Как проверить полевой транзистор | remontka.com

Для проверки исправности полевого транзистора можно воспользоваться любым цифровым мультиметром с функцией «прозвонки» диодов. Данная функция работает таким образом, что позволяет измерить прямое падение напряжения на p-n-переходе, которое и будет отображено на дисплее мультиметра в ходе тестирования.

В процессе данной проверки мультиметр способен пропустить через проверяемую цепь ток в пределах нескольких миллиампер, и если падение напряжения окажется при этом слишком малым, то в случае наличия у прибора функции звукового оповещения, он запищит. А поскольку в любом полевом транзисторе присутствуют p-n-переходы, то можно рассчитывать на вполне адекватный результат.

Прежде чем проверять полевой транзистор на исправность, замкните на секунду фольгой все его выводы чтобы снять статический заряд, чтобы разрядить все его переходные емкости, включая емкость затвор-исток.

Проверка встроенного обратного диода

Практически в любом современном полевом транзисторе, за исключением специальных их типов, параллельно цепи сток-исток включен внутренний «защитный» диод .

Наличие этого диода внутри полевика обусловлено особенностями технологии производства мощных транзисторов. Иногда он мешает, считается паразитным, однако в большинстве полевых транзисторов без него, как части цельной структуры электронного компонента, не обойтись. Следовательно, в исправном полевом транзисторе данный диод тоже должен быть исправным. В n-канальном полевом транзисторе данный диод включен катодом к стоку, анодом — к истоку, а в p-канальном — анодом к стоку, катодом — к истоку.

Включите мультиметр в режим «прозвонки» диодов. Если полевой транзистор является n-канальным, то красный щуп мультиметра приложите к его истоку (source), а черный — к стоку (drain).

Обычно сток находится посередине и соединен с проводящей подложкой транзистора, а истоком является правый вывод (уточните это в datasheet). В случае если внутренний диод исправен, на дисплее мультиметра отобразится прямое падение напряжения на нем — в районе 0,4-0,7 вольт. Если теперь положение щупов изменить на противоположное, то прибор покажет бесконечность. Если все так, значит внутренний диод исправен.

Проверка цепи сток-исток

Полевой транзистор управляется электрическим полем затвора. И если емкость затвор-исток зарядить, то проводимость в направлении сток-исток увеличится.

Итак, если транзистор является n-канальным, приложите черный щуп к затвору (gate), а красный — к истоку, и через секунду измените расположение щупов на противоположное — красный к затвору, а черный — к истоку. Так мы сначала наверняка разрядили затвор, а после — зарядили его. Затвор обычно слева, а исток — справа (см. datasheet).

Теперь красный щуп переместите с затвора — на сток, а черный пусть останется на истоке. Если транзистор исправен, то как только вы переместите красный щуп с затвора на сток, мультиметр покажет что на стоке есть падение напряжения (не бесконечное, но может увеличиваться) — это значит, что транзистор перешел в проводящее состояние.

Теперь красный щуп на исток, а черный — на затвор (разряжаем затвор противоположной полярностью), после чего снова красный щуп на сток, а черный — на исток. Прибор должен показать бесконечность — транзистор закрылся. Для p-канального полевого транзистора щупы просто меняются местами.

Если прибор запищит

Если на этапе проверки сток-исток прибор запищит, это может быть вполне нормальным, ведь у современных полевых транзисторов сопротивление сток-исток в открытом состоянии бывает очень маленьким. Главное — чтобы не было звона затвор-исток и сток-исток, особенно в тот момент когда затвор заряжен противоположной полярностью. Как вариант, можно соединить затвор с истоком и в таком положении прозвонить сток-исток (для n-канального красный на сток, черный — на исток), прибор должен показать бесконечность.

Информация, опубликованная на данном веб-сайте, представлена исключительно в ознакомительных целях, за применение этой информации администрация сайта ответственности не несет.

Как проверить полевой транзистор | Твоя стройка

Для проверки исправности полевого транзистора можно воспользоваться любым цифровым мультиметром с функцией «прозвонки» диодов. Данная функция работает таким образом, что позволяет измерить прямое падение напряжения на p-n-переходе, которое и будет отображено на дисплее мультиметра в ходе тестирования.

В процессе данной проверки мультиметр способен пропустить через проверяемую цепь ток в пределах нескольких миллиампер, и если падение напряжения окажется при этом слишком малым, то в случае наличия у прибора функции звукового оповещения, он запищит. А поскольку в любом полевом транзисторе присутствуют p-n-переходы, то можно рассчитывать на вполне адекватный результат.

Прежде чем проверять полевой транзистор на исправность, замкните на секунду фольгой все его выводы чтобы снять статический заряд, чтобы разрядить все его переходные емкости, включая емкость затвор-исток.

Проверка встроенного обратного диода

Практически в любом современном полевом транзисторе, за исключением специальных их типов, параллельно цепи сток-исток включен внутренний «защитный» диод.

Наличие этого диода внутри полевика обусловлено особенностями технологии производства мощных транзисторов. Иногда он мешает, считается паразитным, однако в большинстве полевых транзисторов без него, как части цельной структуры электронного компонента, не обойтись. Следовательно, в исправном полевом транзисторе данный диод тоже должен быть исправным. В n-канальном полевом транзисторе данный диод включен катодом к стоку, анодом — к истоку, а в p-канальном — анодом к стоку, катодом — к истоку.

Включите мультиметр в режим «прозвонки» диодов. Если полевой транзистор является n-канальным, то красный щуп мультиметра приложите к его истоку (source), а черный — к стоку (drain).

Обычно сток находится посередине и соединен с проводящей подложкой транзистора, а истоком является правый вывод (уточните это в datasheet). В случае если внутренний диод исправен, на дисплее мультиметра отобразится прямое падение напряжения на нем — в районе 0,4-0,7 вольт. Если теперь положение щупов изменить на противоположное, то прибор покажет бесконечность. Если все так, значит внутренний диод исправен.

Проверка цепи сток-исток

Полевой транзистор управляется электрическим полем затвора. И если емкость затвор-исток зарядить, то проводимость в направлении сток-исток увеличится.

Итак, если транзистор является n-канальным, приложите черный щуп к затвору (gate), а красный — к истоку, и через секунду измените расположение щупов на противоположное — красный к затвору, а черный — к истоку. Так мы сначала наверняка разрядили затвор, а после — зарядили его. Затвор обычно слева, а исток — справа (см. datasheet).

Теперь красный щуп переместите с затвора — на сток, а черный пусть останется на истоке. Если транзистор исправен, то как только вы переместите красный щуп с затвора на сток, мультиметр покажет что на стоке есть падение напряжения (не бесконечное, но может увеличиваться) — это значит, что транзистор перешел в проводящее состояние.

Теперь красный щуп на исток, а черный — на затвор (разряжаем затвор противоположной полярностью), после чего снова красный щуп на сток, а черный — на исток. Прибор должен показать бесконечность — транзистор закрылся. Для p-канального полевого транзистора щупы просто меняются местами.

Если прибор запищит

Если на этапе проверки сток-исток прибор запищит, это может быть вполне нормальным, ведь у современных полевых транзисторов сопротивление сток-исток в открытом состоянии бывает очень маленьким. Главное — чтобы не было звона затвор-исток и сток-исток, особенно в тот момент когда затвор заряжен противоположной полярностью. Как вариант, можно соединить затвор с истоком и в таком положении прозвонить сток-исток (для n-канального красный на сток, черный — на исток), прибор должен показать бесконечность.

Любите умные гаджеты и DIY? Станьте специалистом в сфере Internet of Things и создайте сеть умных гаджетов!

Записывайтесь в онлайн-университет от GeekBrains:

Факультет Интернет вещей

Вы сможете:

• Изучить C, механизмы отладки и программирования микроконтроллеров;

• Получить опыт работы с реальными проектами, в команде и самостоятельно;

• Получить удостоверение и сертификат, подтверждающие полученные знания.

Starter box для первых экспериментов в подарок!

После прохождения курса в вашем портфолио будет: метостанция с функцией часов и встроенной игрой, распределенная сеть устройств, устройства регулирования температуры (ПИД-регулятор), устройство контроля влажности воздуха, система умного полива растений, устройство контроля протечки воды…

Вы получите диплом о профессиональной переподготовке и электронный сертификат, которые можно добавить в портфолио и показать работодателю.

Источник Понравилась статья, поделитесь с другими!!! ➤

Определение, история, схема, типы, применение

Дом »Физика

Дивья Каре | Обновлено: 13 сентября 2022 г., 16:48 IST

0

Сохранить

Скачать публикацию в формате PDF

Нынешняя эра — это технологическое поколение, когда мы окружены многочисленными электронными устройствами, и теперь все находится на расстоянии одного клика от нас.

С развитием технологий мы превратились из настольных компьютеров в суперкомпьютеры, и в этом долгом путешествии есть электронное устройство, которое сыграло очень важную роль в этом развитии, и это транзистор. В настоящее время полевые транзисторы широко используются в качестве основного активного компонента во многих интегральных схемах. Без них инновации были бы совершенно иными, чем они есть сейчас.

В этой статье мы подробно рассмотрим полевые транзисторы, их типы и области применения.

Полевой транзистор

Полевой транзистор (иногда называемый униполярным транзистором) представляет собой трехполюсное активное полупроводниковое оборудование, в котором электрическое поле, создаваемое входным напряжением, управляет выходным током. Концепция полупроводника с полевым эффектом основана на идее, что заряд на близком предмете может притягивать заряды внутри полупроводникового канала. В основном он работает за счет воздействия электрического поля, отсюда и произошло его название.

История развития

Потребовалось много лет, чтобы превратить концепцию полевого транзистора в практическое приложение. Концепция полевого транзистора была впервые представлена ​​и изложена Лилиенфилдом в 1926 году, а затем принята для дальнейшего развития Оскаром Хейлом в 1935 году. Но все это были только теории и запатентованы только на бумаге.

Следующие учреждения были созданы в 1940-х годах в Bell Laboratories, где была создана исследовательская группа по полупроводникам. Эта группа исследовала различные регионы, связанные с полупроводниками и полупроводниковыми технологиями. Во время этих ранних исследований ученые не смогли заставить идею работать, обратив свои планы на другую мысль и, наконец, разработав еще один тип полупроводниковой аппаратной части: биполярный полупроводник. После этого в области полупроводников произошло множество инноваций, и, наконец, к 1960, эти транзисторы были широко доступны для использования в различных электрических компонентах.

Типы полевых транзисторов

Полевые транзисторы относятся к подкатегориям

1. Соединительный полевой транзистор (JFET)
2. Металлооксидно-полупроводниковый полевой транзистор (MOSFET)

   JFET или соединение Полевые транзисторы являются одним из самых простых типов полевых транзисторов. JFET представляет собой управляемое напряжением трехполюсное полупроводниковое устройство, доступное в N-канальных и P-канальных конфигурациях. JFET не имеет PN-перехода, за исключением того, что он имеет ограниченный кусок полупроводникового материала с высоким удельным сопротивлением, обрамляющий «канал» из кремния N-типа или P-типа для протекания основных носителей с двумя омическими электрическими соединениями на каждом конце, обычно называемыми Слив и Исток соответственно.

   Полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника

   МОП-транзистор — это тип полевого транзистора, который обычно используется для переключения или усиления электронных сигналов путем изменения тока, протекающего через них. MOSFET представляет собой полупроводниковое устройство с четырьмя выводами, а именно:

   1. Исток (S)
   2. Сток (D)
   3. Затвор (G)
   4. Корпус

   Эти транзисторы также используются в интегральных схемах (ИС) для управления проводимостью канала.

   Различия между MOSFET и JFET транзисторами

   Ниже приведены различия между MOSFET и JFET транзисторами.

   1

   Параметры	МОП-транзистор	JFET-транзистор
   0 9 Номер терминала	4-терминальный полупроводниковый прибор	3-терминальный полупроводниковый прибор
   Режим работы 99 Ом\).
   Подвержены повреждению	Они в большей степени подвержены повреждениям из-за слоя оксида металла, который снижает входную емкость.	Они менее подвержены повреждениям благодаря высокой входной емкости.
   Производство	Сложный производственный процесс	Простой производственный процесс
   Типы шумовых приложений		Идеально подходят для систем с низким уровнем шума.

   Применение транзисторов

   Транзисторы были очень важным изобретением в области электроники. Вы увидите его применение почти в каждом электрическом устройстве вокруг вас, от зубной щетки до суперкомпьютера. Итак, давайте обсудим еще несколько интересных и важных повседневных применений транзисторов в нашей жизни.

   • Используется в качестве переключателя в цифровых и аналоговых цепях.
   • Использование в схеме усилителя сигнала
   • В каждом смартфоне или мобильном телефоне используется транзисторный усилитель
   • Транзисторы используются в качестве регулятора мощности и контроллера мощности
   • Транзисторы являются важным компонентом интегральных схем, которые являются неотъемлемой частью всех электронных устройств .
   • Транзисторы используются в микропроцессорах миллиардами штук.
   • Используется в качестве усилителя звука во всех устройствах, требующих хорошего качества звука, например. Компьютер, радио, наушники и т. д.
   • Транзисторы, такие как транзисторы Дарлингтона, обычно используются в сенсорных и светочувствительных устройствах.

   Давайте готовиться, практиковаться, набирать высокие баллы и занимать первые места на всех конкурсных экзаменах с помощью приложения Testbook. Это приложение создано для создания метода концептуального обучения для студентов, готовящихся к конкурсным экзаменам. В нем есть заметки по физике, одобренные экспертами, а также серии пробных тестов, чтобы учащиеся много практиковали их. Просто скачайте его и начните. Так что скачайте приложение Testbook отсюда прямо сейчас и начните подготовку к экзамену.

   Часто задаваемые вопросы о полевых транзисторах

   В.1 Что такое полевые транзисторы?

   Ответ 1 Полевой транзистор представляет собой активный полупроводник с тремя выводами, в котором электрическое поле, создаваемое входным напряжением, управляет выходным током.

   В.2 Как проверить полевой транзистор с помощью мультиметра?

   Ответ 2 Полевые транзисторы анализируются путем измерения различных сопротивлений с помощью мультиметра. Проверка JFET: в момент, когда JFET проверяется как диод, мультиметр должен показывать низкое сопротивление между затвором и истоком с одной полярностью. и исключительно высокое сопротивление между затвором и истоком при переключении полярности измерителя. Тестовый полевой МОП-транзистор: При проверке полевого МОП-транзистора оценочное сопротивление между затвором и стоком должно быть неограниченно высоким при той или иной полярности. Низкое сопротивление подразумевает бракованный гаджет.

   В.3 Почему полевой транзистор называется полевым транзистором?

   Ответ 3 Концепция полевого полупроводника основана на идее, что заряд на близком предмете может притягивать заряды внутри полупроводникового канала. В основном он работает за счет использования эффекта электрического поля, отсюда и возникло его название.

   В.4 Почему полевой транзистор называется униполярным транзистором?

   Ans.4 Полевой транзистор также иногда называют униполярным транзистором, он имеет только один носитель заряда, либо электроны, либо дырки, работающие в качестве носителей заряда.

   В.5 Как определить выводы полевого транзистора?

   Ответ 5 Когда выводы транзистора находятся в одной плоскости и расположены неравномерно, они идентифицируются по положению и промежуткам между выводами.

   В.6 Каковы преимущества полевого транзистора?

   Ans.6 Благодаря компактным размерам и значительно более низкому энергопотреблению (по сравнению с ИС, использующими биполярные транзисторы), полевые транзисторы могут найти широкое применение в интегральных схемах (ИС).

   В.7 В чем разница между FET и MOSFET?

   Ans.7 Mosfet представляет собой необыкновенное разнообразие стандартных полевых транзисторов. Он использует кремниевую подложку для защиты затвора транзистора. Он потребляет меньше энергии, чем стандартный полевой транзистор, и поэтому является предпочтительной конфигурацией для большинства транзисторных схем.

   Скачать публикацию в формате PDF

   Читать больше сообщений

   Винтовой калибр: определение, формула, схемы и применение
   Дифференциальное уравнение первого порядка: определение, общее и частное решение на примерах!
   Понимание стандартного отклонения: определение, значимость и взаимосвязь с дисперсией
   Разница между соотношением и функцией с решающими примерами
   Равный знак: значение, символ и типы с вопросами

   .

   Как тестировать МОП-транзисторы: подробное руководство

   МОП-транзисторы, или полевые транзисторы на основе оксидов металлов, являются одними из самых универсальных и мощных доступных электронных компонентов. Их можно использовать в самых разных приложениях, от импульсных источников питания до усилителей. Однако, как и любой электронный компонент, полевые МОП-транзисторы могут выйти из строя. Если вы подозреваете, что полевой МОП-транзистор в вашей схеме неисправен, важно иметь возможность быстро и легко его проверить.

   В этой статье вы найдете подробное руководство по тестированию полевых МОП-транзисторов. Мы рассмотрим следующие темы:

   Что такое МОП-транзистор?

   Полевой транзистор металл-оксид-полупроводник (MOSFET, MOS-FET или MOSFET) представляет собой тип полевого транзистора (FET), чаще всего изготавливаемый путем контролируемого окисления кремния. Он имеет изолированный затвор, напряжение которого определяет проводимость устройства. Эта способность изменять проводимость в зависимости от величины приложенного напряжения может использоваться для усиления или переключения электронных сигналов. Полевой транзистор металл-изолятор-полупроводник (MISFET) — это термин, почти синонимичный MOSFET. Другой синоним — IGFET для полевого транзистора с изолированным затвором.

   МОП-транзисторы доступны как в n-канальной, так и в p-канальной конфигурациях. В n-канальном MOSFET большинство носителей — электроны, а в p-канальном MOSFET — дырки. МОП-транзисторы также имеют различные номинальные значения напряжения, тока и сопротивления во включенном состоянии, что делает их подходящими для различных приложений.

   Они обычно применяются для переключения приложений, так как их можно быстро включать и выключать. МОП-транзисторы широко используются во многих различных приложениях благодаря их способности усиливать сигналы с очень небольшими искажениями и работать с высокими напряжениями и токами без больших потерь мощности. Чтобы обеспечить правильное функционирование схемы, необходимо проверить эти компоненты. Этого можно добиться за счет внутрисхемного или внесхемного тестирования, а также использования передового испытательного оборудования.

   Необходимое оборудование для тестирования МОП-транзисторов

   Для проверки МОП-транзисторов необходимо использовать специальные приборы и инструменты. Вот несколько примеров часто используемого оборудования и аппаратуры:

   • Мультиметр : Мультиметр является незаменимым устройством для оценки МОП-транзисторов, позволяющим быстро и точно измерить сопротивление, напряжение или ток.
   • Осциллограф : Осциллограф — это ключевой инструмент для проверки поведения полевых МОП-транзисторов, позволяющий инженерам изучать высокочастотные сигналы с непревзойденной точностью. С его помощью они могут выявлять проблемы и настраивать схемы быстрее, чем когда-либо прежде!
   • Функциональный генератор : Функциональный генератор является важным инструментом тестирования, способным создавать различные сигналы, включая синусоидальные и прямоугольные волны. С его помощью инженеры могут обеспечить точную работу при работе с этим мощным устройством.
   • Блок питания : прочный блок питания, рассчитанный в соответствии со спецификациями, необходим для обеспечения правильного напряжения и силы тока во время тестирования. Система с недостаточным питанием может привести к неточным результатам тестирования, поэтому очень важно выбрать систему, разработанную с учетом ваших конкретных потребностей.
   • Тестер MOSFET : С помощью тестера MOSFET вы можете легко проанализировать технические характеристики вашего устройства с полевым эффектом транзистора и убедиться, что оно соответствует точным спецификациям. Он оценивает пороговое напряжение, сопротивление сток-исток, а также другие важные характеристики, обеспечивающие бесперебойную работу вашей электроники!

   Для получения надежных и точных результатов крайне важно использовать правильное оборудование и инструменты при оценке МОП-транзисторов.

   Процедура тестирования MOSFET

   Это простое в использовании руководство проведет вас через процесс:

   • Ознакомьтесь с техническим описанием : Перед тестированием MOSFET крайне важно ознакомиться со всей необходимой информацией в его техническом описании. Это поможет вам выбрать оптимальные инструменты и оборудование, а также убедиться, что они соответствуют требованиям к выводам, ограничениям напряжения и значениям тока.
   • Тест на непрерывность : Проверка мультиметром целостности цепи между выводами полевого МОП-транзистора может предоставить бесценную информацию о соединениях вашей схемы, помогая вам выявить любые неожиданные короткие замыкания или обрывы цепи, которые могут помешать ее работе.
   • Проверка порогового напряжения : Определите мощность полевого МОП-транзистора, подав напряжение на его затвор и измерив напряжение между истоком и стоком с помощью мультиметра. Небольшое изменение приложенного потенциала может создать полезный ток! Постепенно увеличивайте напряжение, пока MOSFET не включится, и напряжение между истоком и стоком не начнет уменьшаться. МОП-транзистор требует определенного уровня напряжения, чтобы начать проводить электричество.
   • Проверка правильности функционирования : Подайте напряжение на затвор MOSFET и измерьте напряжение между истоком и стоком. Когда MOSFET активен, уровень его напряжения почти достигает максимума вашего источника питания. И наоборот, когда он неактивен, вы должны ожидать, что нулевое напряжение останется в силе.
   • Проверка утечки затвора : Подайте напряжение на затвор MOSFET и измерьте ток между затвором и истоком. Ток должен быть очень маленьким, что указывает на отсутствие утечки затвора.
   • Проверка сопротивления сток-исток : Подайте известный ток на сток МОП-транзистора и измерьте напряжение между стоком и истоком. Используйте закон Ома для расчета сопротивления сток-исток.
   • Испытание на тепловые характеристики : Подача сильного тока на полевой МОП-транзистор и измерение его температуры поможет вам определить, как он работает. При необходимости используйте радиатор, чтобы предотвратить повреждение.

   Тестирование полевого МОП-транзистора внутри цепи и вне цепи

   В зависимости от конкретного приложения люди могут тестировать полевые МОП-транзисторы различными способами. Если ограничения связаны с подключением к печатной плате, необходимо провести внутрисхемное тестирование для обнаружения любых потенциальных неисправностей, которые могут существовать, что дает инженерам ценную информацию о производительности устройства. Инженеры часто предпочитают этот метод, когда неисправность связана с самой схемой или когда полевой МОП-транзистор непросто удалить.

   Люди могут выполнять внутрисхемное тестирование с помощью мультиметра или тестера MOSFET и могут включать такие тесты, как измерение порогового напряжения, сопротивления сток-исток и тока утечки затвора.

   Если на измерения влияют другие компоненты, внутрисхемное тестирование может не дать точных результатов.

   Удалив полевой МОП-транзистор с печатной платы и протестировав его независимо, мы можем получить более надежные результаты при тестировании вне схемы. Перефразируя: тестирование вне схемы позволяет получить более надежные результаты, поскольку устраняет риск того, что другие компоненты, подключенные к MOSFET, повлияют на измерения.

   Тестирование вне цепи может быть выполнено с помощью тестера MOSFET и может включать такие тесты, как измерение порогового напряжения, сопротивления сток-исток и тока утечки затвора. Чтобы обеспечить надежную и безопасную работу, внесхемное тестирование также должно включать визуальный осмотр компонента на предмет любых признаков физического повреждения или перегрева.

   В конечном счете, внутрисхемное и внеконтурное тестирование имеет как свои преимущества, так и недостатки. Внутрисхемное тестирование быстрее и удобнее, но может не дать точных результатов, если есть другие компоненты, влияющие на измерения. Перефразируя: для достижения более точных результатов с помощью тестирования вне схемы необходимо удалить полевой МОП-транзистор с печатной платы, что является трудоемким процессом, для которого могут потребоваться специальные инструменты. Выбор метода тестирования зависит от конкретного применения и характера неисправности.

   Распространенные неисправности МОП-транзисторов и способы их определения

   Существует несколько распространенных неисправностей, которые могут возникнуть, в том числе:

   • Замыкание сток-исток : Замыкание сток-исток приведет к образованию цепи с низким сопротивлением между стоком и истоком. , заставляя его проводить ток, даже когда он должен быть выключен. Вы можете определить это, измерив сопротивление между стоком и истоком с помощью мультиметра, которое должно регистрироваться как очень высокое, когда MOSFET выключен.
   • Открытый сток-исток : Открытый сток-исток приведет к разомкнутой цепи между стоком и истоком, в результате чего МОП-транзистор не будет проводить ток. Вы можете определить это, измерив сопротивление между стоком и истоком с помощью мультиметра, которое должно регистрироваться как очень высокое, когда MOSFET выключен.
   • Перегрев : Перегрев может привести к выходу из строя полевого МОП-транзистора, что можно определить по запаху гари, обесцвечиванию или видимым повреждениям, а также по измерению температуры с помощью термометра или тепловизионной камеры.
   • Отказ оксида затвора : Отказ оксида затвора может привести к утечке тока полевого МОП-транзистора, что приведет к перегреву и, в конечном итоге, к выходу из строя. Это достигается путем измерения сопротивления затвор-исток с помощью мультиметра, которое должно быть очень высоким, когда полевой МОП-транзистор выключен.
   • Недостаточное напряжение затвора : Недостаточное напряжение затвора может привести к тому, что полевой МОП-транзистор не откроется полностью, что приведет к более высокому, чем ожидалось, сопротивлению сток-исток. Вы можете определить это, измерив пороговое напряжение с помощью мультиметра и сравнив его со спецификациями, указанными в техническом описании.
   • Неправильная разводка контактов : Неправильная разводка выводов может привести к тому, что полевой МОП-транзистор не будет работать должным образом или даже повредить его. Это можно определить, обратившись к таблице данных за правильной распиновкой и проверив соединения с помощью мультиметра.

   Выявление неисправностей может быть сложной задачей, но, следуя надлежащим процедурам тестирования и принимая соответствующие меры предосторожности, можно выявить и устранить неисправности.

   Поиск и устранение неисправностей МОП-транзисторы

   При устранении неполадок в цепях MOSFET важно придерживаться систематического подхода для выявления причины неисправности. Вот несколько шагов, которые необходимо выполнить при поиске и устранении неполадок в цепях:

   • Проверьте источник питания : Убедитесь, что напряжение источника питания находится в пределах указанного диапазона и что нет скачков напряжения или переходных процессов, которые могут повредить полевой МОП-транзистор.
   • Проверьте входной сигнал : Убедитесь, что входной сигнал находится в указанном диапазоне и что нет шумов или искажений, которые могут повлиять на работу полевого МОП-транзистора.
   • Проверьте соединения контактов : Убедитесь, что контакты правильно подключены к цепи и нет ослабленных соединений или коротких замыканий.
   • Измерение напряжения МОП-транзистора : Измерьте напряжение на затворе, стоке и истоке МОП-транзистора и сравните результаты со спецификациями в техническом описании. Если текущие показания отклоняются от их ожидаемого диапазона, может быть проблема либо с вашим MOSFET, либо с его подключением к цепи.
   • Измерьте ток MOSFET : Измерьте ток, протекающий через MOSFET, и сравните результаты со спецификациями в техническом описании. Если измеренный ток не находится в указанном диапазоне, проблема может заключаться в МОП-транзисторе или цепи.
   • Проверка на перегрев : Регулярно проверяйте любые полевые МОП-транзисторы на наличие признаков перегрева, таких как обесцвечивание или видимые повреждения, чтобы избежать выхода из строя и свести к минимуму поломку.
   • Проверка на короткое замыкание : Проверьте наличие короткого замыкания между контактами MOSFET или другими компонентами в цепи. Чтобы предотвратить сбой, очень важно как можно скорее устранить короткое замыкание.
   • Проверка МОП-транзистора вне цепи : Чтобы определить, правильно ли работает МОП-транзистор, попробуйте отключить его от цепи и проверить с помощью специального тестера или мультиметра.

   Диагностика и ремонт схем MOSFET может быть пугающей перспективой, но при правильном подходе это возможно.

   Заключение

   В заключение следует отметить, что тестирование и устранение неисправностей полевых МОП-транзисторов требуют особого внимания и соблюдения надлежащих процедур, чтобы обеспечить точные результаты и избежать повреждения схемы или других компонентов. Используя соответствующие инструменты и оборудование, следуя установленным процедурам тестирования и принимая соответствующие меры предосторожности, можно эффективно выявлять и устранять неисправности.

   При диагностике и тестировании схем полевых МОП-транзисторов важно использовать эффективные процедуры, учитывающие факторы, влияющие на рабочие характеристики. Особое внимание следует уделить испытаниям в цепи и вне цепи, а также общим неисправностям, сверяясь с соответствующими таблицами технических данных для получения подробных спецификаций и рекомендаций. Запись измерений, сделанных во время настройки, помогает инженерам сэкономить время на поиск и устранение неисправностей в будущем, избегая при этом дорогостоящего ремонта операционных систем.