Как проверить биполярный транзистор мультиметром

Сегодня я расскажу, как проверить исправность биполярного транзистора с помощью мультиметра. Эта проверка на наличие пробоя, то есть, она позволяет узнать живой транзистор или нет.  Такую проверку я произвожу перед каждым впаиванием элемента при сборке новой схемы или в процессе ремонта.  На сленге её также именуют «прозвонкой».

У всех современных мультиметров есть режим диодной проверки, вот его и нужно включить.

После чего необходимо подключить щупы, черный в разъем «COM», а красный в разъем со значком диода или измерения сопротивления.

После включения режима на экране прибора единица, которая означает обрыв, бесконечное сопротивление или закрытый PN переход транзистора или диода.

Дальше необходимо соединить щупы между собой и убедиться, что есть контакт щупов с мультиметром и они исправные.

На дисплее значение изменится с единицы на несколько нулей, в зависимости от точности прибора и сопротивления щупов. Некоторые приборы предусматривают звуковую сигнализацию в режиме проверки диодов (как у меня), это удобно при ремонте устройств, так как в момент проверки можно не смотреть на дисплей мультиметра, а сконцентрироваться на проблемном месте. Звуковой сигнал звучит только при малом сопротивлении (десятки и единицы Ом).

Определяем тип транзистора и обозначение выводов

Биполярные транзисторы бывают двух структур PNP и NPN. От типа структуры будет зависеть их проводимость. В дебри про электронно-дырочную структуру я углубляться не буду, а лишь опишу процесс проверки.

У меня есть транзистор КТ837H, на примере которого я буду описывать процесс проверки.

Первым делом необходимо найти техническое описание элемента (Datasheet) или справочник. В документации находим название структуры транзистора, в моем случае это PNP. Следующая нужная информация это расположение и обозначение выводов (цоколевка).

Транзистор, как два диода…

Транзисторы имеют два PN перехода и их можно представить как два последовательно соединенных диода. И проверять транзисторы можно как два диода. Точка соединения диодов будет базой, а два остальных вывода коллектором и эмиттером.

Если диоды соединены катодами (отрицательными выводами), то база N типа (N- negative, отрицательный).

Если диоды соединены анодами (положительными выводами), то база P типа (P- positive, положительный).

Полезным будет прочесть статью «Как проверить диод мультиметром».

Проверка транзисторов структуры PNP

Для PNP транзисторов соединяем черный щуп(отрицательный) к базе, а красным по очереди касаемся коллектора и эмиттера. Это называется прямым смещением. Переходы должны открыться.

Для исправного транзистора на дисплее должно отобразиться напряжение открытия переходов (обычно несколько сотен милливольт, примерно 500-800мВ), но ни в коем случае не десятки и тем более не единицы милливольт.

Как мы видим, исправный транзистор PNP типа открылся при касании базы черным (отрицательным) щупом, а красным (положительным) мы касались коллектора и эмиттера.

После чего, к базе транзистора PNP типа подключаем уже красный щуп, а черным по очереди касаемся коллектора и эмиттера. Транзистор, точнее его переходы должны быть закрыты, если элемент исправный. Это называется обратным смещением.

В этих положениях переходы заперты и на дисплее должна быть единица (она же бесконечность). Если в этих положениях переходы открываются и на дисплее отображается напряжение открытия  (любое), то такой элемент не исправен. Обычно у пробитых элементов показания на дисплее прибора меньше десяти милливольт.

Ниже пример неисправного полупроводникового прибора, у него все выводы замкнуты, сопротивление между ними единицы Ом, поэтому в режиме диодной прозвонки (независимо от положения щупов) на дисплее 2мВ, то есть переход «пробитый».

Если хотя бы один переход звонится накоротко (на дисплее десятки или единицы милливольт), то такой полупроводник сразу подлежит замене.

Проверка транзисторов структуры NPN

Та же самая процедура, что и с PNP структурой, только открытие переходов у исправного элемента происходит при соединении красного (положительного)  щупа к базе, а черного (отрицательного) к коллектору и эмиттеру.

При соединении черного щупа к базе, а красного к коллектору и эмиттеру у исправного полупроводника переходы должны быть закрыты и на дисплее «обрыв» (единица).

Примечание

В режиме диодной проверки на дисплее отображается значение не сопротивления в Омах, как многие считают, а значение напряжения открытия PN перехода в милливольтах.

 

 

ПРОВЕРКА И ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

НОВОСТИ Главная Введение Урок-1 Урок-2 Урок-3 Урок-4 Урок-5 Урок-6 Урок-7 Урок-8 Урок-9 Урок-10 Транзисторные УНЧ Ламповые УНЧ-УМ Мультивибратор Схемы начинающим Начинающим Радио КВ — УКВ Диоды Стабилитроны Маркировка Резисторы-Конденсаторы Диоды Стабилитроны Транзисторы Измерение напряжения Проверка транзистора Основы пайки Изготов. печатных плат Азбука коротких волн Приемник прямого усил. КВ-приемник начинающим Светодиодное информ. табло на PIC контроллере Программатор “ICProg 105” Осваиваем LPT порт Программирование LPT под DOS Программирование LPT под Windows Программирование LPT под WinNT Вспомогательные программы Радиолюбительский калькулятор Онлайн расчет антенн Рассчет КФ Лабораторный БП Форум Связь с автором	ПРОВЕРКА И ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ Прежде чем собирать понравившуюся радиоконструкцию, необходимо проверить годность имеющихся в наличии деталей: транзисторов, конденсаторов, резисторов. В первую очередь нужно проверить наиболее «капризные» детали — транзисторы. Об этом и пойдет сейчас разговор. А позднее я познакомлю вас с прибором для проверки резисторов и конденсаторов. Самый простой способ проверить транзистор воспользоваться авометром (тестер), работающим как омметр. Ведь транзистор условно можно представить как два полупроводника, соединенные в общей точке, соответствующей выводу базы. Тогда можно считать, что один полупроводник образован выводами базы и коллектора, другой — выводами базы и эмиттера. Поэтому достаточно проверить оба полупроводника и если они исправны, значит транзистор работоспособен. Сейчас правда можно купить недорогие, специализированные, цифровые приборы к примеру здесь (Универсальный тестер для транзисторов, диодов, конденсаторов и резисторов), которые автоматически измеряют все необходимые параметры транзисторов. Чтобы проверить транзистор структуры р — n — р, нужно подключить щупы омметра сначала к выводам базы и эмиттера (это так называемый эмиттерный переход), а затем к выводам базы и коллектора (коллекторный переход) в указанной на (рис. 1а и 1б) полярности. Плюсовым щупом у авометра Ц20 в режиме измерения сопротивлений будет тот, что соединен с общим гнездом. Если переходы транзистора целы, стрелка авометра покажет небольшое сопротивление. Причем оно будет зависеть от приложенного к переходу напряжения, иначе говоря, от протекающего через него тока. Поэтому результат измерений, скажем, при установке щупа авометра в гнездо «х 1» не будет соответствовать результату, полученному при установке щупа в гнезда «х 10», а тем более «х 100». Кроме то го, сопротивление переходов кремниевого транзистора выше, чем германиевого. Затем повторяют те же измерения поменяв полярность подключения омметра на обратную и вновь определяют сопротивления переходов. На этот раз они должны быть довольно большими, порою на несколько порядков выше, чем в первый раз, особенно для кремниевых транзисторов. Если это так, транзистор можно считать исправным. Для проверки транзисторов структуры n — р — n полярность подключения щупов омметра при первоначальных измерениях должна соответствовать (рис. 1г, д). Чтобы не повредить переходы, измерения должны быть кратковременными. Подобным способом можно проверять маломощные биполярные транзисторы. Что касается высокочастотных транзисторов, то их нежелательно подвергать такому испытанию, чтобы не повредить эмиттерный переход. А как быть, если у вашего транзистора стерлась маркировка на корпусе и вы не знаете, какой он структуры и какую имеет цоколевку? Определить это не трудно. Измерьте омметром сопротивление между разными парами выводов и определите какие две пары обладают малым сопротивлением. Выводом базы в этом случае будет тот, которого щуп омметра касается дважды. По полярности же щупа легко определить структуру транзистора. После того как вы определили вывод базы, ясно, что оставшиеся выводы коллектор и эмиттер. Но какой именно принадлежит коллектору, а какой — эмиттеру? Ответить на этот вопрос можно, измерив сопротивления между ними при разных полярностях подключения щупов омметра. Замечают положение щупов, при котором получается наименьшее сопротивление. Если транзистор структуры р — n — р, выводом эмиттера будет тот, которого касается плюсовой щуп oммeтpa (рис. 1в). У транзистора структуры n — р — n вывода эмиттера будет касаться минусовой щуп (рис. 1е). Описанных здесь способов проверки транзистора еще недостаточно, чтобы сделать заключение, о его пригодности для данной конструкции — ведь в описаниях, как правило, упоминается статический коэффициент передачи тока базы, которым должен обладать транзистор. Значит, нужно измерить этот параметр, прежде чем впаивать транзистор в собираемое устройство. На (рис. 2) дана схема приставки к авометру, позволяющей измерять статический коэффициент передачи тока маломощных транзисторов (в том числе и высокочастотных). Показанное включение источника питания и щупов авометра рассчитано на проверку транзисторов структуры р — n — р. Выводы транзистора подключают к зажимам ХТ1 — ХТ3, а щупы авометра, переключенного в режим измерения постоянного тока в поддиапазоне 3 мА, вставляют в гнезда XS1 и XS2. Вместо авометра к этим гнездам можно подключить любой миллиамперметр с током полного отклонения стрелки 3 — 5 мА. Если теперь нажать на кнопку выключателя SB1 и подать на приставку напряжение, в цепи базы транзистора потечет ток около 30 мкА. Он усилится транзистором, и стрелочный индикатор авометра зафиксирует ток коллектора. Осталось разделить его на ток базы, и вы получите значение измеряемого параметра. Причем никаких вычислений делать не потребуется, поскольку вся шкала индикатора авометра рассчитана, на статический коэффициент, равный 100 (3 мА: 0,03 мА=100), и стрелка индикатора указывает непосредственно значение коэффициента передачи. В конструкции этой приставки кнопочный выключатель, зажимы и гнезда могут быть любые, резисторы — МЛТ — 0,25 или МЛТ — 0,5 (резистор R2 нужен для ограничения тока через авометр при неисправном транзисторе), источник питания GB1 — батарея 3336Л. С помощью такой приставки можно проверять и n — р — n — транзисторы, но для этого придется изменить полярность подключения питающей батареи, а также поменять местами щупы авометра. Совсем необязательно питать приставку напряжением 4,5 В; вместо батареи 3336Л подойдет гальванический элемент, например 373 напряжением 1,5 В. Но в этом случае резистор R1 должен быть сопротивлением 51 кОм. При любом другом напряжении питания сопротивление этого резистора должно быть таким, чтобы через него протекал ток 30 мкА (0,03 мА). Если вы будете часто пользоваться приставкой для проверки транзисторов обеих структур, советую ввести переключатель SA1 (рис. 2б), позволяющий изменять полярность питающего напряжения без перепайки выводов батареи. Такая приставка более универсальна. Внешнее оформление приставки показано на рисунке 2в. На верхней панели приставки укрепляют зажимы «крокодил», рядом с ними на панели проставляют соответствующие буквы, которые помогут быстро, не задумываясь, подключать проверяемые транзисторы. Здесь же располагают переключатель структуры проверяемого транзистора, кнопочный выключатель (например, звонковую кнопку) и гнезда (можно использовать двухгнездовую розетку). Рис. 1. Рис. 2. Вверх | Главная Обсудить на форуме

Викторина по биполярным транзисторам

Попробуйте пройти этот тест на тему биполярных транзисторов. Надеюсь, это будет легко. Отправьте свои ответы, но не расстраивайтесь, если вы дали неправильный ответ. Вся необходимая информация есть на этом сайте. Найдите правильный ответ и узнайте о транзисторах по ходу дела.

1.

Почему в биполярном транзисторе между базой и коллектором заключен тонкий слой высокоомного полупроводника?

• а) Для создания высокого градиента напряжения между базой и коллектором.
• b) Для предотвращения поломки коллектора/базы.
• c) Чтобы разность напряжений между базой и коллектором была как можно меньше.
• d) Чтобы отверстия не загрязняли область коллектора N-типа.

2.

Потенциал прямого перехода для кремниевого перехода:

• а) 0,015 В
• б) 0,15 В
• в) 0,06 В
• г) 0,6 Вольт

3.

См. рис. 3.7.1. Что иллюстрируют представленные графики?

• а) Передаточные характеристики биполярного транзистора в режиме с общим эмиттером.
• б) Выходные характеристики биполярного транзистора в режиме с общим эмиттером.
• c) Передаточные характеристики биполярного транзистора в режиме общего коллектора.
• г) Взаимные характеристики биполярного транзистора в режиме с общим эмиттером.

4.

Какое из следующих утверждений верно для кремниевого биполярного транзистора NPN?

• а) Тонкий участок коллектора вблизи основания сильно легирован.
• б) Тонкий участок эмиттера вблизи базы сильно легирован.
• в) Удельное сопротивление коллектора уменьшается вблизи основания.
• г) Тонкий участок коллектора вблизи основания слегка легирован.

5.

Сколько отдельных транзисторов будет изготовлено на интегральной схеме, называемой устройством MSI?

• а) Менее ста.
• б) Несколько сотен.
• в) Несколько тысяч.
• г) Несколько миллионов.

6.

На рис. 3.7.2 показана типичная конструкция кремниевого планарного NPN-транзистора. Какова функция слоя с пометкой X

?

• а) Слаболегированный коллекторный слой.
• b) Сильно легированный базовый слой.
• c) Сильно легированный коллекторный слой.
• d) Слабо легированный базовый слой.

7.

Коэффициент усиления по напряжению биполярного транзистора, используемого в режиме Common Collector (эмиттерный повторитель), будет:

• а) От 50 до 100
• б) От 50 до 800
• в) 1 (Единство)
• г) Несколько тысяч

8.

Количество валентных электронов в атоме кремния:

• а) Три
• б) Пять
• в) Восемь
• г) Четыре

9.

Чтобы увеличить количество свободных электронов в кремнии для использования в транзисторах, производители добавляют небольшое количество:

• а) Германий
• б) Алюминий
• в) Бор
• г) мышьяк

10.

Каким будет типичное выходное сопротивление биполярного транзистора, подключенного в режиме общей базы?

• а) Несколько Ом.
• б) Около 1 МОм.
• в) Несколько килоом.
• г) Несколько мегаом.

К началу страницы

 

MCQ по биполярному транзистору [Бесплатный PDF] — объективный вопрос Ответ на викторину по биполярному транзистору

002 Найти изменение тока коллектора , если изменение тока базы составляет 0,03 мА? β = 100,9

Ответ (подробное решение ниже) 0003

Концепция :

• В транзисторе небольшие изменения в токе базы приводят к большим изменениям тока коллектора.
• Отношение изменения выходного тока к изменению входного тока называется усилением или усилением.
• Для переменного тока вход, усиление обозначается βac 9{-3}}=100\)

  \(\Delta I_c=3mA\)

  Правильный ответ: вариант (1)

  Биполярный переходной транзистор Вопрос 2:

  Термоэлектрический холодильник работает от

  901 56
• Эффект Жюля
• Эффект Зеебека
• Эффект Пельтье
• Эффект Вернье
• Ничего из вышеперечисленного/более одного из вышеперечисленных

Ответ (подробное решение ниже)

Вариант 3: Пельтье Эффект

Правильный ответ: Эффект Пельтье.

Ключевые моменты

• Термоэлектрические охладители работают на эффекте Пельтье.
  • Эффект создает разницу температур за счет передачи тепла между двумя электрическими соединениями.
  • Напряжение подается на соединенные проводники для создания электрического тока.

Дополнительная информация

• Эффект Джоуля-Томсона — это изменение температуры, сопровождающее расширение газа без производства работы или передачи тепла.
  • Охлаждение происходит потому, что необходимо выполнить работу, чтобы преодолеть дальнодействующее притяжение между молекулами газа, когда они удаляются друг от друга.
• Эффект Зеебека — это когда между термопарами возникает электричество, когда концы подвергаются разнице температур между ними.
  • Эффект Пельтье возникает, когда между переходами создается разность температур за счет приложения разности напряжений на клеммах.
• Эффект Вернье является хорошо известным методом в пассивных системах для увеличения FSR полосовых фильтров18.
  • За счет деструктивной интерференции моды генерации, кроме связанных резонансов, существенно подавляются.

Биполярный переходной транзистор Вопрос 3:

В биполярном транзисторе коэффициент усиления по току β.

1. экспоненциально увеличивается с повышением температуры
2. уменьшается с повышением температуры
3. увеличивается с повышением температуры
4. не изменяется с изменением температуры

Ответ (подробное решение ниже)

90 002 Вариант 3: увеличивается с увеличением температуры

Коэффициент усиления по току усилителя с общим эмиттером определяется как отношение изменения тока коллектора к изменению тока базы.

Поскольку ток коллектора увеличивается по отношению к температуре из-за обратного тока утечки, следовательно, коэффициент усиления по току \(β\) также будет увеличиваться с повышением температуры

Транзистор с биполярным переходом Вопрос 4:

_________.

1. два
2. три
3. четыре
4. пять

Ответ (подробное решение ниже)

Вариант 1: два

Транс истор:

Соединительный транзистор формируется путем помещения тонкого слоя полупроводника P-типа между двумя полупроводниками N-типа или путем помещения тонкого слоя полупроводника n-типа между двумя полупроводниками P-типа.

NPN Transisto r:

Образуется путем помещения тонкого слоя полупроводника P-типа между двумя полупроводниками N-типа.




Транзистор PNP :

Образуется путем прослоения тонкого слоя полупроводника N-типа между двумя полупроводниками P-типа.




• Транзистор — это электронный компонент, используемый либо для усиления, либо для передачи электрических сигналов или мощности в цепях, что позволяет использовать его в самых разных электронных устройствах.
• Транзистор, состоящий из двух PN-диодов, соединенных встречно-параллельно.
• Он имеет три вывода, а именно эмиттер, базу и коллектор.
• Биполярный переходной транзистор, кратко называемый BJT, представляет собой управляемое током устройство, состоящее из двух PN-переходов для выполнения своих функций.
• И есть две области истощения.
• Толщина обедненного слоя будет зависеть от условия смещения, примененного к соединению

Транзистор с биполярным переходом Вопрос 5:

Какие из следующих элементов относятся к группе G-7?
1. Германия
2. Италия
3. Россия
4. Япония
5. Испания
6. Франция
Выберите правильный ответ, используя приведенные ниже коды:

1. 1, 3, 4, 5
2. 1 , 2 , 4, 6
3. 1, 4, 5
4. Все эти

Ответ (подробное решение ниже)

Вариант 2: 1, 2, 4, 6

Правильный ответ: 1, 3, 4 и 5.

Ключевые точки  

• Группа из семи (G-7)
  • Это межправительственная организация, созданная в 1975 году.
  • Блок собирается ежегодно для обсуждения вопросов, представляющих общий интерес, таких как глобальное экономическое управление, международная безопасность и энергетическая политика.
  • К странам G7 относятся Великобритания, Канада, Франция, Германия, Италия, Япония и США.
  • Все страны G7 и Индия входят в G20.
  • Россия вошла в G7 и стала G8 в 1977 году.
  • У «Большой семерки» нет ни официального устава, ни секретариата. Председатель, который ежегодно меняет страны-члены, отвечает за определение повестки дня. Перед саммитом шерпы, министры и посланники вырабатывают политические инициативы.
  • По состоянию на 2022 год страны G7 составляют 10 % населения мира, 31 % мирового ВВП и 21 % глобальных выбросов углекислого газа, согласно веб-сайту Саммита. Китай и Индия, две самые густонаселенные страны с одними из самых высоких показателей ВВП в мире, не входят в эту группу.
• Отсюда можно сделать вывод, что членом G7 является 1-Германия, 2-Италия, 4-Япония, 6-Франция.

Top Bipolar Transistor MCQ Объективные вопросы

Какой из них является недостатком согласования импеданса?

1. Дает низкую выходную мощность
2. Дает искаженный выходной сигнал
3. Требуется трансформатор
4. Генерирует электроэнергию выход
   • Термин согласование импеданса определяется просто как процесс создания одного импеданса похожим на другой
   • Согласование импеданса — это процесс, при котором импеданс электрической нагрузки делается равным импедансу источника, чтобы максимизировать передачу мощности или минимизировать отражение сигнала от нагрузки
   • В усилителях мощности обычно используется трансформаторная связь, поскольку трансформатор обеспечивает согласование импеданса
   • Недостаток согласования импеданса в том, что он дает искаженный выходной сигнал
   Скачать решение PDF Поделиться в WhatsApp

   Транзистор, включенный по схеме с общей базой, имеет следующие показания I _E = 2 мА и I _B  = 20 мкА. Найдите текущее усиление α.

   1. 0,95
   2. 1,98
   3. 0,99
   4. 0,98

   Ответ (подробное решение ниже)

   Вариант 3: 0,9 9

   Коэффициент усиления тока: определяется как отношение выходного тока к входному току. В конфигурации с общей базой выходной ток равен току эмиттера IC, тогда как входной ток соответствует току базы IE.

   Таким образом, отношение изменения тока коллектора к изменению тока эмиттера известно как коэффициент усиления тока. Он выражается буквой α.

   \(\alpha = \frac{{{\rm{\Delta}}{I_C}}}{{{\rm{\Delta}}{I_E}}}\)

   Где, I _E = I _C + I _B

   Расчет:

   Дано,

   I _E = 2 мА

   I _B = 20 мкА = 0,02 мА

   Из приведенной выше концепции,

   I _C = 2 мА — 0,02 мА = 1,98 мА

   Коэффициент усиления тока определяется как

   \(\alpha=\frac{I_C}{I_E}=\frac{1,98}{2}=0,99\ )

   Скачать решение PDF Поделиться в WhatsApp

   Что из перечисленного является функциями транзистора?

   1. Выпрямитель и постоянный резистор
   2. Переключающее устройство и постоянный резистор
   3. Настроечное устройство и выпрямитель
   4. Переменный резистор и переключающее устройство

   Ответ (Подробное решение ниже)

   Вариант 4: Устройство резистория и переключения переменного резистория

   Транзисторы :

   • Транзисторы — это полупроводниковые устройства, которые обычно используются в усилителях или электрически контролируемых переключателях
   .
   • Транзисторы являются основным строительным блоком, который регулирует работу компьютеров, мобильных телефонов и всех других современных электронных схем
   • Самая важная функция транзистора — усилитель тока и переключатель
   • Транзисторы в качестве усилителей тока часто используются в усилителях, а транзисторы в качестве переключателей часто используются в автоматических схемах освещения
   • Функции транзистора: переменный резистор и переключающее устройство
   Скачать решение PDF Поделиться в WhatsApp

   Какая из следующих конфигураций имеет высокий коэффициент усиления по току и высокому напряжению?

   1. CC
   2. CC и CB
   3. CB
   4. CE

   Ответ (подробное решение ниже)

   Вариант 4: CE

   	Общий эмиттер (CE)	Общий коллектор (CC)	Общая база (CB)
   Коэффициент усиления по току (A I )	Высокий	Высокий	Низкий (единица)
   Коэффициент усиления по напряжению (А В )	Высокий	Низкий (единица)	Высокий
   Входное сопротивление (R и )	Средний	Высокий	Низкий
   Выходное сопротивление (R 0 )	Средний	Низкий	Высокий
   Изменение фазы	180°	0°	0°

   Скачать решение PDF Поделиться в WhatsApp

   BJT с β = 50 имеет ток утечки база-коллектор I _CBO 2,5 мкА. Если транзистор подключен по схеме CE, ток коллектора для I _B = 0 составляет

   1. 0,05 мкА
   2. 0,1275 мА
   3. 0,157 мА
   4. 0,516 мА

   Ответ (подробное решение ниже)

   Вариант 2: 0,1275 м A

   Концепция :

   ICEO — это обратный ток утечки в эмиттерная конфигурация BJT, когда база открыта.

   ICBO — обратный ток утечки в конфигурации BJT с общей базой, когда эмиттер открыт.

   Кроме того, ICEO > ICBO

   И они связаны соотношением:

   ICEO = (1 + β) ICBO

   Общий ток коллектора определяется по формуле:

   IC = βIB + ICBO(β + 1)

   Приложение :

   90 002 Суммарный ток коллектора для данной конфигурации будет быть:

   IC = βIB + ICBO(β + 1)   —(1)

   Дано: I _B = 0 А, β = 50 и ICBO = 2,5 мкА.

   Подставляя эти значения в уравнение (1), получаем:

   IC = (50)(0) + (2,5 мк) (50 + 1)

   I _C = 2,5 × 10 ^-6  × 51 А

   IC = 0,1275 мА

   Скачать решение PDF Поделиться в WhatsApp

   BJT — это _____

   1. Устройство, управляемое напряжением
   2. Устройство, управляемое током
   3. Устройство с очень высоким входным сопротивлением
   4. Ничего из вышеперечисленного

   Ответ (подробное решение ниже)

   900 02 Вариант 2: Токоуправляемое устройство

   Стойки BJT для транзистора с биполярным переходом

   • B = биполярный (поскольку проводимость обусловлена ​​двумя противоположными типами носителей: дырками и электронами)
   • J = Соединение относится к двум PN-переходам между эмиттером и базой, а также между коллектором и базой.
   • BJT — это устройства, управляемые током, т.е. это устройство, управляемое током.
   • Ток через две клеммы контролируется током на третьей клемме (базе).
   • Это биполярное устройство (проводимость тока обоими типами носителей, то есть основными и неосновными электронами и дырками)
   • Имеет низкое входное сопротивление.

   Символ :

   Разница между FET и BJT объясняется в следующей таблице:

   ФЕТ	БДЖТ
   Униполярное устройство: использует только один тип носителя заряда	Биполярное устройство: использует как электрон, так и дырку
   Устройство, управляемое напряжением: напряжение между затвором и истоком управляет током, проходящим через устройство.	Устройство с управлением по току: контроль тока базы над величиной тока коллектора
   Высокое входное сопротивление	Низкое входное сопротивление
   Медленнее при переключении	Быстрее при переключении

   Скачать решение PDF Поделиться в WhatsApp

   В какой из следующих цепей смещения коэффициент стабильности зависит от R _С ?

   1. Фиксированное смещение
   2. Смещение коллектора к базе
   3. Смещение эмиттера
   4. Собственное смещение

   Ответ (подробное решение ниже)

   Вариант 2: Смещение коллектора к базе

   Стабилизация смещения — это процесс, при котором точка Q становится независимой. изменений температуры и изменения параметров транзистора.

   Коэффициент стабильности тока \(S = \frac{{\partial {I_C}}}{{\partial {I_{CO}}}}\)

   Цепь фиксированного смещения:

   Базовый ток I _B фиксированный. Следовательно, это называется цепью с фиксированным смещением.

   S = 1 + β

   Поскольку S очень велико, I _C будет нестабильным (S = \frac{{1 + \beta }}{{1 + \beta \left( {\frac{{{R_C}}}{{{R_B} + {R_C}}}} \right)}}\)

   Дает более стабильный I _C , чем цепь с фиксированным смещением. Коэффициент стабильности зависит от R _С . Если R _C становится меньше или равен нулю, коэффициент стабильности становится очень большим, и I _C не остается стабильным.

   Цепь автоматического смещения:

   \(S = \frac{{1 + \beta}}{{1 + \beta \left({\frac{{{R_E}}}{{ \left( {{R_{B1}}||{R_{B2}}} \right) + {R_E}}}} \right)}}\)

   Схема самосмещения имеет наименьший коэффициент стабильности. Фактор стабильности не зависит от R _C . его можно использовать для смещения биполярного транзистора для любой конфигурации.
   Скачать решение PDF Поделиться в WhatsApp

   Что верно в отношении области отсечки npn BJT?

   1. В _В > В _Е
   2. В _В Е
   3. В _В = В _Е
   4. V _B > V _C

   Ответ (подробное решение ниже)

   Вариант 2: V _B E

   Рассмотрим транзистор npn

   В области отсечки:

   Соединение базы коллектора смещено в обратном направлении: V _B C

   Соединение базы эмиттера смещено в обратном направлении: V _B E

   В области насыщения:

   Соединение базы коллектора смещено в прямом направлении ред: В _Б > В _C

   Базовый переход эмиттера смещен в прямом направлении: V _B > V _E

   В активной области:

   Базовый переход коллектора смещен в обратном направлении: V 904 50 В С

   Базовый переход эмиттера смещен в прямом направлении: V _B > V _E
   Скачать решение PDF Поделиться в WhatsApp

   Ниже приведены четыре соотношения.