Подобрать транзистор по параметрам онлайн

Включите JavaScript для лучшей работы сайта. Транзисторы отличаются друг от друга рядом параметров: структурой, максимальной рассеиваемой мощностью, током в открытом состоянии и напряжением в открытом и др. Только грамотно подобранный транзистор будет длительно работать в схеме, в которую он установлен. Нагрузка транзистора включается между шиной питания и коллектором прибора.

Поиск данных по Вашему запросу:

Подобрать транзистор по параметрам онлайн

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• Каталог компонентов
• Совет 1: Как подобрать транзистор
• Online инструмент по выбору IGBT для ваших разработок
• Параметры отечественных биполярных транзисторов
• Зарубежные и отечественные транзисторы
• Таблица сравнения полевых транзисторов

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Подбираем правильно транзисторы силовой части Grid invertor

Каталог компонентов

Батареи и аккумуляторы Щелочные Cвинцово-кислотные Литий-ионные Никель-кадмиевые Никель-металлогидридные Серебряно-цинковые Цинковые Зарядные устройства Корпуса и держатели Питание от прикуривателя в авто Аксессуры для элементов питания Элементы питания. Предохранители, фильтры Аксессуары Автоматические выключатели Снятые с производтсва компоненты Держатели для предохранителей Предохранители Устройства защиты, супрессоры Размыкатели тока утечки на землю Ограничители пускового тока Самовосстанавливающиеся предохранители Сетевые фильтры, супрессоры Термостаты Термопредохранители Защитные диоды Различные защитные TVS Защитные тиристоры Защитные варисторы, транзисторы.

Кристаллы и осцилляторы Кристаллы Генераторы Резонаторы Разъемы и изоляторы. Потенциометры, переменные резисторы Аксессуары Подстроечные силовые резисторы Джойстики Реостаты Вращательные линейные Вращательные логарифмические Точные со шкалой Позунковые Дисковые Триммеры Прецизионные.

Трансформаторы Аксессуары Звуковые трансформаторы Симметричные трансформаторы Токочувствительные трансформаторы Повышающие автотрансформаторы Силовые трансформаторы Импульсные трансформаторы Специализированные трансформаторы. Вентиляторы, радиаторы Аксессуары для вентиляторов Вентилиторы переменного тока Вентиляторы постоянного тока Защита, фильтры Подложки для отвода тепла Радиаторы Радиаторы для монтажа светодиодов Модули Пельтье Термопасты, скотчи Аксессуары.

Индукторы, катушки, дроссели Подстроечные Трансформаторы Линии задержки Постоянные. Резисторы Аксессуары Для монтажа на шасси Чип-резисторы для поверхностного монтажа Массивы Для штырькового монтажа. Кнопки, переключатели Аксессуары Аксессуары — Колпачки Конфигурируемые выключатели ДИП переключатели Кодирующие переключатели С запорным механизмом Клавиатуры Герконовые переключатели Навигационные переключатели, джойстики Кнопки Выключатели Дисковые переключатели Селектроные переключатели Ползунковые переключатели Переключатели мгновенного действия Чувствительные переключатели Координатные переключатели Тумблеры.

Монтажные принадлежности Аксессуары Втулки, Вкладыши Зажимы, шайбы Клипсы, хомуты на винтах Трубки для проводов Оптоволоконные розетки Оплетка Теплоизоляционные ленты Теплоизоляционные трубки Теплоизоляционная ткань Маркеры Тросы Соединительные муфты Защитные трубки и рукава Спиральная оплетка Герметики, влагополглощающие гели Хомуты пластиковые, крепежи Крепежные элементы для хомутов Каналы и короба.

Промышленное измерение Аксессуары Регуляторы давления воздуха Промышленные позиционеры Счетчики Автоматы Тестеры элементов нагревателей Счетчики времени Контроллеры уровня Другие приборы измерения Контроллеры мощности Програмируеммые реле кит-наборы Програмируеммые реле Промышленные термометры Таймеры Вольтметры, амперметры. Корпуса, короба, стойки Объединительные панели Корпуса Направляющие для плат Модули и рамы для плат Коммутационные панели Боксы и шкафы.

Антистатическое оборудование Аксессуары Одежда Контейнеры Пеноматериал Заземленные маты Антистатические браслеты Ионизаторы Тестеры Антистатические пакеты Оборудование для контроля Салфетки, очистители. Инструменты Наборы инструментов Охлаждающие жидкости Обжимные механизмы Кусачки Крючки, палки-ковырялки Работа с оптоволокном Фонари Молотки Горелки Держатели, подставки Ножы и лезвия Плоскогубцы Прессы Гильятины для обрезки кабеля Дыроколы Отвертки Отвертки со сменными наконечниками Специальные аксессуары Специальные инструменты Спиральные трубки для проводов Аксессу Пинцеты Пылесосы Тиски Инструмент для зачистки проводов Пистолеты с лентами для крепления проводов Намоточный инструмент.

Изоленты, клеи Клеи, клеевые пистолеты Изоленты Держатели изолент. Измерительное оборудование Аксессуары Тестеры кабеля Электронные нагрузки Частотометр Генераторы функции Детекторы утечек Логические пробники Мультиметры Мультиметры специальные Осциллографы Источники питания Специальное измерительное оборудование Спектрометры Щетки и кисти Аллигаторы, крокодилы Проверочные зажимы, клипсы Проверочные зажимы, клипсы для проверки ИС Контрольные выводы Тестовые контакты, гнезда, провода Токовые клещи Тестовые контакты, гнезда, провода — комалекты Тестовые контакты, гнезда, провода — мультиметры Тестовые контакты, гнезда, провода — осцилографы Тестовые — штекера, контакты Тестовые контакты, гнезда, провода — термоэлемент, термопара Термометры Генераторы времени Ультрафиолетовый стиратель Переменные трансформаторы вариак Генераторы видео-сигнала Детекторы напряжения Приборы для поиска повреждений в цепи.

Наш каталог компонентов содержит технические описания и фильтры по параметрам на почти 1. Просто выберите нужный раздел каталога.

Отобразится специальный фильтр подходящих параметров, отмечая соответствующие галочки вы сузите список до подходящих наименований. Кликнув по кнопкам «Поставщики» и «Купить» возможно тут же найти поставщиков по нашей базе участников или купить выбранный компонент в Магазине ChipFind. Сухие цифры.

Совет 1: Как подобрать транзистор

Новости: 9. Высказывания: Если факты не подтверждают теорию, от них надо избавиться. Закон Майерса. Пустые поля игнорируются при поиске. Выводить найденных транзисторов. Добавить описание полевого транзистора.

Нужно найти тр-р, который есть в продаже, обязательно чтобы у него был отдельный вывод на подложку, с параметрами: Pt(полная.

Online инструмент по выбору IGBT для ваших разработок

При постройке усилителей без петель отрицательной обратной связи желательно иметь компоненты со строго заданными, или хотя бы по возможности близкими, параметрами. Впрочем, даже в обычном дифференциальном каскаде для уменьшения искажений желательно применять транзисторы или лампы — близнецы, ещё их называют » согласованные пары «. Да и просто проверить полевой транзистор перед тем, как запаять его в схему — будет совсем нелишне. Вобщем я поймал себя на том, что собираю на макетке простенькую схемку для проверки полевиков уже наверное с десятый раз по жизни. Вот как это выглядело в последний раз:. И всё бы ничего, но промерив уже с пару дюжин относительно сильноточных полевичков стал я замечать, что слишком уж разброс велик. Перемеряю — ничего не сходится. Вообще мистика!

Параметры отечественных биполярных транзисторов

В данной статье я хочу описать, на какие критерии нужно обращать внимание при подборе замены транзисторам. Надеюсь, статья будет полезной для начинающих радиолюбителей. Постараюсь информацию изложить очень кратко, но достаточно для правильного подбора транзистора при отсутствии аналогичного. Предлагаю оценку и подбор аналога для замены транзистора начинать с анализа схемы — частота, напряжение, ток. Начнем подбор по быстродействию транзистора, то есть рабочей частоте транзистора.

By shambler0 , May 2, in Корзина. Например, на схеме есть транзистор PNA , но нигде в ближайших магазинах 1 и 2 его нет в наличии.

Зарубежные и отечественные транзисторы

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые предназначены для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. Это главный компонент в любой электрической схеме. Транзисторы бывают полевые и биполярные. Отличие их в том, что в биполярном транзисторе в переносе заряда участвуют электроны носители отрицательных зарядов и дырки носители положительных зарядов , а в полевом — один из носителей зарядов электроны или дырки. В аналоговой технике в основном применяют биполярные транзисторы, а полевые — в цифровой. Биполярные транзисторы конструктивно построены на основе трехслойного кристалла, который состоит из трех областей: базы, эмиттера и коллектора.

Таблица сравнения полевых транзисторов

На сайте International Rectifier появилась страничка, с помощью которой разработчики могут оптимально подобрать IGBT-транзисторы для любых устройств, включая электроприводы, источники питания, инверторы солнечных батарей и сварочные аппараты. Инструмент рассчитывает потери и рекомендует те транзисторы, которые могут работать в заданных условиях. Также можно сразу увидеть базовую цену на выбранные транзисторы, что дает возможность разработчику оценивать примерную стоимость своей разработки при выборе того или иного транзистора. Выбор IGBT требует оценки многих параметров, которые не могут быть сведены к единому показателю. Всегда необходимо находить компромисс между потерями на переключение и проводимость, например, для расчета потерь требуется знать частоту и напряжение шины, а также рабочий ток.

еще есть транзисторы для программистов:), с встроенными резисторами на Там подбор по параметрам. Транзистор в роле ключа.

Транзистор — популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:. Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот.

В некоторых случаях это необходимо для экономии средств — российская продукция гораздо дешевле импортной.

Справочник по транзисторам биполярным низкочастотным средней и большой мощности. Цены в магазинах. Входные и выходные характеристики транзисторов кта, ктб, ктв, ктг, аналоги, цена. Параметры кта, ктб, ктв, ктг, цоколевка. Область применения транзисторов, цена. Корпус ТО

Хотя транзисторные коммутационные схемы работают без смещения, для аналоговых схем работать без смещения — это необычно. Обратите внимание на отсутствие резистора смещения базы в этой схеме.

В данной статье расскажем про транзистор. Покажем схемы его подключения и расчёт транзисторного каскада с общим эмиттером. Изобретён в американцами У. Шокли, У. Браттейном и Дж. По физической структуре и механизму управления током различают транзисторы биполярные чаще называют просто транзисторами и униполярные чаще называют полевыми транзисторами.

В публикации будут отображены аналоги и возможные замены для транзисторов зарубежного производства. Данная публикация будет пополняться по мере появления новых материалов. Нужно заменить диод или стабилитрон?

6.3. Измерение параметров биполярных и униполярных транзисторов

Поведение транзисторов в электронных устройствах определяется их свойствами, которые можно представить различными системами характеристик и параметров.

Расчет транзисторных схем возможен, если известны определенные параметры, наиболее полно характеризующие транзистор как элемент электрической цепи. К таким параметрам предъявляют следующие требования: удобство расчета схем на транзисторах, возможность из­мерения в широком диапазоне частот с заданной погрешностью, про­стота методики измерения.

Широко распространена методика представления транзистора в виде четырехполюсника, который описывается несколькими систе­мами уравнений. В настоящее время в практике измерений широко распространена так называемая система h-параметров транзистора. Она реализуется в том случае, если при снятии семейства статических характеристик транзистора рассматривать входное напряжение и силу выходного тока как функции выходного напряжения и силу входного тока.

Применительно к схеме включения биполярного транзистора

с общей базой, которую чаще используют для этого семейства харак­теристик, можно записать:

U_эб = h₁₁I + h₁₂U_кб;

I_э = h₂₁I_э + h₂₂U_кб , (6.4)

где I_э — ток эмиттера

h₁₁— входное сопротивление;

h₁₂ — коэффициент обратной связи;

h₂₁ — статический коэффициент передачи тока;

h₂₂ — выходная проводимость.

Учитывая, что h-параметры имеют разную размерность, получен­ную систему часто называют системой смешанных параметров. Из­мерение смешанных параметров является основным и характеризует свойства конкретного транзистора в одной рабочей точке. Свойства транзистора во всем диапазоне изменения напряжений и токов, воз­можных для данного прибора, отображаются семейством статических ВАХ, дающих представление о поведении транзистора при различных сочетаниях токов и напряжений.

На основании построенного семейства характеристик можно опре­делить основные параметры транзистора в любой рабочей точке.

Снятие ВАХ по точкам обеспечивает сравнительно малую погреш­ность измерений (5…10%), но является весьма трудоемким процессом. Кроме того, длительное нахождение транзистора под током приводит к его нагреву и неизбежному изменению параметров в ходе измерения. Указанные недостатки отсутствуют у характериографов, позво­ляющих в короткое время получить ВАХ и оценить транзистор при практически неизменной температуре р—n-перехода, что исключает по­грешности, обусловленные изменением параметров транзистора.

Недостатками получения ВАХ с помощью характериографов (по сравнению со снятием ВАХ по точкам) являются сложность приме­няемой аппаратуры и сравнительно большая погрешность измерений (15…20%). Однако в подавляющем большинстве случаев эта погреш­ность допустима.

Наилучшие результаты при измерении параметров транзисто­ров дают специальные испытатели (Л2 по каталоговой классифика­ции отечественных измерительных приборов), позволяющие быстро и с малой погрешностью измерить основные параметры транзистора:

В отличие от биполярного транзистора униполярный (полевой) транзистор управляется не током, а напряжением. Его особенностью является высокое входное сопротивление, которое в зависимости от тока транзистора колеблется в пределах 6… 15 Ом.

Основой полевого транзистора является пластина полупроводника р-типа, ограниченная на концах металлическими контактами. С двух противоположных сторон в эту пластину введены примеси n-типа, соединенные между собой и образующие один электрод — затвор. Два других электрода образуют металлические контакты — исток и сток.

Если накоротко соединить затвор с истоком, подключив к истоку «+» источника питания, а к стоку «-», то по цепи потечет ток I_c. При увеличении напряжения U_c, приложенного к стоку, увеличивается сила тока I_c. При достижении напряжения определенного значения U_{c нас} (напряжения насыщения) ток стока I_с достигает значения I_{c нас} (мак­симальный ток стока, или ток насыщения) и перестает увеличиваться. Если к затвору подключить «+», а к истоку «-» источника смещения U_з , то насыщение будет происходить при меньшем значении U_c.

Частотные свойства полевых транзисторов определяются главным образом межэлектродными емкостями транзистора.

Измерение параметров полевых транзисторов быстро и качествен­но с допустимой погрешностью выполняют специальными испытате­лями (группа Л2), позволяющими измерять ток утечки I_ут , ток стока I_ст , напряжение затвора U_з , входную, выходную и проходную емкости (С_св , С_вых , С_прох) и некоторые другие параметры с погрешностью 5. .. 15%.

транзисторов — Каковы параметры выбора для NPN BJT?

спросил 8 лет, 1 месяц назад

Изменено 8 лет, 1 месяц назад

Просмотрено 2к раз

\$\начало группы\$

Я создаю схему драйвера на основе NPN для отключения моего делителя напряжения, измеряющего уровень заряда батареи, когда он не используется. Вот схема:

http://www.microbuilder.eu/Tutorials/Fundamentals/MeasuringBatteryVoltage.aspx

Я достаточно хорошо разобрался с параметрами выбора MOSFET (напряжения затвор-исток и так далее), но на какие параметры следует обращать внимание при выборе Q2? У Digikey, как всегда, есть около 100 результатов для BC817

В качестве небольшой части 2, для чего в этой схеме используется R4? Я знаю, что для полевых МОП-транзисторов это делается для управления емкостью затвора, здесь та же идея?

• транзисторы
• bjt
• выбор компонентов

\$\конечная группа\$

\$\начало группы\$

BC817 — это особый тип транзистора, поэтому любые различия между поставщиками будут минимальными.

Требования к этому приложению минимальны. Поскольку мы можем предположить, что напряжение батареи меньше 20 В, номинальное напряжение Vceo должно быть только 20 В.

Что касается базового резистора – он устанавливает ток базы – переход база-эмиттер ведет себя как диод (падение около 0,7 В). Большинство обычных недорогих транзисторов, которые вы можете найти, будут иметь бета-коэффициент более 40. Нам не нужно, чтобы транзистор сильно насыщался в этом случае, нам нужно только напряжение более (скажем) 4,5 В на резисторе 100 кОм, что подразумевает минимальный ток коллектора 45 мкА. Если бета равна 40, то база должна видеть около 1,1 мкА. Если предположить, что минимальное напряжение питания для нашего GPIO составляет 1,8 В * 0,95, а максимальное напряжение Vbe составляет 0,8 В, тогда максимальный базовый резистор составляет около 800 кОм, поэтому 2 кОм кажутся довольно безопасными, даже с очень низковольтным приводом (20 кОм тоже подойдет). Нижний предел базового резистора определяется тем, сколько тока вы хотите получить от GPIO.

Утечка должна быть значительно ниже 10 мкА при любых условиях эксплуатации, чтобы избежать включения MOSFET (только потенциальная проблема при очень высоких температурах с современными транзисторами).

Должен быть тип NPN. Избегайте радиочастотных транзисторов и экзотических типов SiGe, они, вероятно, не будут плохо себя вести, но они бесполезны и могут быть рассчитаны на необычно низкие напряжения.

Здесь подойдет практически любой переключающий транзистор общего назначения. 2N3904, 2N4401, BC817, 2SC1815 и т. д. и т. д. Вы можете искать наиболее распространенный тип и/или наименее дорогой, и он, вероятно, будет соответствовать всем требованиям, когда вы посмотрите на техническое описание.

\$\конечная группа\$

4

\$\начало группы\$

Резистор R4 ограничивает базовый ток, поступающий в NPN-транзистор. После превышения порога Vbe база выглядит как диод, смещенный в прямом направлении к GND, и будет принимать ток выше, чем это безопасно для транзистора, если ток не ограничен.

Для этого приложения можно использовать практически любой переключающий транзистор с малым сигналом. Некоторыми популярными и недорогими типами, которые были бы полностью подходящими, были бы почтенный 2N2222 или 2N3094.

\$\конечная группа\$

Зарегистрируйтесь или войдите в систему

Зарегистрируйтесь с помощью Google

Зарегистрироваться через Facebook

Зарегистрируйтесь, используя адрес электронной почты и пароль

Опубликовать как гость

Электронная почта

Требуется, но никогда не отображается

Опубликовать как гость

Электронная почта

Требуется, но не отображается

Нажимая «Опубликовать свой ответ», вы соглашаетесь с нашими условиями обслуживания, политикой конфиденциальности и политикой использования файлов cookie

ltspice — Значения транзисторов в LT Spice — Извлечение

\$\начало группы\$

В моем курсе интегрированной аналоговой электроники мне дали схему транзистора и некоторые значения рабочих точек: —

Меня попросили найти такие вещи, как выходное сопротивление \$r_{out} \$ и слабый сигнал усиление \$A_v \$ для схемы. Я могу сделать эти вещи вручную, хотя и несколько кропотливо. Например, я считаю, что обнаружил, что \$r_{out} = (r_{ds3}g_{m3}r_{ds4}) ||(r_{ds2}g_{m2}r_{ds1}) \$, но я нет возможности перепроверить это.

Мой вопрос , есть ли способ воспроизвести схему в симуляторе (например, LTSpice), чтобы провести тест на работоспособность с текущей информацией? Можем ли мы как-то извлечь информацию о \$\mu_nC_{ox} \$ и \$\frac{W}{L} \$ и \$\lambda \$, которую мы можем использовать в LTSpice? Или, может быть, есть другой способ?

• транзисторы
• ltspice

\$\конечная группа\$

10

\$\начало группы\$

Вот пример того, как подойти к проверке примера через LTspice. Обратите внимание, что я только что взял произвольный файл модели короткого канала, но принципы те же.

1. Вы знаете все точки смещения постоянного тока из приведенных данных. Вы можете начать построение нижних размеров NMOS с помощью стимула смещения постоянного тока и развертки значений w, чтобы получить постоянные токи, близкие к заданным. Я выбрал произвольное значение l=0,5u и подметал w.
2. После того, как вы определите размер нижних устройств nmos, вы можете добавить устройства pmos и произвести развертку w, чтобы получить примерно vdd/2 на vout (как показывают ваши данные).
3. Вы можете рассчитать параметры малого сигнала, такие как \$rout\$, как показано в вашем примере.
4. Затем вы можете проверить такие вещи, как \$rout\$, на тестовом стенде (как объяснено в комментариях Bimpelrekkie). Или сделайте еще один шаг вперед и проверьте усиление по постоянному току (\$gm_{in}*rout\$ при f=0).
5. Сравните ваши расчеты с ожидаемыми измерениями. Здесь я использовал \$Av_{OL}=gm_{4}rout\$, чтобы получить 461. Я использовал развертку переменного тока, чтобы проверить усиление. Погрешность в пределах 3%.
6. Возможны несоответствия между sim и расчетом.