КТ829 характеристики транзистора, распиновка, даташит, аналоги

Главная » Транзисторы

Технические характеристики транзистор КТ829 сделали его одним из известных, мощных, составных устройств советских времен данного типа, производимый по мезапланарной технологии. Схематично сделан по схеме Дарлингтона и состоит из двух биполярных транзисторов. Имеет структуру n-p-n. Их используют в усилителях низкой частоты и электронных переключателях. Обычно встречаются в выходных каскадах автомобильных регуляторов напряжения или в схемах управления сервоприводом.

Содержание

1. Распиновка
2. Характеристики
3. Аналоги
4. Комплементарная пара
5. Производители

Распиновка

Производят данный транзистор в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип корпуса данного прибора — КТ-28 по ГОСТ 18472-2 (зарубежный ТО-220). Весит он не более двух грамм. Имеет следующую цоколевку: 1 — база, 2 — коллектор, 3 — эмиттер.

Очень редко встречается в пластиковом корпусе ТО-252 (КТ-89), например КТ829-А2, со схожей распиновкой. Если смотреть на маркировку указанную на корпусе, то слева на право будут — база, коллектор, эмиттер.

Характеристики

Транзистор КТ829 обладает следующими максимально допустимыми предельными эксплуатационными характеристиками:

• максимальное напряжение: коллектор-эмиттер до 120 В; коллектор-база до 120 В;
• постоянное напряжение между базой и эмиттером до 5 В;
• ток коллектора: постоянный до 8 А; импульсный до 12 А;
• рассеиваемая мощность коллектора до 60 Вт;
• статический коэффициент передачи тока (H_21Э) — до 750;
• ток базы до 0,2 А;
• температура: перехода до +150 °C; окружающей среды  от – 40 до + 85 °C.

Ниже приведены значения электрических параметров КТ829, при определенных условиях эксплуатации.

Серия КТ829 классифицируется по группам от «А» до «Г». Группа «Г» имеет худшие характеристиками во всей серии, а современный КТ829АТ лучшими. КТ829АТ представляет собой улучшенный вариант КТ829А. У него расширен температурный диапазон до военных рамок от -60 до +125°С, а статический коэффициент передачи тока  H_21Э. достигает аж 8000.

Значительно меньшая рассеиваемая мощностью на коллекторе (до 20 Вт) у КТ829А2 (ТО-252), отличает его от всей серии. У него так же снижен рабочий диапазон температур от  -60 до +1оо °С, по сравнению с «АТ».

Аналоги

Транзистор КТ829А можно заменить такими зарубежными аналогами: BD267B, 2SD686, 2SD691, 2SD692, BDW23C, BDх53C, TIP122, BD263A, BD265A, BD267A, BD335, BD647, BD681. Наиболее мощным из них является TIP122. КТ829А также прекрасно заменяется отечественным аналогом КТ827, который по мощности не уступает рассматриваемому. Еще один способ заменить его, это спаять схему из двух транзисторов КТ817 и КТ819.

Можно также найти данный транзистор в старой аппаратуре, производившейся еще при СССР. Так, он точно есть в усилителях «Радиотехника У-7101 стерео», «Радиотехника У-101 стерео» и видеомагнитофоне «Электроника ВМ-12». Также данный транзистор использовался в старых советских телевизорах в модуле коррекции растра.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для КТ829 является КТ853. У него как и у рассматриваемого устройства, ток коллектора 8 А, рассеиваемая мощность с теплоотводом 60 Вт, граничная частота передачи тока 4 МГц.

Производители

В СССР эти приборы изготавливались на Фрязинском заводе имени 50-летия СССР и возможно на Хасавюртском заводе «Эльтав».  В настоящее время продолжают выпускать этот транзистор  АО «Группа кремний ЭЛ», АО «Элиз» г. Фрязино, а также  ЗАО «Кремний Маркетинг» г. Брянск. Кликнув по наименованию предприятия, можно скачать техническое описание (DataShet) на кт829.

NPN Составные

Транзистор КТ829, kt829 характеристики и цоколевка (datasheet)

Технические характеристики транзисторов КТ829, kt829 с буквенными индексами А, Б, В, Г. Приведено фото транзистора КТ829, его внутренняя схема, а также схема эквивалентной замены.

КТ829 — мощный низкочастотный кремниевый составной транзистор со структурой N-P-N. Транзисторы КТ829 отличаются высоким коэффициентом усиления и применяются в усилителях низкой частоты, ключевых устройствах, электронных переключателях и т.п.

Рис. 1. Изображение транзистора N-P-N структуры на принципиальных схемах.

Внешний вид и описание

Рис. 2. Внешний вид составных транзисторов КТ829.

Транзисторы КТ829 выпускаются в пластмассовом корпусе TO-220. Цоколевка у транзисторов КТ829 — перевернутая. Более мощным аналогом является отечественный транзистор КТ827. Из зарубежных транзисторов наиболее близким по параметрам является TIP122.

Масса транзистора КТ829 составляет не более 2 грамм. Маркировка и обозначение типа ранзистора приводится на корпусе.

Рис. 3. Размеры корпуса и цоколевка транзистора КТ829.

Рис. 4. Электрическая схема транзистора КТ829.

Технические параметры

Таблица 1. Технические харакетристики транзисторов КТ829 с буквенными индексами А-Г.

Транзистор	Предельные параметры									Параметры при T = 25°C											RТ п-к, °C/Вт
			при T = 25°C
	IК, max, А	IК и, max, А	UКЭ0 гр, В	UКБ0 max, В	UЭБ0 max, В	PК max, Вт	при TК, °C	Tп max, °C	TК max, °C	h21Э	UКЭ, В	IК, А	UКЭ нас, В	IКЭR, мА	fгр, МГц	Кш, дБ	CК, пФ	CЭ, пФ	tвкл, мкс	tвыкл, мкс
КТ829А	8	12	100	100	5	60	25	150	85	750	3	3	2	1,5	4	—	—	—	—	—	2,08
КТ829Б	8	12	80	80	5	60	25	150	85	750	3	3	2	1,5	4	—	—	—	—	—	2,08
КТ829В	8	12	60	60	5	60	25	150	85	750	3	3	2	1,5	4	—	—	—	—	—	2,08
КТ829Г	8	12	45	45	5	60	25	150	85	750	3	3	2	1,5	4	—	—	—	—	—	2,08

Схема эквивалентной замены

Для замены транзистора КТ829 можно использовать пару КТ817 и КТ819, схема эквивалентного включения приведена ниже.

Рис. 5. Эквивалентная схема для замены мощного составного транзистора КТ829.

Скачать даташит на транзистор КТ829: transistor-kt829-datasheet.pdf (75 КБ).

RadioStorage.net.

Анализ схемы

— Как понять параметры транзистора

Задавать вопрос

спросил 4 года 11 месяцев назад

Изменено 4 года, 11 месяцев назад

Просмотрено 501 раз

\$\начало группы\$

Я пытаюсь разработать схему с использованием транзистора, но не понимаю параметры транзистора, записанные в программе. Кто-нибудь знает, что означают следующие символы?

I_s,B_R,R_B,R_E,T_R, M_JE, C_JC0, V_JC, B_F, V_A, R_C, T_F, C_JE0, V_JE, M_JC

Я понимаю логику транзисторов PNP и NPN. Я не понимаю названия параметров здесь.

Спасибо!

вот цифра от редактора:

• транзисторы
• схема-анализ
• техническое описание
• npn
• pnp

\$\конечная группа\$

1

\$\начало группы\$

Это параметры модели . В симуляторе схемы модель используется для имитации поведения транзистора. Одной из самых простых моделей является Транзисторно-диодная модель 9.0003

Разработчики схем чаще используют модель Hybrid Pi, это линеаризованная модель (малый сигнал).

Список можно продолжить, есть

много моделей.

Модель, используемая симулятором, будет еще более сложной, чем обе упомянутые выше модели. Сложные модели нуждаются во многих параметрах для «настройки» модели таким образом, чтобы она вел себя не только как NPN-транзистор, но и, в частности, как BC547, 2n2222 или 2n3055. Это все NPN, но они имеют очень разные максимальные токи и бета (коэффициент усиления по току), чтобы назвать только два.

Некоторые примеры параметров модели: R_B: базовое последовательное сопротивление R_C: последовательное сопротивление коллектора C_JC0: Емкость перехода B_F: Усиление тока в прямом режиме

Подробнее см. здесь: Модель Spice

\$\конечная группа\$

\$\начало группы\$

Я нашел здесь следующее:

BJT Параметры

BF Прямой активный коэффициент усиления по току

BR Обратный активный коэффициент усиления по току

IS Транспортный ток насыщения

CJE Емкость перехода база-эмиттер при нулевом смещении

CJC Емкость перехода база-коллектор при нулевом смещении

VJE Встроенный потенциал база-эмиттер

VJC Встроенный потенциал база-коллектор

VAF Напряжение прямого режима

VAR Обратный режим Раннее напряжение

NF Коэффициент идеальности прямого режима

NR Коэффициент идеальности обратного режима

Спасибо за ответ, он также помог мне найти другие параметры

\$\конечная группа\$

Какие параметры в техническом описании дают информацию о качестве переходной характеристики BJT?

спросил 8 лет, 6 месяцев назад

Изменено 8 лет, 6 месяцев назад

Просмотрено 2к раз

\$\начало группы\$

Я провел тест со случайно выбранными 12 NPN BJT.

Я подал тактовый импульс на каждый из них и наблюдал их коллекторные напряжения. Некоторые из них показывали очень малое время нарастания, а некоторые реагировали ужасно медленно. Насколько я понял, силовые транзисторы, такие как 2N3055, имеют очень большое время нарастания, в то время как транзисторы с очень низким номинальным током коллектора имеют очень малое время нарастания.

Раньше я думал, что «частота перехода» даст достаточно информации об этом. Я выбрал транзистор на 100 МГц (BC817), но он не выдержал даже на 20 кГц. Следовательно, параметр «частота перехода» сам по себе не должен давать достаточно информации, или он должен говорить о чем-то совершенно другом (я не знаю).

Мой вопрос: как приблизительно предсказать переходные характеристики BJT, глядя на его техническое описание? Какие записи таблицы дают информацию об этом поведении?

• bjt
• техническое описание
• высокочастотный
• выбор компонентов
• производительность

\$\конечная группа\$

1

\$\начало группы\$

Как правило, проблемы возникают из-за емкости, и, как правило, основной причиной является емкость Миллера.

Емкость Миллера находится внутри от коллектора к базе, и если база питается от высокого импеданса (10 кОм на вашей диаграмме — действительно довольно много, чтобы ожидать приличной производительности), емкость Миллера образует фильтр нижних частот с входным резистором.

Если миллер C равен 10 пФ, а входное сопротивление равно 10 кОм, то эти два компонента образуют фильтр нижних частот с отсечкой: —

\$f_C = \dfrac{1}{2\pi R C}\$ = 1,59 МГц.

Попробуйте уменьшить входной резистор на 10 кОм до чего-то более разумного, например 330 Ом, и увидите разницу. Я смоделировал BC817, как вы его нарисовали, и потребовалось около 2,3 мкс, чтобы достичь 11 вольт в выключенном состоянии. С входным резистором 1 кОм потребовалось меньше 0,33 мкс. При 330 Ом потребовалось около 0,25 мкс.

Если бы я уменьшил нагрузку коллектора до 1 кОм и оставил входной резистор 330 Ом, это заняло бы около 0,09нас.

Уменьшение этих резисторов служит для уменьшения влияния емкости Миллера (среди прочего).

\$\конечная группа\$

\$\начало группы\$

В большинстве спецификаций есть раздел под названием «динамические характеристики» или «характеристики переключения» (или и то, и другое). Также некоторые параметры могут быть в характеристиках слабого сигнала.

Важные параметры, которые вы должны проверить:

• время задержки/нарастания/спада — они точно означают: время переключения
• произведение текущего усиления на полосу пропускания — выше этой частоты часть вообще не будет усиливаться (усиление меньше единицы), на половинной частоте усиление будет равно двум и т. д.
• ввод/вывод/и т.д. емкости — они влияют на импеданс цепи, например. базовый резистор с входной емкостью образует ФНЧ с определенной частотой среза.

Обратите внимание: если производитель разработал транзистор для линейного режима, то характеристики переключения могут быть на удивление плохими. напр. как вы видите, время выключения транзистора может быть очень большим по сравнению со временем включения. Это связано с тем, что в районе базы много второстепенных носителей, которым требуется значительное время для рекомбинации. Этот эффект может быть уменьшен e. грамм. путем вождения базы с отрицательным напряжением при выключении.

Посмотрите и смоделируйте приведенную ниже схему, чтобы увидеть, как изменение вождения влияет на характеристики переключения \$\конечная группа\$

\$\начало группы\$

Внутренняя емкость является частью проблемы, как говорят Энди и Нидхин. Это влияет на компонент времени нарастания времени переключения, делая большое устройство с высокой емкостью, такое как 2N3055, медленнее, чем BC547.

Но несколько кривых переключения показывают, что происходит что-то еще: большая задержка перед началом переключения; затем следует относительно быстрое время подъема. Эти транзисторы находятся в состоянии насыщения: беглый взгляд на схему показывает, что Ib=Ic (приблизительно), а насыщение определяется как Ib >= Ic*0,1.

По сути, насыщающий транзистор накапливает заряд в области базы, и когда вы удаляете ток базы, оставшийся заряд притягивается к коллектору силой Vce, но Vce близок к 0, так что притяжение слабое, и транзистор остается проводящим до тех пор, пока заряд рассеивается.

Транзисторы с быстрым переключением должны быть разработаны, чтобы свести к минимуму накопление заряда.

В этом разделе вопросов и ответов представлена ​​предыстория насыщения и возможное исправление, которое может быть интересно попробовать на одном из насыщающих транзисторов (например, зеленая кривая: BC337?), чтобы посмотреть, улучшится ли его скорость переключения.

\$\конечная группа\$

\$\начало группы\$

Многое будет зависеть от транзистора. Если производитель предполагает, что он будет использоваться так же, как вы его используете, в техническом паспорте будет раздел «Характеристики переключения», который будет состоять из времени задержки, хранения, времени нарастания и спада, а также условий, при которых они используются. указано.

Если в техпаспорте нет такого раздела, вполне вероятно, что вы не захотите использовать его для переключения. В случае с BC817 я понятия не имею, почему он плохо себя ведет. Он обладает отличными характеристиками насыщения, а его произведение усиления на полосу пропускания (также известное как частота перехода) составляет примерно 1/3 от показателя 2N3904 или 2N2222.

Я не могу прочитать ваши графики — текст слишком мелкий, поэтому я не могу сказать, какая дорожка к какому транзистору относится.

\$\конечная группа\$

1

\$\начало группы\$

Я думаю, что это внутренняя емкость, которая вызывает задержку. Время нарастания увеличивается по мере увеличения этой емкости. Я не уверен, что все даташиты содержат эти данные.

Я видел несколько спецификаций, в которых упоминалась входная и выходная емкости (например, BC547).