Справочник отечественных высокочастотных транзисторов средней мощности. Datasheets. Характеристики и параметры.

Наименование	Аналог	PDF	Тип	Imax, A	Uкэmax, В	h31e max
КТ601 А, АМ	MJE341		npn	0,03	100	16
КТ602 (АМ,БМ)			npn	0,075	100	200
КТ603 (А-Е)			npn	0,3	30	200
КТ604 (А-БМ)			npn	0,2	250	120
КТ605 (А-БМ)	MJE340		npn	0,1	250	120
КТ611 (А-Г)			npn	0,1	200	120
КТ626 (А-Д)	BD140		pnp	0,5	80	250
КТ630 (А-Е)	2N2405		npn	1	150	480
КТ638 (А,Б)	2N2224,BF258		npn	0,1	110	450
КТ639 (А-И)	2SA715		pnp	1,5	100	400
КТ644 (А-Г)			pnp	0,6	60	300
КТ645А	2N4494		npn	0,3	50	200
КТ646А	2N4921		npn	0,5	60	200
КТ653	2N4271		npn	1	120
КТ659А			npn	1,2	50	125
КТ660 (А,Б)	BС337		npn	0,8	45	450
КТ661А	2N3503		pnp	0,6	60	300
КТ662А			pnp	0,4	60	300
КТ668 (А-В)	BC251		pnp	0,1	45	475
КТ680А			npn	0,6	25	300
КТ681А	2N3702		pnp	0,6	25	300
КТ683 (А-Е)	2N4923		npn	1	150	480
КТ684 (А-В)	BС639		npn	1	100	250
КТ685 (А-Ж)	2N3703		pnp	0,6	60	300
КТ686 (А-Ж)	2N3638A		pnp	0,8	45	630
КТ692А	2N4234		pnp	1	40	20
КТ698 (А-Е)	2N3037		npn	2	90	50
КТ902АМ			npn	5	110	7
КТ932 (А-В)			pnp	2	80	120
КТ940 (А-В)	BF459		npn	0,1	300	25
КТ943 (А-Д)			npn	2	80	200
КТ945Б	2SC1440		npn	15	200	60
КТ961 (А-В)	BD139		npn	1,5	100	250
КТ969А	BF419		npn	0,1	250	250
КТ972 (А,Б)	BD681, MJE270		npn	4	60	750
КТ973 (А,Б)	BD682, MJE271		pnp	4	60	750
2Т978 (А,Б)			npn	10	300	15
КТ6102А	BС640		pnp	1,5	110	250
КТ6103А	BF336		npn	1,5	110	250
КТ6104А	BD138		pnp	0,15	300	150
КТ6105А	BFJ57		npn	0,15	300	150
КТ6107А	SF123C		npn	0,13	500	350
КТ6108А	BD140		pnp	0,13	500	150
КТ6109 (А-Д)	BD136		pnp	0,5	20	202
КТ6110 (А-Д)	2SC64		npn	0,5	20	202
КТ6111 (А-Г)	2N656,2N657		npn	0,1	45	1000
КТ6112 (А-В)	BC527-6		pnp	0,1	45	600
КТ6113 (А-Е)	BF337,BF338		npn	0,05	15	198
КТ6116 (А,Б)	2SA738B		pnp	0,6	150	240
КТ6117 (А,Б)	2N3114,2N3712		npn	0,6	160	250
КТ9115А	2SA1682-5		pnp	0,1	300	250
КТ9117	2N6553		npn	1	60
КТ9120А	BD706		pnp	12	45	40
КТ9157А	2SC2270		npn	5	20
КТ9166А	BD743		npn	15	45	50
КТ9180(А-Г)	2SA1658		pnp	3	80	50
КТ9181	D42C2N,MJE180		npn	3	80	50
КТ9186			npn	1	60
2Т3133А			npn	0,3	45	100
Главная страница Справочник мощных биполярных транзисторов. Справочник маломощных биполярных транзисторов Документация на биполярные мощные транзисторы Документация на полевые транзисторы Документация на биполярные транзисторы с сортировкой по напряжению Документация на smd транзисторы В PDF файле приведены электрические характеристики и параметры транзисторов, напряжение насыщения, токи, максимальное напряжение и рассеиваемая мощность КТ601 — характеристики, параметры, pdf КТ602 -описание, характеристики КТ603 -характеристики, цоколевка транзистор КТ605 -описание, характеристики КТ611 — характеристики, pdf КТ626 -характеристики, аналоги КТ630 -описание, характеристики КТ638 -описание, характеристики, графики КТ639 -аналог, описание, входные и выходные характеристики КТ644 -описание, характеристики КТ645 -характеристики, параметры КТ646 -описание, характеристики, аналог КТ659 -описание, входные и выходные характеристики КТ660 -описание, входные и выходные характеристики КТ661 -описание, выходные характеристики КТ662 -характеристики входные и выходные, параметры КТ668 -описание, входные и выходные характеристики КТ680 -характеристики, описание КТ681 -характеристики, описание, pdf Транзистор КТ940А, КТ940Б, КТ940В — в datasheet приведены параметры и характеристики, область безопасной работы, описание Транзистор КТ961А, КТ961Б, КТ961В -описание, характеристики КТ972А, КТ972Б pdf — предельные параметры, характеристики входные и выходные, описание, аналог КТ973А, КТ973Б pdf — характеристики входные и выходные, описание, аналог параметры КТ6102 -характеристики, описание

КТ808А характеристики транзистора, применение, аналоги, цоколевка

Если смотреть на технические характеристики транзистора КТ808A, то можно говорить о том, что он является мощным, кремниевым, биполярным, низкочастотным радиокомпонентом. Был выпущен в 70-х годах прошлого века на отечественном ульяновском заводе «Искра». Изготавливался по меза-планарной технологии.

Использовался в ключевых схемах, генераторах строчной развертки, регуляторах напряжения, импульсных источниках вторичного электропитания. Первые выходные каскады советских Hi-Fi усилителей собирались именно на нём. Его можно встретить в популярной для того времени аудиоаппаратуре: «Радиотехника-020 стерео»; «Бриг-001 стерео», «Барк-001», а также в других моделях.

Содержание

1. Разводка выводов
2. Технические характеристики
3. Максимальные
4. Электрические
5. Аналоги
6. Комплементарная пара
7. Содержание драгметаллов
8. Примеры применения
9. Производители

Разводка выводов

Цоколевка у КТ808А типовая для металлического корпуса КТЮ-3-20 со стеклянными изоляторами и жесткими ножками. Если смотреть на устройство снизу, то коллектор будет визуально отличатся от других контактов. Выводы эмиттера и базы, немного утоплены в основании металлизированной упаковки.

 

В комплекте к транзистору прилагался накидной фланец для крепления. Технические условия изготовления содержатся в документе Ге3.365.020 ТУ.

Технические характеристики

В 70-х годах, с ростом советской промышленности, появляются кремниевые мезапланарные переключательные NPN-транзисторы повышенной мощности. Важной особенностью таких устройств были повышенные характеристики предельно допустимых параметров.

Максимальные

Предельно допустимые эксплуатационные характеристики КТ808 были достаточно высокими для того времени. Эти устройства обладали хорошим статическим коэффициентом усиления по току (h31е) – от 10 до 50. Имели увеличенное быстродействие: время включения-выключения составляло от  0.1 до 0.3 мкс, а рассасывания (Ts) от 0.75 до 3 мкс. Приведем другие основные параметры:

• максимально допустимое постоянное напряжение между коллектором и эмиттером (условия измерения сопротивление перехода база – эмиттер R_БЭ = 10 Ом, температура кристалла не более 100 ^ОС) – 100…120 В.
• предельное импульсное напряжение между коллектором и эмиттером (условия измерения U_бэ = 2 В или R_бэ = 10 Ом, t_u < 500 мкс t_ф > 30 мкс, Q > 7, Т_п < +100 ^ОС) – до 250 В.
• наибольшее возможное напряжение между эмиттером и базой – до 4 В.
• предельно допустимый постоянный ток коллектора – до 10 А.
• наибольшая постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе (при температуре корпуса от -60 ^ОС до + 50^ОС) с теплоотводом – 50 Вт, и без него – 5 Вт.
• максимальная температура кристалла до + 150 ^ОС.
• рабочая температура окружающей среды от- 60 до +100 ^ОС.
• вес устройства с фланцем — не более 34 гр.

Электрические

Далее приведем значения электрических значений у КТ808A. Производитель приводит эти данные для температуры окружающей среды не более +25 ^ОС. Условия, при которых проводилась проверка, представлены в дополнительных пояснениях к наименованиям параметров.

Аналоги

У старичка КТ808A есть современный аналог 2T808А. Он представлен во всех спецификациях российского предприятии АО «Научно производственное предприятие «Завод Искра», как усилительный транзистор специального назначения. КТ808АМ, КТ808А3 тоже являются полными аналогами этого отечественного производителя, но имеют другой корпус КТ-9. Других полноценных замен у данного прибора не существует. Встречаются конечно достаточно редкие 2Т808Б и КТ808АТ, но они были выпущены ограниченными партиями и даже сейчас их сложно найти в продаже.

АО «НПП Завод Искра» выпускает также бескорпускную модель рассматриваемого транзистора 2Т808А-2. Она имеет молибденовую подложку с защитным покрытием и гибкие выводы.

Как можно заметить, замену сильно усложняет нестандартный корпус КТЮ-3-20, который никогда не производился за рубежом. Несмотря на это некоторые умельцы находят возможность подмены в ближайших по характеристикам: КТ808БМ, КТ808Б3, 2Т819 (КТ819), 2Т827 (КТ827), 2Т908 (КТ908), 2Т945 (КТ945).

В зависимости от типа схемы можно рассмотреть и зарубежные варианты: BDY47, 2N3055, 2N4913, 2N4914, 2N4915, 2N5427, 2N5429, 2SD201, 2SD202, 2SD203, KU606, 2SC1113, 2SC1618, 2SC1619, KD602, BUY55, KU606, 2SD867. Все они оснащены другими типами корпусов ТО-3 или ТО-66, поэтому перед заменой необходимо продумывать способ монтажа и охлаждения.

Комплементарная пара

У транзистора КТ808А отсутствует комплементарная пара. У самых первых «Бриг-001» в выходном каскаде усиления, в пару для КТ808АМ подбирали почти идентичный КТ808БМ. Такая конструкция обеспечивала хорошее усиление, но как оказалось имела и свои минусы, влияющие на качество звука. В последующем они были устранены с помощью комплементарных между собой КТ818ГМ и КТ819ГМ, что позволило значительно улучшить звучание указанных Hi-Fi-устройств.

В 1977 году советские усилители «Бриг» успешно импортировались Австралией, Францией, Великобританией.

Содержание драгметаллов

Согласно данным из информационного справочника драгоценных металлов в КТ808А, выпущенного издательством ООО «Связьоценка» в 2003 году, содержится: золота 0. 0257251 гр.; серебра — 0.0804669 гр.; платины – 0 гр.; медь – 17.7 гр.; других металлов платиновой группы – 0 гр. Поэтому он представляет интерес для скупщиков радиолома, занимающимися получением ценных материала из радиодеталей. Как проводится аффинаж драгметаллов можно узнать из представленного видеоролика.

Примеры применения

В сети интернет можно найти схему нестандартного усилителя низкой частоты, собранного из минимального количества деталей с использованием транзистора КТ808А. Эта конструкция отличается простотой и превосходно работает. Она может усиливать даже слабые сигналы, например от детекторного приемника. Пример подобной схемы можно посмотреть в следующем видеоролике.

Производители

Транзистор КТ808А в России выпускают на АО «НПП Завод Искра» г. Ульяновск. Даташит этого устройства можно скачать кликнув по ссылке. А вот каталог этой компании за 2017 г., в котором представлены технические данные на  современные отечественные аналоги. В настоящее время она является частью холдинга «Концерн ВКО Алмаз — Антей».

MP14 — Транзисторы | Российская электронная компания

Главная  / Товары / Транзисторы / МП14

Транзисторы

Транзисторы МП14 германиевые, сплавные, импульсные, низкочастотные, малой мощности со структурой p-n-p. Транзисторы
предназначены для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, коммутации, применения в ферритранзисторных ячейках.
Транзисторы выпускаются в металлостеклянных корпусах с гибкими выводами.

Масса транзистора, не более 2 г.

Технические условия: СБ0.336.007 ТУ1.

Основные технические характеристики транзисторов МП14А:
• структура транзистора: p-n-p
• Рk max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fh31б – максимальная частота коэффициента токопроводности для цепей с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц;
• Ukbоdis – разрядное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uebоdis — разрядное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 30 В;
• Ik и max – максимальный импульсный ток коллектора: 20 мА;
• Ikbо – обратный ток коллектора: не более 200 мкА;
• h31e – статический коэффициент пропускания тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20…40;
• Cc – емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ.

Технические характеристики транзисторов МП14, МП14А, МП14Б:

8

8

80139 MP14B

Transistor type	Structure	Maximum values ​​of parameters at Tp=25°С					Parameters values ​​at Tp=25°С
		IK. Максимум.	ИК. я. Максимум.	UKEОмакс.	UEBOmax	РК. Максимум.	х31Е	Укб	Т.е.	Укэ сб.	IkbО	fl
		mА	mА	V	V	mW		V	mА	В	мкА	МHz
MP14	p-n-p	20	150	15	15	150	20…40	5	1	—	200	1 3
MP14A	p-n-p	20	150	30	30	150	20…40	5	1	—	200	1
p-n-p	20	150	30	30	150	30…60	5	1	—	200	1

Русская электронная компания Россия, Московская область, г. Рязань, пл. Соборная, д. 2.

Тел: +7 (491) 227-61-51, Факс: +7 (491) 227-18-88

russian-electronics.com

Другие товары в Транзисторы

МП14А

МП16Б

МП20

МП21А

МП21Б

P217 — Транзисторы | Российская электронная компания

Главная  / Товары / Транзисторы / P217

Транзисторы

Транзисторы P217 изготовлены из сплава германия с p-n-p структурой. Транзисторы
предназначены для применения в коммутационных аппаратах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, дешифраторах постоянного напряжения.
Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип устройства указан на корпусе.
Максимальный вес транзистора 12,5 г, максимальный вес монтажного фланца 4,5 г.

Основные технические характеристики транзисторов P217:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рc t max – Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с радиатором: 30 Вт;
• fh31e – максимальная частота коэффициента передачи тока для цепей с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц;
• Ucbоbr – Отключающее напряжение коллектор-база при заданном токе холостого хода коллектора и эмиттера: 60 ​​В;
• Uebоbr – Отключающее напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Ic max – Максимальный постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Icbо– обратный ток коллектора: не более 0,5 мА;
• h31e – Статический коэффициент передачи тока в режиме малых сигналов для цепей с общим эмиттером: более 15;
• RCE SAT — Сопротивление насыщения между коллекционером и эмиттером: максимум 0,5 OM

Технические характеристики транзисторов P217, P217 A , P217B, P217V, стр. 217G: 3 9003

B, P217V, стр.

Конструкция

—

—

0047

85

Максимальные значения параметров при Тp=25°С						Values ​​of parameters at Тp=25°С								Tp max	Т max
Ic max	Ic. я. MAX	UCE0 MAX	UCB0 MAX	UEB0 MAX	RCMAX (RCC. T.MAX) 29297.977.77.77.977.977.977.977.977. 9002 977929292929292929292. 9002 977.977. 9002 977.977. 9002 977.977. 9003 977. 9002 9002 9002 9002 9002 9000 2	2929292929292. 9003 977. 9002 9002 9002 9000 2 9002.	Мкб	ИэбО	ф гр.	CSH	SC	SE
А	А	V	V	V	Vt			В	мкА	mcА	MHz	dB	pF	pF	°С	°С
P 217	п-н-п	7,5	—	60	3 60 47 15		(30)	>15	1	0,5	50	0,1	—	—	—	85	-60…+70
P 217A		217A 9000 3			217A 9000 3		217A 9000 3		217. 9000 3 217.0002 p-n-p	7,5	—	60	60	15	(30)	20…60	1	0,5	50	0,1	—	—	—	—	—	-60…+70
P 217 B	p-n-p	7,5	—	60	60	15	(30)	> 20	1	0,5 0032	50	0,1	—	—	—	9003	9003 -632	9007 9003 9003 9003. . .9003 9003.	.9003 9003.	9000 9000 9000 9000 .9003	. 9003. 9003.	. 217 V	P-N-P	7,5	—	60	609003 9002 60	60 0003 9002 60	60 0003 9002 60	60 0003 9002.0032	15	(24)	>5	0,5	3	20	0,1	—	—	—	85	-60…+70
P 217 G	p-n-p	7,5	—	60	60	15	(24)	15…40	1	3	20	0,1	—	—	0002 —	85	-60…+70

Российская электронная компания Россия, Московская область, г.