Подборка справочных данных на отечественные биполярные транзисторы малой, средней и большой мощности. В основном производства советского союза Полупроводниковые приборы малой мощности имеют допустимую мощность рассеяния в коллекторном переходе до 0,3 Вт . (Под мощностью в данной классификации подразумевается мощность, выделяемая на коллекторном переходе полупроводника) Отвод тепла от коллекторного перехода к корпусу у них происходит вдоль тонкой пластины базы, имеющей малую теплопроводность. Рассчитываются для работы без специальных теплоотводящих устройств (радиаторов).Все внешние выводы расположены по диаметру донышка и в обычно средний вывод является базовым, а эмиттерный расположен чкть ближе к базовому, чем коллекторный. К этим полупроводникам относят приборы с рассеиваемой мощностью в интервале от 0,3 до 1,5 Вт Для транзисторов большой мощности рассеиваемая мощность превышает 1,5 Вт.
Корпус — это основная и самая габаритная часть конструкции абсолютно любого транзистора, выполняющая защитную функцию от внешних воздействий и используемая также для соединения с внешними схемами с помощью металлических выводов. Типы корпусов зарубежных транзисторов стандартизованы для простоты процесса изготовления и применения изделий в радиолюбительской практике. Число типовых транзисторов в настоящее время исчисляется сотнями. Каждый полупроводниковый прибор, в том числе и транзистор, имеет свое уникальное обозначение, по которой можно его идентифицировать из кучи других радиокомпонентов и деталей. Основным элементом двухпереходного биполярного транзистора является монокристалл полупроводника типа п или р, в котором с помощью примесей созданы три области с электронной и дырочной электропроводимостью, разделенные двумя p-n переходами (смотри рисунок в верхней части страницы). Средняя область 1 кристалла полупроводника с n-проводимостью называется базой. Одна крайняя область 2 с р-проводимостью, инжектирующая (эмиттирующая) неосновные носители заряда, называется эмиттером, а другая 3, осуществляющая экстракцию (выведение) носителей заряда из базы, — коллектором. База отделена от эмиттера и коллектора эмиттерным 4 и коллекторным 5 р-п-переходами. От базы 1, эмиттера 2 и коллектора 3 сделаны металлические выводы (Б, Э, К), которые проходят через изоляторы в дне корпуса. Транзисторы изготовляют в герметичных металлостеклянных, металлокерамических или пластмассовых корпусах, а также без корпусов. Бескорпусные транзисторы защищены от влияния внешней среды слоем лака, смолы, легкоплавкого стекла и герметизируются совместно с устройством, в котором они предварительно монтируются. В рабочем режиме к электродам транзисторов подключают постоянные напряжения внешних источников энергии. Помимо постоянных напряжений, к электродам подводят сигналы, подлежащие преобразованию. В связи с этим различают входную цепь, в которую подводят сигнал, и выходную, в которой с нагрузки снимают сигнал. В зависимости от того, какой из электродов при включении транзистора является общим для входной и выходной цепей, различают схемы с общей базой ОБ, общим эмиттером ОЭ и общим коллектором ОК.
В схеме с ОБ входной цепью является цепь эмиттера, а выходной — цепь коллектора. Физические процессы, протекающие в транзисторах со структурой р-п-р и п-р-п, одинаковы. В транзисторах п-р-п в отличие от транзисторов р-п-р подается напряжение обратной полярности и токи имеют противоположное направление. В зависимости от полярности напряжений, приложенных к эмиттерному и коллекторному переходам, различают активный, отсечки, насыщения и инверсный режимы включения транзистора. Активный режим используется при усилении слабых сигналов. В этом режиме на эмиттерный переход подается прямое, а на коллекторный- обратное напряжение. В активном режиме эмиттер инжектирует в область базы неосновные для нее носители, а коллектор производит экстракцию (выведение) неосновных носителей из базовой области. В режиме отсечки к обоим переходам подводятся обратные напряжения, при которых ток через транзистор ничтожно мал. В режимах отсечки и насыщения обычно используется транзистор в схемах электронных переключателей. В инверсном режиме меняют функции эмиттера и коллектора, подключив к коллекторному переходу прямое, а к эмиттерному—обратное напряжение. Однако из-за несимметрии структуры и различия концентрации носителей в областях коллектора и эмиттера инверсное включение транзистора неравноценно его нормальному включению в активном режиме. |
Влияние планет на человека настолько велико, что лю…
д. Даны сведения по электрическим измерениям, электротехническим материалам, режимам нейтрали, нормам качества электроэнергии, осветительным устройствам. Для инженеров, техников и м…
И — Справочник школьника. Математика 5-11 классы
В конце теста выдаёт «диагноз». 
0 Файлы необходимые для сервера(папка botmaster.ru) 
Также программа понимает cубтитры на DVD дисках и способна записывать звук, видео или картинки из любой части проигрываем…
Если средняя область имеет электронную проводимость типа п, а две крайние дырочную типа р, то такой транзистор имеет структуру р-п-р в отличие от транзисторов п-р-п, имеющих среднюю область с дырочной, а крайние
области с электронной проводимостями.
настоящее время большинство транзисторов, в том числе транзисторы интегральных схем, выполняют на основе кремния с плоскостным типом перехода. Применение точечных переходов из-за нестабильности работы ограничено. Базовая область транзисторов выполняется с очень малой толщиной (от 1 до 25 мкм). Различна степень легирования областей. Концентрация примесей в эмиттере на несколько порядков выше, чем в базе. Степень легирования базы и коллектора зависит от типа транзистора.
В схеме с ОЭ входной является цепь базы, а выходной- цепь коллектора. В схеме с ОК входной является цепь базы, а выходной — цепь эмиттера.
В режиме насыщения оба перехода транзистора находятся под прямым напряжением; в обоих переходах происходит инжекция носителей; транзистор превращается в двойной диод; ток в выходной цепи максимален при выбранном значении нагрузки и не управляется током входной цепи; транзистор полностью открыт.
xls Фирмы производители: ALLIANCE — размер файла 16 МБ. AMD — размер файла 15 МБ. ATMEL — размер файла 30 МБ. CATALYST — размер файла 2, 8 МБ. CROSSLINK — размер файла 5, 3 МБ. CYPRESS — размер файла 44 МБ.
Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах и маркировке. В приложении даются зарубежные аналоги полупроводниковых диодов, помещенных в справочнике, и названия фирм-изготовителей.
В большинстве существующих справочников приводится информация по отдельным типам радиокомпонентов (транзисторы, диоды и т. д.). Однако ее недостаточно, и необходимым дополнением к таким книгам служит данное справочное пособие. Представляемая читателю книга по маркировке электронных компонентов содержит в отличие от издававшихся ранее подобных изданий, больший объем информации.
Содержит информацию по более чем 600 наиме нований микросхем. Для специалистов по ремонту импортной бытовой радиоап паратуры, а также широкого круга радиолюбителей. Год выпуска: 1992 Автор: Пирогов Е.В. Жанр: Справочник Издательство: М.: БИАР Формат: DjVu Размер: 1, 4 МБ Качество: Отсканированные страницы Количество страниц: 48 Скачать книгу >>> Отечественные аналоги зарубежных микросхем для бытовои радиоаппара туры: Справочник Программа для чтения книги: DjVuReader СОДЕРЖАНИЕ Предисловие Фирменные знаки и сокращенные обозначен фирм изготовителей микросхем 1.
Микросхемы серии КР1533 по сравне нию с известными сериями логических ТТЛ микросхем обладают минималь ным значением произведения быстро действия на рассеиваемую мощность.Справочные данные по радиоэлементам. Радиодетали и электронные компоненты
Приветствую вас дорогие друзья, меня зовут Владимир Васильев и сегодня я приготовил для вас кое-что интересное. Каждый радиолюбитель в своей практике постоянно прибегает к помощи различных справочников: это справочники транзисторов, диодов резисторов и прочих деталюх.
Конечно в настоящее время в этом нам помогает интернет и поэтому коллекционирование большой библиотеки справочной литературы стало не так актуально.
Но все-таки бывают случаи когда интернета может не оказаться под рукой а в книжном справочнике не очень дружественный интерфейс, им тупо не удобно пользоваться. Особенно не удобно листать электронные книжки на компьютере.
В таких не редких случаях нам может помочь электронный справочник радиолюбителя. А о том, что представляет собой эта программа — справочник вы узнаете прочитав эту статью до конца.
Однако не забудьте подписаться на новые обновления так как информация на моем блоге постоянно обновляется и в дальнейшем без этого нехитрого приема будет сложно отследить за потоком моего сознания 🙂
Итак, для удобства я подготовил для вас содержание так что пользуйтесь на здоровье!
Помню, когда я еще учился, кажется это был второй курс мы с одногруппниками частенько делились друг с другом разным софтом, обоями для рабочего стола и всем тем, что может интересовать простого студента.
Все это добро мы передавали друг другу на дискетах, нарезали на болванки (USB флешки тогда были не так распространены да и объем их был не велик). Но круче всего было когда друг приходил в гости со своим жестким диском — вот это было раздолье.
Вот как сейчас помню один из моих друзей-одногруппинков Виталя пришел со своим винтом и подкинул мне всякой всячины — разного софта, в том числе и радиолюбительского. Так что, Виталя, если ты читаешь эту статью то большой тебе привет и спасибо за софт!
Так вот среди этого радиолюбительского софта был и справочник радиолюбителя о котором я хочу вам, дорогие читатели подробненько так рассказать.
Справочник для радиолюбителя это прежде всего удобная программа, содержащая в себе справочные данные на большое количество полупроводниковых радиоэлементов. Среди всего многообразия можно найти информацию на такие радиодетали как:
- транзисторы (биполярные, полевые)
- диоды
- оптоэлектронные приборы (оптопары, излучающие ИК диоды различные индикаторы)
- тиристоры (импульсные, запираемые, оптронные и т.
д.) - аналоговые микросхемы (операционные усилители, компараторы и т.д.)
- цифровые микросхемы
д.)Другими словами справочник радиолюбителя — это электронный справочник включающий в себя: справочник по транзисторам, справочник по диодам, по тиристорам, микросхемам и многим другим радиодеталям.
Где скачать и как установить?
И хотя этот справочник долгое время был у меня на компе, тем не менее я нашел его на одном из торрент -трекеров. И теперь этот справочник радиодеталей скачать можно по торрент-ссылке , специально для вас приготовил. Надеюсь большинство моих читателей знают как пользоваться программой mtorrent, так что проблем возникнуть не должно.
Когда скачаете то у вас на руках будет два файлика.
Это файлы-образы диска, причем открыть их просто так не получится. Для начала нужно установить этот образ на виртуальный привод. Другими словами вам нужно воспользоваться программами — виртуальщиками это такие как: DAEMON Tools, Alcohol, Nero или UltraISO.
Эти программы сами создают виртуальный привод и создают иллюзию того что у вас появился еще один CD-ROM.
У меня с этой задачей справляется тотал командер (специальная хакерская сборка), одна из этих программ встроена прямо в него. В результате у меня на компе создался виртуальный привод с буковкой H (О боже. чудеса какие-то, откуда он у меня взялся? 🙂) и мы можем наблюдать содержимое.
Что из себя представляет
Давайте теперь разберемся что это за программа такая и что из себя представляет. Поэтому кликаем по главному exe-шнику, по файлу menu.exe и смотрим что там внутри.
Сразу видим окно разбитое на несколько пунктов, эти пункты представляют собой разделы справочника
Разделы программы — справочника радиокомпонентов
Нажав на раздел Полупроводники №1 у нас откроется вот такое окно.
И невооруженным взглядом становится понятно что здесь и зачем. Перед нами предстают несколько вкладок: биполярные транзисторы, полевые транзисторы, диоды, оптоэлектроника и тиристоры.
Вкладка биполярные транзисторы дает свободу выбора по интересующим нас параметрам. В нашем распоряжении такие характеристики как мощность, тип проводимости, частота. Ну и можно выбрать какой транзистор мы ищем обычный, составной или еще какой.
Теперь нажимаем кнопку «вывод» и наблюдаем все многообразие которое вывалилось на вас в одночасье.
«И Че это и как в этом разобраться?»- сразу в лоб спросит какой-нибудь Вася, Петя, Коля. Действительно выборка получается очень большая. Это я для статьи немного подрезал скриншот а так картинка получилась внушительной. Таблица вывела нам все транзисторы, содержащиеся в базе, которые удовлетворяют выбранным нами критериям.
Нас это не устраивает, ведь нам нужен какой-нибудь один конкретный транзистор для наших вполне конкретных целей. Так что не печалимся ведь весь результат этой таблицы легко корректировать и фильтровать используя «поиск». Этот поиск находится над таблицей, там где расположен перечень вкладок, поэтому незамедлительно делаем безудержный клик.
И здесь мы можем продолжить поиск искомого транзистора. В нашем распоряжении поиск по названию транзистора, по его зарубежным аналогам. Также мы можем отсортировать таблицу по техническим характеристикам. Так выбрав нужный элемент, допустим 2Т117А, перемещаемся во вкладку «таблица». В результате таблица будет забита только транзисторами с названием 2Т117А. Среди них будет и искомый 2Т117А и 2Т117Б и 2Т117В и т.д.
А теперь делаем финт ушами и кликаем на вкладку «габариты» и О-о-о-п-ля.
Перед нами появилась информация о габаритах транзистора, по-моему теперь мы обладаем исчерпывающей информацией о транзисторе 2Т117А, у нас есть его габариты и есть его технические характеристики. Все, осталось приобрести сам транзистор и впаять его куда надо.
Но это еще не все.
Бывают случаи когда требуется ювелирная сортировка по какому-то диапазону параметров. И для этого случая в программе припасена такая функция как подбор по параметрам.
Точным кликом по вкладке возвращаемся в окно поиска и там под окном выбора по названию элемента есть незаметная кнопка «подбор по параметрам».
Эта кнопка скрывает окно подбора транзисторов по параметрам. Здесь можно производить поиск по группе интересующих параметров. Также можно очень четко регулировать диапазон поиска по конкретным параметрам. Не плохо да?
Мы рассмотрели принцип работы со справочником радиокомпонентов на примере транзисторов. О том как работать с другими типами полупроводников можно также легко разобраться применив метод научного тыка.
Полупроводники №2
Честно сказать я не совсем понял чем этот раздел полупроводников отличается от рассмотренного нами ранее. Потому, что нажав на пункт «полупроводники №2» у нас откроется окно почти такое же что мы видели ранее, там где мы могли видеть вкладки выбора транзисторов, диодов или тиристоров.
Конечно может быть там зашита немного другая база комплектующих, не знаю, не разбирался. Одно знаю точно что там поиск осуществляется немного иначе. При нажатии вкладки «поиск» у вас откроется окошко.
Вот на мой взгляд и все отличия, поэтому какой раздел полупроводников использовать выбирайте для себя сами, я остановился на первом варианте.
Аналоговые микросхемы
Оставляем полупроводники за бортом и начнем наш разбор раздела аналоговых микросхем. И перед нами откроется знакомое окно, вот только информация здесь приводится уже для микросхем. В заголовке окна написано «Аналоговые микросхемы для аудиоаппаратуры» это естественно, ведь аналоговые микросхемы к примеру операционные усилители, применяются в аудиотехнике.
Ладно, это все лирика а нам нужно разобраться с тем как искать аналоговые микросхемы в этом электронном справочнике.
Короче, выбираем, то ради чего мы открыли это окошко. Пусть наш выбор падет на операционные усилители общего применения, поэтому ставим галочку в нужном месте и нажимаем клавишу «Выбор».
И как в случае с транзисторами таблица выдала нам бесчисленное количество микросхем. Но здесь этот результат также поддается корректировке.
Нажав на вкладку поиск здесь также можно ввести интересующую нас информацию. Здесь все точ в точ как в случае с транзисторами, поэтому на этом останавливаться не будем.
Отдельно хочется поведать про вкладки «габариты» и «схема включения». Схема включения спецом добавлена для аналоговых микросхем для пущей информативности.
Допустим наш выбор пал на микросхему операционного усилителя К153УД501 и тут же мы можем оценить ее габариты и посмотреть как ее включать в схему, какая схема обвязки ей соответствует.
Микросхемы для теле-видео аппаратуры
Теперь уделим внимание микросхемам применяемым для теле-видео аппаратуры.
Для этих микросхем также есть свое окно выбора, а выбрать здесь есть из чего. Окно разбито на микросхемы для телевизионной аппаратуры и на микросхемы применяемые в видеомагнитофонах.
Например микросхемы для телевизионной аппаратуры разбиты по системам, к которым они относятся или где они должны стоять в аппаратуре:
- в канале цветности
- видеоусилители
- в цепях коммутации
- в блоках дистанционного управления
- в системах спутникового телевидения
- в системах телетекста
- в радиоканале
- в узлах развертки и цепях синхронизации
- в системах питания
- цифровые микросхемы
- для тюнеров
Как-то так, выбираем то что нужно и жмем знакомую кнопочку «Вывод».
Я выбрал пункт «в канале цветности» и получил знакомую таблицу, только уже заполненную микросхемами для телевизионной аппаратуры.
Таблица для нас знакома, но здесь появились вкладки которые мне показались интересными. Среди них есть знакомая вкладка «Габариты», кроме нее есть еще вкладки «Структурная схема» и «Доп. информация».
И вот к примеру какая есть информация для выбранной микросхемы видеомодулятора µPC1366C:
Мы можем посмотреть ее структурную схему и не гадать как же она внутри устроена. Далее можем оценить ее габариты и увидеть дополнительную информацию о микросхеме.
Хм, интересно получается, хотели получить габариты а самих габаритных размеров почему-то нет. Наверное потому, что буржуйская микросхема но все равно как-то не продумано.
Для микросхем видеомагнитофонов все аналогично, вот только интересно видеомагнитофоны сейчас применяются? А впрочем микросхемы всегда можно найти где применить.
Цифровые микросхемы №1
Вот речь дошла и до цифровых микросхем, коих у нас как полупроводников аш два раздела, но сейчас остановимся пока только на одном.
Так так посмотрим, чтоже из себя представляет окошко.
Окошко открывается и сразу видно как осуществляется выбор. Выбирать можно либо по серии — эта вкладка включена по умолчанию, либо по функциональному назначению. Об этом нам поведает окно если мы выберем соответствующую вкладку.
И не важно какой способ выбора вы выберете результат будет такой же что мы видели ранее — откроется таблица. Но скорректировать поиск мы всегда сможем воспользовавшись вкладкой поиска. Всю важную для нас техническую информацию о параметрах мы возьмем в таблице, а чтобы посмотреть схему или габариты то кликнем нужную вкладку- усе просто.
И к примеру для микросхемы КС531ЛИ1 характеристики будут следующие:
Габаритные размеры и схема:
Цифровые микросхемы №2
Посмотрел я этот раздел, потыкал в разные вкладки — все устроено точно также. Конечно выбор цифровых микросхем в разделе №1 от раздела №2 может отличаться поэтому поступаем следующим образом. Если в одном разделе вы не нашли какую-либо микросхему то не отчаиваемся и смиренно топаем во второй раздел.
Ведь когда есть выбор это всегда есть гуд.
Я если честно хотел еще рассказать о том как пользоваться этим электронным справочником на практике, только вот теперь это будет лишняя информация. Все что хотел все рассказал в примерах.
Плюсы и минусы
Из своего опыта применения этой программы скажу, что плюсов у нее сполна.
не требует установки — ей можно пользоваться сразу после открытия на виртуальном приводе и не париться различными установками;
мобильная — так как она не требует установки то ее можно скопировать на флешку и таскать с собой куда угодно хоть на пары, хоть на работу. Весит она порядка 600 Мб, но что это за объем памяти для современных флешек?;
удобство использования — этот пункт я думаю вы оценили когда мы разбирали интерфейс программы -справочника;
и я думаю каждый из вас найдет в ней что- то свое.
Как ни печально, но минусы у этой программы также присутствуют:
нет поддержки производителем — как ни пытался я найти сайт производителей этой программы, все мои попытки оказались тщетными, видимо этот продукт больше не развивается;
есть ошибки — этот минус надолго останется в моей памяти.
При написании дипломного проекта я постоянно пользовался этой программой но при сборке макета устройства что-то все не очень хорошо складывалось.
Оказалось, что распиновка выводов применяемого мной операционного усилителя в этом справочнике не соответствовала действительности. Пришлось достаточно повозиться прежде чем удалось найти истину. С другой стороны ошибки могут встречаться и в любом другом справочнике, так что наиболее правдивой информацией я считаю может обладать лишь официальная документация на радиокомпонент. В любом случае друзья будьте внимательны!
Чтож, вроде все что хотел рассказать о электронном справочнике радиолюбителя я рассказал. Так что ребята и девчата если остались какие вопросы то обязательно задавайте их в комментариях.
Ну чтож друзься а на этом у меня на сегодня все. Поэтому прямо сейчас нажмите на ссылочку подписаться , тогда вы всегда будете в курсе о новых статьях.
А на этом у меня действительно все, за окном уже стемнело, да и спать уже хочется.
Желаю вам друзья успехов в делах и прекрасного солнечного настроения!
С н/п Владимир Васильев
Справочник по радиодеталям — это удобная программа-помощник радиоконструкторам и всем кто умеет держать паяльник. Как следует из названия, справочник по радиодеталям — это база данных радиоэлементов с подробными описаниями их параметров. В программе представлены следующие радиоэлементы:
- биполярные транзисторы;
- полевые транзисторы;
- диоды;
- светоизлучающие и инфракрасные диоды;
- стабилитроны;
- варикапы;
- тиристоры.
В справочнике по радиодеталям реализован удобный поиск по базе данных с возможностью подбора деталей по 30 параметрам. Можно указывать как точные значения, так и диапазон от и до, или разброс параметров в процентном соотношении (например от 1% до 10%).
База данных радиодеталей представляет собой таблицу с приборами (радиодеталями) и параметрами этих приборов. Есть возможность редактирования этой базы, добавления новых элементов и изменение уже существующих.
Во вкладке «Габариты» для многих деталей предоставлено схематичное изображение с указанием размеров корпуса, ножек и другой информации, например расположение базы, коллектора, эмиттера для транзисторов или анода и катода для диодов и так далее.
Интерфейс программы достаточно простой и состоит меню, панели инструментов и четырёх вкладок «Таблица 1», «Таблица 2», «Габариты» и «Поиск». В Таблице 1 отображаются все параметры, такие как максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора (IK max, mA), постоянное напряжение коллектор-эмиттер при определённом сопротивлении в цепи база-эмиттер (UКЭR, mA), максимальное значение среднего выпрямленного диодом тока (IВЫПР.СР.МАКС), падение напряжения на диоде при его прямом включении (UПР) и другие параметры, которых более 30. В Таблице 2 можно настраивать отображение только необходимых параметров. В Габаритах отображаются схематичные изображения деталей, а в Поиске — поиск и побор деталей по параметрам.
В программе есть подробная справка как по работе с программой, так и по теоретическим сведениям.
Для радиолюбителей, скачать справочник радиодеталей по транзисторам, микросхемам, SMD компонентам отечественного и импортного производства.
Справочник «микросхемы современных телевизоров». В этом справочном пособии собраны данные о наиболее распространенных интегральных микросхемах, которые применяются в современной телевизионной технике. В книге представлена справочная информация о более чем 100 микросхемах таких известных фирм-производителей, как SAMSUNG, SANYO, SONY, SIEMENS, MATSUSHITA, PHILIPS, SGS-THOMSON и других.
Формат книги DjView. Размер архива – 3,29Mb. СКАЧАТЬ
Справочник «микросхемы для современных мониторов». Данная книга является справочным пособием по микросхемам для современных LCD и CRT мониторов. В ней приведена исчерпывающая информация о 150 микросхемах ведущих производителей полупроводниковых компонентов для мониторов.
Формат книги DjView. Размер архива – 5,77Mb. СКАЧАТЬ
Справочник «отечественные транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры».
В этом справочнике представлена полная информация о номенклатуре, изготовителях, параметрах, корпусах и аналогах 5000 наименований транзисторов!
Формат книги DjView. Размер архива – 16,4Mb СКАЧАТЬ
Сборник их 3х справочников по импортным микросхемам, транзисторам, диодам, тиристорам и SMD компонентам. Книга 1 из 3х . В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с буквенным индексом от A до R . Приводятся характеристики, цоколевка, аналоги и производители компонентов.
Размер файла – 198Mb. Формат книги DjView. Скачать с Deposit Files
Справочник по импортным микросхемам, тиристорам, диодам, транзисторам и SMD компонентам. Книга 2 из 3х . В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с буквенным индексом от R до Z .
Размер файла – 319Mb. Формат книги DjView. Скачать с Deposit Files
Справочник по импортным микросхемам, тиристорам, диодам, транзисторам и SMD компонентам.
Книга 3 из 3х . В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с цифровым индексом от 0 до 9 .
Размер файла – 180Mb. Формат книги DjView. СКАЧАТЬ
Справочник по активным SMD компонентам. Приводятся SMD коды для 33 тысяч транзисторов, тиристоров, микросхем и диодов, типовые схемы включения SMD микросхем, маркировка, характеристики, замена.
Размер архива — 16Mb. Формат книги DjView. СКАЧАТЬ
Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 1. В первом томе справочника приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов – полевых и биполярных транзисторов малой мощности. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы.
В приложении даются зарубежные аналоги транзисторов, помещенных в справочнике.
Формат книги DjView. Размер архива – 6,19Mb СКАЧАТЬ
Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 2. Во втором томе справочника приводится информация по низкочастотным биполярным транзисторам средней и большой мощности с указанием их зарубежных аналогов.
Формат книги DjView. Размер архива – 5,62Mb. СКАЧАТЬ
Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 3. В третьем томе приводится справочная информация по полевым и высокочастотным биполярным транзисторам средней и большой мощности с указанием их зарубежных аналогов.
Формат книги DjView. Размер архива – 6,28Mb . СКАЧАТЬ
Справочник «маркировка радиодеталей» том 1. В книге приведены данные по буквенной, цветовой и кодовой маркировке компонентов, по кодовой маркировке зарубежных полупроводниковых приборов для поверхностного монтажа (SMD). Приведены рекомендации по использованию и проверке исправности электронных компонентов.
Формат книги DjView. Размер архива – 8Mb СКАЧАТЬ
Справочник «маркировка радиодеталей» том 2. В этой книге читатель найдет много полезной информации по маркировке микросхем, некоторых типов полупроводниковых приборов, установочных и коммутационных изделий и много другой полезной информации.
Формат книги DjView. Размер архива – 3,95Mb СКАЧАТЬ
Справочник «маркировка радиодеталей». В книге описана система маркировки отечественных и зарубежных: резисторов, конденсаторов, индуктивностей, кварцевых резонаторов, пьезоэлектрических и ПАВ-фильтров, полупроводниковых приборов, SMD-компонентов, микросхем. Описаны особенности тестирования электронных компонентов.
Формат книги DjView. Размер архива – 3,60Mb СКАЧАТЬ
Справочник по микросхемам для импортных телевизоров. В книге на Русском языке приводятся структурные схемы и назначение выводов более трехсот микросхем, применяемых в европейских и восточно-азиатских цветных телевизорах.
Описание каждого прибора сопровождается функциональными диаграммами и характеристиками.
Формат книги DjWiev. Размер архива – 16Mb СКАЧАТЬ
Справочник по микросхемам для аудио и радиоаппаратуры: генераторы, ключи и переключатели, УНЧ, малошумящие и предварительные усилители, операционные усилители, регуляторы громкости и тембра, схемы управления индикаторами. В книге представлены основные особенности, цоколевки, структурные схемы и типовые схемы применения свыше 300 типов микросхем для аудиотехники.
Формат книги DjWiev. Размер архива – 10,7Mb СКАЧАТЬ
Справочник по интегральным микросхемам для промышленной электронной аппаратуры. В книге приведены условные обозначения, электрические параметры, структурные схемы, функциональное назначение (цоколевка) и конструкции корпусов широко распространенных зарубежных аналоговых и цифровых микросхем.
Формат книги DjWiev. Размер архива – 2,68Mb СКАЧАТЬ
Лучший в Европе справочник по УНЧ .
В нем обобщены и систематизированы сведения о большинстве ИМС УНЧ в интегральном исполнении, выпускаемых мировыми производителями. Приведены наиболее важные характеристики микросхем, типы корпусов, цоколевка, внешний вид, аналоги, производители, функциональное назначение
.
Формат книги DjWiev. Размер архива – 19,9Mb СКАЧАТЬ
Справочник по интегральным микросхемам для телевидения. В книге дан обзор интегральных микросхем, применяемых в современных телевизионных приемниках, видео- и аудиотехнике. Приведены основные параметры и характеристики микросхем, блок-схемы внутренней структуры и типовые схемы их включения.
Формат книги DjWiev. Размер архива – 2,30Mb СКАЧАТЬ
Поиск материала «Полупроводниковые приборы — Транзисторы — Справочник
Ниже показаны результаты поиска поисковой системы Яндекс. В результатах могут быть показаны как эта книга, так и похожие на нее по названию или автору.
Search results:
- Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник.
Горюнов Н Н Полупроводниковые приборы транзисторы Справочник Под общей редакцией Читать онлайн и скачать Pdf word бесплатно на русском официальное издание.
Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 26 марта 2020 г. в 11:33. 3250. Поделиться. Пожаловаться. Полупроводниковые приборы: транзисторы.
www.Elec.ru
- Транзисторы. Справочник под ред. Горюнова Н.Н. 1985г.
Хороший справочник, а главное с графиками. Добавлять комментарии могут только зарегистрированные, активировавшие регистрацию и не ограниченные в доступе участники сайта! Файл загружен: 03 Июл 2007 23:36, посл. исправление: 05 Июл 2007 16:42.
www.radioscanner.ru
-
Купить эту книгу
- Канцтовары
Канцтовары: бумага, ручки, карандаши, тетради.
Ранцы, рюкзаки, сумки.
И многое другое.
my-shop.ru
- Издания: * Горюнов Н.Н… Справочник по полупроводниковым…
Ⓐ ⒸГорюнов Н.Н… Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. [Djv-14.5M] Справочник. Издание 4-е, переработанное и дополненное. Авторы: Николай Николаевич Горюнов, Аркадий Юрьевич Клейман, Николай Никитович
Аннотация издательства: В справочнике приводятся электрические параметры, предельные эксплуатационные данные и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых полупроводниковых диодов, транзисторов, тиристоров и интегральных схем широкого…
publ.lib.ru
- Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник.
Скачать бесплатно, читать онлайн: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник.
Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова.
www.Elec.ru
- Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Справочник
Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Справочник. Горюнов Н. Н. Скачать книгу бесплатно (djvu, 3.23 Mb) | Читать «Полупроводниковые приборы. Транзисторы.
bookscat.org
- Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам…
Изд. 4-е, перераб. и доп.personal/private info removed dd0002.jpg, dd0021.jpg…
archive.org
- Н.Н. Горюнова — Справочник — Полупроводниковые приборы.
Транзисторы, который располагается в категории «» в предмете «схемотехника» израздела «».Н.Н. Горюнова — Справочник — Полупроводниковые приборы.
Транзисторы — СтудИзба2021-09-012021-09-01kosmosСтудИзба.Зачем заказывать выполнение своего задания, если оно уже было выполнено много много раз? Его можно просто купить или даже скачать бесплатно на СтудИзбе.
studizba.com
- Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник
Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник. [ Скачать с сервера (9.78 Mb) ] Тип материала: книга. Год издания: 1982 Автор: Н. Н. Горюнов Издательство: Энергоиздат Формат файла: DjVu Качество: скан. 20.06.2010, 22:13.
Справочные сведения о полупроводниковых приборах составлены на основе данных, зафиксированных в государственных стандартах и технических условиях на отдельные типы приборов. Справочник содержит сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах…
frela14.ru
- Издания: * Горюнов Н.Н. .. Справочник по полупроводниковым…
Ⓐ ⒸГорюнов Н.Н… Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам.
Издание 4-е, переработанное и дополненное. Авторы: Николай Николаевич Горюнов, Аркадий Юрьевич Клейман, Николай Никитович Комков, Янина Алексеевна Толкачева, Николай Федорович Терехин. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. Переплет художника А.А. Иванова.
www.publ.lib.ru
- Полупроводниковые приборы. Диоды, транзисторы…
Диоды, транзисторы, оптоэлектронные приборы. Справочник. Баюков А.В., Гитцевич А.Б., Зайцев А.А. и др. Под общ.ред. Горюнова Н.Н. 1982г.
Скачать файл: diodi_tiristori_optoelektronnie_pribori.djvu (8594.9 Kb). Скриншоты, фото, картинки. Описание файла. Приведены электрические параметры, габаритные размеры, предельные эксплуатационные данные и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых полупроводниковых диодов, тиристоров, светодиодов и оптронов широкого применения.
www.radioscanner.ru
- Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Справочник
Название: Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Справочник Автор: Под общей редакцией Н.Н. Горюнова Издательство: Энергоиздат Год: 1982 Формат: djvu Страниц: 906 Размер: 10.5 Mb Язык: русский. Приведены электрические параметры, габаритные размеры, предельные эксплуатационные данные и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых транзисторов широкого применения. Для широкого круга специалистов по электронике, автоматике, радиотехнике, измерительной технике, занимающихся разработкой…
litgu.ru
- Полупроводниковые приборы: транзисторы | Горюнов…
Полупроводниковые приборы: транзисторы. Горюнов Н.Н. Весь справочник по п/п приборам. В помощь радиолюбителям и узникам радиоспециальностей.
Скриншоты. Скачать книгу бесплатно (djvu, 6.51 Mb) | Читать «Полупроводниковые приборы: транзисторы».bookscat.org
- Горюнов Н.Н. (ред.). Полупроводниковые приборы…
Справочник. — Москва: Энергоатомиздат, 1982. — 904 с. Приведены электрические параметры, габаритные размеры, предельные данные и другие характеристики транзисторов широкого применения. Для широкого круга специалистов по электронике, автоматике, радиотехнике, измерительной технике, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.
Транзисторы сдвоенные. Алфавитно-цифровой указатель транзисторов, помещенных в справочнике.
www.studmed.ru
- Скачать Горюнов Н.Н. Полупроводниковые приборы… — Eruditor
Горюнов Н.Н. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Файл формата djvu. размером 10,16 МБ.
Добавлен пользователем Алексей , дата добавления неизвестна.Справочник. — М.: Энергоиздат, 1982. — 904 с. Приведены электрические параметры, габаритные размеры, предельные эксплуатационные данные и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых транзисторов широкого применения.
eruditor.io
- Книга Полупроводниковые приборы. Транзисторы.
Читать онлайн книгу Полупроводниковые приборы.
«Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Справочник» — читать интересную книгу автора (Горюнов Н.Н. (ред)).
bookree.org
- Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Справочник
Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Справочник. Горюнов Н.Н. (ред). Скачать книгу бесплатно (djvu, 6.70 Mb) | Читать «Полупроводниковые приборы. Транзисторы.
bookscat.
org - Н.Н.Горюнов (ред.). Транзисторы. (Полупроводниковые…
Н.Н.Горюнов (ред.). Транзисторы. (Полупроводниковые приборы, Справочник). Скачать книгу бесплатно (djv, 9.79 Mb).
Только что пользователи скачали эти книги
bookscat.org
- Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник
Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник. Автор(ы): Горюнов Н. Н. 06.10.2007.
Приведены электрические параметры, габаритные размеры, предельные эксплуатационные данные и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых транзисторов широкого применения. Для широкого круга специалистов по электронике, автоматике, радиотехнике, измерительной технике, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.
www.nehudlit.ru
- Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Справочник
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ: транзисторы Справочник Под общей редакцией Н. Н. ГОРЮНОВА Издание второе, переработанное SCANNED AND DJVUED BY ROMAN EFIMOV ROMAN@FARLEP.
ОСНОВНЫЕ СТАНДАРТЫ НА БИПОЛЯРНЫЕ И ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ «ОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые Термины и определения ЗСТ 11 336 919-81 Приборы полупроводниковые Система обозначений ГОСТ 2 730-73 ЕСКД Обозначения условные графические в схемах Приборы полупроводниковые ~ОСТ 18472-82…
b-ok.global
- Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам…
В справочнике приводятся электрические параметры, предельные эксплуатационные данные и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых полупроводниковых диодов, транзисторов, тиристоров и интегральных схем широкого применения. Справочник предназначен для широкого круга специалистов по радиотехнике и электронике, занимающихся разработкой радиоэлектронной аппаратуры на полупроводниковых приборах.
litgu.ru
- Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Справочник
Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Справочник. Горюнов Н.Н. (ред). Download (djvu, 6.70 Mb) | Read «Полупроводниковые приборы.
2.39 Mb. Только что пользователи скачали эти книги
en.booksee.org
- Книга Полупроводниковые приборы. Транзисторы.
Читать онлайн книгу Полупроводниковые приборы.
«Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Справочник» — читать интересную книгу автора ( Горюнов Н. Н.)
bookree.org
- «Полупроводниковые приборы.» — Форумы www.proektant.org
Полупроводниковые приборы.Диоды,тиристоры,оптоэлектронные приборы.Справочник.Н.Н.Горюнов.djvu.
Содержание: Предисловие; Часть первая. Общие сведения о полупроводниковых диодах, тиристоры и оптоэлектронных приборах; Часть вторая.
Справочные данные полупроводниковых диодов; Часть третья.www.proektant.org
- Транзисторы
Электронная компонентная база (ЭКБ). Полупроводниковые приборы. Транзисторы.
Справочник продолжает новую серию «Элементная база», в которой представлены технические данные на современные полупроводниковые приборы и интегральные схемы ведущих производителей. Второй том содержит в себе справочные данные на биполярные транзисторы в SMD-исполнении, транзисторные сборки разных структур, транзисторные ключи для работы в цифровых схемах и их наборы.
www.studmed.ru
- Горюнов Н.Н. / Полупроводниковые приборы: Транзисторы…
Название: Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Автор: Горюнов Н.Н. Формат документа: (djv). Размер: 10267 Кб.
www.newlibrary.ru
- Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник
Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник. Item Preview. remove-circle.
archive.org
- Н.Н.Горюнов(ред.). Диоды, тиристоры, оптоэлектронные…
Н.Н.Горюнов(ред.). Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы (Полупроводниковые приборы. Справочник). Скачать книгу бесплатно (djv, 8.39 Mb).
Только что пользователи скачали эти книги
bookscat.org
- Скачать книги по теме Полупроводниковые приборы…
…Полупроводниковые приборы и устройства на их основе, скачать книги по приборам на полупроводниковой основе, скачать пособие по
5. Под редакцией Горюнова Н. Н. и Носова Ю. Р. Полупроводниковые диоды.
Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры
Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Справочник.
www.toroid.
ru - Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней…
Название: Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности. Справочник Издательство: КУбК-а Год: 1995 Страниц: 642 Формат: DJVU Размер: 20,03 МБ ISBN: 85554-092-8 Качество
Справочник — В справочнике приводятся электрические и эксплуатационные характеристики и параметры транзисторов средней и большой мощности, используемых в выходных каскадах усилителей мощности, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, генераторах кадровой и строчной разверток, низковольтных и…
bookskeeper.ru
- Скачать Н.Н. Горюнов. Полупроводниковые приборы.
Полупроводниковые приборы. Транзисторы. 1985.djvu.
Теперь вы можете получать деньги, добавляя книги на наш сайт. Подробнее об этом читайте здесь. Н.Н. Горюнов. Полупроводниковые приборы.
padabum.
com - Справочник По Полупроводниковым Диодам, Транзисторам…
Помогите нигде не могу найти Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам/Под ред. Н.Н. Горюнова.-М.: Энергия, 1972.
Горюнов Н. Н. Полупроводниковые приборы.Транзисторы.
forum.cxem.net
- Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник
Справочник КНИГИ ;АППАРАТУРА Название: Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник Авторы: В.Л. Аронов, А.В. Баюков, А.А.Зайцев, Ю.А. Каменский, А.И. Миркин, В.В. Мокряков, В.М. Петухов, А.К. Хрулёв, А.П. ШибановИздательство: ЭнергоиздатГод:1982.Страниц: 904 с.Формат: DjVuРазмер: 10,4 МбПриведены электрические параметры, габаритные размеры, предельные эксплуатационные данные и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых транзисторов широкого применения.Для широкого круга специалистов по.
..bookscat.org
Справочник.
Ранцы, рюкзаки, сумки.
И многое другое.
Транзисторы — СтудИзба2021-09-012021-09-01kosmosСтудИзба.
.. Справочник по полупроводниковым…
Скриншоты. Скачать книгу бесплатно (djvu, 6.51 Mb) | Читать «Полупроводниковые приборы: транзисторы».
Добавлен пользователем Алексей , дата добавления неизвестна.
org
Транзисторы. Справочник
Справочные данные полупроводниковых диодов; Часть третья.
Справочник
ru
com
..На данной странице Вы можете найти лучшие результаты поиска для чтения, скачивания и покупки на интернет сайтах материалов, документов, бумажных и электронных книг и файлов похожих на материал «Полупроводниковые приборы — Транзисторы — Справочник — Горюнов Н.Н.»
Для формирования результатов поиска документов использован сервис Яндекс.XML.
Нашлось 15 млн ответов. Показаны первые 32 результата(ов).
Дата генерации страницы:
|
Главная » Радио. Радиотехника » Транзисторы: Том 1. Справочник
| ||||||||||||||||||||||||||
Web-мастеринг.
Справочник
Предлагаемый вниманию читателей справочник охватывает около 54 тыс. типов биполярных, 8 тыс. полевых и более тысячи типов IGBT транзисторов. В нем приведены их основные электрические параметрам (Рс, Pd, Uce, Ic, Ft и др.). Транзисторы расположены в справочнике в алфавитно-цифровом порядке. В приложениях приведены условные рисунки корпусов с соответствующей цоколевкой транзисторов, список фирм-производителей транзисторов, SMD-коды для маркировки транзисторов в миниатюрных (SMD) корпусах, а также список аналогов (замен) транзисторов. Справочник предназначен для специалистов в области наладки и ремонта бытовой и профессиональной аппаратуры, широкого круга радиолюбителей и радиоинженеров.Справочники — каталог ссылок на QRZ.
RU Справочники — каталог ссылок на QRZ.RUВсего 15 ссылок в этой категории
Отсортировано по дате :: по названию :: по популярности
Всего 15 ссылок. Показано 1 — 15
Справочники по р/элементамhttp://www.inp.nsk.su/~kozak/hbks.htm
…ONLINE -Справочники по компонентам (транзисторы, микросхемы)…
Переходов: 2565 Категория: Российские сайты >> Электронные компоненты >> Справочники
Внесено: 09.03.2001 05:15:37 Обновлено: 14.04.2015 19:15:29 [Перевести на другой язык]
ChipNews Украина
http://chipnews.com.ua
…Научно-технический журнал «Новости о микросхемах»+»Инженерная микроэлектроника» .
..
Переходов: 905 Категория: Российские сайты >> Электронные компоненты >> Справочники
Внесено: 19.02.2001 21:22:52 Обновлено: 14.04.2015 19:05:27 [Перевести на другой язык]
Chip News
http://chipnews.gaw.ru
…Технический журнал о новых микросхемах на русском языке….
Переходов: 928 Категория: Российские сайты >> Электронные компоненты >> Справочники
Внесено: 28.10.2000 12:00:01 Обновлено: 14.04.2015 19:05:26 [Перевести на другой язык]
База Данных по продавцам электронных компонентов
http://www.icmicro.ru
.
..База Данных по продавцам электронных компонентов, быстрая регистрация и размещение прайс-листа, конференции куплю/продам….
Переходов: 1279 Категория: Российские сайты >> Электронные компоненты >> Справочники
Внесено: 28.10.2000 12:00:01 Обновлено: 14.04.2015 18:55:27 [Перевести на другой язык]
Справочник по отечественным электронным лампам
http://oldradio.qrz.ru/
…Интерактивный справочник по отечественным электровакуумным приборам. …
Переходов: 1178 Категория: Российские сайты >> Электронные компоненты >> Справочники
Внесено: 28.10.2000 12:00:01 Обновлено: 14.04.2015 18:45:27 [Перевести на другой язык]
CHIPINFO — электронные компоненты и электроника
http://www.
chipinfo.ru
…CHIPINFO — справочно-информационный ресурс по электронике и электронным компонентам. Полная документация на полупроводниковые изделия (микросхемы, транзисторы, диоды) отечественного и зарубежного производства. Предназначен для профессиональных разработчиков радиоэлектронной аппаратуры и для радиолюбителей….
Переходов: 1937 Категория: Российские сайты >> Электронные компоненты >> Справочники
Внесено: 28.10.2000 12:00:01 Обновлено: 14.04.2015 18:45:27 [Перевести на другой язык]
REPAIR.h21.RU
http://repair.h21.ru/
…Справочная информация о микросхемах, транзисторах импортного производства. Форумы по поиску datasheets микросхем, ремонту электроники. Схемы……
Переходов: 1902 Категория: Российские сайты >> Электронные компоненты >> Справочники
Внесено: 03.
03.2004 20:16:55 Обновлено: 14.04.2015 15:05:30 [Перевести на другой язык]
Справочники транзисторов, микросхем. Прошивки…
http://www.data-chip.ru
…Справочная информация о электроных компонентах. Распиновка микросхем для телевизоров, видео, аудио datasheets. Параметры транзисторов, прошивки теле -видео — аудио. Раскодировка авто магнитол, схемы и многое другое …
Переходов: 2896 Категория: Российские сайты >> Электронные компоненты >> Справочники
Внесено: 24.08.2004 12:31:00 Обновлено: 13.04.2015 20:55:30 [Перевести на другой язык]
IC DEVELOP
http://icdevelop.narod.ru/
…Полезная информация о микроконтроллерах PIC.
Есть раздел, посвященный программированию пиков на языке Си. Можем помочь в составлении программ для МК под Ваш заказ….
Переходов: 1100 Категория: Российские сайты >> Электронные компоненты >> Справочники
Внесено: 21.12.2004 13:41:21 Обновлено: 13.04.2015 18:05:29 [Перевести на другой язык]
Рынок Микроэлектроники
http://www.gaw.ru/
…Глобальная информационная система по тематике микроэлектроники. Отличительной особенностью этого ресурса является удобный пользовательский интерфейс, благодаря наглядности которого можно быстро найти разлел, где находится нужная Вам техническая информация….
Переходов: 1239 Категория: Российские сайты >> Электронные компоненты >> Справочники
Внесено: 23.
05.2005 10:37:14 Обновлено: 13.04.2015 14:15:31 [Перевести на другой язык]
1el
http://www.1el.ru
…1el.ru (Первый Электротехнический Поиск) создан с целью искать и находить информацию только в элеткротехническом сегменте рунета, а каждый ресурс, добавляемый для индексации, проверяется можераторами на соответствие тематике….
Переходов: 2269 Категория: Российские сайты >> Электронные компоненты >> Справочники
Внесено: 02.06.2005 16:28:42 Обновлено: 13.04.2015 13:45:29 [Перевести на другой язык]
СофтЭлектроникс
http://www.softelectronics.ru
…СофтЭлектроникс — разработка электроники и АСУ ТП.
У нас Вы найдете документацию практически на любые электронные компоненты, база постоянно наполняется, сейчас уже более 4000 документов и более 3 Гб PDF документов. Будем рады если сайт будет Вам полезен….
Переходов: 2587 Категория: Российские сайты >> Электронные компоненты >> Справочники
Внесено: 26.11.2007 18:45:32 Обновлено: 11.04.2015 18:15:07 [Перевести на другой язык]
Сенсоры: всё о датчиках
http://www.sensor.ru/
…Информация о сенсорах для измерений в промышленности, медицине, быту. Консультации и помощь в разработке, приобретении и монтаже систем измерений….
Переходов: 1591 Категория: Российские сайты >> Электронные компоненты >> Справочники
Внесено: 28.
10.2000 12:00:01 Обновлено: 07.12.2013 21:07:48 [Перевести на другой язык]
PIC Developers Club
http://www.chat.ru/~picclub/index.htm
…Все про PIC-контроллеры: различные устройства, примеры программ, прошивки, консультации, разработка под заказ….
Переходов: 1173 Категория: Российские сайты >> Электронные компоненты >> Справочники
Внесено: 28.10.2000 12:00:01 Обновлено: 16.02.2004 17:01:52 [Перевести на другой язык]
eFind.ru — Поиск электронных компонентов
http://www.efind.ru
…Система поиска электронных компонентов на On-Line складах поставщиков…
Переходов: 1284 Категория: Российские сайты >> Электронные компоненты >> Справочники
Внесено: 10.
12.2002 01:43:50 Обновлено: 16.02.2004 16:59:15 [Перевести на другой язык]
Отсортировано по дате :: по названию :: по популярности
- Дипломы
- Позывные
- Соревнования
- Объявления
- DX календарь
- Позывные
- Новости
- Статьи
- Схемы и документация
- Программное обеспечение
- Солнечная активность
Различные типы, применение и некоторые часто задаваемые вопросы
by Liam Cope
На этой странице:
Транзисторы являются важным электрическим компонентом, который используется во многих различных электрических системах и цепях. Хороший способ представить себе транзистор — сравнить его с человеческим мозгом. Человеческий мозг содержит миллиарды клеток, называемых нейронами, эти клетки позволяют вам что-то запоминать. Транзисторы фактически являются клетками мозга для компьютеров и электронных систем. Транзисторы были изобретены много лет назад и с тех пор привели ко многим технологическим достижениям.
В этой статье мы рассмотрим, что такое транзистор, различные типы транзисторов, с которыми вы можете столкнуться, их использование, а также некоторые часто задаваемые вопросы.
Давайте начнем с того, что на самом деле представляет собой транзистор.
Что такое транзистор?
Транзисторы — это небольшие электрические компоненты, изготовленные из кремния, которые можно найти в различных электрических схемах и системах.
Транзисторы фактически являются мозгом компьютера или электрической системы.
Транзисторы — это небольшие электронные компоненты, которые могут выполнять две разные функции. Они составляют большинство основных блоков электроники. Обычно они имеют три клеммы, которые используются для подключения питания или цепи.
Первое, чем может быть транзистор, это усилитель. Усилитель — это устройство, которое принимает на вход что-то маленькое, а затем производит что-то гораздо большее. В электронике это будет небольшой входной ток, тогда транзистор будет производить гораздо больший выходной ток на другом конце. Когда транзистор используется таким образом, вы можете думать о нем как о усилителе тока.
Вторая задача, которую может выполнять транзистор, — это выключение/включение. Транзистор делает это, пропуская небольшой ток через одну часть и пропуская гораздо больший ток через другую его сторону. Проще говоря, меньший ток включает больший. Микросхемы компьютерной памяти могут содержать тысячи, миллионы и даже миллиарды транзисторов, способных хранить два разных числа — единицу и ноль.
Когда микросхема памяти имеет миллионы транзисторов, это означает, что она может хранить миллионы нулей и миллионы единиц.
Транзисторы, как и любой электрический компонент, имеют свои плюсы и минусы. Чтобы узнать больше об этом, ознакомьтесь с нашей статьей здесь.
Какой электрический символ у транзистора?
Транзисторы обозначаются на электрических схемах и в документации символом. Символ для обозначения транзистора NPN выглядит следующим образом:
Транзистор NPNЭлектрический символ, используемый для обозначения транзистора, зависит от типа используемого транзистора, поскольку все они выглядят немного по-разному.
Какие существуют типы транзисторов?
Транзисторы могут быть разных типов, которые используются для различных приложений в различных электрических цепях и системах.
Некоторые из наиболее распространенных типов транзисторов:
- BJT или биполярный переходной транзистор
- FET или полевой эффективный транзистор
- 9 UJT транзистор0048
- Транзистор NPN
- Транзистор PNP
Транзисторы NPN используются чаще всего, поскольку их проще всего изготовить из кремния.
Буквы в NPN и PNP относятся к различным слоям полупроводников, из которых сделан транзистор.
МОП-транзистор
МОП-транзистор представляет собой полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника. Это тип транзистора, который работает за счет электронного изменения ширины канала, по которому текут носители заряда. Чем шире канал, тем лучше устройство будет проводить. Заряд входит в канал в истоке и выходит через сток. Ширина регулируется напряжением. Перегрузка по току — это состояние, при котором ток превышает номинальный ток в устройстве или системе. Обычно это происходит из-за неисправности, короткого замыкания или перегрузки. Здесь устройство защищает систему с помощью предохранителя и отключает подачу тока к устройству, чтобы предотвратить повреждение системы.
Где используются транзисторы?
Транзисторы представляют собой небольшие электрические компоненты, которые можно найти в различных цепях и электрических системах. Ниже мы рассмотрим некоторые из наиболее распространенных и простых способов их использования.
- Слуховые аппараты
- Чипы для компьютерной памяти
- Смартфоны
- Микрофоны
- LASERS
- Lasers 9005
- LASERS
- Lasers
- Lasers
- Lasers 9005
- . слуховой аппарат. Слуховой аппарат будет иметь внутри небольшой микрофон, который прислушивается к окружающим вас звукам. Затем микрофоны подаются на транзистор, который усиливает их, а затем усиливает звуки через небольшой громкоговоритель. Это создает гораздо более громкий звук, поэтому люди с проблемами слуха могут легко слышать вещи.
Еще один пример использования транзистора в электронике — чипы компьютерной памяти. Они используются в качестве переключателей в микросхемах памяти, поскольку могут действовать как два разных переключателя и включаться/выключаться по отдельности.
Это означает, что транзистор может находиться в двух состояниях, что означает, что он может хранить две разные части информации.МОП-транзистор (металлооксид-полупроводниковый полевой эффективный транзистор) является одним из наиболее важных и широко используемых транзисторов. МОП-транзисторы используются в компьютерах, смартфонах и большинстве электронных схем. Многие компании и организации заявляют, что изобретение транзистора является одним из самых важных открытий, которые мы сделали, поскольку они изменили жизнь и культуру во всем мире.
Где в компьютере используются транзисторы?
Транзисторы находятся в чипе памяти компьютера. В чипе памяти компьютера могут быть сотни, тысячи, миллионы или даже миллиарды транзисторов.
Где в повседневной жизни используются транзисторы?
Транзисторы используются в электрооборудовании и устройствах, которые мы используем в повседневной жизни.
- Мобильные телефоны
- Компьютеры
- Слуховые аппараты
Это лишь некоторые из наиболее распространенных применений, в которых используются транзисторы.
Кто изобрел транзисторы?
В 1947 году три американских физика по имени Джон Бардин (1908-1991), Уолтер Браттейн (1902-1987) и Уильям Шокли (1910-1989) разработали транзистор. Они были изобретены в месте под названием Bell Laboratories в Нью-Джерси.
Из чего сделаны транзисторы?
Транзисторы изготавливаются из кремния или германия — оба материала являются полупроводниками. Некоторые транзисторы изготавливаются из двух или более материалов. Это зависит исключительно от того, для каких приложений используется транзистор и в какой среде. Марка и стоимость транзистора также влияют на используемые материалы.
Являются ли транзисторы полупроводниками?
Транзисторы представляют собой полупроводниковые устройства , которые широко используются в мире электроники и электрических систем. Они используются для приложений, которые включают в себя: усиление мощности или коммутацию электроэнергии в сигналах в системе или цепи.
Могут ли транзисторы увеличить ток?
Да, транзисторы могут увеличивать ток в цепи или системе.
Они действуют как устройства повышения тока, когда они используются в качестве усилителей в электрических приложениях. Транзистор потребляет небольшой ток на входе и может генерировать гораздо больший ток на выходе.Лиам Коуп
Привет, меня зовут Лиам, я основал Engineer Fix с целью предоставить студентам, инженерам и людям, которые могут быть любопытны, онлайн-ресурс, который может упростить проектирование.
Я работал на различных инженерных должностях, выполняя бесчисленное количество часов механических и электрических работ/проектов. Я также прошел 6-летнее обучение, которое включало повышение квалификации и получение степени HNC в области электротехники.
Транзистор — DT Online
Из DT Online
- 1 Описание
- 2 типа транзисторов
- 3 формулы транзистора
- 4 История и развитие
- 5 транзисторных эквивалентов
- 6 Онлайн-справочник покупателя DT
Описание
Транзисторы используются в качестве электронных переключателей и усилителей тока.
У них три «ножки» — база, коллектор и эмиттер. Небольшой ток на базе включает транзистор, позволяя гораздо большему току течь между коллектором и эмиттером.
Коэффициент усиления по току транзистора (hFE) представляет собой отношение тока, протекающего через коллектор, к току, протекающему через базу. Это мера способности транзистора усиливать ток (hFE = Ic/Ib) .
Они бывают разных форм и размеров, и важно решить, какой тип требуется с самого начала. Факторами, которые следует учитывать, являются пропускная способность по напряжению и мощности, стоимость и доступность.Типы транзисторов
Транзисторы бывают типов NPN и PNP . Важно использовать правильный тип при проектировании и построении схем.
Транзисторы NPN чаще всего используются в школах для цепей управления. База и коллектор должны быть положительными по отношению к эмиттеру, а базовое напряжение должно быть не менее 0,6 В относительно эмиттера, чтобы «включить» (транзисторам пары Дарлингтона требуется 1,2 В) . Ограничительный резистор — обычно 1K требуется в базовой цепи транзисторного каскада, чтобы предотвратить перегрузку и, следовательно, перегрев и разрушение транзистора.
Транзисторы PNP требуют, чтобы коллектор и база были отрицательными по отношению к эмиттеру и «включались», когда ток базы падает ниже 0,6 В по отношению к эмиттеру.Формулы для транзисторов
Коэффициент усиления по току транзистора (hFE) представляет собой отношение тока, протекающего через коллектор, к току, протекающему через базу. Это мера способности транзистора усиливать ток.
История и разработка
Транзисторы были разработаны в результате некоторой работы в Bell Telephone Labs. в 1948 году группой, состоящей из Уильяма Шокли, Джона Бардина и Уолтера Хаузера — в 1956 году коллектив был удостоен Нобелевской премии по физике за эту работу.
Основной материал, кремний, может быть превращен в проводник легированием : процесс добавления примесей в кристалл кремния. Добавление фосфора или мышьяка создает кремний N-типа 9.0170 (отрицательно заряженный) , тогда как добавление бора или галлия дает кремний P-типа (положительно заряженный) .
Объединение слоев двух типов кремния рядом друг с другом дает Диод . Транзистор представляет собой триод , состоящий из тонкого центрального слоя кремниевого полупроводника одного типа, зажатого между двумя более толстыми частями другого типа, то есть либо NPN, либо PNP.Аналоги транзисторов
Не всегда можно найти точно такие же Транзистор , как указано в проектах, но, поскольку большинство транзисторов , используемых в Дизайн и технология , являются транзисторами общего назначения , замену обычно можно найти довольно легко.
Таблицы заменителей можно получить у производителей или найти в Интернете. Вот основные переменные, которые нужно проверить:- напряжение и ток, которые должен выдерживать транзистор ;
- IC макс. — максимальный ток коллектора (выберите значение, которое не меньше значения заменяемого транзистора ) .
- VCE макс. — максимальный ток через переход коллектор-эмиттер (для маломощных цепей, используемых в D&T , этим обычно можно пренебречь)
- hFE Текущее усиление (это значение представляет интерес только для опытных пользователей)
- Макс. — максимальная общая мощность, которую может выдержать транзистор (представляет интерес в схемах усиления, но и в схемах переключения, IC max. — лучший показатель)
- IC макс.
- вывод или взаимное расположение базы , коллектора и излучателя (хотя даже если они разные, часто имеется достаточно длинный «хвост» провода, чтобы их можно было согнуть на место) ;
- конструкция корпуса (но только если физическое пространство, занимаемое транзистором , является проблемой).
Большинство транзисторов , используемые в Дизайн и технологии . Начнется с B (Silicon) , как в BC108 или BFY51 или SIP 170 (TEHFERERSERERSERERSERERSIRESERERSIRESIRE). собственные коды (например, ZTX используется Ferranti) . 2N , как и в 2N3053, просто идентифицирует компонент как Транзистор (в отличие от 1N для Диод как в 1N4001) — см. системы нумерации Pro Electron и JEDEC . Любая вторая буква указывает на конкретный тип, за которым следует серийный номер устройства (три цифры для бытового использования) . Если в конце добавляется буква, это просто идентифицирует специальную версию основного типа (например, другой стиль регистра) . Кроме того, существует также японских промышленных стандартов 9.0170 (JIS) , которое можно найти на некоторых компонентах.
Тип упаковки или корпуса, используемый для размещения транзистора , различается и в основном зависит от того, какая мощность должна рассеиваться (например, большие корпуса могут рассеивать больше тепла, а металлические корпуса можно покрыть теплопроводной смазкой и установить на место). на радиатор для охлаждения) . Общие типы упаковки , встречающиеся в Дизайн и технология являются: ТО-5 (т.е. Транзистор Контур 5) ; ТО-18 ; ТО-92 ; ТО-220 и ТО-3 .Онлайн-справочник покупателя DT
Выбор транзистора NPN и PNP BC108 Транзистор BC547B Транзистор BFY51 Транзистор Транзисторы Дарлингтона 555 Таймер ИС 741 Операционный усилитель Четырехканальный вентиль NOR с 2 входами, 14-контактная логическая ИС Quad 2-input NAND Gate 14-DIP Logic IC Руководство по использованию транзисторов
В наши дни с электроникой можно многое сделать без каких-либо знаний уровня EE.
Но некоторые концепции могут быть сложными, например, выбор транзистора для сильноточной или высоковольтной конструкции. В этой статье Джефф рассказывает об истории транзистора как устройства. Затем он расскажет вам, как выбрать и использовать транзистор в качестве переключателя или для других функций.Многие из сегодняшних молодых хакеров не знакомы со многими основами, доступными тем, кто получает высшее образование в области электроники. Они могут исследовать использование микроконтроллеров (MCU) без этих знаний из-за низкой стоимости входа. С бесплатными инструментами и печатными платами стоимостью менее 20 долларов базовая программа «hello world» или «blinky» не требует никаких знаний, кроме подключения нескольких кабелей к их ПК. Я думаю, это здорово. Будем надеяться, что это дает искру воображения, которая вызовет идеи о том, как они могут использовать эту вновь обретенную силу.
Действительно, это правда. Эти живые умы могут легко подключать периферийные устройства, такие как моторы, динамики, кнопки, фонари и другие полезные штуки, не задумываясь о напряжении, токе, сопротивлении, мощности и других параметрах, составляющих схему нашего воображения.
Пока они могут следовать рецептам ведущих, новички могут воспроизводить тысячи экспериментов других. И благодаря сообществу обмена этот список продолжает расти. Для тех, кто полностью на крючке, это может в конечном итоге завести в тупик, где их воображение, наконец, упрется в пресловутую каменную стену. Они захотят управлять чем-то, что не является «подключи и работай», или просто захотят сделать это сами.Например, хотя большинство микроконтроллеров могут управлять светодиодом с током 10 мА, для более высоких токов требуется несколько внешних компонентов. Управление устройствами с более высокими токами или напряжениями требует использования транзистора того или иного типа. Но какой? С тысячами вариантов, с чего начать? Небольшая предыстория может помочь вам понять выбор, который вы должны сделать.
ТЕРМОЭЛЕКТРОННЫЕ КЛАПАНЫ
В начале 1900-х годов английский физик Джон Амброуз Флеминг обнаружил, что нагретая нить накала испускает электроны.
). Это было не самое эффективное устройство, так как требовался один источник питания для нити накала и дополнительный для смещения. В сочетании с отдельным контактом или пластиной в вакуумированной стеклянной колбе эти испускаемые электроны притягивались через зазор, когда пластина или анод были положительно заряжены по отношению к нити накала или катоду. Ток протекал только в одном направлении, и была создана первая диодная лампа (9).0019 Рисунок 1 Несколько лет спустя американский изобретатель Ли де Форест добавил в смесь третий электрод, создав первую триодную лампу. Третий электрод или «управляющая сетка» или «сетка» позволяли использовать вакуумную лампу не только как выпрямитель, но и как переключатель или усилитель электрического тока. Это стало возможным за счет регулировки отдельного смещения на сетке, расположенной между катодом и анодом. Электроны будут предотвращены или им будет позволено течь через сетку к аноду.
В конечном итоге это привело к созданию двух самых технологически невероятных машин в нашей истории — радио и компьютера.
Хотя многие ранние радиоустройства были портативными, они были довольно большими и тяжелыми, поскольку требовалось несколько батарей (, рис. 2, ). Ранние вычислительные машины были массивными, занимали много места и выделяли тысячи ватт тепла ( Рисунок 3 ).— РЕКЛАМА—
—Реклама здесь—- Рисунок 1
- Рисунок 2
- Рисунок 3
В 1904 году Амброуз Флеминг изобрел и запатентовал устройство, которое он назвал колебательным клапаном или термоэмиссионным диодом. Сегодня в США устройство Флеминга более известно как вакуумная трубка, а в Великобритании оно до сих пор известно как термоэмиссионный клапан или вентиль. Мы думаем о диоде как о двух выводах. Но у вакуумной лампы должна быть нагретая нить накала, чтобы испускать электроны, таким образом, три провода — два для нити (катод) и один для пластины (анод) [1]. Рисунок 2
Радиоприемники 1930-х годов на батарейках в основном продавались для использования в сельской местности, где еще не было электричества. Эти радиостанции обычно назывались «фермерскими радиостанциями» и питались от так называемого «аккумуляторного блока», который содержал все батареи, необходимые для работы радиостанции [2]. Рисунок 3
Во время Второй мировой войны для взлома немецких и японских шифров использовались специальные цифровые компьютеры на электронных лампах, такие как Colossus. Военная разведка, собранная этими системами, была необходима для военных действий союзников. Каждый Колосс использовал от 1600 до 2400 электронных ламп [3].Начало эры полупроводников наступило только в 1960-х годах. Отличительным отличием полупроводников от предыдущих ламповых или газообразных устройств была новая технология, основанная на полупроводнике и известная как твердотельные устройства. Полупроводниковое устройство работает, управляя электрическим током внутри твердого кристаллического куска полупроводникового материала, такого как кремний.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ
Все элементы (например, кислород, углерод и алюминий) состоят из атомов.
Атом — это наименьшая частица материи, которая сохраняет свойства, необходимые для определения элемента. Он состоит из двух основных частей. Центр или «ядро» состоит из двух частиц, протона и нейтрона, а «оболочка» содержит вращающиеся по орбите частицы, называемые электронами. Существуют и другие субатомные частицы, но для обсуждения нам нужно рассмотреть только эти три.Каждый элемент идентифицируется по его «атомному номеру», который представляет собой число протонов в его ядре, например, 8 для кислорода (O), 6 для углерода (C) и 13 для алюминия (Al). Элемент наиболее стабилен или «счастлив», когда количество его протонов (с положительным зарядом) и электронов (с отрицательным зарядом) равно, потому что заряды компенсируют друг друга. Элемент с зарядом называется ионом. Анионы лишены электронов и имеют положительный заряд. Катионы имеют дополнительные электроны и имеют отрицательный заряд. Любой элемент может иметь заряд, если число электронов не равно числу протонов в атоме.
Электроны, вращающиеся вокруг ядра, обычно вращаются в нескольких оболочках и подоболочках, каждая из которых может содержать максимальное количество электронов. Если у элемента более 2 электронов (что-то тяжелее водорода или гелия), дополнительные электроны не поместятся в ближайшую к ядру оболочку. Эта самая внутренняя оболочка, обозначенная «К», имеет единственную подоболочку «s», которая может содержать максимум 2 электрона.
Вторая оболочка, обозначенная «L», имеет две подоболочки: подоболочку «s» с 2 электронами и подоболочку «p» с 6 электронами. Третья оболочка, «M», имеет три подоболочки, подоболочку s» с 2 электронами, подоболочку «p» с 6 и подоболочку «d» с 10. Независимо от того, о каком элементе мы говорим, каждая оболочка (K, L, M и т. д.) содержит одинаковое максимальное количество электронов, а каждая подоболочка (s, p, d и т. д.) содержит одинаковое максимальное количество электронов. Однако распределение оболочек, подоболочек и электронов зависит от атомного номера (числа протонов) элемента.
Электроны в каждой подоболочке имеют некоторый энергетический уровень, основанный на расстоянии подоболочки от ядра — более низкая энергия для внутренних подоболочек и более высокая энергия для внешних подоболочек. Самые внутренние подоболочки заполняются до того, как какие-либо дополнительные электроны вынуждены перемещаться во внешнюю подоболочку или следующую оболочку. Следовательно, самая внешняя оболочка — единственная, которая может иметь меньше, чем максимальное количество электронов в подоболочке. Их называют «валентными электронами», и именно здесь происходит волшебство. Давайте посмотрим на некоторые примеры. В дальнейших обсуждениях в скобках указано количество электронов в соответствующих оболочках, от ближайшего к самому дальнему от ядра.
Медь (Cu) широко используется в качестве проводника. Его атомный вес равен 29, и у него 29 электронов на 4 оболочках (2-8-18-1). Единственный электрон в его самой внешней оболочке делает его нестабильным. Следовательно, это хороший проводник, поскольку его единственный валентный электрон может свободно перемещаться среди других атомов меди, стремящихся заполнить свои внешние оболочки.
Когда больше электронов заполняет внешнюю оболочку, свободных валентных электронов становится меньше, и элемент становится более стабильным и хорошим изолятором. Нас интересуют элементы с обоими этими аспектами.Углерод (C, 2-4), кремний (Si, 2-8-4), германий (Ge, 2-8-18-4) и олово (Sn, 2-8-18-18-4) четыре таких элемента. Атомы каждого из них имеют по 4 валентных электрона на своих внешних оболочках. Их ковалентная связь (обмен электронами) создает полную структуру решетки, что не обязательно является хорошим проводником.
ДОПИРОВАНИЕ И ДРУГИЕ
Начнем с хорошего изолятора, кремния, атомный номер 14 (Si, 2-8-4). Атом Si был бы наиболее счастлив иметь 8 электронов на своей внешней оболочке, поэтому он разделит свои 4 валентных электрона с 4 другими атомами Si, образуя кристаллическую структуру ковалентной связи (9).0019 Рисунок 4 ).
— РЕКЛАМА—
—Реклама здесь—Для превращения Si в материал, который может проводить электричество, требуются свободные электроны, которые могут двигаться внутри кристалла.
Процесс, известный как «легирование», может увеличить проводимость полупроводникового кремния. Существует два различных типа легирования: N-легирование и P-легирование. При обоих видах легирования в кристалл Si добавляется примесь (вещество, не являющееся кремнием).P-легирование происходит, когда к кремнию добавляют такой элемент, как бор (B) с 3 валентными электронами ( Рисунок 5 ). Обратите внимание, что кристаллическая структура не завершена; атом B связывается только с 3 атомами Si, оставляя «дырку» (отсутствующий электрон), которая ищет дополнительный электрон. Если электрон кремния заполняет эту дырку, создается другая дырка, и дырка блуждает в поисках нового дома.
Легирование N происходит, когда фосфор (P) с 5 валентными электронами добавляется к Si, как показано на Рисунок 6 . Обратите внимание, что кристаллическая структура завершена, но каждый атом фосфора добавил дополнительный электрон, которому не с чем связываться.
Этот электрон бродит вокруг в поисках нового дома.- Рисунок 4
- Рисунок 5
- Рисунок 6
Когда 4 валентных электрона атома кремния разделяют ковалентные связи с другими атомами кремния, структура решетки завершена и все устраивает. Рисунок 5
Когда атом бора вводится в решетку путем легирования, электроны атома бора связаны ковалентными связями с 3 атомами кремния, и структура решетки не завершена. Дополнительная «дырка» или отсутствие электрона создает слегка положительно заряженный материал P-типа [4]. Рисунок 6
Когда атом фосфора вводится в решетку посредством легирования, 5 валентных электронов атома фосфора имеют общие ковалентные связи с 4 другими атомами кремния, и структура решетки не завершена. Дополнительный электрон создает слегка отрицательно заряженный материал N-типа [4].Теперь магия. Когда материал, легированный фосфором, и материал, легированный азотом, соединяются, мы получаем «PN-переход» или «диод» (, рис.
7, ). Контакт двух легированных материалов создает область, в которой свободные электроны в материале, легированном N, диффундируют через переход, чтобы заполнить дырки в материале, легированном P, а дырки в материале, легированном P, диффундируют через переход, чтобы рекомбинировать с свободные электроны, как показано на Рисунок 8 .- Рисунок 7
- Рисунок 8
Изображение PN-перехода вместе со схематическим символом и фактическим диодом, чтобы показать их взаимосвязь [5] Рисунок 8
Вверху: Изображение материала N-типа и P-типа. Внизу: в PN-переходе лишние электроны и дырки мигрируют в переходе, вызывая обедненную область, которая препятствует дальнейшему движению. [4].Эта миграция создает электрическое поле в небольшой области вокруг перехода, называемой «областью обеднения», и блокирует любую дальнейшую диффузию электронов в область, легированную фосфором. Приложенное внешнее смещение может либо усиливать, либо противодействовать, в зависимости от полярности.
Приложение внешнего положительного потенциала к аноду (обратное смещение) усиливает обедненную область, создавая лучший изолятор и предотвращая протекание тока. Однако приложение внешнего положительного потенциала к аноду (прямое смещение) ослабляет обедненную область, создавая лучший проводник, по которому может течь ток. Для PN-перехода в кремнии область обеднения устраняется, когда потенциал превышает 0,7 В. Диод сам по себе является простым и чрезвычайно полезным полупроводниковым устройством, но он также является основой для других устройств.ТРАНЗИСТОРЫ NPN И PNP
Мы можем сделать диод еще дальше, добавив в устройство второй переход, создав транзистор. Если мы добавим материал N-типа на P-сторону диода, мы получим NPN-транзистор. Если мы добавим материал P-типа к N-стороне диода, мы получим PNP-транзистор. Эти устройства добавляют контроль к току, протекающему через них. Концы каждого устройства (эмиттер и коллектор) одного типа, но имеют различное количество легирования.
Эмиттеры более сильно легированы, и у N-типа (NPN) или «донора» больше свободных электронов, тогда как у P-типа или «акцептора» больше дырок.Центральный и противоположный тип («база») имеют наименьшее количество легирования и позволяют контролировать поток тока. При отсутствии (или обратном) смещении базы по отношению к эмиттеру потенциал перехода может только усиливаться, а ток не течет. Когда мы помещаем небольшое прямое смещение на базу по отношению к эмиттеру, мы позволяем смещению база-эмиттер преодолевать потенциал перехода и усиливать ток через переход. Если коллектор также смещен в прямом направлении по отношению к эмиттеру, ток коллектора будет протекать через переход коллектор-база к эмиттеру. Размер базы определяет отношение базы (I B ) к току коллектора (I C ). Эти два тока равны току в эмиттере (I E ). На рис. 9 показано соединение, схематический и физический вид каждого из этих двух устройств.
Рисунок 9
BJT доступен как в вариантах PNP, так и в вариантах NPN, чтобы удовлетворить все ваши потребности в коммутации. Показаны оба типа вместе с их схемами и реальными корпусами TO-92, чтобы показать, как они связаны.На рисунке 9 направление стрелки каждого излучателя определяет тип устройства. В устройстве NPN ток течет из эмиттера, а в устройстве PNP ток течет в эмиттер. Для простоты давайте использовать источник питания 5В. Большинство цепей имеют заземление (или V SS ) подключается к отрицательной стороне источника питания, а положительная сторона подключается к V CC .
Три вывода транзистора можно рассматривать как вход, выход и общий вывод. Таким образом, они могут быть подключены одним из трех способов — с общим эмиттером, общим коллектором и общей базой. Конфигурация с общим эмиттером является наиболее распространенной и будет использоваться в этом обсуждении. Пожалуйста, не стесняйтесь исследовать другие форматы самостоятельно, если вам интересно. Эта конфигурация позволит нам управлять некоторым током, протекающим через нагрузку, с лишь частью этого тока на базе.
Нагрузкой может быть светодиод, реле или любое другое устройство на 5В. Чуть позже мы обсудим высоковольтные устройства.Простейшей нагрузкой может быть светодиод, так что давайте начнем с него. В этой конфигурации база является входом, коллектор — выходом, а эмиттер — общим для обоих. Эмиттер почти всегда подключается напрямую к источнику питания. Для устройства NPN эмиттер соединен с землей, и ток течет из эмиттера (обратите внимание на схематическую стрелку, указывающую на рис. 9). Для устройства PNP эмиттер подключается к V CC , и ток течет через эмиттер (обратите внимание на стрелку, указывающую внутрь).
ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ТРАНЗИСТОРА
На рис. 10 показано, как можно использовать два типа транзисторов для управления светодиодом. В схеме слева эмиттер транзистора 2N3906 (PNP) подключен к V CC . Без возбуждения на базе (или R1, подключенного к V CC ), транзистор закрыт (высокий импеданс), и ток не может течь к светодиоду через R2.
Рисунок 10 Когда R1 подключен к земле, ток может течь через базу, открывая транзистор и позволяя 10-кратному току течь через коллектор, через R2 и светодиод.
Минимальные расчеты, необходимые для определения номинальных резисторов, которые вам потребуются для обеспечения управления светодиодом, работающим при токе 10 мА. Попробуйте изменить ток на 100 мА, чтобы увидеть, как изменяются значения резисторов базы и коллектора. Помните, что большинство светодиодов выйдут из строя при токе 100 мА, если только вы не используете их с малым рабочим циклом.В схеме справа эмиттер транзистора 2N3904 (NPN) подключен к GND. Без драйвера на базе (или R3, подключенного к GND) транзистор выключен (высокий импеданс), и ток не может течь к светодиоду через R4. Когда резистор R3 поднят вверх, ток может течь в базу, открывая транзистор и пропуская в коллектор ток в 10 раз больше через светодиод и резистор R2. Оба типа транзисторов можно приобрести у различных дистрибьюторов электроники, включая Digi-Key и Mouser Electronics.
Эти два транзистора симметричны и имеют схожие параметры. В таблице 1 показаны параметры, которые необходимо проверить перед использованием в вашей схеме. Обратите внимание, что при использовании с питанием логики 5 В мы не превысим параметры максимального напряжения. Максимальный ток 200 мА. Мне нравится держать максимум 100 мА, чтобы избежать «горячих» устройств. Коэффициент усиления важен для определения минимальных токов смещения для требуемых токов нагрузки. Есть некоторые частотные параметры, которые вам нужно учитывать только при работе на радиочастотах. Вы можете игнорировать их при работе на частоте менее 1 МГц.
Таблица 1
Здесь показаны параметры, которые необходимо проверить перед использованием в вашей схеме.Вы можете видеть, что они также подходят для источников питания 12 В и 24 В, которые, скорее всего, покроют большинство устройств, которыми вы хотите управлять. Сегодня многие микроконтроллеры могут подавать или потреблять 20 мА, что достаточно для простого светодиода.
Но когда вам нужен больший ток — скажем, для короткого рабочего цикла, потребляющего ток 100 мА, — вам нужно будет использовать транзистор.ВЫСОКАЯ МОЩНОСТЬ
Что произойдет, если вам потребуется ток больше 100 мА? Можно выбрать более мощный транзистор. Сидней Дарлингтон изобрел составной транзистор, известный нам как Дарлингтон (пара). Два однотипных транзистора включены по схеме эмиттерный повторитель. Первый транзистор подает большой ток на базу второго транзистора. Коэффициенты усиления многократно увеличиваются и могут быть довольно высокими вместе с током через второй транзистор. Небольшой пластиковый корпус ТО-2 больше не может выдерживать более высокие токи, потому что мощность, рассеиваемая на устройстве, может быть довольно высокой. Корпуса размеров T0-220 и T0-3 распространены и могут потребовать соответствующего теплоотвода. Использование двойных транзисторов повышает V BE примерно до 1,4 В, а при силе тока в диапазоне ампер рассеяние является значительным.
— РЕКЛАМА—
—Реклама здесь—Как и наш BJT (транзистор с биполярным переходом), транзистор Дарлингтона (DT) доступен как в PNP, так и в NPN. Хотя у него есть преимущества в управлении током, у него также есть недостатки, такие как более медленное время выключения, что ограничивает использование на высокой скорости. Но для многих приложений этим можно пренебречь.
Сегодня можно рассматривать другие полупроводниковые устройства для более высоких токов, но они также имеют свои недостатки. Полевой транзистор, например, имеет гораздо более низкий импеданс перехода (сопротивление в открытом состоянии), и хотя это создает гораздо меньшее рассеивание, его также сложнее использовать. Оставим это на другой раз. Эта колонка посвящена использованию этих двух простых устройств — BJT и DT. Они помогут вам справиться с большинством проектов, не заморачиваясь математикой. Вам остается только принять два решения.
ДВА РЕШЕНИЯ
Нужно ли мне включить мое устройство с активным высоким сигналом (логический высокий уровень), а затем выбрать устройство NPN? Или мне нужно включить мое устройство с активным низким сигналом (логический низкий уровень), а затем выбрать устройство PNP? Если вы можете выбрать полярность, выберите маршрут NPN.
Они не только немного дешевле, но и их проще использовать с устройствами с более высоким напряжением. Требуется ли моему устройству менее 100 мА (BJT) или больше (DT)? Здесь самым большим вопросом будет: нужен ли теплоотвод для устройства DT?Хотя речь идет об использовании транзистора в качестве цифрового переключателя, на самом деле транзистор является аналоговым устройством. Существует область между отсутствием тока (ВЫКЛ.) и насыщением или максимальным протеканием тока (ВКЛ.), при этом доля базового тока будет давать долю максимального тока. Это довольно линейно, как только начинается проведение, вплоть до точки насыщения. Таким образом, транзистор можно использовать как усилитель для аналоговых целей. Поскольку смещение имеет решающее значение, оно требует немного больше математики и вспомогательной схемы. Как только вы освоите использование транзистора в качестве переключателя, вы можете исследовать его использование в качестве усилителя сигнала.
А пока позвольте мне оставить вас с несколькими примерами того, как вы можете исследовать использование транзисторов для управления устройствами.
На рис. 11 показано несколько различных нагрузок, которыми вы, возможно, захотите управлять. Слева направо — простая резистивная нагрузка, светодиод, реле, пьезопреобразователь, пьезозуммер и двигатель постоянного тока. +V может быть любым напряжением до V CE max транзистора. Ток ограничен примерно 100 мА для 2N3904/6 NPN/PNP или многими амперами, в зависимости от DT, такого как TIP3x.Пьезоустройства бывают двух видов: 1) преобразователь, которым можно управлять с помощью частоты; и 2) бипер, который имеет внутренний драйвер и будет звучать на заданной частоте, просто подав напряжение. Пьезопреобразователь представляет собой емкостную нагрузку и требует параллельного резистора, тогда как реле и двигатели являются индуктивными и требуют обратного диода для защиты транзистора от индуктивных пиков при выключении.
Шаговые двигатели можно запустить, подав последовательность импульсов, активирующих катушки шагового двигателя. Последовательность позволяет контролировать направление вала двигателя.
Скорость последовательности определяет число оборотов в минуту. На рис. 12 показан униполярный шаговый двигатель, для которого требуется одинаковая полярность на каждой катушке, но катушки с отводом от центра. Биполярный шаговый двигатель имеет одиночные катушки, но требует, чтобы схема изменяла полярность на каждой катушке. Для этого требуются устройства NPN и PNP, подключенные к каждому концу каждой катушки. Он похож на Рисунок 13 , на котором показан полный мост для управления направлением вращения двигателя постоянного тока. Там, где двигатель постоянного тока имеет одно соединение, для биполярного шагового двигателя требуется в два раза больше транзисторов — по две пары на каждую катушку.- Рисунок 11
- Рисунок 12
- Рисунок 13
Этот NPN-транзистор может управлять рядом различных устройств. Слева — простая резистивная нагрузка, за которой следуют светодиод, реле, пьезопреобразователь, пьезоизлучатель и двигатель постоянного тока. Рисунок 12
Хотя униполярный шаговый двигатель немного сложнее в изготовлении, вы можете легко управлять направлением вращения и скоростью, используя всего четыре транзистора, импульсы которых подаются в правильной последовательности. Рисунок 13
Как показано на рис. 11, двигатель постоянного тока можно включать и выключать с помощью одного транзистора. Однако, если вы хотите управлять направлением вращения двигателя, вам необходимо контролировать полярность соединений двигателя. Это делается с помощью полной мостовой схемы, состоящей из двух транзисторов NPN и двух транзисторов PNP. Применение логических уровней к каждому управляющему входу гарантирует, что один транзистор на каждой стороне соединений двигателя всегда выключен, что позволяет избежать короткого замыкания между VDD и VSS.ЭЛЕКТРОН ПРОТИВ. CURRENT FLOW
По соглашению, направление тока на диаграммах всегда показано как направление движения положительного заряда.
Сегодняшние знания говорят нам, что поток электронов на самом деле противоположен обычному потоку тока. Хотя это может показаться неправильным, некоторые вещи лучше не исправлять, и поэтому мы можем более точно определить текущий поток как «дырочный» поток.Теперь вам не нужно думать, что использование транзистора невероятно сложно.
- Если ваша нагрузка находится на стороне земли, используйте PNP. И если ваша нагрузка находится на высокой стороне, используйте NPN.
- Если ваша нагрузка составляет 10 мА при 5 В (или 3,3 В), ваш MCU может обрабатывать ее напрямую. Если устройство, которым вы хотите управлять, требует более высокого напряжения или тока, используйте транзистор. Большинство BJT хороши до 100 мА.
- Для больших токов используйте транзистор Дарлингтона. Просто помните, что вам, вероятно, понадобится радиатор, если вам нужно избавиться от тепла из-за высокого рассеяния перехода!
Для многих проектов вам понадобятся только транзисторы 2N3904 и 2N3906.
Для большего тока используйте стандартные транзисторы Дарлингтона TIP33 и TIP34. Не бойтесь заменять, в зависимости от ваших требований или доступности! Тогда расширьте свой мир и рассмотрите возможность изучения полевых транзисторов (FET). Слишком многому нужно научиться, слишком мало времени.РЕСУРСЫ
Каталожные номера:
[1] Рисунок 1 en.wikipedia.org/wiki/Vacuum_tube
[2] Рисунок 2 www.radiolaguy.com/images/tubePortables/Silvertone30sBatterySet.jpg0174 [3] Рис. 3 en.wikipedia.org/wiki/Colossus_computer
[4] Рис. 5, 6 и 8 www.schoolsobservatory.org/learn/tech/instruments/inst_ccd/semiconductors
[5] Рис. 7 www.allaboutcircuits. com/uploads/articles/diode-representations.jpgDigi-Key | www.digikey.com
Mouser Electronics | www.mouser.comПУБЛИКУЕТСЯ В ЖУРНАЛЕ CIRCUIT CELLAR • МАЙ 2021 г. № 370 – Получите номер в формате PDF
Спонсор этой статьиБудьте в курсе наших БЕСПЛАТНЫХ еженедельных информационных бюллетеней! Не пропустите предстоящие выпуски Circuit Cellar.
Подписаться на журнал Circuit Cellar
Примечание. Мы сделали выпуск Circuit Cellar за май 2020 г. бесплатным образцом. В нем вы найдете большое разнообразие статей и информации, иллюстрирующих типичный номер текущего журнала.
Хотите написать для Circuit Cellar ? Мы всегда принимаем статьи/сообщения от технического сообщества. Свяжитесь с нами и давайте обсудим ваши идеи. Джефф Бачиочи
Веб-сайт | + сообщения
Джефф Бачиочи (произносится как BAH-key-AH-key) пишет для Circuit Cellar с 1988 года. Его опыт включает дизайн и производство продуктов. Вы можете связаться с ним по адресу: [email protected] или по адресу: www.imaginethatnow.com.
Thomann Online Guides Транзисторы и ламповые гитарные усилители – Thomann United States
Подается с любовью!
С помощью наших файлов cookie мы хотели бы предложить вам наилучший опыт покупок со всем, что с ним связано.
Сюда входят, например, подходящие предложения и запоминание предпочтений. Если вас это устраивает, просто нажмите «Хорошо!» что вы соглашаетесь на использование файлов cookie для предпочтений, статистики и маркетинга (показать все).Выходные данные · Политика конфиденциальности
- Товары
- обслуживание
- О нас
Гитарные усилители
В течение многих лет транзисторные усилители звучали плохо по сравнению со своими ламповыми собратьями, но, тем не менее, им удалось захватить большую часть рынка, в значительной степени исключительно благодаря успеху производителей в их маркетинге.
В наши дни лампы полностью вышли из употребления в большинстве типов электронного оборудования, за исключением аудиоиндустрии и нескольких военных применений. Поскольку эти рынки очень малы, сами лампы сейчас в несколько сотен раз дороже, чем транзисторы или микросхемы.Результатом этого является то, что ламповые усилители в настоящее время относительно дороги, часто примерно в два раза дороже, чем транзисторные модели с теми же основными характеристиками. Также верно сказать, что конструкции транзисторов значительно усовершенствовались за последние двадцать лет или около того, в результате чего многие транзисторные усилители теперь действительно звучат очень хорошо. Конструкторы начали понимать, почему лампы ведут себя так, а не иначе, и воспроизвести это поведение с помощью транзисторов и, совсем недавно, цифровой обработки сигналов или DSP.
Гибридный дизайн представляет собой еще одну заслуживающую внимания тенденцию. Как следует из таких торговых марок, как Valvestate и Transtube, в них используются как ламповые, так и транзисторные технологии.
Как правило, гибрид сочетает в себе ламповый предусилитель с транзисторным усилителем мощности, исходя из того, что лампы передают свои уникальные характеристики на этапе предусилителя, оставляя каскад транзисторного усилителя мощности для максимально нейтрального усиления. Многие гибридные усилители на самом деле включают только одну лампу, и это привело к обвинениям в уловках, которые не всегда справедливы.Как правило, транзисторные усилители преобладают в более дешевом сегменте рынка и в целом более выгодны. Хотя ламповые усилители, как правило, более дорогие, они остаются единственным выбором для многих исполнителей, для которых качество звука важнее стоимости. Эти музыканты указывают на технические проблемы, из-за которых гибридные усилители, по их словам, всегда терпят неудачу.
Первое из этих утверждений заключается в том, что классический роковый дисторшн-звук создается не только предусилителем. Искажения усилителя мощности и даже искажения динамиков также важны.
Это совершенно верно — звук стека Marshall на большой громкости, особенно тех, которые производились до введения основного регулятора громкости, — это звук всего этого стека на полном ходу.Второй момент заключается в том, что лампы реагируют на входной сигнал в тысячу раз быстрее, чем транзисторы, и из-за других основных свойств схемы ламп обычно намного проще транзисторных схем, включают меньше дополнительных компонентов и, следовательно, имеют более короткий путь прохождения сигнала. — некоторые считают, что эти факторы делают ламповые усилители более отзывчивыми. В рамках этого аргумента транзисторные усилители и цифровые модели по определению никогда не смогут конкурировать на самом высоком уровне.
Для получения более подробной информации о ламповом усилении обратитесь к онлайн-консультанту параллельного гитарного усилителя.
Особенности продукта
- Лучший рейтинг
- Популярный
- Лучший продавец
- Тенденции
Startone SSL-45 Теноровый тромбон Bb
$129
Тромбон сопрано Thomann SL 5
$115
pBone Тромбон синий
$119
pBone Тромбон черный
$119
Денис Вик DW5529 Кубок тромбона
$50
Денис Вик DW5505 Тромбон прямой
$37
Лучший духовой тромбон для разогрева немого
$99
pBone тромбон красный
$115
Тромбон Thomann Bb-Valve
272 $
Thomann Classic TF547 L Тромбон
$429
Thomann Jazz Bb-Тенор Тромбон
$289
Тромбон Thomann Classic TB525 L
$269
Тромбон pBone Белый
$127
pBone Тромбон желтый
$118
Thomann SL-39 Bb-теноровый тромбон
$230
Startone PTB-10 Bb- джазовый тромбон синий
$95
Sierman STB-665 Теноровый тромбон
689 $
Denis Wick DW5529 Кубок тромбона
$50
Denis Wick DW5527 Тромбон Тренировочный Mute
$37
Jupiter JTB1150FRQ Теноровый тромбон Bb/F
$969
Denis Wick DW5505 Тромбон прямой
$37
Тромбон Arnolds & Sons 6-1/2 AL-S
18,90 $
Мундштук Yamaha Тромбон 48S
$52
Денис Вик 5880E Эуфониум SM4U
$77
Startone PTB-20 Bb/F-тромбон синий
111 долларов
Мундштук для тромбона Thomann 12C-L
12,90 $
pBone Тромбон фиолетовый
$119
Тромбон Arnolds & Sons 12C-S
18,90 $
Тромбон сопрано Thomann SL 5
$115
Humes & Berg New Stone Lined ST-160B
$48
Startone SSL-45 Теноровый тромбон Bb
$129
Yamaha YSL-354 E Тромбон
679 $
Startone PTB-10 Bb- джазовый тромбон синий
$95
pBone тромбон красный
$115
pBone Тромбон синий
$119
Yamaha YSL-445 GE II Тромбон
$985
Тромбон Thomann Classic TB525 L
$269
pBone Тромбон черный
$119
Yamaha YSL-891 Z Тромбон
2 333 долл.
СШАpBone Тромбон фиолетовый
$119
Thomann Jazz Bb-Тенор Тромбон
$289
pBone Тромбон желтый
$118
Тромбон pBone Белый
$127
Yamaha YSL-447 GE II Тромбон
$999
Jupiter JTB710RQ Эргономичная модель
688 $
Harley Benton TE-69TL Hot Rod NT Жареный
$184
Harley Benton JA-баритон BK
$162
Harley Benton TE-52 NA Vintage Series
$133
Focusrite Scarlett 2i2 3-го поколения
$133
Harley Benton ST-20HSS SBK Стандартная серия
$79
Шуре СМ 7 В
$289
Harley Benton SC-500 BK Vintage Series
$139
beyerdynamic DT-770 Pro 80 Ом
111 долларов
Электронная барабанная установка Millenium MPS-1000
$811
Нейронный DSP Quad Cortex
1499 долларов
Найти твердотельные гитарные комбо
15 14 13 13 12 11 11 10 6 6 5 3 3 3 3 3 2 2 2 2 2 1 1 1 1Предложения
- Горячие предложения
- Сделки
Yamaha YFL-272 Флейта
$525
Powell Sonare PS 905 CEF Flute B-Stock
$3,399
Вам нравится то, что вы видите?
Покупайте и платите безопасно
Оплата может быть произведена безопасно и надежно с помощью PayPal, Amazon Pay, кредитной карты или банковского перевода.
Ваши преимущества
- 3 года гарантии Thomann 3 года гарантии Thomann
- 30-дневная гарантия возврата денег 30-дневная гарантия возврата денег
- Услуги по ремонту Услуги по ремонту
- Совет от наших экспертов Совет от наших экспертов
- Гарантия удовлетворения Гарантия удовлетворения
- Самый большой склад в Европе Самый большой склад в Европе
обслуживание
- Стоимость доставки и сроки доставки
- Справочный центр
- Ваучеры
- Свяжитесь с нами
- Проходной магазин
- Обзор услуг
© 1996–2022 Thomann GmbH.
Томанн любит тебя, потому что ты молодец!Продукты
- По технологии
- Дискретные и силовые модули
- МОП-транзисторы
- Силовые модули
collapse-target—2040980924″/>
- БТИЗ-модули
- МОП-транзисторы
- Гибридные модули Si/SiC
- Интеллектуальные силовые модули (IPM)
- Модули из карбида кремния (SiC)
- Карбид кремния (SiC)
collapse-target—2040980986″/>
- Диоды из карбида кремния (SiC)
- Карбид кремния (SiC) МОП-транзисторы
- Защищенные МОП-транзисторы
- Выпрямители
- Диоды Шоттки и выпрямители Шоттки
- Аудио транзисторы
- Транзисторы Дарлингтона
- Диоды защиты от электростатических разрядов
- Транзисторы общего назначения и с низким VCE(sat)
- Цифровые транзисторы (БРТ)
- JFET
- Диоды переключения слабого сигнала
- Стабилитроны
- РЧ транзисторы
- ВЧ-диоды
- Монолитные микроволновые интегральные схемы (MMIC)
- БТИЗ
- Управление энергопотреблением
collapse-target-294097623″/>
- Устройства с питанием от PoE
- Драйверы ворот
- Преобразование переменного тока в постоянный
- Автономные контроллеры
- Оффлайн регуляторы
- Контроллеры коэффициента мощности
- Контроллеры вторичной стороны
- Преобразование постоянного тока в постоянный
collapse-target-295609400″/>
- Зарядные насосы
- Контроллеры
- Преобразователи
- Контроллеры GFCI
- Регуляторы терминации DDR
- Защищенные силовые выключатели
- Источники опорного напряжения и супервизоры
collapse-target-294150540″/>
- Источники опорного напряжения
- Контроллеры напряжения
- Драйверы светодиодов
- Драйверы светодиодов AC-DC
- Драйверы светодиодов DC-DC
- Линейные светодиодные драйверы
- Защита
collapse-target—2040981017″/>
- Текущая защита
- Защита от напряжения
- Фильтры электромагнитных помех
- Управление батареей
collapse-target-1749441696″/>
- Контроллеры заряда аккумуляторов
- Датчики уровня заряда аккумулятора
- Встроенный драйвер и МОП-транзистор
- Линейные регуляторы (LDO)
- Идеальные диодные контроллеры
- Формирование сигнала и управление
collapse-target—2040981172″/>
- Редрайверы
- Усилители и компараторы
- Усилители измерения тока
- Аудио усилители мощности
- Операционные усилители (ОУ)
- Видео усилители
- Компараторы
- Микроконтроллеры
collapse-target—2040981110″/>
- Микроконтроллеры для конкретных приложений
- Микроконтроллеры общего назначения
- Преобразователи данных (АЦП)
- Цифровые потенциометры (POT)
- Формирование сигнала датчика
- Датчики
collapse-target-1749199524″/>
- Датчики изображения
- Процессоры сигналов изображения (ISP)
- Модули датчика изображения
- Фотоприемники (SiPM, SPAD)
collapse-target—2040981141″/>
- Кремниевые фотоумножители (SiPM)
- Управление температурным режимом
- Контроллеры вентиляторов
- Датчики температуры
- Ультразвуковой датчик
- Датчики внешней освещенности
- Блок управления двигателем
collapse-target—2040976336″/>
- Драйверы двигателей
- Драйверы загрузки и драйверы реле
- Драйверы двигателей, Матовый
- Драйверы двигателей, бесколлекторные
- Драйверы двигателей, шаговый двигатель
- Контроллеры двигателей ecoSpin™
- Драйверы двигателей
- Пользовательские и ASSP
collapse-target—2041782584″/>
- Индивидуальные литейные услуги
- SoC, SiP и нестандартные продукты
- Преобразование ASIC в ASIC
- Технология ASIC
collapse-target—775129302″/>
- СК5
- СК3
- СП110
- СП65
- ONC18
- СП40
- Система-на-чипе
- Система в пакете
- Преобразование FPGA в ASIC
- Интегрированные пассивные устройства
- Пользовательские датчики изображения
- Аудио/Видео АССП
collapse-target—2040981079″/>
- Аудио АССП
- Аудио DSP-системы
- Аудиологические DSP-системы
- Видео Кондиционирование
- Интерфейсы
collapse-target-295663092″/>
- Ethernet-контроллеры
- Проводные трансиверы и модемы
- Аналоговые переключатели
- Интерфейсы смарт-карт и SIM-карт
- USB-C
- Цифровые изоляторы
- Драйвер симисторных оптронов
- Драйверы затворов IGBT/MOSFET Оптопары
- Высокопроизводительные оптопары
collapse-target-1749406139″/>
- Высокопроизводительные транзисторные оптопары
- Высокоскоростные оптопары с логическими вентилями
- Низковольтные высокоэффективные оптопары
- Оптопары специального назначения
- Фототранзисторные оптопары
collapse-target-1749406294″/>
- Изолированные оптопары усилителя ошибки
- Выходные оптопары Фото Дарлингтона
- Выход фототранзистора — оптопары для измерения постоянного тока
- Фототранзисторный выход — оптопары для измерения переменного тока
- Инфракрасный
collapse-target-1749404372″/>
- Излучающие диоды
- Фотодатчик
- Транзистор фотодатчика
- Отражающий датчик
- Беспроводное подключение
collapse-target-1748546044″/>
- Wi-Fi решения
- QCS-AX
- QSR10G
- QSR2000C
- QSR1000
- QCS-AX2
- Беспроводные радиочастотные приемопередатчики
- Wi-Fi решения
- Синхронизация, логика и память
collapse-target-294097654″/>
- Распределение часов и данных
- Арифметические функции
- Драйверы и буферы разветвления
- Триггеры, защелки и регистры
- Логические ворота
- Мультиплексоры и коммутационные коммутаторы
- Последовательные/параллельные преобразователи
- Управление перекосом
- Переводчики
- Генерация часов
collapse-target-295605463″/>
- Детекторы фазы/частоты
- Тактовые генераторы PLL
- Часы с подавлением электромагнитных помех с расширенным спектром
- Генераторы, управляемые напряжением (ГУН)
- Буферы с нулевой задержкой
- Память
collapse-target—2040980211″/>
- Флэш-память
- SRAM-память
- Память ЭСППЗУ
- Стандартная логика
collapse-target—2040980180″/>
- Арифметико-логические функции
- Буферы
- Шинные трансиверы
- D-триггеры и JK-триггеры
- Расширители ввода/вывода
- Защелки и регистры
- Логические ворота
- Мультиплексоры
- Переводчики уровней
- 1-ворота
- 2-ворота
- 3-ворота
- Мини-ворота™
- Распределение часов и данных
- По решению
- Автомобильный
- промышленный
- Облако
- 5G и предприятия
- Интернет вещей (IoT)
- Мобильный
- Услуги продукта
collapse-target—780847004″/>
- Инвентаризация распределения
- Уведомления об изменении продукта
- Ссылка на конкурента
- Найти/заменить устаревшие/конечные продукты
- Заказать образцы / оценочные доски
- RoHS (состав материала)
- Китай RoHS
- Данные о надежности
- Документация по автомобильным процессам AEC/PPAP
- новые продукты
По технологии
Дискретные и силовые модули
Ассортимент продуктов, который предлагает полный спектр силовых дискретных устройств высокого, среднего и низкого напряжения, а также современные силовые модули, включая IGBT, MOSFET, SiC, Si/SiC Hybrid, Diode, SiC Диод и интеллектуальные силовые модули (IPM).
Подробнее
Управление питанием
Инновационные продукты для управления питанием, которые обеспечивают энергоэффективные решения для всех приложений, обеспечивая улучшенный коэффициент мощности, повышенную эффективность в активном режиме и сниженное энергопотребление в режиме ожидания.
Подробнее
Преобразование сигналов и управление
Предлагается широкий ассортимент продукции от усилителей и компараторов до преобразователей частоты, микроконтроллеров, преобразователей данных (АЦП) и цифровых потенциометров (ПТ).
Подробнее
Датчики
Широкий ассортимент инновационных и лучших в отрасли датчиков изображения, процессоров изображений и модулей для фотодетекторов (SPAD, SiPM) и многого другого.
Обзор
Управление двигателем
Ассортимент продукции, включающий драйверы двигателей (щеточные, бесщеточные, шаговые, нагрузочные и релейные) и интегрированные системы управления двигателями для всех ваших решений по управлению двигателями.
Подробнее
Custom & ASSP
Предлагает инновационные SoC, SiP, ASIC, аудио/видео ASSP и другие индивидуальные решения и литейные услуги для широкого спектра приложений в автомобильной, промышленной, медицинской, аэрокосмической и оборонной отраслях.
Обзор
Интерфейсы
Широкий ассортимент интерфейсных технологий, обеспечивающих более низкое энергопотребление, уменьшенный размер и обеспечивающих высочайшую производительность передачи сигнала.
Подробнее
Беспроводное подключение
Ассортимент продуктов для передовых решений Wi-Fi, поддерживающих стандарт 802.11ax/ac/n/a/g/b, и беспроводных приемопередатчиков RF, работающих в диапазонах суб-ГГц и 2,4 ГГц.
Подробнее
Синхронизация, логика и память
Предлагается широкий ассортимент продуктов для программируемых тактовых импульсов, генерации и распределения тактовых импульсов, стандартной логики и памяти (флэш-память, EEPROM и SRAM) для различных приложений.
Узнать
By Solution
Автомобилестроение
Мы входим в десятку крупнейших мировых поставщиков полупроводников для автомобильной промышленности и уже более двух десятилетий успешно поставляем инновационные автомобильные полупроводниковые решения для ключевых электронных систем автомобилей.
Узнать
Промышленность
onsemi предлагает решения для различных задач по преобразованию энергии, управлению двигателем и автоматизации в промышленном пространстве. Благодаря многолетнему опыту в области силовой электроники у нас есть продукты, знания и качество для обеспечения высокой эффективности в активном режиме, низкой мощности в режиме ожидания и коррекции коэффициента мощности.
Исследовать
Облако
Вычисления и связь являются ключевыми частями нашей инфраструктуры, и каждому процессору, банку памяти или базовой станции беспроводной связи требуется питание. По мере переноса этих функций в облако эффективность и надежность приобретают все большее значение.
Подробнее
5G и предприятия
5G позволит миру общаться и делиться новыми впечатлениями множеством новых способов, которые изменят то, как мы ведем бизнес. Тем не менее, благодаря нашему обширному ассортименту продукции и инновационным технологиям, мы продолжим помогать вам находить решения для ваших проектов.
Узнать
Интернет вещей (IoT)
Разработать и внедрить наиболее энергоэффективные решения Интернета вещей (IoT) с помощью широкого спектра решений для подключения, датчиков, контроля и управления питанием промышленного уровня от onsemi.
Explore
Mobile
onsemi предлагает различные решения для управления питанием и интерфейса мобильных приложений.
Исследовать
Что такое транзисторы и как их использовать? — Ночная электроника
Магазин NightShade Electronics будет ЗАКРЫТ с 21 по 27 сентября. Все заказы, размещенные в этот период, будут отправлены 28 числа.
ЗАКРЫТО 21–27 сентября: Заказы, размещенные в это время, будут отправлены 28 сентября.
перейти к содержаниюСоздано
Последнее обновление
byAaron Liebold
Печать
- Главная
- Учебники по электронике
- Компоненты
- Что такое транзисторы и как их использовать?
< Все темы
Два сквозных транзистора рядом с транзистором SMTТранзисторы представляют собой электрические компоненты, которые усиливают слабые сигналы в большие сигналы. Они потребляют небольшое количество энергии и выделяют большое количество энергии. Транзистор функционирует как аэрозольный баллончик; небольшое усилие на сопле может высвободить много энергии.
Транзисторы изготовлены из полупроводников, которые проводят электричество только при определенных условиях. Обычно они изготавливаются из трех слоев кремния, которые химически обрабатываются, чтобы немного различаться.
Смещая материал в середине полупроводника (изменяя его напряжение по отношению к остальной части устройства), основной путь тока транзистора либо позволяет протекать току, либо сильно ограничивает его. Поскольку он может управлять потоком энергии без каких-либо движущихся частей (например, реле), транзисторы и другие полупроводниковые компоненты называются твердотельными компонентами.Различные типы транзисторов
Существуют две основные категории транзисторов, BJT и MOSFET, и каждая из них бывает двух типов.
BJT (транзисторы с биполярным переходом)
BJT лучше всего описывается как усилитель тока. Три вывода BJT называются коллектором, эмиттером и базой. Первичный путь тока находится между коллектором и эмиттером. База используется для смещения транзистора для управления первичным потоком.
Два типа BJT — NPN и PNP. Названия NPN и PNP произошли от конструкции BJT. Полупроводниковый материал, такой как кремний (используемый в большинстве полупроводниковых устройств), не проводит электричество в своем элементарном состоянии.
Чтобы сделать его способным проводить электричество, элементарный кремний намеренно «легируют» другими материалами. Эти материалы заряжены либо положительно (P), либо отрицательно (N). Отрицательные примеси, такие как фосфор, имеют избыток электронов, которые могут перемещаться. Положительные примеси, такие как бор, имеют «дырки», которые могут быть заполнены электронами. Теперь, в зависимости от смещения напряжения, электроны могут перемещаться из материалов N в материалы P, создавая проводящий путь, который позволяет течь электричеству.Величина тока, протекающая по основному пути биполярного транзистора, прямо пропорциональна величине тока, протекающего через базу транзистора. Соотношение этих двух токов и есть бета-уровень транзистора (AKA hFE). Для многих биполярных транзисторов их бета-уровень составляет около 100. Это означает, что если вы пропускаете 1 мА тока через базу транзистора, транзистор будет пропускать 100 мА тока через коллектор и эмиттер.
Что мы еще не обсуждали, так это направление тока, протекающего через транзистор.
Как вы могли догадаться, это зависит от конструкции слоев транзистора.NPN-транзистор
NPN-транзистор имеет N внешних слоев (коллектор и эмиттер) и P-слой посередине (база). Основной (большой) поток тока идет от коллектора к эмиттеру. Поток тока через базу транзистора NPN течет в базу и из эмиттера. Это означает, что напряжения на клеммах должны создавать правильные токи. Коллектор должен иметь самое высокое напряжение на транзисторе NPN. Тогда ток может течь от коллектора к эмиттеру. Точно так же напряжение базы должно быть выше напряжения эмиттера, когда транзистор открыт, и ниже или равно напряжению эмиттера, когда транзистор выключен. Для этого между нагрузкой и землей обычно используется NPN-транзистор. Тогда эмиттер всегда будет равен или ниже напряжения на коллекторе и эмиттере.
Транзистор PNP
Транзистор PNP состоит из слоев P снаружи (эмиттер и коллектор) и слоя N посередине (база). Основной (большой) поток тока идет от эмиттера к коллектору.
Поток тока через базу PNP-транзистора течет в эмиттер и выходит из базы. Опять же, напряжения на клеммах должны создавать правильные токи. Эмиттер должен иметь самое высокое напряжение на транзисторе PNP. Затем ток течет от эмиттера к коллектору. Напряжение базы должно быть меньше напряжения эмиттера, когда транзистор включен, и больше или равно напряжению эмиттера, когда транзистор выключен. Для этого между источником и нагрузкой обычно используется PNP-транзистор. Тогда эмиттер всегда будет равен или больше напряжения коллектора или базы. Заряд затвора относится к истоку или стоку, в зависимости от типа МОП-транзистора.MOSFET (металлооксидные полевые транзисторы)
В то время как BJT являются усилителями тока, MOSFET больше похожи на резисторы, управляемые напряжением. МОП-транзисторы также имеют три вывода, называемые стоком, истоком и затвором. Основной путь тока проходит через исток и сток, в то время как затвор заряжается, открывая или закрывая полевой МОП-транзистор.
В отличие от BJT, которые построены слоями, MOSFET имеют полный путь или канал из одного типа полупроводникового материала; Тип P или N. Затем рядом с каналом размещается противоположный тип (например, N-канальный полевой МОП-транзистор имеет некоторое количество материала P рядом с каналом). Затем эти два материала смещаются в проводящее состояние электрическим полем, а не потоком тока. Таким образом, открытие MOSFET похоже на зарядку конденсатора. Он не требует постоянного тока, чтобы держать его открытым.В отличие от многослойных биполярных транзисторов, полевые МОП-транзисторы имеют полный путь или канал из полупроводникового материала одного типа; Тип P или N. Затем рядом с каналом размещается противоположный тип (например, N-канальный полевой МОП-транзистор имеет некоторое количество материала P рядом с каналом). Затем эти два материала смещаются в проводящее состояние электрическим полем, а не потоком тока. Таким образом, открытие MOSFET похоже на зарядку конденсатора.
Он не требует постоянного тока, чтобы держать его открытым. Сопротивление MOSFET пропорционально электрическому заряду на затворе. Без заряда МОП-транзистор имеет огромное сопротивление, что, по сути, создает разомкнутую цепь. Когда затвор полностью заряжен, полевой МОП-транзистор может иметь сопротивление менее миллиома. Затвор типичного полевого МОП-транзистора должен быть заряжен до 1,5–10 В, чтобы полностью открыться. МОП-транзисторы в нижней части этого диапазона напряжения затвора имеют внутреннюю схему для повышения напряжения затвора выше, чем приложенное извне напряжение. Они считаются логический уровень MOSFET.Большинство современных полевых МОП-транзисторов содержат встроенный диод для предотвращения повреждения от электростатического разряда. Это называется корпусным диодом. МОП-транзистор должен быть ориентирован так, чтобы корпусный диод был направлен против предполагаемого потока тока через МОП-транзистор (указывая на более высокое напряжение). В противном случае ток всегда будет течь от высокого напряжения к низкому, хоть и корпусному диоду.
N-канальный МОП-транзистор
N-канальный МОП-транзистор включается путем зарядки затвора до напряжения, превышающего напряжение на клемме истока. Это создает электрическое поле, необходимое для вытягивания электронов из N-канала в соседний материал P, создавая проводящий путь. N-канальный МОП-транзистор обычно размещают между нагрузкой и землей, так что затвор может легко управляться напряжением выше, чем на клемме истока. МОП-транзистор выключается путем прижимания клеммы затвора к земле.
P-канальный MOSFET
P-канальный MOSFET включается путем понижения напряжения затвора ниже напряжения на клемме истока. Это создает электрическое поле, которое притягивает электроны из соседнего N-материала в P-канал, создавая проводящий путь. Он отключается, подтягивая клемму затвора обратно до (или выше) напряжения на клемме стока. Это позволяет легко использовать P-канальный полевой МОП-транзистор между истоком и нагрузкой, поскольку на клемме истока всегда будет самое высокое напряжение в цепи, что позволяет легко подтянуть затвор к напряжению ниже, чем на истоке.
Когда использовать MOSFET по сравнению с BJT
Использовать MOSFET, когда:
- Транзистор должен переключаться напряжением, а не током.
- Большой ток должен переключаться с помощью слаботочного устройства, такого как микроконтроллер.
Используйте биполярный транзистор, когда:
- Транзистор должен переключаться током, а не напряжением.
- Желательна линейная область, например схема усилителя.
Как использовать транзисторы?
Транзисторы можно использовать двумя способами: цифровым или аналоговым. При использовании транзисторов в цифровом виде они полностью открыты и полностью закрыты, как переключатель. Чтобы использовать транзисторы в качестве аналоговых устройств, их частично открывают, чтобы регулировать мощность, проходящую через них.
Использование транзисторов в качестве переключателей
Использование биполярного транзистора в качестве переключателя
Поскольку биполярный транзистор действительно является усилителем тока, он всегда работает в своей «линейной» области работы.
В линейном режиме транзистор открывается пропорционально управляющему сигналу (току базы). Итак, чтобы использовать биполярный транзистор в качестве переключателя, вам нужно, чтобы через базу протекал достаточный ток, чтобы он легко позволял всему необходимому току течь через коллектор и эмиттер. Поскольку BJT очень похож на диод, он не сопротивляется протеканию тока, а только создает падение напряжения. Из-за этого ток через коллектор и эмиттер, а также ток через базу приходится ограничивать сопротивлением. Выбрать это сопротивление для базы — это просто взять напряжение от базы к эмиттеру (NPN) или от коллектора к базе (PNP), вычесть падение напряжения на транзисторе (обычно около 0,6 В) и разделить это напряжения на необходимый базовый ток. Минимальный базовый ток, необходимый для работы в качестве переключателя, равен требуемому току эмиттер-коллектор, деленному на бета-уровень транзистора (hFE).Использование NPN BJT в качестве переключателя
Если нам нужно переключить ток 1 А через эмиттер-коллектор, а коэффициент бета транзистора равен 100, нам нужно, чтобы при включении транзистора через базу проходил ток не менее 10 мА.
на.\(\large I_{база} = \frac{I_{коллектор}}{hFE} = \frac{1A}{100} = 10 мА\)
Если это транзистор NPN и напряжение на базе 5 В, а эмиттер подключен к земле, последовательно с базой должно быть сопротивление 440 Ом.
\(\large R_{база} = \frac{V_{база-коллектор}}{I_{база}} = \frac{5V – 0,6V}{0,010A} = 440\Omega\)
Потому что немного больше тока поможет открыть транзистор больше, я бы, вероятно, использовал резистор 330 Ом, который даст 13,3 мА, что позволит протекать до 1,33 А через коллектор и эмиттер.
\(\большой I_{база} = \frac{V_{база-коллектор}}{R} = \frac{5В – 0,6В}{330\Omega} = 13,3мА\)
\(\большой I_ {коллектор} \leq I_{база} \times hFE = 13,3 мА \times 100 = 1,33A\)
Использование МОП-транзистора в качестве переключателя
Переключение питания МОП-транзистора на печатной платеМОП-транзистор очень хорошо подходит для использования в качестве переключателя, поскольку его линейная рабочая область очень мала.
Когда затвор полевого МОП-транзистора заряжается выше порогового напряжения , сопротивление полевого МОП-транзистора резко уменьшается, что позволяет току легко течь. Сопротивление полевого МОП-транзистора будет продолжать уменьшаться по мере увеличения напряжения на затворе, что может быть сделано для уменьшения потерь мощности в МОП-транзисторе.МОП-транзистор, в отличие от биполярного транзистора, не требует резистора на затворе для ограничения тока. Вам может понадобиться ограничить пусковой ток с помощью резистора, если вы заряжаете затвор от устройства с низким током, такого как микроконтроллер. Однако для МОП-транзистора требуется подтягивающий или подтягивающий резистор, чтобы гарантировать его выключение. Если вы просто отключите затвор MOSFET от управляющего сигнала, он не обязательно выключится, потому что затвор все еще заряжен, и этому заряду некуда деваться.
Использование транзисторов в качестве усилителей
Я упомянул тот факт, что транзисторы не всегда полностью открываются и закрываются, и что это можно использовать для ограничения потока энергии.
Это означает, что транзистор может находиться в двух состояниях, что означает, что он может хранить две разные части информации.
Они действуют как устройства повышения тока, когда они используются в качестве усилителей в электрических приложениях. Транзистор потребляет небольшой ток на входе и может генерировать гораздо больший ток на выходе.
У них три «ножки» — база, коллектор и эмиттер. Небольшой ток на базе включает транзистор, позволяя гораздо большему току течь между коллектором и эмиттером.
Ограничительный резистор — обычно 1K требуется в базовой цепи транзисторного каскада, чтобы предотвратить перегрузку и, следовательно, перегрев и разрушение транзистора.
Добавление фосфора или мышьяка создает кремний N-типа 9.0170 (отрицательно заряженный) , тогда как добавление бора или галлия дает кремний P-типа (положительно заряженный) .
— максимальный ток коллектора (выберите значение, которое не меньше значения заменяемого транзистора ) .
на радиатор для охлаждения) . Общие типы упаковки , встречающиеся в Дизайн и технология являются: ТО-5 (т.е. Транзистор Контур 5) ; ТО-18 ; ТО-92 ; ТО-220 и ТО-3 .
Но некоторые концепции могут быть сложными, например, выбор транзистора для сильноточной или высоковольтной конструкции. В этой статье Джефф рассказывает об истории транзистора как устройства. Затем он расскажет вам, как выбрать и использовать транзистор в качестве переключателя или для других функций.
Пока они могут следовать рецептам ведущих, новички могут воспроизводить тысячи экспериментов других. И благодаря сообществу обмена этот список продолжает расти. Для тех, кто полностью на крючке, это может в конечном итоге завести в тупик, где их воображение, наконец, упрется в пресловутую каменную стену. Они захотят управлять чем-то, что не является «подключи и работай», или просто захотят сделать это сами.
В сочетании с отдельным контактом или пластиной в вакуумированной стеклянной колбе эти испускаемые электроны притягивались через зазор, когда пластина или анод были положительно заряжены по отношению к нити накала или катоду. Ток протекал только в одном направлении, и была создана первая диодная лампа (9).0019 Рисунок 1 
Хотя многие ранние радиоустройства были портативными, они были довольно большими и тяжелыми, поскольку требовалось несколько батарей (, рис. 2, ). Ранние вычислительные машины были массивными, занимали много места и выделяли тысячи ватт тепла ( Рисунок 3 ).
Эти радиостанции обычно назывались «фермерскими радиостанциями» и питались от так называемого «аккумуляторного блока», который содержал все батареи, необходимые для работы радиостанции [2]. Рисунок 3 
Атом — это наименьшая частица материи, которая сохраняет свойства, необходимые для определения элемента. Он состоит из двух основных частей. Центр или «ядро» состоит из двух частиц, протона и нейтрона, а «оболочка» содержит вращающиеся по орбите частицы, называемые электронами. Существуют и другие субатомные частицы, но для обсуждения нам нужно рассмотреть только эти три.
Когда больше электронов заполняет внешнюю оболочку, свободных валентных электронов становится меньше, и элемент становится более стабильным и хорошим изолятором. Нас интересуют элементы с обоими этими аспектами.
Процесс, известный как «легирование», может увеличить проводимость полупроводникового кремния. Существует два различных типа легирования: N-легирование и P-легирование. При обоих видах легирования в кристалл Si добавляется примесь (вещество, не являющееся кремнием).
Этот электрон бродит вокруг в поисках нового дома.
7, ). Контакт двух легированных материалов создает область, в которой свободные электроны в материале, легированном N, диффундируют через переход, чтобы заполнить дырки в материале, легированном P, а дырки в материале, легированном P, диффундируют через переход, чтобы рекомбинировать с свободные электроны, как показано на Рисунок 8 .
Приложение внешнего положительного потенциала к аноду (обратное смещение) усиливает обедненную область, создавая лучший изолятор и предотвращая протекание тока. Однако приложение внешнего положительного потенциала к аноду (прямое смещение) ослабляет обедненную область, создавая лучший проводник, по которому может течь ток. Для PN-перехода в кремнии область обеднения устраняется, когда потенциал превышает 0,7 В. Диод сам по себе является простым и чрезвычайно полезным полупроводниковым устройством, но он также является основой для других устройств.
Эмиттеры более сильно легированы, и у N-типа (NPN) или «донора» больше свободных электронов, тогда как у P-типа или «акцептора» больше дырок.
Показаны оба типа вместе с их схемами и реальными корпусами TO-92, чтобы показать, как они связаны.
Нагрузкой может быть светодиод, реле или любое другое устройство на 5В. Чуть позже мы обсудим высоковольтные устройства.
Когда R1 подключен к земле, ток может течь через базу, открывая транзистор и позволяя 10-кратному току течь через коллектор, через R2 и светодиод.
Но когда вам нужен больший ток — скажем, для короткого рабочего цикла, потребляющего ток 100 мА, — вам нужно будет использовать транзистор.
Они не только немного дешевле, но и их проще использовать с устройствами с более высоким напряжением. Требуется ли моему устройству менее 100 мА (BJT) или больше (DT)? Здесь самым большим вопросом будет: нужен ли теплоотвод для устройства DT?