Mosfet транзисторы схема включения. Как простым омметром проверить полевой транзистор

Такие полупроводниковые элементы, как транзисторы, являются неотъемлемой частью практически всех электронных схем — от радиоприемников до системных плат сверхсложных вычислительных центров. Проверка этого элемента на работоспособность — операция, которую обязан уметь выполнять любой человек, так или иначе занимающийся ремонтом электронных плат, будь он профессиональный ремонтник или любитель.

Для осуществления этой операции можно применять специальный тестер транзисторов, но если его нет под рукой, или в его надежности есть сомнения, можно воспользоваться самым обыкновенным мультиметром. Даже те модели, которые не имеют специального гнезда для проверки биполярных или полевых транзисторов, могут быть использованы для точной проверки. Для этого мультиметр выставляется в режим максимального сопротивления, либо «прозвонки», если таковой есть.

Общий алгоритм проверки

Как проверить транзистор мультиметром? В общем и целом алгоритм выглядит так:

Дальнейшие действия по проверке будут зависеть от того, какого типа элемент требуется проверить. В основном в электронике применяются полупроводниковые элементы двух видов — биполярный и полевой.

Биполярный

Как проверить биполярный транзистор мультиметром? В первую очередь нужно выяснить, к какому из двух подтипов — npn или pnp он относится. Для этого вспомним, что же вообще такое биполярный транзистор.

Это полупроводниковый элемент, в котором реализован так называемый npn или pnp переход. N-p-n — это переход «электрон — дырка — электрон», p-n-p, соответственно, наоборот, «дырка — электрон — дырка». Конструктивно он состоит из трех частей — эмиттера, коллектора и базы. Фактически биполярник — это два сопряженных обыкновенных диода, у которых база является общей точкой соединения.

На схеме pnp транзистор отличается от своего npn-собрата направлением стрелки в круге — стрелки эмиттерного перехода. У схемы p-n-p она направлена к базе, у n-p-n — наоборот.

Эту разницу нужно знать для проверки биполярного транзистора. Pnp-схема открывается приложением к базе отрицательного напряжения, npn — положительного.

Но перед этим необходимо выяснить, какой из контактов проверяемого транзистора является базой, какой эмиттером, а какой коллектором.

Обратите внимание, что определить описанным ниже способом, какой из контактов — база, а какие — эмиттер и коллектор, можно только у исправного элемента. Сам по себе факт прохождения транзистором этой проверки говорит о том, что он, скорее всего, исправен.

Инструкция здесь может быть следующая:

1. красный (плюсовой) щуп подключается к первому попавшемуся выводу, например левому, черным (минусовым) поочередно касаются центрального и правого. Фиксируют значение «1» на центральном, и 816 Ом, например, на правом;
2. красный щуп мультиметра закорачивают с центральным контактом, черный — поочередно с боковыми. Прибор выдает «1» на левом и какое-либо значение, допустим, 807 — на правом;
3. при контакте красного щупа мультиметра с правым выводом, а черного — с левым и центральным получаем в обоих случаях «1». Это означает, что база определена — это и есть правый контакт транзистора. А сам транзистор — pnp-типа.

В принципе, этого достаточно, чтобы сказать, что транзистор исправен. Теперь, чтобы проверить его структуру и конкретное расположение эмиттера и коллектора, закорачиваем черный (минусовой) щуп мультиметра с базой, а красный — по очереди с левым и центральным контактом.

Тот контакт, что дает меньшую величину сопротивления, будет коллекторным (в нашем случае 807 Ом). Тот, что большую — 816 Ом — является эмиттерным.

Проверка транзистора npn типа происходит так же, только к базе прикладывается плюсовой контакт.

Это способ проверки p-n переходов между базой и коллектором и базой и эмиттером. Показания мультиметра могут быть разными, в зависимости от типа транзистора, но всегда будут лежать в пределах 500-1200 Ом. Для завершения испытания коснитесь щупами эмиттера и коллектора. Исправный элемент при этом будет выдавать бесконечно большое сопротивление вне зависимости от своего типа, как бы вы ни меняли полярность.

Если значение на экране отличается от «1» — один из переходов пробит, деталь непригодна к работе.

Проверка без выпаивания

Если у вас нет уверенности, что проверять нужно именно этот транзистор, измерить его параметры можно и на плате, не выпаивая. Но при этом мультиметр должен показывать значения в пределах 500-1200 Ом. Если они измеряются единицами или даже десятками Ом — схема зашунтирована низкоомными резисторами. Для точной проверки транзистор придется выпаять.

Полевой

Полевой, он же — mosfet транзистор отличается от биполярного тем, что в нем может протекать либо только положительный заряд, либо только отрицательный («дырка» или электрон). Его контакты имеют иное значение — затвор, сток, исток.

Как проверить полевой транзистор мультиметром? Методика проверки почти та же, что и в предыдущем случае, но предварительно, во избежание выхода элемента из строя, необходимо снять с себя заряд статического электричества, так как полевик очень чувствителен к статике.

Используйте антистатический браслет либо просто коснитесь рукой заземленного металлического элемента, например корпуса приборного шкафа.

Полевики всегда имеют небольшую проводимость между стоком и истоком, которая выявляется на экране мультиметра как сопротивление порядка 400-700 Ом. Если поменять полярность, сопротивление незначительно изменится, возрастет или упадет на 40-60 Ом. Перед этим необходимо закоротить исток и сток между собой, чтобы «обнулить» емкости переходов.

Если при проверке с помощью мультиметра между истоком и стоком обнаруживается бесконечно большое сопротивление, полевой транзистор неисправен.
Между истоком и затвором либо стоком и затвором также будет обнаруживаться проводимость, но только в одну сторону. Плюс, приложенный к затвору, а минус — к истоку, вызовет открытие перехода и, соответственно, значение на экране в границах 400-700 Ом. Обратная схема — плюс к истоку, минус к затвору — у исправного полевика даст «1», то есть. очень большое сопротивление.

Проверка линии сток-затвор проходит аналогично. Если же линия исток-затвор или сток-затвор имеет проводимость в обе стороны, это значит, что полевой транзистор пробит.

В заключение надо сказать несколько слов о составном типе. Составной транзистор — это элемент, соединяющий в себе два обычных биполярных транзистора (иногда три и более). Проверка мультиметром производится аналогично методологии для простого «биполярника».

В современной электронной аппаратуре все чаще находят применение полевые транзисторы. Разработчики используют их в блоках питания телевизоров, мониторов, видеомагнитофонов и другой аппаратуре. При проведении ремонта мастер сталкивается с необходимостью проверки исправности мощных полевых транзисторов. В статье автор рассказывает, как произвести проверку полевого транзистора с помощью обычного омметра.

Полевые транзисторы (ПТ), благодаря ряду уникальных параметров, в том числе высокому входному сопротивлению, находят широкое применение в блоках питания телевизоров, мониторов, видеомагнитофонов и другой радиоэлектронной аппаратуры.

При ремонте аппаратов, в которых применены полевые транзисторы, у ремонтников очень часто возникает задача проверки целостности и работоспособности этих транзисторов. Чаще всего приходится иметь дело с вышедшими из строя мощными полевыми транзисторами импульсных блоков питания.

Расположение выводов полевых транзисторов (Gate — Drain — Source) может быть различным. Чаще всего выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого аппарата (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S). Если такой маркировки нет, то желательно воспользоваться справочными данными.

Чтобы предотвратить выход из строя транзистора во время проверки, очень важно при проверке полевых транзисторов соблюдать правила безопасности. Дело в том, что полевые транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому их рекомендуется проверять, предварительно организовав заземление. Для того чтобы снять с себя накопленные статические электрические заряды, необходимо надеть на руку заземляющий антистатический браслет.

Также следует помнить, что при хранении полевых транзисторов, особенно маломощных, их выводы должны быть замкнуты между собой.

При проверке ПТ чаще всего пользуются обычным омметром. У исправного полевого транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление. Причем бесконечное сопротивление прибор должен показывать независимо от прикладываемого тестового напряжения. Следует заметить, что имеются некоторые исключения. Если при проверке приложить положительный щуп тестового прибора к затвору (G) транзистора n-типа, а отрицательный — к истоку (S), зарядится емкость затвора и транзистор откроется. При замере сопротивления между стоком (D) и истоком (S) прибор покажет некоторое значение сопротивления, которое зависит от ряда факторов. Неопытные ремонтники могут принять такое поведение транзистора за его неисправность. Поэтому перед “прозвонкой” канала “сток-исток” замкните накоротко все ножки транзистора, чтобы разрядить емкость затвора. После этого сопротивление сток-исток должно стать бесконечным.

В противном случае транзистор признается неисправным.

В современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод, поэтому канал “сток-исток” при проверке ведет себя как обычный диод. Для того чтобы избежть досадных ошибок, помните о наличии такого диода и не примите это за неисправность транзистора. Убедиться в наличии диода достаточно просто. Нужно поменять местами щупы тестера, и он должен показать бесконечное сопротивление между стоком и истоком. Если этого не произошло, то, скорее всего, транзистор пробит. В остальном проверка транзистора не отличается от приведенной выше. Таким образом, имея под рукой обычный омметр, можно легко и быстро проверить мощный полевой транзистор.

Описание:

MOSFET транзисторы в последнее время все больше и больше набирают популярность. Они могут послужить хорошей заменой реле и биполярным транзисторам.

Чтобы сэкономить деньги и не бегать лишний раз в магазин, MOSFET транзисторы можно выпаять из нерабочей материнской платы или какого-нибудь модуля управления.

Но как проверить работоспособность этих радиокомпонетов?
Для этого нам потребуется всего один прибор — тестер.
У каждого радиолюбителя (даже начинающего) он обязательно должен быть!

В подавляющем большинстве тестеров есть режим «прозвонки», совмещенный с проверкой падения напряжения диодов.
Вот в этот режим мы и переводим тестер.

Теперь посмотрим на схему N-канального MOSFET транзистора.

В цепи сток-исток имеется диод. Кстати его наличие обусловлено технологией производства.
Тестером можно подтвердить наличие этого диода.

0.5В — это падение напряжение на внутреннем диоде Шоттки. Если поменять щупы местами, то должен быть «обрыв».

А теперь можно проверить и затвор.
Тестер должен показывать «обрыв» при проверке затвор-исток и затвор-сток, причем полярность щупов не имеет значения.

Но вот что интересно, если черный щуп («-«) держать на истоке, а красным щупом («+») коснуться затвора, то транзистор откроется. В чем мы можем убедится, опять проверив сток-исток.

Тестер покажет почти нулевое сопротивление.

Теперь поместим щуп «+» на сток, а черный щуп на затвор и проверим сток-исток. Тестер опять будет показывать или падение напряжения на диоде или «обрыв», т.е транзистор закрылся!

Кстати есть еще одна тонкость — если мы откроем транзистор и измерим сопротивление сток-исток, но только не сразу, а через некоторое время, то тестер будет показывать сопротивление отличное от нуля. И чем больше пройдет времени, тем больше будет сопротивление.

Почему же так происходит? А все очень просто — емкость между затвором и стоком достаточно большая (обычно единицы нанофарад) и когда мы открываем MOSFET транзистор, эта емкость заряжается. А так как полевой транзистор управляется полем а не током, то пока не разрядится конденсатор, транзистор будет открыт.

P-канальный MOSFET транзистор можно проверить по такому же принципу, только полярность затвора другая.

Содержание:

В радиоэлектронике и электротехнике транзисторы относятся к одним из основных элементов, без которых не будет работать ни одна схема. Среди них, наиболее широкое распространение получили полевые транзисторы, управляемые электрическим полем. Само электрическое поле возникает под действием напряжения, следовательно, каждый полевой транзистор является полупроводниковым прибором, управляемым напряжением. Наиболее часто применяются элементы с изолированным затвором. В процессе эксплуатации радиоэлектронных устройств и оборудования довольно часто возникает необходимость проверить полевой транзистор мультиметром, не нарушая общей схемы и не выпаивая его. Кроме того, на результаты проверки оказывает влияние модификация этих устройств, которые технологически разделяются на п- или р-канальные.

Устройство и принцип действия полевых транзисторов

Полевые транзисторы относятся к категории полупроводниковых приборов. Их усиливающие свойства создаются потоком основных носителей, который протекает через проводящий канал и управляется электрическим полем. Полевые транзисторы, в отличие от биполярных, для своей работы используют основные носители заряда, расположенные в полупроводнике. По своим конструктивным особенностям и технологии производства полевые транзисторы разделяются на две группы: элементы с управляющим р-п-переходом и устройства с изолированным затвором.

К первому варианту относятся элементы, затвор которых отделяется от канала р-п-переходом, смещенным в обратном направлении. Носители заряда входят в канал через электрод, называемый истоком. Выходной электрод, через который носители заряда уходят, называется стоком. Третий электрод — затвор выполняет функцию регулировки поперечного сечения канала.

Когда к истоку подключается отрицательное, а к стоку положительное напряжение, в самом канале появляется электрический ток. Он создается за счет движения от истока к стоку основных носителей заряда, то есть электронов. Еще одной характерной особенностью полевых транзисторов является движение электронов вдоль всего электронно-дырочного перехода.

Между затвором и каналом создается электрическое поле, способствующее изменению плотности носителей заряда в канале. То есть, изменяется величина протекающего тока. Поскольку управление происходит с помощью обратно смещенного р-п-перехода, сопротивление между каналом и управляющим электродом будет велико, а мощность, потребляемая от источника сигнала в цепи затвора, очень мала. За счет этого обеспечивается усиление электромагнитных колебаний не только по току и напряжению, но и по мощности.

Существуют полевые транзисторы, у которых затвор отделяется от канала слоем диэлектрика. В состав элемента с изолированным затвором входит подложка — полупроводниковая пластина, имеющая относительно высокое . В свою очередь, она состоит из двух областей с противоположными типами электропроводности. На каждую из них нанесен металлический электрод — исток и сток. Поверхность между ними покрывает тонкий слой диэлектрика. Таким образом, в полученную структуру входят металл, диэлектрик и полупроводник. Данное свойство позволяет проверить полевой транзистор мультиметром не выпаивая. Поэтому данный вид транзисторов сокращенно называют МДП. Они различаются наличием индуцированных или встроенных каналов.

Проверка мультиметром

Перед началом проверки на исправность полевого транзистора мультиметром, рекомендуется принять определенные меры безопасности, с целью предотвращения выхода транзистора из строя. Полевые транзисторы обладают высокой чувствительностью к статическому электричеству, поэтому перед их проверкой необходимо организовать заземление. Для снятия с себя накопленных статических зарядов, следует воспользоваться антистатическим заземляющим браслетом, надеваемым на руку. В случае отсутствия такого браслета можно просто коснуться рукой батареи отопления или других заземленных предметов.

Хранение полевых транзисторов, особенно с малой мощностью, должно осуществляться с соблюдением определенных правил. Одно из них заключается в том, что выводы транзисторов в этот период, находятся в замкнутом состоянии между собой. Конфигурация цоколей, то есть расположение выводов в различных моделях транзисторов может отличаться. Однако их маркировка остается неизменной, в соответствии с общепринятыми стандартами. Затвор по-английски означает Gate, сток — Drain, исток — Source, а для маркировки используются соответствующие буквы G, D и S. Если маркировка отсутствует необходимо воспользоваться специальным справочником или официальным документом от производителя электронных компонентов.

Проверку можно выполнить с помощью , но более удобной и эффективной будет прозвонка цифровым мультиметром, настроенным на тестирование p-n-переходов. Полученное значение сопротивления, отображаемое на дисплее, на пределе х100 численно будет соответствовать напряжению на р-п-переходе в милливольтах. После подготовки можно переходить к непосредственной проверке. Прежде всего нужно знать, что исправный транзистор обладает бесконечным сопротивлением между всеми его выводами. Прибор должен показывать такое сопротивление независимо от полярности щупов, то есть прикладываемого напряжения.

Современные мощные полевые транзисторы имеют встроенный диод, расположенный между стоком и истоком. В результате, при решении задачи, как прозвонить полевой транзистор мультиметром, канал сток-исток, ведет себя аналогично обычному диоду. Отрицательным щупом черного цвета необходимо коснуться подложки — стоку D, а положительным красным щупом — вывода истока S. Мультиметр покажет наличие прямого падения напряжения на внутреннем диоде до 500-800 милливольт. В обратном смещении, когда транзистор закрыт, прибор будет показывать бесконечно высокое сопротивление.

Далее, черный щуп остается на месте, а красный щуп касается вывода затвора G и вновь возвращается к выводу истока S. В этом случае мультиметр покажет значение, близкое к нулю, независимо от полярности приложенного напряжения. Транзистор откроется в результате прикосновения. Некоторые цифровые устройства могут показывать не нулевое значение, а 150-170 милливольт.

Если после этого, не отпуская красного щупа, коснуться черным щупом вывода затвора G, а затем возвратить его к выводу подложки стока D, то в этом случае произойдет закрытие транзистора, и мультиметр вновь отобразит падение напряжения на диоде. Такие показания характерны для большинства п-канальных устройств, используемых в видеокартах и материнских платах. Проверка р-канальных транзисторов осуществляется таким же образом, только со сменой полярности щупов мультиметра.

В современной электронной аппаратуре все чаще находят применение полевые транзисторы. Разработчики используют их в блоках питания телевизоров, мониторов, видеомагнитофонов и другой аппаратуре. При проведении ремонта мастер сталкивается с необходимостью проверки исправности мощных полевых транзисторов. В статье автор рассказывает, как произвести проверку полевого транзистора с помощью обычного омметра. Полевые транзисторы (ПТ), благодаря ряду уникальных параметров, в том числе высокому входному сопротивлению, находят широкое применение в блоках питания телевизоров, мониторов, видеомагнитофонов и другой радиоэлектронной аппаратуры. При ремонте аппаратов, в которых применены полевые транзисторы, у ремонтников очень часто возникает задача проверки целостности и работоспособности этих транзисторов. Чаще всего приходится иметь дело с вышедшими из строя мощными полевыми транзисторами импульсных блоков питания. Расположение выводов полевых транзисторов (Gate — Drain — Source) может быть различным. Чаще всего выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого аппарата (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S). Если такой маркировки нет, то желательно воспользоваться справочными данными. Чтобы предотвратить выход из строя транзистора во время проверки, очень важно при проверке полевых транзисторов соблюдать правила безопасности. Дело в том, что полевые транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому их рекомендуется проверять, предварительно организовав заземление. Для того чтобы снять с себя накопленные статические электрические заряды, необходимо надеть на руку заземляющий антистатический браслет. Также следует помнить, что при хранении полевых транзисторов, особенно маломощных, их выводы должны быть замкнуты между собой. При проверке ПТ чаще всего пользуются обычным омметром. У исправного полевого транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление. Причем бесконечное сопротивление прибор должен показывать независимо от прикладываемого тестового напряжения. Следует заметить, что имеются некоторые исключения. Если при проверке приложить положительный щуп тестового прибора к затвору (G) транзистора n-типа, а отрицательный — к истоку (S), зарядится емкость затвора и транзистор откроется. При замере сопротивления между стоком (D) и истоком (S) прибор покажет некоторое значение сопротивления, которое зависит от ряда факторов. Неопытные ремонтники могут принять такое поведение транзистора за его неисправность. Поэтому перед «прозвонкой» канала «сток-исток» замкните накоротко все ножки транзистора, чтобы разрядить емкость затвора. После этого сопротивление сток-исток должно стать бесконечным. В противном случае транзистор признается неисправным. В современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод поэтому канал «сток-исток» при проверке ведет себя как обычный диод. Для того чтобы избежть досадных ошибок, помните о наличии такого диода и не примите это за неисправность транзистора. Убедиться в наличии диода достаточно просто. Нужно поменять местами щупы тестера, и он должен показать бесконечное сопротивление между стоком и истоком. Если этого не произошло, то, скорее всего, транзистор пробит. В остальном проверка транзистора не отличается от приведенной выше. Таким образом, имея под рукой обычный омметр, можно легко и быстро проверить мощный полевой транзистор. Здесь Ваше мнение имеет значение — поставьте вашу оценку (оценили — 18 раз)

Как проверить полевой транзистор? | ROM.by

Рис.1.MOSFET: N-канальный полевой транзистор.

Рис.2. Обозначение выводов: S — исток, D — сток, G — затвор

Рис. 3. На мультиметре выставляем режим проверки диодов.

Рис.4. Транзистор закрыт: мультиметр показывает падение напряжения на внутреннем диоде — 502 мВ

MOSFET — это Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor.

Нижеизложенная методика обеспечивает проверку MOSFET’ов вне схемы. MOSFET должен находиться на непроводящей поверхности. Поверхность MOSFET’а должна быть относительно чистой, т.к. загрязнение поверхности между выводами MOSFET’а может привести к искажению результатов проверки. Также следует обращать внимание на соотношение Vgs(th) и максимального напряжения, выдаваемого мультиметром в режиме проверки диодов.

Для диагностики полевых транзисторов N-канального вида ставим мультиметр на проверку диодов (обычно он пищит на этом положении), черный щуп слева на подложку (D — сток), красный на дальний от себя вывод справа (S — исток), мультиметр показывает падение напряжения на внутреннем диоде — 502 мВ, транзистор закрыт (Рис. 4). Далее, не снимая черного щупа, касаемся красным щупом ближнего вывода (G — затвор) (Рис.5) и опять возвращаем его на дальний (S — исток), тестер показывает 0 мВ (на некоторых цифровых мультиметрах будет показываться не 0, а 150…170 мВ): полевой транзистор открылся прикосновением (Рис.6).

Если сейчас черным щупом коснуться нижней (G — затвор) ножки, не отпуская красного щупа (Рис.7), и вернуть его на подложку (D — сток), то полевой транзистор закроется и мультиметр снова будет показывать падение напряжения около 500 мВ (Рис.8). Это верно для большинства N-канальных полевиков в корпусе DPAK и D²PAK, применяемых на материнских платах и видеокартах.

Рис.5. Открываем.

Рис. 6. Открыт.

Рис.7. Закрываем.

Рис.8. Закрыт.

Транзистор выполнил всё, что от него требовалось. Диагноз — исправен. Для проверки P-канальных полевых транзисторов нужно поменять полярность напряжений открытия-закрытия. Для этого просто меняем щупы мультиметра местами.

Ссылка по теме.

‹ Как перепаять конденсаторы на материнской плате? Вверх Маркировка и совместимость микросхем FlashBIOS ›

Эволюция низкоразмерных полевых транзисторов на основе материалов

Вакас Ахмад, ^и Юнинг Гонг, ^и Гулам Аббас, ^и Карим Хан, ^и Мааз Хана, ^б Гафар Али, ^б Ахмед Шуя, ^с Айеша Хан Тарин, ^и Касим Хан* ^a и Делонг Ли * ^и

Принадлежности автора

* Соответствующие авторы

^и Институт микрооптоэлектроники, Международная совместная лаборатория 2D-материалов для науки и техники в области оптоэлектроники Министерства образования, Шэньчжэньский университет, Шэньчжэнь 518060, КНР
Электронная почта: qasim@szu. edu.cn, [email protected]

^б Исследовательская группа наноматериалов, Отдел физики, PINSTECH, Nilore 45650, Исламабад, Пакистан

^с Центр передовой электроники и фотоэлектрической инженерии, Международный исламский университет, Исламабад, Пакистан

Аннотация

Полевые транзисторы (FET) имеют огромное применение в электронной промышленности благодаря своим выдающимся характеристикам, таким как небольшой размер, простота изготовления, совместимость со встроенной электроникой, высокая чувствительность, быстрое обнаружение и простые процедуры измерения. Тем не менее, чтобы удовлетворить растущий спрос электронной промышленности, желательны эффективные полевые транзисторы с контролируемыми эффектами короткого канала, повышенной стабильностью поверхности, уменьшенными размерами и превосходными характеристиками на основе низкоразмерных материалов. В этом обзоре мы представляем дорожную карту развития полевых транзисторов от обычных до миниатюрных устройств и выделяем их перспективные применения в области оптоэлектронных устройств. Вначале представлено подробное исследование общей важности объемных и низкоразмерных материалов. Затем подробно представлены последние достижения в области гетероструктур из низкоразмерных материалов, классификация полевых транзисторов и применение низкоразмерных материалов в полевых транзисторах и фотодетекторах. Кроме того, мы также описываем текущие проблемы низкоразмерных полевых транзисторов на основе материалов и предлагаем возможные подходы к решению этих проблем, которые имеют решающее значение для разработки электронных и оптоэлектронных устройств. В этом обзоре будут представлены рекомендации по низкоразмерным полевым транзисторам на основе материалов с высокими характеристиками и перспективными приложениями в будущем.

• Эта статья является частью тематического сборника: Последние обзорные статьи

JFETS | Полевой транзистор, малосигнальный MOSFET

Всемирный поставщик высококачественных электрических и электронных компонентов

Позвоните нам: +800-631-1250

Позвоните нам: +800-631-1250

JFET (FET, включая MOSFET с малым сигналом)

NTE Тип № Полярность и Материал Описание и Применение Футляр Стиль Напряжение От вентиля к источнику Мин. (Вольты) Отсечка Напряжение От вентиля до Источник Макс.(ВЫКЛ.) (В) Слив Ток Zero-Gate Мин-Макс (мА) Слив Ток Макс.(ВЫКЛ.) (мА) Res Сток к Источник Макс.(ВКЛ.) (Ом) Крышка Вход Макс. (пф) Ред. Транс Крышка Макс. (пф) Транскондуктивность Тип (мкмОм) Мощность Dissp Макс. (мВт) БВ ГСС В ГС I ДСС И Д р ДСС С исс С рсс г фс П Д 132 JFET N-CH VHF Amp/Mix, NF 4 дБ макс. при 400 МГц ТО106 25 8 2-20 — — 5 1,2 4500 310 133 JFET N-CH Gen Purp AF Amp, Sw ТО106 25 6 0,5-15 — — 6 2 4000 300 221 Двойной затвор МОП-транзистор N-CH VHF Amp/Mix NF 5 дБ макс. при 200 МГц ТО72 20 6 18 Тип — — 5,5 0,03 15000 400 222 Двойной затвор МОП-транзистор N-CH VHF Amp/Mix, NF 6 дБ макс. при 200 МГц Gate Protected ТО72 20 4 5-35 — — 3.3 Тип 0,03 12000 330 312 JFET N-CH Усилитель/микс VHF, NF Макс. 4 дБ на частоте 400 МГц ТО92 30 6 5-15 — — 4,5 1 5500 360 326 JFET P-CH Gen Purp AF Amp, NF 2,5 дБ макс. при 100 Гц ТО92 40 7,5 2-9 — — 7 2 5000 Макс. 310 451 JFET N-CH Усилитель УВЧ/ОВЧ, NF 4 дБ на 400 МГц ТО92 25 4 4-10 — — 5 1 4000 310 452 JFET N-CH VHF Amp/Mix NF 4 дБ на 400 МГц ТО72 30 6 5-15 — — 4 0,8 5500 300 454 Двойной затвор МОП-транзистор N-CH Предусилитель UHF/VHF, NF 4,5 дБ при 200 МГц Gate Protected ТО72 25 (DSX) 5 6-30 — — 3. 3 Тип 0,03 15000 360 455 Двойной затвор МОП-транзистор N-CH ТВ-усилитель УВЧ/РЧ Диапазон 900 МГц, Защита затвора — 20 (DSX) Г 1 = 2 Г 2 = -0,7 0,5-20 25 — 3,5 0,03 22000 200 456 JFET N-CH Gen Purp Amp/Sw NF 2,5 дБ при 100 кГц ТО72 30 6 2-6 15 400 6 2 3500 300 457 JFET N-CH Gen Purp Усилитель/ПО ТО92 25 6 1-5 — — 7 3 3000 310 458 JFET N-CH Gen Purp Low Noise NF 3,0 дБ при 100 кГц ТО92 50 1,5 0,5-12 20 — 13 2,6 Тип 12000 250 459 JFET N-CH Усилитель звуковой частоты/прерыватель/переключатель ТО72 50 6 2-10 10 — 6 3 6500 Макс. 300 460 JFET P-CH Усилитель ЗЧ, вход переменного тока Полное сопротивление, 5 МОм при 1 кОм ТО72 20 6 2-6 10 800 20 — 2500 300 461 Двойной согласованный Pr JFET N-CH Усилитель постоянного тока/ Пробоотборник/преобразователь (соотношение 0,95) ТО71 50 4,5 0,5-8 30 — 6 2 3500 250 (Каждый) 400 (Всего) 464 МОП-транзистор P-CH Режим улучшения, на Переключение приложений ТО72 25 5 Макс. 10 нА 30 600 5 1,3 1000 Мин. 300 465 МОП-транзистор N-CH Расширенный режим, для приложений переключения ТО72 25 5 Макс. 10 нА 30 300 5 1,3 1000 мин. 300 466 JFET N-CH Измельчитель/Sw ТО18 40 10 50 мин 250 пА 25 18 0,8 — 360 467 JFET N-CH Прерыватель/высокая скорость Переключение скоростей ТО92 30 12 50 мин 1,0 нА 30 10 4 — 310 468 JFET N-CH Прерыватель/высокая скорость Переключение скоростей ТО92 35 10 20 мин 1,0 нА 30 28 5 — 625 469 JFET N-CH Прерыватель/высокая скорость Переключение скорости ТО92 35 3,0 2,0 ​​мин. 1,0 нА 100 28 5 — 625 489 JFET P-CH Усилитель Gen Purp ТО92 30 2,0 ​​ 2-15 — — 32 Тип 4 Тип 15000 Макс. 360 490 МОП-транзистор N-CH Расширенный режим, для приложений переключения ТО92 60 (ДСС) ±20 0,5 мкА Макс. 500 5 60 — 200000 350 491 МОП-транзистор N-CH Расширенный режим, для приложений переключения ТО92 60 (ДСС) ±40 1 мкА Макс. 200 5 50 5 100 350 491SM МОП-транзистор N-CH Расширенный режим, для приложений переключения СОТ-23 60 (ДСС) ±40 1 мкА Макс. 115 7,5 50 5 320 200 491Т МОП-транзистор N-CH Расширенный режим, для приложений переключения ТО237 60 (ДСС) 15/-0,3 10 мкА Макс. 310 5 60 5 300 1 Вт 492 МОП-транзистор N-CH Расширенный режим, для приложений переключения ТО92 200 (DSX) ±20 30 нА Макс. alexxlab Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт Рубрики Прост Радио Разное Своими руками Советы Схем Схемы Транзист Транзисторы Электрон Электроника