD²PAKTI 
R12REF3312AIDCKмикромощный ИОН: 1,25В 30ppmsc70TI
 
R13MRA4003Tдиод: 300В/1АsmaON Semi 
R14MRA4004Tдиод: 400В/1АsmaON Semi 
R14ALM4120AIM5-2. 0прецизионный «bandgap» ИОН: 2В, ±0,2%sot23-5TI 
R14BLM4120IM5-2.0прецизионный «bandgap» ИОН: 2В, ±0,5%sot23-5TI 
R15		MRA4005Tдиод: 600В/1АsmaON Semi 
R15ALM4120AIM5-3.0прецизионный «bandgap» ИОН: 3В, ±0,2%sot23-5TI 
R15BLM4120IM5-3.0прецизионный «bandgap» ИОН: 3В, ±0,5%sot23-5TI 
R15SI3415pМОП: -20В/-4А/50мОмsot23MCC 
R15SIL3415pМОП: -20В/-4,0А/37мОмsot23-6MCC 
R16MRA4006Tдиод: 800В/1АsmaON Semi 
R16ALM4120AIM5-3. 3прецизионный «bandgap» ИОН: 3,3В, ±0,2%sot23-5TI 
R164BLM4120IM5-3.3прецизионный «bandgap» ИОН: 3,3В, ±0,5%sot23-5TI 
R17MRA4007Tдиод: 1000В/1АsmaON Semi 
R17ALM4120AIM5-4.1прецизионный «bandgap» ИОН: 4,1В, ±0,2%sot23-5TI 
R17BLM4120IM5-4.1прецизионный «bandgap» ИОН: 4,1В, ±0,5%sot23-5TI 
R18REF3318AIDCKмикромощный ИОН: 1,8В 30ppmsc70TI 
R18ALM4120AIM5-5.0прецизионный «bandgap» ИОН: 5В, ±0,2%sot23-5TI 
R18BLM4120IM5-5.0прецизионный «bandgap» ИОН: 5В, ±0,5%sot23-5TI 
R19ALM4121AIM5-1.
2		прецизионный «bandgap» ИОН: 1.2В, ±0,2%sot23-5TI 
R1AADR391RT/AUJмикромощный ИОН 2.5Вsot23-5/tsot5ADI 
R1ALM4041AIM3-1.2микромощный шунтовой ИОН 1,2В indsot23TI 
R1AUMT|SST|MMST3904npn: 40В/200мА h31=100…300sot323|sst3|sc59Rohm 
R1BADR391BUJмикромощный ИОН 2.5В: 9ppmtsot5ADI 
R1BLM4041BIM3|7-1.2микромощный шунтовой ИОН 1,2В indsot23|sc70TI 
R1CLM4041CEM3|7-1.2микромощный шунтовой ИОН 1,2В indsot23|sc70TI 
R1DLM4041DEM3|7-1. 2микромощный шунтовой ИОН 1,2В indsot23|sc70TI 
R1EADR01AUJмикромощный ИОН 1.0В 0,1% 9ppmtsot5ADI 
R1E
LM4041EEM3|7-1.2		микромощный шунтовой ИОН 1,2В indsot23|sc70TI 
R1FADR01BUJмикромощный ИОН 1.0В 0,05% 9ppmtsot5ADI 
R1GADR02AUJмикромощный ИОН 5.0В 0,1% 9ppmtsot5ADI 
R1GADR02BUJмикромощный ИОН 5.0В 0,06% 9ppmtsot5ADI 
R1I*LMV331IDBVстандартный компараторsot23-5TI
* — fab-код
R1JADR03AUJмикромощный ИОН 2. 5В 0,2% 9ppmtsot5ADI 
R1KADR03BUJмикромощный ИОН 2.5В 0,1% 9ppmtsot5ADI 
R1LADR06AUJмикромощный ИОН 3.0В 0,2% 9ppmtsot5ADI 
R1MADR06BUJмикромощный ИОН 3.0В 0,1% 9ppmtsot5ADI 
R1pBFR93npn:12В/35мА 5ГГцsot23NXP 
R1pPUMF11pnp + «цифровой» npn: 50В/100мА 22k/47ksot363NXP@Hong Kong
R1PUMT|MMST2222Anpn: 40В/600мА h31=100…300sc70|sc59Rohm 
R1sBFP780npn SiGe: 5В/90мА 1,5ГГцsot343Infineon 
R1tPUMF11pnp + «цифровой» npn: 50В/100мА 22k/47ksot363NXP@Malaysia
R1ZAD1582ARTZпрецизионный ИОН: 2,5В/20мВsot23ADIRoHS

R1 SMD код | Все для ремонта электроники



Posted on by Evgeniy811

Радиоэлементы с SMD кодом R1

Главная страница раздела справочника SMD

Даташит
R1002TO-92BCR1002A3CYStechТиристор
R110SOT-25LR9101G-10-AE5-RUTCСтабилизатор напряжения
R110SOT-353LR9101G-10-AL5-RUTCСтабилизатор напряжения
R112SOT-25LR9101G-12-AE5-RUTCСтабилизатор напряжения
R112SOT-353LR9101G-12-AL5-RUTCСтабилизатор напряжения
R118SOT-25LR9101G-18-AE5-RUTCСтабилизатор напряжения
R118SOT-353LR9101G-18-AL5-RUTCСтабилизатор напряжения
R125SOT-25LR9101G-25-AE5-RUTCСтабилизатор напряжения
R125SOT-353LR9101G-25-AL5-RUTCСтабилизатор напряжения
R127SOT-25LR9101G-27-AE5-RUTCСтабилизатор напряжения
R127SOT-353LR9101G-27-AL5-RUTCСтабилизатор напряжения
R128SOT-25LR9101G-28-AE5-RUTCСтабилизатор напряжения
R128SOT-353LR9101G-28-AL5-RUTCСтабилизатор напряжения
R133SOT-25LR9101G-33-AE5-RUTCСтабилизатор напряжения
R133SOT-353LR9101G-33-AL5-RUTCСтабилизатор напряжения
R166PowerPAK SO-8SIR166DPVishayN-канальный MOSFET
R1ASOT-23MMBT3904DiodesNPN транзистор
R1ASOT-346MMST3904ROHMNPN транзистор
R1ASOT-23SST3904ROHMNPN транзистор
R1ASOT-323UMT3904ROHMNPN транзистор
R1GSOT-346MMSTA06ROHMNPN транзистор
R1GSOT-23SSTA06ROHMNPN транзистор
R1MSOT-346MMSTA13ROHMNPN транзистор
R1PSOT-346MMST2222AROHMNPN транзистор
R1PSOT-23SST2222AROHMNPN транзистор
R1PSOT-323UMT2222AROHMNPN транзистор
Posted in маркировка SMDTagged SMD

поиск по сайту

Найти:

Немного рекламы

Цифровые транзисторы (BRT) R1 = 10 кОм, R2 = 47 кОм

%PDF-1. 4 % 1 0 объект > эндообъект 5 0 объект > эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > ручей приложение/pdf

  • ON Semiconductor
  • DTA114Y — Цифровые транзисторы (BRT) R1 = 10 кОм, R2 = 47 кОм
  • Эта серия цифровых транзисторов предназначена для замены одного устройства и его внешней цепи смещения резисторов. Транзистор резистора смещения (BRT) содержит один транзистор с монолитной цепью смещения, состоящей из двух резисторов; последовательный базовый резистор и резистор база-эмиттер. BRT устраняет эти отдельные компоненты, объединяя их в единое устройство. Использование BRT может уменьшить как стоимость системы, так и место на плате.
    • 2016-11-01T12:36:21+01:00BroadVision, Inc.2020-09-14T13:06:46+02:002020-09-14T13:06:46+02:00Acrobat Distiller 10.0.0 (Windows)uuid: 1d77fe44-c67c-4d14-8391-83742ca59080uuid:eb024148-5c22-4d0d-8939-2fbab34c0903 конечный поток эндообъект 4 0 объект > эндообъект 6 0 объект > эндообъект 7 0 объект > эндообъект 8 0 объект > эндообъект 90 объект > эндообъект 10 0 объект > эндообъект 11 0 объект > эндообъект 12 0 объект > эндообъект 13 0 объект > эндообъект 14 0 объект > эндообъект 15 0 объект > эндообъект 16 0 объект > эндообъект 17 0 объект > эндообъект 18 0 объект > эндообъект 19 0 объект > эндообъект 20 0 объект > эндообъект 21 0 объект > эндообъект 22 0 объект > эндообъект 23 0 объект > эндообъект 24 0 объект > эндообъект 25 0 объект > эндообъект 26 0 объект > эндообъект 27 0 объект > эндообъект 28 0 объект > ручей HWrF#8pn$[S,[v@r$!!

    Цифровые транзисторы (BRT) R1 = 10 кОм, R2 = 10 кОм

    %PDF-1.

    alexxlab

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *