Все транзисторы. Даташиты. Описания. Основные характеристики. Справочник транзисторов
В справочнике приведены описания, характеристики и даташиты более 100 000 транзисторов
BJT. TOP50: 2N2222 — 2N3055 — BC547 — 2N3904 — 2N2222A — BC107 — C945 — BC548 — BD139 — 8050 — S8050 — BC557 — BC337 — TIP31 — D882 — AC128 — BC108 — S9014 — C1815 — BD140 — 2N3906 — S8550 — 8550 — 2SC945 — 2SC5200 — BC547B — 2N5551 — MJE13003 — 9014 — BC549 — BC148 — TIP122 — 9013 — 2N2907 — BC558 — BC327 — C102 — A733 — 2SC1815 — 2N60C — 2N222 — 2N4401 — BC109 — BD135 — S9013 — BC546 — A1015 — 9012 — 431 — 2N3773
MOSFET. TOP30: IRF3205 — IRFZ44N — IRF740 — IRF540 — IRF840 — BS170 — IRFZ44 — IRF640 — IRF540N — 2N7000 — IRF630 — IRFP460 — IRFZ46N — IRF530 — IRF1404 — IRF3710 — IRFZ34N — IRFP250 — BUZ11 — RFP50N06 — IRF520 — IRFP450 — IRFB3306 — IRF510 — IRF830 — 2N5484 — IRF730 — IRF150 — STF5N52U — IRF2807
IGBT.
TOP15:
IRGP4086
— CT60AM-18F
— FGPF4633
— G40N60B3
— IRG7IC28U
— G20N60B3D
— IXGR40N60C2D1
— G7N60C3D
— RJP30h2DPD
— IKW50N60h4
— 10N40F1D
— GT60M303
— FGh50N60SFD
— IRG4BC30W-S
— IRG4PC50UD
BUY TRANSISTORS
Подбор биполярного транзистора по параметрам. Поиск аналогов
Material =
Struct =
Pc > W
Ucb > V
Uce > V
Ueb > V
Ic > A
Tj > C
Ft > MHz
Cc pF
Hfe >
Caps =
R1 = kOhm
R2 = kOhm
R1/R2 =
Пустые или нулевые поля игнорируются при поиске
Как подобрать замену для биполярного транзистора 🔗
Сейчас в справочнике описаны 129124 транзисторов.
Справочники по отечественным электронным компонентам с Datasheet
Справочники по отечественным электронным компонентам с DatasheetКраткое содержание справочников по электронике.
В приведенных выше электронных справочниках содержится информация (при условии, что она присутствовала в отсканированном первоисточнике), которую невозможно получить из скупых табличных данных. Эти данные могут быть полезны при ремонте бытовой техники и для подбора подходящего аналога. Чтоб скачать соответствующий pdf — файл с документацией на выбранный компонент, необходимо кликнуть по ярлыку Этот справочник по транзисторам отечественным для поверхностного монтажа составлен из выпускавшихся во времена СССР типов. Хотя отечественные smd транзисторы встречаются в магазинах.
В справочник вошли транзисторы с максимальным током не более 400ма, не предназначенные для работы с теплоотводом. Чаще всего это высокочастотные транзисторы.
В нем приведены справочные данные транзисторов серий КТ601 -КТ698, КТ902-КТ978 и КТ6102-КТ6117.
В справочники по транзисторам кт.
Приборы расположены в порядке возрастания напряжения и тока с целью упростить подбор транзисторов по параметрам, поиск аналогов, близких по характеристикам транзисторов и комплементарных пар.
В кратком описании приведены тип проводимости транзистора, значение максимального допустимого постоянного тока, предельного напряжения сток — исток и сопротивление сток — исток. В справочном листе на полевой транзистор описана типичная область применения. Приведено пороговое напряжение затвора для MOSFET (напряжение отсечки для транзисторов с неизолированным затвором). На некоторые приборы приведены графики допустимой мощности рассеивания в зависимости от температуры корпуса и другие характеристики. Приборы упорядочены по наименованию, приведены импортные аналоги и производители. Этот справочник подходит для уточнения характеристик и поиска аналогов известного транзистора.
В справочнике по MOSFET транзисторам приборы рассортированы в порядке возрастания напряжения и тока, приведен тип корпуса, что удобно для подбора транзистора в справочнике по параметрам под конкретную задачу. Справочник подойдет и для подбора аналогов, хотя транзисторы с одинаковым током и напряжением могут и не быть взаимозаменяемыми — необходимо внимательно сравнивать характеристики. Импортные взяты исключительно из прайсов магазинов, и это повышает их шансы на доставаемость. В практических применениях полевые транзисторы конкурируют с БТИЗ (смотри IGBT справочник). И те, и другие управляются напряжением, приложенным к затвору и выбор между IGBT и MOSFET чаще всего определяется частотами переключения и рабочим напряжением. На низких частотах и высоких напряжениях эффективнее IGBT, а на высоких частотах и низких напряжениях предпочтительнее MOSFET. В середине этого диапазона все определяется параметрами конкретных приборов. Производители IGBT выпускают транзисторы со все более высокими скоростями переключения, а производители MOSFET, в свою очередь, разрабатывают приборы с высокими рабочими напряжениями, умудряясь сохранять низкое сопротивление стока. Например, весьма хорош полевой транзистор IPW60R045.
В этом справочнике IGBT транзисторы рассортированы в порядке возрастания максимального допустимого тока, дано падение напряжения на транзисторе при этом токе. Причем ток указан при температуре корпуса 100ºС, что чаще всего соответствует реальным рабочим условиям эксплуатации транзисторов (некоторые производители лукавят, указывая ток IGBT транзистора при температуре 25ºС, что на практике недостижимо, а при разогреве допустимый ток может уменьшиться вдвое). Также приведен тип корпуса и указаны важные особенности (тип прибора по рабочей частоте и наличие обратного диода). Приведены MOSFET транзисторы с близкими характеристиками (в некоторых случаях они могут быть заменой IGBT). В
В справочниках приведены тип корпуса, основные электрические характеристики, предельные параметры и температурные характеристики. В справочнике по диодам выпрямительным приведены ВАХ (вольт-амперная характеристика) диодов и графики изменения параметров в зависимости от температуры. Кроме того, перечислены современные отечественные производители диодов с ссылками на соответствующий раздел сайта производителя.
В справочнике диодов Шоттки компоненты упорядочены по напряжению и току, что удобно для выбора диода по параметрам и подбора аналогов. Приведены типы корпусов, даны ссылки на сайты отечественных производителей.
В справочнике по радиолампам приведены подробные характеристики распространенных электронных ламп: диодов, триодов, тетродов и пентодов.
В справочнике по тиристорам и симисторам (симметричным тиристорам) приведены вид корпуса, основные электрические характеристики и предельные эксплуатационные параметры. На графиках приведена зависимость допустимого тока в открытом состоянии от температуры и зависимость допустимого напряжения в закрытом состоянии от температуры. Описана область применения тиристоров. Дана максимальная допустимая рассеиваемая мощность.
В документации по стабилитронам и стабисторам приведена цветовая маркировка компонентов, разброс напряжений стабилизации при разных температурах, графики изменения дифференциального сопротивления, допустимая рассеиваемая мощность и пр. Стабилитроны в справочнике разбиты на функциональные группы.
В справочных данных по постоянным резисторам приведена зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры, габариты, область применения. Резисторы разбиты на группы по назначению (общего применения, прецизионные, высоковольтные, нагрузочные). Если какой-либо тип резисторов справочник и не охватил, то документацию по нему можно найти на сайтах производителей резисторов (пройдя по ссылке). Для некоторых типов указаны импортные аналоги резисторов. Калькулятор цветовой маркировки резисторов.
Для переменных резисторов в справочнике приведен внешний вид, указаны размеры, мощность, тип характеристики, предельное рабочее напряжение, износоустойчивость. Для резисторов с выключателем приведены данные по контактам выключателя. Описаны переменные резисторы типов СП-хх и РП-хх.
В справочных данных по конденсаторам указаны область применения, типоразмеры, графики зависимости эквивалентного последовательного сопротивления от температуры и частоты, зависимости допустимого импульсного тока от частоты, время наработки, тангенс угла потерь и другие характеристики.
Отечественные операционные усилители. Справочник.
В справочниках по отечественным операционным усилителям указаны типовая схема включения, электрические и частотные характеристики, допустимая рассеиваемая мощность. На операционники К140УД17, К140УД18, К140УД20, К140УД22, К140УД23, К140УД24, К140УД25, К140УД26, сдвоенные и счетверенные ОУ серий К1401УД1 — К1401УД6, микросхемы для звуковой аппаратуры К157 и широкополосные усилители К574 приведена весьма подробная информация: цоколевка, импортный аналог, внутренняя схема операционного усилителя, графики, характеристики, схемы балансировки, включения в качестве инвертирующего и неинвертирующего усилителя — в общем, не хуже импортных datasheets. Операционные усилители в справочнике расположены в алфавитном порядке. В таблице приведено краткое описание, а подробные характеристики содержатся в pdf файле.
В справочнике по параметрическим стабилизаторам напряжения приведены подробные параметры и характеристики, цоколевка, типовые электрические схемы включения микросхем.
В справочнике по цифровым микросхемам (микросхемы серий К561, К176, К1561, 564) приведены статические и динамические электрические характеристики (допустимое напряжение питания, ток потребления, входной ток, максимальный допустимый выходной ток, задержка распространения сигнала, максимальная рабочая частота). В справочнике описана внутренняя структурная схема и логика работы. Для некоторых микросхем даны временные диаграммы работы.
Представлены микросхемы ШИМ контроллеров для импульсных источников питания
В документации по реле приведены паспорта, конструктивные данные и электрические схемы, сопротивление обмотки, износостойкость, режимы коммутации и другие параметры.
Даташиты на электрические соединители взята с сайтов производителей (ссылка на них здесь же) и сведена воедино. В справочнике по разъемам в таблице для начала представлены основные параметры разъемов — количество контактов, максимальный допустимый ток на контакт и максимальное напряжение. Подробная информация о конкретном разъеме в справочнике (габаритные размеры, сопротивление контактов, количество контактов разного сечения в одном разъеме, маркировка и т.д.) содержится в datasheet. В справочник вошли как силовые разъемы на токи до 200 А (типа 2РТТ, ШР), так и электрические соединители для подключения слабых сигналов.
Отечественные оптроны. Справочник.
В справочнике по отечественным оптопарам описан принцип действия, основные характеристики и применение диодных, транзисторных, транзисторных оптронов с составными транзисторами на выходе (по схеме Дарлингтона) и тиристорных оптронов. Указан отечественный производитель микросхем. В datasheet на компоненты приведена цоколевка, внутренняя схема, зависимости параметров, коэффициент усиления и напряжение гальваноразвязки.
В справочнике по отечественным светодиодам на первой странице приведены основные параметры светодиодов: номинальный ток светодиода, напряжение светодиодов при номинальном токе и разброс значения силы света для каждого типа приборов. Более подробные характеристики приведены в pdf. Указан отечественный производитель. В самих datasheet приведены подробные характеристики для каждого прибора. Данные взяты с сайтов предприятий, занимающихся производством светодиодов.
В справочнике по импортным диодным мостам приведены однофазные и трехфазные мосты. Однофазные мосты собраны с характеристиками по напряжению от 50 до 1200 вольт и токами от 0.5 до 50 ампер. Корпусное исполнение: для поверхностного монтажа, выводного исполнения для пайки в плату и для внешнего монтажа. Трехфазные диодные мосты представлены приборами на токи от 20 до 110 ампер и на напряжение от 50 до 1600В. Для удобства выбора в справочник включены фото диодных мостов. Отдельный раздел посвящен диодным мостам для генераторов отечественных авто (преимущественно семейства ВАЗ, начиная «Копейкой» и заканчивая «Приорой»). В datasheet от украинского производителя «ВТН» описана применяемость, совместимость с разными типами генераторов, приведены технические характеристики, электрическая схема, габаритный чертеж и фотографии.
Примеры расчетов параметров схем с использованием документации:
*параметры транзисторы справочник условных обозначений* карта сайта
контактный адрес:
Справочники по радиоэлектронным компонентам
Для радиолюбителей, скачать справочник радиодеталей по транзисторам, микросхемам, SMD компонентам отечественного и импортного производства.
Справочник «микросхемы современных телевизоров». В этом справочном пособии собраны данные о наиболее распространенных интегральных микросхемах, которые применяются в современной телевизионной технике. В книге представлена справочная информация о более чем 100 микросхемах таких известных фирм-производителей, как SAMSUNG, SANYO, SONY, SIEMENS, MATSUSHITA, PHILIPS, SGS-THOMSON и других.
Формат книги DjView. Размер архива – 3,29Mb. СКАЧАТЬ
Справочник «микросхемы для современных мониторов». Данная книга является справочным пособием по микросхемам для современных LCD и CRT мониторов. В ней приведена исчерпывающая информация о 150 микросхемах ведущих производителей полупроводниковых компонентов для мониторов.
Формат книги DjView. Размер архива – 5,77Mb. СКАЧАТЬ
Справочник «отечественные транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры». В этом справочнике представлена полная информация о номенклатуре, изготовителях, параметрах, корпусах и аналогах 5000 наименований транзисторов!
Формат книги DjView. Размер архива – 16,4Mb СКАЧАТЬ
Сборник их 3х справочников по импортным микросхемам, транзисторам, диодам, тиристорам и SMD компонентам. Книга 1 из 3х. В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с буквенным индексом от A до R. Приводятся характеристики, цоколевка, аналоги и производители компонентов.
Размер файла – 198Mb. Формат книги DjView. Скачать с Deposit Files
Справочник по импортным микросхемам, тиристорам, диодам, транзисторам и SMD компонентам. Книга 2 из 3х. В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с буквенным индексом от R до Z.
Размер файла – 319Mb. Формат книги DjView. Скачать с Deposit Files
Справочник по импортным микросхемам, тиристорам, диодам, транзисторам и SMD компонентам. Книга 3 из 3х. В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с цифровым индексом от 0 до 9.
Размер файла – 180Mb. Формат книги DjView. СКАЧАТЬ
Справочник по активным SMD компонентам. Приводятся SMD коды для 33 тысяч транзисторов, тиристоров, микросхем и диодов, типовые схемы включения SMD микросхем, маркировка, характеристики, замена.
Размер архива — 16Mb. Формат книги DjView. СКАЧАТЬ
Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 1. В первом томе справочника приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов – полевых и биполярных транзисторов малой мощности. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы. В приложении даются зарубежные аналоги транзисторов, помещенных в справочнике.
Формат книги DjView. Размер архива – 6,19Mb СКАЧАТЬ
Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 2. Во втором томе справочника приводится информация по низкочастотным биполярным транзисторам средней и большой мощности с указанием их зарубежных аналогов.
Формат книги DjView. Размер архива – 5,62Mb. СКАЧАТЬ
Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 3. В третьем томе приводится справочная информация по полевым и высокочастотным биполярным транзисторам средней и большой мощности с указанием их зарубежных аналогов.
Формат книги DjView. Размер архива – 6,28Mb. СКАЧАТЬ
Справочник «маркировка радиодеталей» том 1. В книге приведены данные по буквенной, цветовой и кодовой маркировке компонентов, по кодовой маркировке зарубежных полупроводниковых приборов для поверхностного монтажа (SMD). Приведены рекомендации по использованию и проверке исправности электронных компонентов.
Формат книги DjView. Размер архива – 8Mb СКАЧАТЬ
Справочник «маркировка радиодеталей» том 2. В этой книге читатель найдет много полезной информации по маркировке микросхем, некоторых типов полупроводниковых приборов, установочных и коммутационных изделий и много другой полезной информации.
Формат книги DjView. Размер архива – 3,95Mb СКАЧАТЬ
Справочник «маркировка радиодеталей». В книге описана система маркировки отечественных и зарубежных: резисторов, конденсаторов, индуктивностей, кварцевых резонаторов, пьезоэлектрических и ПАВ-фильтров, полупроводниковых приборов, SMD-компонентов, микросхем. Описаны особенности тестирования электронных компонентов.
Формат книги DjView. Размер архива – 3,60Mb СКАЧАТЬ
Справочник по микросхемам для импортных телевизоров. В книге на Русском языке приводятся структурные схемы и назначение выводов более трехсот микросхем, применяемых в европейских и восточно-азиатских цветных телевизорах. Описание каждого прибора сопровождается функциональными диаграммами и характеристиками.
Формат книги DjWiev. Размер архива – 16Mb СКАЧАТЬ
Справочник по микросхемам для аудио и радиоаппаратуры: генераторы, ключи и переключатели, УНЧ, малошумящие и предварительные усилители, операционные усилители, регуляторы громкости и тембра, схемы управления индикаторами. В книге представлены основные особенности, цоколевки, структурные схемы и типовые схемы применения свыше 300 типов микросхем для аудиотехники.
Формат книги DjWiev. Размер архива – 10,7Mb СКАЧАТЬ
Справочник по интегральным микросхемам для промышленной электронной аппаратуры. В книге приведены условные обозначения, электрические параметры, структурные схемы, функциональное назначение (цоколевка) и конструкции корпусов широко распространенных зарубежных аналоговых и цифровых микросхем.
Формат книги DjWiev. Размер архива – 2,68Mb СКАЧАТЬ
Лучший в Европе справочник по УНЧ. В нем обобщены и систематизированы сведения о большинстве ИМС УНЧ в интегральном исполнении, выпускаемых мировыми производителями. Приведены наиболее важные характеристики микросхем, типы корпусов, цоколевка, внешний вид, аналоги, производители, функциональное назначение.
Формат книги DjWiev. Размер архива – 19,9Mb СКАЧАТЬ
Справочник по интегральным микросхемам для телевидения. В книге дан обзор интегральных микросхем, применяемых в современных телевизионных приемниках, видео- и аудиотехнике. Приведены основные параметры и характеристики микросхем, блок-схемы внутренней структуры и типовые схемы их включения.
Формат книги DjWiev. Размер архива – 2,30Mb СКАЧАТЬ
Транзисторы справочник онлайн | gnivc.bitballoon.com
Здесь можно скачать документацию в pdf на отечественные и импортные компоненты. На большинство элементов приведено подробное описание с графиками.
Каждому компоненту соответствует свой pdf- файл с описанием. Часть справочников создана сканированием, а что-то взято с сайтов производителей.
Краткое содержание справочников по электронике.
В приведенных выше электронных справочниках содержится информация (при условии, что она присутствовала в отсканированном первоисточнике), которую невозможно получить из скупых табличных данных. Эти данные могут быть полезны при ремонте бытовой техники и для подбора подходящего аналога. Чтоб скачать соответствующий pdf — файл с документацией на выбранный компонент, необходимо кликнуть по ярлыку pdf в таблице.Справочник smd транзисторов.
Этот справочник по транзисторам отечественным для поверхностного монтажа составлен из выпускавшихся во времена СССР типов. Хотя отечественные smd транзисторы встречаются в магазинах.
Справочник транзисторов маломощных биполярных.
В справочник вошли транзисторы с максимальным током не более 400ма, не предназначенные для работы с теплоотводом. Чаще всего это высокочастотные транзисторы.
Справочник отечественных транзисторов биполярных средней мощности.
В нем приведены справочные данные транзисторов серий КТ601 -КТ698, КТ902-КТ978 и КТ6102-КТ6117.
Справочник по отечественным мощным транзисторам.
В справочники по транзисторам кт. включена подробная сканированная документация с графиками на биполярные отечественные транзисторы и даташиты на их импортные аналоги. Кроме популярных и широко распространенных транзисторов (КТ502, КТ503, КТ805, КТ814, КТ815, КТ816, КТ817, КТ818, КТ819, КТ837 и проч.), приведены и новые транзисторы, ими справочник дополнен с сайтов производителей. В таблице кратких справочных данных приведены тип проводимости транзистора, значение максимального допустимого постоянного тока, предельного напряжения коллектор — эмиттер и максимальный возможный коэффициент усиления в схеме с общим эмиттером. В pdf документации описана типичная область применения транзисторов в бытовой и промышленной технике. Для маломощных транзисторов кт. где используется цветовая или символьная маркировка, приведена расшифровка. Для мощных транзисторов приведены графики зависимости коэффициента усиления от тока коллектора ( h31 э может изменяться на порядок), зависимость напряжения насыщения от тока (что важно для расчета тепловых потерь), область безопасной работы и зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры корпуса. Составные транзисторы (например, КТ829) в справочнике выделены цветом. Их также можно найти по коэффициенту усиления, он, как правило, больше 500.
Справочник по импортным мощным транзисторам.
Приборы расположены в порядке возрастания напряжения и тока с целью упростить подбор транзисторов по параметрам, поиск аналогов, близких по характеристикам транзисторов и комплементарных пар.
Справочник по отечественным полевым транзисторам.
В кратком описании приведены тип проводимости транзистора, значение максимального допустимого постоянного тока, предельного напряжения сток — исток и сопротивление сток — исток. В справочном листе на полевой транзистор описана типичная область применения. Приведено пороговое напряжение затвора для MOSFET (напряжение отсечки для транзисторов с неизолированным затвором). На некоторые приборы приведены графики допустимой мощности рассеивания в зависимости от температуры корпуса и другие характеристики. Приборы упорядочены по наименованию, приведены импортные аналоги и производители. Этот справочник подходит для уточнения характеристик и поиска аналогов известного транзистора.
Справочник по импортным полевым транзисторам.
В справочнике по MOSFET транзисторам приборы рассортированы в порядке возрастания напряжения и тока, приведен тип корпуса, что удобно для подбора транзистора в справочнике по параметрам под конкретную задачу. Справочник подойдет и для подбора аналогов, хотя транзисторы с одинаковым током и напряжением могут и не быть взаимозаменяемыми — необходимо внимательно сравнивать характеристики. Импортные взяты исключительно из прайсов магазинов, и это повышает их шансы на доставаемость. В практических применениях полевые транзисторы конкурируют с БТИЗ (смотри IGBT справочник). И те, и другие управляются напряжением, приложенным к затвору и выбор между IGBT и MOSFET чаще всего определяется частотами переключения и рабочим напряжением. На низких частотах и высоких напряжениях эффективнее IGBT, а на высоких частотах и низких напряжениях предпочтительнее MOSFET. В середине этого диапазона все определяется параметрами конкретных приборов. Производители IGBT выпускают транзисторы со все более высокими скоростями переключения, а производители MOSFET, в свою очередь, разрабатывают приборы с высокими рабочими напряжениями, умудряясь сохранять низкое сопротивление стока. Например, весьма хорош полевой транзистор IPW60R045.
Справочник IGBT транзисторов.
В этом справочнике IGBT транзисторы рассортированы в порядке возрастания максимального допустимого тока, дано падение напряжения на транзисторе при этом токе. Причем ток указан при температуре корпуса 100ºС, что чаще всего соответствует реальным рабочим условиям эксплуатации транзисторов (некоторые производители лукавят, указывая ток IGBT транзистора при температуре 25ºС, что на практике недостижимо, а при разогреве допустимый ток может уменьшиться вдвое). Также приведен тип корпуса и указаны важные особенности (тип прибора по рабочей частоте и наличие обратного диода). Приведены MOSFET транзисторы с близкими характеристиками (в некоторых случаях они могут быть заменой IGBT). В IGBT справочник включены транзисторы из прайсов интернет-магазинов.
Справочник выпрямительных и высоковольтных диодов.
В справочниках приведены тип корпуса, основные электрические характеристики, предельные параметры и температурные характеристики. В справочнике по диодам выпрямительным приведены ВАХ (вольт-амперная характеристика) диодов и графики изменения параметров в зависимости от температуры. Кроме того, перечислены современные отечественные производители диодов с ссылками на соответствующий раздел сайта производителя.
Справочник импортных и отечественных диодов Шоттки.
В справочнике диодов Шоттки компоненты упорядочены по напряжению и току, что удобно для выбора диода по параметрам и подбора аналогов. Приведены типы корпусов, даны ссылки на сайты отечественных производителей.
Справочник по радиолампам отечественным.
В справочнике по радиолампам приведены подробные характеристики распространенных электронных ламп: диодов, триодов, тетродов и пентодов.
Справочник тиристоров отечественных.
В справочнике по тиристорам и симисторам (симметричным тиристорам) приведены вид корпуса, основные электрические характеристики и предельные эксплуатационные параметры. На графиках приведена зависимость допустимого тока в открытом состоянии от температуры и зависимость допустимого напряжения в закрытом состоянии от температуры. Описана область применения тиристоров. Дана максимальная допустимая рассеиваемая мощность.
Справочник стабилитронов отечественных.
В документации по стабилитронам и стабисторам приведена цветовая маркировка компонентов, разброс напряжений стабилизации при разных температурах, графики изменения дифференциального сопротивления, допустимая рассеиваемая мощность и пр. Стабилитроны в справочнике разбиты на функциональные группы.
Отечественные постоянные резисторы. Справочник.
В справочных данных по постоянным резисторам приведена зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры, габариты, область применения. Резисторы разбиты на группы по назначению (общего применения, прецизионные, высоковольтные, нагрузочные). Если какой-либо тип резисторов справочник и не охватил, то документацию по нему можно найти на сайтах производителей резисторов (пройдя по ссылке). Для некоторых типов указаны импортные аналоги резисторов. Калькулятор цветовой маркировки резисторов.
Отечественные переменные резисторы. Справочник.
Для переменных резисторов в справочнике приведен внешний вид, указаны размеры, мощность, тип характеристики, предельное рабочее напряжение, износоустойчивость. Для резисторов с выключателем приведены данные по контактам выключателя. Описаны переменные резисторы типов СП-хх и РП-хх.
Справочник конденсаторов электролитических, керамических и металлопленочных.
В справочных данных по конденсаторам указаны область применения, типоразмеры, графики зависимости эквивалентного последовательного сопротивления от температуры и частоты, зависимости допустимого импульсного тока от частоты, время наработки, тангенс угла потерь и другие характеристики.
Отечественные операционные усилители. Справочник.
В справочниках по отечественным операционным усилителям указаны типовая схема включения, электрические и частотные характеристики, допустимая рассеиваемая мощность. На операционники К140УД17, К140УД18, К140УД20, К140УД22, К140УД23, К140УД24, К140УД25, К140УД26, сдвоенные и счетверенные ОУ серий К1401УД1 — К1401УД6, микросхемы для звуковой аппаратуры К157 и широкополосные усилители К574 приведена весьма подробная информация: цоколевка, импортный аналог, внутренняя схема операционного усилителя, графики, характеристики, схемы балансировки, включения в качестве инвертирующего и неинвертирующего усилителя — в общем, не хуже импортных datasheets . Операционные усилители в справочнике расположены в алфавитном порядке. В таблице приведено краткое описание, а подробные характеристики содержатся в pdf файле.
Справочник стабилизаторов напряжения интегральных.
В справочнике по параметрическим стабилизаторам напряжения приведены подробные параметры и характеристики, цоколевка, типовые электрические схемы включения микросхем.
КМОП цифровые микросхемы. Справочник.
В справочнике по цифровым микросхемам (микросхемы серий К561, К176, К1561, 564) приведены статические и динамические электрические характеристики (допустимое напряжение питания, ток потребления, входной ток, максимальный допустимый выходной ток, задержка распространения сигнала, максимальная рабочая частота). В справочнике описана внутренняя структурная схема и логика работы. Для некоторых микросхем даны временные диаграммы работы.
Справочник по ШИМ-контроллерам для источников питания.
Представлены микросхемы ШИМ контроллеров для импульсных источников питания
Справочник по отечественным реле.
В документации по реле приведены паспорта, конструктивные данные и электрические схемы, сопротивление обмотки, износостойкость, режимы коммутации и другие параметры.
Справочник по разъемам низкочастотным.
Даташиты на электрические соединители взята с сайтов производителей (ссылка на них здесь же) и сведена воедино. В справочнике по разъемам в таблице для начала представлены основные параметры разъемов — количество контактов, максимальный допустимый ток на контакт и максимальное напряжение. Подробная информация о конкретном разъеме в справочнике (габаритные размеры, сопротивление контактов, количество контактов разного сечения в одном разъеме, маркировка и т.д.) содержится в datasheet. В справочник вошли как силовые разъемы на токи до 200 А (типа 2РТТ, ШР), так и электрические соединители для подключения слабых сигналов.
Отечественные оптроны. Справочник.
В справочнике по отечественным оптопарам описан принцип действия, основные характеристики и применение диодных, транзисторных, транзисторных оптронов с составными транзисторами на выходе (по схеме Дарлингтона) и тиристорных оптронов. Указан отечественный производитель микросхем. В datasheet на компоненты приведена цоколевка, внутренняя схема, зависимости параметров, коэффициент усиления и напряжение гальваноразвязки.
Справочник по светодиодам отечественным
В справочнике по отечественным светодиодам на первой странице приведены основные параметры светодиодов: номинальный ток светодиода, напряжение светодиодов при номинальном токе и разброс значения силы света для каждого типа приборов. Более подробные характеристики приведены в pdf. Указан отечественный производитель. В самих datasheet приведены подробные характеристики для каждого прибора. Данные взяты с сайтов предприятий, занимающихся производством светодиодов.
Импортные диодные мосты. Справочник.
В справочнике по импортным диодным мостам приведены однофазные и трехфазные мосты. Однофазные мосты собраны с характеристиками по напряжению от 50 до 1200 вольт и токами от 0.5 до 50 ампер. Корпусное исполнение: для поверхностного монтажа, выводного исполнения для пайки в плату и для внешнего монтажа. Трехфазные диодные мосты представлены приборами на токи от 20 до 110 ампер и на напряжение от 50 до 1600В. Для удобства выбора в справочник включены фото диодных мостов. Отдельный раздел посвящен диодным мостам для генераторов отечественных авто (преимущественно семейства ВАЗ, начиная «Копейкой» и заканчивая «Приорой»). В datasheet от украинского производителя «ВТН» описана применяемость, совместимость с разными типами генераторов, приведены технические характеристики, электрическая схема, габаритный чертеж и фотографии.
Справочник детских учреждений
Справочник профессий специалистов
Транзистор КТ317 —
Драгоценные металлы в транзисторе КТ317 согласно данных и паспортов-формуляров. Бесплатный онлайн справочник содержания ценных и редкоземельных драгоценных металлов с указанием его веса вида которые используются при производстве электрических радио транзисторов.
Содержание драгоценных металлов в транзисторе КТ317.
Золото: 0.0008224 грамм.
Серебро: 0 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0.000021 грамм.
Примечание: .
Если у вас есть интересная информация о транзисторе КТ317 сообщите ее нам мы самостоятельно разместим ее на сайте.
Вопросы справочника по транзисторах которые интересуют наших посетителей: найти аналог транзистора, усилитель на транзисторе, замена транзистора, как проверить транзистор или чем заменить транзистор в схеме, правила включения транзистора,
Также интересны ваши рекомендации по мощным транзисторам, импортным и отечественным комплектующим, как самостоятельно проверить транзистор,
Фото транзистора марки КТ317:
Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.
Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).
Схемы включения полевых транзисторов
Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут иметь три схемы включения: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Схема включения определяется тем, какой из трех электродов транзистора является общим и для входной и выходной цепи. Очевидно, что рассмотренный нами пример (рис. 4.2) является схемой с общим истоком (рис. а).
Схема с общим затвором (рис. ) аналогична схеме с общей базой у биполярных транзисторов. Она не дает усиления по току, а входное сопротивление здесь маленькое, так как входным током является ток стока, вследствие этого данная схема на практике не используется.
Схема с общим стоком (рис в) подобна схеме эмиттерного повторителя на биполярном транзисторе и ее называют истоковым повторителем. Для данной схемы коэффициент усиления по напряжению близок к единице. Выходное напряжение по величине и фазе повторяет входное. В этой схеме очень высокое входное сопротивление и малое выходное.
Справочные данные на транзисторы (DataSheet) КТ317 включая его характеристики:
Актуальные Даташиты (datasheets) транзисторов – Схемы радиоаппаратуры:
Транзистор доступное описание принципа работы.
Жуткая вещь, в детстве все не мог понять как он работает, а оказалось все просто.
В общем, транзистор можно сравнить с управляемым вентилем, где крохотным усилием мы управляем мощнейшим потоком. Чуть повернул рукоятку и тонны дерьма умчались по трубам, открыл посильней и вот уже все вокруг захлебнулось в нечистотах. Т.е. выход пропорционален входу умноженному на какую то величину. Этой величиной является коэффициент усиления.
Делятся эти устройства на полевые и биполярные.
В биполярном транзисторе есть эмиттер, коллектор и база (смотри рисунок условного обозначения). Эмиттер он со стрелочкой, база обозначается как прямая площадка между эмиттером и коллектором. Между эмиттером и коллектором идет большой ток полезной нагрузки, направление тока определяется стрелочкой на эмиттере. А вот между базой и эмиттером идет маленький управляющий ток. Грубо говоря, величина управляющего тока влияет на сопротивление между коллектором и эмиттером. Биполярные транзисторы бывают двух типов: p-n-p и n-p-n принципиальная разница только лишь в направлении тока через них.
Полевой транзистор отличается от биполярного тем, что в нем сопротивление канала между истоком и стоком определяется уже не током, а напряжением на затворе. Последнее время полевые транзисторы получили громадную популярность (на них построены все микропроцессоры), т.к. токи в них протекают микроскопические, решающую роль играет напряжение, а значит потери и тепловыделение минимальны.
Обозначение транзисторов или камень преткновения всех студентов. Как запомнить тип биполярного транзистора по его условной схеме? Представь что стрелочка это направление твоего движения на машине… Если едем в стенку то дружный вопль «Писец Нам Писец.
В общем, транзистор позволяет тебе слабеньким сигналом, например с ноги микроконтроллера, управлять мощной нагрузкой типа реле, двигателя или лампочки. Если не хватит усиления одного транзистора, то их можно соединять каскадами – один за другим, все мощней и мощней. А порой хватает и одного могучего полевого MOSFET транзистора. Посмотри, например, как в схемах сотовых телефонов управляется виброзвонок. Там выход с процессора идет на затвор силового MOSFET ключа.
Купить транзисторы или продать а также цены на КТ317:
Оставьте отзыв или бесплатное объявление о покупке или продаже транзисторов (полевых транзисторов, биполярных транзисторов, КТ317:
Справочник — Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-приемников и мониторов — Справочники
В справочнике Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-приемников и мониторов приведены электрические характеристики мощных биполярных транзисторов, имеющих высокую скорость переключения. Данные приборы применяются в импульсных источниках питания различного назначения, в промышленном оборудовании, в бытовой и профессиональной видео- и аудиотехнике.
В книге представлены изделия следующих ведущих производителей полупроводниковых приборов: FAIRCHILD, HITACHI, MOTOROLA (ON SEMICONDUCTOR), PANASONIC, PHILIPS, SANKEN, SAMSUNG, SANYO, SHINDENGEN, ST-MICROELECTRONICS, TOSHIBA и ZETEX. Таблица аналогов полупроводниковых приборов составлена на основании руководства Master Replacement Guide.
Справочник рассчитан на специалистов, занимающихся обслуживанием и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры, а также на радиолюбителей.
Название: Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-приемников и мониторов. Справочник
Автор: сост. Авраменко Ю.Ф.
Издательство: Додэка-ХХI
Год: 2006
Язык: Русский
Формат: DJVU
Качество: отличное
Размер: 87,1 Mб
Содержание:
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD
FJA13009; FJAF6806D; FJAF6808D; FJAF6810; FJAF6810D; FJAF6812; FJAF6815; FJAF6820; FJAF6910; FJAF6916; FJAF6920; FJD5304D; FJE3303; FJE5304D; FJL6820; FJL6825; FJL6920; FJN13003; FJP3305; FJP5021; FJP5304D; FJP5321; FJP5355; FJP5554; FJP5555; FJPF13007; FJPF13009; FJPF3305; FJPF5021; FJPF5027; FJPF5321; FJPF5555; FJPF6806D; KSA1156; KSC2233; KSC2333; ICSC2335; KSC2518; KSC2751; KSC2752; KSC3552; KSC5026M; KSC5027; KSC5039F; KSC5042F; KSC5042M; KSC5338D; KSC5338DW; KSC5367F; KSC5386; KSC5504D; KSC5504DT; KSC5801; KSC5802; KSC5803; KSD362; KSD363; KSD5701; KSD5703; KSD5707; KSE5020
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI
2SC1942; 2SC2928; 2SC3025; 2SC3026; 2SC3322; 2SC3336; 2SC3365; 2SC3658; 2SC3659; 2SC4589; 2SC4692; 2SC4742; 2SC4743; 2SC4744; 2SC4745; 2SC4746; 2SC4747; 2SC4789; 2SC4796; 2SC4797; 2SC4877; 2SC4878; 2SC4879; 2SC4880; 2SC4897; 2SC4927; 2SC4928; 2SC4962; 2SC5058; 2SC5068A; 2SC5105; 2SC5132A; 2SC5207A; 2SC5219; 2SC5250; 2SC5251; 2SC5252; 2SC5447; 2SC5448; 2SC5470; 2SD2294; 2SD2295; 2SD2296; 2SD2297; 2SD2298; 2SD2299; 2SD2300; 2SD2301; 2SD2311; 2SD2337; 2SD2342; 2SD2381; 2SD2491; 2SD2492
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA)
BU406; BU407; BUL44; BUL45; BUV21; BUV22; BUV26; BUX85; MJE13003; MJE13005; MJE13007; MJE13009; MJE16002; MJE16004; MJE16106; MJE18002; MJE18004; MJE18206; MJF18002; MJF18004; MJF18206; MJW16212
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC
2SC3506; 2SC3507; 2SC3974; 2SC4420; 2SC5243; 2SC5244; 2SC5244A; 2SC5270; 2SC5270A; 2SC5406; 2SC5406A; 2SC5407; 2SC5412; 2SC5423; 2SC5440; 2SC5478; 2SC5513; 2SC5514; 2SC5515; 2SC5516; 2SC5517; 2SC5518; 2SC5519; 2SC5546; 2SC5552; 2SC5553; 2SC5583; 2SC5584; 2SC5591; 2SC5597; 2SC5622; 2SC5686; 2SC5739; 2SC5779; 2SC5788; 2SC5884; 2SC5885; 2SC5902; 2SC5904; 2SC5905; 2SC5909; 2SC5912; 2SC5913; 2SC5914; 2SC5931; 2SC5993; 2SC6012; 2SD1439; 2SD1440; 2SD1441; 2SD1541; 2SD1632; 2SD1729; 2SD1730; 2SD1731; 2SD1732; 2SD1739; 2SD1846; 2SD1849; 2SD1850; 2SD2057
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
BU505; BU505D; BU505DF; BU505F; BU506; BU506D; BU506DF; BU506F; BU508AF; BU508AW; BU508DF; BU508DW; BU1506DX; BU1507AX; BU1507DX; BU1508AX; BU1508DX; BU2506DF; BU2506DX; BU2507AF; BU2507AX; BU2507DF; BU2507DX; BU2508A; BU2508AF; BU2508AW; BU2508AX; BU2508D; BU2508DF; BU2508DW; BU2508DX; BU2515AF; BU2515AX; BU2515DF; BU2515DX; BU2520A; BU2520AF; BU2520AW; BU2520AX; BU2520D; BU2520DF; BU2520DW; BU2520DX; BU2522A; BU2522AF; BU2522AW 145; BU2522AX; BU2522DF; BU2522DX; BU2523AF; BU2523AX; BU2523DF; BU2523DX; BU2525A; BU2525AF; BU2525AW; BU2525AX; BU2525DF; BU2525DW; BU2525DX; BU2527A; BU2527AF; BU2527AW; BU2527AX; BU2527DF; BU2527DX; BU2530AL; BU2530AW; BU2532AL; BU2532AW; BU2708AF; BU2708AX; BU2708DF; BU2708DX; BU2720AF; BU2720AX; BU2720DF; BU2720DX; BU2722AF; BU2722AX; BU2722DF; BU2722DX; BU2725AF; BU2725AX; BU2725DF; BU2725DX; BU2727A; BU2727AF; BU2727AW; BU2727AX; BU2730AL; BU4506AF; BU4506AX; BU4506AZ; BU4506DF; BU4506DX; BU4506DZ; BU4507AF; BU4507AX; BU4507AZ; BU4507DF; BU4507DX; BU4507DZ; BU4508AF; BU4508AX; BU4508AZ; BU4508DF; BU4508DX; BU4508DZ; BU4515AF; BU4515AX; BU4515DF; BU4515DX; BU4522AF; BU4522AX; BU4522DF; BU4522DX; BU4523AF; BU4523AW; BU4523AX; BU4523DF; BU4523DW; BU4523DX; BU4525AF; BU4525AL; BU4525AW; BU4525AX; BU4525DF; BU4525DL; BU4525DW; BU4525DX; BU4530AL; BU4530AW; BU4530AX; BU4540AL; BU4540AW; BU4550AL; BUJ101A; BUJ101AU; ВUJ101АХ; BUJ103A; BUJ103AU; ВUJ103АХ; BUJ105A; BUJ105AB; BUJ105AX; BUJ106A; BUJ106AX; BUJ202A; BUJ202AX; ВUJ204А; ВUJ204АХ; ВUJ205А; ВUJ205АХ; BUJ301A; ВUJ301АХ; BUJ302A; BUJ302AX; ВUJЗОЗА; ВUJ303АХ; BUJ304A; BUJ304AX; BUJ403A; BUJ403AX; ВUJ403ВХ; BUT11; BUT11A; BUT11AF; BUT11AI; BUT11AX; BUT11APX; BUT11APX-1200; BUT11F; BUT11XI; BUT12; BUT12A; BUT12AF; BUT12AI; BUT12F; BUT12XI; BUT18; BUT18A; BUT18AF; BUT18F; BUW11AF; BUW11F; BUW11AW; BUW11W; BUW13AF; BUW13F; BUW13AW; BUW13W; BUW14; BUX84; BUX84F; BUX84S; BUX85; BUX85F; BUX86P; BUX87P; BUX87-1100
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SAMSUNG
KSD5001; KSD5002; KSD5003; KSD5004; KSD5005; KSD5007; KSD5011; KSD5013; KSD5015; KSD5017
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN
2SC3678; 2SC3679; 2SC3680; 2SC3830; 2SC3831; 2SC3832; 2SC3833; 2SC3890; 2SC3927; 2SC4020; 2SC4130; 2SC4138; 2SC4139; 2SC4140; 2SC4296; 2SC4297; 2SC4298; 2SC4299; 2SC4300; 2SC4304; 2SC4418; 2SC4434; 2SC4445; 2SC4517; 2SC4517A; 2SC4518; 2SC4518A; 2SC4546; 2SC4557; 2SC4662; 2SC4706; 2SC4907; 2SC4908; 2SC5002; 2SC5003; 2SC5071; 2SC5124; 2SC5130; 2SC5239; 2SC5249; 2SC5271; 2SC5287
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
2SA1402; 2SA1403; 2SA1404; 2SA1405; 2SA1406; 2SA1407; 2SA1474; 2SA1475; 2SA1476; 2SA1536; 2SA1537; 2SA1538; 2SA1539; 2SA1540; 2SA1541; 2SA1967; 2SA1968LS; 2SC3176; 2SC3591; 2SC3595; 2SC3596; 2SC3597; 2АС3598; 2SC3599; 2SC3600; 2SC3601; 2SC3636; 2SC3637; 2SC3638; 2SC3642; 2SC3643; 2SC3675; 2SC3676; 2SC3685; 2SC3686; 2SC3687; 2SC3688; 2SC3780; 2SC3781; 2SC3782; 2SC3894; 2SC3895; 2SC3896; 2SC3897; 2SC3950; 2SC3951; 2SC3952; 2SC3953; 2SC3954; 2SC3955; 2SC3956; 2SC3995; 2SC3996; 2SC3997; 2SC3998; 2SC4030; 2SC4031; 2SC4123; 2SC4124; 2SC4125; 2SC4256; 2SC4257; 2SC4271; 2SC4291; 2SC4293; 2SC4411; 2SC4423; 2SC4425; 2SC4426; 2SC4427; 2SC4428; 2SC4429; 2SC4430; 2SC4435; 2SC4437; 2SC4440; 2SC4441; 2SC4450; 2SC4451; 2SC4475; 2SC4476; 2SC4478; 2SC4493; 2SC4563; 2SC4572; 2SC4578; 2SC4579; 2SC4630; 2SC4631; 2SC4632; 2SC4633; 2SC4634; 2SC4635; 2SC4636; 2SC4637; 2SC4660; 2SC4710; 2SC4710LS; 2SC4769; 2SC4770; 2SC4924; 2SC5041; 2SC5042; 2SC5043; 2SC5044; 2SC5045; 2SC5046; 2SC5047; 2SC5238; 2SC5296; 2SC5297; 2SC5298; 2SC5299; 2SC5300; 2SC5301; 2SC5302; 2SC5303; 2SC5443; 2SC5444; 2SC5450; 2SC5451; 2SC5452; 2SC5453; 2SC5506; 2SC5577; 2SC5578; 2SC5637; 2SC5638; 2SC5639; 2SC5680; 2SC5681; 2SC5682; 2SC5683; 2SC5689; 2SC5690; 2SC5696;2SC5698; 2SC5699; 2SC5722; 2SC5723; 2SC5776; 2SC5777; 2SC5778; 2SC5791; 2SC5792; 2SC5793; 2SC5794; 2SC5811; 2SC5899; 2SC5900; 2SC5932; 2SC5933; 2SC5966; 2SC5967; 2SC5968; 2SD1159; 2SD1876; 2SD1877; 2SD1878; 2SD1879; 2SD1880; 2SD1881; 2SD1882; 2SD1883; 2SD1884; 2SD1885; 2SD1886; 2SD1887; 2SD1908; 2SD1958; 2SD2251; 2SD2252; 2SD2578; 2SD2579; 2SD2580; 2SD2581; 2SD2624; 2SD2627LS; 2SD2629; 2SD2634; 2SD2645; 2SD2646; 2SD2648; 2SD2649; 2SD2650; 2SD2658LS; 2SD2688LS; 2SD2689LS; TS7988; TS7990; TS7992; TS7994; TT2138LS; TT2140LS; ТТ2142; TT2170LS; TT2190LS; ТТ2202
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN
2SA1598; 2SA1599; 2SA1600; 2SA1601; 2SA1795; 2SA1796; 2SA1876; 2SA1877; 2SA1878; 2SA1879; 2SB1282; 2SB1283; 2SB1284; 2SB1285; 2SB1448; 2SC4051; 2SC4052; 2SC4053; 2SC4054; 2SC4055; 2SC4056; 2SC4057; 2SC4058; 2SC4059; 2SC4060; 2SC4148; 2SC4149; 2SC4150; 2SC4151; 2SC4230; 2SC4231; 2SC4232; 2SC4233; 2SC4234; 2SC4235; 2SC4236; 2SC4237; 2SC4580; 2SC4582; 2SC4583; 2SC4584; 2SC4585; 2SC4663; 2SC4664; 2SC4668; 2SC4669; 2SC4833; 2SC4834; 2SC4876; 2SC4914; 2SC4940; 2SC4941; 2SC4978; 2SC4979; 2SC4980; 2SC4981; 2SC4982; 2SC5241; 2SD1022; 2SD1023; 2SD1024; 2SD1025; 2SD1026; 2SD1027; 2SD1788; 2SD1789; 2SD1790; 2SD1791; 2SD1792; 2SD1793; 2SD1794; 2SD1795; 2SD2196
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST — MICROELECTRONICS
BU208A; BU505; BU508A; BU508AFI; BU508DFI; BU808DFI; BUF405A; BUF405AFP; BUF410; BUF410A; BUF420; BUF420A; BUF420M; BUh2015; BUh2015HI; BUh2215; BUh3M20AP; BUh415; BUh415D; BUh415DFH; BUH515; BUH515D; BUH615D; BUH715; BUL1101E; BUL1102E; BUL118; BUL1203E; BUL1403ED; BUL213; BUL216; BUL310; BUL310FP; BUL312FH; BUL312FP; BUL381; BUL381D; BUL382; BUL382D; BUL38D; BUL39D; BUL416; BUL49D; BUL510; BUL57; BUL57FP; BUL58D; BUL59; BUL654; BUL67; BUL742; BUL810; BUL89; BULB128D-1; BULB39D; BULB49D; BULD118D-1; BULK128D; BULT118; BULT118D; BUV48C; BUV48CFI; BUW1015; BUW1215; BUX48C; HD1520FX; HD1530FX; HD1530JL; HD1750FX; HD1750JL; HD1760JL; MD1803DFX; MD2310FX; MJD47T4; MJD49T4; MJD50T4; S2000AFI; SGSF313; SGSF313PI; SGSF344; SGSF464; SGSFI464; ST13003; ST13005; ST13007; ST13007FP; ST13007N; ST13007NFP; ST1802FH; ST1803DFH; ST1803DHI; ST2001FX; ST2009DXI; ST2310DXI; ST2310FX; ST2317DFX; ST2408h2; ST83003; STB13005-1; STD13003-1; STD13003-T4; STD83003-1; STD83003-T4; STK13003; STX13005; THD200F1; THD215HI; THD218DHI; THD277HI
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
2SC3307; 2SC3425; 2SC3657; 2SC3715; 2SC3716; 2SC3884A; 2SC3885A; 2SC3886A; 2SC3887; 2SC3887A; 2SC3888; 2SC3888A; 2SC3889; 2SC3889A; 2SC3892; 2SC3892A; 2SC3893; 2SC3893A; 2SC4157; 2SC4288; 2SC4288A; 2SC4289; 2SC4289A; 2SC4290; 2SC4290A; 2SC4531; 2SC4532; 2SC4542; 2SC4560; 2SC4608; 2SC4757; 2SC4758; 2SC4759; 2SC4760; 2SC4761; 2SC4762; 2SC4763; 2SC4764; 2SC4765; 2SC4766; 2SC4806; 2SC4830; 2SC4916; 2SC5048; 2SC5129; 2SC5142; 2SC5143; 2SC5144; 2SC5148; 2SC5149; 2SC5150; 2SC5172; 2SC5266; 2SC5279; 2SC5280; 2SC5331; 2SC5332; 2SC5339; 2SC5353; 2SC5354; 2SC5386; 2SC5387; 2SC5404; 2SC5411; 2SC5421; 2SC5422; 2SC5439; 2SC5445; 2SC5446; 2SC5570; 2SC5587; 2SC5588; 2SC5589; 2SC5590; 2SC5612; 2SC5695; 2SC5716; 2SC5717; 2SC5748; 2SC5855; 2SC5856; 2SC5857; 2SC5858; 2SC5859; 2SD1279; 2SD1425; 2SD1426; 2SD1427; 2SD1428; 2SD1429; 2SD1430; 2SD1431; 2SD1432; 2SD1433; 2SD1543; 2SD1544; 2SD1545; 2SD1546; 2SD1547; 2SD1548; 2SD1553; 2SD1554; 2SD1555; 2SD1556; 2SD2089; 2SD2095; 2SD2125; 2SD2253; 2SD2348; 2SD2349; 2SD2428; 2SD2454; 2SD2498; 2SD2499; 2SD2500; 2SD2539; 2SD2550; 2SD2551; 2SD2553; 2SD2559; 2SD2586; 2SD2599; 2SD2638; 2SD811; 2SD818; 2SD819; 2SD820; 2SD821; 2SD822; 2SD868; 2SD869; 2SD870; 2SD871; S2000; S2000A; S2000AF; S2000F; S2000N; S2055; S2055A; S2055AF; S2055F; S2055N
Транзисторы с высокой скоростью переключения производства ZETEX
BST39; FMMT458; FMMT459; FMMT497; FZT458; FZT658; FZT857; FZTA42
Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Типовое использование транзистора с высокой скоростью переключения в схемах строчной развертки
Обновлено: 25.08.2021
Поделитесь записью в своих социальных сетях!
|
20- 25 В
|
IRL3714ZSPBF |
20V, 36A, 16 mOhm, 4.8 nC Qg, D2-Pak |
|
IRL3715ZSPBF |
20V, 50A, 11 mOhm, 7 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRF3704ZSPBF |
20V, 67A, 7.9 mOhm, 8.7 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRF3711ZSPBF |
20V, 92A, 6 mOhm, 16 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRF1324SPBF |
24V, 340A, 1.65 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRF1324S-7PPBF |
24V, 429A, 1 mOhm, 180 nC Qg, D2-Pak 7-pin |
|
|
30 В
|
IRF3707ZSPBF |
30V, 59A, 9.5 mOhm, 9.7 nC Qg, D2-Pak |
|
IRF3709ZSPBF |
30V, 87A, 6.3 mOhm, 17 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRL8113SPBF |
30V, 105A, 6 mOhm, 23 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRL7833SPBF |
30V, 150A, 3.8 mOhm, 32 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRF2903ZSPBF |
30V, 260A, 2.4 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak |
|
|
40 В |
IRF4104SPBF |
40V, 120A, 5.5 mOhm, 68 nC Qg, D2-Pak |
|
IRF1404ZSPBF |
40V, 190A, 3.7 mOhm, 100 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRF2804SPBF |
40V, 270A, 2.0 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRFS3004PBF |
40V, 340A, 1.75 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRF2804S-7PPBF |
40V, 320A, 1.6 mOhm, 170 nC Qg, D2-Pak 7-pin |
|
|
IRFS3004-7PPBF |
40V, 400A, 1.25 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak 7-pin |
|
|
55 — 60 В |
IRFS3806PBF |
60V, 42A, 15.8 mOhm, 22 nC Qg, D2-Pak |
|
IRFZ44ZSPBF |
55V, 51A, 13.9 mOhm, 29 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRF1018ESPBF |
60V, 77A, 8.4 mOhm, 51 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRF3205ZSPBF |
55V, 110A, 6.5 mOhm, 76 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRFS3306PBF |
60V, 160A, 4.2 mOhm, 85 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRFS3206PBF |
60V, 210A, 3 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRFS3006PBF |
60V, 270A, 2.5 mOhm, 200 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRFS3006-7PPBF |
60V, 293A, 2.1 mOhm, 200 nC Qg, D2-Pak 7-pin |
|
|
75 — 80 В |
IRFS3607PBF |
75V, 80A, 9.0 mOhm, 51 nC Qg, D2-Pak |
|
IRFS3307ZPBF |
75V, 120A, 5.8 mOhm, 79 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRFS3207ZPBF |
75V, 170A, 4.1 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRFS3107PBF |
75V, 230A, 3.0 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRFS3107-7PPBF |
75V, 260A, 2.6 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak 7-pin |
|
|
100 В |
IRF540ZSPBF |
100V, 36A, 26.5 mOhm, 42 nC Qg, D2-Pak |
|
IRF3710ZSPBF |
100V, 59A, 18 mOhm, 82 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRFS4610PBF |
100V, 73A, 14 mOhm, 90 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRFS4410ZPBF |
100V, 97A, 9 mOhm, 83 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRFS4310ZPBF |
100V, 127A, 6 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRFS4010PBF |
100V, 180A, 4.7 mOhm, 143 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRFS4010-7PPBF |
100V, 190A, 4.0 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak 7-pin |
|
|
150 В |
IRFS4615PBF |
150V, 33A, 42 mOhm, 26 nC Qg, D2-Pak |
|
IRFS4321PBF |
150V, 83A, 15 mOhm, 71 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRFS4115PBF |
150V, 99A, 12.1 mOhm, 77 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRFS4115-7PPBF |
150V, 105A, 11.8 mOhm, 78 nC Qg, D2-Pak 7-pin |
|
|
200 В |
IRFS4020PBF |
200V, 18A, 100 mOhm, 18 nC Qg, D2-Pak |
|
IRFS4620PBF |
200V, 24A, 77.5 mOhm, 25 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRFS4227PBF |
200V, 62A, 26 mOhm, 70 nC Qg, D2-Pak |
|
|
IRFS4127PBF |
200V, 76A, 21 mOhm, 110 nC, D2-Pak |
|
|
250 В |
IRFS4229PBF |
250V, 45A, 48 mOhm, 72 nC Qg, D2-Pak |
✅ [Обновлено] Каталог транзисторов Скачать приложение мода для ПК / Android (2021)
Вы можете загрузить бесплатное приложение «Каталог транзисторов» и установить его на свое устройство, перейдя в магазин Google Play. Google play рекомендует не загружать приложения для Android напрямую из сторонних источников, так как они могут нанести вред вашему телефону.
Вы можете загрузить официальное приложение «Каталог транзисторов», щелкнув ссылку ниже в магазине Google Play.
Что такое APK-файл?
APK — это аббревиатура от Android Package Kit. Операционная система Android использует свой собственный тип формата установки, так как программное обеспечение Windows имеет расширение .exe. Когда вы загружаете приложение из магазина Google Play, оно загружается и устанавливается в формате APK.
Вы не увидите файл напрямую, когда загрузите его из магазина воспроизведения. Иногда вам может потребоваться загрузить файлы APK из других источников напрямую.
Каковы преимущества и недостатки прямой загрузки APK?
- Вы можете скачать любую версию приложения прямо со сторонних сайтов.У них могут быть архивы приложений большинства версий, и вы можете скачать ту, которая вам может понадобиться.
- В отличие от игрового магазина загрузка происходит мгновенно, не нужно ждать процесса проверки и т. Д.
- После загрузки у вас будет APK-файл на вашей карте памяти / в системной памяти. Таким образом, вы можете удалять и повторно устанавливать любое количество раз без необходимости загрузки.
Преимущества:
- Загрузка приложений из сторонних источников обычно не проверяется Google.Это может быть вредно для вашего телефона.
- Файлы APK могут содержать вирусы, которые украдут данные с вашего телефона или повредят ваш телефон.
- Ваши приложения не будут обновляться автоматически, поскольку у магазина Google Play обычно нет к нему доступа.
Недостатки:
Где я могу скачать APK-файл каталога транзисторов?
Вы можете скачать APK любого приложения для Android из многих источников, таких как ApkMirror, ApkPure и т. Д. Но мы настоятельно не рекомендуем скачивать из сторонних источников.Мы добавили кнопку выше к загрузке официального файла приложения Transistors directory. Всегда загружайте Android из магазина Google Play, если у них нет приложения, которое вы ищете.
Как установить APK каталога транзисторов с телефона Android?
- Вы можете скачать APK каталога транзисторов, нажав кнопку выше, и загрузка начнется. После завершения загрузки вы сможете найти APK в разделе «Загрузки» в своем браузере.
- Прежде чем вы сможете установить его на свой телефон, вам необходимо убедиться, что на вашем устройстве разрешены сторонние приложения.Чтобы включить это, шаги в основном аналогичны приведенным ниже.
Откройте «Меню »> «Настройки»> «Безопасность»> и установите флажок «Неизвестные источники », чтобы разрешить вашему телефону устанавливать приложения из источников, отличных от Google Play Store. - После выполнения вышеуказанного шага вы можете перейти к «Загрузки» в своем браузере и один раз коснуться загруженного файла APK. Он начнет показывать запрос на установку, запрашивающий разрешения, и вы можете выполнить шаги, чтобы установить его.
- После завершения установки вы можете начать использовать приложение, как обычно.
Как скачать Android-приложение «Каталог транзисторов» для ПК (Windows / Mac)?
- Чтобы использовать приложение Android со своего компьютера, вам понадобится программа-эмулятор Android , которая действует как виртуальный телефон. Ниже приведены пошаговые инструкции по установке и использованию приложений Android на ПК.
- Сначала нам нужно скачать и установить эмулятор Android. BlueStacks — один из наиболее часто используемых эмуляторов Android. Его можно загрузить и использовать совершенно бесплатно.
- Вы можете скачать его по приведенной ниже ссылке после инструкций.
- После того, как вы загрузите программное обеспечение эмулятора, вы можете установить его, как и любое другое компьютерное программное обеспечение, дважды щелкнув и выполнив шаги.
- После установки эмулятора откройте его и перетащите загруженный файл APK на экран программного обеспечения. Это запустит процесс установки приложения.
- Следуйте инструкциям, чтобы завершить установку APK, как в телефоне.
- Поздравляю. Теперь вы можете использовать приложение Android со своего компьютера, открыв программу-эмулятор.
Какая последняя версия и дата выпуска каталога Transistors и дата первоначального выпуска?
Последняя стабильная версия каталога Transistors — 1.1, выпущенная 26 апреля 2020 года. Размер загружаемого приложения составляет 5.9M.
Сколько стоит каталог Transistors и как сделать предварительный заказ / купить?
Его можно скачать БЕСПЛАТНО, и вы можете скачать его в магазине Google Play.Поскольку приложение уже выпущено, вы можете покупать его прямо в магазине.
Каталогтранзисторов запрещен в моей стране. Законно ли получить к нему доступ через VPN?
Совершенно незаконно использовать приложение (каталог Transistors), пока оно запрещено в вашей стране. Однако вы можете получить доступ по особым причинам, таким как закрытие учетной записи или получение вашего контента / денег из приложения. Вы можете использовать VPN другой страны и получить к ней доступ. Мы настоятельно рекомендуем не использовать его с VPN, так как это может вызвать юридические проблемы.
Какой VPN лучше всего использовать с каталогом Transistors?
Если по каким-то причинам вы хотите получить доступ к каталогу Transistors с помощью VPN, вы можете попробовать одну из нескольких перечисленных ниже VPN. Это лучшие VPN-сервисы, которые опробовали и используют миллионы пользователей по всему миру. Кроме того, они просты, быстрее и обеспечивают полную поддержку и безопасность при их использовании.
1. ExpressVPN
2. NordVPN
Дискретные полупроводниковые приборы | RS Components
У нас есть широкий выбор дискретных полупроводников из ряда транзисторов, диодов, выпрямителей и модулей.На выбор предлагается ряд брендов, в том числе ON Semiconductors, Vishay, Infineon и DiodesZetex.Что такое дискретный полупроводник?
Дискретный полупроводник в основном противоположен интегральной схеме. Это отдельная схема, которая выполняет только одну функцию в качестве одного полупроводника, в отличие от нескольких полупроводниковых компонентов, которые вы можете найти на печатной плате (PCB).
Обычно они предназначены для работы с высокой мощностью или частотой и, как следствие, требуют специальной упаковки.
Какие примеры дискретных полупроводниковых устройств?
Вот несколько примеров отдельных устройств:
- Тиристоры: этот тип полупроводников часто используется в качестве переключателя, пропускающего через них ток определенной величины
- Стабилитроны: эти дискретные устройства являются наиболее распространенным типом компонентов для регулирования напряжения
- Биполярные транзисторы: несут как положительные, так и отрицательные заряды в аналоговых схемах
- Мостовые выпрямители: названы так, поскольку они построены в определенной конфигурации из диодов
- MOSFET-транзисторы: металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы широко используются для переключения и усиления сигналов
- TRIAC: двунаправленные переключатели, пропускающие ток в обоих направлениях
- JFET-транзисторы: переходные полевые транзисторы управляются напряжением и, как следствие, обеспечивают сопротивление
- Выпрямительные диоды и диоды Шоттки: способны очень быстро переключаться с низкими перепадами напряжения
- DIACs: часто используются для срабатывания тиристоров 900 23
- Варакторные диоды: встречаются в обычных бытовых приборах и управляются напряжением, подаваемым через них.
Для чего можно использовать дискретные полупроводники?
Так как они являются самыми основными частями техники, они имеют широкий спектр применения, как в промышленных, так и в бытовых приложениях:
- Экономия места: транзистор Дарлингтона занимает меньше места, чем два транзистора
- Триггеры: DIAC может может использоваться для запуска TRIAC
- Переключение приложений: JFET-транзисторы часто используются таким образом
- Аналоговый и цифровой: MOSFET-транзисторы могут использоваться в обоих направлениях
- Контроллеры мощности: Тиристоры часто используются только для этой цели
- Регулятор напряжения : Стабилитроны чаще всего используются для таких задач
Создайте потрясающий веб-сайт для своего подкаста Transistor
Transistor — отличное место для размещения вашего подкаста.Их основная роль — хранить ваши аудиофайлы и поддерживать все ваши важные метаданные, и у них это отлично получается. Но когда дело доходит до вашего официального веб-сайта, их микросайты не идеальны.
Зачем нужен отдельный сайт
Для каждого подкаста очень важно иметь настоящий веб-сайт. Наличие веб-сайта дает вам огромные возможности. Вот некоторые из преимуществ:
- Вы должны владеть своими отношениями со своими слушателями
- Веб-сайты общедоступны
- Многие новые слушатели начинают с Google
- Вы должны занять первое место в Google
- Если вы занимает первое место в Google, вы привлечете больше слушателей благодаря обычному поиску.
- Вы должны контролировать, как вы представляете свое шоу
- Веб-сайт упрощает жизнь ваших слушателей
- Веб-сайт дает вам место для размещения стенограмм
- Веб-сайт позволяет вам предоставить слушателям другие способы взаимодействия
Проблема в том, что большинство хостов подкастов (не только Transistor) не предоставляют веб-интерфейс, который выполняет даже половину того, что указано в списке выше.
Какие основные функции вы получаете от лучшего веб-сайта?
Podpage позволяет легко взять ваш канал Transistor и использовать его для создания полнофункционального веб-сайта подкаста менее чем за 5 минут. Всего за несколько кликов вы получите:
- Оптимизированный для поисковых систем веб-сайт , который автоматически обновляет
- Настраиваемая домашняя страница , на которой показаны последние выпуски, ссылки на плееры, медиаплееры и обзоры подкастов.
- Выделенная страница для каждого отдельного эпизода , показывающая заметки шоу, медиаплеер, заметки шоу и, если хотите, расшифровку стенограммы. Страницы новых выпусков создаются автоматически.
- о странице , где вы можете описать, о чем ваш подкаст, и немного о себе.
- A Контактная форма , чтобы слушатели могли связаться с вами.
- Способ спросить у слушателей их адрес электронной почты , чтобы вы могли установить с ними прямую связь.
- Дополнительные страницы для пожертвований, членства, сообщений в блогах, электронной коммерции и возможности добавлять любые страницы по вашему желанию.
Как создать сайт за 5 минут без технических знаний
Давайте сделаем это. Вам не нужна ни кредитная карта, ни подписка на пробную версию, ни создание учетной записи, чтобы увидеть, как может выглядеть ваш веб-сайт. Просто перейдите к инструменту предварительного просмотра подкаста и введите название своего подкаста.Через минуту вы получите демонстрацию своего нового веб-сайта.
Не уверены? Посетите некоторые сайты подкастов Transistor
Это лишь некоторые из многих подкастов, размещенных на Transistor, которые решили обновить свой веб-сайт до Podpage.
Как Intel делает микросхемы: транзисторы для преобразований
Как Intel создает микросхемы: транзисторы для преобразованийРЕВОЛЮЦИОННАЯ
На протяжении десятилетий исследования и разработки Intel, передовые кремниевые чипы и производство объединяли лучшее из вычислений, связи и бытовой электроники. получить ценные преимущества от технологий.
Intel продолжает внедрять новые технологические процессы, которые обеспечивают более энергоэффективные, … безопасные и высокопроизводительные продукты, которые затем внедряются в ваши все более подключенные и умные устройства.
ЗАКОН Мура
Согласно закону Мура количество транзисторов на кристалле примерно удваивается каждые пару лет. В результате масштаб транзистора становится все меньше и меньше. По мере увеличения количества транзисторов возрастает и возможность интегрировать больше возможностей в микросхему и увеличивать сложность устройства.
Кумулятивное воздействие этого стремительного роста возможностей делает возможным использование современных мобильных устройств, подпитывает все более подключенные к Интернету и богатые информацией цифровые технологии, которые мы ищем, и поддерживает отрасли и нашу глобальную экономику.
Выполнение закона Мура требует многочисленных инноваций. Компания Intel впервые в мире представила передовую конструкцию транзисторов, включая напряженный кремний (2003 г.), 45 нм с технологией кремния с высоким k / металлическим затвором (2007 г.), за которым следует 32-нанометровая технология кремния с высоким k / металлическим затвором 2-го поколения (2009 г.).Недавно Intel представила еще одно радикальное изменение конструкции — 22-нанометровые 3-D транзисторы Tri-Gate (2011 г.), массовое производство которых началось в 2012 г.
ВАШ МИР СОЕДИНЕН
«Наше видение очень простое: если он потребляет электричество, он «, — заявил Кирк Б. Скауген, вице-президент Intel и генеральный менеджер PC Client Group. Он описывал возможности серверных облачных вычислений и рост числа подключенных устройств, ожидаемый в течение следующего десятилетия в Web 2.0 Саммит в ноябре 2011 года.
По прогнозам, к 2015 году будет 15 миллиардов подключенных устройств и более трех миллиардов подключенных пользователей. Ожидается, что рост глобальных данных до 2015 года превысит 4,8 зеттабайт в год. На этих уровнях каждый подключенный пользователь будет генерировать более четырех ГБ трафика данных каждый день. Это эквивалент 4-часового HD-фильма.
СИЛА ПРЕОБРАЗОВАНИЯ
От устройств Ultrabook ™, центров обработки данных и высокопроизводительных вычислений до приложений, систем безопасности, смартфонов и планшетов на базе процессоров Intel — единственное, что может быть удивительнее технологий Intel, — это то, что вы с ними делаете.
Прочтите полную брошюру «Как Intel делает чипы».
Руководство по выбору транзисторов: типы, характеристики, применение
Транзисторы— это небольшие универсальные полупроводниковые устройства, предназначенные для переключения или усиления электронных сигналов и мощности. Почти все электронные устройства сегодня содержат один или несколько транзисторов. Некоторые транзисторы упакованы индивидуально, но гораздо больше встроено в интегральные схемы.В этих схемах количество транзисторов может составлять от нескольких до нескольких миллиардов. Транзистор считается одним из самых важных изобретений 20 -х годов века из-за его широкого использования в большинстве современных схем и электронных систем.
Композиция
Транзисторыможно разделить на типы в зависимости от состава и, следовательно, полярности транзистора.
Биполярные транзисторы
Биполярные транзисторы, также называемые транзисторами с биполярным переходом (BJT), являются наиболее часто используемыми транзисторами.Они состоят из тонкого куска полупроводникового материала p-типа или n-типа (поясняется далее) между двумя более толстыми слоями противоположного типа. Эти транзисторы состоят из трех выводных компонентов: база , коллектор и эмиттер .
- База — это вывод, отвечающий за активацию транзистора. Это устройство управления затвором для более крупного источника питания.
- Коллектор является плюсовым проводом и большим источником электропитания.
- Излучатель — это отрицательный вывод и розетка для большего источника питания.
Простой транзистор с указанием трех его основных компонентов. Кредит изображения: студент-технолог
NPN и PNP — это два стандартных типа транзисторов. Буквы обозначают порядок слоев полупроводников, из которых состоят выводы; Слои N-типа состоят из отрицательных носителей заряда и имеют избыточные электроны, а слои P-типа состоят из положительных носителей заряда и не имеют электронов.В полупроводниках свободные электроны заряжены отрицательно, а дырки в материале заряжены положительно.
ТранзисторыNPN имеют выводы коллектора и эмиттера из материала N-типа, а базовый вывод из материала P-типа. Они используют электроны в качестве носителей тока. Они более распространены, потому что их легче построить из кремния.
ТранзисторыPNP имеют выводы коллектора и эмиттера из материала P-типа, а базовый вывод из материала N-типа.Они используют дырки (пятна без электронов) в качестве носителей тока. Они функционируют почти так же, как транзисторы NPN, за исключением того, что основной поток тока в них регулируется путем изменения количества отверстий в базе. Отрицательные и положительные соединения, выполненные транзистором PNP, также являются обратными соединениям NPN.
Различия в составе и протекании тока между PNP и NPN транзисторами. Кредит изображения: PhysLink.com
Полевые (униполярные) транзисторы
Полевые транзисторы (FET), также называемые униполярными транзисторами, представляют собой транзисторы, состоящие только из двух слоев полупроводникового материала.Они включают вентилей , истока и стоков компонентов.
- Затвор — это полупроводниковый слой и вывод, который модулирует ток посредством приложенного напряжения.
- Источник — это место, где ток входит в канал.
- Сток — это место, где ток покидает канал.
Состав полевого транзистора показан на изображении ниже.
Изображение предоставлено: PhysLink.ком
Во время работы электричество проходит через первый полупроводниковый слой (называемый каналом). Напряжение, подключенное ко второму полупроводниковому слою (затвор), регулирует силу тока в канале, препятствуя протеканию тока.
Как работают транзисторы
Принцип работы транзисторов можно объяснить как на функциональном, так и на теоретическом уровне.
Функциональное понимание
Транзисторымогут работать как переключатели и усилители.Во время работы подаваемое напряжение изменяет поток электрического тока за счет добавления электронов или прерывания потока. Это позволяет небольшим изменениям напряжения вызывать пропорционально большие изменения выходного тока, что приводит к усилению. Ток, который проходит через транзистор, также может функционировать как механизм переключения. Чтобы понять работу транзистора, можно использовать простую визуальную аналогию.
Работа транзистора по аналогии с потоком воды. Кредит изображения: Satcure-focus.com
Диаграмма выше может использоваться для представления транзистора (в данном случае биполярного типа), где поток воды представляет поток тока. Изначально на коллектор (С) подается резервуар с водой (напряжение питания) и остается постоянным, чтобы не перегружать емкость транзистора. Изменяя ток из основного канала (B) путем увеличения напряжения, затвор (переключатель) перемещается, позволяя пропорционально большему количеству тока течь от коллектора к эмиттеру (E).
Теоретическое понимание
В то время как двухполюсные устройства описываются с одним напряжением и одним током, транзисторы (три оконечных устройства) описываются с тремя напряжениями и тремя токами.В BJT три напряжения — это напряжения между любыми двумя клеммами, представленные как V BE , V CE и V CB . Токи обозначаются как ток эмиттера ( I E ), ток коллектора ( I C ) и базовый ток ( I B ). На следующем рисунке показана конструкция, символ, а также направление и полярность токов и напряжений в NPN-транзисторе.Для транзистора PNP эти токи и напряжения имеют противоположную полярность.
Транзистор может производить большой выходной сигнал ( I C ) с очень маленьким входом ( I B ). Коэффициент, на который выходной ток ( I C ) больше, чем управляющий или входной ток ( I B ), называется коэффициентом усиления по постоянному току ( β ) усилитель звука. Его значение обычно указывается производителем и иногда обозначается символом h FE . Его можно найти по приблизительной формуле:
Это видео дает дальнейшее объяснение теории, лежащей в основе работы транзисторов:
Кредит видео: dizzo95
Критерии отбора
При выборе транзисторов промышленные покупатели должны учитывать тип транзистора и его рабочие характеристики, конструктивные параметры и применение.
Типы
Различные типы транзисторов могут иметь преимущества, которые делают их предпочтительными для определенных приложений.
Биполярные транзисторы предпочтительны для приложений с высокоскоростной коммутацией и в качестве мощных усилителей для систем с большим током.
Полевые транзисторы предпочтительны для приложений со слабым сигналом (например, для простой беспроводной связи и широковещательных приемников) и в системах с высоким импедансом.
Технические характеристики
Транзисторыможно описать по ряду параметров и спецификаций.
Ток коллектора (I C ) описывает максимально допустимую токовую нагрузку в коллекторе. Он измеряется в миллиамперах (мА) или амперах (А) в зависимости от мощности транзистора. Если ток в коллекторе превысит этот параметр, транзистор может выйти из строя из-за перегрузки.
Рассеиваемая мощность (P D или P до ) описывает рассеиваемую мощность транзистора. Обычно измеряется в ваттах.Фактическое рассеивание определяется умножением напряжения на транзисторе на ток через коллектор. Обычно он рассчитан на температуру окружающей среды 25 ° C.
Коэффициент усиления по току (h FE ) или (β) описывает коэффициент усиления по току транзистора. Он определяет коэффициент усиления тока в транзисторе.
Частотный переход (f T ) — частота, при которой коэффициент усиления по току падает до единицы. Измеряется в мегагерцах (МГц).В большинстве случаев транзистор должен работать значительно ниже этой частоты.
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (В CE ) — это максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером. Измеряется в вольтах. Напряжения, превышающие это значение, могут повредить соответствующий транзистор.
Расчетные параметры
Транзисторыможно охарактеризовать по ряду конструктивных параметров, от стиля корпуса до типа материала.
Тип корпуса — Транзисторы могут быть спроектированы на основе большого разнообразия стилей корпусов.Коды корпусов TOxx описывают устройства с выводами, а коды корпусов SOTxxx описывают устройства для поверхностного монтажа.
Материал — Транзисторы обычно состоят из одного из двух полупроводниковых материалов: кремния или германия. Конкретные уровни примесей (легирующих примесей) добавляются для изменения или улучшения рабочих характеристик транзистора, необходимых для применения. Хотя германий обладает более желательными электрическими свойствами, кремний используется гораздо чаще из-за его надежности и низкой стоимости.
Приложение
Выбор подходящего транзистора может зависеть от конкретной области применения. По этой причине многие листы продуктов будут включать общие или специальные приложения для различных транзисторных продуктов. Некоторые общие приложения включают:
- Низкая / средняя / высокая мощность
- Общего назначения
- Низкий уровень шума
- Высокое усиление
Некоторые конкретные приложения включают:
- Смеситель
- Усилитель УВЧ / УКВ
- Усилитель Дарлингтона
- Широкополосный усилитель
Стандарты
BS IEC 60747-7 — Полупроводниковые приборы — дискретные устройства, часть 7: Биполярные транзисторы
Список литературы
Все о схемах — Переходные полевые транзисторы
Клуб электроники — Транзисторы
PhysLink — Как работает транзистор?
WhatIS.com — полевой транзистор (FET)
NTE Electronics, Inc. — Руководство по выбору кремниевых транзисторов
Кредит изображения:
Корпорация Digi-Key | Allied Electronics, Inc. | Ньюарк / Элемент14
Органические монокристаллические транзисторы микрометрового и нанометрового размеров
Монокристаллические устройства из органических полупроводников привлекли внимание всего мира благодаря (i) высоким характеристикам органических монокристаллических устройств и (ii) возможности монокристаллов обнаруживать собственные свойства. Зарядово-транспортные свойства органических полупроводников.Обычно органические кристаллы существуют в виде «маленьких» кристаллов нанометрового или микрометрового размера из-за слабого взаимодействия между молекулами органических полупроводников, и выращивать органические монокристаллы большого размера для устройств, даже кристаллы миллиметрового размера, сложно. Следовательно, если бы устройства можно было изготавливать с использованием «малых» органических кристаллов напрямую, было бы полезно не только сохранить все преимущества органических монокристаллов и избежать проблем, связанных с выращиванием кристаллов большого размера, но и предоставить способ для более эффективной характеристики органических полупроводников.Кроме того, эффективное использование «малых» кристаллов будет иметь значение для интеграции органических монокристаллов в микро- и наноэлектронные устройства. К сожалению, традиционные методы неорганического микрообработки, такие как осаждение электронным пучком / сфокусированным ионным пучком, будут повреждать или загрязнять органические кристаллы, что ограничивает применение методов неорганического микротехнологии для органических монокристаллических устройств. Поэтому необходимо разрабатывать новые технологии для изготовления устройств с «маленькими» органическими кристаллами.Недавно исследователи из Института химии Китайской академии наук исследовали несколько новых методов для создания устройств и изучения транспортных свойств «маленьких» кристаллов.
Проф. Вэньпин Ху и проф. Хунсян Ли, возглавляющий исследовательскую группу из Пекинской национальной лаборатории молекулярных наук Института химии Китайской академии наук, сообщил о нескольких новых методах решения этой проблемы в Research News под названием «Органические монокристаллические транзисторы микрометрических и нанометровых размеров» в Дополнительные материалы опубликованы в Интернете 4 июля 2008 г.«Посредством традиционного процесса физического переноса пара и роста химического раствора органические монокристаллы микрометрового и нанометрового размеров могут быть получены легче, чем кристаллы большого размера. Использование этих органических монокристаллов микрометрового и нанометрового размеров не только сохраняет все достоинства монокристаллов, но также обеспечивает более эффективные способы определения характеристик органических полупроводников », — сказали Ху и Ли. «Мы открыли несколько новых технологий для изготовления небольших органических монокристаллических устройств, например, метод многократного перемещения маски из золотых микропроводов.Ху и Ли объяснили Nanospotlight: «Мы поместили золотой микропровод над маленькими кристаллами, закрепили золотую проволоку с помощью серебряного клея, а затем разместили электрод. Золотая проволока служила маской для получения проводящего канала длиной, равной диаметру золотой проволоки. После этого мы немного сдвинули золотую проволоку и снова нанесли металл. Ширину канала можно дополнительно уменьшить. Если использовать золотую проволоку шириной 20 мкм, длину канала можно уменьшить до 5 мкм.«Еще одно преимущество этой техники — изготовление асимметричных электродов, что трудно реализовать с помощью другой техники масок». С помощью этого метода созданы высокопроизводительные устройства на основе фталоцианина меди (CuPc) с Au / Au-симметричными электродами (опубликовано отдельно 21 ноября 2005 г., онлайн-издание Advanced Materials , «Транзисторы с низким пороговым напряжением на основе отдельных монокристаллов субмикронного размера. ленты из фталоцианина меди ») и устройства с гексадекафторфталоцианином меди (F 16 CuPc) с асимметричными электродами Au / Ag (опубликовано отдельно 26 октября 2006 г., онлайн-издание Журнал Американского химического общества ,« High-Performance Созданы устойчивые к воздуху транзисторы n-типа с асимметричной конфигурацией устройства на основе органических монокристаллических субмикрометрических / нанометровых лент »).«Мы также изучаем другие методы изготовления устройств». Ху и Ли сказали. «Просто используя механический зонд для царапания полимерного слоя на подложке Si для создания зазора в качестве воздушного диэлектрика, используя монокристаллическую ленту в качестве полупроводникового слоя и штампуя тонкие слои Au для формирования электродов, воздушно-диэлектрические устройства могут быть сфабрикованным ». Результаты, достигнутые их группой, продемонстрировали отличную стабильность фото / воздуха и хорошие характеристики монокристаллических устройств F 16 CuPc (опубликовано отдельно 28 февраля 2008 г., онлайн-издание Applied Physics Letters , «Диэлектрические органические соединения в воздухе / вакууме. Кристаллические транзисторы медно-гексадекафторфталоцианиновых лент »).Другим захватывающим результатом были амбиполярные монокристаллические устройства с высокой подвижностью и хорошо сбалансированной инжекцией носителей, реализованные с помощью этого метода (опубликовано отдельно 1 апреля 2008 г., онлайн-издание Advanced Materials , «High-Performance Air-Stable Bipolar Field- Эффектные транзисторы из органических монокристаллических лент с воздушным зазором диэлектрика »). «С другой стороны, практическое применение требует контролируемого роста этих маленьких кристаллов, что также является очень сложной задачей.Ху и Ли рассказали Nanospotlight: «Мы разработали процесс роста паров, индуцированный зародышем, чтобы получить in situ структуру органических нанолент». Сравниваемые результаты доказали, что чистая среда физической транспортной системы и высокая температура подложки исключают возможность загрязнения интерфейса, а наноленты in situ с рисунком образуют идеальный интерфейс с диэлектриком (опубликовано отдельно 14 ноября 2006 г., онлайн издание Advanced Materials , «Построение структуры органических монокристаллических нанолент на поверхности SiO 2 для изготовления различных архитектур и высококачественных транзисторов»).«В качестве альтернативы мы также исследовали выращивание мелких органических кристаллов методом химического раствора. Кристаллы с точным контролируемым размером были получены путем тщательной корректировки экспериментальных параметров (опубликовано отдельно 29 февраля 2008 г., онлайн-издание Журнал Американского химического общества , «Монокристаллические нанопроволоки с контролируемым размером и ориентацией и сверхдлинные микропровода из органических материалов. Полупроводник с сильным свойством фотопереключения »). Ху и Ли сказали: «Сейчас мы работаем над интеграцией этих высокопроизводительных устройств в микрокристаллические схемы на микро / нанометровом уровне.Результаты экспериментов показали, что сложные схемы могут быть построены из этих микро / нанокристаллов ».
Помимо кремния: транзисторы без полупроводников
Марсия Гудрич
Опубликовано
Электроны мигают через серию золотых квантовых точек на нанотрубках нитрида бора.Мичиган Ученые-технологи создали устройство квантового туннелирования, которое действует как транзистор на комнатная температура, без использования полупроводниковых материалов. Yoke Khin Yap графикаНа протяжении десятилетий электронные устройства становились все меньше, меньше и меньше. Теперь возможно — даже обычное дело — разместить миллионы транзисторов на одном кремнии. чип.
Но транзисторы на основе полупроводников могут быть только такими маленькими. «По текущему курсу технологии развиваются, через 10 или 20 лет они не смогут стать меньше », сказал физик Йок Кхин Яп из Мичиганского технологического университета. «Кроме того, полупроводники есть еще один недостаток: они тратят много энергии в виде тепла ».
Ученые экспериментировали с различными материалами и конструкциями транзисторов. для решения этих проблем всегда используются полупроводники, такие как кремний.Еще в 2007 году Яп хотел попробовать что-то другое, что могло бы открыть дверь в новую эру электроники.
«Идея заключалась в том, чтобы сделать транзистор с использованием наноразмерного изолятора из наноразмерных металлов. сверху », — сказал он. «В принципе, можно было взять кусок пластика и намазать горсть металлических порошков сверху, чтобы сделать устройства, если вы все сделаете правильно. Но мы пытались чтобы создать его в наномасштабе, мы выбрали изолятор наноразмеров, нанотрубки из нитрида бора, или BNNT для подложки.”
КомандаЯпа придумала, как делать виртуальные ковры из BNNT, которые являются изоляторами и, следовательно, обладают высокой устойчивостью к электрическому разряду. С использованием лазеры, команда затем разместила квантовые точки (КТ) золота размером всего три нанометра. поперек на вершинах BNNT, образуя QD-BNNT. БННТ — идеальные подложки для этих квантовых точек из-за их малых, контролируемых и однородных диаметров, как а также их изолирующий характер.BNNT ограничивают размер точек, которые могут быть нанесены.
В сотрудничестве с учеными из Окриджской национальной лаборатории (ORNL) они запустили электроды на обоих концах КТ-БННТ при комнатной температуре, и кое-что интересное произошло. Электроны очень точно прыгали от золотой точки к золотой — феномен известное как квантовое туннелирование.
«Представьте, что нанотрубки — это река с электродом на каждом берегу.А теперь представьте несколько крошечных ступенек через реку, — сказал Яп. «Электроны прыгали между золотыми ступеньками. Камни такие маленькие, что можно получить только один электрон на камне по очереди. Все электроны проходят одинаково, поэтому устройство всегда стабильный.»
КомандаЯпа создала транзистор без полупроводника.При достаточном напряжении был применен, он перешел в проводящее состояние. Когда напряжение было низким или повернулось выключен, он вернулся в свое естественное состояние как изолятор.
Кроме того, не было «утечки»: электроны из золотых точек не уходили в изоляционные BNNT, таким образом сохраняя туннельный канал прохладным. Напротив, кремний подвержен утечке, которая тратит энергию в электронных устройствах и генерирует много тепла.
Другие люди создали транзисторы, использующие квантовое туннелирование, сообщает Michigan Tech. физик Джон Ящак, который разработал теоретическую основу для экспериментального исследования Япа. исследовать. Однако эти туннельные устройства работали только в условиях, которые отговорить обычного пользователя мобильного телефона.
«Они работают только при температурах жидкого гелия», — сказал Ящак.
Секрет устройства Япа на основе золота и нанотрубок заключается в его субмикроскопическом размере: один микрон. длиной и шириной около 20 нанометров. «Золотые острова должны быть порядка нанометров. поперек, чтобы контролировать электроны при комнатной температуре », — сказал Ящак. «Если они слишком большой, может течь слишком много электронов ». В этом случае чем меньше, тем лучше: «Работает. с нанотрубками и квантовыми точками позволяет достичь желаемых размеров электронных устройств.”
«Теоретически эти туннельные каналы могут быть уменьшены практически до нулевого размера. когда расстояние между электродами уменьшается до небольшой доли микрона, » сказал Яп.
Яп подал заявку на получение полного международного патента на эту технологию.
Их работа описана в статье «Туннельное поведение при комнатной температуре нанотрубок нитрида бора, функционализированных с помощью Золотые квантовые точки », опубликованной 17 июня в журнале Advanced Materials.Помимо Япа и Ящака, Среди соавторов — ученый-исследователь Дунъян Чжан, постдокторанты Чи Хуэй Ли и Цзишенг Ван и аспиранты Мадхусудан А. Савайкар, Бойи Хао, и Дуглас Баньяи из Мичиганского технологического института; Шэнъён Цинь, Кендал В. Кларк и Ан-Пин Ли Центра науки о нанофазных материалах ORNL; и Хуан-Карлос Идробо из Отделение материаловедения и технологий ORNL.
Работа финансировалась Управлением фундаментальных энергетических наук Министерства энергетики США. Energy (Награда № DE-FG02-06ER46294, PI: Y.K.Yap) и частично проводилась в ORNL (Проекты CNMS2009-213 и CNMS2012-083, PI: Y.K.Yap).
Мичиганский технологический университет — государственный исследовательский университет, в котором проживает более 7000 студентов из 54 стран.Основанный в 1885 году, университет предлагает более 120 программ бакалавриата и магистратуры в области науки и технологий, инженерии, лесное хозяйство, бизнес и экономика, медицинские специальности, гуманитарные науки, математика и социальные науки.
